DE1138375B - Vorrichtung zum AEndern des Stabquerschnitts beim tiegellosen Zonenziehen - Google Patents
Vorrichtung zum AEndern des Stabquerschnitts beim tiegellosen ZonenziehenInfo
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- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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Description
Beim tiegellosen Zonenziehen wird ein Stab aus Halbleitermaterial an seinen beiden Enden gehaltert
und eine mittels induktiver Erhitzung durch eine Hochfrequenzspule erzeugte Schmelzzone zwischen
den beiden gehalterten Enden des Stabes in Richtung der Stabachse entlanggeführt.
Um die Dicke des Halbleiterstabes während des Zonenziehens zu steuern, z. B. um einen Stab mit
einem in einem gewünschten Bereich gleichbleibenden Durchmesser herzustellen, müssen dabei die
beiden mit den Halterungen versehenen Stabteile einander genähert bzw. voneinander entfernt werden.
Dies ist in einer Vorrichtung zum tiegellosen Zonenziehen eines lotrecht an den Enden eingespannten
Halbleiterstabes, dessen Halterungen gegeneinander und relativ zu der eine schmale Zone flüssigen
Halbleitermaterials erzeugenden Induktionsspule bewegt werden, sehr einfach möglich, wenn erfindungsgemäß
bei feststehender Induktionsspule ein Antrieb, der die Halterungen der beiden Stabteile gemeinsam
relativ zu der Induktionsspule bewegt, und eine weitere mit den Halterungen vom Antrieb mitbewegte
Verstellvorrichtung, die den Abstand zwischen den Halterungen verändert, vorgesehen ist. Bei dieser
Vorrichtung werden also bei feststehender Hochfrequenzspule die beiden durch eine schmale Zone
flüssigen Halbleitermaterials verbundenen Stabteile mit gleichbleibendem Abstand verschoben.
Weitere Einzelheiten sind an Hand der Ausführungsbeispiele in den Fig. 1 bis 3 dargestellt und werden
im folgenden beschrieben.
Bei dem in Fig. 1 dargestellten Ausführungsbeispiel befindet sich der insbesondere aus Silizium bestehende
Halbleiterstab, der an seinen beiden Enden mit den Halterungen Γ bzw. 2' versehen ist, in einem
z. B. aus Quarz, insbesondere aus Metall, bestehenden Gefäß 10 in einer Schutzgasatmosphäre oder im
Vakuum. Zu Beginn des Verfahrens wird der Stab zunächst z. B. durch direkten Stromdurchgang erhitzt
und dann an einem der beiden Enden induktiv eine Zone aufgeschmolzen. Das induktive Erhitzen wird
mit der feststehenden Hochfrequenzspule 14 durchgeführt. Um die aufgeschmolzene Zone den Stab entlangzuführen,
wird z. B. durch einen Motor, dessen Drehzahl der gewünschten Ziehgeschwindigkeit angepaßt
ist, die Gewindespindel 8, die in die Mutter 9 der Führung 4 eingreift, in Drehung versetzt. Die
Führung 4 ist über eine zweite Gewindespnidel 7 mit der anderen Führung 3 verbunden. Beide Führungen
laufen auf einer Rundstange 11. Die beiden durch die aufgeschmolzene Zone miteinander verbundenen
Stabteile 1 und 2 werden so im Gefäß 10 mit gleich-Vorrichtung zum Ändern
des Stabquerschnitts beim tiegellosen
Zonenziehen
Anmelder:
Siemens & Halske Aktiengesellschaft,
Berlin und München,
München 2, Wittelsbacherplatz 2
München 2, Wittelsbacherplatz 2
Dr. Theodor Rummel, Max Heim, München,
Willibald Schauer, Dachau,
und Fritz Pfeifer, Ascholding (Kr. WoKratshausen),
sind als Erfinder genannt worden
bleibendem Abstand, also mit gleicher, der Ziehgeschwindigkeit entsprechender Geschwindigkeit verschoben,
so daß die Schmelzzone durch den Halbleiterstab hindurchgezogen wird. Zur Dickenregelung
während des Ziehens wird durch Drehen der Gewindespindel 7, die über die Mutter 5 mit der einen
Führung 3 und über einen Antrieb 6 mit der anderen Führung 4 fest verbunden ist und so bei der Längsverschiebung
mitbewegt wird, der Abstand zwischen den Halterungen- geändert. Zur Steuerung der Gewindespindel
7 kann dabei z. B., was hier nicht beansprucht wird, der Anodenstrom des die Spule 3
speisenden Hochfrequenzgenerators verwendet werden, der sich abhängig von der Dicke des durch die
Spule hindurchgeführten Halbleiterstabes ändert.
Bei dem in Fig. 2 dargestellten Ausführungsbeispiel wird die Schmelzzone ebenfalls durch Drehung der
Gewindespindel 8 den Stab entlanggeführt. Die Gewindespindel greift in die Mutter 9 ein, die mit einer
Schiene 21 fest verbunden ist, die wiederum die beiden Führungen 4 und 4' starr miteinander verbindet.
Die Führung 4' ist über die Gewindespindel 7 starr mit der anderen Führung 3 verbunden, so daß bei
einer Drehung der Gewindespindel 8 die beiden Stabteile 1 und 2 mit gleichbleibendem Abstand in
Richtung der Stabachse verschoben werden. Das Stauchen und Strecken zur Dickenregelung wird
durch Drehen der Gewindespindel 7 durchgeführt.
Bei dem in Fig. 3 dargestellten Ausführungsbeispiel wird das Entlangführen der Hochfrequenzspule
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14 sowie das Stauchen und Strecken mit einer einzigen Spindel 30 durchgeführt. In die Spindel 30 sind
zwei Gewinde 7' und 8' geschnitten, die den beiden Gewindestangen 7 und 8 der Fig. 1 und 2 entsprechen.
Die gleichmäßige Längsverschiebung der beiden Stabenden 1 und 2 wird durch Drehung des Antriebs
12 durchgeführt. Durch Drehen der in die Führung 3 eingebauten Mutter S werden die beiden
Halterungen 1' und 2' einander genähert bzw. voneinander entfernt.
Claims (1)
- PATENTANSPRUCH:Vorrichtung zum Ändern des Stabquerschnitts beim tiegellosen Zonenziehen eines lotrecht an den Enden eingespannten Halbleiterstabes, ins-besondere eines Siliziumstabes, dessen Halterungen gegeneinander und relativ zu der eine schmale Zone flüssigen Halbleitermaterials erzeugenden Induktionsspule bewegt werden, da durch gekennzeichnet, daß bei feststehender Induktionsspule (14) ein Antrieb (8, 9; 8', 9), der die Halterungen (I', 2') der beiden Stabteile (1,2) gemeinsam relativ zu der Induktionsspule (14) bewegt und eine weitere mit den Halterungen vom Antrieb mitbewegte Verstellvorrichtung (5, 6, 7; 5, 6, T), die den Abstand zwischen den Halterungen verändert, vorgesehen ist.In Betracht gezogene Druckschriften:
Österreichische Patentschrift Nr. 194 444.Hierzu 1 Blatt Zeichnungen® 209 678/130 10.62
Priority Applications (8)
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Applications Claiming Priority (1)
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Family Applications (1)
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- NL NL113496D patent/NL113496C/xx active
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- 1960-06-10 GB GB20461/60A patent/GB922286A/en not_active Expired
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GB922286A (en) | 1963-03-27 |
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