JP5980476B2 - ポリッシング装置およびポリッシング方法 - Google Patents
ポリッシング装置およびポリッシング方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5980476B2 JP5980476B2 JP2010289209A JP2010289209A JP5980476B2 JP 5980476 B2 JP5980476 B2 JP 5980476B2 JP 2010289209 A JP2010289209 A JP 2010289209A JP 2010289209 A JP2010289209 A JP 2010289209A JP 5980476 B2 JP5980476 B2 JP 5980476B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- optical head
- polishing
- light
- film thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 286
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 353
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 285
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 116
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 54
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 42
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 26
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 9
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 145
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 26
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 6
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000012625 in-situ measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/26—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping pad surface, e.g. grooved
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
- B24B37/013—Devices or means for detecting lapping completion
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
- B24B37/10—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/12—Lapping plates for working plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/205—Lapping pads for working plane surfaces provided with a window for inspecting the surface of the work being lapped
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/12—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving optical means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02013—Grinding, lapping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
- H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
- H01L22/26—Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
Description
本発明の好ましい態様は、前記第二の光学ヘッドは、前記研磨テーブルの半径方向に関して、前記第一の光学ヘッドよりも内側に配置されていることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記第二の光学ヘッドは、前記第一の光学ヘッドが前記基板の表面の下にないときに、前記基板の周縁部を横切りながら、前記基板の周縁部に光を照射し、かつ前記基板の周縁部からの反射光を受光することを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記トップリングは、前記基板の中心部および周縁部を前記研磨パッドに対して独立に押し付ける機構を有しており、前記ポリッシング装置は、前記基板の前記中心部における膜厚と、前記基板の前記周縁部における膜厚に基づいて、前記基板の前記中心部および前記周縁部に対する前記トップリングの荷重を決定する制御部をさらに備えたことを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記研磨パッドは、前記第一の光学ヘッドおよび前記第二の光学ヘッドに対応する位置に2つの通孔を有することを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記基板の周縁部は、該基板の最も外側にある環状の部位であり、その幅は10mm〜20mmであること特徴とする。
12,12a,12b 受光部
13A,13B,13C 光学ヘッド
14,14a,14b 分光器
15 処理部
16,16a,16b 光源
20 研磨テーブル
22 研磨パッド
24 トップリング
25 研磨液供給機構
28 トップリングシャフト
30A,30B 孔
31A,31B 通孔
32 ロータリージョイント
33 液体供給路
34 液体排出路
35 液体供給源
40A,40B 光スイッチ
45A,45B 透明窓
Claims (19)
- 膜を有する基板を研磨パッドに摺接させて該基板を研磨するポリッシング装置であって、
前記研磨パッドを保持するための回転可能な研磨テーブルと、
前記基板を保持し、該基板の表面を前記研磨パッドに対して押圧するトップリングと、
光を発する少なくとも1つの光源と、
前記光源からの光を前記基板の表面に照射し、前記基板からの反射光を受光する第一の光学ヘッドと、
前記光源からの光を前記基板の表面に照射し、前記基板からの反射光を受光する第二の光学ヘッドと、
前記第一の光学ヘッドおよび前記第二の光学ヘッドにより受光された反射光の各波長での強度を測定する少なくとも1つの分光器と、
前記分光器により測定された反射光の各波長での強度から、反射光の強度と波長との関係を示すスペクトルを生成し、該スペクトルから前記基板の膜厚を決定する処理部とを備え、
前記第一の光学ヘッドは、前記トップリングに保持された前記基板の中心に対向するように配置され、
前記第二の光学ヘッドは、前記トップリングに保持された前記基板の周縁部に対向するように配置されており、
前記第一の光学ヘッドと前記第二の光学ヘッドは、前記研磨テーブル内に配置され、かつ前記研磨テーブルの周方向において異なる位置に配置されており、
前記第一の光学ヘッドと前記第二の光学ヘッドは、異なる時間に前記基板の表面を横切りながら、交互に前記基板の表面に光を照射し、前記基板の表面からの反射光を受光するように配置されており、
前記第一の光学ヘッドは、前記研磨テーブルが回転するたびに、前記基板の中心を通る軌跡を描いて前記基板の表面を横切りながら、該基板の径方向に分布する複数の第一の測定点において前記基板の表面に光を照射し、前記基板の表面からの反射光を受光し、
前記第二の光学ヘッドは、前記研磨テーブルが回転するたびに、前記基板の周縁部のみを通る軌跡を描きながら、該基板の周縁部上の複数の第二の測定点において前記基板の周縁部に光を照射し、前記基板の周縁部からの反射光を受光し、
前記複数の第二の測定点は、前記基板の半径方向において該基板の中心から異なる距離に位置していることを特徴とするポリッシング装置。 - 前記第二の光学ヘッドは、前記研磨テーブルの半径方向に関して、前記第一の光学ヘッドよりも外側に配置されていることを特徴とする請求項1に記載のポリッシング装置。
- 前記第二の光学ヘッドは、前記研磨テーブルの半径方向に関して、前記第一の光学ヘッドよりも内側に配置されていることを特徴とする請求項1に記載のポリッシング装置。
- 前記第二の光学ヘッドは、前記第一の光学ヘッドが前記基板の表面の下にないときに、前記基板の周縁部を横切りながら、前記基板の周縁部に光を照射し、かつ前記基板の周縁部からの反射光を受光することを特徴とする請求項1に記載のポリッシング装置。
- 前記第一の光学ヘッドと前記研磨テーブルの中心とを結ぶ線と、前記第二の光学ヘッドと前記研磨テーブルの中心とを結ぶ線とがなす角度は実質的に180度であることを特徴とする請求項1に記載のポリッシング装置。
- 前記トップリングは、前記基板の中心部および周縁部を前記研磨パッドに対して独立に押し付ける機構を有しており、
前記ポリッシング装置は、前記基板の前記中心部における膜厚と、前記基板の前記周縁部における膜厚に基づいて、前記基板の前記中心部および前記周縁部に対する前記トップリングの荷重を決定する制御部をさらに備えたことを特徴とする請求項1に記載のポリッシング装置。 - 前記研磨パッドは、前記第一の光学ヘッドおよび前記第二の光学ヘッドに対応する位置に2つの通孔を有することを特徴とする請求項1に記載のポリッシング装置。
- 前記複数の第二の測定点の数は、前記第一の光学ヘッドの前記基板の周縁部での測定点の数よりも多いことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載のポリッシング装置。
- 前記処理部は、前記第一の光学ヘッドを用いて取得された膜厚を前記基板の周縁部を除く部位に割り当て、前記第二の光学ヘッドを用いて取得された膜厚を前記基板の周縁部に割り当てることにより、前記基板の膜厚プロファイルを作成することを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載のポリッシング装置。
- 前記基板の周縁部は、該基板の最も外側にある環状の部位であり、その幅は10mm〜20mmであること特徴とする請求項1乃至9のいずれか一項に記載のポリッシング装置。
- 膜を有する基板を研磨パッドに摺接させて該基板を研磨するポリッシング方法であって、
前記研磨パッドを保持する研磨テーブルを回転させ、
前記回転する研磨パッドに対して前記基板の表面を押圧し、
前記研磨テーブルが回転するたびに、第一の光学ヘッドが前記基板の中心を通る軌跡を描いて前記基板の表面を横切りながら、該基板の径方向に分布する複数の第一の測定点において前記第一の光学ヘッドにより前記基板の表面に光を照射し、前記基板の表面からの反射光を受光し、
前記研磨テーブルが回転するたびに、第二の光学ヘッドが前記基板の周縁部のみを通る軌跡を描きながら、該基板の周縁部上の複数の第二の測定点において前記第二の光学ヘッドにより前記基板の周縁部に光を照射し、前記基板の周縁部からの反射光を受光し、
前記第一の光学ヘッドおよび前記第二の光学ヘッドにより受光された反射光の各波長での強度を測定し、
測定された強度から、反射光の強度と波長との関係を示すスペクトルを生成し、
前記スペクトルから前記基板の膜厚を決定する工程を含み、
前記第一の光学ヘッドと前記第二の光学ヘッドは、前記研磨テーブル内に配置され、かつ前記研磨テーブルの周方向において異なる位置に配置されており、
前記第一の光学ヘッドと前記第二の光学ヘッドは、異なる時間に前記基板の表面を横切りながら、交互に前記基板の表面に光を照射し、前記基板の表面からの反射光を受光するように配置されており、
前記複数の第二の測定点は、前記基板の半径方向において該基板の中心から異なる距離に位置していることを特徴とするポリッシング方法。 - 前記第二の光学ヘッドは、前記第一の光学ヘッドが前記基板の表面の下にないときに、前記基板の周縁部を横切りながら、前記基板の周縁部に光を照射し、かつ前記基板の周縁部からの反射光を受光することを特徴とする請求項11に記載のポリッシング方法。
- 前記基板の周縁部は、該基板の最も外側にある環状の部位であり、その幅は10mm〜20mmであること特徴とする請求項11に記載のポリッシング方法。
- 前記複数の第二の測定点の数は、前記第一の光学ヘッドの前記基板の周縁部での測定点の数よりも多いことを特徴とする請求項11乃至13のいずれか一項に記載のポリッシング方法。
- 前記第一の光学ヘッドを用いて取得された膜厚を前記基板の周縁部を除く部位に割り当て、前記第二の光学ヘッドを用いて取得された膜厚を前記基板の周縁部に割り当てることにより、前記基板の膜厚プロファイルを作成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項11乃至14のいずれか一項に記載のポリッシング方法。
- 膜を有する基板を研磨パッドに摺接させて該基板を研磨するポリッシング方法であって、
前記研磨パッドを保持する研磨テーブルを回転させ、
前記回転する研磨パッドに対して前記基板の表面を押圧し、
前記研磨テーブルが回転するたびに、第一の光学ヘッドが前記基板の中心を通る軌跡を描いて前記基板の表面を横切りながら、該基板の径方向に分布する複数の第一の測定点において前記第一の光学ヘッドにより前記基板の表面に光を照射し、前記基板の表面からの反射光を受光し、
前記研磨テーブルが回転するたびに、第二の光学ヘッドが前記基板の周縁部のみを通る軌跡を描きながら、該基板の周縁部上の複数の第二の測定点において前記第二の光学ヘッドにより前記基板の周縁部に光を照射し、前記基板の周縁部からの反射光を受光し、
前記第一の光学ヘッドおよび前記第二の光学ヘッドにより受光された反射光の各波長での強度を測定し、
測定された強度から、反射光の強度と波長との関係を示すスペクトルを生成し、
前記スペクトルから前記基板の膜厚を決定する工程を含み、
前記第一の光学ヘッドおよび前記第二の光学ヘッドは、略一定の時間間隔で交互に前記基板の表面に光を照射し、かつ前記基板からの反射光を受光するように配置されており、
前記複数の第二の測定点は、前記基板の半径方向において該基板の中心から異なる距離に位置していることを特徴とするポリッシング方法。 - 前記複数の第二の測定点の数は、前記第一の光学ヘッドの前記基板の周縁部での測定点の数よりも多いことを特徴とする請求項16に記載のポリッシング方法。
- 前記第一の光学ヘッドを用いて取得された膜厚を前記基板の周縁部を除く部位に割り当て、前記第二の光学ヘッドを用いて取得された膜厚を前記基板の周縁部に割り当てることにより、前記基板の膜厚プロファイルを作成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項16または17に記載のポリッシング方法。
- 前記基板の周縁部は、該基板の最も外側にある環状の部位であり、その幅は10mm〜20mmであること特徴とする請求項16乃至18のいずれか一項に記載のポリッシング方法。
Priority Applications (16)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010289209A JP5980476B2 (ja) | 2010-12-27 | 2010-12-27 | ポリッシング装置およびポリッシング方法 |
US13/330,881 US9401293B2 (en) | 2010-12-27 | 2011-12-20 | Polishing apparatus and polishing method |
TW107118720A TWI702668B (zh) | 2010-12-27 | 2011-12-23 | 磨光裝置 |
KR1020110140782A KR101739074B1 (ko) | 2010-12-27 | 2011-12-23 | 폴리싱 장치 및 폴리싱 방법 |
TW100148258A TWI538076B (zh) | 2010-12-27 | 2011-12-23 | 磨光裝置、磨光方法及磨光墊 |
TW109124274A TWI729884B (zh) | 2010-12-27 | 2011-12-23 | 磨光墊 |
TW105113929A TWI629735B (zh) | 2010-12-27 | 2011-12-23 | 磨光裝置 |
TW109124275A TWI724945B (zh) | 2010-12-27 | 2011-12-23 | 磨光裝置 |
US14/808,252 US9969048B2 (en) | 2010-12-27 | 2015-07-24 | Polishing apparatus |
US15/215,343 US20160325399A1 (en) | 2010-12-27 | 2016-07-20 | Polishing apparatus |
JP2016146959A JP6208299B2 (ja) | 2010-12-27 | 2016-07-27 | ポリッシング装置 |
KR1020170061009A KR101868503B1 (ko) | 2010-12-27 | 2017-05-17 | 폴리싱 장치 및 폴리싱 방법 |
US15/949,960 US10343255B2 (en) | 2010-12-27 | 2018-04-10 | Polishing apparatus |
KR1020180047966A KR101966274B1 (ko) | 2010-12-27 | 2018-04-25 | 폴리싱 장치 및 폴리싱 방법 |
KR1020190036506A KR102017770B1 (ko) | 2010-12-27 | 2019-03-29 | 폴리싱 장치 및 폴리싱 방법 |
KR1020190036511A KR102025784B1 (ko) | 2010-12-27 | 2019-03-29 | 폴리싱 장치 및 폴리싱 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010289209A JP5980476B2 (ja) | 2010-12-27 | 2010-12-27 | ポリッシング装置およびポリッシング方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016146959A Division JP6208299B2 (ja) | 2010-12-27 | 2016-07-27 | ポリッシング装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012138442A JP2012138442A (ja) | 2012-07-19 |
JP2012138442A5 JP2012138442A5 (ja) | 2014-02-13 |
JP5980476B2 true JP5980476B2 (ja) | 2016-08-31 |
Family
ID=46317752
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010289209A Active JP5980476B2 (ja) | 2010-12-27 | 2010-12-27 | ポリッシング装置およびポリッシング方法 |
JP2016146959A Active JP6208299B2 (ja) | 2010-12-27 | 2016-07-27 | ポリッシング装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016146959A Active JP6208299B2 (ja) | 2010-12-27 | 2016-07-27 | ポリッシング装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US9401293B2 (ja) |
JP (2) | JP5980476B2 (ja) |
KR (5) | KR101739074B1 (ja) |
TW (5) | TWI724945B (ja) |
Families Citing this family (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010173052A (ja) * | 2009-02-02 | 2010-08-12 | Sumco Corp | 研磨パッド厚測定方法、および研磨パッド厚測定装置 |
US8545289B2 (en) * | 2011-04-13 | 2013-10-01 | Nanya Technology Corporation | Distance monitoring device |
JP2013222856A (ja) * | 2012-04-17 | 2013-10-28 | Ebara Corp | 研磨装置および研磨方法 |
KR101387980B1 (ko) * | 2012-11-22 | 2014-04-22 | 주식회사 케이씨텍 | 화학 기계적 연마 시스템의 웨이퍼 막두께 모니터링 장치 및 방법 |
USD731448S1 (en) | 2013-10-29 | 2015-06-09 | Ebara Corporation | Polishing pad for substrate polishing apparatus |
KR101539208B1 (ko) * | 2013-12-02 | 2015-07-24 | 주식회사 케이씨텍 | 화학 기계적 연마 시스템의 웨이퍼 막두께 모니터링 장치 및 방법 |
JP6266493B2 (ja) * | 2014-03-20 | 2018-01-24 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置及び研磨方法 |
JP6399873B2 (ja) * | 2014-09-17 | 2018-10-03 | 株式会社荏原製作所 | 膜厚信号処理装置、研磨装置、膜厚信号処理方法、及び、研磨方法 |
JP6109224B2 (ja) * | 2015-03-30 | 2017-04-05 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、プログラムおよび基板処理装置 |
JP6133347B2 (ja) * | 2015-03-30 | 2017-05-24 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理システム及びプログラム |
JP6473050B2 (ja) | 2015-06-05 | 2019-02-20 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置 |
KR101664110B1 (ko) * | 2015-07-27 | 2016-10-24 | 주식회사 케이씨텍 | 베어 웨이퍼의 연마 장치 |
TW201710029A (zh) * | 2015-09-01 | 2017-03-16 | Ebara Corp | 渦電流檢測器 |
KR102584066B1 (ko) * | 2016-03-14 | 2023-09-27 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 |
JP6650341B2 (ja) * | 2016-05-13 | 2020-02-19 | スピードファム株式会社 | 断面形状測定方法 |
JP2018001296A (ja) * | 2016-06-28 | 2018-01-11 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置、研磨方法、及び研磨制御プログラム |
JP6795337B2 (ja) * | 2016-06-29 | 2020-12-02 | 株式会社荏原製作所 | 膜厚信号処理装置、研磨装置、膜厚信号処理方法、及び、研磨方法 |
JP6730125B2 (ja) * | 2016-08-01 | 2020-07-29 | 株式会社ディスコ | 計測装置 |
JP6730124B2 (ja) * | 2016-08-01 | 2020-07-29 | 株式会社ディスコ | 厚み計測装置 |
JP6829653B2 (ja) * | 2017-05-17 | 2021-02-10 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置および研磨方法 |
JP7023063B2 (ja) * | 2017-08-08 | 2022-02-21 | 株式会社荏原製作所 | 基板研磨装置及び方法 |
JP6902452B2 (ja) * | 2017-10-19 | 2021-07-14 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置 |
JP6847811B2 (ja) * | 2017-10-24 | 2021-03-24 | 株式会社荏原製作所 | 研磨方法および研磨装置 |
JP6985107B2 (ja) * | 2017-11-06 | 2021-12-22 | 株式会社荏原製作所 | 研磨方法および研磨装置 |
KR102483003B1 (ko) * | 2017-11-13 | 2022-12-30 | 주식회사 케이씨텍 | 웨이퍼 연마 시스템 |
KR102435764B1 (ko) * | 2017-11-17 | 2022-08-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 레이저 결정화 돌기의 제거 장치 및 방법 |
KR102529817B1 (ko) * | 2018-05-02 | 2023-05-08 | 주식회사 케이씨텍 | 산화물층을 갖는 기판 처리 장치 |
JP7179586B2 (ja) * | 2018-11-08 | 2022-11-29 | 株式会社荏原製作所 | 渦電流検出装置及び研磨装置 |
KR20200068785A (ko) * | 2018-12-05 | 2020-06-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 연마 모니터링 시스템 및 연마 모니터링 방법 |
JP7145084B2 (ja) * | 2019-01-11 | 2022-09-30 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置および基板処理装置において部分研磨されるべき領域を特定する方法 |
KR102093286B1 (ko) * | 2019-07-05 | 2020-05-29 | (주)제이씨글로벌 | 광학적 웨이퍼 엔드포인트 이중검사장치 |
JP7403998B2 (ja) * | 2019-08-29 | 2023-12-25 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置および研磨方法 |
JP7374710B2 (ja) * | 2019-10-25 | 2023-11-07 | 株式会社荏原製作所 | 研磨方法および研磨装置 |
JP7469032B2 (ja) * | 2019-12-10 | 2024-04-16 | 株式会社荏原製作所 | 研磨方法および研磨装置 |
JP7361637B2 (ja) * | 2020-03-09 | 2023-10-16 | 株式会社荏原製作所 | 研磨方法、研磨装置、およびプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
JP7365282B2 (ja) * | 2020-03-26 | 2023-10-19 | 株式会社荏原製作所 | 研磨ヘッドシステムおよび研磨装置 |
JP2022108789A (ja) * | 2021-01-14 | 2022-07-27 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置、研磨方法、および基板の膜厚分布の可視化情報を出力する方法 |
CN113664712A (zh) * | 2021-08-13 | 2021-11-19 | 芯盟科技有限公司 | 涡流侦测装置以及金属层厚度的测量方法 |
JP7218830B1 (ja) | 2022-04-14 | 2023-02-07 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨装置及び両面研磨方法 |
Family Cites Families (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5700180A (en) * | 1993-08-25 | 1997-12-23 | Micron Technology, Inc. | System for real-time control of semiconductor wafer polishing |
JP3313505B2 (ja) * | 1994-04-14 | 2002-08-12 | 株式会社日立製作所 | 研磨加工法 |
JPH08174411A (ja) * | 1994-12-22 | 1996-07-09 | Ebara Corp | ポリッシング装置 |
JP3601910B2 (ja) * | 1995-07-20 | 2004-12-15 | 株式会社荏原製作所 | ポリッシング装置及び方法 |
US5838447A (en) * | 1995-07-20 | 1998-11-17 | Ebara Corporation | Polishing apparatus including thickness or flatness detector |
JP2004001227A (ja) | 1995-07-20 | 2004-01-08 | Ebara Corp | ポリッシング装置および方法 |
JP4451432B2 (ja) * | 1995-07-20 | 2010-04-14 | 株式会社荏原製作所 | ポリッシング方法 |
US6384915B1 (en) * | 1998-03-30 | 2002-05-07 | The Regents Of The University Of California | Catheter guided by optical coherence domain reflectometry |
US6106662A (en) * | 1998-06-08 | 2000-08-22 | Speedfam-Ipec Corporation | Method and apparatus for endpoint detection for chemical mechanical polishing |
US6159073A (en) | 1998-11-02 | 2000-12-12 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for measuring substrate layer thickness during chemical mechanical polishing |
US6190234B1 (en) | 1999-01-25 | 2001-02-20 | Applied Materials, Inc. | Endpoint detection with light beams of different wavelengths |
JP2001009699A (ja) * | 1999-07-05 | 2001-01-16 | Nichiden Mach Ltd | 平面研磨装置 |
JP2001105308A (ja) * | 1999-10-04 | 2001-04-17 | Asahi Kasei Corp | 光伝送路付研磨装置 |
JP3854056B2 (ja) * | 1999-12-13 | 2006-12-06 | 株式会社荏原製作所 | 基板膜厚測定方法、基板膜厚測定装置、基板処理方法及び基板処理装置 |
KR100718737B1 (ko) * | 2000-01-17 | 2007-05-15 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 폴리싱 장치 |
JP2001284298A (ja) | 2000-03-30 | 2001-10-12 | Nikon Corp | 研磨状態のモニタリング方法、研磨装置、及び半導体デバイスの製造方法 |
US6923711B2 (en) * | 2000-10-17 | 2005-08-02 | Speedfam-Ipec Corporation | Multizone carrier with process monitoring system for chemical-mechanical planarization tool |
US6805613B1 (en) * | 2000-10-17 | 2004-10-19 | Speedfam-Ipec Corporation | Multiprobe detection system for chemical-mechanical planarization tool |
JP2002359217A (ja) * | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Omron Corp | 研磨終点検出方法およびその装置 |
US6678055B2 (en) * | 2001-11-26 | 2004-01-13 | Tevet Process Control Technologies Ltd. | Method and apparatus for measuring stress in semiconductor wafers |
US7024268B1 (en) * | 2002-03-22 | 2006-04-04 | Applied Materials Inc. | Feedback controlled polishing processes |
JP4542324B2 (ja) | 2002-10-17 | 2010-09-15 | 株式会社荏原製作所 | 研磨状態監視装置及びポリッシング装置 |
JP2004330326A (ja) * | 2003-05-02 | 2004-11-25 | Ebara Corp | ポリッシング装置 |
JP2005268424A (ja) * | 2004-03-17 | 2005-09-29 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 化学機械研磨装置及び化学機械研磨方法 |
JP2005340679A (ja) * | 2004-05-31 | 2005-12-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 研磨装置及び研磨終点検出方法ならびに半導体装置の製造方法 |
EP1758711B1 (en) * | 2004-06-21 | 2013-08-07 | Ebara Corporation | Polishing apparatus and polishing method |
JP5534672B2 (ja) | 2005-08-22 | 2014-07-02 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 化学機械的研磨のスペクトルに基づく監視のための装置および方法 |
US7115017B1 (en) * | 2006-03-31 | 2006-10-03 | Novellus Systems, Inc. | Methods for controlling the pressures of adjustable pressure zones of a work piece carrier during chemical mechanical planarization |
JP4790475B2 (ja) * | 2006-04-05 | 2011-10-12 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置、研磨方法、および基板の膜厚測定プログラム |
US7264537B1 (en) * | 2006-08-04 | 2007-09-04 | Novellus Systems, Inc. | Methods for monitoring a chemical mechanical planarization process of a metal layer using an in-situ eddy current measuring system |
EP2075089B1 (en) | 2006-09-12 | 2015-04-15 | Ebara Corporation | Polishing apparatus and polishing method |
CN101523565B (zh) * | 2006-10-06 | 2012-02-29 | 株式会社荏原制作所 | 加工终点检测方法、研磨方法及研磨装置 |
JP5167010B2 (ja) * | 2008-07-23 | 2013-03-21 | 株式会社荏原製作所 | 研磨終点検知方法および研磨装置 |
IT1391719B1 (it) * | 2008-11-17 | 2012-01-27 | Marposs Spa | Metodo, stazione ed apparecchiatura per la misura ottica mediante interferometria dello spessore di un oggetto |
JP2012028602A (ja) * | 2010-07-26 | 2012-02-09 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 半導体のウェハーの自動研磨装置及び研磨方法 |
US8535115B2 (en) | 2011-01-28 | 2013-09-17 | Applied Materials, Inc. | Gathering spectra from multiple optical heads |
KR20140040449A (ko) * | 2012-09-26 | 2014-04-03 | 주식회사 엘지실트론 | 웨이퍼 연마장치 |
-
2010
- 2010-12-27 JP JP2010289209A patent/JP5980476B2/ja active Active
-
2011
- 2011-12-20 US US13/330,881 patent/US9401293B2/en active Active
- 2011-12-23 TW TW109124275A patent/TWI724945B/zh active
- 2011-12-23 TW TW109124274A patent/TWI729884B/zh active
- 2011-12-23 KR KR1020110140782A patent/KR101739074B1/ko active IP Right Grant
- 2011-12-23 TW TW100148258A patent/TWI538076B/zh active
- 2011-12-23 TW TW105113929A patent/TWI629735B/zh active
- 2011-12-23 TW TW107118720A patent/TWI702668B/zh active
-
2015
- 2015-07-24 US US14/808,252 patent/US9969048B2/en active Active
-
2016
- 2016-07-20 US US15/215,343 patent/US20160325399A1/en not_active Abandoned
- 2016-07-27 JP JP2016146959A patent/JP6208299B2/ja active Active
-
2017
- 2017-05-17 KR KR1020170061009A patent/KR101868503B1/ko active IP Right Grant
-
2018
- 2018-04-10 US US15/949,960 patent/US10343255B2/en active Active
- 2018-04-25 KR KR1020180047966A patent/KR101966274B1/ko active IP Right Grant
-
2019
- 2019-03-29 KR KR1020190036511A patent/KR102025784B1/ko active IP Right Grant
- 2019-03-29 KR KR1020190036506A patent/KR102017770B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20150332943A1 (en) | 2015-11-19 |
KR20180048490A (ko) | 2018-05-10 |
KR102017770B1 (ko) | 2019-09-03 |
TW202042323A (zh) | 2020-11-16 |
TWI729884B (zh) | 2021-06-01 |
KR101966274B1 (ko) | 2019-04-05 |
KR20190038771A (ko) | 2019-04-09 |
TWI702668B (zh) | 2020-08-21 |
TWI538076B (zh) | 2016-06-11 |
JP2012138442A (ja) | 2012-07-19 |
TW202042322A (zh) | 2020-11-16 |
JP6208299B2 (ja) | 2017-10-04 |
TWI724945B (zh) | 2021-04-11 |
US20180229346A1 (en) | 2018-08-16 |
KR102025784B1 (ko) | 2019-09-26 |
TW201834105A (zh) | 2018-09-16 |
US20160325399A1 (en) | 2016-11-10 |
KR101739074B1 (ko) | 2017-05-23 |
US9401293B2 (en) | 2016-07-26 |
KR101868503B1 (ko) | 2018-06-19 |
TW201631681A (zh) | 2016-09-01 |
TW201236098A (en) | 2012-09-01 |
US9969048B2 (en) | 2018-05-15 |
KR20190038772A (ko) | 2019-04-09 |
KR20120074227A (ko) | 2012-07-05 |
JP2016184770A (ja) | 2016-10-20 |
US10343255B2 (en) | 2019-07-09 |
TWI629735B (zh) | 2018-07-11 |
US20120164917A1 (en) | 2012-06-28 |
KR20170058893A (ko) | 2017-05-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6208299B2 (ja) | ポリッシング装置 | |
JP5612945B2 (ja) | 基板の研磨の進捗を監視する方法および研磨装置 | |
JP5301931B2 (ja) | 研磨方法および研磨装置 | |
KR102283692B1 (ko) | 막 두께 측정 방법, 막 두께 측정 장치, 연마 방법 및 연마 장치 | |
JP6470366B2 (ja) | ポリッシング装置 | |
TWI788383B (zh) | 研磨裝置及研磨方法 | |
KR102368789B1 (ko) | 다중 파장광을 이용한 위상차 검출에 의한 웨이퍼의 연마 시스템 | |
KR102483003B1 (ko) | 웨이퍼 연마 시스템 | |
JP2024092954A (ja) | 研磨装置及び研磨方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131223 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131223 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20141217 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150106 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150304 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151104 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151228 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160628 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160727 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5980476 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |