DE1245332B - Vorrichtung zur kontinuierlichen Herstellung von Einkristallen durch Abscheidung aus der Dampfphase - Google Patents
Vorrichtung zur kontinuierlichen Herstellung von Einkristallen durch Abscheidung aus der DampfphaseInfo
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
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Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. Cl.: .
BOIj
Deutsche Kl.: 12 g-17/32
Nummer: 1245 332
Aktenzeichen: G35808IVc/12g
Anmeldetag: 29. August 1962
Auslegetag: 27. Juli 1967
Es ist bereits eine Vorrichtung zum Aufbringen eines Überzuges auf einen Draht bekannt, bei welcher
der beheizte Draht durch eine Abscheidungszone bewegt wird, in die das Ausgangsmaterial tür derTauf
denPraht abzuscheidenden UberzuglnlOiflfe einer
heizeinrichtung verdampft wird. Durch Verwendung entsprechend hoher Temperaturen kann man
einkristalline Niederschläge erzielen., wenn man eine einkristalline Drahtunterlage verwendet. Das zu verdampfende
Material wird in einem Schiffchen angeordnet, das durch Widerstandsheizung auf die zur
Verdampfung geeignete Temperatur gebracht wird; Die Abscheidung von Einkristallen auf eine Unterlage
aus der Dampfphase erfolgte bisher mit Hilfe von absatzweise arbeitenden Vorrichtungen. Da
jedoch bei absatzweise durchgeführten Verfahrensgängen die Ausbeute verhältnismäßig gering ist, war
bisher eine wirtschaftliche Herstellung nicht möglich.
Einkristalle können demgegenüber durch Abscheidung aus der Dampfphase, wobei durch Verdampfung
eines Ausgangsmaterials für die Einkristalle mit Hilfe einer Heizeinrichtung die Dampfphase gebildet
und die Einkristalle daraus bei tieferer Temperatur in einer Abscheidungszone auf eine Unterlage, die in
einer mit einer vorgegebenen Atmosphäre füllbaren Kammer durch die Abscheidungszone bewegt wird,
abgeschieden werden, kontinuierlich hergestellt werden, wenn erfindungsgemäß in der Kammer zur Zufuhr
des Ausgangsmaterials ein Träger vorgesehen ist, der zur Verdampfung des auf ihm befindlichen Ausgangsmaterials
durch die von der Heizeinrichtung beheizte Zone bewegbar ist, und wenn mit den Oberflächen
der beweglichen Unterlage im Eingriff stehende Schaber zum Entfernen der niedergeschlagenen
Einkristalle vorhanden sind.
Die Vorrichtung nach der Erfindung ermöglicht damit eine wirtschaftliche Herstellung von Einkristallen.
Die Erfindung wird nun näher an Hand von Zeichnungen erläutert, in denen zeigt
F i g. 1 einen Schnitt durch eine Ausführungsform der Erfindung,
Fig. 2 einen Schnitt entlang der Linie 2-2 in Fig. 1 und
F i g. 3 im vergrößerten Maßstab eine Seitenansicht eines Teils der Unterlage, auf der Einkristalle niedergeschlagen
sind.
Die in F i g. 1 dargestellte Vorrichtung weist eine geschlossene Kammer 10 auf, die mit einer Eintrittsöffnung
U und einer Austrittsöffnung 12 versehen ist. Im Innern 15 der Kammer 10 ist eine Heizvorrichtung
zur kontinuierlichen Herstellung
von Einkristallen durch Abscheidung
aus der Dampfphase
von Einkristallen durch Abscheidung
aus der Dampfphase
Anmelder:
General Electric Company,
ίο Schenectady, N. Y. (V. St. A.)
ίο Schenectady, N. Y. (V. St. A.)
Vertreter:
Dipl.-Ing. M. Licht und Dr. R. Schmidt,
Patentanwälte, München 2, Theresienstr. 33
Als Erfinder benannt:
Arno Gatti, Schenectady, N. Y. (V. St. A.)
Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 14. September 1961
(138101)
V. St. v. Amerika vom 14. September 1961
(138101)
einrichtung 16 angeordnet, die, wie aus F i g. 2 ersichtlich ist, an den Seitenwänden der Kammer 10
befestigt ist. Bei der in F i g. 1 dargestellten Heizeinrichtung handelt es sich um eine ej^kfri^ch^ TnduktionsbpiVspnip
mit einer rechteckigen Durchgangs-"offnung 17. Die Heizeinrichtung 16 kann über
Stromzuleitungen 18 an eine nichtgezeigte Stromquelle angeschlossen werden. Die von der Heizeinrichtung
16 beheizte Zone ist in den Zeichnungen mit der Bezugszahl 20 bezeichnet.
Ein Ausgangsmaterial 25 wird von einem elektrisch,
geheizten Tiegel 26 mit Hilfe eines Trägers 27 in die beheizte Zone 20 eingebracht. Der Träger 27 ist eine
zylindrische Trommel, die an beiden Enden offen und durch zwei Rollen 28 drehbar gelagert ist. Der Träger
27 wird durch ein Zahnrad 29 angetrieben, das in
entsprechend geformte Öffnungen 30 im Träger 27 eingreift. Wird das Zahnrad 29 im Uhrzeigersinn gedreht,
wie F i g. 1 zeigt, dann dreht sich auch der Träger 27 im Uhrzeigersinn, so daß er das im Tiegel
26 befindliche Material berührt, bevor er in die beheizte Zone 20 des Heizkörpers 16 eingebracht
wird.
Zur Abscheidung der Einkristalle sind zwei Unterlagen 31 und 32 vorgesehen, die ebenfalls trommelformig
ausgebildet sind und sich durch die recj~*
eckige Öffnung 17 und die beheizte Zone 20 des Heizkörpers 16 erstrecken. Die Unterlagen 31 und 32
werden von Rollen 33 getragen und ebenfalls durch Zahnräder 34 angetrieben. Die Zahnräder 34 greifen
in entsprechend geformte Öffnungen 37 in den zylindrischen
Unterlagen 31 und 32.
Zur Entfernung der auf die Unterlagen 31 und 32 niedergeschlagenen Kristalle sind Schaber 40 vorgesehen.
Mit jeder Oberfläche der Unterlagen steht ein Schaber 40 im Eingriff, da die Einkristalle auf
beiden Oberflächen gebildet werden. Die Art des Kristallwachstums läßt sich am besten aus Fig. 3
erkennen, in der Einkristalle 41 gezeigt sind, die sich auf den gegenüberliegenden Oberflächen einer
der beiden Unterlagen bilden. Unter den Schabern 40 sind Auffangbehälter 45 angebracht, welche die Einkristalle
auffangen, wenn sie von den Oberflächen der zylindrischen Unterlagen abgeschabt werden.
Die Vorrichtung nach der Erfindung kann zur Herstellung von Einkristallen aus den verschiedensten
Materialien verwendet werden. Die Zusammensetzung der gebildeten Einkristalle hängt, wie bei den
bekannten absatzweise arbeitenden Einrichtungen, lediglich von dem verwendeten Ausgangsmaterial,
der Atmosphäre, Temperatur usw. ab. Es können beispielsweise Einkristalle aus Aluminiumoxyd hergestellt
werden, indem man eine bestimmte Menge metallisches Aluminium in den Tiegel 26 einbringt
und dieses im geschmolzenem Zustand hält. Die beheizte Zone 20 der Heizeinrichtung 16 wird dann auf
eine Temperatur von etwa 1300 bis 16000C, vorzugsweise
1500° C, gebracht und die Kammer 15 fortlaufend mit feuchtem Wasserstoff mit einem Taupunkt
von — 45,6°C gespeist. Das verdampfte Aluminium wird zu Aluminiumoxyd oxydiert. Der Sauerstoff
stammt von dem in der Wasserstoffatmosphäre enthaltenen Wasser. Gewöhnlich werden etwa 851
Wasserstoff je Stunde zugeführt. Nach Herstellung der genannten Verfahrensbedingungen werden der
Träger 27 sowie die zylindrischen Unterlagen 31 und 32 gedreht, wobei das geschmolzene Aluminium, das
vom Träger 27 aufgenommen wurde, in der Zone 20 verdampft und nach Oxydation in Form von Einkristallen
auf den Oberflächen der Unterlagen 31 und 32 niedergeschlagen. Die Abscheidung setzt in
der beheizten Zone 20 ein, so daß die Einkristalle, wenn sie die Schaber 40 erreichen, voll entwickelt
sind und entfernt werden können. Die Einkristalle und andere Niederschläge, die auf den Unterlagen 31
und 32 entstanden sind, werden von den Schabern 40 restlos entfernt und in den Auffangbehältern 45 aufgefangen.
Einkristalle von anderer Zusammensetzung oder Beschaffenheit können in der gleichen Weise hergestellt
werden, indem lediglich die Temperatur und die Atmosphäre entsprechend eingestellt werden. Metallische
Einkristalle können beispielsweise unter Verwendung einer trockenen Atmosphäre oder eines
Vakuums gebildet werden, um eine Oxydation des Metalls während der Verdampfung und des Wachstums
zu vermeiden.
Claims (1)
- Patentansprüche:1. Vorrichtung zur kontinuierlichen Herstellung von Einkristallen durch Abscheidung aus der Dampfphase, wobei durch Verdampfung eines Ausgangsmaterials für die Einkristalle mit Hilfe einer Heizeinrichtung die Dampfphase gebildet und die Einkristalle daraus bei tieferer Temperatur in einer Abscheidungszone auf eine Unterlage, die in einer mit einer vorgegebenen Atmosphäre füllbaren Kammer durch die Abscheidungszone bewegt wird, abgeschieden werden, dadurch gekennzeichnet, daß in der Kammer (10) zur Zufuhr des Ausgangsmaterials (25) ein Träger (27) vorgesehen ist, der zur Verdampfung des auf ihm befindlichen Ausgangsmaterials durch die von der Heizeinrichtung (16) beheizte Zone (20) bewegbar ist, und daß mit den Oberflächen der beweglichen Unterlage (31 bzw. 32) im Eingriff stehende Schaber (40) zum Entfernen der niedergeschlagenen Einkristalle (41) vorhanden sind.2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sowohl der Träger (27) als auch die Unterlage (31 bzw. 32) trommeiförmig ausgebildet ist.3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizeinrichtung (16) aus einer elektrischen Heizspule besteht, durch die sowohl der Träger (27) als auch die Unterlage (31 bzw. 32) hindurchgefuhrt ist.4. Vorrichtung nach irgendeinem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß in der Kammer (10) ein Behälter (26) für das Ausgangsmaterial (25) vorgesehen isi, durch den der Träger (27) zur Aufnahme von Ausgangsmaterial hindurchgefuhrt ist.In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschriften Nr. 1017 795,1042553;
Journ. electrochem. Soc. 96 (1949) 5, S. 318 bis333.Hierzu 1 Blatt Zeichnungen709 618M9 7.67 ® Bundesdruckerei Berlin
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US1245332XA | 1961-09-14 | 1961-09-14 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1245332B true DE1245332B (de) | 1967-07-27 |
Family
ID=22415430
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEG35808A Pending DE1245332B (de) | 1961-09-14 | 1962-08-29 | Vorrichtung zur kontinuierlichen Herstellung von Einkristallen durch Abscheidung aus der Dampfphase |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1245332B (de) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1017795B (de) * | 1954-05-25 | 1957-10-17 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung reinster kristalliner Substanzen, vorzugsweise Halbleitersubstanzen |
DE1042553B (de) * | 1953-09-25 | 1958-11-06 | Int Standard Electric Corp | Verfahren zur Herstellung von Silicium grosser Reinheit |
-
1962
- 1962-08-29 DE DEG35808A patent/DE1245332B/de active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1042553B (de) * | 1953-09-25 | 1958-11-06 | Int Standard Electric Corp | Verfahren zur Herstellung von Silicium grosser Reinheit |
DE1017795B (de) * | 1954-05-25 | 1957-10-17 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung reinster kristalliner Substanzen, vorzugsweise Halbleitersubstanzen |
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