DE976899C - Gasentladungsanlage zur Herstellung eines Stabes aus hochreinem Silicium - Google Patents

Gasentladungsanlage zur Herstellung eines Stabes aus hochreinem Silicium

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Description

Ein bekanntes Verfahren zum Herstellen von Elementen mit metallischem Charakter besteht darin, daß man eine elektrische Gasentladung zwischen zwei Elektroden in einer Atmosphäre eines gasförmigen Halogenids des darzustellenden Elements so einstellt, daß durch Ionisation das Halogenid gespalten und das Element mit metallischem Charakter an mindestens einer der Elektroden der Gasentladung niedergeschlagen wird. Ein ähnliches bekanntes Verfahren zur Herstellung von elementarem Bor verwendet eine zwischen zwei Elektroden übergehende, hoch temperierte elektrische Entladung (Lichtbogen), die in einer aus BCl3 und Wasserstoff bestehenden Atmosphäre erzeugt wird. Hierbei wird elementares Bor an den Elektroden der Gasentladung in schmelzflüssigem Zustand abgeschieden.
Bei Verwendung stabförmiger, mit ihren Spitzen einander zugekehrter Elektroden wird bei einem solchen Verfahren die Gasentladung zwischen den Spitzen der Elektroden übergehen. Da ferner bei Überschreitung der Schmelztemperatur des darzustellenden Stoffes an der Abscheidungselektrode der zu gewinnende Stoff in schmelzflüssigem Zustand anfällt, kann man ein solches Gasentladungsverfahren zur Herstellung kompakter Kristalle in einer dem bekannten Kristallziehverfahren aus der Schmelze ähnlichen Weise benutzen. Wenn nämlich einerseits die Gasentladung und die Abscheidung des schmelzflüssigen Elements aufrechterhalten wird, andererseits aber durch Abkühlung das der festen Elektrode jeweils zunächst liegende abgeschiedene Material zum sukzessiven Auskristallisieren an der festen Elektrode gebracht wird, dann
kann sich ein stationärer Zustand derart einstellen, daß an einem an der Spitze des -auskristallisierten, eine Verlängerung der ursprünglichen Elektrode bildenden Materials haftenden Schmelztropfen die Gasentladung ansetzt. Dabei ist es im Prinzip möglich, die Größe des Schmelztropfens stets unterhalb seiner Stabilitätsgrenze zu halten. Da man bei einem solchen Verfahren auf die Kühlung durch Wärmeableitung angewiesen ist, darf die xo Temperatur an der Abscheidungselektrode den Schmelzpunkt des zu gewinnenden Stoffes im allgemeinen nur wenig überschreiten. Außerdem muß man, um die Abscheidungs- und Temperaturverhältnisse unverändert zu lassen, die Elektroden entsprechend der Geschwindigkeit des Kristallwachstums und damit entsprechend der Abscheidungsgeschwindigkeit laufend auseinanderziehen und mit einem strömenden Reaktionsgas arbeiten.
Die Ähnlichkeit eines solchen Gasentladungs-Verfahrens mit dem bekannten Kristallziehen aus der Schmelze ist insbesondere dann gegeben, wenn die Abscheidungselektrode mindestens an einer Spitze aus dem herzustellenden Element besteht. Dies ist insbesondere bei der Herstellung von halbleitenden Elementen, z. B. von Silicium, von Bedeutung.
Ein derartiges Verfahren wurde nicht vorveröffentlicht. Hingegen ist ein ähnliches Verfahren bekannt, bei welchem zwischen zwei horizontal oder schräg zueinander angeordneten Elektroden eine hochtemperierte Gasentladung in einem zur Abscheidung von Silicium befähigten Reaktionsgas erzeugt wird. Die Abscheidung des durch die Wirkung der Gasentladung aus dem Reaktionsgas frei werdenden Siliciums erfolgt bei jenem Verfahren nicht an den Elektroden (welche vielmehr der Aufgabe der Zufuhr an frischem Reaktionsgas dienen), sondern vielmehr an einem unterhalb der Gasentladung angeordneten, aus Silicium bestehenden Keimkristall, auf dem das Silicium in schmelzfiüssigem Zustand niedergeschlagen und unter Zurückziehen des Keims aus der Nähe der Gasentladung zum progressiven Auskristallisieren aus der Schmelze gebracht wird. Ein solches Verfahren führt zu dem Nachteil, daß ein erheblicher Teil des an sich aus dem Reaktionsgas gebildeten Silicium nicht den Keimkristall erreicht. Außerdem werden die auf sehr hohe Temperatur zu erhitzenden und daher niemals aus dem abzuscheidenden Halbleiter bestehenden Elektroden notwendig durch Abdampfen von Fremdstoffpartikeln zu einer Verunreinigung des dargestellten Siliciums führen. Die Abscheidung an den Elektroden, wie sie gemäß der vorliegenden Erfindung mit angewendet wird, führt demnach ersichtlich zu reinerem Silicium als das bekannte Verfahren, teils wegen der Tatsache, daß eine merklich kühlere Entladung angewandt werden muß, teils weil die Elektroden von abgeschiedenem Silicium bedeckt sein müssen.
Die Erfindung bezieht sich auf eine Gasentladungsanordnung zur Durchführung eines Verfahrens zum Herstellen eines Stabes aus hochreinem Silicium durch thermische Reduktion eines mit Wasserstoff vermischten gasförmigen Siliciumhalogenids, insbesondere von SiHCl3, in einer elekirischen Gasentladung, die zwischen den Spitzen zweier stabförmiger, vorzugsweise aus Silicium bestehender, gegeneinander verschiebbar angeordneter Elektroden so eingestellt wird, daß elementares Silicium in schmelzflüssigem Zustand an mindestens einer der Elektroden der Gasentladung anfällt und aus dem an der Elektrode haftenden aus dem schmelzflüssigen Silicium gebildeten Tropfen infolge Auseinanderziehens der Elektroden ein laufendes Auskristallisieren von Silicium stattfindet, und ist dadurch gekennzeichnet, daß die Abmessungen der Gasentladungsanordnung und die Entladungsbedingungen derart gewählt sind, daß die Entladung trotz hoher Stromstärke bei möglichst geringer Stromdichte brennt und gleichzeitig die an der Abscheidungselektrode entstehende Schmelzzone und die an ihr ansetzende Gasentladung sich über eine möglichst große Oberfläche der Elektrode bzw. Elektroden erstreckt.
Das beschriebene Verfahren zur Herstellung von reinstem Silicium, bei welchem ein Siliciumhalogenid in Gasphase mittels einer Gasentladung zersetzt wird, wobei die Gasentladungsbedingungen derart gewählt sind, daß sich das Silicium aus dem Schmelzfluß in kristalliner Form an den Elektroden der Gasentladung abscheidet, führt, wenn es unter Anwendung der im vorliegenden entwickelten Gesichtspunkte ausgeübt wird, einmal zu einer besseren Ausbeute an Silicium und zweitens auch zu einer Verbesserung der Kristallgüte.
Da nach der Lehre der Erfindung einmal dafür gesorgt werden soll, daß die Gasentladung trotz ihrer hohen Stromstärke bei möglichst geringer Stromdichte brennt, was mit der Forderung, daß das Silicium in geschmolzenem Zustand aus dem Reaktionsgas an der Elektrode der Gasentladung abgeschieden wird, zu vereinbaren ist, und außerdem die an der Abscheidungselektrode entstehende Schmelzzone und die an ihr ansetzende Gasentladung sich über eine möglichst große Oberfläche der Elektrode bzw. Elektroden erstreckt, wird eine lokale, im allgemeinen nur an engbegrenzten Stellen des flüssigen Siliciumtropfens auftretende, z. B. durch Krümmungen der Oberfläche des flüssigen oder festen Materials bedingte Überhitzung und damit Verluste an abgedampftem Silicium vermieden. Gleichzeitig wird im Sinne einer Verbesserung der Kristallstruktur des abgeschiedenen Siliciums gearbeitet. Dabei kann es sogar zweckmäßig sein, wenn das Glimmlicht der Gasentladung eine etwas größere, über die Schmelzzone noch hinausragende Zone bedeckt. Dabei empfiehlt es sich, daß die ganze Stirnfläche der Elektroden eine Schmelzkuppe bildet und die Gasentladung noch etwas von dem starren Teil der Elektrode bedeckt. Beachtet man diese Vorschriften, so ist es möglich, dicke Siliciumstäbe von über 1 cm Durchmesser zu erhalten. Dabei ist zu berücksichtigen, daß die Dicke des anfallenden Halbleiterstabes bei den jeweiligen Entladungsbedingungen proportional der angewandten Stromstärke ist. Beachtet man jedoch
gemäß der Erfindung, daß trotz hoher Stromstärke die Stromdichte möglichst gering ist, so wird die Abscheidung des Halbleitermaterials noch beschleunigt, weil die Hitze der Schmelzzone nicht zu stark konzentriert wird und ein Wiederverdampfen der abgeschiedenen Substanz verursacht. Die gewünschten Entladungsbedingungen werden unter Umständen durch Anwendung von Unterdruck erreicht, und es hat sich ferner als ίο zweckmäßig erwiesen, die Elektrode, an der die Abscheidung erfolgt, möglichst senkrecht anzuordnen, so daß sich die Schmelzzone an ihrem unteren Ende als Tropfen ausbildet. Besonders günstige Verhältnisse erreicht man durch Anwendung von Gleichstrom, bei dem die Abscheidungselektrode als Kathode geschaltet ist. Die Gegenelektrode, d. h. die Anode, braucht nicht notwendig ebenfalls aus Silicium zu bestehen, sondern kann auch aus Metall gebildet sein. Es ist zweckmäßig, die Anode zu kühlen. Es empfiehlt sich ferner, die Anode beispielsweise durch einen geeigneten Gasstrom umspülen zu lassen, um das Abscheiden des zu gewinnenden Siliciums an ihr zu verhindern.
Gemäß einer besonderen Ausbildung des Erfindungsgedankens wird die gasförmige chemische Verbindung — welche gegebenenfalls auch ein Verbindungsgemisch sein kann — ausgerichtet gegen die Abscheidungselektrode, insbesondere Abscheidungskathode, entweder durch einen Gasstrom oder durch Anwendung von Überdruck mittels einer Düse oder durch Anwendung sonstiger elektrischer oder mechanischer Mittel geführt.
Gemäß einer besonderen Ausbildung des Erfindungsgedankens sind elektrische und/oder magnetische Mittel, gegebenenfalls eine Hilfselektrodenanordnung, vorgesehen, durch die die Lage und/ oder Ausdehnung des Entladungsbrennflecks bzw. der Entladungsglimmschicht gesteuert werden kann. Durch diese Mittel können unter Umständen die Entladungsbedingungen auch zeitweilig geändert werden, beispielsweise dann, wenn in an sich bereits vorgeschlagener Weise Dotierungsmittel in die Entladung eingeführt werden, um den HaIbleiterstörstellengehalt zu beeinflussen, d. h. um Donatoren, Akzeptoren, Haftstellen, Rekombinationszentren od. dgl. in die Schmelze miteinzulagern. Durch entsprechende Mittel kann mindestens während solcher Einlagerungen von Zusatzstoffen die Schmelzzone und auch die umgebende Gasmenge durchrührt bzw. durchwirbelt werden.
Bei der Anwendung von Zwei- oder Mehrphasenstrom zum Betrieb der Gasentladung sind die verschiedenen Elektroden, an denen sich in den verschiedenen Phasen abwechselnd der zu gewinnende Stoff niederschlägt, zweckmäßig symmetrisch etwas gegen die Vertikalrichtung geneigt anzuordnen, so daß ebenfalls die Schmelzzone am unteren Ende als Tropfen hängend ausgebildet ist.
Mit der Einrichtung nach der Erfindung sind Zu- und/oder Ableitungskanäle für die zu verarbeitenden bzw. zu behandelnden Raffinations-, Zusatz-, Reaktions-, Destillationsstoffe u./od. dgl. in fester, flüssiger oder gasförmiger Form kombiniert.
In der Zeichnung ist eine Ausführungsform nach der Erfindung beispielsweise dargestellt. 1 bedeutet ein Gasentladungsgefäß aus hitzebeständigem Material, wie z. B. Quarz, Keramik oder auch aus einem in bezug auf die Halbleitereigenschaften des zu gewinnenden Stoffes neutralen Metall. Das Gefäß ist hohlwandig ausgeführt und mit Zu- und Ableitungen 2 und 3 für einen Kühlstrom ausgestattet. 4 bedeutet die als Kathode dienende Abscheidungselektrode aus dem zu gewinnenden Halbleiterstoff, beispielsweise Silicium. Die Gegenelektrode 4', die beim Gleichstrombetrieb als Anode geschaltet ist, besteht ebenfalls aus Silicium und ist etwas gegen die Drehachse versetzt. Zum Einführen des zu zersetzenden Halogenide, insbesondere SiIiciumchloroform oder Siliciumtetrachlorid und/oder Wasserstoff, das in Richtung des Pfeiles 6 in die Apparatur einströmt und durch die Gasentladung bzw. durch thermische und/oder elektrische Wirkung zersetzt wird, dient ein Quarzrohr 5. Zur Unterstützung der Zersetzung wird noch durch ein die Anode 4' teilweise umgebendes Mantelrohr 7 ein Reduktionsmittel in Gestalt von Wasserstoff in Richtung des Pfeiles 8 eingeführt. Durch die Gasentladung bildet sich am unteren Ende der Kathode 4 ein Schmelztropfen 9, in dem sich die aus der chemischen Verbindung abgetrennten Siliciumteilchen einlagern, und die Kathode 4 wird entsprechend dem Verfahren nach der Hauptpatentanmeldung in Richtung des Pfeiles 10 nach oben gezogen. Hierbei sind Regulierungsmittel vorgesehen, die den Elektrodenabstand konstant halten.
Die Dimensionen der beiden Elektroden, der Düse des Rohres 5 und des Rohres 7 sowie der Gasdruck sind derart gewählt, daß die Glimmschicht der Entladung etwa in der durch Strichlierung angedeuteten Form 11 ansetzt und daß ferner der Wasserstoff die Kuppe der Anode 4' derart umspült, daß an dieser Elektrode keine Siliciumabscheidung erfolgt.

Claims (11)

  1. PATENTANSPRÜCHE:
    i. Gasentladungsanordnung zur Durchführung eines Verfahrens zum Herstellen eines Stabes aus hochreinem Silicium durch ther- "» mische Reduktion eines mit Wasserstoff vermischten gasförmigen Siliciumhalogenide, insbesondere von SiHCl3, in einer elektrischen Gasentladung, die zwischen den Spitzen zweier stabförmiger, vorzugsweise aus Silicium bestehender, gegeneinander verschiebbar angeordneter Elektroden so eingestellt wird, daß elementares Silicium in schmelzflüssigem Zustand an mindestens einer der Elektroden der Gasentladung anfällt und aus dem an der Elektrode haftenden aus dem schmelzflüssigen Silicium gebildeten Tropfen infolge Auseinanderziehens der Elektroden ein laufendes Auskristallisieren von Silicium stattfindet, dadurch gekennzeichnet, daß die Abmessungen der Gasentladungsanordnung und die Entladungsbedingungen derart ge-
    wählt sind, daß die Entladung trotz hoher Stromstärke bei möglichst geringer Stromdichte brennt und gleichzeitig die an der Abscheidungselektrode entstehende Schmelzzone und die an ihr ansetzende Gasentladung sich über eine möglichst große Oberfläche der Elektrode bzw. Elektroden erstreckt.
  2. 2. Anordnung nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die Glimmschicht über die
    ίο Schmelzzone etwas hinausgreift.
  3. 3. Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Schmelzzone die ganze Stirnfläche der Abscheidungselektrode bedeckt.
  4. 4. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß bei Anwendung von Gleichstrom die Abscheidungselektrode als Kathode geschaltet ist.
  5. 5. Anordnung nach Anspruch 4, dadurch geao kennzeichnet, daß die Abscheidungselektrode senkrecht angeordnet ist und daß sich die Schmelzzone an ihrem unteren Ende befindet.
  6. 6. Anordnung nach Anspruch. 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Anode unterhalb oder neben der Schmelzzone der Abscheidungskathode endigt.
  7. 7. Anordnung nach einem der Ansprüche 4 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß eine Zuführung für ein den abzuscheidenden Stoff nicht enthaltendes Gas bzw. ein Reduktionsmittel und/oder ein inertes Gas derart vorgesehen ist, daß dieses Gas die Anode umströmt und einen Niederschlag des zu gewinnenden Stoffes auf ihr verhindert.
  8. 8. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß bei Anwendung von Zwei- oder Mehrphasenstrom die Elektroden vorzugsweise symmetrisch zueinander etwas schräg gegen die Vertikalrichtung geneigt angeordnet sind, wobei die Schmelzzone sich am unteren Ende der Elektrode befindet.
  9. 9. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß Mittel zur Erzeugung von Unterdruck im Entladungsgefäß vorgesehen sind.
  10. 10. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß Mittel zur Beeinflussung der Größe und/oder Lage des Entladungsansatzes auf der Abschaltungselektrode, beispielsweise ein Magnetfeld und/oder elektrisches Feld, welches durch eine Hilfselektrodenanordnung angelegt ist, vorgesehen sind.
  11. 11. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß eine zusätzliche Wärmequelle zur Erhitzung bzw. Erschmelzung der Schmelzzone vorgesehen ist, die gegebenenfalls alternativ mit der Gasentladung zu betreiben ist.
    In Betracht gezogene Druckschriften:
    Belgische Patentschrift Nr. 525 102;
    deutsche Patentschrift Nr. 863 997.
    Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
    © 609 549/245 7.56 (409 644/2 7.64)
DES39578A 1954-05-25 1954-06-13 Gasentladungsanlage zur Herstellung eines Stabes aus hochreinem Silicium Expired DE976899C (de)

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DES39318A DE1017795B (de) 1954-05-25 1954-05-25 Verfahren zur Herstellung reinster kristalliner Substanzen, vorzugsweise Halbleitersubstanzen
DES39578A DE976899C (de) 1954-06-13 1954-06-13 Gasentladungsanlage zur Herstellung eines Stabes aus hochreinem Silicium
DES40843A DE1042539B (de) 1954-06-13 1954-09-15 Verfahren zum Herstellen ultrareiner Halbleiterkristalle
CH362061D CH362061A (de) 1954-06-13 1954-10-21 Verfahren zum Herstellen von reinem Bornitrid
CH355220D CH355220A (de) 1954-06-13 1954-10-21 Verfahren zur Herstellung eines kristallisierten Halbleiterstoffes
NL191838A NL105537C (de) 1954-06-13 1954-10-26
GB30885/54A GB795191A (en) 1954-06-13 1954-10-26 Improvements in or relating to processes for the production of very pure crystallinesubstances
FR1131422D FR1131422A (fr) 1954-06-13 1954-10-26 Procédé pour la préparation de matériaux cristallisés particulièrement purs, dispositif pour sa mise en oeuvre et produits obtenus
US509980A US2992984A (en) 1954-06-13 1955-05-20 Gas discharge device for producing extremely pure crystalline semiconductor substances
GB14816/55A GB812818A (en) 1954-06-13 1955-05-23 Improvements in or relating to processes for the production of extremely pure substances
FR1125277D FR1125277A (fr) 1954-06-13 1955-05-25 Procédé de préparation de substances cristallines très pures, de préférence pour leur emploi comme dispositifs de semi-conduction, et dispositifs conformes à ceuxobtenus
DES44220A DE1023889B (de) 1954-06-13 1955-06-06 Verfahren zur Herstellung reinster kristalliner Substanzen, vorzugsweise Halbleitersubstanzen
DES58066A DE1151782B (de) 1954-06-13 1958-04-30 Verfahren zum Herstellen hochgereinigter einkristalliner Halbleiterstaebe
GB11585/59A GB890230A (en) 1954-06-13 1959-04-06 Improvements in or relating to the production of semi-conductor rods
US806882A US2999737A (en) 1954-06-13 1959-04-16 Production of highly pure single crystal semiconductor rods
FR792433A FR1220648A (fr) 1954-06-13 1959-04-17 Procédé de fabrication de barreaux semi-conducteurs monocristallins et barreaux conformes à ceux obtenus
CH7245559A CH376584A (de) 1954-06-13 1959-04-23 Verfahren zum Herstellen einkristalliner Halbleiterstäbe

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NL (1) NL105537C (de)

Families Citing this family (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1061527B (de) * 1953-02-14 1959-07-16 Siemens Ag Verfahren zum zonenweisen Umschmelzen von Staeben und anderen langgestreckten Werkstuecken
DE1017795B (de) * 1954-05-25 1957-10-17 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung reinster kristalliner Substanzen, vorzugsweise Halbleitersubstanzen
DE1141255B (de) * 1958-03-05 1962-12-20 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen hochgereinigter einkristalliner Halbleiterstaebe
GB878765A (en) * 1956-11-05 1961-10-04 Plessey Co Ltd Improvements in and relating to processes for the manufacture of semiconductor materials
DE1109154B (de) * 1957-03-12 1961-06-22 Licentia Gmbh Verfahren zur Gewinnung von borbromid- bzw. borjodidfreiem Siliciumbromid bzw. -jodid
NL112797C (de) * 1957-04-30
DE1114170B (de) * 1957-07-03 1961-09-28 Int Standard Electric Corp Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von extrem reinem Halbleitermaterial
US3006734A (en) * 1957-11-14 1961-10-31 Plessey Co Ltd Process for preparing pure silicon
DE1081869B (de) * 1957-12-03 1960-05-19 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Silicium-Einkristallen
DE1198321B (de) * 1958-01-06 1965-08-12 Int Standard Electric Corp Verfahren zur Herstellung von Halbleitermaterial grosser Reinheit
DE1073460B (de) * 1958-01-11 1960-01-21 LICENTIA Patent-Verwaltungs-G.m.b.H., Frankfurt/M Verfahren zum Reinigen von Silan oder chlorierten Silanen
US3116175A (en) * 1958-01-27 1963-12-31 Marvalaud Inc Method for forming bicrystalline specimens
US3036892A (en) * 1958-03-05 1962-05-29 Siemens Ag Production of hyper-pure monocrystal-line rods in continuous operation
DE1180346B (de) * 1958-03-14 1964-10-29 Gustav Weissenberg Dr H C Dr H Verfahren zum Herstellen hochreiner Kristalle, insbesondere aus Halbleiterstoffen
US3098741A (en) * 1958-04-03 1963-07-23 Wacker Chemie Gmbh Process for effecting crucibleless melting of materials and production of shaped bodies therefrom
DE1181669B (de) * 1958-06-03 1964-11-19 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zum Herstellen von festen Verbindungen oder Legierungen
DE1719025A1 (de) * 1958-09-20 1900-01-01
DE1154796B (de) * 1958-12-16 1963-09-26 Western Electric Co Verfahren zum Reinigen von Silicium- oder Germaniumverbindungen
CH354427A (fr) * 1959-06-05 1961-05-31 Ind De Pierres Scient Hrand Dj Procédé de fabrication d'un corps de révolution, notamment d'un disque en pierre synthétique et installation pour la mise en oeuvre de ce procédé
NL256017A (de) * 1959-09-23 1900-01-01
NL244298A (de) * 1959-10-13
DE1128412B (de) * 1959-12-17 1962-04-26 Metallgesellschaft Ag Verfahren zur Herstellung von Reinstsilicium durch thermische Zersetzung von gasfoermigen Siliciumverbindungen
NL262949A (de) * 1960-04-02 1900-01-01
DE1211593B (de) * 1960-04-27 1966-03-03 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zur tiegelfreien Herstellung hochreiner, elektrisch halbleitender, kristalliner Verbindungen
NL265528A (de) * 1960-06-02
DE1190918B (de) * 1960-06-24 1965-04-15 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zur gezielten Dotierung von stabfoermigen Koerpern waehrend des Zonenschmelzens
DE1216842B (de) * 1960-09-30 1966-05-18 Karl Ernst Hoffmann Verfahren zur Herstellung von reinstem Silicium und Germanium
DE1227424B (de) * 1961-03-01 1966-10-27 Philips Nv Verfahren und Vorrichtung zum Zonenschmelzen eines aus einer Metallverbindung bestehenden stabfoermigen Koerpers
DE1245332B (de) * 1961-09-14 1967-07-27 Gen Electric Vorrichtung zur kontinuierlichen Herstellung von Einkristallen durch Abscheidung aus der Dampfphase
US3267529A (en) * 1961-10-04 1966-08-23 Heraeus Gmbh W C Apparatus for melting metals under high vacuum
US3239368A (en) * 1962-04-26 1966-03-08 Nra Inc Method of preparing thin films on substrates by an electrical discharge
US3303115A (en) * 1962-05-31 1967-02-07 Corning Glass Works Methods for forming materials of high purity by fusion
US3245761A (en) * 1962-10-11 1966-04-12 Norton Co Apparatus for making magnesium oxide crystals
DE1258397B (de) * 1962-11-15 1968-01-11 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung durch einkristallines Aufwachsen halbleitender Schichten mittels Transportreaktion
DE1444530B2 (de) * 1962-12-12 1970-10-01 Siemens AG, 1000 Berlin u. 8000 München Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von stabförmigem, einkristallinen Halbleitermaterial
DE1243641B (de) * 1962-12-12 1967-07-06 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiterstaeben durch Ziehen aus der Schmelze
US3259468A (en) * 1963-05-02 1966-07-05 Monsanto Co Slim crystalline rod pullers with centering means
GB1108741A (en) * 1963-09-19 1968-04-03 Ass Elect Ind Improvements in and relating to epitaxial layers of semiconductor materials
DE1244733B (de) * 1963-11-05 1967-07-20 Siemens Ag Vorrichtung zum Aufwachsen einkristalliner Halbleitermaterialschichten auf einkristallinen Grundkoerpern
DE1248014B (de) * 1963-12-05 1967-08-24 Siemens Ag Verfahren zum Abscheiden von Halbleitermaterial unter Anwendung einer elektrischen Glimmentladung
BE676042A (de) * 1965-02-10 1966-06-16
US3293002A (en) * 1965-10-19 1966-12-20 Siemens Ag Process for producing tape-shaped semiconductor bodies
FR1492063A (fr) * 1966-04-05 1967-08-18 Commissariat Energie Atomique Perfectionnement aux fours électriques haute fréquence pour la fabrication en continu de réfractaires électrofondus
GB1227331A (de) * 1967-04-14 1971-04-07
US3494742A (en) * 1968-12-23 1970-02-10 Western Electric Co Apparatus for float zone melting fusible material
US4068025A (en) * 1971-03-22 1978-01-10 Brown, Boveri & Company Limited Method of applying a protective coating to a body
CH540995A (de) * 1971-03-22 1973-08-31 Bbc Brown Boveri & Cie Verfahren zum Aufbringen einer Schutzschicht auf einen Körper
US4087313A (en) * 1975-11-28 1978-05-02 Joseph Beril Milstein Process and apparatus for preparation of single crystals and textured polycrystals
DE2636348A1 (de) * 1976-08-12 1978-02-16 Wacker Chemitronic Verfahren zur herstellung von reinem, elementarem halbleitermaterial
US4102764A (en) * 1976-12-29 1978-07-25 Westinghouse Electric Corp. High purity silicon production by arc heater reduction of silicon intermediates
US4102766A (en) * 1977-04-14 1978-07-25 Westinghouse Electric Corp. Process for doping high purity silicon in an arc heater
US4102767A (en) * 1977-04-14 1978-07-25 Westinghouse Electric Corp. Arc heater method for the production of single crystal silicon
JPS60246208A (ja) * 1984-05-21 1985-12-05 Toshiba Tungaloy Co Ltd 窒化ホウ素の製造方法
JPS63222011A (ja) * 1987-03-11 1988-09-14 Mitsubishi Metal Corp 多結晶シリコンの製造方法
EP3539924A1 (de) * 2018-03-14 2019-09-18 ETH Zurich Neuartige vinylphosphine und daraus erhältliche photoinitiatoren
CN111574909B (zh) * 2020-04-23 2021-11-02 华北电力大学（保定） 一种抗击穿型环氧树脂-氮化硼复合材料的制备方法
CN112827319B (zh) * 2020-12-23 2023-03-03 四川天采科技有限责任公司 一种含低浓度硅烷与碳二以上轻烃类的氯基SiC-CVD外延尾气全温程变压吸附提氢与循环再利用方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE525102A (de) * 1952-12-17 1900-01-01
DE863997C (de) * 1951-03-02 1953-01-22 Degussa Abscheidung von Elementen mit metallaehnlichem Charakter aus ihren Verbindungen

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2631356A (en) * 1953-03-17 Method of making p-n junctions
US2468175A (en) * 1949-04-26 Apparatus for electrochemical
US2768074A (en) * 1949-09-24 1956-10-23 Nat Res Corp Method of producing metals by decomposition of halides
NL113118C (de) * 1954-05-18 1900-01-01
DE1017795B (de) * 1954-05-25 1957-10-17 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung reinster kristalliner Substanzen, vorzugsweise Halbleitersubstanzen
US2892739A (en) * 1954-10-01 1959-06-30 Honeywell Regulator Co Crystal growing procedure

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE863997C (de) * 1951-03-02 1953-01-22 Degussa Abscheidung von Elementen mit metallaehnlichem Charakter aus ihren Verbindungen
BE525102A (de) * 1952-12-17 1900-01-01

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CH362061A (de) 1962-05-31
DE1017795B (de) 1957-10-17
US2999737A (en) 1961-09-12

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