DE3382809T2 - Photolackzusammensetzung - Google Patents

Photolackzusammensetzung

Info

Publication number
DE3382809T2
DE3382809T2 DE3382809T DE3382809T DE3382809T2 DE 3382809 T2 DE3382809 T2 DE 3382809T2 DE 3382809 T DE3382809 T DE 3382809T DE 3382809 T DE3382809 T DE 3382809T DE 3382809 T2 DE3382809 T2 DE 3382809T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
photoresist composition
polymer
photoinitiator
acid
salts
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE3382809T
Other languages
English (en)
Other versions
DE3382809D1 (de
Inventor
Jean M J Frechet
Hiroshi Ito
Carlton Grant Willson
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Application granted granted Critical
Publication of DE3382809D1 publication Critical patent/DE3382809D1/de
Publication of DE3382809T2 publication Critical patent/DE3382809T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/016Diazonium salts or compounds
    • G03F7/021Macromolecular diazonium compounds; Macromolecular additives, e.g. binders
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/106Binder containing
    • Y10S430/109Polyester
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/106Binder containing
    • Y10S430/111Polymer of unsaturated acid or ester
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/114Initiator containing
    • Y10S430/115Cationic or anionic

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Polymerisation Methods In General (AREA)

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft positiv- oder negativ- wirkende Photolackzusammensetzungen.
  • Kationische Photopolymerisierung von Vinyl- und heterocyclischen Monomeren und Photovernetzung von Polymeren, enthaltend Oxiran- und Thiranringe, die über eine durch Photolyse von Onium-Salzen generierte Säure ausgelöst werden, sind wohl bekannt. US-Patente 4,210,449 und 4,273,668 offenbaren die Anwendung von Onium-Salzen als Phtoinitiatoren für kationische Polymerisierung und Vernetzung.
  • US-Patent 3,984,253 offenbart die Sensibilisierung von Polyphthalaldehyden für UV-, Elektronenstrahl- und Röntgenstrahlung durch Zufügen von säuregenerierenden Verbindungen wie Diazonium-Salzen, um positive Bilder zu erzeugen.
  • US-Patent 4,311,782 offenbart ein strahlungsempfindliches Gemisch, das eine säurebildende Verbindung und eine Polymerverbindung enthält, die sich wiederholende Orthocarbonsäureestergruppierungen aufweisen zum Erzeugen von positiven Reliefbildern.
  • US-Patent 4,104,070 beschreibt einen Modified Image Reversal Process (MIRP). Dieser Prozeß setzt jedoch die Zugabe einer dritten Komponente und einen Flutungsbelichtungsschritt voraus.
  • US-Patent 4,101,323 offenbart eine strahlungsempfindliche Kopierverbindung, die eine Verbindung (1), die bei Bestrahlung eine Säure abspaltet, und eine Verbindung (2) mit mindestens einer Gruppe aus der Gruppe, bestehend aus einer Carbonorthosäureestergruppe und einer Carbonsäureamidacetalgruppe besteht, enthält, wobei die Verbindung bei Bestrahlung ein Belichtungsprodukt ausbildet, das in einem flüssigen Entwickler eine höhere Löslichkeit aufweist, als die nichtbestrahlte Zusammensetzung.
  • US-Patent 3,779,778 offenbart eine photolösliche Zusammensetzung, enthaltend
  • a. eine nicht-wasserlösliche organische Verbindung enthaltend eine oder mehrere säureabbaubare Verbindungen der Formel
  • wobei Z ausgewählt wird aus der Gruppe OAr, NRSO&sub2;AR.
  • und
  • wobei Ar eine einwertige oder zweiwertige aromatische Gruppe und R eine niedere Alkylgruppe ist; und
  • b. ein Photoinitiator ist, der einen photolysierbaren Säurevorläufer enthält, der in der Regel nichtreaktiv ist, der aber bei Absorption einer aktinischen Strahlung in der Lage ist, einen Säurezustand zu generieren,
  • wobei die Zusammensetzung durch eine Entwicklerlösung bildhaft leicht entfernbar gemacht wird in Bereichen, die mit der aktinischen Strahlung belichtet werden, wobei die nicht- belichteten Bereiche intakt bleiben.
  • Erfindungsgemäß ist vorgesehen eine positiv arbeitende und eine negativ arbeitende Photolackzusammensetzung, die beinhaltet: Ein Polymer mit sich wiederholenden säurelabilen hängenden Gruppen und mit einem Photoinitiator, der bei Belichtung durch eine Strahlung eine Säure erzeugt, dadurch gekennzeichnet, daß die säurelabilen hängenden Gruppen tertiäre Butylester von Carbonsäuren oder tertiäre Butylcarbonate von Phenolen sind, und
  • in dem der Photoinitiator aus einer Gruppe genommen wird, die aus Aryldiazonium-, nichtsubstituierten und symmetrisch oder unsymmetrisch substituierten Diaryliodonium- oder Triarylsulfoniumsalzen besteht.
  • Die erfindungsgemäßen Photolackzusammensetzungen, die bei geeigneter Auswahl eines Entwicklers empfindlich gegen Ultraviolett (UV), Elektronenstrahl- oder Röntgenstrahlung mit einer positiven oder negativen Photolack-Tönung sind, werden hergestellt durch Kombinieren eines Polymers mit sich wiederholenden säurelabilen hängenden Gruppen mit einem kationischen Photoinitiator wie Diaryliodonium- oder Triarylsulfonium-Metallhalogeniden. Das Polymer, das den Initiator enthält, ist als Dünnfilm auf ein Substrat aufgeschichtet. Dann wird es unter kontrollierten Bedingungen gebrannt, in bildhafter Konfiguration mit einer Strahlung belichtet und unter kontrollierten Bedingungen erneut gebrannt. In denjenigen Teilen des Films, auf die die Strahlung trifft, werden die hängenden säurelabilen Gruppen des Polymers abgespalten und bilden polare sich wiederholende Einheiten, und die belichteten Bereiche werden selektiv abgearbeitet durch die Behandlung mit einem alkalischen Entwickler oder mit polaren Lösungsmitteln.
  • Weil die unbelichteten Teile des Films nichtpolar sind, werden sie bei einer Behandlung mit einem nichtpolaren Lösungsmittel gezielt abgearbeitet. Somit wird eine Bildumkehr äußerst leicht erzielt durch die Wahl eines richtigen Entwicklers aufgrund des großen Unterschieds in den Löslichkeitscharakteristiken zwischen den belichteten und nichtbelichteten Teilen. Der Lösungsmechanismus nach der vorliegenden Erfindung unterscheidet sich grundlegend von dem auf dem obigen Stand der Technik. Während der Stand der Technik abhängt vom Vernetzen im Falle einer negativen Tönung oder vom Hauptkettenabbau im Falle einer positiven Tönung, betrifft die vorliegende Erfindung die Seitenkettenabspaltung.
  • In einer erfindungsgemäßen Variation der vorliegenden Erfindung werden die eingesetzten Zusammensetzungen für verschiedene Wellenlängen im Bereich vom tiefen Ultraviolett bis zum sichtbaren Licht sensibilisiert. Zusätzlich ermöglicht, obwohl sich die Absorption des Diaryliodonium- und Triarylsulfoniumsalzes nicht über 300 nm hinaus erstreckt, der einfache Zusatz einer zusätzlichen Sensibilisierungskomponente das Musterausbilden bei längeren Wellenlängen, vom mittleren UV bis zum sichtbaren Licht.
  • Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung, enthaltend Diaryliodonium- oder Triarylsulfonium-Metallhalogenide sind besonders nützlich und vorteilhaft, wenn sie mit Tief-UV- Licht (200-300 nm) belichtet werden, weil sie sehr empfindlich auf tiefes UV-Licht reagieren und sehr hochauflösende Bilder mit nahezu senkrechten Wandwinkeln ergeben, auch wenn die Schichten dicker als 2 µm sind.
  • Die am stärksten bevorzugten Photoinitiatoren sind nicht- substituierte und symmetrisch oder unsymmetrisch substituierte Diaryliodonium- oder Triarylsulfonium-Salze. Die am stärksten bevorzugten Gegenanionen der Salze in der vorliegenden Erfindung sind komplexe Metallhalogenide, wie Tetrafluorborat, Hexafluorantimonat, Hexafluoraresenat und Hexafluorphosphat, aber die Erfindung beschränkt sich keineswegs auf diese Gegenanionen und Photoinitiatoren. In der vorliegenden Erfindung ist die Menge des eingesetzten Initiators zwischen 1 und 100 Gew.% gerechnet auf das Poylmer. Der bevorzugte Konzentrationsbereich ist von 5 bis 50 Gew.%.
  • Die bevorzugten Polymere der vorliegenden Erfindung sind Vinyl-Polymere, die sich wiederholende, hängende Gruppen enthalten, die eine wirksame Säurelösung durchmachen, um Produkte zu erzeugen, die sich von ihren Vorgängern in Bezug auf Polarität (Löslichkeit) stark unterscheiden. Die Erfindung beschränkt sich jedoch nicht auf Polymere, die durch Vinyladditionspolymerisation erhalten werden. Auch andere Polymerisationen, wie z.B. Kondensation, Polyaddition und Additionskondensation kann benutzt werden, um Polymere zu synthetisieren, die für die vorliegende Erfindung nützlich sind.
  • Die bevorzugten säurelabilen hängenden Gruppen sind tert.- Butylester der Carbonsäuren und tert.-Butylcarbonate der Phenole, aber hier muß betont werden, daß ein breiter Bereich säurelabiler Gruppen in der Erfindung wirksam ist. Diese sind u.a. Trityl-, Benzyl-, Benzhydril-Modifikationen sowie noch weitere, und sind auf dem Stand der Technik wohlbekannt.
  • Die am meisten bevorzugten Polymere sind Poly(p-tert.- Butoxycarbonyloxy-α-Metylstyrol), Poly(p-tert.- Butoxycarbonyloxystyrol), Poly(tert.-Butyl-p-Vinylbenzoat), Poly(tert.-Butyl-p-Isopropenylphenyloxyacetat) und Poly(tert.-Butyl-Methacrylat).
  • Die bevorzugten Verbindungen, die mit Diaryliodonium- oder Triarylsulfonium-Salzen zur Sensibilisierung der Verbindungen für längere Wellenlängen im Bereich von Mitte UV bis zum sichtbaren Licht eingesetzt werden, sind polycyclische Aromaten wie Pyren und Perylen. Auch noch andere Farbstoffe stehen zur Verfügung, die als wirksame Sensibilisatoren eingesetzt werden, einschließlich der Acridine. Die Erfindung beschränkt sich nicht auf die Anwendung einer bestimmten Farbstoffklasse.
  • Die folgenden Syntheseverfahren beschreiben die bevorzugten Verfahren zum Herstellen der bevorzugten Polymere. Die Synthese der Photoinitiatoren ist in der Literatur gut dokumentiert. Die nachstehenden Verfahren beschreiben auch den bevorzugten Prozeß für die Anwendung der vorliegenden Erfindung.
  • A. Zubereitung von p-tert.-Butoxycarbonyloxy-a-Metylstyrol: A-1.
  • Eine Lösung von 5,44 g p-Hydroxyacetophenon in 150 ml trockenem Tetrahydrofuran wurde mit 4,48 g Kalium-tert.-Butoxid behandelt. Zum Gemisch wurden dann 10,02 g di-tert.-Butyldicarbonat in Tetrahydrofuran zugegeben. Nach 1 Std. Rühren bei Zimmertemperatur wurde das Reaktionsgemisch in kaltes Wasser geschüttet und das entstehende Gemisch wurde mit Ethylacetat extrahiert. Nach einem Standard-Aufarbeitungsverfahren wurde die Lösung konzentriert und das Produkt durch Stehenlassen bei Zimmertemperatur (9,2 g, 97% Ausbeute) kristallisiert. Eine Suspension von 3,57 g Methyltriphenylphosphoniumbromid in 50 ml trockenem Tetrahydrofuran wurde mit 1,12 g Kalium-tert.-Butoxid behandelt. Nach 30 Minuten Rühren wurden 2,36 g p-tert.-Butoxycarbonyloxyacetophenon in 20 ml Tetrahydrofuran zugegeben. Nach dem Aufarbeitungsverfahren wurde die organische Schicht konzentriert und ergab ein viskoses Material, das mit Hochdruck-Flüssigkeitschromatographie unter Einsatz von Hexan als Eluant gereinigt wurde, und ergab 1,55 g (66%) reines p-tert.-Butoxycarbonyloxy-α-Methylstyrol.
  • A-2.
  • Ein Gemisch aus 5,64 g p-tert.-Hydroxy-α-Methylstyrol, das durch Basen-katalysierte Abspaltung von 2,2-bis(p-Hydroxyphenyl)propan synthetisiert wurde, und 6,5 g Kalium-tert.- Butoxid wurde in 50 ml trockenem Tetrahydrofuran 10 Minuten lang gerührt, dann wurde eine Tetrahydrofuranlösung von 12,7 g di-tert.-Butyldicarbonat hinzugegeben. Das entstehende gelatineartige Gemisch wurde 20 Minuten mechanisch gerührt und dann in kaltes Wasser gegossen. Nach Aufarbeiten wurde durch Verdampfen des Extraktionslösungsmittels (Ethylacetat) ein Rohprodukt erhalten. Reinigung wurde erzielt durch Hochdruck-Flüssigkeitschromatographie mit Hexan als Eluant und ergab 8,03 g (81%) reines p-tert.-Butoxycarbonyloxy-α-Methylstyrol.
  • B. Zubereitung von p-tert.-Butoxycarbonyloxystyrol:
  • Eine Lösung von 21,7 g p-Hydroxybenzaldehyd in trockenen THF wurde mit 19,94 g Kalium-t-Butoxid unter Stickstoffatmosphäre behandelt. Nach ein paar Minuten Rühren bei Zimmertemperatur wurden 42,8 g di-t-Butyldicarabonat zugegeben, und das Gemisch wurde eine weitere Stunde bei Zimmertemperatur gerührt. Die Dünnschichtchromatographie zeigte, daß die Reaktion abgeschlossen war, und das Gemisch wurde in Eiswasser gegossen. Das Produkt wurde mit Ethylacetat extrahiert, mit Wasser gewaschen und über Magnesiumsulfat getrocknet. Die Verdampfung des Lösungsmittels erbrachte 39 g (99%) eines Rohmaterials, der direkt zur Zubereitung von p-t-Butoxycarbonyloxystyrol eingesetzt werden kann. Als Alternative wurde das Produkt durch vorbereitende HPLC gereinigt, um das reine Material, p-t-Butoxycarbonyloxybenzaldehyd zu liefern.
  • Eine Suspension von 34,1 g Methyltriphenylphosphoniumbromid in 400 ml trockenem THF wurde mit 10,7 g Kalium-t-Butoxid in Stickstoffatmosphäre behandelt. Nach 10 Min. Rühren bei Zimmertemperatur wurde die gelbe Lösung mit einer Lösung von 21,2 g p-t-Butoxycarbonyloxybenzaldehyd in 100 ml trockenem THF behandelt. Nach 1 Std. Rühren wurde das Gemisch in kaltes Wasser gegossen und mit Ethylacetat extrahiert. Die organische Phase wurde ausgewaschen, über Magnesiumsulfat getrocknet und konzentriert. Das Rohprodukt wurde durch vorbereitende HPLC gereinigt und ergab 16,6 g (79%) reines p-t- Butoxycarbonyloxystyrol. Alternativ wurde IIIc durch Destillieren unter reduziertem Druck gereinigt.
  • C. Zubereitung von p-t-Butoxycarbonyloxystyrol
  • p-tert -Butoxycarbonyloxy-cx-Methylstyrol (3,000 g) wurde unter Hochvakuum getrocknet und in 10,0 ml trocknem, flüssigem Schwefeldioxid in vacuo in die Polymerisierungsampulle destilliert und ergab eine gelbe Lösung. Mit der Monomerlösung, gefroren bei Temperatur des flüssigen Stickstoffs, wurde Bortrifluorid-Etherat (0,02 ml, 1,2 Mol% gerechnet auf das Monomer) eingeleitet durch Destillierung in vacuo. Bei Auftauen bei -65ºC wurde das Gemisch trübe, und nach einer Stunde bei -65ºC wurde eine Phasentrennung beobachtet. Dann erstarrte fast die ganze Masse. Nach 26 Stunden wurde die Ampulle aufgeschnitten und kaltes Methanol mit -65ºC zugegeben und ergab das Polymer als weißes Präzipitat. Das Polymer wurde in Dichlormethan gelöst, in Methanol ausgefällt, durch Wiederausfällung in Methanol gereinigt und in vacuo bei 38ºC getrocknet, und ergab 2,614 g (87,1%) Produkt mit einem Molekulargewicht-Zahlenmittel von 46 900 (Membran- Osmometrie).
  • D. Herstellung von Poly(p-tert.-Butoxycarbonyloxystyrol) D-1.
  • Handelsübliches Poly(p-Vinylphenol) wurde unter Phasenübertragungsbedigungen zur Reaktion mit di-tert.-Butyldicarbonat und Natriumcarbonat zur Reaktion gebracht. Das entstehende Polymer wurde aus der organischen Phase durch Ausfällen isoliert und ergab über 90% Produktausbeute mit der charakteristischen Absorbanz der Arylalkylcarbonate.
  • D-2. Frei-Radikal-Polymerisierung von p-t-Butoxycarbonyloxystyrol
  • Eine Lösung von 5 g p-t-Butoxycarbonyloxystyrol in 5 ml Toluol enthaltend 0,03 g AIBN wurde unter Stickstoff auf 65- 75º erwärmt. Das Gemisch wurde über Nacht sehr viskos und, nach Verdünnen mit Dichlormethan wurde das Polymer in Petrolether ausgefällt. Der weiße Feststoff wurde mit Petrolether, dann mit Methanol gewaschen und getrocknet. Das Poylmer wog 4,1 g (82% Ausbeute) und hat Mn = 43 000 (Osmometrie).
  • D-3. Kationische Polymerisierung von p-t-Butoxycarbonyloxystyrol
  • p-tert.-Butoxycarbonyloxystyrol (1,000 g) wurde unter Hochvakuum getrocknet und in 3,0 ml trockenem, flüssigem Schwefeldioxid in vacuo in die Polymerisierungsampulle destilliert und ergab eine gelbe Lösung. Mit der Monomerlösung, gefroren bei Temperatur des flüssigen Stickstoffs, wurde Bortrifluorid-Etherat (5 µl, 0,8 Mol% gerechnet auf das Monomer) eingeleitet durch Destillierung in vacuo. Die Polymerisierung wurde bei -65ºC 27 Stunden fortgesetzt. Die Ampulle wurde aufgeschnitten und kaltes Methanol mit -65ºC zugegeben und ergab das Polymer als weißes Präzipitat. Das Polymer wurde in Chloroform gelöst, in Methanol ausgefüllt, durch Wiederausfällung in Methanol gereinigt und bei 40ºC getrocknet, und ergab 0,901 g (90,1%) Produkt mit einem Molekulargewicht-Zahlenmittel von 28 900 (GPC).
  • E. Zubereitung der Photolacklösung, Belichtung und Entwicklung:
  • In einem typischen Experiment wurde das Polymer in Diglyme oder Cyclohexanon gelöst bei 20 Gew./Vol.% Feststoff, zu dem noch das Oniumsalz mit 20 Gew./Gew.%, gerechnet auf das Polymer zugegeben wird.
  • Die Lösung wird durch einen 0,2 µm Teflonfilter gefiltert. Eine Photolackschicht wird aus der Lösung durch Schleuderbeschichten auf einen Silicium-Wafer aufgebracht. Der aufgeschichtete Film wird 30 Minuten bei 90-100ºC gebrannt.
  • Die Filme werden dann durch eine Quarzmaske mit einem Oriel- Belichter oder einer Xe-Hg-Lampe, Modell 345-10, der Hybrid Technology Group, oder bildweise mit einer 25 keV Raster- Elektronenstrahlung oder einer Röntgenstrahlung belichtet.
  • Die belichteten Filme werden 5-15 Sekunden auf eine Temperatur von 90-100ºC erwärmt.
  • Die belichteten und erwärmten Filme werden dann in wäßriger Base oder in Alkohol entwickelt, um hochauflösende Bilder positiver Tönung ohne Verlust der Filmdicke in den nicht- belichteten Teilen zu erreichen.
  • Das System läßt sich leicht auf negatives Arbeiten umstellen durch Entwickeln in einer nichtpolaren Lösung wie Dichlormethan oder Gemischen aus Hexan und Dichlormethan nach dem Belichten und Brennen.
  • Die Sensibilisierung für längere Wellenlängen läßt sich erreichen durch Zugabe kleiner Mengen Pyren oder Perylen zur obigen Photolacklösung. Pyren macht die Photolackzusammensetzung, enthaltend Diphenyliodoniumsalze, empfindlich für 313 nm Strahlung. Perylen macht die Photolackzusammensetzung, enthaltend Diphenyliodoniumsalze oder Triphenylsulfoniumsalze, empfindlich für 365, 404 und 436 nm Strahlung.
  • F. Beispiele Beispiel 1
  • Poly(p-tert.-Butoxycarbonyloxy-α-Methylstyrol) (Molekulargewicht-Zahlenmittel 46 900) wurde in Diglyme bei 20 Gew./Vol.% Feststoffe gelöst. Triphenylsulfonium-Hexafluorarsenat wurde mit einer Ladung von 20 Gew./Gew.% gerechnet auf das Polymer zugegeben. Der Photolackfilm wurde aus der Lösung auf Silicium-Wafers mit 3000 U/min schleudergeschichtet, um eine 0,6 µm dicke Schicht auszubilden. Der Film wurde 30 Minuten bei 100ºC gebrannt und dann durch eine Quarzmaske mit UV-Strahlung mit einer Dosis von 5-10 mJ/cm² belichtet. Nach dem Nachbrennen bei 100ºC für 5 Sekunden wurden hochauflösende positive Abbildungen erzielt durch Entwickeln in wäßriger Base für 60 Sekunden. Auf ähnliche Weise wurden Negativbilder durch Entwickeln in Dichlormethan/Hexan während 5 - 10 Sekunden erzielt.
  • Beispiel 2
  • Poly(p-tert.-Butoxycarbonyloxy-α-Methylstyrol) (Molekulargewicht-Zahlenmittel 46 900) wurde in Cyclohexanon bei 30 Gew./Vol.% Feststoffe gelöst. Triphenylsulfonium-Hexafluorarsenat wurde mit einer Ladung von 20 Gew./Gew.% gerechnet auf das Polymer zugegeben. Der Photolackfilm wurde aus der gefilterten Lösung auf den Silicium-Wafer mit 2000 U/min schleudergeschichtet, um eine 2,4 µm dicke Schicht auszubilden. Der Film wurde 30 Minuten bei 100ºC gebrannt und dann durch eine Quarzmaske mit enger Bandbreite mit 254 nm UV- Strahlung mit einer Dosis von 50 mJ/cm² belichtet. Der belichtete Film wurde bei 100ºC für 15 Sekunden nachgebrannt. Hochauflösende positive Abbildungen mit nahezu vertikalen Wandwinkeln wurden durch Entwickeln in Isopropanol für 30 Sekunden erzielt. Negativbilder wurden durch Entwickeln in Dichlormethan für 30 Sekunden erzielt.
  • Beispiel 3
  • Poly(p-tert.-Butoxycarbonyloxystyrol) (Molekulargewicht- Zahlenmittel 21 600) wurde in einem Gemisch aus 1,1,2,2- Tetrachlorethan und Diglyme (5:1) mit 3 Gew./Vol.% Feststoffe gelöst. Diphenyliodonium-Hexafluorarsenat (20 Gew. /Gew. % auf das Polymer) und eine kleine Menge Perylen wurden der Polymerlösung zugesetzt. Ein 1 µm dicker Film wurde aus der Lösung auf einen Quarz-Wafer bei 2500 U/min schleudergeschichtet. Der Film wurde 10 Minuten bei 100ºC gebrannt und mit einer 365 nm Strahlung enger Bandbreite mit einer Dosis von 25 mJ/cm² belichtet. Nach dem Nachbrennen bei 100ºC für 2 Minuten wurde durch UV- und IR-Spektroskopie bestätigt, daß die Seitengruppen vollkommen abgespaltet waren.
  • Beispiel 4
  • Poly(p-tert.-Butoxycarbonyloxy-α-Methylstyrol) (Molekulargewicht-Zahlenmittel 46 900) wurde in Diglyme bei 20 Gew./Vol. % Feststoffe gelöst. Triphenylsulfonium-Hexafluorarsenat (20 Gew./Gew.% gerechnet auf das Polymer) wurde zugegeben. Der Photolackfilm wurde aus der Lösung auf einen Silicium-Wafer mit 3000 U/min schleudergeschichtet, um eine 0,6 µm dicke Schicht auszubilden. Der Film wurde 30 Minuten bei 100ºC gebrannt und dann mit einer 25 keV Raster-Elektronenstrahlung mit einfallenden Dosen von 50, 20, 10 und 5 µC/cm² belichtet und ergab 4,0 bis 0,25 µm Linien. Der belichtete Film wurde 5 Sekunden bei 100ºC nachgebrannt und in Isopropanol entwickelt und ergab hochauflösende positive Bilder. Die Bildqualität bei 10 µC/cm² ist gut.
  • Beispiel 5
  • Poly(p-tert.-Butylmethacrylat) synthetisiert durch Radikalpolymerisierung wurde in Diglyme bei 20 Gew./Vol.% Feststoff gelöst. Triphenylsulfonium-Hexafluorarsenat wurde mit einer Ladung von 20 Gew./Gew.% gerechnet auf das Polymer zugegeben. Der Photolackfilm wurde aus der Lösung auf einen Silicium- Wafer mit 3000 U/min schleudergeschichtet, um eine 0,6 µm dicke Schicht auszubilden. Der Film wurde 30 Minuten bei 100ºC gebrannt und dann durch eine Quarzmaske mit UV- Strahlung mit einer Dosis von 55 mJ/cm² belichtet. Der belichtete Film wurde 15 Sekunden bei 100ºC nachgebrannt und in Dichlormethan 30 Sekunden entwickelt, und ergab hoch- auflösende Negativbilder.

Claims (8)

1. Eine Photolackzusammensetzung, enthaltend:
Ein Polymer und einen Photoinitiator, die bei Bestrahlung eine Säure entwickeln, wobei der Photoinitiator in einer Menge von 1 bis 100 Gew.% des Polymer vorliegt, und das Polymer von der Hauptkette hängende säurelabile Gruppen aufweist;
wobei die Photolackzusammensetzung positiv arbeitet, wenn sie mit einem alkalischen Entwickler oder einem polaren Lösungsmittel zum Abarbeiten der belichteten Bereiche der Zusammensetzung entwickelt wird, und negativ arbeitet, wenn sie mit einem nichtpolaren Lösungsmittel entwickelt wird, um nichtbelichtete Bereiche der Zusammensetzung abzuarbeiten; und
in dem der Photoinitiator aus der Gruppe der unsubstituierten Diaryliodoniumsalze, der symmetrisch substituierten Diaryliodoniumsalze, oder der unsymmetrisch substituierten Diaryliodoniumsalze gewählt wird.
2. Eine Photolackzusammensetzung, enthaltend:
Ein Polymer und einen Photoinitiator, die bei Bestrahlung eine Säure entwickeln, wobei der Photoinitiator in einer Menge von 1 bis 100 Gew.% des Polymer vorliegt, und das Polymer von der Hauptkette hängende säurelabile Gruppen aufweist;
wobei die Photolackzusammensetzung positiv arbeitet, wenn sie mit einem alkalischen Entwickler oder einem polaren Lösungsmittel zum Abarbeiten der belichteten Bereiche der Zusammensetzung entwickelt wird, und negativ arbeitet, wenn sie mit einem nichtpolaren Lösungsmittel entwickelt wird, um nichtbelichtete Bereiche der Zusammensetzung abzuarbeiten; und
in dem der Photoinitiator aus der Gruppe der unsubstituierten Triarylsulfoniumsalze, der symmetrisch sübstituierten Triarylsulfoniumsalze, oder der unsymmetrisch substituierten Triarylsulfoniumsalze gewählt wird.
3. Eine Photolackzusammensetzung gemäß Anspruch 1 oder Anspruch 2, die auch einen Sensibilisator enthält, der die Strahlung absorbiert und Energie auf den Photoinitiator überträgt.
4. Eine Photolackzusammensetzung gemäß Anspruch 3, in dem der Sensibilisator ein Farbstoff ist.
5. Eine Photolackzusammensetzung gemäß Anspruch 3, in dem der Sensibilisator eine polycyclische aromatische Verbindung ist.
6. Eine Photolackzusammensetzung gemäß Anspruch 3, in dem der Sensibilisator Pyren ist.
7. Eine Photolackzusammensetzung gemäß Anspruch 3, in dem der Sensibilisator Perylen ist.
8. Eine Photolackzusammensetzung gemäß Anspruch 1 oder Anspruch 2, in dem der Photoinitiator aus der Gruppe enthaltend symmetrisch oder unsymmetrisch substituiertes Diaryliodonium oder Triarylsulfonium genommen wird.
DE3382809T 1982-08-23 1983-05-02 Photolackzusammensetzung Expired - Fee Related DE3382809T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/410,201 US4491628A (en) 1982-08-23 1982-08-23 Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3382809D1 DE3382809D1 (de) 1996-10-10
DE3382809T2 true DE3382809T2 (de) 1997-04-03

Family

ID=23623700

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE3382809T Expired - Fee Related DE3382809T2 (de) 1982-08-23 1983-05-02 Photolackzusammensetzung
DE8383104285T Expired - Fee Related DE3382401D1 (de) 1982-08-23 1983-05-02 Photolackzusammensetzung.

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE8383104285T Expired - Fee Related DE3382401D1 (de) 1982-08-23 1983-05-02 Photolackzusammensetzung.

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4491628A (de)
EP (2) EP0404206B1 (de)
JP (1) JPS5945439A (de)
DE (2) DE3382809T2 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112010004848B4 (de) * 2009-12-18 2016-08-25 Globalfoundries Inc. Verfahren zur gezielten Selbstorganisation mit Immersionslithographie bei 193 nm

Families Citing this family (755)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4770977A (en) * 1984-09-21 1988-09-13 Commissariat A L'energie Atomique Silicon-containing polymer and its use as a masking resin in a lithography process
FR2570844B1 (fr) * 1984-09-21 1986-11-14 Commissariat Energie Atomique Film photosensible a base de polymere silicie et son utilisation comme resine de masquage dans un procede de lithographie
DE3685766T2 (de) * 1985-04-18 1993-02-11 Fuji Chem Ind Co Ltd Photolackbildherstellungsverfahren.
US4663269A (en) * 1985-08-07 1987-05-05 Polytechnic Institute Of New York Method of forming highly sensitive photoresist film in the absence of water
US5217840A (en) * 1985-08-12 1993-06-08 Hoechst Celanese Corporation Image reversal negative working o-quinone diazide and cross-linking compound containing photoresist process with thermal curing treatment and element produced therefrom
US4929536A (en) * 1985-08-12 1990-05-29 Hoechst Celanese Corporation Image reversal negative working O-napthoquinone diazide and cross-linking compound containing photoresist process with thermal curing
US5256522A (en) * 1985-08-12 1993-10-26 Hoechst Celanese Corporation Image reversal negative working O-naphthoquinone diazide and cross-linking compound containing photoresist process with thermal curing
US4603101A (en) * 1985-09-27 1986-07-29 General Electric Company Photoresist compositions containing t-substituted organomethyl vinylaryl ether materials
US4665006A (en) * 1985-12-09 1987-05-12 International Business Machines Corporation Positive resist system having high resistance to oxygen reactive ion etching
US4657845A (en) * 1986-01-14 1987-04-14 International Business Machines Corporation Positive tone oxygen plasma developable photoresist
US4837124A (en) * 1986-02-24 1989-06-06 Hoechst Celanese Corporation High resolution photoresist of imide containing polymers
US4968581A (en) * 1986-02-24 1990-11-06 Hoechst Celanese Corporation High resolution photoresist of imide containing polymers
US4912018A (en) * 1986-02-24 1990-03-27 Hoechst Celanese Corporation High resolution photoresist based on imide containing polymers
US4897336A (en) * 1986-04-11 1990-01-30 Chien James C W Self-developing radiation sensitive resist with amorphous polymer having haloalkyl substitution derived from cycic ether
US4689289A (en) * 1986-04-30 1987-08-25 General Electric Company Block polymer compositions
US5362607A (en) * 1986-06-13 1994-11-08 Microsi, Inc. Method for making a patterned resist substrate composite
US5310619A (en) * 1986-06-13 1994-05-10 Microsi, Inc. Resist compositions comprising a phenolic resin, an acid forming onium salt and a tert-butyl ester or tert-butyl carbonate which is acid-cleavable
EP0249139B2 (de) * 1986-06-13 1998-03-11 MicroSi, Inc. (a Delaware corporation) Lackzusammensetzung und -anwendung
US4939070A (en) * 1986-07-28 1990-07-03 Brunsvold William R Thermally stable photoresists with high sensitivity
JPS6336240A (ja) * 1986-07-28 1988-02-16 インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン レジスト構造の作成方法
EP0264908B1 (de) * 1986-10-23 1996-03-20 International Business Machines Corporation Hochempfindliche Resiste mit Selbstzersetzungstemperatur grösser als etwa 160 Grad Celsius
US4931379A (en) * 1986-10-23 1990-06-05 International Business Machines Corporation High sensitivity resists having autodecomposition temperatures greater than about 160° C.
US4800152A (en) * 1987-03-16 1989-01-24 International Business Machines Corporation Negative resist compositions
US4965322A (en) * 1987-04-06 1990-10-23 Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha Photosensitive and heat-sensitive polymers, process for producing the same and process for recording information using the same
US4775609A (en) * 1987-05-18 1988-10-04 Hoescht Celanese Corporation Image reversal
US4808511A (en) * 1987-05-19 1989-02-28 International Business Machines Corporation Vapor phase photoresist silylation process
US4962171A (en) * 1987-05-22 1990-10-09 Hoechst Celanese Corporation Blocked monomer and polymers therefrom for use as photoresists
US4810613A (en) * 1987-05-22 1989-03-07 Hoechst Celanese Corporation Blocked monomer and polymers therefrom for use as photoresists
US5081001A (en) * 1987-05-22 1992-01-14 Hoechst Celanese Corporation Blocked monomer and polymers therefrom for use as photoresists
DE3721741A1 (de) * 1987-07-01 1989-01-12 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch fuer lichtempfindliche beschichtungsmaterialien
US4916247A (en) * 1987-09-07 1990-04-10 Ciba-Geigy Corporation Organometal-containing compounds
EP0307353A3 (de) * 1987-09-07 1990-09-12 Ciba-Geigy Ag Organometallhaltige Polymere und deren Verwendung
DE3821585A1 (de) * 1987-09-13 1989-03-23 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial fuer hochenergetische strahlung
US4824758A (en) * 1988-01-25 1989-04-25 Hoechst Celanese Corp Photoresist compositions based on acetoxystyrene copolymers
JP2540199B2 (ja) * 1988-02-25 1996-10-02 アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー デバイスの製造方法
US4996136A (en) * 1988-02-25 1991-02-26 At&T Bell Laboratories Radiation sensitive materials and devices made therewith
DE3812325A1 (de) * 1988-04-14 1989-10-26 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch fuer lichtempfindliche beschichtungsmaterialien und verfahren zur herstellung von reliefmustern und reliefbildern
DE3817009A1 (de) * 1988-05-19 1989-11-30 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefmustern
DE3817010A1 (de) * 1988-05-19 1989-11-30 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefmustern
DE3817011A1 (de) * 1988-05-19 1989-11-30 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefmustern
JP2768692B2 (ja) * 1988-08-01 1998-06-25 株式会社日立製作所 感放射線組成物及びパターン形成方法
US5290666A (en) * 1988-08-01 1994-03-01 Hitachi, Ltd. Method of forming a positive photoresist pattern utilizing contrast enhancement overlayer containing trifluoromethanesulfonic, methanesulfonic or trifluoromethaneacetic aromatic diazonium salt
EP0366590B2 (de) * 1988-10-28 2001-03-21 International Business Machines Corporation Positiv arbeitende hochempfindliche Photolack-Zusammensetzung
US6051659A (en) * 1992-08-20 2000-04-18 International Business Machines Corporation Highly sensitive positive photoresist composition
DE3837438A1 (de) * 1988-11-04 1990-05-10 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch
DE3837513A1 (de) * 1988-11-04 1990-05-10 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch
DE3902115A1 (de) * 1989-01-25 1990-08-02 Basf Ag Strahlungsempfindliche polymere
DE3907953A1 (de) * 1989-03-11 1990-09-13 Hoechst Ag Strahlungshaertbares gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial fuer hochenergetische strahlung
DE69027799T2 (de) * 1989-03-14 1997-01-23 Ibm Chemisch amplifizierter Photolack
JP2661671B2 (ja) * 1989-03-20 1997-10-08 株式会社日立製作所 パタン形成材料とそれを用いたパタン形成方法
US5391465A (en) * 1989-06-20 1995-02-21 Rohm And Haas Company Method of using selected photoactive compounds in high resolution, acid hardening photoresists with near ultraviolet radiation wherein the photoresist comprise conventional deep UV photoacid generators
DE69029104T2 (de) 1989-07-12 1997-03-20 Fuji Photo Film Co Ltd Polysiloxane und positiv arbeitende Resistmasse
US5220037A (en) * 1989-07-22 1993-06-15 Basf Aktiengesellschaft Sulfonium salts and use thereof
DE3924298A1 (de) * 1989-07-22 1991-02-07 Basf Ag Neue sulfoniumsalze und deren verwendung
DE3927632A1 (de) * 1989-08-22 1991-02-28 Basf Ag Umsetzungsprodukt, verfahren zu dessen herstellung und damit erhaltenes strahlungsempfindliches material
DE3930087A1 (de) * 1989-09-09 1991-03-14 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
DE3930086A1 (de) * 1989-09-09 1991-03-21 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
DE3930584A1 (de) * 1989-09-13 1991-03-14 Basf Ag Auf elektrophotographischem wege hergestellte offsetdruckplatte mit hydrophilen betonerten bereichen und oleophilen unbetonerten bereichen
DE3935875A1 (de) * 1989-10-27 1991-05-02 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefmustern
US5023164A (en) * 1989-10-23 1991-06-11 International Business Machines Corporation Highly sensitive dry developable deep UV photoresist
DE3940965A1 (de) * 1989-12-12 1991-06-13 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefstrukturen
EP0468002A4 (en) * 1989-12-15 1995-08-09 Grace W R & Co Autodeposition emulsion for selectively protecting metallic surfaces
DE69125634T2 (de) * 1990-01-30 1998-01-02 Wako Pure Chem Ind Ltd Chemisch verstärktes Photolack-Material
US5216135A (en) * 1990-01-30 1993-06-01 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Diazodisulfones
JPH03223858A (ja) * 1990-01-30 1991-10-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd パターン形成方法
DE4005212A1 (de) * 1990-02-20 1991-08-22 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch
DE4007924A1 (de) * 1990-03-13 1991-09-19 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch
JP2661317B2 (ja) * 1990-03-27 1997-10-08 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP2632066B2 (ja) * 1990-04-06 1997-07-16 富士写真フイルム株式会社 ポジ画像の形成方法
US5262281A (en) * 1990-04-10 1993-11-16 E. I. Du Pont De Nemours And Company Resist material for use in thick film resists
US5120629A (en) * 1990-04-10 1992-06-09 E. I. Du Pont De Nemours And Company Positive-working photosensitive electrostatic master
US5077174A (en) * 1990-04-10 1991-12-31 E. I. Du Pont De Nemours And Company Positive working dry film element having a layer of resist composition
US5206317A (en) * 1990-04-10 1993-04-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Resist material and process for use
US5120633A (en) * 1990-04-10 1992-06-09 E. I. Du Pont De Nemours And Company Resist material for use in thick film resists
US5145764A (en) * 1990-04-10 1992-09-08 E. I. Du Pont De Nemours And Company Positive working resist compositions process of exposing, stripping developing
US5252427A (en) * 1990-04-10 1993-10-12 E. I. Du Pont De Nemours And Company Positive photoresist compositions
US4985332A (en) * 1990-04-10 1991-01-15 E. I. Du Pont De Nemours And Company Resist material with carbazole diazonium salt acid generator and process for use
US5219711A (en) * 1990-04-10 1993-06-15 E. I. Du Pont De Nemours And Company Positive image formation utilizing resist material with carbazole diazonium salt acid generator
US5212047A (en) * 1990-04-10 1993-05-18 E. I. Du Pont De Nemours And Company Resist material and process for use
EP0451311B1 (de) * 1990-04-12 1999-03-10 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Erzeugung einer Resiststruktur
JP2648804B2 (ja) * 1990-04-24 1997-09-03 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション ドライフィルム型の水性処理可能なホトレジスト組成物
JP2648805B2 (ja) * 1990-04-24 1997-09-03 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 液体適用型の水性処理可能なホトレジスト組成物
US5045431A (en) * 1990-04-24 1991-09-03 International Business Machines Corporation Dry film, aqueous processable photoresist compositions
DE59010396D1 (de) * 1990-04-27 1996-08-01 Siemens Ag Verfahren zur Erzeugung einer Resiststruktur
JP2645384B2 (ja) * 1990-05-21 1997-08-25 日本ペイント株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物
EP0464614B1 (de) * 1990-06-25 1999-09-29 Matsushita Electronics Corporation Licht- oder strahlungsempfindliche Zusammensetzung
DE69130594T2 (de) * 1990-06-29 1999-05-06 Fujitsu Ltd., Kawasaki, Kanagawa Verfahren zur Erzeugung eines Musters
JPH0488346A (ja) * 1990-07-31 1992-03-23 Nippon Paint Co Ltd レジスト組成物
US5066566A (en) * 1990-07-31 1991-11-19 At&T Bell Laboratories Resist materials
US5229244A (en) * 1990-08-08 1993-07-20 E. I. Du Pont De Nemours And Company Dry processible photosensitive composition including photo-acid generator and optically clear polymer (co-polymer) blend that becomes tacky upon exposure to actinic radiation
EP0476865A1 (de) * 1990-08-31 1992-03-25 Wako Pure Chemical Industries Ltd Resistmaterial und Verfahren zur Herstellung eines Bildes unter Verwendung desselben
EP0484021A1 (de) * 1990-10-19 1992-05-06 Nippon Paint Co., Ltd. Resistzusammensetzung
JPH04158363A (ja) * 1990-10-22 1992-06-01 Mitsubishi Electric Corp パターン形成用レジスト材料
US5082965A (en) * 1990-10-29 1992-01-21 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for preparation of alkoxycarbonyloxystyrene
US5304690A (en) * 1990-11-16 1994-04-19 Hoechst Celanese Corporation Process for the preparation of salts of 4-hydroxystyrene
US5241098A (en) * 1990-11-16 1993-08-31 Hoechst Celanese Corporation Method for preparing a salt of 4-hydroxystyrene and for preparing 4-tertiary-butoxycarbonyloxystyrene therefrom
US5256809A (en) * 1990-11-16 1993-10-26 Hoechst Celanese Corporation Method for preparing a salt of 4-hydroxystyrene and for preparing 4-tertiary-butoxycarbonyloxystyrene therefrom
JPH04184345A (ja) * 1990-11-19 1992-07-01 Fujitsu Ltd レジストパターンの形成方法
JP3031421B2 (ja) * 1990-11-28 2000-04-10 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト材
ES2076450T3 (es) * 1990-12-20 1995-11-01 Siemens Ag Polimeros mixtos.
ES2101710T3 (es) * 1990-12-20 1997-07-16 Siemens Ag Procedimiento fotolitografico.
EP0494383B1 (de) * 1990-12-20 1996-08-14 Siemens Aktiengesellschaft Photoresist
ES2090218T3 (es) * 1990-12-20 1996-10-16 Siemens Ag Generacion estructural fotolitografica.
JP2968349B2 (ja) * 1991-02-01 1999-10-25 日本ペイント株式会社 多色表示装置の製造方法
JPH04253939A (ja) * 1991-02-05 1992-09-09 Shin Etsu Chem Co Ltd パラ第三級ブトキシカルボニルオキシスチレンの合成方法
US5219788A (en) * 1991-02-25 1993-06-15 Ibm Corporation Bilayer metallization cap for photolithography
US5851736A (en) * 1991-03-05 1998-12-22 Nitto Denko Corporation Heat-resistant photoresist composition, photosensitive substrate, and process for forming heat-resistant positive or negative pattern
US5403695A (en) * 1991-04-30 1995-04-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Resist for forming patterns comprising an acid generating compound and a polymer having acid decomposable groups
JP2707164B2 (ja) * 1991-05-28 1998-01-28 信越化学工業株式会社 レジスト材
JPH04350657A (ja) * 1991-05-28 1992-12-04 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト材
JPH04359906A (ja) * 1991-06-07 1992-12-14 Shin Etsu Chem Co Ltd ポリ(パラ−t−ブトキシカルボニルオキシスチレン)及びその製造方法
JP3030672B2 (ja) * 1991-06-18 2000-04-10 和光純薬工業株式会社 新規なレジスト材料及びパタ−ン形成方法
DE4120172A1 (de) * 1991-06-19 1992-12-24 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches gemisch, das als bindemittel neue polymere mit einheiten aus amiden von (alpha),(beta)-ungesaettigten carbonsaeuren enthaelt
JP2655369B2 (ja) * 1991-06-28 1997-09-17 富士写真フイルム株式会社 感光性組成物
DE4124028A1 (de) * 1991-07-19 1993-01-21 Hoechst Ag Verfahren zur herstellung von n-tert.-butoxycarbonyl-maleimid
DE4124029A1 (de) * 1991-07-19 1993-01-21 Hoechst Ag Verfahren zur herstellung von tert.-butyloxycarbonyl-gruppen tragenden organischen verbindungen
EP0524759A1 (de) * 1991-07-23 1993-01-27 AT&T Corp. Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
US5250395A (en) * 1991-07-25 1993-10-05 International Business Machines Corporation Process for imaging of photoresist including treatment of the photoresist with an organometallic compound
DE4126409A1 (de) * 1991-08-09 1993-02-11 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches gemisch mit einem polymeren bindemittel mit einheiten aus (alpha)-(beta)-ungesaettigten carbonsaeuren
US5506088A (en) * 1991-09-17 1996-04-09 Fujitsu Limited Chemically amplified resist composition and process for forming resist pattern using same
US5258257A (en) * 1991-09-23 1993-11-02 Shipley Company Inc. Radiation sensitive compositions comprising polymer having acid labile groups
JP3092869B2 (ja) * 1991-10-02 2000-09-25 シャープ株式会社 多色表示装置の製造方法
EP0537524A1 (de) * 1991-10-17 1993-04-21 Shipley Company Inc. Strahlungsempfindliche Zusammensetzungen und Verfahren
JP2964107B2 (ja) * 1991-11-11 1999-10-18 日本電信電話株式会社 ポジ型レジスト材料
US5229256A (en) * 1991-12-06 1993-07-20 International Business Machines Corporation Process for generating positive-tone photoresist image
DE69218393T2 (de) * 1991-12-16 1997-10-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Resistmaterial
DE4202845A1 (de) * 1992-01-31 1993-08-05 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch
US5342734A (en) * 1992-02-25 1994-08-30 Morton International, Inc. Deep UV sensitive photoresist resistant to latent image decay
JP2694097B2 (ja) * 1992-03-03 1997-12-24 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 反射防止コーティング組成物
JP2559192B2 (ja) * 1992-04-07 1996-12-04 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション ヒドロキシ芳香族化合物の炭酸化物を生成させるための改良された方法
TW304235B (de) * 1992-04-29 1997-05-01 Ocg Microelectronic Materials
US5550004A (en) * 1992-05-06 1996-08-27 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Chemically amplified radiation-sensitive composition
US5384229A (en) * 1992-05-07 1995-01-24 Shipley Company Inc. Photoimageable compositions for electrodeposition
JP3202792B2 (ja) * 1992-06-19 2001-08-27 日本ペイント株式会社 レジスト組成物
US5587274A (en) * 1992-06-19 1996-12-24 Nippon Paint Co., Ltd. Resist composition
US6111133A (en) * 1992-09-23 2000-08-29 Lucent Technologies Inc. Process for preparing substituted styrenes
US5319142A (en) * 1992-10-06 1994-06-07 Hoechst Celanese Corporation Process for preparing substituted and unsubstituted arylalkylamines
US5480748A (en) * 1992-10-21 1996-01-02 International Business Machines Corporation Protection of aluminum metallization against chemical attack during photoresist development
JP2839172B2 (ja) * 1992-10-29 1998-12-16 インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン 非金属感光性酸生成剤を含む化学的に増幅されたフォトレジスト
JP2688168B2 (ja) 1992-11-03 1997-12-08 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション フォトレジストイメージ形成プロセス
EP0605089B1 (de) * 1992-11-03 1999-01-07 International Business Machines Corporation Photolackzusammensetzung
JP2654339B2 (ja) * 1992-11-24 1997-09-17 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 感光性レジスト組成物及び基板上にレジスト像を形成する方法
US5395734A (en) * 1992-11-30 1995-03-07 Minnesota Mining And Manufacturing Company Shoot and run printing materials
EP0601974B1 (de) * 1992-12-04 1997-05-28 OCG Microelectronic Materials Inc. Positiv-Photoresist mit verbesserten Prozesseigenschaften
DE4242050A1 (de) * 1992-12-14 1994-06-16 Hoechst Ag Polymere mit N,N-disubstituierten Sulfonamid-Seitengruppen und deren Verwendung
DE4242051A1 (de) * 1992-12-14 1994-06-16 Hoechst Ag N,N-Disubstituierte Sulfonamide und damit hergestelltes strahlungsempfindliches Gemisch
US5372912A (en) * 1992-12-31 1994-12-13 International Business Machines Corporation Radiation-sensitive resist composition and process for its use
JPH06214395A (ja) * 1993-01-18 1994-08-05 Sumitomo Chem Co Ltd ポジ型フォトレジスト組成物
EP0608983B1 (de) * 1993-01-25 1997-11-12 AT&T Corp. Ein Verfahren zum gesteuerten Entschützen von Polymeren und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung welches diese zum Teil entschützten Polymere für Photoresiste benutzt
KR100355254B1 (en) * 1993-02-15 2003-03-31 Clariant Finance Bvi Ltd Positive type radiation-sensitive mixture
US5308744A (en) * 1993-03-05 1994-05-03 Morton International, Inc. Source of photochemically generated acids from diazonaphthoquinone sulfonates of nitrobenzyl derivatives
US5314782A (en) * 1993-03-05 1994-05-24 Morton International, Inc. Deep UV sensitive resistant to latent image decay comprising a diazonaphthoquinone sulfonate of a nitrobenzyl derivative
US6703181B1 (en) 1993-03-12 2004-03-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Photosensitive composition having uniform concentration distribution of components and pattern formation method using the same
US5496678A (en) * 1993-04-16 1996-03-05 Kansai Paint Co., Ltd. Photosensitive compositions containing a polymer with carboxyl and hydroxyphenyl groups, a compound with multiple ethylenic unsaturation and a photo-acid generator
JP3339157B2 (ja) * 1993-05-31 2002-10-28 ソニー株式会社 感光性組成物及びパターン形成方法
JPH07140666A (ja) * 1993-06-04 1995-06-02 Internatl Business Mach Corp <Ibm> マイクロリトグラフィックレジスト組成物、酸不安定化合物、マイクロリトグラフィックレリーフ画像形成方法及び酸感知性ポリマー組成物
JP3297199B2 (ja) * 1993-09-14 2002-07-02 株式会社東芝 レジスト組成物
US5744281A (en) * 1993-09-14 1998-04-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Resist composition for forming a pattern and method of forming a pattern wherein the composition 4-phenylpyridine as an additive
JP3353258B2 (ja) * 1993-10-26 2002-12-03 富士通株式会社 遠紫外線用レジスト
US5688628A (en) * 1993-11-11 1997-11-18 Nippon Zeon Co., Ltd. Resist composition
DE69425862T2 (de) * 1993-11-17 2001-05-03 At & T Corp., New York Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung unter Benutzung einer lichtempfindlichen Zusammensetzung
JP3203995B2 (ja) * 1993-12-24 2001-09-04 ジェイエスアール株式会社 感放射線性樹脂組成物
JP3271728B2 (ja) * 1994-02-14 2002-04-08 日本電信電話株式会社 ポジ型レジスト組成物
US5486267A (en) * 1994-02-28 1996-01-23 International Business Machines Corporation Method for applying photoresist
US5597868A (en) * 1994-03-04 1997-01-28 Massachusetts Institute Of Technology Polymeric anti-reflective compounds
US5663035A (en) * 1994-04-13 1997-09-02 Hoechst Japan Limited Radiation-sensitive mixture comprising a basic iodonium compound
US5736296A (en) * 1994-04-25 1998-04-07 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Positive resist composition comprising a mixture of two polyhydroxystyrenes having different acid cleavable groups and an acid generating compound
DE4414896A1 (de) * 1994-04-28 1995-11-02 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungempfindliches Gemisch
DE4414897A1 (de) * 1994-04-28 1995-11-02 Hoechst Ag Aromatische Diazoniumsalze und deren Verwendung in strahlungsempfindlichen Gemischen
EP0760971B1 (de) * 1994-05-25 1999-08-04 Siemens Aktiengesellschaft Trockenentwickelbarer positivresist
US5580694A (en) 1994-06-27 1996-12-03 International Business Machines Corporation Photoresist composition with androstane and process for its use
JP3033443B2 (ja) 1994-06-29 2000-04-17 信越化学工業株式会社 反射防止膜材料
US5561216A (en) * 1994-07-01 1996-10-01 University Of North Carolina At Chapel Hill Late transition metal catalysts for the CO- and terpolymerization of olefin and alkyne monomers with carbon monoxide
US5558971A (en) 1994-09-02 1996-09-24 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Resist material
DE59504286D1 (de) * 1994-09-12 1998-12-24 Siemens Ag Photolithographische strukturerzeugung
JPH08110638A (ja) 1994-10-13 1996-04-30 Hitachi Chem Co Ltd 感光性樹脂組成物およびレジスト像の製造法
EP0786701A4 (de) * 1994-10-13 1998-08-12 Nippon Zeon Co Photolackzusammensetzung
JP3198845B2 (ja) * 1994-12-05 2001-08-13 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト材料
JP3585277B2 (ja) * 1994-12-05 2004-11-04 本州化学工業株式会社 スチレン誘導体の製造方法
US5663036A (en) * 1994-12-13 1997-09-02 International Business Machines Corporation Microlithographic structure with an underlayer film comprising a thermolyzed azide
DE4444669A1 (de) * 1994-12-15 1996-06-20 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches Gemisch
JP3277114B2 (ja) * 1995-02-17 2002-04-22 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 陰画調レジスト像の作製方法
KR100293130B1 (ko) * 1995-04-12 2001-09-17 카나가와 치히로 고분자화합물및화학증폭포지티브형레지스트재료
JPH0954437A (ja) 1995-06-05 1997-02-25 Fuji Photo Film Co Ltd 化学増幅型ポジレジスト組成物
JP3046225B2 (ja) * 1995-06-15 2000-05-29 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト膜形成用塗布液
US5922810A (en) * 1995-07-31 1999-07-13 Fmc Corporation Deprotection of protected functional polymers
KR0178475B1 (ko) * 1995-09-14 1999-03-20 윤덕용 신규한 n-비닐락탐 유도체 및 그의 중합체
US5863699A (en) * 1995-10-12 1999-01-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Photo-sensitive composition
US6391512B1 (en) * 1995-10-20 2002-05-21 Konica Corporation Image forming material and image forming method
JP3073149B2 (ja) * 1995-10-30 2000-08-07 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物
TW477913B (en) * 1995-11-02 2002-03-01 Shinetsu Chemical Co Sulfonium salts and chemically amplified positive resist compositions
KR100191126B1 (ko) 1995-11-28 1999-06-15 윤덕용 비닐4-t-부톡시카르보닐옥시벤잘-비닐 알코올-비닐 아세테이트 공중합체와 비닐 4-t-부톡시카르보닐옥시벤잘-비닐 4-히드록시벤잘-비닐 알코올-비닐 아세테이트 공중합체 및 그들의 제조방법
US6165673A (en) * 1995-12-01 2000-12-26 International Business Machines Corporation Resist composition with radiation sensitive acid generator
US5585220A (en) * 1995-12-01 1996-12-17 International Business Machines Corporation Resist composition with radiation sensitive acid generator
US5879856A (en) 1995-12-05 1999-03-09 Shipley Company, L.L.C. Chemically amplified positive photoresists
DE69628996T2 (de) 1995-12-21 2004-04-22 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Polymerzusammensetzung und Rezistmaterial
EP0877294A4 (de) 1996-01-26 1999-09-29 Nippon Zeon Co Resistzusammensetzung
JP3591672B2 (ja) 1996-02-05 2004-11-24 富士写真フイルム株式会社 ポジ型感光性組成物
ATE199985T1 (de) 1996-02-09 2001-04-15 Wako Pure Chem Ind Ltd Polymer und resistmaterial
JP3804138B2 (ja) 1996-02-09 2006-08-02 Jsr株式会社 ArFエキシマレーザー照射用感放射線性樹脂組成物
ATE297562T1 (de) * 1996-03-07 2005-06-15 Sumitomo Bakelite Co Photoresist zusammensetzungen mit polycyclischen polymeren mit säurelabilen gruppen am ende
US6232417B1 (en) 1996-03-07 2001-05-15 The B. F. Goodrich Company Photoresist compositions comprising polycyclic polymers with acid labile pendant groups
US6042992A (en) * 1996-03-07 2000-03-28 Clariant Finance (Bvi) Limited Bottom antireflective coatings through refractive index modification by anomalous dispersion
TW337591B (en) * 1996-04-15 1998-08-01 Shinetsu Chem Ind Co Anti-reflection coating material
KR0183901B1 (ko) * 1996-07-03 1999-04-01 삼성전자 주식회사 레지스트 조성물
JP3808140B2 (ja) * 1996-09-10 2006-08-09 Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 新規酸感応性基で保護されたヒドロキシスチレン重合体およびこれらを含む放射線感応性材料
US6090526A (en) * 1996-09-13 2000-07-18 Shipley Company, L.L.C. Polymers and photoresist compositions
US5876899A (en) * 1996-09-18 1999-03-02 Shipley Company, L.L.C. Photoresist compositions
US5733714A (en) * 1996-09-30 1998-03-31 Clariant Finance (Bvi) Limited Antireflective coating for photoresist compositions
JP3297324B2 (ja) * 1996-10-30 2002-07-02 富士通株式会社 レジスト組成物、レジストパターンの形成方法及び半導体装置の製造方法
KR100197673B1 (en) 1996-12-20 1999-06-15 Hyundai Electronics Ind Copolymers containing n-vinyllactam derivatives, preparation methods thereof and photoresists therefrom
KR100211548B1 (ko) * 1996-12-20 1999-08-02 김영환 원자외선용 감광막 공중합체 및 그 제조방법
KR100220951B1 (ko) * 1996-12-20 1999-09-15 김영환 비닐 4-테트라히드로피라닐옥시벤잘-비닐 4-히드록시벤잘-비닐 테트라히드로피라닐에테르-비닐 아세테이트 공중합체, 비닐 4-테트라히드로피라닐옥시벤잘-비닐 테트라히드로피라닐에테르-비닐 아세테이트 공중합체 및 그들의 제조방법
KR100265597B1 (ko) * 1996-12-30 2000-09-15 김영환 Arf 감광막 수지 및 그 제조방법
US6808859B1 (en) * 1996-12-31 2004-10-26 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. ArF photoresist copolymers
KR100225956B1 (ko) * 1997-01-10 1999-10-15 김영환 아민을 도입한 에이알에프 감광막 수지
US6103445A (en) * 1997-03-07 2000-08-15 Board Of Regents, The University Of Texas System Photoresist compositions comprising norbornene derivative polymers with acid labile groups
US6117345A (en) 1997-04-02 2000-09-12 United Microelectronics Corp. High density plasma chemical vapor deposition process
US5981145A (en) * 1997-04-30 1999-11-09 Clariant Finance (Bvi) Limited Light absorbing polymers
US5994430A (en) * 1997-04-30 1999-11-30 Clariant Finance Bvi) Limited Antireflective coating compositions for photoresist compositions and use thereof
US5958654A (en) * 1997-08-25 1999-09-28 Lucent Technologies Inc. Lithographic process and energy-sensitive material for use therein
US7482107B2 (en) * 1997-08-28 2009-01-27 Shipley Company, L.L.C. Photoresist composition
US6077643A (en) * 1997-08-28 2000-06-20 Shipley Company, L.L.C. Polymers and photoresist compositions
US7026093B2 (en) * 1997-08-28 2006-04-11 Shipley Company, L.L.C. Photoresist compositions
TW546543B (en) * 1997-10-08 2003-08-11 Shinetsu Chemical Co Resist material and patterning process
US6384169B1 (en) 1997-10-08 2002-05-07 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Styrene polymer, chemically amplified positive resist composition and patterning process
KR100254472B1 (ko) * 1997-11-01 2000-05-01 김영환 신규한 말레이미드계 또는 지방족 환형 올레핀계 단량체와 이들 단량체들의 공중합체수지 및 이수지를 이용한 포토레지스트
KR100252546B1 (ko) * 1997-11-01 2000-04-15 김영환 공중합체 수지와 포토레지스트 및 그 제조방법
US6057083A (en) 1997-11-04 2000-05-02 Shipley Company, L.L.C. Polymers and photoresist compositions
KR100321080B1 (ko) 1997-12-29 2002-11-22 주식회사 하이닉스반도체 공중합체수지와이의제조방법및이수지를이용한포토레지스트
KR100313150B1 (ko) * 1997-12-31 2001-12-28 박종섭 리소콜릴에시딜(메타)아크릴레이트 단량체와 그를 도입한 공중합체 수지 및 이 수지를 이용한 포토레지스트
KR100354871B1 (ko) 1997-12-31 2003-03-10 주식회사 하이닉스반도체 공중합체수지와그제조방법및이수지를이용한포토레지스트
KR100520148B1 (ko) 1997-12-31 2006-05-12 주식회사 하이닉스반도체 신규한바이시클로알켄유도체와이를이용한포토레지스트중합체및이중합체를함유한포토레지스트조성물
US6190839B1 (en) * 1998-01-15 2001-02-20 Shipley Company, L.L.C. High conformality antireflective coating compositions
US6165674A (en) * 1998-01-15 2000-12-26 Shipley Company, L.L.C. Polymers and photoresist compositions for short wavelength imaging
US6037097A (en) * 1998-01-27 2000-03-14 International Business Machines Corporation E-beam application to mask making using new improved KRS resist system
AU3303599A (en) 1998-02-23 1999-09-06 B.F. Goodrich Company, The Polycyclic resist compositions with increased etch resistance
US6103447A (en) * 1998-02-25 2000-08-15 International Business Machines Corp. Approach to formulating irradiation sensitive positive resists
US6303263B1 (en) 1998-02-25 2001-10-16 International Business Machines Machines Irradiation sensitive positive-tone resists using polymers containing two acid sensitive protecting groups
DE69905959T2 (de) 1998-04-06 2003-12-04 Fuji Photo Film Co., Ltd. Lichtempfindliche Harzzusammensetzung
US6146806A (en) 1998-04-06 2000-11-14 Nec Corporation Negative photoresist composition using polymer having 1,2-diol structure and process for forming pattern using the same
KR100252061B1 (ko) * 1998-04-20 2000-06-01 윤종용 포토레지스트용 중합체, 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 및이의 제조방법
KR100252062B1 (ko) * 1998-04-20 2000-06-01 윤종용 포토레지스트용 중합체 혼합물, 이를 포함하는포토레지스트 조성물 및 이의 제조방법
US6074800A (en) * 1998-04-23 2000-06-13 International Business Machines Corporation Photo acid generator compounds, photo resists, and method for improving bias
DE59908549D1 (de) * 1998-04-24 2004-03-25 Infineon Technologies Ag Strahlungsempfindliches Gemisch und dessen Verwendung
KR100376983B1 (ko) 1998-04-30 2003-08-02 주식회사 하이닉스반도체 포토레지스트중합체및이를이용한미세패턴의형성방법
KR19990081722A (ko) 1998-04-30 1999-11-15 김영환 카르복실기 함유 지환족 유도체 및 그의 제조방법
US6759483B2 (en) * 1998-05-05 2004-07-06 Chemfirst Electronic Materials L.P. Preparation of homo-, co- and terpolymers of substituted styrenes
KR100261224B1 (ko) 1998-05-07 2000-09-01 윤종용 실리콘을 함유하는 폴리머 및 이를 포함하는 화학증폭형 레지스트 조성물
TW457277B (en) 1998-05-11 2001-10-01 Shinetsu Chemical Co Ester compounds, polymers, resist composition and patterning process
DE69915928T2 (de) * 1998-05-19 2005-04-14 Jsr Corp. Diazodisulfonverbindung und strahlungsempfindliche Harzzusammensetzung
KR100287175B1 (ko) * 1998-05-20 2001-09-22 윤종용 화학 증폭형 포토레지스트의 용해 억제제 및 이를 포함하는 화학증폭형 포토레지스트 조성물
JP3175697B2 (ja) * 1998-06-18 2001-06-11 日本電気株式会社 化学増幅系フォトレジスト
TW444027B (en) 1998-06-30 2001-07-01 Ind Tech Res Inst Ring-opened polymer prepared from pericyclic olefin and photosensitive composition containing the polymer
US6103456A (en) * 1998-07-22 2000-08-15 Siemens Aktiengesellschaft Prevention of photoresist poisoning from dielectric antireflective coating in semiconductor fabrication
KR100403325B1 (ko) 1998-07-27 2004-03-24 주식회사 하이닉스반도체 포토레지스트중합체및이를이용한포토레지스트조성물
US6093517A (en) * 1998-07-31 2000-07-25 International Business Machines Corporation Calixarenes for use as dissolution inhibitors in lithographic photoresist compositions
JP3587743B2 (ja) 1998-08-26 2004-11-10 株式会社ハイニックスセミコンダクター フォトレジスト単量体とその製造方法、フォトレジスト共重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、および、半導体素子。
KR20000015014A (ko) 1998-08-26 2000-03-15 김영환 신규의 포토레지스트용 단량체, 중합체 및 이를 이용한 포토레지스트 조성물
US6569971B2 (en) 1998-08-27 2003-05-27 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Polymers for photoresist and photoresist compositions using the same
US6127089A (en) * 1998-08-28 2000-10-03 Advanced Micro Devices, Inc. Interconnect structure with low k dielectric materials and method of making the same with single and dual damascene techniques
US6136501A (en) * 1998-08-28 2000-10-24 Shipley Company, L.L.C. Polymers and photoresist compositions comprising same
JP3120402B2 (ja) 1998-09-03 2000-12-25 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ−ション 不活性化芳香族アミン化合物を含むフォトレジスト組成物
TW487828B (en) * 1998-10-29 2002-05-21 Shinetsu Chemical Co Positive resist composition
CA2353506A1 (en) 1998-11-02 2000-05-11 3M Innovative Properties Company Transparent conductive oxides for plastic flat panel displays
US6114085A (en) * 1998-11-18 2000-09-05 Clariant Finance (Bvi) Limited Antireflective composition for a deep ultraviolet photoresist
US6770413B1 (en) 1999-01-12 2004-08-03 Shipley Company, L.L.C. Hydroxyphenyl copolymers and photoresists comprising same
JP3680920B2 (ja) 1999-02-25 2005-08-10 信越化学工業株式会社 新規なエステル化合物、高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法
KR100314761B1 (ko) 1999-03-03 2001-11-17 윤덕용 노르보르넨에 콜릭산, 디옥시콜릭산 또는 리소콜릭산 유도체를 결합시킨 단량체를 이용한 중합체 및 이를 함유하는 포토레지스트 조성물
TWI263861B (en) 1999-03-26 2006-10-11 Shinetsu Chemical Co Resist material and pattern forming method
TWI226339B (en) 1999-03-26 2005-01-11 Shinetsu Chemical Co High molecular weight compound and the method to prepare the same
KR100320773B1 (ko) 1999-05-31 2002-01-17 윤종용 포토레지스트 조성물
US6187506B1 (en) 1999-08-05 2001-02-13 Clariant Finance (Bvi) Limited Antireflective coating for photoresist compositions
US6461789B1 (en) 1999-08-25 2002-10-08 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, chemical amplification resist compositions and patterning process
US6436606B1 (en) 1999-08-30 2002-08-20 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process
US6638684B2 (en) 1999-08-31 2003-10-28 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Photosensitive laminate, process for forming resist pattern using same and positive resist composition
KR100308423B1 (ko) 1999-09-07 2001-09-26 주식회사 동진쎄미켐 화학 증폭 레지스트용 폴리머 및 이를 이용한 레지스트 조성물
US6369279B1 (en) 1999-09-08 2002-04-09 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Styrene derivatives
TW527363B (en) 1999-09-08 2003-04-11 Shinetsu Chemical Co Polymers, chemical amplification resist compositions and patterning process
JP3969909B2 (ja) * 1999-09-27 2007-09-05 富士フイルム株式会社 ポジ型フォトレジスト組成物
US6333436B1 (en) 1999-10-13 2001-12-25 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Styrene derivatives
US6461791B1 (en) 1999-10-13 2002-10-08 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, chemical amplification resist compositions and patterning process
US6673511B1 (en) 1999-10-29 2004-01-06 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition
JP3755571B2 (ja) 1999-11-12 2006-03-15 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
US6365322B1 (en) 1999-12-07 2002-04-02 Clariant Finance (Bvi) Limited Photoresist composition for deep UV radiation
JP3963624B2 (ja) 1999-12-22 2007-08-22 富士フイルム株式会社 遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物
US6509138B2 (en) 2000-01-12 2003-01-21 Semiconductor Research Corporation Solventless, resistless direct dielectric patterning
TWI225184B (en) * 2000-01-17 2004-12-11 Shinetsu Chemical Co Chemical amplification type resist composition
US6623907B2 (en) 2000-02-04 2003-09-23 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition
TWI294440B (de) 2000-02-16 2008-03-11 Shinetsu Chemical Co
US6579658B2 (en) 2000-02-17 2003-06-17 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process
US6783914B1 (en) 2000-02-25 2004-08-31 Massachusetts Institute Of Technology Encapsulated inorganic resists
DE10008840A1 (de) 2000-02-25 2001-09-06 Beiersdorf Ag Strukturierte UV-vernetzte Acrylathaftklebemassen
DE10008843A1 (de) 2000-02-25 2001-09-06 Beiersdorf Ag Polare Acrylathaftklebemassen
JP4806486B2 (ja) * 2000-02-28 2011-11-02 日東電工株式会社 紫外線架橋型粘着剤組成物とその製造方法ならびに粘着シ―トとその製造方法
US6538086B1 (en) 2000-02-28 2003-03-25 Industrial Technology Research Institute Polymer with a pericyclic protective group and resist composition containing the same
US6682869B2 (en) 2000-03-07 2004-01-27 Shin-Etu Chemical Co., Ltd. Chemical amplification, positive resist compositions
US6838224B2 (en) 2000-03-07 2005-01-04 Shi-Etsu Chemical Co., Ltd. Chemical amplification, positive resist compositions
KR100616399B1 (ko) 2000-03-09 2006-08-29 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 화학 증폭형 레지스트 재료
US7122288B2 (en) 2000-03-28 2006-10-17 Fujitsu Limited Negative resist composition, a method for forming a resist pattern thereof, and a method for fabricating a semiconductor device
EP1277085A4 (de) 2000-04-17 2005-02-23 Univ Yale Verfahren zur messung der diffusion eines photochemisch erzeugten katalysators in chemisch verstärkten resisten
TW520357B (en) 2000-04-20 2003-02-11 Shinetsu Chemical Co Novel ester compounds, polymers, resist compositions and patterning process
US6692883B2 (en) 2000-04-21 2004-02-17 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive photoresist composition
KR100660513B1 (ko) 2000-04-27 2006-12-22 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 고분자 화합물, 화학 증폭 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
JP4768103B2 (ja) * 2000-06-06 2011-09-07 日東電工株式会社 粘着剤組成物とその粘着シ―ト類およびこれらの製造方法
JP4576737B2 (ja) 2000-06-09 2010-11-10 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物
US7118845B2 (en) * 2000-06-15 2006-10-10 3M Innovative Properties Company Multiphoton photochemical process and articles preparable thereby
US6852766B1 (en) 2000-06-15 2005-02-08 3M Innovative Properties Company Multiphoton photosensitization system
ATE309553T1 (de) * 2000-06-15 2005-11-15 3M Innovative Properties Co Mikroherstellungsverfahren für organische optische bauteile
AU2001270320A1 (en) * 2000-06-15 2001-12-24 3M Innovative Properties Company Multicolor imaging using multiphoton photochemical processes
JP2004503928A (ja) * 2000-06-15 2004-02-05 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 多方向光反応吸収方法
US7265161B2 (en) * 2002-10-02 2007-09-04 3M Innovative Properties Company Multi-photon reactive compositions with inorganic particles and method for fabricating structures
ATE440308T1 (de) * 2000-06-15 2009-09-15 3M Innovative Properties Co Methode und gerät zur erzielung wiederholter multiphotonabsorption
AU2001269837A1 (en) * 2000-06-15 2001-12-24 3M Innovative Properties Company Process for producing microfluidic articles
US7014988B2 (en) * 2000-06-15 2006-03-21 3M Innovative Properties Company Multiphoton curing to provide encapsulated optical elements
US6593431B2 (en) 2000-06-27 2003-07-15 Chemfirst Electronic Materials Lp Purification means
US6787611B2 (en) * 2000-06-27 2004-09-07 Chemfirst Electronic Materials L.P. Purification means
US6447980B1 (en) 2000-07-19 2002-09-10 Clariant Finance (Bvi) Limited Photoresist composition for deep UV and process thereof
JP3712047B2 (ja) 2000-08-14 2005-11-02 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
TW588221B (en) 2000-09-07 2004-05-21 Shinetsu Chemical Co Polymers, resist compositions and patterning process
TW565747B (en) 2000-09-07 2003-12-11 Shinetsu Chemical Co Polymers, resist compositions and patterning process
TW594410B (en) 2000-09-07 2004-06-21 Shinetsu Chemical Co Resist compositions and patterning process
EP1204001B1 (de) 2000-11-01 2013-09-11 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resistzusammensetzung und Mustererzeugungsverfahren
KR100670090B1 (ko) 2000-11-29 2007-01-17 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 아민 화합물, 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
JP4768115B2 (ja) * 2000-12-01 2011-09-07 日東電工株式会社 紫外線架橋型粘着剤組成物とその製造方法ならびに粘着シ―トとその製造方法
WO2002046507A2 (en) 2000-12-04 2002-06-13 Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. Onium salts and the use therof as latent acids
TW562998B (en) 2000-12-07 2003-11-21 Shinetsu Chemical Co Production method for polymer compound and resist material prepared by using the polymer compound
KR100672890B1 (ko) 2000-12-07 2007-01-23 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 아민 화합물, 레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법
US7261992B2 (en) * 2000-12-21 2007-08-28 International Business Machines Corporation Fluorinated silsesquioxane polymers and use thereof in lithographic photoresist compositions
JP4697827B2 (ja) * 2001-01-30 2011-06-08 三菱レイヨン株式会社 化学増幅型レジスト用樹脂の精製方法および化学増幅型レジスト用樹脂
JP3962893B2 (ja) 2001-02-09 2007-08-22 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
US6641678B2 (en) 2001-02-15 2003-11-04 Micell Technologies, Inc. Methods for cleaning microelectronic structures with aqueous carbon dioxide systems
US6562146B1 (en) 2001-02-15 2003-05-13 Micell Technologies, Inc. Processes for cleaning and drying microelectronic structures using liquid or supercritical carbon dioxide
US6602351B2 (en) 2001-02-15 2003-08-05 Micell Technologies, Inc. Methods for the control of contaminants following carbon dioxide cleaning of microelectronic structures
US6596093B2 (en) 2001-02-15 2003-07-22 Micell Technologies, Inc. Methods for cleaning microelectronic structures with cyclical phase modulation
US6613157B2 (en) 2001-02-15 2003-09-02 Micell Technologies, Inc. Methods for removing particles from microelectronic structures
US6905555B2 (en) 2001-02-15 2005-06-14 Micell Technologies, Inc. Methods for transferring supercritical fluids in microelectronic and other industrial processes
TWI300790B (en) 2001-02-28 2008-09-11 Shinetsu Chemical Co Polymers, Resist Compositions and Patterning Process
TWI245774B (en) 2001-03-01 2005-12-21 Shinetsu Chemical Co Silicon-containing polymer, resist composition and patterning process
JP2002278053A (ja) 2001-03-16 2002-09-27 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フォトレジスト組成物
KR100749494B1 (ko) 2001-04-03 2007-08-14 삼성에스디아이 주식회사 화학증폭형 네가티브 포토레지스트용 중합체 및 포토레지스트 조성물
KR20030076225A (ko) 2001-04-04 2003-09-26 아치 스페셜티 케미칼즈, 인코포레이티드 규소 함유 아세탈 보호된 중합체 및 이의 포토레지스트조성물
US7084303B2 (en) * 2001-04-23 2006-08-01 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Tertiary amine compounds having an ester structure and processes for preparing same
JP3988517B2 (ja) * 2001-04-27 2007-10-10 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物
US6936398B2 (en) * 2001-05-09 2005-08-30 Massachusetts Institute Of Technology Resist with reduced line edge roughness
US6686429B2 (en) 2001-05-11 2004-02-03 Clariant Finance (Bvi) Limited Polymer suitable for photoresist compositions
US6737215B2 (en) 2001-05-11 2004-05-18 Clariant Finance (Bvi) Ltd Photoresist composition for deep ultraviolet lithography
TW574607B (en) 2001-06-25 2004-02-01 Shinetsu Chemical Co Polymers, resist compositions and patterning process
JP3891257B2 (ja) 2001-06-25 2007-03-14 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
TWI245043B (en) 2001-06-25 2005-12-11 Shinetsu Chemical Co Novel ester compounds
TW584786B (en) 2001-06-25 2004-04-21 Shinetsu Chemical Co Polymers, resist compositions and patterning process
DE10131667B4 (de) 2001-06-29 2007-05-31 Infineon Technologies Ag Negativ Resistprozess mit simultaner Entwicklung und Silylierung
DE10131489B4 (de) * 2001-06-29 2007-04-12 Infineon Technologies Ag Negativ Resistprozess mit simultaner Entwicklung und chemischer Nachverstärkung von Resiststrukturen
DE10131488B4 (de) * 2001-06-29 2006-01-19 Infineon Technologies Ag Verfahren zur chemischen Nachverstärkung von Photoresists im UV-Bereich
DE10131487B4 (de) * 2001-06-29 2005-11-24 Infineon Technologies Ag Negativer Resistprozess mit simultaner Entwicklung und Aromatisierung von Resiststrukturen
DE10142590A1 (de) * 2001-08-31 2003-04-03 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Seitenwandverstärkung von Resiststrukturen und zur Herstellung von Strukturen mit reduzierter Strukturgröße
US6673514B2 (en) 2001-09-07 2004-01-06 Kodak Polychrome Graphics Llc Imagable articles and compositions, and their use
TW574614B (en) * 2001-09-27 2004-02-01 Shinetsu Chemical Co Chemically amplified resist compositions and patterning process
DE10147953B4 (de) 2001-09-28 2007-06-06 Infineon Technologies Ag CARL für Bioelektronik: Substratanbindung über isolierende Schicht
JP2003107707A (ja) * 2001-09-28 2003-04-09 Clariant (Japan) Kk 化学増幅型ポジ型感放射線性樹脂組成物
JP3821217B2 (ja) * 2001-10-30 2006-09-13 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
DE10153497B4 (de) * 2001-10-31 2006-04-06 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Silylierung von Fotoresists im UV-Bereich
DE10153496B4 (de) * 2001-10-31 2007-01-04 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Aromatisierung und Cycloaliphatisierung von Fotoresists im UV-Bereich
JP3890365B2 (ja) 2001-11-01 2007-03-07 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物
US6723488B2 (en) 2001-11-07 2004-04-20 Clariant Finance (Bvi) Ltd Photoresist composition for deep UV radiation containing an additive
JP3901997B2 (ja) * 2001-11-27 2007-04-04 富士通株式会社 レジスト材料、レジストパターン及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法
JP4522628B2 (ja) 2001-11-28 2010-08-11 信越化学工業株式会社 新規なエステル化合物
JP4389158B2 (ja) * 2001-12-12 2009-12-24 住友ベークライト株式会社 高分子組成物およびその使用
JP3874092B2 (ja) * 2001-12-26 2007-01-31 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
US6750266B2 (en) * 2001-12-28 2004-06-15 3M Innovative Properties Company Multiphoton photosensitization system
US6800416B2 (en) 2002-01-09 2004-10-05 Clariant Finance (Bvi) Ltd. Negative deep ultraviolet photoresist
US7070914B2 (en) * 2002-01-09 2006-07-04 Az Electronic Materials Usa Corp. Process for producing an image using a first minimum bottom antireflective coating composition
US6844131B2 (en) 2002-01-09 2005-01-18 Clariant Finance (Bvi) Limited Positive-working photoimageable bottom antireflective coating
JP3877605B2 (ja) * 2002-02-08 2007-02-07 信越化学工業株式会社 ネガ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
WO2003073169A2 (en) * 2002-02-21 2003-09-04 Honeywell International Inc. Fluorinated molecules and methods of making and using same
TW200304042A (en) 2002-02-22 2003-09-16 Jsr Corp Radiation-sensitive resin composition
DE10208786B4 (de) * 2002-02-28 2006-02-09 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Modifikation von Resiststrukturen und Resistschichten aus wässriger Phase
KR100678991B1 (ko) * 2002-03-25 2007-02-05 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 신규 에스테르, 중합체, 레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법
KR100679060B1 (ko) * 2002-03-25 2007-02-05 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 중합체, 레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법
TWI304412B (en) * 2002-03-26 2008-12-21 Shinetsu Chemical Co Polymers, resist compositions andpatterning process
US20030190818A1 (en) * 2002-04-03 2003-10-09 Ruben Carbonell Enhanced processing of performance films using high-diffusivity penetrants
JP3856122B2 (ja) * 2002-04-05 2006-12-13 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
US6866983B2 (en) * 2002-04-05 2005-03-15 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist compositions and patterning process
US6864324B2 (en) 2002-04-19 2005-03-08 Chem First Electronic Materials L.P. Anhydrous, liquid phase process for preparing hydroxyl containing polymers of enhanced purity
US7232638B2 (en) * 2002-05-02 2007-06-19 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process
US20040126695A1 (en) * 2002-05-07 2004-07-01 Honeywell International, Inc. Fluorinated polymers
US20030235775A1 (en) * 2002-06-13 2003-12-25 Munirathna Padmanaban Photoresist composition for deep ultraviolet lithography comprising a mixture of photoactive compounds
JP4139948B2 (ja) 2002-06-28 2008-08-27 日本電気株式会社 不飽和単量体、重合体、化学増幅レジスト組成物、および、パターン形成方法
US6919161B2 (en) * 2002-07-02 2005-07-19 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Silicon-containing polymer, resist composition and patterning process
JP3912512B2 (ja) * 2002-07-02 2007-05-09 信越化学工業株式会社 珪素含有高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP3844069B2 (ja) * 2002-07-04 2006-11-08 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP2004043732A (ja) * 2002-07-15 2004-02-12 Three M Innovative Properties Co 発泡性接着剤組成物
JP2004059844A (ja) * 2002-07-31 2004-02-26 Central Glass Co Ltd 含フッ素高分子化合物
JP3912516B2 (ja) * 2002-08-09 2007-05-09 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
US20040067435A1 (en) 2002-09-17 2004-04-08 Fuji Photo Film Co., Ltd. Image forming material
JP4371206B2 (ja) 2002-09-30 2009-11-25 信越化学工業株式会社 エステル化合物、高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法
US7232650B2 (en) * 2002-10-02 2007-06-19 3M Innovative Properties Company Planar inorganic device
JP3900276B2 (ja) * 2002-10-25 2007-04-04 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
WO2004040376A1 (ja) 2002-10-29 2004-05-13 Jsr Corporation 感放射線性樹脂組成物
US20040091813A1 (en) * 2002-11-05 2004-05-13 Honeywell International Inc. Fluorinated polymers
US7264913B2 (en) * 2002-11-21 2007-09-04 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective compositions for photoresists
US7217492B2 (en) 2002-12-25 2007-05-15 Jsr Corporation Onium salt compound and radiation-sensitive resin composition
US7135269B2 (en) * 2003-01-30 2006-11-14 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymer, resist composition and patterning process
JP4222850B2 (ja) 2003-02-10 2009-02-12 Spansion Japan株式会社 感放射線性樹脂組成物、その製造法並びにそれを用いた半導体装置の製造方法
JP4240202B2 (ja) * 2003-02-10 2009-03-18 信越化学工業株式会社 スルホン酸エステル基を有する高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP4133399B2 (ja) * 2003-02-10 2008-08-13 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
WO2004074933A2 (en) * 2003-02-20 2004-09-02 Promerus Llc Dissolution rate modifiers for photoresist compositions
TWI349831B (en) 2003-02-20 2011-10-01 Maruzen Petrochem Co Ltd Resist polymer and method for producing the polymer
US20040166434A1 (en) * 2003-02-21 2004-08-26 Dammel Ralph R. Photoresist composition for deep ultraviolet lithography
TWI344966B (en) 2003-03-10 2011-07-11 Maruzen Petrochem Co Ltd Novel thiol compound, copolymer and method for producing the copolymer
WO2004102162A2 (en) * 2003-03-21 2004-11-25 The Regents Of The University Of California Inorganic oxides comprising multiple surface-bound functional groups
JP4068006B2 (ja) * 2003-05-07 2008-03-26 信越化学工業株式会社 サーマルフロー工程を用いた微細なコンタクトホール形成方法
US7834113B2 (en) * 2003-05-08 2010-11-16 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photoresist compositions and processes for preparing the same
JP4029288B2 (ja) 2003-05-21 2008-01-09 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP4009852B2 (ja) 2003-05-21 2007-11-21 信越化学工業株式会社 塩基性化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP4081677B2 (ja) 2003-05-21 2008-04-30 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP3981830B2 (ja) * 2003-05-26 2007-09-26 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP2004354417A (ja) * 2003-05-27 2004-12-16 Shin Etsu Chem Co Ltd ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
JP4114064B2 (ja) * 2003-05-27 2008-07-09 信越化学工業株式会社 珪素含有高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP4360844B2 (ja) * 2003-06-16 2009-11-11 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物
JP4088784B2 (ja) * 2003-06-19 2008-05-21 信越化学工業株式会社 高分子化合物の製造方法及びレジスト材料
US7090963B2 (en) * 2003-06-25 2006-08-15 International Business Machines Corporation Process for forming features of 50 nm or less half-pitch with chemically amplified resist imaging
JP4085034B2 (ja) * 2003-07-17 2008-04-30 信越化学工業株式会社 化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
EP1647570A4 (de) * 2003-07-18 2006-07-12 Oji Paper Co Flächiges geschäumtes produkt und herstellungsverfahren dafür
KR100527411B1 (ko) * 2003-08-23 2005-11-09 한국과학기술원 신규한 옥세판-2-온 구조를 함유하는 단량체, 이들의중합체를 함유하는 포토레지스트 조성물 및 그 제조방법과포토레지스트 패턴의 형성 방법
JP4013063B2 (ja) * 2003-08-26 2007-11-28 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
US7166418B2 (en) * 2003-09-03 2007-01-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Sulfonamide compound, polymer compound, resist material and pattern formation method
JP2005099683A (ja) * 2003-09-05 2005-04-14 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型ホトレジスト組成物及びこれを用いたレジストパターンの形成方法
US7169530B2 (en) * 2003-10-02 2007-01-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Polymer compound, resist material and pattern formation method
US7060775B2 (en) * 2003-10-02 2006-06-13 Matsushita Electronic Industrial Co., Ltd. Polymer compound, resist material and pattern formation method
US7232641B2 (en) * 2003-10-08 2007-06-19 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymerizable compound, polymer, positive-resist composition, and patterning process using the same
TWI286555B (en) * 2003-10-23 2007-09-11 Shinetsu Chemical Co Polymers, resist compositions and patterning process
JP4235810B2 (ja) * 2003-10-23 2009-03-11 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP4355917B2 (ja) * 2003-10-29 2009-11-04 信越化学工業株式会社 含窒素有機化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP3759526B2 (ja) 2003-10-30 2006-03-29 丸善石油化学株式会社 半導体リソグラフィー用共重合体の製造方法
US7276324B2 (en) * 2003-11-14 2007-10-02 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Nitrogen-containing organic compound, resist composition and patterning process
US20050124712A1 (en) * 2003-12-05 2005-06-09 3M Innovative Properties Company Process for producing photonic crystals
AU2003304694A1 (en) * 2003-12-05 2005-08-12 3M Innovative Properties Company Process for producing photonic crystals and controlled defects therein
US7189491B2 (en) * 2003-12-11 2007-03-13 Az Electronic Materials Usa Corp. Photoresist composition for deep UV and process thereof
JP4525912B2 (ja) * 2004-01-30 2010-08-18 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP2005220274A (ja) * 2004-02-09 2005-08-18 Shin Etsu Chem Co Ltd 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
US7473512B2 (en) * 2004-03-09 2009-01-06 Az Electronic Materials Usa Corp. Process of imaging a deep ultraviolet photoresist with a top coating and materials thereof
JP4199687B2 (ja) 2004-03-17 2008-12-17 富士フイルム株式会社 平版印刷版原版
US20050214674A1 (en) * 2004-03-25 2005-09-29 Yu Sui Positive-working photoimageable bottom antireflective coating
US7081511B2 (en) * 2004-04-05 2006-07-25 Az Electronic Materials Usa Corp. Process for making polyesters
US7060416B2 (en) * 2004-04-08 2006-06-13 Eastman Kodak Company Positive-working, thermally sensitive imageable element
KR100864147B1 (ko) * 2004-04-09 2008-10-16 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 포지티브형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
KR100942627B1 (ko) * 2004-04-09 2010-02-17 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 포지티브형 레지스트 재료 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
JP4557159B2 (ja) * 2004-04-15 2010-10-06 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP4502115B2 (ja) * 2004-04-23 2010-07-14 信越化学工業株式会社 含窒素有機化合物、化学増幅型レジスト材料及びパターン形成方法
EP1741730B1 (de) * 2004-04-27 2010-05-12 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Material zur bildung eines resistschutzfilms für das eintauchbelichtungsverfahren und verfahren zur bildung eines resistmusters unter verwendung des schutzfilms
JP4360264B2 (ja) * 2004-04-30 2009-11-11 Jsr株式会社 ポジ型感放射線性樹脂組成物
JP3978215B2 (ja) * 2004-05-25 2007-09-19 松下電器産業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP3978217B2 (ja) * 2004-05-27 2007-09-19 松下電器産業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP3978216B2 (ja) * 2004-05-27 2007-09-19 松下電器産業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP2005344009A (ja) * 2004-06-03 2005-12-15 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト材料用高分子化合物及びその製造方法並びに化学増幅ポジ型レジスト材料
JP4606136B2 (ja) * 2004-06-09 2011-01-05 富士通株式会社 多層体、レジストパターン形成方法、微細加工パターンを有する装置の製造方法および電子装置
JP2006011054A (ja) * 2004-06-25 2006-01-12 Shin Etsu Chem Co Ltd リンス液及びこれを用いたレジストパターン形成方法
JP2006021396A (ja) 2004-07-07 2006-01-26 Fuji Photo Film Co Ltd 平版印刷版原版および平版印刷方法
EP1619023B1 (de) 2004-07-20 2008-06-11 FUJIFILM Corporation Bilderzeugendes Material
JP4368267B2 (ja) * 2004-07-30 2009-11-18 東京応化工業株式会社 レジスト保護膜形成用材料、およびこれを用いたレジストパターン形成方法
US7507521B2 (en) * 2004-08-09 2009-03-24 Intel Corporation Silicon based optically degraded arc for lithographic patterning
US7691556B2 (en) * 2004-09-15 2010-04-06 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective compositions for photoresists
US20060057501A1 (en) * 2004-09-15 2006-03-16 Hengpeng Wu Antireflective compositions for photoresists
JP4368282B2 (ja) * 2004-09-24 2009-11-18 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4404734B2 (ja) 2004-09-27 2010-01-27 富士フイルム株式会社 平版印刷版原版
JP4544085B2 (ja) * 2004-09-28 2010-09-15 Jsr株式会社 ポジ型感放射線性樹脂組成物
US7687225B2 (en) * 2004-09-29 2010-03-30 Intel Corporation Optical coatings
JP4431888B2 (ja) 2004-10-28 2010-03-17 信越化学工業株式会社 含フッ素重合性化合物、その製造方法、この化合物から得られる高分子化合物、レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
US7537879B2 (en) 2004-11-22 2009-05-26 Az Electronic Materials Usa Corp. Photoresist composition for deep UV and process thereof
CN101080674B (zh) 2004-12-03 2013-09-18 捷时雅株式会社 形成抗反射薄膜的组合物,层状产品,和抗蚀剂图案的形成方法
JP4789599B2 (ja) 2004-12-06 2011-10-12 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. フォトレジスト組成物
US20060150846A1 (en) 2004-12-13 2006-07-13 Fuji Photo Film Co. Ltd Lithographic printing method
JP2006181838A (ja) 2004-12-27 2006-07-13 Fuji Photo Film Co Ltd 平版印刷版原版
US20070299176A1 (en) * 2005-01-28 2007-12-27 Markley Thomas J Photodefinable low dielectric constant material and method for making and using same
US7867779B2 (en) 2005-02-03 2011-01-11 Air Products And Chemicals, Inc. System and method comprising same for measurement and/or analysis of particles in gas stream
JP4506968B2 (ja) * 2005-02-04 2010-07-21 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
EP1691238A3 (de) 2005-02-05 2009-01-21 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Beschichtungszusammensetzungen zur Verwendung mit einem beschichteten Fotolack
JP4474296B2 (ja) 2005-02-09 2010-06-02 富士フイルム株式会社 平版印刷版原版
US20060177772A1 (en) * 2005-02-10 2006-08-10 Abdallah David J Process of imaging a photoresist with multiple antireflective coatings
JP2006225476A (ja) * 2005-02-16 2006-08-31 Shin Etsu Chem Co Ltd ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
US7541131B2 (en) * 2005-02-18 2009-06-02 Fujifilm Corporation Resist composition, compound for use in the resist composition and pattern forming method using the resist composition
US20060188812A1 (en) * 2005-02-21 2006-08-24 Tomoki Nagai Phenolic hydroxyl group-containing copolymer and radiation-sensitive resin composition
US7255056B2 (en) * 2005-03-04 2007-08-14 Lockheed Martin Corporation Stable, high-speed marine vessel
JP4595606B2 (ja) * 2005-03-17 2010-12-08 Jsr株式会社 反射防止膜形成用組成物、積層体およびレジストパターンの形成方法
JP4404792B2 (ja) 2005-03-22 2010-01-27 富士フイルム株式会社 平版印刷版原版
JP4770244B2 (ja) * 2005-04-11 2011-09-14 Jsr株式会社 オニウム塩、それを用いた感放射線性酸発生剤及びポジ型感放射線性樹脂組成物
JP4810862B2 (ja) * 2005-04-11 2011-11-09 Jsr株式会社 オニウム塩、それを用いた感放射線性酸発生剤及びポジ型感放射線性樹脂組成物
JP4731200B2 (ja) 2005-05-10 2011-07-20 丸善石油化学株式会社 半導体リソグラフィー用共重合体の製造方法
JP2006328003A (ja) * 2005-05-27 2006-12-07 Shin Etsu Chem Co Ltd 新規な重合性エステル化合物
JP4687878B2 (ja) * 2005-05-27 2011-05-25 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
US7521170B2 (en) * 2005-07-12 2009-04-21 Az Electronic Materials Usa Corp. Photoactive compounds
JP4815270B2 (ja) 2005-08-18 2011-11-16 富士フイルム株式会社 平版印刷版の作製方法及び作製装置
JP4759343B2 (ja) 2005-08-19 2011-08-31 富士フイルム株式会社 平版印刷版原版および平版印刷方法
EP1762895B1 (de) 2005-08-29 2016-02-24 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Antireflex-Zusammensetzungen für Hartmasken
US20070065756A1 (en) * 2005-09-16 2007-03-22 Quantiscript Inc., Universite De Sherbrooke High sensitivity electron beam resist processing
JP4697443B2 (ja) * 2005-09-21 2011-06-08 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
WO2007047379A2 (en) * 2005-10-12 2007-04-26 Sundance Enterprises Fluidized positioning and protection system
JP4671035B2 (ja) * 2005-10-14 2011-04-13 信越化学工業株式会社 化学増幅型レジスト材料及びパターン形成方法
JP4488230B2 (ja) * 2005-10-31 2010-06-23 信越化学工業株式会社 レジスト用重合体、レジスト材料及びパターン形成方法
US7553905B2 (en) * 2005-10-31 2009-06-30 Az Electronic Materials Usa Corp. Anti-reflective coatings
JP4582331B2 (ja) * 2005-11-08 2010-11-17 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
US7629106B2 (en) * 2005-11-16 2009-12-08 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process using the same
JP4614089B2 (ja) * 2005-11-17 2011-01-19 信越化学工業株式会社 ネガ型レジスト材料及びパターン形成方法
TWI512402B (zh) 2005-11-25 2015-12-11 Jsr Corp Sensitive radiation linear resin composition
JP4831307B2 (ja) 2005-12-02 2011-12-07 信越化学工業株式会社 新規なエステル化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
WO2007073482A2 (en) 2005-12-21 2007-06-28 3M Innovative Properties Company Method and apparatus for processing multiphoton curable photoreactive compositions
US7583444B1 (en) * 2005-12-21 2009-09-01 3M Innovative Properties Company Process for making microlens arrays and masterforms
EP1829942B1 (de) 2006-02-28 2012-09-26 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Beschichtungszusammensetzungen zur Verwendung mit einem beschichteten Fotolack
KR100994873B1 (ko) * 2006-03-06 2010-11-16 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 고분자 화합물 및 포지티브형 레지스트 재료 및 이를이용한 패턴 형성 방법
JP5100115B2 (ja) * 2006-03-16 2012-12-19 東洋合成工業株式会社 スルホニウム塩及び酸発生剤
US8858807B2 (en) * 2006-03-24 2014-10-14 3M Innovative Properties Company Process for making microneedles, microneedle arrays, masters, and replication tools
US7771913B2 (en) * 2006-04-04 2010-08-10 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process using the same
US7300741B2 (en) * 2006-04-25 2007-11-27 International Business Machines Corporation Advanced chemically amplified resist for sub 30 nm dense feature resolution
JP2009537870A (ja) 2006-05-18 2009-10-29 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 抽出構造体を備えた導光体の製造方法及びその方法で製造された導光体
JP5030474B2 (ja) 2006-05-18 2012-09-19 丸善石油化学株式会社 半導体リソグラフィー用樹脂組成物
US7704670B2 (en) * 2006-06-22 2010-04-27 Az Electronic Materials Usa Corp. High silicon-content thin film thermosets
US20070298349A1 (en) * 2006-06-22 2007-12-27 Ruzhi Zhang Antireflective Coating Compositions Comprising Siloxane Polymer
JP4784753B2 (ja) * 2006-07-06 2011-10-05 信越化学工業株式会社 重合性エステル化合物、重合体、レジスト材料及びパターン形成方法
KR101265352B1 (ko) * 2006-07-06 2013-05-20 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 에스테르 화합물과 그의 제조 방법, 고분자 화합물,레지스트 재료, 및 패턴 형성 방법
US7638262B2 (en) 2006-08-10 2009-12-29 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective composition for photoresists
US7416834B2 (en) 2006-09-27 2008-08-26 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective coating compositions
JP5183903B2 (ja) * 2006-10-13 2013-04-17 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
US7666575B2 (en) * 2006-10-18 2010-02-23 Az Electronic Materials Usa Corp Antireflective coating compositions
JP4784760B2 (ja) * 2006-10-20 2011-10-05 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP2008106084A (ja) * 2006-10-23 2008-05-08 Maruzen Petrochem Co Ltd 半導体リソグラフィー用共重合体、組成物並びに該共重合体の製造方法
JP4803377B2 (ja) * 2006-10-25 2011-10-26 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP4355011B2 (ja) * 2006-11-07 2009-10-28 丸善石油化学株式会社 液浸リソグラフィー用共重合体及び組成物
US7956142B2 (en) * 2006-11-10 2011-06-07 Jsr Corporation Polymerizable sulfonic acid onium salt and resin
TWI416253B (zh) * 2006-11-10 2013-11-21 Jsr Corp 敏輻射線性樹脂組成物
JP5588095B2 (ja) * 2006-12-06 2014-09-10 丸善石油化学株式会社 半導体リソグラフィー用共重合体とその製造方法
TW200836002A (en) * 2006-12-19 2008-09-01 Cheil Ind Inc Photosensitive resin composition and organic insulating film produced using the same
US8030419B2 (en) 2006-12-22 2011-10-04 Maruzen Petrochemical Co., Ltd. Process for producing polymer for semiconductor lithography
US8637229B2 (en) * 2006-12-25 2014-01-28 Fujifilm Corporation Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method
US8530148B2 (en) * 2006-12-25 2013-09-10 Fujifilm Corporation Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method
JP4554665B2 (ja) * 2006-12-25 2010-09-29 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液
JP5277203B2 (ja) * 2006-12-25 2013-08-28 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液
US7824844B2 (en) * 2007-01-19 2010-11-02 Az Electronic Materials Usa Corp. Solvent mixtures for antireflective coating compositions for photoresists
US7875408B2 (en) 2007-01-25 2011-01-25 International Business Machines Corporation Bleachable materials for lithography
TWI374478B (en) 2007-02-13 2012-10-11 Rohm & Haas Elect Mat Electronic device manufacture
US7736837B2 (en) * 2007-02-20 2010-06-15 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective coating composition based on silicon polymer
US8026040B2 (en) * 2007-02-20 2011-09-27 Az Electronic Materials Usa Corp. Silicone coating composition
CN101622297A (zh) * 2007-02-26 2010-01-06 Az电子材料美国公司 制备硅氧烷聚合物的方法
KR101523393B1 (ko) 2007-02-27 2015-05-27 이엠디 퍼포먼스 머티리얼스 코프. 규소를 주성분으로 하는 반사 방지 코팅 조성물
JP2008208266A (ja) 2007-02-27 2008-09-11 Fujifilm Corp インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、平版印刷版の製造方法、および平版印刷版
JP5060986B2 (ja) * 2007-02-27 2012-10-31 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法
WO2008114411A1 (ja) 2007-03-20 2008-09-25 Fujitsu Limited 導電性反射防止膜形成用材料、導電性反射防止膜の形成方法、レジストパターン形成方法、半導体装置、及び磁気ヘッド
JP2008233660A (ja) 2007-03-22 2008-10-02 Fujifilm Corp 浸漬型平版印刷版用自動現像装置およびその方法
EP1972440B1 (de) 2007-03-23 2010-06-23 FUJIFILM Corporation Negativ-Lithografiedruckplattenvorläufer und Lithografiedruckverfahren damit
JP4860525B2 (ja) 2007-03-27 2012-01-25 富士フイルム株式会社 硬化性組成物及び平版印刷版原版
US8182975B2 (en) 2007-03-28 2012-05-22 Fujifilm Corporation Positive resist composition and pattern forming method using the same
EP1975702B1 (de) 2007-03-29 2013-07-24 FUJIFILM Corporation Farbige lichthärtbare Zusammensetzung für eine Festkörperbildaufnahmevorrichtung, Farbfilter und Verfahren zur Herstellung davon, sowie Festkörperbildaufnahmevorrichtung
JP5030638B2 (ja) 2007-03-29 2012-09-19 富士フイルム株式会社 カラーフィルタ及びその製造方法
EP1974914B1 (de) 2007-03-29 2014-02-26 FUJIFILM Corporation Verfahren zur Herstellung einer Lithographiedruckplatte
EP1975710B1 (de) 2007-03-30 2013-10-23 FUJIFILM Corporation Plattenherstellungsverfahren eines Lithografiedruckplattenvorläufers
JP5159141B2 (ja) 2007-03-30 2013-03-06 富士フイルム株式会社 インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、平版印刷版の作製方法及び平版印刷版
EP1975706A3 (de) 2007-03-30 2010-03-03 FUJIFILM Corporation Lithografiedruckplattenvorläufer
US7498116B2 (en) * 2007-03-30 2009-03-03 Fujifilm Corporation Resist composition and pattern formation method using the same
CN101308329B (zh) 2007-04-06 2013-09-04 罗门哈斯电子材料有限公司 涂料组合物
US8603733B2 (en) 2007-04-13 2013-12-10 Fujifilm Corporation Pattern forming method, and resist composition, developer and rinsing solution used in the pattern forming method
KR100990106B1 (ko) 2007-04-13 2010-10-29 후지필름 가부시키가이샤 패턴형성방법, 이 패턴형성방법에 사용되는 레지스트 조성물, 현상액 및 린스액
US8034547B2 (en) * 2007-04-13 2011-10-11 Fujifilm Corporation Pattern forming method, resist composition to be used in the pattern forming method, negative developing solution to be used in the pattern forming method and rinsing solution for negative development to be used in the pattern forming method
US20080264672A1 (en) * 2007-04-26 2008-10-30 Air Products And Chemicals, Inc. Photoimprintable Low Dielectric Constant Material and Method for Making and Using Same
US8476001B2 (en) 2007-05-15 2013-07-02 Fujifilm Corporation Pattern forming method
US7985534B2 (en) * 2007-05-15 2011-07-26 Fujifilm Corporation Pattern forming method
US20080284039A1 (en) * 2007-05-18 2008-11-20 International Business Machines Corporation Interconnect structures with ternary patterned features generated from two lithographic processes
US8017296B2 (en) * 2007-05-22 2011-09-13 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective coating composition comprising fused aromatic rings
JP4617337B2 (ja) * 2007-06-12 2011-01-26 富士フイルム株式会社 パターン形成方法
US8632942B2 (en) 2007-06-12 2014-01-21 Fujifilm Corporation Method of forming patterns
JP4590431B2 (ja) * 2007-06-12 2010-12-01 富士フイルム株式会社 パターン形成方法
US8617794B2 (en) 2007-06-12 2013-12-31 Fujifilm Corporation Method of forming patterns
KR101705670B1 (ko) * 2007-06-12 2017-02-10 후지필름 가부시키가이샤 네가티브 톤 현상용 레지스트 조성물 및 이것을 사용한 패턴형성방법
JP5376844B2 (ja) 2007-06-21 2013-12-25 富士フイルム株式会社 平版印刷版原版および平版印刷方法
EP2006091B1 (de) 2007-06-22 2010-12-08 FUJIFILM Corporation Lithographiedruckplattenvorläufer und Plattenherstellungsverfahren
JP5213375B2 (ja) 2007-07-13 2013-06-19 富士フイルム株式会社 顔料分散液、硬化性組成物、それを用いるカラーフィルタ及び固体撮像素子
US20090035704A1 (en) * 2007-08-03 2009-02-05 Hong Zhuang Underlayer Coating Composition Based on a Crosslinkable Polymer
US20090042148A1 (en) * 2007-08-06 2009-02-12 Munirathna Padmanaban Photoresist Composition for Deep UV and Process Thereof
KR101585274B1 (ko) * 2007-08-09 2016-01-13 제이에스알 가부시끼가이샤 감방사선성 수지 조성물
US20090042133A1 (en) * 2007-08-10 2009-02-12 Zhong Xiang Antireflective Coating Composition
US8322874B2 (en) 2007-09-06 2012-12-04 3M Innovative Properties Company Lightguides having light extraction structures providing regional control of light output
JP5161310B2 (ja) * 2007-09-06 2013-03-13 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 成形型を形成する方法及び前記成形型を使用して物品を形成する方法
CN101795961B (zh) * 2007-09-06 2013-05-01 3M创新有限公司 用于制备微结构化制品的工具
JP5089303B2 (ja) * 2007-09-13 2012-12-05 三菱レイヨン株式会社 化学増幅型レジスト用樹脂
JP2009083106A (ja) 2007-09-27 2009-04-23 Fujifilm Corp 平版印刷版用版面保護剤及び平版印刷版の製版方法
JP4890403B2 (ja) 2007-09-27 2012-03-07 富士フイルム株式会社 平版印刷版原版
JP2009085984A (ja) 2007-09-27 2009-04-23 Fujifilm Corp 平版印刷版原版
JP4951454B2 (ja) 2007-09-28 2012-06-13 富士フイルム株式会社 平版印刷版の作成方法
JP5244518B2 (ja) 2007-09-28 2013-07-24 富士フイルム株式会社 平版印刷版原版及び平版印刷版の作製方法
JP5002399B2 (ja) 2007-09-28 2012-08-15 富士フイルム株式会社 平版印刷版原版の処理方法
JP5039493B2 (ja) * 2007-09-28 2012-10-03 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物およびこれを用いたパターン形成方法
JP5039492B2 (ja) * 2007-09-28 2012-10-03 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物およびこれを用いたパターン形成方法
JP5055077B2 (ja) 2007-09-28 2012-10-24 富士フイルム株式会社 画像形成方法および平版印刷版原版
EP2042311A1 (de) 2007-09-28 2009-04-01 FUJIFILM Corporation Lithographiedruckplattenvorläufer, Verfahren zur Herstellung einer Lithographiedruckplatte und Lithographiedruckverfahren
JP4790682B2 (ja) 2007-09-28 2011-10-12 富士フイルム株式会社 平版印刷版原版
JP4994175B2 (ja) 2007-09-28 2012-08-08 富士フイルム株式会社 平版印刷版原版、及びそれに用いる共重合体の製造方法
JP4911469B2 (ja) 2007-09-28 2012-04-04 富士フイルム株式会社 レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
EP2208100B8 (de) * 2007-10-11 2017-08-16 3M Innovative Properties Company Chromatischer konfokalsensor
US8088548B2 (en) * 2007-10-23 2012-01-03 Az Electronic Materials Usa Corp. Bottom antireflective coating compositions
JP2009199061A (ja) 2007-11-12 2009-09-03 Rohm & Haas Electronic Materials Llc オーバーコートされたフォトレジストと共に用いるためのコーティング組成物
CN101855026A (zh) 2007-11-14 2010-10-06 富士胶片株式会社 干燥涂布膜的方法和制造平版印刷版前体的方法
US8039201B2 (en) * 2007-11-21 2011-10-18 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective coating composition and process thereof
US7858287B2 (en) * 2007-11-30 2010-12-28 Hyogo Prefecture Photosensitive resin, and photosensitive composition
JP2009139852A (ja) 2007-12-10 2009-06-25 Fujifilm Corp 平版印刷版の作製方法及び平版印刷版原版
EP2232531B1 (de) * 2007-12-12 2018-09-19 3M Innovative Properties Company Verfahren zur herstellung von strukturen mit verbesserter kantendefinition
US20090162800A1 (en) * 2007-12-20 2009-06-25 David Abdallah Process for Imaging a Photoresist Coated over an Antireflective Coating
JP5066452B2 (ja) 2008-01-09 2012-11-07 富士フイルム株式会社 平版印刷版用現像処理方法
JP2009186997A (ja) 2008-01-11 2009-08-20 Fujifilm Corp 平版印刷版原版、平版印刷版の作製方法及び平版印刷版方法
JP5155677B2 (ja) 2008-01-22 2013-03-06 富士フイルム株式会社 平版印刷版原版、およびその製版方法
TWI452419B (zh) * 2008-01-28 2014-09-11 Az Electronic Mat Ip Japan Kk 細微圖案光罩及其製造方法、及使用其之細微圖案形成方法
JP2009184188A (ja) 2008-02-05 2009-08-20 Fujifilm Corp 平版印刷版原版および印刷方法
US8605256B2 (en) * 2008-02-26 2013-12-10 3M Innovative Properties Company Multi-photon exposure system
JP5175582B2 (ja) 2008-03-10 2013-04-03 富士フイルム株式会社 平版印刷版の作製方法
JP2009214428A (ja) 2008-03-11 2009-09-24 Fujifilm Corp 平版印刷版原版および平版印刷方法
JP2009229771A (ja) 2008-03-21 2009-10-08 Fujifilm Corp 平版印刷版用自動現像方法
JP4940174B2 (ja) 2008-03-21 2012-05-30 富士フイルム株式会社 平版印刷版用自動現像装置
JP2009236355A (ja) 2008-03-26 2009-10-15 Fujifilm Corp 乾燥方法及び装置
US7989144B2 (en) * 2008-04-01 2011-08-02 Az Electronic Materials Usa Corp Antireflective coating composition
US20090253080A1 (en) * 2008-04-02 2009-10-08 Dammel Ralph R Photoresist Image-Forming Process Using Double Patterning
US20090253081A1 (en) * 2008-04-02 2009-10-08 David Abdallah Process for Shrinking Dimensions Between Photoresist Pattern Comprising a Pattern Hardening Step
JP5164640B2 (ja) 2008-04-02 2013-03-21 富士フイルム株式会社 平版印刷版原版
US7932018B2 (en) * 2008-05-06 2011-04-26 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective coating composition
IL196690A0 (en) * 2008-05-29 2011-08-01 Plasan Sasa Ltd Interchangeable door
US8221965B2 (en) * 2008-07-08 2012-07-17 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective coating compositions
US8329387B2 (en) 2008-07-08 2012-12-11 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective coating compositions
JP5364444B2 (ja) * 2008-07-15 2013-12-11 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物、酸発生剤
US20100040838A1 (en) * 2008-08-15 2010-02-18 Abdallah David J Hardmask Process for Forming a Reverse Tone Image
JP5183380B2 (ja) 2008-09-09 2013-04-17 富士フイルム株式会社 赤外線レーザ用感光性平版印刷版原版
US20100092894A1 (en) * 2008-10-14 2010-04-15 Weihong Liu Bottom Antireflective Coating Compositions
JP5591465B2 (ja) 2008-10-30 2014-09-17 丸善石油化学株式会社 濃度が均一な半導体リソグラフィー用共重合体溶液の製造方法
US8455176B2 (en) * 2008-11-12 2013-06-04 Az Electronic Materials Usa Corp. Coating composition
US20100119980A1 (en) * 2008-11-13 2010-05-13 Rahman M Dalil Antireflective Coating Composition Comprising Fused Aromatic Rings
US20100119979A1 (en) * 2008-11-13 2010-05-13 Rahman M Dalil Antireflective Coating Composition Comprising Fused Aromatic Rings
JP4753056B2 (ja) * 2008-11-28 2011-08-17 信越化学工業株式会社 アセタール化合物、その製造方法、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
US20100136477A1 (en) 2008-12-01 2010-06-03 Ng Edward W Photosensitive Composition
EP2216684B1 (de) 2009-02-08 2015-10-07 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Verfahren zur Herstellung eines fotoresist Bild mit einer Unterschicht
EP2216683B1 (de) 2009-02-08 2018-11-14 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Mit einer Antireflexionszusammensetzung und einem Photoresist beschichtete Substrate
US8084186B2 (en) * 2009-02-10 2011-12-27 Az Electronic Materials Usa Corp. Hardmask process for forming a reverse tone image using polysilazane
US20100203450A1 (en) 2009-02-11 2010-08-12 International Business Machines Corporation Photoresist compositions and methods of use
JP5537920B2 (ja) 2009-03-26 2014-07-02 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、これを用いたレジスト膜、及び、パターン形成方法
WO2010117102A1 (ko) 2009-04-09 2010-10-14 서강대학교 산학협력단 콜로이드 입자들을 단결정들로 정렬하는 방법
KR20120012792A (ko) 2009-04-15 2012-02-10 제이에스알 가부시끼가이샤 감방사선성 수지 조성물, 이것에 이용하는 중합체 및 이것에 이용하는 화합물
US8501383B2 (en) 2009-05-20 2013-08-06 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Coating compositions for use with an overcoated photoresist
US9244352B2 (en) 2009-05-20 2016-01-26 Rohm And Haas Electronic Materials, Llc Coating compositions for use with an overcoated photoresist
US20100316949A1 (en) * 2009-06-10 2010-12-16 Rahman M Dalil Spin On Organic Antireflective Coating Composition Comprising Polymer with Fused Aromatic Rings
US8883407B2 (en) 2009-06-12 2014-11-11 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Coating compositions suitable for use with an overcoated photoresist
TWI416256B (zh) 2009-06-16 2013-11-21 Jsr Corp Sensitive radiation linear resin composition
US8338077B2 (en) 2009-06-22 2012-12-25 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Photoacid generators and photoresists comprising same
US9057951B2 (en) 2009-08-26 2015-06-16 International Business Machines Corporation Chemically amplified photoresist composition and process for its use
WO2011030737A1 (ja) 2009-09-11 2011-03-17 Jsr株式会社 感放射線性組成物及び新規化合物
CN105082725B (zh) 2009-09-24 2018-05-04 富士胶片株式会社 平版印刷版原版
US8632948B2 (en) * 2009-09-30 2014-01-21 Az Electronic Materials Usa Corp. Positive-working photoimageable bottom antireflective coating
US8551686B2 (en) 2009-10-30 2013-10-08 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective composition for photoresists
TWI477495B (zh) 2009-12-10 2015-03-21 羅門哈斯電子材料有限公司 光酸產生劑及含該光酸產生劑之光阻
KR101806155B1 (ko) 2009-12-10 2017-12-07 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 콜레이트 광산 발생제 및 이를 포함하는 포토레지스트
CN104130172B (zh) 2009-12-14 2016-05-18 罗门哈斯电子材料有限公司 磺酰光酸产生剂和包含该磺酰光酸产生剂的光刻胶
CN102184851B (zh) 2009-12-15 2015-07-15 罗门哈斯电子材料有限公司 光致抗蚀剂及其使用方法
KR101846835B1 (ko) 2009-12-15 2018-04-09 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 포토레지스트 및 그 사용방법
US8815754B2 (en) 2009-12-15 2014-08-26 Rohm And Haas Electronics Materials Llc Photoresists and methods for use thereof
US8623458B2 (en) 2009-12-18 2014-01-07 International Business Machines Corporation Methods of directed self-assembly, and layered structures formed therefrom
WO2011077993A1 (ja) 2009-12-22 2011-06-30 Jsr株式会社 感放射線性組成物
US8486609B2 (en) * 2009-12-23 2013-07-16 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective coating composition and process thereof
EP2521941A4 (de) * 2010-01-08 2013-10-23 Fujifilm Corp Musterbildungsvorrichtung, gegenüber aktinischer strahlen oder strahlung empfindliche harzzusammensetzung und resistfilm
CN102207678B (zh) 2010-01-25 2015-05-20 罗门哈斯电子材料有限公司 包含含氮化合物的光致抗蚀剂
US8507192B2 (en) * 2010-02-18 2013-08-13 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective compositions and methods of using same
US9223209B2 (en) 2010-02-19 2015-12-29 International Business Machines Corporation Sulfonamide-containing photoresist compositions and methods of use
JP5969171B2 (ja) 2010-03-31 2016-08-17 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC 光酸発生剤およびこれを含むフォトレジスト
JP5756672B2 (ja) 2010-04-27 2015-07-29 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC 光酸発生剤およびこれを含むフォトレジスト
KR101786145B1 (ko) 2010-05-20 2017-10-17 제이에스알 가부시끼가이샤 감방사선성 수지 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 중합체 및 화합물
US8445181B2 (en) 2010-06-03 2013-05-21 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective coating composition and process thereof
US8852848B2 (en) 2010-07-28 2014-10-07 Z Electronic Materials USA Corp. Composition for coating over a photoresist pattern
WO2012023374A1 (ja) 2010-08-17 2012-02-23 Jsr株式会社 感放射線性組成物及び新規化合物
JP5729114B2 (ja) 2010-08-19 2015-06-03 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、パターン形成方法、重合体及び化合物
KR101881600B1 (ko) 2010-08-19 2018-07-24 제이에스알 가부시끼가이샤 감방사선성 수지 조성물, 패턴 형성 방법, 중합체 및 화합물
WO2012060827A1 (en) 2010-11-03 2012-05-10 Empire Technology Development Llc Lithography using photoresist with photoinitiator and photoinhibitor
US20120122029A1 (en) 2010-11-11 2012-05-17 Takanori Kudo Underlayer Developable Coating Compositions and Processes Thereof
WO2012070548A1 (ja) 2010-11-26 2012-05-31 Jsr株式会社 感放射線性組成物及び化合物
JP5690703B2 (ja) * 2010-11-30 2015-03-25 富士フイルム株式会社 ネガ型パターン形成方法及びレジストパターン
WO2012090959A1 (ja) 2010-12-28 2012-07-05 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物及び化合物
EP2472327A1 (de) 2010-12-30 2012-07-04 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Fotoresiste und Verwendungsverfahren dafür
EP2472328B1 (de) 2010-12-31 2013-06-19 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Beschichtungszusammensetzungen zur Verwendung mit einem beschichteten Fotolack
EP2472329B1 (de) 2010-12-31 2013-06-05 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Beschichtungszusammensetzungen zur Verwendung mit einem beschichteten Fotolack
CN106671317A (zh) 2011-02-02 2017-05-17 3M创新有限公司 喷嘴及其制备方法
KR101953077B1 (ko) 2011-02-04 2019-02-27 제이에스알 가부시끼가이샤 포토레지스트 조성물
US8465902B2 (en) 2011-02-08 2013-06-18 Az Electronic Materials Usa Corp. Underlayer coating composition and processes thereof
JP5386527B2 (ja) * 2011-02-18 2014-01-15 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びレジスト膜
US8906590B2 (en) 2011-03-30 2014-12-09 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective coating composition and process thereof
JP5786426B2 (ja) 2011-04-11 2015-09-30 Jsr株式会社 フォトレジスト組成物、レジストパターン形成方法
US9599895B2 (en) 2011-04-12 2017-03-21 Empire Technology Development Llc Lithography using photoresist with photoinitiator and photoinhibitor
JP5772717B2 (ja) * 2011-05-30 2015-09-02 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
US8623589B2 (en) 2011-06-06 2014-01-07 Az Electronic Materials Usa Corp. Bottom antireflective coating compositions and processes thereof
JP5995963B2 (ja) 2011-06-08 2016-09-21 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー ポリマー連結ナノ粒子を含有するフォトレジスト
US8568958B2 (en) 2011-06-21 2013-10-29 Az Electronic Materials Usa Corp. Underlayer composition and process thereof
JP5889568B2 (ja) 2011-08-11 2016-03-22 メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングMerck Patent GmbH 酸化タングステン膜形成用組成物およびそれを用いた酸化タングステン膜の製造法
JP6028732B2 (ja) 2011-08-16 2016-11-16 Jsr株式会社 フォトレジスト組成物
JP2013225094A (ja) 2011-10-07 2013-10-31 Jsr Corp フォトレジスト組成物及びレジストパターン形成方法
US20130105440A1 (en) 2011-11-01 2013-05-02 Az Electronic Materials Usa Corp. Nanocomposite negative photosensitive composition and use thereof
US20130108956A1 (en) 2011-11-01 2013-05-02 Az Electronic Materials Usa Corp. Nanocomposite positive photosensitive composition and use thereof
US8968586B2 (en) 2012-02-15 2015-03-03 Jsr Corporation Pattern-forming method
WO2013122979A1 (en) 2012-02-15 2013-08-22 Chirhoclin, Inc. Methods for treating pain associated with chronic pancreatitis
US11635688B2 (en) 2012-03-08 2023-04-25 Kayaku Advanced Materials, Inc. Photoimageable compositions and processes for fabrication of relief patterns on low surface energy substrates
KR102025782B1 (ko) 2012-03-19 2019-09-26 제이에스알 가부시끼가이샤 레지스트 패턴 형성 방법 및 포토레지스트 조성물
KR102070057B1 (ko) 2012-03-19 2020-01-29 제이에스알 가부시끼가이샤 포토레지스트 조성물, 화합물 및 그의 제조 방법
JP5490168B2 (ja) 2012-03-23 2014-05-14 富士フイルム株式会社 平版印刷版原版及び平版印刷版の作製方法
JP5512730B2 (ja) 2012-03-30 2014-06-04 富士フイルム株式会社 平版印刷版の作製方法
JP6019677B2 (ja) 2012-04-02 2016-11-02 Jsr株式会社 フォトレジスト組成物及びレジストパターン形成方法
US8846295B2 (en) 2012-04-27 2014-09-30 International Business Machines Corporation Photoresist composition containing a protected hydroxyl group for negative development and pattern forming method using thereof
US11406718B2 (en) 2012-05-29 2022-08-09 Chirhoclin, Inc. Methods of detecting pancreobiliary ductal leaks
US9170494B2 (en) 2012-06-19 2015-10-27 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Antireflective compositions and methods of using same
US8906592B2 (en) 2012-08-01 2014-12-09 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Antireflective coating composition and process thereof
JP5764589B2 (ja) 2012-10-31 2015-08-19 富士フイルム株式会社 化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液の収容容器、並びに、これらを使用したパターン形成方法及び電子デバイスの製造方法
JP5982442B2 (ja) * 2012-10-31 2016-08-31 富士フイルム株式会社 化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液、並びに、これを使用したパターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法
US9315636B2 (en) 2012-12-07 2016-04-19 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Stable metal compounds, their compositions and methods
US20150060113A1 (en) 2013-01-22 2015-03-05 Yongcai Wang Photocurable composition, article, and method of use
US9017934B2 (en) 2013-03-08 2015-04-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist defect reduction system and method
US9543147B2 (en) 2013-03-12 2017-01-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist and method of manufacture
US9502231B2 (en) 2013-03-12 2016-11-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist layer and method
US9245751B2 (en) 2013-03-12 2016-01-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Anti-reflective layer and method
US9256128B2 (en) 2013-03-12 2016-02-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8932799B2 (en) 2013-03-12 2015-01-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist system and method
US9175173B2 (en) 2013-03-12 2015-11-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Unlocking layer and method
US9354521B2 (en) 2013-03-12 2016-05-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist system and method
US9110376B2 (en) 2013-03-12 2015-08-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist system and method
US9117881B2 (en) 2013-03-15 2015-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Conductive line system and process
KR20150143411A (ko) 2013-04-17 2015-12-23 제이에스알 가부시끼가이샤 반도체 소자의 제조 방법 및 이온 주입 방법
US9291909B2 (en) 2013-05-17 2016-03-22 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Composition comprising a polymeric thermal acid generator and processes thereof
US9152051B2 (en) 2013-06-13 2015-10-06 Az Electronics Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Antireflective coating composition and process thereof
US9201305B2 (en) 2013-06-28 2015-12-01 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Spin-on compositions of soluble metal oxide carboxylates and methods of their use
JP6292059B2 (ja) 2013-08-13 2018-03-14 Jsr株式会社 基板の加工方法
US9341945B2 (en) 2013-08-22 2016-05-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist and method of formation and use
US9296922B2 (en) 2013-08-30 2016-03-29 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Stable metal compounds as hardmasks and filling materials, their compositions and methods of use
US20150110867A1 (en) 2013-10-23 2015-04-23 Lawrence Livermore National Security, Llc Techniques for release of material into an environment
US9122161B2 (en) 2013-11-05 2015-09-01 Eastman Kodak Company Electroless plating method using bleaching
US9023560B1 (en) 2013-11-05 2015-05-05 Eastman Kodak Company Electroless plating method using non-reducing agent
US8936890B1 (en) 2013-11-05 2015-01-20 Eastman Kodak Company Electroless plating method
US9005854B1 (en) 2013-11-05 2015-04-14 Eastman Kodak Company Electroless plating method using halide
US9128378B2 (en) 2013-11-05 2015-09-08 Eastman Kodak Company Forming conductive metal patterns with reactive polymers
US10036953B2 (en) 2013-11-08 2018-07-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Photoresist system and method
US9155201B2 (en) 2013-12-03 2015-10-06 Eastman Kodak Company Preparation of articles with conductive micro-wire pattern
US10095113B2 (en) 2013-12-06 2018-10-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Photoresist and method
US9761449B2 (en) 2013-12-30 2017-09-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Gap filling materials and methods
US9418836B2 (en) 2014-01-14 2016-08-16 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Polyoxometalate and heteropolyoxometalate compositions and methods for their use
US9409793B2 (en) 2014-01-14 2016-08-09 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Spin coatable metallic hard mask compositions and processes thereof
US9599896B2 (en) 2014-03-14 2017-03-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist system and method
US9274426B2 (en) 2014-04-29 2016-03-01 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Antireflective coating compositions and processes thereof
US9581908B2 (en) 2014-05-16 2017-02-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist and method
JP6405772B2 (ja) * 2014-07-31 2018-10-17 住友化学株式会社 組成物およびそれを用いた有機薄膜トランジスタ
JP6363431B2 (ja) 2014-08-27 2018-07-25 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
US9499698B2 (en) 2015-02-11 2016-11-22 Az Electronic Materials (Luxembourg)S.A.R.L. Metal hardmask composition and processes for forming fine patterns on semiconductor substrates
US10241409B2 (en) 2015-12-22 2019-03-26 AZ Electronic Materials (Luxembourg) S.à.r.l. Materials containing metal oxides, processes for making same, and processes for using same
US11421128B2 (en) 2016-12-21 2022-08-23 Merck Patent Gmbh Composition of spin-on materials containing metal oxide nanoparticles and an organic polymer
SG11202001741PA (en) 2017-09-06 2020-03-30 Merck Patent Gmbh Spin-on inorganic oxide containing composition useful as hard masks and filling materials with improved thermal stability
US20210277017A1 (en) 2018-07-19 2021-09-09 Lintfield Limited Thioxanthone Derivatives, Composition Comprising the Same and Pattern Forming Method Comprising Said Composition
GB202000736D0 (en) 2020-01-17 2020-03-04 Lintfield Ltd Modified thioxanthone photoinitators
US11744878B2 (en) 2020-08-19 2023-09-05 Chirhoclin, Inc. Methods for treatment of COVID-19 syndrome
TW202302514A (zh) 2021-05-06 2023-01-16 德商馬克專利公司 旋塗式金屬有機調配物

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB844039A (en) * 1959-02-20 1960-08-10 Kalle & Co Ag Improvements in or relating to photo-mechanical reproduction
US3515552A (en) * 1966-09-16 1970-06-02 Minnesota Mining & Mfg Light-sensitive imaging sheet and method of using
US3536489A (en) * 1966-09-16 1970-10-27 Minnesota Mining & Mfg Heterocyclic iminoaromatic-halogen containing photoinitiator light sensitive compositions
US3779778A (en) * 1972-02-09 1973-12-18 Minnesota Mining & Mfg Photosolubilizable compositions and elements
US3782939A (en) * 1972-02-09 1974-01-01 Mining And Mfg Co Dry positive-acting photoresist
US4210449A (en) * 1972-10-16 1980-07-01 American Can Company Radiation sensitive composition comprising copolymer of glycidyl methacrylate and allyl glycidyl ether and diazonium salt of complex halogenide
CA1005673A (en) * 1972-12-22 1977-02-22 Constantine C. Petropoulos Positive printing plate incorporating diazoquinone
US3859099A (en) * 1972-12-22 1975-01-07 Eastman Kodak Co Positive plate incorporating diazoquinone
US3984253A (en) * 1974-04-22 1976-10-05 Eastman Kodak Company Imaging processes and elements therefor
CH621416A5 (de) * 1975-03-27 1981-01-30 Hoechst Ag
DE2529054C2 (de) * 1975-06-30 1982-04-29 Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart Verfahren zur Herstellung eines zur Vorlage negativen Resistbildes
US4193799A (en) * 1976-07-09 1980-03-18 General Electric Company Method of making printing plates and printed circuit
JPS5381116A (en) * 1976-12-25 1978-07-18 Agency Of Ind Science & Technol Radiation sensitive polymer and its working method
DE2718254C3 (de) * 1977-04-25 1980-04-10 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Strahlungsempfindliche Kopiermasse
US4273668A (en) * 1977-09-14 1981-06-16 General Electric Company Arylsulfonium salt-solvent mixtures
US4250053A (en) * 1979-05-21 1981-02-10 Minnesota Mining And Manufacturing Company Sensitized aromatic iodonium or aromatic sulfonium salt photoinitiator systems
DE2928636A1 (de) * 1979-07-16 1981-02-12 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefbildern
JPS5629232A (en) * 1979-08-16 1981-03-24 Fujitsu Ltd Pattern forming material
JPS5639539A (en) * 1979-09-07 1981-04-15 Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Pattern forming method
NL8101200A (nl) * 1981-03-12 1982-10-01 Philips Nv Werkwijze voor het aanbrengen van een resistmateriaal op een drager en resist-materiaal.
JPS5868743A (ja) * 1981-10-21 1983-04-23 Hitachi Ltd 放射線感応性有機高分子材料

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112010004848B4 (de) * 2009-12-18 2016-08-25 Globalfoundries Inc. Verfahren zur gezielten Selbstorganisation mit Immersionslithographie bei 193 nm

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5945439A (ja) 1984-03-14
JPH0227660B2 (de) 1990-06-19
EP0404206A2 (de) 1990-12-27
EP0404206B1 (de) 1996-09-04
US4491628A (en) 1985-01-01
EP0102450A2 (de) 1984-03-14
DE3382809D1 (de) 1996-10-10
EP0102450B1 (de) 1991-09-04
EP0404206A3 (de) 1991-02-27
DE3382401D1 (de) 1991-10-10
EP0102450A3 (en) 1986-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3382809T2 (de) Photolackzusammensetzung
DE19721693B4 (de) Photoresists mit Vinyl-4-Tetrahydropyranyloxybenzal-Vinyl-4-Hydroxybenzal-Vinyltetrahydropyranylether-Vinylacetat-Copolymer und mit Vinyl-4-Tetrahydropyranyloxybenzal-Vinyltetrahydropyranylether-Vinylacetat-Copolymer
DE69726542T2 (de) Chemisch verstärkte Resistzusammensetzung
DE69800033T2 (de) Strahlungsempfindliches Resistmaterial und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung unter Benutzung des strahlungsempfindlichen Resistmaterials
EP0342498B1 (de) Positiv und negativ arbeitende strahlungsempfindliche Gemische sowie Verfahren zur Herstellung von Reliefmustern
DE19637425B4 (de) Neue N-Vinyllactam-Derivate und deren Polymere
DE2352139C2 (de) Lichtempfindliches Gemisch
DE3750937T2 (de) Lithographische Methode unter Benutzung hochempfindlicher, wärmebeständiger Photolacke, die ein Netz von Wasserstoffbrücken bilden.
EP0342496B1 (de) Strahlungsempfindliches Gemisch und Verfahren zur Herstellung von Reliefmustern
EP0342495B1 (de) Strahlungsempfindliches Gemisch und Verfahren zur Herstellung von Reliefmustern
DE69618752T2 (de) Resistzusammensetzung mit strahlungsempfindlichem Säuergenerator
EP0291994A2 (de) Photoresistgemisch und hiermit hergestelltes Photoresistmaterial enthaltend ein Polymer blockkierten Imidgruppen, sowie hierfür geeignetes Maleinsäureimidmonomer
DE3721741A1 (de) Strahlungsempfindliches gemisch fuer lichtempfindliche beschichtungsmaterialien
DE19721694A1 (de) N-Vinyllactamderivate enthaltende Copolymere, Herstellungsverfahren hierfür und hieraus hergestellte Photoresists
DE10251667A1 (de) Photosensitives Polymer mit einer fluorierten Ethylenglykol-Gruppe und dieses umfassende chemisch verstärkte Resist-Zusammensetzung
DE3751745T2 (de) Hochempfindliche Resiste mit Selbstzersetzungstemperatur grösser als etwa 160 Grad Celsius
DE2641624A1 (de) Verfahren zur herstellung eines positiven resistbildes
DE1963731A1 (de) Photocyclomerisation von Bismaleimiden
DE3854364T2 (de) Positiv arbeitende lichtempfindliche Harzzusammensetzung.
DE2817607C2 (de)
DE19940515A1 (de) Neue Monomere für Photoresiste, deren Polymere und Photoresist-Zusammensetzungen, die diese verwenden
EP0475903B1 (de) Säurelabile Lösungsinhibitoren und darauf basierende positiv und negativ arbeitende strahlungsempfindliche Zusammensetzung
DE102005060061A1 (de) Polymer für die Immersionslithographie, Photoresistzusammensetzung, die selbiges enthält, Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung und Halbleitervorrichtung
DE68929206T2 (de) Lithographisches Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
DE60211883T2 (de) Polycyclische, fluor enthaltende polymere und photoresist für mikrolithographie

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee