CN108705383B - 基板处理方法、基板处理装置及基板处理系统 - Google Patents

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Abstract

本发明提供基板处理方法、基板处理装置及基板处理系统，能够在研磨基板的周缘部后清洗基板的周缘部，并确认该清洗效果，另外能够清洗以往不太能够清洗到的区域即基板的周缘部。基板保持部(2)保持基板(W)并使其旋转，通过第一头(3A、3B)将具有磨粒的研磨带(PT)按压于基板(W)的周缘部而研磨基板(W)的周缘部，通过清洗喷嘴(53)向研磨后的基板(W)的周缘部供给清洗液而清洗基板(W)的周缘部，通过第二头(3D)使不具有磨粒的带(T)与清洗后的基板(W)的周缘部接触，通过传感器(70)对与基板(W)的周缘部接触后的带(T)照射光并接收来自带(T)的反射光，在接收的反射光的强度低于规定值的情况下判定为基板(W)的周缘部被污染。

Description

基板处理方法、基板处理装置及基板处理系统
技术领域
本发明涉及对半导体晶片等基板的周缘部进行研磨，并对研磨后的基板的周缘部进行清洗的基板处理方法及装置。
背景技术
从半导体器件的制造中的成品率提高的观点来看，近年来注目于基板的表面状态的管理。在半导体器件的制造工序中，各种各样的材料成膜于硅晶片上。因此，在基板的周缘部形成不需要的膜、表面粗糙。近年来，一般的方法是通过臂仅对基板的周缘部进行保持来输送基板。在这样的背景下，残存于周缘部的不需要的膜在经过各种各样的工序期间剥离而附着在形成于基板的器件，使成品率下降。因此，为了去除形成于基板的周缘部的不需要的膜，使用研磨装置对基板的周缘部进行研磨。
作为这样的研磨装置，已知具备使用研磨带来对基板的周缘部进行研磨的斜面研磨组件的装置(例如参照专利文献1)。研磨装置具备：保持基板并使基板旋转的基板保持部；具有支承研磨带的多个引导辊的带供给回收机构；以及具有按压部件的研磨头，该按压部件将从带供给回收机构供给的研磨带按压于基板的周缘部。带供给回收机构还具有供给带盘和回收带盘，支承于多个引导辊的研磨带通过带进给机构而从供给带盘经由研磨头送至回收带盘。将通过带进给机构从供给带盘经由研磨头以规定的进给速度送至回收带盘的研磨带通过研磨头的按压部件被按压于旋转的基板的周缘部，从而对基板的周缘部进行研磨。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2012-213849号公报
专利文献2：日本特开2013-4825号公报
发明要解决的课题
在由斜面研磨组件研磨后的基板附着研磨屑等粒子。若在以往，将基板从斜面研磨组件输送至清洗单元，在清洗单元内对所有的该粒子进行清洗、冲洗。
另外，在以往，考虑到成本效益，将昂贵的检查装置共同设置于斜面研磨装置内不现实，因此，通过位于研磨装置之外的粒子计数器等来测量在基板的中央附近有无垃圾，从而判定基板是否处于干净的状态。
另一方面，近来，伴随元件的设计规则的细微化，在粒子计数器中也要求粒子的检测尺寸在45nm以下等，面向检测灵敏度的进一步提高的技术开发在进行中。然而，若提高检测灵敏度，则发现会产生检测到本来不需要检测的表面的LPD(Light Point Defect/光点缺陷)这一新课题(例如，参照日本特开2013-4825号公报)。因此，尽管细微化的要求提高，但在将粒子计数器用于基板研磨装置的情况下，在上述制约下，造成使用无法充分确认基板周缘部有无污垢的精度的装置，另外，若不使用特殊且昂贵的检查装置，则无法观察基板中心部。这样一来，即使是使用一直使用的粒子计数器而应判定为清洁的基板，位于基板周缘部的PID(Process Induced Defect/工艺诱导缺陷)、附着粒子等异物由于某种契机而会移动到基板的器件面。并且，在这样的情况下，有对器件面造成坏影响的担忧，但对此没有采取对策。
因此，要求如下技术：在对基板的周缘部进行研磨后对基板的周缘部进行清洗，并且立刻能够确认该清洗效果，进一步根据需要而再次清洗。
另外，所有的处理结束，使基板回到FOUP之前、在将基板搬出到装置外之后，若在基板上发现污垢，则需要再次清洗，因此产生基于该再次清洗而造成的时间损失、耗费工夫。
另外，若不采用可能成为基板的周缘部的缺陷的原因的接触清洗，并且连以往不太能够清洗到的区域也能够清洗到的话，则能够防止对器件面造成坏影响。
发明内容
本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种基板处理方法及装置，在对基板的周缘部进行研磨后对基板的周缘部进行清洗，能够确认该清洗效果，另外能够可靠地清洗以往不太能够清洗到的区域即基板的周缘部。
用于解决课题的手段
为了达成上述目的，本发明的基板处理方法的第一方式中，通过基板保持部保持基板并使基板旋转，通过第一头将具有磨粒的研磨带按压于基板的周缘部而对基板的周缘部进行研磨，通过清洗喷嘴向研磨后的基板的周缘部供给清洗液而对基板的周缘部进行清洗，通过第二头使不具有磨粒的带与清洗后的基板的周缘部接触，通过传感器对与基板的周缘部接触后的带照射光并接收来自带的反射光，在接收的反射光的强度小于规定值的情况下，判定基板的周缘部被污染。
本发明优选的方式中，不具有所述磨粒的带由基材带和设置于该基材带上的无纺布或多孔质层构成，使所述无纺布或多孔质层与基板的周缘部接触。
本发明优选的方式中，所述清洗喷嘴由双流体喷射喷嘴构成，通过该双流体喷射喷嘴向基板的周缘部供给液体和气体的混合流体而对基板的周缘部进行清洗。
本发明优选的方式中，通过所述清洗喷嘴向基板的周缘部供给臭氧水或被施加兆声波的清洗液而对基板的周缘部进行清洗。
本发明优选的方式中，在判定为基板的周缘部被污染的情况下，再次对基板的周缘部进行清洗。
本发明的基板处理装置的第一方式中，具备：基板保持部，该基板保持部保持基板并使基板旋转；第一头，该第一头将具有磨粒的研磨带按压于基板的周缘部而对基板的周缘部进行研磨；清洗喷嘴，该清洗喷嘴向研磨后的基板的周缘部供给清洗液而对基板的周缘部进行清洗；第二头，该第二头使不具有磨粒的带与清洗后的基板的周缘部接触；传感器，该传感器对与基板的周缘部接触后的带照射光并接收来自带的反射光；以及控制部，该控制部将接收的所述反射光的强度与规定值进行比较，在反射光的强度小于规定值的情况下，该控制部判定基板的周缘部被污染。
本发明优选的方式中，不具有所述磨粒的带由基材带和设置于该基材带上的无纺布或多孔质层构成，使所述无纺布或多孔质层与基板的周缘部接触。
本发明优选的方式中，所述清洗喷嘴由双流体喷射喷嘴构成，通过该双流体喷射喷嘴向基板的周缘部供给液体和气体的混合流体而对基板的周缘部进行清洗。
本发明优选的方式中，通过所述清洗喷嘴向基板的周缘部供给臭氧水或被施加兆声波的清洗液而对基板的周缘部进行清洗。
本发明优选的方式中，在通过所述控制部判定为基板的周缘部被污染的情况下，通过所述清洗喷嘴再次对基板的周缘部进行清洗。
本发明优选的方式中，所述第二头具备：按压部件，该按压部件配置于不具有磨粒的带的背面侧；以及按压机构，该按压机构将所述按压部件经由不具有磨粒的带而向基板的周缘部按压。
本发明优选的方式中，所述第二头具备倾斜机构，为了使不具有磨粒的带分别与基板的顶部边缘部、底部边缘部、斜面部接触，该倾斜机构使所述按压部件与所述按压机构一体地倾斜动作。
本发明优选的方式中，所述控制部在判定为基板的周缘部被污染的情况下，将再次对基板的周缘部进行清洗的信号向所述清洗喷嘴发送。
本发明的基板处理系统包含：上述的基板处理装置；存储部，该存储部存储有用于在所述基板处理装置中对基板进行处理的处理方案的数据；
模式设定部，该设定部决定是自动模式还是手动模式，该自动模式是通过操作者输入基板的种类的数据，从而从所述存储部读取处理方案的数据来设定处理方案的模式，该手动模式是操作者通过手动来确定处理条件，从而设定处理方案的模式；以及
动作控制部，该动作控制部用于基于设定的所述处理方案来控制基板处理装置的动作。
本发明的基板处理装置的第二方式中，具备：基板保持台，该基板保持台保持基板并使基板旋转；第一头，该第一头将具有磨粒的研磨带按压于所述基板保持台所保持的基板的周缘部而对基板的周缘部进行研磨；以及双流体喷射喷嘴，该双流体喷射喷嘴向所述基板保持台所保持的基板的周缘部供给液体和气体的混合流体的喷流，对基板的周缘部进行清洗。
本发明优选的方式中，具备倾斜机构，该倾斜机构能够使所述双流体喷射喷嘴相对于所述基板的周缘部倾斜动作。
本发明优选的方式中，所述倾斜机构构成为能够相对于基板的周缘部在-90°～+90°的范围倾斜动作。
本发明优选的方式中，具备多个所述双流体喷射喷嘴。
本发明的基板处理方法的第二方式中，具备如下工序：将基板保持于基板保持台，使基板旋转的工序；将具有磨粒的研磨件按压于旋转的所述基板的周缘部，对基板的周缘部进行研磨的工序；以及向所述基板保持台所保持的基板的周缘部供给液体和气体的混合流体的喷流，对该基板的周缘部进行清洗的工序。
本发明优选的方式中，所述具有磨粒的研磨件是安装于第一头的研磨带，该第一头对基板的顶部边缘部进行研磨，在所述清洗工序中，以对基板的顶部边缘部进行清洗，接着对斜面部和/或底部边缘部进行清洗的方式，向基板的周缘部依次供给液体和气体的混合流体的喷流。
本发明优选的方式中，所述具有磨粒的研磨件是安装于第一头的研磨带，该第一头对基板的底部边缘部进行研磨，在所述清洗工序中，以对基板的底部边缘部进行清洗，接着对斜面部和/或顶部边缘部进行清洗的方式，向基板的周缘部依次供给液体和气体的混合流体的喷流。
本发明优选的方式中，所述具有磨粒的研磨件是安装于第一头的研磨带，该第一头对基板的底部边缘部进行研磨，在所述清洗工序中，以对基板的斜面部进行清洗，接着对顶部边缘部和/或底部边缘部进行清洗的方式，向基板的周缘部依次供给液体和气体的混合流体的喷流。
本发明的基板处理装置的第三方式中，具备：基板保持台，该基板保持台保持基板并使基板旋转；第一头，该第一头将研磨件按压于所述基板保持台所保持的基板的周缘部而对基板的周缘部进行研磨；双流体喷射喷嘴，该双流体喷射喷嘴向所述基板保持台所保持的基板的周缘部供给液体和气体的混合流体的喷流，对基板的周缘部进行清洗；以及倾斜机构，该倾斜机构使所述双流体喷射喷嘴能够相对于所述基板的周缘部在-90°～+90°的范围倾斜动作。
发明效果
根据本发明，以下列举获得的效果。
(1)能够在对基板的周缘部进行研磨后对基板的周缘部进行清洗，并且能够立刻确认该清洗效果，并且能够根据需要再次对基板的周缘部进行清洗。
(2)在确认将基板的周缘部清洗为清洁后进入下一工序，因此能够抑制之后发现基板上残留污垢而再次清洗所产生的时间损失、工夫。
(3)能够提供如下基板清洗装置及基板清洗方法：不采用成为基板的周缘部的缺陷的原因的接触清洗，能够清洗到以往不太能够清洗到的区域即基板的周缘部，因此抑制了对器件面造成坏影响。
附图说明
图1(a)及图1(b)是表示作为基板的一例的晶片的周缘部的放大剖视图，图1(a)是所谓直型的晶片的剖视图，图1(b)是所谓圆型的晶片的剖视图。
图2是表示本发明的基板处理装置的俯视图。
图3是图2的III-III线剖视图。
图4是第一头的方大图。
图5是图4所示的按压部件的主视图。
图6是图5所示的按压部件的侧视图。
图7是图5的A-A线剖视图。
图8是表示头主体对晶片的周缘部进行研磨的状态的图。
图9是表示头主体对晶片的周缘部进行研磨的状态的图。
图10是表示头主体对晶片的周缘部进行研磨的状态的图。
图11是清洗用头的立面图。
图12(a)、(b)、(c)是表示图11所示的清洗喷嘴对晶片的周缘部进行清洗的状态的示意图。
图13的第二头的放大图。
图14是表示对如图2至图13那样构成的基板处理装置的动作进行控制的控制装置的框图。
图15是表示清洗喷嘴相对于晶片的三个位置的示意图。
图16(a)、(b)、(c)是表示清洗用头的清洗喷嘴首先对晶片的顶部边缘部进行清洗，接着对斜面部和/或底部边缘部进行清洗的例的示意图。
符号说明
1 基板处理装置
2 基板保持部
3A、3B 第一头
3C 清洗用头
3D 第二头
4 保持台
5 中空轴
6 滚珠花键轴承(直线运动轴承)
7 连通路
8 旋转接头
9a 真空线路
9b 氮气供给线路
10A、10B、10D 带供给回收机构
12 壳体
14 圆筒状的壳体
15 气缸
18 径向轴承
19 波纹管
20 隔壁
20b 输送口
20c 开口
21 处理室
24 供给带盘
25 回收带盘
27 联轴器
28 检测传感器
30 头主体
31、32、33、34 引导辊
36 上侧供给喷嘴
37 下侧供给喷嘴
40 活百叶部
41 按压机构
42 带进给机构
42a 带进给辊
42b 轧辊
43、44、45、46、47、48、49 引导辊
50 按压部件
53 清洗喷嘴
54 清洗液供给线路
55 气体供给线路
56、57 调节器
60 臂
61 移动台
62 引导件
63 轨道
65 底板
66 连结板
67 线性促动器
68 接头
70 传感器
71 控制部
100 控制装置
101 存储部
102 模式设定部
103 动作控制部
104 输入部
105 输出部
107 主存储部
108 辅助存储部
110 记录介质读入部
111 记录介质端口
113 显示部
114 印刷部
b2 带
Cr 中心轴
M1、M2、M3、M4 电机
p1、p2 滑轮
PT 具有磨粒的研磨带
T 不具有磨粒的带
W 晶片
具体实施方式
以下，参照图1至图16，对本发明的基板处理方法及装置的实施方式进行说明。另外，在图1至图16中，对相同或相当的结构要素标记相同的符号而省略重复的说明。
图1(a)及图1(b)是表示作为基板的一例的晶片的周缘部的放大剖视图。更详细而言，图1(a)是所谓直型的晶片的剖视图，图1(b)是所谓圆型的晶片的剖视图。在图1(a)的晶片W中，斜面部是由上侧倾斜部(上侧斜面部)P、下侧倾斜部(下侧斜面部)Q及侧部(顶部)R构成的晶片W的最外周面(由符号B表示)。在图1(b)的晶片W中，斜面部是构成晶片W的最外周面的具有弯曲的截面的部分(由符号B表示)。顶部边缘部是位于斜面部B的径向内侧的平坦部E1。底部边缘部是位于与顶部边缘部相反的一侧且位于斜面部B的径向内侧的平坦部E2。顶部边缘部有时也包含形成有器件的区域。这些顶部边缘部E1及底部边缘部E2有时总称为近缘部。
图2是表示本发明的基板处理装置的俯视图。图3是图2的III-III线剖视图。如图2所示，基板处理装置1具备：水平地保持作为研磨对象的晶片(基板)W并使其旋转的基板保持部2；将具有磨粒的研磨带PT按压于晶片W的周缘部来对晶片W的周缘部进行研磨的两个第一头3A、3B；具有将清洗液供给至研磨后的晶片W的周缘部来对晶片W的周缘部进行清洗的清洗喷嘴的清洗用头3C；以及使不具有磨粒的带T与清洗后的晶片W的周缘部接触的第二头3D。在图2及图3中，示出基板保持部2保持晶片W的状态。基板保持部2具备：通过真空吸附来保持晶片W的背面的碟形的保持台4；连结于保持台4的中央部的中空轴5；以及使该中空轴5旋转的电机M1。晶片W通过输送单元(未图示)，以晶片W的中心与中空轴5的轴心一致的方式载置于保持台4上。
中空轴5通过滚珠花键轴承(直线运动轴承)6被支承为上下移动自如。在保持台4的上表面形成槽4a，该槽4a连接于通过中空轴5而延伸的连通路7。连通路7经由安装于中空轴5的下端的旋转接头8而连接于真空线路9a。连通路7还连接于用于使处理后的晶片W从保持台4脱离的的氮气供给线路9b。通过切换这些真空线路9a和氮气供给线路9b，从而使晶片W真空吸附到保持台4的上表面、从保持台4的上表面脱离。
中空轴5经由连结于该中空轴5的滑轮p1、安装于电机M1的旋转轴的滑轮p2以及挂绕于这些滑轮p1、p2的带b1而通过电机M1旋转。滚珠花键轴承6是允许中空轴5向其长度方向自由地移动的轴承。滚珠花键轴承6固定于圆筒状的壳体12。因此，在本实施方式中，中空轴5构成为能够相对于壳体12上下地直线动作，中空轴5与壳体12一体地旋转。中空轴5连结于气缸(升降机构)15，通过气缸15使中空轴5及保持台4能够上升及下降。
在壳体12与同心配置于壳体12的外侧的圆筒状的壳体14之间夹装有径向轴承18，壳体12通过轴承18被支承为旋转自如。通过这样的结构，基板保持部2能够使晶片W绕其中心轴Cr旋转，并且使晶片W沿中心轴Cr上升及下降。
如图2所示，通过研磨带PT对晶片W的周缘部进行研磨的两个第一头3A、3B；对晶片W的周缘部进行清洗的清洗用头3C以及使不具有磨粒的带T与清洗后的晶片W的周缘部接触的第二头3D以包围保持于基板保持部2的晶片W的方式，配置于晶片W的半径向外侧。
在本实施方式中，在两个第一头3A、3B及第二头3D的半径向外侧分别设有带供给回收机构10A、10B、10D。两个第一头3A、3B及第二头3D与带供给回收机构10A、10B、10D通过隔壁20隔离。隔壁20的内部空间构成处理室21，四个头3A、3B、3C、3D及保持台4配置于处理室21内。另一方面，带供给回收机构10A、10B、10D配置于隔壁20的外侧(即处理室21之外)。两个第一头3A、3B相互具有相同的结构，带供给回收机构10A、10B相互也具有相同的结构。
接着，参照图2及图3，对将具有磨粒的研磨带PT按压于晶片W的周缘部来对晶片W的周缘部进行研磨的第一头3A及进行研磨带PT的供给及回收的带供给回收机构10A进行说明。
带供给回收机构10A具备：将具有磨粒的研磨带PT供给至第一头3A的供给带盘24；对晶片W的研磨所使用的研磨带PT进行回收的回收带盘25。供给带盘24配置于回收带盘25的上方。在供给带盘24及回收带盘25分别经由联轴器27而连结于电机M2(图2中仅示出连结于供给带盘24的联轴器27和电机M2)。各电机M2在规定的旋转方向上施加一定的转矩，能够对研磨带PT施加规定的张力。
研磨带PT是长条的带状的研磨件，其单面构成研磨面。研磨带PT具有：例如PET片材等构成的基材带；以及形成于基材带上的研磨层。研磨层由覆盖基材带的一方的表面的粘结剂(例如树脂)与由粘结剂保持的磨粒构成，研磨层的表面构成研磨面。
研磨带PT在卷绕于供给带盘24的状态下设置于带供给回收机构10A。研磨带PT的侧面由带盘板支承，以避免产生卷绕崩坏。研磨带PT的一端安装于回收带盘25，并通过回收带盘25卷取供给至第一头3A的研磨带PT，从而回收研磨带PT。进一步，在设置于供给带盘24的研磨带PT的后端附近标注结束标记(未图示)，在供给带盘24的附近设有能够对该结束标记进行检测的标记检测传感器28。
第一头3A具备头主体30，该头主体30用于使从带供给回收机构10A供给的研磨带PT与晶片W的周缘部抵接。研磨带PT以研磨带PT的研磨面朝向晶片W的方式被供给至头主体30。
带供给回收机构10A具有多个引导辊31、32、33、34，供给至第一头3A且从第一头3A回收的研磨带PT通过这些引导辊31、32、33、34被引导。研磨带PT通过设置于隔壁20的开口部20a从供给带盘24向头主体30供给，使用后的研磨带PT通过开口部20a回收至回收带盘25。
如图3所示，在晶片W的上方配置上侧供给喷嘴36，朝向保持于基板保持部2的晶片W的上表面中心供给研磨液。另外，具备朝向晶片W的背面与基板保持部2的保持台4间的边界部(保持台4的外周部)供给研磨液的下侧供给喷嘴37。研磨液使用例如纯水。进一步，基板处理装置1具有在晶片W的研磨处理后对头主体30进行清洗的头用清洗喷嘴(未图示)，在研磨处理后晶片W通过基板保持部2上升后，朝向头主体30喷射清洗水，能够对研磨处理后的头主体30进行清洗。
在中空轴5相对于壳体12升降时，为了使滚珠花键轴承6、径向轴承18等机构与处理室21隔离，如图3所示，中空轴5与壳体12的上端由能够上下伸缩的波纹管19连接。图3表示中空轴5下降的状态，表示保持台4位于处理位置。在处理后，通过气缸15使晶片W与保持台4及中空轴5一起上升至输送位置，在该输送位置使晶片W从保持台4脱离。
隔壁20具备用于将晶片W搬入处理室21及从处理室21搬出的输送口20b。输送口20b形成为水平地延伸的缺口。因此，由输送机构(未图示)握持的晶片W能够保持水平的状态，并通过输送口20b横穿处理室21。在隔壁20的上表面设有开口20c及活百叶部40，在隔壁20的下表面设有排气口(未图示)。在处理时，输送口20b通过未图示的闸门关闭。因此，从排气口通过未图示的风扇机构排气，从而在处理室21的内部形成清洁空气的下降气流。在该状态下进行基板处理，因此，能够防止研磨液、清洗液向上方飞散，能够将处理室21的上部空间保持清洁，并进行各种处理。
如图2所示，用于使研磨带PT与晶片W的周缘部抵接的头主体30固定于臂60的一端，臂60构成为绕旋转轴Ct旋转自如，旋转轴Ct与晶片W的切线平行。臂60的另一端经由滑轮p3、p4及带b2连结于电机M4。电机M4绕顺时针及逆时针旋转规定的角度，从而臂60绕轴Ct旋转规定的角度。在本实施方式中，通过电机M4、臂60、滑轮p3、p4及带b2，构成使头主体30倾斜的倾斜机构。
倾斜机构搭载于移动台61。如图3所示，移动台61经由引导件62及轨道63移动自如地连结于底板65。轨道63沿保持于基板保持部2的晶片W的半径向直线地延伸，移动台61能够沿晶片W的半径向直线地移动。在移动台61安装有贯通底板65的连结板66，线性促动器67经由接头68与连结板66连结。线性促动器67直接或间接地固定于底板65。
作为线性促动器67，能够采用气缸、定位用电机与滚珠丝杠的组合等。通过该线性促动器67、轨道63、引导件62，构成能够使头主体30沿晶片W的半径向直线地移动的移动机构。即，移动机构以使头主体30沿轨道63向晶片W靠近及分离的方式动作。另一方面，带供给回收机构10A固定于底板65。
图4是第一头3A的放大图。如图4所示，第一头3A具备用于将具有磨粒的研磨带PT按压于晶片W的周缘部的头主体30。头主体30具备：将研磨带PT的研磨面相对于晶片W以规定的力按压的按压机构41；以及将研磨带PT从供给带盘24送向回收带盘25的带进给机构42。该带进给机构42具备：输送研磨带PT的带进给辊42a；将研磨带PT相对于带进给辊42a按压的轧辊42b；以及使带进给辊42a旋转的带进给电机M3。轧辊42b以在图4的箭头NF所示的方向(朝向带进给辊42a的方向)产生力的方式由未图示的机构支承，轧辊42b构成为按压带进给辊42a。
研磨带PT夹于带进给辊42a与轧辊42b之间。当使带进给辊42a向图4的箭头所示的方向旋转时，带进给辊42a旋转，从能够将研磨带PT从供给带盘24经由头主体30送向回收带盘25。轧辊42b构成为能够绕其自身的轴旋转，且通过被输送研磨带PT而旋转。头主体30具有多个引导辊43、44、45、46、47、48、49，这些引导辊以研磨带PT在与晶片W的切线方向正交的方向行进的方式对研磨带PT进行引导。
按压机构41具备：配置于研磨带PT的背面侧的按压部件50；以及使该按压部件50向晶片W的周缘部移动的气缸(驱动机构)52。按压部件50在前表面具备两个突起部51a、51b。通过控制向气缸52供给的气体(例如，空气)的压力，从而调整研磨带PT对晶片W按压的力。在配置于晶片W的周围配置的各头3A、3B、3D的倾斜机构、按压机构41、带进给机构42构成为能够分别独立地动作。进一步，使各头移动的移动机构构成为能够分别独立地动作。
图5是图4所示的按压部件50的主视图，图6是图5所示的按压部件50的侧视图，图7是图5的A-A线剖视图。如图5至图7所示，按压部件50具有形成于其前表面的两个突起部51a、51b。这些突起部51a、51b具有如轨道般的形状，且并列配置。突起部51a、51b沿晶片W的周方向弯曲。更具体而言，突起部51a、51b具有这样的圆弧形状，该圆弧形状具有与晶片W的曲率实质上相同的曲率。
两个突起部51a、51b关于旋转轴Ct(参照图2)对称地配置，如图5所示，从按压部件50的正面观察时，突起部51a、51b朝向旋转轴Ct向内侧弯曲。头主体30设置为突起部51a、51b的顶端间的中心线(即旋转轴Ct)与晶片W的厚度方向上的中心一致。突起部51a、51b配置为比配置于头主体30的前表面的引导辊46、47(参照图4)更靠近晶片W，突起部51a、51b从背面支承研磨带PT。突起部51a、51b由PEEK(聚醚醚酮)等树脂形成。
如图7所示，在两个突起部51a、51b之间配置按压垫(斜面垫)64。按压垫64由硅橡胶等具有弹力的独立发泡材料构成。按压垫64的高度比突起部51a、51b的高度稍低。在将头主体30维持成水平的状态下，按压部件50通过气缸52朝向晶片W移动时，按压垫64从研磨带PT的背侧将研磨带PT相对于晶片W的周缘部按压。
图8至图10是表示头主体30对晶片W的周缘部进行研磨的状态的图。在对晶片W的斜面部进行研磨时，如图8所示，一边通过上述的倾斜机构使头主体30的倾斜角度连续地变化，一边通过按压垫64将研磨带PT按压到晶片W的斜面部。在研磨中，通过带进给机构42以规定的速度输送研磨带PT。进一步，头主体30能够对晶片W的顶部边缘部及底部边缘部进行研磨。即，如图9所示，使头主体30向上方倾斜，通过突起部51a将研磨带PT按压到晶片W的顶部边缘部，能够对顶部边缘部进行研磨。进一步，如图10所示，使头主体30向下方倾斜，通过突起部51b将研磨带PT按压到晶片W的底部边缘部，能够对底部边缘部进行研磨。
本实施方式的第一头3A、3B能够对包含顶部边缘部、斜面部及底部边缘部的晶片W的周缘部整体进行研磨。例如，为了使研磨率提高，通过第一头3A对包含顶部边缘部、斜面部及底部边缘部的晶片W的周缘部整体进行研磨，同时，通过第一头3B对包含顶部边缘部、斜面部及底部边缘部的晶片W的周缘部整体进行研磨。或者，也可以通过第一头3A对顶部边缘部进行研磨，通过第一头3B对斜面部进行研磨，通过第一头3A或第一头3B对顶部边缘部进行研磨。
接着，参照图2及图11，对将清洗液供给至研磨后的晶片W的周缘部来对晶片W的周缘部进行清洗的清洗用头3C进行说明。图11是清洗用头3C的立面图。另外，将清洗用头3C追加设置于第一头3A与第一头3B之间和/或追加于清洗用头3C与第二头3D之间等，从而能够设置多个清洗用头3C。
如图2及图11所示，清洗用头3C具备用于将清洗液供给至研磨后的晶片W的周缘部来对晶片W进行清洗的清洗喷嘴53。清洗喷嘴53固定于臂60的一端，臂60构成为绕与晶片W的切线平行的旋转轴Ct旋转自如。臂60的另一端经由滑轮p3、p4及带b2而连结于电机M4。电机M4绕顺时针及逆时针旋转规定的角度，从而臂60绕轴Ct旋转规定的角度量。在本实施方式中，通过电机M4、臂60、滑轮p3、p4及带b2构成使清洗喷嘴53倾斜的倾斜机构。通过该倾斜机构，使清洗喷嘴53能够在晶片W的周缘部-90°～+90°的范围倾斜动作。
倾斜机构搭载于移动台61。在搭载于移动台61的倾斜机构中，在电机侧的轴和倾斜侧的轴安装有滑轮，并通过带而连结。在通过倾斜机构使清洗喷嘴53倾斜动作时，由电机控制定位，使清洗喷嘴53能够在晶片W-90°～+90°的范围倾斜动作。如图11所示，移动台61经由引导件62及轨道63移动自如地连结于底板65。轨道63沿保持于基板保持部2的晶片W的半径向直线地延伸，移动台61能够沿晶片W的半径向直线地移动。在移动台61安装有贯通底板65的连结板66，线性促动器67经由接头68连结于连结板66。线性促动器67直接或间接地固定于底板65。
作为线性促动器67，能够采用气缸、定位用电机与滚珠丝杠的组合等。通过该线性促动器67、轨道63、引导件62，构成能够使清洗喷嘴53沿晶片W的半径向直线地移动的移动机构。即，移动机构以使清洗喷嘴53沿轨道63向晶片W靠近及分离的方式动作。
如图11所示，清洗喷嘴53由对晶片W的周缘部供给液体与气体的混合流体的喷流来对晶片W的周缘部进行清洗的双流体喷射喷嘴构成。在清洗喷嘴53的后端连接有：供给纯水或CO2气体溶解水等清洗液的清洗液供给线路54；供给N2气体或干燥空气等气体的气体供给线路55，在该各线路54、55设有对清洗液与气体各自的流量进行调整的调节器56、57。各线路54、55由具有伸缩性和曲折性的波纹管等构成。
根据图11所示的清洗喷嘴53，通过高速喷出纯水或CO2气体溶解水等清洗液和N2气体或干燥空气等气体，从而生成清洗液在气体中以微小雾存在的双流体喷射流，该双流体喷射流被高速喷射到晶片W的周缘部，从而通过双流体喷射流的冲击时的压力来去除晶片W的周缘部的异物(污垢)。
图12(a)、(b)、(c)是表示图11所示的清洗喷嘴53对晶片W的周缘部进行清洗的状态的示意图。
图12(a)表示通过线性促动器67使清洗用头3C前进，并通过清洗喷嘴53对晶片W的斜面部进行清洗的状态。通过基板保持部2保持晶片W并使其旋转，同时从清洗喷嘴53向晶片W的斜面部喷射双流体喷射流，从而对晶片W的斜面部进行清洗。
图12(b)表示为了对晶片W的顶部边缘部喷射双流体喷射流而通过倾斜机构使清洗喷嘴53倾斜了+90°的状态。
图12(c)表示为了对晶片W的底部边缘部喷射双流体喷射流而通过倾斜机构使清洗喷嘴53倾斜了-90°的状态。
接着，对于第二头3D及带供给回收机构10D进行说明，该第二头3D使不具有磨粒的带T与通过清洗用头3C清洗后的晶片W的周缘部接触，带供给回收机构10D进行不具有磨粒的带T的供给及回收。
第二头3D是使不具有磨粒的带T来代替具有磨粒的研磨带PT与晶片W的周缘部接触的头，功能上与第一头3A相同。因此，如图2及图3所示，第二头3D是与第一头3A相同的结构，因此省略说明。
另外，带供给回收机构10D向第二头3D供给且回收不具有磨粒的带T来代替具有磨粒的研磨带PT，功能上与带供给回收机构10A相同。因此，如图2及图3所示，带供给回收机构10D是与带供给回收机构10A相同的结构，因此省略说明。
在以下，对不具有磨粒的带T进行说明。不具有磨粒的带T例如由基材带和无纺布或多孔质层构成，基材带由PET片材等构成，无纺布或多孔质层通过粘结剂(例如树脂)而保持于基材带上。无纺布或多孔质层与晶片W的周缘部接触。无纺布或多孔质层在表面具有多个凹凸，因此去除附着于晶片W的周缘部的污垢的功能较高。
图13是第二头3D的放大图。如图13所示，第二头3D具有用于将不具有磨粒的带T按压于晶片W的周缘部的头主体30。第二头3D的头主体30将不具有磨粒的带T来代替具有磨粒的研磨带PT按压于晶片W的周缘部，功能上与第一头3A的头主体30相同。因此，如图13所示，第二头3D的头主体30是与第一头3A的头主体30基本相同的结构。
第二头3D除了与第一头3A相同的结构以外，具备用于在使不具有磨粒的带T与清洗后的晶片W的周缘部接触后对有无附着于带T的污垢进行检测的结构。即，如图13所示，第二头3D在引导辊49与回收带盘25之间的位置具备传感器70，该传感器70对与清洗后的晶片W的周缘部接触后的带T照射光，并接收来自带T的反射光。传感器7 0构成为接收来自带T的反射光并对反射光的强度进行测定。因此，不具有磨粒的带T优选光的吸收率不高的材质。传感器70由例如RGB颜色传感器构成。RGB颜色传感器照射白色LED光，通过过滤器将反射光分解为红绿蓝三原色，通过检测元件，基于红色、绿色蓝色各自的颜色强度，判别色比率。在传感器70中，也能够使用能够照射UV(紫外)区域的光(375nm的波长光)的LED作为光源，将荧光体检测UV传感器作为受光传感器，从而对接收光的强度进行测定。传感器70连接于控制部71。控制部71接收来自传感器70的信号，将通过传感器70接收的反射光的强度与预先设定的规定值进行比较，在反射光的强度小于规定值的情况下，判断在带T附着有污垢，判定为晶片W的周缘部被污染。
第二头3D的按压部件50是与图5至图7所示的第一头3A的按压部件50相同的结构，因此省略说明。
另外，除具有磨粒的研磨带PT被不具有磨粒的带T取代以外，第二头3D的头主体30与晶片W的周缘部接触的状态与图8至图10所示的第一头3A的头主体30对晶片W的周缘部进行研磨的状态相同，因此省略说明。
图14是表示对如图2至图13那样构成的基板处理装置的动作进行控制的控制装置的框图。控制装置由专用的计算机或通用的计算机构成。如图14所示，控制装置100具备：存储部101，该存储部101存储有用于在基板处理装置1中对基板进行处理的处理方案的数据；模式设定部102，该模式设定部102决定是自动模式还是手动模式，该自动模式是通过操作者输入基板的各种数据而从存储部101读取处理方案的数据来设定处理方案，该手动模式是操作者通过手动来确定处理条件从而设定处理方案；以及动作控制部103，该动作控制部103用于基于设定好的处理方案来控制基板处理装置的动作。进一步，控制装置100具备：用于将数据、程序及各种信息输入存储部101的输入部104；以及用于输出处理结果、处理后的数据的输出部105。
存储部101具备：动作控制部103能够访问的主存储部107；以及存储数据及程序的辅助存储部108。主存储装置107是例如随机存取存储器(RAM)，辅助存储装置108是硬盘驱动器(HDD)或固态硬盘(SSD)等存储装置。
输入部104具备键盘、鼠标，还具备：用于从记录介质读入数据的记录介质读入部110；以及与记录介质连接的记录介质端口111。记录介质是作为非易失性有形物体的计算机能够读取的记录介质，是例如光盘(例如CD-ROM、DVD-ROM)、半导体存储器(例如USB闪存驱动器、存储卡)。作为记录介质读入部110的例子，例举有CD驱动器，DVD驱动器等光学驱动器、读卡器。作为记录介质端口111的例子，例举有USB端子。记录于记录介质的程序和/或数据经由输入部104导入控制装置100，存储于存储部101的辅助存储部108。输出部105具备显示装置113、印刷装置114。
接着，对基于存储于图14所示的控制装置100的处理方案而通过基板处理装置1执行的基板处理工序进行说明。
首先，通过第一头3A、3B进行晶片W的周缘部的研磨。即，晶片W以形成于其表面的膜(例如，器件层)朝上的方式保持于基板保持部2的保持台4，并且绕晶片W的中心旋转。接着，从上侧供给喷嘴36及下侧供给喷嘴37向晶片W供给研磨液(例如纯水)。在对晶片W的顶部边缘部进行研磨的情况下，如图9所示，通过倾斜机构使头主体30向上方倾斜直到突起部51a与顶部边缘部相对为止。一边通过带进给机构42将研磨带PT向其长度方向输送，一边通过上侧的突起部51a将研磨带PT相对于晶片W的顶部边缘部从上方按压。在该状态下，通过线性促动器67使头主体30向晶片W的径向外侧以恒定的速度移动，由此对顶部边缘部进行研磨。
在对晶片W的底部边缘部进行研磨的情况下，如图10所示，通过倾斜机构使头主体30向下方倾斜直到突起部51b与底部边缘部相对为止。一边通过带进给机构42将研磨带PT向其长度方向输送，一边通过突起部51b将研磨带PT相对于晶片W的底部边缘部从下方按压。在该状态下，通过线性促动器67使头主体30向晶片W的径向外侧以恒定的速度移动，由此对底部边缘部进行研磨。在对晶片W的斜面部进行研磨的情况下，如图8所示，一边通过上述的倾斜机构使头主体30的倾斜角度连续地变化，一边通过按压垫64将研磨带PT按压于晶片W的斜面部。在研磨中，通过带进给机构42以规定的速度输送研磨带PT。如此，在晶片W的周缘部的研磨结束时，使头主体30退避而使研磨带PT退避。
接着，通过清洗用头3C进行晶片W的周缘部的清洗。即，从由双流体喷射喷嘴构成的清洗喷嘴53向旋转的晶片W的周缘部喷射双流体喷射流，从而进行晶片W的周缘部的清洗。在该清洗中，如图12(a)、(b)、(c)所示，通过倾斜机构使清洗喷嘴53在-90°～+90°的范围倾斜动作。清洗喷嘴53不限于双流体喷射喷嘴，也可以是将臭氧水或被施加兆声波的清洗液向晶片W的周缘部供给的喷嘴。
通过从清洗喷嘴53供给的清洗液而使晶片W的周缘部的清洗持续规定时间，在清洗结束后，通过第二头3D使不具有磨粒的带T与晶片W的周缘部接触。即，一边使晶片W旋转，一边使由基材带和无纺布或多孔质层构成的不具有磨粒的带T与晶片W的周缘部接触。此时，如图8至图10所示，通过倾斜机构使头主体30倾斜动作而使不具有磨粒的带T与晶片W的斜面部、顶部边缘部、底部边缘部接触。在晶片W的周缘部附着污垢的情况下，通过带T与晶片W的周缘部的接触从而使污垢附着于带T，附着有污垢的带T由回收带盘25卷取，但从传感器70对该回收中的带T照射光，通过传感器70接收来自带T的反射光。传感器70对接收的反射光的强度进行测定。
传感器70将表示反射光的强度的信号向控制部71发送。控制部71将通过传感器70接收的反射光的强度与预先设定的规定值进行比较，在反射光的强度低于规定值的情况下，判断在带T附着有污垢，判定晶片W的周缘部被污染。在反射光的强度大于规定值的情况下，判定在带T未附着污垢，判定晶片W的周缘部未被污染。将判定为未被污染的晶片W输送至下一工序。在下一工序中，使用清洗机进行晶片W的整个面的清洗工序，在清洗工序后使用干燥机进行晶片W的干燥工序。
另一方面，在判定晶片W的周缘部被污染的情况下，通过清洗用头3C再次清洗晶片W的周缘部。即，从清洗喷嘴53向旋转的晶片W的周缘部喷射双流体喷射流，从而再次清洗晶片W的周缘部。接着，再次进行由第二头3D的带T对晶片W的周缘部进行接触的接触工序、由传感器70进行的污染检测工序及由控制部71进行的污染的判定工序。
接着，参照图15及图16，对由双流体喷射喷嘴构成的清洗喷嘴53的操作方法进行说明。
图15是表示清洗喷嘴53相对于晶片W的三个位置的示意图。使清洗喷嘴53在作为0°的位置的P1、作为+90°的位置的P2及作为-90°的位置的P3之间倾斜动作，在各位置Pl、P2、P3及各位置间，向晶片W的周缘部喷射双流体喷射流。作为动作例，首先，在P1位置从0°方向喷射双流体喷射流。接着，在P2位置从90°方向喷射双流体喷射流。接着，渐渐向0°倾斜动作，成为0°后倾斜动作到-90°为止，在P3位置从-90°方向喷射双流体喷射流。清洗喷嘴53在倾动动作中也持续喷射双流体喷射流。
研磨后的晶片W的周缘部由于研磨方法而有污染程度不同的情况，因此设为如下方案：在清洗用头3C中首先清洗最脏的部位，之后清洗其他部位。例如，在第一头3A和/或3B对晶片W的顶部边缘部进行了研磨的情况下，清洗用头3C的清洗喷嘴53首先清洗晶片W的顶部边缘部，接着，清洗斜面部和/或底部边缘部。另外，关于清洗时间，也使顶部边缘部的清洗时间比其他部位的清洗时间长。
图16(a)、(b)、(c)是表示清洗用头3C的清洗喷嘴53首先清洗晶片W的顶部边缘部接着清洗斜面部和/或底部边缘部的例的示意图。
作为动作的一例，如图16(a)所示，使清洗喷嘴53从0°的位置向+90°的位置移动，在+90°的位置从清洗喷嘴53向晶片W的顶部边缘部喷射双流体喷射流，由此首先清洗晶片W的顶部边缘部。接着，如图16(b)所示，一边使清洗喷嘴53向下方向渐渐向0°的位置移动，一边从清洗喷嘴53喷射双流体喷射流而从顶部边缘部清洗至斜面部。接着，如图16(c)所示，一边使清洗喷嘴53向下方向很快地向-90°的位置移动，一边从清洗喷嘴53喷射双流体喷射流而从斜面部清洗至底部边缘部。
或者，也能够进行顶部边缘部的清洗工序(相当于图中的图16(a))和底部边缘部的清洗工序(相当于图中的图16(c))，而不进行使清洗喷嘴53从0°的位置起的清洗的工序(相当于图中的图16(b))。这样的话，能够局部地清洗基板的周缘部，并且能够防止产生在清洗时对基板的器件面(图案面)造成损伤这一影响(例如图案的毁坏)。除了这样的结构，进一步，在顶部边缘部和底部边缘部的清洗结束后，若使未图示的喷嘴从0°的位置供给纯水(DIW)等，则能够更可靠地清洗基板的斜面部。
进一步，另外，在对附着于基板的顶部边缘部的异物进行清洗时，为了防止去除后的异物向基板的再次附着，也可以考虑如下变形实施例：使喷射双流体喷射流用的清洗喷嘴53的顶部边缘侧的可动范围相比于+90°～-90°的范围扩大1°～15°左右的结构，例如从100°～-90°。
或者，在对附着于基板的底部边缘部的异物进行清洗时，为了防止去除后的异物向基板的再次附着，也可以考虑如下变形实施例：使喷射双流体喷射流用的清洗喷嘴53的底部边缘侧的可动范围相比于+90°～-90°的范围扩大1°～15°左右的结构，例如从+90°～-100°。
或者，也可以构成为：以相对于清洗喷嘴53位于基板的中心侧，且位于基板的上方和下方中的一方或双方的方式设置未图示的遮蔽部件，从而对附着于基板的周缘部的异物进行清洗时，防止通过清洗而去除异物对基板再次附着。
或者，也可以在清洗基板时，以进一步加强形成于基板处理装置的筐体内部的下降气流的空气流的方式，使清洗处理中与基板处理装置下表面的排气口连通的未图示的风扇机构的排气量增加。由此，能够使由更有效地清洗而去除的清洗液的飞沫在空气中悬浮而防止向基板的再次附着。
另外，作为动作的一例，在第一头3A和/或3B对晶片W的底部边缘部进行研磨的情况下，清洗用头3C的清洗喷嘴53首先清洗晶片W的底部边缘部，接着清洗斜面部和/或顶部边缘部。另外，关于清洗时间，也使底部边缘部的清洗时间比其他部位的清洗时间长。
进一步，第一头3A和/或3B对晶片W的斜面部进行研磨的情况下，清洗用头3C的清洗喷嘴53首先清洗晶片W的斜面部，接着清洗顶部边缘部和/或底部边缘部。另外，关于清洗时间，也使斜面部的清洗时间比其他部位的清洗时间长。
如上述这样，能够更良好地去除附着于基板的周缘部异物。
至此对本发明的实施方式进行了说明，但本发明不限定于上述实施方式，自不必说，能够在其技术思想的范围内以各种各样不同的方式来实施，当然在不脱离本发明的主旨的范围内能够施加各种各样的变更。例如，能够将本发明应用于可包含使用含有磨粒的研磨带来处理基板的周缘部的工序的装置，更具体而言，能够将本发明应用于对基板的表面或背面进行研磨的研磨装置、对基板的端部进行研磨的研磨装置(或者也称为边缘研磨装置)、基板研削装置、基板薄化装置等。另外，作为变形实施例的一方式，也能够将本发明应用于如下基板研磨装置：取代含有磨粒的研磨带而使用含有磨粒的研磨件来对基板的周缘部进行研磨的基板研磨装置。

Claims (14)

1.一种基板处理方法，其特征在于，
通过基板保持部保持基板并使基板旋转，
通过第一头将具有磨粒的研磨带按压于基板的周缘部而对基板的周缘部进行研磨，
通过清洗喷嘴向研磨后的基板的周缘部供给清洗液而对基板的周缘部进行清洗，
通过第二头使不具有磨粒的带与清洗后的基板的周缘部接触，
通过传感器对与基板的周缘部接触后的带照射光并接收来自带的反射光，
在接收的所述反射光的强度小于规定值的情况下，判定基板的周缘部被污染。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
不具有所述磨粒的带由基材带和设置于该基材带上的无纺布或多孔质层构成，使所述无纺布或多孔质层与基板的周缘部接触。
3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
所述清洗喷嘴由双流体喷射喷嘴构成，通过该双流体喷射喷嘴向基板的周缘部供给液体和气体的混合流体而对基板的周缘部进行清洗。
4.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
通过所述清洗喷嘴向基板的周缘部供给臭氧水或被施加兆声波的清洗液而对基板的周缘部进行清洗。
5.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
在判定为基板的周缘部被污染的情况下，再次对基板的周缘部进行清洗。
6.一种基板处理装置，其特征在于，具备：
基板保持部，该基板保持部保持基板并使基板旋转；
第一头，该第一头将具有磨粒的研磨带按压于基板的周缘部而对基板的周缘部进行研磨；
清洗喷嘴，该清洗喷嘴向研磨后的基板的周缘部供给清洗液而对基板的周缘部进行清洗；
第二头，该第二头使不具有磨粒的带与清洗后的基板的周缘部接触；
传感器，该传感器对与基板的周缘部接触后的带照射光并接收来自带的反射光；以及
控制部，该控制部将接收的所述反射光的强度与规定值进行比较，在反射光的强度小于规定值的情况下，该控制部判定基板的周缘部被污染。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
不具有所述磨粒的带由基材带和设置于该基材带上的无纺布或多孔质层构成，使所述无纺布或多孔质层与基板的周缘部接触。
8.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
所述清洗喷嘴由双流体喷射喷嘴构成，通过该双流体喷射喷嘴向基板的周缘部供给液体和气体的混合流体而对基板的周缘部进行清洗。
9.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
通过所述清洗喷嘴向基板的周缘部供给臭氧水或被施加兆声波的清洗液而对基板的周缘部进行清洗。
10.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
在通过所述控制部判定为基板的周缘部被污染的情况下，通过所述清洗喷嘴再次对基板的周缘部进行清洗。
11.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第二头具备：按压部件，该按压部件配置于不具有磨粒的带的背面侧；以及按压机构，该按压机构将所述按压部件经由不具有磨粒的带而向基板的周缘部按压。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第二头具备倾斜机构，为了使不具有磨粒的带分别与基板的顶部边缘部、底部边缘部、斜面部接触，该倾斜机构使所述按压部件与所述按压机构一体地倾斜动作。
13.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部在判定为基板的周缘部被污染的情况下，将再次对基板的周缘部进行清洗的信号向所述清洗喷嘴发送。
14.一种基板处理系统，其特征在于，具备：
权利要求6-13中任一项所述的基板处理装置；
存储部，该存储部存储有用于在所述基板处理装置中对基板进行处理的处理方案的数据；
模式设定部，该设定部决定是自动模式还是手动模式，该自动模式是通过操作者输入基板的种类的数据，从而从所述存储部读取处理方案的数据来设定处理方案的模式，该手动模式是操作者通过手动来确定处理条件，从而设定处理方案的模式；以及
动作控制部，该动作控制部用于基于设定的所述处理方案来控制基板处理装置的动作。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6908496B2 (ja) * 2017-10-25 2021-07-28 株式会社荏原製作所 研磨装置
EP3633718A1 (en) * 2018-10-01 2020-04-08 Infineon Technologies AG Detection of adhesive residue on a wafer
CN109571232B (zh) * 2018-12-28 2020-05-19 西安奕斯伟硅片技术有限公司 晶圆研磨方法及其研磨系统
JP2021091030A (ja) * 2019-12-10 2021-06-17 株式会社荏原製作所 基板処理装置および基板処理方法
JP7287271B2 (ja) * 2019-12-26 2023-06-06 株式会社Sumco ワークの洗浄装置および洗浄方法
CN111266989B (zh) * 2020-02-28 2021-02-09 太仓市凯福士机械有限公司 金属工件除油光饰一体桶
JP7451324B2 (ja) 2020-06-26 2024-03-18 株式会社荏原製作所 基板処理装置および基板処理方法
JP7464467B2 (ja) * 2020-07-01 2024-04-09 株式会社ディスコ ウェーハ洗浄装置
JP2022063417A (ja) 2020-10-12 2022-04-22 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP2023087757A (ja) * 2021-12-14 2023-06-26 東京エレクトロン株式会社 ノズル、基板処理装置および基板処理方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0792721A1 (en) * 1996-02-28 1997-09-03 Ebara Corporation Polishing apparatus
DE102006046386A1 (de) * 2005-10-03 2007-04-12 Bridgestone Corp. Waferverarbeitungsverfahren und Waferverarbeitungsapparatur
CN101060938A (zh) * 2005-02-16 2007-10-24 日本电气硝子株式会社 玻璃基板清洗装置及玻璃基板清洗方法
CN103706499A (zh) * 2012-10-02 2014-04-09 株式会社荏原制作所 基板清洗装置及研磨装置
CN204658729U (zh) * 2014-06-11 2015-09-23 应用材料瑞士有限责任公司 晶片清洁系统和丝锯
CN105500154A (zh) * 2007-12-03 2016-04-20 株式会社荏原制作所 抛光方法和基片

Family Cites Families (207)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1365583A (en) * 1921-01-11 Corner-rounding machine
US3170272A (en) * 1963-06-03 1965-02-23 Richard C Burnham Contour abrading machine and method
US3524284A (en) * 1967-08-22 1970-08-18 Corning Glass Works Abrasive milling head for numerically controlled apparatus
US3596413A (en) * 1969-11-26 1971-08-03 Donald R Stewart Abrading tool chip extractor and remover
AT302097B (de) * 1970-09-15 1972-09-25 Heesemann Karl Schleifvorrichtung zum abrundenden Brechen con Kanten an Werkstücken
US3753269A (en) * 1971-05-21 1973-08-21 R Budman Abrasive cloth cleaner
US3922820A (en) * 1974-01-09 1975-12-02 Structural Fibers Means for feathering rubber stock
US4031668A (en) * 1974-02-19 1977-06-28 Hitchcock Chair Company Sanding machine for anatomically contoured wooden chair seats and the like
US4109422A (en) * 1976-04-05 1978-08-29 Parsons Enterprises, Inc. Sander cleaning process
BE856402A (fr) * 1977-07-01 1978-01-02 Centre Rech Metallurgique Procede pour ameliorer la proprete de surface de la tole d'acier
US4231193A (en) * 1978-12-22 1980-11-04 Siegel John R Vertical belt sanding apparatus
US4344260A (en) * 1979-07-13 1982-08-17 Nagano Electronics Industrial Co., Ltd. Method for precision shaping of wafer materials
DE3103874A1 (de) * 1981-02-05 1982-09-09 Basf Ag, 6700 Ludwigshafen Verfahren und vorrichtung zum bearbeiten der oberflaeche magnetischer aufzeichnungstraeger
US4525955A (en) * 1981-10-20 1985-07-02 Timesavers, Inc. Abrasive belt cleaning system
US4719721A (en) * 1986-12-18 1988-01-19 Timesavers, Inc. Conveyor bed assembly and vacuum platen
US5209027A (en) * 1989-10-13 1993-05-11 Tdk Corporation Polishing of the rear surface of a stamper for optical disk reproduction
JP2719855B2 (ja) * 1991-05-24 1998-02-25 信越半導体株式会社 ウエーハ外周の鏡面面取り装置
US5128281A (en) * 1991-06-05 1992-07-07 Texas Instruments Incorporated Method for polishing semiconductor wafer edges
JPH06155271A (ja) * 1992-11-16 1994-06-03 Fuji Photo Film Co Ltd 磁気ディスクのバーニッシュ方法および装置
US5289661A (en) * 1992-12-23 1994-03-01 Texas Instruments Incorporated Notch beveling on semiconductor wafer edges
US5679059A (en) * 1994-11-29 1997-10-21 Ebara Corporation Polishing aparatus and method
US5885138A (en) * 1993-09-21 1999-03-23 Ebara Corporation Method and apparatus for dry-in, dry-out polishing and washing of a semiconductor device
JP2832142B2 (ja) * 1993-10-29 1998-12-02 信越半導体株式会社 ウェーハのノッチ部研磨装置
JPH07205001A (ja) * 1993-11-16 1995-08-08 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ面取り機
JP2837342B2 (ja) * 1993-12-13 1998-12-16 日本ミクロコーティング株式会社 研磨装置
JP2728628B2 (ja) * 1994-03-23 1998-03-18 アミテック株式会社 ベルトサンダー及びサンディングベルトのクリーニング方法
US5593344A (en) * 1994-10-11 1997-01-14 Ontrak Systems, Inc. Wafer polishing machine with fluid bearings and drive systems
US5643044A (en) * 1994-11-01 1997-07-01 Lund; Douglas E. Automatic chemical and mechanical polishing system for semiconductor wafers
JP2882458B2 (ja) * 1994-11-28 1999-04-12 株式会社東京精密 ウェーハ面取り機
US5655954A (en) * 1994-11-29 1997-08-12 Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha Polishing apparatus
JPH08174411A (ja) * 1994-12-22 1996-07-09 Ebara Corp ポリッシング装置
JP3828176B2 (ja) * 1995-02-28 2006-10-04 コマツ電子金属株式会社 半導体ウェハの製造方法
JPH08267347A (ja) * 1995-03-31 1996-10-15 Shin Etsu Handotai Co Ltd オリエンテーション・フラットを有するウエーハ面取り部の鏡面研磨方法とその装置
JP3305557B2 (ja) * 1995-04-10 2002-07-22 大日本印刷株式会社 研磨テープ、その製造方法および研磨テープ用塗工剤
JP3580600B2 (ja) * 1995-06-09 2004-10-27 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法およびそれに使用される半導体ウエハ並びにその製造方法
US5798164A (en) * 1995-06-23 1998-08-25 Stormedia, Inc. Zone textured magnetic recording media
JPH09107423A (ja) * 1995-10-09 1997-04-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> カード式公衆電話機におけるカード搬送ベルトの清掃装置
JP3620554B2 (ja) * 1996-03-25 2005-02-16 信越半導体株式会社 半導体ウェーハ製造方法
US5713784A (en) * 1996-05-17 1998-02-03 Mark A. Miller Apparatus for grinding edges of a glass sheet
JP3441322B2 (ja) * 1996-12-17 2003-09-02 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置及び方法
US5868857A (en) * 1996-12-30 1999-02-09 Intel Corporation Rotating belt wafer edge cleaning apparatus
JP3352896B2 (ja) * 1997-01-17 2002-12-03 信越半導体株式会社 貼り合わせ基板の作製方法
JP3454658B2 (ja) * 1997-02-03 2003-10-06 大日本スクリーン製造株式会社 研磨処理モニター装置
US6110025A (en) * 1997-05-07 2000-08-29 Obsidian, Inc. Containment ring for substrate carrier apparatus
JPH10328993A (ja) * 1997-05-26 1998-12-15 Topcon Corp レンズ形状測定装置
US6108091A (en) * 1997-05-28 2000-08-22 Lam Research Corporation Method and apparatus for in-situ monitoring of thickness during chemical-mechanical polishing
JP3024947B2 (ja) * 1997-07-03 2000-03-27 日本ミクロコーティング株式会社 研磨装置
IT1294167B1 (it) * 1997-08-08 1999-03-22 Scm Group Autec Division Spa Macchina levigatrice di pannelli con cambio automatico e rigenerazione del nastro abrasivo utensile.
US5980368A (en) * 1997-11-05 1999-11-09 Aplex Group Polishing tool having a sealed fluid chamber for support of polishing pad
US6132289A (en) * 1998-03-31 2000-10-17 Lam Research Corporation Apparatus and method for film thickness measurement integrated into a wafer load/unload unit
JP3197253B2 (ja) * 1998-04-13 2001-08-13 株式会社日平トヤマ ウエーハの面取り方法
JP3730406B2 (ja) * 1998-04-30 2006-01-05 株式会社ニデック 眼鏡レンズ加工装置
JP3261362B2 (ja) * 1998-05-28 2002-02-25 株式会社アドバンテスト 表面状態測定方法及び装置
JP3183259B2 (ja) * 1998-06-03 2001-07-09 日本電気株式会社 半導体ウェハ研磨状態モニタリング装置及び研磨終了点検出方法
JPH11347917A (ja) * 1998-06-09 1999-12-21 Ebara Corp ポリッシング装置
TW396084B (en) * 1998-08-12 2000-07-01 Worldwild Semiconductor Mfg Co Chemical mechanic polishing machine
JP4049900B2 (ja) * 1998-08-20 2008-02-20 株式会社スーパーシリコン研究所 ワイヤソー切断装置
US6439967B2 (en) * 1998-09-01 2002-08-27 Micron Technology, Inc. Microelectronic substrate assembly planarizing machines and methods of mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrate assemblies
JP3664593B2 (ja) * 1998-11-06 2005-06-29 信越半導体株式会社 半導体ウエーハおよびその製造方法
US6202658B1 (en) * 1998-11-11 2001-03-20 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for cleaning the edge of a thin disc
US6311702B1 (en) * 1998-11-11 2001-11-06 Applied Materials, Inc. Megasonic cleaner
US6227950B1 (en) * 1999-03-08 2001-05-08 Speedfam-Ipec Corporation Dual purpose handoff station for workpiece polishing machine
US6352595B1 (en) * 1999-05-28 2002-03-05 Lam Research Corporation Method and system for cleaning a chemical mechanical polishing pad
US6776692B1 (en) * 1999-07-09 2004-08-17 Applied Materials Inc. Closed-loop control of wafer polishing in a chemical mechanical polishing system
US6290573B1 (en) * 1999-08-23 2001-09-18 Komag, Incorporated Tape burnish with monitoring device
US6685539B1 (en) * 1999-08-24 2004-02-03 Ricoh Company, Ltd. Processing tool, method of producing tool, processing method and processing apparatus
US6261163B1 (en) * 1999-08-30 2001-07-17 Micron Technology, Inc. Web-format planarizing machines and methods for planarizing microelectronic substrate assemblies
JP2001071249A (ja) * 1999-09-03 2001-03-21 Sony Corp 研磨装置
JP2001212750A (ja) * 1999-11-25 2001-08-07 Fujikoshi Mach Corp ポリシングマシンの洗浄装置およびポリシングマシン
US6447374B1 (en) * 1999-12-17 2002-09-10 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical planarization system
JP2001205549A (ja) * 2000-01-25 2001-07-31 Speedfam Co Ltd 基板エッジ部の片面研磨方法およびその装置
US6629875B2 (en) * 2000-01-28 2003-10-07 Accretech Usa, Inc. Machine for grinding-polishing of a water edge
JP2001228701A (ja) * 2000-02-14 2001-08-24 Ricoh Co Ltd 現像方法
JP4846915B2 (ja) 2000-03-29 2011-12-28 信越半導体株式会社 貼り合わせウェーハの製造方法
US6342099B1 (en) * 2000-05-01 2002-01-29 Millennium Inorganic Chemicals, Inc. Coated titanium dioxide pigments and processes for production and use
JP2002030275A (ja) * 2000-07-17 2002-01-31 Nihon Micro Coating Co Ltd テクスチャ加工液及び方法
US7077733B1 (en) * 2000-08-31 2006-07-18 Micron Technology, Inc. Subpad support with a releasable subpad securing element and polishing apparatus including the subpad support
US6805613B1 (en) * 2000-10-17 2004-10-19 Speedfam-Ipec Corporation Multiprobe detection system for chemical-mechanical planarization tool
US6482072B1 (en) * 2000-10-26 2002-11-19 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for providing and controlling delivery of a web of polishing material
DE10058305A1 (de) * 2000-11-24 2002-06-06 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zur Oberflächenpolitur von Siliciumscheiben
US20020072296A1 (en) * 2000-11-29 2002-06-13 Muilenburg Michael J. Abrasive article having a window system for polishing wafers, and methods
JP4156200B2 (ja) * 2001-01-09 2008-09-24 株式会社荏原製作所 研磨装置及び研磨方法
DE60205142T2 (de) * 2001-01-11 2006-05-24 Canon K.K. Elektrophotographische Bilderzeugungsvorrichtung und Bilderzeugungsverfahren
US6485355B1 (en) * 2001-06-22 2002-11-26 International Business Machines Corporation Method to increase removal rate of oxide using fixed-abrasive
KR100420205B1 (ko) * 2001-09-10 2004-03-04 주식회사 하이닉스반도체 웨이퍼 제조 방법
JP2003100688A (ja) * 2001-09-25 2003-04-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
EP1308790B2 (en) * 2001-11-02 2015-05-27 Ricoh Company, Ltd. Toner for developing electrostatic image, developer including the toner, container containing the toner, and developing method using the toner
JP2003145064A (ja) * 2001-11-12 2003-05-20 Tokyo Electron Ltd ２流体ジェットノズル及び基板洗浄装置
JP3949941B2 (ja) * 2001-11-26 2007-07-25 株式会社東芝 半導体装置の製造方法および研磨装置
JP4090247B2 (ja) * 2002-02-12 2008-05-28 株式会社荏原製作所 基板処理装置
JP4542324B2 (ja) * 2002-10-17 2010-09-15 株式会社荏原製作所 研磨状態監視装置及びポリッシング装置
JP4125148B2 (ja) 2003-02-03 2008-07-30 株式会社荏原製作所 基板処理装置
US6641464B1 (en) * 2003-02-21 2003-11-04 Accretech Usa, Inc. Method and apparatus for polishing the edge of a bonded wafer
JP4030907B2 (ja) * 2003-03-19 2008-01-09 株式会社リコー 静電荷像現像用トナー
KR100636035B1 (ko) * 2003-11-08 2006-10-18 삼성전자주식회사 웨이퍼를 건조하기 위한 방법 및 장치, 그리고 웨이퍼 건조 장치를 포함하는 웨이퍼 처리 장치
US6913520B1 (en) * 2004-01-16 2005-07-05 United Microelectronics Corp. All-in-one polishing process for a semiconductor wafer
WO2005081301A1 (en) * 2004-02-25 2005-09-01 Ebara Corporation Polishing apparatus and substrate processing apparatus
US8403727B1 (en) * 2004-03-31 2013-03-26 Lam Research Corporation Pre-planarization system and method
JP2005305586A (ja) * 2004-04-20 2005-11-04 Nihon Micro Coating Co Ltd 研磨装置
TWI352645B (en) * 2004-05-28 2011-11-21 Ebara Corp Apparatus for inspecting and polishing substrate r
US7682653B1 (en) * 2004-06-17 2010-03-23 Seagate Technology Llc Magnetic disk with uniform lubricant thickness distribution
JP4077439B2 (ja) * 2004-10-15 2008-04-16 株式会社東芝 基板処理方法及び基板処理装置
JP5026957B2 (ja) * 2004-10-15 2012-09-19 株式会社東芝 研磨装置及び研磨方法
JP4748968B2 (ja) * 2004-10-27 2011-08-17 信越半導体株式会社 半導体ウエーハの製造方法
JP2006142388A (ja) * 2004-11-16 2006-06-08 Nihon Micro Coating Co Ltd 研磨テープ及び方法
US9287158B2 (en) * 2005-04-19 2016-03-15 Ebara Corporation Substrate processing apparatus
JP5196709B2 (ja) * 2005-04-19 2013-05-15 株式会社荏原製作所 半導体ウエハ周縁研磨装置及び方法
US7758404B1 (en) * 2005-10-17 2010-07-20 Lam Research Corporation Apparatus for cleaning edge of substrate and method for using the same
WO2007070353A2 (en) * 2005-12-09 2007-06-21 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for processing a substrate
US7993485B2 (en) * 2005-12-09 2011-08-09 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for processing a substrate
US20070131653A1 (en) * 2005-12-09 2007-06-14 Ettinger Gary C Methods and apparatus for processing a substrate
JP5132108B2 (ja) * 2006-02-02 2013-01-30 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
KR100975994B1 (ko) * 2006-03-02 2010-08-17 가부시끼가이샤 도시바 클리닝 장치
WO2007126815A2 (en) * 2006-03-30 2007-11-08 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for polishing an edge of a subtrate
US7503831B2 (en) * 2006-04-26 2009-03-17 Siemens Medical Solutions Usa, Inc. System and method for cutting soluble scintillator material
US20090053639A1 (en) * 2006-07-11 2009-02-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Developing agent
JP5279992B2 (ja) * 2006-07-13 2013-09-04 株式会社日立ハイテクノロジーズ 表面検査方法及び装置
JP2008036783A (ja) * 2006-08-08 2008-02-21 Sony Corp 研磨方法および研磨装置
JP4999417B2 (ja) * 2006-10-04 2012-08-15 株式会社荏原製作所 研磨装置、研磨方法、処理装置
JP4928972B2 (ja) * 2007-02-14 2012-05-09 株式会社リコー 画像形成装置
US20080207093A1 (en) * 2007-02-28 2008-08-28 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for cleaning a substrate edge using chemical and mechanical polishing
JP2008288447A (ja) * 2007-05-18 2008-11-27 Sokudo:Kk 基板処理装置
US20080291448A1 (en) * 2007-05-21 2008-11-27 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for finding a substrate notch center
JP2008284682A (ja) * 2007-05-21 2008-11-27 Applied Materials Inc 効率的なテープのルーティング配置を有する斜面研磨ヘッドを使用する方法及び装置
JP2009004765A (ja) * 2007-05-21 2009-01-08 Applied Materials Inc 基板研磨のためにローリングバッキングパッドを使用する方法及び装置
JP2008306179A (ja) * 2007-05-21 2008-12-18 Applied Materials Inc バッキングパッドを使用して基板の両面の縁部から膜及び薄片を除去する方法及び装置
JP2008290233A (ja) * 2007-05-21 2008-12-04 Applied Materials Inc 半導体製造における基板斜面及び縁部の研磨用の高性能及び低価格の研磨テープのための方法及び装置
US20080293329A1 (en) * 2007-05-21 2008-11-27 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for identifying a substrate edge profile and adjusting the processing of the substrate according to the identified edge profile
US20080293337A1 (en) * 2007-05-21 2008-11-27 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for polishing a notch of a substrate by substrate vibration
US7976361B2 (en) * 2007-06-29 2011-07-12 Ebara Corporation Polishing apparatus and polishing method
JP5004701B2 (ja) * 2007-07-11 2012-08-22 株式会社荏原製作所 研磨装置
JP2009045679A (ja) * 2007-08-16 2009-03-05 Ebara Corp 研磨装置
KR101236472B1 (ko) * 2007-10-15 2013-02-22 삼성전자주식회사 웨이퍼 베벨 영역 폴리싱 장치 및 그 장치에서의 연마종말점 검출 방법
JP2009119537A (ja) * 2007-11-12 2009-06-04 Toshiba Corp 基板処理方法及び基板処理装置
JP5136103B2 (ja) * 2008-02-12 2013-02-06 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置及びその方法、塗布、現像装置及びその方法、並びに記憶媒体
JP5393039B2 (ja) * 2008-03-06 2014-01-22 株式会社荏原製作所 研磨装置
JP2011519735A (ja) * 2008-04-21 2011-07-14 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 研磨中に基板縁部の厚さを測定する方法および装置
JP5211835B2 (ja) * 2008-04-30 2013-06-12 ソニー株式会社 ウエハ研磨装置およびウエハ研磨方法
JP2009285774A (ja) * 2008-05-29 2009-12-10 Showa Denko Kk 表面加工方法及び装置
JP5160993B2 (ja) * 2008-07-25 2013-03-13 株式会社荏原製作所 基板処理装置
US9073169B2 (en) * 2008-11-07 2015-07-07 Applied Materials, Inc. Feedback control of polishing using optical detection of clearance
DE102009030292B4 (de) * 2009-06-24 2011-12-01 Siltronic Ag Verfahren zum beidseitigen Polieren einer Halbleiterscheibe
JP5325681B2 (ja) * 2009-07-08 2013-10-23 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
JP5407693B2 (ja) * 2009-09-17 2014-02-05 旭硝子株式会社 ガラス基板の製造方法、研磨方法及び研磨装置、並びにガラス基板
JP5519256B2 (ja) * 2009-12-03 2014-06-11 株式会社荏原製作所 裏面が研削された基板を研磨する方法および装置
JP5500422B2 (ja) * 2009-12-22 2014-05-21 株式会社リコー 現像装置、並びに、これを備えたプロセスカートリッジ及び画像形成装置
US8952496B2 (en) * 2009-12-24 2015-02-10 Sumco Corporation Semiconductor wafer and method of producing same
JP5663295B2 (ja) * 2010-01-15 2015-02-04 株式会社荏原製作所 研磨装置、研磨方法、研磨具を押圧する押圧部材
JP5571409B2 (ja) * 2010-02-22 2014-08-13 株式会社荏原製作所 半導体装置の製造方法
JP2011177842A (ja) * 2010-03-02 2011-09-15 Ebara Corp 研磨装置及び研磨方法
JP5449239B2 (ja) * 2010-05-12 2014-03-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及びプログラムを記録した記憶媒体
JP5572575B2 (ja) * 2010-05-12 2014-08-13 東京エレクトロン株式会社 基板位置決め装置、基板処理装置、基板位置決め方法及びプログラムを記録した記憶媒体
JP5457384B2 (ja) * 2010-05-21 2014-04-02 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法
JP5583503B2 (ja) * 2010-07-14 2014-09-03 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置、およびこれを備える塗布現像装置
TWI521625B (zh) * 2010-07-30 2016-02-11 應用材料股份有限公司 使用光譜監測來偵測層級清除
JP5464497B2 (ja) * 2010-08-19 2014-04-09 株式会社サンシン 基板研磨方法及びその装置
JP5649417B2 (ja) * 2010-11-26 2015-01-07 株式会社荏原製作所 固定砥粒を有する研磨テープを用いた基板の研磨方法
US8540551B2 (en) * 2010-12-15 2013-09-24 Corning Incorporated Glass edge finish system, belt assembly, and method for using same
JP5474853B2 (ja) * 2011-03-08 2014-04-16 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法およびこの液処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体
JP5886602B2 (ja) * 2011-03-25 2016-03-16 株式会社荏原製作所 研磨装置および研磨方法
US9457447B2 (en) * 2011-03-28 2016-10-04 Ebara Corporation Polishing apparatus and polishing method
JP5682471B2 (ja) 2011-06-20 2015-03-11 信越半導体株式会社 シリコンウェーハの製造方法
EP2537633B1 (fr) * 2011-06-24 2014-05-07 Comadur S.A. Système d'usinage d'un biseau
JP2013012395A (ja) * 2011-06-29 2013-01-17 Panasonic Corp パターニング装置及びそれを用いた有機ｅｌパネルの製造方法
JP6113960B2 (ja) * 2012-02-21 2017-04-12 株式会社荏原製作所 基板処理装置および基板処理方法
US20130217228A1 (en) * 2012-02-21 2013-08-22 Masako Kodera Method for fabricating semiconductor device
US8563335B1 (en) * 2012-04-23 2013-10-22 Applied Materials, Inc. Method of controlling polishing using in-situ optical monitoring and fourier transform
US9289875B2 (en) * 2012-04-25 2016-03-22 Applied Materials, Inc. Feed forward and feed-back techniques for in-situ process control
JP5917346B2 (ja) * 2012-09-07 2016-05-11 株式会社東芝 エッチング方法、およびエッチング装置
DE102012216632A1 (de) * 2012-09-18 2014-03-20 Trumpf Laser Gmbh + Co. Kg Bearbeitungsmaschine und Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks
JP5889760B2 (ja) * 2012-09-24 2016-03-22 株式会社荏原製作所 基板の研磨異常検出方法および研磨装置
TWI680031B (zh) * 2012-09-24 2019-12-21 日商荏原製作所股份有限公司 研磨方法及研磨裝置
US9718164B2 (en) * 2012-12-06 2017-08-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Polishing system and polishing method
JP6140439B2 (ja) * 2012-12-27 2017-05-31 株式会社荏原製作所 研磨装置、及び研磨方法
JP2014130881A (ja) * 2012-12-28 2014-07-10 Ebara Corp 研磨装置
JP6100541B2 (ja) * 2013-01-30 2017-03-22 株式会社荏原製作所 研磨方法
JP6130677B2 (ja) * 2013-01-31 2017-05-17 株式会社荏原製作所 研磨装置および研磨方法
US9931726B2 (en) * 2013-01-31 2018-04-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer edge trimming tool using abrasive tape
JP6100002B2 (ja) * 2013-02-01 2017-03-22 株式会社荏原製作所 基板裏面の研磨方法および基板処理装置
JP6071611B2 (ja) * 2013-02-13 2017-02-01 Ｍｉｐｏｘ株式会社 オリエンテーションフラット等切り欠き部を有する、結晶材料から成るウエハの周縁を、研磨テープを使用して研磨することにより円形ウエハを製造する方法
JP2014167996A (ja) * 2013-02-28 2014-09-11 Ebara Corp 研磨装置および研磨方法
US9296082B1 (en) * 2013-06-11 2016-03-29 WD Media, LLC Disk buffing apparatus with abrasive tape loading pad having a vibration absorbing layer
KR20150034866A (ko) * 2013-09-25 2015-04-06 삼성전자주식회사 연마 장치
JP6113624B2 (ja) * 2013-10-11 2017-04-12 株式会社荏原製作所 基板処理装置および基板処理方法
KR20150075357A (ko) * 2013-12-25 2015-07-03 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 세정 장치 및 기판 처리 장치
US9857680B2 (en) * 2014-01-14 2018-01-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Cleaning module, cleaning apparatus and method of cleaning photomask
US9287127B2 (en) * 2014-02-17 2016-03-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wafer back-side polishing system and method for integrated circuit device manufacturing processes
JP6204848B2 (ja) * 2014-02-17 2017-09-27 株式会社荏原製作所 研磨装置および研磨方法
WO2015137072A1 (ja) * 2014-03-11 2015-09-17 株式会社シンク・ラボラトリー モジュール式処理ユニット及びそれを用いたグラビアシリンダーの全自動製造システム
JP6223873B2 (ja) * 2014-03-14 2017-11-01 株式会社荏原製作所 研磨装置及び研磨方法
US9855637B2 (en) * 2014-04-10 2018-01-02 Apple Inc. Thermographic characterization for surface finishing process development
US9595302B2 (en) * 2014-04-17 2017-03-14 Intri-Plex Technologies, Inc. Hard disk drive cover with differential inner and outer surface roughness
JP2016038578A (ja) * 2014-08-08 2016-03-22 キヤノン株式会社 帯電部材、プロセスカートリッジ及び電子写真画像形成装置
JP2016058675A (ja) * 2014-09-12 2016-04-21 株式会社東芝 研磨装置および半導体ウェハの研磨方法
US9360789B1 (en) * 2014-11-28 2016-06-07 Canon Kabushiki Kaisha Member for electrophotography, process cartridge and image forming apparatus
US10249518B2 (en) * 2015-03-04 2019-04-02 Toshiba Memory Corporation Polishing device and polishing method
US20160299451A1 (en) * 2015-04-10 2016-10-13 Canon Kabushiki Kaisha Charging member, process cartridge, and electrophotographic image forming apparatus
JP6475071B2 (ja) * 2015-04-24 2019-02-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6434367B2 (ja) * 2015-05-14 2018-12-05 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP6540430B2 (ja) * 2015-09-28 2019-07-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
US9740133B2 (en) * 2015-09-30 2017-08-22 Canon Kabushiki Kaisha Charging member, process cartridge and electrophotographic image forming apparatus
JP6562819B2 (ja) * 2015-11-12 2019-08-21 株式会社ディスコ ＳｉＣ基板の分離方法
US10074472B2 (en) * 2015-12-15 2018-09-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. InFO coil on metal plate with slot
US9865477B2 (en) * 2016-02-24 2018-01-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Backside polisher with dry frontside design and method using the same
JP6568006B2 (ja) * 2016-04-08 2019-08-28 株式会社荏原製作所 研磨装置および研磨方法
DE102016113500B4 (de) * 2016-07-21 2022-12-15 Infineon Technologies Ag Vorrichtung zum Steuern einer Bewegung einer Schleifscheibe und Verfahren zum Bilden von Halbleiterbauelementen
US10368467B2 (en) * 2017-10-10 2019-07-30 Facebook, Inc. System and method for data center heat containment

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0792721A1 (en) * 1996-02-28 1997-09-03 Ebara Corporation Polishing apparatus
CN101060938A (zh) * 2005-02-16 2007-10-24 日本电气硝子株式会社 玻璃基板清洗装置及玻璃基板清洗方法
DE102006046386A1 (de) * 2005-10-03 2007-04-12 Bridgestone Corp. Waferverarbeitungsverfahren und Waferverarbeitungsapparatur
CN105500154A (zh) * 2007-12-03 2016-04-20 株式会社荏原制作所 抛光方法和基片
CN103706499A (zh) * 2012-10-02 2014-04-09 株式会社荏原制作所 基板清洗装置及研磨装置
CN204658729U (zh) * 2014-06-11 2015-09-23 应用材料瑞士有限责任公司 晶片清洁系统和丝锯

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