DE1208298B - Verfahren zum Herstellen von Silicium fuer Halbleiteranordnungen - Google Patents

Verfahren zum Herstellen von Silicium fuer Halbleiteranordnungen

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Description

  • Verfahren zum Herstellen von Silicium für Halbleiteranordnungen 1m Patent 1102117 ist ein Verfahren zum Herstellen von reinstem Silicium aus der Gasphase durch thermische Zersetzung beschrieben, bei dem das anfallende Silicium auf einen aus reinstem Silicium bestehenden Trägerkörper niedergeschlagen wird. Eine bevorzugte Ausführungsform zur Herstellung hochreiner Halbleiterstäbe aus Silicium besteht darin, daß eine hochgereinigte Siliciumverbindung mit einem ebenfalls aus hochreinem Silicium bestehenden, durch direkten galvanischen Stromdurchgang erhitzten drahtförmigen Trägerkörper, vorzugsweise in Längsrichtung an diesem entlangströmend, in Berührung gebracht wird, wobei sich das durch Zersetzung der Siliciumverbindung bildende Silicium auf den Trägerkörper niederschlägt und ankristallisiert und der feste Träger durch das Ankristallisieren des anfallenden Siliciums vergrößert, insbesondere zu einem Stab verdickt wird.
  • Zu diesem Zweck ist bereits vorgeschlagen worden, daß ein zur Erhitzung des sich verdickenden Trägerkörpers verwendeter Wechselstrom durch einen in dessen Stromkreis geschalteten Magnetverstärker bzw. durch eine Vormagnetisierungsdrossel geregelt und der Magnetverstärker bzw. die Drossel in Abhängigkeit von der Temperatur des sich verdickenden Trägerkörpers gesteuert wird. Demgegenüber ist bei dem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung vorgesehen, daß der den Träger durchfließende, von einer Wechselspannungsquelle gelieferte und durch Änderung des induktiven Widerstandes einer in den Kreis eines die Größe des Heizstroms bestimmenden Wechselstroms geschalteten Drosselspule gere@,)elte bzw. gesteuerte Heizstrom mittels einer verlustarmen, d. h. höchstens einen Kern aus verlustarmen hochpermeablem Material, z. B. aus Ferrit, aufweisenden Drosselspule geregelt wird, indem entweder Windungen der Drosselspule kurzgeschlossen und/oder die Selbstinduktion der Drosselspule durch Eintauchen bzw. Wiederherausziehen eines Kernes aus verlustarmem hochpermeablem Material in das Magnetfeld der Drosselspule, insbesondere in deren Hohlraum, vorgenommen wird.
  • Gemäß der Erfindung wird zu diesem Zweck der den Träger durchfließende Heizstrom auf einen der jeweils gewünschten Oberflächentemperatur entsprechenden Wert während der gesamten Dauer des Verfahrens durch Änderung des induktiven Widerstandes einer in den Kreis eines die Größe des Heizstromes bestimmenden Wechselstromes geschalteten Drosselspule geregelt bzw. gesteuert. Insbesondere ist dabei vorgesehen, daß der durch die Drosselspule geregelte Wechselstrom gegebenenfalls nach Gleichrichtung den Träger als Heizstrom durchfließt. Es kann aber auch durch den gemäß der Erfindung eingeregelten Wechselstrom ein Generator oder eine andere steuerbare Stromquelle geregelt werden, die dann den eigentlichen Heizstrom liefert. Vorzugsweise ist jedoch bei Durchführung des Verfahrens gemäß der Erfindung an die erstgenannte Möglichkeit gedacht.
  • Wird der Träger durch unmittelbar in ihm fließenden Wechselstrom geheizt, so geschieht dies am einfachsten, wenn der zu erhitzende Träger in Serie mit der den Strom induktiv regelnden Drosselspule geschaltet ist. In der F i g. 1 ist eine diesbezügliche Anordnung zur Durchführung des Verfahrens gemäß der Erfindung beispielsweise dargestellt, die im folgenden näher beschrieben wird.
  • In einem zylindrischen Reaktionsgefäß 1 mit gekühlten Kupferwänden (die Kühlung wird durch eine um den Kupferzylinder gewundene Kühlschlange 1' bewirkt) ist ein aus reinem Silicium bestehender drahtförmiger Träger 2 zwischen. zwei Elektroden 3 und 4 vertikal gehaltert aufgespannt. Die beiden Elektroden 3 und 4 sind an dem isolierenden Dekkel 5 des Reaktionsgefäßes 1 befestigt, um die Montage zu erleichtern. Die Elektroden 3 und 4, die an der Berührungsstelle mit dem Siliciumdraht 2 aus einem gegen das Silicium indifferenten wärmebeständigen Stoff, z. B. Spektralkohle oder Wolfram, gegebenenfalls auch aus Silicium bestehen, sind an eine Wechselspannungsquelle 6 (z. B. mit Netzfrequenz) und eine Drosselspule 7 mit drehbarer Selbstinduktion geschaltet. Durch eine Düse 8 strömt das gereinigte Reaktionsgas, z. B. ein Gemisch aus Siliciumtetrachlorid und Wasserstoff, in das Reaktionsgefäß 1 ein, streicht an dem Draht 2 entlang und verläßt das Gefäß 1 durch eine Öffnung 9. Vor Beginn des Verfahrens wird das Reaktionsgefäß evakuiert und der Siliciumträger 2 zwecks Erzeugung einer für die Durchführung des Verfahrens ausreichenden Anfangsleitfähigkeit vorgewärmt, z. B, mit Hilfe eines nicht gezeichneten Wärmestrahlers oder durch Anwendung hoher Spannungen, die bei Beginn des Verfahrens auf die normale Arbeitsspannung reduziert werden, und dann anschließend durch direkten Stromdurchgang auf Reaktionstemperatur gehalten. Der induktive Widerstand der Drossel ? ist dabei so eingestellt, daß der hindurchgelassene Wechselstrom gerade ausreicht, um den Träger 2 bei Anwesenheit der strömenden Reaktionsgase auf der gewünschten Arbeitstemperatur zu halten. Die Temperatur des Trägers 2 wird während der Durchführung des Abscheideverfahrens mittels einer Meßeinrichtung 10 durch ein in der Wand des Reaktionsgefäßes angebrachtes gekühltes Fenster 11 überwacht. Als Meßeinrichtung 10 kann z. B. ein optisches Pyrometer dienen, das bei visueller Beobachtung die Abweichungen der Temperatur des Trägers 2 von dem gewünschten Sollwert anzeigt. Der induktive Widerstand der Drosselspule 7 wird dann so verändert, daß die hierdurch bewirkte Stromveränderung die festgestellte Abweichung der Temperatur des Trägers 2 ausgleicht. Die Änderung .des induktiven Widerstandes einer z. B. als Variometer ausgebildeten Drosselspule erfolgt in an sich bekannter Weise, indem z. B. ein Kern aus verlustarmem, hochpermeablem Material, z. B. aus Ferriten, in definierter Weise in den Hohlraum der Spule 7 hineingetaucht bzw. aus ihm herausgezogen wird, oder durch definiertes Kurzschließen bzw. gegenseitiges Annähern und Auseinanderziehen einiger ihrer Windungen. Es ist auch möglich, die besagte Änderung des induktiven Widerstandes durch Änderung der Wechselstromfrequenz vorzunehmen. Schließlich besteht auch noch die Möglichkeit, die Induktivität der Drosselspule 7 durch Verwendung eines Spulenkernes mit steuerbarer Magnetisierung zu verändern, indem diese Magnetisierung durch Veränderung eines Magnetisierungsstromes beeinflußt wird.
  • Es ist ohne weiteres möglich, die Kontrolle der Oberflächentemperatur des Trägers 2 und die mit dieser Kontrolle gekoppelte Regelung des den Träger heizenden Wechselstromes automatisch erfolgen zu lassen. Dies ist in der in F i g.1 beispielsweise dargestellten Anordnung vorgesehen und geschieht z. B. nach dem folgenden Prinzip: In der Nähe des erhitzten Trägers, z. B. am gekühlten Fenster 11, wird eine auf die Temperaturstrahlung des Trägers in definierter eindeutiger Weise ansprechende Meßeinrichtung 10, z. B. eine selektiv arbeitende Fotozelle, angeordnet, welche die Temperaturschwankungen des Trägers 2 in Schwankungen eines von einer Stromquelle 12 gelieferten elektrischen Stromes überträgt. Durch diesen Strom i werden - gegebenenfalls nach entsprechender Verstärkung - zwei Schalteinrichtungen 13 und 14 gesteuert, von denen die eine einen Stromkreis schließt, wenn der Strom i infolge Temperaturerhöhung des Trägers den Sollwert überschreitet, während die andere Einrichtung einen. Stromkreis schließt, wenn der Sollwert des Stromes i infolge Temperaturerniedrigung des Trägers unterschritten wird. Beide Einrichtungen bestehen in dem in der Zeichnung dargestellten Fall aus je einem Relais R 13 und R 14, wobei das eine Relais R 13 so eingestellt ist, daß sein Anker noch nicht angezogen wird, wenn der Strom i seinen Sollwert hat, daß es aber den Anker anzieht, wenn der Strom! seinen Sollwert überschreitet. Es wird dann durch den Schalter r13 ein von dem Schalter gesteuerter Stromkreis geschlossen, der einen Servomotor 15 betätigt, der, wie in F i g. 1 a näher ausgeführt ist, den Kern 7K tiefer in den Hohlraum der Spule hineintaucht, so daß somit der induktive Widerstand der Drosselspule 7 erhöht wird. Das zweite Relais R 14 ist dagegen so eingestellt, daß sein Anker gerade noch angezogen ist, wenn -der von. der Fotozelle 10 gelieferte Strom i seinen Sollwert hat, daß der Anker aber losgelassen wird, sobald der Strom i seine Sollstärke unterschreitet. Es wird dann ein von dem Relais R 14 gesteuerter Stromkreis über einen Schalter r 14 geschlossen, der den Servomotor 15 veranlaßt, den Kern der Drosselspule 7 aus dem Hohlraum der Drosselspule herauszuziehen und somit den induktiven Widerstand zu erniedrigen. DieWirkungsweise des Servomotors 15 ist aus der die F i g.1 ergänzenden F i g. 1 a ersichtlich. Der Motor 15 betätigt zwei Rollen 16 und 16', über die ein Faden 17 gespannt ist, der mit dem Spulenkern 7 K in der gezeichneten Weise verbunden ist und der je nach dem Umlaufsinn des Motors 15 .den Spulenkern in die Induktionsspule 7 hineinschiebt oder ihn aus der Spule 7 herauszieht.
  • Falls die Heizung des Trägers 2 mit Gleichstrom vorgenommen werden soll, ist es möglich, zwischen die Wechselstromquelle 6 und den Träger 2 eine Gleichrichterschaltung 18 mit einem Glättungskondensator 19 einzuhalten.
  • Eine andere Möglichkeit, den den Träger heizenden Strom nach dem Verfahren gemäß der Erfindung zu regeln bzw. zu steuern, besteht darin, daß an Hand eines unter dem gewünschten Verlauf der Oberflächentemperatur des Trägers vorzunehmenden Versuches der zeitliche Ablauf der Änderung eines diese Oberflächentemperatur eindeutig festlegenden Arbeitsparameters kontrolliert und aufgenommen wird, der dann bei dem unter genau denselben Bedingungen wie der Versuch vorzunehmenden, eigentlichen Verfahren zur Regelung der Oberflächentemperatur des Trägers verwendet wird. Darunter ist beispielsweise folgendes zu verstehen: Mit der zur Durchführung des Verfahrens dienenden Apparatur wird zunächst ein Versuch durchgeführt, wobei von einem Träger aus Silicium von bestimmter Länge und bestimmtem Radius ausgegangen wird. Die in der Zeiteinheit am Träger entlangströmende Menge an Reaktionsgas von definierter Zusammensetzung wird bestimmt und ebenso wie die Arbeitstemperatur während des ganzen Versuches unverändert gelassen. Der zur Erreichung einer konstanten Arbeitstemperatur erforderliche zeitlich veränderliche Strom wird in bestimmten Zeitintervallen bestimmt und in Form einer Kurve oder Tabelle aufgenommen. Der so gewonnene zeitliche Verlauf der Stromstärke dient dann bei künftigen, unter genau den gleichen Bedingungen vorzunehmenden Wiederholungen des Verfahrens als Norm. Abweichungen von dieser Norm weisen dann unmittelbar auf Abweichungen der Temperatur des Trägers vom Sollwert hin und werden sinngemäß - entweder manuell .oder automansch - durch Änderung des induktiven Widerstandes der Drosselspule 7 ausgeglichen. In ähnlicher Weise kann auch der Sollwert des an dem sich verdickenden Siliciumträger auftretenden Spannungsabfalles als Norm herangezoYTen @terdtn.
  • Ein zur automatischen Steuerung an.:@endbares Prinzip ist aus der F i g. 2 ersichtlich. Eine nach Maßgabe des an Hand des Vorversuches gewonnen zeitlichen Verlaufes der Sollstärke des Heizstro:rres gefertigte Schablone 20 ist an einer Achse 21 drehgar befestigt und wird durch ein Uhrwerk 22 mit entsprechend dem gewünschten zeitlichen Ablauf der Steuerung entsprechender Geschwindigkeit gedreht. Ein um seine Achse drehbarer Hebel 23, dessen an der Achse liegender Teil zu einer Rolle 25 ausgebildet ist, wird von einer Feder 24 gegen den Raid der Schablone 20 gedrückt und erfährt eine je nach der Form der Schablone mit der Zeit wechselnde Auslenkung. Dieser Auslenkung zufolge wird der Kern 7 K der Drosselspule 7, der mittels eines über das als Rolle 25 aus;Lebildete Ende des Hebels 23 befestigten Fadens 26 gesteuert wird, in von der Form der Schablone abhängiger Weise in den Hohlraunx der Drosselspule 7 eingetaucht bzw. herausgezogen.
  • Der durch das Verfahren gemäß der Erfindung bewirkte technische Vorteil besteht vor allem in einer verhistarmen, trägheitsfreien Steuerung des den Träger erhitzenden Stromes, die im Gegensatz zu einer rein ohmschen Steuerung nicht durch spezifische. mit dem Grad der Erwärmung sich ändernde Materialkonstante beeinflußt wird.

Claims (3)

  1. Patentansprüche: 1. Verfahren zum Herstellen von Silicium für-Halbleiteranordnungen, bei dem eine Siliciumverbindung in Gasform thermisch unter Bildung an freiem Silicium zersetzt und das aus der Gasphase anfallende Silicium auf einen erhitzten Siliciurnträgerkörper abgeschieden wird und ein )an--estreckter draht- oder fadenförmiger Trägerkörper aus Silicium mit einem Reinheitsgrad, der mindestens dem Reinheitsgrad des zu gewinnenden Siliciums entspricht, verwendet wird, der zunächst vorgewärmt und dann anschließend zur Durchführung des Abscheidevorganges durch direkten Stromdurchgang weiter erhitzt und auf Reaktionstemperatur gehalten wird, nach Patent 1102117, dadurch gekennz e i c h n e t, daß der den Träger durchfließende, von einer Wechselspannungsquelle gelieferte und durch Änderung des induktiven Widerstandes einer in den Kreis eines die Größe des Heizstroms bestimmendes. Wechselstroms geschalteten Drosselspule geregelte bzw. gesteuerte Heizarom mittels einer verlustarmen, d. h. höchstens einen Kern aus verlustarmem hochpermeablem Material wie Ferrit, aufweisenden Drosselspule geregelt wird, indem entweder Windungen der Drosselspule kurzgeschlossen und/oder die Selbstinduktion der Drosselspule durch Eintauchen bzw. Wiederherausziehen eines Kernes aus verlustarmem hochpermeablem Material in das Magnetfeld der Drosselspule, insbesondere in deren Hohlraum, vorgenommen wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1., dadurch gekennzeichnet, daß der durch die Drosselspule geregelte Wechselstrom, gegebenenfalls nach Gleichrichtung, den Träger als Heizstrom durchfließt.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperatur des Trägers mittels einer, auf Änderungen dieser Temperatur ansprechenden Meßeinrichtung, z. B. eines Pyrometers oder einer Fotozelle, kontrolliert wird und die hierbei festgestellten Abweichungen vom Sollwert der Temperatur durch Änderung des induktiven Widerstandes der Drosselspule ausgeglichen werden. a. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontrolle und Regelung selbsttätig erfolgt, indem die Schwankungen der Oberflächentemperatur des Trägers in Schwankungen eines von einer durch die Oberflächentemperatur gesteuerten Meßeinrichtung gelieferten elektrischen Stromes übertragen werden und dieser Strom zwei Einrichtungen steuert, von denen die eine einen Stromkreis schließt, wenn die Temperatur des Trägers und damit der Strom die Sollstärke überschreitet, während die andere einen Stromkreis schließt, wenn die Temperatur des Trägers und damit der Strom die Sollstärke unterschreitet, und daß durch das Schließen des einen von den beiden Einrichtungen gesteuerten Stromkreises der induktive Widerstand der Drosselspule in entgegengesetztem Sinn verändert wird wie beim Schließen des anderen Stromkreises. 5. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der an Hand eines Versuches gewonnene zeitliche Verlauf des zur Erzeugung eines gewünschten Verlaufes der Oberflächentemperatur dienenden Wechselstromes - in Gestalt einer Kurve oder Tabelle - aufgenommen wird und der Wechselstrom bei unter denselben Bedingungen wie der Versuch durchzuführenden Wiederholungen des Verfahrens nach diesem zeitlichen Verlauf gesteuert wird. 6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Änderung des induktiven Widerstandes durch Änderung der Selbstinduktion der als Variometer ausgebildeten Drosselspule erfolgt. 7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Selbstinduktion der Drosselspule durch Eintauchen bzw. Wiederherausziehen eines Kernes aus verlustarmem hochpermeablem Material in das Magnetfeld der Drosselspule, insbesondere in deren Hohlraum, erfolgt. ü. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Änderung der Selbstinduktion durch definiertes Kurzschließen von Windungen der Drosselspule vorgenommen wird. 9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis B. dadurch gekennzeichnet, daß die Änderung des induktiven Widerstandes der den Heizstrom regelnden Drosselspule durch Änderung der Vormagnetisierung des Kernes der Drosselspule erfolgt.
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CH473362A CH509824A (de) 1954-05-18 1955-05-17 Verfahren zum Herstellen eines aus mindestens zwei halbleitenden chemischen Elementen zusammengesetzten, mindestens teilweise legierten Halbleitermaterials
CH753160A CH494590A (de) 1954-05-18 1955-05-17 Verfahren zum Herstellen einer aus mindestens zwei chemischen Elementen bestehenden kompakt kristallinen halbleitenden Verbindung
GB14233/55A GB809250A (en) 1954-05-18 1955-05-17 Improvements in or relating to processes and apparatus for the production of ultra-pure substances
CH358411D CH358411A (de) 1954-05-18 1955-05-17 Verfahren zum Herstellen eines Halbleitereigenschaften aufweisenden chemischen Elementes in kompakt-kristallinem Zustand
FR1125207D FR1125207A (fr) 1954-05-18 1955-05-18 Procédé de préparation de substances très pures de préférence pour emploi comme semi-conducteurs, dispositif pour sa réalisation et produits conformes à ceux obtenus
DES49371A DE1193022B (de) 1954-05-18 1956-07-06 Verfahren zur Herstellung von reinstem Silicium
FR70442D FR70442E (fr) 1954-05-18 1956-08-08 Procédé de préparation de substances très pures, de préférence pour emploi comme semi-conducteurs, dispositif pour sa réalisation et produits conformes à ceux obtenus
DES50407A DE1185449B (de) 1954-05-18 1956-09-18 Einrichtung zum Herstellen von reinsten Halbleiterstoffen
US668209A US2854318A (en) 1954-05-18 1957-06-26 Method of and apparatus for producing semiconductor materials
CH4780657A CH378863A (de) 1954-05-18 1957-06-28 Verfahren zur Herstellung eines Halbleitereigenschaften aufweisenden chemischen Elementes
GB21435/57A GB833290A (en) 1954-05-18 1957-07-05 Improvements in or relating to processes and apparatus for the production of ultra-pure substances
FR1182346D FR1182346A (fr) 1954-05-18 1957-07-06 Procédé et dispositif pour la fabrication de produits semi-conducteurs
DES55831A DE1211610B (de) 1954-05-18 1957-11-11 Verfahren zur Herstellung von reinstem Silicium
DES56317A DE1208298B (de) 1954-05-18 1957-12-19 Verfahren zum Herstellen von Silicium fuer Halbleiteranordnungen
DE1958S0058219 DE1217348C2 (de) 1954-05-18 1958-05-14 Verfahren zur Herstellung von reinstem Silicium
US772063A US3063811A (en) 1954-05-18 1958-11-05 Method of producing rodshaped bodies of crystalline silicon for semiconductor devices and semiconductor bodies obtained therefrom
CH6585358A CH416582A (de) 1954-05-18 1958-11-05 Verfahren zum Herstellen von kristallischem Silizium für Halbleiteranordnungen
GB36224/58A GB898342A (en) 1954-05-18 1958-11-11 Improvements in or relating to methods of producing purified silicon
FR778915A FR74391E (fr) 1954-05-18 1958-11-12 Procédé de préparation de substances très pures, de préférence pour emploi comme semi-conducteurs, dispositif pour sa réalisation et produits conformes à ceux obtenus
US774413A US2981605A (en) 1954-05-18 1958-11-17 Method of and apparatus for producing highly pure rodlike semiconductor bodies
FR781813A FR74664E (fr) 1954-05-18 1958-12-16 Procédé de préparation de substances très pures, de préférence pour emploi comme semi-conducteurs, dispositif pour sa réalisation et produits conformes à ceux obtenus
GB40896/58A GB849718A (en) 1954-05-18 1958-12-18 Improvements in or relating to semi-conductor production
DES61117A DE1209113B (de) 1954-05-18 1958-12-23 Verfahren zum Herstellen von hochreinem Silicium
FR812561A FR77011E (fr) 1954-05-18 1959-12-09 Procédé de préparation de substances très pures de préférence pour emploi comme semi-conducteurs, dispositif pour sa réalisation et produits conformes à ceux obtenus
GB41883/59A GB907510A (en) 1954-05-18 1959-12-09 Improvements in or relating to processes and apparatus for the production of ultra-pure semi-conductor materials
CH8185859A CH424732A (de) 1954-05-18 1959-12-15 Verfahren zum Herstellen eines hochreinen Halbleiterstabes
DES66308A DE1212949B (de) 1954-05-18 1959-12-17 Verfahren zum Herstellen von hochreinem Silicium
GB43550/59A GB889192A (en) 1954-05-18 1959-12-22 Improvements in or relating to processes and apparatus for the production of ultra-pure semi-conductor substances
FR813996A FR77018E (fr) 1954-05-18 1959-12-23 Procédé de préparation de substances très pures, de préférence pour emploi comme semi-conducteurs, dispositif pour sa réalisation et produits conformes à ceux obtenus
GB32747/60A GB908373A (en) 1954-05-18 1960-09-23 Improvements in or relating to processes and apparatus for producing semi-conductor substances of very high purity
FR842704A FR78837E (fr) 1954-05-18 1960-10-31 Procédé de préparation de substances très pures de préférence pour emploi comme semi-conducteurs, dispositif pour sa réalisation et produits conformes à ceux obtenus
GB37496/60A GB922280A (en) 1954-05-18 1960-11-01 Improvements in or relating to processes and apparatus for the production of ultra-pure semiconductor substances
CH1344660A CH440228A (de) 1954-05-18 1960-11-29 Verfahren zum Herstellen eines hochreinen Siliziumstabes
GB43351/60A GB938699A (en) 1954-05-18 1960-12-16 Improvements in or relating to processes and apparatus for the production of ultra-pure semi-conductor substances
FR847269A FR79005E (fr) 1954-05-18 1960-12-17 Procédé de préparation de substances très pures, de préférence pour emploi comme semi-conducteurs, dispositif pour sa réalisation et produits conformes à ceux obtenus
US87885A US3146123A (en) 1954-05-18 1961-02-08 Method for producing pure silicon
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US230033A US3232792A (en) 1954-05-18 1962-10-10 Method for producing hyperpure silicon
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL122356C (de) * 1954-05-18 1900-01-01
DE1017795B (de) * 1954-05-25 1957-10-17 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung reinster kristalliner Substanzen, vorzugsweise Halbleitersubstanzen
US3330251A (en) * 1955-11-02 1967-07-11 Siemens Ag Apparatus for producing highest-purity silicon for electric semiconductor devices
DE1061593B (de) * 1956-06-25 1959-07-16 Siemens Ag Vorrichtung zur Gewinnung reinsten Halbleitermaterials fuer elektrotechnische Zwecke
US3021197A (en) * 1956-11-20 1962-02-13 Olin Mathieson Preparation of diborane
DE1207922B (de) * 1957-04-30 1965-12-30 Standard Elektrik Lorenz Ag Verfahren zum Herstellen von hochreinen Halbleitersubstanzen, insbesondere von Silizium
US3169892A (en) * 1959-04-08 1965-02-16 Jerome H Lemelson Method of making a multi-layer electrical circuit
US2993763A (en) * 1957-11-14 1961-07-25 Plessey Co Ltd Manufacturing process for the preparation of flakes of sintered silicon
DE1081869B (de) * 1957-12-03 1960-05-19 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Silicium-Einkristallen
DE1198321B (de) * 1958-01-06 1965-08-12 Int Standard Electric Corp Verfahren zur Herstellung von Halbleitermaterial grosser Reinheit
DE1098496B (de) * 1958-04-11 1961-02-02 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zur gleichzeitigen Herstellung von kristallinem oder amorphem Silicium und Siliciumverbindungen mit Si-Si-Bindungen
BE578542A (de) * 1958-05-16
US3030189A (en) * 1958-05-19 1962-04-17 Siemens Ag Methods of producing substances of highest purity, particularly electric semiconductors
NL238464A (de) * 1958-05-29
DE1123653B (de) * 1958-07-25 1962-02-15 Gen Electric Verfahren zum Herstellen von Siliciumtetrajodid
US3020129A (en) * 1958-07-25 1962-02-06 Gen Electric Production of silicon of improved purity
US3017251A (en) * 1958-08-19 1962-01-16 Du Pont Process for the production of silicon
BE582787A (de) * 1958-09-20 1900-01-01
NL124906C (de) * 1958-12-09
NL246431A (de) * 1958-12-16 1900-01-01
DE1154796B (de) * 1958-12-16 1963-09-26 Western Electric Co Verfahren zum Reinigen von Silicium- oder Germaniumverbindungen
NL246971A (de) * 1959-01-02 1900-01-01
US3025192A (en) * 1959-01-02 1962-03-13 Norton Co Silicon carbide crystals and processes and furnaces for making them
NL251143A (de) * 1959-05-04
DE1140548B (de) * 1959-06-25 1962-12-06 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von einkristallinen Halbleiterkoerpern
NL256017A (de) * 1959-09-23 1900-01-01
NL256255A (de) * 1959-11-02
DE1128412B (de) * 1959-12-17 1962-04-26 Metallgesellschaft Ag Verfahren zur Herstellung von Reinstsilicium durch thermische Zersetzung von gasfoermigen Siliciumverbindungen
DE1147567B (de) * 1960-01-15 1963-04-25 Siemens Ag Verfahren zum Gewinnen von insbesondere einkristallinem, halbleitendem Silicium
NL262949A (de) * 1960-04-02 1900-01-01
US3098774A (en) * 1960-05-02 1963-07-23 Mark Albert Process for producing single crystal silicon surface layers
DE1123300B (de) * 1960-06-03 1962-02-08 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Silicium oder Germanium
DE1155098B (de) * 1960-06-10 1963-10-03 Siemens Ag Verfahren zur Gewinnung von reinstem Silicium
US3161474A (en) * 1960-06-21 1964-12-15 Siemens Ag Method for producing hyperpure semiconducting elements from their halogen compounds
DE1129145B (de) * 1960-07-07 1962-05-10 Knapsack Ag Verfahren zur Herstellung von hochreinem Silicium
US3134694A (en) * 1960-08-25 1964-05-26 Siemens Ag Apparatus for accurately controlling the production of semiconductor rods
DE1216842B (de) * 1960-09-30 1966-05-18 Karl Ernst Hoffmann Verfahren zur Herstellung von reinstem Silicium und Germanium
DE1138746B (de) * 1960-10-22 1962-10-31 Int Standard Electric Corp Verfahren zur Reinigung von Siliciumtetrachlorid
DE1419717A1 (de) * 1960-12-06 1968-10-17 Siemens Ag Monokristalliner Halbleiterkoerper und Verfahren zur Herstellung desselben
DE1198787B (de) * 1960-12-17 1965-08-19 Siemens Ag Verfahren zur Gewinnung von reinstem Silicium, Siliciumkarbid oder Germanium aus ihren gasfoermigen Verbindungen
NL277330A (de) * 1961-04-22
US3188244A (en) * 1961-04-24 1965-06-08 Tektronix Inc Method of forming pn junction in semiconductor material
DE1193486B (de) * 1961-06-19 1965-05-26 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von n-leitendem Silicium
US3125533A (en) * 1961-08-04 1964-03-17 Liquid
DE1215110B (de) * 1961-08-14 1966-04-28 Siemens Ag Vorrichtung zum Einspannen des Endes eines Stabes bei Apparaturen zum tiegellosen Zonenschmelzen
US3325392A (en) * 1961-11-29 1967-06-13 Siemens Ag Method of producing monocrystalline layers of silicon on monocrystalline substrates
NL288035A (de) * 1962-01-24
US3152932A (en) * 1962-01-29 1964-10-13 Hughes Aircraft Co Reduction in situ of a dipolar molecular gas adhering to a substrate
DE1255635B (de) * 1962-06-14 1967-12-07 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen kristalliner, insbesondere einkristalliner Schichten aus halbleitenden Stoffen
DE1188057B (de) * 1962-06-18 1965-03-04 Siemens Ag Verfahren zum Reinigen von Siliciumstaeben
DE1444526B2 (de) * 1962-08-24 1971-02-04 Siemens AG, 1000 Berlin u 8000 München Verfahren zum Abscheiden eines halb leitenden Elements
DE1184733B (de) * 1962-09-15 1965-01-07 Siemens Ag Anordnung zur Stromversorgung eines zu beheizenden Traegers einer Anlage zur Gewinnung reinsten Halbleitermaterials durch Abscheidung aus der Gasphase
DE1268599B (de) * 1963-03-27 1968-05-22 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen einkristalliner Staebe durch Aufwachsen aus der Gasphase
US3310426A (en) * 1963-10-02 1967-03-21 Siemens Ag Method and apparatus for producing semiconductor material
DE1286512B (de) * 1963-10-08 1969-01-09 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von insbesondere stabfoermigen Halbleiterkristallen mit ueber den ganzen Kristall homogener oder annaehernd homogener Dotierung
US3381114A (en) * 1963-12-28 1968-04-30 Nippon Electric Co Device for manufacturing epitaxial crystals
DE1262243B (de) * 1964-03-18 1968-03-07 Ibm Deutschland Verfahren zum epitaktischen Aufwachsen von Halbleitermaterial
US3459152A (en) * 1964-08-28 1969-08-05 Westinghouse Electric Corp Apparatus for epitaxially producing a layer on a substrate
NL6513397A (de) * 1964-11-02 1966-05-03 Siemens Ag
US3502516A (en) * 1964-11-06 1970-03-24 Siemens Ag Method for producing pure semiconductor material for electronic purposes
US3372671A (en) * 1965-05-26 1968-03-12 Westinghouse Electric Corp Apparatus for producing vapor growth of silicon crystals
US3523816A (en) * 1967-10-27 1970-08-11 Texas Instruments Inc Method for producing pure silicon
US3925146A (en) * 1970-12-09 1975-12-09 Minnesota Mining & Mfg Method for producing epitaxial thin-film fabry-perot cavity suitable for use as a laser crystal by vacuum evaporation and product thereof
BE806098A (fr) * 1973-03-28 1974-02-01 Siemens Ag Procede de fabrication de silicium ou autre matiere semi-conductrice tres pure
US4076859A (en) * 1973-08-29 1978-02-28 Schladitz-Whiskers Ag Process for metallizing strips, sheets or the like
US4047496A (en) * 1974-05-31 1977-09-13 Applied Materials, Inc. Epitaxial radiation heated reactor
US4108108A (en) * 1974-07-10 1978-08-22 Schladitz-Whiskers Ag. Apparatus for metallizing strips, sheets or the like
US4081313A (en) * 1975-01-24 1978-03-28 Applied Materials, Inc. Process for preparing semiconductor wafers with substantially no crystallographic slip
DE2528192C3 (de) * 1975-06-24 1979-02-01 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Vorrichtung zum Abscheiden von elementarem Silicium auf einen aus elementarem Silicium bestehenden stabförmigen Trägerkörper
DE2638270C2 (de) * 1976-08-25 1983-01-27 Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen Verfahren zur Herstellung großflächiger, freitragender Platten aus Silicium
DE2753567C3 (de) * 1977-12-01 1982-04-15 Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen Verfahren zur Herstellung von hochreinen Halbleitermaterialien und Reinstmetallen
US4233934A (en) * 1978-12-07 1980-11-18 General Electric Company Guard ring for TGZM processing
JPS5595319A (en) * 1979-01-12 1980-07-19 Wacker Chemitronic Pure semiconductor material* specially silicon precipitating device and method
DE2928456C2 (de) * 1979-07-13 1983-07-07 Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen Verfahren zur Herstellung von hochreinem Silicium
WO1981003669A1 (en) * 1980-06-13 1981-12-24 Science & Techn Ets Method for manufacturing a thin layer with orientated structure,device for implementing such method and products obtained thereby
US4309241A (en) * 1980-07-28 1982-01-05 Monsanto Company Gas curtain continuous chemical vapor deposition production of semiconductor bodies
US4444812A (en) * 1980-07-28 1984-04-24 Monsanto Company Combination gas curtains for continuous chemical vapor deposition production of silicon bodies
FR2532783A1 (fr) * 1982-09-07 1984-03-09 Vu Duy Phach Machine de traitement thermique pour semiconducteurs
US4649261A (en) * 1984-02-28 1987-03-10 Tamarack Scientific Co., Inc. Apparatus for heating semiconductor wafers in order to achieve annealing, silicide formation, reflow of glass passivation layers, etc.
US4698486A (en) * 1984-02-28 1987-10-06 Tamarack Scientific Co., Inc. Method of heating semiconductor wafers in order to achieve annealing, silicide formation, reflow of glass passivation layers, etc.
JPS61101410A (ja) * 1984-10-24 1986-05-20 Hiroshi Ishizuka 多結晶珪素の製造法及びそのための装置
JPS63285923A (ja) * 1987-05-19 1988-11-22 Komatsu Denshi Kinzoku Kk シリコン−ゲルマニウム合金の製造方法
DE19528784C1 (de) * 1995-08-04 1996-08-29 Inst Neuwertwirtschaft Gmbh Verfahren zur Reinigung von Inertgasen mittels Sorbenzien
DE19608885B4 (de) * 1996-03-07 2006-11-16 Wacker Chemie Ag Verfahren und Vorrichtung zum Aufheizen von Trägerkörpern
US6284312B1 (en) 1999-02-19 2001-09-04 Gt Equipment Technologies Inc Method and apparatus for chemical vapor deposition of polysilicon
US6365225B1 (en) 1999-02-19 2002-04-02 G.T. Equipment Technologies, Inc. Cold wall reactor and method for chemical vapor deposition of bulk polysilicon
US6594446B2 (en) 2000-12-04 2003-07-15 Vortek Industries Ltd. Heat-treating methods and systems
CN1729554B (zh) 2002-12-20 2014-05-07 马特森技术有限公司 用来支撑工件和用来热处理工件的方法和系统
EP2021279A2 (de) * 2006-04-13 2009-02-11 Cabot Corporation Verfahren zur herstellung von silicium durch ein verfahren mit geschlossenem kreislauf
WO2008058397A1 (en) 2006-11-15 2008-05-22 Mattson Technology Canada, Inc. Systems and methods for supporting a workpiece during heat-treating
RU2499768C2 (ru) * 2008-03-10 2013-11-27 Аег Пауэр Солюшнс Б.В. Устройство и способ равномерного электропитания кремниевого стержня
CN101559948B (zh) * 2008-03-10 2014-02-26 安奕极电源系统有限责任公司 在沉积工艺期间在硅棒中产生均匀温度分布的装置和方法
KR101610269B1 (ko) 2008-05-16 2016-04-07 맷슨 테크놀로지, 인크. 워크피스 파손 방지 방법 및 장치
ES2331283B1 (es) * 2008-06-25 2010-10-05 Centro De Tecnologia Del Silicio Solar, S.L. (Centsil) Reactor de deposito de silicio de gran pureza para aplicaciones fotovoltaicas.
DE102008054519A1 (de) * 2008-12-11 2010-06-17 Wacker Chemie Ag Polykristallines germaniumlegiertes Silicium und ein Verfahren zu seiner Herstellung
DE102009010086B4 (de) * 2009-01-29 2013-04-11 Centrotherm Sitec Gmbh Anordnung und Verfahren zur Messung der Temperatur und des Dickenwachstums von Siliziumstäben in einem Silizium-Abscheidereaktor
DE102009056437B4 (de) 2009-12-02 2013-06-27 Spawnt Private S.À.R.L. Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von kurzkettigen halogenierten Polysilanen
CN102985363A (zh) * 2010-03-19 2013-03-20 Gtat有限公司 用于多晶硅沉积的系统和方法
DE102010044755A1 (de) 2010-09-08 2012-03-08 Spawnt Private S.À.R.L. Verfahren zur Herstellung von Silicium hoher Reinheit
DE102010042869A1 (de) 2010-10-25 2012-04-26 Wacker Chemie Ag Verfahren zur Herstellung von polykristallinen Siliciumstäben

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1733752A (en) * 1929-10-29 Refractory metal and its manufacture
DE304857C (de) * 1913-10-16 1918-04-08
US1336017A (en) * 1919-01-16 1920-04-06 Electrometals Ltd Electric blast-furnace
GB183118A (en) * 1921-07-13 1922-12-21 Gen Electric Co Ltd Improvements in the manufacture of metal filaments for electric incandescent lamps
GB200879A (en) * 1922-03-24 1923-07-24 Philips Nv Improvements in or relating to the manufacture of bodies from metals having a high melting-point
US1617161A (en) * 1922-08-07 1927-02-08 Gen Electric Process of preparing metals
US1650072A (en) * 1925-11-21 1927-11-22 Bbc Brown Boveri & Cie Flame-arc furnace
DE542404C (de) * 1929-03-06 1932-01-23 Steatit Magnesia Akt Ges Verfahren zur Herstellung hochohmiger Widerstaende
DE527105C (de) * 1929-06-05 1931-06-15 Siemens & Halske Akt Ges Verfahren zur Herstellung von Metallueberzuegen auf Gluehfaeden und anderen Koerpern
DE587330C (de) * 1929-08-01 1933-11-02 Philips Nv Verfahren zur Herstellung von Roehren aus Wolfram
US2160177A (en) * 1934-04-13 1939-05-30 Celluloid Corp Apparatus for carrying out chemical reactions
FR865497A (fr) * 1939-05-09 1941-05-24 Philips Nv Appareil servant à déposer des métaux sur un corps incandescent
US2422734A (en) * 1939-05-23 1947-06-24 Jung Erwin Pierre Device for regulating the temperature of electric furnaces of the resistance type
DE765487C (de) * 1940-02-02 1953-11-02 Siemens & Halske A G Einrichtung zur Verdampfung von Stoffen
US2291007A (en) * 1941-02-07 1942-07-28 Lee R Titcomb Electric furnace
BE594959A (de) * 1943-07-28
US2441603A (en) * 1943-07-28 1948-05-18 Bell Telephone Labor Inc Electrical translating materials and method of making them
DE853926C (de) * 1949-04-02 1952-10-30 Licentia Gmbh Verfahren zum Herstellen von Trockengleichrichtern mit Silizium als halbleitender Substanz
DE883784C (de) * 1949-04-06 1953-06-03 Sueddeutsche App Fabrik G M B Verfahren zur Herstellung von Flaechengleichrichtern und Kristallverstaerkerschichten aus Elementen
US2671739A (en) * 1949-06-22 1954-03-09 Bell Telephone Labor Inc Plating with sulfides, selenides, and tellurides of chromium, molybdenum, and tungsten
US2514935A (en) * 1949-08-12 1950-07-11 Gen Electric Variable impedance apparatus
DE906807C (de) * 1949-10-01 1954-03-18 Guenther Dobke Dipl Ing Verfahren zur Herstellung von Kohlekoerpern und Kohleschichten
BE500569A (de) * 1950-01-13
US2686864A (en) * 1951-01-17 1954-08-17 Westinghouse Electric Corp Magnetic levitation and heating of conductive materials
DE863997C (de) * 1951-03-02 1953-01-22 Degussa Abscheidung von Elementen mit metallaehnlichem Charakter aus ihren Verbindungen
BE509317A (de) * 1951-03-07 1900-01-01
US2745067A (en) * 1951-06-28 1956-05-08 True Virgil Automatic impedance matching apparatus
DE885756C (de) * 1951-10-08 1953-06-25 Telefunken Gmbh Verfahren zur Herstellung von p- oder n-leitenden Schichten
US2686865A (en) * 1951-10-20 1954-08-17 Westinghouse Electric Corp Stabilizing molten material during magnetic levitation and heating thereof
US2763581A (en) * 1952-11-25 1956-09-18 Raytheon Mfg Co Process of making p-n junction crystals
US2754259A (en) * 1952-11-29 1956-07-10 Sprague Electric Co Process and apparatus for growing single crystals
NL89230C (de) * 1952-12-17 1900-01-01
BE527032A (de) * 1953-03-19
GB778383A (en) * 1953-10-02 1957-07-03 Standard Telephones Cables Ltd Improvements in or relating to the production of material for semi-conductors
NL122356C (de) * 1954-05-18 1900-01-01
US2808316A (en) * 1954-07-22 1957-10-01 Du Pont Chemical process control apparatus
US2782246A (en) * 1955-03-30 1957-02-19 Texas Instruments Inc Temperature control
NL113990C (de) * 1955-11-02
FR1141561A (fr) * 1956-01-20 1957-09-04 Cedel Procédé et moyens pour la fabrication de matériaux semi-conducteurs
BE571013A (de) * 1957-09-07
US2912311A (en) * 1957-11-20 1959-11-10 Allied Chem Apparatus for production of high purity elemental silicon
US3020129A (en) * 1958-07-25 1962-02-06 Gen Electric Production of silicon of improved purity
DE1150366B (de) * 1958-12-09 1963-06-20 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Reinstsilicium

Also Published As

Publication number Publication date
GB833290A (en) 1960-04-21
FR1125207A (fr) 1956-10-26
GB898342A (en) 1962-06-06
DE1211610B (de) 1966-03-03
GB809250A (en) 1959-02-18
GB849718A (en) 1960-09-28
NL233004A (de) 1900-01-01
DE1235266B (de) 1967-03-02
US2981605A (en) 1961-04-25
DE1212949B (de) 1966-03-24
CH440228A (de) 1967-07-31
NL130620C (de) 1900-01-01
CH416582A (de) 1966-07-15
DE1134459B (de) 1962-08-09
DE1217348C2 (de) 1966-12-22
NL113118C (de) 1900-01-01
NL258754A (de) 1900-01-01
NL122356C (de) 1900-01-01
US2854318A (en) 1958-09-30
US3146123A (en) 1964-08-25
US3232792A (en) 1966-02-01
DE1217348B (de) 1966-05-26
GB938699A (en) 1963-10-02
DE1185449B (de) 1965-01-14
NL246576A (de) 1900-01-01
DE1102117B (de) 1961-03-16
CH424732A (de) 1966-11-30
NL218408A (de) 1900-01-01
DE1223815B (de) 1966-09-01
CH509824A (de) 1971-07-15
CH358411A (de) 1961-11-30
US3063811A (en) 1962-11-13
DE1193022B (de) 1965-05-20
FR1182346A (fr) 1959-06-24
GB889192A (en) 1962-02-07
CH378863A (de) 1964-06-30
DE1209113B (de) 1966-01-20

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