CN101771102A - 在薄膜光伏电池板制造上的激光刻膜工艺方法 - Google Patents

在薄膜光伏电池板制造上的激光刻膜工艺方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101771102A
CN101771102A CN200810246318A CN200810246318A CN101771102A CN 101771102 A CN101771102 A CN 101771102A CN 200810246318 A CN200810246318 A CN 200810246318A CN 200810246318 A CN200810246318 A CN 200810246318A CN 101771102 A CN101771102 A CN 101771102A
Authority
CN
China
Prior art keywords
laser
film
etching
glass plate
photovoltaic cell
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN200810246318A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101771102B (zh
Inventor
付斌
曹建
李辉
曹家明
孙文
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan Chutian Laser Group Co Ltd
Original Assignee
Wuhan Chutian Laser Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan Chutian Laser Group Co Ltd filed Critical Wuhan Chutian Laser Group Co Ltd
Priority to CN2008102463182A priority Critical patent/CN101771102B/zh
Publication of CN101771102A publication Critical patent/CN101771102A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101771102B publication Critical patent/CN101771102B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

本发明涉及一种激光刻膜工艺。本发明公开了一种在薄膜光伏电池板制造上的激光刻膜工艺方法，首先把镀好TCO膜层的玻璃板放在工作台上。调节好玻璃板的平面度后按要求的位置和间距开始用激光刻蚀；完成后把玻璃板送去镀a-Si膜层，再放在工作台上按要求刻蚀a-Si膜层；完成后再把玻璃板去镀AL膜层；再放在工作台上开始刻蚀AL膜层，即完成了太阳能电池板的激光刻膜流程。本发明的针体、套管、引线制成一体，因此，本发明解决了在薄膜光伏电池板上刻膜的精度要求，提高了太阳能光伏电池的转换效率。

Description

在薄膜光伏电池板制造上的激光刻膜工艺方法
技术领域
本发明涉及一种激光刻膜工艺。具体涉及一种在薄膜光伏电池板制造上的激光刻膜工艺方法。
背景技术
现在在薄膜光伏电池板的制造过程中会出现的一些问题。影响电池的转换效率。
激光刻膜是用于太阳能光伏电池板制造的一个重要工序。刻膜的效果对电池的转换效率有很大的影响。目前薄膜光伏电池主要由TCO、a-Si、Al三层膜组成。由于在一定的条件要求下，如刻蚀的速度、刻蚀的线宽等，使得刻蚀工作难以达到刻蚀的精度要求。
发明内容
本发明的目的是提供一种在薄膜光伏电池板制造上的激光刻膜工艺方法，从而解决了在薄膜光伏电池板上刻膜的精度要求，提高了太阳能光伏电池的转换效率。
为了达到上述目的，本发明有如下技术方案：
本发明的一种在薄膜光伏电池板制造上的激光刻膜工艺方法，有以下步骤：
1)激光刻蚀TCO膜：首先把镀好TCO膜层的玻璃板放在工作台上，调节玻璃板的平面度，在刻蚀时，按照刻蚀后TCO导电膜电阻要在2MΩ以上，且刻蚀单根线条的速度是400-1500mm/s，刻蚀线条宽度在0.05mm以下，线条的边缘应整齐无毛边的条件要求，将刻蚀用的激光的脉宽选在30-180ns，重复频率选在6-50KHz，激光器的发散角控制在＜1mrad，激光光束质量m2＜1.3，激光器温度控制在设定温度的±0.10C以内，并在玻璃板两端距离玻璃板边缘3mm处各刻画一条隔离线；
2)激光刻蚀a-Si膜：激光刻蚀TCO膜完成后，把玻璃板送去镀a-Si膜层，再放在工作台上调节玻璃板的平面度，刻蚀时，选用532nm波长的绿光激光器，该激光器输出平顶高斯光束，输出为基膜、发散角要控制在＜1mrad，激光光束质量m2＜1.3，激光器温度控制在设定温度的±0.1℃以内。单光路平均功率0.8W-1.2W；
3)激光刻蚀AL膜：激光刻蚀a-Si膜完成后，把玻璃板送去镀AL膜层，再放在工作台上调节玻璃板的平面度，刻蚀时，选用光斑直径0.8mm的基膜，波长为532nm的绿光激光器，激光发散角控制在＜1mrad，激光光束质量m2＜1.3，单光路平均功率0、18W-0.22W，激光器温度控制在设定温度的±0.1℃以内；
4)对工作台的控制：行程在1400mm的工作台的直线度要求在0.02mm以内，精度±0.002mm。
其中，所述步骤1)的刻蚀单根线条的速度为400mm/s时，激光频率选为7kHz以上，脉宽在130nm以内，且单光路功率应达到7W以上。
其中，所述步骤2)的刻蚀速度在1000mm/s以上时，脉宽要小于40ns，重复频率在30Khz以上，且功率不稳定性不得大于10％。。
其中，所述步骤3)对激光刻蚀AL膜的线条宽度为0.08mm的情况下、刻蚀速度为400mm/s时，频率应为6.5-6.8KHz。。
其中，所述4)的工作台运行速度高于1000mm/s时，工作台自重应大于10吨。
由于采取了以上技术方案，本发明的优点在于：
1、TCO膜层刻蚀后线条两边电阻值要大于2MΩ，线条宽度小于0.05mm，直线度小于0.02mm/1400mm，线条之间的间距误差小于0.05mm。
2、a-Si膜层刻蚀后边缘锐利，线条中无刻蚀残留物，不灼伤TCO膜层；线条宽度在0.05-0.08mm、直线度小于0.02mm/1400mm、线条之间的间距误差小于0.05mm。
3、AL膜层刻蚀后边缘锐利，不灼伤TCO膜层，线条宽度在0.05-0.08mm、直线度小于0.02mm/1400mm、线条之间的间距误差小于0.05mm。
4、刻蚀完成后除了电池板两端的隔离线，没有线条相交的现象产生。
5、由于到达以上1-4的精度要求，本发明的太阳能光伏电池的转换效率得以大大提高。
附图说明
图1为本发明刻膜的示意图。
图中，1、TCO膜；2、a-Si膜；3、Al膜；P1、TCO膜层的刻蚀线条；P2、a-Si膜层的刻蚀线条；P3、Al膜层的刻蚀线条。
具体实施方式
以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
本发明的一种在薄膜光伏电池板制造上的激光刻膜工艺方法，具体实施如下：
如图1所示，薄膜光伏电池主要由TCO、a-Si、Al三层膜组成。刻蚀时，首先把镀好TCO膜层的玻璃板放在工作台上。调节好玻璃板的平面度后按要求的位置和间距开始用激光刻蚀；完成后把玻璃板送去镀a-Si膜层，再放在工作台上按要求刻蚀a-Si膜层；完成后再把玻璃板去镀AL膜层；再放在工作台上开始刻蚀AL膜层，就完成了太阳能电池板的激光刻膜流程。具体步骤如下：
1、TCO膜的刻蚀：TCO膜是一种透明导电膜，其透过率很高，该膜层对激光能量的利用率不到20％(不同厂家的镀膜有差别)。目前的生产厂家对TCO膜刻蚀一般要求是刻蚀后导电膜电阻要在2MΩ以上，且刻蚀单根线条的速度是400-1500mm/s。经过试验，我们将激光的脉宽选在30-180ns，重复频率选在6-50KHz来满足不同需求。一般情况下，当速度要求为400mm/s时，激光频率选为7kHz以上，脉宽在130nm以内，且单光路功率应达到7W以上，比较合适。TCO膜是非金属材料。为了提高电池转换效率，要求刻蚀线条宽度在0.05mm以下，线条的边缘应整齐无毛边。据此，激光器的发散角要控制在＜1mrad.、光束质量m2＜1.3。为了达到理想的功率稳定性，激光器的温度控制在设定温度的±0.1℃以内。由于玻璃板在镀TCO膜层时候玻璃板边缘的倒角附着导电层。我们在电池板两端距离电池板边缘3mm处各刻画一条隔离线，将倒角部分排除掉。
2、a-Si膜的刻蚀：a-Si膜层镀在TCO膜层上，它刻蚀的P2离P1线一般情况下偏移0.15mm，见图1。
a-Si膜的主要构成是硅材料。它对532nm的绿光吸收比较好。故我们选用532nm波长的绿光激光器。如图2所示，由于a-Si膜是镀在TCO膜层上，故要考虑刻蚀不能伤到TCO膜层。最理想的办法是采用能输出平顶高斯光束的激光器。激光器的要求是基膜、发散角要控制在＜1mrad.、m2＜1.3。如果要求刻蚀速度在1000mm/s以上时，脉宽就要小于40ns，重复频率在30Khz以上，且功率不稳定性不得大于10％。为了达到理想的功率稳定性要选用恒温冷却系统。激光器的温度控制在设定温度的±0.1℃以内。单光路平均功率1W。
3、AL膜的刻蚀：AL膜层镀在a-Si膜层上。如图1所示，AL膜层和TCO膜层之间为a-Si膜。AL膜层的刻划是实际上是向a-Si释放激光在a-Si吸收激光能量后将AL膜层爆开的过程。所以它的刻划需要的激光器的指标比较苛刻。如果激光功率太大容易灼伤TCO膜层。激光功率太小容易使AL膜层和TCO膜层边缘相连，引起电池短路。而且在线条上会出现残留物。通过试验，我们选用激光的发散角控制在＜1mrad.、m2＜1.3、光斑直径0.8mm的基膜、532nm波长绿激光，单光路平均功率大约0.2W时就能满足该膜层的刻划要求。所以我们要考虑激光器在小功率情况下出光阈值，以取得理想的功率稳定性。可以加上衰减片以求在激光器稳定段工作。为了达到理想的功率稳定性要选用恒温冷却系统。激光器的温度控制在设定温度的±0.1℃以内。刻蚀后的剖面以圆锥形为佳，以利于断开AL膜层和TCO膜层，满足电池板的生产工艺需要。线条上的光斑重合部分要尽量少一点，以提高电池的性能。所以结合不同直径大小的光斑，激光频率要和刻蚀速度相匹配，其重合度以可以断开AL膜层为准。一般地，在线条宽度为0.08mm的情况下、刻蚀速度为400mm/s的时，频率应为6.5-6.8KHz。不同的速度，要求相对应的激光频率。所以我们要在生产过程中按照生产速度要求来选择相对应脉宽和重复频率的激光器。
4、在激光刻蚀的工作过程中。由于电池板的面积比较大，经过高温镀膜后，电池板会有一定的变形。所以我们的聚焦系统的焦深要比较大。还要考虑线宽的要求。故我们要选择的聚焦系统应兼顾以上情况。一般地，发散角为＜1mrad.、m2＜1.3、光斑直径为0.8mm的绿光，在不扩束的情况下用F＝100mm的聚焦镜。
5、工作台对电池板的刻蚀有很大的影响。主要有这几点：
5.1直线度和精度。电池板的三条线总宽度相加不到0.5mm。工作台的直线度和精度不好，很容易使所刻线条交叉而产生废品。采用光栅反馈的全闭环系统是比较好的。行程在1400mm的工作台的直线度要求在0.02mm以内。精度±0.002mm
5.2稳定性。当下由于生产厂家对生产效率的要求，工作台的移动速度越来越高。出于对安全和生产的需要，提出了对工作台的稳定性和平稳性的要求。在运动过程中不允许出现抖动现象。当速度高于1000mm/s时工作台自重应大于10吨。
6、我们对刻膜过程中的刻蚀效果的检测。刻蚀完成后除了电池板两端的隔离线，不允许有线条相交的现象产生。
6.1、TCO膜层刻蚀后主要检测的是线条两边电阻值，一般要大于2MΩ。线条宽度小于0.05mm。直线度小于0.02mm/1400mm、线条之间的间距误差小于0.05mm.
6.2、a-Si膜层刻蚀后用显微观察要求边缘锐利。线条中不允许有刻蚀残留物。不能灼伤TCO膜层。线条宽度在0.05-0.08mm、直线度小于0.02mm/1400mm、线条之间的间距误差小于0.05mm。
6.3、AL膜层刻蚀后用显微镜观察要求边缘锐利。不能灼伤TCO膜层。线条宽度在0.05-0.08mm、直线度小于0.02mm/1400mm、线条之间的间距误差小于0.05mm。
显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无法对所有的实施方式予以穷举。凡是属于本发明的技术方案所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之列。

Claims (5)

1.一种在薄膜光伏电池板制造上的激光刻膜工艺方法，其特征在于有以下步骤：
1)激光刻蚀TCO膜：首先把镀好TCO膜层的玻璃板放在工作台上，调节玻璃板的平面度，在刻蚀时，按照刻蚀后TCO导电膜电阻要在2MΩ以上，且刻蚀单根线条的速度是400-1500mm/s，刻蚀线条宽度在0.05mm以下，线条的边缘应整齐无毛边的条件要求，将刻蚀用的激光的脉宽选在30-180ns，重复频率选在6-50KHz，激光器的发散角控制在＜1mrad，激光光束质量m2＜1.3，激光器温度控制在设定温度的±0.10C以内，并在玻璃板两端距离玻璃板边缘3mm处各刻画一条隔离线；
2)激光刻蚀a-Si膜：激光刻蚀TCO膜完成后，把玻璃板送去镀a-Si膜层，再放在工作台上调节玻璃板的平面度，刻蚀时，选用532nm波长的绿光激光器，该激光器输出平顶高斯光束，输出为基膜、发散角要控制在＜1mrad，激光光束质量m2＜1.3，激光器温度控制在设定温度的±0.1℃以内。单光路平均功率0.8W-1.2W；
3)激光刻蚀AL膜：激光刻蚀a-Si膜完成后，把玻璃板送去镀AL膜层，再放在工作台上调节玻璃板的平面度，刻蚀时，选用光斑直径0.8mm的基膜，波长为532nm的绿光激光器，激光发散角控制在＜1mrad，激光光束质量m2＜1.3，单光路平均功率0、18W-0.22W，激光器温度控制在设定温度的±0.1℃以内；
4)对工作台的控制：行程在1400mm的工作台的直线度要求在0.02mm以内，精度±0.002mm。
2.如权利要求1所述的一种在薄膜光伏电池板制造上的激光刻膜工艺方法，其特征在于：所述步骤1)的刻蚀单根线条的速度为400mm/s时，激光频率选为7kHz以上，脉宽在130nm以内，且单光路功率应达到7W以上。
3.如权利要求1所述的一种在薄膜光伏电池板制造上的激光刻膜工艺方法，其特征在于：所述步骤2)的刻蚀速度在1000mm/s以上时，脉宽要小于40ns，重复频率在30Khz以上，且功率不稳定性不得大于10％。
4.如权利要求1所述的一种在薄膜光伏电池板制造上的激光刻膜工艺方法，其特征在于：所述步骤3)对激光刻蚀AL膜的线条宽度为0.08mm的情况下、刻蚀速度为400mm/s时，频率应为6.5-6.8KHz。
5.如权利要求1所述的一种在薄膜光伏电池板制造上的激光刻膜工艺方法，其特征在于所述4)的工作台运行速度高于1000mm/s时，工作台自重应大于10吨。
CN2008102463182A 2008-12-30 2008-12-30 在薄膜光伏电池板制造上的激光刻膜工艺方法 Expired - Fee Related CN101771102B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2008102463182A CN101771102B (zh) 2008-12-30 2008-12-30 在薄膜光伏电池板制造上的激光刻膜工艺方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2008102463182A CN101771102B (zh) 2008-12-30 2008-12-30 在薄膜光伏电池板制造上的激光刻膜工艺方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101771102A true CN101771102A (zh) 2010-07-07
CN101771102B CN101771102B (zh) 2011-05-04

Family

ID=42503820

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008102463182A Expired - Fee Related CN101771102B (zh) 2008-12-30 2008-12-30 在薄膜光伏电池板制造上的激光刻膜工艺方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101771102B (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101982285A (zh) * 2010-09-17 2011-03-02 无锡荣兴科技有限公司 太阳能电池板激光刻划系统及刻划方法
CN103687915A (zh) * 2012-05-03 2014-03-26 Lg化学株式会社 可用于太阳能电池制造工艺中的油墨组合物以及使用该组合物形成图案的方法
CN103907197A (zh) * 2011-08-31 2014-07-02 旭硝子株式会社 薄膜太阳能电池模块及其制造方法
CN104269449A (zh) * 2014-10-20 2015-01-07 上海空间电源研究所 一种硅基薄膜太阳电池及其子电池的隔离线刻蚀方法
CN104396015A (zh) * 2012-05-03 2015-03-04 内克西斯公司 激光蚀刻薄层的堆叠用于光伏电池的连接
CN104842073A (zh) * 2014-02-17 2015-08-19 大族激光科技产业集团股份有限公司 一种薄膜太阳能电池的激光刻蚀方法及装置
CN110026688A (zh) * 2019-05-07 2019-07-19 苏州联诺太阳能科技有限公司 一种电池激光刻边系统及刻边方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1034617C (zh) * 1995-05-19 1997-04-16 李毅 内联式非晶硅太阳能电池及制造方法
CN101017863A (zh) * 2007-02-08 2007-08-15 深圳市拓日新能源科技股份有限公司 非晶硅太阳能电池周边电极绝缘激光刻蚀的处理方法
CN101118914B (zh) * 2007-08-31 2010-12-08 李毅 一种太阳能电池及制造方法
CN100536149C (zh) * 2007-12-18 2009-09-02 李毅 一种硅薄膜太阳能电池及其制造方法

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101982285A (zh) * 2010-09-17 2011-03-02 无锡荣兴科技有限公司 太阳能电池板激光刻划系统及刻划方法
CN103907197A (zh) * 2011-08-31 2014-07-02 旭硝子株式会社 薄膜太阳能电池模块及其制造方法
CN103907197B (zh) * 2011-08-31 2016-04-27 旭硝子株式会社 薄膜太阳能电池模块及其制造方法
CN103687915A (zh) * 2012-05-03 2014-03-26 Lg化学株式会社 可用于太阳能电池制造工艺中的油墨组合物以及使用该组合物形成图案的方法
CN104396015A (zh) * 2012-05-03 2015-03-04 内克西斯公司 激光蚀刻薄层的堆叠用于光伏电池的连接
CN103687915B (zh) * 2012-05-03 2015-06-17 Lg化学株式会社 可用于太阳能电池制造工艺中的油墨组合物以及使用该组合物形成图案的方法
US9302466B2 (en) 2012-05-03 2016-04-05 Lg Chem, Ltd. Ink composition usable in solar battery manufacturing process, and method of forming pattern using the same
CN104842073A (zh) * 2014-02-17 2015-08-19 大族激光科技产业集团股份有限公司 一种薄膜太阳能电池的激光刻蚀方法及装置
CN104269449A (zh) * 2014-10-20 2015-01-07 上海空间电源研究所 一种硅基薄膜太阳电池及其子电池的隔离线刻蚀方法
CN104269449B (zh) * 2014-10-20 2017-02-01 上海空间电源研究所 一种硅基薄膜太阳电池及其子电池的隔离线刻蚀方法
CN110026688A (zh) * 2019-05-07 2019-07-19 苏州联诺太阳能科技有限公司 一种电池激光刻边系统及刻边方法
CN110026688B (zh) * 2019-05-07 2024-03-15 苏州联诺太阳能科技有限公司 一种电池激光刻边系统及刻边方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN101771102B (zh) 2011-05-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101771102B (zh) 在薄膜光伏电池板制造上的激光刻膜工艺方法
CN103746027B (zh) 一种在ito导电薄膜表面刻蚀极细电隔离槽的方法
WO2016188120A1 (zh) 一种大面积铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件的全激光刻划方法
WO2018072054A1 (zh) 一种柔性不锈钢衬底太阳能电池组件的全激光刻划方法
US9379258B2 (en) Fabrication methods for monolithically isled back contact back junction solar cells
CN102379043A (zh) 双面接触的太阳能电池及其制造方法
CN104350607A (zh) 太阳能电池及其制造方法
US20130244449A1 (en) Methods and Apparatus For Patterning Photovoltaic Devices and Materials For Use With Such Devices
CN101982285B (zh) 太阳能电池板激光刻划系统及刻划方法
CN101582467A (zh) 一种晶体硅太阳能电池刻槽埋栅的方法
Poulain et al. Laser ablation mechanism of silicon nitride layers in a nanosecond UV regime
CN111668339A (zh) 一种太阳能电池正面电极对位印刷方法及制备方法
Burn et al. All fiber laser scribing of Cu (In, Ga) Se2 thin-film solar modules
CN104128541B (zh) 在光伏焊带表面制作压花的方法
CN201349017Y (zh) 生产非晶硅薄膜太阳能电池用激光刻膜机
CN208674581U (zh) 一种多通道皮秒激光器
CN202780236U (zh) 一种用于背钝化电池的激光系统
CN202491018U (zh) 用于薄膜太阳能电池的激光加工装置
Doan et al. Bessel beam laser-scribing of thin film silicon solar cells by ns pulsed laser
CN201824059U (zh) 太阳能电池板激光刻划系统
CN203184837U (zh) 一种制备cigs薄膜太阳能电池用的激光划刻系统
CN103612010A (zh) 太阳能电池激光开孔波形
CN102723267A (zh) 晶体硅太阳能电池制造方法及激光二次烧结方法
CN103956400A (zh) 用于背接触太阳能组件的芯板及其制备方法
CN104409527A (zh) 太阳能电池正面栅线结构、太阳能电池片及太阳能电池组件

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract

Assignee: Wuhan Zhonggu Power-supply Device Co., Ltd.

Assignor: Wuhan Chutian Laser (Group) Co., Ltd.

Contract record no.: 2011420000132

Denomination of invention: Laser film etching process method used in manufacturing process of thin-film photovoltaic cell panel

Granted publication date: 20110504

License type: Exclusive License

Open date: 20100707

Record date: 20110621

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20110504

Termination date: 20141230

EXPY Termination of patent right or utility model