DE1931624A1 - Spannungseinstellungsgeraet - Google Patents
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Description
HÖGER - STELLRECHT- GRIESSBACH - HAECKER
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19. Juni 1969
TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED I35OO North Central Expressway
DALLAS , Texas,. U. S. A.
Spannungsexnstellungsgerat
Die Erfindung betrifft ein Gerät zur Einstellung einer vorbestimmten
Spannung in einem zwischen zwei Halterungen eingespannten Faden oder Stab, insbesondere einem Halbleiterfaden
oder -stab.
Die Reduktion gasförmiger Halogenide des Siliziums und Germaniums
an einem heißen Faden zur Erzeugung des reinen HaIblei'termaterials
ist an sich bekannt. Ein typisches solches Verfahren wird in der älteren Anmeldung ( amtliches Aktenzeichen
.....) der Anmelderin beschrieben. Bei diesem Ver-
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fahren wird'ein Kristall auf einem Siliziumsubstrat dadurch
erzeugt, daß man das Substrat zunächst heiß in der Dampfphase ätzt und dann Silizium niederschlägt. Das heiße Ätzen mit
Dampf wird bei ungefähr I325 C in einer Atmosphäre durchgeführt,
"die ein gasförmiges Gemisch aus Wasserstoff und HCl enthält. Nach dem Ätzen wird Silizium auf dem das Substrat bildenden
Faden dadurch niedergeschlagen, daß man ihn einer Atmosphäre aussetzt, die Wasserstoff und Trichlorsilan enthält. Nach der
Reduktion der HCl-Konzentration wird die Fadentemperatur auf ungefähr 1200 C abgesenkt und auf dem Faden in der beschriebenen
Weise Silizium niedergeschlagen, und zwar so lange, bis ein Siliziumstab des gewünschten Durchmessers entstanden ist.
Eine Schwierigkeit, mit der man sich bei dieser Art des Kristallwachstums
immer auseinanderzusetzen hat, beruht auf der Längendehnung des Fadens, während er von Raumtemperatur auf die beim
Ätzen und Niederschlagen herrschenden Temperaturen erhitzt wird.
Diese Ausdehnung kann zum Durchbiegen des Fadens und somit zu unregelmässigen Halbleiterstäben führen, die wiederum kostspielige
Behandlungsschritte bei der weiteren Fertigung bedingen. Bei einkristallinen Fäden und der Züchtigung eines einkristallinen
Stabs können die Längsausdehnung und die damit verbundenen
Spannungen zum Einbau unerwünschter Versetzungen in den fertigen Kristall führen.
Grundsätzlich wird zum Niederschlagen eine zylindrische Kammer mit zwei Stirnplatten verwendet, mit deren Hilfe der Faden in
der gewünschten Stellung innerhalb der Kammer gehalten wird*
Um den Faden auf die für das Ätzen und das Niederschlagen erforderlichen Temperaturen zu erhitzen, wird über diese Stirn-
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plattenfourchsetzende Elektroden, die eine elektrische Verbindung
zwischen einer Stromquelle und dem Faden herstellen, ein Heizstrom zugeführt. Bisher wurde der Faden an den Elektroden
mittels einer zweiteiligen Schlupf-Spannvorrichtung befestigt,' die dazu diente, die Spannungen im erhitzten Faden durch eine
relative Bewegung zwischen den beiden Teilen zu vermindern. Es hat sich jedoch gezeigt, daß infolge des hohen^ zum Erhitzen des
Fadens erforderlichen Stroms in der Größenordnung von 400 Amp.
die beiden Teile der Spannvorrichtung häufig miteinander verschweißt
werden, so daß sie sich in einer bestimmten relativen Lage zueinander festfressen. Der Faden war dann von zwei Spannvorrichtungen
gehalten, die relativ zueinander unverschiebbar waren, so daß eine Ausdehnung des Fadens oder Halbleiterstabs
unerwünschte Spannungen mit sich brachte.
Durch die Erfindung soll nun ein Gerät geschaffen werden, mit
dessen Hilfe eine bestimmte Spannung, die auch den Wert Null annehmen kann, in einem Faden oder Stab zwischen zwei Halterungen
aufrecht erhalten werden kann, und diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung dadurch gelöst, daß eine Fühlvorrichtung für die
Ermittlung der Spannung und zur Abgabe eines entsprechend dieser Spannung von einem Ausgangswert abweichenden Signals vorgesehen
ist, und daß ferner mindestens eine der beiden Halterungen über eine Verstellvorrichtung relativ zur anderen Halterung derart
verstellbar ist, daß das Signal der Fühlvorrichtang wieder den
Ausgangswert annimmt. Besonders geeignet ist das erfindungsgemäße Gerät selbstverständlich für die Verminderung der Spannungen
in einem beheizten HalbleIterfaden. Die Fühlvorrichtung
wird zweckmäßigerweise die Spannung durch ein Abfühlen der Bewegung
der beiden Halterungen relativ zueinander ermitteln. Fer-
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ner ist es vorteilhaft, die Fühlvorrichtung so zu gestalten,
daß die Signaländerung proportional zur Spannungsanderung ist. Durch das Signal kann dann eine Servoeinrichtung gesteuert werden,
die eine der beiden Halterungen so verstellt, daß das Signal entweder verschwindet oder seinen vorgegebenen Ausgangswert
wieder annimmt und auf diese Weise das Entstehen von Spannungen verhindert oder diese auf einem vorgegebenen Wert hält.
Dies ist bei der Herstellung gewisser Kristalle Wünschenwert, da in einigen Fällen die völlige Spannungsfreiheit und damit
das Fehlen aller Versetzungen die Diffusion der Dotierungsstoffe behindert.
Weitere Merkmale und Einzelheiten der Erfindung ergeben.sich
aus der nachfolgenden Beschreibung sowie aus der Zeichnung, deren Erläuterung diese Beschreibung dient; es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Darstellung einer Reaktionskammer mit einer Rückführschleife
zur Halterung eines erhitzten Halbleiterfadens mit minimaler Spannung;
Fig. 2 eine zum Teil.geschnittene Darstellung der oberen Hälfte der in Fig. 1 gezeigten
Kammer mit einer etwas abgewandelten . Halterung, und
.Fig. 3 eine teilweise geschnittene Darstellung
der unteren Hälfte der Reaktionskammer
mit einem weiteren Ausführungsbeispiel eines Bewegungswandlers und einer Fadenhalte
rung.
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Bei dem Ausführungsbeispiel gemäß Pig. 1 ist eine aus einem
Quarzrohr IO und einer oberen und einer unteren Stirnplatte 12 bzw. m zusammengesetzte Reaktionskammer zum Niderschlagen von
Halbleitermaterial im Schnitt gezeigt. Die obere Stirnplatte nimmt ein Einlaßrohr 16 auf, durch das miteinander reagierende
Gase zum Ätzen und zum Niederschlagen des Halbleitermaterials in das Innere der Reaktionskammer geleitet werden können; über
ein Auslaßrohr 18 an der unteren Stirnplatte strömen die mindestens zum Teil verbrauchten Gase ab. über die beiden Rohre
kann die Reaktionskammer ferner mindestens teilweise evakuiert werden, um nach Abschluß des Ätzvorgangs und des Niederschiagens
etwa absorbierte Gase aus der Reaktionskammer entfernen zu können. Da Verunreinigungen in das Halbleitermaterial aus den
Werkstoffen der Reaktionskammer kommen können, ist es wesentlich, diese nur aus solchem Werkstoff zu fertigen, die den im Betrieb
auftretenden Temperaturen und den verwendeten Gasen widerstehen, ohne irgendwelche Verunreinigungen abzugeben.
Mit. 20 ist ein Haibleiterfaden bezeichnet, auf dem beispielsweise
Silizium oder Germanium niedergeschlagen werden soll, was durch die thermische Zersetzung eines entsprechenden HaIogenids
geschieht. Der Halbleiterfaden 20 wird von einer oberen und einer unteren Spannvorrichtung 22 bzw. 24 gehalten, wobei
die letztere die Form einer Schlupf-Spannvorrichtung haben kann, um so die Spannungen im Faden 20 möglichst nieder zu halten,
wenn er auf die Ätz- und Niederschlagungstemperatur erhitzt wird. Zweckmäßigerweise werden die beiden Spannvorrichtungen aus
einem harten Graphitwerkstoff hergestellt und sie weisen eine konische Bohrung auf, um die Fadenenden festzuhalten.
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Die untere Spannvorrichtung ist über einen Paßsitz an einer
Elektrode 26 angebracht, über die dem Faden 20 der Heizstrom zugeführt wird; dieser stammt aus einer nicht dargestellten
Stromquelle, die über eine flexible Zuleitung 28 und eine Klemme 30 an die Elektrode 26 angeschlossen ist. Eine Kompressionsoder Spannmutter 32 ist auf ein Rohr 34 aufgeschraubt und dient
dem Zweck, die Elektrode 26 in einer anfänglich bestimmten Stellung zu halten, die von der Länge des Fadens 20 bestimmt wird.
ψ Um die Elektrode nicht auf Temperaturen kommen zu lassen, bei
denen sie Verunreinigungen abgeben würde, ist sie wassergekühlt, und zu diesem Zweck leitet man in eine zentrale Bohrung
der Elektrode über ein Rohr 36 einen Wasserstrom. Die Bauelemente 24, 26 und 34 werden von der unteren Stirnplatte 14 über
einen flexiblen Balg 38, den man auch als Druckdose ansprechen könnte, getragen; sein unteres Ende ist an der unteren Stirnplatte 14 so befestigt, daß eine gasdichte Dichtung entstellt,
und gleiches gilt für die Befestigung des oberen Endes des Balgs 38 am Rohr 34. In die untere Stirnplatte 14 ist ein reibungsloses
Lager 40 eingeschraubt, welches das Rohr 34 hält und somit sicherstellt, daß die untere Spannvorrichtung 24 mit der
. oberen fluchtet. Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel
ist das Lager 40 luftbetrieben und über ein Rohr 42 an eine
Druckluftquelle angeschlossen. Derartige Luftlager sind im Handel erhältlich, so daß auf eine nähere Beschreibung verzichtet
werden kann. Das Lager 40 richtet nicht nur die Spannvorrichtung 24 aus, sondern es gestattet eine Längsbewegung des Rohrs 34
mit minimaler Reibung.
Der obere Teil der Reaktionskammer ist entsprechend ausgebildet
und umfaßt die folgenden Bauteile: Eine Elektrode 44 zur Zuführung
des Heizstroms zum Faden 20; eine flexible-elektrische
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Zuleitung 46, die mit einer Klemme 4.8 an der Elektrode 44
befestigt ist; ein Rohr 50 zur Halterung der Elektrode 44;
einen reflexiblen Balg 52, der bis auf die Tatsache, daß er kürzer als der Balg 38 ist, diesem völlig entspricht; ein reibungsloses 'Lager 54 mit einem Rohr 56 zur Zuleitung von Druckluft
und einem Auslaßrohr 58 für die Luft.
Um den Halbleiterfaden 20 für die Reduktion des Ätzdampfes in
die richtige Lage zu bringen, wird er zunächst in die Spannvorrichtung
22 eingeführt, die auf die Elektrode 44 aufgeschraubt ist. Dann schiebt man die untere Spannvorrichtung 24 über das
untere Ende des Fadens 20, so daß dieses ergriffen wird. Wie vorstehend beschrieben, ist die Elektrode 26 so angeordnet, daß
eine spannungsfreie Halterung des Fadens 2.0 möglich ist. Dann wird dieser elektrisch auf die Ätztemperatur und schließlich
auf die Niederschlagungstemperatur aufgeheizt- Dabei dehnt sich der Faden in Längsrichtung aus; bei einem ungefähr 5OO mm langen
Stab beträgt die Längs ausdehnung dabei ungefähr 2,5 nun.
Die Ausdehnung des erhitzten Halbleiterfadens 20 hat zur Folge, daß die Elektrode 26 nach unten verschoben wird. Dazu ist eine
gewisse Kraft erforderlich, die der Faden 20 auf die Spannvorrichtung 24 ausüben muß und die das Entstehen' von Spannungen
im Faden zur Folge hat, so daß im fertigen Kristall unerwünschte Versetzungen auftreten können. Die Abwärtsbewegung
der Elektrode 26 wird von einer Fühlvorrichtung abgetastet, die einen linearen Differentialtransformator 60 umfaßt; dieser
hat eine Primärwicklung 62 und in Serie geschaltete Sekundärwicklungen
64 und 66. Zwischen den beiden letzteren ist ein Eisenkern 68 verschiebbar geführt, so daß durch reine Ver-
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Schiebung die induktive Kopplung zwischen den Wicklungen verändert
werden kann. Der Eisenkern 68 bewegt sich, wenn die Elektrode 26 verschoben wird, da ein Übertragungsbügel 70 die
Bewegung der Elektrode 26 überträgt. Infolge einer Ausdehnung
des erhitzten Halbleiterfadens 20 wird also die induktive Kopplung zwischen Primär- und Sekundärwicklungen des Transformators
60 geändert, so daß sich auch die Ausgangsspannung des
Transformators proportional zur Verschiebung der Elektrode 26 * ändert.
An den Ausgang des Transformators ist ein Verstärker 72 angeschlossen,
dessen Ausgangssignal sich gegenüber einem Anfangswert proportional zur Eingangsspannung des Verstärkers, ändert.
Mit dem Ausgangs signal des Verstärkers wird ein Servomotor 7*1
beaufschlagt, so daß sich dessen Antriebswelle 76 entsprechend
der Abweichung des Verstärkerausgangssxgnals vom Anfangswert dreht. Die Wirkung von Servomotor 74 und Verstärker 72 entspricht
den üblichen Servoeinrichtungen. Die Umdrehungszahl
der Abtriebswelle 76, die proportional zur Größe der Ausgangssignaländerung am Verstärkerausgang relativ zum Anfangswert
ist, wird durch einen Bewegungswandler 78 in eine entsprechende lineare Bewegung eines Zapfens 80 umgesetzt, der die Elektrode
44 dadurch positioniert, daß er an deren Klemme 48 angreift.
Im Betrieb wird - ehe man den Faden 20 in die Reaktionskammer
einbringt - ein Einstellknopf 82 am Verstärker 72 so eingestellt, daß ein Ausgangswert für die Verschiebung der Elektrode 44 relativ
zur Ruhelage des Balgs 52 erzielt wird. Dann bringt man
den Faden 20 so in der Kammer an, wie dies zuvor beschrieben
worden ist, und heizt ihn elektrisch auf. Dabei dehnt er sich
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und verschiebt die Elektrode 26 in Längsrichtung, worauf der Transformator 60 anspricht und der Verstärker 72 den Servomotor
7^ in Drehung versetzt; die Abtriebswelle 76 des Motors
dreht sich dabei so, daß der Zapfen 80 nach oben verschoben wird, und dieselbe Bewegung führt dann auch die obere Spannvorrichtung
durch, so daß die Ausdehnung des Fadens 20 kompensiert wird und Spannungen im Faden bzw. Halbleiterstab beseitigt
werden. Infolgedessen kehrt die Elektrode 26 in ihre Ausgangsstellung zurück, und das Ausgangssignal des Transformators
60 nimmt wieder seinen Anfangswert an, während das Ausgangssignal des Verstärkers 72 auf Null zurückgeht. Infolgedessen
steht die Abtriebswelle 76 des Servomotors 74 still.
Das in Fig. 2 gezeigte Ausführungsbeispiel einer Konstruktion zur Einstellung der oberen Spannvorrichtung 22 ist so entworfen,
daß diese Spannvorrichtung als Folge einer Verschiebung der Elektrode 26 neu eingestellt wird. In Fig. 2 wurden für diejenigen
Teile, die auch bei dem Ausführungsbeispiel gemäß Fig.. auftreten, dieselben Bezugszeichen gewählt. Unterschiedlich
ist jedoch, daß das Druckmedium für das Luftlager 54 durch einen
Kanal zwischen diesem Lager und dem Balg 52 auch in den letzteren fließt. Der Druck im Balg wird durch einen Strömungsregler 88
gesteuert, der im Luftauslaßrohr 58 liegt und mit einem Steuersignal
aus dem Verstärker 72 beaufschlagt wird. Er ersetzt also praktisch den Servomotor 74 des in Fig. 1 gezeigten Ausführungsbeispiels.
Statt vor dem Einbau des Fadens 20 in die Reaktionskammer
mechanisch die Elektrode 44 einzustellen, wird der Druck im
Balg 52 nun so eingestellt, daß die Elektrode 44 um einen vorgegebenen
Wert verschoben wird. Der entsprechende Druckwert
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. ist durch eine Einstellung des Einstellknopfes 82 am Verstärker
72 zu wählen, wodurch tatsächlich die Durchflußmenge pro Zeiteinheit durch den Strömungsregler 88 eingestellt wird. Der
untere Teil der Konstruktion kann bei diesem Ausführungsbeispiel identisch mit demjenigen nach Fig. 1 sein.
Eine Bewegung der Elektrode 26 hat wieder eine Änderung der ^ Ausgangsspannung des Differentialtransformators 60 zur Folge,
™ und diese Spannungsänderung wird vom Verstärker 72 verstärkt,
so daß mit ihrer Hilfe der Strömungsregler 88 entsprechend ein-,
zustellen ist. Eine Abwärtsverschiebung der Elektrode 26 führt
zu einer Verminderung des Drucks im Balg 52, so daß die Elektrode
44 infolge der Federwirkung dieses Balgs angehoben wird. Dieses Anheben der Elektrode 44 vermindert jedoch die Spannungen
im erhitzten Halbleiterfaden 20, die ursprünglich zur Verschiebung der Elektrode 26 nach unten geführt haben. Durch den.Abbau
der Spannungen kann die letztgenannte Elektrode wieder in ihre Ausgangsstellung zurückkehren, so daß auch das Ausgangssignal
des Transformators 60 seinen ursprünglichen Wert annimmt.
^ Das Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 3 beschäftigt sich mit dem
unteren Teil der Reaktionskammer, der dem-gemäß an die Stelle
der entsprechenden Teile im Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 1 treten kann. Auch hier trägt die Elektrode 26 mittels der
unteren Spannvorrichtung 24 wieder den Faden 20 in der bereits beschriebenen Weise. Anstelle eines linearen Differentialtrans
for mat or 3 wird jedoch eine Düse 90 zum Abtasten der Bewegungungen
derELektrode 26 verwendet. Mit dem Ende dieser Elektrode ist ein Positionierring 92 verbunden, der gegen zwei
Einstellschrauben .94 und 96 eines. Ringkupplungsstücks 98 an-Ifegt.
Das Ringkupplungsstück 98 ist mit einer Schiene 100 ver-
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bunden, die in Führungen 102 und 104 in vertikaler Richtung
verschiebbar ist. Ihrer Verstellung dient ein Zylinder 106 mit einem Kolben IO8, und der Zylinder kann über einen Druckregler 110 und Röhre 112, 114 mit Druckmittel beaufschlagt
werden. Ein Pneumatikverstärker HS gibt einLuftdrucksignal
ab, das proportional zum Staudruck an der Düse 90 ist und
den Luftdruck steuert, mit dem der Zylinder IO6 beaufschlagt
wirdj dieses Luftdrucksignal steuert also die Läge der Schiene
100. Der Staudruck an der Düse 90 hängt vom Abstand eines
am Positionierring 92 befestigten Fühlerstifts 116 von der
Düse 90 ab. - "
Wurde der Halbleiterfaden Wie vorstehend beschrieben in die
Reaktionskammer eingebaut, so kann man die -Einstellschrauben 94 und 96 so einstellen, daß sie gegenüber der Elektrode 26
geringfügig verschoben sind. Dann wird der Fühlerstift 116 so eingestellt, daß an der Düse 90 ein Staudruck entsteht, 'der
ausreicht, um den Zylinder 106 und damit die Schiene 100 in einer bestimmten Ausgangsstellung zu halten. Bemerkenswert ist
noch, daß bei dem Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 3 die Elektrode 44 anfänglich nicht verschoben wird.
Eine Bewegung der Elektrode 26 ändert den Abstand zwischen
dem Fühlerstift 116 und dem Ringkupplungsstück 98. Diese Verschiebung führt zu einer Veränderung des Staudrucks an der Düse
90a so daß derDrUckregler 110 ein geändertes Eingangssignal erhält;' Infolgedessen ändert sich der Druck, mit dem der
Zylinder 106 beaufschlagt wird, und die Schiene 100 wird ent~
sprechend'Verstellt. Dies hat auch eine Verstellung des Ringkupplungsst'ücks
98 in einer solchen Richtung zur Folge, daß
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der ursprüngliche Abstand zwischen diesem Teil und dem Fühlerstift
116 wieder hergestellt wird. Infolgedessen nimmt auch der Staudruck der Düse 90 wieder seinen Ausgangswert an, und
der Druckregler 110 hält den neu eingestellten Druck im ZyÜn-·. ί
der, 106 aufrecht. Die Neueinstellung des Ringkupp.lungsstücks,
98 hat auch zur Folge, daß ein neuer Abstand zwischen den beiden
Spannvorrichtungen 22 und 24eingestellt wird und infolgedessen
die Spannungen im erhitzten Halbleiterfaden 20 abgebaut'
™ werden.. . . ■ - . ■ ■- , -.-■-.-.■'
Obwohl"lediglich besondere Ausfuhrungsformen. :für die Bewegungs-Fühlvorrichtung·und
die Einstellvorrichtüngen gezeichnet und.beschrieben
worden sind, ist es selbstverständlich, daß eine.:
große Zahl anderer Konstruktionen möglich ist. So "kann beispielsweise der lineare Differentialtransformator 60 durch eine Dehnungsmeßbrücke
ersetzt werden, die infolge einer Verschiebung, : der Elektrode 26 eine Spannung abgibt. Auch anstelle- der elastischen
Balge können andere Konstruktionselemente eingesetzt werden, um die Elektroden 26 und 44 mit den Stirnplatten der- /"
Reaktionskammer zu verbinden. Es seien hier nur die verschiedenen Membranen (gewellte und flache) sowie gerollte Dichtungen
erwähnt. :
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Claims (9)
- A 37 483 bb - 12319. Juni 1969Patentansprüchel.yGerät zur Einstellung einer vorbestimmten Spannung in einem '—^ zwischen zwei Alterungen eingespannten Faden oder Stab, insbesondere einem Halbleiterfaden oder -stab, dadurch gekennzeichnet, daß eine Fühlvorrichtung ( 70, 68, 60 ) für die Ermittlung der Spannung und zur Abgabe eines entsprechend dieser Spannung von einem Ausgangswert abweichenden Signals vorgesehen ist, und daß ferner mindestens eine der beiden Halterungen (22, 24) über eine Verstellvorrichtung ( 74, 78, 80 ) relativ zur anderen Halterung derart verstellbar ist, daß das Signal der kühlvorrichtung wieder den Ausgangswert annimmt .
- 2. Gerät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Signaländerung proportional der Spannung ist.
- 3· Gerät nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Verstellvorrichtung eine Servovorrichtung (74; 88, IO6, 108) zur Verstellung einer Halterung relativ zur anderen aufweist.
- 4, Gerät nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch einen auf eine Bewegung einer der beiden Halterungen ansprechenden Signalgeber (60; 90, 98, Ho) zur Abgabe eines der Spannung im Faden oder Stab proportionierten Signals.909883/1252A 37 483 b b - 12319. Juni 1969 JH -
- 5. Gerät nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß als Signalgeber ein linearer Differentialtransformator (60) vorgesehen ist, dessen Ausgangssignal sich proportional zur Verschiebung einer der Halterungen ändert.
- 6. Gerät nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Signalgeber eine ..Düse (90) zur Erzeugung eines Staudrucks eines Druckmediums umfaßt, wobei dieser Staudruck proportional zur Verschiebung einer der Halterungen relativ zur anderen ist.
- 7. Gerät nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Verstellvorrichtung eine druckmittelbetätigte Servovorrichtung (106, 108) aufweist, die mit derselben Halterung wie die Fühlvorrichtung (90) gekuppelt ist zur Rückführung dieser Halterung und Einstellung des Anfangswertes für den Staudruck.
- 8. Gerät nach Anspruch 5» gekennzeichnet durch eine einstellbare Tragvorrichtung (38, 52) für jede Halterung zur Einstellung des Abstandes der beiden Halterungen voneinander, einen vom Ausgangssignal des Differentialtransformators (60) gesteuerten Servomotor (74), sowie einen von dem letzteren angetriebenen Bewegungswandler (78) zum Verstellen der Tragvorrichtung der einen Halterung.9» Gerät nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Faden ein in einer Reaktionskamraer (10) zum Niederschlagen von Halbleitermaterial aufgehängter Halbleiterfaden (20) ist, daß die Kammer eine erste Stirnplatte (X2) aufweist, die die eine Halterung (22) an einer vorbestimmten Stelle hält, daß die Kammer ferner eine der ersten gegenüberliegende zweite Stirnplatte (1*0 hat, die die909883/1252A 37 483 bb - 12319- Juni 1969zweite Halterung so hält, daß sie mit der ersten fluchtet, daß durch die Stirnplatten jeweils ein elektrischer Leiter (26, 44) hindurchführt, deren Enden die Halterungen tragen, so daß der Halbleiterfaden über diese Leiter elektrisch" aufheizbar ist, daß ferner an den Stirnplatten reibungsarme Lager (54, 40) angeordnet sind, die die elektrischen Leiter umgeben und die Halterungen in einer Lage halten, daß sie miteinander fluchten, und daß von den Tragvorrichtungen (52, 3B)" mindestens eine in Längsrichtung des zugehörigen ■ Leiters verstellbar und einerseits an der zugehörigen Stirnplatte, andererseits an d'ieeem Leiter befestigt ist, der die Tragvorrichtung durchsetzt.10. Gerät nach Anspruch 9» dadurch rekennzeichnet, daß jede Tragvorrichtung einen Balg (52, 38) aufweist. ·11. Gerät nach einem der Ansprüche 4, 6 und 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Verstellvorrichtung ein Druckreglerventil (110) aufweist, das durch den Staudruck steuerbar ist Λ und daß das Innere des einen Balgs (38) zwecks Einstellung des Innendrucks an den Druckregler angeschlossen ist zur Verstellung der diesem Balg zugeordneten Halterung (24).
- 9 0 9 8 8 3/1252
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US74402868A | 1968-07-11 | 1968-07-11 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1931624A1 true DE1931624A1 (de) | 1970-01-15 |
Family
ID=24991137
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19691931624 Pending DE1931624A1 (de) | 1968-07-11 | 1969-06-21 | Spannungseinstellungsgeraet |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3558281A (de) |
DE (1) | DE1931624A1 (de) |
FR (1) | FR2014565A1 (de) |
GB (1) | GB1272018A (de) |
NL (1) | NL6910223A (de) |
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-
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- 1968-07-11 US US744028A patent/US3558281A/en not_active Expired - Lifetime
-
1969
- 1969-06-19 GB GB31035/69A patent/GB1272018A/en not_active Expired
- 1969-06-21 DE DE19691931624 patent/DE1931624A1/de active Pending
- 1969-07-03 NL NL6910223A patent/NL6910223A/xx unknown
- 1969-07-10 FR FR6923468A patent/FR2014565A1/fr not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL6910223A (de) | 1970-01-13 |
GB1272018A (en) | 1972-04-26 |
FR2014565A1 (de) | 1970-04-17 |
US3558281A (en) | 1971-01-26 |
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