CN112827319A - 低浓度硅烷/C2+氯基SiC-CVD外延尾气FTrPSA提氢与循环再利用方法 - Google Patents

低浓度硅烷/C2+氯基SiC-CVD外延尾气FTrPSA提氢与循环再利用方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112827319A
CN112827319A CN202011533990.7A CN202011533990A CN112827319A CN 112827319 A CN112827319 A CN 112827319A CN 202011533990 A CN202011533990 A CN 202011533990A CN 112827319 A CN112827319 A CN 112827319A
Authority
CN
China
Prior art keywords
gas
hydrogen
adsorption
chlorine
tower
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202011533990.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112827319B (zh
Inventor
钟雨明
钟娅玲
汪兰海
陈运
陈勇
唐金财
蔡跃明
蒋强
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sichuan Techairs Co ltd
Original Assignee
Sichuan Techairs Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sichuan Techairs Co ltd filed Critical Sichuan Techairs Co ltd
Priority to CN202011533990.7A priority Critical patent/CN112827319B/zh
Publication of CN112827319A publication Critical patent/CN112827319A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112827319B publication Critical patent/CN112827319B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/02—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by adsorption, e.g. preparative gas chromatography
    • B01D53/04—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by adsorption, e.g. preparative gas chromatography with stationary adsorbents
    • B01D53/047—Pressure swing adsorption
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D1/00—Evaporating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D3/00—Distillation or related exchange processes in which liquids are contacted with gaseous media, e.g. stripping
    • B01D3/14—Fractional distillation or use of a fractionation or rectification column
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D5/00—Condensation of vapours; Recovering volatile solvents by condensation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/14—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by absorption
    • B01D53/18—Absorbing units; Liquid distributors therefor
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/10—Greenhouse gas [GHG] capture, material saving, heat recovery or other energy efficient measures, e.g. motor control, characterised by manufacturing processes, e.g. for rolling metal or metal working

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明公开了低浓度硅烷/C2+氯基SiC‑CVD外延尾气FTrPSA提氢与循环再利用方法，通过中温变压吸附提纯与浅冷变压吸附浓缩与精馏、化学吸附纯化耦合，并经预处理、压缩冷凝、中温变压吸附提纯、吸附纯化、变压吸附提氢、氢气纯化、中浅冷精馏与HCl精制工序，将来自氯基SiC‑CVD外延制程中产生的含低浓度硅烷与C2+尾气的有效组分H2提取与纯化，获得满足SiC‑CVD制程所需的电子级H2产品气并返回制程循环使用，收率高达90％以上，同时获得副产物HCl气体，作为“含氯”载体返回制程循环使用，为SiC产业绿色与循环经济发展填补了空白。

Description

低浓度硅烷/C2+氯基SiC-CVD外延尾气FTrPSA提氢与循环再 利用方法
技术领域
本发明涉及第三代半导体材料碳化硅(SiC)氯基外延生长过程中的制程氢气(H2)的提取纯化制备及外延尾气中回收H2再利用的半导体材料与半导体制程环保领域，更具体的说是涉及一种含低浓度硅烷/C2+(碳二及碳二以上的轻烃类碳氢化合物组分)氯基SiC-CVD(碳化硅化学气相沉积)外延尾气FTrPSA(全温程变压吸附)提氢与循环再利用方法。
背景技术
碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料，因其具有宽禁带、耐高温与高压、高频大功率，及耐辐射等优异特性，已广泛应用于IT及电子消费品、汽车、光伏光电、核反应堆，以及系统工作条件苛刻的航空航天与军事等领域的功率开关、变频变压、UPS等电力电子元器件，其中，外延是SiC材料得以广泛应用的关键生产步骤。
SiC外延制程有高温升华(PVT)、化学气相沉积(CVD)、液相生长外延(LPE)、分子束外延生长(MBE)、电子回旋共振等离子化学气相沉积(ECR-MPCVD)等，而工业上普遍采用的是具有外延生长温度低、生产批量大、外延薄膜均匀性好，以及操作易控制特点的CVD制程，其中，按参与反应的硅(Si)源和碳(C)源(称为“反应前驱物”)不同而又可分为常规(无氯)、氯基(含氯)及同时含C/Si/Cl源的有机硅化合物的SiC-CVD外延制程，进而，不同的外延制程所产生的尾气组成也不尽相同，处理方法随之也不同。
基于轻烃类与硅烷反应的氯基SiC-CVD外延制程是，以烷烃如甲烷(CH4)或丙烷(C3H8)或烯烃如乙烯(C2H4)作为“碳(C)”源、以硅烷(含氯硅烷，记为SiHmCln)作为“硅(Si)”源，在氢气(H2)或氩气(Ar)为载气的携带下，并同时加入氯化氢(HCl)气体进入CVD反应腔(炉)，在一定温度及压力下进行化学气相沉积反应。外延系统中加入HCl或含氯的氯硅烷/氯烷烃，可以有效抑制无氯外延过程中硅团簇在外延气相中的生成，进而提高了硅源的使用效率，也就意味着提高了外延生长速率。因此，在CVD反应腔中，基于轻烃与硅烷的氯基SiC-CVD反应所产生的外延薄膜在适合的衬底或基片(通常是Si或SiC材料)上形成一层薄膜，即外延层，经处理后得到合格的SiC外延片，而在气相中含有，参与反应的生成物H2、HCl、氯硅烷(SiHmCln)、CH4、乙烷与碳二以上轻烃组分(C2+)，及微量的Si粉或Si团簇或C粉等固体微小颗粒，未反应完的HCl、轻烃如甲烷、丙烷或乙烯，不参与反应的载气H2或Ar，以及微量或痕量的其它杂质，如一氧化碳(CO)、二氧化碳(CO2)及水(H2O)等。商业上常用H2作为载气，可以有效提升外延效率。由于尾气中含有有毒有害且易燃易爆的氯硅烷/硅烷、氢气、丙烷/甲烷，以及腐蚀性极强且不易燃烧的HCl组分，因而，对尾气处理的方法也比较特殊，如工业上普遍采用的对常规无氯SiC-CVD外延制程尾气燃烧法的处理工艺，因尾气中含有较多的不易燃HCl，无法适用。目前，针对高击穿电压SiC电力电子元器件的研制与推广应用，越来越多的氯基SiC-CVD外延系统投入使用，已成为SiC-CVD外延的主流工艺。因此，对基于烷烃与硅烷反应的氯基SiC-CVD外延制程尾气的处理方法或有效组分的回收与循环再利用，使得氯基SiC-CVD外延的原材料成本或尾气的处理成本大幅度降低，业已成为本领域较为重要的开发内容。
目前常用的氯基SiC-CVD外延制程尾气进行处理的方法主要有干法吸附式和水洗式两种。
第一，干法吸附的尾气处理器，吸附罐中除了装填有的硅烷、硅团簇、丙烷或C2+为吸附质的吸附剂外，还增加了针对极性更强的HCl、氯硅烷(SiHmCln)，如四氯化硅(SiCl4)、三氯氢硅(SiHCl3)、二氯二氢硅(SiH2Cl2)以及高氯硅烷等为吸附质的吸附剂，非吸附质主要是H2、CH4及少量的C2+、硅烷等组分，经过测试后达标直接排放，其中，吸附饱和后的吸附剂定期更换，一般采用不可再生的一次性吸附，或采用吸附剂可再生的变温吸附(TSA)，在较低的温度下进行吸附，在较高的温度下进行吸附剂再生，循环操作，其中，被吸附饱和的吸附剂，在再生操作时，采用较高温度的水蒸气为再生载气解吸吸附质而流出吸附塔，再经过冷却或冷凝及洗涤等得到SiO2浆、粗HCl、氯硅烷混合溶液输出。吸附法仅进行无害化的净化处理，吸附剂容易中毒，适合尾气中HCl、氯硅烷及丙烷或C2+含量较低的工况，大量的H2几乎完全浪费，并且后续处理SiO2浆、粗HCl及氯硅烷溶液也非常繁琐，吸附废气的排放仍然会产生温室效应，或吸附废气中轻烃类组分超标而需要进一步催化燃烧才能达标，从而又增加了尾气处理的成本。
第二，水洗法适合于尾气中HCl、氯硅烷等含量较高的工况，先按量通入空气与水，将尾气中的硅烷直接氧化成SiO2排出，氯硅烷与水发生水解并在空气的作用下反应生成SiO2和HC1，SiO2直接排出，HCl废溶液也排出去废酸处理单元，其余的惰性气体或H2、CH4及丙烷或C2+/硅烷等作为不凝气输出，或直接作为燃料气进行燃烧处理。水洗法因引入了大量的水而造成系统的腐蚀性较强，氯硅烷大多分解为HCl与SiO2，并且在气相或液相中仍含有C2+等烃类杂质，对盐酸废液处理或不凝气体燃烧处理增加了投资成本。此外，由于直接通入空气与水这类含氧化合物，对H2、硅烷/氯硅烷/硅氧烷等易燃易爆的组分，存在着诸如爆炸极限的安全问题，因此，需要大量通入空气或水，稀释H2或硅烷/硅氧烷至爆炸极限范围外，如H2为4％以下，能耗进一步增加，有效组分H2等无法回收。
SiC作为第三代半导体材料，未来具有广泛的应用前景。但由于其成本较高，在许多领域仍然无法与传统的Si基材料相竞争，其中，SiC-CVD外延制程中所需消耗的大量超高纯度H2或氯基的HCl等，目前无法从尾气中回收再利用。因此，从氯基外延制程尾气中回收H2副产HCl并提纯至外延制程所需的产品气标准循环使用，既能有效地降低外延成本，又能防止二次污染产生，是一项有利于SiC材料绿色发展的工作，本发明的目的便在于此。
发明内容
本发明的目的在于：针对上述存在的问题，本发明提供一种含低浓度硅烷/C2+的氯基SiC-CVD外延制程尾气全温程变压吸附(FTrPSA)提氢与循环再利用方法。全温程变压吸附(英文全称：Full Temperature Range-Pressure Swing Adsorption，简称：FTrPSA)是一种以变压吸附(PSA)为基础并可与各种分离技术相耦合的方法，利用不同物料组分本身在不同压力与温度下的吸附分离系数及物理化学性质的差异性，采取中温变压吸附过程中吸附与解吸易于匹配和平衡的循环操作来分离和提纯所需的主要有效组分(H2(纯度大于等于99.9995％(v/v))，同时可副产HCl或甲烷。依据氯基SiC-CVD外延制程中产生的CVD尾气所含有效组分H2与主要杂质组分硅烷(含氯硅烷)、CH4及HCl之间的物理化学特性、相对分离系数、相对应的分离净化方法以及对应的操作条件(温度与压力)，将各种分离方法，包括各种吸附与精馏相耦合，实现低浓度硅烷/C2+的氯基SiC-CVD外延尾气全温程变压吸附(FTrPSA)提取氢气/副产HCl并作为外延制程的原料气返回到外延炉中循环再利用，为此，本发明采用以下技术方案回收尾气中有效组分H2/副产HCl，并作为外延制程的原料气循环再利用：
本发明采用的技术方案如下：
低浓度硅烷/C2+氯基SiC-CVD外延尾气FTrPSA提氢与循环再利用方法，包括如下步骤：
(1)预处理，将原料气送入由除尘器、除颗粒过滤器、除油雾捕集器组成的预处理单元，在0.2～0.3MPa压力与常温的操作条件下，先后脱除尘埃、颗粒、油雾以及一些高氯硅烷、高氯烷烃及高烃类杂质组分，形成的净化原料气进入下一个工序—压缩冷凝；
(2)压缩冷凝，来自预处理工序的净化原料气，先压缩至0.6～1.0MPa后经冷热交换再进入冷凝器，从中流出的不凝气体1进入下一工序—中温变压吸附浓缩；从冷凝器流出的冷凝液，进入后续的中浅冷精馏工序；
(3)中温变压吸附浓缩，来自压缩冷凝工序的不凝气体经冷热交换至30～80℃后进入由4个以上的多个吸附塔组成的中温变压吸附浓缩工序，吸附温度为30～80℃、吸附压力为0.6～1.0MPa，解吸采用抽真空，从处于吸附状态的吸附塔顶部流出非吸附相的富氢气体，直接进入下一个工序—吸附净化，从处于解吸抽真空状态的吸附塔底部流出的吸附相解吸气，作为浓缩气体，经过冷热交换后返回与净化原料气混合后再进入压缩冷凝工序，进一步回收有效组分H2及HCl；
(4)吸附净化，来自中温变压吸附浓缩工序的富氢气体，经过精密过滤、冷热交换至5～20℃后进入由2个以上吸附塔组成的吸附净化工序，在操作温度5～20℃，操作压力小于1.0MPa下进行吸附，进一步净化脱除其中少量的SiHmCln及C2+，形成净化富氢气体，进入下一工序，即变压吸附提氢工序；
(5)变压吸附提氢，来自吸附净化工序的净化富氢气体，经过加压至1.0～3.0MPa及冷热交换后进入至少由4塔组成的多塔变压吸附提纯氢气工序，吸附塔的操作压力为1.0～3.0MPa，操作温度为20～40℃，至少一个吸附塔处于吸附步骤，其余吸附塔处于解吸再生步骤，所形成的非吸附相气体为超高纯氢气，其纯度为99.999～99.9999％(v/v)，进入下一工序，即氢气纯化工序；
(6)氢气纯化，来自变压吸附提氢工序的超高纯氢气，或经过中间产品储罐后，或直接经过热交换，在50～500℃的温度下，直接或通过减压阀减压至氯基SiC-CVD外延制程用氢所需的压力，进入由金属吸气剂，或钯膜，或钯膜-金属吸气剂耦合的氢气纯化工序，在操作温度为50～500℃、操作压力为常压或SiC-CVD制程中使用氢气所需的压力条件下进行纯化，脱除痕量杂质，得到最终的电子级氢气产品，纯度达到国家及国际半导体协会(SEMI)所规定的电子级氢气的产品标准，氢气纯度大于等于7～8N级，经过冷热交换降温或降压，或送入电子级氢气产品罐储存，或经过氢气产品缓冲罐，直接返回到SiC-CVD外延制程需要氢气的工段中，由此得到的电子级氢气产品的收率大于75～85％；
(7)中浅冷精馏，来自压缩/冷凝工序的冷凝液或经冷热交换与加压进入由两段精馏塔组成的操作温度为-35～10℃、操作压力为0.6～2.0MPa的中浅冷精馏工序，从精馏塔-1塔顶流出的不凝气体2经冷热交换返回至中温变压吸附工序，进一步回收H2，由此H2产品的收率大于86％，从精馏塔-1塔底流出的液体，进入到精馏塔-2，从精馏塔-2塔顶流出富HCl流体，进入下一个工序—HCl精制，精馏塔-2塔底流出富集SiHmCln及C2+组分的重组份混合液，或进一步分离回收后作为氯基的SiHmCln反应物返回制程中循环使用，或外输进行处理；
(8)HCl精制，来自中浅冷精馏工序的富HCl流体进入操作压力为0.3～1.0MPa、操作温度为60～120℃的精馏塔，从精馏塔顶部流出纯度大于99.99％的HCl产品气，返回氯基SiC-CVD外延制程中循环使用，从塔底流出的重组份直接与中浅冷精馏工序的重组分混合液混合后，或进一步分离回收后作为氯基的SiHmCln反应物返回制程中循环使用，或外输进行处理。
优选的，所述的原料气是基于以硅烷为“硅”源、以甲烷(CH4)或碳二及碳二以上轻烃类(C2+)为“碳(C)”源，以氯化氢(HCl)为氯基，并以惰性氢气(H2)为载气的化学气相沉积制备基于碳化硅(SiC)氯基外延生长常规制程中所产生的尾气，其主要由H2、HCl、CH4、少量的SiHmCln、C2+、以及微量的一氧化碳(CO)、二氧化碳(CO2)、水(H2O)、二氧化硅(SiO2)和碳(C)微细颗粒组成，其中，SiHmCln及C2+体积浓度均小于1～3％，压力为常压或低压，温度为常温。
优选的，所述中温变压吸附浓缩，将来自压缩冷凝工序的不凝气体1，经冷热交换后直接送入由二段PSA系统所组成的中温变压吸附浓缩工序，不凝气体1从1段PSA塔底进入，从1段PSA塔顶流出的非吸附相气体为富氢气体，进入下一个工序—吸附净化，从1段PSA塔底解吸流出的解吸气经增压送入2段PSA塔底，从2段PSA塔顶流出的非吸附相气体为中间气体，返回到1段PSA的进料气—不凝气体1进行混合后进入1段PSA，进一步回收有效组分H2与HCl，从2段PSA塔底流出的吸附相气体为富集硅烷/氯硅烷/C2+的浓缩气体，返回到净化原料气混合后再进入压缩冷凝工序，进一步回收H2、HCl及硅烷/氯硅烷，由此H2的收率可达88～90％。
优选的，所述中温变压吸附浓缩工序与压缩冷凝工序之间增设一水洗涤塔，来自压缩冷凝工序的不凝气体1先进入操作温度为60～80℃的洗涤吸收塔，水为吸收剂，从洗涤吸收塔顶喷淋而下，不凝气体1从塔底流入，从洗涤吸收塔顶流出不凝气体1＇再进入中温变压吸附浓缩，从洗涤吸收塔底流出粗盐酸外输。
如权利要求1或4所述的低浓度硅烷/C2+氯基SiC-CVD外延尾气FTrPSA提氢与循环再利用方法，其特征在于，所述的中温变压吸附浓缩与水洗涤工序之间需增设一干燥步骤，采用2塔或3塔的变温吸附干燥，一塔吸附干燥，一塔再生，或一塔备用，吸附与再生互相切换，保证连续干燥，所形成的干燥富氢气体再进入中温变压吸附浓缩工序。
优选的，所述变压吸附提氢工序的富甲烷的解吸气，经加压后进入一级或二级膜分离系统，从渗透侧流出富氢气体返回至变压吸附提氢，进一步回收H2，使得H2产品气总收率达到95％以上，从非渗透侧流出纯度大于90％的甲烷，或作为燃料，或外输使用。
优选的，所述HCl精制工序中的从精馏塔顶部流出的塔顶气，经冷凝一部分回流至中浅冷精馏工序的精馏塔-2中，一部分回流到HCl精制工序的精馏塔中，由此，从精馏塔塔顶流出纯度大于99.995～99.999％的HCl产品气，返回氯基SiC-CVD外延制程中循环使用，从塔底流出的重组份直接与中浅冷精馏工序的重组分混合液混合后，或进一步分离回收后作为氯基的SiHmCln反应物返回制程中循环使用，或外输进行处理。
优选的，所述的中温变压吸附浓缩、变压吸附提氢、吸附净化工序，在吸附压力大于等于0.6MPa的操作条件下，吸附与解吸循环操作过程中的压力变化，通过各吸附塔之间连接的管道上程序控制阀与调节阀，实现缓均控制，防止系统压力变化过大所导致的气流冲刷吸附塔床层及吸附剂粉化产生，使得本工序系统操作稳定与安全。
优选的，所述氢气纯化工序的操作温度，是由所采用的金属吸气剂或钯膜的工艺决定，金属吸气剂或钯膜的使用寿命至少大于2年，无需再生。
优选的，所述变压吸附提氢工序的吸附剂采用活性氧化铝、硅胶、活性炭、硅酸铝分子筛、碳分子筛的一种或多种组合，解吸时采用冲洗，或冲洗加抽真空方式，解吸气为富甲烷气体，可直接作为燃料气输出。
与现有的技术相比本发明的有益效果是：
1)本发明可以从含低浓度硅烷/氯硅烷/C2+的氯基SiC-CVD外延制程尾气中提纯回收有效组分H2及副产HCl，并返回到氯基SiC-CVD外延制程中循环使用，既实现尾气中有效组分的回收再利用，又减少了尾气排放，弥补了氯基SiC-CVD外延制程尾气回收与提纯H2/HCl技术的空白；
2)本发明利用尾气组分在中常温(30～80℃)和低压(0.3～1.0MPa)范围内H2与尾气中主要杂质HCl、SiH4/氯硅烷、C2+、CO2、CO、CH4等之间的物理化学与相对分离系数特性，选择性的分离回收有效组分H2，同时避免了吸附循环操作中的极性较强的HCl、氯硅烷、C2+深度吸附而再生困难及传统变温或变压吸附难于直接处理SiH4/CH4易燃易爆的技术难题，使得本发明基于各种吸附与冷凝、精馏分离技术耦合为基础的中浅冷温度范围的全温程变压吸附(FTrPSA)系统的吸附与再生循环操作得以实现，最终高收率地得到电子级氢气及副产HCl，并可返回到外延制程中循环使用；
3)本发明在实现H2回收再利用的同时，也可回收副产HCl，同时避免了给氯基SiC-CVD外延制程系统带入及其敏感的含氧化合物，尤其是O2、H2O等，使得回收再利用整个过程平稳，对SiC外延质量的影响减小到零的程度，也避免了腐蚀性；
4)本发明对于常压或低压废气进行提纯回收再利用，可根据碳化硅外延制程(电子级)氢气的使用条件，采用加压或不加压的两种处理方式，得到可返回到外延制程中使用的电子级的氢气产品，可副产HCl且回用；
5)本发明利用各工序的操作温度的差异性，通过安排合理的冷热量交换系统，使得整个操作系统的冷热量得到充分的利用；
6)本发明在变压吸附提氢工序中充分利用变压方式，对含氢的进料气进行深度净化脱除各种微量乃至痕量的杂质组分，避免因吸附杂质组分因分压过低而无法深度脱除，同时，避免因采用传统的变温吸附(TSA)脱除微量或痕量杂质组分而导致对氢气纯化工序可能引入热氮再生或热载体所形成的新杂质组分的问题，以及吸附与再生难以匹配所形成的循环操作问题，既保证了氢气纯化工序的原料气进料要求，又可延长了变压吸附提纯工序的吸附剂使用寿命。
附图说明
图1为本发明实施例1流程示意图；
图2为本发明实施例2流程示意图；
图3为本发明实施例3流程示意图；
图4为本发明实施例4流程示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明，即所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
实施例1
如图1所示，一种含低浓度硅烷与C2+氯基SiC-CVD外延尾气FTrPSA提氢与循环再利用方法，具体实施步骤包括，
其中原料气基于以硅烷(含氯硅烷，记为“SiHmCln”)为“硅(Si)”源、以甲烷(CH4)或碳二及碳二以上轻烃类(C2+是乙烯(C2H4))为“碳(C)”源，以氯化氢(HCl)为氯基，并以惰性氢气(H2)为载气的化学气相沉积(CVD)制备基于碳化硅(SiC)氯基外延生长常规制程中所产生的尾气，其主要组成为H2、HCl、CH4，少量的SiHmCln、C2H4，以及微量的一氧化碳(CO)、二氧化碳(CO2)、水(H2O)，以及二氧化硅(SiO2)和碳(C)微细颗粒，其中，SiHmCln及C2H4浓度均小于1～3％(体积比，以下类同)，常压常温；
(1)预处理，原料气送入由除尘器、除颗粒过滤器、除油雾捕集器组成的预处理单元，在0.2～0.3MPa压力与常温的操作条件下，先后脱除尘埃、颗粒、油雾以及一些高氯硅烷、高氯烷烃及高烃类杂质组分，形成的净化原料气进入压缩冷凝工序；
(2)压缩冷凝，来自预处理工序的净化原料气，先压缩至0.6～1.0MPa后经冷热交换再进入冷凝器，从中流出的不凝气体1进入中温变压吸附浓缩，从冷凝器流出的冷凝液，进入后续的中浅冷精馏工序；
(3)中温变压吸附浓缩，来自压缩冷凝工序的不凝气体1经冷热交换30～80℃后进入由4个吸附塔组成的中温变压吸附浓缩工序，吸附温度为30～80℃、吸附压力为0.6～1.0MPa，解吸采用抽真空，从处于吸附状态的吸附塔顶部流出非吸附相的富氢气体，直接进入吸附净化，从处于解吸抽真空状态的吸附塔底部流出的吸附相解吸气，作为浓缩气体，经过冷热交换后返回与净化原料气混合后再进入压缩冷凝工序，进一步回收有效组分H2及HCl；
(4)吸附净化，来自中温变压吸附浓缩工序的富氢气体，经过精密过滤、冷热交换至5～20℃后进入由2个吸附塔组成的吸附净化工序，在操作温度5～20℃，操作压力小于1.0MPa下进行吸附，进一步净化脱除其中少量的SiHmCln及C2H4，形成净化富氢气体进入变压吸附提氢工序；
(5)变压吸附提氢，来自吸附净化工序的净化富氢气体，经过加压至1.0～2.0MPa及冷热交换后进入由4塔组成的多塔变压吸附提纯氢气工序，吸附塔的操作压力为1.0～2.0MPa，操作温度为20～40℃，其中，一个吸附塔处于吸附步骤，其余吸附塔处于解吸再生步骤，所形成的非吸附相气体为超高纯氢气，其纯度为99.999～99.9999％(v/v)，进入氢气纯化工序，变压吸附提氢工序的吸附剂采用活性氧化铝、硅胶、活性炭、硅酸铝分子筛、碳分子筛的多种组合，解吸时采用冲洗，或冲洗加抽真空方式，解吸气为富甲烷气体，可直接作为燃料气输出；
(6)氢气纯化，来自变压吸附提氢工序的超高纯氢气，直接经过热交换，在400～450℃的温度下，直接进入由金属吸气剂组成的氢气纯化工序，在操作温度为400～450℃、操作压力为1.0～2.0MPa条件下进行纯化，脱除痕量杂质，得到最终的电子级氢气产品，纯度达到国家及国际半导体协会(SEMI)所规定的电子级氢气的产品标准，氢气纯度大于等于7～8N级，经过冷热交换降温及氢气产品缓冲罐，直接返回到SiC-CVD外延制程需要氢气的工段中，其中，金属吸气剂或钯膜的使用寿命至少大于2年，无需再生，由此得到的电子级氢气产品的收率大于75％；
(7)中浅冷精馏，来自压缩/冷凝工序的冷凝液进入由两段精馏塔组成的操作温度为-35～10℃、操作压力为0.6～2.0MPa的中浅冷精馏工序，从精馏塔-1塔顶流出的不凝气体2经冷热交换返回至中温变压吸附工序，进一步回收H2，由此H2产品的收率大于86％，从精馏塔-1塔底流出的液体，进入到精馏塔-2，从精馏塔-2塔顶流出富HCl流体，进入HCl精制，精馏塔-2塔底流出富集SiHmCln及C2H4组分的重组份混合液，进一步分离回收后作为氯基的SiHmCln反应物返回制程中循环使用；
(8)HCl精制，来自中浅冷精馏工序的富HCl流体进入操作压力为0.3～1.0MPa、操作温度为80～120℃的精馏塔，从精馏塔顶部流出纯度大于99.99％的HCl产品气，返回氯基SiC-CVD外延制程中循环使用，从塔底流出的重组份直接与中浅冷精馏工序的重组分混合液混合后，进一步分离回收后作为氯基的SiHmCln反应物返回制程中循环使用。
实施例2
如图1所示，在实施例1基础上，来自压缩冷凝工序的不凝气体1，经冷热交换后直接送入由二段PSA系统所组成的中温变压吸附浓缩工序，不凝气体1从第一PSA吸附塔(1段PSA)塔底进入，从1段PSA塔顶流出的非吸附相气体为富氢气体，进入下一个工序—吸附净化，从1段PSA塔底解吸(逆放、冲洗或抽真空)流出的解吸气经增压送入第二PSA吸附塔(2段PSA)塔底，从2段PSA塔顶流出的非吸附相气体为中间气体，返回到1段PSA的进料气—不凝气体1进行混合后进入1段PSA，进一步回收有效组分H2与HCl，从2段PSA塔底流出的吸附相气体为富集硅烷/氯硅烷/C2H4的浓缩气体，返回到净化原料气混合后再进入压缩冷凝工序，进一步回收H2、HCl及硅烷/氯硅烷，由此H2的收率可达88～90％。
实施例3
如图1所示，在实施例1基础上，中温变压吸附浓缩工序与压缩冷凝工序之间增设一水洗涤塔，来自压缩冷凝工序的不凝气体1先进入操作温度为60～80℃的洗涤吸收塔，水为吸收剂，从洗涤吸收塔顶喷淋而下，不凝气体1从塔底流入，从洗涤吸收塔顶流出不凝气体1＇再进入中温变压吸附浓缩，从洗涤吸收塔底流出粗盐酸外输。
实施例4
如图1所示，在实施例1基础上，来自变压吸附提氢工序的富甲烷解吸气，经加压后进入一级膜分离系统，从渗透侧流出富氢气体返回至变压吸附提氢，进一步回收H2，使得H2产品气总收率达到95％以上，从非渗透侧流出纯度大于90％的甲烷，作为燃料气使用。
实施例5
在实施例1基础上，HCl精制工序中的从精馏塔顶部流出的塔顶气，经冷凝一部分(40％)回流至中浅冷精馏工序的精馏塔-2中，一部分(60％)回流到HCl精制工序的精馏塔中，由此，从精馏塔塔顶流出纯度大于99.995～99.999％的HCl产品气，返回氯基SiC-CVD外延制程中循环使用，从塔底流出的重组份直接与中浅冷精馏工序的重组分混合液混合后，进一步分离回收后作为氯基的SiHmCln反应物返回制程中循环使用。
以上所述实施例仅表达了本申请的具体实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本申请保护范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请技术方案构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。

Claims (10)

1.低浓度硅烷/C2+氯基SiC-CVD外延尾气FTrPSA提氢与循环再利用方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)预处理，将原料气先后脱除尘埃、颗粒、油雾以及高氯硅烷、高氯烷烃及高烃类杂质组分，形成的净化原料气进入下一个工序—压缩冷凝；
(2)压缩冷凝，来自预处理工序的净化原料气，先压缩至0.6～1.0MPa后经冷热交换再进入冷凝器，从中流出的不凝气体1进入下一工序—中温变压吸附浓缩；从冷凝器流出的冷凝液，进入后续的中浅冷精馏工序；
(3)中温变压吸附浓缩，来自压缩冷凝工序的不凝气体经冷热交换至30～80℃后进入由4个以上的多个吸附塔组成的中温变压吸附浓缩工序，吸附温度为30～80℃、吸附压力为0.6～1.0MPa，解吸采用抽真空，从处于吸附状态的吸附塔顶部流出非吸附相的富氢气体，直接进入下一个工序—吸附净化，从处于解吸抽真空状态的吸附塔底部流出的吸附相解吸气，作为浓缩气体，经过冷热交换后返回与净化原料气混合后再进入压缩冷凝工序，进一步回收有效组分H2及HCl；
(4)吸附净化，来自中温变压吸附浓缩工序的富氢气体，经过精密过滤、冷热交换至5～20℃后进入由2个以上吸附塔组成的吸附净化工序，在操作温度5～20℃，操作压力小于1.0MPa下进行吸附，进一步净化脱除其中SiHmCln及C2+，形成净化富氢气体，进入下一工序，即变压吸附提氢工序；
(5)变压吸附提氢，来自吸附净化工序的净化富氢气体，经过加压至1.0～3.0MPa及冷热交换后进入至少由4塔组成的多塔变压吸附提纯氢气工序，吸附塔的操作压力为1.0～3.0MPa，操作温度为20～40℃，至少一个吸附塔处于吸附步骤，其余吸附塔处于解吸再生步骤，所形成的非吸附相气体为超高纯氢气，其纯度为99.999～99.9999％(v/v)，进入下一工序，即氢气纯化工序；
(6)氢气纯化，来自变压吸附提氢工序的超高纯氢气，或经过中间产品储罐后，或直接经过热交换，在50～500℃的温度下，直接或通过减压阀减压至氯基SiC-CVD外延制程用氢所需的压力，进入由金属吸气剂、钯膜、或钯膜-金属吸气剂耦合的氢气纯化工序，在操作温度为50～500℃、操作压力为常压或SiC-CVD制程中使用氢气所需的压力条件下进行纯化，脱除痕量杂质，得到最终的电子级氢气产品，氢气纯度大于等于7～8N级，由此得到的电子级氢气产品的收率大于75～85％；
(7)中浅冷精馏，来自压缩/冷凝工序的冷凝液或经冷热交换与加压进入由两段精馏塔组成的操作温度为-35～10℃、操作压力为0.6～2.0MPa的中浅冷精馏工序，从精馏塔-1塔顶流出的不凝气体2经冷热交换返回至中温变压吸附工序，进一步回收H2，由此H2产品的收率大于86％，从精馏塔-1塔底流出的液体，进入到精馏塔-2，从精馏塔-2塔顶流出富HCl流体，进入下一个工序—HCl精制，精馏塔-2塔底流出富集SiHmCln及C2+组分的重组份混合液，或进一步分离回收后作为氯基的SiHmCln反应物返回制程中循环使用，或外输进行处理；
(8)HCl精制，来自中浅冷精馏工序的富HCl流体进入操作压力为0.3～1.0MPa、操作温度为60～120℃的精馏塔，从精馏塔顶部流出纯度大于99.99％的HCl产品气。
2.如权利要求1所述的低浓度硅烷/C2+氯基SiC-CVD外延尾气FTrPSA提氢与循环再利用方法，其特征在于，所述原料气是基于以硅烷为“硅”源、以甲烷(CH4)或碳二及碳二以上轻烃类(C2+)为碳(C)源，以氯化氢(HCl)为氯基，并以惰性氢气(H2)为载气的化学气相沉积制备基于碳化硅(SiC)氯基外延生长常规制程中所产生的尾气，其主要由H2、HCl、CH4、SiHmCln、C2+、一氧化碳(CO)、二氧化碳(CO2)、水(H2O)、二氧化硅(SiO2)和碳(C)微细颗粒组成，其中，SiHmCln及C2+体积浓度均小于1～3％，压力为常压或低压，温度为常温。
3.如权利要求1所述的低浓度硅烷/C2+氯基SiC-CVD外延尾气FTrPSA提氢与循环再利用方法，其特征在于，所述中温变压吸附浓缩，将来自压缩冷凝工序的不凝气体1，经冷热交换后直接送入由二段PSA系统所组成的中温变压吸附浓缩工序，不凝气体1从1段PSA塔底进入，从1段PSA塔顶流出的非吸附相气体为富氢气体，进入下一个工序—吸附净化，从1段PSA塔底解吸流出的解吸气经增压送入2段PSA塔底，从2段PSA塔顶流出的非吸附相气体为中间气体，返回到1段PSA的进料气—不凝气体1进行混合后进入1段PSA，进一步回收有效组分H2与HCl，从2段PSA塔底流出的吸附相气体为富集硅烷/氯硅烷/C2+的浓缩气体，返回到净化原料气混合后再进入压缩冷凝工序，进一步回收H2、HCl及硅烷/氯硅烷，由此H2的收率可达88～90％。
4.如权利要求1所述的低浓度硅烷/C2+氯基SiC-CVD外延尾气FTrPSA提氢与循环再利用方法，其特征在于，所述中温变压吸附浓缩工序与压缩冷凝工序之间增设一水洗涤塔，来自压缩冷凝工序的不凝气体1先进入操作温度为60～80℃的洗涤吸收塔，水为吸收剂，从洗涤吸收塔顶喷淋而下，不凝气体1从塔底流入，从洗涤吸收塔顶流出不凝气体1’再进入中温变压吸附浓缩，从洗涤吸收塔底流出粗盐酸外输。
5.如权利要求1或4所述的低浓度硅烷/C2+氯基SiC-CVD外延尾气FTrPSA提氢与循环再利用方法，其特征在于，所述中温变压吸附浓缩与水洗涤工序之间需增设一干燥步骤，采用2塔或3塔的变温吸附干燥，一塔吸附干燥，一塔再生，或一塔备用，吸附与再生互相切换，保证连续干燥，所形成的干燥富氢气体再进入中温变压吸附浓缩工序。
6.如权利要求1所述的低浓度硅烷/C2+氯基SiC-CVD外延尾气FTrPSA提氢与循环再利用方法，其特征在于，所述变压吸附提氢工序的富甲烷的解吸气，经加压后进入一级或二级膜分离系统，从渗透侧流出富氢气体返回至变压吸附提氢，进一步回收H2，使得H2产品气总收率达到95％以上，从非渗透侧流出纯度大于90％的甲烷，或作为燃料，或外输使用。
7.如权利要求1所述的低浓度硅烷/C2+氯基SiC-CVD外延尾气FTrPSA提氢与循环再利用方法，其特征在于，所述HCl精制工序中的从精馏塔顶部流出的塔顶气，经冷凝一部分回流至中浅冷精馏工序的精馏塔-2中，一部分回流到HCl精制工序的精馏塔中，从精馏塔塔顶流出纯度大于99.995～99.999％的HCl产品气，返回氯基SiC-CVD外延制程中循环使用，从塔底流出的重组份直接与中浅冷精馏工序的重组分混合液混合后，或进一步分离回收后作为氯基的SiHmCln反应物返回制程中循环使用，或外输进行处理。
8.如权利要求1、3或6所述的低浓度硅烷/C2+氯基SiC-CVD外延尾气FTrPSA提氢与循环再利用方法，其特征在于，所述的中温变压吸附浓缩、变压吸附提氢、吸附净化工序，在吸附压力大于等于0.6MPa的操作条件下，吸附与解吸循环操作过程中的压力变化，通过各吸附塔之间连接的管道上程序控制阀与调节阀，实现缓均控制，防止系统压力变化过大所导致的气流冲刷吸附塔床层及吸附剂粉化产生，使得本工序系统操作稳定与安全。
9.如权利要求1所述的低浓度硅烷/C2+氯基SiC-CVD外延尾气FTrPSA提氢与循环再利用方法，其特征在于，所述氢气纯化工序的操作温度，是由所采用的金属吸气剂或钯膜的工艺决定，金属吸气剂或钯膜的使用寿命至少大于2年，无需再生。
10.如权利要求1所述的低浓度硅烷/C2+氯基SiC-CVD外延尾气FTrPSA提氢与循环再利用方法，其特征在于，所述变压吸附提氢工序的吸附剂采用活性氧化铝、硅胶、活性炭、硅酸铝分子筛、碳分子筛的一种或多种组合，解吸时采用冲洗，或冲洗加抽真空方式，解吸气为富甲烷气体，可直接作为燃料气输出。
CN202011533990.7A 2020-12-23 2020-12-23 一种含低浓度硅烷与碳二以上轻烃类的氯基SiC-CVD外延尾气全温程变压吸附提氢与循环再利用方法 Active CN112827319B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011533990.7A CN112827319B (zh) 2020-12-23 2020-12-23 一种含低浓度硅烷与碳二以上轻烃类的氯基SiC-CVD外延尾气全温程变压吸附提氢与循环再利用方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011533990.7A CN112827319B (zh) 2020-12-23 2020-12-23 一种含低浓度硅烷与碳二以上轻烃类的氯基SiC-CVD外延尾气全温程变压吸附提氢与循环再利用方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112827319A true CN112827319A (zh) 2021-05-25
CN112827319B CN112827319B (zh) 2023-03-03

Family

ID=75924302

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011533990.7A Active CN112827319B (zh) 2020-12-23 2020-12-23 一种含低浓度硅烷与碳二以上轻烃类的氯基SiC-CVD外延尾气全温程变压吸附提氢与循环再利用方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112827319B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113893567A (zh) * 2021-11-01 2022-01-07 中船重工（邯郸）派瑞特种气体有限公司 一种一氟甲烷的制备用低温精馏塔

Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1151782B (de) * 1954-06-13 1963-07-25 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen hochgereinigter einkristalliner Halbleiterstaebe
US20120208088A1 (en) * 2011-02-13 2012-08-16 Jian Xie High surface area nano-structured graphene composites and capacitive devices incorporating the same
CN202620982U (zh) * 2012-05-07 2012-12-26 四川开元科技有限责任公司 一种分离含有氢及氯硅烷和/或氯化氢混合气体的变压吸附系统
CN103111157A (zh) * 2013-01-30 2013-05-22 陕西天宏硅材料有限责任公司 一种多晶硅生产中吸附塔再生过程排放尾气的净化回收方法
CN205145924U (zh) * 2015-12-01 2016-04-13 四川开元科技有限责任公司 一种分离回收氯化氢及三氯乙烯的变压吸附装置
CN105502294A (zh) * 2015-12-28 2016-04-20 青岛科技大学 一种电子级高纯氯化氢高压制备方法
CN105664668A (zh) * 2016-03-31 2016-06-15 四川天采科技有限责任公司 一种全温程变压吸附回收聚烯烃尾气烃类的方法
CN206027411U (zh) * 2016-09-05 2017-03-22 江苏协鑫特种材料科技有限公司 一种含氯尾气的处理装置
CN107774096A (zh) * 2016-08-25 2018-03-09 四川天采科技有限责任公司 一种全温程吸附萃取回收聚烯烃尾气烃类的方法
CN107852842A (zh) * 2015-07-31 2018-03-27 莱尔德技术股份有限公司 用于电子装置的多功能部件以及提供热管理和板极屏蔽的相关方法
CN108529559A (zh) * 2018-05-29 2018-09-14 四川天采科技有限责任公司 一种半导体制程废氢气回收再利用的一体化方法及装置
CN108658042A (zh) * 2018-05-29 2018-10-16 四川天采科技有限责任公司 一种led-mocvd制程尾气全温程变压吸附全组分回收再利用方法
CN108715436A (zh) * 2018-05-29 2018-10-30 四川天采科技有限责任公司 半导体制程常压废氢气全温程变压吸附提纯再利用的方法
CN109092010A (zh) * 2018-05-29 2018-12-28 浙江天采云集科技股份有限公司 一种led-mocvd制程废气全温程变压吸附提氢再利用的方法
CN111467925A (zh) * 2020-06-05 2020-07-31 上海优华系统集成技术股份有限公司 一种浅冷和psa耦合装置及其使用方法
CN211799895U (zh) * 2020-03-17 2020-10-30 大连海奥膜技术有限公司 一种分离含有氯化氢和氢气混合气体的工艺系统

Patent Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1151782B (de) * 1954-06-13 1963-07-25 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen hochgereinigter einkristalliner Halbleiterstaebe
US20120208088A1 (en) * 2011-02-13 2012-08-16 Jian Xie High surface area nano-structured graphene composites and capacitive devices incorporating the same
CN202620982U (zh) * 2012-05-07 2012-12-26 四川开元科技有限责任公司 一种分离含有氢及氯硅烷和/或氯化氢混合气体的变压吸附系统
CN103111157A (zh) * 2013-01-30 2013-05-22 陕西天宏硅材料有限责任公司 一种多晶硅生产中吸附塔再生过程排放尾气的净化回收方法
CN107852842A (zh) * 2015-07-31 2018-03-27 莱尔德技术股份有限公司 用于电子装置的多功能部件以及提供热管理和板极屏蔽的相关方法
CN205145924U (zh) * 2015-12-01 2016-04-13 四川开元科技有限责任公司 一种分离回收氯化氢及三氯乙烯的变压吸附装置
CN105502294A (zh) * 2015-12-28 2016-04-20 青岛科技大学 一种电子级高纯氯化氢高压制备方法
CN105664668A (zh) * 2016-03-31 2016-06-15 四川天采科技有限责任公司 一种全温程变压吸附回收聚烯烃尾气烃类的方法
CN107774096A (zh) * 2016-08-25 2018-03-09 四川天采科技有限责任公司 一种全温程吸附萃取回收聚烯烃尾气烃类的方法
CN206027411U (zh) * 2016-09-05 2017-03-22 江苏协鑫特种材料科技有限公司 一种含氯尾气的处理装置
CN108529559A (zh) * 2018-05-29 2018-09-14 四川天采科技有限责任公司 一种半导体制程废氢气回收再利用的一体化方法及装置
CN108658042A (zh) * 2018-05-29 2018-10-16 四川天采科技有限责任公司 一种led-mocvd制程尾气全温程变压吸附全组分回收再利用方法
CN108715436A (zh) * 2018-05-29 2018-10-30 四川天采科技有限责任公司 半导体制程常压废氢气全温程变压吸附提纯再利用的方法
CN109092010A (zh) * 2018-05-29 2018-12-28 浙江天采云集科技股份有限公司 一种led-mocvd制程废气全温程变压吸附提氢再利用的方法
CN211799895U (zh) * 2020-03-17 2020-10-30 大连海奥膜技术有限公司 一种分离含有氯化氢和氢气混合气体的工艺系统
CN111467925A (zh) * 2020-06-05 2020-07-31 上海优华系统集成技术股份有限公司 一种浅冷和psa耦合装置及其使用方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
李赟: "常见 SiC CVD 系统及其尾气处理装置", 《智能电网》 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113893567A (zh) * 2021-11-01 2022-01-07 中船重工（邯郸）派瑞特种气体有限公司 一种一氟甲烷的制备用低温精馏塔
CN113893567B (zh) * 2021-11-01 2022-09-27 中船(邯郸)派瑞特种气体股份有限公司 一种一氟甲烷的制备用低温精馏塔

Also Published As

Publication number Publication date
CN112827319B (zh) 2023-03-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109092010B (zh) 一种led-mocvd制程废气全温程变压吸附提氢再利用的方法
TWI707718B (zh) 一種led金屬氧化物化學氣相沉積(mocvd)製程尾氣全溫程變壓吸附全組分回收再利用方法
TWI776056B (zh) 一種led-mocvd製程廢氣全溫程變壓吸附提氨再利用的方法
CN108609583B (zh) 一种led-mocvd制程高浓度含氨尾气全温程变压吸附制氢再利用方法
EP3253710B1 (en) A method of producing a synthetic diamond
CN109260902B (zh) Led-mocvd制程尾气膜与吸附耦合提氨再利用的方法
CN112827319B (zh) 一种含低浓度硅烷与碳二以上轻烃类的氯基SiC-CVD外延尾气全温程变压吸附提氢与循环再利用方法
CN110040700B (zh) 一种mocvd制程氢氮混合尾气的分离提纯再利用方法
CN1328159C (zh) 用氨和氟化氢为原料制备三氟化氮的设备及工艺方法
CN112827321A (zh) SiC-CVD无氯外延含低浓度硅烷/C2+尾气FTrPSA提氢与循环再利用方法
CN112573485B (zh) 一种基于烷烃与硅烷反应的SiC-CVD无氯外延制程尾气FTrPSA回收方法
CN112678774B (zh) 乙烯与硅烷反应的SiC-CVD无氯外延制程尾气FTrPSA回收与循环再利用方法
CN112642259A (zh) 一种烷烃与硅烷反应的氯基SiC-CVD外延制程尾气FTrPSA回收方法
CN106044710A (zh) 一种电子级氯化氢的提纯方法
CN112661158B (zh) 一种氯基SiC-CVD晶体与薄膜生长制程尾气中C2+与氯硅烷FTrPSA分离方法
CN112661112B (zh) 一种基于有机硅与H2反应的SiC-CVD外延制程尾气FTrPSA提氢与循环再利用方法
CN112645976A (zh) 一种利用氯基CVD晶体薄膜生长制程尾气FTrPSA制备甲基氯硅烷类有机硅方法
CN112645335B (zh) 一种外延制程尾气全温程变压吸附提取硅烷的方法
CN112827322A (zh) 乙烯与硅烷反应的氯基SiC-CVD外延制程尾气FTrPSA回收与循环再利用方法
CN112777569B (zh) 一种氟基SiC-CVD晶体与薄膜生长制程尾气FTrPSA全组分回收再利用方法
CN112827320B (zh) 一种氯基SiC-CVD制程尾气为反应循环气的FTrPSA可调节分离方法
CN109970028B (zh) 一种mocvd制程氢氮混合尾气石墨烯分离提纯再利用的方法
CN112657314A (zh) 一种基于烷烃与硅烷反应的SiC-CVD制程尾气为反应循环气FTrPSA可调节方法
CN112573991B (zh) 一种利用含乙烯的氯基CVD晶体薄膜生长制程尾气FTrPSA制备氯乙烯的方法
CN118026802A (zh) 一种电子级丙烯气体的纯化方法以及纯化系统

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant