DE1151782B - Verfahren zum Herstellen hochgereinigter einkristalliner Halbleiterstaebe - Google Patents

Verfahren zum Herstellen hochgereinigter einkristalliner Halbleiterstaebe

Info

Publication number
DE1151782B
DE1151782B DES58066A DES0058066A DE1151782B DE 1151782 B DE1151782 B DE 1151782B DE S58066 A DES58066 A DE S58066A DE S0058066 A DES0058066 A DE S0058066A DE 1151782 B DE1151782 B DE 1151782B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
melting zone
semiconductor
gaseous compound
highly purified
counter electrodes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DES58066A
Other languages
English (en)
Inventor
Dr Karl Siebertz
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to DES39318A priority Critical patent/DE1017795B/de
Priority to DES39578A priority patent/DE976899C/de
Priority to DES40843A priority patent/DE1042539B/de
Priority to CH355220D priority patent/CH355220A/de
Priority to CH362061D priority patent/CH362061A/de
Priority to FR1131422D priority patent/FR1131422A/fr
Priority to GB30885/54A priority patent/GB795191A/en
Priority to NL191838A priority patent/NL105537C/xx
Priority to US509980A priority patent/US2992984A/en
Priority to GB14816/55A priority patent/GB812818A/en
Priority to FR1125277D priority patent/FR1125277A/fr
Priority to DES44220A priority patent/DE1023889B/de
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DES58066A priority patent/DE1151782B/de
Priority to GB11585/59A priority patent/GB890230A/en
Priority to US806882A priority patent/US2999737A/en
Priority to FR792433A priority patent/FR1220648A/fr
Priority to CH7245559A priority patent/CH376584A/de
Publication of DE1151782B publication Critical patent/DE1151782B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02—Silicon
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J19/087—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy
    • B01J19/088—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B19/00—Selenium; Tellurium; Compounds thereof
    • C01B19/007—Tellurides or selenides of metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
    • C01B21/064—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with boron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
    • C01B21/072—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with aluminium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B25/00—Phosphorus; Compounds thereof
    • C01B25/06—Hydrogen phosphides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B35/00—Boron; Compounds thereof
    • C01B35/02—Boron; Borides
    • C01B35/04—Metal borides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B41/00—Obtaining germanium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B5/00—General methods of reducing to metals
    • C22B5/02—Dry methods smelting of sulfides or formation of mattes
    • C22B5/16—Dry methods smelting of sulfides or formation of mattes with volatilisation or condensation of the metal being produced
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C1/00—Making non-ferrous alloys
    • C22C1/007—Preparing arsenides or antimonides, especially of the III-VI-compound type, e.g. aluminium or gallium arsenide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/003—Coating on a liquid substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/04—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
    • C30B11/08—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt every component of the crystal composition being added during the crystallisation
    • C30B11/12—Vaporous components, e.g. vapour-liquid-solid-growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/02—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32018—Glow discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10S117/901—Levitation, reduced gravity, microgravity, space
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10S117/917—Magnetic

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Description

Im Hauptpatent wird ein Verfahren zum Herstellen hochgereinigter einkristalliner Halbleiterstäbe, insbesondere aus Silizium, mittels eines Keims durch Ziehen aus einer tiegellosen Schmelze beansprucht, bei dem das auf dem aufgeschmolzenen Teil eines als Träger dienenden Halbleiterstabes durch Zersetzen einer hochreinen gasförmigen Verbindung dieses Materials erhaltene Material niedergeschlagen und ein im Vergleich zum Träger dünner Halbleiterstab daraus gezogen wird.
Bei diesem Verfahren wird die Schmelzzone induktiv auf die Zersetzungstemperatur der in das Reaktionsgefäß geleiteten gasförmigen Verbindung des Halbleitermaterials erhitzt. Das hat den Nachteil, daß unter Umständen das Silizium aus der gasförmigen Verbindung nicht nur an der Oberfläche der Schmelzzone, sondern auch an den kälteren Teilen abgeschieden wird.
Dieser Nachteil wird bei einem Verfahren zum Herstellen hochgereinigter einkristalliner Halbleiterstäbe, insbesondere aus Silizium, mittels eines Keims durch Ziehen aus einer tiegellosen Schmelze, bei dem das auf dem aufgeschmolzenen Teil eines als Träger dienenden Halbleiterstabes durch Zersetzen einer hochreinen gasförmigen Verbindung dieses Materials erhaltene Material niedergeschlagen und ein im Vergleich zum Träger dünner Halbleiterstab daraus gezogen wird, vermieden, wenn erfindungsgemäß die Schmelzzone die eine Elektrode einer oder mehrerer Gasentladungen, vorzugsweise Glimmbogenentladungen, bildet und die hochreine gasförmige Verbindung des Materials auf die Schmelzzone gerichtet zugeführt wird.
Vorteilhaft wird dabei die von der Schmelzzone gebildete Elektrode als Kathode geschaltet.
Der Vorteil der Verwendung einer Glimmbogenentladung, die eine Sonderform der Bogenentladung darstellt, besteht darin, daß der Bogen an der Kathode nicht in einem Brennfleck, sondern wie bei der Glimmentladung über eine große Fläche verteilt ansetzt, so daß die durch die Entladung auf die Schmelztemperatur gebrachte Zone des Halbleiterstabes und damit die Reaktionszone ebenfalls großflächig ist. Ferner ist die Wärmeentwicklung an der Kathode und auch die Zersetzung des Reaktionsgases in dem hohen Kathodenfall des Glimmbogens wirksamer.
Um eine gleichmäßige Erhitzung der Schmelzzone und eine gleichmäßige Abscheidung des Halbleitermaterials zu erzielen, ist es zweckmäßig, mehrere mit dem Pluspol verbundene Gegenelektroden kreisförmig um die Schmelzone anzuordnen, von denen aus Verfahren zum Herstellen
hochgereinigter einkristalliner Halbleiterstäbe
Zusatz zum Patent 1141 255
Anmelder:
Siemens & Halske Aktiengesellschaft,
Berlin und München,
München 2, Wittelsbacherplatz 2
Dr. Karl Siebertz, München-Obermenzing,
ist als Erfinder genannt worden
dann mehrere Glimmbögen parallel brennen. Um außerdem den die Siliziumverbindung enthaltenden Gasstrom direkt auf die Schmelzzone zu richten, ist es besonders günstig, die Gegenelektroden zu durch-
bohren und das Reaktionsgas durch die Gegenelektroden hindurch einzuleiten.
In der Fig. 1 ist eine Apparatur im Längsschnitt dargestellt, wie sie bereits vorgeschlagen wurde. Erfindungsgemäß ist die Induktionsspule zur Aufheizung der Schmelzzone, an der die Zersetzung der hochreinen gasförmigen Verbindung des Halbleitermaterials erfolgt, durch die Elektroden, die als Anoden der Glimmbogenentladung dienen, ersetzt. In das Reaktionsgefäß 1, das z. B. aus Quarz besteht, sind die Gasableitung 9 und die Gegenelektroden, von denen zwei im Schnitt dargestellt und mit 10 und 12 bezeichnet sind, eingelassen. Innerhalb dieses Gefäßes ist ein polykristalliner Stab 2 aus Halbleitermaterial angebracht, an dessen oberem Ende sich die
Schmelzzone 4, in die der Einkristallkeim 5 eintaucht, befindet. Außerdem kann z. B. im Reaktionsgefäß eine Spule 6 angeordnet sein, durch deren elektromagnetisches Feld die Schmelzzone unterstützt wird. Die erhaltenen glatten zylindrischen Halbleiter-Ein-
kristallstäbe können dann durch eine hier nur schematisch angedeutete Dichtungsmuffe 7 aus dem Reaktionsraum herausgezogen werden. Die Halterung des dicken Halbleiterstabes 2 ist ebenfalls durch eine Dichtungsmuffe 8 aus dem Gefäß herausgeführt. Der
dünne Halbleiterstab 3 und die Halterung 14 sind drehbar angeordnet. Auch der dicke Halbleiterstab 2 kann drehbar angeordnet und in der Längsachse ver-
309 648/174
schiebbar sein, um größere Symmetrie der Temperatur zu erreichen und notfalls zur Korrektur des kontinuierlichen Vorgangs Material nachschieben oder entfernen zu können.
Die Fig. 2 zeigt einen Querschnitt der Anordnung, bei der z. B. fünf Gegenelektroden 10,12,15,18 und 19 in das Reaktionsgefäß eingelassen sind, von denen aus mehrere Glimmbögen parallel brennen. Diese Gegenelektroden sind, um eine gleichmäßige Erhitzung und Abscheidung zu erreichen, kreisförmig um die Schmelzzone angeordnet. Die Gleichmäßigkeit von Erhitzung und Abscheidung kann außerdem beispielsweise durch Rotation der Schmelzzone noch erhöht werden. Die Gegenelektroden sind zweckmäßig aus Kupfer und werden, um zu vermeiden, daß sich Halbleitermaterial auf ihnen abscheidet, durch eine in die Figur nicht eingezeichnete Vorrichtung mit Wasser gekühlt. In dem hier beschriebenen Ausführungsbeispiel sind die Gegenelektroden durchbohrt und Zufuhrungen 11, 13, 16, 17 und 20 für das Re- ao aktionsgas in sie eingelassen, so daß der Gasstrom direkt auf die Schmelzzone gerichtet ist und die Abscheidung an dieser Stelle gefördert wird.
Die Fig. 3 zeigt eine weitere Ausführungsform, bei welcher die Gegenelektrode durch einen geschlossenen Kreisring 21 gebildet wird, der der Schmelzzone gegenübersteht und durch den hindurch der Einkristall gezogen wird. Es muß dann noch eine geeignete Gaszuführung in das Reaktionsgefäß eingelassen sein. Um auch in diesem Fall die gleichmäßige Verteilung der Erhitzung zu sichern bzw. eine Konzentration und Lokalisierung des Glimmbogens an einer Stelle zu vermeiden, wird der Glimmbogen durch ein wesentlich radial zur Anordnung bzw. senkrecht zur Stromrichtung des Bogens angeordnetes Magnetfeld in Rotation versetzt. Es ist außerdem eine günstige Nebenwirkung dieser Maßnahme, daß der Potentialgradient der Säule des Glimmbogens dabei erhöht und die Zersetzung der Siliziumverbindung gefördert, d. h. die je Zeiteinheit abgeschiedene Menge des Halbleitermaterials vergrößert wird.
Selbstverständlich können der gasförmigen Halbleiterverbindung dotierende Substanzen beigemengt werden, so daß ein Einkristallstab definierter Leitfähigkeit bzw. durch intermittierende Beigabe der Dotierungssubstanz zum Reaktionsgas ein Halbleiterstab mit p-n-Übergängen gezogen werden kann.

Claims (4)

Patentansprüche:
1. Verfahren zum Herstellen hochgereinigter einkristalliner Halbleiterstäbe, insbesondere aus Silizium, mittels eines Keims durch Ziehen aus einer tiegellosen Schmelze, bei dem das auf dem aufgeschmolzenen Teil eines als Träger dienenden Halbleiterstabes durch Zersetzen einer hochreinen gasförmigen Verbindung dieses Materials erhaltene Material niedergeschlagen und ein im Vergleich zum Träger dünner Halbleiterstab daraus gezogen wird, nach Patent 1 141 255, dadurch gekennzeichnet, daß die Schmelzzone die eine Elektrode einer oder mehrerer Gasentladungen, vorzugsweise Glimmbogenentladungen, bildet und daß die hochreine gasförmige Verbindung des Materials auf die Schmelzzone gerichtet zugeführt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Glimmbogenentladung eine Gleichstromentladung ist, bei der die Kathode durch die Schmelzzone selbst gebildet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Gegenelektroden kreisförmig um die Schmelzzone angeordnet werden.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Gegenelektroden durchbohrt sind und die gasförmige Verbindung des Halbleitermaterials durch sie hindurch zugeführt wird.
In Betracht gezogene Druckschriften: Belgische Patentschrift Nr. 525 102; französische Patentschrift Nr. 1131 422.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 309 648/174 7.63
DES58066A 1954-05-25 1958-04-30 Verfahren zum Herstellen hochgereinigter einkristalliner Halbleiterstaebe Pending DE1151782B (de)

Priority Applications (17)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES39318A DE1017795B (de) 1954-05-25 1954-05-25 Verfahren zur Herstellung reinster kristalliner Substanzen, vorzugsweise Halbleitersubstanzen
DES39578A DE976899C (de) 1954-06-13 1954-06-13 Gasentladungsanlage zur Herstellung eines Stabes aus hochreinem Silicium
DES40843A DE1042539B (de) 1954-06-13 1954-09-15 Verfahren zum Herstellen ultrareiner Halbleiterkristalle
CH355220D CH355220A (de) 1954-06-13 1954-10-21 Verfahren zur Herstellung eines kristallisierten Halbleiterstoffes
CH362061D CH362061A (de) 1954-06-13 1954-10-21 Verfahren zum Herstellen von reinem Bornitrid
FR1131422D FR1131422A (fr) 1954-06-13 1954-10-26 Procédé pour la préparation de matériaux cristallisés particulièrement purs, dispositif pour sa mise en oeuvre et produits obtenus
GB30885/54A GB795191A (en) 1954-06-13 1954-10-26 Improvements in or relating to processes for the production of very pure crystallinesubstances
NL191838A NL105537C (de) 1954-06-13 1954-10-26
US509980A US2992984A (en) 1954-06-13 1955-05-20 Gas discharge device for producing extremely pure crystalline semiconductor substances
GB14816/55A GB812818A (en) 1954-06-13 1955-05-23 Improvements in or relating to processes for the production of extremely pure substances
FR1125277D FR1125277A (fr) 1954-06-13 1955-05-25 Procédé de préparation de substances cristallines très pures, de préférence pour leur emploi comme dispositifs de semi-conduction, et dispositifs conformes à ceuxobtenus
DES44220A DE1023889B (de) 1954-06-13 1955-06-06 Verfahren zur Herstellung reinster kristalliner Substanzen, vorzugsweise Halbleitersubstanzen
DES58066A DE1151782B (de) 1954-06-13 1958-04-30 Verfahren zum Herstellen hochgereinigter einkristalliner Halbleiterstaebe
GB11585/59A GB890230A (en) 1954-06-13 1959-04-06 Improvements in or relating to the production of semi-conductor rods
US806882A US2999737A (en) 1954-06-13 1959-04-16 Production of highly pure single crystal semiconductor rods
FR792433A FR1220648A (fr) 1954-06-13 1959-04-17 Procédé de fabrication de barreaux semi-conducteurs monocristallins et barreaux conformes à ceux obtenus
CH7245559A CH376584A (de) 1954-06-13 1959-04-23 Verfahren zum Herstellen einkristalliner Halbleiterstäbe

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES39578A DE976899C (de) 1954-06-13 1954-06-13 Gasentladungsanlage zur Herstellung eines Stabes aus hochreinem Silicium
DES40843A DE1042539B (de) 1954-06-13 1954-09-15 Verfahren zum Herstellen ultrareiner Halbleiterkristalle
DES58066A DE1151782B (de) 1954-06-13 1958-04-30 Verfahren zum Herstellen hochgereinigter einkristalliner Halbleiterstaebe

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1151782B true DE1151782B (de) 1963-07-25

Family

ID=27212571

Family Applications (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES39318A Pending DE1017795B (de) 1954-05-25 1954-05-25 Verfahren zur Herstellung reinster kristalliner Substanzen, vorzugsweise Halbleitersubstanzen
DES39578A Expired DE976899C (de) 1954-05-25 1954-06-13 Gasentladungsanlage zur Herstellung eines Stabes aus hochreinem Silicium
DES40843A Pending DE1042539B (de) 1954-05-25 1954-09-15 Verfahren zum Herstellen ultrareiner Halbleiterkristalle
DES44220A Pending DE1023889B (de) 1954-06-13 1955-06-06 Verfahren zur Herstellung reinster kristalliner Substanzen, vorzugsweise Halbleitersubstanzen
DES58066A Pending DE1151782B (de) 1954-05-25 1958-04-30 Verfahren zum Herstellen hochgereinigter einkristalliner Halbleiterstaebe

Family Applications Before (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES39318A Pending DE1017795B (de) 1954-05-25 1954-05-25 Verfahren zur Herstellung reinster kristalliner Substanzen, vorzugsweise Halbleitersubstanzen
DES39578A Expired DE976899C (de) 1954-05-25 1954-06-13 Gasentladungsanlage zur Herstellung eines Stabes aus hochreinem Silicium
DES40843A Pending DE1042539B (de) 1954-05-25 1954-09-15 Verfahren zum Herstellen ultrareiner Halbleiterkristalle
DES44220A Pending DE1023889B (de) 1954-06-13 1955-06-06 Verfahren zur Herstellung reinster kristalliner Substanzen, vorzugsweise Halbleitersubstanzen

Country Status (6)

Country Link
US (2) US2992984A (de)
CH (3) CH362061A (de)
DE (5) DE1017795B (de)
FR (3) FR1131422A (de)
GB (3) GB795191A (de)
NL (1) NL105537C (de)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3293074A (en) * 1963-11-05 1966-12-20 Siemens Ag Method and apparatus for growing monocrystalline layers on monocrystalline substrates of semiconductor material
DE1248014B (de) * 1963-12-05 1967-08-24 Siemens Ag Verfahren zum Abscheiden von Halbleitermaterial unter Anwendung einer elektrischen Glimmentladung
DE1544305B1 (de) * 1965-12-08 1970-07-23 Sanyo Electric Co Verfahren zum Aufwachsen mindestens einer dotiertenHalbleiterkristallschicht
US4132763A (en) * 1976-08-12 1979-01-02 Wacker-Chemie Gmbh Process for the production of pure, silicon elemental semiconductor material
CN112827319A (zh) * 2020-12-23 2021-05-25 四川天采科技有限责任公司 低浓度硅烷/C2+氯基SiC-CVD外延尾气FTrPSA提氢与循环再利用方法

Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1061527B (de) * 1953-02-14 1959-07-16 Siemens Ag Verfahren zum zonenweisen Umschmelzen von Staeben und anderen langgestreckten Werkstuecken
DE1017795B (de) * 1954-05-25 1957-10-17 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung reinster kristalliner Substanzen, vorzugsweise Halbleitersubstanzen
DE1141255B (de) * 1958-03-05 1962-12-20 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen hochgereinigter einkristalliner Halbleiterstaebe
GB878765A (en) * 1956-11-05 1961-10-04 Plessey Co Ltd Improvements in and relating to processes for the manufacture of semiconductor materials
DE1109154B (de) * 1957-03-12 1961-06-22 Licentia Gmbh Verfahren zur Gewinnung von borbromid- bzw. borjodidfreiem Siliciumbromid bzw. -jodid
BE567204A (de) * 1957-04-30
DE1114170B (de) * 1957-07-03 1961-09-28 Int Standard Electric Corp Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von extrem reinem Halbleitermaterial
US3006734A (en) * 1957-11-14 1961-10-31 Plessey Co Ltd Process for preparing pure silicon
DE1081869B (de) * 1957-12-03 1960-05-19 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Silicium-Einkristallen
DE1198321B (de) * 1958-01-06 1965-08-12 Int Standard Electric Corp Verfahren zur Herstellung von Halbleitermaterial grosser Reinheit
DE1073460B (de) * 1958-01-11 1960-01-21 LICENTIA Patent-Verwaltungs-G.m.b.H., Frankfurt/M Verfahren zum Reinigen von Silan oder chlorierten Silanen
US3116175A (en) * 1958-01-27 1963-12-31 Marvalaud Inc Method for forming bicrystalline specimens
US3036892A (en) * 1958-03-05 1962-05-29 Siemens Ag Production of hyper-pure monocrystal-line rods in continuous operation
DE1180346B (de) * 1958-03-14 1964-10-29 Gustav Weissenberg Dr H C Dr H Verfahren zum Herstellen hochreiner Kristalle, insbesondere aus Halbleiterstoffen
US3098741A (en) * 1958-04-03 1963-07-23 Wacker Chemie Gmbh Process for effecting crucibleless melting of materials and production of shaped bodies therefrom
DE1181669B (de) * 1958-06-03 1964-11-19 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zum Herstellen von festen Verbindungen oder Legierungen
NL255390A (de) * 1958-09-20 1900-01-01
DE1154796B (de) * 1958-12-16 1963-09-26 Western Electric Co Verfahren zum Reinigen von Silicium- oder Germaniumverbindungen
CH354427A (fr) * 1959-06-05 1961-05-31 Ind De Pierres Scient Hrand Dj Procédé de fabrication d'un corps de révolution, notamment d'un disque en pierre synthétique et installation pour la mise en oeuvre de ce procédé
NL256017A (de) * 1959-09-23 1900-01-01
NL244298A (de) * 1959-10-13
DE1128412B (de) * 1959-12-17 1962-04-26 Metallgesellschaft Ag Verfahren zur Herstellung von Reinstsilicium durch thermische Zersetzung von gasfoermigen Siliciumverbindungen
NL262949A (de) * 1960-04-02 1900-01-01
DE1211593B (de) * 1960-04-27 1966-03-03 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zur tiegelfreien Herstellung hochreiner, elektrisch halbleitender, kristalliner Verbindungen
NL265528A (de) * 1960-06-02
DE1190918B (de) * 1960-06-24 1965-04-15 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zur gezielten Dotierung von stabfoermigen Koerpern waehrend des Zonenschmelzens
DE1216842B (de) * 1960-09-30 1966-05-18 Karl Ernst Hoffmann Verfahren zur Herstellung von reinstem Silicium und Germanium
DE1227424B (de) * 1961-03-01 1966-10-27 Philips Nv Verfahren und Vorrichtung zum Zonenschmelzen eines aus einer Metallverbindung bestehenden stabfoermigen Koerpers
DE1245332B (de) * 1961-09-14 1967-07-27 Gen Electric Vorrichtung zur kontinuierlichen Herstellung von Einkristallen durch Abscheidung aus der Dampfphase
US3267529A (en) * 1961-10-04 1966-08-23 Heraeus Gmbh W C Apparatus for melting metals under high vacuum
US3239368A (en) * 1962-04-26 1966-03-08 Nra Inc Method of preparing thin films on substrates by an electrical discharge
US3303115A (en) * 1962-05-31 1967-02-07 Corning Glass Works Methods for forming materials of high purity by fusion
US3245761A (en) * 1962-10-11 1966-04-12 Norton Co Apparatus for making magnesium oxide crystals
DE1258397B (de) * 1962-11-15 1968-01-11 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung durch einkristallines Aufwachsen halbleitender Schichten mittels Transportreaktion
DE1444530B2 (de) * 1962-12-12 1970-10-01 Siemens AG, 1000 Berlin u. 8000 München Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von stabförmigem, einkristallinen Halbleitermaterial
DE1243641B (de) * 1962-12-12 1967-07-06 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiterstaeben durch Ziehen aus der Schmelze
US3259468A (en) * 1963-05-02 1966-07-05 Monsanto Co Slim crystalline rod pullers with centering means
GB1108741A (en) * 1963-09-19 1968-04-03 Ass Elect Ind Improvements in and relating to epitaxial layers of semiconductor materials
BE676042A (de) * 1965-02-10 1966-06-16
US3293002A (en) * 1965-10-19 1966-12-20 Siemens Ag Process for producing tape-shaped semiconductor bodies
FR1492063A (fr) * 1966-04-05 1967-08-18 Commissariat Energie Atomique Perfectionnement aux fours électriques haute fréquence pour la fabrication en continu de réfractaires électrofondus
GB1227331A (de) * 1967-04-14 1971-04-07
US3494742A (en) * 1968-12-23 1970-02-10 Western Electric Co Apparatus for float zone melting fusible material
CH540995A (de) * 1971-03-22 1973-08-31 Bbc Brown Boveri & Cie Verfahren zum Aufbringen einer Schutzschicht auf einen Körper
US4068025A (en) * 1971-03-22 1978-01-10 Brown, Boveri & Company Limited Method of applying a protective coating to a body
US4087313A (en) * 1975-11-28 1978-05-02 Joseph Beril Milstein Process and apparatus for preparation of single crystals and textured polycrystals
US4102764A (en) * 1976-12-29 1978-07-25 Westinghouse Electric Corp. High purity silicon production by arc heater reduction of silicon intermediates
US4102766A (en) * 1977-04-14 1978-07-25 Westinghouse Electric Corp. Process for doping high purity silicon in an arc heater
US4102767A (en) * 1977-04-14 1978-07-25 Westinghouse Electric Corp. Arc heater method for the production of single crystal silicon
JPS60246208A (ja) * 1984-05-21 1985-12-05 Toshiba Tungaloy Co Ltd 窒化ホウ素の製造方法
JPS63222011A (ja) * 1987-03-11 1988-09-14 Mitsubishi Metal Corp 多結晶シリコンの製造方法
EP3539924A1 (de) * 2018-03-14 2019-09-18 ETH Zurich Neuartige vinylphosphine und daraus erhältliche photoinitiatoren
CN111574909B (zh) * 2020-04-23 2021-11-02 华北电力大学（保定） 一种抗击穿型环氧树脂-氮化硼复合材料的制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE525102A (de) * 1952-12-17 1900-01-01
FR1131422A (fr) * 1954-06-13 1957-02-21 Siemens Ag Procédé pour la préparation de matériaux cristallisés particulièrement purs, dispositif pour sa mise en oeuvre et produits obtenus

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2631356A (en) * 1953-03-17 Method of making p-n junctions
US2468175A (en) * 1949-04-26 Apparatus for electrochemical
US2768074A (en) * 1949-09-24 1956-10-23 Nat Res Corp Method of producing metals by decomposition of halides
DE863997C (de) * 1951-03-02 1953-01-22 Degussa Abscheidung von Elementen mit metallaehnlichem Charakter aus ihren Verbindungen
NL122356C (de) * 1954-05-18 1900-01-01
US2892739A (en) * 1954-10-01 1959-06-30 Honeywell Regulator Co Crystal growing procedure

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE525102A (de) * 1952-12-17 1900-01-01
FR1131422A (fr) * 1954-06-13 1957-02-21 Siemens Ag Procédé pour la préparation de matériaux cristallisés particulièrement purs, dispositif pour sa mise en oeuvre et produits obtenus

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3293074A (en) * 1963-11-05 1966-12-20 Siemens Ag Method and apparatus for growing monocrystalline layers on monocrystalline substrates of semiconductor material
DE1248014B (de) * 1963-12-05 1967-08-24 Siemens Ag Verfahren zum Abscheiden von Halbleitermaterial unter Anwendung einer elektrischen Glimmentladung
DE1544305B1 (de) * 1965-12-08 1970-07-23 Sanyo Electric Co Verfahren zum Aufwachsen mindestens einer dotiertenHalbleiterkristallschicht
US4132763A (en) * 1976-08-12 1979-01-02 Wacker-Chemie Gmbh Process for the production of pure, silicon elemental semiconductor material
CN112827319A (zh) * 2020-12-23 2021-05-25 四川天采科技有限责任公司 低浓度硅烷/C2+氯基SiC-CVD外延尾气FTrPSA提氢与循环再利用方法
CN112827319B (zh) * 2020-12-23 2023-03-03 四川天采科技有限责任公司 一种含低浓度硅烷与碳二以上轻烃类的氯基SiC-CVD外延尾气全温程变压吸附提氢与循环再利用方法

Also Published As

Publication number Publication date
GB812818A (en) 1959-04-29
NL105537C (de) 1963-08-15
CH362061A (de) 1962-05-31
FR1131422A (fr) 1957-02-21
GB890230A (en) 1962-02-28
DE1042539B (de) 1958-11-06
GB795191A (en) 1958-05-21
CH355220A (de) 1961-06-30
DE1017795B (de) 1957-10-17
US2992984A (en) 1961-07-18
FR1220648A (fr) 1960-05-25
US2999737A (en) 1961-09-12
CH376584A (de) 1964-04-15
DE1023889B (de) 1958-02-06
DE976899C (de) 1964-07-23
FR1125277A (fr) 1956-10-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1151782B (de) Verfahren zum Herstellen hochgereinigter einkristalliner Halbleiterstaebe
DE1223815B (de) Verfahren zur Herstellung von reinstem Silicium
DE1061593B (de) Vorrichtung zur Gewinnung reinsten Halbleitermaterials fuer elektrotechnische Zwecke
DE60008880T2 (de) Verfahren zur herstellung eines siliziumeinkristalles mittels eines elektrischen potentials
DE2831819C2 (de)
DE112010004657B4 (de) Einkristall-Herstellungsvorrichtung und ein Einkristall-Herstellungsverfahren
DE1281396B (de) Vorrichtung zum Herstellen von kristallinem Halbleitermaterial
DE2754856C3 (de) Verfahren zur Verhinderung unerwünschter Abscheidungen beim Kristallziehen nach Czochralski in Schutzgasatmosphäre sowie Vorrichtung hierfür
DE1097964B (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Silicium oder Germanium hoher Reinheit
DE2116746A1 (de) Verfahren zum Betrieb einer elektrischen Niederschlagsanlage zum Herstellen von insbesondere aus Silicium bestehenden Halbleiterstäben
AT220591B (de)
AT212879B (de) Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Körpern aus hochgereinigtem Halbleitermaterial
DE1417786B2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von Silicium großer Reinheit
AT225750B (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleitermaterial
DE1417786C (de) Verfahren und Vorrichtung zum Herstel len von Silicium großer Reinheit
DE2435174A1 (de) Vorrichtung zum kontaktieren des traegerstabes bei der abscheidung von halbleitermaterial aus der gasphase
DE1419289A1 (de) Verfahren zum Herstellen dotierter Halbleiterkoerper
DE977418C (de) Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines Stabes aus hochreinem Silicium
AT214410B (de) Verfahren zum Herstellen stabförmiger Halbleiterkörper
AT223659B (de) Verfahren zur Herstellung von versetzungsfreiem einkristallinem Silizium durch tiegelfreies Zonenschmelzen
AT206408B (de) Verfahren zur Herstellung von reinstem kristallisiertem Silizium
AT225747B (de) Verfahren zur Gewinnung von n-leitendem Halbleitermaterial
DE1141255B (de) Verfahren zum Herstellen hochgereinigter einkristalliner Halbleiterstaebe
DE1223351B (de) Verfahren zum Ziehen einkristalliner Siliciumstaebe
DE1417137C (de)