DE2047756B2 - Verfahren zum verbessern der elektrischen charakteristiken von pn legierungsdioden - Google Patents

Verfahren zum verbessern der elektrischen charakteristiken von pn legierungsdioden

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DE2047756B2 DE19702047756 DE2047756A DE2047756B2 DE 2047756 B2 DE2047756 B2 DE 2047756B2 DE 19702047756 DE19702047756 DE 19702047756 DE 2047756 A DE2047756 A DE 2047756A DE 2047756 B2 DE2047756 B2 DE 2047756B2
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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Verbessern der elektrischen Charakteristiken von pn-Legierungsdioden, einschließlich Zenerdioden, Allzweckdioden u. dgl.
Gemäß dem bekannten Stand der Legierungstechnik werden pn-Flächendioden im allgemeinen in einem einstufigen Verfahren hergestellt, wobei ein in der Regel m-leitender Siliziurn-Halbleiterkristall zusammen mit auf seiner Oberfläche befindlichem Aluminium auf eine Temperatur oberhalb der eutektischen Temperatur des Systems Silizium-Aluminium erwärmt und anschließend auf Raumtemperatur abgekühlt wird. Ein solches Verfahren ist in der USA.-Patentschrift 2 757 324 beschrieben.
Nach diesem bekannten Verfahren hergestellte Dioden haben bestimmte Mängel, von denen die bedeutendsten im folgenden angegeben werden. Die Ausbeute an Zenerdioden von vorgegebenen elektrischen Charakteristiken, wie z. B. des Knies in der Strom-Spannungs-Kurve der Zenerdioden, ist nicht so gut wie sie mit den nach der Erfindung hergestellten Dioden erreicht werden kann. Ferner wird eine größere zulässige Toleranz in Abweichungen des spezifischen Widerstands des Ausgangsplättchens bei der Herstellung von Legierungsdioden gemäß dem beanspruchten Verfahren erreicht. Der Sperrstrom wird gegenüber bekannten Legierungsdioden wesentlich vermindert.
Ein anderes vorveröffentlichtes Patent, welches in diesem Zusammenhang von Interesse ist, ist das USA.-Patent 3 464 867. In diesem Patent ist. Verfahren zur Anhebung der Durchbruchsspanriungs-Charakteristik einer legierten Diode beschrieben. In diesem Patent wird die Erkenntnis ausgenutzt, daß durch Wiedererhitzen einer zuvor gebildeten und abgekühlten Legicrungsdiodc auf eine vorbestimmte Temperatur oberhalb von 900° C und anschließendes rasches Kühlen die elektrischen Eigenschaften der Diode verbessert werden. Während dieses Verfahren
3 4
einerseits tatsächlich merkliche Verbesserungen bei Legierungsübergängen gebildet wurde. Ein Quersolchen Dioden bringt, wurde gefunden, daß die Er- schnitt einer solchen aus dem Plättchen Il herausgebnisse nicht im erwünschten Umfang reproduzierbar geschnittenen Diode ist in Fig, 2 gezeig:. Die Diode sind und daß außerdem der spezifische Widerstand weist eine Siliziumbasis 12 vom η-Typ, ein Gebiet des Ausgangskristalls für eine vorgegebene Anord- 5 von Aluminium dotiertem Silizium (Silizium vom nung innerhalb sehr enger Toleranzgrenzen gehalten p-Typ) 13 und ein aus einer Mischung von Alumiwerden muß, wenn die Reproduzierbarkeit erhöht nium und mit Silizium legiertem Aluminium bestehenwerden soll. des Gebiet 14 auf. An der Zwischenfläche der Basis
Es ist demgemäß die Aufgabe der vorliegenden 12 und des Abschnitts 13 liegt der Diodenübergang 15. Erfindung ein neues Verfahren zum Steuern der io Gemäß einem bekannten Verfahren zur Herstellung Charakteristiken vor. Legierungsdioden anzugeben, solcher Dioden wird eine Vielzahl von Aluminiumwobei insbesondere eine erhöhte Ausbeute von Legie- kügelchen auf der Oberfläche eines Siliziumplättchens rungsdioden vorbestimmter elektrischer Charakte- vom η-Typ verteilt, auf eine Temperatur zwischen ristiken angestrebt wird. Dabei sollen speziell auch 577 und 900c C erhitzt und anschließend langsam die elektrischen Charakteristiken von Zenerdioden 15 auf Raumtemperatur abgekühlt. Die Erwärmung ververbessert werden, wobei gleichzeitig die Ausbeute ursacht eine Legierungsbildung der Aluminiumkügelvon Zenerdioden vorbestimmter elektrischer Charak- chen mit dem Siliziumplättchen und bildet die in teristiken wesentlich erhöht werden soll. F i g. 2 gezeigten und im vorstehenden beschriebenen
Erfindungsgemäß wird dies erreicht durch eine Übergänge.
thermische Behandlung der Diode mit einer Mehr- ao Die Bildung der Übergänge >.ird beim bekannten zahl von vorbestimmten Temperaturänder mgen, wo- Stand der Technik gefolgt vom Reinigen, Zerschneibei alle Temperaturen oberhalb der eutektischen den, Anbringen der Leitungen und Bündeln. Es Temperatur der Legierung der Diode liegen, und wurde jedoch gefunden, daß wesentliche Verbesseanschließendes Abkühlen der Diode auf eine Tempe- rungen der kritischen Diodencharakteristiken dann ratur unterhalb der eutektischen Temperatur der 25 erzieit werden, wenn die Übergänge vor den AbLegierung der Diode. Schlußarbeitsgängen einer zweiten Wärmebehandlung
Die für bestimmte Dioden im einzelnen verwende- unterzogen werden.
ten Temperaturbereiche und Behandlungsieiten, mit- Nach den erwähnten, bekannten Verfahren herge-
tels denen Dioden vorbestimmter elektrischer stellte Dioden sind für viele Anwendungsfälle
Charakteristiken bei hoher Ausbeute erzeugt werden, 30 geeignet, sie haben jedoch eine geringe dynamische-
werden im folgenden in Verbindung mit den Zeich- oder Zenerimpedanz (insbesondere Dioden mit einer
nungen im einzelnen näher beschrieben und erläutert. Durchbruchsspannung zwischen 4 und 10 V) und
In der Zeichnung zeigt einen hohen Sperrstrom. Der spezifische Widerstand
F i g. 1 eine vergrößerte Draufsicht auf ein Silizium- der unbearbeiteten Süiziumplättchen vom η-Typ muß
plättchen während eines Zwischenschrittes bei der 35 ebenfalls in engen Toleranzen gehalten werden, um
Herstellung einer Vielzahl von Legierungs-Zener- die gewünschte Durchbruchsspannung zu erhalten,
dioden. Eine weitere Behandlung nach dem L'SA.-Patent
F i g. 2 cnen vergrößerten Querschnitt durch eine 3 464 867 verbessert die dynamische Impedanz oder
einzelne Legierungs-Zenerdiode nach F i g. 1 entlang Zenerimpedanz (Z2) und die Sperrstromcharakteristik
der Linie 2-2 in Fig. 1, 40 (In) der Dioden, aber die Ausbeute an verbesserten
F i g. 3 ein Diagramm eines Zeit-Temperatur-Be- Dioden hat sich als nicht so hoch herausgestellt, wie
handlungsablaufs, dem eine legierte Flächendiode dies erwünscht ist.
nach Fig. 2 erfindungsgemäß unterzogen werden Es hat sich jedoch herausgestellt, daß eine größere
kann, wobei beim dargestellten Ausführungsbeispiel Ausbeute von Dioden mit gewünschter Zenerimpe-
eine negative Temperaturänderung gezeigt ist, 45 danz und Sperrstromcharakteristik dann erhalten
F i g. 4 ein Diagramm eines anderen Zeit-Tempe- wird, wenn die die nach dem bekannten Stand der
ratur-Behandlungsablaufs, welchem eine legierte Technik hergestellten Übergänge aufweisenden Plätt-
Flächendiode nach Fi g. 2 erfindungsgemäß ausgesetzt chen riner zweiten Wärmebehandlung unterzogen
werden kann, wobei bei diesem Beispiel zwei Tempe- werden, wobei ein von der Wärmebehandlung nach
raturänderungen dargestellt sind, 50 dem USA.-Patent 3 464 867 verschiedener Behand-
Fig. 5 ein Diagramm eines weiteren Zeit-Tempe- k.igsablauf durchgeführt wird, wie er z.B. in den
ratur-Behandluiigsablaufs, dem eine Diode nach F i g. 3, 4. 5 und 6 dargestellt ist. Zusätzlich kann
Fig. 2 erfindungsgemäß unterworfen werden kann, die Zener-Duiohbruchsspannung, die normalerweise
wobei bei diesem Ausführungsbeispiel drei Tempe- eine Funktion des spezifischen Widerstands des un-
raturwechsel gezeigt sind, 55 bearbeiteten Siliziummaterials vom η-Typ ist, variiert
F i g. 6 ein Diagramm eines weiteren Zeit-Tempe- werden, um Abweichungen im unbearbeiteten Aus-
ratur-Behandlungsablaufs, dem eine Diode nach gangsmaterial auszugleichen. Mit einem geeigneten
Fig. 2 erfindungsgemäß unterzogen werden kann, Wärmebehandlungsablauf ist es möglich, Dioden mit
wobei bei diesem Ausführungsbeispiel die Tempera- einer Toleranz von ±2°/o für die Zener-Durchbruchs-
turänderung durch einen im wesentlichen konstanten 60 spannung aus Siliziumplättchen herzustellen, deren
Abfall der Temperatur gekennzeichnet ist, und spezifischer Widerstand um ± 20°Λ> schwankt.
Fig. 7 eine schematische Ansicht eines offen-n Nach der anfänglichen Bildung der Legierungs-
Rohrofens, der bei der Durchführung des Verfahrens übergänge durch ein bekanntes Verfahren werden die
nach der Erfindung mit Vorteil verwendet werden auf diese Weise mit Übergängen versehenen Plättchen
kann. 65 einem zweiten Wärmebehandlungszyklus unterworfen,
Fig. 1 zeigt eine vergrößerte Draufsicht auf einen wie er beispielsweise in Fig. 3 als Diagramm dar-
Abschnitt des Siliziumplättchens 11, auf dem nach gestellt ist. Das zunächst auf Raumtemperatur be-
hekannten Verfahren eine Anzahl von Zenerdioden- findliche Plättchen wird in einem Ofen mit einer
Stickstoffatmosphäre gebracht und schnell auf ei:ie Temperatur von über 800 aber unter 1100 C erwärmt. Die anzuwendende Temperatur ist vom spezifischen Widerstand des Siliziumplättchens abhängig, wobei ein spezifischer Widerstand, der höher als ein Nennwiderstand für eine vorgegebene gewünschte Durchbruchsspannung ist, eine niedrigere Temperatur erfordert, während umgekehrt ein spezifischer Widerstand, der niedriger als ein Nennwiderstand ist, eine höhere Temperatur erfordert. Nachdem das Plättchen für eine vorbestimmte Zeit im Bereich von 15 Sekunden bis zu 1 Stunde auf dieser Temperatur gehalten worden ist, wird seine Temperatur um 'Λ bis 30' C vermindert, worauf es entweder unmittelbar abgekühlt oder zunächst 3 Minuten lang auf der zweiten Temperatur gehalten und dann abgekühlt wird. Der Abkühlschritt besteht darin, das Plättchen schnell (in einem Zeitabschnitt von 1 bis 2 Sekunden) aus dem Ofen herauszunehmen und es auf eine vom Kühlmittel durchströmte Unterlage aufzusetzen, um es mit Luft zu kühlen. Die Kühlung erfolgt vorzugsweise mit einer Geschwindigkeit von größenordnungsmäßig mehr als 100' C/sec, bis die eutektische Temperatur der Legierung (Aluminium-Silizium) erreicht ist. Danach erfolgt die Kühlung vorzugsweise mit geringerer Geschwindigkeit, so daß die Raumtemperatur nach etwa 10 Minuten erreicht wird. Die weitere Verarbeitung der Dioden erfolgt dann in bekannter Weise.
Ein anderes mögliches Warmbehandlungsschema ist im Diagramm nach Fig. 4 dargestellt. In dieser Figur sind zwei Temperaturwechsel gezeigt. Obwohl die beiden dargestellten Temperaturwechsel negativ sind, wird darauf hingewiesen, daß sie auch entweder beide positiv oder einer positiv und der andere negativ sein können. Jeder Wechsel liegt im Bereich von 1 ι bis 30"C, und die Venveilzeiten betragen 15 Sekunden bis zu 1 Stunde bei der ersten Temperatur und 0 bis 3 Minuten bei der zweiten und dritten Temperatur.
Fig. 5 zeigt ein drittes Warmbehandlungsschema mit drei Temperaturänderungen. Auch hier können diese Änderungen wieder positiv oder negativ sein, wobei sie alle gleichgerichtet sind oder nicht. Die Anfangstemperatur kann wie zuvor 15 Sekunden bis zu 1 Stunde gehalten werden und die folgenden Temperaturen von 0 bis 3 Minuten. Wie zuvor betragen die Temperaturschritte von '/4 bis 30 C.
Die drei kritischen Charakteristiken, die Zenerspannung. die dynamische oder Zenerimpedanz und der Sperrstrom werden sämtlich in komplizierter Weise sowohl von der Größe als auch von der Dauer der Temperaturänderungen beeinflußt, und deshalb kann zur Erreichung einer gewünschten Kombination von Charakteristiken ein Warmbehandlungsschema erforderlich sein, welches einige verschiedene Temperaturen mit verschiedenen Verweildauern hat. Normalerweise sind die gewünschten Charakteristiken eine Soll-Zenerspannung. eine minimale dynamische bzw. Zenerimpedanz und ein minimaler Sperrstrom. Als allgemeine Regel kann festgehalten werden, daß, wenn die erste Temperaturänderung positiv ist. die erste Wirkung ein Anheben des Sperrstroms und eine Verminderung der dynamischen Impedanz ist. Eine zweite Wirkung ist eine Herabsetzung der Zenerspannung. Ein zweiter Temperaturwechsel beeinflußt zunächst den Sperrstrom, aber auch die dynamische oder Zenerimpedanz und die Zenerspannung werden etwas beeinflußt. Eine positive Änderung vermindert die Sperrspannung, verbessert aber den dynamischen Widerstand und vermindert die Zenerspannung.
Es ist einzusehen, daß ein optimales Warmbehandlungsschema für ein spezielles Plättchen oder eine Gruppe von Plättchen in Abhängigkeit von der Beziehung der Charakteristiken der Übergänge des Plättchens nach der Herstellung nach bekannten Vcrfahren bestimmt werden kann, um die gewünschten Charakteristiken zu erreichen. Im Anschluß sind verschiedene Beispiele erläutert.
Beispiel 1
Es wird ausgegangen von einem Siliziumplättchen vom η-Typ mit einem spezifischen Widerstand von 0,023 ncm, welches in üblicher Weise zusammen mit Aluminiumkügelchen in einen Ofen von 730° C geao bracht wird, um Legierungsübergänge herzustellen und anschließend auf Raumtemperatur abgekühlt wird. Die so hergestellte Diode hat folgende Charakteristiken:
a5 V2 = 5,2 Volt (V) bei 1 Milliampere (mA),
Z2 = jOO Ohm (Ω) bei 1 Milliampere (mA),
Gleichstrom (d.c.) 4- 0,1 Milliampere (mA), Wechselstrom (a. c),
lR = 1 Mikroampere (μΑ) bei 2 Volt (V).
Das Plättchen wird dann in einem Quarzschiffchiin in einen auf 940c C eingestellten Ofen gebracht, durch den Stickstoff in einem Mengenfluß von 0,11 m3/h hindurchfließt. Diese Temperatur wird
20 Minuten lang aufrechterhalten. Danach wird die Temperatur um 2C C gesenkt. Diese Temperatur wird 30 Sekunden lang aufrechterhalten, worauf sie um zusätzlich lc C auf 937" C gesenkt und 15 Sekunden lang beibehalten wird. Das Plättchen im QuarzschilT-chen wird dann schnell aus dem Ofen herausgenommen (in 1 bis 2 Sekunden) und auf eine vom Kühlmittel durchströmte Unterlage abgesetzt, wo es mit einem Betrag von mehr als 100° C/sec auf 577 C abkühlen kann. Danach wird es mit geringerer Ge-
schwindigkeit auf 25 C abgekühlt, wobei es die 25° C in etwa 10 weiteren Minuten erreicht.
Die endgültigen Charakteristiken der Von.chtung sind:
V. = 6,2 V bei 1 mA,
Z. = 40 Ω bei 1 mA d. c. - 0,1 mA a. c,
IR = 0.5 uA bei 5,6 V.
Beispiel 2
.55
Das Ausgangsmaterial ist Silizium vom n-Tvp mit einem spezifischen Widerstand von 0,007 oCrn. Legierungsübergänge werden in der üblichen Art und Weise hergestellt, wobei sich die folgenden Charakteristiken einstellen:
V2 = 3,2 V bei 20 mA.
Z. = 1200 Ω bei 0,25 mA d.c. — 0,025 mA a.c,
IR = 10 uA bei 0,75 V.
Das Plättchen wird auf 850~ C erhitzt und 4 Minuten auf dieser Temperatur gehalten, wobei Stickstoff in einer Menge von 0,77 m3 h fließt, worauf der Ofen
2098
7 8
für 4 Minuten auf 820° C zurückgeregelt wird. Das von beispielsweise nur 1Ai0 C erforderlich ist, die Plättchen wird dann aus dem Ofen herausgenommen Kappe vom Stickstoffabgaberohr in den Ofen abge- und in der in Verbindung mit Beispiel 1 beschriebe- nommen, wodurch der Mengenfluß an Stickstoff vernen Weise an der Luft abgekühlt. Die resultierenden mehrt wird. Die Erfindung ist im vorstehenden so
Charakteristiken sind: 5 beschrieben, daß Stickstof! während des Verfahrens
_ , anwesend ist. Die Anwesenheit einer speziellen
V2 - ),2 V bei 20 mA, Atmosphäre ist jedoch für die Ausführung der Er-
Z2 = 1000 Ω bei 0,25 mA d.c. -^ 0.025 mA a.c, findung nicht wesentlich, und das Verfahren könnte,
1R = lOnAbeilV. wenn es nötig wäre, auch im Vakuum ausgeführt
ie* werden.
B e i s ρ i e 1 4 In F i g. 7 ist eine Schemadarstellung eines ein
offenes Rohr aufweisenden Ofens zur Ausführung des
Das Ausgangsmaterial für dieses Beispiel ist SiIi- Verfahrens gezeigt. Ein Quarzrohr 30 ist innerhalb
«ium vom η-Typ mit einem spezifischen Widerstand des Ofens 32 so angeordnet, daß es einen Teil des von 0,05 Ω/cm, auf dem Übergänge in der bekannten i« Ofens bildet. Das Quarzrohr 30 ist von Heizspulen
Weise hergestellt worden sind. Die Charakteristiken 34 umgeben. Innerhalb des Rohrs 30 sind eine Viel-
des Ausgangsmaterials sind folgende: zahl von Plättchen 11 eingesetzt. Am Eintrittsende 35
_ des Quarzrohrs 30 wird Stickstoff durch einen Men-
"* ~ lü bei 1 0^' genflußmesser 37 von der Leitung 31 aufgenommen.
Z2 = 30 Ω bei 1 mA, d.c. 4- 0,1 mA a.c, ao Der Mengenfluß des Gases wird durch das Ventil 39
IR = 2 μΑ bei 9 V. eingestellt, wobei das Gas von einer nicht gezeigten
Vorratsquelle zugeführt wird. Das Stickstoffgas tritt
Das Plättchen wird etwa 10 Minuten auf eine Tem- durch eine öffnung 40 in der Quarzkappe 41 aus. Wie peratur von 820° C gebracht, wobei 0,77 m3/h Stick- oben angedeutet, kann die Kappe 40, wenn ein sehr stoff fließen. Der Ofen wird dann abgeschaltet, wobei 45 geringer Temperaturunterschied erforderlich ist, einder Stickstoff weiter fließt. Die Abkühlgeschwindig- fach vom Austrittsende des Rohrs 30 abgenommen keit im Ofen als Folge des Abschaltens der Wärme- werden, da eine solche geringe Temperaturänderung zufuh- beträgt etwa 6° C/min. Das Plättchen wird für nicht allein durch das Ventil 39 eingestellt werden 2 Minuten bzw. bis zu einem Abfall der Temperatur kann.
auf 808° C im Ofen belassen. Dieses Wärmebehand- 30 Das im vorstehenden beschriebene neue und verlungsschema ist in Fig. 6 dargestellt. Danach wird besserte Verfahren zur Verbesserung der elektrischen das Plättchen schnell aus dem Ofen entfernt und in Charakteristiken von Legierungsdioden wird also im der oben beschriebenen Weise mit Luft abgekühlt. wesentlichen so ausgeführt, daß die Dioden einer Die erreichten Charakteristiken sind: Reihe von mindestens zwei sorgfältig gesteuerten
35 Wiederervärmungsschritten ausgesetzt werden, um
"* ~ _ Ta^' vorausbestimmbare elektrische Eigenschaften der
Z2 = 30 Ω bei 1 mA d. c. -f 0,1 mA a. c, Diode zu erzielen. Der erste Erwärmungsschritt unter-
IR = 1 μΑ bei 9 V. wirft die Diode einer Erwärmung, nachdem der pn-
Ubergang gebildet und die Anordnung auf Raum-
Mit den meisten Temperatursteuervorrichtungen ist 40 temperatur gebracht ist, wobei eine vorbestimmte es sehr schwierig, Temperaturänderungen in der Temperatur von 800 bis 1100cC für einen Zeitab-Größenordnung von 10° C oder weniger durchzufüh- schnitt von 15 Minuten bis zu 1 Stunde eingestellt ren, solche Temperaturänderungen können jedoch wird; daran anschließend und während sich die Andurch Änderung des Mengeflusses des Stickstoffs Ordnung noch auf der vorbestimmten Temperatur durch den Ofen erfolgen. Bei der Ausführung des 45 befindet, wird die Temperatur ein oder mehrere Male beschriebenen Verfahrens wird deshalb, wenn eine um einen vorbestimmten Betrag AT geändert. AT Temperaturverminderung in einer Größenordnung liegt im Bereich von 1U bis 30° C.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
?.O98

Claims (1)

  1. Patentansprüche:
    1. Verfahren zum Verbessern der elektrischen Charakteristiken von pn-Legierungsdioden, gekennzeichnet durch eine thermische Behandlung der Diode mit einer Mehrzahl von vorbestimmten Temperaturänderungen, wobei alle Temperaturen oberhalb der eutektischen Temperatur der Legierung der Diode liegen, und anschließendes Abkühlen der Diode auf eine Temperatur unterhalb der eutektischen Temperatur der Legierung der Diode.
    2. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch die folgenden Verfahrensschritte:
    Erwärmen der Diode auf eine vorbestimmte erste Temperatur oberhalb der eutektischen Temperatur der Legierung;
    Halten der vorbestimmten ersten Temperatur während eines bestimmten Zeitabschnittes; Änderung der Temperatur der Diode auf eine vorbestimmte zweite Temperatur oberhalb der eutektischen Temperatur der Legierung;
    Halten der zweiten Temperatur während eines vorbestimmten zweiten Zeitabschnitts; Abkühlen der Diode auf eine Temperatur unterhalb der eutektischen Temperatur der Legierung uer Diode.
    3. Verfahren nach A.ispruc, 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erste vorbestimmte Temperatur im Bereich von 800 bis 1 ί JO" C liegt und daß die Differenz zwischen der ersten und der zweiten Temperatur im Bereich von 1Ai bis etwa 30° C liegt.
    4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der vorbestimmte erste Zeitabschnitt im Bereich von 15 bis 60 Minuten liegt. Und daß der vorbestimmte zweite Zeitabschnitt kürzer als etwa 3 Minuten ist.
    5. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Abkühlen der Diode mit einer Abkühlgeschwindigkeit von mehr als 100° C'sec erfolgt, bis die Temperatur unterhalb der eutektischen Temperatur der Legierung der Diode erreicht ist.
    6. Verfahren nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch die folgenden weiteren Verfahrensschritte:
    Änderung der Temperatur der Diode auf eine vorbestimmte dritte Temperatur in Anschluß an den vorbestimmten zweiten Zeitabschnitt; Halten der vorbestimmten dritten Temperatur während eines vorbestimmten dritten Zeitabschnitts vor dem Abkühlen der Diode.
    1. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die vorbestimmte erste Temperatur im Bereich von 800 bis 1100" C liegt und daß die Differenzen zwischen der ersten, der zweiten und der dritten Temperatur jeweils im Bereich von etwa 'Λ bis 30° C liegen.
    8. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß der vorbestimmte erste Zeitabschnitt im Bereich von etwa 15 bis 60 Minuten liegt, und daß der vorbestimmte zweite und der dritte Zeitabschnitt unterhalb von 3 Minuten 1 ionon
    9. Verfahren nach Anspruch 7, gekennzeichnet durch die folgenden weiteren Verfahrensschritte:
    Ändern der Temperatur der Diode auf eine vorbestimmte vierte Temperatur im Anschluß an den dritten Zeitabschnitt; Halten der vorbestimmten vierten Temperatur währer.J eines vorbestimmten vierten Zeitabschnitts vor dem Abkühlen der Diode.
    10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die vorbestimmten Temperaturen sämtlich im Bereich von etwa 800 bis 11000C liegen und üaß die Temperaturänderungen sämtlich im Bereich von etwa 1U bis 30" C liegen.
    11. Verfahren nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Zeitabschnitt im Bereich von etwa 15 bis 60 Minuten liegt, und daß sämtliche übrigen Zeitabschnitte kürzer als 3 Minuten sind.
    12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Erwärmung in einer Gasatmosphäre durchgeführt wird und daß die Änderungen der Temperatur durch. Ändern der die Diode um- oder anströmenden Gasmenge bewirkt wird.
DE19702047756 1969-11-14 1970-09-29 Verfahren zum verbessern der elektrischen charakteristiken von pn legierungsdioden Pending DE2047756B2 (de)

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