FR74391E - Procédé de préparation de substances très pures, de préférence pour emploi comme semi-conducteurs, dispositif pour sa réalisation et produits conformes à ceux obtenus - Google Patents
Procédé de préparation de substances très pures, de préférence pour emploi comme semi-conducteurs, dispositif pour sa réalisation et produits conformes à ceux obtenusInfo
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-
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Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR778915A FR74391E (fr) | 1954-05-18 | 1958-11-12 | Procédé de préparation de substances très pures, de préférence pour emploi comme semi-conducteurs, dispositif pour sa réalisation et produits conformes à ceux obtenus |
Applications Claiming Priority (13)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES39209A DE1102117B (de) | 1954-05-18 | 1954-05-18 | Verfahren zum Herstellen von reinstem Silicium |
DES67478A DE1134459B (de) | 1954-05-18 | 1954-05-18 | Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkoerper aus Silizium |
DES42803A DE1223815B (de) | 1954-05-18 | 1955-02-24 | Verfahren zur Herstellung von reinstem Silicium |
DES0042824 | 1955-02-25 | ||
DES49371A DE1193022B (de) | 1954-05-18 | 1956-07-06 | Verfahren zur Herstellung von reinstem Silicium |
DES50407A DE1185449B (de) | 1954-05-18 | 1956-09-18 | Einrichtung zum Herstellen von reinsten Halbleiterstoffen |
DES55831A DE1211610B (de) | 1954-05-18 | 1957-11-11 | Verfahren zur Herstellung von reinstem Silicium |
DES56317A DE1208298B (de) | 1954-05-18 | 1957-12-19 | Verfahren zum Herstellen von Silicium fuer Halbleiteranordnungen |
DE1958S0058219 DE1217348C2 (de) | 1954-05-18 | 1958-05-14 | Verfahren zur Herstellung von reinstem Silicium |
FR778915A FR74391E (fr) | 1954-05-18 | 1958-11-12 | Procédé de préparation de substances très pures, de préférence pour emploi comme semi-conducteurs, dispositif pour sa réalisation et produits conformes à ceux obtenus |
DES61117A DE1209113B (de) | 1954-05-18 | 1958-12-23 | Verfahren zum Herstellen von hochreinem Silicium |
DES66308A DE1212949B (de) | 1954-05-18 | 1959-12-17 | Verfahren zum Herstellen von hochreinem Silicium |
DES69895A DE1235266B (de) | 1954-05-18 | 1961-05-18 | Verfahren zum Herstellen reinster kristalliner Stoffe, insbesondere fuer Halbleiterzwecke |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FR74391E true FR74391E (fr) | 1960-11-07 |
Family
ID=27583978
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FR778915A Expired FR74391E (fr) | 1954-05-18 | 1958-11-12 | Procédé de préparation de substances très pures, de préférence pour emploi comme semi-conducteurs, dispositif pour sa réalisation et produits conformes à ceux obtenus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
FR (1) | FR74391E (fr) |
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1958
- 1958-11-12 FR FR778915A patent/FR74391E/fr not_active Expired
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