DE2810492C2 - - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Oxidieren
von Silicium-Plättchen bei hohem Druck und hoher Temperatur mit
einer von außen beheizbaren, abschließbaren Reaktionskammer, die
eine verschließbare Beschickungsöffnung für die Silicium-Plättchen
und einen Einlaßkopf für die Zufuhr eines Reaktionsgases
enthält. Eine solche Vorrichtung ist aus der DE-OS 15 21 909
bekannt.
In der Halbleiter-Industrie werden in steigendem Umfang
Silicium-Plättchen benötigt, auf deren Oberfläche eine Oxid-
Schicht gezüchtet ist. Der Begriff "Silicium-Plättchen" umfaßt
dabei Plättchen aus reinem Silicium ebenso wie silicium-beschichtete
Plättchen und andere Halbleiter-Plättchen.
Es ist üblich, die Züchtung des Oxids durch Oxidation
der Silicium-Plättchen mittels Sauerstoff und/oder Wasserdampf
vorzunehmen. Mit zunehmender Dicke der dabei gebildeten Oxid-
Schicht wird deren Wachstum jedoch immer langsamer. Da in der
Halbleiter-Industrie relativ dicke Oxid-Schichten benötigt werden,
waren bislang wegen dieser langsamen Wachstumsgeschwindigkeit
entsprechend lange Bearbeitungszeiten erforderlich. Zwar
kann durch Erhöhung der Oxidations-Temperatur auf den Bereich von
1000-1200°C eine Beschleunigung der Wachstumsgeschwindigkeit
des Oxids erreicht werden, jedoch besteht dann die Gefahr einer
Störung der bereits gebildeten Oxid-Schicht. Aus diesem Grunde
wird bevorzugt die Oxidation im Temperaturbereich von etwa 700-
950°C durchgeführt, mit der Folge, daß dann die entsprechend
lange Bearbeitungszeit in Kauf genommen werden muß.
Für eine nicht zu hohe Oxidations-Temperatur gibt es
auch noch einen anderen Grund. Es wird nämlich angestrebt, den Silicium-
Plättchen einen möglichst großen Durchmesser zu geben, weil
sich dadurch eine höhere Ausbeute an verwendbaren Halbleiter-
Chips einstellt. Im allgemeinen nimmt die Ausbeute dabei sogar
mit dem Quadrat des Durchmessers der Plättchen zu. Andererseits
sind die Plättchen sehr dünn (die typische Dicke liegt bei etwa
250-380 µm), so daß mit zunehmendem Durchmesser auch die mechanischen
Gradienten zunehmen, was durch hohe Temperaturen noch
verschlimmert wird. Dementsprechend ist eine niedrigere Oxidations-
Temperatur im besagten Bereich von etwa 700-950°C auch
für die Handhabung von Plättchen mit größerem Durchmesser sehr
viel nützlicher.
Es ist bekannt, daß die Wachstumsgeschwindigkeit des
Oxids auf Silicium-Plättchen in ordnungsgemäßer Umgebung eine
Funktion der Zeit, der Temperatur und des Druckes ist. Diesbezüglich
sei verwiesen auf Untersuchungen der Firma Bell Telephone
Laboratories, nämlich Ligenza, Oxidation of Silicon by High-
Pressure Steam, Journal of the Electrochemical Society, 1962,
Seiten 73-76 sowie Panousis und Schneider, High Pressure Steam
Apparatus for the Accelerated Oxidation of Silicon, Abstract
Nr. 53, Spring Meeting of the Electrochemical Society in Chicago,
13.-18. Mai 1973.
In der ersterwähnten Veröffentlichung von Ligenza wurden
Laborversuche mit Druckbomben durchgeführt. Die Silicium-Probe
wurde dabei zusammen mit einer abgemessenen Wassermenge in die
Bombe eingesiegelt, und dann wurde die Bombe auf eine Temperatur
im Bereich von etwa 500-1050°C erhitzt. Aus der bekannten Wassermenge
und der bekannten Temperatur wurde errechnet, daß sich
innerhalb der Bombe ein Wasserdampfdruck zwischen etwa 25 und
400 bar aufgebaut hatte, und zwar über Zeiträume von ½ Std.
bis 8 Std.
Die von Panousis und Schneider in der zweitgenannten Literaturstelle
berichteten Versuche waren demgegenüber etwas
fortschrittlicher, indem der Wasserdampfdruck innerhalb der Reaktionskammer
durch einen Druckregler und nicht durch die (rechnerisch
ungenaue und praktisch nur sehr schwer reproduzierbare)
Verdampfung einer vorgegebenen Wassermenge erzeugt wurde. Dazu
war ein Dampfgenerator vorgesehen, der über einen Druckregler
mit einem Druckgefäß aus rostfreiem Stahl verbunden war. Das
Druckgefäß enthielt die zu oxidierenden Silicium-Plättchen sowie
eine diese umgebende Hülle aus Tonerde, um die herum eine Heizspirale
gewickelt war, mit der die Temperatur innerhalb des
Druckgefäßes auf etwa 900-1200°C gebracht werden konnte. Nachteilig
war bei dieser Verfahrensweise jedoch, daß der gesamte
Innenraum des Druckgefäßes dem oxidierenden Einfluß des Dampfes
ausgesetzt war, die Plättchen also nicht isoliert in einem absolut
sauberen Reaktionsraum untergebracht waren. Außerdem haftet
dieser Verfahrensweise - ebenso wie auch der zuvor beschriebenen
Verfahrensweise - der grundsätzliche Nachteil an, daß das zur
Reaktion verwendete Wasser, selbst wenn es chemisch hergestellt,
filtriert, destilliert und sonstwie behandelt ist, immer noch
verunreinigende Makroteilchen enthalten kann, die bei der Herstellung
von Halbleitern nicht toleriert werden dürfen.
Weitere Untersuchungen mit Hochdruck-Systemen sind beschrieben
in der Literaturstelle von Powell, Ligenza und Schneider,
Selective Oxidation of Silicon in Low-Temperature-High-
Pressure Steam, IEEE Transactions on Electron Devices, Band
ED-21, Nr. 10, Oktober 1974, S. 636-640. Auch dort handelt es sich wiederum
um eine Oxidation mittels Wasserdampf, und außerdem sind auch
die dort beschriebenen Hochdruck-Systeme (ebenso wie auch die
vorangehend beschriebenen Systeme) nur für das Labor, nicht aber
zur kommerziellen Produktion geeignet.
Aus der DE-OS 15 21 909 ist eine Vorrichtung zum Oxidieren
von Silicium-Plättchen bei hohem Druck und hoher Temperatur
bekannt, bei der eine von außen beheizbare, abschließbare
Reaktionskammer verwendet wird, die eine verschließbare Beschickungsöffnung
für die Silicium-Plättchen und einen Einlaßkopf für
die Zufuhr von Sauerstoff enthält, die hier als Reaktionsgas
dient. Sauerstoff läßt sich zwar mit sehr viel höherer Reinheit
als Wasser herstellen, jedoch ist auch mit dieser bekannten Vorrichtung
eine wirtschaftliche und reproduzierbare Oxidation von
Silicium-Plättchen nicht möglich.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung
nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 zum Oxidieren von
Silicium-Plättchen bei hohem Druck und hoher Temperatur anzugeben,
die ein wesentlich schnelleres Oxidieren der Silicium-
Plättchen in einer sehr reinen Atmosphäre sowie mit hoher Genauigkeit
und Reproduzierbarkeit ermöglicht.
Die gestellte Aufgabe wird gemäß der Erfindung mit
einer solchen Vorrichtung gelöst, die die im Kennzeichen des Anspruchs
1 angegebenen Merkmale enthält.
Ein wesentlicher Aspekt der Erfindung ist die Verwendung
einer nach außen hermetisch abgeschlossenen Reaktionskammer,
innerhalb der die Silicium-Plättchen isoliert und damit unter absolut
sterilen Bedingungen untergebracht sind. Diese Reaktionskammer
braucht dabei nicht druckfest zu sein, da sie durch den
außen um die Reaktionskammer herum aufgebauten Gegendruck
stabilisiert wird. Dadurch braucht das Material der Reaktionskammer
nicht mehr nach Festigkeits-Gesichtspunkten ausgewählt zu werden,
sondern kann ganz auf die chemischen Erfordernisse abgestellt
werden. Ein Quarzrohr, das bei der hier zur Debatte stehenden
Reaktion deutlich inerter als die bislang verwendeten Stähle ist,
hat sich als besonders geeignet erwiesen. Verunreinigungen durch
Schwermetalle treten praktisch überhaupt nicht mehr auf, und Verunreinigungen
durch Natrium sind wesentlich seltener. Letztere
können übrigens auch sehr einfach durch Getterung mit gasförmigem
Chlorwasserstoff unschädlich gemacht werden.
Wichtig ist, daß bei der Vorrichtung mit den beanspruchten Merkmalen
das Reaktionsgas in ständigem Durchfluß unter dem hohen Druck
durch den Reaktionsraum hindurchgeleitet werden kann. Dadurch
lassen sich die zugeführten Gasmengen sehr genau steuern, wodurch
es insgesamt ermöglicht wird, im technischen Produktionsmaßstab
selbst relativ große Silicium-Plättchen in einer
außerordentlich reinen Atmosphäre mit hoher Genauigkeit und Reproduzierbarkeit
zu oxidieren, wobei der Oxidationsvorgang wesentlich
schneller abläuft als bisher.
Beispielsweise aus der US-PS 34 46 659 ist es an sich
bekannt, das oxidierende Gas in fortlaufender Strömung über die
Silicium-Plättchen zu leiten, wobei die Silicium-Plättchen in
einer dünnwandigen Reaktionskammer aus Quarz angeordnet werden,
die in einem Behälter untergebracht ist. Hier werden die Reaktionsgase
jedoch unter Atmosphärendruck über die Silicium-Plättchen
geleitet, so daß sich nicht die durch die Vorrichtung mit den beanspruchten Merkmalen erzielbaren
Ergebnisse erreichen lassen.
Nachfolgend wird die Erfindung in Ausführungsbeispielen
und anhand der Zeichnung näher erläutert. Die Zeichnung gibt dabei
ein Diagramm einer bevorzugten Ausführungsform wieder.
Der zentrale Bestandteil der zeichnerisch dargestellten
Vorrichtung ist ein Druckbehälter 5, dessen Inneres durch eine mit
einem Verschlußdeckel 8 verschlossene Öffnung 7 zugänglich ist
und eine Druckkammer 6 bildet. Innerhalb dieser Druckkammer befindet
sich ein kleineres Reaktionsgefäß 11, dessen Inneres eine
Reaktionskammer 12 bildet und ein Schiffchen 14 zur Aufnahme der
zu oxidierenden Silicium-Plättchen 13 enthält. Die Reaktionskammer
12 ist durch eine um das Reaktionsgefäß 11 herumgelegte Heizvorrichtung
18 beheizbar und durch eine mit einem Verschlußdeckel 17
verschlossene Öffnung 16 zugänglich. Die Heizvorrichtung 18 ist
zweckmäßig ein drahtgewickeltes Heizelement, das außen am Reaktionsgefäß
11 anliegt und dieses zugleich innerhalb der Druckkammer
6 am Platz hält.
Das Reaktionsgefäß 11 besitzt einen Einlaßkopf 19, über
den gasförmiger Sauerstoff und Wasserstoff (beide unter Druck)
in die Reaktionskammer 12 eingespeist werden. Ein weiterer Einlaß
21 befindet sich am Druckbehälter 5. Über diesen Einlaß 21
wird Inertgas unter Druck in die Druckkammer 6 außerhalb des
Druckgefäßes 11 eingespeist, um die Drücke in den Kammern 6
und 12 gleich zu halten. Weiterhin sind der Druckbehälter 5
und das Reaktionsgefäß 11 mit Auslässen 22 und 23 versehen, denen
eine Druckregeleinrichtung 24 nachgeschaltet ist. Mit Hilfe dieser
Druckregeleinrichtung 24 wird eine kontinuierliche Gasströmung
durch die Reaktionskammer 12 hindurch aufrechterhalten und zugleich
die Druckgleichheit innerhalb der Kammern 6 und 12 hergestellt.
Die Druckgleichheit der Kammern 6 und 12 wiederum macht
es möglich, für das Reaktionsgefäß 11 ein relativ dünnwandiges
Quarzrohr zu verwenden, so daß die Oxidation der Silicium-Plättchen
in einem absolut "sauberen" Reaktionsraum stattfinden kann,
der vollständig gegen irgendwelche Verunreinigungen abgeschirmt
ist, welche sich im Heiz- und Druckbereich außerhalb des Quarzrohres
befinden können.
Zur Oxidation der Silicium-Plättchen wird ein
über den Einlaß 19 eingespeistes
Gemisch aus Sauerstoff und Wasserstoff verwendet. Permanente Gase
wie Sauerstoff und Wasserstoff sind, im Gegensatz zu Wasser oder
Dampf, in außerordentlich reiner Form erhältlich, so daß sie keine
Quelle für das Hineintragen von Verunreinigungen in die Reaktionskammer
12 bilden. Unter den in der Reaktionskammer 12 herrschenden
Druck- und Temperaturbedingungen reagieren der Sauerstoff,
der Wasserstoff und das Silicium derart miteinander, daß
sich Dampf und pyrolythisches Oxid auf der Oberfläche der Silicium-
Plättchen bildet. Die Verwendung von gasförmigem Sauerstoff
und Wasserstoff hat im übrigen auch noch den Vorteil, daß sich
die Zufuhr der Reaktanten in die Reaktionskammer 12 sehr präzise
dosieren läßt und daß sich das Verhältnis von Wasserstoff zu
Sauerstoff nach Wahl verändern läßt, um damit den Charakter und
die Wachstumsrate des Oxids zu beeinflussen. Der Anteil an Sauerstoff
kann unter die stöchiometrische Menge gesenkt werden, und
ggfs. kann sogar auch ganz ohne Wasserstoff gearbeitet werden, so
daß sich kein Dampf bildet und die Oxidation unter "trockenen"
Bedingungen abläuft.
Die präzise Steuerung der Gaszufuhr in die Reaktionskammer
12 erfolgt am zweckmäßigsten mit Hilfe sogenannter "sonischer
Drosseln", die in die Gaszuleitungen eingebaut sind. Solche sonischen
Drosseln sind im einzelnen beschrieben in Prandtl, Essentials
of Fluid Dynamics, Kapitel IV, Seite 266, Haeffner Publishing
Co., 1952. Sie werden mitunter auch als "kritische Drosseln"
bezeichnet und haben die Charakteristik, daß, solange Schallgeschwindigkeit
durch die Drossel hindurch erreicht ist, der hindurchgehende
Gasstrom unempfindlich ist gegen den Rückdruck stromabwärts.
Vorzugsweise ist in jeder der in die Reaktionskammer 12
führenden Druckgasleitungen eine sonische Drossel angeordnet. Die
zeichnerisch dargestellte Anlage weist insgesamt vier solcher Druckgasleitungen
aus, nämlich neben den Leitungen 43 und 44 für den Wasserstoff
und den Sauerstoff noch zwei Leitungen 42 und 45 für
Stickstoff bzw. gasförmigen Chlorwasserstoff. Die zugeordneten sonischen
Drosseln haben die Bezugszeichen 26 bis 29, und stromaufwärts
der sonischen Drosseln befindet sich jeweils ein Druckregler
36 bis 39. Eine fünfte Leitung 41, die ebenfalls eine Stickstoff-
Leitung ist und einen Druckregler 40, aber keine sonische Drossel
enthält, geht über den Einlaß 21 in die Druckkammer 6, um diese
mit Inertgas zu versorgen.
Mit dem vorangehend beschriebenen Leitungssystem läßt
sich die Gaszufuhr zur Reaktionskammer 12 leicht und genau an die
jeweils erforderlichen Bedingungen hinsichtlich Druck und Menge
der einzelnen Gase anpassen. So kann das Verhältnis von Wasserstoff
zu Sauerstoff entsprechend dem jeweiligen Bedarf eingestellt
werden, und außerdem kann entweder alternativ zu diesen Reaktionsgasen
(z. B. während der Abkühlphasen im Anschluß an die Oxidation)
oder aber zusätzlich zu diesen Reaktionsgasen (z. B. zum Zwecke
ihrer Verdünnung während der Oxidation oder aber auch zum Zwecke
der Bildung von Silicium-Nitrid) Sticktoff eingespeist werden,
der sich natürlich ebenso rein gewinnen läßt wie Wasserstoff
und Sauerstoff. Schließlich kann auch, wie nachfolgend noch
erläutert wird, Chlorwasserstoff zum Zwecke der Getterung zugeführt
werden. Wichtig ist dabei, daß unabhängig von Art, Menge und
Druck der in die Reaktionskammer 12 eingespeisten Gase jeder
Druckanstieg und Druckabfall in der Reaktionskammer sehr präzise
durch einen entsprechenden Druckanstieg bzw. Druckabfall in der
Druckkammer 6 ausgesteuert werden kann.
Die Getterung durch gasförmigen Chlorwasserstoff hat den
Zweck, Verunreinigungen, insbesondere Natrium, unschädlich zu
machen. Es wurde gefunden, daß durch Ausspülen der Reaktionskammer
12 mit gasförmigem Chlorwasserstoff der größte Teil der Verunreinigungen,
die sonst auf die Silicium-Plättchen einwirken würden,
beseitigt werden kann. Normalerweise wird es dabei bevorzugt, das
Ausspülen vor der Oxidation mit einer Mischung aus gasförmigem
Chlorwasserstoff und entweder Sauerstoff oder Stickstoff vorzunehmen.
Eine andere Methode der Getterung des Natriums besteht darin,
Chloratome in das Oxid einzubauen, wobei in dem Fall der Chlorwasserstoff
während der Oxidation mit in die Reaktionskammer eingeleitet
wird.
Die Druckregelanordnung 24, die die Drücke in den Kammern
6 und 12 im Gleichgewicht hält, umfaßt einen Rückdruckregler
61, der zu einer Leitung 62 an den Auslaß 22 der Druckkammer 6
angeschlossen ist, sowie einen weiteren Rückdruckregler 64, der
über eine Leitung 58 an den Auslaß 23 der Reaktionskammer 12 angeschlossen ist. Der Rückdruckregler 61 ist in einem Bereich
von 0 bis etwa 50 bar oder mehr einstellbar und wird über eine
Steuerleitung 82 durch den Druck in der Leitung 58 gesteuert. Der
Rückdruckregler 64 ist ein dom-belasteter, gegen eine Federvorspannung
arbeitender Regler, dessen Dom über eine Leitung 63 mit
dem Druck in der Leitung 62 beaufschlagt ist. Diese Anordnung erlaubt
eine konstante Gas-Abströmung durch den Rückdruckregler 64
hindurch und, infolge des Zusammenwirkens mit dem Rückdruckregler
61, die Aufrechterhaltung eines stets gleichen Druckes in den
Kammern 6 und 12. Die Auslaßleitungen 66 bzw. 68 der beiden Rückdruckregler
sind zweckmäßig an einen gemeinsamen Abzug angeschlossen.
Die Leitung 58 von der Reaktionskammer 12 zum Rückdruckregler
64 ist mittels einer Rohrdurchführung 60 dicht durch den
äußeren Druckbehälter 5 hindurchgeführt und enthält außerhalb
des Druckbehälters 5 noch einen Kondensator 86, der automatisch
den bei der Oxidation gebildeten Dampf (wenn Sauerstoff-Wasserstoffmischungen
mit oder ohne Stickstoff benutzt werden)
kondensiert und als Wasser abführt. Wenn ohne Wasserstoff gearbeitet
wird, also eine trockene Oxidation durchgeführt wird, ist dieser
Kondensator nicht erforderlich. Deshalb ist er noch durch eine
Umgehungsleitung 83 überbrückt. Diese Umgehungsleitung ist
vor allem aber auch dafür gedacht, eine Korrosion des Rückdruckreglers
64 durch feuchten Chlorwasserstoff zu verhindern, sie
wird deshalb immer dann benutzt, wenn chlorwasserstoff-haltige
Gasmischungen in der Reaktionskammer 12 zur Anwendung kommen.
Die Umschaltung von dem Kondensator 86 auf die Umgehungsleitung
83 kann mittels zweier in die Leitung 58 eingefügter Dreiwegventile
84 und 87 erfolgen, die einmal über die Umgehungsleitung 83
und zum anderen über zwei Leitungsanschlüsse 85 und 88 sowie dem
Kondensator 86 miteinander verbunden sind.
Die Stickstoff-Leitung 41 für die Druckkammer 6 ist hinter
dem Druckregler 40 über eine Anschlußleitung 31 an ein Dreiwegeventil 76 geführt, welches einerseits über eine weitere Anschlußleitung
77 mit dem Einlaß 21 der Druckkammer 6 und andererseits
über eine Auslaßleitung 78 mit der freien Atmosphäre verbunden
ist. Zwischen den Leitungen 77 und 78 ist dabei ein Überströmventil 79 angeordnet, und zwar als Sicherheitsmaßnahme, um
einen unzulässigen Überdruck in der Druckkammer 6 zu verhindern.
Die Stickstoffleitung 42 für die Reaktionskammer 12 enthält hinter
der sonischen Drossel noch ein Absperrventil 81 und ist über
eine Anschlußleitung 80 an den Einlaßkopf 19 der Reaktionskammer
12 angeschlossen. Zwischen dieser Leitung 80 und der Leitung 77
befindet sich dabei ein weiteres Überströmventil 89, das Sicherheit
bietet gegen eine Implosion der Reaktionskammer 12, falls
zwischen dieser und der Druckkammer 6 eine vorbestimmte Druckdifferenz
überschritten werden sollte.
Weitere Absperrventile 91, 93 und 94 befinden sich analog
dem Absperrventil 81 jeweils stromabwärts der sonischen Drosseln
27 bis 29 in den Druckgas-Leitungen 43 bis 45 für Wasserstoff, Sauerstoff
und Chlorwasserstoff. Das Absperrventil 94 in der Wasserstoffleitung
43 ist dabei an die gleiche Anschlußleitung 80 angeschlossen,
die vom Absperrventil 81 in der Stickstoffleitung 42 aus zum
Einlaßkopf 19 führt und über einen Einlaß 53 an den Einlaßkopf 19
angeschlossen ist. Die beiden anderen Absperrventile 91 und 93
in der Sauerstoff-Leitung 44 bzw. der Chlorwasserstoff-Leitung 45
münden dagegen gemeinsam in eine zweite Anschlußleitung 92, die
über einen zweiten Einlaß 54 gesondert an den Einlaßkopf 19 angeschlossen
ist. Eine solche gesonderte Einspeisung von Wasserstoff
und Sauerstoff in die Reaktionskammer 12 ist erforderlich, um die
ordnungsgemäße Einleitung der Reaktion sicherzustellen. Die Anschlußleitung
80 erstreckt sich dabei weiter als die Anschlußleitung
90 in die Reaktionskammer 12 hinein, und zwar ausreichend genug,
damit die Leitungsmündung in einer Temperaturzone oberhalb
der Zündungstemperatur des Wasserstoff-Sauerstoff-Gemisches liegt.
Vorzugsweise ist der Druckbehälter 5 entweder mit
Luft oder mit Wasser gekühlt. Er besitzt deshalb einen Kühlmantel
96, der mit Anschlüssen 97, 98 und 99 für den Einlaß, den Auslaß
und die Drainage des Kühlmittels versehen ist.
In der nachfolgenden Tabelle sind einige Zahlenbeispiele
zusammengefaßt, die als Auswahlbeispiele einige typische Betriebsweisen
der vorangehend beschriebenen Vorrichtung erläutern sollen.
Berücksichtigt sind dabei das Spülen der Reaktionskammer 12 mit
Chlorwasserstoff sowie zwei Beispiele für die Trockenoxidation
(ohne Wasserstoff) und die "Dampf-Oxidation" (mit Wasserstoff)
der Silicium-Plättchen. Die anderen der zahlreichen möglichen Betriebsweisen
(z. B. mit anderem Verhältnis der Reaktionsgase bzw.
mit Zusatz von Stickstoff und/oder Chlorwasserstoff zu den Reaktionsgasen)
ergeben sich sinngemäß.
Claims (5)
1. Vorrichtung zum Oxidieren von Silicium-Plättchen bei
hohem Druck und hoher Temperatur mit einer von außen beheizbaren,
abschließbaren Reaktionskammer, die eine verschließbare Beschickungsöffnung
für die Silicium-Plättchen und einen Einlaßkopf für
die Zufuhr eines Reaktionsgases enthält, dadurch gekennzeichnet,
daß die Reaktionskammer (11) als dünnwandiges Gefäß aus inertem
Material ausgebildet ist, auf dem außen eine Heizvorrichtung angebracht
ist, daß die Reaktionskammer (11) zum Aufrechterhalten
eines ständigen Reaktionsgas-Durchflusses zusätzlich einen Auslaß
(23) aufweist, daß die Reaktionskammer (11) ferner innerhalb
eines Druckbehälters (5) angeordnet ist, durch dessen Wandung
Leitungen zum Einlaß (53, 54) und Auslaß (23) der Reaktionskammer
(11) hindurchgeführt sind und der mit einem weiteren Einlaß (21)
für ein inertes Druckgas sowie mit einer weiteren verschließbaren
Beschickungsöffnung (7) für die Silicium-Plättchen versehen ist,
und daß an den Druckbehälter (5) und die Reaktionskammer (11)
eine Druckregelanordnung (24) angeschlossen ist, die dafür sorgt,
daß in der Reaktionskammer (11) stets der gleiche Druck wie in
dem Druckbehälter (5) herrscht.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Reaktionskammer (11) aus Quarz besteht.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß für jedes der Reaktionskammer (11) zuzuführende Gas
eine Druckgasleitung (42 bis 45) vorgesehen ist, die einen Druckregler
(36 bis 39) und eine sonische Drossel (26 bis 29) enthält.
4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet,
daß eine Druckgasleitung (43) für Wasserstoff und eine weitere
Druckgasleitung (44) für Sauerstoff über gesonderte Anschlußleitungen
(80, 92) zum Einlaßkopf (19) der Reaktionskammer geführt
sind, wobei die übrigen Druckgasleitungen (42, 45) an eine der
beiden Anschlußleitungen (80, 92) angeschlossen sind.
5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß das in den Druckbehälter (5) eingefüllte
inerte Druckgas Stickstoff ist.
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