CN108115551B - 基片处理装置、基片处理方法和存储介质 - Google Patents

基片处理装置、基片处理方法和存储介质 Download PDF

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Abstract

本发明提供了基片处理装置、基片处理方法和存储介质。关于滑动部件在基片的背面滑动来进行处理，能够在面内进行均匀性高的处理且将由滑动部件的滑动产生的作用可靠地施加到基片。上述装置构成为包括：为了在基片的背面滑动来进行处理而绕铅直轴自转的滑动部件；和公转机构，其使自转中的该滑动部件绕铅直的公转轴以具有比该滑动部件的直径小的公转半径的方式公转。基片被保持于第一保持部时，滑动部件在所述基片的背面的中央部滑动，上述第一保持部水平地保持与基片的背面的中央部不重叠的区域。基片被保持于第二保持部时，滑动部件在旋转的基片的背面的周缘部滑动，上述第二保持部水平地保持基片的背面的中央部并使之绕铅直轴旋转。

Description

基片处理装置、基片处理方法和存储介质
技术领域
本发明涉及滑动部件在基片的背面滑动地来进行处理的技术。
背景技术
半导体装置具有多层配线结构。为了形成该多层配线结构，在半导体装置的制造过程中，对作为基片的半导体晶片(以下，记载为晶片)进行多次形成抗蚀剂图案的光刻步骤，上述抗蚀剂图案是用于形成配线的掩模图案。在各光刻步骤中，以在晶片的相同区域进行拍摄的方式实施曝光处理。由于上述的半导体装置的配线图案的细微化的发展，要求提高在先的光刻步骤中被进行拍摄的区域与在后的光刻步骤中被进行拍摄的区域的对位的精度，即提高重叠(重合)的精度。
然而，在对晶片进行曝光处理时，将该晶片载置在设置于曝光机的台来进行曝光拍摄。在该台上，晶片被向该台的表面吸引，从而其位置被固定。但是有时输送到曝光机的晶片不是平坦的，而是产生了形变的。将这样的晶片载置在台上时，有时以保持着形变的状态被吸附于该台来进行曝光拍摄。此时，成为在从原本的要进行拍摄的区域偏离了的区域进行拍摄。因此，对于提高上述的重叠的精度存在限制。
在专利文献1中记载了如下技术：为了消除由于晶片的形变导致的载置状态的不良状况，对晶片的背面进行研磨的粗化处理，提高晶片的背面相对于曝光机的台的滑动性。关于进行该粗化处理的研磨装置，在对晶片的背面的中央部进行处理时，通过保持部保持晶片的周缘部并且使自转的研磨部件水平移动。并且，在对晶片的背面的周缘部进行处理时，通过旋转卡盘保持晶片的中心部，并且一边使晶片旋转一边使进行自转的研磨部件在横向上移动。另外，在专利文献2中对研磨装置进行了记载，该研磨装置使研磨部件自转并且公转，该研磨部件的公转以具有相比晶片的半径大小较大的公转半径的方式进行。在该研磨装置中，在对晶片的背面的中央部进行处理时，一边使研磨部件进行自转和公转，一边通过保持部保持晶片的周缘部，并且使晶片水平移动。并且，在对晶片的背面的周缘部进行处理时，一边使研磨部件进行自转和公转，一边通过保持晶片的中心部的旋转卡盘来使晶片旋转。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015-181145号公报
专利文献2：日本特许5904169号
发明内容
发明要解决的课题
为了将晶片平坦地载置在曝光机的台，在晶片的背面进行研磨使得在面内的各部同样地形成微小的突起，能够提高相对该台的晶片的各部的滑动性。关于专利文献1、2的装置，研磨部件相对晶片的移动模式在研磨部件位于晶片的中央部时与位于晶片的周缘部时是不同的，因此槽的形状在面内的各部不同。另外，关于晶片的中央部，专利文献1的装置仅通过研磨部件的自转进行研磨，专利文献2的装置由于研磨部件的公转半径比较大，因此很难充分地形成微小的突起。因此，正在谋求一种装置，该能够在晶片的背面进行研磨以使其形成均匀性更高、更微小的突起。
本发明根据如上情况而完成，其目的在于提供如下技术，即：关于滑动部件在基片的背面滑动地进行的处理，能够在面内均匀性高地进行处理，并且将由滑动部件的滑动产生的作用可靠地施加到基片。
用于解决课题的技术手段
本发明的基片处理装置包括：水平地保持基片的背面中的与中央部不重叠的区域的第一保持部；
水平地保持所述基片的背面中的中央部，并且使所述基片绕铅直轴旋转的第二保持部；
为了在所述基片的背面滑动来进行处理而绕铅直轴自转的滑动部件；
公转机构，其使自转中的所述滑动部件绕铅直的公转轴以具有比该滑动部件的直径小的公转半径的方式进行公转；和
相对移动机构，其用于使所述基片与所述滑动部件的公转轨道的相对位置在水平方向上移动，使得当所述基片被所述第一保持部保持时所述滑动部件在所述基片的背面中央部滑动，当所述基片被所述第二保持部保持时所述滑动部件在进行旋转的所述基片的背面周缘部滑动。
本发明的基片处理方法包括：由第一保持部水平地保持与基片的背面的中央部不重叠的区域的步骤；
由第二保持部水平地保持所述基片的背面的中央部、并使所述基片绕铅直轴旋转的步骤；
使用于在所述基片的背面滑动来进行处理的滑动部件绕铅直轴自转的步骤；
通过公转机构使自转中的所述滑动部件绕铅直的公转轴以具有比该滑动部件的直径小的公转半径的方式进行公转的步骤；
通过相对移动机构使所述基片与所述滑动部件的公转轨道的相对位置在水平方向上移动的步骤；
当所述基片被所述第一保持部保持时，使进行自转的所述滑动部件以在所述基片的背面的中央部滑动的方式进行公转的步骤；和
当所述基片被所述第二保持部保持时，使所述滑动部件以在所述基片的背面的周缘部滑动的方式进行公转的步骤。
存储介质，其存储有用于基片处理装置的程序，所述基片处理装置为滑动部件在基片的背面滑动来进行处理的装置，在所述存储介质中，
所述程序是组合有用于实施本发明的基片处理方法的步骤的程序。
发明效果
根据本发明，设置有公转机构，其使绕铅直轴自转的滑动部件绕铅直的公转轴以具有比该滑动部件的直径小的公转半径的方式公转，当基片的背面的中央部的外侧被保持时，通过滑动部件在所述基片的背面的中央部滑动而对其进行处理，当基片的背面的中央部被保持时，通过滑动部件在旋转的基片的背面的周缘部滑动而对其进行处理。由此，能够对基片的背面的中央部和周缘部进行均匀性高的处理。另外，当滑动部件在基片的面内的各部反复进行滑动时，能够使滑动部件向彼此不同的方向滑动，因此由滑动部件的滑动产生的作用能够可靠地施加于基片。
附图说明
图1是本发明的实施方式的研磨装置的平面图。
图2是上述研磨装置的纵截侧面图。
图3是设置于上述研磨装置的研磨机构的纵截侧面图。
图4是上述研磨机构的平面图。
图5是上述旋流衬垫的纵截侧面图。
图6是设置于上述研磨装置的磨石清洗部的纵截侧面图。
图7是用于表示晶片的处理步骤的上述研磨装置的平面图。
图8是用于表示晶片的处理步骤的上述研磨装置的平面图。
图9是用于表示晶片的处理步骤的上述研磨装置的平面图。
图10是用于表示晶片的处理步骤的上述研磨装置的平面图。
图11是用于表示晶片的处理步骤的上述研磨装置的平面图。
图12是用于表示晶片的处理步骤的上述研磨装置的平面图。
图13是用于表示晶片的处理步骤的上述研磨装置的平面图。
图14是用于表示晶片的处理步骤的该晶片的侧面图。
图15是用于表示晶片的处理步骤的该晶片的侧面图。
图16是用于表示晶片的处理步骤的该晶片的侧面图。
图17是表示晶片的背面的概要平面图。
图18是表示通过上述研磨装置进行了粗化处理的晶片的侧面图。
图19是表示通过上述研磨装置进行了粗化处理的晶片的侧面图。
图20是表示通过上述研磨装置进行了粗化处理的晶片的侧面图。
图21是具有上述研磨装置的涂敷、显影装置的平面图。
图22是上述涂敷、显影装置的概要纵断侧面图。
图23是设置于上述涂敷、显影装置的组件的概要构成图。
图24是设置于上述涂敷、显影装置的组件的概要构成图。
图25是表示上述研磨装置的其他的构成的纵断侧面图。
图26是表示上述研磨装置的其他的构成的平面图。
图27是本发明的其他的实施方式的研磨装置的平面图。
图28是上述研磨装置的纵截侧面图。
图29是设置于上述研磨装置的按压部件的下面侧立体图。
图30是上述按压部件的纵截侧面图。
图31是表示上述研磨装置的动作的平面图。
图32是表示上述研磨装置的动作的平面图。
图33是表示上述研磨装置的动作的平面图。
图34是表示上述研磨装置的动作的侧面图。
图35是表示上述研磨装置的动作的侧面图。
图36是表示上述研磨装置的动作的侧面图。
图37是表示上述按压部件的其他构成的平面图。
图38是表示上述按压部件的其他构成的平面图。
图39是表示上述按压部件的其他构成的平面图。
具体实施方式
参照图1、图2的平面图和纵截侧面图，对于作为本发明的基片处理装置的一个实施方式的研磨装置1进行说明。该研磨装置1通过磨石(砂轮)研磨作为圆形的基片的晶片W的背面来进行粗化。详细内容后面进行叙述，但该研磨处理是为了在通过该研磨装置1进行的处理后将晶片W载置在设置于对晶片W的表面的抗蚀剂膜进行曝光的曝光机的台时，抑制晶片W的背面与台接触的面积而进行的。另外，研磨装置1进行清洗处理，该清洗处理是对进行了上述研磨的区域供给清洗液并且用刷子刷来去除由于研磨处理产生的异物。
研磨装置1包括：基体11、旋转卡盘12、罩3、研磨/清洗处理部5、旋流衬垫(Cyclonepad)7、磨石清洗部81、刷子清洗部82和供给作为清洗液的纯水的各种喷嘴。基体11形成为俯视时为长方形形状，通过设置于研磨装置1的外部的未图示的输送机构，将晶片W从基体11的长度方向的一端侧输送到研磨装置1。将该一端侧作为前方侧进行说明。基体11具有将前后方向设为长边方向的角形的凹部13，该凹部13内作为晶片W的处理区域而构成。在该处理区域的前方侧，设置有旋转卡盘12。
旋转卡盘12吸附晶片W的背面的中央部，并且水平地保持晶片W。旋转卡盘12的下方侧通过轴14与旋转机构15连接，旋转机构15以被保持在旋转卡盘12的晶片W绕铅直轴旋转的方式，使该旋转卡盘12旋转。此外，在后文所述的晶片W的处理例中，晶片W通过旋转卡盘12在俯视时顺时针旋转，但是也可以向反方向旋转。在旋转卡盘12的侧方，沿着该旋转卡盘12的旋转方向隔开间隔地设置有垂直的3个支承销16。此外，图2中仅表示了2个支承销16。支承销16通过升降机构17自由升降地构成，由此能够在上述的输送机构与作为第二保持部的旋转卡盘12和后文所述的作为第一保持部的固定卡盘35之间交接晶片W。
以包围上述的旋转卡盘12、旋转机构15、支承销16和升降机构17的方式设置从基体11的底部向上方延伸的圆筒部，其作为气刀(Air knife)18而构成。气刀18的上端面呈向内侧倾斜的倾斜面。在该倾斜面在周向上隔开间隔地设置有朝向上方喷出例如空气的喷出口21。在晶片W被吸附保持在旋转卡盘12时，气刀18的上端接近晶片W的背面，从喷出口21喷出空气，由此防止清洗液附着在晶片W的背面的中央部。另外，在将晶片W保持在旋转卡盘12之前，为了使晶片W的背面中央部干燥，而进行该空气的喷出。
在基体11的凹部13的底部设置有排液口22，该排液口用于去除从晶片W落下到凹部13内的废液。在比排液口22靠气刀18的位置，设置有对凹部13内进行排气的立起的排气管23。在晶片W的处理中通过从该排气管23进行排气，能够抑制从晶片W飞散的清洗液或者由于研磨产生的晶片W的削屑飞散到凹部13的外侧。图2中的24是从气刀18向外部扩展的凸缘。凸缘24的外端部在排气管19的外侧向下方弯曲并位于比排气管23的上端靠下的位置，抑制废液流入到排气管23。
罩3以包围气刀18的方式形成为上端部向内侧突出的圆筒形状。该罩3在处理中包围晶片W，来抑制从晶片W飞散的废液。各支承部31从罩3的左右的外壁向凹部13的外缘上延伸去，而与设置于基体11的水平移动机构32连接。罩3通过水平移动机构32能够在凹部13内在前后方向上移动。另外，在水平移动机构32的下方设置有升降机构33，水平移动机构32通过升降机构33能够升降。也就是说，罩3能够升降。
在罩3设置有2个桥部34，该桥部34从左右夹着旋转卡盘12并在前后方向上延伸。在桥部34设置有固定卡盘35。该固定卡盘35吸附晶片W的背面的中央部的外侧区域，水平地保持晶片W。在对晶片W的背面中央部进行处理时晶片W被保持在固定卡盘35，在对晶片W的背面的中央部的外侧区域进行处理时晶片W被保持在旋转卡盘12。
图中36是周端部清洗喷嘴，在晶片W被保持在旋转卡盘12时，向晶片W的背面的周端部斜向方地喷出纯水。图中37是背面清洗喷嘴，向斜后上方喷出纯水。在对晶片W的背面中央部进行处理时，晶片W通过固定卡盘35被保持在从背面清洗喷嘴37喷出的纯水供给到该晶片W的背面中央部的位置。另外，该背面清洗喷嘴37以当晶片W保持在旋转卡盘12时对晶片W的背面的中央部的外侧区域喷出纯水的方式设置。
从后方向前方看去，基体11中在凹部13的左侧设置有通过移动机构25在前后方向上移动的升降机构26。并且，通过升降机构26自由升降的臂27从该升降机构26向右侧延伸，在该臂27的前端部设置有向斜左下方喷出纯水的表面清洗喷嘴28，能够向保持于旋转卡盘12的晶片W的表面的中心部喷出纯水。在凹部13的后方侧设置有成为表面清洗喷嘴28的待机部的凹部29，表面清洗喷嘴28通过移动机构25和升降机构26在凹部29内与向上述的晶片W喷出纯水的位置之间移动。
接着，对研磨/清洗处理部5进行说明。研磨/清洗处理部5由水平移动机构51、旋转机构52、升降机构53、54、研磨机构61和清洗机构62构成。水平移动机构51以在凹部13内在前后方向延伸的方式设置，旋转机构52通过水平移动机构51能够从凹部13内的后端部至气刀18的跟前在前后方向上移动。另外，旋转机构52的上部侧构成为水平的圆形的台，该台能够绕其垂直的中心轴旋转。在该旋转机构52的台上，在周向上隔开间隔地设置有升降机构53、54。研磨机构61以通过该升降机构53自由升降的方式设置在该升降机构53上，研磨机构62以通过该升降机构54自由升降的方式设置在该升降机构54上。通过基于该升降机构53、54进行的升降、基于水平移动机构51进行的水平移动和基于旋转机构52进行的旋转的协同动作，研磨机构61和清洗机构62能够在罩3的内侧和罩3的外侧之间移动。该水平移动机构51和连接上述的罩3的水平移动机构32构成使研磨机构61和清洗机构62相对晶片W的在水平方向上的相对位置变化的相对移动机构。
研磨机构61和清洗机构62彼此大致相同地构成，在此，作为代表参照图3的纵截侧面图对研磨机构61进行说明。研磨机构61包括磨石63、支承板64、公转板65和作为公转机构的驱动单元66。支承板64是水平的圆板，例如在其周缘部上，沿该支承板64的周向等间隔地配置有6个上述的磨石63(参照图1)。磨石63例如是粒度为60000号(#60000)的金刚石磨石，形成为水平的圆板形状，通过擦过晶片W的背面来使该晶片W的背面粗化。在支承板64的背面的中心部设置有垂直的第一自转用轴601。
在支承板64的下方水平地设置有上述的公转板65，该公转板65构成为圆板状。上述的第一自转用轴601通过设置于该公转板65的支承部602被支承在该公转板65上。支承部602具有轴承603，该轴承603用于将自转用轴601绕图中P1所示的垂直的轴自由旋转地支承。图中604是设置在第一自转用轴601的并将轴P1作为旋转轴的旋转的齿轮。
在公转板65的下方设置有构成驱动单元66的箱体605。垂直的公转用圆筒606从公转板65的中心部向箱体605内延伸，公转板65通过轴承607相对箱体605绕图中P2所示的垂直的轴可旋转地被支承。公转用圆筒606的下端部设置于箱体605内，构成为将轴P2作为旋转轴来旋转的齿轮608。
另外，设置有贯通上述的公转用圆筒606的垂直的第二自转用轴609。第二自转用轴609的上端部作为齿轮610构成，与第一自转用轴601的齿轮604啮合。第二自转用轴609的下端部作为齿轮611构成。上述的第二自转用轴609、齿轮610、611将轴P2作为旋转轴进行旋转。另外，图中612是将第一自转用轴609相对于公转用圆筒606可旋转地支承的轴承。
在箱体605内，设置有构成驱动单元66的自转用电机67和公转用电机68，自转用轴609的齿轮611与设置于自转用电机67的齿轮613啮合，设置于公转用圆筒606的齿轮608与设置在公转用电机68的齿轮614啮合。通过这样的构成，支承板64通过自转用电机67、公转板65通过公转用电机68彼此独立地旋转。因此，支承板64绕轴P1进行自转并且能够绕轴P2进行公转，因此有时将轴P1记为自转轴，将P2记为公转轴。此外，后面所述的处理例中，支承板64在俯视时进行逆时针方向自转并且进行俯视时的顺时针方向公转。但是，本例对于自转的方向和公转的方向没有限制，例如也可以均在俯视时进行顺时针方向旋转。
图4是研磨机构61的俯视图。如该图所示，支承板64的直径R1比支承板64的公转半径R2大。晶片W的背面的研磨处理，通过磨石63与晶片W的背面接触的同时，支承板64绕自转轴P1自转并且重复绕公转轴P2公转，由此该磨石63相对于晶片W的背面进行滑动。并且，对于晶片W的背面的中央部的研磨处理，通过利用固定卡盘35将晶片W以静止的状态保持，并且以这样的方式通过支承板64进行自转和公转来进行。通过如上所述这样设定R1、R2，磨石63在比支承板64的公转轨道的外缘靠内侧的全部区域通过，因此，像这样以即使晶片W静止也使支承板64的公转轨道与晶片W的背面的中央部重叠的方式进行配置，由此能够进行该背面的中央部整体的研磨处理。
作为清洗机构62中的与研磨机构61的不同点，可以举出：在支承板64中代替磨石63而设置有圆形的刷子69，刷子69和支承板64作为清洗部件构成(参照图1、图2)。刷子69通过刷过晶片W的背面来去除由于研磨处理产生的、附着于晶片W的背面的颗粒。
接着，对作为晶片W的高度限制部的旋流衬垫7进行说明。该旋流衬垫7设置有2个，分别配置在上述的气刀18的后方侧、俯视时被罩3包围的区域中，在相对气刀18的左侧、右侧。图5是表示旋流衬垫7的纵截侧面图。旋流衬垫7构成为扁平的且水平的、大致圆形的块状，在晶片W保持在旋转卡盘12时，其上表面靠近晶片W的背面的周缘部。
在旋流衬垫7的上表面，形成有沿着该旋流衬垫7的周的圆形的环状的槽71。在形成该槽71的外侧的侧面，在沿着该槽71的周向隔开间隔地开口来设置有多个空气喷出口72。喷出口72与设置于旋流衬垫7的流路73连接，在流路73连接有空气供给管74的一端。空气供给管74的另一端经由流量调整部75连接到空气供给源76。流量调整部75具有阀和质量流量控制器，根据来自后面所述的控制部10的控制信号，调整对旋流衬垫7供给的空气的流量。
如上所述，在旋流衬垫7的上表面靠近晶片W的背面的周缘部的状态下，从喷出口72喷出空气。如图5中的箭头所示，由槽71引导的空气在旋流衬垫7与晶片W的背面之间形成回旋流，从在该旋流衬垫7与晶片W之间形成的间隙向旋流衬垫7的外方流动。在上述的回旋流的中心部产生负压，并且位于晶片W的周缘部中该旋流衬垫7正上方的区域，由于该负压而向旋流衬垫7、即向下方被吸引。通过流量调整部75从喷出口72喷出的空气的流量越大，能够使上述的负压越大。即，旋流衬垫7以能够调整吸引压力的方式构成。
该旋流衬垫7，在磨石63或者刷子69被向上方推到晶片W的背面，并且在相对晶片W进行滑动时，防止晶片W的周缘部抬起。即，旋流衬垫7与晶片W非接触而限制晶片W的周缘部的高度，使晶片W紧贴磨石63和刷子69，从而在晶片W与磨石63和刷子69之间产生充分的摩擦力，使得研磨处理和清洗处理可靠地进行。2个旋流衬垫7以如下所述的方式进行配置，即：如后所述在设置有磨石63、刷子69的各支承板64进行公转对被载置于旋转卡盘12的晶片W进行处理时，从晶片W的中心部看该公转轨道，相对于该公转轨道分别位于左侧、右侧。如此以隔着公转轨道的方式配置旋流衬垫7，由此能够更可靠地限制晶片W的周缘部的高度。
另外，如图1、图2所示，在基体11的凹部13内的后方侧，设置有上述的磨石清洗部81和刷子清洗部82。参照图6的纵截侧面图对磨石清洗部81进行说明。磨石清洗部81具有水平的且扁平的圆形部83，该圆形部83的周缘部形成有向下方突出的突出部84。被圆形部83和突出部84包围而形成的空间，通过研磨/清洗处理部5的各部的动作，作为能够收纳研磨机构61的各磨石63的收纳空间85构成，收纳空间85的直径，如上所述为了收纳磨石63而构成为比支承板64的直径大。另外，在圆形部83的下部，设置有例如由金刚石构成的修整器(Diamond Dresser，砂轮修整器)86。在突出部84的内侧的侧壁，朝向侧方开口设有向收纳空间85喷出纯水的喷出口87。磨石63通过升降机构53被按压在修整器86的状态下，从喷出口87喷出纯水并且支承板64进行自转，由此进行磨石63的修整。即，去除堆积在磨石63的削屑，并且进行磨石63的修形。
除了在收纳空间85没有设置修整器86之外，刷子清洗部82与磨石清洗部81同样地构成。在该刷子清洗部82的收纳空间85，通过研磨/清洗处理部5的各部分的动作，收纳清洗机构62的刷子69，使清洗机构62的支承板64自转并且向该收纳空间85喷出纯水，由此进行刷子69的清洗。此外，在图2中，省略了该刷子清洗部82的表示。
对于磨石63的修整和刷子69的清洗，可以预先设定进行的定时。例如每当处理规定数量的晶片W或者规定数量的晶片W的批量而进行它们的修整和清洗。除此之外，可以定期地进行该修整和清洗，也可以在用户通过后面所述的控制部10进行指示时进行。另外，也可以根据通过后面所述的背面拍摄组件141所取得的图像数据，当判断为晶片W的研磨处理没有妥当地进行时，进行磨石63的修整。即，可以根据该判断决定是否进行该修整。
图2中80是纯水供给源，其构成为能够分别独立地向周缘部清洗喷嘴36、背面清洗喷嘴37、表面清洗喷嘴28、磨石清洗部81、刷子清洗部82供给纯水。
在该研磨装置1，设置有由计算机构成的控制部10，控制部10具有程序。该程序以向研磨装置1的各部输出控制信号而能够控制各该部的动作的方式组成有步骤组，使得能够对晶片W进行后面所述的一系列的处理动作。具体而言，能够控制利用旋转机构15进行的旋转卡盘12的转速、利用升降机构33和水平移动机构32进行的罩3的移动、利用升降机构17进行的支承销16的升降、构成研磨/清洗处理部5的各部的动作、利用流量调整部75进行的向旋流衬垫7供给的空气的供给量、从纯水供给源80向各喷嘴、磨石清洗部81和刷子清洗部82的纯水的供给等。该程序以例如存储于硬盘、光盘、磁盘(MO)、存储卡等存储介质中的状态被存储于控制部10。
接着，对研磨装置1中的晶片W的处理，参照作为该研磨装置1的概要平面图的图7～图13、作为晶片W的侧面图的图14～图16进行说明。此外，在图7～图13中，进行基于研磨机构61的研磨时，以点划线表示清洗机构62，进行基于清洗机构62的清洗时，以点划线表示研磨机构61。
在研磨机构61和清洗机构62例如位于基体11的凹部13内的后方侧的待机位置(图1所示的位置)、并且罩3的中心位于与旋转卡盘12的中心重叠的基准位置(图1所示的位置)的状态中，晶片W通过研磨装置1的外部的输送机构被输送到该研磨装置1。晶片W的中心部位于旋转卡盘12的上方时，支承销16上升以支承晶片W。然后，罩3上升以使固定卡盘35位于比旋转卡盘12高的位置之后，支承销16下降，该晶片W被交接到固定卡盘35，晶片W的背面的中央部中的外侧区域被吸附保持于该固定卡盘35(图7)。接着，罩3向后方移动以使晶片W的中央部位于比气刀18靠后方的位置。
研磨机构61和清洗机构62前进，通过罩3的下方侧，向罩3的内侧移动。然后，研磨机构61上升，在以研磨机构61的公转轴P2与晶片W的中心重叠的状态磨石63被按压到晶片W的背面时，该研磨机构61的支承板64进行自转和公转，通过磨石63研磨晶片W的中央部(图8、图14)。通过支承板64的自转和公转，在晶片W的背面的中央部内的各部，从彼此不同的方向反复受到磨石63的摩擦而形成槽。
然后，研磨机构61的支承板64的自转和公转停止，研磨机构61下降，磨石63从晶片W的背面离开。然后，在清洗机构62水平移动到该清洗机构62的公转轴P2与晶片W的中心重叠的位置之后上升，刷子69向晶片W的背面被按压。接着，清洗机构62的支承板64进行自转和公转，刷子69在晶片W的背面中央部擦刷并且从背面清洗喷嘴37向该晶片W的背面中央部喷出纯水(图9)。通过这样的刷子69的擦刷与纯水的供给，能够去除附着于晶片W的中央部的背面的削屑。
然后，清洗机构62的支承板64的自转和公转停止，清洗机构62下降而刷子69从晶片W的背面离开。罩3向基准位置后退，并且空气从气刀18向与罩3一同移动中的晶片W的背面的中央部喷出，来干燥该背面的中央部。罩3下降到基准位置，固定卡盘35向旋转卡盘12的下方移动，晶片W的背面的中心部由旋转卡盘12吸附保持，并且解除由固定卡盘35对晶片W的保持。
研磨机构61水平地移动到旋转卡盘12的跟前、且在俯视时由2个旋流衬垫7夹着的区域。接着，以第一流量向旋流衬垫7供给空气，该晶片W的周缘部被向下方吸引，并且研磨机构61上升，磨石63被按压到晶片W的背面。然后，研磨机构61的支承板64进行自转和公转，并且晶片W进行旋转。由此，与已经被研磨了的晶片W的背面的中央部邻接的环状区域(为第一环状区域)通过磨石63被研磨(图10、图15)。与对晶片W的背面的中央部的研磨时同样地通过支承板64的自转和公转在第一环状区域的各部，从彼此不同的方向反复地受到磨石63的摩擦，而形成槽。
然后，研磨机构61的支承板64的自转和公转停止，在研磨机构61下降后，稍微后退。然后，向旋流衬垫7供给的空气的流量上升，成为比第一流量大的第二流量，吸引旋转的晶片W的吸引压力上升并且研磨机构61上升，磨石63被按压到该晶片W的背面。然后，研磨机构61的支承板64进行自转和公转。由此，在晶片W的背面中包含周端部的环状区域(第二环状区域)通过磨石63被研磨(图11、16)。例如，该第二环状区域的内周侧与已经研磨完的第一环状区域重叠。如此通过研磨该第二环状区域，对于从第一环状区域的外侧至晶片W的周端的区域，也与第一环状区域和晶片W的中央部同样地形成槽。
然后，研磨机构61的支承板64的自转和公转停止，研磨机构61下降，磨石63从晶片W的背面离开，清洗机构62水平地移动到旋转卡盘12的跟前、且在俯视时由2个旋流衬垫7夹着的区域，并且降低向旋流衬垫7供给的空气的流量而成为第一流量，降低吸引旋转的晶片W的吸引压力。然后，清洗机构62上升，刷子69被按压到该晶片W的背面，洗净机构62的支承板64停止自转和公转，由刷子69擦刷上述的第一环状区域(图12)。
如上所述，一方面利用刷子进行摩擦，另一方面进行如下动作：从表面清洗喷嘴28向晶片W的表面喷出纯水、从周缘部清洗喷嘴36向晶片W的背面的周缘部喷出纯水、从背面清洗喷嘴37向比晶片W的背面的周缘部靠内侧区域喷出纯水、以及从气刀18喷出空气。通过利用刷子69进行的擦刷和纯水的供给，能够去除附着于晶片W的削屑。另外，通过从气刀18喷出的空气，能够防止纯水附着在晶片W的背部的中央部。
然后，清洗机构62的支承板64的自转和公转停止，在清洗机构62下降后，稍微后退一些。然后，向旋流衬垫7供给的空气的流量上升而成为第二流量，吸引旋转的晶片W的吸引压力上升，并且清洗机构62上升，刷子69向该晶片W的背面被按压。然后，清洗机构62的支承板64进行自转和公转。由此，晶片W的背面中第二环状区域被刷子69擦刷(图13)。继续进行来自气刀18的空气的喷出、和来自各喷嘴28、36、37的纯水的喷出，通过利用刷子69进行的擦刷和纯水的喷出，能够去除附着于晶片W的削屑。
然后，清洗机构62的支承板64的自转和公转停止，清洗机构62下降，刷子69从晶片W的背面离开，研磨机构61和清洗机构62通过罩3的下方并且向待机位置后退。然后，停止来自气刀18的空气的喷出、和来自各喷嘴28、36、37的纯水的喷出，并且纯水通过晶片W的旋转的离心力从晶片W被甩去从而干燥该晶片W后，晶片W的旋转停止。然后，支承销16上升来将晶片W从旋转卡盘12推起，并交接到输送机构，从而从研磨装置1搬出。
图17概要地表示了由该研磨装置1处理完成的晶片W的背面。如上所述，在晶片W的中央部，作为自转体的支承板64和磨石63绕晶片W的中心公转，由此，绕晶片W的中心沿着晶片W的周形成有微小的槽。并且，由于在该公转中支承板64和磨石63进行自转，因此槽也以向周向以外的方向去的方式来形成。如上所述，槽从各方向形成，由此对于晶片W的背部中央部，成为无数的微小的针状的突起55分布在晶片W的面内的状态。此外，在图中，对于该背面中央部的槽，仅将在周向形成的槽作为56概要地表示。另外，在虚线的框内，表示将该背面的中央部的放大了的概要立体图。
然后，在晶片W的周缘部，即上述的第一环状区域和第二环状区域中，如上所述，作为自转体的支承板64和磨石63绕晶片W的中心进行公转，并且晶片W进行旋转。因此，支承板64和磨石63的公转轨道沿晶片W的周向移动，因此在该周缘部也形成有沿晶片W的周向的微小的槽。对于该槽，以56在图中概要地表示。即，槽56在晶片W的背面整体以同心圆状形成。并且，在公转中支承板64和磨石63进行自转，因此与晶片W的中央部同样地作为晶片W的周缘部的槽也以向晶片W的周向以外的方向去的方式形成。如上所述，槽从各方向形成，由此对于晶片W的背面周缘部也与背面中央部同样地、成为无数的微小的针状的突起55分布于晶片W的面内的状态。此外，对于该背面周缘部中的槽，省略表示在周向以外的方向形成的槽。另外，在点划线的框内，表示将该背面周缘部放大了的概要立体图。如上所述，从在中央部和周缘部所形成的各突起55的前端到基端的高度，例如在50nm以下。
如上所述，将通过研磨装置1处理而形成了突起55的晶片W，载置在设置于曝光机的台91，在利用该研磨装置1进行处理前或者处理后，在该晶片W的表面形成的抗蚀剂膜依照规定的图案被曝光。直至晶片W被运送到台91，对晶片W的背面部不进行粗糙度缓和用的处理。关于粗糙度缓和用的处理，具体而言，例如可以举出通过供给氟酸等使晶片W的背面溶解的药液，来将该背面平坦化的处理。
为了说明研磨装置1的效果，对晶片W载置在台91的情况进行说明。首先，参照图18的纵截侧面图，对该台91的构成进行说明，该台91为圆形，在其表面多个销92沿以该台91的表面的中心为中心的同心圆彼此隔开间隔地配置。这些销92支承晶片W的背面。即，晶片W的背面以从台91的表面浮起的方式被支承。
在台91的表面，在与销92不重叠的位置，彼此分散地开口设有多个吸引口93。另外，台91具有升降销94，该升降销94构成为相对于该台91自由地升降。关于该升降销94，为了在晶片W的输送机构与台91之间交接晶片W，该升降销94的前端部在台91的表面突出、没入。虽然设置有3个升降销93，但是在图18中仅表示了2个。
如上所述，研磨装置1中进行了研磨处理和清洗处理的晶片W，通过输送机构被输送到台91，如图18所示其背面被升降销94支承。由于直至被输送到该台91所形成的膜的应力，例如在晶片W产生了形变，并且该形变包含翘曲。接着升降销94下降。在该升降销94下降时，从台91的吸引口93进行吸引。然后，晶片W的背面的各部被载置于销92，通过来自吸引口93的吸引，晶片W的背面被向台91吸引(图19)。图19的虚线的框内，对该销92和与该销92抵接的晶片W的背面的纵截侧面进行了放大地表示。
如通过图18所说明的那样，以遍及晶片W的背面整体的方式，槽56沿晶片W的周向在晶片W的背面形成。即，以对应于销92的配置的方式形成有槽56，使得槽56与槽56之间的突起55与台91的销92接触。而且，由于该突起95是针状的、细小的，因此突起95与销92的接触面积非常小。因此，作用于晶片W的背面与销92之间的摩擦力非常小，因此晶片W的背面相对销92的上表面具有高滑动性。如此，由于具有滑动性和被向台91吸引，晶片W以被拉长的方式能够被矫正，消除形变使其成为平坦的状态来载置于销92上(图20)。如上所述，对载置于台91的晶片W进行曝光处理。
根据上述的研磨装置1，在与晶片W的背部的中央部不重叠的区域由固定卡盘35保持时，通过研磨机构61的支承板64进行自转和公转，设置于该支承板64的磨石63在晶片W的背部的中央部滑动来进行研磨处理。然后，在通过旋转卡盘12保持晶片W的背面的中央部并且使晶片W旋转时，研磨机构61的支承板64进行自转和公转，磨石63在作为晶片W的背面的周缘部的第一环状区域和第二环状区域滑动来进行研磨处理。对于晶片W的背面的中央部内的各部和周缘部内的各部，通过磨石63从彼此不同的方向反复进行摩擦，形成微小的多个突起55。如此，在中央部和周缘部形成均匀性高的、微小的突起55，由此晶片W能够高平坦性地载置在上述的台91上。并且，作为高平坦性地载置的结果是，在对这样载置的晶片W进行曝光时，能够抑制被曝光的区域偏离于规定区域。因此，能够提高重叠的精度。
另外，在该研磨装置1中没有必要设置保持晶片W的周端的保持部，因此能够使磨石63和刷子69位于晶片W的背面的周端部来进行处理。因此，从该点看来，能够对晶片W的背面进行均匀的处理，能够形成突起55以具有相对台91的销92的高滑动性。另外，在对晶片W的背面的中央部进行处理时，通过研磨机构61的支承板64的自转和公转形成了针状的突起55。在形成如上所述的突起55时，也考虑在晶片W的背面的中央部配置支承板64，来进行保持晶片W的固定卡盘35的旋转和支承板64的自转，但是像这样构成为使保持晶片W的周缘部的固定卡盘35旋转的结构，装置规模变大。因此，上述的研磨机构1的结构也具有能够防止装置大型化的优点。
接着，通过旋流衬垫7进行对晶片W的周缘部的吸引，由此防止在磨石63和刷子69被按压时，该周缘部向上方去晶片W发生翘曲，从而使该周缘部平坦地与各磨石63和刷子69紧贴，可靠地进行研磨和清洗。另外，在对由于按压磨石63和刷子69而上述的翘曲更容易产生的第二环状区域进行处理时，与对第一环状区域进行处理时相比，由于基于旋流衬垫7产生的吸引压力变高，使晶片W的周缘部平坦地紧贴于各磨石63和刷子69，能够可靠地进行研磨和清洗。另外，如上所述，由于旋流衬垫7对晶片W的周端部也能够可靠地进行研磨，因此在该周端部也能够提高相对曝光机的台91的滑动性。因此，能够更可靠地消除载置于台91的晶片W的形变。
上述的研磨处理中，在对晶片W的背面中央部进行研磨时，公转轴P2以与晶片W的中心重叠的方式进行处理。由此，在晶片W的背面的中央部，在周向上均匀性高地形成突起95。因此，能够更可靠地提高晶片W相对于台91的销92的滑动性，使晶片W平坦地载置在台91上。
另外，与晶片W的背面的中央部不重叠的区域被固定卡盘35保持时，通过作为清洗装置62的自转体的支承板64进行自转和公转，设置于该支承板64的刷子69在晶片W的背面的中央部滑动来进行清洗。并且，由旋转卡盘12保持晶片W的背面的中央部并且使晶片W进行旋转时，清洗机构62的支承板64进行自转和公转，刷子69在晶片W的背面的周缘部滑动来进行清洗。即，对于晶片W的背面的中央部内的各部和周缘部内的各部，通过利用刷子69从彼此不同的方向反复地擦刷来进行清洗。由此，能够对晶片W的各部进行均匀性高的清洗，并且能够可靠地去除削屑。
支承板64的自转的转速例如为600rpm，公转的转速例如为15rpm。在对晶片W的周缘部进行研磨或者清洗时，基于旋转卡盘12进行的晶片的转速，例如为30rpm～45rpm。但是，如上所述，在晶片W的转速比支承板64的公转的转速大的情况下，在(晶片W的转速)/(支承板64的公转的转速)为整数时，作为自转体的支承板64绕着晶片W旋转一周后，接着绕着旋转时也与前一次绕着旋转时以同样地轨迹绕着旋转。因此，在每次绕着旋转时，为了在晶片W的面内以画出不同的轨迹的方式使支承板64移动来微小地形成突起95，优选以成为整数以外的数值的方式设定(晶片W的转速)/(支承板64的公转的转速)。此外，晶片W的转速也可以比支承板64的公转的转速小。此时，由于同样的理由，优选将(支承板64的公转的转速)/(晶片W的转速)设定为整数以外的数值。
此外，在上述的研磨处理中，在研磨机构61研磨第二环状区域时，设定研磨机构61的位置(参照图16)，使得晶片W的周端位于磨石63上，该磨石在支承板64位于最靠晶片W的外侧时的距晶片W的中心最远离的位置。如上所述设定研磨机构61的位置是因为，担心当该磨石63位于比晶片W的周端远离晶片W的中心的位置时，那么在该磨石63通过公转向晶片W的中心侧移动时，有可能与晶片W的侧端产生冲突。基于同样的理由，在清洗装置62清洗第二环状区域时，设定清洗机构62的位置，使得晶片W的周端位于刷子69上，该刷子69在支承板64位于最靠晶片W的外侧的位置时的距晶片W的中心最远的位置。
在上述的处理例子中，通过改变研磨机构61的位置，分别进行第一环状区域的处理、第二环状区域的处理。即，将晶片W的周缘部的研磨处理分2次进行，但是也可以较大地形成研磨机构1的支承板64，使该支承板64的公转轨道构成为从与晶片W的中央部相邻的位置直至晶片W的周端部，由此能够对晶片W的周缘部一并进行研磨处理。同样地，也可以较大地形成清洗机构62的支承板64，该支承板64的公转轨道构成为从与晶片W的中央部相邻的位置直至晶片W的周端部，由此能够对晶片W的周缘部一并进行清洗处理。
接着，对于包含上述的研磨装置1作为研磨组件100的涂敷、显影装置101，分别参照图21的平面图、图22的概要纵截面图进行说明。该涂敷、显影装置101在横向上以直线状连接载体模块D1、研磨处理模块D2、液处理模块D3和接口模块D4来构成。接口模块D4连接有曝光机D5。以下的说明中，设模块D1～D4的排列方向为前后方向，设模块D1侧为前方侧，设模块D4侧为后方侧。收纳有晶片W的载体C从涂敷、显影装置101的外部被输送到载体模块D1。载体模块D1具有载体C的载置台102、开闭部103和输送机构104。输送机构104经由开闭部103将晶片W从载置于载置台102的载体C输送到载体模块D1内。
在研磨处理模块D2的前方侧，在输送机构104能够到达的位置，分别载置有晶片W的交接组件TRS11、TRS12彼此层叠地设置。在交接组件TRS11、TRS12的后方设置有输送机构106。并且向着后方看去，在输送机构106的右侧例如上述的研磨组件100层叠设置有5个，在输送机构106的左侧，翘曲量测量组件131和背面拍摄组件141彼此层叠地设置。在本实施方式中，对不使用翘曲量测量组件131和背面拍摄组件141的输送例子进行说明，对于这些组件的构成与使用这些组件的输送例子一并在后面进行叙述。输送机构106构成为，在如上所述以能够在设置于研磨处理模块D2的各组件与包含于后面所述的塔T1中的交接组件TRS0、TRS10之间交接晶片W的方式自由升降、绕铅直轴自由旋转并且自由进退。
液处理模块D3通过对晶片W进行液处理的第一～第六单位模块E1～E6从下开始依次层叠而构成。单位模块E1、E2是用于形成反射防止膜的单位模块，彼此同样地构成。单位模块E3、E4是用于形成抗蚀剂膜的单位模块，彼此同样地构成，单位模块E5、E6是显影处理用的单位模块，彼此同样地构成。在各单位模块中，彼此并行地进行晶片W的输送和处理，晶片W被输送到同样地构成的2个单位模块中的1个进行液处理。
在此，参照图21对单位模块中作为代表的第三单位模块E3进行说明。在单位模块E3形成有在前后方向上延伸的晶片W的输送区域107。向后方看去，在输送区域107的右侧，在前后方向上排列地设置有2个抗蚀剂膜形成组件108。抗蚀剂膜形成组件108向晶片W的表面供给作为药液的抗蚀剂，来形成抗蚀剂膜。向后方看去，在输送区域107的左侧，在前后方向上设置有多个以多段层叠的加热组件109。在上述的输送区域107，设置有晶片W的输送机构F3。
对于单位模块E1、E2、E5、E6说明与单位模块E3、E4的不同点，单位模块E1、E2具有反射防止膜形成组件来代替抗蚀剂膜形成组件108。在反射防止膜形成组件中，向晶片W供给用于形成反射防止膜的药液。单位模块E5、E6具有显影组件来代替抗蚀剂膜形成组件108。显影组件向晶片W的表面供给作为药液的显影液，将在曝光机D5依照规定的图案被曝光了的抗蚀剂膜显影，形成抗蚀剂图案。除了这样的差异，单位模块E1～E6彼此同样地构成。在图22中，对各单位模块E1～E6的输送机构，以F1～F6进行了表示。
在液处理模块D3中的前方侧，设置有塔T1和自由升降的输送机构111，上述塔T1跨各单位模块E1～E6上下地延伸，上述输送机构111用于对设置于塔T1的各组件进行晶片W的交接。塔T1包括彼此层叠的各种组件，但是为方便，省略交接组件TRS以外的组件的说明。设置在单位模块E1～E6的各高度的交接组件TRS，能够在该单位模块E1～E6的各输送机构F1～F6之间交接晶片W。
接口模块D4包括：跨模块E1～E6上下地延伸的塔T2、T3、T4；和向各塔T2～T4输送晶片W的输送机构121～123。输送机构121为了向塔T2和塔T3进行晶片W的交接而自由升降地构成。输送机构122为了向塔T2和塔T4进行晶片W的交接而自由升降地构成。输送机构123在塔T2与曝光机D5之间进行晶片W的交接。塔T2中各种组件彼此层叠地形成，但是在此省略除交接组件以外的组件的说明。另外在塔T3、塔T4也设置有组件，但是也省略这些组件的说明。
对由该涂敷、显影装置101和曝光机D5构成的系统中的晶片W的输送路径和处理进行说明。晶片W通过输送机构104从载体C输送到研磨处理模块D2的交接组件TRS11，接着通过输送机构106输送到研磨组件100，如图7～图16中所说明的那样进行研磨处理和清洗处理。然后，晶片W通过输送机构106被输送到液处理模块D3中的塔T1的交接组件TRS0。
晶片W从该交接组件TRS0分别被输送到单位模块E1、E2。例如将晶片W交接到单位模块E1时，将晶片W从上述TRS0向塔T1的交接组件TRS中、对应于单位模块E1的交接组件TRS1(通过输送机构F1能够进行晶片W的交接的交接组件)交接。另外，在将晶片W交接到单位模块E2时，将晶片W从上述TRS0交接到塔T1的交接组件TRS中、对应于单位模块E2的交接组件TRS2。上述的晶片W的交接是通过输送机构111进行的。
如上所述，将被分开了的晶片W按照TRS1(TRS2)→反射防止膜形成组件→加热组件→TRS1(TRS2)的顺序输送，接着通过输送机构111分别分开输送到与单位模块E3对应的交接组件TRS3和与单位模块E4对应的交接组件TRS4。将如上所述分开到了TRS3、TRS4的晶片W按照TRS3(TRS4)→抗蚀剂膜形成组件108→加热组件109→接口模块D4的塔T2的交接组件TRS31(TRS41)的顺序输送。然后，将该晶片W通过输送机构121、123在塔T2、T3之间被输送并且向曝光机D5搬入，以图18～图20中所说明的方式被载置在设置于该曝光机D5的台91上。对该晶片W进行曝光拍摄，并且抗蚀剂膜依照规定的图案被曝光。
将曝光后的晶片W通过输送机构123、122在塔T2、T4之间输送，分别被输送到对应于单位模块E5、E6的塔T2的交接组件TRS51、TRS61。然后将晶片W按照加热组件→显影组件的顺序输送，抗蚀剂膜依照在曝光机D5所曝光的图案溶解，在晶片W形成抗蚀剂图案。然后，晶片W向塔T1的交接组件TRS5(TRS6)被输送，通过输送机构106输送到交接机构TRS12后，通过输送机构104返回到载体C。
此外，作为研磨装置1，不限于如上所述作为研磨组件100组装在涂敷、显影装置101中，也可以设置于涂敷、显影装置101的外部。此时，晶片W在研磨装置1中受到处理之后，被输送到涂敷、显影装置101进行处理。此外组装在涂敷、显影装置101时，作为研磨组件100，在将晶片W输送到曝光机D5之前进行处理即可，因此不限于设置在上述的部位，例如也可以设置在接口模块D4。
接着，对设置于上述的研磨处理模块D2的翘曲测量组件131进行说明。如图23所示，例如翘曲量测量组件131包括：例如载置晶片W的背面中心部的台132和反射型的激光位移传感器133。激光位移传感器133对载置于台132的晶片W的周端部以图中虚线所示的那样照射激光。然后，接受其反射光，将对应于该受光信号的检测信号在图中以一点划线所示的方式向控制部10发送。控制部10取得从激光位移传感器133到晶片W的周端的距离H1。该距离H1相当于晶片W的翘曲的信息。
在研磨组件100的控制部10设置有存储如下对应关系的存储器，即：对上述的第一环状区域进行处理时，向旋流衬垫7供给的空气的第一流量与距离H1的对应关系(设为第一空气供给量对应关系)；和对上述第二环状区域进行处理时，向旋流衬垫7供给的空气的第二流量与距离H1的对应关系(设为第二空气供给量对应关系)。
关于使用该翘曲量测量组件131时的涂敷、显影装置101中的晶片W的输送路径，以与已述的输送路径的不同点为中心进行说明。从载体C输送到交接组件TRS11的晶片W，通过输送机构106被输送到翘曲量测量组件131，取得上述的距离H1。控制部10基于所取得的距离H1、第一空气供给量对应关系和第二空气供给量对应关系，来决定上述的第一流量和第二流量。
然后，晶片W从翘曲量测量组件131被输送到研磨组件100，以所决定的第一流量、第二流量向旋流衬垫7供给空气，并且进行对该晶片W的周缘部的研磨和清洗。具体而言，以距离H1越大，使第一流量和第二流量成为越大的值，使基于旋流衬垫7产生的吸引压力变大的方式进行处理。如上所述，通过控制旋流衬垫7的吸引压力，缓和由晶片W的翘曲的装置导致的影响，能够可靠地使晶片W的背面紧贴磨石63和刷子69来进行处理。
接着，对于背面拍摄组件141，参照作为概要构成图的图24进行说明。背面拍摄组件141具有支承晶片W的背面周端部的支承部142，支承部142通过未图示的移动机构在横向上移动。并且，在背面拍摄组件141设置有相机143，该相机143间断地拍摄通过支承部142进行移动的晶片W的背面的一部分，由此取得晶片W的背面整体的图像数据。通过该相机143取得的图像数据，以图中一点划线所示那样被发送到控制部10。对使用该背面拍摄组件141时的输送路径进行说明，晶片W在研磨组件100中被处理后，通过输送机构106被输送到背面拍摄组件141来取得上述的图像数据。其后，输送到液处理模块D3。
根据控制部10取得的图像数据，判断是否适当地进行了晶片W的研磨处理，判断为适当地进行了的情况下，对后续的晶片W与先前的晶片W(已取得了判断中使用的图像数据的晶片W)同样地在研磨组件100中进行处理。判断为没有适当地进行研磨处理的情况下，通过构成控制部10的声音输出部进行规定的声音输出，或者通过构成控制部10的监视器来进行规定的画面的显示。即，发出利用声音和图像显示的警报，向使用者报告异常。除此之外，判断为没有适当地进行研磨处理时，例如将作为向旋流衬垫7的空气的供给量的第一流量、第二流量分别设定为增大规定的量，在研磨组件100中对后续的晶片W进行处理时，可以将晶片W以更大的吸引压力向磨石63和刷子69吸引。
另外，使晶片W紧贴磨石63和刷子69时，在已述的各实施方式中，通过旋流衬垫7从晶片W的下方进行吸引，但是不限于如上所述从下方进行吸引。在图25、图26中，表示了代替旋流衬垫7而设置流体喷出垫151的例子。关于该流体喷出垫151，在载置于旋转卡盘12的晶片W上例如设置有2个，分别构成为水平的圆形。在流体喷出垫151连接纯水供给管152的下游端，纯水供给管152的上游端经由流量调整部153连接到纯水供给源80。流量调整部153基于来自控制部10的控制信号，调整从纯水供给源80向流体喷出垫151供给的纯水的流量。在流体喷出垫151的下部分散地设置有多个喷出孔154，所供给的纯水从各喷出孔154向铅直下方喷出。
流体喷出垫151，在设置有磨石63、刷子69的支承板64进行公转来处理载置于旋转卡盘12的晶片W时，从晶片W的中心部看该公转轨道，分别配置于该公转轨道的左侧、右侧。然后，在俯视时，流体喷出垫151向该公转轨道的左侧、右侧的各位置喷出纯水来向下方按压。由此，能够晶片W的背面周缘部紧贴磨石63和刷子69地进行研磨和清洗。通过流量调整部153调整从流体喷出垫151喷出的纯水的流量，能够调整对晶片W的向下方的按压力。因此，例如使对第二环状区域进行处理时的纯水的流量比对第一环状区域进行处理时大，由于由该纯水产生的晶片W的周缘部的按压力变大，由此可以更可靠地使晶片W的周缘部紧贴磨石63和刷子69。另外，作为从流体喷出垫151喷出的流体，不限于纯水等液体，也可是空气等气体。
另外，如根据由翘曲量测量组件131测量的距离H1来决定向旋流衬垫7供给的空气的流量，也可以根据距离H1来决定通过该流体喷出垫151供给的流体的流量。即，将距离H1与该流体的流量的对应关系(作为流体对应关系)存储于构成控制部10的存储器，当由组件131取得了距离H1时，那么根据该距离H1与该流体对应关系来决定流体的流量。
另外，也可以在研磨装置1中不设置清洗机构62，研磨后的晶片W的清洗通过将晶片W输送到外部的清洗装置来进行。但是，通过将研磨机构61和清洗装置62设置在同一装置内，没有必要在研磨后将晶片W输送到清洗装置，因此能够抑制从研磨开始到清洗结束的时间，实现生产率的提高。另外，本发明也可以构成为在上述的研磨装置1中不设置研磨机构61的装置。即，本发明也可以作为清洗晶片W的清洗装置来构成。该清洗装置能够以如下方式使用：例如在将晶片W输送到曝光机D5之前，通过清洗来去除附着的异物，使的晶片W被水平地载置的台91。本发明不限于已述的各实施方式的构成，可以进行适当的改变，对各实施方式的构成也可以彼此进行组合。
接着，关于作为研磨装置的其他的实施方式的研磨装置201，以与研磨装置1的不同点为中心进行说明。图27是研磨装置201的平面图，图28是研磨装置201的纵截正面图。在该研磨装置201中没有设置旋流衬垫7，而代替其设置有按压机构211。该按压机构211是用于从晶片W的正面侧向背面侧按压在晶片W中磨石63和刷子69进行移动的区域，抑制由于磨石63和刷子69的向上方的按压而导致的晶片W的变形，使得上述的磨石63和刷子69进行的处理可靠地进行的机构。
按压机构211由臂221、旋转机构222、升降机构223、前后移动机构224和按压部件225构成。前后移动机构224在基体11上前后地移动。图中231是用于前后移动机构224进行移动的引导器。在该前后移动机构224设置有升降机构223，使旋转机构222升降。旋转机构222支承臂221的基端侧，并且使该臂221绕垂直轴旋转。按压部件225是扁平的圆柱形的部件，设置于臂221的前端下部，通过上述的升降机构223的动作，与晶片W抵接向下方即晶片W的背面方向按压。此外，如上所述不进行晶片W的按压时，按压部件225在图27中以点划线表示的基体11上的待机位置待机。
参照图29的侧视图和图30的纵截侧面图，对按压部件225进行说明。按压部件225具有形成该按压部件225的下部侧的、并且为扁平的圆形的按压部主体226。按压部主体226的下表面以与晶片W相对的方式水平地形成，作为用于按压晶片W的按压面230构成。按压部主体226如后面所述对于供给到该按压部主体226的清洗液具有吸液性，并且为了不损伤晶片W的表面而由具有弹性的多孔质体构成。更具体而言，按压部主体226例如由海绵体构成，上述海绵体由PVA(聚乙烯醇)等的树脂构成。因此，上述的按压面230以在其全部表面分散地配置有多个孔部的方式构成。另外，晶片W的直径例如为300mm，在该例子中按压部件225的直径L1(参照图27)形成为50mm程度。如后面详细说明的那样，按压部件225的直径不限于形成为这样的大小。此外，按压部件225是如上所述的圆柱，因此该按压部件225的直径L1的大小是按压面230的直径的大小。
圆板状的覆盖部227以覆盖按压部主体226的上侧的方式设置。该覆盖部227，例如由PTFE(聚四氟乙烯)构成。覆盖部227的中心部开口，在该开口设置有由PFA(全氟烷氧基氟树脂、Perfluoroalkoxy fluorine resin)形成的纯水供给管228的下端部。纯水供给管228的上游侧连接到纯水供给源80，从该纯水供给源80向按压部主体226供给纯水。图30的实线的箭头表示向按压部主体226供给的纯水的流动，如此所供给的纯水通过海绵体的毛细现象浸透按压部主体226整体，并通过覆盖部227不具有吸水性的特性和重力的作用向下方去移动，从按压面230的孔部供给到晶片W。因此，按压面的孔部成为纯水的供给口。
在图30的虚线的箭头前方，放大表示了被按压部件225按压的晶片W的表面。在由该按压部件225按压晶片W的过程中，纯水被供给到按压部主体226，由此成为在该按压部主体226与晶片W的表面之间隔着纯水240的液膜的状态。如此通过形成液膜来进行按压，如已述的那样能够抑制由于从背面侧的按压导致的晶片W的变形，并且能够对晶片W的表面进行清洗，以去除附着于晶片W的表面的研磨屑等异物。
另外，在臂221设置有按压部件225以外另设的对晶片W的表面喷出纯水的表面清洗喷嘴232，该表面清洗喷嘴232通过配管与纯水供给源80连接。在由按压部件225对晶片按压过程中，从该表面清洗喷嘴232喷出纯水，也利用该纯水的作用去除附着于晶片W的表面的异物。如上所述，为了达到去除异物的目的，表面清洗喷嘴232以向晶片W的外侧去的方式将纯水喷出到晶片W上。图27中的虚线的箭头表示该纯水的喷出方向。另外，图中的点P3表示所喷出的纯水着液在晶片W的位置的一个例子。
以与研磨装置1的动作的不同点为中心，参照图31～图33的装置的俯视图和图34～图36的装置的侧面图，对研磨装置201的动作的一个例子进行说明。首先，如图8中已说明的那样研磨机构61的磨石63被按压在保持于固定卡盘35的晶片W的背面中央部，并且按压部件225以其中心与研磨机构61的公转轴P2重叠的状态下降，隔着晶片W与磨石63相对来按压晶片W。然后，对按压部主体226供给纯水240并且从表面清洗喷嘴232喷出纯水240。另一方面，进行如图8所说明的研磨机构61的支承板64的自转和公转，并且进行对晶片W的背面中央部的研磨(图31、34)。通过如上所述配置按压部件225，在俯视时，按压部件225按压磨石63通过的区域。
接着，如图9所说明的那样代替磨石63，刷子69被按压到晶片W的背面，清洗机构62的支承板64进行自转和公转，该刷子69擦刷晶片W的背面中央部来进行清洗。在晶片W的表面中央部继续进行基于按压部件225的按压。然后，暂时停止来自按压部主体226和表面清洗喷嘴232的纯水240的供给，将晶片W从固定卡盘35交接到旋转卡盘12。在该交接中，按压部件225从晶片W的表面上退避。
然后，研磨机构61的磨石63被按压在与已经进行了研磨和清洗的晶片W的背面中央部相邻的区域，并且按压部件225以其中心例如位于与研磨机构61的公转轴P2重叠的位置的方式下降，隔着晶片W与磨石63相对，来按压晶片W。然后，对按压部件225供给纯水240，并且从表面清洗喷嘴232喷出纯水。另一方面，进行研磨机构61的支承板64的自转与公转和基于旋转卡盘12的晶片W的旋转，来进行研磨(图32)。
然后，例如保持上述的支承板64的公转中心与按压部件225彼此的位置关系，研磨机构61和该按压部件225向后方直线移动而向晶片W的周缘部去(图35)。然后，在进行公转的磨石63的最靠晶片W的外侧的端位于比晶片W的周端略内侧一些的位置时，研磨机构61的后退停止。即，从上方看，磨石63在不从晶片W突出的位置停止研磨机构61的后退。按压部件225继续后退，并且该按压部件225的后方侧的端部位于比晶片W靠外侧的位置时，该按压部件225的后退移动停止(图33、图36)。像这样按压部件225的一部分位于晶片W的外侧的位置时，在俯视情况下也成为按压部件225按压磨石63通过的区域的状态。
如上所述，孔形成在构成按压部件225的按压面230的整体，从按压面230的整体供给纯水240，因此如上所述按压部件225以端部位于晶片W的外侧的方式进行移动的情况，是供给纯水240的孔的一部分位于晶片W的外侧的情况，并且成为从位于晶片W的外侧的孔向晶片W的侧面供给纯水240的情况。另外，位于按压部件225的晶片W的外侧的部位，通过该按压部件225具有的恢复力向晶片W的下方突出，与晶片W的侧面抵接。如此通过进行清洗液的供给和按压部件225的抵接，对晶片W的侧面进行清洗。在此所述的晶片W的侧面不仅包括垂直面，也包括从晶片W的表面向外侧去下降的倾斜面、即所谓的斜面(Bevel，倒角)。此外，通过研磨机构61在已述的位置停止后退，如此能够防止研磨在晶片W的侧方突出了的按压部件225。
然后，磨石63、按压部件225从晶片W离开，并且暂时停止向晶片W的表面供给纯水240和晶片W的旋转，研磨处理结束。然后，清洗机构62进行与研磨机构61相同的动作，并且再次开始晶片W的旋转，对晶片W的背面中央部的外侧区域进行清洗。如上所述进行清洗时，按压部件225进行与图32、图33、图35、图36中说明了的晶片W的背面中央部的外侧区域的研磨时同样的动作。即，控制清洗机构62的刷子69和按压部件225的动作，使得成为与研磨时的磨石63与按压部件225的位置关系相同的位置关系来进行处理。另外，通过按压部件225和表面清洗喷嘴232向晶片W的表面供给纯水。然后，对该晶片W的背面中央部的外侧区域的清洗处理结束后，清洗机构62的刷子69和按压部件225从晶片W离开，停止从按压部件225和表面清洗喷嘴232喷出纯水，通过晶片W的旋转从该晶片W甩去纯水240，结束基于研磨装置201进行的处理。
根据该研磨装置201如上所述配置有按压部件225，由此，在研磨晶片W的中央部时和研磨中央部的外侧区域时这两者，按压部件225位于研磨机构61的支承板64的公转轨道上。若进行更详细地说明，在俯视观察时，通过该支承板64的公转和自转，按压部件225按压与磨石63进行移动的区域重叠的区域。因此，抑制由于磨石63的按压导致的晶片W的变形来将晶片W的形状保持为水平，由此晶片W的背面可靠地与该磨石63紧贴地被研磨。另外，对于进行清洗处理时与研磨时同样地配置有按压部件225，由此按压部件225被配置在清洗机构62的支承板64的公转轨道上来按压晶片W，在俯视观察时，按压部件225按压与刷子69进行移动的区域重叠的区域，因此，晶片W的背面可靠地紧贴刷子69地被擦刷。
另外，在按压部件225的按压部主体226不连接上述的纯水供给管228，在按压部件225按压晶片W过程中，按压部主体226从晶片W的表面吸收从表面清洗喷嘴232供给到晶片W的表面的纯水并保持，由此可以进行晶片W的清洗。如此为了使按压部主体226能够从晶片W的表面吸收液体，例如图27所示，上述的着液位置P3优选设在晶片W的旋转方向的上游侧、且在该按压部件225的附近。另外，不设置表面清洗喷嘴232，仅通过按压部件225进行晶片W的表面的清洗。
此外，在按压机构211不设置前后移动机构224，不使按压部件225前后移动，也可以进行处理。例如，对晶片W的中央部进行研磨和清洗时，在图27中以实线表示的位置配置按压部件225，以中央部被该按压部件225按压的方式由固定卡盘35保持晶片W。并且，对晶片W的中央部的外侧区域进行研磨和清洗时，也在图27中以实线表示的位置配置按压部件225，使晶片W的周缘部被按压。即，对晶片W的中央部的外侧区域进行研磨和清洗时，能够以不进行如图32、图35等所说明的伴随研磨机构61和清洗机构62的移动的按压部件225的移动的方式来进行处理。此外，适当地调整按压部件225的大小使得能够适当地抑制晶片W的变形。
在上述的图31～图36所示的处理例子中，按压晶片W的中央部时，不使按压部件225在横向上移动，但是在按压该中央部时也可以使按压部件225在横向上移动。另外，按压部件225的直径L1(参照图27)不限于上述的例子。图37所示的按压部件225的直径L1是10mm。此外，例如在按压机构211的臂221设置与研磨机构61同样地构成的、使支承按压部件225的支承板64进行公转和自转的机构，在支承板64也可以设置如图37所示具有比较小的直径的按压部件225。然后，磨石63中之一与按压部件225重叠，并且按照以彼此相同的速度画出相同的轨迹的方式使按压部件225移动。即，在研磨中可以以磨石63中之一与按压部件225隔着晶片W总是相对的方式来进行处理。
图38表示了按压部件225的直径L1比图27所示的例子大一些的是80mm的例子。另外，图39表示了将按压部件225的直径L1设为与晶片W的直径相同的300mm的例子。即，图39的按压部件225覆盖晶片W的整个表面。在按压部件225具有如该图39所示的大小的情况下，在对晶片W的中央部进行研磨、清洗时和对晶片W的中央部的外侧区域进行研磨、清洗时，均以按压部件225的中心与晶片W的中心重叠的方式配置该按压部件225来进行按压。因此，在对晶片W的处理中，按压部件225不限于以在横向上移动的方式构成。
按压部件225的直径L1过小时可能不能对晶片W进行充分的按压，直径L1比晶片W的直径大时按压部件225具有不必要的大小，因此，优选将按压部件225的直径、即该按压部件225的按压面230的直径L1设为10mm～300mm。另外，如通过图31～图36所说明的那样，使按压部件225随着研磨机构61的移动在横向上移动来进行处理，由此可以将直径L1设得较小，例如为10mm～100mm，在这样的大小的情况下，由于能够抑制在研磨装置201中抑制使按压部件225待机的空间，故而优选。另外，如上所述，使按压部件225在横向上移动时，在已述的例子中通过前后移动机构224使按压部件225沿直线移动，但是在向横向的移动中，只要能够维持磨石63或者刷子69通过支承板64的公转和自转进行移动的区域与由按压部件225按压的区域重叠的状态即可，因此可以通过旋转机构222使按压部件225沿曲线移动。
接着，在磨石63与晶片W接触进行研磨的期间内的全部的时间段中，不限于由按压部件225进行按压。即，可以仅在磨石63位于规定的位置时，按压部件225隔着晶片W与磨石63相对来按压晶片W。关于刷子69也可以仅在位于规定的位置时，由按压部件225进行按压。晶片W的周缘部与中心部相比，受到应力时容易变形、容易产生翘曲，因此优选至少在磨石63和刷子69位于晶片W的周缘部的位置时进行基于按压部件225的按压。
另外，作为按压部件225，只要磨石63或者刷子69将晶片W的背面向上侧按压的同时进行移动时，隔着晶片W与该磨石63或者刷子69相对即可。即在俯视观察时，按压部件225与磨石63和刷子69重叠即可。因此，作为按压部件225不限于是圆形，也可以是方形。另外，按压部件225只要能够如上所述对晶片W进行按压即可，因此不限于例如由多孔质体和弹性体构成，但是如已述的那样为了防止晶片W的损伤并且进行清洗，优选由多孔质体并且是弹性体构成。另外，作为从表面清洗喷嘴232和按压部件225供给的清洗液不限于纯水，只要对在晶片W的表面所形成的膜不造成影响，也可以是例如有机溶剂。此外，已述的各实施方式能够彼此进行组合，或进行适当地变形。
附图标记说明
W 晶片
1、201 研磨装置
12 旋转卡盘
221 按压机构
225 按压部件
232 表面清洗喷嘴
3 罩
35 固定卡盘
61 研磨机构
62 清洗机构
63 磨石
64 支承板
69 刷子
7 旋流衬垫

Claims (18)

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
水平地保持基片的背面中的与中央部不重叠的区域的第一保持部；
水平地保持所述基片的背面中的中央部，并且使所述基片绕铅直轴旋转的第二保持部；
为了在所述基片的背面滑动来进行处理而绕铅直轴自转的滑动部件；
公转机构，其使自转中的所述滑动部件绕铅直的公转轴以比该滑动部件的直径小的公转半径进行公转；和
相对移动机构，其用于使所述基片与所述滑动部件的公转轨道的相对位置在水平方向上移动，使得当所述基片被所述第一保持部保持时所述滑动部件在所述基片的背面中央部滑动，当所述基片被所述第二保持部保持时所述滑动部件在进行旋转的所述基片的背面周缘部滑动。
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
设置有高度限制部，其在所述基片被所述第二保持部保持时，通过吸引所述基片的周缘部或者对该周缘部供给流体，来限制该基片的周缘部的高度。
3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：
当从旋转的所述基片的中心看所述滑动部件时，所述高度限制部对该滑动部件的左右区域分别进行吸引，或者对该左右区域分别进行流体的供给。
4.如权利要求2或3所述的基片处理装置，其特征在于：
当所述基片被所述第二保持部保持时，所述滑动部件的公转轨道分别位于靠所述基片的中心部的第一位置和靠所述基片的周端部的第二位置，
与所述公转轨道位于所述第一位置时相比，在所述公转轨道位于所述第二位置时的所述高度限制部的吸引压力或者向所述基片供给的流体的流量较大。
5.如权利要求2或3所述的基片处理装置，其特征在于：
设置有控制部，其输出控制信号，以取得关于所述基片翘曲的信息，并根据所取得的关于翘曲的信息来调节所述高度限制部的吸引压力或者向所述基片供给的流体的流量。
6.如权利要求1至3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
当所述基片被所述第一保持部保持时，所述滑动部件的公转以所述公转轴与该基片的中心重叠的方式进行。
7.如权利要求1至3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述基片被所述第二保持部保持时，基片的转速和滑动部件的公转的转速中，较大的转速除以较小的转速所得到的值是非整数的值。
8.如权利要求1至3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述滑动部件由用于对所述基片的背面进行研磨来将其粗化的研磨部件构成。
9.如权利要求8所述的基片处理装置，其特征在于，还包括：
绕铅直轴进行自转的清洗部件，所述清洗部件用于擦刷被所述研磨部件粗化了的区域来进行清洗；和
使自转中的所述清洗部件绕铅直的公转轴进行公转的清洗部用公转机构，
当所述基片被所述第一保持部保持时，所述清洗部件擦刷所述基片的中央部，当所述基片被所述第二保持部保持时，所述清洗部件擦刷旋转的所述基片的周缘部。
10.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
设置有按压机构，当所述滑动部件在所述基片上滑动时为了抑制所述基片的变形而从所述基片的正面侧向背面侧按压该基片。
11.如权利要求10所述的基片处理装置，其特征在于：
所述按压机构包括：
按压部件，其具有用于隔着所述基片与所述滑动部件相对地按压该基片的按压面；和
使所述按压部件升降的升降机构。
12.如权利要求11所述的基片处理装置，其特征在于：
在所述按压面设置有供给用于清洗所述基片的清洗液的清洗液供给口，
所述按压面按压被供给了所述清洗液的所述基片的表面。
13.如权利要求12所述的基片处理装置，其特征在于：
所述按压机构具有横向移动机构，所述横向移动机构用于当所述滑动部件的公转轨道在所述基片的中心部侧与周缘部侧之间移动时，使所述按压部件在所述基片的中心部侧与周缘部侧之间移动，来维持所述滑动部件与所述按压部件隔着所述基片相对的状态。
14.如权利要求13所述的基片处理装置，其特征在于：
所述按压面由具有弹性的多孔质体构成。
15.如权利要求14所述的基片处理装置，其特征在于：
设置在所述按压面的所述清洗液供给口是所述多孔质体的孔部，
为了清洗所述基片的侧面，所述横向移动机构使按压着所述基片的状态的所述按压部件以所述按压面的一部分位于该基片的外侧的方式移动。
16.如权利要求11或12所述的基片处理装置，其特征在于：
所述按压面为圆形，该按压面的直径为10mm～100mm。
17.一种基片处理方法，其特征在于，包括：
由第一保持部水平地保持与基片的背面的中央部不重叠的区域的步骤；
由第二保持部水平地保持所述基片的背面的中央部、并使所述基片绕铅直轴旋转的步骤；
使用于在所述基片的背面滑动来进行处理的滑动部件绕铅直轴自转的步骤；
通过公转机构使自转中的所述滑动部件绕铅直的公转轴以比该滑动部件的直径小的公转半径进行公转的步骤；
通过相对移动机构使所述基片与所述滑动部件的公转轨道的相对位置在水平方向上移动的步骤；
当所述基片被所述第一保持部保持时，使进行自转的所述滑动部件以在所述基片的背面的中央部滑动的方式进行公转的步骤；和
当所述基片被所述第二保持部保持时，使所述滑动部件以在所述基片的背面的周缘部滑动的方式进行公转的步骤。
18.一种存储介质，其存储有用于基片处理装置的程序，所述基片处理装置为滑动部件在基片的背面滑动来进行处理的装置，所述存储介质的特征在于：
所述程序用于实施权利要求17所记载的基片处理方法的步骤。
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9865477B2 (en) * 2016-02-24 2018-01-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Backside polisher with dry frontside design and method using the same
JP6684191B2 (ja) * 2016-09-05 2020-04-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板洗浄装置およびそれを備える基板処理装置
JP6885754B2 (ja) * 2017-03-09 2021-06-16 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
KR102570853B1 (ko) * 2017-08-10 2023-08-25 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 이면 연마 부재의 드레싱 장치 및 드레싱 방법
JP7115850B2 (ja) * 2017-12-28 2022-08-09 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法および加工装置
CN109273397B (zh) * 2018-09-25 2019-06-21 天通银厦新材料有限公司 一种用于led蓝宝石衬底的固定装置
JP7213648B2 (ja) * 2018-09-27 2023-01-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6979935B2 (ja) * 2018-10-24 2021-12-15 三菱電機株式会社 半導体製造装置および半導体製造方法
WO2020129166A1 (ja) * 2018-12-18 2020-06-25 株式会社島津製作所 医療画像用器具およびｘ線画像撮影装置
JP7386424B2 (ja) * 2019-09-20 2023-11-27 株式会社東京精密 フレーム洗浄機構
CN112192395A (zh) * 2020-10-12 2021-01-08 苏州勋空自动化设备有限公司 一种具有辅助支撑架的角磨机
US20230004088A1 (en) * 2021-07-01 2023-01-05 Tokyo Electron Limited Apparatus and Method for Spin Processing
CN113787423B (zh) * 2021-09-24 2022-08-02 山东华恒智能装备有限公司 一种金属压裂头模具生产设备
CN114589182B (zh) * 2022-01-30 2023-02-28 江苏亚电科技有限公司 一种晶圆水平清洗装置
TWI808793B (zh) * 2022-06-15 2023-07-11 印能科技股份有限公司 利用氣體充壓以抑制載板翹曲之排氣治具裝置及方法
CN115642123B (zh) * 2022-10-31 2023-07-28 先之科半导体科技(东莞)有限公司 一种二极管助焊剂自动清洗设备

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS594169Y2 (ja) 1979-08-07 1984-02-06 株式会社小松製作所 伸縮脚の伸縮ストロ−ク検出装置
JPS594169A (ja) 1982-06-30 1984-01-10 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JPS63134166A (ja) * 1986-11-21 1988-06-06 Hitachi Ltd ウエハ保持機構
JP2877216B2 (ja) * 1992-10-02 1999-03-31 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置
US6020262A (en) * 1998-03-06 2000-02-01 Siemens Aktiengesellschaft Methods and apparatus for chemical mechanical planarization (CMP) of a semiconductor wafer
JP4698407B2 (ja) * 2005-12-20 2011-06-08 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP2008093735A (ja) * 2006-10-05 2008-04-24 Disco Abrasive Syst Ltd 加工装置
JP4986568B2 (ja) * 2006-10-11 2012-07-25 株式会社ディスコ ウエーハの研削加工方法
US8578953B2 (en) * 2006-12-20 2013-11-12 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method, and computer-readable storage medium
JP4983565B2 (ja) * 2006-12-20 2012-07-25 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置、基板洗浄方法及び記憶媒体
TWI451488B (zh) * 2007-01-30 2014-09-01 Ebara Corp 拋光裝置
JP4654209B2 (ja) * 2007-02-27 2011-03-16 信越半導体株式会社 研磨装置
JP2008305875A (ja) * 2007-06-06 2008-12-18 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置の製造方法
JP2009238849A (ja) * 2008-03-26 2009-10-15 Panasonic Corp 半導体装置の製造装置および製造方法
JP4976341B2 (ja) * 2008-06-18 2012-07-18 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置および基板洗浄方法、ならびに記憶媒体
JP5009253B2 (ja) * 2008-08-07 2012-08-22 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置
JP5390807B2 (ja) * 2008-08-21 2014-01-15 株式会社荏原製作所 研磨方法および装置
CN101554568B (zh) * 2009-02-27 2011-11-30 深圳市海力尔技术有限公司 高机械能混合分散研磨装置
JP5583503B2 (ja) * 2010-07-14 2014-09-03 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置、およびこれを備える塗布現像装置
KR102160516B1 (ko) * 2012-09-28 2020-09-28 에이지씨 가부시키가이샤 판상체의 연마 방법 및 판상체의 연마 장치
JP6087565B2 (ja) * 2012-10-03 2017-03-01 株式会社ディスコ 研削装置および研削方法
JP6100002B2 (ja) * 2013-02-01 2017-03-22 株式会社荏原製作所 基板裏面の研磨方法および基板処理装置
JP5904169B2 (ja) * 2013-07-23 2016-04-13 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置、基板洗浄方法及び記憶媒体
JP6210935B2 (ja) * 2013-11-13 2017-10-11 東京エレクトロン株式会社 研磨洗浄機構、基板処理装置及び基板処理方法
US10515833B2 (en) * 2014-01-24 2019-12-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Wafer cleaning system and method
US9287127B2 (en) * 2014-02-17 2016-03-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wafer back-side polishing system and method for integrated circuit device manufacturing processes
JP6307022B2 (ja) 2014-03-05 2018-04-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体
JP6503194B2 (ja) * 2015-02-16 2019-04-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
US10276365B2 (en) * 2016-02-01 2019-04-30 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate cleaning device, substrate processing apparatus, substrate cleaning method and substrate processing method

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