DE1180346B - Verfahren zum Herstellen hochreiner Kristalle, insbesondere aus Halbleiterstoffen - Google Patents

Verfahren zum Herstellen hochreiner Kristalle, insbesondere aus Halbleiterstoffen

Info

Publication number
DE1180346B
DE1180346B DEW22958A DEW0022958A DE1180346B DE 1180346 B DE1180346 B DE 1180346B DE W22958 A DEW22958 A DE W22958A DE W0022958 A DEW0022958 A DE W0022958A DE 1180346 B DE1180346 B DE 1180346B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
bag
nozzle
semiconductor materials
reaction product
lozenges
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEW22958A
Other languages
English (en)
Inventor
H C Dr H C Gustav Weissenbe Dr
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
GUSTAV WEISSENBERG DR H C DR H
Original Assignee
GUSTAV WEISSENBERG DR H C DR H
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by GUSTAV WEISSENBERG DR H C DR H filed Critical GUSTAV WEISSENBERG DR H C DR H
Priority to DEW22958A priority Critical patent/DE1180346B/de
Publication of DE1180346B publication Critical patent/DE1180346B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F3/00Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
    • B22F3/12Both compacting and sintering
    • B22F3/1208Containers or coating used therefor
    • B22F3/1216Container composition
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F3/00Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
    • B22F3/12Both compacting and sintering
    • B22F3/1208Containers or coating used therefor
    • B22F3/1216Container composition
    • B22F3/1233Organic material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Internat. Kl.: B Ol d
Deutsche Kl.: 12 c - 2
Nummer: 1180 346
Aktenzeichen: W 22958IV c / 12 c
Anmeldetag: 14. März 1958
Auslegetag: 29. Oktober 1964
Es ist bekannt, reinste flüchtige Verbindungen von Metallen oder Halbleiterstoffen insbesondere Hydride, beispielsweise Silane, in einer Düse bis über die Zerfallstemperatur der Verbindung zu erhitzen, wobei, beispielsweise bei Silanen, feinstverteiltes Silicium und Wasserstoff entstehen. Durch Dimensionierung der Düse sorgt man dafür, daß das Gas und die Reaktionspartner auf hohe Geschwindigkeit, beispielsweise auf Schallgeschwindigkeit, beschleunigt werden. In hochevakuierte Räume wird das Reaktionsprodukt expandieren gelassen, wobei durch Abpumpen des bei der Reaktion entstehenden gasförmigen Reaktionsproduktes gesorgt wird, daß ein bestimmtes Vakuum auch in Betrieb aufrechterhalten wird.
Bisher war es schwierig, das sehr fein anfallende Material weiterzuverarbeiten. Bei einem Verfahren zum Herstellen hochreiner Kristalle, insbesondere aus Halbleiterstoffen, durch thermische Zersetzung flüchtiger Verbindungen, die über die Zersetzungstemperatur erhitzt aus einer Expansionsdüse in eine gekühlte Reaktionskammer strömen, wobei sich ein Reaktionsprodukt als Pulver abscheidet, kann die weitere Verarbeitung des Pulvers auf einfache Weise erfolgen, wenn erfindungsgemäß das Reaktionsprodukt in einem unterhalb der Düse befindlichen Beutel aus einem Kunststoff oder aus einer Metallfolie aufgefangen, der Beutel in an sich bekannter Weise verschlossen aus der Reaktionskammer entfernt, der Beutel mit Inhalt zu Pastillen verpreßt, der Beutel aufgelöst und die Pillen in bekannter Weise zonengeschmolzen werden.
Vornehmlich wählt man als Material eine dünnwandige Folie eines reinen Kohlenwasserstoffes, beispielsweise Polyäthylen oder Polyvinylchlorid, PoIyfluoräthylen oder ähnlichen, möglichst nicht sauerstoffhaltigen organischen Verbindungen. Man soll Wert darauf legen, daß diese Kunststoffe keine oder nur verschwindend wenig Polymerisationsbeschleuniger oder Weichmacher enthalten. Statt Kunststoff können natürlich auch dünne Metallfolien verwendet werden. Beispielsweise bei der Herstellung von Silicium solche aus Fe, die leicht in hochkonzentrierter HCl abgelöst werden können, wobei man ganz allgemein bei der Wahl der Metallfolien dafür sorgt, daß die Folie beispielsweise in einer Mineralsäure gut löslich ist, die das Pulver nicht angreift.
Wenn dann dieser Beutel mit dem Reaktionsprodukt entsprechend gefüllt ist, wird er im Vakuum durch eine technisch einfache und an sich bekannte Vorrichtung zugeschweißt. Zweckmäßig ordnet man auf einer Art Karussell eine größere Zahl derartiger Verfahren zum Herstellen hochreiner Kristalle,
insbesondere aus Halbleiterstoffen
Anmelder:
Dr. h. c. Dr. h. c. Gustav Weissenberg,
Wetdar, Leitzstr. 30
Als Erfinder benannt:
Dr. h. c. Dr. h. c. Gustav Weissenberg, Wetzlar
Beutel im Vakuumgefäß an, so daß immer ein Beutel gerade unter der Düse zu liegen kommt. Er kann dann, wenn er voll ist, durch Drehen des Karussells wegbewegt und anschließend zugeschweißt werden.
Durch solche und ähnliche Anordnungen kann der Zersetzungsprozeß ohne Unterbrechungen längere Zeit aufrechterhalten bleiben. Ist der bzw. die Beutel gefüllt und zugeschweißt, so werden sie aus dem Vakuumgefäß beispielsweise herausgeschleust und in einer Presse unter hohem Druck zu Pastillen gepreßt. Durch diese Pressung wird die Oberfläche des in der feinsten Verteilung hochreaktionsfähigen Pulvers so weit verkleinert, daß anschließend der Kunststoff oder das Metall chemisch abgelöst werden kann. Es kann zweckmäßig sein, anschließend ein nochmaliges Pressen, gegebenenfalls bei erhöhter Temperatur, durchzuführen.
Das in den Beutel geblasene feste Reaktionsgut, beispielsweise Siliciumpulver, ist außerordentlich feinkörnig und sehr voluminös. Um möglichst wenig Beutelmaterial ablösen zu müssen und das Pressen zu erleichtern, wird beispielsweise wie folgt verfahren: Die zugeschweißten Beutel werden mittels Ultraschall und/oder in einer Zentrifuge behandelt und so der Inhalt verdichtet. Eine Hülse aus Fe-Folie (etwa 0,01 mm Stärke), 25 mm Durchmesser und 100 mm lang, die mit dem Reaktionsprodukt gefüllt ist, wird durch diese Behandlung nur mehr bis 30 mm Länge gefüllt sein. Man schweißt dann die Hülse nochmals bei der Füllhöhe zu und trennt das überstehende Teil ab. Diese jetzt nur mehr 30 mm lange Hülse wird beim ersten Pressen auf etwa 5 mm zusammengedrückt. Anschließend wird die Eisenfolie im konzentrierten HCl-Strom abgelöst.
Die so auf gleichmäßigen Durchmesser gepreßten und feinstkristallinen Pastillen werden in an sich bekannter Weise aufeinandergelegt, verschmolzen und
Λ 409 709/218
sofort anschließend einem Zonenschmelzverfahren unterworfen. Bekanntermaßen ist es zweckmäßig, bei vertikaler Anordnung von unten nach oben zonenzuschmelzen und mit einem orientierten Kristall zu beginnen. Man kann dadurch eine bestimmte Orientierung des gesamten Stabes erzwingen. Vorzugsweise stapelt man die noch von der- Ablösung des Beutels feuchten Pastillen aufeinander. Bevor man in der Zonenschmelzapparatur zum Verschmelzen und Zonenschmelzen übergeht, evakuiert man so,, lange, bis alles Lösungsmittel verdampft ist. Gegen Ende der Evakuierung erhöht man die Temperatur, um den letzten Rest an Lösungsmittel zu vertreiben.

Claims (5)

Patentansprüche: 1S
1. Verfahren zum Herstellen hochreiner Kristalle, insbesondere aus Halbleiterstoffen, durch thermische Zersetzung flüchtiger Verbindungen, die über die Zersetzungstemperatur erhitzt aus einer Expansionsdüse in eine gekühlte Reaktionskammer strömen, wobei sich ein Reaktionsprodukt als Pulver abscheidet, dadurch gekennzeichnet, daß das Reaktionsprodukt in einem unterhalb der Düse befindlichen Beutel aus einem Kunststoff oder aus einer Metallfolie aufgefangen, der Beutel in an sich bekannter Weise verschlossen aus der Reaktionskammer entfernt, der Beutel mit Inhalt zu Pastillen verpreßt, der Beutel aufgelöst und die Pillen in bekannter Weise zonengeschmolzen werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Beutel aus Polyäthylen oder aus von Mineralsäuren lösbaren Metallfolien, z. B. aus Eisen,-verwendet werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Beutel, die jeweils nacheinander unter die Düse gebracht werden, verwendet werden.
4. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Pastillen nach Auflösen des Beutels, gegebenenfalls bei erhöhter Temperatur, unter Schutzgas oder im Vakuum nachgepreßt werden.
5. Verfahren nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Inhalt der Beutel vor dem Pressen durch Ultraschall und/oder Zentrifugieren vorverdichtet wird.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschrift Nr. 752 280;
österreichische Patentschrift Nr. 194 444;
USA.-Patentschrift Nr. 2 556 711;
französische Patentschrift Nr. 1131422.
409 709/218 10.6+ © Bundesdruckerei Berlin
DEW22958A 1958-03-14 1958-03-14 Verfahren zum Herstellen hochreiner Kristalle, insbesondere aus Halbleiterstoffen Pending DE1180346B (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEW22958A DE1180346B (de) 1958-03-14 1958-03-14 Verfahren zum Herstellen hochreiner Kristalle, insbesondere aus Halbleiterstoffen

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEW22958A DE1180346B (de) 1958-03-14 1958-03-14 Verfahren zum Herstellen hochreiner Kristalle, insbesondere aus Halbleiterstoffen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1180346B true DE1180346B (de) 1964-10-29

Family

ID=7597430

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEW22958A Pending DE1180346B (de) 1958-03-14 1958-03-14 Verfahren zum Herstellen hochreiner Kristalle, insbesondere aus Halbleiterstoffen

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE1180346B (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4676967A (en) * 1978-08-23 1987-06-30 Union Carbide Corporation High purity silane and silicon production
WO2005054130A1 (en) 2003-12-06 2005-06-16 Degussa Ag Device and process for the deposition of ultrafine particles from the gas phase

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2556711A (en) * 1947-10-29 1951-06-12 Bell Telephone Labor Inc Method of producing rectifiers and rectifier material
DE752280C (de) * 1941-03-18 1953-05-26 Gustav Weissenberg Verfahren zur Darstellung von reinstem Silicium
FR1131422A (fr) * 1954-06-13 1957-02-21 Siemens Ag Procédé pour la préparation de matériaux cristallisés particulièrement purs, dispositif pour sa mise en oeuvre et produits obtenus
AT194444B (de) * 1953-02-26 1958-01-10 Siemens Ag Verfahren und Einrichtung zur Behandlung einer längserstreckten Halbleiterkristallanordnung

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE752280C (de) * 1941-03-18 1953-05-26 Gustav Weissenberg Verfahren zur Darstellung von reinstem Silicium
US2556711A (en) * 1947-10-29 1951-06-12 Bell Telephone Labor Inc Method of producing rectifiers and rectifier material
AT194444B (de) * 1953-02-26 1958-01-10 Siemens Ag Verfahren und Einrichtung zur Behandlung einer längserstreckten Halbleiterkristallanordnung
FR1131422A (fr) * 1954-06-13 1957-02-21 Siemens Ag Procédé pour la préparation de matériaux cristallisés particulièrement purs, dispositif pour sa mise en oeuvre et produits obtenus

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4676967A (en) * 1978-08-23 1987-06-30 Union Carbide Corporation High purity silane and silicon production
WO2005054130A1 (en) 2003-12-06 2005-06-16 Degussa Ag Device and process for the deposition of ultrafine particles from the gas phase

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US2537068A (en) Manufacture of zirconium
DE1141794B (de) Verfahren zur Herstellung von Tantalpulver
US2753254A (en) Method of producing refractory metal
DE1180346B (de) Verfahren zum Herstellen hochreiner Kristalle, insbesondere aus Halbleiterstoffen
US4048087A (en) Crystallizing solution and method of preparation thereof
US3625674A (en) Gold recovery process
US2689791A (en) Process for recovering sodium from sludge
US3704508A (en) Process for compacting metallic powders
US2773787A (en) Production of group iv-a metals
US2758921A (en) Reducing metal compounds with amalgam
US2990261A (en) Processing of boron compact
US2961293A (en) Purification of hafnium tetrahalide
US2744006A (en) Method of producing refractory metals
US2824799A (en) Process for sintering and recovering sponge metal
US2758831A (en) Lined metal reduction apparatus
DE2712553A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum behandeln eines formkoerpers mit einer oberflaeche, von der mindestens ein teil glasartig ist
US3099555A (en) Reduction of uranium oxide
US3381024A (en) Method for directly manufacturing alkylaluminum compounds
US3152886A (en) Preparation of metals and alloys of molybdenum, nickel, cobalt, and tungsten
US2686159A (en) Removal of entrained metallic mercury from alumina hydrosols
US2544881A (en) Preparation of anhydrous sodium beta-naphtholate and carbonation thereof
US3786080A (en) Continuous process for producing alkylaluminum compounds
US3114629A (en) Production of columbium and tantalum
US2956872A (en) Preparation of refractory metals
US3031295A (en) Method for producing tantalum