TWI761463B - 基板處理方法及裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種研磨基板之周緣部後洗淨基板的周緣部，可確認其洗淨效果，並可洗淨過去不太能洗淨之區域的基板周緣部之基板處理方法及裝置。本發明係藉由基板保持部2保持基板W並使其旋轉，並藉由第一研磨頭3A、3B將具有研磨粒之研磨帶PT按壓於基板W的周緣部，來研磨基板W之周緣部，再藉由洗淨噴嘴53將洗淨液供給至研磨後之基板W的周緣部來洗淨基板W周緣部，藉由第二研磨頭3D使不具研磨粒之帶T接觸於洗淨後之基板W周緣部，並藉由感測器70照射光於接觸基板W周緣部後的帶T，接收來自帶T之反射光，當接收之反射光強度低於指定值時，判定為基板W之周緣部污染。

Description

基板處理方法及裝置
本發明係關於一種研磨半導體晶圓等基板之周緣部，並洗淨研磨後之基板的周緣部之基板處理方法及裝置者。
從提高半導體元件製造良率的觀點，近年來基板表面狀態之管理受到矚目。半導體元件之製造工序係將各種材料在矽晶圓上成膜。因而，在基板周緣部會形成不需要之膜及表面粗糙。近年來，一般方法係以支臂僅保持基板之周緣部來搬送基板。在此種背景下，殘留於周緣部之不需要的膜經過各種工序而剝離，會附著在形成於基板的元件上，而使良率降低。因此，為了除去形成於基板周緣部之不需要的膜，係使用研磨裝置來研磨基板的周緣部。
此種研磨裝置，習知有具備使用研磨帶研磨基板之周緣部的坡口研磨模組的裝置(例如參照專利文獻1)。研磨裝置具備：保持基板並使其旋轉之基板保持部；具有支撐研磨帶之複數個導輥的帶供給回收機構；及具有將從帶供給回收機構所供給之研磨帶抵住基板周緣部的按壓構件之研磨頭。帶供給回收機構進一步具有供給卷軸與回收卷軸，支撐於複數個導輥之研磨帶藉由帶饋送機構，從供給卷軸經由研磨頭而送至回收卷軸。藉由將藉由帶饋送機構從供給 卷軸經由研磨頭以指定之饋送速度送至回收卷軸的研磨帶，以研磨頭之按壓構件按壓於旋轉的基板周緣部，來研磨基板之周緣部。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2012-213849號公報
[專利文獻2]日本特開2013-4825號公報
被坡口研磨模組所研磨之基板上附著有研磨渣等的粒子。過去係將其從坡口研磨模組搬送至洗淨單元，而在洗淨單元內將全部此種粒子洗淨、沖洗。
此外，過去將昂貴之檢查裝置併設於坡口研磨裝置內，考慮成本優點時並不實際，因此，係以在研磨裝置之外的微粒子計數器等計測在基板中央附近有無塵埃，來判定基板是否在清潔狀態。
另外，最近隨元件之設計原則微細化，即使在微粒子計數器中也要求微粒子之檢測尺寸為45nm以下等，係朝向進一步提高檢測靈敏度來進行技術開發。但是，提高檢測靈敏度時，瞭解到會產生須檢測至原本不需要檢測之表面的LPD(光點缺陷(Light Point Defect))之新的課題(例如參照日本特開2013-4825號公報)。因此，儘管微細化的要求提高，基板研磨裝置使用微粒子計數器情況下，受到上述的限制，係使用無法充分確認基板周緣部有無污染的精度者，此外，不使用特殊且昂貴之檢查裝置時，就無法觀察基板中心部。如此，即使使 用過去使用之微粒子技術器判定為清潔的基板，在基板周緣部之PID(製程感應缺陷(Process Induced Defect))及附著粒子等的異物因為某些因素也會移動至基板的元件面。因而這樣的話，雖然會有對元件面造成不良影響的顧慮，但是就這一方面並未採取對策。
因此，要求一種研磨基板之周緣部後洗淨基板的周緣部，而且可立刻確認其洗淨效果，並可依需要再度洗淨的技術。
此外，全部處理結束，將基板送回前開式晶圓傳送盒之前、以及將基板搬出裝置外之後，若在基板上找到污垢時，因為需要再度洗淨，所以又產生該再度洗淨的時間損失及費事。
此外，若不採用造成基板周緣部缺陷原因的接觸洗淨，而可洗淨至過去不太能洗淨的區域時，就能防止對元件面造成不良影響。
本發明是鑑於上述情形者，目的為提供一種研磨基板之周緣部後洗淨基板的周緣部，可確認其洗淨效果，並可確實洗淨過去不太能洗淨之區域的基板周緣部之基板處理方法及裝置。
為了達成上述目的，本發明之基板處理方法的第一種樣態之特徵為：藉由基板保持部保持基板並使其旋轉，並藉由第一研磨頭將具有研磨粒之研磨帶按壓於基板的周緣部，來研磨基板之周緣部，再藉由洗淨噴嘴將洗淨液供給至研磨後之基板的周緣部來洗淨基板周緣部，藉由第二研磨頭使不具研磨粒之帶接觸於洗淨後之基板的周緣部，並藉由感測器照射光於接觸基板周緣部後之帶，接收來自帶之反射光，當前述接收之反射光強度低於指定值時，判定為基板之周緣部污染。
本發明適合樣態之特徵為：前述不具研磨粒之帶係由基材帶、與設於該基材帶上之不織布或多孔質層構成，並使前述不織布或多孔質層接觸於基板之周緣部。
本發明適合樣態之特徵為：前述洗淨噴嘴係由雙流體噴射噴嘴構成，藉由該雙流體噴射噴嘴將液體與氣體之混合流體供給至基板的周緣部，來洗淨基板周緣部。
本發明適合樣態之特徵為：藉由前述洗淨噴嘴將臭氧水或賦予超聲波振盪之洗淨液供給至基板的周緣部，來洗淨基板周緣部。
本發明適合樣態之特徵為：判定為基板周緣部污染時，再度洗淨基板之周緣部。
本發明之基板處理裝置的第一種樣態之特徵為具備：基板保持部，其係保持基板並使其旋轉；第一研磨頭，其係將具有研磨粒之研磨帶按壓於基板的周緣部來研磨基板周緣部；洗淨噴嘴，其係將洗淨液供給至研磨後之基板周緣部，來洗淨基板周緣部；第二研磨頭，其係使不具研磨粒之帶接觸於洗淨後的基板周緣部；感測器，其係照射光於接觸基板周緣部後之帶，並接收來自帶之反射光；及控制部，其係比較前述接收之反射光的強度與指定值，當反射光之強度低於指定值時判定為基板周緣部污染。
本發明適合樣態之特徵為：前述不具研磨粒之帶係由基材帶、與設於該基材帶上之不織布或多孔質層構成，並使前述不織布或多孔質層接觸於基板之周緣部。
本發明適合樣態之特徵為：前述洗淨噴嘴係由雙流體噴射噴嘴構成，藉由該雙流體噴射噴嘴將液體與氣體之混合流體供給至基板的周緣部，來洗淨基板周緣部。
本發明適合樣態之特徵為：藉由前述洗淨噴嘴將臭氧水或賦予超聲波振盪之洗淨液供給至基板的周緣部，來洗淨基板周緣部。
本發明適合樣態之特徵為：藉由前述控制部判定為基板周緣部污染時，藉由前述洗淨噴嘴再度洗淨基板之周緣部。
本發明適合樣態之特徵為：前述第二研磨頭具備：按壓構件，其係配置於不具研磨粒之帶的背面側；及按壓機構，其係經由不具研磨粒之帶，將前述按壓構件對基板之周緣部按壓。
本發明適合樣態之特徵為：前述第二研磨頭具備傾斜機構，其係為了使不具研磨粒之帶分別對基板的頂緣部、底緣部、坡口部接觸，而使前述按壓構件與前述按壓機構一體傾斜移動。
本發明適合樣態之特徵為：前述控制部判定為基板之周緣部污染時，將再度洗淨基板周緣部之信號傳送至前述洗淨噴嘴。
本發明之基板處理系統包含：上述記載之基板處理裝置；記憶部，其係記憶有前述基板處理裝置用於處理基板之處理程式資料；模式設定部，其係決定藉由操作員輸入基板之種類資料，而從前述記憶部讀取處理程式之資料，來設定處理程式的自動模式，或是操作員手動指定處理條件，來設定處理程式的手動模式；及動作控制部，其係依據前述所設定之處理程式，用於控制基板處理裝置之動作。
本發明之基板處理裝置的第二種樣態之特徵為具備：基板保持載台，其係保持基板並使其旋轉；第一研磨頭，其係將具有研磨粒之研磨帶按壓於被前述基板保持載台所保持之基板的周緣部，來研磨基板周緣部；及雙流體噴射噴嘴，其係在被前述基板保持載台所保持之基板周緣部供給液體與氣體之混合流體的噴流，來洗淨基板周緣部。
本發明適合樣態之特徵為：具備傾斜機構，其係可將前述雙流體噴射噴嘴對前述基板之周緣部傾斜移動。
本發明適合樣態之特徵為：前述傾斜機構係構成可對基板周緣部-90°~+90°之範圍傾斜移動。
本發明適合樣態之特徵為：具有複數個前述雙流體噴射噴嘴。
本發明之基板處理方法的第二種樣態之特徵為具備以下工序：將基板保持於基板保持載台，並使基板旋轉；將具有研磨粒之研磨具按壓於前述旋轉的基板周緣部，來研磨基板周緣部；及在被前述基板保持載台所保持之基板周緣部上供給液體與氣體之混合流體的噴流，來洗淨該基板周緣部。
本發明適合樣態之特徵為：前述具有研磨粒之研磨具係安裝於第一研磨頭之研磨帶，且係以該第一研磨頭研磨基板之頂緣部，前述洗淨工序洗淨基板之頂緣部，其次，洗淨坡口部及/或底緣部之方式，對基板周緣部依序供給液體與氣體之混合流體的噴流。
本發明適合樣態之特徵為：前述具有研磨粒之研磨具係安裝於第一研磨頭之研磨帶，且係以該第一研磨頭研磨基板之底緣部，前述洗淨工序洗淨基板之底緣部，其次，洗淨坡口部及/或頂緣部之方式，對基板周緣部依序供給液體與氣體之混合流體的噴流。
本發明適合樣態之特徵為：前述具有研磨粒之研磨具係安裝於第一研磨頭之研磨帶，且係以該第一研磨頭研磨基板之坡口部，前述洗淨工序洗淨基板之坡口部，其次，洗淨頂緣部及/或底緣部之方式，對基板周緣部依序供給液體與氣體之混合流體的噴流。
本發明之基板處理裝置的第三種樣態之特徵為具備：基板保持載台，其係保持基板並使其旋轉；第一研磨頭，其係將研磨具按壓於被前述基板保持載台所保持之基板的周緣部，來研磨基板周緣部；雙流體噴射噴嘴，其係在被前述基板保持載台所保持之基板周緣部上供給液體與氣體之混合流體的噴流，來洗淨基板周緣部；及傾斜機構，其係可將前述雙流體噴射噴嘴對前述基板之周緣部-90°~+90°的範圍傾斜移動。
採用本發明可達到以下列舉之效果。
1)研磨基板之周緣部後可洗淨基板周緣部，而且可立刻確認其洗淨效果，再者，可依需要再度洗淨基板之周緣部。
2)由於係在確認基板周緣部已洗淨清潔後，才能移至下一個工序，因此可抑制以後知道基板上殘留污垢，而再度洗淨時產生的時間損失及費事。
3)由於不採用造成基板周緣部缺陷原因之接觸洗淨，而可洗淨至過去不太能洗淨之區域的基板周緣部，因此，可提供抑制對元件面造成不良影響之基板處理裝置及方法。
1:基板處理裝置
2:基板保持部
3A、3B:第一研磨頭
3C:洗淨用頭
3D:第二研磨頭
4:保持載台
4a:溝
5:中空軸桿
6:球形花鍵軸承(直動軸承)
7:連通路
8:旋轉接頭
9a:真空管線
9b:氮氣供給管線
10A、10B、10D:帶供給回收機構
12:外殼
14:圓筒狀外殼
15:空氣氣缸
18:徑向軸承
19:波紋管
20:分隔壁
20a:開口部
20b:搬送口
20c:開口
21:處理室
24:供給卷軸
25:回收卷軸
27:耦合器
28:標記檢測感測器
30:頭本體
31、32、33、34:導輥
36:上側供給噴嘴
37:下側供給噴嘴
40:散熱窗
41:按壓機構
42:帶饋送機構
42a:帶饋送輥
42b:夾持輥
43、44、45、46、47、48、49:導輥
50:按壓構件
51a、51b:突起部
52:空氣氣缸
53:洗淨噴嘴
54:洗淨液供給管線
55:氣體供給管線
56、57:調節器
60:支臂
61:移動台
62:導板
63:軌道
64:按壓墊
65:底板
66:連結板
67:線性致動器
68:接頭
70:感測器
71:控制部
100:控制裝置
101:記憶部
102:模式設定部
103:動作控制部
104:輸入部
105:輸出部
107:主記憶部
108:輔助記憶部
110:記錄媒介讀取部
111:記錄媒介埠
113:顯示部
114:列印部
b1、b2:皮帶
Cr:中心軸
Ct:旋轉軸
E1:頂緣部
E2:底緣部
M1、M2、M3、M4:馬達
p1、p2、p3、p4:滑輪
PT:具有研磨粒之研磨帶
Q:下側傾斜部(下側坡口部)
R:側部(頂點)
T:不具研磨粒之帶
W:晶圓
第一(a)圖及第一(b)圖係顯示基板一例之晶圓的周緣部之放大剖面圖，第一(a)圖係所謂直邊型的晶圓剖面圖，第一(b)圖係所謂圓型的晶圓剖面圖。
第二圖係顯示本發明之基板處理裝置的俯視圖。
第三圖係第二圖之III-III線剖面圖。
第四圖係第一研磨頭之放大圖。
第五圖係第四圖所示之按壓構件的前視圖。
第六圖係第五圖所示之按壓構件的側視圖。
第七圖係第五圖之A-A線剖面圖。
第八圖係顯示研磨頭本體研磨晶圓之周緣部的狀態圖。
第九圖係顯示研磨頭本體研磨晶圓之周緣部的狀態圖。
第十圖係顯示研磨頭本體研磨晶圓之周緣部的狀態圖。
第十一圖係洗淨用頭之立面圖。
第十二(a)、(b)、(c)圖係顯示第十一圖所示之洗淨噴嘴洗淨晶圓之周緣部的狀態模式圖。
第十三圖係第二研磨頭之放大圖。
第十四圖係顯示控制如第二圖至第十三圖所示而構成之基板處理裝置的動作之控制裝置的方塊圖。
第十五圖係顯示洗淨噴嘴對晶圓之3個位置的模式圖。
第十六(a)、(b)、(c)圖係顯示洗淨用頭之洗淨噴嘴首先洗淨晶圓的頂緣部，其次洗淨坡口部及/或底緣部之例的模式圖。
以下，參照第一圖至第十六圖說明本發明之基板處理方法及裝置的實施形態。另外，第一圖至第十六圖中，在相同或相當的元件上註記相同符號，並省略重複之說明。
第一(a)圖及第一(b)圖係顯示基板一例之晶圓的周緣部之放大剖面圖。更詳細而言，第一(a)圖係所謂直邊型的晶圓剖面圖，第一(b)圖係所謂圓型的晶圓剖面圖。第一(a)圖之晶圓W中，坡口部係在由上側傾斜部(上側坡口部)P、下側傾斜部(下側坡口部)Q、及側部(頂點)R構成之晶圓W的最外周面(以符號B表示)。第一(b)圖之晶圓W中，坡口部係構成晶圓W最外周面之具有彎曲剖面的部分(以符號B表示)。頂緣部係比坡口部B位於徑方向內側的平坦部E1。底緣部位於與頂緣部相反側，係比坡口部B位於徑方向內側的平坦部E2。頂緣部有時亦包含形成有元件之區域。此等頂緣部E1及底緣部E2統稱為近緣部。
第二圖係顯示本發明之基板處理裝置的俯視圖，第三圖係第二圖之III-III線剖面圖。如第二圖所示，基板處理裝置1具備：水平保持研磨對象之晶圓(基板)W並使其旋轉的基板保持部2；將具有研磨粒之研磨帶PT按壓於晶圓W周緣部來研磨晶圓W周緣部的2個第一研磨頭3A、3B；具有將洗淨液供給至研磨後之晶圓W周緣部來洗淨晶圓W周緣部的洗淨噴嘴之洗淨用頭3C；及使不具研磨粒之帶T與洗淨後的晶圓W周緣部接觸之第二研磨頭3D。第二圖及第三圖中，顯示基板保持部2保持了晶圓W之狀態。基板保持部2具備：藉由真空吸附而保持晶圓W之背面的盤狀保持載台4；連結於保持載台4之中央部的中空軸桿5；及使該中空軸桿5旋轉之馬達M1。晶圓W藉由搬送單元(無圖示)，以晶圓W之中心與中空軸桿5的軸心一致之方式裝載於保持載台4上。
中空軸桿5藉由球形花鍵軸承(直動軸承)6上下移動自如地支撐。在保持載台4之上面形成有溝4a，該溝4a連接於通過中空軸桿5而延伸的連通路7。連通路7經由安裝於中空軸桿5下端之旋轉接頭8而連接於真空管線9。連通路7亦連接於用於使處理後之晶圓W從保持載台4脫離的氮氣供給管線9b。藉由切換此等真空管線9a與氮氣供給管線9b，而使晶圓W真空吸附於保持載台4上面或脫離。
中空軸桿5經由連結於該中空軸桿5之滑輪p1、安裝於馬達M1之旋轉軸的滑輪p2、與掛在此等滑輪p1、p2之皮帶b1而藉由馬達M1旋轉。球形花鍵軸承6係允許中空軸桿5向其長度方向自由移動的軸承。球形花鍵軸承6固定於圓筒狀之外殼12。因此，本實施形態中，中空軸桿5係構成可對外殼12上下直線動作，且中空軸桿5與外殼12一體旋轉。中空軸桿5連結於空氣氣缸(升降機構)15，中空軸桿5及保持載台4可藉由空氣氣缸15而上升及下降。
在外殼12與其外側同心上配置的圓筒狀外殼14之間介有徑向軸承18，外殼12藉由軸承18而旋轉自如地支撐。藉由如此構成，基板保持部2可使晶圓W在其中心軸Cr周圍旋轉，且使晶圓W沿著中心軸Cr而上升及下降。
如第二圖所示，藉由研磨帶PT研磨晶圓W之周緣部的2個第一研磨頭3A、3B；洗淨晶圓W周緣部之洗淨用頭3C；及使不具研磨粒之帶T接觸於洗淨後的晶圓W周緣部之第二研磨頭3D，係以包圍被基板保持部2所保持之晶圓W的方式配置於晶圓W之半徑方向外側。
本實施形態係在2個第一研磨頭3A、3B及第二研磨頭3D之半徑方向外側分別設有帶供給回收機構10A、10B、10D。2個第一研磨頭3A、3B及第二研磨頭3D與帶供給回收機構10A、10B、10D藉由分隔壁20隔離。分隔壁20之內部空間構成處理室21，4個頭3A、3B、3C、3D及保持載台4配置於處理室21內。 另外，帶供給回收機構10A、10B、10D配置於分隔壁20之外側(亦即，處理室21之外)。2個第一研磨頭3A、3B彼此具有相同構成，帶供給回收機構10A、10B彼此亦具有相同構成。
其次，參照第二圖及第三圖說明將具有研磨粒之研磨帶PT按壓於晶圓W周緣部，來研磨晶圓W周緣部之第一研磨頭3A、及進行研磨帶PT之供給及回收的帶供給回收機構10A。
帶供給回收機構10A具備：將具有研磨粒之研磨帶PT供給至第一研磨頭3A的供給卷軸24；及回收使用於研磨晶圓W之研磨帶PT的回收卷軸25。供給卷軸24配置於回收卷軸25之上方。供給卷軸24及回收卷軸25經由耦合器27分別連結有馬達M2(第二圖僅顯示連結於供給卷軸24之耦合器27與馬達M2)。各個馬達M2在指定之旋轉方向施加一定扭力，可對研磨帶PT施加指定之張力。
研磨帶PT係長條帶狀之研磨具，且其一面構成研磨面。研磨帶PT例如具有：由PET布等構成之基材帶；與形成於基材帶上之研磨層。研磨層由覆蓋基材帶之一方表面的黏合劑(例如樹脂)；及被黏合劑所保持之研磨粒構成，研磨層之表面係構成研磨面。
研磨帶PT在捲繞於供給卷軸24的狀態下安裝於帶供給回收機構10A中。研磨帶PT之側面以捲帶板支撐，避免捲散。研磨帶PT之一端安裝於回收卷軸25，藉由回收卷軸25捲收供給至第一研磨頭3A之研磨帶PT，即可回收研磨帶PT。再者，在設於供給卷軸24之研磨帶PT的後端附近附加終點標記(無圖示)，並在供給卷軸24附近設有可檢測該終點標記之標記檢測感測器28。
第一研磨頭3A具備用於使從帶供給回收機構10A供給之研磨帶PT抵接於晶圓W周緣部的頭本體30。研磨帶PT係以研磨帶PT之研磨面朝向晶圓W的方式供給至頭本體30。
帶供給回收機構10A具有複數個導輥31、32、33、34，供給至第一研磨頭3A，或從第一研磨頭3A回收之研磨帶PT藉由此等導輥31、32、33、34引導。研磨帶PT通過設於分隔壁20之開口部20a，而從供給卷軸24供給至頭本體30，使用後之研磨帶PT通過開口部20a被回收卷軸25回收。
如第三圖所示，在晶圓W上方配置上側供給噴嘴36，朝向被基板保持部2所保持之晶圓W的上面中心供給研磨液。此外，具備朝向晶圓W背面與基板保持部2之保持載台4的邊界部(保持載台4之外周部)供給研磨液之下側供給噴嘴37。研磨液例如使用純水。再者，基板處理裝置1具備晶圓W研磨處理後洗淨頭本體30之頭用洗淨噴嘴(無圖示)，研磨處理後，晶圓W藉由基板保持部2上升後，朝向頭本體30噴射洗淨水，可洗淨研磨處理後之頭本體30。
中空軸桿5對外殼12升降時，為了將球形花鍵軸承6及徑向軸承18等機構從處理室21隔離，如第三圖所示，中空軸桿5與外殼12之上端以可上下伸縮之波紋管19連接。第三圖顯示中空軸桿5下降之狀態，並顯示保持載台4在處理位置。處理後，藉由空氣氣缸15使晶圓W與保持載台4及中空軸桿5一起上升至搬送位置，並在該搬送位置使晶圓W從保持載台4脫離。
分隔壁20具備用於將晶圓W搬入及搬出處理室21的搬送口20b。搬送口20b形成水平延伸之缺口。因此，被搬送機構(無圖示)握持之晶圓W保持水平狀態，而且可通過搬送口20b穿越處理室21內。在分隔壁20之上面設有開口20c及散熱窗40，下面設有排氣口(無圖示)。處理時，搬送口20b以無圖示之 快門關閉。因此，藉由無圖示之風扇機構從排氣口進行排氣，可在處理室21內部形成潔淨空氣之下降流。由於係在該狀態下進行基板處理，因此可防止研磨液或洗淨液向上方飛散，將處理室21之上部空間保持潔淨，同時進行各種處理。
如第二圖所示，用於使研磨帶PT抵接於晶圓W周緣部的頭本體30固定於支臂60之一端，支臂60係構成在平行於晶圓W之切線的旋轉軸Ct周圍旋轉自如。支臂60之另一端經由滑輪p3、p4及皮帶b2而連結於馬達M4。藉由馬達M4在順時鐘方向及逆時鐘方向旋轉指定角度，而支臂60可在軸Ct周圍旋轉指定角度。本實施形態係藉由馬達M4、支臂60、滑輪p3、p4、及皮帶b2構成使頭本體30傾斜的傾斜機構。
傾斜機構搭載於移動台61。如第三圖所示，移動台61經由導板62及軌道63而移動自如地連結於底板65。軌道63沿著被基板保持部2所保持之晶圓W的半徑方向直線延伸，移動台61可沿著晶圓W之半徑方向直線移動。移動台61中安裝有貫穿底板65之連結板66，連結板66經由接頭68連結線性致動器67。線性致動器67直接或間接地固定於底板65。
線性致動器67可採用空氣氣缸或定位用馬達與滾珠螺桿的組合等。藉由該線性致動器67、軌道63、導板62構成使頭本體30沿著晶圓W之半徑方向直線移動的移動機構。亦即，移動機構係沿著軌道63使頭本體30向晶圓W接近及離開的方式動作。另外，帶供給回收機構10A固定於底板65上。
第四圖係第一研磨頭3A之放大圖。如第四圖所示，第一研磨頭3A具備用於將具有研磨粒之研磨帶PT按壓於晶圓W周緣部的頭本體30。頭本體30具備：將研磨帶PT之研磨面對晶圓W以指定之力按壓的按壓機構41；及將研磨帶PT從供給卷軸24輸送至回收卷軸25之帶饋送機構42。該帶饋送機構42具備： 饋送研磨帶PT之帶饋送輥42a；對帶饋送輥42a按壓研磨帶PT之夾持輥42b；及使帶饋送輥42a旋轉之帶饋送馬達M3。夾持輥42b係以在第四圖之箭頭NF指示的方向(朝向帶饋送輥42a之方向)產生力的方式，以無圖示之機構支撐，並按壓帶饋送輥42a而構成。
研磨帶PT夾在帶饋送輥42a與夾持輥42b之間。使帶饋送輥42a在第四圖之箭頭指示的方向旋轉時，帶饋送輥42a旋轉，可將研磨帶PT從供給卷軸24經由頭本體30而饋送至回收卷軸25。夾持輥42b係構成可在其本身的軸周圍旋轉，並藉由饋送研磨帶PT而旋轉。頭本體30具有複數個導輥43、44、45、46、47、48、49，此等導輥係以研磨帶PT在與晶圓W之切線方向正交的方向行進之方式引導研磨帶PT。
按壓機構41具備：配置於研磨帶PT背面側之按壓構件50；及使該按壓構件50朝向晶圓W之周緣部移動的空氣氣缸(驅動機構)52。按壓構件50在前面具有2個突起部51a、51b。藉由控制對空氣氣缸52供給之氣體(例如，空氣)的壓力，來調整對晶圓W按壓研磨帶PT之力。配置於在晶圓W周圍所配置之各頭3A、3B、3D的傾斜機構、按壓機構41、帶饋送機構42構成可分別獨立動作。再者，使各頭移動之移動機構係構成可分別獨立動作。
第五圖係第四圖所示之按壓構件50的前視圖，第六圖係第五圖所示之按壓構件50的側視圖，第七圖係第五圖之A-A線剖面圖。如第五圖至第七圖所示，按壓構件50具有形成於其前面的2個突起部51a、51b。此等突起部51a、51b具有如軌道的形狀且併聯配置。突起部51a、51b沿著晶圓W之周方向彎曲。更具體而言，突起部51a、51b具有圓弧形狀，其具有與晶圓W之曲率實質相同的曲率。
2個突起部51a、51b對旋轉軸Ct(參照第二圖)對稱配置，如第五圖所示，從按壓構件50之前面觀看時，突起部51a、51b係朝向旋轉軸Ct而彎曲於內側。頭本體30係以突起部51a、51b前端間之中心線(亦即旋轉軸Ct)與晶圓W厚度方向之中心一致的方式設置。突起部51a、51b比配置於頭本體30前面之導輥46、47(參照第四圖)靠近晶圓W而配置，研磨帶PT藉由突起部51a、51b從背面支撐。突起部51a、51b由PEEK(聚醚醚酮)等樹脂形成。
如第七圖所示，在2個突起部51a、51b之間配置有按壓墊(坡口墊)64。按壓墊64由矽橡膠等具有彈力性的獨立發泡材料構成。按壓墊64之高度比突起部51a、51b的高度稍低。在水平維持頭本體30之狀態下，藉由空氣氣缸52將按壓構件50朝向晶圓W移動時，按壓墊64將研磨帶PT從其背側對晶圓W之周緣部按壓。
第八圖至第十圖係顯示頭本體30研磨晶圓W之周緣部的狀態圖。研磨晶圓W之坡口部時，如第八圖所示，藉由上述傾斜機構使頭本體30之傾斜角度連續地變化，而且藉由按壓墊64將研磨帶PT抵住晶圓W之坡口部。研磨中，研磨帶PT藉由帶饋送機構42以指定速度饋送。再者，頭本體30可研磨晶圓W之頂緣部及底緣部。亦即，如第九圖所示，將頭本體30朝上方傾斜，藉由突起部51a將研磨帶PT按壓於晶圓W之頂緣部，即可研磨頂緣部。再者如第十圖所示，將頭本體30朝向下方傾斜，藉由突起部51b將研磨帶PT按壓於晶圓W之底緣部，即可研磨底緣部。
本實施形態之第一研磨頭3A、3B可研磨包含頂緣部、坡口部、及底緣部之晶圓W的整個周緣部。例如，為了使研磨率提高，以第一研磨頭3A研磨包含頂緣部、坡口部及底緣部之晶圓W的整個周緣部，同時，以第一研磨頭3B研 磨包含頂緣部、坡口部及底緣部之晶圓W的整個周緣部。或是亦可以第一研磨頭3A研磨頂緣部，而以第一研磨頭3B研磨坡口部，並以第一研磨頭3A或第一研磨頭3B研磨頂緣部。
其次，參照第二圖及第十一圖說明將洗淨液供給至研磨後之晶圓W的周緣部，來洗淨晶圓W周緣部之洗淨用頭3C。第十一圖係洗淨用頭3C之立面圖。另外，藉由將洗淨用頭3C增設於第一研磨頭3A與第一研磨頭3B之間及/或洗淨用頭3C與第二研磨頭3D之間等，可設置複數個洗淨用頭3C。
如第二圖及第十一圖所示，洗淨用頭3C具備用於將洗淨液供給至研磨後之晶圓W的周緣部來洗淨晶圓W之洗淨噴嘴53。洗淨噴嘴53固定於支臂60之一端，支臂60係構成在與晶圓W之切線平行的旋轉軸Ct周圍旋轉自如。支臂60之另一端經由滑輪p3、p4及皮帶b2而連結於馬達M4。馬達M4藉由在順時鐘方向及逆時鐘方向旋轉指定角度，支臂60亦在軸Ct周圍旋轉指定角度。本實施形態係藉由馬達M4、支臂60、滑輪p3、p4及皮帶b2構成使洗淨噴嘴53傾斜的傾斜機構。藉由該傾斜機構可將洗淨噴嘴53在晶圓W之周緣部-90°~+90°的範圍傾斜移動。
傾斜機構搭載於移動台61。搭載於移動台61之傾斜機構係在馬達側之軸與傾斜側的軸上安裝滑輪，並藉由皮帶連結。藉由傾斜機構使洗淨噴嘴53傾斜動作時，以馬達進行定位控制，可將洗淨噴嘴53在晶圓W之周緣部-90°~+90°的範圍傾斜移動。如第十一圖所示，移動台61經由導板62及軌道63而移動自如地連結於底板65。軌道63沿著被基板保持部2所保持之晶圓W的半徑方向直線延伸，移動台61可沿著晶圓W之半徑方向直線移動。移動台61中安裝有貫穿底板65之連結板66，連結板66經由接頭68連結線性致動器67。線性致動器67直接或間接地固定於底板65。
線性致動器67可採用空氣氣缸或定位用馬達與滾珠螺桿的組合等。藉由該線性致動器67、軌道63、導板62構成使頭本體30沿著晶圓W之半徑方向直線移動的移動機構。亦即，移動機構係沿著軌道63使洗淨噴嘴53向晶圓W接近及離開的方式動作。
如第十一圖所示，洗淨噴嘴53由在晶圓W之周緣部供給液體與氣體之混合流體的噴流，來洗淨晶圓W之周緣部的雙流體噴射噴嘴構成。在洗淨噴嘴53之後端連接有供給純水或二氧化碳(CO2)氣體溶解水等洗淨液的洗淨液供給管線54、及供給氮(N2)氣或乾燥空氣等之氣體的氣體供給管線55，該各管線54、55設有調整洗淨液與氣體之各個流量的調節器56、57。各管線54、55由具有伸縮性與曲折性之波紋管等構成。
採用第十一圖所示之洗淨噴嘴53時，藉由高速噴出純水或二氧化碳氣體溶解水等之洗淨液、及氮氣或乾燥空氣等氣體，而生成在氣體中洗淨液成為微小噴霧而存在的雙流體噴射流，藉由該雙流體噴射流朝向晶圓W之周緣部高速噴射，以雙流體噴射流碰撞時之壓力除去晶圓W周緣部的異物(污垢)。
第十二(a)、(b)、(c)圖係顯示第十一圖所示之洗淨噴嘴53洗淨晶圓W之周緣部的狀態模式圖。
第十二(a)圖顯示藉由線性致動器67使洗淨用頭3C前進，並藉由洗淨噴嘴53洗淨晶圓W之坡口部的狀態。藉由基板保持部2保持晶圓W而使其旋轉，同時藉由從洗淨噴嘴53朝向晶圓W之坡口部噴射雙流體噴射流，來洗淨晶圓W之坡口部。
第十二(b)圖顯示為了對晶圓W之頂緣部噴射雙流體噴射流，而藉由傾斜機構使洗淨噴嘴53傾斜+90°的狀態。
第十二(c)圖顯示為了對晶圓W之底緣部噴射雙流體噴射流，而藉由傾斜機構使洗淨噴嘴53傾斜-90°的狀態。
其次，說明使不具研磨粒之帶T接觸於藉由洗淨用頭3C洗淨後的晶圓W周緣部之第二研磨頭3D、及進行不具研磨粒之帶T的供給及回收之帶供給回收機構10D。
第二研磨頭3D係取代具有研磨粒之研磨帶PT，而使不具研磨粒之帶T接觸於晶圓W周緣部的研磨頭，在功能上與第一研磨頭3A相同。因此，第二研磨頭3D如第二圖及第三圖所示，因為其構成與第一研磨頭3A相同，所以省略說明。
此外，帶供給回收機構10D係取代具有研磨粒之研磨帶PT，而將不具研磨粒之帶T供給且回收至第二研磨頭3D者，在功能上與帶供給回收機構10A相同。因此，帶供給回收機構10D如第二圖及第三圖所示，因為其構成與帶供給回收機構10A相同，所以省略說明。
以下，說明不具研磨粒之帶T。不具研磨粒之帶T，例如由PET布等構成之基材帶，及在基材帶上藉由黏合劑(例如樹脂)所保持之不織布或多孔質層而構成。不織布或多孔質層接觸於晶圓W之周緣部。不織布或多孔質層因為表面有許多凹凸，所以除去附著於晶圓周緣部之污垢的功能高。
第十三圖係第二研磨頭3D之放大圖。如第十三圖所示，第二研磨頭3D具備用於將不具研磨粒之帶T按壓於晶圓W周緣部的頭本體30。第二研磨頭3D之頭本體30係取代具有研磨粒之研磨帶PT，而將不具研磨粒之帶T按壓於晶圓W的周緣部者，功能上與第一研磨頭3A之頭本體30相同。因此，第二研磨頭3D之頭本體30如第十三圖所示，係與第一研磨頭3A之頭本體30基本上相同的構成。
第二研磨頭3D除了構成與第一研磨頭3A相同之外，還具備使不具研磨粒之帶T接觸於洗淨後的晶圓W周緣部後，用於檢測有無附著在帶T上之污垢的構成。亦即，如第十三圖所示，第二研磨頭3D在導輥49與回收卷軸25之間的位置，具備照射光於接觸到洗淨後之晶圓W周緣部後的帶T，接收來自帶T之反射光的感測器70。感測器70係構成接收來自帶T之反射光而測定反射光的強度。因而，不具研磨粒之帶T宜為光之吸收率不高的材質。感測器70例如由RGB色彩感測器構成。RGB色彩感測器係照射白色LED光，並以濾波器將反射光分解成紅、綠、藍的三原色之檢測元件，可依據紅色、綠色、藍色之各個色強度判斷色比率。感測器70亦可使用可照射UV(紫外)區域之光(375nm的波長光)的LED作為光源，將螢光體檢測UV感測器作為受光感測器，測定接收之光的強度。感測器70連接於控制部71。控制部71接收來自感測器70之信號，比較藉由感測器70所接收之反射光的強度與預設的指定值，當反射光之強度低於指定值時，判斷為帶T附著有污垢，而判定為晶圓W之周緣部污染。
因為第二研磨頭3D之按壓構件50的構成與第五圖至第七圖所示之第一研磨頭3A的按壓構件50相同，所以省略說明。
此外，因為第二研磨頭3D之頭本體30接觸於晶圓W周緣部的狀態，除了具有研磨粒之研磨帶PT取代不具研磨粒的帶T之外，與第八圖至第十圖所示之第一研磨頭3A的頭本體30研磨晶圓W周緣部之狀態相同，所以省略說明。
第十四圖係顯示控制第二圖至第十三圖顯示構成之基板處理裝置的動作之控制裝置的方塊圖。控制裝置由專用電腦或通用電腦構成。如第十四圖所示，控制裝置100具備：記憶用於以基板處理裝置1處理基板之處理程式資料的記憶部101；決定藉由操作員輸入基板種類資料，而從記憶部101讀取處理程式 資料，來設定處理程式的自動模式，或是操作員手動指定處理條件，來設定處理程式之手動模式的模式設定部102；及用於依據所設定之處理程式控制基板處理裝置之動作的動作控制部103。控制裝置100進一步具備：用於將資料、程式、及各種資訊輸入記憶部101之輸入部104；及用於輸出處理結果及處理後之資料的輸出部105。
記憶部101具備：動作控制部103可存取之主記憶部107；及儲存資料及程式之輔助記憶部108。主記憶部107例如係隨機存取記憶體(RAM)，輔助記憶部108係硬碟或固態硬碟等儲存裝置。
輸入部104備有鍵盤、滑鼠，進一步具備：用於從記錄媒介讀取資料之記錄媒介讀取部110；及連接記錄媒介之記錄媒介埠111。記錄媒介係永久性有形物之電腦可讀取的記錄媒介，例如光碟(例如CD-ROM、DVD-ROM)、或半導體記憶體(例如USB快閃驅動裝置、記憶卡)。記錄媒介讀取部110之例，如有碟片驅動機(CD Drive)、光碟機(DVD Drive)等光學式驅動機、讀卡機。記錄媒介埠111之例，如有USB端子。記錄於記錄媒介之程式及/或資料經由輸入部104導入控制裝置100，並儲存於記憶部101之輔助記憶部108。輸出部105具備：顯示部113、列印部114。
其次，說明依據儲存於第十四圖所示之控制裝置100的處理程式，藉由基板處理裝置1執行之基板處理工序。
首先，藉由第一研磨頭3A、3B進行晶圓W周緣部之研磨。亦即，晶圓W係將形成於其表面之膜(例如元件層)朝上而保持於基板保持部2之保持載台4，進一步在晶圓W之中心周圍旋轉。其次，從上側供給噴嘴36及下側供給噴嘴37供給研磨液(例如純水)至晶圓W。研磨晶圓W之頂緣部時，如第九圖所示，藉由傾 斜機構使頭本體30向上方傾斜至突起部51a與頂緣部相對。藉由帶饋送機構42將研磨帶PT在其長度方向饋送，而且藉由上側之突起部51a將研磨帶PT對晶圓W的頂緣部從上方按壓。在該狀態下，藉由線性致動器67使頭本體30以一定速度移動至晶圓W的徑方向外側，藉此研磨頂緣部。
研磨晶圓W之底緣部時，如第十圖所示，藉由傾斜機構使頭本體30向下方傾斜至突起部51b與底緣部相對。並藉由帶饋送機構42將研磨帶PT在其長度方向饋送，而且藉由突起部51b將研磨帶PT對晶圓W之底緣部從下方按壓。在該狀態下，藉由線性致動器67使頭本體30以一定速度移動至晶圓W的徑方向外側，藉此研磨底緣部。研磨晶圓W之坡口部時，如第八圖所示，係藉由上述之傾斜機構使頭本體30之傾斜角度連續變化，而且藉由按壓墊64將研磨帶PT按壓於晶圓W之坡口部。研磨中，研磨帶PT藉由帶饋送機構42以指定速度饋送。如此，晶圓W之周緣部研磨結束後，使頭本體30退開，並使研磨帶PT退開。
其次，藉由洗淨用頭3C進行晶圓W周緣部之洗淨。亦即，藉由從雙流體噴射噴嘴構成之洗淨噴嘴53噴射雙流體噴射流至旋轉的晶圓W周緣部，來進行晶圓W周緣部之洗淨。該洗淨中，洗淨噴嘴53如第十二(a)、(b)、(c)圖所示，藉由傾斜機構在-90°~+90°之範圍傾斜移動。洗淨噴嘴53不限於雙流體噴射噴嘴，亦可係將臭氧水或賦予超聲波振盪(megasonic)之洗淨液供給至晶圓W周緣部的噴嘴。
藉由從洗淨噴嘴53供給之洗淨液在指定時間繼續洗淨晶圓W的周緣部，洗淨結束後，藉由第二研磨頭3D使不具研磨粒之帶T接觸於晶圓W的周緣部。亦即，使晶圓W旋轉，而且使由基材帶與不織布或多孔質層構成之不具研磨粒的帶T接觸於晶圓W周緣部。此時，如第八圖至第十圖所示，藉由傾斜機構 使頭本體30傾斜移動，而使不具研磨粒之帶T接觸於晶圓W的坡口部、頂緣部、底緣部。晶圓W之周緣部附著污垢時，因為與晶圓W之周緣部接觸，污垢會附著帶T，附著了污垢之帶T由回收卷軸25捲收，不過在該回收中還從感測器70對帶T照射光，藉由感測器70接收來自帶T之反射光。感測器70測定接收之反射光強度。
感測器70將表示反射光強度之信號傳送至控制部71。控制部71比較藉由感測器70接收之反射光強度與預設的指定值，當反射光之強度低於指定值時，判斷為帶T附著了污垢，而判定為晶圓W之周緣部污染。當反射光之強度高於指定值時，判定為帶T並未附著污垢，而判定為晶圓W之周緣部無污染。判定為無污染之晶圓W搬送至下一個工序。下一個工序是使用洗淨機進行晶圓W之全面洗淨工序，洗淨工序後，使用乾燥機進行晶圓W之乾燥工序。
另外，判定為晶圓W之周緣部污染時，則藉由洗淨用頭3C再度洗淨晶圓W之周緣部。亦即，藉由對旋轉之晶圓W周緣部從洗淨噴嘴53噴射雙流體噴射流，來再度洗淨晶圓之周緣部。其次，再度進行第二研磨頭3D中之帶T對晶圓W周緣部的接觸工序、感測器70之污染檢測工序及控制部71之污染判定工序。
其次，參照第十五圖及第十六圖說明雙流體噴射噴嘴構成之洗淨噴嘴53的操作方法。
第十五圖係顯示洗淨噴嘴53對晶圓W之3個位置的模式圖。使洗淨噴嘴53在0°位置的P1、+90°位置的P2、及-90°位置的P3之間傾斜移動，在各位置P1、P2、P3及各位置間朝向晶圓W之周緣部噴射雙流體噴射流。動作例為首先在P1位置從0°方向噴射雙流體噴射流。其次，在P2位置從90°方向噴射雙流體噴射流。 其次逐漸朝向0°傾斜移動，到達0°後，再傾斜移動至-90°，在P3位置從-90°方向噴射雙流體噴射流。洗淨噴嘴53在傾斜移動動作中仍繼續噴射雙流體噴射流。
研磨後之晶圓W的周緣部，因為污染程度依研磨方法而異，所以在基板保持部3中之處理程式為首先洗淨最髒的部位，然後洗淨其他部位。例如，第一研磨頭3A及/或3B研磨晶圓W之頂緣部時，洗淨用頭3C之洗淨噴嘴53首先洗淨晶圓W之頂緣部，其次洗淨坡口部及/或底緣部。此外，關於洗淨時間，亦為頂緣部之洗淨時間比其他部位的洗淨時間長。
第十六(a)、(b)、(c)圖係顯示洗淨用頭3C之洗淨噴嘴53首先洗淨晶圓W的頂緣部，其次洗淨坡口部及/或底緣部之例的模式圖。
動作一例如第十六(a)圖所示，使洗淨噴嘴53從0°之位置移動至+90°的位置，藉由在+90°的位置從洗淨噴嘴53朝向晶圓W之頂緣部噴射雙流體噴射流，首先洗淨晶圓W之頂緣部。其次，如第十六(b)圖所示，使洗淨噴嘴53在下方向逐漸朝向0°的位置移動，而且從洗淨噴嘴53噴射雙流體噴射流，來洗淨頂緣部至坡口部。其次，如第十六(c)圖所示，使洗淨噴嘴53在下方向快速地朝向-90°位置移動，而且從洗淨噴嘴53噴射雙流體噴射流，來洗淨坡口部至底緣部。
或是，亦可進行頂緣部之洗淨工序(相當於圖中之第十六(a)圖)及底緣部的洗淨工序(相當於圖中之第十六(c)圖)，而不進行將洗淨噴嘴53從0°之位置的洗淨工序(相當於圖中之第十六(b)圖)。如此，可局部洗淨基板之周緣部，而且可防止產生在洗淨時對基板之元件面(圖案面)造成損傷的影響(例如，圖案倒塌)。除了此種構成之外，進一步可在頂緣部與底緣部的洗淨結束後，將無圖示之噴嘴從0°的位置供給純水(DIW)等時，可更確實洗淨基板的坡口部。
又此外，洗淨附著於基板頂緣部之異物時，為了防止除去之異物再度附著在基板上，亦可考慮將用於噴射雙流體噴射流之洗淨噴嘴53在頂緣側的活動範圍比+90°至-90°的範圍寬1°~15°程度的構成，例如為+100°至-90°的變形實施例。
或是，洗淨附著於基板底緣部之異物時，為了防止除去之異物再度附著在基板上，亦可考慮將用於噴射雙流體噴射流之洗淨噴嘴53在底緣側的活動範圍比+90°至-90°的範圍寬1°~15°程度的構成，例如為+90°至-100°的變形實施例。
或是，亦可構成對洗淨噴嘴53在基板中心側，且以位於基板上方與下方之任何一方或兩方的方式，藉由設置無圖示之遮蔽構件，在洗淨附著於基板周緣部之異物時，可防止洗淨除去之異物再度附著基板。
或是，洗淨基板時，亦可使形成於基板處理裝置之框體內部的向下流之空氣流動更強的方式，使洗淨處理中連通於基板處理裝置下面之排氣口的無圖示之風扇機構的排氣量增加。藉此，可更有效防止洗淨除去之洗淨液的飛沫在空氣中浮游，而再度附著於基板。
此外，動作一例為第一研磨頭3A及/或3B研磨晶圓W之底緣部時，洗淨用頭3C之洗淨噴嘴53首先洗淨晶圓W的底緣部，其次洗淨坡口部及/或頂緣部。此外，關於洗淨時間，亦為底緣部之洗淨時間比其他部位的洗淨時間長。
再者，第一研磨頭3A及/或3B研磨晶圓W之坡口部時，洗淨用頭3C之洗淨噴嘴53首先洗淨晶圓W的坡口部，其次洗淨頂緣部及/或底緣部。此外，關於洗淨時間，亦為坡口部之洗淨時間比其他部位的洗淨時間長。
如以上實施時，可更良好地除去附著於基板周緣部的異物。
以上，係說明本發明之實施形態，不過本發明不限定於上述之實施形態，在其技術性思想範圍內，當然可以各種不同形態實施，在不脫離本發明要旨之範圍內，當然可作各種變更。例如，本發明亦可適用於包含使用含研磨粒之研磨帶處理基板周緣部的工序之裝置，更具體而言，係研磨基板表面或背面之研磨裝置、研磨基板端部之研磨裝置(或是亦稱為邊緣研磨裝置)、基板磨削裝置、基板薄化裝置等。此外，本發明亦可適用於變形實施例之一個樣態，即取代含研磨粒之研磨帶而使用含研磨粒之研磨具來研磨基板周緣部的基板研磨裝置。
2:基板保持部
3A、3B:第一研磨頭
3C:洗淨用頭
3D:第二研磨頭
10A、10B、10D:帶供給回收機構
20:分隔壁
20a:開口部
21:處理室
24:供給卷軸
27:耦合器
30:頭本體
53:洗淨噴嘴
60:支臂
61:移動台
b2:皮帶
Cr:中心軸
Ct:旋轉軸
M2、M3、M4:馬達
p3、p4:滑輪
PT:具有研磨粒之研磨帶
W:晶圓

Claims (14)

  1. 一種基板處理方法，其特徵為：藉由基板保持部保持基板並使其旋轉，藉由第一研磨頭將具有研磨粒之研磨帶按壓於前述基板的周緣部，來研磨前述基板之前述周緣部，藉由洗淨噴嘴將洗淨液供給至研磨後之前述基板的前述周緣部，來洗淨前述基板的前述周緣部，藉由第二研磨頭使不具研磨粒之研磨帶接觸於洗淨後之前述基板的前述周緣部，藉由感測器照射光於接觸前述基板的前述周緣部後之前述不具研磨粒之研磨帶，接收來自前述不具研磨粒之研磨帶之反射光，當前述接收之反射光的強度低於指定值時，判定前述基板之前述周緣部遭污染。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中前述不具研磨粒之研磨帶係由基材帶、與設於該基材帶上之不織布或多孔質層構成，並使前述不織布或多孔質層接觸於前述基板的前述周緣部。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中前述洗淨噴嘴係由雙流體噴射噴嘴構成，藉由該雙流體噴射噴嘴將液體與氣體之混合流體供給至前述基板的前述周緣部，來洗淨前述基板的前述周緣部。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中藉由前述洗淨噴嘴將臭氧水或賦予超聲波振盪(megasonic)之洗淨液供給至前述基板的前述周緣部，來洗淨前述基板的前述周緣部。
  5. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中判定前述基板的前述周緣部遭污染時，再度洗淨前述基板的前述周緣部。
  6. 一種基板處理裝置，其特徵為具備：基板保持部，其係保持基板並使其旋轉；第一研磨頭，其係將具有研磨粒之研磨帶按壓於前述基板的周緣部，來研磨前述基板的前述周緣部；洗淨噴嘴，其係將洗淨液供給至研磨後之前述基板的前述周緣部，來洗淨前述基板的前述周緣部；第二研磨頭，其係使不具研磨粒之研磨帶接觸於洗淨後的前述基板的前述周緣部；感測器，其係照射光於接觸前述基板的前述周緣部後之前述不具研磨粒之研磨帶，並接收來自前述不具研磨粒之研磨帶之反射光；及控制部，其係比較前述接收之反射光的強度與指定值，當前述接收之反射光之前述強度低於前述指定值時，判定前述基板的前述周緣部遭污染。
  7. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中前述不具研磨粒之研磨帶係由基材帶、與設於該基材帶上之不織布或多孔質層構成，並使前述不織布或多孔質層接觸於前述基板的前述周緣部。
  8. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中前述洗淨噴嘴係由雙流體噴射噴嘴構成，藉由該雙流體噴射噴嘴將液體與氣體之混合流體供給至前述基板的前述周緣部，來洗淨前述基板的前述周緣部。
  9. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中藉由前述洗淨噴嘴將臭氧水或賦予超聲波振盪之洗淨液供給至前述基板的前述周緣部，來洗淨前述基板的前述周緣部。
  10. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中藉由前述控制部判定前述基板的前述周緣部遭污染時，藉由前述洗淨噴嘴再度洗淨前述基板的前述周緣部。
  11. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中前述第二研磨頭具備：按壓構件，其係配置於前述不具研磨粒之研磨帶的背面側；及按壓機構，其係經由前述不具研磨粒之研磨帶，將前述按壓構件對前述基板的前述周緣部按壓。
  12. 如申請專利範圍第11項之基板處理裝置，其中前述第二研磨頭具備傾斜機構，其係為了使前述不具研磨粒之研磨帶分別對前述基板的頂緣部、底緣部、坡口部接觸，而使前述按壓構件與前述按壓機構一體傾斜移動。
  13. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中前述控制部判定前述基板的前述周緣部遭污染時，將再度洗淨前述基板的前述周緣部的信號傳送至前述洗淨噴嘴。
  14. 一種基板處理系統，其包含：申請專利範圍第6~13項中任一項之基板處理裝置；記憶部，其係記憶有前述基板處理裝置用於處理前述基板之處理程式之資料； 模式設定部，其係決定藉由操作員輸入前述基板之種類資料，而從前述記憶部讀取前述處理程式之前述資料，來設定前述處理程式的自動模式，或是前述操作員手動指定處理條件，來設定前述處理程式的手動模式；及動作控制部，其係依據前述所設定之處理程式，用於控制前述基板處理裝置之動作。
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