DE1148525B - Verfahren zum Vergroessern des Stabquerschnittes beim tiegellosen Zonenschmelzen eines Stabes aus kristallinem Material, insbesondere Halbleitermaterial - Google Patents
Verfahren zum Vergroessern des Stabquerschnittes beim tiegellosen Zonenschmelzen eines Stabes aus kristallinem Material, insbesondere HalbleitermaterialInfo
- Publication number
- DE1148525B DE1148525B DES63193A DES0063193A DE1148525B DE 1148525 B DE1148525 B DE 1148525B DE S63193 A DES63193 A DE S63193A DE S0063193 A DES0063193 A DE S0063193A DE 1148525 B DE1148525 B DE 1148525B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- rod
- cross
- enlarging
- section
- semiconductor material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/28—Controlling or regulating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
Für gewisse Zwecke werden Kristalle großen Durchmessers benötigt, z. B. für elektrische Halbleiteranordnungen,
wie Leistungsgleichrichter oder Leistungstransistoren. Solche Anordnungen besitzen
meistens als Grundkörper eine flache Halbleiterscheibe, die durch Abtrennen von durch tiegelfreies
Zonenschmelzen hergestellten Stäben quer zur Stabachse gewonnen werden und deren Größe deshalb
gleich dem Stabdurchmesser ist. Für höhere Leistungen benötigt man nun Scheiben größeren Durchmessers
und demzufolge Stäbe größeren Durchmessers. Auch für optische Zwecke, beispielsweise für Linsen
oder Filter, werden Kristalle größeren Durchmessers gefordert, beispielsweise für Strahlungen im ultraroten
Bereich aus Silizium.
Bisher bestand die Möglichkeit, nach dem Zonenreinigen eines Stabes mit relativ geringem Durchmesser
diesen anschließend in eine andere Zonenschmelzvorrichtung mit einem Heizring größeren Durchmessers
zu bringen oder den Heizring auszuwechseln und danach eine entsprechende Stauchung des Stabes
vorzunehmen. Dieses Verfahren ist aber zeitraubend und unwirtschaftlich. Außerdem ergibt sich die Möglichkeit
des Einbaus von Verunreinigungen.
Es ist bereits ein Verfahren zur Behandlung eines Halbleiterstabes durch tiegelloses Zonenschmelzen
bekanntgeworden, bei dem die an den Stabenden angreifenden Stabhalterungen in Richtung der Stabachse
aufeinander zu bewegt werden, um den Querschnitt des Stabes zu vergrößern.
Es wurde gefunden, daß eine Vergrößerung des Stabquerschnittes beim tiegellosen Zonenschmelzen
eines lotrecht an seinen Enden eingespannten Stabes aus kristallinem Material, insbesondere Halbleitermaterial,
dessen Halterungen gegeneinander bewegt werden, mittels einer den Stab ringförmig umgebenden
und von unten nach oben bewegten Heizeinrichtung, wobei während dieser Bewegung die Stabhalterungen einander genähert werden, auch dann in einer
Zonenschmelzapparatur, die eine Heizeinrichtung mit einem Innendurchmesser kleiner als der Durchmesser
des zu ziehenden Stabes aufweist, vorgenommen werden kann, wenn erfindungsgemäß die beiden
Bewegungen hinsichtlich ihrer Geschwindigkeit so aufeinander abgestimmt werden, daß der Durchmesser
des aus der Schmelze unterhalb der Heizeinrichtung wieder erstarrenden Stabteiles über den Innendurchmesser
der Heizeinrichtung vergrößert wird.
Vorteilhaft wird die Schmelzzone mit einer als Flachspule ausgebildeten Induktionsspule beheizt.
An Hand eines Beispiels soll das Verfahren näher erläutert werden. In der Zeichnung ist der Bereich
Verfahren zum Vergrößern
des Stabquerschnittes beim tiegellosen
Zonenschmelzen eines Stabes aus
kristallinem Material,
insbesondere Halbleitermaterial
insbesondere Halbleitermaterial
Anmelder:
Siemens-Schuckertwerke Aktiengesellschaft,
Berlin und Erlangen,
Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
Dr. rer. nat. Wolfgang Keller, Pretzfeld (OFr.),
ist als Erfinder genannt worden
ist als Erfinder genannt worden
des Kristallstabes, an dem die Vergrößerung des Querschnittes vorgenommen wird, dargestellt. Die
Beheizung der Schmelzzone erfolgt mit Hilfe einer Induktionsspule, vorzugsweise einer Flachspule. Eine
Flachspule ist besonders gut geeignet, weil sie eine gute Kontrolle der Arbeit und eine besonders enge
Bündelung der Heizwirkung gestattet.
Zunächst wird der Stab in der üblichen Weise einem Zonenreinigungsprozeß unterworfen, d.h., eine
Schmelzzone wird mehrfach über die gesamte Stablänge geführt, wobei sich die Verunreinigungen in
der Schmelze anreichern und in dem rekristallisierenden Material vermindert werden. Hierdurch findet
ein dauernder Transport der Verunreinigungen in Richtung zum Stabende statt. Mit dem Zonenreinigungsprozeß
ist zweckmäßigerweise eine Umwandlung des Stabes in einen Einkristall verbunden. Der
Heizring umschließt vorteilhafterweise den Stab mit geringem Abstand. Der Stabdurchmesser beträgt
zweckmäßigerweise 10 bis 18 mm. Dies ist eine Größe, die sich erfahrungsgemäß leicht beherrschen
läßt.
Nachdem der Zonenreinigungsprozeß beendet ist, wird die Vergrößerung des Stabquerschnittes gemäß
der Erfindung vorgenommen. Hat der Stab beispielsweise einen Durchmesser von 12 mm und soll auf
einen solchen von 21 mm gebracht werden, so findet
309 580/272
eine Qerschnittsvergrößerung im Verhältnis 1:3 statt. Demgemäß wird der Heizring, im dargestellten
Beispiel die Flachspule 2, deren Innendurchmesser etwa 18 mm beträgt, mit einer relativ großen Geschwindigkeit
nach oben bewegt, z. B. mit 6 mm/min. Dadurch wird erreicht, daß die Spule sich immer
etwas näher am oberen Ende der Schmelze 3, also näher dem dünneren Stabteil 4 als dem dickeren
Stabteil 5 befindet. Die untere Stabhalterung wird ebenfalls entsprechend nach oben bewegt, also in
dem geschilderten Beispiel mit einer Geschwindigkeit von 4 mm/min, damit auf diese Weise die geforderte
Querschnittsvergrößerung stattfindet. Entsprechend der großen Wanderungsgeschwindigkeit der Heizspule
muß mehr Leistung zugeführt werden als beim Zonenreinigen. Dies kann leicht an dem die Heizleistung
liefernden Hochfrequenzgenerator eingeregelt werden. Durch diese vergrößerte Leistungszufuhr
wird somit eine Vergrößerung der Schmelzzone bis zu einem solchen Wert erreicht, daß eine Stauchung
des Stabes im gewünschten Maße bewirkt werden kann.
Zu Beginn des Stauchvorganges muß darauf geachtet werden, daß die Vergrößerung des Querschnittes
in allmählichem Übergang erfolgt, weil sonst ein Wegfließen der Schmelzzone auftreten kann. Vorteilhaft
wird die untere Stabhalterung in an sich bekannter Weise in Drehung gehalten, damit auf diese Weise
ein symmetrisches Aufwachsen des Stabes gewährleistet ist.
Claims (2)
1. Verfahren zum Vergrößern des Stabquerschnittes beim tiegellosen Zonenschmelzen eines
lotrecht an seinen Enden eingespannten Stabes aus kristallinem Material, insbesondere Halbleitermaterial,
dessen Halterungen gegeneinander bewegt werden, mittels einer den Stab ringförmig
umgebenden und von unten nach oben bewegten Heizeinrichtung, wobei während dieser Bewegung
die Stabhalterungen einander genähert werden, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Bewegungen
hinsichtlich ihrer Geschwindigkeit so aufeinander abgestimmt werden, daß der Durchmesser
des aus der Schmelze unterhalb der Heizeinrichtung wieder erstarrenden Stabteiles über den Innendurchmesser
der Heizeinrichtung hinaus vergrößert wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schmelzzone mit einer als
Flachspule (2) ausgebildeten Induktionsspule beheizt wird.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1061527;
österreichische Patentschrift Nr. 194 444.
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1061527;
österreichische Patentschrift Nr. 194 444.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL108958D NL108958C (de) | 1959-05-29 | ||
NL252060D NL252060A (de) | 1959-05-29 | ||
DES63193A DE1148525B (de) | 1959-05-29 | 1959-05-29 | Verfahren zum Vergroessern des Stabquerschnittes beim tiegellosen Zonenschmelzen eines Stabes aus kristallinem Material, insbesondere Halbleitermaterial |
FR825792A FR1255774A (fr) | 1959-05-29 | 1960-04-29 | Procédé pour la modification de la section d'un barreau en matériau cristallin, en particulier en matériau semi-conducteur |
CH534860A CH378547A (de) | 1959-05-29 | 1960-05-10 | Verfahren zur Veränderung des Querschnittes eines Stabes aus kristallinem Material insbesondere Halbleitermaterial |
GB1892560A GB908370A (en) | 1959-05-29 | 1960-05-27 | A method of zone-melting a rod of crystalline material |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES63193A DE1148525B (de) | 1959-05-29 | 1959-05-29 | Verfahren zum Vergroessern des Stabquerschnittes beim tiegellosen Zonenschmelzen eines Stabes aus kristallinem Material, insbesondere Halbleitermaterial |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1148525B true DE1148525B (de) | 1963-05-16 |
Family
ID=7496200
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DES63193A Pending DE1148525B (de) | 1959-05-29 | 1959-05-29 | Verfahren zum Vergroessern des Stabquerschnittes beim tiegellosen Zonenschmelzen eines Stabes aus kristallinem Material, insbesondere Halbleitermaterial |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
CH (1) | CH378547A (de) |
DE (1) | DE1148525B (de) |
GB (1) | GB908370A (de) |
NL (2) | NL108958C (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1719021B1 (de) * | 1963-07-13 | 1969-09-11 | Siemens Ag | Verfahren zum Verkleinern des Querschnittes eines lotrecht angeordneten Stabes aus Halbleitermaterial |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL126241C (de) * | 1963-01-08 | |||
DE1444530B2 (de) * | 1962-12-12 | 1970-10-01 | Siemens AG, 1000 Berlin u. 8000 München | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von stabförmigem, einkristallinen Halbleitermaterial |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT194444B (de) * | 1953-02-26 | 1958-01-10 | Siemens Ag | Verfahren und Einrichtung zur Behandlung einer längserstreckten Halbleiterkristallanordnung |
-
0
- NL NL252060D patent/NL252060A/xx unknown
- NL NL108958D patent/NL108958C/xx active
-
1959
- 1959-05-29 DE DES63193A patent/DE1148525B/de active Pending
-
1960
- 1960-05-10 CH CH534860A patent/CH378547A/de unknown
- 1960-05-27 GB GB1892560A patent/GB908370A/en not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT194444B (de) * | 1953-02-26 | 1958-01-10 | Siemens Ag | Verfahren und Einrichtung zur Behandlung einer längserstreckten Halbleiterkristallanordnung |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1719021B1 (de) * | 1963-07-13 | 1969-09-11 | Siemens Ag | Verfahren zum Verkleinern des Querschnittes eines lotrecht angeordneten Stabes aus Halbleitermaterial |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL108958C (de) | |
NL252060A (de) | |
GB908370A (en) | 1962-10-17 |
CH378547A (de) | 1964-06-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1135671B (de) | Verfahren zum Herstellen eines pn-UEbergangs und/oder eines Gradienten eines elektrisch wirksamen Elements in einem Halbleiterkristall | |
DE1187098B (de) | Verfahren zum Herstellen von Koerpern aus hochgereinigtem Halbleitermaterial | |
DE1519901A1 (de) | Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes | |
DE1148525B (de) | Verfahren zum Vergroessern des Stabquerschnittes beim tiegellosen Zonenschmelzen eines Stabes aus kristallinem Material, insbesondere Halbleitermaterial | |
DE1260439B (de) | Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen | |
DE1257740B (de) | Verfahren und Vorrichtung zum tiegellosen Zonenschmelzen | |
DE1263698B (de) | Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen | |
DE1212051B (de) | Verfahren zum tiegellosen Zonenschmelzen von Staeben aus Silicium | |
DE1254590B (de) | Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleitermaterial, insbesondere von Silicium | |
DE1278413B (de) | Verfahren zum Ziehen duenner stabfoermiger Halbleiterkristalle aus einer Halbleiterschmelze | |
AT217510B (de) | Verfahren zur Veränderung des Querschnittes eines Stabes aus kristallinem Material, insbesondere Halbleitermaterial | |
AT223659B (de) | Verfahren zur Herstellung von versetzungsfreiem einkristallinem Silizium durch tiegelfreies Zonenschmelzen | |
DE1209997B (de) | Verfahren zur Herstellung von Einkristallen aus schmelzbarem Material | |
DE1128413B (de) | Verfahren zur Herstellung von zersetzungsfreiem einkristallinem Silicium durch tiegelfreies Zonenschmelzen | |
DE2632614A1 (de) | Vorrichtung zum ziehen eines einkristallinen koerpers aus einem schmelzfilm | |
DE1265708B (de) | Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen | |
DE1138375B (de) | Vorrichtung zum AEndern des Stabquerschnitts beim tiegellosen Zonenziehen | |
DE1719515C3 (de) | ||
DE1066564B (de) | Verfahren zur Herstellung von reinstem Silicium für Halbleiteranordnungen | |
DE1519894C3 (de) | Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen | |
DE1062431B (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Umschmelzen von langgestreckten Koerpern durch Zonenschmelzen | |
DE1519903A1 (de) | Verfahren mit tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes | |
DE1275996B (de) | Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen | |
AT221138B (de) | Einrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen von lotrecht stehenden Stäben aus Halbleitermaterial | |
AT216576B (de) | Verfahren zur Züchtung eines Einkristalles aus einem polykristallinen Halbleiterstab durch tiegelfreies Zonenschmelzen |