TW202042299A - 基板處理裝置及基板處理裝置中應部分研磨區域之限定方法 - Google Patents

基板處理裝置及基板處理裝置中應部分研磨區域之限定方法 Download PDF

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Abstract

[課題]迅速掌握CMP後基板上之被處理膜的膜厚分布，進而實現基板之高處理速度。 [解決手段]本發明一個實施形態為揭示在基板處理裝置中限定藉由部分研磨裝置應部分研磨之區域的方法，且係在基板處理裝置中，該基板處理裝置具備：基板研磨裝置，其係用以研磨形成在基板至少一表面的被處理膜的整個面，且具備膜厚感測器；及部分研磨裝置，其係用以進一步地部分研磨由基板研磨裝置所研磨之基板的被處理膜；根據基板研磨裝置之膜厚感測器獲得的被處理膜之膜厚分布資料，限定藉由部分研磨裝置應部分研磨之區域的方法。

Description

基板處理裝置及基板處理裝置中應部分研磨區域之限定方法
本申請案依據於2019年1月11日申請之日本專利申請編號第2019-3449號而主張優先權。包含日本專利申請編號第2019-3449號之說明書、申請專利範圍、圖式及摘要的全部揭示內容係以參照之方式全部援用於本申請案。本發明係關於一種具備藉由CMP（化學機械研磨）而研磨在基板至少一方之面成膜的整個被處理膜之基板研磨裝置；及用以進一步部分研磨藉由基板研磨裝置所研磨之基板的被處理膜之部分研磨裝置的基板處理裝置，及基板處理裝置中應部分研磨之區域的限定方法。
近年來，為了對處理對象物（例如半導體基板等之基板或是形成於基板表面之各種膜）進行各種處理而使用處理裝置。處理裝置之一例如為包含用以進行處理對象物之研磨處理等的CMP裝置之裝置。
基板處理裝置具備：用以進行處理對象物之研磨處理的研磨單元；用以進行處理對象物之清洗處理及乾燥處理的清洗單元；及對研磨單元送交處理對象物，並且接收藉由清洗單元實施了清洗處理及乾燥處理之處理對象物的載入、卸載單元等。此外，基板處理裝置還具備在研磨單元、清洗單元、及載入、卸載單元中進行處理對象物之搬送的搬送機構。基板處理裝置藉由搬送機構搬送處理對象物，而且依序進行研磨、清洗、及乾燥之各種處理。
最近在半導體元件之製造中，對各工序之要求精度已經到達數nm等級，CMP也不例外。為了滿足該要求，CMP係進行研磨及清洗條件之最佳化。但是，即使決定了最佳條件，仍然不能避免因構成元件之控制偏差及耗材隨時間而變化導致研磨及清洗性能變化。此外，處理對象之半導體晶圓本身也存在偏差，例如在CMP前，形成於處理對象物之膜的膜厚及元件形狀存在偏差。此等偏差在CMP中及CMP後，因為殘留膜之偏差及階差消除不完全，更因為原本應該完全除去之膜在研磨中殘留而更加凸顯。此等偏差在晶圓面內是在晶片間或是以橫跨晶片間的形式而發生，進一步也在晶圓間及批次間發生。目前應付之道是以將此等偏差局限在某個臨限值以內的方式，對研磨中之晶圓及研磨前之晶圓控制研磨條件（例如，研磨時賦予晶圓面內之壓力分布、晶圓保持台之轉數、漿液）及清洗條件，及/或對超過臨限值之晶圓進行再處理（再研磨）。
但是，藉由上述研磨條件抑制偏差的效果，因為主要對晶圓之半徑方向顯現，而對晶圓之周方向調整偏差困難。再者，由於CMP時之處理條件及藉由CMP研磨之膜的下層狀態，在晶圓面內也會產生部分研磨量分布的偏差。此外，在CMP工序中關於晶圓之半徑方向研磨分布的控制，由於從近期提高產量之觀點下，晶圓表面內之元件區域被擴大，因此更需要也對晶圓之邊緣部調整研磨分布。晶圓之邊緣部受到研磨壓力分布及研磨材之漿液流入對偏差的影響比在晶圓中心附近大。研磨條件及清洗條件之控制及再處理，基本上由實施CMP之研磨單元進行。此時，幾乎研磨墊對晶圓面為全面接觸，即使一部分接觸時，從維持處理速度之觀點，不得不增大研磨墊與晶圓之接觸面積。此種狀況下，即使例如在晶圓面內之特定區域發生超過臨限值的偏差，藉由再處理等將其加以修正時，因為其接觸面積增大所以也會對不需要再處理之部分實施研磨。結果，在原本要求之臨限值範圍內進行修正變為困難。因此，需要提供一種方法及裝置，可研磨更小區域及控制清洗狀態，且對晶圓表面內之任意位置實施處理條件之控制及再處理。
為了滿足該要求，習知有在對整個基板進行CMP研磨後，再研磨（修正、再處理（再加工））基板之一部分的部分研磨裝置（專利文獻1）。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2018-134710號公報
（發明所欲解決之問題）
為了限定藉由部分研磨裝置應部分研磨之部位或區域，需要檢測部分研磨前（CMP後）之處理對象物的狀態，例如基板上之被處理膜的膜厚分布。而後，需要藉由檢測出之膜後分布與目標膜厚分布的差異限定應部分研磨之部位或區域。例如專利文獻1之部分研磨裝置係具備狀態檢測部（符號420）。專利文獻1之狀態檢測部檢測形成於基板上之被處理膜的膜厚分布。接收來自狀態檢測部之信號的控制部算出部分研磨裝置應研磨之研磨位置與在各研磨位置的目標研磨量。
專利文獻1需要有在基板上整個被處理膜藉由CMP之研磨、與CMP後基板上之被處理膜的部分研磨之間檢測基板上之被處理膜的膜厚分布之步驟。此處，被處理膜之膜厚分布檢測步驟係依被處理膜之膜質，而藉由過去之渦流式、光學式等測量機構進行測量，不過，以此等測量機構測量基板面內之被處理膜的膜厚分布時，需要的時間較長。特別是藉由更高精度之部分研磨進行膜厚修正時，需要測量之部位數極多，本步驟需要花費許多時間。此種狀況下，在專利文獻1中執行基板部分研磨之前的時間長期化，進而導致基板之處理速度大幅降低。
因此，本申請案係鑑於上述問題，一個目的為迅速掌握CMP後基板上之被處理膜的膜厚分布，進而實現基板之高處理速度。 （解決問題之手段）
本申請案之一個實施形態為揭示在基板處理裝置中限定藉由部分研磨裝置應部分研磨之區域的方法，且係在基板處理裝置中，該基板處理裝置具備：基板研磨裝置，其係用以研磨形成在基板至少一表面上被處理膜的整個面，且具備膜厚感測器；及部分研磨裝置，其係用以進一步地部分研磨由基板研磨裝置所研磨之基板的被處理膜；根據基板研磨裝置之膜厚感測器獲得的被處理膜之膜厚分布資料，限定藉由部分研磨裝置應部分研磨之區域的方法。
＜基板處理裝置之大致輪廓＞
第一圖係一個實施形態之基板處理裝置100的俯視圖。請注意第一圖及其他圖式只不過是示意圖。例如，實際之基板處理裝置亦可係與第一圖不同的形狀。例如，實際之基板處理裝置亦可具有第一圖未圖示之元件。基板處理裝置及其零件之具體構成不限於以下說明的構成。
第一圖之基板處理裝置100具備：載入、卸載部110、與研磨部120。基板處理裝置100進一步具備：基板搬送單元130及140、基板清洗、乾燥部150、與控制部160。載入、卸載部110可具備：FOUP（前開式晶圓傳送盒）111、與載入、卸載部之搬送機器人112。研磨部120可具備：第一研磨裝置121、第二研磨裝置122、第三研磨裝置123、與第四研磨裝置124。第一研磨裝置121至第四研磨裝置124之至少一個可用以研磨整個基板至少一個表面的整個面的一般CMP裝置。CMP裝置具備：用以安裝研磨墊之研磨台（無圖示）、與用以安裝基板之上方環形轉盤（無圖示）。第一研磨裝置121至第四研磨裝置124之至少一個包含部分研磨裝置。亦可具有與載入、卸載部110分開之部分研磨裝置作為追加或替代。第一研磨裝置121～第四研磨裝置124可為具有CMP功能與部分研磨功能兩者之裝置。部分研磨裝置之詳情於後述。此外，關於基板搬送單元130及140，例如140係線性傳輸機，該線性傳輸機亦可具有對研磨部120之各研磨裝置送交基板的功能。此外，基板搬送單元130亦可具備在線性傳輸機140間進行基板送交之搬送機器人131、及送交後述之第一清洗部搬送機器人154時暫時放置基板之工作站132。此外，基板清洗、乾燥部150在本圖係可具備：第一清洗模組151、第二清洗模組152、與乾燥模組153。基板清洗、乾燥部150進一步可具備：第一清洗部搬送機器人154、與第二清洗部搬送機器人155。
載入、卸載部110係為了從基板處理裝置100之外部載入需要處理的基板，以及為了從基板處理裝置100之內部卸載處理結束的基板而設。FOUP111可收容基板或是收容了基板之基板匣盒。載入、卸載部之搬送機器人112從/向希望之FOUP111接收/送交基板。藉由載入、卸載部之搬送機器人112接收的基板可藉由後述之基板搬送單元140及/或無圖示之其他機構等送至研磨部120。
藉由研磨部120所研磨之基板使用基板搬送單元140及130內之搬送機器人131搬送至基板搬送單元130內的工作站132。工作站132係以可保持研磨後且清洗前之基板的方式構成。工作站132亦可保持複數片基板。基板搬送單元140及搬送機器人131係以從研磨部120向基板搬送單元130內之工作站132搬送基板的方式構成。另外，如前述，基板搬送單元140亦可負擔載入、卸載部110與研磨部120間之基板搬送的至少一部分。
保持於工作站132之基板搬送至基板清洗、乾燥部150。在工作站132與基板清洗、乾燥部150間之基板搬送是藉由第一清洗部搬送機器人154來進行。搬送至基板清洗、乾燥部150之基板藉由各清洗模組（第一清洗模組151、第二清洗模組152）清洗。此處，就基板之清洗亦可適當組合使滾筒狀之PVA海綿接觸於基板的表面與背面，在供給藥劑或純水之狀態下，使基板與PVA海綿相對運動之滾筒清洗，或是在使鉛筆狀之細長PVA海綿接觸於基板的狀態下搖動而清洗的接觸式清洗；及超音波清洗及高壓噴射清洗之非接觸式清洗。此外，乾燥模組153係進行藉由清洗模組清洗後之基板的乾燥。此處，乾燥方式亦可適當選擇藉由使基板高速旋轉，而除去附著於基板之液體的方式、及供給含有IPA之氣體，而且使基板高速旋轉之方式等。另外，乾燥模組153亦可具有作為擔任清洗最後工序之清洗模組的功能與使基板乾燥之功能兩者。此外，本圖之清洗模組係兩段，不過亦可追加地或替代地將第三清洗模組設於乾燥模組153的前段。
第一清洗部搬送機器人154從工作站132接收研磨後之基板，並將所接收之基板搬送至第一清洗模組151。此外，第一清洗部搬送機器人154接收藉由第一清洗模組151清洗後之基板，並將所接收之基板搬送至第二清洗模組152。第二清洗部搬送機器人155接收藉由第二清洗模組152所清洗之基板，並將所接收之基板搬送至乾燥模組153。經乾燥模組153乾燥後之基板藉由某些機構，例如藉由搬送機器人112、基板搬送單元140或是無圖示之其他搬送設備等從乾燥模組153搬出。從乾燥模組153搬出之基板搬入載入、卸載部110。基板最後藉由載入、卸載部110從基板處理裝置100卸載。 ＜基板研磨裝置之詳情＞
第二圖係一個實施形態之基板研磨裝置1210的前視圖。第二圖之基板研磨裝置1210可為研磨部120之至少一部分。例如，第二圖之基板研磨裝置係第一研磨裝置121。
一個實施形態之基板研磨裝置1210具備：研磨台1211、研磨頭1212、液體供給機構1213、與控制部1214。控制部1214例如可具備儲存裝置STO、處理器PRO及輸入輸出裝置I/O。控制部1214亦可與基板處理裝置100之控制部160相同，亦可為另外設置者。
在研磨台1211之上面可裝卸地安裝有研磨墊1215。此處，所謂研磨台1211之「上面」，係指研磨台1211中與研磨頭1212相對之面的用語。因此，研磨台1211之「上面」不限於「位於鉛直上方向之面」。研磨頭1212係以與研磨台1211相對之方式設置。在研磨頭1212中與研磨台1211相對之面可裝卸地安裝有基板Wf。液體供給機構1213係構成將漿液等研磨液供給至研磨墊1215。液體供給機構1213係構成除了研磨液以外，還供給純水及清洗液或是藥劑等。
一個實施形態之基板研磨裝置1210在從基板搬送單元將基板Wf送交研磨頭後，可藉由無圖示之上下運動機構使研磨頭1212下降而使基板Wf接觸於研磨墊1215。上下運動機構亦可係空氣汽缸式，亦可係藉由滾珠螺桿之位置控制式。此外，研磨台1211及研磨頭1212藉由馬達MO等而旋轉（該馬達等亦可稱為「相對運動機構」）。基板研磨裝置1210使基板Wf與研磨墊1215接觸，並在藉由液體供給機構1213供給研磨液之狀態下，藉由使研磨台1211及研磨頭1212之至少一方，更宜使兩者旋轉來研磨基板Wf上之處理對象膜。
基板研磨裝置1210進一步在研磨頭1212中可具有分割成複數個區塊之氣囊1216。氣囊1216亦可設於研磨台1211中作為追加或替代。氣囊1216係基板Wf之各區域用以調整研磨壓力的橡膠狀構件。氣囊1216係以體積藉由導入內部之流體壓力而變化的方式構成。另外，雖然是「氣」囊之名稱，不過亦可將空氣以外之流體，例如氮氣及純水導入氣囊1216。
研磨台1211上設有膜厚感測器1217。膜厚感測器1217係可測量形成於基板Wf上之膜的厚度或是基板本身厚度（以下合併兩者而簡稱為「膜厚」）之感測器。膜厚感測器1217例如可為渦流感測器、光學式感測器、其他感測器。渦流感測器主要對於金屬模等具有導電性之膜有效，此外，光學式感測器對具有透光性之膜有效。膜厚感測器1217典型而言係設置於研磨台1211之研磨中通過基板Wf中心的軌跡上之位置。不過，膜厚感測器1217亦可設於其他位置，例如基於精密測量基板Wf之邊緣部的目的，而設於研磨台1211的中心附近等。此外，膜厚感測器1217之數量亦可為1個，亦可為2個以上。另外，該膜厚感測器測量基板Wf上之被處理膜的膜厚之時間，每1點係μsec至msec等級，因而膜厚感測器1217通過基板Wf，時，可測量通過基板Wf面內之軌跡上複數點的膜厚分布。
各零件完全沒有尺寸誤差、安裝誤差及旋轉速度之誤差等時，且研磨台1211之旋轉速度與研磨頭1212的旋轉速度係指定之組合時，從基板Wf觀看之膜厚感測器1217的軌道限定於好幾條。一個例子如研磨台1211之旋轉速度係70rpm（70min-1 ）且研磨頭1212之旋轉速度係77rpm(77min-1 )時，從基板Wf觀看之膜厚感測器1217的軌道如第三圖所示。第三圖係以附箭頭之實線顯示膜厚感測器1217的軌道。該條件下，研磨台1211每旋轉1次膜厚感測器1217之軌道旋轉36度。換言之，從基板Wf觀看之膜厚感測器1217的軌道間隔θ係36度。因此，此時軌道數量成為10條（360（度）/36（度/條）＝10（條））。第三圖中註記之「1」～「10」的符號係表示膜厚感測器1217第1周之軌道～第10周之軌道的符號。
典型之膜厚感測器1217於通過基板Wf時，測量在通過基板面內之Wf中心的複數點上之膜厚。如第三圖所示，膜厚感測器1217藉由基板Wf與研磨台1211之旋轉數的組合，在基板Wf面內通過複數條軌道而且計測基板Wf上之被處理膜的膜厚。膜厚感測器1217之輸出信號具有如第四圖所示之輪廓（請注意第四圖係將半徑作為基準來規定基板上之位置）。一個例子為第四圖中代表顯示有3條軌道上的輸出信號。再者，如前述，膜厚感測器1217之軌道存在複數條。因而，可從膜厚感測器1217之輸出信號與複數條軌跡的組合生成表示膜厚對位置之依存性的圖像（參照第五圖）。該圖像亦即表示膜厚感測器1217對基板Wf整個被研磨面之輸出信號大小的圖像，在以下稱為「感測器輸出圖像」。另外，如後述，生成感測器輸出圖像並非必要事項。
感測器輸出圖像之資料點二維地位於基板Wf上，由於各資料點中記錄膜厚感測器1217之輸出信號，因此感測器輸出圖像成為三維資料（用以表示位置之二維及用以表示輸出信號之大小的一維，合計是三維）。感測器輸出圖像宜具有可將膜厚感測器1217之輸出信號的凹凸充分解像的解像度（資料點數）。例如，雖然也依據基板Wf之大小等各條件，不過感測器輸出圖像之資料點數宜為100點×100點以上。更宜為1000點×1000點以上。感測器輸出圖像之資料點亦可以rθ座標或其他座標，而並非以xy座標來表示。
感測器輸出圖像例如可藉由從膜厚感測器1217之實際輸出信號生成而取得。感測器輸出圖像在使基板研磨裝置1210動作狀態下，更具體而言，在使研磨台1211及研磨頭1212旋轉時，從膜厚感測器1217所輸出之信號生成。
生成感測器輸出圖像時，從基板Wf觀看之膜厚感測器1217的軌道間隔θ宜為可將膜厚感測器1217之輸出信號的凹凸充分解像的間隔。一個例子中，生成感測器輸出圖像時之研磨台1211及研磨頭1212的旋轉速度係構成從基板Wf觀看之膜厚感測器1217的軌道間隔θ為10度以下。例如，從基板Wf觀看之膜厚感測器1217的軌道間隔θ正好是2度時，軌道數量為180條（360（度）/2（度/條）＝180（條））。藉由膜厚感測器1217通過基板Wf上之多條軌道，就大致整個基板Wf輸出膜厚感測器1217之信號。可從就大致整個基板Wf之輸出信號生成感測器輸出圖像而取得。感測器輸出圖像亦可在基板Wf研磨中生成。感測器輸出圖像亦可在基板Wf之研磨步驟後生成。後者時，感測器輸出圖像之生成應在實質地不研磨基板Wf的條件下來執行。例如亦可在在研磨步驟結束後，從液體供給機構1213供給純水，在除去研磨液之狀態下，藉由使研磨台1211及研磨頭1212旋轉來執行。按照上述說明之方法時，可生成第五圖所示之感測器輸出圖像190。
在描繪於取得之感測器輸出圖像（例如第五圖之感測器輸出圖像190）的任意線上，可將膜厚感測器1217輸出之信號值輪廓化。另外，此處所謂之「線」不限於直線。因此，可從取得之感測器輸出圖像算出任意軌道上之輪廓。 ＜部分研磨裝置之詳情＞
第六圖係顯示一個實施形態之部分研磨裝置1000的立體圖。部分研磨裝置1000可為研磨部120之至少一部分。例如，第六圖之部分研磨裝置1000可為第一研磨裝置121～第四研磨裝置124之至少一個的至少一部分。一個實施形態之部分研磨裝置1000配置於基底面1002上。部分研磨裝置1000可設置於無圖示之框體內。
一個實施形態之部分研磨裝置1000具備向上保持基板Wf之載台400。載台400可以任意手段，例如藉由真空吸附來固定基板Wf。一個實施形態之部分研磨裝置1000在載台400周圍具備可上下運動之複數個上升銷402。上升銷402可為了從基板搬送裝置接收基板Wf，並將基板Wf放置於載台400而使用。部分研磨裝置1000亦可具備基板Wf用於定位之定位機構404。第六圖之定位機構404包含：定位銷（無圖示）與定位墊406。定位機構404可在上升銷402上裝載基板Wf之狀態下，藉由將定位墊406按壓於基板Wf來進行基板Wf之定位。
一個實施形態之部分研磨裝置1000具備檢測部408。檢測部408檢測配置於載台400上之基板Wf的位置。檢測部408例如可將基板Wf之凹槽或定向平面的位置作為基準來限定基板Wf之任意點。結果，可在希望之區域部分研磨。
載台400係構成可藉由旋轉驅動機構410以旋轉軸400A為中心而旋轉及/或角度旋轉。此處，所謂「旋轉」，係指在一定方向連續地旋轉；所謂「角度旋轉」，係指以指定之角度範圍在圓周方向運動（亦包含往返運動）。載台400亦可具備使保持之基板Wf平行移動的機構作為追加或替代。
一個實施形態之部分研磨裝置1000具備研磨頭500。研磨頭500可保持圓板形狀之研磨墊502。具體而言，研磨頭500以研磨墊502之側面朝向基板Wf的方式保持研磨墊502。在研磨墊502之中心插入有旋轉軸桿510。不過亦可使用圓板形狀以外之形狀，例如圓柱狀、球狀等研磨墊502。此外，研磨墊502以水平移動之方式構成時，研磨墊502亦可係立方體形狀等之形狀。
其他例如第七圖所示，部分研磨裝置1000亦可具備複數個研磨頭500。一個研磨頭500與基板Wf之中心間的距離、以及其他一個研磨頭500與基板Wf之中心間的距離相同時，部分研磨之研磨率應該約為兩倍。各個研磨頭500與基板Wf之中心間的距離不同時，可藉由複數個研磨頭500同時部分研磨不同之區域。
此處，研磨墊502例如以發泡聚氨酯系硬質墊、絨面革（Suede）軟質墊、或是海綿等形成。此處，為了減少在基板面內之被處理膜的膜厚分布偏差之控制及再處理中，研磨墊502與基板Wf之接觸區域愈小愈可對應各種偏差。此外，研磨墊之種類只須依研磨對象物之材質及應除去之區域的狀態而適當選擇即可。例如，除去對象區域係相同材料且具有局部凹凸時，有時消除階差性很重要，此種情況下，基於提高消除階差性能之目的，亦可使用硬質墊，亦即使用硬度及剛性高之墊作為研磨墊。另外，研磨對象物例如係Low-k膜等之機械強度低（弱）的材料時，及同時處理複數種材料時，為了減少被研磨面之損傷，亦可使用軟質墊。此外，使用如漿液之研磨液時，因為處理對象物之除去速度、有無發生損傷不能僅依研磨墊之硬度及剛性來決定，所以亦可適當選擇。此外，亦可在此等研磨墊之表面例如施加同心圓狀溝、XY溝、螺旋溝、放射狀溝之溝形狀。再者，亦可將至少1個以上貫穿研磨墊之孔設於研磨墊中，而通過該孔供給處理液。此外，研磨墊小而通過研磨墊供給研磨液困難時，例如亦可使保持手臂600握持研磨液供給噴嘴702，並與保持手臂600之搖動一起移動，此外，亦可與保持手臂600分開設置研磨液供給噴嘴702。此外，研磨墊例如亦可使用PVA海綿等處理液可滲透之海綿狀的材料。藉此，可達到處理液在研磨墊面內之流動分布均勻化及研磨所除去之副生成物可迅速排出。
一個實施形態之部分研磨裝置1000具備用以保持研磨頭500之保持手臂600。保持手臂600具備用以驅動研磨墊502之驅動機構，例如用以使研磨墊502旋轉之馬達。驅動機構可為可變更（調整）研磨墊502之旋轉速度的機構。其他例之驅動機構可為用以使研磨墊502水平移動之機構。
一個實施形態之部分研磨裝置1000具備用以使保持手臂600在對基板Wf表面垂直方向（第六圖中係z方向）移動的垂直驅動機構602。垂直驅動機構602在部分研磨基板Wf時亦可發揮作為用以將研磨墊502按壓於基板Wf之按壓機構的功能。
一個實施形態之部分研磨裝置1000具備用以使保持手臂600在對基板Wf表面水平方向（第六圖中係x方向及/或y方向）移動的水平驅動機構620。
一個實施形態之部分研磨裝置1000具備研磨液供給噴嘴702。研磨液供給噴嘴702流體地連接於研磨液，例如漿液之供給源（無圖示）。一個實施形態係研磨液供給噴嘴702保持於保持手臂600。此外，研磨液供給噴嘴702除了如漿液的研磨液之外，亦可供給純水、清洗藥劑。此外，部分研磨之除去量例如係在50nm以內，並宜在10nm以下，不過，須維持CMP後之被研磨面的狀態（平坦性及剩餘膜量）。此種膜厚及形狀之偏差量小達數nm～數十nm等級，不需要如通常之CMP的除去速度時，亦可藉由適切對研磨液進行稀釋等處理來進行研磨速度之調整。
一個實施形態之部分研磨裝置1000具備用以清洗基板Wf之清洗機構200。一個實施形態之清洗機構200具備：清洗頭202、清洗構件204、清洗頭保持手臂206、及沖洗噴嘴208。清洗構件204係構成可旋轉且可與基板Wf接觸，可清洗部分研磨後之基板Wf。作為追加或替代，清洗構件204亦可使用藉由超音波清洗、高壓水清洗、兩流體清洗等方法來清洗基板之構件。清洗構件204保持於清洗頭202。清洗頭202保持於清洗頭保持手臂206。清洗頭保持手臂206具備用以驅動清洗頭202及清洗構件204，例如使其旋轉之驅動機構。清洗頭保持手臂206進一步具備用以搖動清洗頭保持手臂206之搖動機構。沖洗噴嘴208連接於無圖示之清洗液供給源。清洗液例如可為純水、藥劑等。沖洗噴嘴208也可搖動。
一個實施形態之部分研磨裝置1000具備用以進行研磨墊502之調整的調整部800。調整部800具備保持修整器820之修整載台810。修整載台810可以與旋轉軸400A平行之軸為中心而旋轉。在將研磨墊502按壓於修整器820之狀態下，研磨墊502及修整器820旋轉時調整研磨墊502。修整載台810亦可直線運動作為追加或替代。
一個實施形態之部分研磨裝置1000具備第二調整器850。第二調整器850係用以調整研磨基板Wf中之研磨墊502的構件。第二調整器850在研磨墊502附近保持於保持手臂600。第二調整器850具備用以使調整構件852移動而按壓於研磨墊502之移動機構。例如，調整構件852係構成可在x方向移動。此外，調整構件852可構成藉由無圖示之驅動機構可在調整中旋轉運動或直線運動。
一個實施形態之部分研磨裝置1000具備控制部900。控制部900亦可係與控制部160及/或控制部1214相同者，亦可係另外設置之構件。 ＜關於膜厚感測器之輸出信號的利用＞
過去之部分研磨裝置1000係藉由設於部分研磨裝置1000之狀態檢測部檢測基板Wf之被處理膜的膜厚分布，並從檢測資料與目標膜厚分布算出應進行部分研磨之部位或區域的限定及研磨量。該方法在進行部分研磨前需要有狀態檢測步驟，此外，如前述，由於花費龐大測量時間，結果部分研磨之準備時間變長。因此，一個實施形態係從基板研磨裝置1210之膜厚感測器1217獲得的膜厚分布資料限定應部分研磨之區域及該區域之適當研磨量。採用該實施形態時，不需要事前之狀態檢測步驟，部分研磨裝置1000在接收基板Wf後隨即可開始部分研磨。不過，請注意並非排除部分研磨裝置1000具備狀態檢測部。
此外，一般而言，研磨量之偏差比起θ方向（基板Wf之周方向）係傾向於r方向（基板Wf之半徑方向），藉由基板研磨裝置1210對基板Wf研磨不足部分容易形成環狀。例如第四圖所示，在基板Wf之邊緣部分的附近容易發生研磨不足（膜厚容易變大）。因此，一個實施形態中，從膜厚感測器1217獲得之資料為使用將距基板中心之距離（r）作為一維，並將膜厚（t）作為另一維之二維的膜厚輪廓（以下稱「rt輪廓」）。該實施形態應部分研磨之區域成為環狀。該實施形態因為不使用θ方向之資訊，資訊處理量減少，且部分研磨裝置1000之動作的控制簡便，結果具有可減少部分研磨之需要時間的效果。另外，該實施形態由於不使用θ方向之資訊，因此也可能基板Wf之精密部分研磨困難。但是如前述，典型而言，由於研磨不足部分容易形成環狀，因此，不使用θ方向之資訊的不利較小。
首先，控制部（控制部160、控制部900、控制部1214之至少任何一個：以下不註記符號而簡稱為「控制部」）參照在某個軌道上之rt輪廓。rt輪廓中除了從膜厚感測器1217之實測值（參照第四圖）獲得的膜厚輪廓之外，還包含從感測器輸出圖像（參照第五圖）所抽出的膜厚輪廓。使用膜厚感測器1217之實測值時，並非必須生成感測器輸出圖像。另外，rt輪廓宜為在藉由基板研磨裝置1210的研磨步驟結束之前獲得者，或是藉由基板研磨裝置1210之研磨步驟結束後，例如從液體供給機構1213供給純水，而且在不研磨被處理膜狀態下獲得者。其次，控制部從膜厚感測器1217輸出之信號獲得的膜厚輪廓、與目標膜厚輪廓之差異，限定應部分研磨之區域，進一步算出該區域內之部分研磨量的分布。然後，控制部控制部分研磨裝置1000來研磨應部分研磨之區域。此處，部分研磨所研磨之區域藉由研磨墊直徑與寬度來決定，不過，因為研磨墊直徑及寬度遠比應部分研磨之區域小，所以在部分研磨中藉由累積部分研磨之區域在各半徑的研磨，來實施相當於部分研磨量分布的研磨。具體而言，在限定之基板Wf上應部分研磨的區域藉由水平驅動機構620而使研磨頭500移動。然後，藉由垂直驅動機構602將研磨墊502按壓於基板Wf上的被處理膜，並藉由研磨液供給噴嘴702供給研磨液，而且藉由用以驅動保持手臂600中之研磨墊502的馬達等驅動機構使研磨墊502旋轉，而且藉由載台400之旋轉驅動機構410使基板Wf旋轉，而且將基板Wf上之被處理膜指定研磨量研磨成環狀。到達指定研磨量時，藉由水平驅動機構620使研磨頭500移動至下一個半徑位置實施同樣之研磨。此處，於研磨頭移動時，當研磨頭之移動量大，或是部分研磨之區域在半徑方向不連續地存在時，亦可暫時停止研磨墊502之旋轉及基板Wf在載台400上的旋轉而移動，此外，當研磨頭之移動量小，或是部分研磨之區域在半徑方向連續地存在時，亦可使研磨墊502之旋轉及基板Wf在載台400上之旋轉繼續而且移動。另外，該移動時亦可使研磨墊暫時移動至調整部800，實施研磨墊502之研磨面的調整後，再移動至下一個半徑位置。
上述控制中，亦可僅使用在1個軌道上之rt輪廓。此時之優點為需處理之資訊量少。另外亦可使用在複數條軌道上之rt輪廓。此時具有可減少膜厚感測器1217之測量值的誤差或是輪廓上之異常值的影響效果。使用複數條軌道上之rt輪廓時，亦可從各輪廓在各半徑之各膜厚的平均值求出作為代表膜厚輪廓之rt輪廓。其他例，亦可從複數個各rt輪廓中具有最大平均膜厚之輪廓，與具有最小平均膜厚之輪廓的平均值求出作為代表膜厚輪廓之rt輪廓。又其他例，亦可將複數個各輪廓中膜厚成為中央值之輪廓作為代表膜厚輪廓的rt輪廓。無意圖限定之一例，可在基板Wf上，於周方向未形成週期性之膜厚分布的圖案時，使用從各輪廓之平均值求出之作為代表膜厚輪廓的rt輪廓。此外，無意圖限定之又其他例，亦可在基板Wf上形成有非週期性之膜厚分布的圖案時，使用從最大膜厚－最小膜厚之平均值或中央值求出的作為代表膜厚輪廓之rt輪廓。
此外，如前述，如在基板Wf之邊緣部分附近發生研磨不足的情況，應部分研磨之區域分布於限定之範圍內時，亦可僅使用rt輪廓中相當於邊緣部分附近之部分。此處，所謂邊緣部分附近，例如係相當於基板之半徑的80％以上，100％以下之區域，例如相當於90％以上，100％以下之區域，例如相當於95％以上，100％以下之區域。邊緣部分附近之上限亦可設定成比基板之半徑的100％低之值。例如直徑為300mm之基板時，可為基板Wf之半徑上130mm以上的區域。
就上述之控制使用第九圖進行圖解。第九圖左側所示之曲線圖與第四圖幾乎相同，不過，不同之處為基板Wf之半徑的a(mm)以上，b(mm)以下之區域係作為「限定區域」而限定。該「限定區域」係從rt輪廓抽出。第九圖之右側所示的曲線圖顯示從rt輪廓之「限定區域」抽出的部分。控制部於抽出步驟後，可算出代表膜厚輪廓。例如，第九圖右側之曲線圖中顯示有3個rt輪廓、與作為該3個輪廓之平均值而求出的代表膜厚輪廓（代表膜厚分布）。亦可藉由前述之其他方法算出代表膜厚輪廓。
限定應部分研磨之區域及部分研磨量時，可比較rt輪廓、與事先設定之目標膜厚值或目標膜厚輪廓（以下，有時簡稱為「目標膜厚」）。控制部判斷為在rt輪廓上某處之膜厚比目標膜厚更厚時，亦可限定該處作為應部分研磨之區域。另外，就目標膜厚亦可具有一定量之容許誤差，判斷為膜厚之厚度超過容許誤差範圍時，亦可將該處限定為應部分研磨之區域。控制部可將rt輪廓與目標膜厚之差限定為部分研磨量。部分研磨之區域在各半徑的部分研磨量，亦可藉由調整基板Wf之旋轉速度來控制研磨墊502之滯留時間進行控制，此外，在研磨墊502與基板Wf接觸中，可藉由使基板Wf旋轉複數次之累積研磨量來控制。兩者皆在事前取得研磨墊502、基板Wf之旋轉條件及研磨墊502之按壓條件、以及如漿液之研磨液的種類、對希望之膜厚及凹凸狀態的研磨速度，作為資料庫而儲存於控制部中，於設定研磨條件時亦可自動算出。亦可依據該研磨速度決定研磨墊502之滯留時間及基板Wf的轉數。基板Wf之旋轉次數例如可藉由檢測部408事前檢測基板Wf之凹槽等的標記，可藉由將該標記作為基準進行旋轉等來算出。目標膜厚可從事前輸入之研磨配方來算出或決定。
就上述之控制使用第十圖進行圖解。第十圖左側所示之曲線圖顯示有代表膜厚輪廓（參照第九圖右側）與目標膜厚輪廓（虛線）。本例中之目標膜厚輪廓在任何半徑位置皆為相同值。其他例為目標膜厚輪廓亦可依半徑位置而具有不同之值。其次，控制部藉由從代表膜厚輪廓減去目標膜厚輪廓算出目標研磨量（顯示於第十圖右側之曲線圖）。另外，算出結果為負值時，由於在該處（區域）不需要部分研磨，因此在該處（區域）之目標研磨量為零或大致為零。控制部按照如此獲得之目標研磨量來控制部分研磨裝置1000。
將藉由基板處理裝置100研磨基板的方法之一例顯示於第八圖的流程圖。另外，請注意第八圖只不過是一例，還可刪除、追加步驟、變更內容、變更順序等。此外，第八圖所示之步驟中的一些步驟亦可同時或是並列執行。例如，藉由基板研磨裝置1210研磨基板Wf亦可不依據配方，配方之輸入（步驟S1）可在對基板研磨裝置1210搬送基板Wf（步驟S2）之後、與搬送同時或是與搬送並列地執行。例如，亦可刪除供給水而且測量基板Wf之膜厚的步驟（步驟S4），而代之以從在步驟S3中之膜厚感測器1217的輸出信號取得rt輪廓。此外，還可適用各種變更。各個步驟亦可藉由控制部等自動控制，亦可藉由作業人員以人工來執行。 步驟S1：
在基板研磨裝置1210中輸入基板Wf之處理配方。處理配方亦可由作業人員隨時輸入，亦可讀取記憶於控制部（之記憶部）的配方。此處，係基板研磨裝置、部分研磨裝置、清洗裝置、乾燥裝置分別具有處理配方。此外，各配方由複數個處理步驟構成，各步驟中之參數，例如就基板研磨裝置係研磨台1211及研磨頭1212之旋轉數、基板Wf對研磨墊1215之按壓壓力、來自液體供給機構1213之研磨液的供給流量、各步驟之處理時間、藉由膜厚感測器1217測量基板Wf之膜厚的條件等。此外，就部分研磨模組則有各步驟之處理時間、研磨墊502對基板Wf或對配置於修整台之修整器的接觸壓力或負荷、研磨墊502及基板Wf之旋轉數、研磨頭500在基板Wf之半徑方向的移動速度、來自研磨液供給噴嘴702之研磨液流量、修整載台810之旋轉數等。此外，由於基板研磨裝置、部分研磨裝置、清洗裝置、乾燥裝置間之基板Wf的搬送路徑依程序而異，因此亦可設定此等元件之搬送路徑。 步驟S2：
例如，藉由搬送機器人112等將基板Wf從載入、卸載部110搬送至基板研磨裝置1210。搬送至基板研磨裝置1210之基板安裝於研磨頭1212，並按壓於研磨墊1215。 步驟S3：
依據在步驟S1所輸入之配方，藉由基板研磨裝置1210研磨基板Wf。如前述，研磨基板Wf時，從液體供給機構1213供給漿液等液體，且使研磨台1211及研磨頭1212之至少一方，並宜使兩者旋轉。藉由膜厚感測器1217監控膜厚，當膜厚到達指定值時步驟S3結束。 步驟S4：
藉由步驟S3研磨基板Wf後，藉由膜厚感測器1217測量基板Wf之膜厚輪廓。該步驟例如係從液體供給機構1213供給水（純水），而且藉由膜厚感測器1217測量基板Wf之膜厚輪廓，並算出rt輪廓。在步驟S4中亦可生成感測器輸出圖像。另外，基板研磨裝置1210在步驟S4中之動作亦可兼清洗基板Wf。 步驟S5：
藉由將在步驟S4所算出之rt輪廓與目標研磨輪廓比較，限定應部分研磨之區域及部分研磨量。rt輪廓如前述係從膜厚感測器1217之測量值或感測器輸出圖像獲得（參照步驟S4）。限定應部分研磨之區域及部分研磨量時，亦可使用在步驟S1所輸入之配方的資訊。 步驟S6：
從研磨頭1212取出基板Wf，並將基板Wf從基板研磨裝置1210搬送至部分研磨裝置1000。此時，可使用基板搬送單元140及搬送機器人131等搬送裝置。 步驟S7：
使用部分研磨裝置1000在藉由步驟S5所限定之區域執行限定量的部分研磨。如前述，藉由部分研磨裝置1000部分研磨之區域成為環狀時，在步驟S7中，可依據步驟S1所設定之參數來控制載台400、研磨頭500、保持手臂600等。 步驟S8：
部分研磨結束後，從部分研磨裝置1000搬出基板Wf。搬出時可使用基板搬送單元140等。然後，可藉由基板清洗、乾燥部150執行基板Wf之清洗及基板Wf的乾燥。又然後，基板Wf可經由載入、卸載部110而從基板處理裝置100卸載。
以上，係說明本發明幾個實施形態。上述實施形態係為了容易理解本發明者，而並非限定本發明者。本發明在不脫離其旨趣範圍內可變更及改良，並且本發明中包含其等效物。此外，在可解決上述問題之至少一部分的範圍，或是可達到效果之至少一部分的範圍內，記載於申請專利範圍及說明書之各元件可任意組合或省略。
本申請案之一個實施形態為揭示在基板處理裝置中限定藉由部分研磨裝置應部分研磨之區域的方法，且係在基板處理裝置中，該基板處理裝置具備：基板研磨裝置，其係用以研磨形成在基板至少一表面的被處理膜的整個面，且具備膜厚感測器；及部分研磨裝置，其係用以進一步地部分研磨由基板研磨裝置所研磨之基板的被處理膜；根據基板研磨裝置之膜厚感測器獲得的被處理膜之膜厚分布資料，限定藉由部分研磨裝置應部分研磨之區域。基板研磨裝置按壓於配置在研磨台上之研磨墊，藉由液體供給機構供給漿液，而且使基板與研磨墊相對運動，可藉由化學機械研磨來研磨被處理膜。膜厚感測器可為測量被處理膜在基板面內之膜厚分布。
該方法作為一例可達到迅速掌握CMP後基板上之被處理膜的膜厚分布，進而實現基板高處理速度之效果。
再者，本申請案一個實施形態為揭示一種方法，其中從膜厚感測器獲得之被處理膜的膜厚分布資料，係將基板中心起之半徑作為一維，並將被處理膜之膜厚作為另一維的二維膜厚輪廓。
再者，本申請案一個實施形態為揭示一種方法，其中在限定應部分研磨之區域中，係使用複數個膜厚輪廓所算出的代表膜厚輪廓，來限定對基板之半徑方向應部分研磨的區域。
再者，本申請案一個實施形態為揭示一種方法，其中在使用代表膜厚輪廓限定應部分研磨之區域的階段，就複數個膜厚輪廓係藉由在各半徑之各膜厚的平均值算出代表膜厚輪廓，並使用算出之代表膜厚輪廓限定對基板之半徑方向應部分研磨的區域。
再者，本申請案一個實施形態為揭示一種方法，其中膜厚輪廓係從膜厚感測器之實測值獲得的膜厚輪廓，或是從膜厚感測器輸出之信號所生成的感測器輸出圖像抽出之膜厚輪廓。
再者，本申請案一個實施形態為揭示一種方法，其中藉由比較膜厚輪廓與事先設定之目標膜厚輪廓，限定對基板之半徑方向應部分研磨的區域。
再者，本申請案一個實施形態為揭示一種方法，其中藉由膜厚輪廓或代表膜厚輪廓與目標膜厚輪廓之差異，進一步限定應部分研磨之區域的研磨量分布。
再者，本申請案一個實施形態為揭示一種方法，其中從膜厚感測器獲得之資料係藉由基板研磨裝置研磨被處理膜結束後，通過膜厚感測器運作，同時從基板研磨裝置之液體供給機構向研磨墊供給水，而所獲得的資料。被處理膜之研磨可藉由漿液來進行。
再者，本申請案一個實施形態為揭示一種方法，其中基板研磨裝置在研磨台上具備複數個膜厚感測器。
再者，本申請案一個實施形態揭示一種基板處理裝置，係具備：基板研磨裝置，其係用以研磨形成在基板至少一表面的被處理膜的整個面，且具備：研磨台，其係安裝研磨墊；基板保持部，其係保持基板，並將被處理面按壓於研磨墊；及膜厚感測器，其係測量被處理膜在基板面內之膜厚分布；並可使基板與研磨墊相對運動；部分研磨裝置，其係用以進一步地部分研磨由基板研磨裝置所研磨之基板的被處理膜；及控制部；控制部根據基板研磨裝置之膜厚感測器獲得的被處理膜之膜厚分布資料，限定藉由部分研磨裝置應部分研磨之區域。基板研磨裝置可具備在研磨墊上供給漿液、純水或藥劑之任何一個的液體供給機構。
再者，本申請案一個實施形態揭示一種基板處理裝置，其中從膜厚感測器獲得之被處理膜的膜厚分布資料，係將基板中心起之半徑作為一維，並將膜厚作為另一維的二維膜厚輪廓。
再者，本申請案一個實施形態揭示一種基板處理裝置，其中具備：清洗裝置，其係清洗經基板研磨裝置或部分研磨裝置研磨後之基板；乾燥裝置，其係在清洗基板後，使該基板乾燥；及搬送裝置，其係在基板研磨裝置、部分研磨裝置、清洗裝置及乾燥裝置間搬送基板；控制部控制基板研磨裝置、部分研磨裝置、清洗裝置、乾燥裝置及搬送裝置之動作。
100:基板處理裝置 110:載入、卸載部 111:FOUP 112:搬送機器人 120:研磨部 121:第一研磨裝置 122:第二研磨裝置 123:第三研磨裝置 124:第四研磨裝置 130:基板搬送單元 131:搬送機器人 132:工作站 140:基板搬送單元 150:基板清洗、乾燥部 151:第一清洗模組 152:第二清洗模組 153:乾燥模組 154:第一清洗部搬送機器人 155:第二清洗部搬送機器人 160:控制部 190:感測器輸出圖像 200:清洗機構 202:清洗頭 204:清洗構件 206:清洗頭保持手臂 208:沖洗噴嘴 400:載台 400A:旋轉軸 402:上升銷 404:定位機構 406:定位墊 408:檢測部 410:旋轉驅動機構 500:研磨頭 502:研磨墊 510:旋轉軸桿 600:保持手臂 602:垂直驅動機構 620:水平驅動機構 702:研磨液供給噴嘴 800:調整部 810:修整載台 820:修整器 850:第二調整器 852:調整構件 900:控制部 1000:部分研磨裝置 1002:基底面 1210:基板研磨裝置 1211:研磨台 1212:研磨頭 1213:液體供給機構 1214:控制部 1215:研磨墊 1216:氣囊 1217:膜厚感測器 I/O:輸入輸出裝置 PRO:處理器 STO:儲存裝置 Wf:基板
第一圖係基板處理裝置之俯視圖。 第二圖係基板研磨裝置之前視圖。 第三圖係顯示從基板觀看之膜厚感測器的軌道圖。 第四圖係模式顯示膜厚感測器輸出之信號的輪廓之曲線圖。 第五圖係感測器輸出圖像之模式圖。 第六圖係部分研磨裝置之立體圖。 第七圖係顯示複數個研磨頭之模式圖。 第八圖係顯示藉由基板處理裝置研磨基板之方法的一例之流程圖。 第九圖係顯示藉由控制部處理之一例的曲線圖。 第十圖係顯示藉由控制部處理之一例的曲線圖。

Claims (16)

  1. 一種在基板處理裝置中限定藉由部分研磨裝置應部分研磨之區域的方法，其中： 該基板處理裝置具備： 基板研磨裝置，其係用以研磨形成在基板至少一表面上被處理膜的整個面，且具備一膜厚感測器；及 部分研磨裝置，其係用以進一步地部分研磨由前述基板研磨裝置所研磨之基板的前述被處理膜； 根據前述基板研磨裝置之前述膜厚感測器獲得的被處理膜之膜厚分布資料，限定由前述部分研磨裝置應部分研磨之區域。
  2. 如請求項1之方法，其中前述基板研磨裝置將整個前述被處理膜按壓於配置在研磨台上之研磨墊，藉由液體供給機構供給漿液，而且使前述基板與前述研磨墊相對運動，而藉由化學機械研磨來研磨前述被處理膜。
  3. 如請求項1之方法，其中前述膜厚感測器測量前述被處理膜在前述基板面內之膜厚分布。
  4. 如請求項1之方法，其中從前述膜厚感測器獲得之被處理膜的膜厚分布資料，係將基板中心起之半徑作為一維，並將被處理膜之膜厚作為另一維的二維膜厚輪廓。
  5. 如請求項4之方法，其中在限定前述應部分研磨之區域中，係使用複數個前述膜厚輪廓所算出的代表膜厚輪廓，來限定對基板之半徑方向應部分研磨的區域。
  6. 如請求項5之方法，其中在前述使用代表膜厚輪廓限定應部分研磨之區域的階段，就複數個前述膜厚輪廓係藉由在各半徑之各膜厚的平均值算出代表膜厚輪廓，並使用算出之代表膜厚輪廓限定對基板之半徑方向應部分研磨的區域。
  7. 如請求項4之方法，其中前述膜厚輪廓係從前述膜厚感測器之實測值獲得的膜厚輪廓，或是從前述膜厚感測器輸出之信號所生成的感測器輸出圖像抽出之膜厚輪廓。
  8. 如請求項4之方法，其中藉由比較前述膜厚輪廓與事先設定之目標膜厚輪廓，限定對基板之半徑方向應部分研磨的區域。
  9. 如請求項8之方法，其中藉由前述膜厚輪廓或代表膜厚輪廓與前述目標膜厚輪廓之差異，進一步限定應部分研磨之區域的研磨量分布。
  10. 如請求項1之方法，其中從前述膜厚感測器獲得之資料係，藉由前述基板研磨裝置研磨前述被處理膜結束後，通過前述膜厚感測器運行，同時從前述基板研磨裝置之前述液體供給機構向前述研磨墊供給水，而所獲得的資料。
  11. 如請求項10之方法，其中係藉由漿液來進行前述被處理膜之研磨。
  12. 如請求項1之方法，其中前述基板研磨裝置在前述研磨台上具備複數個前述膜厚感測器。
  13. 一種基板處理裝置，係具備： 基板研磨裝置，其係用以研磨形成在基板至少一表面的被處理膜的整個面，且具備： 研磨台，其係安裝研磨墊； 基板保持部，其係保持前述基板，並將前述被處理面按壓於前述研磨墊；及 膜厚感測器，其係測量前述被處理膜在前述基板面內之膜厚分布；並可使前述基板與前述研磨墊相對運動； 部分研磨裝置，其係用以進一步部分研磨藉由前述基板研磨裝置所研磨之基板的前述被處理膜；及 控制部； 其中前述控制部根據前述基板研磨裝置之前述膜厚感測器獲得的被處理膜之膜厚分布資料，限定藉由前述部分研磨裝置應部分研磨之區域。
  14. 如請求項13之基板處理裝置，其中從前述膜厚感測器獲得之被處理膜的膜厚分布資料，係將基板中心起之半徑作為一維，並將膜厚作為另一維的二維膜厚輪廓。
  15. 如請求項13之基板處理裝置，其中前述基板處理裝置具備在前述研磨墊上供給漿液、純水或藥劑之任何一個的液體供給機構。
  16. 如請求項13之基板處理裝置，其中具備： 清洗裝置，其係清洗經前述基板研磨裝置或前述部分研磨裝置研磨後之前述基板； 乾燥裝置，其係在清洗前述基板後，使該基板乾燥；及 搬送裝置，其係在前述基板研磨裝置、前述部分研磨裝置、前述清洗裝置及前述乾燥裝置間搬送前述基板； 前述控制部控制前述基板研磨裝置、前述部分研磨裝置、前述清洗裝置、前述乾燥裝置及前述搬送裝置之動作。
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