JP2023087757A - ノズル、基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

ノズル、基板処理装置および基板処理方法 Download PDF

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Abstract

Figure 2023087757000001
【課題】流体と処理液との混合流体を用いる液処理において流体と処理液とを効率よく混合すること。
【解決手段】基板処理装置において、加圧された純水の蒸気またはミストを含む流体と少なくとも硫酸を含む処理液とを混合して吐出するノズル１４１は、第１吐出口４５と、第２吐出口４７と、導出路４４と、を備える。第１吐出口４５は、流体を吐出する。第２吐出口４７は、処理液を吐出する。導出路４４は、第１吐出口４５及び第２吐出口４７に連通し、第１吐出口４５から吐出された流体と第２吐出口４７から吐出された処理液との混合流体を導出する。また、第１吐出口４５または第２吐出口４７は、平面視において導出路４４の中心軸からずれた位置に向けて配置される。
【選択図】図３

Description

本開示は、ノズル、基板処理装置および基板処理方法に関する。
半導体デバイスの製造工程では、半導体ウエハ等の基板に処理液を供給することによって、たとえばレジスト膜等の除去対象物を基板から除去する技術が知られている。
特開２０１４－０２７２４５号公報
本開示は、流体と処理液との混合流体を用いる液処理において流体と処理液とを効率よく混合することができる技術を提供する。
本開示の一態様によるノズルは、加圧された純水の蒸気またはミストを含む流体と少なくとも硫酸を含む処理液とを混合して吐出するノズルである。ノズルは、第１吐出口と、第２吐出口と、導出路とを備える。第１吐出口は、流体を吐出する。第２吐出口は、処理液を吐出する。導出路は、第１吐出口および第２吐出口に連通し、第１吐出口から吐出された流体と第２吐出口から吐出された処理液との混合流体を導出する。また、第１吐出口または第２吐出口は、平面視において導出路の中心軸からずれた位置に向けて配置される。
本開示によれば、流体と処理液との混合流体を用いる液処理において、流体と処理液とを効率よく混合することができる。
図１は、第１実施形態に係る基板処理装置の概略平面図である。 図２は、第１実施形態に係る基板処理装置の概略側面図である。 図３は、第１実施形態に係るノズルを長手方向と直交する面で切断した断面図である。 図４は、図３に示すＩＶ－ＩＶ線矢視における断面図である。 図５は、図３に示すＶ－Ｖ線矢視における断面図である。 図６は、第１実施形態に係るノズルを下方から見た模式的平面図である。 図７は、第１実施形態に係る基板処理装置が実行する処理の手順を示すフローチャートである。 図８は、第２実施形態に係るノズルを長手方向と直交する面で切断した断面図である。 図９は、図８に示すＩＸ－ＩＸ線矢視における断面図である。 図１０は、図８に示すＸ－Ｘ線矢視における断面図である。 図１１は、第２実施形態に係るノズルを下方から見た模式的平面図である。 図１２は、第１実施形態の変形例１に係るノズルを長手方向と直交する面で切断した断面図である。 図１３は、第１実施形態の変形例２に係るノズルを長手方向と直交する面で切断した断面図である。 図１４は、第１実施形態の変形例２に係るＳＰＭ処理の手順を示すフローチャートである。 図１５は、第２実施形態の変形例１に係るノズルを長手方向と直交する面で切断した断面図である。
以下に、本開示によるノズル、基板処理装置および基板処理方法を実施するための形態（以下、「実施形態」と記載する）について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、この実施形態により本開示が限定されるものではない。また、各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。また、以下の各実施形態において同一の部位には同一の符号を付し、重複する説明は省略される。
また、以下に示す実施形態では、「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」といった表現が用いられる場合があるが、これらの表現は、厳密に「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」であることを要しない。すなわち、上記した各表現は、例えば製造精度、設置精度などのずれを許容するものとする。
また、以下参照する各図面では、説明を分かりやすくするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする直交座標系を示す場合がある。また、鉛直軸を回転中心とする回転方向をθ方向と呼ぶ場合がある。
半導体デバイスの製造工程では、半導体ウエハ等の基板に形成された処理対象膜の上に所定のパターンでレジスト膜が形成され、このレジスト膜をマスクとして処理対象膜に対するエッチングやイオン注入等の処理が施される。処理後、不要となったレジスト膜は、ウエハ上から除去される。
レジスト膜の除去方法として、ＳＰＭ処理が用いられる。ＳＰＭ処理は、硫酸と過酸化水素水とを混合して得た高温のＳＰＭ（Sulfuric Acid Hydrogen Peroxide Mixture）液をレジスト膜に供給することにより行われる。また、このＳＰＭ処理では、加圧された純水（脱イオン水）の蒸気（以下、「ベーパー」と記載する）とＳＰＭ液との混合流体を用いることが検討されている。
以下に示す実施形態では、ベーパーとＳＰＭ液との混合流体を用いるＳＰＭ処理においてベーパーとＳＰＭ液とを効率よく混合することができる基板処理装置について説明する。
なお、本開示による基板処理装置は、ＳＰＭ処理以外の液処理にも適用することができる。具体的には、本開示による基板処理装置は、少なくとも硫酸を含む処理液を用いた液処理に適用することができる。
ＳＰＭ液以外の「少なくとも硫酸を含む処理液」としては、たとえば、硫酸と混合すると反応（昇温若しくはエッチャントが増加）する処理液、具体的には、希硫酸（硫酸と水との混合液）、硫酸とオゾン水との混合液等が挙げられる。また、「少なくとも硫酸を含む処理液」は硫酸であってもよい。
（第１実施形態）
＜基板処理装置の構成＞
まず、第１実施形態に係る基板処理装置の構成について図１および図２を参照して説明する。図１は、第１実施形態に係る基板処理装置の概略平面図である。また、図２は、第１実施形態に係る基板処理装置の概略側面図である。なお、図２では、第２供給機構１０５およびノズル洗浄機構１０６を省略して示している。
図１および図２に示すように、基板処理装置１は、チャンバ１０１と、基板保持部１０２と、カップ部１０３と、第１供給機構１０４と、第２供給機構１０５と、ノズル洗浄機構１０６とを備える。また、基板処理装置１は、ベーパー供給部２０１と、ＳＰＭ供給部２０２と、リンス液供給部２０３と、置換液供給部２０４とを備える。かかる基板処理装置１は、半導体ウエハ等の基板（以下、「ウエハＷ」と記載する）の表面に形成されたレジスト膜を除去する。
従来、レジスト膜の除去方法として、ＳＰＭ処理が知られている。ＳＰＭ処理は、硫酸と過酸化水素水とを混合して得た高温のＳＰＭ（Sulfuric Acid Hydrogen Peroxide Mixture）液をレジスト膜に供給することにより行われる。
レジスト膜の除去効率は、ＳＰＭ液の温度を高めることにより向上させることができる。ＳＰＭ液の温度を高めるための方法として、たとえば、硫酸の温度を高めることが考えられる。しかしながら、硫酸の温度を高めるには、硫酸を流通させる配管の耐熱性や耐圧性を向上させる必要があり、ハード面での負荷が大きい。また、硫酸と過酸化水素水の混合比率を変更して、過酸化水素水の割合を多くすることが考えられる。しかしながら、過酸化水素水の割合を多くすると、ヒュームや突沸が発生し易くなる。また、赤外線ヒータなどでウエハＷ上のＳＰＭ液を加熱することも考えられるが、たとえば温度安定性の面で課題がある。
そこで、基板処理装置１では、加圧された純水（脱イオン水）の蒸気（以下、「ベーパー」と記載する）をＳＰＭ液と混合させることとした。これにより、ＳＰＭ液の温度を好適に上昇させることができる。
チャンバ１０１は、基板保持部１０２、カップ部１０３、第１供給機構１０４および第２供給機構１０５を収容する。チャンバ１０１の天井部には、チャンバ１０１内にダウンフローを形成するＦＦＵ（Fun Filter Unit）１１１が設けられる（図２参照）。
基板保持部１０２は、ウエハＷよりも大径の本体部１２１と、本体部１２１の上面に設けられた複数の把持部１２２と、本体部１２１を支持する支柱部材１２３と、支柱部材１２３を回転させる駆動部１２４とを備える。なお、把持部１２２の数は、図示のものに限定されない。
かかる基板保持部１０２は、複数の把持部１２２を用いてウエハＷの周縁部を把持することによってウエハＷを保持する。これにより、ウエハＷは、本体部１２１の上面からわずかに離間した状態で水平に保持される。上述したように、ウエハＷの表面（上面）には、レジスト膜が形成されている。
なお、ここでは、複数の把持部１２２を用いてウエハＷの周縁部を把持する基板保持部１０２を例に挙げたが、基板処理装置１は、基板保持部１０２に代えて、ウエハＷの裏面を吸着保持するバキュームチャックを備える構成であってもよい。
カップ部１０３は、基板保持部１０２を取り囲むように配置される。カップ部１０３の底部には、ウエハＷに供給された処理液をチャンバ１０１の外部へ排出するための排液口１３１と、チャンバ１０１内の雰囲気を排気するための排気口１３２とが形成される。
第１供給機構１０４は、ノズル１４１と、水平方向に延在し、ノズル１４１を上方から支持する第１アーム１４２と、第１アーム１４２を旋回および昇降させる第１旋回昇降機構１４３とを備える。第１旋回昇降機構１４３により、第１アーム１４２は、ウエハＷの上方における処理位置とウエハＷの外方における待機位置との間でノズル１４１を移動させることができる。
ノズル１４１は、水平方向に沿って直線状に延在するバーノズルである。ノズル１４１は、ウエハＷの半径と同程度の長さを有する。処理位置に配置された状態において、ノズル１４１の長手方向先端部は、ウエハＷの中央部における上方に配置され、ノズル１４１の長手方向基端部は、ウエハＷの周縁部における上方に配置される。
ノズル１４１は、ベーパー供給路２１１を介してベーパー供給部２０１に接続される。また、ノズル１４１は、ＳＰＭ供給路２２１を介してＳＰＭ供給部２０２に接続される。ベーパー供給部２０１は、加圧された純水（脱イオン水）の蒸気であるベーパーをベーパー供給路２１１を介してノズル１４１に供給する。ＳＰＭ供給部２０２は、硫酸および過酸化水素水の混合液であるＳＰＭ液をＳＰＭ供給路２２１を介してノズル１４１に供給する。ベーパー供給部２０１およびＳＰＭ供給部２０２の構成としては、如何なる公知技術を用いて構わない。たとえば、ＳＰＭ供給部２０２は、硫酸を供給する硫酸供給源、過酸化水素水を供給する過酸化水素水供給源および硫酸と過酸化水素水とを混合する混合部を備える。
ノズル１４１は、ベーパー供給部２０１から供給されるベーパーとＳＰＭ供給部２０２から供給されるＳＰＭ液とを混合してウエハＷに吐出する。ノズル１４１の具体的な構成については後述する。
第２供給機構１０５は、補助ノズル１５１と、水平方向に延在し、補助ノズル１５１を上方から支持する第２アーム１５２と、第２アーム１５２を旋回および昇降させる第２旋回昇降機構１５３とを備える。第２旋回昇降機構１５３により、第２アーム１５２は、ウエハＷの上方における処理位置とウエハＷの外方における待機位置との間で補助ノズル１５１を移動させることができる。
補助ノズル１５１は、ベーパー供給路２１２を介してベーパー供給部２０１に接続される。ベーパー供給部２０１は、ベーパー供給路２１２を介して補助ノズル１５１にベーパーを供給する。また、補助ノズル１５１は、リンス液供給路２３１を介してリンス液供給部２０３に接続され、置換液供給路２４１を介して置換液供給部２０４に接続される。リンス液供給部２０３は、リンス液、ここでは一例として純水（脱イオン水）をリンス液供給路２３１を介して補助ノズル１５１に供給する。置換液供給部２０４は、置換液、ここでは一例としてＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を置換液供給路２４１を介して補助ノズル１５１に供給する。リンス液供給部２０３および置換液供給部２０４の構成としては、如何なる公知技術を用いて構わない。
補助ノズル１５１は、ベーパー供給部２０１からベーパー供給路２１２を介して供給されるベーパーをウエハＷに吐出する。また、補助ノズル１５１は、リンス液供給部２０３からリンス液供給路２３１を介して供給されるリンス液をウエハＷに吐出する。また、補助ノズル１５１は、置換液供給部２０４から置換液供給路２４１を介して供給される置換液をウエハＷに吐出する。
ノズル洗浄機構１０６は、ノズル１４１の待機位置に配置される。ノズル洗浄機構１０６は、ノズル１４１を洗浄する。
また、基板処理装置１は、制御装置３００を備える。制御装置３００は、たとえばコンピュータであり、制御部３０１と記憶部３０２とを備える。記憶部３０２には、基板処理装置１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部３０１は、記憶部３０２に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理装置１の動作を制御する。
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置３００の記憶部３０２にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
＜ノズルの構成＞
次に、ノズル１４１の構成について図３～図６を参照して説明する。図３は、第１実施形態に係るノズル１４１を長手方向と直交する面で切断した断面図である。また、図４は、図３に示すＩＶ－ＩＶ線矢視における断面図である。また、図５は、図３に示すＶ－Ｖ線矢視における断面図である。また、図６は、第１実施形態に係るノズル１４１を下方から見た模式的平面図である。なお、図６においては、ベーパーが流れる領域をドットにより示している。
図３に示すように、ノズル１４１は、ノズル本体４１と、２つの第１分配路４２と、１つの第２分配路４３と、複数の導出路４４（図４および図５参照）とを備える。また、ノズル１４１は、複数の第１吐出口４５および複数の第１吐出路４６（図４参照）と、複数の第２吐出口４７および複数の第２吐出路４８（図５参照）とを備える。
第１分配路４２および第２分配路４３は、ノズル本体４１の内部に形成される。図４および図５に示すように、第１分配路４２および第２分配路４３は、ノズル本体４１の長手方向に沿って延在する。第１分配路４２は、ベーパー供給路２１１を介してベーパー供給部２０１に接続される。また、第２分配路４３は、ＳＰＭ供給路２２１を介してＳＰＭ供給部２０２に接続される。
図３に示すように、第２分配路４３は、ノズル本体４１の断面視における正中線（ノズル本体４１を左右に二等分する線）上に配置される。また、２つの第１分配路４２は、ノズル本体４１の断面視における正中線の左右側方に１つずつ配置される。
複数の導出路４４は、第２分配路４３よりも下方に位置する。図３～図５に示すように、複数の導出路４４は、ノズル本体４１の下部に設けられた流路であり、鉛直下方に延在する。複数の導出路４４は、ノズル本体４１の長手方向に沿って配置される。隣り合う導出路４４は、隔壁によって隔てられる。導出路４４の断面形状は、例えば矩形状である。なお、導出路４４の断面形状は、円形または楕円形等であってもよい。
第１吐出口４５は、導出路４４の内側面に開口する。また、第２吐出口４７は、第１吐出口４５よりも上方に配置され、導出路４４の上端面に開口する。図４および図５に示すように、複数の第１吐出口４５および複数の第２吐出口４７は、ノズル本体４１の長手方向に沿って配列される。
図３～図６に示すように、ノズル１４１は、複数の第１吐出口４５および複数の第２吐出口４７を備えるとともに、２つの第１吐出口４５および１つの第２吐出口４７に連通する導出路４４を複数備える。なお、１つの導出路４４に連通する第１吐出口４５および第２吐出口４７の数は、図３～図６に示す数に限定されない。すなわち、ノズル１４１は、少なくとも１つの第１吐出口４５および少なくとも１つの第２吐出口４７に連通する導出路４４を複数備えてもよい。
複数の第１吐出口４５は、複数の第１吐出路４６を介して第１分配路４２に接続される。また、複数の第２吐出口４７は、複数の第２吐出路４８を介して第２分配路４３に接続される。
ベーパー供給部２０１から第１分配路４２に供給されたベーパーは、第１分配路４２から複数の第１吐出路４６に分配されて、複数の第１吐出口４５から対応する複数の導出路４４にそれぞれ吐出される。また、ＳＰＭ供給部２０２から第２分配路４３に供給されたＳＰＭ液は、第２分配路４３から複数の第２吐出路４８に分配されて、複数の第２吐出口４７から対応する複数の導出路４４にそれぞれ吐出される。
第１吐出口４５から吐出されたベーパーと、第２吐出口４７から吐出されたＳＰＭ液とは、導出路４４の入口である上端付近で混合されて、導出路４４の出口である下端からウエハＷに向けて吐出される。
仮にノズル１４１が導出路４４を有しない場合、ノズル１４１から吐出されたＳＰＭ液の液滴が拡散してしまい、ＳＰＭ液とベーパーとが適切に混合されないおそれがある。また、拡散したＳＰＭ液がチャンバ１０１の内壁に付着することで、チャンバ１０１やチャンバ１０１内のウエハＷを汚染させてしまうおそれがある。
これに対し、第１実施形態に係るノズル１４１は、導出路４４を備えることで、第１吐出口４５から吐出されたベーパーと第２吐出口４７から吐出されたＳＰＭ液とが互いに接触することなく拡散してしまうことを抑制することができる。このため、ノズル１４１は、導出路４４においてベーパーとＳＰＭ液とを適切に混合することができる。したがって、実施形態に係るノズル１４１によれば、たとえば導出路４４を備えないノズルと比べて、ＳＰＭ液をより高い温度にまで上昇させることができる。また、ＳＰＭ液の拡散によるチャンバ１０１内の汚染を抑制することができる。
また、図６に示すように、第２吐出口４７は、平面視において導出路４４と同軸上に配置される。第２吐出口４７は、導出路４４の中心軸に沿う方向（つまり、Ｚ軸方向）にＳＰＭ液を吐出する。また、第１吐出口４５は、平面視において導出路４４の中心軸からずれた位置に向けて配置される。第１吐出口４５は、平面視において導出路４４の中心軸からずれた位置に向けてベーパーを吐出する。これにより、導出路４４の内側面に衝突したベーパーは、導出路４４内にベーパーの旋回流を形成しつつ、第２吐出口４７から吐出されたＳＰＭ液と混合される。導出路４４内にベーパーの旋回流を形成するためには、第１吐出口４５から吐出されたベーパーが導出路４４の内側面に沿って流れればよい。
第１吐出口４５が平面視において導出路４４の中心軸の位置に向けて配置される場合、第１吐出口４５から吐出されたベーパーは、導出路４４の内側面に衝突して分散するため、導出路４４内にベーパーの旋回流は形成され難い。
これに対し、第１実施形態に係るノズル１４１は、第１吐出口４５を平面視において導出路４４の中心軸からずれた位置に向けて配置することで、第１吐出口４５から吐出されたベーパーを導出路４４の内側面に沿って流すことができる。このため、ノズル１４１は、導出路４４内にベーパーの旋回流を容易に形成することができる。したがって、第１実施形態に係るノズル１４１によれば、第１吐出口４５を導出路４４の中心軸の位置に向けて配置する場合と比べて、ベーパーとＳＰＭ液とを効率よく混合することができる。また、ベーパーとＳＰＭ液とを効率よく混合することで、ＳＰＭ液の温度を効率よく高めることができる。
また、第１吐出口４５の中心軸は、平面視において導出路４４の内側面の法線Ｎの方向に対して傾斜している。第１吐出口４５の中心軸を法線Ｎの方向に対して傾斜させることにより、第１吐出口４５の中心軸を導出路４４の内側面に対して垂直とした場合と比べて、導出路４４内にベーパーの旋回流を形成し易くすることができる。また、旋回流によって導出路４４内にベーパーが滞留する時間を延ばすことができるため、ベーパーとＳＰＭ液とを混合するために使用されるベーパーの量を抑えることができる。
＜基板処理装置の具体的動作＞
次に、基板処理装置１の具体的動作について図７を参照して説明する。図７は、第１実施形態に係る基板処理装置１が実行する処理の手順を示すフローチャートである。図７に示す一連の処理は、制御部３０１による制御に従って実行される。
まず、基板処理装置１では、ウエハＷの搬入処理が行われる（ステップＳ１０１）。具体的には、基板処理装置１の外部に配置された基板搬送装置によって基板処理装置１のチャンバ１０１（図１参照）内にウエハＷが搬入されて基板保持部１０２に保持される。その後、基板処理装置１は、基板保持部１０２を所定の回転速度で回転させる。
つづいて、基板処理装置１では、ＳＰＭ処理が行われる（ステップＳ１０２）。まず、第１旋回昇降機構１４３がノズル１４１を待機位置からウエハＷ上の処理位置まで移動させる。その後、ノズル１４１からベーパーとＳＰＭ液との混合流体がウエハＷの表面に吐出される。これにより、ウエハＷの表面に形成されたレジスト膜が除去される。
なお、基板処理装置１では、ＳＰＭ処理において補助ノズル１５１を用いてもよい。補助ノズル１５１を用いる場合、第２旋回昇降機構１５３が補助ノズル１５１をウエハＷの上方に位置させる。具体的には、補助ノズル１５１は、ノズル１４１のみではベーパーの供給が不足するおそれがある場所、たとえばウエハＷの外周部に配置される。その後、補助ノズル１５１からウエハＷの表面にベーパーが吐出される。
このように、補助ノズル１５１を用いることで、ウエハＷの全面により均等にベーパーを供給することができる。したがって、ＳＰＭ液の温度をウエハＷの全面に亘ってより均等に上昇させることができる。
ステップＳ１０２のＳＰＭ処理を終えると、基板処理装置１では、リンス処理が行われる（ステップＳ１０３）。かかるリンス処理では、補助ノズル１５１からウエハＷの表面へリンス液（純水）が供給される。ウエハＷに供給されたリンス液は、ウエハＷの回転に伴う遠心力によってウエハＷの表面に塗り広げられる。これにより、ウエハＷに残存するＳＰＭ液がリンス液によって洗い流される。
つづいて、基板処理装置１では、置換処理が行われる（ステップＳ１０４）。置換処理では、補助ノズル１５１からウエハＷの表面へ置換液（ＩＰＡ）が供給される。ウエハＷに供給された置換液は、ウエハＷの回転に伴う遠心力によってウエハＷの表面に塗り広げられる。これにより、ウエハＷに残存するリンス液が置換液に置換される。
つづいて、基板処理装置１では、乾燥処理が行われる（ステップＳ１０５）。かかる乾燥処理では、ウエハＷの回転数を増加させる。これにより、ウエハＷに残存する置換液が振り切られて、ウエハＷが乾燥する。その後、ウエハＷの回転が停止する。
つづいて、基板処理装置１では、搬出処理が行われる（ステップＳ１０６）。搬出処理では、基板保持部１０２に保持されたウエハＷが外部の基板搬送装置へ渡される。かかる搬出処理が完了すると、１枚のウエハＷについての基板処理が完了する。
（第２実施形態）
次に、第２実施形態に係るノズルの構成について図８～図１１を参照して説明する。図８は、第２実施形態に係るノズルを長手方向と直交する面で切断した断面図である。また、図９は、図８に示すＩＸ－ＩＸ線矢視における断面図である。また、図１０は、図８に示すＸ－Ｘ線矢視における断面図である。また、図１１は、第２実施形態に係るノズルを下方から見た模式的平面図である。なお、図１１においては、ベーパーが流れる領域をドットにより示している。
図８に示すように、第２実施形態に係るノズル１４１Ａは、所謂内部混合型の２流体ノズルである。ノズル１４１Ａは、長尺状のノズル本体４１Ａと、第１分配路４２Ａ（図９参照）と、第２分配路４３Ａ（図１０参照）と、複数の導出路４４Ａ（図１０参照）とを備える。また、ノズル１４１Ａは、複数の第１吐出口４５Ａおよび複数の第１供給路４６Ａ（図９参照）と、複数の第２吐出口４７Ａおよび複数の第２供給路４８Ａ（図１０参照）とを備える。
第１分配路４２Ａおよび第２分配路４３Ａは、ノズル本体４１Ａの内部に形成される。図９および図１０に示すように、第１分配路４２Ａおよび第２分配路４３Ａは、ノズル本体４１の長手方向に沿って延在する。第１分配路４２Ａは、ベーパー供給路２１１を介してベーパー供給部２０１に接続される。第１分配路４２Ａは、ベーパー供給部２０１から供給されるベーパーを複数の第１供給路４６Ａに分配する。また、第２分配路４３Ａは、ＳＰＭ供給路２２１を介してＳＰＭ供給部２０２に接続される。第２分配路４３Ａは、ＳＰＭ供給部２０２から供給されるＳＰＭ液を複数の第２供給路４８Ａに分配する。
第２供給路４８Ａは、第２分配路４３Ａから分配されるＳＰＭ液を出口である第２吐出口４７Ａに対して供給する。図８に示すように、第２供給路４８Ａおよび導出路４４Ａは、鉛直方向に延在しており同軸上に配置される。
第２供給路４８Ａの出口である第２吐出口４７Ａは、導出路４４Ａの入口に近接させて配置されている。なお、第２供給路４８Ａの断面積は入口から出口まで一定であることが好ましく、第２供給路４８Ａの断面形状は例えば円形又は楕円形等であることが好ましい。図示のように、第２供給路４８Ａの断面積が入口から出口まで一定である場合は、第２供給路４８Ａの出口である第２吐出口４７Ａの断面積（径）は、第２供給路４８Ａの断面積（径）に等しい。
第２供給路４８Ａの周囲には、第２供給路４８Ａを囲むように環状に形成された導入空間４９が形成されている。
第１供給路４６Ａは、第１分配路４２Ａから分配されるベーパーを出口である第１吐出口４５Ａに対して供給する。具体的には、第１供給路４６Ａの出口である第１吐出口４５Ａは、導入空間４９に接続されており、導入空間４９に対してベーパーを供給するようになっている。
第２供給路４８Ａは、導入空間４９の内側を通過するように配置されている。この導入空間４９は、環状の断面形状を有する筒状に形成されている。導入空間４９には、環状部４９１と、下方に向かうに従って縮径するテーパ部４９２とが形成されている。テーパ部４９２は、環状部４９１の下流側に形成されており、テーパ部４９２の出口は、第２供給路４８Ａの出口と導出路４４Ａの入口の間に、環状に開口している。従って、導入空間４９に導入されたベーパーは、導出路４４Ａの入口付近において、第２供給路４８Ａの出口である第２吐出口４７Ａから吐出されたＳＰＭ液と混合され、これによりＳＰＭ液の混合流体（ＳＰＭ液の液滴）が形成される。
第１供給路４６Ａの出口である第１吐出口４５Ａは、第２供給路４８Ａの出口である第２吐出口４７Ａよりも上方に配置され、導入空間４９における環状部４９１の内壁面に開口する。第１供給路４６Ａの断面積は入口から出口まで一定であることが好ましく、第１供給路４６Ａの断面形状は例えば円形又は楕円形等であることが好ましい。図示のように、第１供給路４６Ａの断面積が入口から出口まで一定である場合は、第１供給路４６Ａの出口である第１吐出口４５Ａの断面積（径）は、第１供給路４６Ａの断面積（径）に等しい。
導出路４４Ａは、前述のように第２供給路４８Ａと同軸上に配置され、第２供給路４８Ａと導入空間４９に連通している。導出路４４Ａは直線状に形成され、かつ、導出路４４Ａの断面積（径）は入口から出口まで一定であることが好ましく、導出路４４Ａの断面形状は例えば円形又は楕円形等であることが好ましい。
第１供給路４６Ａから導入空間４９を介して導入されたベーパーと、第２供給路４８Ａから導入されたＳＰＭ液とは、導出路４４Ａの入口付近において混合される。これにより、ＳＰＭ液の液滴が無数に形成され、形成された液滴がベーパーと共に導出路４４Ａを経て外部に導出されるようになっている。
導出路４４Ａの先端には複数の噴射口４４２が設けられている。噴射口４４２は、導出路４４Ａよりも断面積が小さいオリフィス状に形成されている。このように導出路４４Ａよりも断面積が小さいオリフィス状の噴射口４４２がない場合は、導出路４４Ａ内壁に沿って成長した液滴がそのまま吐出されてしまう。噴射口４４２の断面積は入口から出口まで一定であることが好ましく、噴射口４４２の断面形状は例えば円形又は楕円形等であることが好ましい。導出路４４Ａ内を通過した液滴は、噴射口４４２内を通過する間に再び微粒化されて噴射される。従って、液滴が導出路４４Ａの内壁に沿って移動する間に大きく成長してしまった場合でも、噴射口４４２を通過させることで液滴を十分に小さな粒径に微粒化して噴射することができるようになっている。
図８～図１１に示すように、第２実施形態に係るノズル１４１Ａは、複数の第１吐出口４５Ａおよび複数の第２吐出口４７Ａを備えるとともに、１つの第１吐出口４５Ａおよび１つの第２吐出口４７Ａに連通する導出路４４Ａを複数備える。なお、１つの導出路４４Ａに連通する第１吐出口４５Ａおよび第２吐出口４７Ａの数は、図８～図１１に示す数に限定されない。すなわち、ノズル１４１Ａは、少なくとも１つの第１吐出口４５Ａおよび少なくとも１つの第２吐出口４７Ａに連通する導出路４４を複数備えてもよい。
また、図１１に示すように、第２吐出口４７Ａは、平面視において導出路４４および噴射口４４２と同軸上に配置される。第２吐出口４７Ａは、導出路４４Ａの中心軸に沿う方向（つまり、Ｚ軸方向）にＳＰＭ液を吐出する。また、第１吐出口４５Ａは、平面視において導出路４４Ａの中心軸からずれた位置に向けて配置される。第１吐出口４５Ａは、平面視において導出路４４Ａの中心軸からずれた位置に向けてベーパーを吐出する。これにより、第１吐出口４５Ａから吐出されて導入空間４９の内壁面に衝突したベーパーは、導出路４４Ａを流れて噴射口４４２へ到達する過程で、導出路４４Ａ内にベーパーの旋回流を形成しつつ、第２吐出口４７Ａから吐出されたＳＰＭ液と混合される。導出路４４Ａ内にベーパーの旋回流を形成するためには、第１吐出口４５Ａから吐出されたベーパーが導入空間４９の内壁面に沿って流れればよい。
第１吐出口４５Ａが平面視において導出路４４Ａの中心軸の位置に向けて配置される場合、第１吐出口４５Ａから吐出されたベーパーは、導入空間４９の内壁面に衝突して分散するため、導出路４４Ａ内にベーパーの旋回流は形成され難い。
これに対し、第２実施形態に係るノズル１４１Ａは、第１吐出口４５Ａを平面視において導出路４４Ａの中心軸からずれた位置に向けて配置することで、第１吐出口４５Ａから吐出されたベーパーを導入空間４９の内壁面に沿って流すことができる。このため、ノズル１４１は、導入空間４９に連通している導出路４４Ａ内にベーパーの旋回流を容易に形成することができる。したがって、第２実施形態に係るノズル１４１Ａによれば、第１吐出口４５Ａを導出路４４Ａの中心軸の位置に向けて配置する場合と比べて、ベーパーとＳＰＭ液とを効率よく混合することができる。また、ベーパーとＳＰＭ液とを効率よく混合することで、ＳＰＭ液の温度を効率よく高めることができる。
また、第１吐出口４５Ａの中心軸は、平面視において導出路４４Ａの内側面の法線ＮＡの方向に対して傾斜している。第１吐出口４５Ａの中心軸を法線ＮＡの方向に対して傾斜させることにより、第１吐出口４５Ａの中心軸を導出路４４Ａの内側面に対して垂直とした場合と比べて、導出路４４Ａ内にベーパーの旋回流を形成し易くすることができる。また、旋回流によって導出路４４Ａ内にベーパーが滞留する時間を延ばすことができるため、ベーパーとＳＰＭ液とを混合するために使用されるベーパーの量を抑えることができる。
＜変形例＞
図１２は、第１実施形態の変形例１に係るノズルを長手方向と直交する面で切断した断面図である。図１２においては、第１実施形態の変形例１に係るノズル１４１ＢがウエハＷの上方における処理位置に位置している状態を示している。
図１２に示すように、ノズル１４１Ｂのノズル本体４１Ｂは、導出路４４Ｂを備える。導出路４４Ｂは、基板保持部１０２により回転されるウエハＷの回転方向Ｒに対して斜めに配置される。すなわち、ノズル１４１Ｂを鉛直軸（Ｚ軸）に対して傾斜させた状態でノズル１４１Ｂが第１アーム１４２Ｂによって上方から支持されることにより、導出路４４Ｂは、ウエハＷの回転方向Ｒに対して斜めに配置される。このように、導出路４４Ｂを斜めに配置することで、導出路４４Ｂから吐出されたベーパーをウエハＷの表面に沿ってウエハＷの回転方向に逃がすことができることから、ウエハＷの表面近傍におけるヒュームの滞留を抑制することができる。なお、第２実施形態に係るノズル１４１Ａにおける導出路４４Ａも同様にウエハＷの回転方向Ｒに対して斜めに配置されてもよい。
図１３は、第１実施形態の変形例２に係るノズルを長手方向と直交する面で切断した断面図である。図１３においては、第１実施形態の変形例２に係るノズル１４１Ｃは、鉛直軸（Ｚ軸）に対して傾斜可能に第１アーム１４２Ｃによって上方から支持される。すなわち、第１アーム１４２Ｃは、ノズル１４１Ｃの傾きを調節する傾き調節機構５２を有し、かかる傾き調節機構５２により、ノズル１４１Ｃは、鉛直軸（Ｚ軸）に対して傾斜することができる。
つづいて、かかるノズル１４１Ｃを用いたＳＰＭ処理について図１４を参照して説明する。図１４は、第１実施形態の変形例２に係るＳＰＭ処理の手順を示すフローチャートである。図１４に示すＳＰＭ処理は、制御部３０１（図１参照）による制御に従って実行される。また、図１４に示すＳＰＭ処理は、基板保持部１０２に保持されたウエハＷが回転された状態で、実行される。
まず、第１旋回昇降機構１４３がノズル１４１Ｃを待機位置からウエハＷ上の処理位置まで移動させる。つづいて、制御部３０１は、第１アーム１４２Ｃの傾き調節機構５２によってノズル１４１Ｃを鉛直軸（Ｚ軸）に対して傾斜させて、導出路４４をウエハＷの回転方向Ｒ（図１３参照）に対して斜めに配置する（ステップＳ１２１）。
その後、ノズル１４１ＣからベーパーとＳＰＭ液との混合流体がウエハＷの表面に吐出される（ステップＳ１２２）。これにより、ウエハＷの表面に形成されたレジスト膜が除去される。このとき、導出路４４がウエハＷの回転方向Ｒに対して斜めに配置されている。これにより、導出路４４から吐出されたベーパーをウエハＷの表面に沿ってウエハＷの回転方向に逃がすことができることから、ウエハＷの表面近傍におけるヒュームの滞留を抑制することができる。なお、第２実施形態に係るノズル１４１Ａが、鉛直軸（Ｚ軸）に対して傾斜可能に第１アーム１４２Ｃによって上方から支持されてもよい。この場合、図１４に示すＳＰＭ処理と同様のＳＰＭ処理が、制御部３０１による制御に従って実行されてもよい。
図１５は、第２実施形態の変形例１に係るノズルを長手方向と直交する面で切断した断面図である。図１５に示すように、第２実施形態の変形例１に係るノズル１４１Ｄのノズル本体４１Ｄは、第１分配路４２Ｄと、第２分配路４３Ｄとを備える。また、ノズル本体４１Ｄは、複数の第１吐出口４５Ｄおよび複数の第１供給路４６Ｄと、複数の第２吐出口４７Ｄおよび複数の第２供給路４８Ｄとを備える。
上述した第２実施形態に係るノズル１４１Ａの第２供給路４８Ａの周囲には導入空間４９が形成されているが、第２実施形態の変形例１における第２供給路４８Ｄの周囲には導入空間４９が形成されていない。第２供給路４８Ｄの出口である第２吐出口４７Ｄは、導出路４４Ａの入口に直接的に連通している。
また、第１供給路４６Ｄの出口である第１吐出口４５Ｄは、導出路４４Ａの内側面に開口しており、導出路４４Ｄに対してベーパーを供給するようになっている。
第１供給路４６Ｄから導入されたベーパーと、第２供給路４８Ｄから導入されたＳＰＭ液とは、導出路４４Ａの入口である上端付近において混合される。これにより、ＳＰＭ液の液滴が無数に形成され、形成された液滴がベーパーと共に導出路４４Ａを経て外部に導出されるようになっている。
このように、第２供給路４８Ｄおよび第２吐出口４７Ｄは、導入空間４９を介さずに導出路４４Ａに直接的に連通してもよい。また、第１吐出口４５Ｄは、導出路４４Ａの内側面に開口してもよい。これにより、導入空間４９が省略された簡易な構成においても、ベーパーとＳＰＭ液とを効率よく混合することができる。
＜その他の変形例＞
上述した各実施形態および変形例では、ベーパーとＳＰＭ液とを混合する場合の例について説明したが、ベーパーに代えてミストが用いられてもよい。すなわち、ベーパー供給部２０１に代えて、加圧された純水のミストを供給するミスト供給部が設けられてもよい。
上述した各実施形態および変形例では、基板の表面に形成されたレジスト膜を除去する基板処理装置を例に挙げて説明した。すなわち、ＳＰＭ処理における除去対象物がレジスト膜である場合の例について説明した。しかし、ＳＰＭ処理における除去対象物は、レジスト膜に限定されない。たとえば、ＳＰＭ処理における除去対象物は、アッシング後の残渣（有機物）であってもよい。また、ＳＰＭ処理における除去対象物は、ＣＭＰ（化学機械研磨）後の研磨剤に含まれる不要物であってもよい。
上述した第１実施形態において、第１吐出口４５の位置と、第２吐出口４７の位置とは、逆であってもよい。すなわち、図３に示す第２吐出口４７の位置からベーパーまたはミストを吐出させ、第１吐出口４５の位置からＳＰＭ液を吐出させてもよい。また、第２実施形態も同様に、第１吐出口４５Ａの位置と、第２吐出口４７Ａの位置とは、逆であってもよい。すなわち、図８に示す第２吐出口４７Ａの位置からベーパーまたはミストを吐出させ、第１吐出口４５Ａの位置からＳＰＭ液を吐出させてもよい。
上述してきたように、実施形態に係るノズル（一例として、ノズル１４１，１４１Ａ～１４１Ｄ）は、加圧された純水の蒸気またはミストを含む流体（一例として、ベーパー、または、ミスト）と少なくとも硫酸を含む処理液（一例として、ＳＰＭ液）とを混合して吐出するノズルである。ノズルは、第１吐出口（一例として、第１吐出口４５，４５Ａ，４５Ｄ）と、第２吐出口（一例として、第２吐出口４７，４７Ａ，４７Ｄ）と、導出路（一例として、導出路４４，４４Ａ，４４Ｂ）とを備える。第１吐出口は、流体を吐出する。第２吐出口は、処理液を吐出する。導出路は、第１吐出口および第２吐出口に連通し、第１吐出口から吐出された流体と第２吐出口から吐出された処理液との混合流体を導出する。また、第１吐出口または第２吐出口は、平面視において導出路の中心軸からずれた位置に向けて配置される。
実施形態に係るノズルによれば、第１吐出口から吐出されたベーパーを導出路の内側面に沿って流すことができる。これにより、導出路内にベーパーの旋回流を容易に形成することができる。したがって、実施形態に係るノズルによれば、ベーパーとＳＰＭ液との混合流体を用いるＳＰＭ処理においてベーパーとＳＰＭ液とを効率よく混合することができる。その結果、実施形態に係るノズルによれば、ＳＰＭ液の温度を効率よく高めることができることから、ベーパーとＳＰＭ液との混合流体を用いるＳＰＭ処理において除去対象物の除去効率を向上させることができる。
第１吐出口または第２吐出口の中心軸は、平面視において導出路の内側面の法線（例えば、法線Ｎ，ＮＡ）の方向に対して傾斜していてもよい。これにより、導出路内にベーパーの旋回流を形成し易くすることができる。また、旋回流によって導出路内にベーパーが滞留する時間を延ばすことができるため、ベーパーとＳＰＭ液とを混合するために使用されるベーパーの量を抑えることができる。
実施形態に係るノズルは、複数の第１吐出口および複数の第２吐出口を備えるとともに、少なくとも１つの第１吐出口および少なくとも１つの第２吐出口に連通する導出路を複数備えていてもよい。
第１吐出口（一例として、第１吐出口４５）は、導出路（一例として、導出路４４，４４Ｂ）の内側面に開口してもよい。また、第２吐出口（一例として、第２吐出口４７）は、導出路の上端面に開口してもよい。これにより、導出路の入口である上端付近でベーパーとＳＰＭ液とを効率よく混合することができる。
実施形態に係るノズル（一例として、ノズル１４１Ａ）は、第２供給路（一例として、第２供給路４８Ａ）と、導入空間（一例として、導入空間４９）とをさらに備えていてもよい。第２供給路は、第２吐出口に対して処理液を供給してもよい。導入空間は、第２供給路を囲む環状に形成される。また、第２吐出口および第２供給路は、導出路（一例として、導出路４４Ａ）と同軸上に配置され、導出路および導入空間に連通してもよい。また、第１吐出口（一例として、第１吐出口４５Ａ）は、導入空間の内壁面に開口してもよい。
実施形態に係るノズルによれば、第１吐出口から吐出されたベーパーを導入空間の内壁面に沿って流すことができる。これにより、導入空間に連通している導出路内にベーパーの旋回流を容易に形成することができる。したがって、実施形態に係るノズルによれば、ベーパーとＳＰＭ液との混合流体を用いるＳＰＭ処理においてベーパーとＳＰＭ液とを効率よく混合することができる。その結果、実施形態に係るノズルによれば、ＳＰＭ液の温度を効率よく高めることができることから、ベーパーとＳＰＭ液との混合流体を用いるＳＰＭ処理において除去対象物の除去効率を向上させることができる。
第１吐出口（一例として、第１吐出口４５Ａ）は、第２吐出口（一例として、第２吐出口４７Ａ）よりも上方に配置され、平面視において導出路（一例として、導出路４４Ａ）の中心軸からずれた位置に向けて流体を吐出することによって、導出路内を旋回する旋回流を形成してもよい。これにより、ベーパーとＳＰＭ液との混合流体を用いるＳＰＭ処理においてベーパーとＳＰＭ液とを効率よく混合することができる。
第１吐出口は、導出路の上端面に開口してもよい。また、第２吐出口は、導出路の内側面に開口してもよい。
実施形態に係るノズルは、第１供給路と、導入空間とをさらに備えていてもよい。第１供給路は、第１吐出口に対して流体を供給してもよい。導入空間は、第１供給路を囲む環状に形成されてもよい。また、第１吐出口および第１供給路は、導出路と同軸上に配置され、導出路および導入空間に連通してもよい。第２吐出口は、導入空間の内壁面に開口してもよい。
第２吐出口は、第１吐出口よりも上方に配置され、平面視において導出路の中心軸からずれた位置に向けて処理液を吐出することによって、導出路内を旋回する旋回流を形成してもよい。
実施形態に係る基板処理装置（一例として、基板処理装置１）は、基板保持部（一例として、基板保持部１０２）と、流体供給部（一例として、ベーパー供給部２０１）と、処理液供給部（一例として、ＳＰＭ供給部２０２）と、ノズル（一例として、ノズル１４１，１４１Ａ～１４１Ｄ）とを備える。基板保持部は、基板（一例として、ウエハＷ）を回転可能に保持する。流体供給部は、加圧された純水の蒸気またはミストを含む流体（一例として、ベーパー、または、ミスト）を供給する。処理液供給部は、少なくとも硫酸を含む処理液（一例として、ＳＰＭ液）を供給する。ノズルは、流体供給部および処理液供給部に接続され、流体と処理液とを混合して基板に吐出する。また、ノズルは、第１吐出口（一例として、第１吐出口４５，４５Ａ，４５Ｄ）と、第２吐出口（一例として、第２吐出口４７，４７Ａ，４７Ｄ）と、導出路（一例として、導出路４４，４４Ａ，４４Ｂ）とを備える。第１吐出口は、流体を吐出する。第２吐出口は、処理液を吐出する。導出路は、第１吐出口および第２吐出口に連通し、第１吐出口から吐出された流体と第２吐出口から吐出された処理液との混合流体を導出する。また、第１吐出口または第２吐出口は、平面視において導出路の中心軸からずれた位置に向けて配置される。
実施形態に係る基板処理装置によれば、第１吐出口から吐出されたベーパーを導出路の内側面に沿って流すことができる。これにより、導出路内にベーパーの旋回流を容易に形成することができる。したがって、実施形態に係る基板処理装置によれば、ベーパーとＳＰＭ液との混合流体を用いるＳＰＭ処理においてベーパーとＳＰＭ液とを効率よく混合することができる。その結果、実施形態に係る基板処理装置によれば、ＳＰＭ液の温度を効率よく高めることができることから、ベーパーとＳＰＭ液との混合流体を用いるＳＰＭ処理において除去対象物の除去効率を向上させることができる。
導出路は、基板保持部により回転される基板の回転方向（一例として、回転方向Ｒ）に対して斜めに配置されてもよい。これにより、導出路から吐出されたベーパーを基板の表面に沿って基板の回転方向に逃がすことができることから、基板の表面近傍におけるヒュームの滞留を抑制することができる。
実施形態に係る基板処理装置（一例として、基板処理装置１）は、基板保持部（一例として、基板保持部１０２）と、流体供給部（一例として、ベーパー供給部２０１）と、処理液供給部（一例として、ＳＰＭ供給部２０２）と、ノズル（一例として、ノズル１４１，１４１Ａ～１４１Ｄ）と、制御部（一例として、制御部３０１）とを備える。基板保持部は、基板（一例として、ウエハＷ）を回転可能に保持する。流体供給部は、加圧された純水の蒸気またはミストを含む流体（一例として、ベーパー、または、ミスト）を供給する。処理液供給部は、少なくとも硫酸を含む処理液（一例として、ＳＰＭ液）を供給する。ノズルは、流体供給部および処理液供給部に接続され、流体と処理液とを混合して基板に吐出する。また、ノズルは、第１吐出口（一例として、第１吐出口４５，４５Ａ，４５Ｄ）と、第２吐出口（一例として、第２吐出口４７，４７Ａ，４７Ｄ）と、導出路（一例として、導出路４４，４４Ａ，４４Ｂ）とを備える。第１吐出口は、流体を吐出する。第２吐出口は、処理液を吐出する。導出路は、第１吐出口および第２吐出口に連通し、第１吐出口から吐出された流体と第２吐出口から吐出された処理液との混合流体を導出する。また、第１吐出口または第２吐出口は、平面視において導出路の中心軸からずれた位置に向けて配置される。また、制御部は、基板保持部に保持された基板が回転された状態でノズルを傾斜させて、導出路を基板の回転方向（一例として、回転方向Ｒ）に対して斜めに配置し、ノズルから基板に向けて混合流体を吐出する。これにより、導出路から吐出されたベーパーを基板の表面に沿って基板の回転方向に逃がすことができることから、基板の表面近傍におけるヒュームの滞留を抑制することができる。
今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
１ 基板処理装置
４１，４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｄ ノズル本体
４２、４２Ａ、４２Ｄ 第１分配路
４６Ａ，４６Ｄ 第１供給路
４３、４３Ａ、４３Ｄ 第２分配路
４８Ａ，４８Ｄ 第２供給路
４４，４４Ａ，４４Ｂ，４４Ｄ 導出路
４５，４５Ａ，４５Ｄ 第１吐出口
４６ 第１吐出路
４７，４７Ａ，４７Ｄ 第２吐出口
４８ 第２吐出路
４９ 導入空間
５２ 傾き調節機構
１０２ 基板保持部
１４１，１４１Ａ，１４１Ｂ，１４１Ｃ，１４１Ｄ ノズル
１４２，１４２Ｂ，１４２Ｃ 第１アーム
１４３ 第１旋回昇降機構
２０１ ベーパー供給部
２０２ ＳＰＭ供給部
２１１，２１２ ベーパー供給路
２２１ ＳＰＭ供給路
３００ 制御装置
３０１ 制御部
３０２ 記憶部
Ｎ，ＮＡ 法線
Ｒ 回転方向
Ｗ ウエハ

Claims (13)

  1. 加圧された純水の蒸気またはミストを含む流体と少なくとも硫酸を含む処理液とを混合して吐出するノズルであって、
    前記流体を吐出する第１吐出口と、
    前記処理液を吐出する第２吐出口と、
    前記第１吐出口および前記第２吐出口に連通し、前記第１吐出口から吐出された前記流体と前記第２吐出口から吐出された前記処理液との混合流体を導出する導出路と
    を備え、
    前記第１吐出口または前記第２吐出口は、平面視において前記導出路の中心軸からずれた位置に向けて配置される、ノズル。
  2. 前記第１吐出口または前記第２吐出口の中心軸は、平面視において前記導出路の内側面の法線の方向に対して傾斜している、請求項１に記載のノズル。
  3. 複数の前記第１吐出口および複数の前記第２吐出口を備えるとともに、少なくとも１つの前記第１吐出口および少なくとも１つの前記第２吐出口に連通する前記導出路を複数備える、請求項１または２に記載のノズル。
  4. 前記第１吐出口は、前記導出路の内側面に開口し、
    前記第２吐出口は、前記導出路の上端面に開口する、請求項１～３のいずれか一つに記載のノズル。
  5. 前記第２吐出口に対して前記処理液を供給する第２供給路と、
    前記第２供給路を囲む環状に形成された導入空間と
    をさらに備え、
    前記第２吐出口および前記第２供給路は、前記導出路と同軸上に配置され、前記導出路および前記導入空間に連通し、
    前記第１吐出口は、前記導入空間の内壁面に開口する、請求項１～３のいずれか一つに記載のノズル。
  6. 前記第１吐出口は、前記第２吐出口よりも上方に配置され、平面視において前記導出路の中心軸からずれた位置に向けて前記流体を吐出することによって、前記導出路内を旋回する旋回流を形成する、請求項５に記載のノズル。
  7. 前記第１吐出口は、前記導出路の上端面に開口し、
    前記第２吐出口は、前記導出路の内側面に開口する、請求項１～３のいずれか一つに記載のノズル。
  8. 前記第１吐出口に対して前記流体を供給する第１供給路と、
    前記第１供給路を囲む環状に形成された導入空間と
    をさらに備え、
    前記第１吐出口および前記第１供給路は、前記導出路と同軸上に配置され、前記導出路および前記導入空間に連通し、
    前記第２吐出口は、前記導入空間の内壁面に開口する、請求項１～３のいずれか一つに記載のノズル。
  9. 前記第２吐出口は、前記第１吐出口よりも上方に配置され、平面視において前記導出路の中心軸からずれた位置に向けて前記処理液を吐出することによって、前記導出路内を旋回する旋回流を形成する、請求項８に記載のノズル。
  10. 基板を回転可能に保持する基板保持部と、
    加圧された純水の蒸気またはミストを含む流体を供給する流体供給部と、
    少なくとも硫酸を含む処理液を供給する処理液供給部と、
    前記流体供給部および前記処理液供給部に接続され、前記流体と前記処理液とを混合して前記基板に吐出するノズルと
    を備え、
    前記ノズルは、
    前記流体を吐出する第１吐出口と、
    前記処理液を吐出する第２吐出口と、
    前記第１吐出口および前記第２吐出口に連通し、前記第１吐出口から吐出された前記流体と前記第２吐出口から吐出された前記処理液との混合流体を導出する導出路と
    を備え、
    前記第１吐出口または前記第２吐出口は、平面視において前記導出路の中心軸からずれた位置に向けて配置される、基板処理装置。
  11. 前記導出路は、前記基板保持部により回転される前記基板の回転方向に対して斜めに配置される、請求項１０に記載の基板処理装置。
  12. 基板を回転可能に保持する基板保持部と、
    加圧された純水の蒸気またはミストを含む流体を供給する流体供給部と、
    少なくとも硫酸を含む処理液を供給する処理液供給部と、
    前記流体供給部および前記処理液供給部に接続され、前記流体と前記処理液とを混合して前記基板に吐出するノズルと、
    各部を制御する制御部と
    を備え、
    前記ノズルは、
    前記流体を吐出する第１吐出口と、
    前記処理液を吐出する第２吐出口と、
    前記第１吐出口および前記第２吐出口に連通し、前記第１吐出口から吐出された前記流体と前記第２吐出口から吐出された前記処理液との混合流体を導出する導出路と
    を備え、
    前記第１吐出口または前記第２吐出口は、平面視において前記導出路の中心軸からずれた位置に向けて配置され、
    前記制御部は、
    前記基板保持部に保持された基板が回転された状態で前記ノズルを傾斜させて、前記導出路を前記基板の回転方向に対して斜めに配置し、
    前記ノズルから前記基板に向けて前記混合流体を吐出する、基板処理装置。
  13. 基板を回転可能に保持する基板保持部と、
    加圧された純水の蒸気またはミストを含む流体を供給する流体供給部と、
    少なくとも硫酸を含む処理液を供給する処理液供給部と、
    前記流体供給部および前記処理液供給部に接続され、前記流体と前記処理液とを混合して前記基板に吐出するノズルと
    を備え、
    前記ノズルは、
    前記流体を吐出する第１吐出口と、
    前記処理液を吐出する第２吐出口と、
    前記第１吐出口および前記第２吐出口に連通し、前記第１吐出口から吐出された前記流体と前記第２吐出口から吐出された前記処理液との混合流体を導出する導出路と
    を備え、
    前記第１吐出口または前記第２吐出口は、平面視において前記導出路の中心軸からずれた位置に向けて配置される基板処理装置において、
    前記基板保持部に保持された基板が回転された状態で前記ノズルを傾斜させて、前記導出路を前記基板の回転方向に対して斜めに配置し、
    前記ノズルから前記基板に向けて前記混合流体を吐出する、基板処理方法。
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