DE3319734C2

DE3319734C2 - Vorrichtung zur Einspeisung der Heizleistung in polykristalline Halbleiterstäbe

Info

Publication number: DE3319734C2
Application number: DE3319734A
Authority: DE
Inventors: Seiichi Okami
Original assignee: Osaka Titanium Co Ltd
Current assignee: Osaka Titanium Co Ltd
Priority date: 1983-05-31
Filing date: 1983-05-31
Publication date: 1994-02-03
Anticipated expiration: 2003-06-01
Also published as: DE3319734A1

Description

Die Erfindung betrifft eine elektrische Heizstromversorgungseinrichtung.

Es soll zum Beispiel der Fall der Herstellung von Silicium hoher Reinheit betrachtet werden. Dabei verwendet man gewöhnlich einen Apparat, dessen Basisplatte mit einer Quarzglocke abgedeckt ist. Eine Vielzahl von nichtgefällten Siliciumstäben hoher Reinheit sind mit den Graphitelektroden verbunden. An den Stäben wird eine gasförmige Mischung aus Wasserstoff und Trichlorsilan thermisch gecrackt, wobei das Silicium abgeschieden wird. Da die Stäbe einen negativen Temperaturkoeffizienten des Widerstandes haben, wie dies für Halbleiter typisch ist, kommt es bei einer Parallelschaltung und Aufheizung derselben dazu, daß der Strom zunächst hauptsächlich durch Stäbe mit einem hohen Grad an Abscheidung fließt. Aus diesem Grund ist man dazu übergegangen, eine Vielzahl von Stäben in Reihenschaltung aufzuheizen. Eine solche Vorrichtung zur Einspeisung der Heizleistung ist erforderlich, um einerseits die Bedingung einer hohen Spannung, welche für die anfängliche Aufzeizung erforderlich ist, zu erfüllen und andererseits gleichzeitig einen großen Strom sicherzustellen, welcher für die spätere Aufheizung erforderlich ist. Diese Bedingungen ergeben sich aus der Tatsache, daß eine Vielzahl von Stäben in Reihe geschaltet sind. Wenn jedoch für diesen Zweck nur eine einzige Stromquelle verwendet werden soll, so wird die Kapazität größer und die Wirtschaftlichkeit fällt merklich ab. Aus diesem Grunde verwendet man gewöhnlich eine Vielzahl von Stromquellen in Kombination. Dennoch konnte bisher ein Apparat zur Einspeisung der Heizleistung, welcher die obigen Anforderungen befriedigend erfüllt, nicht verwirklicht werden.

Als Beispiel soll eine Einrichtung zur Einspeisung der Heizleistung gemäß Fig. 1 erläutert werden. Diese umfaßt eine Hauptstromquelle (Tm) mit einer großen Stromkapazität, welche zur direkten Parallelschaltung geeignet ist. Ferner ist eine Hilfsstromquelle (Ts) mit einer hohen Spannungskapazität vorgesehen, welche in Reihe geschaltet ist. Die Halbleiterstäbe (L1) bis (Ln) werden somit einer anfänglichen Erhitzung unterworfen. Die Hauptstromquelle (Tm) wird nur in einer mittleren Periode des Beheizens der Halbleiterstäbe im Reihenschaltungsbetrieb verwendet. Der Parallelschaltungsbetrieb mit der Hauptstromquelle (Tm) erfolgt nur in einer späteren Zeitspanne der Beheizung. Das Stromversorgungsgerät muß immer noch eine Großkapazität haben und es ist somit teuer in der Anschaffung und äußerst raumaufwendig. Ferner erfordert das Stromversorgungsgerät eine erhebliche Zeitdauer für die Umschaltung der Stromversorgung. Der Strom wird dabei während des Schaltens zeitweise abgeschaltet. Dies führt zu abrupten Änderungen der elektromagnetischen Kraft oder zu Temperaturänderungen und es besteht die Gefahr von qualitativen Defekten in dem zu erzeugenden Halbleiterstab.

Bei anderen Vorrichtungen erfolgt eine Umschaltung der Stromversorgung von Sternschaltung auf Dreieckschaltung (Japanische Offenlegungsschrift 54-80 284). Diese Vorrichtung unterscheidet sich nicht wesentlich von derjenigen der Fig. 1. Aus den DE-OS 21 33 863 und 22 01 999 sind Vorrichtungen zum elektrischen Beheizen jeweils nur eines einzigen Halbleiterstabes bekannt. Aus der US-PS 31 95 038 ist ein über Thyristorschalter in seiner Sekundärspannung regelbarer Transformator bekannt. Aus der US-PS 36 63 828 ist eine Ausgleichsschaltung der Primär- und Sekundärwicklungen mehrerer Transformatoren bekannt.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Heizeinrichtung zur gleichzeitigen Herstellung einer Vielzahl von polykristallinen Polyhalbleiterstäben zu schaffen, bei der einerseits die angelegte Spannung innerhalb eines weiten Bereichs geändert werden kann und wobei an der Vielzahl der parallel geschalteten Stäbe eine gleichmäßige Abscheidung erreicht wird. Die Lösung dieser Aufgabe ist in den Patentansprüchen 1 und 4 angegeben.

Die Heizvorrichtung der Erfindung ist kostengünstig im Aufbau und sie hat einen geringen Raumbedarf. Man erhält eine ideale Ofentemperaturverteilung. Hierdurch verbessert sich die Qualität des Halbleiterprodukts und auch die Produktivität.

Im folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand von Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 eine herkömmliche Heizeinrichtung;

Fig. 2 ein Schaltbild einer ersten Ausführungsform;

Fig. 3 Spannungswellenformen zur Veranschaulichung der fortgesetzten Umschaltungen der Stromquellenabgriffe;

Fig. 4 ein Blockschaltbild einer Steuereinrichtung für die Heizeinrichtung und

Fig. 5 eine abgewandelte Ausführungsform.

Fig. 2 zeigt ein Schaltdiagramm der Heizeinrichtung. Diese umfaßt einen Leistungstransformator (NT), welcher sekundärseitig eine Vielzahl von Abgriffen (TP1), (TP2) . . . (TPm) aufweist, deren jeder eine andere Spannung führt. Die Spannungen an den Abgriffen sind so gewählt, daß sich die folgende Relation ergibt V(TP1) < V(TP2) . . . < V(TPm). Die Abgriffe TP1, TP2 . . . TPm sind mit einer Vielzahl von Thyristorschaltern (X1), (X2) . . . (Xm) verbunden. Die Ausgänge dieser Thyristorschalter sind am Punkt (P1) zusammengefaßt. Mit diesem Punkt ist ferner jeweils ein Ende der Primärwicklungen (P) einer Gruppe von Ausgleichstransformatoren (BT1), (BT2) . . . (BTn) verbunden. Die anderen Enden der Primärwicklungen (P) sind jeweils verbunden mit einem Ende der Sekundärwicklung (S) eines jeweils benachbarten Ausgleichstransformators (BT1), (BT2) . . . (BTn) und zwar jeweils in umgekehrter Polarität. Die anderen Enden der Sekundärwicklungen (S) sind jeweils mit einem Anschluß (1), (2) . . . (n) der Halbleiterstäbe (L1), (L2) . . . (Ln) verbunden. Die anderen Anschlüsse (1′), (2′) . . . (n′) derselben sind mit der Sekundärwicklung des Transformators (NT) über eine Leitung (L′) verbunden. Ferner sind die anderen Anschlüsse (1′), (2′) . . . (n′) der Halbleiterstäbe jeweils mit einem Ende der Sekundärwicklung (S) einer Gruppe von Ausgleichstransformatoren (BST1), (BST2) . . . (BSTn) verbunden. Sie werden ausschließlich während des Aufheizens eingeschaltet. Die anderen Enden der Sekundärwicklungen (S) sind mit den Sekundärwicklungen der Ausgleichstransformatoren (BT1), (BT2) . . . (BTn) verbunden. Die Primärwicklungen (P) der Ausgleichstransformatoren (BST1), (BST2) . . . (BSTn) für kleinen Strom und hohe Spannung haben normale Polarität und liegen in Reihe zueinander und sie sind an einem Ende über einen Kontakt eines elektromagnetischen Schalters (NC) mit dem Ausgangsanschluß (P3) eines Thyristorschalter (Xo) verbunden, welche wiederum mit dem Abgriff (TP1) des Leistungstransformators (NT) verbunden ist. An den anderen Enden sind sie mit der Leistung (L′) verbunden und zwar am Punkt (P2) über einen ähnlichen Kontakt (NC).

Ferner ist ein Stromtransformator (CT) vorgesehen und zwar zum Zwecke der automatischen Regelung. Dies wird unten näher erläutert. Dieser Stromtransformator ist an der Sekundärseite des Transformators (BT1) vorgesehen.

Im folgenden soll die Regelung und die Arbeitsweise dieser Schaltung erläutert werden.

In der ersten Stufe fließen Ströme (I1), (I2) . . . (In) gleicher Intensität und mit kontinuierlichem Anstieg durch die Halbleiterstäbe (L1), (L2) . . . (Ln): Dabei kommt es zu einer Phasenausschnittssteuerung der Thyristoreinheit Xo über den elektromagnetischen Kontakt (NC) und die Spannung (Eo) liegt an den Halbleiterstäben (L1), (L2) . . . (Ln) an.

Falls die Halbleiterstäbe (L1), (L2) . . . (Ln) gleichen Widerstand haben, so erhalten die Ströme, welche durch die Sekundärwicklungen der Ausgleichstransformatoren (BST1), (BST2) . . . (BSTn) fließen, den Wert

Dabei bedeutet (NP) die Anzahl der Windungen auf der Primärseite und (NS) die Anzahl der Windungen auf der Sekundärseite. Die an die Primärseite angelegte Spannung ergibt sich zu .

Falls die Widerstände der Halbleiterstäbe (L1), (L2) . . . (Ln) verschieden sind, z. B. R1 ≠ R2 . . . ≠ Rn, so gelten für die Impedanzen der Primärwicklungen der einzelnen Ausgleichstransformatoren (BST1), (BST2) . . . (BSTn) die Werte

Somit erzeugen die Primärwicklungen (P) in äquivalenter Weise die Spannungen

Die Sekundärwicklungen (S) induzieren die Spannungen

Somit ergeben sich die Ströme, welche durch die Halbleiterstäbe (L1), (L2) . . . (Ln) fließen mit

In diesem Falle hat der Strom den Wert

Dies sind die gleichen Stromwerte wie bei Halbleiterstäben mit gleichem Widerstandswert. Somit wird der Zündwinkel des Thyristorschalters (Xo) gesteuert, um Io einzustellen.

Es verringern sich die Widerstandswerte der Halbleiterstäbe (L1), (L2) . . . (Ln), wenn diese Stäbe aufgeheizt werden und danach wird der elektromagnetische Kontakt (NC) abgeschaltet. In der zweiten Stufe wird nun der durch jeden der Halbleiterstäbe fließende Strom auf die Thyristorschalter (X1), (X2) . . . (Xm) und die Ausgleichstransformatoren (BT1), (BT2) . . . (BTn) überführt.

In der zweiten Stufe wird der Thyristorschalter (X2) zunächst voll durchgesteuert und der Thyristorschalter (X1) wird einer Phasenausschnittsteuerung unterworfen. Somit erhält man die Spannung (E1) mit der Wellenform der Fig. 3 und zwar über die Punkte (P1) und (P2). Somit wird ein Strom (Io′) zu den Ausgleichstransformatoren geführt. Wenn nun die durch die Halbleiterstäbe (L1), (L2) . . . (Ln) fließenden Ströme mit I1, I2 . . . In bezeichnet werden und wenn jeder Strom ausgeglichen ist, so sind die Ströme in der Primärwicklung (P) und in der Sekundärwicklung (S) eines jeden Transformators gleich, so daß die magnetomotorischen Kräfte einander aufheben und insgesamt keine elektromotorische Kraft erzeugt wird. Wenn jedoch I1 ≠ I2 ≠ . . . ≠ In gilt, so wird auf der Primärseite und auf der Sekundärseite eines jeden Transformators eine magnetomotorische Kraft erzeugt und demzufolge arbeitet die Stromversorgungseinrichtung derart, daß der Strom erhöht wird, wenn diese kleiner ist, während er verringert wird, wenn diese größer wird und zwar in jedem einzelnene Halbleiterstab.

Dieser Zusammenhang soll nun nochmals unter einem anderen Gesichtspunkt dargestellt werden. Die Spannungen (e1), (e2) . . . (en) liegen an den Anschlüssen (1) - (1′), (2) - (2′) . . . (n - n′) der Halbleiterstäbe (L1), (L2) . . . (Ln). Der Widerstand der Halbleiterstäbe wird mit (R1), (R2) . . . (Rn) bezeichnet. Die Spannungen, welche in den Ausgleichstransformatoren (BT1), (BT2) . . . (BTn) induziert werden, sollen mit V1 = K (In - I1), V2 = K (I1 - I2) . . . Vn = K (I_n-1 - In) bezeichnet werden. K ist dabei eine Konstante, welche von der Bauart des Transformators abhängt. Für die Spannungen (e1), (e2) . . . (en) gelten nun die folgenden Beziehungen e1 = [E1+K (In - I2)], e2 = [E1+K (I1 - I2)], e3 = [E1+K (I2 - I3)] . . . en = [E1+K (In-1 - In)]. Somit erhält man für die durch die Halbleiterstäbe fließenden Ströme die Beziehungen

Somit hängen die Ströme ab von den Strömen und der Spannung der benachbarten Halbleiterstäbe und zwar gemäß den Beziehungen

Wenn z. B. In anwächst, so steigt auch I1 und wenn I1 ansteigt, so steigt auch I2. Somit wird der Strom in jedem Halbleiterstab proportional zu In oder kleiner. Schließlich ergibt sich die Beziehung I1 = I2 = . . . = In. Wenn somit der Phasenwinkel des Thyristors (X1) gesteuert wird, um E1 zu ändern und In zu steuern, so werden die Ströme I1, I2 . . . In-1 sukzessive ausgeglichen und geregelt.

Somit ergeben sich für die durch die Thyristoreinheiten (X1) und (X2) geregelten Spannungen die Werte V(TP1) bis V(TP2). Jeder Halbleiterstab unterliegt einem Wachstumsprozeß, wobei sein Durchmesser größer wird und sein Widerstand abnimmt. Damit wird die Spannungsregelungsbreite von V(TP1) bis V(TP2) zu hoch, so daß die Spannung auf die Abgriffe (TP2) und (TP2+1) überführt wird. Nun nimmt die Spannung den Wert V(TP2) bis V(TP2+1) an. Nun ist es dem Thyristorschalter (X2+1) möglich, voll durchzuzünden und (X2) unterliegt einer Phasenanschnittsteuerung. Der Reihe nach werden die Abgriffe geschaltet, um über die Thyristoreinheiten (X_m-1) und (Xm), welche mit den Abgriffen (TP_m-1) und (TPm) verbunden sind, die Spannungen zu steuern.

Fig. 4 zeigt ein Blockschaltbild eines Steuersystems für die Hauptschaltung der Fig. 2. Diese Einrichtung umfaßt ein manuelles Einstellgerät oder ein programmierbares Einstellgerät (2). Ein Signal dieser Einrichtung wird mit dem Ausgangsstrom des Stromtransformators (CT) verglichen. Letzerer Strom wird in einen Effektivwert verwandelt. Somit wird ein Fehlerbetrag durch den Gleichstromverstärker (3) verstärkt. Wenn der Kontakt (MC) eingeschaltet ist, d. h., wenn die Aufheizung der Halbleiterstäbe beginnt, so liegt das Ausgangssignal des Verstärkers (3) an einem Phasenimpulseinstellgerät (13) an und der Thyristorschalter (Xo) wird durch einen Impulstransformator (14) angesteuert. Somit steuert man über die Phasenwinkeleinstellung der Thyristoreinheit (Xo) den Strom, welcher durch die Halbleiterstäbe fließt.

Wenn als nächstes der elektromagnetische Kontakt (MC) geöffnet wird, so liegt das Ausgangssignal des Gleichstromverstärkers (3) an den Verschiebungsschaltungen (4), (5) und (6) an. Es sind deren so viele vorgesehen wie Thyristoren (X1 - Xm). Somit wird proportional zum Inkrement des Setzsignals der Einstellschaltung (2) das Ausgangssignal der Schiebeschaltung (4) überführt und zwar von 0 bis α1, dasjenige der Schaltung (5) von 0 bis α1 und dasjenige der Schaltung (6) von 0 bis α1. Somit kommt es bei den Impulssignalen der Phasenimpulseinstellgeräte (7), (8) und (9) zu einer Überführung von 0 bis 180°. Genauer gesagt wird (X1) angesteuert, wenn der Einstellstrom klein ist, während andererseits (X2) → (X_m-1) → (Xm) in dieser Reihenfolge angesteuert werden, wenn dieser größer wird. Demzufolge werden die Ausgangsspannungen der Thyristorschalter (X1) bis (Xm) gemäß Tp1(V) → TP2(V) → TPm(V) überführt und die Ströme werden erhöht. Das Bezugszeichen 1 bezeichnet eine Detektoreinheit. Ferner sind Impulstransformatoren 10 bis 12 und 14 vorgesehen.

Fig. 5 zeigt ein Schaltbild einer abgewandelten Ausführungsform mit Ausgleichstransformatoren (BT1), (BT2) . . . (BTn) und Halbleiterstäben.

In dieser Zeichnung sind die antiparallelen Thyristorschalter am Punkt (P1) mit einem Ende der Sekundärwicklung (P) verbunden und sie führen jeweils zum Ausgleich der Ströme durch die Transformatoren (BT1), (BT2) . . . (BTn) und das andere Ende derselben ist mit einem der Anschlüsse (1), (2) . . . (n) eines jeden der Halbleiterstäbe (L1), (L2) . . . (Ln) verbunden. Die anderen Anschlüsse (1′), (2′) . . . (n′) der Halbleiterstäbe sind in gleicher Weise verbunden wie bei der Schaltung der Fig. 2 und zwar mit der Sekundärwicklung des Leistungstransformators (NT). Beide Anschlüsse (1), (1′), (2), (2′) . . . (n), (n′) sind mit Ausgleichstransformatoren für kleinen Strom und hohe Spannung (BST1), (BST2) . . . (BSTn) verbunden und zwar für ausschließliche Verwendung während des Aufheizens und außerdem mit dem Thyristorschalter (Xo) und die primären Wicklungen (S) der Ausgleichstransformatoren (BT1), (BT2) . . . (BTn) sind in Reihe geschaltet und liegen in einer Schleife normaler Polarität.

Wenn bei dieser Schaltung der Leistungstransformator (NT) und die Thyristorschalter (X1), (X2) . . . (Xm) (Fig. 2) die Spannung E1 einspeisen, so kommt es im Falle der Vergleichsmäßigung der Widerstände der Halbleiterstäbe (L1), (L2) . . . (Ln) dazu, daß der durch jeden Halbleiterstab fließende Strom durch

gegeben ist, wobei NP die Anzahl der Windungen der Primärwicklung und NS die Anzahl der Windungen der Sekundärwicklung bezeichnet.

Ip bezeichnet den Strom, welcher durch die Primärwicklung eines jeden Ausgleichstransformators (BT1), (BT2) . . . (BTn) fließt und wird erhalten aus der Versorgungsspannung E1 und den Widerständen R1, R2 . . . Rn. Die Spannungen e1, e2 . . . en der Halbleiterstäbe (L1), (L2) . . . (Ln) ergeben sich aus folgenden Beziehungen:

wobei e1′, e2′ . . . en′ jeweils die Sekundärspannungen der Ausgleichstransformatoren (BT1), (BT2) . . . (BTn) bezeichnen.

Falls die Widerstände der Halbleiterstäbe (L1), (L2) . . . (Ln) verschieden als R1 ≠ R2 ≠ . . . ≠ Rn wiedergegeben werden können, so wird die Impedanz der Primärwicklung eines jeden Ausgleichstransformators (BT1), (BT2) . . . (BTn) den Wert

annehmen. Somit ergibt sich die in der Primärwicklung (P) induzierte Spannung in äquivalenter Weise gemäß folgenden Ausdrücken

in dieser Reihenfolge. Die Sekundärwicklung (S) eines jeden Ausgleichstransformators (BT1), (BT2) . . . (BTn) wird nur mit der erforderlichen Spannung beaufschlagt, so daß man für jede Sekundärspannung den folgenden Wert erhält

Die Halbleiterstäbe (L1), (L2) . . . (Ln) der Last werden mit den verbleibenden Spannungen (E1 - e1′), (E1 - e2′), (E1 - en′) beaufschlagt. Damit ergeben sich die durch die Halbleiterstäbe fließenden Ströme gemäß folgenden Beziehungen:

Somit ergibt sich die Beziehung

Somit werden auch bei dieser Schaltung die Ströme I1, I2 . . . In, welche durch die Halbleiterstäbe L1, L2 . . . Ln fließen, konstant gehalten und zwar unabhängig von den Widerstandswerten R1, R2 . . . Rn derselben. Zusätzlich wirken während des Aufheizens die Ausgleichstransformatoren (BST1), (BST2) . . . (BSTn) im Sinne einer Vergleichmäßigung der vorerwähnten Ströme I1, I2 . . . In, und zwar in gleicher Weise wie bei der Schaltung der Fig. 2.

Man erkennt aus obiger Beschreibung, daß die Einrichtung zur Einspeisung der Heizleistung während der Anfangsperiode, der mittleren Periode und der Endperiode, die duch die Halbleiterstäbe fließenden Ströme konstant hält oder in einem konstanten Verhältnis hält.

Darüber hinaus muß die Einrichtung zur Zufuhr der Heizleistung nur eine relativ kleine Kapazität in bezug auf den Leistungstransformator haben und es ist nicht erforderlich, eine Anzahl von elektromagnetischen Kontakten zu verwenden, welche in der Installation kostenaufwendig sind. Hierdurch wird der Platzbedarf erheblich verringert und auch dies trägt zur Wirtschaftlichkeit bei.

Bei den Schaltungen der Fig. 2 und 5 werden die Transformatoren für den Ausgleich der durch die Halbleiterstäbe fließenden Ströme unterteilt und zwar in die Ausgleichstransformatoren für kleinen Strom und hohe Spannung (BST1), (BST2) . . . (BSTn) und die Ausgleichstransformatoren (BT1), (BT2) . . . (BTn). Letztere übernehmen ihre Funktion von den ersteren und setzen die Funktion bei großen Strömen und niedriger Spannung fort. Es ist jedoch möglich, diese Ausgleichstransformatoren zusammenzufassen und zwar zu einer einzigen Gruppe, falls nicht die Ausgleichstransformatoren mit großer Dimensionierung unerwünscht sind.

Es kann auch der antiparallel geschaltete Thyristorschalter (Xo) in Kombination mit den Ausgleichstransformatoren für kleinen Strom und hohe Spannung (BST1), (BST2) . . . (BSTn) für die ausschließliche Verwendung während des Aufheizens eliminiert werden. Die Schaltungen der Fig. 2 und 5 müssen nur so aufgebaut sein, daß eine Vielzahl von Transformatoren kombiniert werden, so daß der Sekundärstrom ausgeglichen wird.

Claims

1. Elektrische Heizstromversorgungseinrichtung zur gleichzeitigen Beaufschlagung einer Gruppe von parallel geschalteten polykristallinen Halbleiterstäben mit einem Leistungstransformator (NT) mit einer Primärwicklung und einer eine Vielzahl von Abgriffen aufweisenden Sekundärwicklung; mit antiparallelen Thyristorschaltern (X1 bis Xm) zwischen den Abgriffen der Sekundärwicklung und einem gemeinsamen Anschluß (P1); mit mindestens einer ersten Gruppe von Ausgleichstransformatoren (BT1 bis BTn) deren Primärwicklungen (P) mit dem gemeinsamen Anschluß (P1) verbunden sind; und deren Sekundärwicklungen (S) einerseits jeweils mit den Halbleiterstäben (L1 bis Ln) verbunden sind und andererseits jeweils in Reihe geschaltet sind mit der Primärwicklung (P) eines anderen Ausgleichstransformators derart, daß ein Sekundärstrom gleicher Größe durch einen jeden der Halbleiterstäbe (L1 bis Ln) fließt; mit einer Rückkopplungssteuereinrichtung (CT) zur Erfassung der Größe des Sekundärstroms und zur Aussteuerung mindestens eines der antiparallelen Thyristorschalter (X1 bis Xm).

2. Einrichtung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine zweiten Gruppe von Ausgleichstransformatoren (BST1 bis BSTn) für kleinen Strom und hohe Spannung zur ausschließlichen Verwendung während des Aufheizens.

3. Einrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Gruppe von Ausgleichstransformatoren (BST1 bis BSTn) ausschließlich durch einen antiparallelen Thyristorschalter (Xo) angesteuert.

4. Modifizierte Heizeinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Sekundärwicklung (S) eines jeden der ersten Gruppe der Ausgleichstranformatoren (BT1 bis BTn) einerseits mit dem gemeinsamen Anschluß (P1) und andererseits mit einem zugeordneten Halbleiterstab verbunden ist, und wobei die Primärwicklungen (P) aller Ausgleichstransformatoren (BT1 bis BTn) miteinander in Reihe zu einer geschlossenen Schleife verbunden sind (Fig. 5).