DE1952161A1

DE1952161A1 - Kupplung fuer elektrische Geraete

Info

Publication number: DE1952161A1
Application number: DE19691952161
Authority: DE
Inventors: Dyer Lawrence Dean
Original assignee: Texas Instruments Inc
Current assignee: Texas Instruments Inc
Priority date: 1968-12-12
Filing date: 1969-10-16
Publication date: 1970-06-25
Also published as: US3538483A; FR2025924A1; NL6915381A

Description

DFt.-ΙΝβ. 3IFL-INQ. N,. SS. blPU.-PHYS. BK. 0IPL.-PHY3.

HOGER-STELLRECHT-GRIESSBAGH-HAEeKeR

PATENTANWÄLTE IN STUTTGART

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11.August 1969
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Texas Instruments Incorporated Dallas/Texas, 13500 North Central. Expressway

(USA) ■' ■ . -■' /-■ :

Kupplung für elektrische Geräte.

Die Erfindung betrifft eine elektrische Kupplung zum Aufrechterhalten eines konstanten und im wesentlichen reibungsfreien-Kontaktes zwischen" einer ersten und einer zweiten elektrischen Leitung.

Sie betrifft insbesondere eine Kupplung zum Kuppeln und Regulieren der Spannung eines V/iderstandsdrahtes, wie z.B. eines Drahtes aus Halbleitermaterial, während der Ablagerung von Halbleitermaterial aus der Dampfphase auf dem Draht.

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Halbleiterniaterialien, wie Silicium und Germanium, wenden gewöhnlich bei der Herstellung von Halbleiterinstrumenten, wie Dioden, Transistoren und integrierten Schaltkreisen verwendet. Üblicherweise wird hierbei das Halbleitermaterial aus der, Dampfphase auf einen erhitzten Draht, der aus demselben Material besteht, niedergeschlagen oder abgelagert. Hierzu wird ein langgestreckter, im wesentlichen zylindrischer oder flacher Draht in einem Reaktor, z.B. einer Quarzröhre, angeordnet, die geeignete Stirnplatten und Graphitelektroden aufweist, zwischen denen die Enden des Ausgangsdrahtes eingespannt werden. An die Elektroden wird eine Spannung angelegt, so daß ein Strom durch den Draht fließt und ihn erhitzt.

Meist wird der Draht am Anfang auf eine Temperatur von etwa 1300° C erhitzt und mit Gasen bzw. Dämpfen, wie'Wasserstoff oder einem Wasserstoffhalogenidvorbehandelt, um die Drahtoberfläche zu ätzen* Danach wird die Temperatur des Drahtes auf etwa 1250 C abgesenkt und ein Gasstrom aus Wasserstoff und einem Siliciumhalogenid über den Draht geleitet. Die gasförmigen Komponenten des Gasstromes reagieren bei Berührung mit dem heißen Draht, wodurch auf dessen Oberfläche Silicium niedergeschlagen wird. Verfahren dieser Art'sind in den USA-Patentschriften 3 168 422 und 3 172 791 beschrie.-', ben. ,

Bei der Durchführung der oben beschriebenen Verfahren in den üblichen Anlagen sind Probleme aufgetaucht, da,das gezüchtete Halbleitermaterial nicht gleichmäßig anwächst und/oder Fehlstellen aufweist j was erstens auf Spannungen zurückzuführen ist^ die infolge der seitlichen Einspannung und der

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nicht^axialen Anordnung des oberen und unteren Putters entstehen und zweitens .auf Spannungen, die infolge der Längsausdehnung des Drahtes bei der Erwärmung auf die Ätztemperatur und die Niederschiagstemperatur entstehen. Die aufgrund der Längsausdehnung auftretende Spannung kann zu einer Durchbiegung des erzeugten Halbleiterstap-els und zu einem unregelmäßigen niederschlag bzw·, einem unregelmäßigen Anwachsen des Halbleitermaterials führen. Derartige Halblei-, terstäbe erfordern eine teuere und umfangreiche Nachbehandlung, Y/enn. der Draht monokristallin ist und ein Halbleiter in Form eines Einkristalles gezüchtet werden soll, kann die Ausdehnung zu einer Spannungszunahme führen, die unerwünschte Versetzungen iin Kristall erzeugt, die in vielen Fällen das fertige Erzeugnis für elektronische Zwecke ungeeignet machen.

Man hat versucht, das Auftreten von Spannungen infolge der Längsausdehnung des Drahtes während der Behandlung zu vermeiden, indem man ein Verschieben oder Gleiten zwischen Draht und Putter zugelassen hat. Bei dieser Methode entstehen jedoch Reibungskräfte, die zu unerwünschten Spannungen im Draht führen können. Außerdem verschweißt manchmal der Draht mit dem Graphitfutter während des Aufheize'ns, wodurch ebenfalls unerwünschte Spannungen sowohl beim Aufheizen wie auch bei der Ausdehnung des Drahtes und bei der Zusammenziehung während des Abkühlens entstehen. ·

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung zu schaffen, die die obengenannten Nachteile vermeidet.

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Gemäß der Erfindung wird dies erreicht durch eine rohrförmige Hülse mit einem offenen und einem geschlossenen Ende, in der eine leitfähige Flüssigkeit aufgenommen werden kann, wenn das offene Ende nach oben gerichtet ist, eine Einrichtung, um die erste elektrische Leitung mit der leitfähigen Flüssigkeit zu verbinden, einen langgestreckten Kontaktstab, der über der Hülse angeordnet ist und dessen eines Ende mit der zweiten elektrischen leitung verbunden ist, während sein anderes Ende sich in die Hülse erstreckt und Kontakt mit der leitfähigen Flüssigkeit hat, ferner durch eine Einrichtung zum Regulieren der Reibung, um einen gleichmäßigen Gasstrom vom Innenumfang der Hülse zuzuführen und um dadurch den; Kontaktstab im Abstand hiervon zu halten, während er die leitfähige Flüssigkeit berührt.

Die erfindungsgemäßen Maßnahmen ermöglichen es, einen Widerstandsdraht mit einer elektrischen Leitung zu verbinden, wobei die Spannung in dem Widerstandsdraht während seiner Ausdehnung und Zusammenziehung regulierbar ist. Zwischen dem Draht und dem elektrischen Leiter ist während des Erwärmens und Abkühlens des Drahtes ein im wesentlichen reibungsfreier Kontakt vorhanden.

Da hierdurch die Entstehung von Spannungen in dem Draht vermieden werden, kann die Bildung von unregelmäßig'geformten Kristallen und die Ausbildung von Fehlern in den Kristallen des Halbleitermaterials verhindert werden. Der Draht kann eich dabei relativ zu dem elektrischen Leiter praktisch reir bungsfrei bewegen.

Vorteilhafterweiseist der Halbleiterdraht senkrecht zwischen einer oberen Elektrode und der Kupplung in einem Reaktor ange-

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ordnet, wobei die Kupplung mit Einrichtungen zum Abstützen eines Teiles des Gewichtes des Drahtes beim Erwärmen und Abkühlen vers.ehen ist, um eine plastische Verformung des Drahtes zu verhindern. Der leitfähige Stab ist mit dem Halbleiterdraht wirksam verbunden und arbeitet praktisch reibungsfrei mit einer leitenden Flüssigkeit zusammen. Zweckmäßigerweise ist die erfindungsgemäße Vorrichtung mit einer Gassperre versehen, um zu verhindern, daß Dämpfe aus der leitfähigen Flüssigkeit ins Innere des Reaktors eintreten.

Beispielsweise Ausführungsformen der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung erläutert,' in der ■ . ·

Fig. 1 eine teilweise geschnittene Ansicht einer

bevorzugten Ausführungsform der erfindungsgemäßen Kupplung zeigt, die in einem Reaktor zur Herstellung von kristallinen Halbleiterstäben aus der Dampfphase angeordnet ist.

Pig. 2 ist eine Draufsicht auf die untere Stirn-. platte des Eeaktors nach Pig. V.

Pig. 3 ist ein Schnitt längs der Linie 3-3 in Pig.2.

Pig. 4 ist ein Schnitt längs der Linie 4-4 von Pig.2.

Der Reaktor 10 nach Pig.1 umfaßt ein zylindrisches.Quarzrohr 11, das durch Spannringe 14 und 15 zwischen Stirnplatten 12 und 13 gehalten, ist.. Die Stirnplatten 12 und 13 sind mit den Spannringen 14, 15 durch Schrauben und Muttern 16"' verbunden. Im Reaktor 10 ist ein Halbleiterdraht 17 angeordnet, der zwischen Puttern 18 und 19 aus Graphit gehalten und elektrisch angeschlossen ist. Eine Elektrode 19a er-

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streckt sich durch die Stirnplatte 13 und ist an das Putter 19 angeschlossen. Eine elektrische Kupplung 20 verbindet das Futter 18 mit einer Elektrodenhalterung 21, die mit einer Leitung 22 verbunden ist. Hie Elektrode 19a und die Leitung 22 . sind an eine übliche elektrische Energiequelle- angeschlossen.

Durch die Stirhplatte 13 verläuft eine Rohrleitung 23 für die" Einleitung von reaktionsfähigen Gasen ins Innere des Reaktors TO. Eine Rohrleitung 24 verläuft durch die Stirnplatte 12 und £ dient zur Abfuhr der Abgase . . der nicht in Reaktion getretenen-Reaktionsmittel aus dem Innern des Reaktors 10.

Die Kupplung 20 hat einen Bodenteil und einen oberen Teil, der relativ zum Bodenteil in senkrechter Richtung bewegbar ist. Der' obere Teil der Kupplung 20 umfaßt einen Gasschirm 25, das Futter 18 und einen Stab 26, der von der Innenfläche des Gasschirmes 25 aus nach unten in eine hülsenförmlge Kammer 28 des Bodenteiles der Kupplung 20 verläuft. Der Bodenteil der Kupplung 20 wird von der Stirnplatte 20 getragen, wie die Fig. 1 bis 4 zeigen. Der Bodenteil der Kupplung 20 besteht im wesentlichen aus einem rohrförmigen Gehäuse 27, welches eine Kühlkammer 29 sowie die Kammer 28 umschließt, in der \ der Stab 26 aufgenommen ist, wie Pig.1 zeigt,

Der Boden der Kammer 28 ist durch einen Stopfen 30 geschlos- , sen. Wie Pig.3 zeigt, ist der Stopfen 30 im wesentlichen . hohlzylindrisch ausgebildet, an seinem unteren Ende geschlos-' sen und an seinem oberen Ende mit einem Gewinde versehen, so daß er in.ein Gewinde im unteren Ende der Kammer 28 einsehraübbar ist. Der Stopfen 30 dient dazu, eine leitfähige Flüssigkeit 31 $ wie z.B. ein geschmolzenes oder flüssiges Metall in der Kammer 28 zu halten. Am Boden des Stopfens 30 ist eine

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Heiz einrichtung 32 angebracht, um dem. Metall 31 Wärme zuzuführen und es in flüssigem Zustand zu-halten» Die Heizeinrichtung 32 ist mit Kabeln 32a versehen, die an eine übliche Energiequelle angeschlossen sind. Die Elektrodenhalterung 21 ist um den Stopfen 30 angeordnet.

Eine gasdurchlässige, zylindrische, poröse Büchse 33 ist ' beim oberen Ende der Kammer 28 angeordnet. Die Büchse 33 kann aus irgendeinem porösen Metall bestehen, so kann sie beispielsweise eine poröse vorgeschmierte große Büchse sein, die erhitzt worden ist,- um das Öl zu entfernen.. Die Büchse 33 wird im offenen Ende der Kammer 28 durch eine Halterung 34 gehalten, die in eine Verzahnung oder in Ansätze, die an jedem Ende der Büchse 33 ausgebildet sind, eingreift, um einen ringförmigen Raum 35zwischen der Wand der Kammer 28 und dem Außenumfang der Achse 33 zu bilden.

Eine Rohrleitung 36 für die Zufuhr von Reguliergas erstreckt sich durch das Gehäuse 27, die Kühlkammer 29 und den oberen Teil der Kammer 28 und steht in Verbindung mit dem ringförmigen Raum 35· Iⁿ der Rohrleitung 36 ist ein Regelventil 37 eingebaut. Eine Rohrleitung 38 für die Abfuhr des Reguliergases steht in Verbindung mit dem Innern der Kammer 28 unterhalb der porösen Büchse 33 und ist mit einem Regelventil 39 versehen. Eine Rohrleitung 40 ist stromaufwärts von dem Regelventil 39 an die Rohrleitung 38 angeschlossen und mit einem' Manometer 41 ausgerüstet.

In Fig.4 ist das Kühlsystem für den Bodenteil der Kupplung 20 dargestellt. Eine Rohrleitung 42 für den Einlaß eines Kühlmittels erstreckt sich durch, das Gehäuse 27 bis zu einer.

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Stelle angrenzend ans obere Ende des Gehäuses 27 innerhalb^: der Kühlkammer 29. Eine Rohrleitung 43 für den Austritt des Kühlmittels verläuft durch den Boden des Gehäuses 27 zum unteren Teil der Kühlkammer 29»

Der in FIg.1 gezeigte Reaktor 10 kann verwendet-werden,, um Halbleitermaterialien aus der Dampfphase niederzuschlagen, wie z.B. Silicium,' Germanium und Verbindungen aus den Gruppen HIa und Va des Periodischen Systems, wie im Handbook |, of Chemistry and Physics der Chemical Rubber Co., 1964 auf Seite B2 erläutert ist. Zum Zwecke der Erläuterung wird jedoch die Erfindung anhand der Herstellung eines Silicium-Stabes beschrieben.

Im Betrieb wird zunächst ein Draht 17 aus Silicium, der als • Keimdraht wirkt, zwischen den Futtern 18 und 19 angeordnet und gehalten. In den meisten -Fällen wird die Reaktionskammer zunächst evakuiert, worauf durch den Draht 17 ein Strom geleitet wird bis er auf eine Temperatur von etwa 1325° C erhitzt ist. Danach w.erden ätzende Dämpfe, "wie z.B. Wasserstoff ■und Wasserstoffchlorid durch die Rohrleitung 23 in vorgegebener V/eise und über eine vorgegebene Zeitspanne, beipielsweise 30 Minuten lang in den Reaktor eingeführt und über die Rohrleitung 24 abgezogen. Durch die elektrische Kupplung ,wir-d während dieser anfänglichen Aufheizung ein unerwünschtes Verformen des Drahtes 17 und die Entstehung von Kristall- _r störstellen verhindert, da der Draht 17. sich im wesentlichen reibungsfrei in Längsrichtung ausdehnen kann. ;

Danach wird über die Leitungen 32a der Heizeinrichtung 32 Strom zugeführt, um das Metall 31 zu schmelzen. Es kann jede

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gut leitfähige Flüssigkeit, verwendet werden, die bei' der Temperatur in der Kammer 28 nicht zerfällt oder sich entzündet, wie z.B. Quecksilber. Es wird jedoch vorzugsweise ' ein Metall verwendet, das oberhalb der Zimmertemperatur fest wird, um das Innere der Reaktionskammer vor der Erwärmung des Drahtes 17 evakuieren zu können, ohne verunreinigende Metalldämpfe ins Innere der Kammer zu saugen. Gallium wird als flüssiger leiter am meisten vorgezogen, da es einen niedrigen Dampfdruck hat-, bei etwa 30° C schmilzt und vor dem Erstarren unterkühlt. Die Erfindung wird daher unter Verwendung von Gallium als leitende Flüssigkeit 3-1 beschrieben. Wenn das Gallium 31 durch die Heizeinrichtung 32 geschmolzen ist und der Stab 26 sich frei in dem flüssigen Gallium bewegen kann, werden die Regelventile 37 und 39 geöffnet, so daß ein Reguliergas über die poröse Büchse 33 ein- und durch die Leitung 38 und unterhalb des Gasschirmes 25 abströmen kann. Das Reguliergas kann irgendein Gas sein, das keine schädliche Auswirkungen auf das Ätzen und das Niederschlagen des Halbleitermaterials hat. Vorzugsweise wird hierfür Wasserstoff verwendet. Infolge des durch die Büchse 33 strömenden Wasserstoffgases entsteht an der Öffnung der Kammer 28 ein Druckgradient, d.h. der Druck in der Lütte der Büchse 33 ist größer als an jedem Ende der Büchse 33. Hierdurch wird eine Gassperre geschaffen, durch welche das Eintreten von Galliumdämpfen ins Innere der Reaktionskammer verhindert wird. Dämpfe, die aus dem flüssigen Gallium 31 austreten", werden mit dem Wasserstoffgas abgeführt, das durch die Auslaßleitung 38 abströmt. Durch das durch die Büchse 33 strömende Gas wird ferner ein im wesentlichen gleichmäßiger Gasdruck um den Stab 26 aufrecht erhalten, wodurch dieser in der Öffnung der Kammer 28 ausgerichtet"bleibt, so daß jede senk-

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rechte Bewegung des Stabes 26 relativ zur Kammer 28 praktisch reibungsfrei ist.

Jetzt wird das Regelventil 39 langsam geschlossen. Hierdurch wird der Druck auf das flüssige Gallium 31 gesteigert, wodurch der Stab 26 nach oben gedrückt wird. Das Regelventil wird so lange verstellt bis der auf dem Manometer 41 abgelesene Druck ausreicht, -das Gewicht des oberen Teiles der Kupplung 20, einschließlich des Stabes 26, des Gasschirmes

L· und der Passung.18, sowie eine Hälfte des Gewichtes des

Drahtes 17 aufzunehmen, während eine ausreichende Strömung aufrechterhalten wird, um den Stab 26 im Abstand von der Innenfläche der Büchse 33 zu halten. Hierdurch kann sich der Draht 17 während der Erwärmung gleichmäßig ausdehnen, ohne daß verformende Kräfte auf ihn einwirken.

Danach wird durch· die Rohrleitung 42 Kühlwasser zugeführt und durch die Kühlkammer 29 geleitet und durch die Rohrleitung 43 abgeführt. Die Kühlkammer 29 ist nicht bei sämtlichen elektrischen Kupplung3fbr.gangen notwendig, wird jedoch vor-

. zugsweise verwendet, um eine unerwünschte Ausdehnung des Gehäuses 27 zu verhindern, die zu einer Berührung mit dem Gas- w schirm 25 führen könnte. In gleicher Weise ist die Anwesenheit des Gasschirmes 25 sowie seine besondere Form, d.h. sine eich radial vom Stab 26 weg erstreckende Platte, die'in einem nach unten gerichteten Leitmantel endigt, nicht bei'allen

- elektrischen KupplungBvorgängen erforderlich. Ein Gasachirm mit der in Pig.1 dargestellten Form wird jedoch .bei der dort dargestellten Ausführungsform vorgezogen, um erstens die Reaktionsgase und die Nebenprodukte des Ablagerungsprozesses

■von der Kammer 28 abzulenken und um zweitens das Wasserstoff-

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gas von der Kammer 28 zur Auslaßleitung 24 zuführen. Durch die Wirkung des durch die Büchse 33 strömenden Wasserstoffgases erhält man einen im wesentlichen reibungsfreien Kontakt des Stabes 26-in der Kammer 28, eine Regulierung der Längsspannung in dem Draht 17 und es wird ferner eine Gassperre gebildet, um das Eindringen von Metalldämpfen ins Innere des Rohres 11 zu verhindern.

Danach wird durch den Draht 17 in üblicher Weise ein elektrischer Strom geleitet und durch den Reakt.or 10 werden ätzende Dämpfe geführt. Am Ende des Ätzvorgariges wird der durch den Draht 17 fließende Strom normalerweise reduziert bis sich eine Temperatur von etwa 125O⁰G einstellt, und es v/erden übliche gasförmige Reaktionsmittel, wie Trichlorsilan, Wasserstoff Chlorid und Wasserstoff durch die Reaktionskammer geleitet und in Berührung mit dem Draht 17 gebracht. Nach dem anfänglichen Aufheizen kann die Strömung d.es Wasserstoffgases durch die Kupplung 20 durch teilweises Schließen des Regelventiles 37 reduziert werden. Hierdurch kommt die tragende Wirkung des Gases auf die Kupplung 20 in"Wegfall, während jedoch die Gassperre aufrecht erhalten wird und ebenso der Druck in der Rohrleitung 38 auf einem Wert gehalten wird, der das Gewicht des oberen Teiles der Kupplung 20und etwa die Hälfte des Gewichtes des Drahtes 17 ausgleicht. Da der Draht 17 sich bereits ausgedehnt hat, ist es nicht notwendig, zu diesem Zeitpunkt einen reibungsfreien elektrischen.Kontakt mit der Leitung 22 herzustellen.

Unmittelbar vor Beendigung der Ablagerung, wenn der Strom durch den Draht 17 abgeschaltet wird, wird das Regelventil stärker geöffnet, um auf die Kupplung 20 durch das Gas wie-

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der eine tragende Wirkung auszuüben,, Der Druck in der Aus'laßleitung 38 wird auf einem Viert gehalten, der das Gewicht des oberen 2eiles der Kupplung 20 und et v/a eine Hälfte des Ge-, Wichtes des gezüchteten Sxliciuinstabes ausgleicht. Der durch den Draht 17 flieJ3ende Strom wird dann abgeschaltet, so daß der Draht 17 sich-abkühlen und zusammenziehen kann, ohne daß praktisch irgendwelche verformenden Kräfte auf ihn einwirken.

Für die Kupplung 20 kann irgendein geeignetes Material verwendet werden. Das Putter 18 besteht vorzugsweise aus Graphit oder einem anderen elektrisch leitenden Material. Der Stab 20 sollte aus einem Material bestehen, das' sich in der leitfähigen Flüssigkeit 31 nicht auflöst oder mit dieser reagiert und in dessen Gitter die leitfähige Flüssigkeit 31 nicht eindiffundiert, wobei sich beispielsweise rostfreier Stahl eignet. Der Gasschirm 25 besteht vorzugsweise.aus einem.nicht korrosiere.nden Material, wie rostfreiem Stahl.

In manchen Anwendungsfällen, bei denen mit niedrigen Temperaturen gearbeitet wird, kann die Kühlkammer 29 oder der Gasschirm 25 weggelassen werden.

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Claims

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Patentansprüche:

Γ l.i Kupplung zur Herstellung und Aufrechterhaltung eines konstanten und im wesentlichen reibungsfreien Kontaktes zwischen einer ersten und einer zweiten elektrischen Leitung, insbesondere zwischen dem unteren Ende eines in einem Reaktor senkrecht zwischen zwei Futtern angeordneten Halbleiterdrahtes und einer elektrischen Leitung, wobei der Draht sich ausdehnt und zusammenzieht, gekennzeichnet durch eine rohrförmige Kammer (28) mit einem offenen oberen Ende und einem geschlossenen unteren Ende, in welcher eine leitfähige Flüssigkeit (3D angeordnet ist, eine Halterung (21), um die erste elektrische Leitung (22) mit der leitfähigen Flüssigkeit (3D zu verbinden, einen langgestreckten, leitfähigen Stab (26), der sich in die Kammer (28) erstreckt, und dessen eines Ende mit dem unteren Ende der zweiten Leitung (17) verbunden ist, während sein anderes Ende mit der leitfähigen Flüssigkeit (31) in Berührung steht, und durch eine Einrichtung für die Zufuhr eines im wesentlichen gleichmässigen Stromes eines Reguliergases in die Kammer (28), um den Stab (26) im Abstand vom Innenumfang der Wand der Kammer (28) zu halten, während er die leitfähige Flüssigkeit .(31) berührt.
2. Kupplung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine poröse Büchse (33) zur Verteilung des Reguliergases, die im Innern der Kammer (28) an deren oberem Ende angebracht ist, um in der Kammer (28) über der Flüssigkeit (3D einen Druckabfall zu erzeugen und das Eintreten von

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Dämpfen aus der Flüssigkeit in den Reaktor (lo) zu verhindern, ferner durch eine Rohrleitung (36) für die Zufuhr des Gases zu der Büchse (33) und einen Abzug, insbesondere eine Rohrleitung (38) für die Abführung des Gases aus der Kammer (28), der unterhalb der Büchse (33) an die Kammer (28) angeschlossen ist.
3. Kupplung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Abzugsrohrleitung (38) mit einem Druckregelventil (39) versehen ist.
H. Kupplung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass sie mit einem Gasschirm(25) versehen ist, der sich radial von dem leitfähigen Stab (26) aus über das offene Ende der Kammer (28) erstreckt.
5· Kupplung nach Anspruch Ji, dadurch gekennzeichnet, dass der Gasschirm (25) an seinem Aussenumfang mit einem rohrförmigen Mantel versehen ist, der im Abstand um die Kammer (28) verläuft.
6. Kupplung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch ein die Kammer (28) im Abstand wenigstens teilweise umschliessendes Gehäuse (27), das. einen Kühlraum (29) zum Kühlen der Kammer (28) bildet.
7. Kupplung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die leitfähige Flüssigkeit (31) ein Metall ist.

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8. Kupplung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Metall Gallium ist.
9. Kupplung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine Heiseinrichtung (32), um die leitfähige Flüssigkeit (31) in flüssigem Zustand zu halten.
10. Kupplung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß durch das über die Leitung (36) zugeführte Regulier-Gas auf die leitfähige Flüssigkeit (31) ein Druck ausübbar ist, der ausreicht, das Gewicht· des Stabes (26), des Gasschirmes (25), des Futters (18) und . die Hälfte des Gewichtes des Drahtes (17) auszugleichen.

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