JPS63285923A - シリコン−ゲルマニウム合金の製造方法 - Google Patents
シリコン−ゲルマニウム合金の製造方法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/059—Germanium on silicon or Ge-Si on III-V
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、熱エネルギーと電気エネルギーとを直接変換
する材料、即ち、熱電材料のうち特にシリコン−ゲルマ
ニウム合金の製造に好適な方法に関する。
する材料、即ち、熱電材料のうち特にシリコン−ゲルマ
ニウム合金の製造に好適な方法に関する。
［従来技術］
熱電材料シリコン−ゲルマニウム合金の製造方法として
は、例えば、アール、ニー、レフェーバー、ジー、エル
、マクベーアしドアール、ジェー、バウマン ： ”プ
レバレージョン オブ ホット プレスト シリコン
ゲルマニウム インゴット；パート■ バキューム ホ
ットプレッシング、マテリアルズ リサーチ ブラチン
、９８６３（１９７４）（Ｌｅｆｅｖｅｒ、Ｇ、Ｌ、Ｍ
ｃＶａｙ ａｎｄ Ｒｊ、Ｂａｕｇｈｍａｎ：Ｐｒｅｐ
ａｒａｔｉｏｎ ｏｆ Ｈｏｔ−Ｐｒｅｓｓｅｄ Ｓｉ
ｌｉｃｏｎ−Ｇｅｒｍａｎｉｕｍ Ｉｎｇｏｔ： Ｐａ
ｒｔ ｍ−Ｖａｃｕｕｍ ＨｏｔＰｒｅｓｉｎｇ”。
は、例えば、アール、ニー、レフェーバー、ジー、エル
、マクベーアしドアール、ジェー、バウマン ： ”プ
レバレージョン オブ ホット プレスト シリコン
ゲルマニウム インゴット；パート■ バキューム ホ
ットプレッシング、マテリアルズ リサーチ ブラチン
、９８６３（１９７４）（Ｌｅｆｅｖｅｒ、Ｇ、Ｌ、Ｍ
ｃＶａｙ ａｎｄ Ｒｊ、Ｂａｕｇｈｍａｎ：Ｐｒｅｐ
ａｒａｔｉｏｎ ｏｆ Ｈｏｔ−Ｐｒｅｓｓｅｄ Ｓｉ
ｌｉｃｏｎ−Ｇｅｒｍａｎｉｕｍ Ｉｎｇｏｔ： Ｐａ
ｒｔ ｍ−Ｖａｃｕｕｍ ＨｏｔＰｒｅｓｉｎｇ”。
Ｍａｔ、Ｒｅｓ、Ｂｕｌｌ、旦８６３ （１９７４））
及びそのシリーズ（パート■及びパート■）に示されて
いる様な粉末焼結法がある。この文献によれば粉末焼結
法は■金属シリコン、金属ゲルマニウム及びドープ材を
溶融する工程。
及びそのシリーズ（パート■及びパート■）に示されて
いる様な粉末焼結法がある。この文献によれば粉末焼結
法は■金属シリコン、金属ゲルマニウム及びドープ材を
溶融する工程。
■■の工程で得た融液を冷却する工程。
■■の工程で得たシリコン−ゲルマニウム合金を１０メ
ツシュ程度まで破砕する工程。
ツシュ程度まで破砕する工程。
■■の工程で得たシリコン−ゲルマニウム合金粒をさら
に細かくすりつぶす（粉砕）工程。
に細かくすりつぶす（粉砕）工程。
■■の工程で得たシリコン−ゲルマニウム合金粉末を１
０−” ｔｏｒｒ以下の真空容器中、約１３００℃、約
２０００ｋｚ／ｃｎの高圧力下でホットプレスする工程
。
０−” ｔｏｒｒ以下の真空容器中、約１３００℃、約
２０００ｋｚ／ｃｎの高圧力下でホットプレスする工程
。
等の工程を有する。
その他、特開昭５８−１９００７７号公報には、多元非
単結晶体でなる熱電材料に関する発明が開示されるが、
この中の実施例でＳ １ｘＧｅｙＢ ｚ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝
１ ）の製造方法が述べられている。これによればＳ
Ｉ Ｈ４１Ｇ ｅ Ｈ４１Ｂ ｘ Ｈ＠を原料ガスとし
Ｈ，キャリアーガスでこれを真空容器内に導入、分解せ
しめＳＬ、Ｇｅ及びＢでなる３元アモルファス結晶体を
５０人／ｍｉｎ、の成長速度で得ているでこの様にガス
状化合物を原料とし、これを真空容器中で気相分解させ
熱雷材料を得る方法もある。
単結晶体でなる熱電材料に関する発明が開示されるが、
この中の実施例でＳ １ｘＧｅｙＢ ｚ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝
１ ）の製造方法が述べられている。これによればＳ
Ｉ Ｈ４１Ｇ ｅ Ｈ４１Ｂ ｘ Ｈ＠を原料ガスとし
Ｈ，キャリアーガスでこれを真空容器内に導入、分解せ
しめＳＬ、Ｇｅ及びＢでなる３元アモルファス結晶体を
５０人／ｍｉｎ、の成長速度で得ているでこの様にガス
状化合物を原料とし、これを真空容器中で気相分解させ
熱雷材料を得る方法もある。
［発明が解決しようとする問題点コ
前記従来の熱雷材料の製造方法のうち、前者の粉末焼結
法は、すでに述べた様な複雑なプロセスを有し、原料の
溶融工程で１４００℃以上の高温、ホットプレスの工程
で１３００℃近い高温と約２０００ｋｇ／ゴの高圧、１
０−’ ｔｏｒｒ以下の高真空度等の特殊な製造条件、
あるいはそれを達成する為の高度な技術水準を必要とし
た。
法は、すでに述べた様な複雑なプロセスを有し、原料の
溶融工程で１４００℃以上の高温、ホットプレスの工程
で１３００℃近い高温と約２０００ｋｇ／ゴの高圧、１
０−’ ｔｏｒｒ以下の高真空度等の特殊な製造条件、
あるいはそれを達成する為の高度な技術水準を必要とし
た。
また後者の特開昭５８−１９００７７号公報の実施例の
ような、即ちＳｉＨ４，ＧｅＨ４，Ｂ、Ｈ，を原料とし
、これを真空容器内に導いた成膜では成長速度が５０人
／ｍｉｎ、と遅く、工業的に成り立たない速度である。
ような、即ちＳｉＨ４，ＧｅＨ４，Ｂ、Ｈ，を原料とし
、これを真空容器内に導いた成膜では成長速度が５０人
／ｍｉｎ、と遅く、工業的に成り立たない速度である。
［問題点を解決する為の手段］
本発明は前記従来法の持つ問題点、即ち高温、高圧、高
真空度等の特殊製造条件を解決する方法を提供し、かつ
、工業化容易な重膜を与え、高収率、高成長速度等の利
点を有するものである。
真空度等の特殊製造条件を解決する方法を提供し、かつ
、工業化容易な重膜を与え、高収率、高成長速度等の利
点を有するものである。
即ち、モノシラン（以下Ｓ ｉ Ｈ，と記す）ガスと四
塩化ゲルマニウム（以下Ｇ ｅ Ｃ１４と記す）ガスと
Ｐ型又はＮ型のドーピングガスとを反応容器内に導入し
、反応容器内の７５０℃以上に加熱された基体上にシリ
コン−ゲルマニウム合金を堆積させることを特徴とする
方法で、好ましくは前記反応容器内圧力が大気圧以上、
更に前記基体の材質がグラファイト又は金属箔であるこ
とを特徴とする。
塩化ゲルマニウム（以下Ｇ ｅ Ｃ１４と記す）ガスと
Ｐ型又はＮ型のドーピングガスとを反応容器内に導入し
、反応容器内の７５０℃以上に加熱された基体上にシリ
コン−ゲルマニウム合金を堆積させることを特徴とする
方法で、好ましくは前記反応容器内圧力が大気圧以上、
更に前記基体の材質がグラファイト又は金属箔であるこ
とを特徴とする。
以下、第１図に基づいて本発明を詳説する。
本発明に使用されるガスのうち窒素（Ｎ８）ガス、Ｓ
ｉ Ｈ，ガス、ドーピングガス、水素（Ｈｌ）ガスはそ
れぞれ１．２．３．４により供給される。１１．１２、
１３は各ガスの流量コントローラーである。４により供
給されるＮ３は装置の置換用及び容器４０゜に貯えられ
たＧ ｅ Ｃ１４のキャリアガスとして使用される。
ｉ Ｈ，ガス、ドーピングガス、水素（Ｈｌ）ガスはそ
れぞれ１．２．３．４により供給される。１１．１２、
１３は各ガスの流量コントローラーである。４により供
給されるＮ３は装置の置換用及び容器４０゜に貯えられ
たＧ ｅ Ｃ１４のキャリアガスとして使用される。
まず、反応容器３２には基体３１がセットされる。
成長に先立ち、反応容器内は真空ポンプ２３によって真
空に引かれた後Ｈ１で置換し、その後所定量のＮ２が流
される。このＮ２は保圧装置２４で所定圧にされ放出さ
れる。この操作の間並行して、初期。
空に引かれた後Ｈ１で置換し、その後所定量のＮ２が流
される。このＮ２は保圧装置２４で所定圧にされ放出さ
れる。この操作の間並行して、初期。
成長条件と同量のＳｉＨ４、ドーピングガス、それにＨ
，キャリアのＧｅＣｌ４が、パージライン５０より除害
装置２７に流される。基体は電源３５より電力が供給さ
れ所定の温度に上げられる。覗き窓３３を通し温度制御
用パイロメーター３４で、基体は一定温度で制御される
。成長は、Ｎ３を止めると同時にパージラインに流され
ていた原料ガスを、反応容器内に導いて行なわれる。成
長終了後は、原料ガスを止めＨｌのみとする。所定時間
経過後に基体の温度を下げる。基体の温度が完全に下が
ってから反応容器内にＮ、を流し、内部なＮ２で置換す
る。さらに置換を完全にするため、真空ポンプを使い反
応容器内をＮ２で置換し、製品を取出す。
，キャリアのＧｅＣｌ４が、パージライン５０より除害
装置２７に流される。基体は電源３５より電力が供給さ
れ所定の温度に上げられる。覗き窓３３を通し温度制御
用パイロメーター３４で、基体は一定温度で制御される
。成長は、Ｎ３を止めると同時にパージラインに流され
ていた原料ガスを、反応容器内に導いて行なわれる。成
長終了後は、原料ガスを止めＨｌのみとする。所定時間
経過後に基体の温度を下げる。基体の温度が完全に下が
ってから反応容器内にＮ、を流し、内部なＮ２で置換す
る。さらに置換を完全にするため、真空ポンプを使い反
応容器内をＮ２で置換し、製品を取出す。
［作用］
本発明による熱電材料シリコン−ゲルマニウム合金の製
造方法では次の様に作用し均質なシリコンーゲルマニウ
ム合金を得ることができる。即ち、まず原料としてガス
状化合物を用いていること、そしてこの原料が反応容器
内の自然対流により充分攪拌されることにより反応容器
内のガスが均質となる。次いで、これらの原料ガスが基
体表面に達してここで基体の持つ熱エネルギーを受けて
分解し、目的のシリコン−ゲルマニウム合金が、この基
体表面につぎつぎと堆積していく。このときシリコン−
ゲルマニウム合金は溶融状態を経ないので偏析作用を受
けず、その結果均質なシリコン−ゲルマニウム合金を得
ることができる。また高成長速度や高収率は、反応容器
内の圧力が特に大気圧以上である場合、反応容器内で自
然対流が生じる。このため原料ガスが有効に消費され、
高成長速度や高収率を達成することができる。
造方法では次の様に作用し均質なシリコンーゲルマニウ
ム合金を得ることができる。即ち、まず原料としてガス
状化合物を用いていること、そしてこの原料が反応容器
内の自然対流により充分攪拌されることにより反応容器
内のガスが均質となる。次いで、これらの原料ガスが基
体表面に達してここで基体の持つ熱エネルギーを受けて
分解し、目的のシリコン−ゲルマニウム合金が、この基
体表面につぎつぎと堆積していく。このときシリコン−
ゲルマニウム合金は溶融状態を経ないので偏析作用を受
けず、その結果均質なシリコン−ゲルマニウム合金を得
ることができる。また高成長速度や高収率は、反応容器
内の圧力が特に大気圧以上である場合、反応容器内で自
然対流が生じる。このため原料ガスが有効に消費され、
高成長速度や高収率を達成することができる。
ところで、Ｓ ｉ Ｈ４の熱分解で半導体用の多結晶シ
リコンを製造する場合には、基体表面が７５０〜８５０
℃が適当とされているが、これは堆積層の表面の滑らか
さく以下モホロジーと称す）が、温度が高くなるにつれ
て悪くなるからである。従って外形加工時の歩留等の問
題で、基体温度をやたら 。
リコンを製造する場合には、基体表面が７５０〜８５０
℃が適当とされているが、これは堆積層の表面の滑らか
さく以下モホロジーと称す）が、温度が高くなるにつれ
て悪くなるからである。従って外形加工時の歩留等の問
題で、基体温度をやたら 。
に上げることができない。しかしながら、本発明はによ
るシリコン−ゲルマニウム合金の製造方法では、ＧｅＣ
ｌ４ガスを使用することによってＳ ｉ Ｈ，単体の熱
分解時の基体表面温度よりも高い温度でもモホロジーは
いたって良好なことが実験によって確かめられた。更に
基体温度を高くあげることで成長速度も速くすることが
できた。本発明はこのようにＳ ｉＨ４１Ｇ ｅ Ｃ１
４を使うことに上って、このような新たな作用により通
常では異常とも考えられる高温度を採用することを可能
にした。
るシリコン−ゲルマニウム合金の製造方法では、ＧｅＣ
ｌ４ガスを使用することによってＳ ｉ Ｈ，単体の熱
分解時の基体表面温度よりも高い温度でもモホロジーは
いたって良好なことが実験によって確かめられた。更に
基体温度を高くあげることで成長速度も速くすることが
できた。本発明はこのようにＳ ｉＨ４１Ｇ ｅ Ｃ１
４を使うことに上って、このような新たな作用により通
常では異常とも考えられる高温度を採用することを可能
にした。
［実施例１コ
反応容器内の５ Ｘ ２ Ｘ３２０ｍ＋ｎのグラファイ
ト基体を直接通電して加熱し、８００℃に保持した。ド
ーピングガスにホスフィン（ＰＨ，）を選んだ。
ト基体を直接通電して加熱し、８００℃に保持した。ド
ーピングガスにホスフィン（ＰＨ，）を選んだ。
Ｓ ｉ Ｈ４とＧ ｅ Ｃｌ ４はそれぞれ７．５Ｎｍ
ｌ／ｍｉｎ、。
ｌ／ｍｉｎ、。
３３．５Ｂ／ｍｉｎ、流した。ＧｅＣｌ４は常温で液体
である為、キャリアガス（Ｈ２）の流量とＧ ｅ Ｃｌ
４の蒸気圧で流量を調整した。ドーピングガスは４
Ｘｌ０−’Ｎｍｌ／ｍｉｎ、の割合で流した。またシリ
コン−ゲルマニウム合金の堆積に伴い、生成したシリコ
ン−ゲルマニウム合金の表面積と同じ割合で、該Ｓ ｉ
Ｈ，及びＧ ｅ Ｃ１４のガス流量を増加させた。
である為、キャリアガス（Ｈ２）の流量とＧ ｅ Ｃｌ
４の蒸気圧で流量を調整した。ドーピングガスは４
Ｘｌ０−’Ｎｍｌ／ｍｉｎ、の割合で流した。またシリ
コン−ゲルマニウム合金の堆積に伴い、生成したシリコ
ン−ゲルマニウム合金の表面積と同じ割合で、該Ｓ ｉ
Ｈ，及びＧ ｅ Ｃ１４のガス流量を増加させた。
反応中、容器内は１．５気圧に保持した。
得られた合金の成分は、Ｓ ｌｌ、１ＩＧｅ６．ＩＩ、
Ｐ；１．８Ｘ １０”ａｔｏｍｓ／ａｎ’であった。こ
のときの成長速度は、０．９μｍ／ｍｉｎ、であった。
Ｐ；１．８Ｘ １０”ａｔｏｍｓ／ａｎ’であった。こ
のときの成長速度は、０．９μｍ／ｍｉｎ、であった。
性能指数は約０．４×１０−“ｄｅｇ−’と良好な熱電
特性を示した。
特性を示した。
［実施例２］
グラファイト基体の温度を９００℃とし、ＳｉＨ４、Ｇ
ｅＨ，及びＰＨ，の導入速度を４倍とした以外は、実施
例１に示した条件と同一条件で製造実験を行った。
ｅＨ，及びＰＨ，の導入速度を４倍とした以外は、実施
例１に示した条件と同一条件で製造実験を行った。
得られた合金は、Ｓ ｌ ６−１９ Ｇ ｅ ＠−１１
、Ｐ 、 １．７×１０１０１５ａｔｏ／訓３で、熱電
特性は、実施例１で得たものと、はぼ同じであった。但
し、収率は実施例１の時よりも若干低下したが、実質成
長速度は、実施例１で得られた値の３．８倍であった。
、Ｐ 、 １．７×１０１０１５ａｔｏ／訓３で、熱電
特性は、実施例１で得たものと、はぼ同じであった。但
し、収率は実施例１の時よりも若干低下したが、実質成
長速度は、実施例１で得られた値の３．８倍であった。
［実施例３］
ドーピングガスにジボラン（ＢｔＨ，）を選び、これの
導入速度をＩ Ｘ １０−”Ｎｉｌ／ｉ＋ｉｎ、とした
他は実施例２に示した条件と同一条件で製造実験を行っ
た。
導入速度をＩ Ｘ １０−”Ｎｉｌ／ｉ＋ｉｎ、とした
他は実施例２に示した条件と同一条件で製造実験を行っ
た。
得られた合金は、Ｓ Ｉ １．ｌｌ Ｇ ｅ、＋、、、
Ｂ、１．８ｘ １０’ ” ａｔｏｍｓ／ａｍ’で、性
能指数が約０．４ Ｘ １０−’ｄｅｇ−’等良好な熱
電特性を示した。また、このとき得たシリコン−ゲルマ
ニウム合金と、実施例２で得たシリコン−ゲルマニウム
合金とから、第２図に示すようなＰ−Ｎ一対のテストモ
ジュールを製作した。グラファイト基体をそのまま高温
側接合電極とし、良好な熱雷特性を得ることが出来た。
Ｂ、１．８ｘ １０’ ” ａｔｏｍｓ／ａｍ’で、性
能指数が約０．４ Ｘ １０−’ｄｅｇ−’等良好な熱
電特性を示した。また、このとき得たシリコン−ゲルマ
ニウム合金と、実施例２で得たシリコン−ゲルマニウム
合金とから、第２図に示すようなＰ−Ｎ一対のテストモ
ジュールを製作した。グラファイト基体をそのまま高温
側接合電極とし、良好な熱雷特性を得ることが出来た。
［実施例４コ
５ Ｘ ０． Ｉ Ｘ ３２０＋＋＋ｍのタンタル箔を
２枚重ねて、基体とした。基体の温度、その他の製造条
件は実施例１で示した条件と同一である。
２枚重ねて、基体とした。基体の温度、その他の製造条
件は実施例１で示した条件と同一である。
得られたシリコン−ゲルマニウム合金の、組成、リン濃
度、熱雷特性等は、実施例１で得たシリコンーゲルマニ
ウム合金とほぼ同じであった。堆積したシリコン−ゲル
マニウム合金は、２枚のタンタル箔界面で容易に剥離す
ることが出来た。タンタル箔もまたグラファイト基体と
同様、高温側接合電極として使用出来た。
度、熱雷特性等は、実施例１で得たシリコンーゲルマニ
ウム合金とほぼ同じであった。堆積したシリコン−ゲル
マニウム合金は、２枚のタンタル箔界面で容易に剥離す
ることが出来た。タンタル箔もまたグラファイト基体と
同様、高温側接合電極として使用出来た。
ニオブ箔の場合も実施例４とはソ同様の結果が得られた
。
。
［発明の効果］
本発明の熱電材料シリコン−ゲルマニウム合金の製造方
法により、以下の様な効果がもたらされる。
法により、以下の様な効果がもたらされる。
ｌ）偏析作用を受けないので、極めて均質なシリコン−
ゲルマニウム合金を得ることが出来る。
ゲルマニウム合金を得ることが出来る。
２）破砕や粉砕工程を有さないため、あるいは溶融工程
を有さないため、破砕や粉砕用の治具やるつぼ等からの
汚染がなくなる。
を有さないため、破砕や粉砕用の治具やるつぼ等からの
汚染がなくなる。
３）高温や高圧、高真空度等の特殊条件や、それを得る
ための高度な技術を必要としないため、製造設備は小規
模ですみ、消耗部材も少なくなる。
ための高度な技術を必要としないため、製造設備は小規
模ですみ、消耗部材も少なくなる。
４）製造工程がシンプルとなり、従って各工程における
検査項目や製造案件等の管理項目を少なくすることが出
来る。
検査項目や製造案件等の管理項目を少なくすることが出
来る。
５）特に大気圧以上の圧力下では、自然対流が有効に利
用できるため、高成長速度と、高収率が得られる。従っ
て、バルクを利用する熱電発電用シリコンーゲルマニウ
ム合金の製造方法として特に有用である。
用できるため、高成長速度と、高収率が得られる。従っ
て、バルクを利用する熱電発電用シリコンーゲルマニウ
ム合金の製造方法として特に有用である。
６）製造中、排ガスをガスクロマトグラフ等でモニター
することで、容易にシリコン−ゲルマニウム合金の製造
条件が管理出来る。
することで、容易にシリコン−ゲルマニウム合金の製造
条件が管理出来る。
７）グラファイトあるいは金属箔を基体として使用する
が、これらはそのまま電極に利用できる。特に、金属箔
の場合は伸縮性に富み、多少シリコン−ゲルマニウム合
金と線膨張係数が異なっても、その歪を緩和することが
出来る。
が、これらはそのまま電極に利用できる。特に、金属箔
の場合は伸縮性に富み、多少シリコン−ゲルマニウム合
金と線膨張係数が異なっても、その歪を緩和することが
出来る。
第１図は本発明を実施するための装置の概略図である。
第２図は本発明による芳′法で得たシリコン−ゲルマニ
ウム合金で試作した熱電発電テストモジュールの概略図
である。 １・・・・Ｎ２ガス ２・・・・Ｓ ｉ Ｈ４ガス ３・・・・ドーピングガス ４・・・・Ｈ２ガス １１・・・・流量コントローラ １２・・・・流量コントローラ １３・・・・流量コントローラ ２１・・・・圧力計 ２３・・・・真空ポンプ ２４・・・・保圧装置 ２７・・・・除外装置 ３１・・・・基体 ３２・・・・反応容器 ３３・・・・覗き窓 ３４・・・・放射温度計 ３５・・・・電源 ４０・・・・容器 ４１・・・・ヒータ １００・・・・グラファイト製高温側接合電極１０１・
・・・Ｎ型シリコン−ゲルマニウム合金１０２・・・・
Ｐ型シリコン−ゲルマニウム合金１０３・・・・銅製低
温側接合電極 特許出願人 小松電子金属株式会社 第１図 ／ＤＯ 第２図 手続ネ甫正書（自発） 昭和６３年 ４月２０日
ウム合金で試作した熱電発電テストモジュールの概略図
である。 １・・・・Ｎ２ガス ２・・・・Ｓ ｉ Ｈ４ガス ３・・・・ドーピングガス ４・・・・Ｈ２ガス １１・・・・流量コントローラ １２・・・・流量コントローラ １３・・・・流量コントローラ ２１・・・・圧力計 ２３・・・・真空ポンプ ２４・・・・保圧装置 ２７・・・・除外装置 ３１・・・・基体 ３２・・・・反応容器 ３３・・・・覗き窓 ３４・・・・放射温度計 ３５・・・・電源 ４０・・・・容器 ４１・・・・ヒータ １００・・・・グラファイト製高温側接合電極１０１・
・・・Ｎ型シリコン−ゲルマニウム合金１０２・・・・
Ｐ型シリコン−ゲルマニウム合金１０３・・・・銅製低
温側接合電極 特許出願人 小松電子金属株式会社 第１図 ／ＤＯ 第２図 手続ネ甫正書（自発） 昭和６３年 ４月２０日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ＳｉＨ＿４ガスとＧｅＣｌ＿４ガスとＰ型又はＮ型
のドーピングガスとを反応容器内に導入し、反応容器内
の７５０℃以上に加温された基体上にシリコン−ゲルマ
ニウム合金を堆積させることを特徴とするシリコン−ゲ
ルマニウム合金の製造方法。 ２、基体の材質が、グラファイトであることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載のシリコン−ゲルマニウム
合金の製造方法。 ３、基体の材質が、金属箔であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載のシリコン−ゲルマニウム合金の
製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62120319A JPS63285923A (ja) | 1987-05-19 | 1987-05-19 | シリコン−ゲルマニウム合金の製造方法 |
| US07/184,002 US4857270A (en) | 1987-05-19 | 1988-04-20 | Process for manufacturing silicon-germanium alloys |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62120319A JPS63285923A (ja) | 1987-05-19 | 1987-05-19 | シリコン−ゲルマニウム合金の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63285923A true JPS63285923A (ja) | 1988-11-22 |
| JPH0573323B2 JPH0573323B2 (ja) | 1993-10-14 |
Family
ID=14783304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62120319A Granted JPS63285923A (ja) | 1987-05-19 | 1987-05-19 | シリコン−ゲルマニウム合金の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4857270A (ja) |
| JP (1) | JPS63285923A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008086622A1 (en) * | 2007-01-16 | 2008-07-24 | The Governors Of The University Of Alberta | Methods for preparing silicon germanium alloy nanocrystals |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5316958A (en) * | 1990-05-31 | 1994-05-31 | International Business Machines Corporation | Method of dopant enhancement in an epitaxial silicon layer by using germanium |
| CA2050649A1 (en) * | 1990-12-07 | 1992-06-08 | Daniel Brasen | Devices based on si/ge |
| US5221413A (en) * | 1991-04-24 | 1993-06-22 | At&T Bell Laboratories | Method for making low defect density semiconductor heterostructure and devices made thereby |
| US5442205A (en) * | 1991-04-24 | 1995-08-15 | At&T Corp. | Semiconductor heterostructure devices with strained semiconductor layers |
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| US5273930A (en) * | 1992-09-03 | 1993-12-28 | Motorola, Inc. | Method of forming a non-selective silicon-germanium epitaxial film |
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| NL122356C (ja) * | 1954-05-18 | 1900-01-01 | ||
| BE638315A (ja) * | 1961-06-09 | |||
| NL288035A (ja) * | 1962-01-24 | |||
| US3338760A (en) * | 1964-06-03 | 1967-08-29 | Massachusetts Inst Technology | Method of making a heterojunction semiconductor device |
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| US3496037A (en) * | 1967-05-29 | 1970-02-17 | Motorola Inc | Semiconductor growth on dielectric substrates |
| US3898080A (en) * | 1968-05-14 | 1975-08-05 | Atomic Energy Authority Uk | Germanium-silicon Thermoelectric elements |
| US4442449A (en) * | 1981-03-16 | 1984-04-10 | Fairchild Camera And Instrument Corp. | Binary germanium-silicon interconnect and electrode structure for integrated circuits |
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| GB8431071D0 (en) * | 1984-12-08 | 1985-01-16 | Univ Glasgow | Alloys |
-
1987
- 1987-05-19 JP JP62120319A patent/JPS63285923A/ja active Granted
-
1988
- 1988-04-20 US US07/184,002 patent/US4857270A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
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| US8366826B2 (en) | 2007-01-16 | 2013-02-05 | The Governors Of The University Of Alberta | Methods for preparing silicon germanium alloy nanocrystals |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0573323B2 (ja) | 1993-10-14 |
| US4857270A (en) | 1989-08-15 |
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