DE3544812C2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE3544812C2 DE3544812C2 DE3544812A DE3544812A DE3544812C2 DE 3544812 C2 DE3544812 C2 DE 3544812C2 DE 3544812 A DE3544812 A DE 3544812A DE 3544812 A DE3544812 A DE 3544812A DE 3544812 C2 DE3544812 C2 DE 3544812C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- tube
- quartz glass
- double
- wall
- outer tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
- C30B31/10—Reaction chambers; Selection of materials therefor
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/13—Hollow or container type article [e.g., tube, vase, etc.]
- Y10T428/131—Glass, ceramic, or sintered, fused, fired, or calcined metal oxide or metal carbide containing [e.g., porcelain, brick, cement, etc.]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/13—Hollow or container type article [e.g., tube, vase, etc.]
- Y10T428/131—Glass, ceramic, or sintered, fused, fired, or calcined metal oxide or metal carbide containing [e.g., porcelain, brick, cement, etc.]
- Y10T428/1314—Contains fabric, fiber particle, or filament made of glass, ceramic, or sintered, fused, fired, or calcined metal oxide, or metal carbide or other inorganic compound [e.g., fiber glass, mineral fiber, sand, etc.]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Rigid Pipes And Flexible Pipes (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Doppelwand-Quarzglasrohr für die
Durchführung halbleitertechnologischer Prozesse mit einem
Innenrohr und mit einem koaxial mit Abstand zum Innenrohr,
einen Ringraum bildend, angeordneten Außenrohr, die an ihrem
einen, einander zugeordneten Ende jeweils ein Abschlußteil
aufweisen, wobei an dem Abschlußteil des Innenrohres ein
Prozeßgas-Zuführungsstutzen angebracht ist, der durch das
Abschlußteil des Außenrohres gedichtet hindurchgeführt ist,
wobei das Außenrohr an seinem anderen Ende mit der Außenseite
des Innenrohres dicht verbunden und mit je einem Stutzen
an jedem Ende zur Zu- bzw. Abfuhr eines Spülgases versehen
ist.
Auf solche Doppelwand-Quarzglasrohre wird in den Aufsätzen
"Furnace Contamination and its Remedies", Paul F. Schmidt,
Solid State Technology/June 1983, Seite 147 ff. und "Contami
nation Control Using HCl Gas; Effects on Silica Glas and
Minority Carrier Lifetime", R. Krishnamurthy, B. E. Ramachandran,
K. Kaliyamurthy, Solid State Technology/August 1985, Seite
213 ff. Bezug genommen.
Zur Abscheidung von Silizium sowie beim Schmelzen und Dotieren
von Halbleiterkörpern in einem Prozeßrohr wird eine hohe
Reinheit der Atmosphäre gefordert. Verunreinigungen, insbesondere
durch bestimmte Metalle, aber auch durch Phosphor, sollen
nach Möglichkeit weitgehendst vermieden werden. Kritische
Verunreinigungen sind vor allem auch die Alkalien, die Elemente
der III/V Gruppe des Periodischen Systems der Elemente allgemein
sowie Kupfer und Schwermetalle. Als Prozeßrohre werden Rohre
aus Quarzglas eingesetzt, die sich besonders gut aufgrund
ihrer hohen Reinheit und Korrosionsbeständigkeit eignen.
Bei den Heißprozessen der Halbleitertechnik ist von den Alkali
metallen besonders das stets in gewissem Umfange vorhandene
Natrium unerwünscht. Um MOS-Bauelemente (Metalloxide-semiconductor)
mit guten elektrischen Eigenschaften zu erhalten, ist es
bekannt, in die Außenfläche der Quarzglas-Prozeßrohre Aluminium
ionen einzubauen, die eine starke Getterwirkung auf einwertige
Metallionen ausüben, die dadurch ihre Eigenbeweglichkeit
verlieren und sich nur noch mit einer sehr geringen Diffusions
rate bewegen. Solche Schichten stellen eine Diffusionssperre
auch gegen Natrium dar. Weiterhin wird versucht, die Sauberkeit
der Heizquellen, die eine Ursache für Verunreinigungen sind,
zu erhöhen.
Da an die Qualität der in diesen Quarzglas-Prozeßrohren behandel
ten Halbleiterscheiben immer höhere Anforderungen gestellt
werden, ist man dazu übergegangen, doppelwandige Diffusionsrohre
aus Quarzglas einzusetzen, wobei in dem Zwischenraum zwischen
den beiden Quarzrohren während der Behandlung mit einem Spülgas
gespült wird, wodurch die durch die Wandung des äußeren Rohres
hindurchdiffundierenden Ionen gebunden und abtransportiert
werden. Bei den bekannten, oben erwähnten doppelwandigen
Diffusionrohren ist eine erhebliche Ausfallquote zu beobachten,
die sich in Form von Brüchen, Rissen und Abreißen der Zu
und Abführstutzen, insbesondere der Stutzen für die Zuführung
des Prozeßgases in das Innenrohr, äußern, und zwar infolge
der unterschiedlichen Ausdehnungen des Innenrohres und des
Außenrohres.
Ausgehend von diesem Stand der Technik liegt der Erfindung
die Aufgabe zugrunde, ein Doppelwand-Quarzglasrohr für die
Durchführung von halbleiter-technologischen Prozessen zu
schaffen, bei dem Beschädigungen, insbesondere durch in den
Quarzglasrohren auftretende Spannungen bei der Wärmebehandlung
im Ofen, vermieden werden.
Gemäß der Erfindung wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß
das Innenrohr einen Innendurchmesser von mindestens 150 mm
besitzt, daß mindestens eines der beiden Abschlußteile im
wesentlichen eben ausgebildet ist, daß die Achse des Prozeß
gas-Zuführungsstutzens mit der Verlängerung der Achse des
Innenrohres zusammenfällt und mindestens über seine Länge
zwischen den beiden ebenen Abschlußteilen einen Innendurchmesser
aufweist, der 20% bis 70% des Innendurchmessers des Innen
rohres beträgt, und daß das Außenrohr einerseits mit dem
Prozeßgas-Zuführungsstutzen und andererseits mit der Außenseite
des Innenrohres gasdicht verschmolzen ist.
In bevorzugter Weise ist das Abschlußteil des Außenrohres
eben ausgebildet. Besonders bewährt haben sich Doppel
wand-Quarzglasrohre, bei denen beide Abschlußteile im wesent
lichen eben ausgebildet sind.
Durch die erfindungsgemäße Ausbildung des Doppelwand-Quarz
glasrohres werden Längenänderungen zwischen dem Innen- und
dem Außenrohr ausgeglichen. Bei einer solchen Längenänderung
tritt eine Verschiebung der Abschlußteile, die über den Prozeß
gas-Zuführungsstutzen in ihrem Mittelbereich miteinander
in Verbindung stehen, auf. Mit einer solchen Ausbildung des
Doppelwand-Quarzglasrohres ist es möglich, das Außenrohr
einerseits mit dem Prozeßgas-Zuführungsstutzen und andererseits
mit der Außenseite des Innenrohres gasdicht zu verschmelzen,
so daß ein abgeschlossener Raum für das Spülgas zwischen
Innen- und Außenrohr erhalten wird.
Um eine ausreichende Nachgiebigkeit der Abschlußteile zu
gewährleisten, kann die Wandstärke dieser Abschlußteile
geringer gewählt werden als die Wandstärke der betreffenden
Rohrwand; ausreichend ist, bei einem Doppelwand-Quarzglasrohr
mit einem Innendurchmesser des Innenrohres von 150 mm eine
Wandstärke von etwa 3 mm. Durch die Anordnung des Prozeß
gas-Zuführungsstutzens in der verlängerten Achse des Innenrohres
mit einem Durchmesser des Prozeßgaszuführungsstutzens im
Bereich von 20% bis 70% des Innendurchmessers des Innenrohres,
vorzugsweise im Bereich von 35%, wird eine ausreichende
Stabilität und zentrale Verbindung zwischen den beiden Abschluß
teilen, durch die die Längenausdehnung kompensiert wird,
erreicht. Außerdem wird mit einem solchen in seinem Durchmesser
ausreichend groß dimensionierten Zuführungsstutzen eine gute
Zentrierungshilfe zwischen Innen- und Außenrohr beim Zusammenbau
der Anordnung erreicht. Bevorzugt werden als Abschlußteile
ebene Scheiben eingesetzt, die an das bevorzugt in Form von
Zylindern ausgebildete Innen- bzw. Außenrohr angeschmolzen
werden. Um eine gute Verteilung des Spülgases eingangsseitig
in den zwischen dem Innen- und dem Außenrohr gebildeten Spülgas
raum zu gewährleisten, sind die beiden Abschlußteile in axialer
Richtung mit Abstand zueinander angeordnet, wobei der Abstand
ein Vielfaches des Abstandes zwischen den einander zugekehrten
Flächen der Abschlußteile des Innen- und Außenrohres beträgt;
bei einem Innendurchmesser des Innenrohres von mindestens
150 mm hat sich ein Abstand zwischen den einander zugekehrten
Flächen der Abschlußteile von 15 mm gut bewährt. Um Spannungs
spitzen an dem Obergang zwischen dem/den Abschlußteilen und
der jeweils angrenzenden Rohrwand zu vermeiden, sind die
Übergänge abgerundet. Der Radius dieser Abrundung sollte
im Bereich von 15 mm liegen.
Bevorzugt werden die Durchmesser des Innen- und des Außenrohres
bzw. deren Wandstärke so gewählt, daß der Abstand zwischen
den einander zugekehrten Oberflächen des Innen- und des Außen
rohres 2 bis 5 mm beträgt. Hierdurch wird ein ausreichender
Ringraum für das Spülgas erhalten. Bevorzugt betragen die
Wandstärken von Innen- und Außenrohr je 3 bis 8 mm. Insbesondere
für ein in horizontaler Anordnung betriebenes Doppelwand-Quarz
glasrohr hat sich eine gegenseitige Abstützung zwischen Innen
und Außenrohr im Ringraum, bevorzugt im mittleren Bereich
bezogen auf die axiale Erstreckung der Rohre, erwiesen. Hierfür
können an der Außenseite des Innenrohres angeschmolzene kurze
Stege dienen oder periodische Eindrückungen in das Außenrohr.
Hierdurch wird eine zusätzliche Versteifung der beiden Rohre
gegeneinander erreicht. Eine solche Abstützung kann auch
dadurch erreicht werden, daß der Ringraum mit einem Granulat
aus Quarzglas gefüllt ist.
Weitere Einzelheiten und Merkmale der Erfindung ergeben sich
aus der nachfolgenden Beschreibung eines bevorzugten Ausfüh
rungsbeispiels anhand der schematischen Fig. 1, die ein
Doppelwand-Quarzglasrohr für die Durchführung von halbleiter
technologischen Prozessen zeigt.
Das Doppelwand-Quarzglasrohr weist ein Innenrohr 1 und ein
Außenrohr 2 auf, die in diesem Ausführungsbeispiel langgestreckte
Zylinder sind. Innenrohr 1 und Außenrohr 2 sind an ihrem
einen, in der Zeichnung oberen Ende mit einem Abschlußteil
3, 4, bei dem es sich jeweils um eine ebene Platte handelt,
verschlossen. Der Außendurchmesser des Innenrohres 1 und
der Innendurchmesser des Außenrohres 2 sind so gewählt, daß
zwischen der Außenwandung des Innenrohres 1 und der Innenwandung
des Außenrohres 2 ein Ringraum 5, durch das ein Spülgas strömt,
gebildet ist. In der gezeigten Ausführungsform beträgt der
Abstand 6, durch Pfeile angedeutet, zwischen den einander
zugekehrten Oberflächen der Wände des Innen- und des Außenrohres 1, 2
5 mm. An dem Abschlußteil 3 des Innenrohres 1 ist ein Prozeß
gas-Zuführungsstutzen 7, dessen Achse mit der Verlängerung
der Achse 8 des Innenrohres 1 zusammenfällt, angeschmolzen.
Der Innendurchmesser dieses Prozeßgas-Zuführungsstutzen
beträgt etwa 35% des Innendurchmessers des Innenrohres 1,
d.h. bei einem Innendurchmesser des Innenrohres von 160 mm,
wie in diesem Ausführungsbeispiel, weist der Prozeßgas-Zuführungs
stutzen 7 einen Innendurchmesser von etwa 56 mm auf. Die
beiden Abschlußteile 3 und 4 sind so voneinander beabstandet,
daß zwischen diesen beiden Teilen ein Verteilungsraum 9 gebildet
ist. Der Abstand dieser beiden Abschlußteile bzw. die axiale Länge 10, durch den Pfeil
angedeutet, sollte zwischen 10 und 30 mm betragen. Der
Prozeßgas-Zuführungsstutzen 7, der durch das Abschlußteil
4 des Außenrohres 2 hindurchgeführt ist und durch den das
Innenrohr 1 in dem Außenrohr 2 an diesem Ende zentriert wird,
ist mit dem Abschlußteil 4 dichtend verschmolzen. Am anderen
Ende des Doppelwand-Quarzglasrohres ist das Außenrohr 2 an
der Außenwandung des Innenrohres 1 angeschmolzen, durch die
Naht 11 angedeutet, so daß an diesem Ende der Ringraum 5
abgeschlossen ist.
Während über den Anschlußstutzen 12, der außerhalb des Außen
rohres 2 an den Prozeßgas-Zuführungsstutzen 7 angesetzt ist,
das Prozeßgas in das Innenrohr, in dem die zu behandelnden
Halbleiterscheiben angeordnet werden, zugeführt wird, wird
über den Anschlußstutzen 13 Spülgas in den Verteilungsraum
9 zugeführt, das dann in den Ringraum 5 verteilt wird und
über den Ausgangsstutzen 14 am anderen Ende des Außenrohres
2 ausströmt.
Insbesondere durch die Ausbildung der beiden Abschlußteile
3 und 4 als ebene Platten, die in diesem Ausführungsbeispiel
an das Innenrohr 1 bzw. Außenrohr 2 angeschmolzen sind, und
die über den Prozeßgas-Zuführungsstutzen 7 miteinander in
Verbindung stehen, wird eine unterschiedliche Längenausdehnung
(wobei das Außenrohr 2 durch die höhere Temperatur, der es
ausgesetzt wird, eine größere Längenausdehnung als das Innenrohr
1 erfährt) ausgeglichen. Bei einer solchen Ausdehnung wird
das Abschlußteil 4 in Richtung des Pfeiles 15 gewölbt, während
sich das Abschlußteil 3 in entgegengesetzter Richtung, d.h.
in Richtung des Pfeiles 16 wölbt.
Gut bewährt hat es sich, die Übergangsbereiche zwischen den
Abschlußteilen und den zugeordneten Rohren 1, 2 abzurunden,
und zwar bevorzugt mit einem Radius 17 von etwa 15 mm. Für
den horizontalen Betrieb des Doppelwand-Quarzglasrohres können
in dem Ringraum 5 zwischen dem Innenrohr 1 und dem Außenrohr
2 kurze Stege 18, die an der Außenseite des Innenrohres 1
angeschmolzen sind, angeordnet sein oder Eindrückungen 19
in das Außenrohr 2, um hierdurch eine zusätzliche Aussteifung
der Anordnung zu erzielen. Gut bewährt hat es sich auch,
den Ringraum 5 und gegebenenfalls auch den Verteilungsraum
9 mit einem Granulat 20 aus Quarzglas zu füllen, das ebenfalls
die Anordnung aussteift und im horizontalen Betrieb einem
Durchbiegen der Anordnung, die eine Länge bis zu 2 m haben
kann, entgegenwirkt.
In der schematischen Fig. 2 ist ein weiteres Ausführungs
beispiel eines Doppelwand-Quarzglasrohres dargestellt. Gleiche
Teile sind mit den gleichen Bezugszeichen wie in Fig. 1
bezeichnet. Das in Fig. 2 dargestellte Doppelwand-Quarzglasrohr
unterscheidet sich von dem in Fig. 1 dargestellten dadurch,
daß das Abschlußteil 4 des Außenrohres im wesentlichen eben
ausgebildet ist, während das Abschlußteil 3 des Innenrohres,
vom Innenrohr in Richtung auf das Abschlußteil 4 gesehen,
gewölbt ausgebildet ist.
Claims (10)
1. Doppelwand-Quarzglasrohr für die Durchführung halbleiter
technologischer Prozesse mit einem Innenrohr und mit einem
koaxial mit Abstand zum Innenrohr, einen Ringraum bildend,
angeordneten Außenrohr, die an ihrem einen, einander zu
geordneten Ende jeweils ein Abschlußteil aufweisen, wobei
an dem Abschlußteil des Innenrohres ein Prozeßgas-Zuführungs
stutzen angebracht ist, der durch das Abschlußteil des
Außenrohres gedichtet hindurchgeführt ist, und wobei das
Außenrohr an seinem anderen Ende mit der Außenseite des
Innenrohres dicht verbunden und mit je einem Stutzen an
jedem Ende zur Zu- bzw. Abfuhr eines Spülgases versehen
ist, dadurch gekennzeichnet, daß das Innenrohr (1) einen
Innendurchmesser von mindestens 150 mm besitzt, daß wenigstens
eines der beiden Abschlußteile (3, 4) im wesentlichen
eben ausgebildet ist, daß die Achse des Prozeßgas-Zufüh
rungsstutzens (7) mit der Verlängerung der Achse (8) des Innen
rohres (1) zusammenfällt und mindestens über seine Länge
zwischen den beiden Abschlußteilen (3, 4) einen Innen
durchmesser aufweist, der 20% bis 70% des Innendurchmessers
des Innenrohres (1) beträgt, und daß das Außenrohr (2)
einerseits mit dem Prozeßgas-Zuführungsstutzen (7) und
andererseits mit der Außenseite des Innenrohres (1) gasdicht
verschmolzen ist.
2. Doppelwand-Quarzglasrohr nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Abschlußteil (4) des Außenrohres (2)
eben ausgebildet ist.
3. Doppelwand-Quarzglasrohr nach den Ansprüchen 1 und 2,
dadurch gekennzeichnet, daß beide Abschlußteile (3, 4)
im wesentlichen eben ausgebildet sind.
4. Doppelwand-Quarzglasrohr nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet, daß das ebene Abschlußteil (3, 4)
eine Scheibe ist, die mit dem Innenrohr (1) bzw. Außenrohr
(2) verschmolzen ist.
5. Doppelwand-Quarzglasrohr nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet, daß der Übergang zwischen dem/den
Abschlußteile(n) (3, 4) und der jeweils angrenzenden Rohrwand
abgerundet ist (sind).
6. Doppelwand-Quarzglasrohr nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem Abschlußteil
(3) des Innenrohres (1) und dem Abschlußteil (4) des Außen
rohres (2) ein Verteilungsraum (9) für das Spülgas ge
bildet ist, dessen axiale Länge (10) ein Vielfaches des
Abstandes (6) zwischen den einander zugekehrten Rohrwand-
Flächen des Innen- und Außenrohres (1, 2) beträgt.
7. Doppelwand-Quarzglasrohr nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand (6) zwischen den
einander zugekehrten Oberflächen der Wände des Innen
und des Außenrohres 2 bis 5 mm beträgt.
8. Doppelwand-Quarzglasrohr nach einem der Ansprüche 1 bis 7,
dadurch gekennzeichnet, daß die Wandstärken des Innen
und Außenrohres (1, 2) je 3 bis 8 mm betragen.
9. Doppelwand-Quarzglasrohr nach einem der Ansprüche 1 bis 8,
dadurch gekennzeichnet, daß Innen- und Außenrohr (1, 2)
im Ringraum (5) gegeneinander abgestützt sind.
10. Doppelwand-Quarzglasrohr nach einem der Ansprüche 1 bis 9,
dadurch gekennzeichnet, daß der Ringraum (5) mit einem
Granulat (20) aus Quarzglas gefüllt ist.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19853544812 DE3544812A1 (de) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | Doppelwand-quarzglasrohr fuer die durchfuehrung halbleitertechnologischer prozesse |
JP61236388A JPS62147723A (ja) | 1985-12-18 | 1986-10-06 | 半導体技術過程の実施のための二重壁石英ガラス管 |
GB8624224A GB2184885B (en) | 1985-12-18 | 1986-10-09 | Double-walled fused silica tube for implementation of processes in semiconductor technology |
US06/932,070 US4720407A (en) | 1985-12-18 | 1986-11-18 | Double-walled quartz-glass tube for semiconductor-technology processes |
FR8617443A FR2591799A1 (fr) | 1985-12-18 | 1986-12-12 | Tube a double paroi en verre de silice pour l'execution de processus de la technologie des semi-conducteurs |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19853544812 DE3544812A1 (de) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | Doppelwand-quarzglasrohr fuer die durchfuehrung halbleitertechnologischer prozesse |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3544812A1 DE3544812A1 (de) | 1987-06-25 |
DE3544812C2 true DE3544812C2 (de) | 1987-09-17 |
Family
ID=6288785
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19853544812 Granted DE3544812A1 (de) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | Doppelwand-quarzglasrohr fuer die durchfuehrung halbleitertechnologischer prozesse |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4720407A (de) |
JP (1) | JPS62147723A (de) |
DE (1) | DE3544812A1 (de) |
FR (1) | FR2591799A1 (de) |
GB (1) | GB2184885B (de) |
Families Citing this family (227)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3906075A1 (de) * | 1989-02-27 | 1990-08-30 | Soehlbrand Heinrich Dr Dipl Ch | Verfahren zur thermischen behandlung von halbleitermaterialien und vorrichtung zur durchfuehrung desselben |
US4920918A (en) * | 1989-04-18 | 1990-05-01 | Applied Materials, Inc. | Pressure-resistant thermal reactor system for semiconductor processing |
DE3922833A1 (de) * | 1989-07-09 | 1991-01-10 | Heinrich Dr Soehlbrand | Ofen zur waermebehandlung von halbleiterscheiben und verfahren zum betrieb desselben |
TW224537B (en) * | 1992-12-21 | 1994-06-01 | Gen Electric | Fused quartz diffusion tubes for semiconductor manufacture |
NL1005963C2 (nl) * | 1997-05-02 | 1998-11-09 | Asm Int | Verticale oven voor het behandelen van halfgeleidersubstraten. |
DE19727346C2 (de) * | 1997-06-27 | 2001-09-06 | Ct Therm Elek Sche Anlagen Gmb | Demontierbare gasdichte Durchführung in ein Prozessrohr |
US6407367B1 (en) * | 1997-12-26 | 2002-06-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Heat treatment apparatus, heat treatment process employing the same, and process for producing semiconductor article |
US6101844A (en) * | 1998-02-10 | 2000-08-15 | Silcon Valley Group Thermal | Double wall reaction chamber glassware |
DE102009036320A1 (de) * | 2009-08-06 | 2011-02-10 | Centrotherm Thermal Solutions Gmbh + Co. Kg | Verbinder für Gas- oder Flüssigkeitsleitungen und dessen Verwendung |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
US11639811B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
KR102597978B1 (ko) | 2017-11-27 | 2023-11-06 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치 |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
TW202325889A (zh) | 2018-01-19 | 2023-07-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
CN111699278B (zh) | 2018-02-14 | 2023-05-16 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法 |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
KR20190128558A (ko) | 2018-05-08 | 2019-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
CN108585471B (zh) * | 2018-06-25 | 2021-08-17 | 长飞光纤光缆股份有限公司 | 一种低水峰光纤预制棒脱水烧结装置及方法 |
KR20210027265A (ko) | 2018-06-27 | 2021-03-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체 |
TWI819010B (zh) | 2018-06-27 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
TW202037745A (zh) | 2018-12-14 | 2020-10-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統 |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
JP2020136677A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
JP2020133004A (ja) | 2019-02-22 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材を処理するための基材処理装置および方法 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
KR20200108248A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
JP2021019198A (ja) | 2019-07-19 | 2021-02-15 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | トポロジー制御されたアモルファスカーボンポリマー膜の形成方法 |
TW202113936A (zh) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
TW202129060A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
JP2021097227A (ja) | 2019-12-17 | 2021-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法 |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
JP2021109175A (ja) | 2020-01-06 | 2021-08-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
TW202129068A (zh) | 2020-01-20 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 形成薄膜之方法及修飾薄膜表面之方法 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
TW202146715A (zh) | 2020-02-17 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統 |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
KR20210117157A (ko) | 2020-03-12 | 2021-09-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
US11898243B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride-containing layer |
KR20210132605A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202200837A (zh) | 2020-05-22 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基材上形成薄膜之反應系統 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
KR20220027026A (ko) | 2020-08-26 | 2022-03-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3591340A (en) * | 1968-07-11 | 1971-07-06 | Ibm | Method for preparing high purity crystalline semiconductive materials in bulk |
DE2253411C3 (de) * | 1972-10-31 | 1978-06-08 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zum Herstellen von aus Halbleitermaterial bestehenden, direkt beheizbaren Hohlkörpern für Diffusionszwecke |
GB1600286A (en) * | 1977-07-19 | 1981-10-14 | Secr Defence | Doping of group iii-v semiconductor materials |
US4582561A (en) * | 1979-01-25 | 1986-04-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for making a silicon carbide substrate |
JPS5743411A (en) * | 1980-08-29 | 1982-03-11 | Toshiba Corp | Core tube for manufacturing semiconductor device |
US4401487A (en) * | 1980-11-14 | 1983-08-30 | Hughes Aircraft Company | Liquid phase epitaxy of mercury cadmium telluride layer |
US4399808A (en) * | 1981-07-31 | 1983-08-23 | Owens-Illinois, Inc. | Drainable solar collector unit |
JPS60110116A (ja) * | 1983-11-18 | 1985-06-15 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体薄膜気相成長装置 |
JP3224145B2 (ja) * | 1992-07-14 | 2001-10-29 | マツダ株式会社 | トロイダル型無段変速機 |
-
1985
- 1985-12-18 DE DE19853544812 patent/DE3544812A1/de active Granted
-
1986
- 1986-10-06 JP JP61236388A patent/JPS62147723A/ja active Pending
- 1986-10-09 GB GB8624224A patent/GB2184885B/en not_active Expired
- 1986-11-18 US US06/932,070 patent/US4720407A/en not_active Expired - Fee Related
- 1986-12-12 FR FR8617443A patent/FR2591799A1/fr not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2591799A1 (fr) | 1987-06-19 |
GB8624224D0 (en) | 1986-11-12 |
GB2184885B (en) | 1989-04-12 |
DE3544812A1 (de) | 1987-06-25 |
GB2184885A (en) | 1987-07-01 |
JPS62147723A (ja) | 1987-07-01 |
US4720407A (en) | 1988-01-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3544812C2 (de) | ||
EP0303047B1 (de) | Strömungskanal für die Rauchgase einer Rauchgasreinigungsanlage | |
DE10393977B4 (de) | Leitung für geschmolzenes Glas, Verfahren zum Entgasen von geschmolzenem Glas und Vorrichtung zum Entgasen von geschmolzenem Glas | |
DE2654063A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines bandes aus polykristallinem halbleitermaterial | |
DE2652525A1 (de) | Verbinder und verfahren zu seiner herstellung | |
CH657287A5 (de) | Zentrifugensieb. | |
DE2522650A1 (de) | Waermeisolierungsbauteil fuer einen zylindrischen koerper und verfahren zur waermeisolierung eines zylindrischen koerpers | |
WO2011157382A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum herstellen von polykristallinen siliziumblöcken | |
DE2160694B2 (de) | Induktionsheizspule zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleiterstäben | |
EP1968890B1 (de) | Verfahren zur herstellung solartauglichen siliziums | |
DE19856468C1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Haltevorrichtung für Halbleiterscheiben | |
DE10327201A1 (de) | Verfahren zum Läutern einer Glasschmelze in einer Unterdruck-Läuterkammer und Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens | |
DE2819714A1 (de) | Tauchlanze zum einbringen von inerten gasen und/oder zuschlagstoffen in metallschmelzen | |
EP3746413B1 (de) | Verfahren zur herstellung einer glasscheibe für vakuum-isolierglas | |
CH670456A5 (de) | ||
DE10032596C2 (de) | Glasschmelze führender Kanal | |
DE2112692C3 (de) | Auflaufkörper fur ein Verfahren zur Herstellung von Glasrohren oder -stäben | |
CH645866A5 (de) | Vorrichtung zur anreicherung und moeglichen reinigung von mineralischen saeuren, insbesondere von schwefelsaeure. | |
DE4202436C2 (de) | Verfahren zu Herstellung von hochreinem Titan | |
DE3208381C2 (de) | ||
DE10150452C1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Glaskörpers und Verwendung des Glaskörpers | |
CH642607A5 (de) | Vorrichtung zur anreicherung von mineralischen saeuren, insbesondere von schwefelsaeure. | |
DE3008960A1 (de) | Kuehlvorrichtung fuer eine floatglasanlage | |
DE2120891A1 (de) | Verfahren zum Herstellen beliebig langer Hohlkörper aus Halbleitermaterial, insbesondere aus Silicium | |
DE10117664C1 (de) | Rohrstutzen zum Leiten von oder Eintauchen in Glasschmelzen sowie zu deren Erhitzung und die Verwendung des Rohrstutzens |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8363 | Opposition against the patent | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: HERAEUS QUARZGLAS GMBH, 6450 HANAU, DE |
|
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |