DE1185449B - Einrichtung zum Herstellen von reinsten Halbleiterstoffen - Google Patents

Einrichtung zum Herstellen von reinsten Halbleiterstoffen

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DE1185449B DES50407A DES0050407A DE1185449B DE 1185449 B DE1185449 B DE 1185449B DE S50407 A DES50407 A DE S50407A DE S0050407 A DES0050407 A DE S0050407A DE 1185449 B DE1185449 B DE 1185449B
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Description

  • Einrichtung zum Herstellen von reinsten Halbleiterstoffen Im Patent 1102117 ist ein Verfahren zum Herstellen von reinstem Silicium beschrieben, bei dem eine Siliciumverbindung in Gasform thermisch unter Bildung von freiem Silicium zersetzt und das aus der Gasphase anfallende Silicium auf einen erhitzten Siliciumträgerkörper abgeschieden wird und welches dadurch gekennzeichnet ist, daß ein langgestreckter draht- oder fadenförmiger Trägerkörper aus Silicium mit einem Reinheitsgrad, der mindestens dem Reinheitsgrad des zu gewinnenden Siliciums entspricht, verwendet wird, der Trägerkörper zunächst vorgewärmt und anschließend zur Durchführung des Abscheidevorganges durch direkten Stromdurchgang weiter erhitzt und auf Reaktionstemperatur gehalten wird. Bei diesen und ähnlichen Herstellungsverfahren von Halbleitermaterialien, insbesondere von Silicium und Germanium, ist die Abscheidung auf die Oberfläche des Trägerkörpers beschränkt. Deshalb bleibt ein verhältnismäßig großer Teil des Reaktionsgases unausgenutzt. Als weiterer Nachteil stellt sich die Abscheidung an unerwünschten Stellen der Apparatur ein.
  • Diese Nachteile lassen sich durch die Erfindung beseitigen.
  • Die Erfindung bezieht sich auf eine Einrichtung zum Herstellen von reinsten Halbleiterstoffen, beispielsweise Silicium und Germanium, aus der Gasphase, vorzugsweise durch thermische Zersetzung, wobei das anfallende Halbleitermaterial auf einen aus dem zu gewinnenden Halbleiter bereits bestehenden Trägerkörper niedergeschlagen wird, und ist dadurch gekennzeichnet, daß der Trägerkörper als Reaktionsgefäß ausgebildet ist, auf dessen Innenwandung sich der Halbleiterstoff durch Zersetzen einer gasförmigen Verbindung niederschlägt.
  • Weitere Einzelheiten der Erfindung gehen aus zwei Ausführungsbeispielen hervor.
  • In der Figur ist ein Beispiel der Einrichtung gemäß der Erfindung im Querschnitt dargestellt. 3 zeigt eine Schutzwand, beispielsweise aus Quarz, in der einige parallel zueinander stehende und sich berührende Siliciumstäbe 2 angeordnet sind, welche einen gemeinsamen Hohlraum frei lassen. Die gasförmige Halbleiterverbindung wird durch den Innenraum 1, der durch die vorzugsweise stromerhitzten Halbleiterstäbe gebildet wird, hindurchgeleitet. Das kristalline Halbleitermaterial schlägt sich dann an der Innenwandung der Stäbe nieder. Im Laufe der Zeit verdicken sich auf diese Weise die Stäbe. Im Maße der Verdickung können diese dann radial so weit nach außen bewegt werden, daß jeweils die Berührung zwischen zwei Stäben erhalten bleibt. Um eine gleichmäßige radiale Ausbildung der Stäbe zu erzielen, kann es zweckmäßig sein, die einzelnen Stäbe rotieren zu lassen, so daß auf jedem Teil ihrer Oberfläche gleichmäßig Silicium niedergeschlagen wird.
  • An Stelle der Siliciumstäbe kann auch ein heißes Siliciumrohr als Trägerkörper verwendet werden, durch dessen Innenwandung die gasförmige Halbleiterverbindung hindurchgeleitet wird und worauf sich kristallines Halbleitermaterial niederschlägt. Das Siliciumrohr kann beispielsweise aus einer dünnen Siliciumhaut gefertigt sein und nach dem beschriebenen Verfahren dann auf der Innenseite mit Silicium ausgefüllt werden.

Claims (4)

  1. Patentansprüche: 1. Einrichtung zum Herstellen von reinsten Halbleiterstoffen, beispielsweise Silicium und Germanium, aus der Gasphase, vorzugsweise durch thermische Zersetzung, wobei das anfallende Halbleitermaterial auf einen aus dem zu gewinnenden Halbleiter bereits bestehenden Trägerkörper niedergeschlagen wird, zur Durchführung des Verfahrens nach Patent 1102 117, da -durch gekennzeichnet, daß der Trägerkörper als Reaktionsgefäß ausgebildet ist, auf dessen Innenwandung sich der Halbleiterstoff durch Zersetzen einer gasförmigen Verbindung niederschlägt.
  2. 2. Einrichtung nach Anspruch 1, insbesondere für die Herstellung von Silicium, dadurch gekennzeichnet, daß als Reaktionsgefäß ein geschlossenes Halbleiterrohr verwendet ist.
  3. 3. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens drei, vorzugsweise mehrere Halbleiterstäbe, insbesondere Siliciumstäbe, als Wandung des Reaktionsgefäßes so angeordnet sind, daß sie sich -paarweise parallel zu ihrer Längsachse berühren und einen Raum einschließen, innerhalb dessen die Zersetzung stattfindet.
  4. 4. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Rohr oder die Stäbe Rotationsbewegungen ausführen.
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