DE2928456C2 - Verfahren zur Herstellung von hochreinem Silicium - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von hochreinem SiliciumInfo
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von hochreinein Silicium durch thermische Zersetzung
seiner gasförmigen Verbindungen auf zumindest in der Anfangsphase in Parallelschaltung angeordneten und
durch elektrischen Stromdurchgang auf die Zersetzungstemperatur der jeweilig eingesetzten Verbindung
aufgeheizten Trägerkörpergrappen.
Es ist bekannt, daß für die Erhitzung der Trägerkörper, als welche üblicherweise Dünnstäbe aus hochreinem Silicium eingesetzt werden, pro Stablänge eine
genau definierte Leistung erforderlich ist Abhängig vom Stabwiderstand, welcher mit steigender Temperatür des Stabes sinkt, stellt sich ein bestimmter Strom
bzw. eine bestimmte Spannung ein. Üblicherweise werden dabei schon aus rein wirtschaftlichen Gründen
mehrere Trägerstäbe eingesetzt, die alle die gleiche
Temperatur aufweisen müssen, ua anderenfalls das Dickenwachstum der heißeren Stäbe auf Kosten der
kühleren Stäbe beschleunigt würde. Die einzelnen Stäbe weisen aber nur dann die gleiche Temperatur auf, wenn
sie alle vom jeweils gleichen Strom durchflossen werden. Zwar wird in der DE-OS 23 58 053 die
Parallelschaltung der Trägerkörper in einem Nebensatz: als theoretische Möglichkeit angesprochen. Jedoch
enthält diese Anmeldung keinerlei Hinweis, wie bei; einer solchen Parallelschaltung angesichts der negativen Temperaturwiderstandscharakteristik des Siliciums
das schwierige Problem zu lösen ist, den jeweils gleichen Stromfluß in den Trägerkörpern zu gewährleisten. In
der Praxis wird diese Schwierigkeit dadurch umgangen, daß ausschließlich eine Reihenschaltung der Trägerkörper realisiert ist Die Gesamtlänge aller in der so
Abscheidvorrichtung eingesetzten Trägerkörper wird hierbei durch die Betriebsspannung, für welche die
Anlage ausgelegt ist, begrenzt
Ausgehend von diesem Stand der Technik lag der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, an sich
bekannte Abscheideanlagen ohne Überschreitung einer bestimmten Grenzspannung durch Einbringen von
mehr Trägerkörpern bzw. einer größeren Gesamtlänge derselben optimal zu nutzen.
Gelöst wird diese Aufgäbe durch ein Verfahren, welches dadurch gekennzeichnet ist, daß der Strom in
den parallelgeschalteten Trägerkörpergruppen durch das Zwischenschalten von Stromteilerdrosseln in die
aufgefächerten Parallelstromkreise jeweils gleich gehalten wird.
Die Wirkungsweise einer derartigen Stromteilerdrossel oder auch Stromwaage stellt sich im Prinzip so dar,
daß in jedem zweier Parallelstromzweige eine Wicklung
eines und desselben 2-Wicklungs-Transformators eingeschleust wird. Im stationären Zustand ist dieser
Transformator wirkungslos. Jede Stromänderung in einer der beiden Wicklungen stört das Amperewindungsgleichgewicht und in der anderen Wicklung wird
eine Spannung induziert, die in dem ihr zugeordneten
Parallelkreis eine gleichsinnige Änderung bewirkt, bis das Amperewindungsgleichgewicht wieder hergestellt
ist
Das Zünden der 2, 4, 8 oder beispielsweise auch 16
Trägerkörpergruppen, wobei die in einer Trägerkörpergruppe realisierte Stablänge insgesamt bei einer
Spannungsbegrenzung von beispielsweise 1000 Volt etwa 4,5 m beträgt, erfolgt durch Anlegen eben dieser
maximal möglichen Spannung an jede Gruppe. Dadurch stellt sich entsprechend dem Widerstand der Trägerkörpergruppe ein kleiner Strom je Parallelzweig ein. Dieser
Stromfluß bewirkt eine Temperaturerhöhung der Trägerkörper, wodurch wiederum der Widerstand
absinkt und infolgedessen ein größerer Strom durch den jeweiligen Trägerkörper fließt, der zu einer weiteren
Temperaturerhöhung der Trägerkörper führt Mittels einer Temperaturregeleinrichtung wird dieser Vorgang
zweckmäßig überwacht wobei der vermittels eines Temperaturmeßgerätes gemessene Ist-Wert der
Trägerkörpertemperatur mit einem in der Temperaturregeleinrichtung vorgegebenen Soll-Wert verglichen
wird. Hierdurch wird ein Temperaturgleichgewicht innerhalb des Reaktionsraumes der Abscheideapparatur eingestellt Durch die mit der Temperaturerhöhung
einhergehende Absenkung des Widerstandes der Trägerkörper steigt während des Zündvorganges der
Strom bis zu einem voreingestellten Soll-Wert an, während gleichzeitig die Spannung absinkt
Die Voraussetzung dafür, daß alle Trägerkörper auf gleiche Temperatur erhitzt werden, ist daß alle
Trägerkörpergruppen vom gleichen Strom durchflossen werden. Dies läßt sich erfindungsgemäß besonders
einfach durch die Einschleusung vorvtshend beschriebener Stromteilerdrosseln realisieren. Der Aufwand für
die Konstantregelung der Ströme in den einzelnen Stromzweigen läßt sich hierdurch erheblich kleiner
halten als beispielsweise bei Verwendung aufwendig bestückter Regelkreise mit zum Teil störanfälligen
Bauelementen, welche vor allem bei Betriebsunregelmäßigkeiten wie Stabbrüchen oder Körperschlüssen
einen wirtschaftlichen Betrieb erschweren.
Während des Abscheidevorganges wächst der Durchmesser der Trägerkörper. Zur Konstanthaltung einer
bestimmtun Abscheidetemperatur, die üblicherweise bei der Abscheidung von Silicium aus Wasserstoff-TrichlorsHangemischen etwa bei 1150 bis 1250° C liegt muß der
den Trägerkörper durchfließende Strom kontinuierlich gesteigert werden. Dies läßt sich beispielsweise durch
eine Temperaturregelung mit unterlagerter Stromregelung erreichen. Mit steigendem Durchmesser sinkt der
Widerstand der Trägerkörper. Dies bedeutet aber, daß bei steigendem Strom die Spannung sinken muß, da der
Leistungsbedarf nicht proportional der Widerstandsabnahme ansteigt
Die Tatsache, daß der Stromfluß in aiien Trägerkörpergruppen einer Abscheideapparatur gleich ist wobei
ein bestimmter Trägerkörper die Führungsgröße für die Regelung liefert, verhindert ein weiteres Auseinanderwachsen der Stabtemperaturen und Durchmesser der
einzelnen Trägerkörper. Dies ist dadurch begründet daß bei größerem Durchmesser aber gleichem Strom
eines bestimmten Trägerkörpers gegenüber dem
Trägerkörper, welcher die Führungsgröße liefert, die
Temperatur desselben und damit die Abscheidungsrate in der Zeiteinheit sinkt. Bei kleinerem Durchmesser
gegenüber dem Bezugstragerkörper bewirkt dieser Effekt ein kurzzeitiges Ansteigen der Temperatur und
der Abscheidungsrate in der Zeiteinheit
Um eine wirtschaftliche Auslegung des Anpaßtransformators zu erreichen, wird zweckmäßig bei Absinken
der Spannung auf etwa 40% der Anfahrspannung von Parallel- auf Reihenschaltung der Trägerkörper umgeschaltet
Durch diese Umschaltung steigt die Leiterspannung entsprechend der Zahl der parallelen
Trägerkörpergruppen, während der Gesamtstrom um diesen Faktor sinkt
Anhand der Abbildung, die den typischen Aufbau der Stromversorgung für die in einer Abscheideapparatur
eingebauten Trägerkörpergruppen zeigt wird das erfindungsgemäße Verfahren nachstehend beispielhaft
erläutert:
Die Netzspannung 1 (2phasiger Wechselstrom) wird über einen Lasttrennschalter 2 mit vorgeschalteter
Sicherung 3, dem Anpaßtransformator 4, welcher die zur Verfügung stehende Netzspannung auf die für das
Verfahren benötigte Spannung herabsetzt über die Sicherung 5 dem Stromsteller 6 zugeführt Bei dem
Stromsteller 6 handelt es sich dabei beispielsweise um einen stromgeregelten Thyristorsteller mit Halbleiterventilen,
beispielsweise Thyristoren 7 und 8. Die Sicherung 5 dient dabei zum Schutz der Thyristoren
gegen Oberströme.
Die in den zwei Stromkreisen des 2-PhasenwecheI-stromsystems
zusammengeschalteten zwei Trägerkörpergruppen, bestehend aus jeweils zwei Stabpaaren 9
und 10 bzw. 11 und 12, werden zumindest zum Zünden in
Parallelschaltung angeordnet In diesem Fall sind die Schalter 13 und 14 geschlossen und der Schalter 15
geöffnet.
Ist die Anlage beispielsweise auf eine Betriebsspannung von maximal 1000 Volt ausgelegt so können in den
einzelnen Stromzweigen beispielsweise Siliciumträgerstäbe von ca. 4,5 m Länge bei einer Dicke von 0,5 cm
hintereinander geschaltet angeordnet sein. Üblicherweise erfolgt dies in der Art, daß jeweils zwei Trägerstäbe,
die in vorzugsweise wassergekühlten Graphitelektroden in der Bodenplatte der Abscheideapparatur
gehaltert sind, über eine leitende, zweckmäßig ebenfalls aus Silicium bestehende Strombrücke verbunden sind.
Nach dem Zünden der Trägerstäbe, wenn die Spannung auf etwa 40% des Wertes der Anfahrspannung
abgesunken ist, d.h., in dem hier betrachteten speziellen Fall von 1000 auf 400 Volt, wird zweckmäßig
über die Umscnalteinrichtung vermittels der Schalter
13, 14 und 15 von Parallel- auf Serienschaltung umgeschaltet um eine wirtschaftliche Auslegung des
Anpaßtransformators 4 und der Stromteilerdrossel 16 zu gewährleisten. Bei Serienschaltung sind die Schalter
13 und 14 geöffnet und der Schalter 15 geschlossen, d. h, die Stromteilerdrossel 16 ist dann außer Funktion.
Der Anpaßtransformator 4 wird zweckmäßig sekundärseitig mit mehreren Wicklungen ausgelegt, welche in
strom- und spannungsmäßiger Auslegung der Leistungsbedarfskurve des Abscheideprozesses angepaßt
sind. Durch diese Anpassung des Transformators 4 in Verbindung mit d,er Stufenschaltung 17 und der
Umschalteeinrichtung (Schalter 13,14 und 15) wird eine Grpbregelung von Strom und Spannung erreicht Der
dem Transformator 4 nachgeschaltete, stromgeregelte Thyristorleistungssteller 6 übernimmt dabei innerhalb
einer Stufe die Feinregelung des Stromes, welcher jeweils zur Konstanthaltung der geforderten Abscheidetemperatur
erforderlich ist Der diese Regelung des
ίο Stromes bestimmende Temperatur-Ist-Wert wird mittels
eines Temperaturmeßgerätes 18, also beispielsweise eines durch ein Quarzfenster in der Wand der
Abscheideapparatur die Strahlungswärme eines Trägerkörpers, welcher gegenüber den anderen Trägerkörpern
die Führungsgröße liefert aufnehmenden Pyrometers aufgenommen und als Meßsignal einer Temperaturregeleinrichtung
19 zugeführt In dieser Temperaturregeleinrichtung 19 wird der mittels der Temperaturmeßeinrichtung
IS bestimmte Temperatur-Ist-Wert mit dem gewünschten Soll-Wert verglichen.
Die Stellgröße der Temperaturregeleim ichtung 19
stellt für den nachgeschalteten Stromregelverstärker 20 den geforderten Soll-Wert dar. Der Stromregelverstärker
(Proportionalintegralverstärker) besteht dabei im wesentliche aus einem Kennlinienbildner 21, welcher
Störspannungen aus dem Eingangssignal herausfiltert dem eigentlichen Verstärker 22, welcher das Eingangssignal
verstärkt und einer Elektronik 23, welche das Proportionalintegralverhalten des Verstärkers bestimmt
Im Stromregelverstärker 20 wird aufgrund der Meßdaten aus der Temperaturregeleinrichtung 19 der
Soll-Wert für den Strom mit dem Strom-Ist-Wert 24 abgestimmt Das Meßsignal des Strom-Ist-Wertes 24
wird dabei über den Stromwandler 25 auf eine meßbare Größe umgesetzt beispielsweise auf einen, gegenüber
dem tatsächlichen Strom um den Faktor 10~3 reduzierten
Wert Der Vergleich des die Trägerkörper durchfließenden Strom-Ist-Wertes 24 und des Temperatur-Soll-Wertes
führt zu einem bestimmten Ausgangssignal des Stromregelverstärkers 20, welches mit einem,
über eine eigene Stromversorgung 26 verfügenden, Steuersatzes 27 in Flächenimpulse, wie sie zur
Steuerung der Thyristoren im Thyristorsteller erforderlich sind, umgewandelt und dem Thyristorsteller 6
zugeführt wird. Das Ausgangssignal aus dem Stromregelverstärker 22 bestimmt nach der Umwandlung in
Flächenimpulse somit den Aussteuerungsgrad der steuerbaren Halbleiterventile bzw. Thyristoren im
Thyristorsteller und somit über den Strom, von welchem
3D die Trägerkörper durchflossen werden, deren Temperatur.
Die Abscheidetemperatur der Stäbe entsprechend der Zersetzungstemperatur der jeweilig eingesetzten
gasförmigen Verbindung wird dabei durch langsames,
stufenweises Steigern des vorgegebenen Sollwertes für die Temperatur erreicht Dieses stufenweise Anheben
des Sollwertes bzw. nach erfolgter Abscheidung vorzunehmende stufenweise Absenken des Sollwertes
kann dabei entweder von Hand oder unter Zuhilfenahme eines entsprechend programmierten Rechners
erfolgen.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (1)
- Patentanspruch:Verfahren zur Herstellung von hochreinem Silicium durch thermische Zersetzung seiner gasförmigen Verbindungen auf zumindest Sn der Anfangs- phase in Parallelschaltung angeordneten und durch elektrischen Strorndurchgang auf die Zersetzungstemperatur der jeweilig eingesetzten Verbindung aufgeheizten Trägerkörpergruppen, dadurch gekennzeichnet, daß der Strom in den parallelgeschalteten Trägerkörpergruppen durch das Zwischenschalten von Stromteilerdrosseln in die aufgefächerten Parallelstromkreise jeweils gleich gehalten wird.15
Priority Applications (2)
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Applications Claiming Priority (1)
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ID=6075696
Family Applications (1)
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- 1979-07-13 DE DE2928456A patent/DE2928456C2/de not_active Expired
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1980
- 1980-07-07 US US06/166,657 patent/US4331698A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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US4331698A (en) | 1982-05-25 |
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