FR2591799A1 - Tube a double paroi en verre de silice pour l'execution de processus de la technologie des semi-conducteurs - Google Patents

Tube a double paroi en verre de silice pour l'execution de processus de la technologie des semi-conducteurs Download PDF

Info

Publication number
FR2591799A1
FR2591799A1 FR8617443A FR8617443A FR2591799A1 FR 2591799 A1 FR2591799 A1 FR 2591799A1 FR 8617443 A FR8617443 A FR 8617443A FR 8617443 A FR8617443 A FR 8617443A FR 2591799 A1 FR2591799 A1 FR 2591799A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
tube
glass
end portion
inner tube
tubes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
FR8617443A
Other languages
English (en)
Inventor
Karl-Albert Schulke
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Heraeus Quarzschmelze GmbH
Heraeus Schott Quarzschmelze GmbH
Original Assignee
Heraeus Quarzschmelze GmbH
Heraeus Schott Quarzschmelze GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Heraeus Quarzschmelze GmbH, Heraeus Schott Quarzschmelze GmbH filed Critical Heraeus Quarzschmelze GmbH
Publication of FR2591799A1 publication Critical patent/FR2591799A1/fr
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • C30B31/10—Reaction chambers; Selection of materials therefor
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/13—Hollow or container type article [e.g., tube, vase, etc.]
    • Y10T428/131—Glass, ceramic, or sintered, fused, fired, or calcined metal oxide or metal carbide containing [e.g., porcelain, brick, cement, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/13—Hollow or container type article [e.g., tube, vase, etc.]
    • Y10T428/131—Glass, ceramic, or sintered, fused, fired, or calcined metal oxide or metal carbide containing [e.g., porcelain, brick, cement, etc.]
    • Y10T428/1314—Contains fabric, fiber particle, or filament made of glass, ceramic, or sintered, fused, fired, or calcined metal oxide, or metal carbide or other inorganic compound [e.g., fiber glass, mineral fiber, sand, etc.]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Glass Melting And Manufacturing (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Rigid Pipes And Flexible Pipes (AREA)

Abstract

Un tube intérieur 1 et un tube extérieur 2 sont disposés sur le même axe en féfinissant entre eux un espace annulaire 5 pour un gaz de balayage. D'un côté, ils présentent des parties terminales 3, 4 dont l'une au moins est plane. La partie terminale 3 du tube intérieur 1 porte une tubulure 7 d'amenée de gaz de traitement pour l'exécution du processus. Cette tubulure traverse de façon étanche la partie terminale 4 du tube extérieur 2. Celui-ci présente une tubulure d'amenée 13 et une tubulure d'évacuation 14 pour le gaz de balayage. Le diamètre du tube intérieur est d'au moins 150 mm. L'axe de la tubulure 7 d'amenée de gaz de traitement coïncide avec l'axe 8 du tube intérieur et la partie longitudinale de cette tubulure entre les deux parties terminales 3, 4 possède un diamètre compris entre 20 et 70% du diamètre du tube intérieur. (CF DESSIN DANS BOPI)

Description

259 1799
L'invention concerne un tube à double paroi en verre de silice (verre quartzeux) pour l'exécution de processus de la technologie des semiconducteurs, comprenant un tube intérieur et
un tube extérieur disposé sur le même axe à distance du type inté-
rieur, en formant un espace annulaire intermédiaire, qui présentent chacun une partie terminale à une extrémité située du même côté pour chacun d'eux, la partie terminale du tube intérieur étant
pourvue d'une tubulure d'amenée de gaz de traitement pour l'exécu-
tion du processus, tubulure qui traverse de façon étanche la partie terminale du tube extérieur, l'autre extrémité du tube extérieur étant reliée de façon étanche à la surface externe du tube intérieur et les deux extrémités du tube extérieur étant pourvues d'une tubulure pour l'amenée respectivement l'évacuation
d'un gaz de balayage.
De tels tubes à double paroi en verre de silice sont mentionnés dans les articles "Furnace Contamination and its Remedies" Paul F. Schmidt, Solid State TechnoLogy; juin 1983, pages 147 et les suivantes et "Contamination Control Using HCl Gas; Effects on Silica Glas and Minority Carrier Lifetime", R. Krishnamurthy, B. E. Ramachandran, K. Kaliyarmurthy, Solid State Technology, août 1985,
pages 213 et les suivantes.
Pour déposerdu silicium, ainsi qu'à la fusion et au dopage de corps semiconducteurs dans un tube pour l'exécution de
processusou tube de traitement, l'atmosphère doit être très pure.
Les pollutions, en particulier par certains métaux, mais aussi par
le phosphore, doivent, si possible, être évitées à peu près complè-
tement. Des impuretés critiques sont constituées surtout par les alcalis, les éléments du groupe III/V du système périodique des éléments de manière générale, ainsi que par le cuivre et les métaux lourds. Comme tubes de traitement, on utilise des tubes en verre de silice qui conviennent particulièrement en raison de leur grande pureté et leur haute résistance à la corrosion. Dans les processus de la technique des semi-conducteurs utilisant la chaleur, c'est surtout le sodium, parmi les métaux alcalins, qui est indésiré et qui est toujours présent dans une certaine mesure. Pour obtenir des composants MOS (semi-conducteurs à oxyde métallique) ayant de bonnes caractéristiques électriques, il est connu d'incorporer, dans la surface externe des tubes de traitement en verre de silice, des ions d'aluminium qui exercent une forte action de getter sur des ions métalliques monovalents, lesquels perdent ainsi leur mobilité intrinsèque et ne se déplacent plus qu'avec un très faible taux de diffusion. De telles couches constituent également une barrière de diffusion à l'égard du sodium. On s'efforce également d'augmenter la pureté des sources de chauffage, qui
sont une cause de pollutions.
Comme les exigences quant à la qualité des rondelles de matériau semiconducteur traitées dans ces tubes en verre de silice deviennent de plus en plus sévères, on a commencé à utiliser des tubes de diffusion à double paroi, en verre de siliceet à faire passer un gaz de balayage dans l'espace intermédiaire entre les deux tubes, pendant le traitement, pour lier les ions diffusant au travers de la paroi du tube extérieur et pour les évacuer. Avec ces tubes de diffusion connus, à double paroi, on constate un taux considérable de défaillances, se manifestant sous forme de ruptures, fissures, et arrachements des tubulures d'amenée et d'évacuation, surtout de la tubulure pour amener le gaz de traitement dans le
tube intérieur, défaillances qui sont dues aux différences de dila-
tation du tube intérieur et du tube extérieur.
Partant de cet état de la technique, l'invention vise
à créer un tube à double paroi en verre de silice, pour l'exécu-
tion de processus de la technologie des semi-conducteurs, sur lequel soient évités les endommagements, en particulier sous l'effet des contraintes produites dans les tubes en verre de silice
pendant le traitement thermique dans un four.
A cet effet, selon l'invention, le tube intérieur possède un diamètre intérieur d'au moins 150 mm, l'une au moins des deux parties terminales est essentiellement plane, l'axe de
la tubulure d'amenée de gaz de traitement coincide avec le prolon-
gement de l'axe du tube intérieur et cette tubulure possède un
diamètre intérieur qui correspond, au moins sur sa longueur com-
prise entre les deux parties terminales, à 20-70 % du diamètre
2 591799
intérieur du tube intérieur, et Le tube extérieur est soudé, verre sur verre et étanche aux gaz, d'un coté à la tubulure d'amenée de gaz de traitement et de l'autre côté à- la surface externe du
tube intérieur.
Il est préférable' que La partie terminale du tube extérieure soit plane. Des résultats particulièrement favorables ont été obtenus avec les tubes à double paroi en verre de silice
dont les deux parties terminales sont essentiellement planes.
En raison de la conformation selon l'invention du tube à double paroi en verre de silice, les variations de longueur entre le tube intérieur et le tube extérieur sont compensées. Lors d'une telle variation de longueur, il se produit un déplacement des parties terminales, lesquelles sont reliées par leurs régions centrales par l'intermédiaire de la tubulure d'amenée de gaz de traitement. Avec une telle réalisation du tube à double paroi en verre de silice, il devient possible de souder le tube extérieur,
verre sur verre et de façon étanche aux gaz, d'un côté à La tubu-
lure d'amenée de gaz de traitement et de l'autre côté à la surface externe du tube intérieur, de sorte qu'on obtient une enceinte fermée et séparée pour te gaz de balayage entre les tubes intérieur
et extérieur.
Pour garantir une flexibilité suffisance des parties terminales, l'épaisseur de paroi de ces parties peut être choisie plus faible que l'épaisseur de paroi des autres parties du tube concerné; dans le cas d'un tube à double paroi en verre de silice avec un diamètre intérieur de 150 mm pour le tube intérieur, il suffit que les parties terminales possèdent une épaisseur d'environ 3 mm. Grâce à la disposition de la tubulure d'amenée de gaz de traitement sur le prolongement de l'axe du tube intérieur, et grâce au fait que Le diamètre de cette tubulure est comprise entre 20 et 70 % - de préférence de L'ordre de 35 % - du diamètre intérieur du tube intérieur, on obtient une stabilité suffisante et une liaison centrale, entre les deux parties terminales, par laquelle la différence de dilatation longitudinale est compensée. De plus, une telle tubulure d'amenée, choisie suffisamment grande en diamètre,
259 1799
constitue un bon moyen auxiliaire de centrage entre les tubes intérieur et extérieur lors de l'assemblage du dispositif. Comme parties terminales, il est préférable d'utiliser des disques plans
qui sont soudés verre sur verre aux tubes intérieur respective-
ment extérieur, réalisés de préférence sous forme de cylindres. Dans le but d'obtenir une bonne distribution du gaz de balayage, du cÈté de l'entrée, dans l'espace à gaz de balayage formé entre les tubes intérieur et extérieur, Les deux parties terminales
sont placées axialement à distance l'une de l'autre et leur espace-
ment dans le sens axial est un multiple de la distance entre les surfaces latérales dirigées l'une vers l'autre du tube intérieur
et du tube extérieur. Avec un tube intérieur d'un diamètre inté-
rieur d'au moins 150 mm, de bons résultats ont été obtenus si la distance entre les faces dirigées l'une vers l'autre des parties
terminales est de 15 mm. Pour éviter des accumulations de con-
traintes à la transition entre la partie ou chaque partie termi-
nale et la paroi latérale voisine du tube, cette transition peut être arrondie. Le rayon de cet arrondi doit être de l'ordre de mm. Il est préférable de choisir les diamètres des tubes intérieur et extérieur, ainsi que leurs épaisseurs de paroi, de manière que la distance entre les surfaces latérales dirigées l'une vers l'autre de ces deux tubes soit de 2 à 5 mm. On obtient ainsi un espace annulaire suffisant pour le gaz de balayage. Les épaisseurs de paroi des tubes intérieur et extérieur sont de préférence comprises entre 3 et 8 mm chacune. Surtout pour un
tube à double paroi en verre de silice utilisé dans une disposi-
tion horizontale, il s'est révélé avantageux de prévoir un appui mutuel entre le tube intérieur et le tube extérieur, dans l'espace annulaire intermédiaire, de préférence dans la région médiane de L'étendue axiale des tubes. A cet effet, on peut utiliser de courtes entretoises soudées verre sur verre à la surface externe du tube intérieur ou former de part en part, par repoussage, des creux
dans le tube extérieur. On obtient ainsi un raidissement supplé-
mentaire des deux tubes entre eux. IL est possible aussi de réali-
ser un appui mutuel des tubes en remplissant l'espace intermédiaire
d'un granulé en verre de silice.
D'autres caractéristiques et avantages de l'inven-
tion ressortiront plus clairement de La description qui va suivre
d'un exempte de réalisation préféré mais nullement limitatif,
ainsi que des dessins annexes dont la figure 1 représente sché-
matiquement un tube à double paroi en verre de silice pour l'exé-
cution de processus de la technologie des semi-conducteurs.
Le tube à double paroi représenté sur la figure 1 comporte un tube intérieur 1 et un tube extérieur 2 qui sont des cylindres de forme allongée dans cet exemple de réalisation. A
une extrémité, représentée en haut sur le dessin, le tube inté-
rieur 1 et le tube extérieur 2 sont fermés par une partie termi-
nale 3 ou 4 sous forme d'une plaque plane dans les deux cas. Le diamètre extérieur du tube 1 et le diamètre intérieur du tube 2 sont choisis de manière que la paroi externe du tube intérieur 1 et la paroi interne du tube extérieur 2 délimitent entre elles un espace annulaire 5, par lequel circule un gaz de balayage. La distance, indiquée par des flèches 6, entre les surfaces latérales dirigées l'une vers l'autre des parois des deux tubes 1, 2 est de mm dans cet exemple. Sur la partie terminale 3 du tube intérieur 1, est soudée, verre sur verre, une tubulure 7 d'amenée de gaz de traitement, dont l'axe coïncide avec le prolongement de l'axe 8 du tube intérieur 1. Le diamètre intérieur de cette tubulure correspond à environ 35 % du diamètre intérieur du tube 1; en d'autres termes, pour un diamètre intérieur de ce tube intérieur
de 160 mm, comme c'est le cas dans l'exemple représenté, la tubu-
lure 7 d'amenée de gaz de traitement possède un diamètre intérieur d'environ 56 mm. Les deux parties terminales 3 et 4 sont disposées
à distance l'une de l'autre, de manière qu'un espace de distri-
bution 9 soit formé entre elles. L'espacement des deux parties terminales, indiqué par la flèche 10, doit être compris entre et 30 mm. La tubulure 7 d'amenée de gaz de traitement, laquelle traverse la partie terminale 4 du tube extérieur 2 et par laquelle le tube intérieur 1 est centré dans le tube extérieur 2 à cette
extrémité, est soudée étanche, verre sur verre, à la partie termi-
nale 4. A l'autre extrémité du tube à double paroi en verre de silice, le tube extérieur 2 est soudé de façon semblable à la
2 59 1799
surface externe du tube intérieur 1, ce qui est indiqué par le joint 11, de sorte que l'espace annulaire 5 est fermé à cette extrémité. Pendant que le gaz de traitement est introduit dans le tube intérieur - dans lequel sont placées les rondelles de matériau semiconducteur à traiter - à travers la tubulure de raccordement 12, accolée à l'extérieur du tube 2 à la tubulure 7,
du gaz de balayage est amené à travers la tubulure de raccorde-
ment 13 dans l'espace de distribution 9, d'o ce gaz est réparti dans l'espace annulaire 5, qu'il quitte à L'autre extrémité du
tube extérieur 2 à travers la tubulure de sortie 14.
C'est surtout grâce à la conformation des deux parties terminales 3 et 4 comme des plaques planes, qui sont soudées verre à verre au tube intérieur I respectivement au tube extérieur 2 dans cet exemple de réalisation, et qui sont reliées l'une à l'autre par la tubulure 7 d'amenée de gaz de traitement, que se produit la compensation d'une dilatation longitudinale différenciée (La dilatation Longitudinale du tube extérieur 2 étant plus grande que celle du tube intérieur I par suite de la température plus élevée à Laquelle il est exposé). Lors d'une telle dilatation, la partie terminale 4 est bombée dans le sens de la flèche 15, tandis que la partie terminale 3 se bombe en
sens opposé, c'est-à-dire suivant la flèche 16.
Il s'est avéré avantageux d'arrondir les zones de 25. transition entre les parties terminales et les régions voisines des tubes 1, 2 concernés, de préférence suivant un rayon 17 qui est d'environ 15 mm. Pour l'exploitation du tube à double paroi en verre de silice à la position horizontale, on peut disposer de courtes entretoises 18 dans l'espace annulaire 5 entre le tube intérieur 1 et le tube extérieur 2, en les soudant sur la surface externe du tube 1, ou former par repoussage des creux 19 dans le tube 2, afin d'obtenir aiinsi un raidissement supplémentaire du dispositif. Il s'est révélé également avantageux de remplir l'espace
annulaire 5 - et le cas échéant aussi l'espace de distribution 9 -
avec un granulé 20 en verre de silice, qui raidit égaiement Le dispositif et s'oppose dans une exploitation à l'horizontale au fléchissement du dispositif dont la longueur peut atteindre
2 mètres.
La figure 2 représente schématiquement un autre exemple de réalisation d'un tube à double paroi en verre de silice selon l'invention. Des parties identiques sont désignées par les mêmes références que sur la figure 1. Le dispositif de la figure 2
se distingue de celui de la figure 1 en ce que la partie termi-
nale 4 du tube extérieur est essentiellement plane, tandis que la partie terminale 3 du tube intérieur est bombée en direction
de la partie terminale 4.
2 591799

Claims (10)

R E V E N D I C A T I 0 N S REVENDICATIONS
1. Tube à double paroi en verre de silice (verre quartzeux) pour l'exécution de processus de la technologie des
semi-conducteurs, comprenant un tube intérieur et un tube exté-
rieur disposé sur le même axe à distance du type intérieur, en formant un espace annulaire intermédiaire, qui présentent chacun une partie terminale à une extrémité située du même côté pour chacun d'eux, la partie terminale du tube intérieur étant pourvue d'une tubulure d'amenée de gaz de traitement pour l'exécution du processus, tubulure qui traverse de façon étanche la partie terminale du tube extérieur, l'autre extrémité du tube extérieur
étant reliée de façon étanche à la surface externe du tube inté-
rieur et les deux extrémités du tube extérieur étant pourvues d'une tubulure pour l'amenée respectivement l'évacuation d'un gaz de balayage, caractérisé en ce que le tube intérieur (1) possède un diamètre intérieur d'au moins 150 mm, l'une au moins des deux parties terminales (3, 4) est essentiellement plane, l'axe de la tubulure d'amenée de gaz de traitement (7) coïncide avec
le prolongement de l'axe (8) du tube intérieur (1) et cette tubu-
lure possède un diamètre intérieur qui correspond, au moins sur sa longueur comprise entre les deux parties terminales (3, 4), à 20-70 % du diamètre intérieur du tube intérieur (1), et le tube extérieur (2) est soudé, verre sur verre et étanche aux gaz, d'un côté à la tubulure d'amenée de gaz de traitement (7) et de l'autre
côté à la surface externe du tube intérieur (1).
2. Tube selon la revendication 1, caractérisé en ce que
la partie terminale (4) du tube extérieur (2) est plane.
3. Tube selon la revendication I ou 2, caractérisé en ce que les deux parties terminales (3, 4) sont essentiellement
planes.
4. Tube selon l'une quelconque des revendications I à
3, caractérisé en ce que la partie terminale plane (3, 4) est un
disque qui est soudé verre sur verre au tube intérieur (1) respec-
tivement au tube extérieur (2).
5. Tube selon l'une quelconque des revendications 1 à
4, caractérisé en ce que la transition entre la partie terminale ou chaque partie terminale (3, 4) et La région voisine de la
paroi latérale du tube est arrondie.
6. Tube selon l'une quelconque des revendications 1 à
, caractérisé en ce qu'un espace de distribution (9) pour le gaz de balayage est formé entre la partie terminale (3) du tube intermédiaire (1) et la partie terminale (4) du tube extérieur (2), la longueur axiale (10) de cet espace correspondant à un multiple de la distance (6) entre les surfaces latérales dirigées l'une
vers L'autre des tubes intérieur et extérieur (1, 2).
7. Tube selon l'une quelconque des revendications 1 à
6, caractérisé en ce que la distance (6) entre les surfaces diri-
gées l'une vers l'autre des parois latérales des tubes intérieur
et extérieur est de 2 à 5 mm.
8. Tube selon l'une quelconque des revendications 1 à
7, caractérisé en ce que les épaisseurs de paroi des tubes inté-
rieur et extérieur (1, 2) sont chacune de 3 à 8 mm.
9. Tube selon l'une quelconque des revendications 1 à
8, caractérisé en ce que les tubes intérieur et extérieur (1, 2)
sont mutuellement appuyés dans l'espace annulaire (5).
10. Tube selon l'une quelconque des revendications 1 à
9, caractérisé en ce que l'espace annulaire (5) est rempli d'un
granulé (20) de verre de silice.
FR8617443A 1985-12-18 1986-12-12 Tube a double paroi en verre de silice pour l'execution de processus de la technologie des semi-conducteurs Withdrawn FR2591799A1 (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19853544812 DE3544812A1 (de) 1985-12-18 1985-12-18 Doppelwand-quarzglasrohr fuer die durchfuehrung halbleitertechnologischer prozesse

Publications (1)

Publication Number Publication Date
FR2591799A1 true FR2591799A1 (fr) 1987-06-19

Family

ID=6288785

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR8617443A Withdrawn FR2591799A1 (fr) 1985-12-18 1986-12-12 Tube a double paroi en verre de silice pour l'execution de processus de la technologie des semi-conducteurs

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4720407A (fr)
JP (1) JPS62147723A (fr)
DE (1) DE3544812A1 (fr)
FR (1) FR2591799A1 (fr)
GB (1) GB2184885B (fr)

Families Citing this family (235)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3906075A1 (de) * 1989-02-27 1990-08-30 Soehlbrand Heinrich Dr Dipl Ch Verfahren zur thermischen behandlung von halbleitermaterialien und vorrichtung zur durchfuehrung desselben
US4920918A (en) * 1989-04-18 1990-05-01 Applied Materials, Inc. Pressure-resistant thermal reactor system for semiconductor processing
DE8908382U1 (de) * 1989-07-09 1990-11-08 Söhlbrand, Heinrich, Dr., 8027 Neuried Ofen zur Wärmebehandlung von Halbleiterscheiben
TW224537B (en) * 1992-12-21 1994-06-01 Gen Electric Fused quartz diffusion tubes for semiconductor manufacture
NL1005963C2 (nl) * 1997-05-02 1998-11-09 Asm Int Verticale oven voor het behandelen van halfgeleidersubstraten.
DE19727346C2 (de) * 1997-06-27 2001-09-06 Ct Therm Elek Sche Anlagen Gmb Demontierbare gasdichte Durchführung in ein Prozessrohr
US6407367B1 (en) * 1997-12-26 2002-06-18 Canon Kabushiki Kaisha Heat treatment apparatus, heat treatment process employing the same, and process for producing semiconductor article
US6101844A (en) * 1998-02-10 2000-08-15 Silcon Valley Group Thermal Double wall reaction chamber glassware
DE102009036320A1 (de) * 2009-08-06 2011-02-10 Centrotherm Thermal Solutions Gmbh + Co. Kg Verbinder für Gas- oder Flüssigkeitsleitungen und dessen Verwendung
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103613A1 (fr) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Dispositif de stockage pour stocker des cassettes de tranches destiné à être utilisé avec un four discontinu
KR102633318B1 (ko) 2017-11-27 2024-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 청정 소형 구역을 포함한 장치
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
WO2019158960A1 (fr) 2018-02-14 2019-08-22 Asm Ip Holding B.V. Procédé de dépôt d'un film contenant du ruthénium sur un substrat par un processus de dépôt cyclique
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
CN108585471B (zh) * 2018-06-25 2021-08-17 长飞光纤光缆股份有限公司 一种低水峰光纤预制棒脱水烧结装置及方法
TW202405221A (zh) 2018-06-27 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210078405A (ko) 2019-12-17 2021-06-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145080A (ko) 2020-05-22 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1406956A (en) * 1972-10-31 1975-10-01 Siemens Ag Production of electrically directly heatable hollow bodies of semiconductor material
FR2397876A1 (fr) * 1977-07-19 1979-02-16 Secr Defence Brit Procede de production de couches epitaxiales de materiaux semi-conducteurs
JPS5743411A (en) * 1980-08-29 1982-03-11 Toshiba Corp Core tube for manufacturing semiconductor device
JPS60110116A (ja) * 1983-11-18 1985-06-15 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体薄膜気相成長装置
JPH0634011A (ja) * 1992-07-14 1994-02-08 Mazda Motor Corp トロイダル型無段変速機

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3591340A (en) * 1968-07-11 1971-07-06 Ibm Method for preparing high purity crystalline semiconductive materials in bulk
US4582561A (en) * 1979-01-25 1986-04-15 Sharp Kabushiki Kaisha Method for making a silicon carbide substrate
US4401487A (en) * 1980-11-14 1983-08-30 Hughes Aircraft Company Liquid phase epitaxy of mercury cadmium telluride layer
US4399808A (en) * 1981-07-31 1983-08-23 Owens-Illinois, Inc. Drainable solar collector unit

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1406956A (en) * 1972-10-31 1975-10-01 Siemens Ag Production of electrically directly heatable hollow bodies of semiconductor material
FR2397876A1 (fr) * 1977-07-19 1979-02-16 Secr Defence Brit Procede de production de couches epitaxiales de materiaux semi-conducteurs
JPS5743411A (en) * 1980-08-29 1982-03-11 Toshiba Corp Core tube for manufacturing semiconductor device
JPS60110116A (ja) * 1983-11-18 1985-06-15 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体薄膜気相成長装置
JPH0634011A (ja) * 1992-07-14 1994-02-08 Mazda Motor Corp トロイダル型無段変速機

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 6, no. 115 (E-115), 26 juin 1982; & JP-A-57043411 (TOSHIBA CORP.) 11.03.1982 *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 9, no. 154 (E-325)(1877), 28 juin 1985; & JP-A-6034011 (KOGYO GIJUTSUIN) 21.02.1985 *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 9, no. 263 (E-351)(1986), 19 octobre 1985; & JP-A-60110116 (FURUKAWA DENKI KOGYO K.K.) 15.06.1985 *

Also Published As

Publication number Publication date
JPS62147723A (ja) 1987-07-01
GB2184885A (en) 1987-07-01
GB8624224D0 (en) 1986-11-12
DE3544812A1 (de) 1987-06-25
DE3544812C2 (fr) 1987-09-17
GB2184885B (en) 1989-04-12
US4720407A (en) 1988-01-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR2591799A1 (fr) Tube a double paroi en verre de silice pour l'execution de processus de la technologie des semi-conducteurs
FR2621930A1 (fr) Procede et appareil pour la production par plasma de couches minces a usage electronique et/ou optoelectronique
EP0334432A1 (fr) Réacteur d'épitaxie à paroi protégée contre les dépôts
EP0259414A1 (fr) Appareil pour traitements thermiques de pieces minces, telles que des plaquettes de silicium.
EP1049813B1 (fr) Reacteur et procede pour depot chimique en phase vapeur
EP0232436B1 (fr) Générateur de jets moléculaires par craquage thermique pour la fabrication de semi-conducteurs par dépôt épitaxial
FR2542846A1 (fr) Structure de joint pour un tube et un collecteur
CA1253687A (fr) Enveloppes de cowpers ou appareils analogues
EP0076724B1 (fr) Procédé de fabrication d'un corps de chauffe à nappe cylindrique de tubes d'eau
FR2472727A1 (fr) Capteur d'energie solaire en verre et a double paroi
EP0191664B1 (fr) Enveloppe sous vide pour tube intensificateur d'images radiologiques
EP0518746A1 (fr) Dispositif de chargement pour soutenir des pièces à l'intérieur d'un four
FR2705047A1 (fr) Procédé et dispositif de soudage par faisceau d'électrons de deux pièces d'un composant de grande dimension et notamment d'un générateur de vapeur d'un réacteur nucléaire à eau sous pression.
BE1012445A3 (fr) Dispositif pour refroidir un gaz porteur charge de vapeurs d'un produit.
FR2476823A1 (fr) Voute perfectionnee pour four electrique a arc
WO1997014010A1 (fr) Four rotatif
EP0907693B1 (fr) Installation de vapocraquage avec moyens de protection contre l'erosion
EP0030890B1 (fr) Procédé et dispositif pour le brasage sans flux
FR2645912A1 (fr) Refroidisseur d'essence
EP0192525B1 (fr) Structure de laser à gaz
FR2680221A1 (fr) Tuyau isolant pour conduit de cheminee.
FR2655772A1 (fr) Dispositif antipollution pour bati vertical de depot en phase gazeuse.
FR3107801A1 (fr) Applicateur d’onde haute fréquence, coupleur et dispositif associés pour la production d’un plasma
FR2830678A1 (fr) Tube pour pomper un espace compris entre deux dalles, notamment un panneau a plasma
FR2587732A1 (fr) Reacteur de depot chimique en phase vapeur assiste par plasma

Legal Events

Date Code Title Description
ST Notification of lapse