CN108767066B - 薄膜太阳能电池制备方法及其边缘隔离方法 - Google Patents
薄膜太阳能电池制备方法及其边缘隔离方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108767066B CN108767066B CN201810561244.5A CN201810561244A CN108767066B CN 108767066 B CN108767066 B CN 108767066B CN 201810561244 A CN201810561244 A CN 201810561244A CN 108767066 B CN108767066 B CN 108767066B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- solar cell
- film solar
- thin film
- mechanical
- tool
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 122
- 238000002955 isolation Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 9
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 4
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 3
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 238000012217 deletion Methods 0.000 abstract description 17
- 230000037430 deletion Effects 0.000 abstract description 17
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 4
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000007688 edging Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic System
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
本发明涉及一种薄膜太阳能电池制备方法及其边缘隔离方法，该边缘隔离方法用于对经激光清边后的薄膜太阳能电池进行边缘隔离，包括步骤：提供经激光清边后的薄膜太阳能电池；机械刻刀移动到薄膜太阳能电池离短边清边区域预设距离处；机械刻刀受恒力驱使移动至机械刻刀的刀头正好与背电极层的表面接触；薄膜太阳能电池与机械刻刀沿垂直于内联刻线的方向相对移动，使得机械刻刀刮除掉透明导电层和吸收层，从而实现薄膜太阳能电池的边缘隔离，解决了薄膜太阳能电池进行激光清边时可能产生短路而影响薄膜太阳能电池性能的问题。
Description
技术领域
本发明属于非晶硅薄膜太阳能电池加工领域，尤其涉及薄膜太阳能电池制备方法及其边缘隔离方法。
背景技术
在现有的太阳能薄膜太阳能电池技术中，薄膜太阳能电池具有光电转化率高、弱光性能好、成本低，既可以在硬质衬底，如玻璃上成膜做成刚性组件，又可以在柔性衬底上，如不锈钢、铝和耐高温高分子材料上做成柔性组件，最适合作为光伏建筑一体化使用等优点，受到了人们关注，是一种很有发展潜力的太阳能薄膜太阳能电池技术。
目前，在薄膜太阳能电池的加工工艺中，通常采用激光来对薄膜太阳能电池的进行清边处理。然而，在利用激光对薄膜太阳能电池进行清边过程中，由于激光器的脉宽和能量都是很大的，受激光的热影响，清边处容易出现短路而影响薄膜太阳能电池性能。
发明内容
基于此，有必要针对薄膜太阳能电池进行激光清边时可能产生短路而影响薄膜太阳能电池性能的问题，提供一种薄膜太阳能电池制备方法及其边缘隔离方法。
一种薄膜太阳能电池边缘隔离方法，该方法用于对经激光清边后的薄膜太阳能电池进行边缘隔离，所述薄膜太阳能电池包括依次层叠设置的衬底基板、背电极层、吸收层和透明导电层，所述薄膜太阳能电池经过激光清边后，所述衬底基板两侧形成短边清边区域，所述短边清边区域的延伸方向与薄膜太阳能电池的内联刻线相垂直，该方法包括以下步骤：
提供经激光清边后的薄膜太阳能电池；
机械刻刀移动到所述薄膜太阳能电池离所述短边清边区域预设距离处；
所述机械刻刀受恒力驱使移动至所述机械刻刀的刀头正好与所述背电极层的表面接触；
所述薄膜太阳能电池与所述机械刻刀沿垂直于所述内联刻线的方向相对移动，使得所述机械刻刀刮除掉所述透明导电层和所述吸收层。
在其中一个实施方式中，所述薄膜太阳能电池与所述机械刻刀沿垂直于所述内联刻线的方向相对移动，使得所述机械刻刀刮除掉所述透明导电层和所述吸收层进一步包括步骤：
所述机械刻刀保持位置不变，所述薄膜太阳能电池沿垂直于所述内联刻线的方向移动，使得所述机械刻刀刮除掉所述透明导电层和所述吸收层；
或者，
所述薄膜太阳能电池不动，所述机械刻刀沿垂直于所述内联刻线的方向移动，使得所述机械刻刀刮除掉所述透明导电层和所述吸收层。
在其中一个实施方式中，所述机械刻刀受恒力驱使移动至所述机械刻刀的刀头正好与所述背电极层的表面接触的步骤之前，所述机械刻刀先移动到距所述薄膜太阳能电池表面1mm～2mm处。
在其中一个实施方式中，所述恒力为1N～2N，调节精度为0.01N，波动范围小于5％。
在其中一个实施方式中，所述薄膜太阳能电池通过吸附装置吸附固定于工作台上。
在其中一个实施方式中，所述机械刻刀的刀头为钨钢材质或金刚石材质。
在其中一个实施方式中，所述机械刻刀的刀头与所述薄膜太阳能电池的表面垂直度在±5um以内。
在其中一个实施方式中，所述机械刻刀的刃口宽度为0.1mm～0.5mm。
在其中一个实施方式中，所述机械刻刀的刀头底部平面度在±5um以内。
相应的，本发明还提供一种薄膜太阳能电池制备方法，包括上述的薄膜太阳能电池边缘隔离方法。
本发明提供的一种薄膜太阳能电池制备方法及其边缘隔离方法，利用机械刻刀在距离薄膜太阳能电池的短边清边区域一定距离处刻划边缘隔离线，以解决薄膜太阳能电池进行激光清边时可能产生短路而影响薄膜太阳能电池性能的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他实施例的附图。
图1为一实施方式中薄膜太阳能电池的材料结构示意图；
图2为一实施方式中薄膜太阳能电池的内联结构示意图；
图3为一实施方式中薄膜太阳能电池的剖面结构示意图；
图4为一实施方式薄膜太阳能电池进行激光清边处理后的结构示意图；
图5为一实施方式中对激光清边后的薄膜太阳能电池进行边缘隔离后的结构示意图；
图6为图5中示出的边缘隔离后的薄膜太阳能电池沿A-A方向的剖面结构示意图；
图7为一实施方式中对激光清边后的薄膜太阳能电池进行边缘隔离方法步骤流程图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施方式。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本发明的公开内容理解的更加透彻全面。
需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“内”、“外”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。
一实施方式的一种薄膜太阳能电池边缘隔离方法，该方法用于对经激光清边后的薄膜太阳能电池进行边缘隔离。为了便于对该方法的描述，先简单对薄膜太能电池的加工结构加以说明。
参阅图1至图3所示，薄膜太阳能电池包括依次层叠设置的衬底基板1、背电极层2、吸收层3和透明导电层4。通常采用玻璃等廉价材料制造衬底基板1，背电极层2、吸收层3和透明导电层4依次沉积在衬底基板1上。在薄膜太阳能电池的加工工艺中，通常采用内联刻线的方式实现背电极层2、吸收层3和透明导电层4之间的电连接，下面以CIGS薄膜太阳能电池为例做进一步说明。
通过对衬底基板1上的各膜层进行P1、P2、P3刻划来实现电池电路结构之间的内联。当太阳光透过透明导电层4(AZO层)照射到吸收层3(CIGS层)上时，吸收层3(CIGS层相当于半导体，PN结)处的内建电场使产生的非平衡载流子向空间电荷区两端漂移，产生光生电势并产生电流；由于PN结本身的属性，电流不能逆向传输，所以只能流到透明导电层4(AZO层)，而透明导电层4(AZO层)与背电极层2(MO层)相连，并且背电极层2(MO层)的电阻比透明导电层4(AZO层)低，故电流经透明导电层4(AZO层)再流入到背电极层2(MO层)，这样所有的子电池就通过背电极层2(MO层)连接，形成串联。
结合图4所示，薄膜太阳能电池经过激光清边(即P4激光清边)后，衬底基板1两侧形成短边清边区域，由图4可以看出，短边清边区域的延伸方向与薄膜太阳能电池的内联刻线相垂直。
在利用激光对薄膜太阳能电池进行清边时，即P4激光清边操作中，短边清边处容易受激光的热影响而出现短路，影响薄膜太阳能电池性能，本发明一实施方式提供的薄膜太阳能电池边缘隔离方法旨在对经过激光清边后的薄膜太阳能电池进行边缘隔离。
结合图5和图7所示，该方法包括以下步骤：
步骤S110，提供经激光清边后的薄膜太阳能电池。
该步骤中，经激光清边后的薄膜太阳能电池指的是薄膜太阳能电池加工工艺中已经完成了P1、P2、P3和P4加工。以CIGS薄膜太阳能电池为例，是指完成了溅射Mo层1、激光刻划Mo层(P1刻划)、形成CIGS吸收层、形成CdS缓冲层(图未示)、机械刻划CIGS层((P2刻划)、溅射透明导电膜(TCO)掺铝氧化锌、机械刻划CIGS吸收层和透明导电层(P3刻划)以及清边(P4激光清边)。
需要说明的是，利用激光对薄膜太阳能电池进行清边时，需要利用激光的能量清除掉衬底基板1上的所有膜层(即背电极层2、吸收层3和透明导电层4)的边缘部分，以便后续对薄膜太阳能电池的封装及密封绝缘。
步骤S120，机械刻刀移动到薄膜太阳能电池离短边清边区域预设距离处。
该预设距离不宜过大，过大会浪费较多的光吸收有效面积，进而影响薄膜太阳能电池的光转换效率。在本实施方式中，该预设距离可以合理的设置在0.5mm至1.0mm，有效防止机械刻刀对薄膜太阳能电池进行边缘隔离时引起透明导电层4和吸收层3的崩边，进而确保较好的边缘隔离效果，同时降低对薄膜太阳能电池的光转换效率的不良影响。
步骤S130，机械刻刀受恒力驱使移动至机械刻刀的刀头正好与背电极层2的表面接触。
该恒力可以是通过一能够恒定输出力的压力系统输出，也可以是通过由电机驱动的机构来驱使机械刻刀移动。例如，可以将机械刻刀安装到三轴运动机构上，该三轴运动机构能够驱使机械刻刀沿X-Y-Z三个维度进行移动，以满足机械刻刀的运动需要，对薄膜太阳能电池进行边缘隔离，即刮除背电极层2上方的透明导电层4和吸收层3，从而有效解决薄膜太阳能电池经激光清边后可能在背电极层2和透明导电层4之间出现的短路问题，提高了薄膜太阳能电池性能。
步骤S140，薄膜太阳能电池与机械刻刀沿垂直于内联刻线的方向相对移动，使得机械刻刀刮除掉透明导电层4和吸收层3。
在步骤S140中，薄膜太阳能电池与机械刻刀之间的相对移动可以通过多种方式实现。例如，机械刻刀保持位置不变，薄膜太阳能电池沿垂直于内联刻线的方向移动，使得机械刻刀刮除掉透明导电层4和吸收层3。再如，薄膜太阳能电池不动，机械刻刀沿垂直于内联刻线的方向移动，使得机械刻刀刮除掉透明导电层4和吸收层3。当然，还可以根据实际需要，薄膜太阳能电池与机械刻刀都运动，从而能够增大两者之间的相对运动行程，提高边缘隔离操作的有效空间，以便对较大幅面的薄膜太阳能电池进行边缘隔离。
在一些实施方式中，薄膜太阳能电池通过吸附装置吸附固定于工作台上。该吸附装置可以采用真空吸附的方式使得薄膜太阳能电池平整的贴附在工作台上，以在机械刻刀对经激光清边后的薄膜太阳能电池进行边缘隔离的过程中，背电极层2能够保持平整稳定，以便在后续的汇流带与背电极层2之间有足够的焊接面积，不会影响焊接强度。
机械刻刀的刃口宽度为0.1mm～0.5mm，刃口宽度太大会导致刃口的平面度下降，边缘隔离时会产生一道道的划痕，无法形成一个加工面，而且较大宽度的刃口进行边缘隔离时，会形成较宽的边缘隔离线，从而也会降低了电池的发光面积而导致电池的发电效率下降。相应的，如果刃口宽度太小，就会存在无法刮除掉透明导电层4和吸收层3的风险，从而不能实现短边清边区域的边缘隔离效果，因此，刀口的刃口宽度在0.1-0.5mm之间较为合适，优选0.3mm。
机械刻刀的刀头为钨钢材质或金刚石材质，当然刀头也可以是其他由坚硬材质制造的，以保证在清边中有足够的硬力穿透经激光清边后的薄膜太阳能电池的透明导电层4和吸收层3，进而不会挤压刃口附近的薄膜太阳能电池表面，有效防止薄膜太阳能电池变形。
在机械刻刀移动至机械刻刀的刀头正好与背电极层2的表面接触之前，可以先将机械刻刀移动到清边后的薄膜太阳能电池的表面1mm～2mm处。避免机械刻刀直接开始对清边后的薄膜太阳能电池进行边缘隔离时，可能会产生较大的作用力于清边后的薄膜太阳能电池上，有效防止清边后的薄膜太阳能电池受到撞击而引起薄膜太阳能电池变形。
进一步，机械刻刀的刀头与清边后薄膜太阳能电池的表面垂直度在±5um以内，以便机械刻刀在边缘隔离操作中形成的隔离槽缝P5边缘较为齐整，不容易出现毛边。
结合图5和图6所示，该隔离槽缝P5是机械刻刀刮除掉背电极层2上的透明导电层4和吸收层3后形成的，由于薄膜太阳能电池与机械刻刀沿垂直于内联刻线的方向相对移动，因此该隔离槽缝P5大致上也与内联刻线垂直，即，如图5所示，隔离槽缝P5与P3刻划线相垂直。
需要说明的是，在步骤S130中，即机械刻刀受恒力驱使穿透清边后的薄膜太阳能电池的透明导电层4和吸收层3直至与背电极层2相接触，所使用的恒力小于机械刻刀穿透清边后的薄膜太阳能电池的背电极层2所需的力。由于机械刻刀一直受恒力驱动，可使得机械刻刀的刀头匀速地穿透透明导电层4和吸收层3，不会使得薄膜太阳能电池受到力的加速度影响，在力的方向上产生裂纹而损坏薄膜太阳能电池。
透明导电层4和吸收层3的材质不一样，所需穿透力的大小也不一样，在实际操作中，可以根据需要对恒力大小进行调节，在本实施例中，恒力为1～2N，调节精度为0.01N，恒力波动范围小于5％，以便在清边后的薄膜太阳能电池的透明导电层4表面起伏的情况下亦能保证机械刻刀与其表面间有恒定的刻划力。优选地，恒力大小等于刚好穿透透明导电层4所需力与刚好穿透吸收层3所需力中较大的力的大小。
由于需要除去的部分涉及吸收层3、透明导电层4，且不能去除掉背电极层2，而吸收层3、透明导电层4和背电极层2的材质不一样，恒力小于机械刻刀穿透清边后的薄膜太阳能电池的背电极层2所需的力，使得机械刻刀不能够穿透背电极层2，同时恒力持续输出，使得机械刻刀的刀头保持正好与背电极层2的表面接触状态，以便机械刻刀与薄膜太阳能电池在沿垂直于内联刻线的方向相对移动时，能够有效的刮除透明导电层4和吸收层3而不损伤背电极层2。
在本实施例中，机械刻刀的刀头底部平面度在±5um以内，以确保边缘隔离操作后，背电极层2依然保持较好的平整度，以便后续焊接汇流带时，能够获得较好的焊接强度。
上述薄膜太阳能电池边缘隔离方法，利用机械刻刀恒力穿透，可以一次性刮掉透明导电层4和吸收层3的边缘，方法简单高效，成本低。
相应的，本发明还相应的提供一种薄膜太阳能电池制备方法，包含上述薄膜太阳能电池边缘隔离方法，从而利用该方法制备的薄膜太阳能电池能够有效的避免在利用激光进行清边时容易带来短路的问题，降低薄膜太阳能电池的失效率，提高了薄膜太阳能电池的性能。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种薄膜太阳能电池边缘隔离方法，其特征在于，该方法用于对经激光清边后的薄膜太阳能电池进行边缘隔离，所述薄膜太阳能电池包括依次层叠设置的衬底基板、背电极层、吸收层和透明导电层，所述薄膜太阳能电池经过激光清边后，所述衬底基板两侧形成短边清边区域，所述短边清边区域的延伸方向与薄膜太阳能电池的内联刻线相垂直，该方法包括以下步骤：
提供经激光清边后的薄膜太阳能电池；
机械刻刀移动到所述薄膜太阳能电池离所述短边清边区域预设距离处；
所述机械刻刀受恒力驱使移动至所述机械刻刀的刀头正好与所述背电极层的表面接触；
所述薄膜太阳能电池与所述机械刻刀沿垂直于所述内联刻线的方向相对移动，使得所述机械刻刀刮除掉所述透明导电层和所述吸收层，以于所述薄膜太阳能电池的离所述短边清边区域预设距离处形成隔离槽缝。
2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池边缘隔离方法，其特征在于，所述薄膜太阳能电池与所述机械刻刀沿垂直于所述内联刻线的方向相对移动，使得所述机械刻刀刮除掉所述透明导电层和所述吸收层进一步包括步骤：
所述机械刻刀保持位置不变，所述薄膜太阳能电池沿垂直于所述内联刻线的方向移动，使得所述机械刻刀刮除掉所述透明导电层和所述吸收层；
或者，
所述薄膜太阳能电池不动，所述机械刻刀沿垂直于所述内联刻线的方向移动，使得所述机械刻刀刮除掉所述透明导电层和所述吸收层。
3.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池边缘隔离方法，其特征在于，所述机械刻刀受恒力驱使移动至所述机械刻刀的刀头正好与所述背电极层的表面接触的步骤之前，所述机械刻刀先移动到距所述薄膜太阳能电池表面1mm～2mm处。
4.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池边缘隔离方法，其特征在于，所述恒力为1N～2N，调节精度为0.01N，波动范围小于5％。
5.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池边缘隔离方法，其特征在于，所述薄膜太阳能电池通过吸附装置吸附固定于工作台上。
6.根据权利要求1-5任一项所述的薄膜太阳能电池边缘隔离方法，其特征在于，所述机械刻刀的刀头为钨钢材质或金刚石材质。
7.根据权利要求6所述的薄膜太阳能电池边缘隔离方法，其特征在于，所述机械刻刀的刀头与所述薄膜太阳能电池的表面垂直度在±5um以内。
8.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池边缘隔离方法，其特征在于，所述机械刻刀的刃口宽度为0.1mm～0.5mm。
9.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池边缘隔离方法，其特征在于，所述机械刻刀的刀头底部平面度在±5um以内。
10.一种薄膜太阳能电池制备方法，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的薄膜太阳能电池边缘隔离方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810561244.5A CN108767066B (zh) | 2018-06-04 | 2018-06-04 | 薄膜太阳能电池制备方法及其边缘隔离方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810561244.5A CN108767066B (zh) | 2018-06-04 | 2018-06-04 | 薄膜太阳能电池制备方法及其边缘隔离方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108767066A CN108767066A (zh) | 2018-11-06 |
| CN108767066B true CN108767066B (zh) | 2020-06-12 |
Family
ID=64002261
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810561244.5A Active CN108767066B (zh) | 2018-06-04 | 2018-06-04 | 薄膜太阳能电池制备方法及其边缘隔离方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108767066B (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109065650A (zh) * | 2018-09-28 | 2018-12-21 | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 | 透光薄膜太阳能电池制造方法及透光薄膜太阳能电池 |
| CN109830556A (zh) * | 2018-12-25 | 2019-05-31 | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 | 太阳能电池板及其制作方法 |
| CN113649701B (zh) * | 2021-08-13 | 2024-03-15 | 苏州迈为科技股份有限公司 | 一种太阳能电池激光清边方法及装置 |
| CN216145627U (zh) * | 2021-08-23 | 2022-03-29 | 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司 | 一种薄膜太阳能电池结构 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101179087A (zh) * | 2007-12-18 | 2008-05-14 | 李毅 | 一种硅薄膜太阳能电池及其制造方法 |
| CN102376825A (zh) * | 2011-11-11 | 2012-03-14 | 保定天威集团有限公司 | 一种制备薄膜太阳能透光组件的方法 |
| CN104269449A (zh) * | 2014-10-20 | 2015-01-07 | 上海空间电源研究所 | 一种硅基薄膜太阳电池及其子电池的隔离线刻蚀方法 |
| CN104425645A (zh) * | 2013-08-30 | 2015-03-18 | 深圳市大族激光科技股份有限公司 | CIGS薄膜太阳能电池留Mo清边的方法 |
| CN104766904A (zh) * | 2014-01-06 | 2015-07-08 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | Cigs薄膜太阳能电池刻划设备 |
| CN107919404A (zh) * | 2017-12-11 | 2018-04-17 | 北京四方创能光电科技有限公司 | 一种薄膜太阳能电池透光组件的制备方法 |
-
2018
- 2018-06-04 CN CN201810561244.5A patent/CN108767066B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101179087A (zh) * | 2007-12-18 | 2008-05-14 | 李毅 | 一种硅薄膜太阳能电池及其制造方法 |
| CN102376825A (zh) * | 2011-11-11 | 2012-03-14 | 保定天威集团有限公司 | 一种制备薄膜太阳能透光组件的方法 |
| CN104425645A (zh) * | 2013-08-30 | 2015-03-18 | 深圳市大族激光科技股份有限公司 | CIGS薄膜太阳能电池留Mo清边的方法 |
| CN104766904A (zh) * | 2014-01-06 | 2015-07-08 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | Cigs薄膜太阳能电池刻划设备 |
| CN104269449A (zh) * | 2014-10-20 | 2015-01-07 | 上海空间电源研究所 | 一种硅基薄膜太阳电池及其子电池的隔离线刻蚀方法 |
| CN107919404A (zh) * | 2017-12-11 | 2018-04-17 | 北京四方创能光电科技有限公司 | 一种薄膜太阳能电池透光组件的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108767066A (zh) | 2018-11-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108767066B (zh) | 薄膜太阳能电池制备方法及其边缘隔离方法 | |
| JP5328363B2 (ja) | 太陽電池素子の製造方法および太陽電池素子 | |
| EP1727211B1 (en) | Method of fabricating a thin-film solar cell, and thin-film solar cell | |
| JP4999937B2 (ja) | 太陽電池素子および太陽電池素子の製造方法 | |
| US9379258B2 (en) | Fabrication methods for monolithically isled back contact back junction solar cells | |
| US4292092A (en) | Laser processing technique for fabricating series-connected and tandem junction series-connected solar cells into a solar battery | |
| JP4439477B2 (ja) | 光起電力素子及びその製造方法 | |
| EP2249395A1 (en) | Thin film solar battery and method for manufacturing the same | |
| EP2416377B1 (en) | Solar cell and manufacturing method thereof | |
| JP5642355B2 (ja) | 太陽電池モジュール | |
| JP2017517146A (ja) | 位置合わせ不要な太陽電池メタライゼーション | |
| JP4902472B2 (ja) | 太陽電池及び太陽電池モジュール | |
| KR101729745B1 (ko) | 태양전지 및 이의 제조 방법 | |
| JP4773543B2 (ja) | エッジスペースを備えた太陽電池モジュール | |
| CN104425645A (zh) | CIGS薄膜太阳能电池留Mo清边的方法 | |
| EP2073269A1 (en) | Method for providing a series connection in a solar cell system | |
| JP2012038902A (ja) | 集積型光電変換装置の製造方法 | |
| JP2011146678A (ja) | 太陽電池素子の製造方法 | |
| JP2009094272A (ja) | 光電変換モジュールおよび光電変換モジュールの製造方法 | |
| WO2010064455A1 (ja) | 光電変換装置 | |
| JP2011109011A (ja) | 光電変換装置 | |
| US20120024340A1 (en) | Solar Cells With Localized Silicon/Metal Contact For Hot Spot Mitigation and Methods of Manufacture | |
| Haas et al. | Patterning of thin-film silicon modules using lasers with tailored beam shapes and different wavelengths | |
| CN105097985A (zh) | 一种柔性薄膜太阳能电池制作的设备及方法 | |
| CN103681966A (zh) | CIGS薄膜太阳能电池组件Mo背电极的激光划线方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |