CN100536149C

CN100536149C - 一种硅薄膜太阳能电池及其制造方法

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Publication number: CN100536149C
Application number: CN 200710125207
Authority: CN
Inventors: 李毅; 李全相
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 2007-12-18
Filing date: 2007-12-18
Publication date: 2009-09-02
Anticipated expiration: 2027-12-18
Also published as: CN101179087A

Abstract

本发明涉及一种硅薄膜太阳能电池及其制造方法，该硅薄膜太阳能电池广泛应用于草坪灯、庭院灯等节能电子产品，由大规模集成串联式电池单元节构成，以透明导电基板为衬底，包括依序层叠的前电极层、薄膜电池层、背电极层和背层构成，所说的由串联式单元节构成的单元电池，在其电池周边有激光刻蚀的隔离槽，在其槽内有丝印的绝缘、阻焊、耐湿、耐酸碱的背漆层。本发明提供的硅薄膜太阳能电池不仅能防止电池周边短路、漏电流，还能防止环境中的湿气进入电池而潮解。

Description

一种硅薄膜太阳能电池及其制造方法

所属技术领域

本发明提供一种硅薄膜太阳能电池及其制造方法，涉及一种广泛应用于草坪灯、庭院灯等节能电子产品中的硅薄膜太阳能电池及其制造方法。

背景技术

众所周知，对于太阳能电池来说，薄膜电池是第二代太阳能电池，由于原材料来源丰富，无污染，能耗低，生产成本低，是绿色环保产品，自21世纪以来，薄膜电池有了飞速发展。薄膜太阳电池技术的不断进步，产品的性价比合理，用途越来越多。

薄膜太阳能电池的传统制造方法，见图10，是在透明导电基板2上沉积前电极层3，在前电极层3上用激光刻蚀出沟道6，形成前电极图形；并用等离子化学气相沉积法在前电极层上依次沉积非晶硅薄膜p层、i层和n层，形成pin薄膜电池层4。用激光刻蚀薄膜电池层4形成沟道7，将薄膜电池层4隔离成多个单元，并在沟道7内填充与背电极5相同的材料；用激光刻蚀薄膜电池层4和背电极层5形成沟道8。

按照以上传统的方法制备的薄膜太阳能电池存在电池周边漏电流的问题。

美国专利US20060266409A1(公开日：2006.11.30)揭示了一种能防止电池周边漏电流的薄膜太阳能电池及其制造方法，见图11。在前电极层3、薄膜电池层4、背电极5仍然采用了以上所描述的传统技术。但主要区别是：第一次激光刻蚀薄膜电池层4和背电极层5形成沟道9；第二次激光刻蚀前电极层3、薄膜电池层4和背电极层5，形成突台L，前电极层3的突台L的长度大于100μm，小于1000μm。若采用美国专利US20060266409A1的方法制备薄膜太阳能电池，可以有效地减少电池周边的漏电流，但是，由于存在突台L，不便于薄膜电池层非常严密地封装。突台L使周边的前电极3、薄膜电池层4、背电极5裸露在外面，从而环境中的湿气和酸碱蒸汽容易进入电池内部结构，使电池的电性能降低，缩短电池的使用寿命。

发明专利200610061259.2“异形硅薄膜太阳能电池”公开了一种用激光标刻技术，高精度地刻划(刻蚀)出复杂图形和内部结构的异形硅薄膜太阳能电池。在异形硅薄膜太阳能电池工作面内任何位置可打圆孔或方孔，也可做成各种形状的透明视窗。见图8、图9，这种异形硅薄膜太阳能电池是由电池的外形、电池内的有效工作面及电池内的透明视窗18所构成，所说电池的外形、电池内的有效工作面及电池内的透明视18可以是圆形、弧形、正N边形及其它不规则形状，电池以透明导电基板10为基板，依序层叠，由前电极层11、薄膜电池层12、背电极层13、和背漆层14构成，在电池内的有效工作面上至少有一个透明视窗18。前电极层11是由多个不规则导电区域构成，薄膜电池层12对应于前电极层11，由多个弧形或异形导电区域构成，背电极层13是由对应于薄膜电池层12的多个异形导电区域构成。发明专利200610061259.2异形硅薄膜太阳能电池的外形，是指电池的外部形状和尺寸，由高精度程控异形玻璃切割机或超声波玻璃切割机加工而成的异形的硅薄膜太阳能电池。电池内的有效工作面，可以是圆形、弧形、正N边形及其它不规则形状构成，在采用高精度高速钻床或高精度超声波玻璃切割机在电池工作面内打孔，制作成形状各异的透明视窗18。在该发明专利中，所揭示各种形状硅薄膜太阳能电池的周边，没有设置防止电池短路或漏电流的隔离槽。

因此，目前薄膜太阳能电池存在以下问题：1、在室外使用时，产品的耐候性和稳定性还存在不足；2、产品单元节间距单一，大基片切割成小电池的利用率低，小电池的有效薄膜电池面积利用率低，且电池输出电压和电流的匹配困难；3、传统封装工艺复杂，不便于操作，封装层和电池体结合力差。

发明内容

本发明的目的是提供一种封装简单的硅薄膜太阳能电池，采用激光刻蚀技术，在单元电池的四周边刻蚀出隔离槽，在隔离槽内丝印上绝缘、阻焊、耐湿、耐酸碱的背漆层，把电池外边沿上的膜层和电池内部有效工作区内膜层完全隔开，有效地防止电池边沿短路漏电现象，同时也阻断电池外边沿上未被保护的硅膜层吸潮后从电池外边沿往电池内部潮解的路线，也阻止环境中湿气和酸碱蒸汽等对电池内部结构的影响和破坏，有效地提高电池的耐候性和稳定性，延长电池的使用寿命。

另一个目的是采用激光刻蚀技术或干法腐蚀工艺，加工出薄膜太阳能电池的背电极图形。通过这种工艺生产的电池，各单元节的间距尺寸可根据需要任意调整，在相同尺寸的基片上可制作出不同输出电压和输出电流的电池，使电池输出电压和输出电流得到最佳的匹配，满足客户对电池输出性能的不同要求。

又一个目的是提供一种由大规模集成串联式电池单元节构成硅薄膜太阳能电池，一个单元电池由若干个单元节构成，并可以用大规模集成串联式电池单元节构成的大型电池板制备小型强光硅薄膜太阳能电池。

为了实现提出的任务，本发明所提出的技术解决方案是：提供一种硅薄膜太阳能电池，由大规模集成串联式电池单元节构成，以透明导电基板为衬底，包括依序层叠的前电极层、薄膜电池层、背电极层和背层构成，其特征在于所说的由串联式单元节构成的单元电池，在其电池周边有激光刻蚀的隔离槽，在其槽内有丝印的绝缘、阻焊、耐湿、耐酸碱的背漆层。

本发明提供的硅薄膜太阳能电池，以透明导电基板为衬底的单元电池，其单元节的节间距和有效工作区域内的输出电压和输出电流可调整。

本发明提供的硅薄膜太阳能电池，其特征在于所说的电池周边0.5mm～5mm处设有宽度为0.2mm～2.0mm的隔离槽，所说的隔离槽的形状，包括为直线形、圆形、弧形、正多边形，所说的隔离槽内填充背漆层，背漆层比电池周边隔离槽外边沿大0.2mm～3.0mm。

本发明提供的硅薄膜太阳能电池，其特征在于所说的硅薄膜太阳能电池是强光型非晶硅薄膜太阳能电池，背漆层是一种绝缘、耐酸碱的树脂保护层，漆层的厚度为20μm～120μm。

本发明提供的硅薄膜太阳能电池，其特征在于所说的薄膜电池层是至少含有一个PN结的非晶硅或微晶硅电池层，前电极层是透明导电膜，亦是复合导电膜或SnO₂、ITO、ZnO膜其中的一种。

本发明提供的硅薄膜太阳能电池的制造方法，由大规模集成串联式电池单元节构成，以透明导电基板为衬底，包括依序层叠的前电极层、薄膜电池层、背电极层和背漆层，其特征在于由电池单元节构成的单元电池的周边用激光刻蚀的隔离槽，在其隔离槽内丝印上绝缘、阻焊、耐湿、耐酸碱的背漆层，把电池外边沿上的膜层和电池内部有效工作区的内膜层隔离开。

本发明提供的硅薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于用激光技术在前电极图形周边刻蚀隔离槽；采用波长为532nm的绿光激光器，在电池周边刻除背电极层和硅薄膜层，刻蚀出具有一定宽度和形状的隔离槽。

本发明提供的硅薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于电池周边设有隔离槽，所说的隔离槽可以是圆形、弧形、正多边形，隔离槽内填充背漆层，其步骤如下：

步骤1、制备前电极；

步骤2、在前电极图形的衬底上依次沉积P-I-N非晶硅或微晶硅薄膜层；

步骤3、激光刻划薄膜电池层；

步骤4、制备背电极；

步骤5、采用波长为532nm的绿光激光器，在电池周边刻除背电极层和硅薄膜层，形成隔离槽；

步骤6、制备背漆层。

本发明提供的的薄膜太阳能电池制造方法，其特征在于所说的制备背电极方式包括以下方法：激光刻蚀、干法腐蚀工艺形成背电极。

本发明提供的薄膜太阳能电池的用途，其特征是：用大规模集成串联式电池单元节构成的大型电池板制备小型强光硅薄膜太阳能电池，前电极可用复合透明导电膜，包括多种透明导电膜SnO₂、ITO、ZnO中的一种。

本发明产生的积极效果是采用激光刻蚀技术与丝印技术相结合，在电池的周边刻蚀出隔离槽，在隔离槽内丝印上绝缘、阻焊、耐湿、耐酸碱的背漆层，把电池外边沿上的膜层和电池内部有效工作区内膜层完全隔开，有效地防止了电池边沿短路漏电，同时也阻断了电池外边沿上未被保护的硅膜层吸潮后从电池外边沿往电池内部潮解的路线，也阻止了环境中湿气和酸碱蒸汽等对电池内部结构的影响和破坏，有效地提高了电池的耐候性和稳定性，延长了电池的使用寿命。采用丝印的方法将背漆层覆盖隔离槽和背电极层，封装工艺简单，且封装层与电池结合紧密。另外，本发明采用激光刻划技术或干法腐蚀的工艺，加工出薄膜太阳能电池的背电极图形。通过这种工艺生产的电池，各单元节的间距尺寸可根据需要任意调整，在相同尺寸的基片上可制作出不同输出电压和输出电流的电池，使电池输出电压和输出电流得到最佳的匹配，满足客户对电池输出性能的不同要求。

附图说明

图1是本发明提供的薄膜太阳能电池的剖视图；

图2是图1的俯视图；

图3是图1中背漆层14的俯视图；

图4是图1中背电极层13的俯视图；

图5是图1中薄膜电池层12的俯视图；

图6是图1中前电极层11的俯视图；

图7是图1中隔离槽16的俯视图。

图8是本发明提供的异形薄膜太阳能电池示意图。

图9是异形薄膜太阳能电池的剖面图。

图10是传统的薄膜太阳能电池结构图。

图11是美国专利US20060266409A1公开的薄膜太阳能电池结构图。

图1-图9是本发明薄膜太阳能电池结构的示意图，其中：10是透明导电基板；11是前电极膜层；11-1是前电极膜层横向槽；11-2是前电极膜层纵向槽；11-3是前电极膜层分节槽；12是薄膜电池层；12-1是薄膜电池层分节槽；13是背电极层；13-1是背电极膜层分节槽；14是背漆层；14-1是背漆层开口槽；15是可焊铜电极；16是激光刻蚀出的隔离槽；16-1是横向隔离槽；16-2是纵向隔离槽；17是异形电池的切割线；18是异形电池的透明视窗；19是字符。

下面结合附图进一步说明本发明的原理。

见图1，在透明导电基板10上沉积前电极层11，用激光刻蚀前电极图形，形成如图6所示的前电极膜层横向槽11-1、纵向槽11-2及分节槽11-3，将前电极层1分成多个等距或不等距的导电区域；在前电极层上沉积薄膜电池层12，用激光刻划薄膜电池层图形，形成如图5所示的薄膜电池层分节槽12-1，将薄膜电池层12分成多个等距或不等距的区域；在薄膜电池层上沉积背电极层13，并用激光刻划背电极层图形，形成如图4所示的背电极膜层分节槽13-1，将背电极层13分成多个等距或不等距的导电区域构成；在距电池周边0.5mm～5mm处刻除背电极层和薄膜电池层，形成如图7所示的横向隔离槽16-1和纵向隔离槽16-2；在背电极层上丝印背漆层14，背漆层14完全覆盖住了隔离槽16(如图3)，隔离槽内填充满了背漆，隔离槽内背漆直接和基板玻璃结合在一起，电池背漆层14的尺寸比隔离槽16外边沿组成的矩形图形尺寸大0.2mm～3.0mm，在背漆层14上有可焊铜电极15。本发明提供的硅薄膜太阳能电池与图10所示传统薄膜电池相比的不同之处是在电池周边增设隔离槽16，并在隔离槽内填充背漆，不仅能防止电池周边漏电流，还能防止环境中的湿气进入电池而潮解。此外，本发明薄膜太阳能电池克服了美国专利US20060266409A1公开的太阳能电池因为存在一个突台L(见图11)而不便于封装和影响电池性能的问题。

图8、图9中所示的异形硅薄膜太阳能电池的制造方法是在透明导电基板上顺序沉积前电极层11、薄膜电池层12、背电极层13，并用激光在电池周边刻蚀正八边形隔离槽16，在背电极层13上丝印背漆层14，隔离槽内填充满背漆，并制作出字符19、可焊铜电极15和透明视窗18。本发明提供的异形硅薄膜太阳能电池与发明专利200610061259.2提供的太阳电池的不同之处是在电池周边设置有隔离槽16，并在隔离槽内填充绝缘、阻焊、耐湿、耐酸碱背漆层，能有效地防止电池边沿短路、漏电流。

具体实施方式

实施例1：生产外形为50mm×50mm×3.0mm的节间距为10mm的小型强光单结非晶硅太阳能电池。

外形为50mm×50mm×3.0mm的硅薄膜太阳能电池由5个节间距为10mm的单元节构成，其工艺步骤如下：

步骤1、前电极11图形制作：采用按设计排版50mm×50mm阵列间距的ITO或SnO₂透明导电膜玻璃为基板，用激光将基板上的连续导电膜刻蚀成间距为10mm的独立小块，小块间相互绝缘，如图6所示的阴影部分，11-1是前电极膜层横向槽；11-2是前电极膜层纵向槽；11-3是前电极膜层分节槽，即构成前电极图形。

步骤2、沉积薄膜电池层12：将已刻好前电极图形的基板经超声清洗烘干后，预热，采用增强等离子化学气相沉积(PECVD)的方法，在基板上依次沉积P型非晶硅掺杂层、I型本征非晶硅层和N型非晶硅掺杂层。

步骤3、激光刻划薄膜电池层12：激光刻除非晶硅层12形成硅薄膜层分节槽12-1(如图5)。

步骤4、铝背电极13的制作：采用蒸发或磁控溅射技术在非晶硅膜上镀一层连续铝导电膜，激光刻划铝膜或干法腐蚀铝膜技术，形成背电极膜层分节槽13-1，制作出铝背电极图形(如图4)。

步骤5、隔离槽16的制作：采用波长为532nm的绿光激光器在距离每个50mm×50mm阵列电池边沿0.5mm～5mm处刻除铝背电极层和硅薄膜层，刻蚀出宽度为0.2mm～2.0mm的隔离槽16(如图7，16-1为横向隔离槽；16-2为纵向隔离槽)。

步骤6、背漆层14的制作：采用丝网印刷技术，在已制作好隔离槽的基板上丝印上绝缘、阻焊、耐湿、耐酸碱的厚度为20μm～120μm的树脂保护层(如图2)；

步骤7、字符制作：采用丝网印刷技术，在背漆层的基板上引出电极的相应位置，丝印上公司商标、电池型号和正负电极标识，并固化。

步骤8、可焊铜电极15制作：采用丝网印刷技术，在已丝印好背漆层14的基板上引出电极的相应位置，丝印上可焊导电铜浆，如图1中15所示的阴影部分，并烘干。

步骤9、切割分粒：采用高精度程控玻璃切割机，将由大规模集成串联式电池单元节构成的大型电池板切割成小型强光硅薄膜太阳能电池，按设计排版50mm×50mm阵列间距，把基板上的成品电池切割成50mm×50mm矩形小片。

至此，外形为50mm×50mm的节间距为10mm的小型强光单结非晶硅太阳能电池制作完成。电性能、外观检测合格后入库。

实例2：生产外形为60mm×60mm×3.0mm的节间距为12mm的小型强光双结非晶硅太阳能电池。

外形为60mm×60mm×3.0mm的硅薄膜太阳能电池由6个节间距为12mm的单元节构成，其工艺步骤如下：

步骤1、前电极11图形制作：以ITO或SnO₂透明导电膜玻璃为基板，采用激光器将基板上的连续导电膜刻蚀成间距为12mm的独立小块，小块间相互绝缘，如图6所示的阴影部分，即前电极图形。

步骤2、沉积双结非晶硅层12：将已刻好前电极图形的基板经超声清洗烘干后，预热，采用等离子化学气相沉积(PECVD)的方法，在基板上依次沉积顶电池P型非晶硅掺杂层、顶电池I本征非晶硅层、顶电池N型非晶硅掺杂层、底电池P型非晶硅掺杂层、底电池I本征非晶硅层、底电池N型非晶硅掺杂层，制作出电池的核心部分-双结非晶硅薄膜电池层；

步骤3、激光刻划非晶硅层12：同实例1；

步骤4、铝背电极13的制作：同实例1；

步骤5、隔离槽16的制作：同实例1；

步骤6、背漆层14的制作：同实例1；

步骤7、字符19制作：同实例1；

步骤8、可焊铜电极15制作：同实例1；

步骤9、切割分粒：采用高精度程控玻璃切割机，将由大规模集成串联式电池单元节构成的大型电池板切割成小型强光硅薄膜太阳能电池，按设计排版60mm×60mm阵列间距，把基板上的成品电池切割成60mm×60mm矩形小片。

至此，外形为60mm×60mm的节间距为12mm的小型强光双结非晶硅太阳能电池制作完成。电性能、外观检测合格后入库。

实施例3：生产外形为350mm×1220mm×3.0mm的节间距为20mm的叠层薄膜太阳能电池。

步骤如下：

步骤1、前电极图形制作：以尺寸为350mm×1220mm的ITO或SnO₂透明导电膜玻璃为基板，激光刻划基板上的连续导电膜刻蚀成间距为20mm的独立小块，小块间相互绝缘，即前电极图形。

步骤2、沉积顶电池：将已刻好前电极图形的基板经超声清洗烘干后，预热，采用增强等离子化学气相沉积(PECVD)的方法，在基板上依次沉积P型非晶硅掺杂层、I型本征非晶硅层和N型非晶硅掺杂层，并采用激光器，在沉积好非晶硅的基板玻璃基片上，在前电极图形区域内相应位置，按设计要求图形刻除非晶硅薄膜层，露出前电极引出图形。

步骤3、沉积底电池：在N型非晶硅掺杂层上沉积一层中间透明导电膜，并在中间透明导电膜依次沉积P型微晶硅掺杂层、I型本征非晶硅层和N微非晶硅掺杂层，构成太阳能电池的底电池，并采用激光器刻划底电池图形。

步骤4、背电极的制作：采用蒸发或磁控溅射技术，在已刻完串接线路的非晶硅膜上，镀上一层连续铝导电膜，采用激光器刻划铝膜或干法腐蚀铝膜技术，制作出铝背电极图形。

步骤5、隔离槽的制作：采用波长为532nm的绿光激光器，距边0.5mm～5mm沿电池周边刻除铝背电极层和硅薄膜层，刻蚀出宽度为0.2mm～2.0mm的隔离槽16(如图7，16-1为横向隔离槽；16-2为纵向隔离槽)。

步骤6、背漆层的制作：采用丝网印刷技术，在已制作好隔离槽的基板上丝印上绝缘、阻焊、耐湿、耐酸碱的厚度为20μm～120μm的树脂保护层。

步骤7、字符制作：采用丝网印刷技术，在已丝印好背漆层的基板上引出电极的相应位置，丝印上公司商标、电池型号和正负电极标识，并固化。

步骤8、可焊铜电极制作：采用丝网印刷技术，在已丝印好背漆层的基板上引出电极的相应位置，丝印上可焊导电铜浆，并烘干。

实施例4：生产外形为正八边形中间带有圆形透明视窗的环形太阳能电池。

步骤如下：

步骤1、前电极层图形制作：以ITO或SnO₂透明导电膜玻璃为基板，采用激光标刻技术，把基板上的连续导电膜刻蚀成要求形状和尺寸的独立小块，即前电极图形。

步骤2、沉积非晶硅层12：将已刻好前电极图形的基板经超声清洗烘干后，预热，达到工艺温度恒温1～2小时后，采用增强等离子化学气相沉积(PECVD)的方法，在基板上依次沉积P型非晶硅掺杂层、I本征非晶硅层和N型非晶硅掺杂层。

步骤3、激光刻划非晶硅层12：采用激光标刻技术，在沉积好非晶硅的基板玻璃基片上，在前电极11图形区域内相应位置，按设计要求图形刻除非晶硅层12，露出前电极11引出图形。

步骤4、背电极13的制作与实施例1、2中步骤4相同。

步骤5、隔离槽16的制作：采用波长为532nm的绿光激光器，距边0.5mm～5mm沿电池周边刻除铝背电极层和硅薄膜层，刻蚀出宽度为0.2mm～2.0mm的隔离槽。

步骤6、背漆保护层14制作：采用丝网印刷技术，在已制作好背电极的基板上丝印上绝缘、耐湿、耐酸碱的树脂油墨保护层，并推入烘箱烘干。

步骤7、字符19制作：采用丝网印刷技术，在已丝印好背漆层的基板上引出电极的相应位置，丝印上公司商标、电池型号和正负电极标识，如图8中19所示的字符，并光固固化。

步骤8、可焊电极15制作：采用丝网印刷技术，在已丝印好背漆层5的基板上引出电极的相应位置，丝印上可焊导电铜浆，如图8中15所示的阴影部分，并推入烘箱烘干。

步骤9、透明视窗18制作：采用激光标刻技术，把电池内部按设计需要做成透明视窗区域的棕色非晶硅层刻除，制作出透明视窗，如图8中18所示的白色部分。

步骤10、切割分粒：采用高精度程控玻璃切割机，按设计排版阵列间距，把基板上的成品电池切割成矩形小片，如图8中的矩形外框；

步骤11、外形加工：采用高精度程控异形玻璃切割机，按电池要求形状和尺寸切割出电池外形，如图8中所示的正八边形。

Claims

1、一种硅薄膜太阳能电池，由大规模集成串联式电池单元节构成，以透明导电基板为衬底，包括依序层叠的前电极层、薄膜电池层、背电极层和背漆层构成，其特征在于：

在所述的硅薄膜太阳能电池周边有激光刻蚀背电极层和薄膜电池层形成的隔离槽，在所述的隔离槽内有丝印的绝缘、阻焊、耐湿和耐酸碱的背漆层；

距离所述的硅薄膜太阳能电池周边的外边缘0.5mm～5mm处设有宽度为0.2mm～2.0mm的隔离槽，所述的隔离槽的形状为直线形、圆形、弧形或正多边形，所述的背漆层比所述的隔离槽的外边沿大0.2mm。

2、根据权利要求1所述的一种硅薄膜太阳能电池，其特征在于所述的硅薄膜太阳能电池是强光型非晶硅薄膜太阳能电池，背漆层是树脂保护层，背漆层的厚度为20μm～120μm。

3、根据权利要求1所述的硅薄膜太阳能电池，其特征在于所述的薄膜电池层是至少含有一个PN结的非晶硅或微晶硅电池层，所述的前电极层是透明导电膜，其为复合导电膜、SnO₂膜、ITO膜或ZnO膜中的一种。

4、一种硅薄膜太阳能电池的制造方法，步骤如下：

步骤1、在前电极层上刻划形成前电极图形；

步骤2、在具有前电极的衬底上依次沉积P-I-N非晶硅或微晶硅薄膜电池层；

步骤3、激光刻划薄膜电池层；

步骤4、在背电极层上刻划形成背电极图形；

步骤5、采用波长为532nm的绿光激光器，在硅薄膜太阳能电池周边刻除背电极和薄膜电池层，形成隔离槽；

步骤6、在隔离槽内丝印上绝缘、阻焊、耐湿和耐酸碱的背漆层，将硅薄膜太阳能电池的外边缘上的背电极及薄膜电池层与硅薄膜太阳能电池内部有效工作区的背电极及薄膜电池层隔离开。

5、根据权利要求4所述的硅薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于所述的形成背电极图形的方法包括：激光刻蚀或干法刻蚀。

6、根据权利要求4所述的硅薄膜太阳能电池的制造方法，其特征是：所述硅薄膜太阳能电池是强光型非晶硅太阳能电池，其前电极是包含SnO₂、ITO或ZnO透明导电膜的复合透明导电膜。