DE1066564B - Verfahren zur Herstellung von reinstem Silicium für Halbleiteranordnungen - Google Patents

Description

ANMELDETAG: 7. JANUAR 1958

COIB 33/02-

BEKANNTMACHUNG
DER ANMELDUNG
UND AUSGABE DER
AUS LE GE S CHRIFT:

8.OKTOBER 1959

Bei der Herstellung von stabförmigen Siliciumkristallen durch Abscheidung reinsten Siliciums aus der Gasphase auf einen erhitzten drahtförmigen Trägerkörper aus Silicium kommt es zur Erzielung einer möglichst großen Ausbeute neben der Einstellung von für die Siliciumabscheidung optimalen, thermodynamischen Bedingungen auf eine möglichst große, für die Abscheidung verfügbare Oberfläche des Trägerkörpers an. Dabei hat es sich als vorteilhaft erwiesen, einen Träger mit möglichst großer Länge zu \erwenden. Die Verwendung von gestreckten Trägern mit sehr großer Länge bringt jedoch als Nachteil einen großen Raumbedarf für die zur Durchführung des Verfahrens benötigte Apparatur mit sich. Deshalb wird gemäß der Erfindung ein gewendelter Siliciumdraht als Träger verwendet, der auch bei großer Länge in einem relativ kurzen Reaktionsgefäß untergebracht werden kann.

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von reinstem Silicium für Halbleiteranordnungen durch kristallines Aufwachsen von reinstem, aus einer gasförmigen, hochgereinigten Siliciumverbindung durch thermische Zersetzung oder Reduktion abgeschiedenem Silicium auf einen insbesondere durch unmittelbaren Stromdurchgang — erhitzten, aus reinstem Silicium bestehenden Trägerkörper, bei dem das Silicium a.uf einen dünnen, aus Silicium bestehenden drahtförmigen Träger aufwächst und diesen verdickt. Gemäß der Erfindung wird dabei als Träger ein gewendelter Siliciumdraht \*erwendet, der durch das aufgenommene Silicium zu einem gewundenen Siliciumstab verdickt wird, der durch eine in ihm erzeugte, sukzessive den gesamten Stab durchwandernde Zone hoher Temperatur zu einem gestreckten Rohrkörper umgeformt wird, aus dem die /-ur Verarbeitung zu Halbleiteranordnungen dienenden Siliciumkristalle in bekannter Weise, z. B. durch Zerschneiden, gewonnen werden.

Die Bezeichnung »gewendelter drahtförmiger Träger« besagt dabei, daß die F.igenlänge des drahtförmigen Trägers wesentlich größer ist als der Abstand seiner Enden. Er ist also vielfach gebogen. Insbesondere ist dabei an die Verwendung eines schraubenlinienförmig gewendelten Trägers gedacht.

Der durch den Abscheidevorgang erhaltene gewundene Siliciumstab kann z. B. durch ein Zonenschmelzverfahrcn zu einem geraden, gegebenenfalls einkristallinen Siliciumstab umgeformt werden. Es ist aber auch möglich, das Verfahren gemäß der Erfindung dahin auszubauen, daß der durch den Abscheidevorgang auf einen Trägerkörper mit eng aneinanderliegenden Windungen gewonnene, gewundene Siliciumstab durch eine sukzessive duxch den Stab geführte Zone hoher Temperatur zu einem gestreckten Verfahren zur Herstellung

von reinstem Silicium
für Halbleiteranordnungen

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Anmelder:
Siemens & Halske Aktiengesellschaft,

Berlin und München,
München 2, Wittelsbacherplatz 2

Dipl.-Phys. Dr. Günther Ziegler

und Dipl.-Chem. Dr. Erhard Sirtl, München,

sind als Erfinder genannt worden

rohrförmigen, gegebenenfalls einkristallinen Rohkörper umgeformt wird.

Offenbar ist es unmöglich, einen gestreckten, aus Silicium bestehenden Draht oder Faden zu wendeln, ohne daß dabei bei der für eine solche Verformung erforderlichen hohen Temperatur eine Verunreinigung des Drahtes infolge Berührung mit den für die

Wendelung notwendigen, formgebenden Werkzeugen erfolgt. Die Erfindung beschreitet deshalb einen anderen Weg, und zwar wird das Problem der Herstellung eines dünnen, drahtförmigen gewendelten Trägerkörpers (d. h vielfach gebogenen Träger-

körpers), insbesondere schraubenlinienförmig gewendelten, dünnen, drahtförmigen Trägers, aus reinstem Silicium dadurch gelöst, daß ein reiner Siliciumkeimkristall in eine aus reinstem Silicium bestehende Schmelze getaucht und anschließend längs

einer vielfach gewundenen Bahn, insbesondere einer Schraubenlinie, fortlaufend von der Schmelze mit einer solchen Geschwindigkeit entfernt wird, daß das aus der Schmelze kontinuierlich mitgeführte Silicium in Form eines dünnen, entsprechend der vom Keim-

kristall durchlaufenen Bahn, insbesondere Schraubenlinie, gewendelten Drahtes ankristallisiert (Fig. 1). Diese Maßnahme gemäß der Erfindung stellt eine sinnreiche, auf die Herstellung von gewendelten drahtförmigen Siliciumträgern gerichtete Modifikation des

bekannten \^erfahrens dar, Halbleiterkristalle aus der Schmelze zu ziehen. Dabei wird die Erfahrung zunutze gemacht, daß die Stärke eines aus der Schmelze gezogenen Halbleiterstabes bei konstant gehaltener Temperatur der Schmelze durch Variation der Zieh-

geschwindigkeit verändert wird und daß durch eine hinreichend groß gewählte Ziehgeschwindigkeit das aus der Schmelze fortlaufend mitgeführte Material in Form eines dünnen Drahtes an dem Keimkristall ankristallisiert.

Es ist vorteilhaft, wenn die Temperatur der Schmelze dabei möglichst niedrig gehalten wird, damit das durch den bewegten Keimkristall fortlaufend mitgeführte Silicium unmittelbar nach dem Verlassen der Schmelze kristallisiert. Eine gute Halterung des Keimkristalls gewährleistet dabei die Gleichmäßigkeit der entstehenden Siliciumwendel. Die Wirkungsweise des Verfahrens wird durch die noch zu beschreibende Fig. 1 vollständig klargestellt

Als Keimkristall kann ein Stückchen aus reinem Silicium bestehenden Drahtes dienen, dessen Oberfläche vorher zweckmäßig, um ein gutes Ankristallisieren des geschmolzenen Siliciums zu erreichen, geätzt wird. Dabei kann als Keimkristall das der Siliciumschmelze zugewandte Ende eines um seine senkrecht zur Oberfläche der Schmelze orientierte Windungsachse eine von der Schmelze fortgerichtete Schraubenbewegung beschreibenden Stückes gewendelten Siliciumdrahtes verwendet werden. Dieses wird am einfachsten \^ertikal gehaltert, in eine der üblichen Kristallziehvorrichtungen eingespannt, so daß das untere Drahtende gerade in die Schmelze eintaucht und dann in analoger Weise, wie beim Ziehen von Halbleiterkristallen, von der Schmelze unter Anwendung einer gleichzeitigen Drehbewegung entfernt wird.

An die das für den Aufbau des gewendelten Trägers erforderliche Silicium zur Verfügung stellende Schmelze ist vor allem die Forderung größter Reinheit zu stellen. Diese Forderung wird gemäß der Erfindung erfüllt, wenn das zur Bildung des gewendelten Trägers benötigte Silicium einer ausreichend bemessenen, in einem — vorzugsweise vertikal gehalterten — dicken Stab aus reinem Silicium — z. B. an dessen oberem oder unterem Ende — erzeugten geschmolzenen Zone entnommen wird und daß der dicke Siliciumstab nach Maßgabe des zur Bildung des gewendelten Trägers verbrauchten Siliciums sukzessive in die Schmelzzone nachgeschoben wird (vgl. Fig. 1). Mit dieser Schmelzzone wird der Keimkristall in Berührung gebracht und ein gewendelter Draht nach dem oben beschriebenen Verfahren hergestellt.

Bei Konstruktionen von Schmelztiegeln, die es gestatten, reinstes Silicium ohne Gefahr von Verunreinigungen durch die Tiegelwände zu schmelzen, kann der gewendelte Siliciumdraht auch aus einer in einem solchen Tiegel hergestellten Schmelze gezogen werden. Zur Vermeidung von aus der Atmosphäre stammenden Verunreinigungen oder Störungen ist es erforderlich, die Herstellung der gewendelten Träger unter Schutzgas, z. B. Wasserstoff oder einem Edelgas, wie Argon oder Helium, vorzunehmen.

An Hand der Fig. 1 sei das Verfahren zur Herstellung eines gewendelten Siliciumträgers näher erläutert und gleichzeitig eine zur Durchführung dieses Verfahrens dienende Anordnung beschrieben. M be-' deutet einen Motor, auf dessen Drehachse der Keimkristall K, z. B. ein Stückchen Siliciumdraht, exzentrisch gehaltert ist. Außerdem ist eine (nicht gezeichnete) Vorrichtung vorgesehen, welche eine die Drehachse des Motors M unverändert lassende, von der Schmelze 5" fortgerichtete Translationsbewegung des Motors M in Richtung des Pfeiles A bewirkt. Als Schmelze 5¹ dient eine am oberen Ende eines dicken Siliciumstabes St mittels einer diesen Stab konzentrisch umgebenden Induktionsspule Q (die gegebenenfalls auch durch eine andere Energiequelle ersetzt werden kann) erzeugte geschmolzene Zone. Der Keimkristall K wird zunächst mit der Schmelzzone .S" in Berührung gebracht und anschließend die Drehung des Motors (Umlaufsinn: Pfeil B) und die von der Schmelzzone 5" fortgerichtgfee-v'rTranslationsbewegung eingeschaltet. Bei entsprechend blSnessener Geschwin-

digkeit der Drehung ags jSgtolfc und der Translationsbewegung kristallisiert d§M aus der Schmelze \om Keimkristall mitgefiihf¥e~ "Silicium in der gezeichneten Weise in Form eines schraubenlinienförmig gewendelten dünnen Drahtes W an, dessen freies Ende ständig mit der Schmelzzone in Berührung bleibt und somit als Keim für die weitere Ankristallisation dient. Der dicke Siliciumstab wird dabei nach Maßgabe des verbrauchten Siliciums kontinuierlich in die Induktionsspule Q hineingeschoben, so daß die Schmelzzone ^ fortlaufend neue Teile des Stabes ergreift.

Der gemäß den beschriebenen A^erfahrcn hergestellte gewendelte Siliciumdraht W wird — gegebenenfalls nach Ätzung der Oberfläche, um den Abas scheidungsvorgang günstiger zu gestalten — in ein Reaktionsgefäß G gebracht und dort zwischen zwei Elektroden E₁ und E₂ gehaltert und durch Stromdurchgang erhitzt. Gleichzeitig wird in das Reaktionsgefäß eine Siliciumverbindung in Gasform, gegebenen- falls mit einem Reduktionsmittel wie Wassertoff, vermischt, eingebracht.

Die zur Verwendung gelangenden Stoffe müssen dabei möglichst rein sein. Eine Durchführung des Abscheideverfahrens mit Hilfe eines gewendelten Siliciumträgers ist in der Fig. 2 beispielsweise dargestellt. Dabei bedeutet G das Reaktionsgefäß, in dem ein gewendelter Siliciumdraht W zwischen zwei Elektroden E₁ und Ε,, gehaltert ist. dem von einer Spannungsquelle U über einen zur Stabilisierung und Stromregulierung dienenden, veränderbaren Widerstand R ein ihn auf die erforderliche Reaktionstemperatur erhitzender elektrischer Strom zugeführt wird. Durch die Düse D wird eine Siliciumverbindung hohen Reinheitsgrades, gegebenenfalls mit reinem AVasserstoff vermischt und in das Reaktionsgefäß eingeleitet, daß sie den gewendelten Träger möglichst gleichmäßig umströmt. Zur Konstanthaltung der Abscheidebedingungen wird die Temperatur der Oberfläche des Trägers W mit Hilfe eines nicht gezeichneten Kontrollgerätes überwacht; Abweichungen vom eingestellten Wert werden durch Betätigung des Widerstandes R ausgeglichen. Diese Überwachung und Regelung kann automatisch erfolgen.

Der durch den Abscheidevorgang erhaltene, gewundene Siliciumstab wird gemäß der Erfindung zu einem gestreckten Rohkörper umgeformt. Insbesondere ist dabei an zwei Möglichkeiten gedacht.

Gemäß der Erfindung kann z. B. der durch den Abscheidevorgang erhaltene, gewundene Siliciumstab in einen gestreckten Siliciumstab umgeformt werden, indem an dem einen Ende des gewundenen Stabes eine sich über dessen Stabquerschnitt erstreckende, geschmolzene Zone erzeugt und in diese ein aus reinstem Silicium bestehender, gegebenenfalls einkristalliner Keimkristall eingetaucht und anschließend mit einer» solchen Geschwindigkeit längs einer solchen, z. B. geradlinigen Bahn fortlaufend von der Schmelzzone entfernt wird, daß das von dem Keimkristall kontinuierlich der Schmelze entnommene Silicium in Form eines geraden Stabes von gewünschter Stärke an dem

Keimkristall ankristallisiert, und daß während dieses Vorgangs der dicke, gewundene Stab nach Maßgabe des zur Bildung des gestreckten Stabes verbrauchten Siliciums sukzessive in die Schmelzzone nachgeschoben wird. Dabei ist im besonderen vorgesehen, daß die Schmelzzone durch eine ortsfeste — vorzugsweise den Stabquerschnitt des gewundenen Stabes konzentrisch umfassenden — Energiequelle, z. B. durch eine Induktionsspule, erzeugt wird, in deren A'Virkungsbereich die einzelnen Windungen des ge- ίο wundenen Stabes mit einer nach Maßgabe des zur Bildung des gestreckten Stabes verbrauchten Siliciums bemessenen Geschwindigkeit durch eine Schraubung des gewundenen Siliciumstabes sukzessive gelangen. Die Wirkungsweise dieses Verfahrens wird aus Fig. 3 ersichtlich, in der gleichzeitig eine Anordnung zur Durchführung des Verfahrens beispielsweise dargestellt ist. Dabei bedeutet Q' eine den Stabquerschnitt des gewundenen, verdickten Stabes St konzentrisch umfassende und dabei eine — sich über den Stabquerschnitt erstreckende — geschmolzene Zone S' erzeugende Energiequelle. Der zu streckende Stab St ist dabei mit dem einen Ende auf der ihre Richtung während des Verfahrens beibehaltende Drehachse eines Motors M' derart befestigt, daß bei mit entsprechender Geschwindigkeit laufenden und in Richtung seiner Drehachse der Energiequelle Q' genäherte Motor M' der gewundene Stab St' Windung für Windung sukzessive in den Wirkungsbereich der flnergiequelle Q' gelangt und dabei die geschmolzene Zone ihre Lage in bezug auf die Energiequelle Q' unverändert beibehält. Der in einer besonderen Halterung befestigte Keimkristall K' wird zu Beginn des Verfahrens mit der zunächst am Stabende erzeugten, geschmolzenen Zone in Berührung gebracht und geradlinig mit einer mit Rücksicht auf die gewünschte Stärke des zu erzeugenden, gestreckten Drahtes bemessenen Geschwindigkeit von der Schmelzzone entfernt. Letzterer Vorgang entspricht also dem üblichen Ziehen von geraden Kristallstäben aus der Schmelze. Es ist dabei möglich, die Schmelze nicht unmittelbar am Ende, sondern ein kleines Stück vom Ende entfernt zu erzeugen und als Keimkristall das nicht von der Schmelzzone erfaßte Ende des gewundenen Siliciumstabes zu verwenden. Vorzugsweise wird man jedoch die Schmelzzone direkt am Ende des gewundenen Stabes erzeugen und als Keimkristall ein besonderes, einkristallines, reines Siliciumstück verwenden.

Neben der Erzeugung eines gestreckten Siliciumstabes besteht aber auch die Möglichkeit, den durch den Abscheidungsvorgang erhaltenen, gewundenen Siliciumstab zu einem rohrförmigen Siliciumkörper umzuformen. Hierzu dienen in erster Linie verhältnismäßig eng und dünn gewendelte Siliciumträger, die nach dem Aufdickungsvorgang mehr oder weniger in einen zylinderähnlichen Siliciumkörper umgeformt worden sind. Das Verfahren besteht darin, daß die einzelnen Windungen des eng gewundenen, verdickten Stabes durch eine progressiv den gewundenen Stab längs seiner Windungsachse durchwandernde, gegebenenfalls mehmals hin und zurück geführte, sich senkrecht zur Windungsachse des gewundenen Stabes erstreckende Zone hoher Temperatur zu einem geraden, rohrförmigen Rohkörper verschmolzen wird. Die Wirkungsweise des Verfahrens ist aus Fig. 4 ersichtlich. Darin bedeutet St" den gewundenen, an beiden Enden gehalterten, verdickten Siliciumstab mit verhältnismäßig eng aneinanderliegenden Windungen, Q" eine Induktionsspule, welche in ihm eine <{uer zur Windungsachse AA' verlaufende Zone Z hoher Temperatur erzeugt. Die von dieser Spule Q" abgegebene Energiemenge wird man dabei so bemessen, daß die einzelnen Windungen des Stabes St" nur oberflächlich anschmelzen, so daß zwischen den benachbarten Windungen ein Verschmelzen möglich ist. Der sich auf diese Weise bildende Körper wird durch mehrmaliges Hin- und Herführen der Zone hoher Temperatur, die dann zweckmäßig zu einer Schmelzzone ausgestaltet wird, geglättet und gegebenenfalls zu einem Einkristall umgeformt.

Alle Verfahrensschritte werden zweckmäßigerweise unter Schutzgas vorgenommen.

Das Verfahren gemäß der Erfindung kann auch zur Herstellung von dotiertem Halbleitermaterial angewendet werden, dadurch, daß erstens die zur Bildung des gewendelten Trägers benötigte Schmelze mit Dotierungsstoffen versetzt wird und zweitens, daß bei dem Abscheidungsvorgang auf den gewendelten dotierten Siliciumträger gleichzeitig Dotierungsstoffe aus der Gasphase abgeschieden werden. Dabei wird bereits zur Herstellung des gewendelten Trägers eine mit Dotierungsstoffen versetzte Si-Schmelze verwendet. Außerdem erfolgt die Verdickung des Trägers unter gleichzeitiger Abscheidung von Dotierungsmaterial aus der Gasphase.

Die Verdickung des Trägers erfolgt vorzugsweise durch aus der Gasphase abgeschiedenes Material. Ungleichmäßigkeiten der Ankristallisation, die durch das Verfahren naturgemäß bedingt sind, spielen keine Rolle, da der erhaltene, gewundene Träger sowieso noch einmal durchgeschmolzen wird.

Claims (14)

Patentansprüche:

1. Verfahren zur Herstellung von reinstem Silicium für Halbleiteranordnungen durch kristallines Aufwachsen von reinstem, aus einer gasförmigen, hochgereinigten Siliciumverbindung abgeschiedenem Silicium auf einen — insbesondere durch unmittelbaren Stromdurchgang — erhitzten, aus reinstem Silicium bestehenden Trägerkörper, bei dem das Silicium auf einen dünnen, aus Silicium bestehenden drahtförmigen Träger aufwächst und diesen verdickt, gekennzeichnet durch die Verwendung eines gewendelten Siliciumdrahtes als Träger, der durch das aufgenommene Silicium zu einem gewundenen Siliciumstab verdickt wird, der dann durch eine in ihm erzeugte, sukzessive den gesamten Stab durchwandernde Zone hoher Temperatur zu einem gestreckten Rohkörper umgeformt wird, aus dem die zur Verarbeitung zu Halbleiteranordnungen dienenden Siliciumkristalle in bekannter Weise, z. B. durch Zerschneiden, gewonnen werden.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der durch den Abscheidevorgang erhaltene, gewundene Siliciumstab durch ein Zonenschmelzverfahren zu einem geraden, gegebenenfalls einkristallinen Siliciumstab umgeformt wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der durch den Abscheidevorgang aus einem Trägerkörper mit eng aneinanderliegenden Windungen gewonnene, gewundene Siliciumstab durch eine sukzessiv geführte Zone hoher Temperatur zu einem gestreckten, rohrförmigen, gegebenenfalls einkristallinen Rohkörper umgeformt wird.

4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung eines

vielfach gebogenen, insbesondere gewendelten, dünnen, drahtförmigen Trägers aus reinstem Silicium ein reiner Siliciumkeimkristall in eine aus reinstem Silicium bestehende Schmelze getaucht und anschließend längs einer gewendelten, vielfach gewundenen, z. B. einer Schraubenlinie, fortlaufend von der Schmelze mit einer solchen Geschwindigkeit entfernt wird, daß das aus der Schmelze kontinuierlich mitgeführte Silicium in Form eines dünnen, entsprechend der vom Keimkristall durchlaufenen Schraubenlinie gewendelten Drahtes kristallisiert.

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das zur Bildung des gewendelten, dünnen Trägers benötigte Silicium einer ausreichend bemessenen, in einem — vorzugsweise vertikal gehalterten — dicken Stab aus reinem Silicium — z. B. an dessen oberen oder unteren Ende — erzeugten, geschmolzenen Zone entnommen wird und daß der dicke Siliciumstab nach Maßgabe des zur Bildung des gewendelten Trägers verbrauchten Siliciums sukzessive in die Schmelzzone nachgeschoben wird.

6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß zur Umformung des durch den Abscheidevorgang erhaltenen, gewundenen Siliciumstabes in einen gestreckten Siliciumstab an einem Ende des gewundenen Stabes eine sich über dessen Stabquerschnitt erstreckende, geschmolzene Zone erzeugt und in diese ein aus reinstem Silicium bestehender, gegebenenfalls einkristalliner Keimkristall eingetaucht wird, der anschließend mit einer solchen Geschwindigkeit längs einer solchen, z. B. geradlinigen Bahn fortlaufend von der Schmelzzone entfernt wird, daß das von dem Keimkristall kontinuierlich der Schmelzzone entnommene Silicium in Form eines geraden Stabes von gewünschter Stärke an den Keimkristall ankristallisiert und daß während dieses Vorganges der gewundene Stab nach Maßgabe des zur Bildung des gestreckten Stabes verbrauchten Siliciums sukzessive in die Schmelzzone nachgeschoben wird.

7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Schmelzzone durch eine ortsfeste — vorzugsweise den Querschnitt des gewundenen Stabes konzentrisch umfassende — Energiequelle, z. B. durch eine Induktionsspule, erzeugt wird, in deren Wirkungsbereich die einzelnen Windungen des gewundenen Stabes mit einer nach Maßgabe des zur Bildung des gestreckten Stabes verbrauchten Siliciums bemessenen Geschwindigkeit durch eine Schraubung des gewundenen Siliciumstabes sukzessive gelangen.

8. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß als Keimkristall das nicht von der Schmelzzone erfaßte Ende des gewundenen Siliciumstabes dient.

9. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß als Keimkristall ein besonderes, einkristallines, reines Siliciumstück dient.

10. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der rohrförmige Rohkörper' durch eine längs der Rohrachse diesem entlanggeführte, geschmolzene Zone zwecks Ausbildung einer Einkristallstruktur nachbehandelt wird.

11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß das betreffende Verfahren in einer inerten Gasatmosphäre erfolgt.

12. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die schraubenförmige Bewegung des auf der Drehachse eines Motors (M) exzentrisch gehalterten Siliciumkcimkristalls durch Drehung der Achse des Motors (M) und eine die Richtung der Drehachse des Motor (M) unverändert lassende, von der Schmelze (S) fortgerichtete Translationsbewegung des Morots (M) erzeugt wird.

13. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die schraubenförmige Bewegung des als Keimkristall dienenden freien Endes eines gewundenen Siliciumdrahtstückes (K') erzeugt wird, indem das gewundene Siliciumdrahtstück (K') von der senkrecht zur Oberfläche der Schmelze (S') orientierten Drehachse eines Motors (M') so gehaltert wird, daß seine Windungsachse die geometrische Verlängerung der Drehachse des Motors (M') bildet und der nach Berührung des freien Endes des gewendelten Drahtstückes mit der Schmelze (S') mit entsprechender Drehgeschwindigkeit in Betrieb gesetzte Motor (M') parallel zu seiner ihre Richtung während des Verfahrens unverändert beibehaltenden Drehachse gleichzeitig von der Schmelze kontinuierlich entfernt wird.

14. Verfahren nach Anspruch 6, 7 oder 8, gekennzeichnet durch die Anwendung einer den Stabquerschnitt des gewundenen Stabes (St') konzentrisch umfassenden und dabei eine — sich über den Stabquerschnitt erstreckende — geschmolzene Zone erzeugenden Energiequelle (Q') und eines Motors (M'), auf dessen ihre Richtung während des Verfahrens unverändert beibehaltenden Drehachse der gewundene Stab (5V) mit dem einen Ende derart befestigt wird, daß bei fortschreitender Annäherung des Motors (M') an die Energiequelle (Q') der sich mit der Drehachse des Motors (M') mit entsprechender Geschwindigkeit um seine Windungsachse drehende gewundene Stab (St') Windung für Windung sukzessive in den Wirkungsbereich der Energiequelle (Q') gelangt und dabei die geschmolzene Zone ihre Lage in bezug auf die Energiequelle (Q') unverändert beibehält.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

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