JP3420590B2 - 基材の平坦化方法、被膜付基材および半導体装置の製造方法 - Google Patents

基材の平坦化方法、被膜付基材および半導体装置の製造方法

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JP3420590B2 JP52237098A JP52237098A JP3420590B2 JP 3420590 B2 JP3420590 B2 JP 3420590B2 JP 52237098 A JP52237098 A JP 52237098A JP 52237098 A JP52237098 A JP 52237098A JP 3420590 B2 JP3420590 B2 JP 3420590B2
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Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、基材表面の平坦化方法および被膜付基材に
関し、さらに詳しくは、半導体基板などのような凹凸な
表面を有する基材の凹凸面に被膜を形成して平坦化する
方法、この方法で平坦化された被膜付基材、およびこの
方法を用いた半導体装置の製造方法に関するものであ
る。
背景技術 積層構造を有する半導体素子、カラー表示用液晶表示
素子などの各種電子部品においては、それぞれの製造工
程で配線やカラーフィルターなどに基づく段差が基材上
に生じ、これらの段差に基づく凹凸を平坦化する必要が
ある。とくに、半導体装置では、高密度な集積回路を実
現するために、配線間に形成される層間絶縁膜の表面を
完全に平坦化することが必要とされる。
これらの平坦化方法の代表的な技術として、SOG（Spi
n−on−Glass）法、エッチバック法またはリフトオフ法
などが提案されている。たとえば、SOG法は、Si（OR）
４などのアルコキシシランを含む塗布液からなるSOG材
料を凹凸基板の表面に塗布し、加熱硬化して平坦化膜を
形成するものであり、多くの方法が提案されている。ま
た、このようなSOG材料も前記のアルコキシシラン以外
に種々の有機ケイ素化合物が提案されている。
しかしながら、SOG法では、塗布液を基板上に塗布す
るため、塗布液の安定性や管理に問題がある。また、最
近、SOG膜中の水分によるMOSトランジスタのホットキャ
リア耐性劣化が報告され、水分の制御も問題となってい
る。
また、エッチバック法は、レジストと絶縁膜を同時に
エッチングするため、ダストが発生するという問題があ
る。このため、ダスト管理の点で容易な技術ではない。
さらに、リフトオフ法は、使用するステンシル材がリフ
トオフ時に完全に溶解しないために、リフトオフできな
いなどの問題を生じ、制御性や歩留りが不十分であるた
め実用化に至っていない。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、凹凸な
表面を有する基材の凹凸面を容易に平坦化する方法、平
坦性に優れ均一な膜厚を有する被膜付基材、半導体装置
の製造方法を提供することを目的としている。
発明の開示 本発明に係る基材の平坦化方法は、 平滑基材表面に予め球状微粒子層を形成し、次いで該
球状微粒子層上に、被膜形成用塗布液を塗布して球状微
粒子含有被膜を形成したのち、 平滑基材表面に該球状微粒子含有被膜が形成された面
と、凹凸な表面を有する基材の凹凸面とを密着させて、 球状微粒子含有被膜を凹凸な表面を有する基材の凹凸
面に転写して、該凹凸面を平坦化することを特徴として
いる。
また、球状微粒子含有被膜を凹凸な表面を有する基材
の凹凸面に転写する時または転写した後、 該球状微粒子含有被膜を加熱して、被膜の少なくとも
一部を溶融させて、被膜表面を平坦化し、 次いで、さらに温度を上昇させて該球状微粒子含有被
膜を硬化させて、凹凸面を平坦化してもよい。
前記球状微粒子がシリカ微粒子であり、被膜がシリカ
系被膜であることが好ましい。さらに、シリカ系被膜
は、下記一般式［１］で表される繰り返し単位を有する
ポリシラザンを含むシリカ系被膜形成用塗布液から形成
されていることが好ましい。
式中、R1、R2およびR3は、互いに同一でも異なってい
てもよく、水素原子、炭素数１〜８のアルキル基、アリ
ール基またはアルコキシ基であり、ｎは１以上の整数で
ある。
本発明に係る被膜付基材は、上記の方法で表面が平坦
化されていることを特徴としている。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、平滑基材表面
に予めシリカ微粒子層を形成し、次いで該シリカ微粒子
層上に、被膜形成用塗布液を塗布してシリカ微粒子含有
シリカ系被膜を形成したのち、このシリカ微粒子含有シ
リカ系被膜を半導体基板表面に転写することにより、半
導体基板表面にシリカ微粒子含有シリカ系被膜を形成す
ることを特徴とし、シリカ系被膜が上記一般式［１］で
表される繰り返し単位を有するポリシラザンを含むシリ
カ系被膜形成用塗布液から形成されている。
図面の簡単な説明 第１図は、本発明の好ましい１態様による基材の平坦
化方法について、順をおって示した断面図であり、第２
図は、本発明の好ましい１態様による半導体装置の製造
について、順をおって示した断面図である。
符号の説明 １・・・・平滑基材 ２・・・・球状微粒子層 ３・・・・被膜 ４・・・・凹凸な表面を有する基材 ５・・・・凹凸面 ６・・・・平板 ７・・・・シリカ微粒子層 ８・・・・シリカ系被膜 ９・・・・半導体基板 10・・・・Al電極配線層 11・・・・平板（石英板） 12・・・・ヒーター 発明を実施するための最良の形態 以下、本発明について具体的に説明する。
基材の平坦化方法 本発明に係る基材の平坦化方法では、まず、平滑基材
表面に球状微粒子を含有する被膜を形成する。
球状微粒子としては、シリカ、アルミナなどの無機化
合物からなる球状微粒子、または、ポリスチレン、ポリ
メチルメタクリレートなどの合成樹脂からなる球状微粒
子が挙げられる。これらのうち、特にシリカ微粒子が好
ましい。
このような球状微粒子は、平均粒径は１μｍ以下、好
ましくは0.5μｍ以下のものが好ましく、粒径範囲が単
一粒径のもの、または異種粒径のものを２種以上混合し
たものでもよい。このような球状微粒子を含む被膜を凹
凸基板に押圧して転写すると、球状微粒子が平滑基材表
面と凹凸基材の凹凸面とのギャップコントロール材とし
て機能し、転写膜厚を均一に制御すると同時に被膜の平
坦性を良好にすることができる。さらに、これらの球状
微粒子は平滑基材に被膜を形成するときの平滑基材と被
膜の密着性および剥離性を制御する機能を有しているた
め、被膜の転写特性を向上させることができる。
平滑基材表面に形成される被膜としては、シリカ系被
膜が好ましく、このようなシリカ系被膜は、シリカ系被
膜形成成分を含む被膜形成用塗布液を平滑基材表面に塗
布することによって形成することができる。
シリカ系被膜形成成分としては、従来公知の被膜形成
成分を使用することができるが、特に100〜300℃の範囲
における粘度が103ポイズ以下となるようなリフロー性
を有する被膜形成成分が好ましい。本発明で定義される
リフロー性とは、被膜形成用塗布液を基材に塗布し、乾
燥して一旦固化した被膜を加熱したとき、加熱温度の上
昇にともなって粘度が低下し、再溶融することをいう。
再溶融後さらに温度を上げると、被膜成分の重合が進
み、被膜が硬化する。
このようなリフロー性を有する被膜形成成分として
は、下記一般式［１］で表される繰り返し単位を有する
ポリシラザン、下記一般式［２］で表される繰り返し単
位を有するポリカルボシランまたは下記一般式［３］で
表される繰り返し単位を有するシルセスキオキサンなど
が挙げられる。これらのうち、特にポリシラザンが好ま
しい。
式中、R1,R2,R3は互いに同一であっても異なっていて
もよく、水素原子、炭素数１〜８のアルキル基、アリー
ル基またはアルコキシ基を示し、ｎは１以上の整数であ
る。
式中、R4,R5は互いに同一であっても異なっていても
よく、水素原子、炭素数１〜８の置換または非置換のア
ルキル基、アリール基またはアルコキシ基を示し、R6は
置換または非置換のメチレン基を示し、ｍは１以上の整
数である。
式中、R7,R8は互いに同一であっても異なっていても
よく、水素原子、炭素数１〜８の置換または非置換のア
ルキル基、アリール基またはアルコキシ基を示し、ｌは
１以上の整数である。
上記のようなポリシラザン、ポリカルボシランまたは
シルセスキオキサンの数平均分子量は、500〜50000、好
ましくは1000〜10000であることが望ましい。
本発明で使用する被膜形成用塗布液は、上記のような
被膜形成成分が、固形分濃度５〜50重量％、好ましくは
10〜30重量％で有機溶媒に溶解している。有機溶媒とし
ては、上記の被膜形成成分を分散または溶解し、塗布液
として流動性が付与できるものであれば特に制限がない
が、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素、クロロ
ホルムのようなハロゲン化炭化水素などが好ましく使用
される。
本発明では、上記のような被膜形成用塗布液を、平滑
基材の被塗布面にスプレー法、スピナー法、ディッピン
グ法、ロールコート法、スクリーン印刷法、転写印刷法
などの各種方法で塗布したのち、50℃以上に加熱して乾
燥して、被膜を形成することができる。加熱温度は50℃
以上であれば、被膜中に溶媒が残存し、転写時に気泡が
発生することがない。また、加熱温度が高すぎると、被
膜形成成分の架橋反応が進み、被膜のリフロー性が悪く
なるので、凹凸基材への転写や得られる被膜の平坦化が
困難になることがある。したがって、加熱温度は、300
℃以下、好ましくは200℃以下とすることが望ましい。
形成された被膜の膜厚は、通常、0.3〜５μｍ、好ま
しくは0.5〜２μｍである。
本発明では、上記平滑基材表面に被膜を形成する際に
平滑基材表面に予め球状微粒子層を形成しておき、この
球状微粒子層上に、被膜形成用塗布液を塗布することに
よって、球状微粒子を被膜中に含ませる。
球状微粒子層を予め平滑基材上に形成する方法として
は、特に制限はないが、通常、球状微粒子が分散媒に分
散した分散液を、平滑基材にスピナー法などで塗布した
のち乾燥することによって微粒子層を形成している。分
散媒としては、水、アルコール類、ケトン類、エーテル
類などが挙げられる。
本発明で使用される平滑基材としては、表面が平滑で
あれば特に限定されず、通常、柔軟な熱可塑性樹脂など
からなるシートフィルムが使用される。このようなシー
トフィルムとして、具体的には、アクリル樹脂、ポリカ
ーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂、塩化ビニル樹
脂、ポリイミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、フッ素樹
脂などのシートフィルムが用いられるが、耐熱性の点で
ポリイミド樹脂またはフッ素樹脂のシートフィルムが好
ましい。このような柔軟な熱可塑性樹脂からなるシート
フィルムを平滑基材として用いると、転写時に、凹凸な
表面を有する基材に押しつけることが容易になる。
次に、本発明では、前記のような方法で平滑基材の表
面に形成された球状微粒子含有被膜を凹凸な表面を有す
る基材の凹凸面に転写する。
転写方法としては、平滑基材の被膜形成面と凹凸基材
の凹凸面とを張り合わせ、いずれかの基材の裏面、また
は双方の裏面から、たとえば１〜50kg、好ましくは１〜
10kgの荷重量で荷重をかけるか、またはローラーを転が
しながら押しつけ圧着させることによって密着させる。
その後平滑基材を剥がし、被膜を凹凸面に転写する。
このように、被膜を凹凸な表面を有する基材の凹凸面
に転写する時または転写した後で、被膜を加熱して少な
くとも一部を溶融させて、該球状微粒子含有被膜表面を
平坦化してもよい。前記のようなシリカ系被膜形成成分
を含む被膜は、前述のようにリフロー性を有し、約100
℃以上で粘度低下を起こし、再溶融（リフロー）する。
この粘度低下は、250℃付近まで続き、約300℃以上にな
ると分子架橋により硬化を始める。このようなリフロー
姓を利用して、圧着時に50℃以上、好ましくは80℃以上
に加熱してシリカ系被膜の粘度を低下させて転写を行う
と、転写時の荷重および加熱により被膜がリフローして
押し広げられ、凹凸基材表面を高度に平坦化することが
できる。
また、熱圧着のように、加圧転写した後で加熱して、
凹凸基材表面を平坦化することもできる。
このようにして転写された被膜を、300〜500℃、好ま
しくは400〜450℃の温度で、10〜120分、好ましくは30
〜60分加熱して硬化させる。このような硬化は、通常、
空気中、水蒸気雰囲気またはアンモニア雰囲気中で行わ
れる。なお、本発明において、球状微粒子として合成樹
脂を用いた場合、上記のような被膜の加熱および硬化の
過程で球状微粒子が溶融または分解し、球状の形態が消
滅することがあるが、凹凸基材に転写した後には球状を
維持する必要はなく、転写時に被膜中に球状微粒子が含
まれていればよい。
以下、本発明の好ましい一態様による基材の平坦化方
法について、図１を参照しながら説明する。
まず、図１（ａ）に示すように、シートフィルム（平
滑基材）１の表面に球状微粒子層２を形成する。
次に、図１（ｂ）に示すように、上記球状微粒子層２
の上に、前記被膜形成用塗布液を通常の手段で塗布した
のち、50℃以上に加熱して、シートフィルム上に球状微
粒子層を含んだ被膜被膜３を形成する。
さらに、図１（ｃ）に示すように、上記のようにして
得られた球状微粒子含有被膜が形成された面と、凹凸の
表面を有する基材４の凹凸面５とが対向するように張り
合わせる。両者を張り合わせる場合は、石英板のような
２枚の平板６の間に被膜形成面と凹凸面５が対向するよ
うに配置し、シートフィルム側または凹凸基材側、また
は両方から荷重をかけ、さらに80〜150℃に加熱して、
シートフィルム１の球状微粒子含有被膜３を凹凸面５に
転写する。
球状微粒子含有被膜３が転写された凹凸面４を約400
℃に加熱して、硬化処理を行い、図１（ｄ）に示すよう
な表面が平坦化された球状微粒子含有被膜３が形成され
た基材が得られる。
被膜付基材 本発明に係る被膜付基材は、上記のような方法で形成
された被膜によって基材表面の凹凸が平坦化されてい
る。
このような基材としては、上記のような方法で被膜を
形成しうる任意の凹凸基材を用いることが可能であり、
具体的には、高密度記録用光ディスクまたは磁気ディス
ク、マイクロレンズを有するCCD素子、陰極線管または
液晶表示装置などの表示部前面板、カラー表示用液晶表
示素子のカラーフィルター付透明電極板、液晶表示装置
用TFT付透明電極板、多層構造を有する半導体素子など
が挙げられる。
たとえば、液晶表示装置用TFT付透明電極板では、TFT
（Thin Film Transistor）が突出している基板表面に、
絶縁性被膜が形成され、基板表面とTFT部位との段差が
平坦化されている。カラー表示用液晶表示素子のカラー
フィルター付透明電極板では、電極板の画素電極上およ
び対向電極板のカラーフィルター上に被膜が形成され、
画素電極およびカラーフィルターによって形成された凹
凸面が該球状微粒子含有被膜によって平坦化されてい
る。
また、半導体装置では、半導体基板と金属配線層との
間、金属配線層間にシリカ系絶縁膜が形成される。この
絶縁膜によって、半導体基板上に設けられたPN接合半導
体、およびコンデンサー素子、抵抗素子などの各種素子
によって形成された凹凸面が平坦化されている。
このような半導体装置は、以下のような方法で製造さ
れる。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、 平滑基材表面にシリカ微粒子を含有するシリカ系被膜
を形成し、このシリカ系被膜を半導体基板表面に転写す
ることにより、半導体基板表面に平坦性の良好なシリカ
系被膜を形成する。このときシリカ系被膜を、上記一般
式［１］で表される繰り返し単位を有するポリシラザン
を含むシリカ系被膜形成用塗布液から形成する。
このような半導体装置の製造方法について図２を参照
しながら説明する。
まず、図２（ａ）に示すように、シートフィルム（平
滑基材）１の表面にシリカ微粒子層７を形成する。
次に、図２（ｂ）に示すように、上記シリカ微粒子層
２の上に、前記シリカ系被膜形成用塗布液をスピナー法
などにより塗布したのち、50℃以上に加熱して、シート
フィルム上にシリカ微粒子層を含んだシリカ系被膜８を
形成する。
さらに、上記のようなシリカ微粒子含有シリカ系被膜
が形成された面と、図２（ｃ）に示すような半導体基板
９のAl電極配線層10とが対向するように張り合わせる。
両者を張り合わせる場合は、図２（ｄ）に示すように、
石英板のような２枚の平板11の間にシリカ系被膜形成面
と配線層10が対向するように配置し、シートフィルム１
側または半導体基板９側、または両方から荷重をかけ、
さらにヒーター12にて80〜200℃に加熱して、シートフ
ィルム１のシリカ系被膜８を配線層10に転写する。
転写後、シリカ系被膜８が転写された配線層10を約40
0℃に加熱して、硬化処理を行い、図２（ｅ）に示すよ
うに、表面が平坦となったシリカ微粒子含有シリカ系被
膜８が形成された半導体装置が得られる。
このような本発明に係る半導体装置の製造方法では、
シリカ微粒子として、粒径の異なる２種のシリカ微粒子
が使用されてもよく、このような微粒子を用いると図２
（ｆ）に示すような被膜が半導体表面に形成される。
発明の効果 本発明によれば、転写工程中の被膜に含まれている球
状微粒子が平滑基材と凹凸基材とのギャップ調整機能を
果たすため、均一な膜厚の平坦化膜を形成することがで
きる。また、球状微粒子を含有させることにより、平滑
基材への被膜の密着性および平滑基材からの剥離性を制
御できるので、凹凸基材への転写をスムーズに行うこと
ができる。
また、リフロー特性を有する被膜形成成分を含む被膜
形成用塗布液を用いて被膜を形成する場合、リフロー特
性を利用して被膜を転写することによって、高度な平坦
性を有する被膜を凹凸基材表面に形成することが可能と
なる。
このような基材の平坦化方法を用いて半導体装置を製
造すると、大口径の半導体基板に対して均一な膜厚の平
坦化膜を形成することが可能となる。
実施例 以下、本発明について実施例に基づいて具体的に説明
するが、本発明は、これら実施例により何ら限定される
ものではない。
実施例１ 厚さ300μｍのテフロン製のシートフィルム上に、平
均粒径0.5μｍのシリカ微粒子エタノール分散液（SiO2
濃度:5wt％）をスピナー法（500rpm,30秒）で塗布した
のち乾燥し、シートフィルム上にシリカ微粒子層を形成
した。
次いで、ポリカルボシランを含むシリカ系被膜形成用
塗布液（溶媒：メチルイソブチルケトン、SiO2濃度:25w
t％、日本カーバイド（株）製）をシリカ微粒子層の上
にスピナー法（2000rpm,20秒）で塗布し、ホットプレー
ト上で120℃、３分間乾燥することにより膜厚１μｍの
シリカ微粒子含有シリカ系被膜を形成した。
凹凸面をもつ基材として0.5μｍの段差をモデル的に
形成したシリカ基板と上記シートフィルムとを、凹凸面
側と被膜形成側とを対向させて張り合わせ、２枚の平板
の間に配置した。平板の上から5kgの荷重をかけ、150
℃、10分間加熱し、被膜の転写を行うとともに、平坦化
を行った。その後シートフィルムを剥がし、転写された
被膜を有するシリカ基板を、水蒸気雰囲気中で400℃、3
0分間加熱硬化処理を行った。なお、このシリカ系被膜
の150℃における粘度は15ポイズであった。
得られたシリカ微粒子含有シリカ系被膜は、段差上で
0.5μｍの膜厚を有し、被膜の断面を電子顕微鏡で観察
した結果、良好な平坦性を有していた。
実施例２ シリカ微粒子として、平均粒径が0.5μｍの微粒子
と、0.1μｍの微粒子とを1:1（重量比）の割合で混合し
た混合物を用いた以外は実施例１と同様の方法でシリカ
基板上に被膜を形成した。
得られたシリカ微粒子含有シリカ系被膜は、段差上で
0.5μｍの膜厚を有し、被膜の断面を電子顕微鏡で観察
した結果、良好な平坦性を有していた。
実施例３ 厚さ300μｍのテフロン製のシートフィルム上に、平
均粒径0.1μｍのシリカ微粒子エタノール分散液（SiO2
濃度:5wt％）をスピナー法（500rpm,30秒）で塗布した
のち乾燥し、シートフィルム上にシリカ微粒子層を形成
した。
次いで、無機ポリシラザンを含むシリカ系被膜形成用
塗布液（セラメート−CIP,SiO2濃度:24wt％、触媒化成
工業（株）製）をシリカ微粒子層の上にスピナー法（20
00rpm,20秒）で塗布し、ホットプレート上で120℃、３
分間乾燥することにより膜厚0.4μｍのシリカ微粒子含
有シリカ系被膜を形成した。
凹凸面をもつ基材として0.2μｍの段差をモデル的に
形成したシリカ基板と上記シートフィルムとを、凹凸面
側と被膜形成側とを対向させて張り合わせ、２枚の平板
の間に配置した。平板の上から5kgの荷重をかけ、150
℃、10分間加熱し、被膜の転写を行った。その後シート
フィルムを剥がし、転写された被膜を有するシリカ基板
を、水蒸気雰囲気中で400℃、30分間加熱硬化処理を行
った。なお、このシリカ系被膜は、150℃の粘度は2.5ポ
イズであった。
得られたシリカ微粒子含有シリカ系被膜は、段差上で
0.2μｍの膜厚を有し、被膜の断面を電子顕微鏡で観察
した結果、良好な平坦性を有していた。
実施例４ 厚さ200μｍのテフロン製のシートフィルム上に、平
均粒径0.3μｍのシリカ微粒子エタノール分散液（SiO2
濃度:5wt％）をスピナー法（500rpm,30秒）で塗布した
のち乾燥し、シートフィルム上にシリカ微粒子層を形成
した。
次いで、無機ポリシラザンを含むシリカ系被膜形成用
塗布液（セラメート−CIP,SiO2濃度:24wt％、触媒化成
工業（株）製）をシリカ微粒子層の上にスピナー法（20
00rpm,20秒）で塗布し、ホットプレート上で120℃、３
分間乾燥することにより膜厚0.6μｍのシリカ微粒子含
有被膜を形成した。
Al配線を有する半導体基板と上記シートフィルムと
を、Al配線側と被膜形成側とを対向させて張り合わせ、
２枚の平板の間に配置した。平板の上から5kgの荷重を
かけ、150℃で10分間加熱し、被膜の転写を行った。そ
の後シートフィルムを剥がし、転写された被膜を有する
シリカ基板を、水蒸気雰囲気中で400℃、30分間加熱硬
化処理を行った。
半導体基板上に形成されたシリカ微粒子含有シリカ系
被膜は、Al配線上で0.3μｍの膜厚を有し、被膜の断面
を電子顕微鏡で観察した結果、良好な平坦性を有してい
た。
実施例５ シリカ微粒子として、平均粒径が0.3μｍの微粒子
と、0.1μｍの微粒子とを1:1（重量比）の割合で混合し
た混合物を用いた以外は実施例４と同様の方法でシリカ
基板上にシリカ系被膜を形成した。
次いで、無機ポリシラザンを含むシリカ系被膜形成用
塗布液（セラメート−CIP,SiO2濃度:30wt％、触媒化成
工業（株）製）をシリカ微粒子層の上にスピナー法（10
00rpm,20秒）で塗布し、ホットプレート上で120℃、３
分間乾燥することにより膜厚１μｍのシリカ微粒子含有
被膜を形成した。
得られたシリカ微粒子含有シリカ系被膜を実施例４と
同様の方法で半導体基板上にシリカ系被膜を転写し、硬
化処理を行った。
半導体基板上に形成されたシリカ微粒子含有シリカ系
被膜は、Al配線上で0.5μｍの膜厚を有し、被膜の断面
を電子顕微鏡で観察した結果、良好な平坦性を有してい
た。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｇ０２Ｆ 1/1333 ５００ Ｇ０２Ｆ 1/1333 ５００ Ｇ１１Ｂ 5/84 Ｇ１１Ｂ 5/84 Ａ Ｈ０１Ｌ 21/314 Ｈ０１Ｌ 21/314 Ａ 21/76 21/76 Ｚ 27/14 27/14 Ｚ (72)発明者 藤内 篤 福岡県北九州市若松区北湊町13番２号 触媒化成工業株式会社若松工場内 (72)発明者 小松 通郎 福岡県北九州市若松区北湊町13番２号 触媒化成工業株式会社若松工場内 (72)発明者 町田 克之 神奈川県厚木市毛利台２―７―３ (72)発明者 久良木 億 東京都町田市金井６―６―９ (72)発明者 今井 和雄 神奈川県厚木市森の里２―９―８ (56)参考文献 特開 平７−66188（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−315319（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−73340（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−102217（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/312 H01L 21/314 H01L 21/316 H01L 21/318 H01L 21/76 H01L 21/14 B05D 7/00 B05D 7/24 302 C09D 183/16 G02F 1/1333 500 G11B 5/84

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】平滑基材表面に予め球状微粒子層を形成
    し、次いで該球状微粒子層上に、被膜形成用塗布液を塗
    布して球状微粒子含有被膜を形成したのち、 平滑基材表面に該球状微粒子含有被膜が形成された面
    と、凹凸な表面を有する基材の凹凸面とを密着させて、 球状微粒子含有被膜を凹凸な表面を有する基材の凹凸面
    に転写して、該凹凸面を平坦化することを特徴とする基
    材の平坦化方法。
  2. 【請求項２】前記球状微粒子含有被膜を、凹凸な表面を
    有する基材の凹凸面に転写する時または転写した後、 該球状微粒子含有被膜を加熱して、被膜の少なくとも一
    部を溶融させて、被膜表面を平坦化し、 次いで、さらに温度を上昇させて該球状微粒子含有被膜
    を硬化させて、凹凸面を平坦化することを特徴とする請
    求項１に記載の基材の平坦化方法。
  3. 【請求項３】前記球状微粒子がシリカ微粒子であり、前
    記被膜がシリカ系被膜であることを特徴とする請求項１
    または２に記載の基材の平坦化方法。
  4. 【請求項４】前記シリカ系被膜が、下記一般式［１］で
    表される繰り返し単位を有するポリシラザンを含むシリ
    カ系被膜形成用塗布液から形成されることを特徴とする
    請求項３に記載の基材の平坦化方法。 （式中、R1、R2およびR3は、互いに同一でも異なってい
    てもよく、水素原子、炭素数１〜８のアルキル基、アリ
    ール基またはアルコキシ基であり、ｎは１以上の整数で
    ある。）
  5. 【請求項５】請求項１〜４のいずれかに記載の方法で表
    面が平坦化されていることを特徴とする被膜付基材。
  6. 【請求項６】平滑基材表面に予めシリカ微粒子層を形成
    し、次いで該シリカ微粒子層上に、被膜形成用塗布液を
    塗布してシリカ微粒子含有シリカ系被膜を形成したの
    ち、このシリカ微粒子含有シリカ系被膜を半導体基板表
    面に転写することにより、半導体基板表面にシリカ微粒
    子含有シリカ系被膜を形成する半導体装置の製造方法で
    あって、 該シリカ系被膜が上記一般式［１］で表される繰り返し
    単位を有するポリシラザンを含むシリカ系被膜形成用塗
    布液から形成されていることを特徴とする半導体装置の
    製造方法。
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