DE1209113B - Verfahren zum Herstellen von hochreinem Silicium - Google Patents

Verfahren zum Herstellen von hochreinem Silicium

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DE1209113B
DE1209113B DES61117A DES0061117A DE1209113B DE 1209113 B DE1209113 B DE 1209113B DE S61117 A DES61117 A DE S61117A DE S0061117 A DES0061117 A DE S0061117A DE 1209113 B DE1209113 B DE 1209113B
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Dr-Ing Theodor Rummel
Hans-Friedrich Quast
Joachim Haus
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Description

DEUTSCHES
PATENTAMT Deutsche Kl.: 12 i-33/02
T"!
AUSLEGESCHRIFT
Nummer:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:
1209113
S61117IV a/12i
23. Dezember 1958
20. Januar 1966
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen von hochreinem Silicium, bei dem ein langgestreckter, dünner, an seinen Enden durch Elektroden gehaltener, aus hochreinem Silicium bestehender Trägerkörper nach einer Vorerwärmung durch einen über die Elektroden zugeführten elektrischen Strom auf hohe Temperatur erhitzt und durch das aus einer den Träger umgebenden, vorzugsweise an ihm entlangströmenden Atmosphäre aus einer gereinigten gasförmigen, gegebenenfalls mit reinem Wasserstoff vermischten Siliciumverbindung abgeschiedene und an dem Träger ankristallisierende Silicium allmählich zu einem dicken Siliciumstab verstärkt wird.
Dieses Verfahren bildet den Gegenstand des Patentes 1 102 117. Bei entsprechendem Reinheitsgrad der als Reaktionsgas verwendeten Stoffe fällt das abgeschiedene Silicium auch in einer entsprechenden Reinheit an und schlägt sich, wenn die übrigen Teile der Reaktionsanordnung sich nicht merklich im Laufe des Betriebes erwärmen, ausschließlich auf dem hocherhitzten Träger nieder. Im Hinblick auf die Kristallgüte ist es dabei wesentlich, die Oberflächentemperatur des Trägers auf einen bestimmten, im wesentlichen von der Art der zur Verwendung gelangenden Siliciumverbindung und gegebenenfalls auch von ihrer Konzentration im Reaktionsgas abhängenden Wert einzustellen und konstant zu halten. Dient z. B. in bevorzugter Weise mit Wasserstoff vermischtes SiHCLj als Reaktionsgas (konstantes Molverhältnis SiHCL: H2 etwa gleich 0,04). so liegt die im Hinblick auf Einkristallbildung optimale Oberllächcntemperatur bei 1125° C. Es wurde deshalb bereits vorgeschlagen, die Oberflächentemperatur des Trägers unter ständiger Beobachtung zu halten und im Laufe des Betriebes eintretende Änderungen durch Betätigung zusätzlicher, im Stromkreis des Trägers eingeschalteter, regelbarer Mittel, z. B. eines regelbaren Widerstandes, sofort auszugleichen.
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine weitere Ausgestaltung des im Patent 1102 117 beschriebenen Verfahrens, welche dadurch gekennzeichnet ist, daß der Widerstandswert des Trägers zu Beginn des Verfahrens durch besondere, zusätzlich zur Betriebsstromquelle oder an Stelle der Betriebs-Stromquelle angewandte Mittel zur Erhitzung des Trägers bzw. zur Hinderung seiner Kühlung auf einen so kleinen Wert herabgesetzt wird, bei dem ein allein aus der Betriebsstromquelle durch den Träger fließender Betriebsstrom trotz der im Betrieb auftretenden starken Kühlung die Temperatur des Trägers unter gleichzeitigem Absinken der Klemmenspan-Verfahren zum Herstellen von hochreinem
Silicium
Anmelder:
Siemens & Halske Aktiengesellschaft,
Berlin und München,
München 2, Witteisbacherplatz 2
Als Erfinder benannt:
Dr.-Ing. Theodor Rummel, München;
Hans-Friedrich Quast, Freiburg (Breisgau);
Joachim Haus, Pretzfeld (OFr.)
nung am Träger weiter zu erhöhen oder hochzuhalten vermag, und der Träger danach allein durch den von der Betriebsstromquelle gelieferten Betriebsstrom auf der zur Zersetzung der Siliciumverbindung und zur kompakten Abscheidung des Siliciums auf dem Träger erforderlichen Temperatur gehalten wird.
Es ist bekannt, daß der spezifische Widerstand von hochreinem, intrinsicleitendem Silicium mit steigender Temperatur nach einem Exponentialgesetz abnimmt. Dies hat zur Folge, daß der Widerstand des Siliciumträgers bei dem in dem Patent 1 102 117 beschriebenen Verfahren auch bei konstant gehaltenem Querschnitt mit wachsender Strombelastung im Intrinsicbereich abnehmen muß. Daraus ergibt sich, wie im Zuge der zur Erfindung führenden Überlegungen erkannt und durch Versuche bestätigt wurde, bei gegebenen Abkühlungs- und Ein- bzw. Abstrahlungsverhältnissen im thermischen Gleichgewicht des Trägers, bei dem also die thermisch vom Träger durch Strahlung, Konvektion od. dgl. abgegebene Leistung gleich der im Träger erzeugten elektrischen Leistung ist, der aus der F i g. 1 ersichtliche qualitative Verlauf der Stromspannungskennlinie des Trägers: Der Spannungsabfall U am Siliciumkörper steigt zunächst mit wachsender Strombelastung des Trägers an, erreicht bei einem bestimmten Wert 7 ein Maximum U1111n, um dann mit weiter steigendem Strom monoton abzufallen. Dabei nimmt bei konstanten Abkühlungsverhältnissen die dem Träger zugeführte und in Wärme verwandelte Leistung mit wachsender Strombelastung monoton zu.
Demgemäß liegen niemals zwei verschiedene Punkte der gleichen Stromspannungscharakteristik
509 779/379
3 4
auf derselben Kurve konstanter Leistung (den punkt im instabilen Bereich der Stromspannungs-Hyperbeln U-J- const.), sondern der zu einem grö- charakteristik liegen.
ßeren 7 gehörende Punkt dieser Charakteristik ent- Durch entsprechende Wahl der Länge des Trägers
spricht einer höheren Leistung als der zu einem klei- sowie dadurch, daß die vom Träger an die Umge-
neren / gehörende Punkt. 5 bung abgegebene Wärmemenge pro Zeiteinheit klein
Nach bisherigen Ausführungen zeigt also die gehalten wird, d. h. also durch geringe Kühlung, ist Stromspannungscharakteristik des Trägers im Be- es stets möglich, einen Arbeitspunkt im stabilen Bereich /<7 ein stabiles, im Bereich />7 ein insta- reich der Charakteristik des Trägers einzustellen, bei biles Verhalten, wobei — wie die genauere Unter- dem die vom Träger bei gegebener Betriebsspannung suchung zeigt — sowohl im instabilen als auch im io aufgenommene elektrische Leistung den Träger auf stabilen Bereich ein Vorzeichenwechsel der Krüm- die für die Durchführung des Abscheideverfahrens mung erfolgt. Der im stabilen Bereich vorhandene erforderliche Temperatur bringt. Ein Betrieb im sta-Wendepunkt ist dadurch bedingt, weil der Wider- bilen Bereich der Charakteristik hat den Vorteil, stand selbst hochreinen Siliciums auch bei höheren daß der durch den Träger fließende Strom sich selbst Anfangstemperaturen, als sie der Normaltemperatur 15 stabilisiert und man mit einer verhältnismäßig gevon 20° C entsprechen, mit steigender Strombela« ringen Leistung auskommt.
stung zunächst etwas ansteigt. Dabei ist die »An- Nach der Lehre der Erfindung soll jedoch der fangstemperatur« diejenige Temperatur, die der Träger während des Abscheidevorganges so stark untersuchte Siliciumträger einnimmt, wenn in ihm gekühlt werden, daß es notwendig ist, im stabilen Bekeine Stromwärme erzeugt wird; im allgemeinen 20 reich, d. h. im fallenden Teil der [/-7-Charakteristik wird es die Umgebungstemperatur sein. Der quan- des Trägers zu arbeiten, d. h. bei Stromstärken, die titative Verlauf der Stromspannungscharakteristik oberhalb desjenigen Wertes liegen, bei dem die U-J-wird, abgesehen von dem verwendeten Siliciummate- Charakteristik des Trägers ihr Maximum hat. Der rial, durch die Stärke und Länge des Trägers sowie wesentliche Vorteil dieser starken Kühlung besteht von der Größe der an die Umgebung abgeführten 25 darin, daß einerseits die Temperatur der Oberfläche Wärmemenge, also von der während des Betriebes des Trägers beim Abscheidevorgang hoch und trotzauftretenden Abkühlung bestimmt. Hiervon hängt dem zugleich die Temperaturen des in das Reaktionsinsbesondere die Höhe der Spannung Umax sowie der gefäß einströmenden Gases relativ sehr klein gehal-Wert des dieser Spannung zugeordneten Stromwer- ten werden können. Nachteilig ist jedoch, daß höhere tes 7 ab. Je dicker der Träger und je niedriger die 30 Leistungen erforderlich sind als bei einem Betrieb im Umgebungstemperatur liegt, desto größer wird 7 und stabilen Bereich, d. h. also im ansteigenden Teil der um so weiter verschiebt sich das Maximum der f/-7-Charakteristik des Trägers. Zudem treten noch Stromspannungskennlinie nach rechts. Außerdem besondere Schwierigkeiten auf, die jedoch durch die wird der Wert der Spannung Umax um so größer, je Erfindung überwunden werden. Sie bestehen einmal intensiver die angewandte Kühlung und je dünner 35 darin, daß das E/-Maximum bei diesen Abkühlungsder Träger ist. Eine Erhöhung der Länge des Trä- Verhältnissen insbesondere bei den zu Beginn der gers wirkt im Sinne einer Erhöhung von Umax, da- Abscheidung sehr erwünschten dünnen Trägern sehr gegen wird der Wert des zugehörigen Stromes 7 hoch liegt, so daß es, wenn nicht besondere Maßnahnicht beeinflußt. men ergriffen würden, notwendig wäre, das Verfah-
Diesen Ausführungen zufolge muß sich die Strom- 40 ren mit sehr hohen Betriebsspannungen durchzufüh-
spannungscharakteristik des Trägers im Laufe des ren. Ferner kann infolge der Verdickung des Trä-
Abscheidevorganges unter Verschiebung ihres Maxi- gers durch den Abscheidevorgang der abfallende Ast
mums Umax nach steigenden Stromwerten 7 bestän- der !/-/-Charakteristik des Trägers über die Wider-
dig verändern, wie dies aus der Fig. 1 ersichtlich ist. standsgerade ansteigen, die sich aus der elektro-
Die am weitesten links gelegene Kurve I entspricht 45 motorischen Spannung (EMK) der Betriebsstrom-
der Stromspannungscharakteristik des ursprünglichen quelle und der Summe aus dem inneren Widerstand
Trägers. Die Kurven II und III entsprechen dem dieser Quelle und dem Spannungsabfall an dem dem
Verlauf der Stromspannungscharakteristik in einem Träger vorgeschalteten Vorschaltwiderstand ergibt;
fortgeschrittenen Stadium des Abscheidevorganges. das würde infolge der starken Kühlung zu einem
Der sich beim Betrieb auf diesen Charakteristiken 5° unerwünschten und schellen Abfallen der Oberflä-
einstellende Arbeitspunkt wird von dem Widerstand chentemperatur des Trägers führen,
der in dem Heizstromkreis eingeschalteten weiteren Die erstgenannte dieser beiden Schwierigkeiten
Schaltelemente bestimmt. Es ergibt sich als Schnitt- wird gemäß der Erfindung dadurch gelöst, daß der
punkt der jeweiligen Stromspannungscharakteristik durch Konvektion, Wärmeübergang oder Abstrah-
des Trägers mit der resultierenden Stromspannungs- 55 lung bedingte Wärmeverlust des Trägers, d. h. also
charakteristik dieser äußeren Schaltelemente. Sind seine Kühlung beim Anheizen klein gehalten wird
diese rein ohmisch, so ist die Widerstandscharakteri- und/oder daß zusätzlich oder an Stelle der elektri-
stik die Gerade U = E—Ra · J, wobei E die Betriebs- sehen Heizung aus der Betriebsstromquelle der Trä-
spannung und Ra den Gesamtwiderstand der äuße- ger durch Strahlung, an ihm vorbeiströmende Stoffe
ren Schaltelemente bedeutet. Die Zahl der möglichen 60 hoher Temperatur, insbesondere Gase od. dgl.,
Schnittpunkte mit der Stromspannungscharakteristik erhitzt und/oder von einer Stromquelle höherer
des Trägers, also der Zahl der möglichen Arbeits- Spannung gespeist wird, deren Spannung größer ist
punkte, kann sich dabei bis auf drei belaufen. Liegt als die der Betriebsstromquelle, die den Träger wäh-
nur ein Arbeitspunkt vor, so kann er sowohl im rend des eigentlichen Abscheidevorganges erhitzt,
stabilen als auch im instabilen Bereich der Strom- 65 Durch die Änderung der Kühlungsverhältnisse und
Spannungscharakteristik des Trägers auftreten. Lie- durch die Anwendung zusätzlicher Erwärmung mit-
gen jedoch mehrere Arbeitspunkte vor, so muß ein tels Strahlung, Wärme oder Konvektion wird näm-
Arbeitspunkt im stabilen und mindestens ein Arbeits- lieh das Maximum der [/-/-Charakteristik des Trä-
gers so weit abgesenkt, daß es wenigstens vorübergehend kleiner wird als die Klemmspannug am Träger, die beim Einschalten der Betriebsstromquelle am Träger liegt; ist also der Träger auf diese Weise erwärmt, und werden dann die Kühlungsverhältnisse hergestellt, wie sie bei dem folgenden Abscheidevorgang erwünscht sind, dann fließt von der Betriebsstromquelle ein so hoher Strom, daß der Träger auf hoher Temperatur und der Strom oberhalb des Maximums der [/-/-Charakteristik des Trägers bleibt.
Ebenso wird — gegebenenfalls in Verbindung mit der geänderten Kühlung beim Anheizen — durch das Anwenden von Stromquellen höherer Spannung die Widerstandsgerade relativ zur [/-/-Charakteristik des Trägers so weit über das [/-Maximum angehoben, daß auch wieder der Träger genügend hoch erhitzt wird, um von der Betriebsstromquelle allein trotz betriebsmäßiger starker Kühlung auf hoher Temperatur gehalten zu werden.
Der andere der beiden obengenannten Nachteile, der durch das Arbeiten im instabilen Bereich der [/-/-Charakteristik bedingt ist, wird dadurch überwunden, daß bei der Regelung der Oberflächentemperatur die EMK der beim Abscheidevorgang eingeschalteten Betriebsspannungsquelle sowie die Größe der vorgeschalteten Widerstände so klein gehalten werden, daß die sich hieraus ergebenden Widerstandsgeraden (s. F i g. 3) nicht unter den negativen Ast der jeweiligen Stromspannungscharakteristik absinken. Hierbei muß jedoch die erzeugte Spannung (EMK) der Betriebsstromquelle während der Abscheidung über dem Wert gehalten bleiben, der sich aus dem Schnittpunkt der Ordinate im U-J-Koordinatensystem mit derjenigen Tangente ergibt, die im jeweiligen Arbeitspunkte der [/-/-Charakteristik des jeweiligen Trägers an diese Charakteristik gelegt ist. Der Arbeitspunkt ist dabei durch den dem jeweiligen Betriebsstrom entsprechenden Punkt der [/-/-Charakteristik gegeben.
Wie schon gesagt, geschieht das Anheizen des Stabes auf die für die Abscheidung gewünschte Temperatur, z. B. auf etwa 1100° C, in besonderer Weise. Die Besonderheit dieses Anheizvorganges kann darin bestehen, daß, wie dargelegt, die Kühlungsverhältnisse andere sind als später beim eigentlichen Abscheidevorgang. Da die das Gefäß durchströmenden Gase, insbesondere das Silicium-Chloroform und der Wasserstoff, sehr niedrige Temperaturen im Vergleich zu der gewünschten Oberflächentemperatur des Trägers haben, empfiehlt es sich daher, die Kühlungsverhältnisse beim Anheizen dadurch gering zu halten, daß diese Gase das Gefäß während des Anheizens nicht durchströmen. Erst nachdem der Träger die gewünschten hohen Temperaturen erreicht hat, bei denen die Spannung der Betriebsstromquelle ausreicht, die Oberflächentemperatur des Trägers auf dem gewünscht hohen Wert zu halten, läßt man dann das Gas in das den Träger enthaltende Gefäß einströmen. Zwar ändert sich bei dieser verstärkten Kühlung auch die dem Träger bei dieser Kühlung entsprechende [/-/-Charakteristik derart, daß sich wiederum ein sehr hohes [/-Maximum einstellt; da jedoch infolge der schon erreichten hohen Temperatur des Stabes der Widerstand des Trägers sehr klein geworden ist, genügt die Betriebsspannungsquelle, um durch diesen relativ kleinen Widerstand sehr hohe Ströme zu schicken und somit eine hohe Wärmeleistung zu erzeugen, die ausreicht, um den Träger trotz der verstärkten Wärmeabfuhr durch die am Träger vorbeiströmenden kalten Gase auf seiner hohen Temperatur zu halten.
Weitere Ausführungsbeispiele der Erfindung gehen aus den folgenden Erläuterungen hervor:
Um einen Arbeitspunkt im fallenden Bereich der Charakteristik des Trägers einzustellen, wird z. B. der Träger, in dessen Stromkreis ein regelbarer Stabilisierungswiderstand als äußeres Schaltelement vorgesehen ist, an eine Hilfsstromquelle hoher Spannung, vorzugsweise eine Wechselstromquelle gelegt. Die Betriebsstromquelle kann dabei bereits zugeschaltet werden. Die Spannung der Hilfsstromquelle ist dabei vorteilhaft so hoch, daß die Stromspannungscharakteristik der äußeren, an die Hilfsstromquelle gelegten Schaltelemente die Stromspannugskennlinie des Trägers nur im fallenden Bereich schneidet. Das führt zu einer entsprechend hohen, dem Träger zugeführten Leistung, durch die sich dessen Temperatur erhöht. Dadurch ändern sich die Abkühlungsverhältnisse, was zu einer Abflachung der Kennlinie des Trägers führt. Diese die Abflachung der Trägerkennlinie bewirkende Vorerwärmung wird so lange fortgeführt, bis sie so weit fortgeschritten ist, daß die Stromspannungscharakteristik der äußeren Schaltelemente (wenigstens bei einer bestimmten Einstellung derselben) bei alleiniger Verwendung der betriebsmäßigen Stromquelle die Charakteristik des Trägers nur im instabilen Bereich schneidet. Sind dann die äußeren Schaltelemente so eingestellt, daß ihre Charakteristik diese Eigenschaft besitzt, so bleibt der Arbeitspunkt im fallenden Bereich der Trägercharakteristik erhalten, wenn man zu den während des Betriebes herrschenden, durch die Zufuhr des kühlen Reaktionsgases bedingten Abkühlungsverhältnissen übergeht.
Dieses Beispiel lehrt, daß eine Vorerwärmung des Trägers als eine Reduktion der Abkühlung, also im Sinne einer Erniedrigung der Maximalspannung Umax der Stromspannungskennlinie des Trägers wirkt. Sie läßt sich auch ohne eine besondere Hilfsspannungsquelle erreichen, indem der Träger durch andere Mittel, z. B. durch Wärmestrahlung, so stark vorgewärmt wird, bis die durch die angelegte Betriebsspannung und die äußeren Schaltelemente erzeugte Charakteristik die durch die Vorerwärmung veränderte Charakteristik des Trägers nur im instabilen Bereich schneidet. Schließlich kann eine Abflachung der Trägerkennlinie dadurch erzeugt werden, daß man die Abkühlung des über die äußeren Schaltelemente an die Betriebsspannung gelegten Trägers so klein macht, daß die hierdurch veränderte Trägercharakteristik mit der Charakteristik der äußeren Schaltelemente nur zu einem Arbeitspunkt im fallenden Bereich der Trägercharakteristik führen kann. Befindet sich der Träger während des Anlaufvorganges im Vakuum, so beschränkt sich die Wärmeabgabe auf Strahlung, so daß bereits eine relativ niedrige Spannung zu einem Arbeitspunkt im fallenden Bereich der Trägercharakteristik führt. Noch günstiger ist es, wenn der Träger in einer heißen Atmosphäre aus inertem Gas oder Wasserstoff angeordnet wird, da sich auch dann die Strahlung auf ein Minimum reduziert.
Durch die Anwendung dieser oder ähnlicher Maßnahmen ist zunächst bei Anwendung der betriebsmäßigen Schaltelemente ein Arbeitspunkt im fallen-
den Bereich der durch die Vorerwärmung modifizierten Trägercharakteristik erreicht. Da sich die Trägercharakteristik beim Einleiten des Reaktionsgases erneut verändert, ist eine exakte Einstellung des Arbeitspunktes, von dem ja die Tempera- tür des Trägers abhängt, erst nach dem Einlassen des Reaktionsgases möglich.
Es empfiehlt sich jedoch, den Träger nach Beendigung der Vorerwärmung nicht sofort mit dem Reaktionsgas in Berührung zu bringen, sondern ihn zunächst einige Zeit in strömendem, etwa die gleiche Temperatur wie das anzuwendende Reaktionsgas besitzendem gereinigtem Wasserstoffgas zu belassen, damit sich die Kennlinie des Trägers an die betriebsmäßigen Bedingungen angleichen kann. Der Arbeitspunkt des Trägers ist während dieser Phase so einzustellen, daß der Träger die gewünschte Betriebstemperatur besitzt. Wird dann der Wasserstoff durch das Reaktionsgas ersetzt, so ist nur eine geringfügige Änderung des Arbeitspunktes erforderlich, um ao die hierdurch bewirkte Änderung der Temperatur des Trägers zu kompensieren.
Vorzugsweise wird in Weiterbildung der Erfindung eine Betriebsstromquelle verwendet, deren Spannung E kleiner ist als die maximale Klemmenspan- «5 nung Umux des zu Beginn des Verfahrens verwendeten Trägers im Stromspannungsdiagramm dieses Trägers bei den im Betrieb vorhandenen Kühlungsverhältnissen. Die Abkühlung während des Betriebes ist durch direkte Wärmeableitung an das an dem Träger entlangströmende Reaktionsgas und durch Abstrahlung bedingt. Wie aus Fig. 2 ersichtlich, steigen beide Anteile mit wachsender Strombelastung / an. Die durch Wärmeableitung an das Reaktionsgas abgegebene Wärmemenge ist proportional der Temperaturdifferenz AT zwischen dem Träger und dem Rekationsgas. Sie muß also, wenn das auf konstante Temperatur gehaltene Reaktionsgas in stetem Zufluß erneutert wird, linear mit der Strombelastung ansteigen (Kurve d). Die Abstrahlung wächst dagegen mit der 4. Potenz von Δ T. Die durch Strahlung bedingten Wärmeverluste müssen also größer als die durch direkte Übertragung an das Reaktionsgas bedingten Wärmeverluste des Trägers sein (Kurve b). Aus beiden Anteilen setzen sich die betriebsmäßigen Abkühlungsverhältnisse zusammen (Kurve a + b). Durch sie wird die Charakteristik des Trägers, wie bereits näher dargestellt, entscheidend beeinflußt.
Ist nun die Betriebsspannung E kleiner als die Maximalspannung der zu Beginn des Abscheidevorganges vorliegenden Trägercharakteristik, so erhält man eine erhöhte Sicherheit dafür, daß der Arbeitspunkt nicht während des Abscheidevorganges aus dem instabilen Bereich der Stromspannungscharakteristik in den stabilen Teil dieser Charakteristik wandern kann. Außerdem ist es zweckmäßig, mit einer Betriebsstromquelle niedriger Spannung zu arbeiten, z. B. mit Netzspannung, mit deren Hilfe man dem Träger die zur Aufrechterhaltung des Abscheidevorganges erforderliche Leistung ebenso gut zuführen kann wie mit einer Stromquelle höherer Spannung, vorausgesetzt, daß sie während des Abscheidevorganges zu einem beständig auf dem fallenden Teil der Trägercharakteristik liegenden Arbeitspunkt führen kann.
Das zur Stabilisierung des Betriebsstromes / dienende Schaltelement ist zweckmäßig ein regelbarer Vorschaltwiderstand, bei Verwendung von Wechselstrom insbesondere eine regelbare Drossel, mit dessen Hilfe auch die Oberflächentemperatur des Trägers eingeregelt wird. Bei der Regelung und Stabilisierung muß dabei dem durch den Abscheidevorgang bedingten, dynamischen Charakter der Stromspannungscharakteristik des sich verdickenden Trägers Rechnung getragen werden. Würde man nämlich den Widerstand des äußeren Stromkreises auf den zu Beginn des Abscheidevorganges eingestellten Wert konstant belassen, so würde gegebenenfalls bereits nach kurzer Zeit die Charakteristik der stabilisierenden Widerstände die Stromspannungscharakteristik des sich verdickenden Trägers nicht mehr im instabilen Bereich schneiden. Der Betriebszustand müßte dann in einen im stabilen Bereich der Stromspannungscharakteristik liegenden Arbeitspunkt übergehen, was zwangläufig zu Störungen des Abscheidevorganges führen würde.
Um dies zu vermeiden, wird während der Abscheidung der Vorschaltwiderstand und gegebenenfalls die Spannung der Betriebsstromquelle auf Werten gehalten, bei denen die sich aus ihnen ergebenden Widerstandsgeraden oder sonstigen resultierenden Stromcharakteristiken der äußeren, den Betriebsstrom stabilisierenden Schaltelemente den abfallenden Ast der Stromspannungskennlinien des Trägers mindestens noch tangieren, insbeosndere schneiden.
In der Fig. 3 ist dies im Falle einer rein ohmschen Charakteristik der äußeren Schaltelemente dargestellt. Die Kurve I entspricht der Kennlinie des ursprünglichen Trägers, die infolge der Abscheidung allmählich in die Kurven II bzw. III übergeht. Die äußeren Schaltelemente seien ohmsche Widerstände mit dem Gesamtwiderstand Ra. Die EMK und der Wert von Ra ist am Beispielsfalle so eingestellt, daß die Widerstandscharakteristik α dieser äußeren Schaltelemente die Stromspannungskennlinie des Anfangsträgers gerade tangiert. Durch die Einsetzung der Abscheidung verschiebt sich die Charakteristik des Trägers nach rechts. Um den Schnittpunkt im fallenden Bereich aufrechtzuerhalten, muß also auch die Charakteristik α verschoben werden, um z. B. bei konstant gehaltener Betriebsspannung E die Lage b und schließlich die Lage c einzunehmen. Eine Beibehaltung der Tangentenlage läßt sich auch, wie aus Fig. 3 hervorgeht, durch entsprechende Erhöhung der Betriebspannung E im Laufe des Abscheideverfahrens erzielen.
Im allgemeinen wird jedoch die Charakteristik der äußeren Schaltelemente so eingestellt, daß zwei Schnittpunkte im fallenden Bereich der Charakteristik des Trägers entstehen. Dann wird sich im allgemeinen der Betrieb auf den tiefer liegenden, stabileren Arbeitspunkt einstellen.
Die mit wachsendem Durchmesser des Trägers verbundene Verschiebung der Trägercharakteristik hat eine Verschiebung des Arbeitspunktes auf der Charakteristik der äußeren Schaltelemente nach links und damit eine Abnahme des Betriebsstromes / zur Folge. In der Regel ist mit dieser Verschiebung des Arbeitspunktes eine Abnahme der Trägertemperatur verbunden. Dieser Temperaturabfall muß während des Abscheideverfahrens ständig ausgeglichen und dafür gesorgt werden, daß sich der betriebsmäßige Arbeitspunkt allmählich in das Gebiet höherer Leistungszufuhr verschiebt. Durch diese Verschiebung soll die Wirkung der mit wachsendem
Trägerdurchmesser zunehmenden Abkühlung ausgeglichen werden. Am einfachsten geschieht dies, indem die Trägertemperatur laufend mittels eines Pyrometers, einer Photozelle oder eines anderen, auf Wärmestrahlung ansprechenden Temperaturmessers überwacht und der den Träger durchfließende Strom durch Verminderung des Widerstandes der äußeren Schaltelemente beim Feststellen einer Abnahme der Trägertemperatur somit erhöht wird, daß der Sollwert der Temperatur sofort wiederhergestellt wird.
Wie bereits ausgeführt, kann die Spannung der Betriebsstromquelle kleiner sein als die maximale Spannung Ux zu Beginn des Abscheidungsvorganges. vorausgesetzt, daß die Betriebsspannung während des Abscheidevorgangs zu einem beständig auf dem fallenden Teil der Trägercharakteristik liegenden Arbeitspiinkt führen kann. Der fallende Bereich der Trägercharakteristik bricht nämlich bei Zufuhr einer bestimmten, von der Stärke des betreffenden Trägers abhängenden Leistung ab, weil der Träger dann durchschmilzt, so daß der weitere· Verlauf der Kennlinie nicht mehr physikalisch definiert ist. Es empfiehlt sich deshalb, den kleinstmöglich einstellbaren Widerstand der äußeren Schaltelemente so groß zu machen, daß der sich aus diesem Widerstand und der Spannung der Betriebsstromquelle ergebende Strom durch den noch unverdickten Träger diesen nicht zerstört. Ist dies nicht während des gesamten Verlaufes des Abscheidungsvorganges sichergestellt, so muß die Betriebsspannung während des Abscheidungsvorganges so weit erhöht werden, daß ein solcher Arbeitspunkt auch bei dem durch den Abscheidungsvorgang verdickten Träger gesichert ist.
In F i g. 4 ist eine Anordnung zur Durchführung der genannten Verfahren schematisch dargestellt, in der die einzelnen beschriebenen Durchführungsmöglichkeilen alle dargestellt sind, wenn auch bei der praktischen Durchführung im allgemeinen nur eine oder höchstens zwei dieser Möglichkeiten gleichzeitig angewendet werden. Der im Reaktionsgefäß 2 gehalterte Träger 1 wird durch den über die Elektroden 3, 4 zugeführten Betriebsstrom erhitzt und auf die gewünschte Abscheidungstemperatur gebracht. Die Öffnung 5 dient zur Zufuhr des Reaktionsgases, die Öffnung 6 zur Ableitung der Abgase. Beide Öffnungen können durch Hähne verschlossen werden, die gleichzeitig auch zur Regelung der Gasströmung dienen können. Das Reaktionsgefäß kann aus einem der für diesen Zweck üblichen Werkstoffe, z. B. Quarz, bestehen und ist in an sich bekannter Weise ausgebildet. Der Betriebsstrom wird durch eine Betriebsspannungsquelle 7, ζ. Β. Wechselstromquelle von 50 oder 220 Volt, erzeugt und über einen variablen Begrenzungswiderstand 8, z. B. eine Drosselspule, den Elektroden des Trägers 1 zugeführt. An Stelle des Betriebsstromes kann eine hochgespannte Hochfrequenzquelle 9 auf den Träger geschaltet werden, welche die Vorerwärmung des Trägers bewirkt und die nach Beendigung der Vorerwärmung durch die Betriebsstromquelle ersetzt wird. Statt der Hochspannungsquelle 9 kann zur Erwärmung des Trägers eine Strahlungseinrichtung 10, z. B. eine auf entsprechend hohe Temperatur gebrachte Heizwendel, die mit einem die Strahlung auf den Träger 1 konzentrierenden, spiegelnden Schirm 11 ausgerüstet ist, verwendet werden. Zur unmittelbaren Reduktion der Abkühlung durch Erhöhung der Umgebungstemperatur des Trägers kann zur Vorerwärmung des Trägers heißes Wasserstoffgas in das Reaktionsgefäß eingeleitet werden. Zur Überwachung des durch den Träger fließenden Stromes dient der Strommesser 11, während parallel zum Träger ein den Spannungsabfall am Träger messendes Instrument 13, z. B. ein statisches Voltmeter, gelegt ist.
Für diejenigen Fälle, bei denen die Vorerwärmung nicht ausschließlich durch eine besondere Hilfsstromquelle 9 erfolgt, gestaltet sich die nähere Durchführung der beschriebenen Verfahren folgendermaßen: Die Betriebsspannung, z. B. 50 Volt oder Netzspannung, wird an den Träger gelegt und die die Vorerwärmung bewirkenden Mittel eingeschaltet. Der Begrenzungswiderstand 8 ist dabei so gewählt, daß er den Heizstrom im Bereich von 10 bis 150 A zu regeln gestattet. Er wird auf einen Wert eingestellt, der eine Regelung nach oben und unten in ausreichendem Ausmaß erlaubt. Während der Vorerwärmungsphase steigt der durch den Träger fließende Strom zunächst langsam, dann rasch an. Die Spannung am Träger, die durch den Spannungsmesser 13 angezeigt wird, steigt zunächst an und fällt dann nach einiger Zeit mit weitersteigendem Strom ab. Sowie dieser Zustand eindeutig eingetreten ist, können die die Vorheizung bewirkenden Mittel ausgeschaltet werden.
Die beim Eintreten dieses Zustandes erforderliche Temperatur des Trägers liegt bei etwa 700 bis 800° C. Die Vorervvärmung muß also so bemessen werden, daß diese Trägertemperatur in einer verhältnismäßig kurzen Zeit erreicht wird. Eine Vorerwärmung von einer viertel Stunde Dauer läßt sich bei 20 cm langen dünnen Trägern (2 bis 3 mm Durchmesser) ohne Schwierigkeiten durch Strahlung usw. erreichen.
Solche Siliciumstäbe haben in kaltem Zustande einen Widerstand von 3 bis 5 Kiloohm, gegebenenfalls auch höher, bei Betriebstemperatur sinkt er auf wenige Ohm ab. Der Vorschaltwiderstand muß also in entsprechendem Ausmaß regelbar sein.
Ist der Träger so weit vorgewärmt, daß sich bei weiterer Stromzunahme eine deutliche Abnahme der Spannung zeigt, so muß nach Abschalten der Vorerwärmung der allein von der Betriebsspannung gelieferte Trägerstrom (mindestens bei geeigneter Einstellung des Vorschaltwiderstandes) unter gleichzeitigem Absinken der am Spannungsmesser 13 abgelesenen Klemmenspannung weitersteigen. Diese Bedingung muß auch dann erfüllt sein, wenn die Verhältnisse im Reaktionsgefäß an die betriebsmäßigen Abkühlungsverhältnisse angeglichen sind, also wenn das Reaktionsgas oder noch besser ein auf der Temperatur des Reaktionsgases gehaltener Wasserstoffstrom in das Reaktionsgefäß eingeleitet wird. Nach dem Angleichen der Abkühlungsverhältnisse an die Betriebsbedingungen wird die für die Abscheidung erforderliche Temperatur des Trägers, z. B. 1100 oder 1150° C, eingestellt. Dies geschieht durch Einregelung des Vorschaltwiderstandes, der gleichzeitig zur Stabilisierung des Stromes dient, wobei die Temperatur mittels eines geeichten strahlungsempfindlichen Temperaturmeßgerätes beobachtet wird.
Wird die Vorerwärmung ausschließlich durch eine besondere Hochspannungsquelle 9 vorgenommen, so stellt sich bei entsprechend hoher Spannung, z. B. 3 bis 4 Kilovolt, bereits nach kurzer Zeit ein kräftiger Stromanstieg und eine damit parallellaufende Erwärmung des Trägers ein. Sobald die Spannung am
509 779/379
Träger eindeutig bei weitersteigendem Strom abfällt, kann die Hilfsstromquelle 9 durch die Betriebsstromquelle 8 ersetzt werden. Der übrige Vorgang verläuft in der bereits geschilderten Weise.
Da bei der Herstellung von hochreinem Silicium ein entsprechend hochreiner Träger verwendet werden soll, der z. B. aus einem Silicium mit einem spezifischen Widerstand von 500 bis 1000 Ω · cm gefertigt ist und einen Durchmesser von 5 mm und darunter aufweist, ergibt sich ein besonders steiler Verlauf der Charakteristik des ursprünglichen Trägers. Ein hoher spezifischer Widerstand wirkt nämlich ebenso wie eine große Länge oder ein geringer Querschnitt des Trägers im Sinne einer Erhöhung der Spannung Umax. Aus diesem Grunde muß bei Verwendung eines hochreinen, dünnen, langgestreckten Trägers die Vorerwärmung besonders sorgfältig vorgenommen werden, damit man auch nach Herstellung der betriebsmäßigen Abkühlungsverhältnisse mit Sicherheit zu einem im fallenden Bereich der U-J-Charakteristik liegenden Arbeitspunkt gelangt. Dies gilt auch für Träger, die aus einem Silicium mit geringer Lebensdauer für die in ihm erzeugten Ladungsträger bestehen. Wie bereits ausgeführt, empfiehlt sich in den genannten Fällen stets die Anwendung einer Betriebsspannung, die kleiner ist als das Maximum Umax der sich bei Einstellung der betriebsmäßigen Abkühlungsverhältnisse ergebenden U-J-Charakteristik des Trägers.

Claims (5)

Patentansprüche:
1. Verfahren zum Herstellen von hochreinem Silicium, bei dem ein langgestreckter, dünner, an seinen Enden durch Elektroden gehalterter, aus hochreinem Silicium od. dgl, bestehender Trägerkörper sehr geringer Leitfähigkeit nach einer Vorerwärmung durch einen über die Elektroden zugeführten elektrischen Strom auf hohe Temperatur erhitzt und durch den aus einer den Träger umgebenden, vorzugsweise an ihm entlangströmenden Atmosphäre aus einer gereinigten gasförmigen, gegebenenfalls mit reinem Wasserstoff vermischten Siliciumverbindung abgeschiedenen und an dem Träger ankristallisierenden Silicium allmählich zu einem dicken Siliciumkörper verstärkt wird, insbesondere nach Patent 1102117, dadurch gekennzeichnet, daß der Widerstandswert des Trägers zu Beginn des Verfahrens durch besondere, zusätzlich zur Betriebsstromquelle oder an Stelle der Betriebsstromquelle angewandte Mittel zur Erhitzung des Trägers bzw. zur Minderung seiner Kühlung auf einen so kleinen Wert herabgesetzt wird, bei dem ein allein aus der Betriebsstromquelle durch den Träger fließender Betriebsstrom trotz der im Betrieb auftretenden starken Kühlung die Temperatur des Trägers unter gleichzeitigem Absinken der Klemmenspannung am Träger weiter zu erhöhen oder zu halten vermag und der Träger danach allein durch den von der Betriebsstromquelle gelieferten Betriebsstrom auf der zur Zersetzung der Siliciumverbindung und zur kompakten Abscheidung des Siliciums auf den Träger erforderlichen Temperatur gehalten wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch die Verwendung einer Betriebsstromquelle, deren Spannung kleiner ist als die maximale Klemmenspannung des zu Beginn des Verfahrens verwendeten Trägers im Stromspannungsdiagramm dieses Trägers bei den im Betrieb vorhandenen Kühlungsverhältnissen.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch die Verwendung eines regelbaren Vorschaltwiderstandes, insbesondere einer Regeldrossel im Stromkreis des Betriebsstromes, insbesondere des Betriebswechselstromes, zur Regelung der Oberflächentemperatur des Trägers.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß während der Abscheidung der Vorschaltwiderstand und gegebenenfalls die Spannung der Betriebsstromquelle auf Weiten gehalten werden, bei denen die sich aus ihnen ergebenden Widerstandsgeraden oder sonstigen resultierenden Stromcharakteristiken der äußeren den Betriebsstrom stabilisierenden Schaltelemente den abfallenden Ast der sich während des Abscheidevorganges verändernden Stromspannungskennlinie des Trägers mindestens noch tangieren oder schneiden.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Einstellung des Arbeitspunktes im fallenden Teil der Stromspannungskennlinie des Trägers bei Abwesenheit eines kühlenden Gases, insbesondere des Reaktionsgases, vorgenommen und das Reaktionsgas erst nach Einstellung des Arbeitspunktes zugeleitet wird.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
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DES39209A DE1102117B (de) 1954-05-18 1954-05-18 Verfahren zum Herstellen von reinstem Silicium
DES67478A DE1134459B (de) 1954-05-18 1954-05-18 Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkoerper aus Silizium
DES42803A DE1223815B (de) 1954-05-18 1955-02-24 Verfahren zur Herstellung von reinstem Silicium
CH753160A CH494590A (de) 1954-05-18 1955-05-17 Verfahren zum Herstellen einer aus mindestens zwei chemischen Elementen bestehenden kompakt kristallinen halbleitenden Verbindung
CH473362A CH509824A (de) 1954-05-18 1955-05-17 Verfahren zum Herstellen eines aus mindestens zwei halbleitenden chemischen Elementen zusammengesetzten, mindestens teilweise legierten Halbleitermaterials
CH358411D CH358411A (de) 1954-05-18 1955-05-17 Verfahren zum Herstellen eines Halbleitereigenschaften aufweisenden chemischen Elementes in kompakt-kristallinem Zustand
GB14233/55A GB809250A (en) 1954-05-18 1955-05-17 Improvements in or relating to processes and apparatus for the production of ultra-pure substances
FR1125207D FR1125207A (fr) 1954-05-18 1955-05-18 Procédé de préparation de substances très pures de préférence pour emploi comme semi-conducteurs, dispositif pour sa réalisation et produits conformes à ceux obtenus
DES49371A DE1193022B (de) 1954-05-18 1956-07-06 Verfahren zur Herstellung von reinstem Silicium
FR70442D FR70442E (fr) 1954-05-18 1956-08-08 Procédé de préparation de substances très pures, de préférence pour emploi comme semi-conducteurs, dispositif pour sa réalisation et produits conformes à ceux obtenus
DES50407A DE1185449B (de) 1954-05-18 1956-09-18 Einrichtung zum Herstellen von reinsten Halbleiterstoffen
US668209A US2854318A (en) 1954-05-18 1957-06-26 Method of and apparatus for producing semiconductor materials
CH4780657A CH378863A (de) 1954-05-18 1957-06-28 Verfahren zur Herstellung eines Halbleitereigenschaften aufweisenden chemischen Elementes
GB21435/57A GB833290A (en) 1954-05-18 1957-07-05 Improvements in or relating to processes and apparatus for the production of ultra-pure substances
FR1182346D FR1182346A (fr) 1954-05-18 1957-07-06 Procédé et dispositif pour la fabrication de produits semi-conducteurs
DES55831A DE1211610B (de) 1954-05-18 1957-11-11 Verfahren zur Herstellung von reinstem Silicium
DES56317A DE1208298B (de) 1954-05-18 1957-12-19 Verfahren zum Herstellen von Silicium fuer Halbleiteranordnungen
DE1958S0058219 DE1217348C2 (de) 1954-05-18 1958-05-14 Verfahren zur Herstellung von reinstem Silicium
US772063A US3063811A (en) 1954-05-18 1958-11-05 Method of producing rodshaped bodies of crystalline silicon for semiconductor devices and semiconductor bodies obtained therefrom
CH6585358A CH416582A (de) 1954-05-18 1958-11-05 Verfahren zum Herstellen von kristallischem Silizium für Halbleiteranordnungen
GB36224/58A GB898342A (en) 1954-05-18 1958-11-11 Improvements in or relating to methods of producing purified silicon
FR778915A FR74391E (fr) 1954-05-18 1958-11-12 Procédé de préparation de substances très pures, de préférence pour emploi comme semi-conducteurs, dispositif pour sa réalisation et produits conformes à ceux obtenus
US774413A US2981605A (en) 1954-05-18 1958-11-17 Method of and apparatus for producing highly pure rodlike semiconductor bodies
FR781813A FR74664E (fr) 1954-05-18 1958-12-16 Procédé de préparation de substances très pures, de préférence pour emploi comme semi-conducteurs, dispositif pour sa réalisation et produits conformes à ceux obtenus
GB40896/58A GB849718A (en) 1954-05-18 1958-12-18 Improvements in or relating to semi-conductor production
DES61117A DE1209113B (de) 1954-05-18 1958-12-23 Verfahren zum Herstellen von hochreinem Silicium
FR812561A FR77011E (fr) 1954-05-18 1959-12-09 Procédé de préparation de substances très pures de préférence pour emploi comme semi-conducteurs, dispositif pour sa réalisation et produits conformes à ceux obtenus
GB41883/59A GB907510A (en) 1954-05-18 1959-12-09 Improvements in or relating to processes and apparatus for the production of ultra-pure semi-conductor materials
CH8185859A CH424732A (de) 1954-05-18 1959-12-15 Verfahren zum Herstellen eines hochreinen Halbleiterstabes
DES66308A DE1212949B (de) 1954-05-18 1959-12-17 Verfahren zum Herstellen von hochreinem Silicium
GB43550/59A GB889192A (en) 1954-05-18 1959-12-22 Improvements in or relating to processes and apparatus for the production of ultra-pure semi-conductor substances
FR813996A FR77018E (fr) 1954-05-18 1959-12-23 Procédé de préparation de substances très pures, de préférence pour emploi comme semi-conducteurs, dispositif pour sa réalisation et produits conformes à ceux obtenus
BE585975A BE585975A (fr) 1958-12-23 1959-12-23 Procédé pour la préparation de silicium très pur
GB32747/60A GB908373A (en) 1954-05-18 1960-09-23 Improvements in or relating to processes and apparatus for producing semi-conductor substances of very high purity
FR842704A FR78837E (fr) 1954-05-18 1960-10-31 Procédé de préparation de substances très pures de préférence pour emploi comme semi-conducteurs, dispositif pour sa réalisation et produits conformes à ceux obtenus
GB37496/60A GB922280A (en) 1954-05-18 1960-11-01 Improvements in or relating to processes and apparatus for the production of ultra-pure semiconductor substances
CH1344660A CH440228A (de) 1954-05-18 1960-11-29 Verfahren zum Herstellen eines hochreinen Siliziumstabes
GB43351/60A GB938699A (en) 1954-05-18 1960-12-16 Improvements in or relating to processes and apparatus for the production of ultra-pure semi-conductor substances
FR847269A FR79005E (fr) 1954-05-18 1960-12-17 Procédé de préparation de substances très pures, de préférence pour emploi comme semi-conducteurs, dispositif pour sa réalisation et produits conformes à ceux obtenus
US87885A US3146123A (en) 1954-05-18 1961-02-08 Method for producing pure silicon
DES69895A DE1235266B (de) 1954-05-18 1961-05-18 Verfahren zum Herstellen reinster kristalliner Stoffe, insbesondere fuer Halbleiterzwecke
US230033A US3232792A (en) 1954-05-18 1962-10-10 Method for producing hyperpure silicon
US242478A US3335697A (en) 1954-05-18 1962-12-05 Apparatus for vapor deposition of silicon

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US (5) US2854318A (de)
CH (6) CH509824A (de)
DE (11) DE1102117B (de)
FR (2) FR1125207A (de)
GB (6) GB809250A (de)
NL (7) NL218408A (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2444373A1 (de) 2010-10-25 2012-04-25 Wacker Chemie AG Verfahren zur Herstellung von polykristallinen Siliciumstäben

Families Citing this family (99)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL113118C (de) * 1954-05-18 1900-01-01
DE1017795B (de) * 1954-05-25 1957-10-17 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung reinster kristalliner Substanzen, vorzugsweise Halbleitersubstanzen
US3330251A (en) * 1955-11-02 1967-07-11 Siemens Ag Apparatus for producing highest-purity silicon for electric semiconductor devices
DE1061593B (de) * 1956-06-25 1959-07-16 Siemens Ag Vorrichtung zur Gewinnung reinsten Halbleitermaterials fuer elektrotechnische Zwecke
US3021197A (en) * 1956-11-20 1962-02-13 Olin Mathieson Preparation of diborane
DE1207922B (de) * 1957-04-30 1965-12-30 Standard Elektrik Lorenz Ag Verfahren zum Herstellen von hochreinen Halbleitersubstanzen, insbesondere von Silizium
US3169892A (en) * 1959-04-08 1965-02-16 Jerome H Lemelson Method of making a multi-layer electrical circuit
US2993763A (en) * 1957-11-14 1961-07-25 Plessey Co Ltd Manufacturing process for the preparation of flakes of sintered silicon
DE1081869B (de) * 1957-12-03 1960-05-19 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Silicium-Einkristallen
DE1198321B (de) * 1958-01-06 1965-08-12 Int Standard Electric Corp Verfahren zur Herstellung von Halbleitermaterial grosser Reinheit
DE1098496B (de) * 1958-04-11 1961-02-02 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zur gleichzeitigen Herstellung von kristallinem oder amorphem Silicium und Siliciumverbindungen mit Si-Si-Bindungen
NL236697A (de) * 1958-05-16
US3030189A (en) * 1958-05-19 1962-04-17 Siemens Ag Methods of producing substances of highest purity, particularly electric semiconductors
NL124690C (de) * 1958-05-29
DE1123653B (de) * 1958-07-25 1962-02-15 Gen Electric Verfahren zum Herstellen von Siliciumtetrajodid
US3020129A (en) * 1958-07-25 1962-02-06 Gen Electric Production of silicon of improved purity
US3017251A (en) * 1958-08-19 1962-01-16 Du Pont Process for the production of silicon
BE582787A (de) * 1958-09-20 1900-01-01
NL295321A (de) * 1958-12-09
NL130371C (de) * 1958-12-16 1900-01-01
DE1154796B (de) * 1958-12-16 1963-09-26 Western Electric Co Verfahren zum Reinigen von Silicium- oder Germaniumverbindungen
NL246971A (de) * 1959-01-02 1900-01-01
US3025192A (en) * 1959-01-02 1962-03-13 Norton Co Silicon carbide crystals and processes and furnaces for making them
NL251143A (de) * 1959-05-04
DE1140548B (de) * 1959-06-25 1962-12-06 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von einkristallinen Halbleiterkoerpern
NL256017A (de) * 1959-09-23 1900-01-01
NL256255A (de) * 1959-11-02
DE1128412B (de) * 1959-12-17 1962-04-26 Metallgesellschaft Ag Verfahren zur Herstellung von Reinstsilicium durch thermische Zersetzung von gasfoermigen Siliciumverbindungen
DE1147567B (de) * 1960-01-15 1963-04-25 Siemens Ag Verfahren zum Gewinnen von insbesondere einkristallinem, halbleitendem Silicium
NL262949A (de) * 1960-04-02 1900-01-01
US3098774A (en) * 1960-05-02 1963-07-23 Mark Albert Process for producing single crystal silicon surface layers
DE1123300B (de) * 1960-06-03 1962-02-08 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Silicium oder Germanium
DE1155098B (de) * 1960-06-10 1963-10-03 Siemens Ag Verfahren zur Gewinnung von reinstem Silicium
US3161474A (en) * 1960-06-21 1964-12-15 Siemens Ag Method for producing hyperpure semiconducting elements from their halogen compounds
DE1129145B (de) * 1960-07-07 1962-05-10 Knapsack Ag Verfahren zur Herstellung von hochreinem Silicium
US3134694A (en) * 1960-08-25 1964-05-26 Siemens Ag Apparatus for accurately controlling the production of semiconductor rods
DE1216842B (de) * 1960-09-30 1966-05-18 Karl Ernst Hoffmann Verfahren zur Herstellung von reinstem Silicium und Germanium
DE1138746B (de) * 1960-10-22 1962-10-31 Int Standard Electric Corp Verfahren zur Reinigung von Siliciumtetrachlorid
DE1498891A1 (de) * 1960-12-06 1969-02-06 Siemens Ag Verfahren zur Bestimmung der Konzentration von aktiven Verunreinigungen in einer zur Darstellung eines halbleitenden Elements geeigneten Verbindung
DE1198787B (de) * 1960-12-17 1965-08-19 Siemens Ag Verfahren zur Gewinnung von reinstem Silicium, Siliciumkarbid oder Germanium aus ihren gasfoermigen Verbindungen
NL277330A (de) * 1961-04-22
US3188244A (en) * 1961-04-24 1965-06-08 Tektronix Inc Method of forming pn junction in semiconductor material
DE1193486B (de) * 1961-06-19 1965-05-26 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von n-leitendem Silicium
US3125533A (en) * 1961-08-04 1964-03-17 Liquid
DE1215110B (de) * 1961-08-14 1966-04-28 Siemens Ag Vorrichtung zum Einspannen des Endes eines Stabes bei Apparaturen zum tiegellosen Zonenschmelzen
US3325392A (en) * 1961-11-29 1967-06-13 Siemens Ag Method of producing monocrystalline layers of silicon on monocrystalline substrates
NL288035A (de) * 1962-01-24
US3152932A (en) * 1962-01-29 1964-10-13 Hughes Aircraft Co Reduction in situ of a dipolar molecular gas adhering to a substrate
DE1255635B (de) * 1962-06-14 1967-12-07 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen kristalliner, insbesondere einkristalliner Schichten aus halbleitenden Stoffen
DE1188057B (de) * 1962-06-18 1965-03-04 Siemens Ag Verfahren zum Reinigen von Siliciumstaeben
DE1444526B2 (de) * 1962-08-24 1971-02-04 Siemens AG, 1000 Berlin u 8000 München Verfahren zum Abscheiden eines halb leitenden Elements
DE1184733B (de) * 1962-09-15 1965-01-07 Siemens Ag Anordnung zur Stromversorgung eines zu beheizenden Traegers einer Anlage zur Gewinnung reinsten Halbleitermaterials durch Abscheidung aus der Gasphase
DE1268599B (de) * 1963-03-27 1968-05-22 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen einkristalliner Staebe durch Aufwachsen aus der Gasphase
US3310426A (en) * 1963-10-02 1967-03-21 Siemens Ag Method and apparatus for producing semiconductor material
DE1286512B (de) * 1963-10-08 1969-01-09 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von insbesondere stabfoermigen Halbleiterkristallen mit ueber den ganzen Kristall homogener oder annaehernd homogener Dotierung
US3381114A (en) * 1963-12-28 1968-04-30 Nippon Electric Co Device for manufacturing epitaxial crystals
DE1262243B (de) * 1964-03-18 1968-03-07 Ibm Deutschland Verfahren zum epitaktischen Aufwachsen von Halbleitermaterial
US3459152A (en) * 1964-08-28 1969-08-05 Westinghouse Electric Corp Apparatus for epitaxially producing a layer on a substrate
NL6513397A (de) * 1964-11-02 1966-05-03 Siemens Ag
US3502516A (en) * 1964-11-06 1970-03-24 Siemens Ag Method for producing pure semiconductor material for electronic purposes
US3372671A (en) * 1965-05-26 1968-03-12 Westinghouse Electric Corp Apparatus for producing vapor growth of silicon crystals
US3523816A (en) * 1967-10-27 1970-08-11 Texas Instruments Inc Method for producing pure silicon
US3925146A (en) * 1970-12-09 1975-12-09 Minnesota Mining & Mfg Method for producing epitaxial thin-film fabry-perot cavity suitable for use as a laser crystal by vacuum evaporation and product thereof
BE806098A (fr) * 1973-03-28 1974-02-01 Siemens Ag Procede de fabrication de silicium ou autre matiere semi-conductrice tres pure
US4076859A (en) * 1973-08-29 1978-02-28 Schladitz-Whiskers Ag Process for metallizing strips, sheets or the like
US4047496A (en) * 1974-05-31 1977-09-13 Applied Materials, Inc. Epitaxial radiation heated reactor
US4108108A (en) * 1974-07-10 1978-08-22 Schladitz-Whiskers Ag. Apparatus for metallizing strips, sheets or the like
US4081313A (en) * 1975-01-24 1978-03-28 Applied Materials, Inc. Process for preparing semiconductor wafers with substantially no crystallographic slip
DE2528192C3 (de) * 1975-06-24 1979-02-01 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Vorrichtung zum Abscheiden von elementarem Silicium auf einen aus elementarem Silicium bestehenden stabförmigen Trägerkörper
DE2638270C2 (de) * 1976-08-25 1983-01-27 Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen Verfahren zur Herstellung großflächiger, freitragender Platten aus Silicium
DE2753567C3 (de) * 1977-12-01 1982-04-15 Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen Verfahren zur Herstellung von hochreinen Halbleitermaterialien und Reinstmetallen
US4233934A (en) * 1978-12-07 1980-11-18 General Electric Company Guard ring for TGZM processing
JPS5595319A (en) * 1979-01-12 1980-07-19 Wacker Chemitronic Pure semiconductor material* specially silicon precipitating device and method
DE2928456C2 (de) * 1979-07-13 1983-07-07 Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen Verfahren zur Herstellung von hochreinem Silicium
EP0053150A1 (de) * 1980-06-13 1982-06-09 Establishment For Science And Technology Verfahren zur herstellung einer dünnen schicht mit gerichteter struktur, vorrichtung zur durchführung dieses verfahrens und durch diese verfahren hergestellte produkte
US4309241A (en) * 1980-07-28 1982-01-05 Monsanto Company Gas curtain continuous chemical vapor deposition production of semiconductor bodies
US4444812A (en) * 1980-07-28 1984-04-24 Monsanto Company Combination gas curtains for continuous chemical vapor deposition production of silicon bodies
FR2532783A1 (fr) * 1982-09-07 1984-03-09 Vu Duy Phach Machine de traitement thermique pour semiconducteurs
US4649261A (en) * 1984-02-28 1987-03-10 Tamarack Scientific Co., Inc. Apparatus for heating semiconductor wafers in order to achieve annealing, silicide formation, reflow of glass passivation layers, etc.
US4698486A (en) * 1984-02-28 1987-10-06 Tamarack Scientific Co., Inc. Method of heating semiconductor wafers in order to achieve annealing, silicide formation, reflow of glass passivation layers, etc.
JPS61101410A (ja) * 1984-10-24 1986-05-20 Hiroshi Ishizuka 多結晶珪素の製造法及びそのための装置
JPS63285923A (ja) * 1987-05-19 1988-11-22 Komatsu Denshi Kinzoku Kk シリコン−ゲルマニウム合金の製造方法
DE19528784C1 (de) * 1995-08-04 1996-08-29 Inst Neuwertwirtschaft Gmbh Verfahren zur Reinigung von Inertgasen mittels Sorbenzien
DE19608885B4 (de) * 1996-03-07 2006-11-16 Wacker Chemie Ag Verfahren und Vorrichtung zum Aufheizen von Trägerkörpern
US6365225B1 (en) 1999-02-19 2002-04-02 G.T. Equipment Technologies, Inc. Cold wall reactor and method for chemical vapor deposition of bulk polysilicon
US6284312B1 (en) 1999-02-19 2001-09-04 Gt Equipment Technologies Inc Method and apparatus for chemical vapor deposition of polysilicon
US6594446B2 (en) 2000-12-04 2003-07-15 Vortek Industries Ltd. Heat-treating methods and systems
US9627244B2 (en) 2002-12-20 2017-04-18 Mattson Technology, Inc. Methods and systems for supporting a workpiece and for heat-treating the workpiece
WO2007120871A2 (en) * 2006-04-13 2007-10-25 Cabot Corporation Production of silicon through a closed-loop process
US8454356B2 (en) 2006-11-15 2013-06-04 Mattson Technology, Inc. Systems and methods for supporting a workpiece during heat-treating
RU2499768C2 (ru) * 2008-03-10 2013-11-27 Аег Пауэр Солюшнс Б.В. Устройство и способ равномерного электропитания кремниевого стержня
CN101559948B (zh) * 2008-03-10 2014-02-26 安奕极电源系统有限责任公司 在沉积工艺期间在硅棒中产生均匀温度分布的装置和方法
US9070590B2 (en) 2008-05-16 2015-06-30 Mattson Technology, Inc. Workpiece breakage prevention method and apparatus
ES2331283B1 (es) * 2008-06-25 2010-10-05 Centro De Tecnologia Del Silicio Solar, S.L. (Centsil) Reactor de deposito de silicio de gran pureza para aplicaciones fotovoltaicas.
DE102008054519A1 (de) * 2008-12-11 2010-06-17 Wacker Chemie Ag Polykristallines germaniumlegiertes Silicium und ein Verfahren zu seiner Herstellung
DE102009010086B4 (de) * 2009-01-29 2013-04-11 Centrotherm Sitec Gmbh Anordnung und Verfahren zur Messung der Temperatur und des Dickenwachstums von Siliziumstäben in einem Silizium-Abscheidereaktor
DE102009056437B4 (de) 2009-12-02 2013-06-27 Spawnt Private S.À.R.L. Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von kurzkettigen halogenierten Polysilanen
TW201142069A (en) * 2010-03-19 2011-12-01 Gt Solar Inc System and method for polycrystalline silicon deposition
DE102010044755A1 (de) 2010-09-08 2012-03-08 Spawnt Private S.À.R.L. Verfahren zur Herstellung von Silicium hoher Reinheit

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1733752A (en) * 1929-10-29 Refractory metal and its manufacture
DE304857C (de) * 1913-10-16 1918-04-08
US1336017A (en) * 1919-01-16 1920-04-06 Electrometals Ltd Electric blast-furnace
GB183118A (en) * 1921-07-13 1922-12-21 Gen Electric Co Ltd Improvements in the manufacture of metal filaments for electric incandescent lamps
GB200879A (en) * 1922-03-24 1923-07-24 Philips Nv Improvements in or relating to the manufacture of bodies from metals having a high melting-point
US1617161A (en) * 1922-08-07 1927-02-08 Gen Electric Process of preparing metals
US1650072A (en) * 1925-11-21 1927-11-22 Bbc Brown Boveri & Cie Flame-arc furnace
DE542404C (de) * 1929-03-06 1932-01-23 Steatit Magnesia Akt Ges Verfahren zur Herstellung hochohmiger Widerstaende
DE527105C (de) * 1929-06-05 1931-06-15 Siemens & Halske Akt Ges Verfahren zur Herstellung von Metallueberzuegen auf Gluehfaeden und anderen Koerpern
DE587330C (de) * 1929-08-01 1933-11-02 Philips Nv Verfahren zur Herstellung von Roehren aus Wolfram
US2160177A (en) * 1934-04-13 1939-05-30 Celluloid Corp Apparatus for carrying out chemical reactions
FR865497A (fr) * 1939-05-09 1941-05-24 Philips Nv Appareil servant à déposer des métaux sur un corps incandescent
US2422734A (en) * 1939-05-23 1947-06-24 Jung Erwin Pierre Device for regulating the temperature of electric furnaces of the resistance type
DE765487C (de) * 1940-02-02 1953-11-02 Siemens & Halske A G Einrichtung zur Verdampfung von Stoffen
US2291007A (en) * 1941-02-07 1942-07-28 Lee R Titcomb Electric furnace
BE594959A (de) * 1943-07-28
US2441603A (en) * 1943-07-28 1948-05-18 Bell Telephone Labor Inc Electrical translating materials and method of making them
DE853926C (de) * 1949-04-02 1952-10-30 Licentia Gmbh Verfahren zum Herstellen von Trockengleichrichtern mit Silizium als halbleitender Substanz
DE883784C (de) * 1949-04-06 1953-06-03 Sueddeutsche App Fabrik G M B Verfahren zur Herstellung von Flaechengleichrichtern und Kristallverstaerkerschichten aus Elementen
US2671739A (en) * 1949-06-22 1954-03-09 Bell Telephone Labor Inc Plating with sulfides, selenides, and tellurides of chromium, molybdenum, and tungsten
US2514935A (en) * 1949-08-12 1950-07-11 Gen Electric Variable impedance apparatus
DE906807C (de) * 1949-10-01 1954-03-18 Guenther Dobke Dipl Ing Verfahren zur Herstellung von Kohlekoerpern und Kohleschichten
BE500569A (de) * 1950-01-13
US2686864A (en) * 1951-01-17 1954-08-17 Westinghouse Electric Corp Magnetic levitation and heating of conductive materials
DE863997C (de) * 1951-03-02 1953-01-22 Degussa Abscheidung von Elementen mit metallaehnlichem Charakter aus ihren Verbindungen
BE509317A (de) * 1951-03-07 1900-01-01
US2745067A (en) * 1951-06-28 1956-05-08 True Virgil Automatic impedance matching apparatus
DE885756C (de) * 1951-10-08 1953-06-25 Telefunken Gmbh Verfahren zur Herstellung von p- oder n-leitenden Schichten
US2686865A (en) * 1951-10-20 1954-08-17 Westinghouse Electric Corp Stabilizing molten material during magnetic levitation and heating thereof
US2763581A (en) * 1952-11-25 1956-09-18 Raytheon Mfg Co Process of making p-n junction crystals
US2754259A (en) * 1952-11-29 1956-07-10 Sprague Electric Co Process and apparatus for growing single crystals
BE525102A (de) * 1952-12-17 1900-01-01
NL106444C (de) * 1953-03-19
GB778383A (en) * 1953-10-02 1957-07-03 Standard Telephones Cables Ltd Improvements in or relating to the production of material for semi-conductors
NL113118C (de) * 1954-05-18 1900-01-01
US2808316A (en) * 1954-07-22 1957-10-01 Du Pont Chemical process control apparatus
US2782246A (en) * 1955-03-30 1957-02-19 Texas Instruments Inc Temperature control
NL113990C (de) * 1955-11-02
FR1141561A (fr) * 1956-01-20 1957-09-04 Cedel Procédé et moyens pour la fabrication de matériaux semi-conducteurs
NL231067A (de) * 1957-09-07
US2912311A (en) * 1957-11-20 1959-11-10 Allied Chem Apparatus for production of high purity elemental silicon
US3020129A (en) * 1958-07-25 1962-02-06 Gen Electric Production of silicon of improved purity
DE1150366B (de) * 1958-12-09 1963-06-20 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Reinstsilicium

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2444373A1 (de) 2010-10-25 2012-04-25 Wacker Chemie AG Verfahren zur Herstellung von polykristallinen Siliciumstäben
DE102010042869A1 (de) 2010-10-25 2012-04-26 Wacker Chemie Ag Verfahren zur Herstellung von polykristallinen Siliciumstäben

Also Published As

Publication number Publication date
DE1134459B (de) 1962-08-09
DE1217348C2 (de) 1966-12-22
DE1193022B (de) 1965-05-20
GB889192A (en) 1962-02-07
NL122356C (de) 1900-01-01
NL246576A (de) 1900-01-01
FR1182346A (fr) 1959-06-24
GB833290A (en) 1960-04-21
CH440228A (de) 1967-07-31
CH378863A (de) 1964-06-30
CH509824A (de) 1971-07-15
US3146123A (en) 1964-08-25
GB849718A (en) 1960-09-28
GB898342A (en) 1962-06-06
NL218408A (de) 1900-01-01
US3232792A (en) 1966-02-01
DE1217348B (de) 1966-05-26
US3063811A (en) 1962-11-13
DE1235266B (de) 1967-03-02
NL113118C (de) 1900-01-01
US2854318A (en) 1958-09-30
DE1185449B (de) 1965-01-14
CH424732A (de) 1966-11-30
GB938699A (en) 1963-10-02
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CH358411A (de) 1961-11-30
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CH416582A (de) 1966-07-15
FR1125207A (fr) 1956-10-26
DE1102117B (de) 1961-03-16
NL130620C (de) 1900-01-01
GB809250A (en) 1959-02-18
NL233004A (de) 1900-01-01
NL258754A (de) 1900-01-01
DE1208298B (de) 1966-01-05

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