KR101664110B1 - 베어 웨이퍼의 연마 장치 - Google Patents

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KR101664110B1 KR1020150105687A KR20150105687A KR101664110B1 KR 101664110 B1 KR101664110 B1 KR 101664110B1 KR 1020150105687 A KR1020150105687 A KR 1020150105687A KR 20150105687 A KR20150105687 A KR 20150105687A KR 101664110 B1 KR101664110 B1 KR 101664110B1
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Abstract

본 발명은 화학 기계적 연마 방법 및 장치에 관한 것으로, 베어 웨이퍼를 연마 헤드의 저면에 위치시킨 상태로, 상기 베어 웨이퍼의 연마면을 연마 패드에 접촉 가압한 상태로 회전시키면서 상기 연마 패드와 상기 베어 웨이퍼 중 어느 하나 이상에 슬러리를 공급하면서 상기 연마면의 화학 기계적 연마를 행하는 제1연마단계과; 상기 제1연마단계 중에 상기 베어 웨이퍼의 두께 분포를 측정하는 두께분포 측정단계와; 상기 제1연마단계 중에 상기 두께분포 측정단계로부터 측정된 상기 베어 웨이퍼의 두께 편차를 완화하는 연마두께편차 조정단계와; 상기 제1연마단계에 의하여 상기 연마 두께가 미리 정해진 제1연마두께에 도달하면, 상기 두께분포 측정단계과 상기 연마두께편차 조정단계를 중단하고, 상기 연마 두께가 타겟 두께에 도달할 때까지 연마하는 제2연마단계를; 포함하여 구성되어, 최종적으로 화학 기계적 연마 공정이 종료된 베어 웨이퍼 두께 분포가 보다 정확하게 원하는 두께 분포로 형성할 수 있는 화학 기계적 연마 방법 및 장치를 제공한다.

Description

베어 웨이퍼의 연마 장치 {APPARATUS OF TREATING BARED WAFER}
본 발명은 베어 웨이퍼의 연마 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 베어 웨이퍼의 연마 공정 중에 비접촉 방식으로 높은 정밀도로 베어 웨이퍼(bared wafer)의 연마 종료 시점을 감지하는 베어 웨이퍼의 연마 장치에 관한 것이다.
일반적으로 태양광 패키지나 반도체 패키지(이하, '반도체 패키지'라고 함)를 제조하기 위해서는, 잉곳(ingot)을 일정한 두께로 슬라이싱하여 얇은 두께(t)의 베어 웨이퍼(bare wafer)로 절단한 후, 절단된 베어 웨이퍼에 다수의 디바이스를 형성하는 소자를 실장하고, 소자를 실장하여 형성된 디바이스를 적층하여 집적시킨 후, 디바이스가 하나씩 분리되게 절단하는 것에 의하여 반도체 패키지를 제조한다.
즉, 잉곳(80)을 슬라이싱하여 만들어진 베어 웨이퍼의 몸체가 되는 원판을 베어 웨이퍼(W)라고 하며, 베어 웨이퍼(W)에 소자를 실장하는 공정이나 패턴을 형성하는 공정 등을 거치면서, 반도체 패키지를 제조하는 베어 웨이퍼가 된다.
최근에는 반도체 패키지의 집적도가 점점 높아짐에 따라, 베어 웨이퍼(W)의 두께를 정해진 값으로 성형하는 것이 매우 중요해지고 있다. 이에 따라, 잉곳(80)을 슬라이싱 절단한 이후에 연마 공정을 거치면서 베어 웨이퍼(W)의 두께를 타겟 두께에 정확하게 맞추는 시도가 행해지고 있다.
그런데, 베어 웨이퍼(W)는 화학 증착 등에 의한 막질(또는 막)이 형성되지 않은 상태이어서, 두께 전체에 걸쳐 균일한 성분으로 이루어져 있다. 이에 따라, 금속층에서 와전류를 유도하는 것을 전제로 하는 와전류 센서나, 증착막과 원판의 매질 차이에 의한 광 반사의 차이를 전제로 하는 광 센서에 의하여 베어 웨이퍼(W)의 두께를 측정하는 시도는 전혀 이루어지지 않았다.
따라서, 베어 웨이퍼(W)의 두께를 타겟 두께로 연마 하기 위해서는, 정해진 시간 동안 베어 웨이퍼(W)를 연마한 이후에 측정자로 두께를 측정하는 방식이 사용됨에 따라, 베어 웨이퍼(W)의 연마 공정에 소요되는 시간이 길어져 공정 효율이 저하될 뿐만 아니라, 베어 웨이퍼의 두께를 측정한 이후에 다시 연마 공정에 투입될 때에 셋팅 위치가 변동되어 연마 조건을 그대로 유지하면서 연마하지 못하게 되는 문제가 있었다.
상기 기재된 사항이 모두 공지된 구성은 아니며, 본 발명을 도출하기 위하여 새롭게 발견된 사실도 포함하고 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 금속막이 형성되지 아니한 베어 웨이퍼의 연마 공정 중에 와전류 센서를 이용하여 비접촉 방식으로 베어 웨이퍼의 두께를 측정하는 베어 웨이퍼의 연마 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 베어 웨이퍼의 연마 공정 중에 인시츄 방식으로 베어 웨이퍼의 두께를 측정하는 것을 목적으로 한다.
이를 통해, 본 발명은 베어 웨이퍼의 두께를 타겟 두께에 도달하는 과정을 실시간으로 감시하면서 타겟 두께에 도달하였을 때에 정확하게 연마 공정을 종료시키는 것을 목적으로 한다.
상술한 바와 같은 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은, 막질이 형성되지 않은 베어 웨이퍼의 연마 장치로서, 연마 패드와; 상기 베어 웨이퍼를 하방으로 가압하는 멤브레인과, 상기 멤브레인의 상측에 배치된 금속재가 구비된 연마 헤드와; 상기 연마 패드와 상기 가압 수단 중 어느 하나 이상을 회전시키는 회전 구동부와; 상기 금속재를 향하여 와전류 신호를 인가하는 와전류 센서와; 상기 와전류 센서에서 감지되는 신호로부터 상기 베어 웨이퍼의 두께를 산출하는 제어부를; 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 베어 웨이퍼의 연마 장치를 제공한다.
이는, 금속막이 형성되지 않아 금속막이 구비되지 아니한 베어 웨이퍼에 대해서도, 와전류 센서로부터 조사되는 와전류가 형성되는 금속재를 베어 웨이퍼의 상측인 연마 헤드 내부에 구비함으로써, 베어 웨이퍼의 연마량에 따라 와전류 센서에 의하여 금속재에 인가되는 와전류의 저항이 커지므로, 와전류 센서에서 감지되는 와전류 신호의 변동에 의하여 베어 웨이퍼의 두께를 산출할 수 있도록 하기 위함이다.
즉, 베어 웨이퍼에는 금속층이 형성되어 있지 아니하므로, 와전류 센서에 의하여 와전류를 베어 웨이퍼에 인가하더라도, 베어 웨이퍼에는 와전류의 통전 경로가 형성되지 못한다. 따라서, 베어 웨이퍼를 가압하는 멤브레인 바닥판의 상측에 금속재를 고정시키고, 와전류 센서를 베어 웨이퍼의 하측에 위치시킴으로써, 와전류 센서에 의하여 인가되는 와전류를 멤브레인 바닥판의 상측의 금속재에 형성되게 할 수 있다.
이를 통해, 베어 웨이퍼의 두께가 변동됨에 따라 금속재에 생기는 와전류의 저항이 달라지면서, 와전류 센서에 수신되는 수신 신호(즉, 와전류를 인가하고자 하는 입력치에 대한 실제 와전류의 임피던스, 리액턴스, 위상차, 저항 중 어느 하나 이상을 포함한다)가 변동되므로, 연마 공정 중인 베어 웨이퍼의 두께 변동을 와전류 센서에 의하여 감지하는 것이 가능해진다.
이 때, 상기 금속재는 저면이 평탄면으로 이루어지고, 상기 평탄면에서 와전류가 형성되게 하는 것이 바람직하다. 이를 통해, 베어 웨이퍼의 두께 변동이 발생되어 금속재에 잔류하거나 유도되는 와전류의 경로 및 세기 등이 변동되는 것이 평탄면에서 일정한 분포로 형성되므로, 베어 웨이퍼의 두께 변동을 보다 정확하게 감지할 수 있게 된다.
한편, 상기 금속재는 회전 구동력을 전달받아 회전하고 상기 멤브레인을 고정시키는 본체부의 일부로 형성될 수도 있다.
한편, 연마 공정 중에 베어 웨이퍼를 가압하는 가압 수단으로서, 연마 헤드의 내부에 압력 챔버를 1개 이상 형성될 수 있다. 압력 챔버는 공압에 의하여 압력이 독립적으로 조절되어 하측에 위치한 베어 웨이퍼를 가압한다. 이 때, 연마 공정 중에 압력 챔버의 압력 상태에 따라 압력 챔버의 높이가 변동하면, 금속재와 와전류 센서와의 거리가 압력 챔버의 높이 변동 길이 만큼 변동하게 된다.
따라서, 연마 헤드의 압력 챔버의 높이를 측정하는 높이 센서를 더 포함하여 구성되어, 상기 제어부는 상기 와전류 센서에 의하여 상기 와전류 센서로부터 상기 금속재까지의 측정거리에서 상기 높이 센서에 의해 감지되는 상기 제1높이의 변동을 보상함으로써, 연마 공정 중에 압력 챔버의 높이 변동에도 불구하고 베어 웨이퍼의 두께를 정확하게 얻을 수 있는 효과가 있다.
한편, 상기 연마 패드에는 투명창이 형성되어 있고, 상기 와전류 센서는 상기 베어 웨이퍼의 하측에 위치하여, 상기 베어 웨이퍼의 정해진 위치에서의 두께를 측정하도록 구성될 수 있다.
이와 병행하거나 별개로, 상기 와전류 센서는 상기 연마 패드에 고정되어 상기 연마 패드와 함께 회전하면서 상기 베어 웨이퍼의 하측을 통과하는 경로 상에서의 상기 베어 웨이퍼의 두께를 측정하도록 구성될 수 있다.
그리고, 상기 와전류 센서는 2개 이상 배치되어 상기 베어 웨이퍼의 두께를 2군데 이상에서 측정하여, 베어 웨이퍼의 두께 분포를 보다 정교하게 측정할 수도 있다.
한편, 상기 베어 웨이퍼는 규소를 포함하는 재질로 형성되고, 태양광 베어 웨이퍼나 반도체 베어 웨이퍼 중 어느 하나를 제조하는 데 사용되는 데 사용될 수 있다. 그리고, 상기 베어 웨이퍼의 타겟 두께는 700㎛ 내지 800㎛의 두께가 되도록 연마 공정이 행해질 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명은, 금속막이 형성되지 않아 동일한 성분으로 전체가 형성된 베어 웨이퍼에 대해서도, 와전류가 유도되는 금속재를 베어 웨이퍼의 상측의 연마 헤드 내부에 배치시킴으로써, 베어 웨이퍼의 두께 변동에 따라 금속재에서 유도되는 와전류의 변동에 의해 와전류 센서를 이용하여 베어 웨이퍼의 두께를 얻을 수 있는 유리한 효과가 있다.
또한, 본 발명은, 연마 공정 중에 베어 웨이퍼를 가압하는 압력 챔버의 체적 변동이 발생되더라도, 압력 챔버의 높이 변동을 높이 센서에 의하여 감지함으로써, 베어 웨이퍼의 두께를 정확하게 얻을 수 있는 유리한 효과가 있다.
이를 통해, 본 발명은, 베어 웨이퍼의 연마 공정 중에 인-시츄(in-situ) 방식으로 베어 웨이퍼의 두께를 실시간으로 비접촉 측정할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
도1은 잉곳으로부터 베어 웨이퍼를 슬라이싱 절단하여 생성하는 구성을 도시한 도면,
도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 베어 웨이퍼의 연마 장치의 구성을 도시한 정면도,
도3은 도2의 평면도,
도4a 및 도4b는 도2의 연마 헤드의 구성을 도시한 종단면도,
도5는 도2의 'A'부분의 확대도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기계적 연마 장치(100)에 대하여 구체적으로 설명한다. 다만, 본 발명을 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 대해서는 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하며, 동일하거나 유사한 기능 혹은 구성에 대해서는 동일하거나 유사한 도면 부호를 부여하기로 한다.
도2 및 도3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기계적 연마 장치(100)는, 정반 몸체(112)의 상면에 연마 패드(111)가 입혀지고 회전 구동부(119)에 의하여 회전(111r) 구동되는 연마 정반(110)과, 연마 패드(111)에 베어 웨이퍼(W)를 하방으로 가압하면서 회전 구동부(129)에 의해 회전(120r)시키고 내부에 금속재(128)가 고정 설치된 연마 헤드(120)와, 연마 공정 중에 베어 웨이퍼(W)의 두께를 측정하기 위하여 베어 웨이퍼(w)를 가로질러 금속재(128)에 와전류 신호(Si)를 인가하는 와전류 센서(130, 230)와, 연마 헤드(120)의 내부에 설치되어 압력 챔버(C1, C2, C3; C)의 높이(H1)를 측정하는 높이 센서(140)와, 와전류 센서(130, 230)에서 수신한 수광 정보로부터 베어 웨이퍼(W)의 두께를 산출하는 제어부(150)로 구성된다.
상기 연마 정반(110)은 구동 모터 등으로 이루어진 회전 구동부(119)에 의하여 회전 구동되는 정반 몸체(112)와, 정반 몸체(112)의 상면에 입혀져 베어 웨이퍼(W)의 저면(Y)과 접촉하면서 연마시키는 연마 패드(111)로 구성된다. 이에 따라, 연마 패드(111)는 연마 공정 중에 회전(111r)하게 된다.
상기 연마 헤드(120)는 도3에 도시된 바와 같이 외부의 회전 구동부(129)에 의하여 함께 회전하는 본체부(121, 122)와, 본체부(121, 122)에 결합되어 본체부(121, 122)와의 사이에 격벽(123a)에 의해 분할된 다수의 압력 챔버(C1, C2, C3; C)를 형성하고 하측이 베어 웨이퍼(W)를 가압하는 바닥판으로 이루어진 가요성 재질의 멤브레인(123)과, 각각의 압력 챔버(C1, C2, C3; C)에 공압 공급로(125a)를 통해 정압이나 부압을 인가하여 압력을 제어하는 압력 제어부(125)로 구성된다.
이에 따라, 연마 헤드(120)는 멤브레인(123)의 바닥판 하측에 베어 웨이퍼(W)를 위치시킨 상태에서, 다수의 압력 챔버(C1, C2,...)에 독립적으로 제어되는 압력에 의하여 베어 웨이퍼(W)를 구간별로 가압력(120p)을 조절하고 하방 가압하면서 회전(120r)시키는 역할을 한다.
무엇보다도, 도4a 내지 도5에 도시된 바와 같이, 연마 헤드(120)의 내부에는 금속재(128)가 고정 설치된다. 금속재(128)는 저면이 평탄면으로 형성되는 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는, 도5에 도시된 바와 같이 와전류 센서(130, 230)에 대향하는 위치에 균일한 단면으로 형성되는 것이 바람직하다.
이를 통해, 금속재(128) 내에서는 와전류(30E)가 금속재(128)의 단면 변화에 영향을 받지 않아 일정하게 분포되게 유도함으로써, 베어 웨이퍼(W)의 두께 변동이 발생되어 금속재에 잔류하거나 유도되는 와전류(30E)의 경로 및 세기 등이 안정적으로 변동하게 하여, 베어 웨이퍼의 두께 변동을 보다 정확하게 감지할 수 있다.
한편, 와전류 센서(130, 230)에 의하여 유도되는 와전류(30E)가 금속재(128)에 유도되고, 그 주변에서 유도되지 않도록 하는 것이 필요하다. 이를 위하여, 금속재(128)가 고정되는 본체부(122)는 비금속 재질로 형성될 수 있다.
또는, 도면에 도시되지 않았지만, 금속재(128)는 본체부(122)에 대하여 간격재(128a)를 사이에 두고 본체부(122)와 이격되게 배치될 수 있다. 이를 통해, 본체부(122)가 금속 재질로 형성되어 와전류가 유도되더라도, 본체부(122)에 비하여 금속재(128)에서 훨씬 지배적으로 와전류(30E)가 유도되므로, 본체부(122)에 영향을 받지 않고 금속재(128)에서 유도된 와전류(30E)에 기초하여 베어 웨이퍼(W)의 두께를 측정할 수 있다.
한편, 금속재(128)가 구비되지 않고 와전류 센서(130, 230)로부터 인가되는 자기장 신호(Si)의 경로 상에 본체부(122)를 금속 재질로 형성하여, 본체부(122)에서 와전류(30E)가 유도되게 구성될 수도 있다. 이 구성은 전체적인 구성이 단순해지는 잇점이 있지만, 단면을 일정하게 형성하는 것이 까다로와 측정 정확성이 낮아지는 문제를 감수해야 한다.
한편, 금속재(128)는 가능한 멤브레인 바닥판(123b)에 근접 배치되는 것이 바람직하다. 이를 위하여, 도4b에 도시된 바와 같이, 본체부(122)에 대하여 간격재(128a)로 간격을 두게 이격 배치되어, 와전류 센서(130, 230)와 금속재(128) 사이의 거리를 보다 근접 배치시킬 수 있다.
그리고, 금속재(128)는 연마 헤드(120)의 회전(120r)에 따라 함께 본체부(121, 122)와 함께 회전한다.
상기 와전류 센서(130, 230)는, 도2에 도시된 바와 같이, 연마 패드(111)와 정반 몸체(112)를 관통하는 관통부(110a)의 하측에 위치한 와전류 센서(130)에 의하여, 지속적으로 베어 웨이퍼(W)의 정해진 반경 길이에서의 두께를 측정할 수 있고, 도3에 도시된 바와 같이 연마 패드(111)에 위치 고정되어 연마 패드(111)와 함께 회전하는 광센서(231, 232, 233; 230)에 의하여, 베어 웨이퍼(W)의 하측을 통과할 때마다 베어 웨이퍼(W)의 두께를 통과 궤적을 따라 측정할 수도 있다.
와전류 센서(130, 230)에 의하여 베어 웨이퍼(W)의 두께를 측정할 때에는, 와전류 센서(130, 230)로부터 인가되는 자기장 신호(Si)에 의하여 금속재(128)에 와전류(30E)가 유도된다. 그리고 와전류(30E)에 의하여 유도되는 자기장에 의하여 또 다시 체인 형태로 와전류가 유도된다.
이에 따라, 와전류 센서(130, 230)에서 인가한 와전류 신호(Si)에 의해 금속재(128)에 와전류가 유도되지만, 금속재(128)의 저항에 의하여 실제로 감지되는 수신 신호(So2)의 와전류 세기는 인가 신호(Si)와 차이가 생기게 된다. 그리고, 이 차이는 와전류 센서(130, 230)와 금속재(128) 사이의 거리(L)에 따라 달라진다.
따라서, 와전류 센서(130, 230)에 수신되는 와전류 수신 신호(So2)로부터 와전류 센서(130, 230)로부터의 거리(L)를 감지할 수 있다.
도면에는 연마 정반(110)의 관통부(110a)에 배치되어 회전하지 않게 설치된 와전류 센서(130)와, 연마 패드(111)와 함께 회전하는 와전류 센서(230)가 모두 설치된 구성을 예시하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 아니하고, 이들 와전류 센서(130, 230) 중 어느 하나만 설치하는 구성을 포함한다.
와전류 센서(130, 230)에서 수신한 수신 신호(So2)의 데이터는 제어부(150)로 전송된다.
한편, 압력 챔버(C)는 가요성 재질인 멤브레인(123)에 의해 외형이 형성되므로, 그 높이(H1)가 변동될 수 있다. 따라서, 상기 높이 센서(140)는 가요성 재질인 멤브레인(123)과 본체부(122)에 의해 둘러싸인 공간으로 형성되는 압력 챔버(C1, C2, C3)의 높이를 지속적으로 감지한다.
높이 센서(140)는 멤브레인 바닥판(123b)의 상면에 광을 조사하여 비접촉 방식으로 압력 챔버(C)의 높이(H1)를 측정하며, 본 발명의 다른 실시 형태에 따르면, 도면에 도시되지 않았지만, 다이얼 게이지와 같이 탄성 지지되는 접촉 프로브에 의하여 압력 챔버(C)의 높이(H1)를 측정할 수도 있다.
높이 센서(140)에서 측정된 압력 챔버(C)의 측정 높이(H1) 데이터는 제어부(150)로 전송된다.
상기 제어부(150)는 와전류 센서(130, 230)로부터 수신된 수신 신호로부터 와전류 센서(130, 230)로부터 금속재(128)까지의 거리(L)를 산출한다. 그리고, 와전류 센서(130, 230)로부터의 금속재(128)까지의 거리(L)를 산출하는 데 사용된 수신 신호(So2)를 수신할 때에 높이 센서(140)에 의하여 압력 챔버(C)의 높이(H1)가 변동되었다면, 압력 챔버(C)의 높이(H1) 변동 길이를 반영하여 금속재(128)까지의 수정된 거리(L)를 산정한다.
여기서, 연마 공정이 진행되면서 와전류 센서(130, 230)로부터 금속재(128)까지의 거리(L)가 변동되는 것은 베어 웨이퍼(W)의 두께(T) 변동에 의한 것이므로, 제어부(150)는 실시간으로 연마 공정 중에 베어 웨이퍼(W)의 두께(T)를 얻을 수 있다.
연마 정반(110)의 관통부(110a)에 위치한 와전류 센서(130)에 의해서는 베어 웨이퍼(W)의 정해진 반경 길이에서의 두께 변화를 감지할 수 있고, 연마 정반(110)과 함께 회전하는 와전류 센서(230)에 의해서는 베어 웨이퍼(W)의 원주 방향 성분에 따른 두께 변화를 감지할 수 있다.
이상에서와 바와 같이 본 발명은, 금속막이 형성되지 않아 동일한 성분으로 전체가 형성된 베어 웨이퍼(W)에 대해서도, 와전류가 유도되는 금속재(128)를 베어 웨이퍼(W)의 상측의 연마 헤드(120) 내부에 배치시킴으로써, 베어 웨이퍼(W)의 두께(T) 변동에 따라 금속재(128)에서 유도되는 와전류(30E)의 변동을 감지하여 와전류 센서(130, 230)로 베어 웨이퍼(W)의 두께 및 그 분포를 실시간으로 연마 공정 중에 측정할 수 있는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
이 뿐만 아니라, 본 발명은, 연마 공정 중에 베어 웨이퍼(W)를 가압하는 압력 챔버(C)의 체적 변동이 발생되더라도, 압력 챔버(C)의 높이(H1)의 변동을 높이 센서(140)에 의하여 감지하여, 와전류 센서(130, 230)에서 감지된 베어 웨이퍼(W)의 두께(T)를 보상함으로써, 베어 웨이퍼의 두께를 정확하게 측정하는 유리한 효과가 얻어진다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시적으로 설명하였으나, 본 발명의 권리범위는 상기와 같은 특정 실시예에 한정되지 아니하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 본 발명의 특허청구범위에 기재된 범주 내에서 적절하게 변경 가능한 것이다.
100: 베어 웨이퍼의 연마 장치 110: 연마 정반
111: 연마 패드 110a: 관통부
120: 연마 헤드 130, 230: 와전류 센서
140: 높이 센서 150: 제어부
C, C1, C2, C3: 압력 챔버 W: 베어 웨이퍼

Claims (10)

  1. 금속성 재질의 막질이 형성되지 않은 베어 웨이퍼의 연마 장치로서,
    연마 패드와;
    상기 베어 웨이퍼를 하방으로 가압하는 멤브레인과, 상기 멤브레인의 상측에 이격되게 배치된 금속재가 구비된 연마 헤드와;
    상기 연마 패드와 상기 가압하는 멤브레인 중 어느 하나 이상을 회전시키는 회전 구동부와;
    상기 금속재를 향하여 와전류 신호를 인가하는 와전류 센서와;
    상기 금속재와 상기 멤브레인의 사이에 형성되며 공압이 조절되는 압력 챔버의 제1높이를 측정하는 높이 센서와;
    상기 와전류 센서에서 감지되는 신호로부터 상기 베어 웨이퍼의 두께를 산출하되, 상기 와전류 센서로부터 상기 금속재까지의 측정거리에서 상기 높이 센서에 의해 감지되는 상기 제1높이의 변동을 보상하는 제어부를;
    포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 베어 웨이퍼의 연마 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 금속재는 저면이 평탄면으로 이루어지고, 상기 평탄면에서 와전류가 형성되는 것을 특징으로 하는 베어 웨이퍼의 연마 장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 금속재는 회전 구동력을 전달받아 회전하고 상기 멤브레인을 고정시키는 본체부의 일부 이상인 것을 특징으로 하는 베어 웨이퍼의 연마 장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 금속재는 회전 구동력을 전달받아 회전하고 상기 멤브레인을 고정시키는 본체부로부터 간격재에 의하여 하방으로 이격된 상태로 설치된 것을 특징으로 하는 베어 웨이퍼의 연마 장치.
  5. 삭제
  6. 제 1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 연마 패드에는 투명창이 형성되어 있고, 상기 와전류 센서는 상기 베어 웨이퍼의 하측에 위치하여, 상기 베어 웨이퍼의 정해진 위치에서의 두께를 측정하는 것을 특징으로 하는 베어 웨이퍼의 연마 장치.
  7. 제 1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 와전류 센서는 상기 연마 패드에 고정되어 상기 연마 패드와 함께 회전하면서 상기 베어 웨이퍼의 하측을 통과하는 경로 상에서의 상기 베어 웨이퍼의 두께를 측정하는 것을 특징으로 하는 베어 웨이퍼의 연마 장치.
  8. 제 1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 와전류 센서는 2개 이상 배치되어 상기 베어 웨이퍼의 두께를 2군데 이상에서 측정하는 것을 특징으로 하는 베어 웨이퍼의 연마 장치.
  9. 제 1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 베어 웨이퍼는 규소를 포함하는 재질로 형성되고, 태양광 베어 웨이퍼나 반도체 베어 웨이퍼 중 어느 하나를 제조하는 데 사용되는 것을 특징으로 하는 베어 웨이퍼의 연마 장치.
  10. 제 1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 베어 웨이퍼의 타겟 두께는 700㎛ 내지 800㎛의 두께인 것을 특징으로 하는 베어 웨이퍼의 연마 장치.
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