TWI352375B - - Google Patents

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1352375 玟、發明說明： 本案係以日本專利2003-169904號（2003年6月13日 申請）' 曰本專利2003-383887號（2003年1 1月13日申請） 、及曰本專利2004-039654號（2004年2月17曰申請）為A 礎案提出申請，而援用其等的内容。 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關透過投影光學系統和液體將圖案像曝光 在基板上之曝光方法，並關於支持基板之基板載台、曝光 裝置及元件製造方法。 【先前技術】 半導體元件和液晶顯示元件係藉由所謂光微影（係將形 成於光罩上之圖案轉印於感光性基板上）之方法來加以製造 。這種光微影製程所使用之曝光裝置係具有光罩載台（供支 持光罩）和基板載台（供支持基板），邊逐次移動光罩載台及 基板载台’邊透過投影光學系統，將光罩圖案轉印於基板 上者。近年來，為了對應元件圖案之更進一步高積體化， 投影光學“之更高解析度化乃為所希望者。所使用之曝 光波長愈短’且投影光學系統之數值孔徑愈大，投影光學 系統之解析度變愈高。因此’曝光裝置所使用之曝光波長 係逐年短波長化，投影光學系統之數值孔徑也逐年增大起 來。而且’現在主流之曝光波長係' KrF準分子雷射之 而更短波長之ArF準分子雷射之⑼麵亦正在實 用化。 又’當進行曝光之際 焦點深度（DOF)係與解析度同 1352375 樣變得重要。解析度R、及焦點深度（5係分別用以下之公 式來表示。 R=k, · λ /ΝΑ …（1) 5 =±k2 · Α /ΝΑ2 …（2) 式.中’ λ係曝光波長’ Ν Α係投影光學系統之數值孔 徑’ k,、ka係處理係數。由（丨）式、（2)式可知，為了提高解 析度R ’若縮短曝光波長又、增大數值孔徑να，則焦點 深度（5變窄。 备焦點深度（5變太窄，則要使基板表面對投影光學系 統之像面一致變成不易，曝光動作時之聚焦裕度可能會不 夠。因此’就實質上可縮短曝光波長，且擴大焦點深度之 方法而言’已被提出者有例如國際公開第99/495〇4號公報 所揭示之浸液法。 這種浸液法係用水或有機溶媒等液體，來填滿投影光 學系統下面和基板表面之間，形成浸液區域，利用液體中 之曝光用光波長為空氣中之1/η(η係液體之折射率，通常 為1.2〜1 _6左右），來提高解析度，並且將焦點深度放大約 η倍。 但疋，在上述習知技術中，存在以下所述之問題。上 述習知技術係用液體局部性填滿投影光學系統之像面側端 面和基板（晶圓）間之構成，將基板中央附近之照射區域曝 光蚪，不會產生液體向基板外側流出的情況。但是，如第 27圖之示意圖所示，若將投影光學系統之投影區域ι〇〇對 上基板Ρ之週邊區域（邊緣區域）Ε來對該基板ρ之邊緣區 8 1352375 域E進行曝光的情況，則液體向基板p外側流出，不能良 好形成浸液區域，產生所投影之圖案像惡化之不良情況。 又，會因所流出之液體，使得在支持基板P之基板載台週 f之機械零件等生錄，或引起載台驅動系統等漏電之不良 情況。進一步，若所流出之液體繞入基板背面，浸入基板 和基板載台（基板保持器）之間，則基板載台亦會產生不能 良好料基板之不良情況。又，亦有由於基板P和基板= 台之高低差或間隙等而在液體中混人氣泡之情形，此時， 由於氣泡之影響，會產生曝光用光散射’或是受到氣泡的 影響使得圖案無法成像於基板P i。又，在該間隙浸入液 體之情形，亦可能引起生銹或漏電。 【發明内容】 “本發明係鑑於前述問題所得者，其目的係提供一種曝 光方法，在用液體填滿投影光學系統和基板間來進行曝光 之丨月形即使對於基板邊緣區域做曝光，仍可在形成 良好之浸液區域之狀態下來進行曝光，另外本發明亦提供 基板載台、曝光裝置、及元件製造方法。 —為了解決上述問題，本發明係採用了與實施形態所示 之第1圖〜第26圖相對應之以下構成。 本發明之曝光方法，係透過投影光學系統PL·和液體1 ’將圖案像投影於基板p上，藉此將基板p曝光；其特徵 在於基板p之側面PB係被施以撥液處理。 依本發明’藉由對於基板之側面施以撥液處理，則能 防止例如液體浸入以圍住基板方式所配置之構件（基板載台 丄352375 )和基板側面間。因此，能防止液體浸入基板背面側。又， 亦能防止氣泡混入液體等，可在良好地形成浸液區域之狀 態下’將基板之邊緣區域曝光。 本發明之曝光方法’係透過投影光學系統PL和液體1 ，將圖案像投影於基板p上，藉此將該基板p曝光；其特 徵在於，基板p之背面pc係被施以撥液處理。 依本發明’藉由對於基板背面施以撥液處理，則可防 止例如液體浸入基板保持器（係保持基板背面）和基板背面 之間。因此，能良好保持基板，並進行曝光。 本發明之基板載台PST，係使用於液體曝光，該液體 曝光係透過投影光學系統PL和液體丨，將圖案像投影於基 板P上，藉此將基板p曝光；該基板載台能保持基板p並 進行移動，其特徵在於，至少一部份表面（31、33A、36、 37)具撥液性。 依本發明’藉由將基板載台之表面作成撥液性，能防 止液體飛散及液體向基板載台外部流出，能抑制氣泡混入 液體中或液體浸入基板載台内部等，可在良好形成浸液區 域之狀態下將基板之邊緣區域曝光。 本發明之基板載台p S T ’係使用於浸液曝光，該浸液 曝光係於基板P上之一部份形成浸液區域AR2，透過投影 光學系統PL和液體丨，將圖案像投影於基板p上，藉此將 基板P曝光’該基板載台係用以保持基板p ;其特徵在於 ，在έ玄基板P之周圍，具有與該基板p大致相同高度之平 坦部31，在平坦部31之内側形成配置基板ρ之凹部32， 1352375 在用液體1填滿平坦部32和基板P間隙A之狀態下，進 行基板P之曝光。 依本發明’即使在基板之邊緣附近形成浸液區域之情 形’亦此良好維持浸液區域’並且能防止氣泡混入於基板 上一部份所形成之浸液區域之液體中。其結果，在基板上 之邊緣附近，亦能將良好的圖案像形成於基板上。 本發明之曝光裝置EX，其特徵在於，具備上述之基 板載台PST。本發明之元件製造方法，其特徵在於，使用 上述之曝光方法，或使用具備上述基板載台PST之曝光裝 置EX。 依本發明’則在良好形成浸液區域之狀態下，能將基 板邊緣區域進行浸液曝光，能製造具有所欲性能之元件。 本發明之基板載台PST可保持作為曝光對象之基板並 進行移動，其特徵在於，具備：第1周壁33;第2周壁 46，係形成於該第]周壁33之内側；以及支持部34，係 形成於該第2周壁内側；藉由將被第2周壁46所圍住之 空間38設定成負壓，以將基板p保持於支持部34。 重之周壁， 依本發明，由於在支持基板之支持部周圍至少設置雙 之構件 故即使液體浸入以圍住基板方式所配置 和基板側面之間，防止液體浸入真空系統(係將基板背 面側和空間設定成負壓）。

本發明之基板f * --- P並進行移動，其与 板P ;平坦部31， 1352375 、：151、 P之缺 與基板p之表面大致同一面；以及間隙調整部（l5〇 152、153)，係用來縮小於支持部34所支持之基板 口部（NT、OF)和平坦部（3 1)之間隙。 依本發明，由於藉由間隙調整部來縮小基板缺口部和 其周圍平坦部之間隙，乃能防止液體浸入基板缺口部和平 坦部之間。因此，能防止液體浸入基板背面側等。 本發明之基板載自PST，係可保持作為被曝光對象之 基板P並進行移動者，其特徵在於，備有··周壁（33、33N 、33F)和形成於該周壁（33、33N、33F)内側之支持部 口亥周土（33、33N、33F)係配合基板p之缺口部（NT、〇f)之 ，狀來形成，將被周壁（33、33N、33F)所圍住之空間刊言及 定成負壓，藉此將該基板P支持於支持部34。 依本發明，由於配合基板之缺口部形狀來形成周壁， 乃可抑制在基板和周壁間形成大間隙之不良情況，能將被 周壁所圍住之空間平順地設定成負壓。因此，能用支持部 良好保持基板’並且’能抑制液體浸入基板背面側和空間

本發明之基板載台PST， 板P並進行移動，其特徵在於 支持基板P ;以及複數個吸氣 p吸附在支持部3 4 ; 可保持作為被曝光對象之基 ，具備：支持部34，係用來 口（41、41’），係用以將基板 使得基板p缺口部（NT、 吸氣力來得小。 〇F)附近之吸氣力較其周圍之 依本發明 將在基板和基板載台之間容易形成大的間 12 1352375 隙之缺口部附近之吸氣口之吸氣力設定成低於（弱於）其附 近吸氣口之吸氣力，藉此，可抑制液體浸入基板缺口部和 基板載台間之不良情況。因此，能防止液體浸入基板背面 侧和吸氣口。 本發明之曝光裝置EX，其特徵在於，在保持於上述 基板載台PST之基板P上，透過投影光學系統PL和液體 LQ，照射曝光用光EL，對該基板進行浸液曝光。本發明 之元件製造方法，其特徵在於，係使用上述之曝光裝置 EX。 依本發明，則能在抑制液體浸入基板背面側及基板載 台内部、或真空系統的前提下對基板進行浸液曝光，能製 造具有所欲性能之元件。 【實施方式】 以下’針對具備本發明基板載台之曝光裝置，一邊參 照圖式一邊加以說明。 第1圖係表示本發明曝光裝置一實施形態之概略構成 圖。 在第1圖中，曝光裝置EX主要係具備：光罩載台 MST(係支持光罩M)、基板載台PST(係支持基板P)、照明 光學系統IL(用曝光用光EL來對支持於光罩載台MST之 光罩Μ做照明）、投影光學系統PL(用來將被曝光用光el 照明之光罩Μ之圖案像投影曝光於在基板載台PST所支 持之基板P上）、及控制裝置c〇NT(用來統括控制曝光裝 置EX全體之動作）。 1352375 本實施形態之曝光裝置EX係為了實質縮短曝光波長 ’提尚解析度’並且’貫質擴大焦點深度，而應用了浸液 法之浸液曝光裝置，其具備：液體供給機構1〇(係將液體i 供給至基板P上）、及液體回收機構2〇(係回收基板p上之 液體1)。在本實施形態中，液體丨係使用純水。曝光裝置 EX係至少在將光罩Μ之圖案像轉印至基板p上之間，藉 由從液體供給機構10所供給之液體丨，在包含投影光學系 統PL之投影區域AR1之基板ρ上之至少一部份，形成浸 液域AR2。具體而言，曝光裝置Εχ係在投影光學系統 PL刚端〇(5之光學兀件2和基板ρ表面（曝光面）之間填滿液 肢1 :透過賴影光學系統PL和基板ρ間之液體i及投影 光學系統PL，將光罩M之圖案像投影至基板ρ上，將基 板P曝光》 此處’本實施形態’就曝光裝置Εχ %言，係以使用 :曝光裝置(即所謂的掃描步進機，係-邊使得光罩Ν 二反Ρ在知描方向之互異方向(反方向)做同步移動，一

例，加以說明。在以：曝光至基板？上)之情形為 之光轴Αχ广下之說明中，把與投影光學系統PL 之平面… 向當作Z轴方向，把與z轴方向垂直 之十面内，光罩M 』疋旦 X轴方向，把與z轴…同步移動方_方向)當作 方向）當作γ輪方 ° Y軸方向垂直之方向（非掃描 別當作"、：。將繞X轴、丫軸、及Z軸之方向分 係包含在半導體 0 Z方向。又’此處’所謂「基板」 "上塗佈光阻劑之感光性材料者，所謂 J4 1352375 「光罩」係包含在基板上形成縮小投影之元件圖案之標線 片。 照明光學系統IL係用曝光用光EL來對支持於光罩載 台MST上之光罩Μ進行照明者，其係由曝光用光源、光 學積分器（係將從曝光用光源射出之光束照度加以均勻化） 、聚光透鏡（係將來自光學積分器之曝光用光E]L加以聚光） 、中繼透鏡系統、及可變視野光圈（係將藉由曝光用光EL 之光罩Μ上之照明區域設定成狭縫狀）等所構成。光罩μ 上之既定照明區域係藉由照明光學系統IL，用均勻照度分 布之曝光用光EL來照明。就從照明光學系統IL所射出之 曝光用光EL而言，例如，係使用從水銀燈所射出之紫外 域之亮線（g線、h線' i線）及KrF準分子雷射光（波長 248nm)等遠紫外光（DUV光）、ArF準分子雷射光（波長 193nm) '及雷射光（波長157nm)等真空紫外光（VUV光） 等。在本實施形態中，係使用ArF準分子雷射光。如上述 ，因本實施形態之液體丨係純水，故即使曝光用光EL係

ArF準分子雷射光’亦能穿透◊又，純水亦能穿透紫外域 之亮線（g線、h線、！線）及KrF準分子雷射光（波長 248nm)等遠紫外光（DUv光）。 光罩載台MST係支持光罩Μ者，在與投影光學系統 PL之光軸Αχ垂直之平面内，即，在χγ平面内能2維移 動及在0 ζ方向能微小旋轉。光罩載台MST係藉由線性馬 達等光罩載台驅動裝置MSTD來進行驅動。光罩載台驅動 裝置MSTD係藉由控制裝置CONT來進行控制。在光罩載 15 1352375 台耐上，設置了移動鏡50。又，在與移動鏡5〇對向之 位置，設置了雷射干涉儀5卜光罩載台MST上之光革％ 在2維方向之位置及旋轉角係藉由雷射干涉儀5ι來即時 進行測量，測量結果係輸出至控制裝置c〇NT。控制裝置 CONT係根據雷射干涉儀51之測量結果，來驅動光罩載台 驅動裝置MSTD，藉此來進行支持於光罩載台MST之 Μ定位。 投影光學系統PL係用既定之投影倍率万，將光罩μ 之圖案投影曝光至基板ρ上者，係由複數個光學元件（係包 含設置於基板Ρ側前端部之光學元件（透鏡）2)所構成。這 些光學元件係用鏡筒ρΚ來支持。在本實施形態中，投影· 光學系統PL之投影倍率沒，例如，係1/4或1/5之縮小系 統。此外’投影光學系統PL亦可係等倍系統及放大系統 之任一個系統。又，本實施形態之投影光學系統PL前端 部之光學元件2係對鏡筒ΡΚ設置成能裝卸（替換），在光學 兀件2中，接觸浸液區域AR2之液體1。 光學元件2係由螢石所構成。因螢石與純水之親和性 高’故在光學元件2之液體接觸面2a之大致全面，能密合 液體1。即’在本實施形態中，供給與光學元件2之液體 接觸面2 a之親和性高之液體（水）丨’故光學元件2之液體 接觸面2a和液體丨之密合性高，能用液體1確實填滿光學 元件2和基板ρ間之光路。此外，光學元件2亦可係與水 親和性高之石英。且在光學元件2之液體接觸面2a施以親 水化（親液體化）處理，亦可更提高與液體1之親和性。又 16 1352375 ’鏡同PK之前端附近係與液體（水）ι相接觸，故至少前端 附近係以鈦（τ0等防銹性之金属所構成。 基板載台pst可支持（保持）當作被曝光對象之基板ρ 並移動者，具備：Ζ載台52(係、透過基板保持器ΡΗ來保持 基板Ρ)、ΧΥ'載纟53(係支持Ζ載台52)、及基座54(係支 持ΧΥ載台53)。基板載台pST係藉由線性馬達等基板载 台驅動裝置PSTD來驅動。基板載台驅動裝置PSTD係藉 由控制裝置CONT來控制。驅動z載台52，藉此來控制保 持於Z載台52之基板？在2轴方向的位置（聚焦位置）、及 (0 X、0 Y)方向之位置。又，驅動χγ載台W，藉此來控 制基板Ρ在ΧΥ方向之位置(係與投影光學系統pL之像面 貫質平行方向之位置）之控制。，z載台52係控制基板 p之聚焦位置及傾斜角，用自動聚焦方式、及自動調平方 式，將基板P表面對準投影光學系統PL之像面，χγ載台 53係進行基板ρ在χ軸方向及γ軸方向之定位。此外， 當然亦能一體設置Ζ載台和χγ载台。 在基板載台PST(Z載台52)上設有移動鏡55。又，在 與移動鏡55對向之位置，設置了雷射干涉儀％。基板載 台PST上之基板P在2維方向位置及旋轉角係藉由雷射干 涉儀56做即時測量，測量結果係輸出至控制裝置c〇nt。 控制裝置CONT係根據雷射干涉儀56之測量結果，驅動 基板載台驅動裝置PSTD，藉此來進行支持於基板載台 PST之基板ρ之定位。 在基板載台PST(Z載台52)上，設置了圍住基板ρ之 17 13523/^ 平板部30。平柘μ & Λ 十板。Ρ 30係與Ζ載台52一體設置，在平板部 3〇、之内側形成凹部32。此外’平板部3〇和Ζ載台52亦 可刀别。又1保持基板Ρ之基板保持器ΡΗ係配置於凹部 32平板。Ρ 3〇係具有與配置於凹冑32之基板保持器ΡΗ 所保持之基板Ρ之表面大致相同高度之平坦面（平坦部）31 液體供給機槿1 η >收M a 稱1 〇係將既疋之液體丨供給至基板p上 者具備·第1液體供給部u及第2液體供給部叫可供 .，。液體1)、第1供給構件13(具有供給口 ，透過具有 流路之供給管"八連接於第1液體供給部η，將從該第！ 液體供給部11所送出之液體1供給至基板p上）、及第2

供、。構件14(具有供、給0 14A，透過具有流路之供給管12A 連接於第2液體供給部1 2，將從該第2液體供給部u 所送出之液體1供給至基板p上）。帛i及第2供給構件 13、14係近接於基板P表面配置，於基板p面方向上設置 於彼此不同之位置。具體而言，液體供給機構10之第j 供給構件13係相對於投影區域AR1設置於掃描方向一方 側（一 X側）’第2供給構件14係設置於掃描方向之另一方 側（+ X側）。 第1及第2液體供給部丨丨、12係分別具備收容液體i 之槽及加壓泵等，透過各供給管丨丨A、丨2A及供給構件i 3 14 ’將液體1供給至基板卩上。又，第〗及第2液體供 給部1 1、12之液體供給動作係藉由控制裝置c〇Nt來控 制。控制裝置CONT係能分別獨立控制藉由第丨及第2液 18 Ϊ352375 體供給部1 1、1 2對基板p上之每單位時間之液體供給量 。又’第1及第2液體供給部11、12係分別具有液體之 溫度調整機構’能將液體1 (係與裝置所收容之室内之溫度 大致相同之溫度（例如23t：))供給至基板p上。 液體回收機構20係回收基板上之液體1者，具備：第 1及第2回收構件23、24(係具有近接基板P表面配置之回 收口 23A、24A)、及第1及第2液體回收部21、22(係透 過具有流路之回收管21A、22A，分別連接於該第i及第2 回收構件21、22)。第1及第2液體回收部21、22，例如 ，係具備真空泵等吸引裝置及收容所回收之液體丨之槽等 ’透過第1及第2回收構件23、24、以及回收管21A、 22A，來回收基板P上之液體1。第i及第2液體回收部 2 1、22之液體回收動作係藉由控制裝置c〇nt來控制。控 制裝置CONT係能控制藉由第i及第2液體回收部2丨' 22 所回收之每單位時間液體回收量。 在上述第1、第2供給構件13、14及第1及第2回收 構件23、24中，至少與液體接觸之部份係由含有不銹鋼 之材料所形成。在本實施形態中，第丨、第2供給構件13 、14及第1及第2回收構件23、24係由不銹鋼中之 SUS316所形成。又，由不銹鋼（SUS316)所形成之第丨、第 2供給構件13、14及第1及第2回收構件23、24中，至 少與液體接觸之液體接觸面施予表面處理。就這種表面處 理而言，例如，有神鋼PENTEC公司之「g〇LDEP」處理 或「GOLDEP WHITE」處理。 1352375 第2圖係表示液體供給機構1〇及液體回收機構2〇概 略構成之俯視圖。如第2圖所示，投影光學系統pL之浐 影區域AR1係設定成將Y軸方向（非掃描方向）當作長邊= 向之狹縫狀（矩形狀）’又，填滿液體丨之浸液區域ar2係 以包含投影區域AR1之方式，形成於基板p上之一部份。 並且，用來形成投影區域AR1之浸液區域AR2之液體供 給機構10之第1供給構件13係對投影區域AR1設置於掃

描方向一方側（一 X側），第2供給構件14係設置於掃描方 向另一方側（+ X側）。

第1及第2供給構件13、14係分別形成俯視略圓弧狀 ，该供給口 13A、14A在γ軸方向之大小係至少較投影區 域AR1在γ軸方向之大小為大來設定。並且，形成俯視 圓弧狀之供給口 13A、14A係在掃描方向（X軸方向），以 挾住投影區域AR1之方式來配置。液體供給機構1〇係透 過第1及第2供給構件1 3、14之供給口丨3 A、14 A，在投 影區域AR1之兩側’同時供給液體1。 液體回收機構20之第1及第2回收構件23、24係具 有回收口 23A、24A，係朝向基板p表面，以圓弧狀連續 形成。並且，藉由彼此相向配置之第1及第2回收構件23 24 末形成大致圓壤狀之回收口。第1及第2回收構件 23、24之回收口 23A、24A係以圍繞液體供給機構1〇之 第1及第2供給構件13、14及投影區域ARl之方式來配 置又，在以圍繞投影區域AR1方式連續形成之回收口之 内部’設置了複數個間隔構件25。 20 1352375 從第1及第2供給構件13、14之供給口 13A、Ma， 供給於基板P上之液體丨係以於投影光學系統PL前端部（ 光學70件2)之下端面和基板p間做擴展浸潤之方式來供給 。又’對投影區域AR1，流出第i及第2供給構件13 ' 14 外側之液體1係從第i及第2供給構件13、14，由相對於 投影區域AR1配置於外側之第}及第2回收構件23、以 之回收口 23A、24A加以回收。 在本實施形態中，將基板p進行掃描曝光之際，在掃 描方向，從投影區域AR1前方所供給之每單位時間之液體 供給量係設定成較在相反側所供給之液體供給量來得多。 例如，在+ X方向，邊移動基板p邊進行曝光處理的情況 下，控制裝置CONT係對投影區域AR1使得來自〜χ側（ 即供給口 13Α)之液體量多於來自+χ側（即供給口 ΐ4Α)之 液體量，另一方面，在一Χ方向，邊移動基板ρ邊進行曝 光處理之情形下，對投影區域AR1，使得來自+ χ側之液 體量多於來自一X側之液體量。又，在掃描方向，係設定 成在投影區域AR1前方之每單位時間之液體回收量較其相 反側之液體回收量來得少。例如，當基板在+ χ方向移動 時’對投影區域AR1，使得來自+ χ側（即回收口 24α)之 回收量多於來自一X側（即回收口 23Α)之回收量。 第3圖係從上方看基板載台pST之ζ載台52之俯視 圖。在俯視矩形狀之Z載台52之彼此垂直之2個邊緣部 ，配置了移動鏡55。又，在Z載台52之大致中央部，形 成了凹部32 ’在該凹部32 ’配置了用以保持基板p之基 21 1352375 板保持器PH。在基板p之周圍，具有與基板p表面大致 相同南度之平坦面（平坦部）3 i之平板部3〇係與Z載台52 一體設置。 基板保持器PH係具備大致圓環狀之周壁部33、複數 個支持。卩34(係配置於該周壁部33之内側，用以保持（支 持）基板P)。周壁部33係配置於支持部34之周圍，支持 部34係在周壁部33之内側以相同方式配置。平板部％ 之平坦面3 1係在支持於支持部34之基板p周圍配置著’ 以和支持於支持部34之基板p表面大致成為同一平面的 弋來。又置又，保持於基板保持器ΡΗ之基板p側面ρη 和平板部30之間，形成了既定之間隙a。此外，在圖中， 隹周土邻33之上端面具有較廣之寬度，但實際上，只有1 〜2mm左右之寬度。 平板部30之平坦面3 }之2個角落變寬廣，在寬廣部 之-設置了基準光罩FM(係使得光罩M及基板p對既定位 置進行對準之際所使用者）。又，在基板載台PST上之基 板P之周圍’也設置了照度感測器等各種感測器。此外， 在本實施形態中’基準標記™係設置於平板部3〇，但也 可將基準標記構件⑺來配置有別於平 3 FM)設置於基板載台⑽上。 第二圖係保持基板Ρ之基板載台PST之要部放大截面 圖。在第4圖中’在2載台52(平板部3〇)之凹部μ内部 ，配置了保持基板P之基板保持器PH。凹部32係形成於 平坦面31之内側，凹部32之内側面36係鄰接於平坦面 22 1352375 31。形成於周壁部33及該周壁部33内側之支持部34係 設置於構成基板保持器PH 一部份之大致圓板狀之基座部 35上。各支持部34係截面視梯形狀，基板P係將其背面 pc支持於複數個支持部34上端面34A。此外，在圖中， 雖支持。P 34 u較大比例來表示，但實際上，係非常小的 針狀支持部複數個形成於周壁部33之内側。 又’周壁部33之上面33A成為平坦面。周壁部33之 高度係較支持部34之高度為低，在支持於支持部W之基 板P和周壁部33間’形成間隙B。間隙B係較凹部之 内側面36和基板p之側面pB間之間隙a為小。例如，間 隙A右考慮基板p外形之製造誤差和基板p之 ’則較佳係、左右，間隙8係、2.〇〜5.〇H 右又，在凹部32之内側面36、和與該内側面％對向之 基板料器PH之側面37之間，形成間隙C。此處，基板 保持g PH之直徑係較基板p之直徑為小來形成，間隙A 係較間隙c為小。此外’在本實施形態中’基板p並未形 :對位用之缺口 (定向平面、凹槽)，基板p係大致圓形， % Ά個周圍之間隙A為〇 lnim〜1〇職，故能防止液 體流入。 在基板P之曝光面（表面PA)塗佈了光阻（感光材料）9〇 在本實施形態中，感光材料90係ArF準分子雷射用 之感光材料（例如，東京應化工業股份有限公司製TARF. P61〇〇，具撥液性（撥水性）’其接觸角為7〇〜8〇。左右。 23 1352375 又，在本實施形態中，基板P之側面PB係進行撥液 處理（撥水處理卜具體而言’亦在基板p之側面PB塗佈具 有撥液丨生之上述感光材料90。並且，亦在基板P之背面 PC，塗佈上述感光材料9〇，進行撥液處理。 Z載台52(基板載台PST)之一部份表面係被撥液處理 ，成為撥液性。在本實施形態_，z載台52中，平坦面 Μ、及内側面36具有撥液性。並且，基板保持器pH之一 伤表面亦被撥液處理，成為撥液性。在本實施形態中， 基板保持器PH中，周壁部33之上面33A、及側面37具 有撥液性。就Z載台52及基板保持器？11之撥液處理而言 例如，塗佈氟系列樹脂材料或丙烯酸系列樹脂材料等撥 液性材料，或貼上由該撥液性材料所構成之薄膜。就作成 撥液性之撥液性材料而言，係使用對液體丨為非溶解性之 材料。此外，也可用具有撥液性之材料（氟系列樹脂等）， 來形成Z載台52及基板保持器ph全體。 基板載台PST係具備吸引裝置40,係將被基板保持器 PH之周壁部33圍住之第1空間38設定成負壓。吸引裝置 40係具備：複數個吸引口 41 (係設置於基板保持器pH之 基座部35上面）、真空部42(係包含設置於基板載台pST 外部之真空泵）、流路43(其係形成於基座部35内部，連 接各複數個吸引口 41和真空部42)。吸引口 4丨係在美座 部35上面當中支持部34以外之複數個既定位置被分別設 置。吸引裝置40係對第i空間38内部（係形成於周壁部 33、基座部35及支持於支持部34之基板p之間）之氣體（ 24 1352375 空氣）進行吸引，使該第1空間Μ形成負M，藉此將基板 p吸附保持在支持部34。此外，因與基板P背面PC和周 壁部33上面33A之間隙:B非常微小，故能維持第）空間 3 8之負壓。 基板載台pst係、具備回收部（回收機構）6()，用以回收 机入凹部32内側面36和基板保持器pH側面η間之第2 空間39的液體卜在本實施形態中，回收部6〇传且備： 槽叫係能收容液體1}、及流路62(係設置於z載台W内 部，連接空間39和槽61)。並且，亦在該流路62之内壁 面，施予撥液處理。 在Z載台52中，形成流路45，該流路45係連接凹 32内側面36和基板保持器pH側面37間之第2空間Μ、 及Z載σ 52外部空間（大氣空間）。氣體（空氣）透過流路μ ’能流通第2空間3”。ζ載台52外部，第2空間3”系 大致設定在大氣壓。 如第5圖所示，在本實施形態中，基板保持器係 對z載台52可裝卸自如。並且，z載台52之與基板載台 PH之接觸面57係被撥液處理成為撥液性，並且，對z載 台52之接觸面（基板保持器pH背面58)亦被撥液處理，具 有撥液性。就對接觸面57和背面58之撥液處理而言，係 2上述，能用塗佈氟系列樹脂材料或丙烯酸系列樹脂材料 等撥液性材料等來進行。 其次，針對藉由具有上述構成之曝光裝置Εχ，將基 板Ρ之邊緣區域Ε浸液曝光之方法做說明。 k 25 ⑶2375 如第4圖所示，當把基板p之邊緣區域E浸液曝光之 際，液體1之浸液區域AR2係以覆蓋基板p之表面卩八之 —部份及平板部30之平坦面31 一部份方式來形成。此時 ，基板P側面PB及與該側面PB對向之内側面36係被撥 液處理，故浸液區域AR2之液體i不易浸入間隙A，藉由 其表面張力，幾乎不流入間隙A。因此，即使對基板p之 邊緣區域E曝光之情形，在投影光學系統pL之下，可邊 良好保持液體1邊進行浸液曝光❶此時，平板部之平 坦面3 1亦被撥液處理，故能防止液體1(形成浸液區域 AR2)向平板部30外側過度潤濕擴散，能良好形成浸液區 域AR2，並且，能防止液體}之流出和飛散等不良情況。 又，在基板P中，因無凹槽等缺口，故不會從該缺口流入 液體1。 又，即使浸液區域AR2之液體1透過間隙A些許流入 第2空間39之情形，由於在基板p背面pc及周壁部33 上面33A分別施予撥液處理，且間隙B非常小，所以液體 1不會流入為了將基板P吸附保持於支持部34而設定為負 壓之第1空間38中。藉此，能防止液體i流入吸引口 41 而無法吸附保持基板p之不良情況。 並且，々il入弟2空間3 9之液體1係透過流路6 2，被 回收於回收部60之槽61，能防止液體1朝週邊裝置流出（ 洩漏）或飛散等。此時，形成第2空間39之凹部32之内側 面36或基板保持器PH側面37、或流路62係成為撥液性 ，故流入第2空間39之液體丨不會滞留在該第2空間39 26 ’可順暢地流經流路62被回收於槽6 i β 另一方面，一般認為藉由吸引裝置4〇之吸引動作， 2二間39之氣體（空氣）會透過間隙Β流入第i空間w， 隨於此，浸液區域AR2之液體i會透過間隙a而浸入第1 工間39，浸液區域AR2之形成可能變成不穩定。 但是’凹部32之内側面36和基板保持器pH之側 37間之間隙C係設定成較基板p側面pB和凹部3 面36間之間u來得大m間39係·透過流路45門 放於大氣中’故通爾B之空氣大部分係透過流路： 從外部流人而通過間隙C之空氣，通A之空 體D係很少。因此，透過間隙A對液體！所施加之表面： 力可較液體1之表面張力來得小’所以可抑制浸 从2之液體1透過間隙A而流入第2空間39之不良情況 此外，在流路45之與第2.空間39連接之一端部相反 之另一端部係連接著氣體（空氣）供給裝置Μ，，將凹部 内側面3 6和基板伴描：$ ptj v , 土板保持益PH側面37間之第2空間39正 化’具體而言，可母 為略尚於大氣壓。藉此，能抑制浸 液區域AR2之液體i透過間隙A流入第2空間心 情此外’這種情況，若將第2空間Μ過度正壓化广 則弟2空間39内部之氣體(空氣)會透過間隙A流入浸液區 域AR\之液體卜產生液體4混人氣泡之不良情況= 較佳係第2空間3 9設定;^接& λ @ 。 疋於接近大耽壓（較大氣壓稍高程度） 27 1352375 如以上說明，將基板p之側面PB及與其對向之凹部 32内側面36作成撥液性’藉此’可防止液體1透過間隙 A浸入在Z載台52和基板保持器ph間之第2空間39之 不良情況。從而，當對基板P之邊緣區域E進行曝光之際 ，能邊抑制氣泡混入液體1、邊良好形成浸液區域AR2， 在此狀態下加以曝光。又，因能防止液體丨流入基板載台 PST内部之第2空間39,故能防止裝置之生銹及發生漏電 〇 又，將基板P背面PC及與此對向之周壁部33上面 33A作成撥液性，能防止液體】透過間隙B浸入第丄空間 38之不良情況。從而，能避免液體i流入吸引口 41之不 良情況，能在良好吸附保持基板p之狀態下，進行曝光處 理。 Ψ 又，在本實施形態中，在對ζ載台52能裝卸之基板 保持器ΡΗ之背面58、乃至於ζ載台52之與基板保持器 ΡΗ之接觸面57施予撥液處理，藉此，即使液體丨流入第 2空間39之情形，亦能抑制液體丨流入基板保持器背 面58和Ζ載台52接觸面57之間。因此，可防止在基板 保持器ΡΗ背面58和Ζ載台52接觸面57之間產生之生銹 等。又，若液體1浸入基板保持器ΡΗ背面58和ζ載台 接觸面57之間’則基板保持器ρΗ和ζ載台52就會I 著產生不易分離之狀況，但藉由作成撥液性，則可容易八 離。 刀 此外，在本實施形態中，雖基板保持器ρΗ和基板載 28 1352375 台PST(Z載台52)能裝卸，但亦可將基板保持器與基板 載台PST —體設置。 ”土 此外’在本實施形態中’為了對於基P之表面PA 、側面PB、及背面PC之全面施以撥液處理而塗佈了感光. 材料90,但亦可僅在形成間隙a之區域（即基板p之側面 PB)、形成間隙B之區域(即基板p之背自pc)中之與周壁 部33之上面33A對向之區域進行撥液處理。而且，只要 間隙A #常小、且撥液處理用之塗佈材料之撥液性（接觸 角）非常大，則液體1透過間隙A流入第2空間39之可能 _ 性更低，故亦可不對於在形成間隙B之基板p之背面 施予撥液處理，只將基板P之側面PB施予撥液處理。 同樣地，除了將基板载台PST之凹部32之内側面36 全面進打撥液處理之構成外，亦可僅在内側面36中之與 . 基板P之側面PB對向之一部份區域進行撥液處理。又， . 除了將周壁# 33之上® 33A *面進行撥液處理之構成外 ’亦可在上面33A中，例如，將内側一部份區域以環狀方 式進行撥液處理。又，除了將基板保持器pH之側面37全籲 面進行撥液處理之構成外，亦可僅對一部份區域進行撥液 處。 又’在上述之實施形態中’雖針對基板ρ側面以及與 之對向之基板載台PST之内側面36、基板保持器ΡΗ側面 37及與之對向之基板載台PST之内側面36、基板p之背 ^以及與之對向之周壁部33之上面33A施予撥液處理， 亦可僅在對向面中其中一面施予撥液處理。 29 1352375 又，在本實施形態中’雖平板部3〇之平坦面3i係被 撥液處理，但例如當平板部3〇之平坦部3ι非常大之情形 、或是液體1對基板P之掃抬速度非常小之情形，浸液區 域AR2之液體1往平板部30外部流出之可能性低，故即 使不將平坦面31進行撥液處理，亦能防止液體i之流出 或如政X 了在平坦面31之全面施予撥液處理之構 成外，例如，亦可將基板P附近之一部份區域加以撥液處 理呈環狀。 又，基板載台PST之平垣部31之撥液性和内側面36 之撥液性亦可不同。即，平坦面311液體i之接觸角和 内側面36之液體丨之接觸角亦可不同。 ，外，在本實施形態’雖周壁部33之高度係較支持部 34之问度為低，在基板p背面以和周壁部η之上面gw 間形成間隙B，但基板P背面p c和周壁部3 可接觸。 在士實施形態中’就基板p側面PB和背面pc之撥液 =而言r塗佈具有撥液性之感光材料90,但亦可在側 °φ Pc ’塗佈感光材料90以外之具有撥液性（撥 水性）之既定材料。例如，Λ ..在基板P之曝光面表面PA所塗 佈之感光材料90之上層，有時會 層（將感光材料90從評P5 % 々土 ⑷… 仗液體隔離之膜），該上塗層之形成材料 ’ I糸列樹脂材料)’例如係接觸角no。左右、且有 撥液性（撥水性）。因此，亦 右-有

，塗佈該上塗層形成材料。2板：側：PB和背面。C ^ 虽然’亦可塗佈感光材料90 30 1352375 或上塗層形成用材料以外之具有撥液性之材料。 又，在本實施形態，就基板載台PST和基板保持器 PH之撥液處理而言，係塗佈氟系列樹脂材料或丙烯酸系列 樹脂材料等，但亦可將上述感光材料或上塗層形成材料塗 佈於基板載台PST或基板保持器PH，相反地，亦可在基 板P之側面PB及背面PC，塗佈基板載台PST或基板保持 器PH之撥液處理所使用之材料。 上述上塗層往往係為防止浸液區域AR2之液體丨浸透 於感光材料90所設置，例如，即使在上塗層形成液體i 之附著痕跡（所謂水痕）’也能在浸液曝光後除去該上塗層 ，藉此將水痕與上塗層同時除去，然後進行顯影處理等既 定程序處理。此處’例如用氟系列樹脂材料來形成上塗層 之情形，能使用氟系列溶劑來除去。藉此，不需要用來除 去水痕之裝置（例如，水痕除去用基板洗淨裝置）等，能用 溶劑除去上塗層之簡單構成，除去水痕後，良好進行2定 之程序處理。 其次，針對具備本發明之基板載台之曝光裝置另—實 施形態’邊參照第6圖，邊加以說明。此處，在以下之說 明中，針對與上述實施形態同一或同等之構成部份，附加 同一符號’故將該說明予以簡略或省略。 在第6圖所示之基板載台PST中，在凹部32内側面 %和基板保持器PH之側面37間之第2空@ 39能保持液 體卜此處’在本實施形態之基板P側面PB未施予撥液處 理。又’對基板P之背面PC，係只在與基板保持器pH之 31 1352375 周壁部33之上面33A對向之一部份區域，施予撥液處理 °此外’在基板P之曝光面之表面PA，塗佈感光材料9〇 。又’在本實施形態中，基板載台PST中之内側面36及 基板保持器PH側面37，不施予撥液處理，只在基板保持 器PH之周壁部33之上面33A施予撥液處理。 在基板保持器PH中，在周壁部33之内側，形成了第 2周壁部46。 支持基板P之支持部34係形成於第2周壁部钧 η 側。周壁部33之高度和第2周壁部46之高度係大致相同 向度地形成。周壁部33之高度及第2周壁部46之高度係 較支持部34為低。此外’帛2周壁部46上面46α之寬度 二較周壁冑33上面33Α之寬度為小，但亦可相同，第2 =部46上面46Α之寬度亦可較周壁部33上面33α 度來得寬。 面’亦可使周壁部46上面46Α之高度與周壁部”上 之南度不同’第2周壁部46上面ΜΑ亦可與基板 面㈣。並且，在周壁部33和第2周壁部Μ之間 路:8 了 ％狀之緩衝空間47。在緩衝空間47係連接著流 流路48係將-端料接於緩衝空間Ο，將另一 壁部載台PST外部空間(大氣空間)。藉此，周 氣環境:第周壁部46間之緩衝空間”係被開放於大 見’錢衝空間47之麼力係設定為接近大氣壓。 供給：第PST係具備液體供給裝置7〇(能將液體 間39)。液體供給裝置70係具備··能送出液 32 叫375 體之供給部71、及流路72(形成於z載台52内部，一端部 連接於第2空間39，另一端部連接於供給部71)。此處 液體供給裝置70亦具有回收第2空間39之液體}之功能 第7A〜7C圖係表示在第2空間39填滿液體i之步 圖:如第7A圖所示’基板p裝载（載置）於基板載台吻 ^引第2空間39之液體！之水位（高度）係設定為較周壁 33之高度為低。此外，亦可在該狀態中，從第2介門 %除去液體i。其次，如第7B圖所示，基板以藉^ 圖不之裝載裝置，載置於基板保持器PH後，吸引裝置 乃將破第2周壁部46圍住之第i空㈤38之氣體（空氣）加 以吸引’把該第i空間38設定成負壓，藉此，基板？被 吸附保持於基板保持器PH之支持部34。其次，如第％ 圖所不’藉由液體供給裝置7〇，將液體i供給至第2空間 39精此，在第2空間39填滿液體】。此處，液體供洛襄 置7〇係持續將液體"共給至第2空間39直到與平板部：〇 ，平坦面3!及保持於基板保持器pH之基板p之表面大致 相同之高度（水位）。 此外’液體曝光完成後，亦可參照第7A〜7C圖進行 ^前述所說明之動作相反之動作H液曝光完成後， 兼備液體时功能之液體供給裝置7G係回收第2空間39 Μ體1β其次’吸引裝置40係對藉由基板保持器PH所 ρ解除吸附保持。其次，未圖示之卸载裝置係 抵1出基板保持器ΡΗ上之基板ρ。 33 1352375 將液體1填滿第2空間3 9，藉此，平板部3 〇之平坦 面31和基板ρ表面ΡΑ係透過第2空間39之液體1，形 成大致同一平面。即’平坦部31和基板ρ之間隙係被液 體1填滿。藉此，即使為了將基板Ρ之邊緣區域Ε浸液曝 光而在間隙Α上配置液體1 ’也能防止氣泡混入浸液區域 AR2之液體1等不良情況，能在良好形成浸液區域AR2之 狀態下’進行曝光。

此時’間隙B非常小，周壁部33上面da和與此對 向之基板P背面PC之一部份區域被施以撥液處理，故第2 空間39之液體！不會透過間隙B流入緩衝空間叼。並且 ，緩衝空間47係透過流路48開放於大氣環境，被設定在 接近大氣壓，故吸引裝置4〇即使第i空間％處於負壓之 狀態下’亦能防止填滿於第2空39之液體i流入緩衝 門47側即使液體少量通過間隙B，亦能在緩衝空間 4 7捕集該浸入之液體。 不貝把形態之基极葡厶 ρ q τ 7么η μ ^ 汉戰σ PST係具備液體供給裝置

係能將液體1供給至第2 ★鬥·^ 0 ^ 乐/工間39，並且，能回收第2 3 3 9之液體1)之構成。註ll 藉此，可依據基板ρ是否載置於道 保持器PH來自由供給或 X 口收液體1，故能防止液體1命 邊裝置流出。即，當尤楚1 第2二間39填滿液體1之情形 雖考慮例如在間隙A上西？番.夺 上配置次液區域AR2之液體1，透 流路48把缓衝空間47邛 〇疋成負壓，藉此，將間隙Λ上 液體1填滿第2空間y ^ ’但這種情形，浸液曝光處理完 後’將基板P卸載時，楚。^ 戟了，第2空間39之液體1之水位係 34 1352375 周壁部33之高度為高’故會產生液體i流入諸如周壁部 33上面33A或緩衝空間47側之不良情況。但是，藉由設 置液體供給裝|7〇(可对帛2空Pb1 39供給及回收液體D， 只要在卸載基板p之前回㈣2空間39之液體ι即可， 故能防止液體1之流出。 〜7|、 ，^饮π吸1玎王间 4 /之一 部相反之另-端部’連接氣體供給裝置48，，將緩衝空 47正壓化，具體而言，設定為略高於大氣壓。藉此，能 止第2空間39之液體i透過間隙Β，流入緩衝空間叼 至疋第1空間38之不良情況。此外，這種情形，若將 衝空間過度正壓化的話，則第2空間39内部之液體i 與緩衝空間47内部之氣體（空氣）同時透過間隙A流入浸, ::AR2之液肢1 ’產生氣泡混入液體丨之不良情況，; ir二门47 „又疋在大致大氣壓（較大氣壓略高之; 二。又，亦可使氣體供給裝置48，具有吸引功能，藉由〗

置二：周壁部33和第2周壁部“間之· u 47之壓力设定為略低於大氣壓(低負壓）' 且高於第 空間38之壓力，來任意調整緩衝空間47之壓力。 ^外’在本實施形態中，基板p係採用將背面％々 ^伤進行撥液處理之構成，但亦可背面％全面進行招 二Γ面：ΓΒ亦可進行撥液處理。並且，基板保持器 亦可將^ W 32内側面36亦可進行撥液處理。又， 33Α將基板Ρ之背面PC以及與其對向之周壁部33上面 A之任-方作成撥液性…亦可在第2周壁部“上面 35 1352375 46A &予撥液處理等’將第2周壁部46之上面作成撥液性 田…i亦可與上述之第1實施形態和其變形例同樣，使 基板p、基板保持器PH、及基板載台PST具有撥液性。 第8圖係表示本發明之基板載台psT之另一實施形態 圖。在第8圖中’基板載台PST係具備第2吸引裝置8〇( 將凹部32内側面36和基板保持器PH側面37間之第2空 間39之壓力設定為較被周壁部33圍住之第i空間38之 壓力為低）。第2吸引裝置8〇係具備槽61(透過流路62連 接於第2空間39，能收容液體υ、及泵64(透過閥63來 連接於槽61)。第2吸引裝置80及吸引裝置4〇之動作係 被控制裝置CONT控制。 在本實施形態中’在基板ρ之側面ΡΒ及背面pc未施 予撥液處理。又，凹部32之内側面36 '基板保持器之 側面37及周壁部33之上面BA亦未施予撥液處理。 Ϊ對於基板ρ之邊緣區域E進行曝光之際，控制裝置 CONT係控制吸引裝置4〇及第2吸引裝置8〇之動作，將 第2空間39之壓力降低至第1空間38之壓力以下。藉此 ’間隙A上之浸液區域AR2之液體1透過間隙a流入第2 空間39後，不會透過間隙B流入第！空間38側，而是回 收於第2吸引裝置80之槽61。在槽中，設置了排出流 路6 1 A ’液體1累積既定量後從排出流路6〗a排出。 如此般’將第2空間39之壓力降低至第1空間38之 壓力以下’藉此’通過間隙A之液體1不會浸入第1空間 38側，而可回收於第2吸引裝置8〇之槽61。因此，能防 36 I352375 止液體1流入吸引口 4 1，且在良好吸附保持基板p之狀態 下進行浸液曝光。並且’通過間隙A之液體1係用槽61 進行回收，故能避免液體1向裝置外部流出或飛散等不良 情況之發生。 在第8圖之實施形態争，係如上述實施形態和其變形 例所說明般，能將基板P(側面等）、基板保持器pH(周壁部 之上面33A等）、基板載台PST(平坦面31、内侧面36等） 各面之至少一部份做成撥液性。 又，在上述之第1圖〜第8圖之實施形態中，係在基 板載台pst之一部份或基板保持器PH之一部份表面施予 撥液處理，但亦可將這些全部表面進行撥液處理。例如， 亦可將基板保持器PH之支持部34上面34A進行撥液處理 。藉此，能抑制在支持部34之上面34A之液體附著痕跡（ 水痕）之形成，能維持以複數個支持部34所規定之支持面 之平坦性。 主要係將可能會與液體（水）接觸和附著之表面進行撥 液處理，藉此抑制液體之浸入、流出、飛散。又，即使附 著液體’亦能容易除去。 又，在上述各實施形態中，基板P係大致圓形，在其 周圍配置大致圓環狀之平板部30,藉此在平板部3〇(凹部 32之内側面36)和基板P之側面pB之間，形成既定值以 下之間隙A，但在基板P具有凹槽部或定向平面部等缺口 部之情形，藉由對應於基板P之缺口部來設定平板部3〇( 凹部32之内側面36)之形狀，即使在該缺口部中亦能將間 37 1352375 隙A保持在既定值以下。 第9圖係從上方看基板載台係支持具有凹槽部 NT之基板P)之俯視圖。如第9圖所示在平板部， 設置了與基板P之凹槽部⑽形狀對應之突起部 載台W之凹部32内側面36，以形成突起部15〇之方式， 來形成凸部36N。突起部15()係具有作為間隙調整部（用來 減小於支持部34所支持之基板p之凹槽部nt和平板部 3〇之平坦面31之_之功能’與平坦面31(平板部3〇)一 體形成。並且’在凹槽部Ν丁和凸起部15〇之間，形成間 隙在大起150中之與基板Ρ(凹槽部NT)對向之面和 上面，係與先前之實施形態同樣，施予撥液處理，在基板 P之凹槽部NT側面亦施予撥液處理。此外，就突起部⑼ /撥液處理而。，如上述，靠塗佈氟系列樹脂材料等來進 行。當然’也可在凹槽部NT塗佈上述之上塗層材料（氣系 列樹脂材料等）。 在土板保持器PH之側面37，係以與凹部内側 面36之凸部36N呈既定間隙對向的方式，配合凹槽部Μ 之形狀來形成凹部3 7N。 又，在基板保持Ε PH(用以保持純p)之上面’設置 了周壁部33Ν(係配合凹辨邱 凹心。卩ΝΤ之形狀所形成），在該周壁 部3 3 Ν之内側，盎箆1岡 ”弟3圖冋樣，設置了複數個支持部34 和吸引口 41(第9圖中省畋、„ 口中’略）。又，與上述實施形態同樣’ 周壁部3 3 Ν之上而技# 4i& ,. 面係成為撥液性。在支持部34，保持基板 P之際，透過吸引口 41哄？丨名 41及引軋體，將被周壁部33N圍住之 38 1352375 第1空間38(第9圖中省略）設定成負壓。如此般，藉由使 得基板保持器PH之周壁部33N之形狀亦配合凹槽部， 則即使從凹槽部NT之間隙八浸入液體，亦能/止°所“ 之液體流入周壁部33N之内側。此外，在第9圖中，係誇 大顯示凹槽部NT，但實際上，係、2〜3mm左右^曹部 NT之形狀亦可不受限於第9圖之形狀者。 曰 第10圖係從上方看基板載台PST(係支持具有定向平 面部OF之基板P)之俯視圖。如第1〇圖所示在平板部 3"，設置了對應基板P之定向平面部〇F形狀之平面部 在z載σ 51凹部32之内側面36，以形成平面部 ⑴之方式來形成平坦部36F。平面部15" 隙調整部（係用來縮小於支持部34所支持之基板p之= 平面OF和平板部3〇之平坦面31之間隙）之功能，鱼^ 坦面31(平板部3〇)一體形 一 正品加， 亚且，在疋向平面部OF和 千面。m51之間，形成間隙A。在平面部i5i巾，在與義 板p(定向平面部0F)對向之面或 " 定向平面部⑽中，亦施予撥液严理；^予撥液處理，在 _ 發液處理。此外，就平面部i5l 進二理而言’係如上述’靠塗佈氟系列樹脂材料等來 材料來進行。 之撥液處理而言，係靠塗佈感光 之二在严板保持器PH之側面37中，係― 平坦部呈既定間隙對向的方式，配合定向 "卩之形狀來形成平面部3 7卩。光0如 之基板保持器ΡΗ上面，配人定 在支持基板Ρ 面配口疋向平面部0F之形狀，設置 39 周壁部33F，在該周壁部33F之内側，與第3圖同樣，設 置I複數個支持部34和吸引口 41(在第ι〇圖中省略卜如 a —藉由使得基板保持器ph之周壁部33F之形狀亦配

:向平面OF ’則即使液體從定向平面部OF之間隙A 亦月b防止所次入之液體流入周壁部3 3 F之内側。 如以上說明，依據基板p之缺口部(凹槽部、定向平面 部)之形狀，來設定平板部3〇之形狀，藉此，能將間隙A 保持在既定值以下，能防+涪栌 叫平板部聊。 和基板載台 又，當曝光複數片某;p夕的 是数月暴扳p之際，缺口部（凹槽部、定向 +面部）之大小及形狀等有時會因基板卩而變化，這種情形 =時無法將基板P之缺口部和平板部％間之間隙A保 持在既定值以下。又，有時合由 由於對基板P外形之製造誤 板pUP?於基板載台PST之载置精度等，而不能將基 板之缺口部和平板部3〇間之間隙A保持在既定值以下 是以’如第11圖所示，以能移動自如的方式設置突起 構件152(具有對應於基板p之凹.卩Ντ夕 大起 ^ 卩NT之形狀之突起部 ^ )，對基板"月接近及遠離方向移動，藉此，即 NT之大小等變化，> 曰 幻4皮化也此將凹槽冑NT和突起構件152 ^持在既定值以 _ Λ:?配置於在平板部3〇 一部份所設置之凹部 裝置一透過該驅動機構來移動突二 40 ’在突起構件〗52和 ^ B . 槽。卩NT間，形成既定之間隙A。 : ，’、上述同樣，在突起Μ I + 在大起構件152中之與基板P(凹槽部 對向之面痞！_& „ . ^ a ^ 平板部30之凹部30D對向之側 面’知予撥液處理，在凹槽邻 ,s. . ^ 隹U僧°P NT也施予撥液處理。此處 在大起構件152和平柘邮^Λ/τ 4 D ,，θ , 十板。卩30(凹部30D)之間形成間隙 一由於該間隙D係較間隙A炎 邱3 1隱Α為小，在平板部30之凹 4 30D和突起構件152 之側面係撥液性，故处防t Ρ 〇之凹部3 〇 D對向 的u 此防止液體1浸入間隙D。此外，有 關與W圓共通之部份，省略說明。 有 圖係、表示具有與基板？之^向平面部沉形 Π A、以移動自如方式設置之平面構件⑸之 使传平面構件！53相對 動， 基板P朝接近及遠離方向移 猎此’即使定向平面部〇F之大 而承 之大小等變化’也能將定 向千面部OF和平面構件153 下。 間之間隙A保持在既定值以 部3〇 2圖所不之例中’平面構件153係配置於在平板 4 30 —部份所設置之凹部3〇d， 荖χν 糟由未圖示之驅動機構沿 ^移動。控·置⑺Ντ係透過㈣動 動+面構件⑴，藉此，在平

間， 稱件1 53和疋向平面部〇F 153ΓΓ之間隙A°並且，與上述同樣，在平面構件 虚平板邱W與基板Ρ(定向平面部0F)對向之面或上面、及 定t凹部遍對向之側面，施予撥液處理，在 二二 =OF亦施予撥液處理。此處，雖在平面構件153 。〇(定向平面部OF)之間形成間隙D，但由於該間 4) J^75 隙D係較間隙a.馬, 各 句】、，在平板部3〇之凹部30D和平面構 件153中之與平板邮 攸4 30之凹部3〇D對向之側面具撥液性 ，故能防止液體1芦 义入間隙D »此外，有關與第1 〇圖共通 之部份，省略說明。 此外力使得突起構件叫平面構件153)相對於基板 載台PST以替換白Λ 、自如的方式來設置，並且，事先準備複數 個具有彼此不同形壯、丄， _ 狀或大小之突起構件152(平面構件153) 則f由配合載置於基板載台PST之基板Ρ缺口部形狀和 大小等來替換突起構件152(平面構件，能將 持在既定值以下β % 又不僅疋犬起構件152(平面構件153)之大小或形狀 Ρ使疋移動方向亦不限定於上述實施形態，只要基板ρ 之缺口部附近之間隙Α可成為既定值以下即可。 此外’在本實施形態中’雖以和基板Ρ之缺口部（凹样 部、定向平面部） a 門形成間隙A之方式來移動突起構件 152(平面構件 , )，但亦可沿著XY平面以移動自如的方 式設置於基板ρ之3 m α ^ 周圍所s又置之平板部30，將基板ρ和平 板。Ρ 30間之間隙Α . 十 ，能採用將平板部30八丄 2^種情形，例如 刀割成複數，使得所分割之各分割 土反Ρ沿著ΧΥ平面朝接近及遠離方向移動。此時 先將各分割構件彼此間之間隙設定在㈣不 私度’藉此能迴避液體浸人基板載台阶内部之不良^ 之 並且’亦可將基板P搬運(载置)於基板載台ρ”上 42 1352375 前，事前測量基板p之大小或形狀（變形）或基板P缺口部 之大小或形狀，根據該測量結果，以使間隙A成為既定值 以下的方式來移動各構件。藉此，不僅能更確實防止液體 浸入間隙A，並且能防止基板p邊緣之破損。 又，在上述第6圖之實施形態中，雖液體有越過周壁 P 3(46)之上面33A之可能性，但越過周壁部上面 PA之液體能用緩衝空間47加以捕集，故能防止液體浸入 第1空間38。此外’為了應付此情形，亦可作成將浸入緩 衝工間47之液體加以回收之構造。 乂下，針對本發明另一實施形態加以說明。在參照第 匕圖〜第12圖所說明之上述實施形態中，為了防止液體i 浸入支持部34所支持之基板p之缺口部(凹槽部、定向平 Π ’、平板。"〇之平坦部3!之間，係由設置作為間隙調 正邛之大起部15〇、平面部151、可動突起構件152、及平 構件153來構成。另一方面，如第13圖之符號NT，所示 P使在液體1不改人之程度内儘可能縮小基板p之凹槽 部NT，，也能防止液體丨浸入基板？之凹槽部nt和基板 載台/ST(平板部3〇)之間。此外，帛13 ®所示之凹槽部 NT係成為不具銳角部之略圓形狀。 ，又，當把基板P載置於基板載台pST時，有時會按照 形成於基板P上電路之程序條件和光罩馗之圖案使缺口 部位置不同而戴置於基板載纟PST。例如，當把第！基板 裁置於基板載台PST時，係在缺口部朝—γ側之狀態來進 仃載置，當把第2基板載置於基板載台ps丁時，.係在缺口 43 部朝+ x側之狀態來進行載置 150之平板…旋轉自如的方式二:可將具有突起部 持部34所切之基板p之缺”事::置，按照於二 。例如，如第MA圓所示，當凹置，使平板部30旋轉 基板p保持於支持部34時，配人”PNT朝向-口則，使 部⑼配置於―側 :凹槽部NT之位置將突起 當凹槽部'部3〇，如第14B圖所示， 配合凹槽部^之立/ ’使基^保持於支持部Μ時， 形成具有凹部IS二第Μ〜刚圖，但 凹槽部NT之位晋决# 基板保持器ΡΗ亦配合 ΘΖ方W 讀°如前所述，亦能以在旋轉方向（ Λ邱⑽式設置做為間隙調整部之突起部150(及 Α )同樣地，具有平面部151之平板部30及形成 u 33F(具有平面部叫之基板保持器ΡΗ亦能配合 以平_ 〇F之位置，以旋轉自如的方式加以設定。藉 此’不論基板P之缺口部的位置為何，均能防止液體以 入平板部30和基板P(缺口部）之間。 或疋亦可使平板部30之突起部150對應到於支持部 3 4所支持之基板p夕阳4

之凹槽部NT之位置來將基板載台PST 全體旋轉。 第1 5A圖係表示凹槽部NT向一 Y側狀態。第15B圖 係表示凹槽部NT向+ X側狀態。此處，如第15A〜15B 圖所不’例如’在離開基板載台PST + X側之位置配置雷 射干涉儀56X ’在離開+ γ側之位置配置雷射干涉儀56丫 44 13523/5 清开7 ’若在形成為俯視矩形狀之基板載台pST之至少3 固緣部，分別配置移動鏡55，則在旋轉基板載台pST之際 也月b使任一個移動鏡55對向於雷射干涉儀56χ、56γ。 又，基板Ρ之缺口部主要係使用於當把基板Ρ載置於 板载口 PST蚪，進行大致對位之對準處理的情況。具體 2。，用光學檢測出缺口部之位置，根據該檢測結果，進 行對準處理。因此n 16Α圖所示，在形成於基板Ρ之 =槽部（缺口部）Ντ’被覆具有光穿透性之被覆構件則， 稭此，可透過被覆構件300以光學方式檢測出凹槽部Ντ 並且，當把基板Ρ載置於基板載台PST之際，也能防止 在平板部30和凹槽部Ντ(被覆構件3〇〇)間，形成大間隙 不良狀I、同樣地，在定向平面部〇F，亦能被覆被覆構 件 300。 此外’如帛16B圖所示，#凹槽部（缺口部）Ντ分別形 成於基板ρ之複數個位置之情形’能在複數個凹槽部ντ 被覆上被覆構件300。又，當凹槽部⑽分別形成於基板ρ 之複數位置之情形，亦可取代被覆被覆構# 3〇〇，按昭複 數個凹槽部ΝΤ ’在平板部3〇(基板載台psT)設置複數個突 起部150。藉&’亦能防止液體i浸入平板部3〇和基板以 缺口部）之間。 又’即使不在基板P形成缺口部’而改為在基板ρ之 既定位置設置孔部’亦能用光學方式檢測出該孔部來預先 對準基板ρ。這種情形之孔部，可為液體LQ不致通過程 度之小徑貫通扎’亦可為不貫穿基板p之凹坑狀之孔（凹部 45 )第17圖係表示形成於基板p之既定位置，例如，形成 複數個直彳a n < it 且仫〇.5mm左右之小貫通孔部3〇1之例。 第18圖係表示本發明之另—實施形態之俯視圖。此外

，關於虚楚 A 、、 圖同一之構件’乃賦予同一符號而省略其詳 細說明。尤货 、。π i 第18圖中’當作調整部之突起構件丨52係設 置於j持部34所支持之基板p邊緣部附近之複數個位置 圖所示之例中，在基板P之一Y側緣部附近，設 :大起構件15 2 γ，在基板p之+ X側緣部附近，設置 第2突起構件152X。這些突起構件152γ、152又係以能於 Ζ軸方向(上下方向）移動的方式來設置。又，在基板Ρ， W緣°卩附近，形成1處缺口部（凹槽部NT)。 卜 A圖係第1突起構件152Y附近之截面圖，第 19B圖係第2突起構件152χ附近之截面圖。如第Μ〜 “9B圖所不’突起構件152(152丫、152X)係靠彈性構件3〇2 持在帛19Α〜19Β圖所示之例中，彈性構件係由線 圈彈簧構件所構成’突起構件係透過線圈彈簧構件，支持 載〇 52之上面（接觸面）57。在向—γ側之基板ρ之凹 槽部NT和突起構件152γ呈現對位之狀態下，如第w 圖所示，突起構件152Υ並未被基板ρ所按壓，藉由線圈 ° ^構件302朝上方之彈磨力，配置於凹槽部ντ之内側 。藉由該突起構件152Υ，能縮小支持於支持部34之基板 Ρ之凹槽冑ΝΤ和平板部30之平坦面31 4間隙。另_方 面’如第19Β圖所示，配置於無凹槽部Ντ之位置之突起 冓件1 52Χ係被基板ρ從上屢住，來收縮線圈彈箐構件 46

丄 J / J 二藉此’突起構件152X係配置於基板p之下側 面’以凹槽部NT鈿a丄V η 万 部34拉# 帛向+Χ側之狀態下將基板支持於支持 大起構件1 52Χ係配置於凹槽部NT之内側，办 起構们仍係配置於基板p之下側。 内側穴 藉此，亦能縮小支持於支持 —板部3。之平坦面31之;”4:基板：之凹槽部 之平iB ft U 4 & 之間隙。並且，與平板部30 面31和内側面36同樣，將突起構件152之上… 側面施予撥液處理望 上面和 丨之浸入處理寻，來形成撥液性，能更有效防止液體 第20Α〜20Β圖係表示本發明之另 圆。第20Α〜20Β圖之實施形離 心 形能之樹形俐似 心係第ΒΑ〜19Β圖之實施 中ί::;5構件係賦予同-符號。在第2。圖 端面係連接於棒狀支持構件如之上 :;ot 52之一部份，設置了貫通孔-，支持 :=TZ軸方向移動自如的方式配置於貫通孔 二Γ:ί持構件303之下端部係露出…" 。又，在：ίΓΓ 303之下端部係連接於凸緣構件3。4 所==:4…，搭接…載…* 叮女表之板淖簧構件305。虚 同樣，如帛心圖所示，在基:从〜⑽圖之實施形態 件⑴呈對位狀態下，藉由之凹槽部财和突起構 起構件152被舉至上方，配置^構件305之彈塵力，突 方面，如第圓所Li:::槽部ΝΤ之内側。另- 件⑴未呈對位狀態下，突起構件=槽部财和突起構 件152係由基板ρ所按壓 47 1352375 ，配置於基板p之下側。在這種情 你、裡滑形中’將突起構件152 之上面和側面作成撥液奸 莊 麟幻生藉此能有效防止液體1之浸入 〇 圖係表示本發明之另一實施形態之截面 A〜21B圖中’突起構件152係透過鉸鏈部 306連接於平板部3〇(或基 a 、又丞极戰口 PST之既定位置）。在第 〜21B圖申’欽鏈部306係將窣如战_ 你將犬起構件152能回轉地 夺方向。较鏈部306内設彈簧構件，在第㈣圖 .:將突起構件152往箭頭yl方向彈麗來予以支持。也 =’敍鏈部30“系在與突起如52之上面和基板p “致同一平面之方向’對突起構件152具有彈壓力。 此外，在鉸鏈部3〇6設置浐 ^ , 又直徭仵在大起構件152之上面和 基扳P表面大致同一平 十面之狀態下，突起構件152之轉動 7 。並且，在第21A圖中，在基板P之凹槽部NT和 大起構件152呈對位狀態下，突起構件152係配置於凹槽 部NT之内側。另_ ，如第21B圖所示，在基板p之 凹才日部NT和突也错姓,_ 牛152非呈對位狀態下，突起構件 1 52係被基板p所址两 ^ W Τ 土板P所4女& ,配置於基板p之下側。在這種情 形中’亦可將突起構件Η 饵仟152之上面和側面作成撥液性，藉 此月b有效防止液體1之浸入。 :外’在上述之實施形態中，突起構件I”係藉由彈 可構件（彈性構件彳决# ^ )來移動，但亦可使用既定之致動器來移 動突起構件15 2。p 4* & 。種情形，例如，將基板P載置於基板 載σ PST之前，塞生ΐ , 爭先求出凹槽部NT之位置資訊。並且， 叁 48

亦可將基板P载置於龙^ A 相罢料 於基板載台PST後’根據前述所求出之 位置貧訊，將設置於其 衣出之 ^ φ^ 、基板載台PST之複數個突起構件152 之中特定之突起構件t ^ ^ 〜偁仟152

,^ 52以致動器來驅動，在凹MT

之内側配置突起構件 凹槽邛NT ；A 52。或疋亦可對基板載台pST α # 卸般事先設置突起構件152，不使用載口 PST此裝 業者等用手動方 不使用致動盗，而以例如作 八任基板載台PST上之基拓> N丁之内側配詈办如 之凹槽部 ΛΤΛ 1520 如之突起構件152之機械臂， PST上之A妬p 之機槭是，在基板載台 。 土 之凹槽部NT之内側’配置突起構件152 第22圖係表示使用致動器，將 槽部NT内側之一 v丨门 丁以配罝於凹 裝於棒狀之支持ri第22圖中’突起構件152係安 307之另 307之-端部(前端部)’在支持構件 以支持構件V〇7部），連接致動器308。致動器谓係 件152之支持摄之基端部為轉動中心，能轉動安裝突起構 γ方向轉3=Γ7。在第22圖中’致動器繼係在Θ 3〇7,能將/ 斯。致動器則藉由轉動支持構件 置於凹槽部^於支持構件3〇7前端部之突起構件⑴配 152 之内側。在這種情形下，也可將突起構件 浸入。又面和側面作成撥液性’藉此能有效防止液體！之 方向轉動^板P之浸液曝光完成後’致動器308係朝反 離突起構it件斯’藉此能從基板。之凹槽部NT撤 士 D _ 309， 3圊所示，在凹槽部NT被覆薄片狀構件 49 1352375 藉此也能抑制液體i浸入凹槽部Ντ和平板部3〇(平 =之間。就薄片狀構件309而言，較佳係撥液性，例如， 氟化乙軸錢（㈣商嫌峨之薄片狀 構件（鐵氟龍溥片）。士々k , ^ ^ 帶妝用货y 卜’也可將缚片狀構件309形成環 狀，用W狀構件3G9㈣蓋基板p 隙全體。 w J〗之間 152又:：上述各實施形態中’較佳係能替換突起構件 Ϊ 52。犬起構件i 52較 牛 經過而變差。因此，董1撥液性可能因時間 件152，葬“對應於撥液性之變差，來替換突起構 S可使用具有所需撥液性之突起構件1 52來有 效防止液體〗之浸入。 τ h來有 此外’在上述之各者 配置於凹辑却χΤ 態中，係以將突起構件152 •置於凹t部NT之情开;；益加 形成於基板p之定向說明，但當然，針對與 。並且，亦可使用彈應之平坦構件亦能適用 構4西己w π 構件（彈簧構件）或致動器，將平i曰 構件配置於㈣位置，縮小支持 千一 定向平面部與平板部3〇之平扭面3二之基板^ 液體1之浸入。 乏十t面31之間隙，.來防止 U ^外’當然可將使用第1圓〜第8圖所說明之實施形 態和其變形例、與使用帛 斤飞月之貫㈣ 態和其變形例加以適當組合使用'圖所說明之實施形 關於與第4圖、第丁6本:明二—實施形態之截面圖。此外， 而省略詳細說明。在：2;v:同:構件係賦予同 弟4圖中，基板載台PST係具備： 50 1352375 周壁部33、$ 2周壁部46(係形成於周壁部33内側）、支 持部34(係形成於第2周壁部46之内側}。吸引裝置4Q係 透過吸引口 41 ’進行吸引動作，將被第2周壁部46所圍 住之第1空間38設定成負壓，藉此基板p被吸附保持於 支持部34。 又，周壁部33和第2周壁部46間之缓衝空間47之壓 力係設定成較被第2周壁部46所圍住之第1空間38之壓 力為高。具體而言，與參照第6圖所說明之實施形態同樣 ，緩衝空間47係透過流路48向大氣釋放，緩衝空間47 之麼力係大致設定在大氣壓。或是，緩衝空間47亦可藉 由具有壓力調整功能之氣體供給裝置48,設定成略高於大 氣壓，亦可設定在較大氣壓為低、且較第丨空間38之壓 力為南之程度之壓力（低負壓）。此外，亦能將第1周壁部 33上面33A和第2周壁部36上面36A之任一方施予撥液 性。 第1周壁部3 3之高度係設定成較支持部34為低。第 2周壁部36之高度亦設定成較支持部34為低。又，第i 周壁部33之上面33A係被撥液處理，具有撥液性。第2 周壁部46之表面46A亦被撥液處理，具有撥液性。 在本實施形態中，在凹部32之内側面36和基板保持 器PH之側面37間之第2空間39中，不填滿液體Lq。又 ’在第2空間39中’進行第2空間39之壓力調整，並且 ’透過間隙A，連接第2吸引裝置80(係用來回收流入第2 空間39之液體LQ)。第2吸引裝置80係具有與參照第8 51 1352375

圖所說明者同等之構成’能將第2空間39之壓力設定成 較緩衝空間47之壓力為低。藉此，即使液體！從間隙a 些微浸入’亦能抑制該液體1從第1周壁部33之上面33A 和基板P間之間隙B浸入緩衝空間47。並且，能回收浸入 第2空間39之液體。 將基板P保持於支持部34之際，將第1空間38設定 成負壓’並且’使得緩衝空間47之壓力高於第1空間3 8 。較佳係將緩衝空間47之壓力設定成接近大氣壓或較大 氣壓為局。藉此’即使液體1從間隙A浸入第2空間3 9， 由於緩衝空間47之壓力被設定成較高壓，故能防止液體！ 透過緩衝空間47 ’浸入第1空間38、及基板p之背面側 和吸引口 41之不良情況。又，在本實施形態中，即使在 周壁部33之上面33A配置基板p之缺口部之情形，亦能 減低從缺口部和平坦面3 1間浸入之液體1浸入緩衝空間 47或第1空間38側之不良情況。 又’依據基板P缺口部之大小，液體可能越過周壁部 33之上面33A’但由於越過周壁部33之上面33A之液體 能用緩衝空間47來捕集’故能防止液體浸入第1空間3 8 。此外’亦可預防這種情形’作成將浸入緩衝空間47之 液體加以回收之構造。 又，詳細說明雖予以省略，但亦可如第4圖所示之實 施形態般’將基板P之側面PB或背面pc、平板部30之 平坦面31或内側面3 6作成撥液性。即，第4圖之實施形 態和其變形例所說明之基板P、基板保持器PH、基板載台 52 1352375 P S T各面之至少一都松換、.A点 4伤撥液處理係能與第24圖所說明之 施形態適當組合。 貝 此外在第24圖之實施形態中，第1空間38之負| 係能用第2周壁部46來維持，故亦可在第i周壁部”之 一部份設置缺口部（係連通緩衝空間47和第2空間39)β 第25A〜25B圖係表示本發明另一實施形態之圖，第 25A圖係俯視圖，帛抑係第2从圖之a—a截面圖。此 外關於與第3圖所示之實施形態同_之構件，因附加同 一符號，故詳細說明予以省略。在第25A〜25B圖中，基 板載台PST係具備複數個吸引σ (吸氣σ)4ι(侧來吸附二 持基板Ρ於支持部34卜又，在周壁部33内側之一部份， 局部形成第2周壁部46，。 如第25Α圖所示’帛2周壁部46’係設定於與支持於 支持。卩3 4之基板p之凹槽部Ντ(或定向平面部）相對應之 位置。第2周壁部46,係具有俯視大致圓弧狀之上面46Α， 將兩鳊部連接於周壁部33。並且，在周壁部Μ和第2 周J。卩46之間，形成緩衝空間47, ^緩衝空間47,係形成 於支持部34所支持之基板Ρ之凹槽部Ντ之附近。此外， 在本實施形態中，周壁部33及第2周壁部46，之各高度係 較支持部為低，其上面係具撥液性。 设置於第1空間38之複數個吸引口 41係透過流路43 ，連接於真空部（真空系統。另一方面，設置於基板ρ 之凹槽部NT附近之緩衝空間47,之吸引口 41，係透過第2 流路43,，連接於與真空部42獨立之第2真空部（第2真 53 1352375 空系統）42,。第2真空部42’之吸引力（每單位時間之氣體 吸引量），係設定成較真空部42之吸引力為弱。即，透過 於基板載台PST所設置之複數個吸引口中之基板p之凹槽 部NT附近之吸引口 41’之吸氣力係較透過其周圍之吸引口 41之吸氣力為小。 · 如前述般，由於將透過基板P之凹槽部NT附近之吸 引口 41’之吸氣力設定成較透過其他吸引口 41之吸氣力為 小’故基·板P之凹槽部NT和平坦面31(平板部3〇)間之間 隙係較凹槽部NT以外之基板p之侧面pB和平坦面3 1間 _ 之間隙為大’即使為液體1容易浸入之構成，也能抑制液 體1浸入凹槽部NT和平坦面3 1間之不良情況β 又，即使從基板Ρ之凹槽部ΝΤ越過周壁部33之上面 3 3 Α之液體浸入基板ρ之背面側，亦能用緩衝空間47 ’來 · 捕集該液體’故能阻止液體浸入第1空間3 8。此外，亦可 . 預防此種情形’作成將浸入緩衝空間47，之液體加以回收 之構造。 此外，亦可無須將連接於吸引口 41 ’之真空系統與連 籲 接於其他吸引口 41之真空系統做區隔，而是減低基板p 之凹槽部NT附近之吸引力。例如，亦可使得基板p之凹 槽部NT附近之吸引口 41’之口徑小於其他吸引口 41。或 是，亦可使得複數個吸引口中之Ντ附近之吸引口之配置 密度較其周面之吸引口配置密度來得小。或是，亦可採用 在基板P之凹槽部NT附近不設置吸引口之構成。並且， 例如’亦可使用閥等來封閉連接於吸引口 4丨，之流路43，， 54 1352375 藉此阻止從設置於基板P之凹槽部NT附近之吸引口進行 · 吸氣。 又’當減低基板P之缺口部（凹槽部）NT附近之吸引力 能防止液體浸入基板P背面側之情形，亦可不形成第2周 · 壁部46’。 S然’在第25A〜25B圖之實施形態中，亦可如在第 4圖所示之實施形態般’將基板p之側面pB或背面pc、 平板部30之平坦面31或内側面36作成撥液性。 此外’在上述實施形態中，當形成浸液區域AR2之液 _ 體壓力大之情形，因液體容易從存在於基板載台PST上之 間隙（基板P周圍之間隙等）浸入，故當浸液區域AR2形成 方；基板載台PST上之間隙上時，亦可降低液體壓力。特別 係在液體供給機構10之供給口 13A、14A之正下方，液體 - 壓力有變大之可能性，故當液體供給機構丨〇之供給口〗3 A . 14A與基板載台PST上之間隙對向時，減低液體之壓力 ’就能抑制液體從該間隙浸入。 此外，當然能適當組合使用第24圖及第25圖所說明 鲁 之實施形態、和使用第9圖〜第23圖所說明之實施形態 液體1係由純水所構成。純水 量取得，並且，對基板P上之 在上述各實施形態中， 在半導體製造工廠等容易大 光阻和光學元件(透鏡)等無不良影響，此為優點所在。又 ，純水對環保無不良影響，纟且，雜質之含量極低，故亦 能期待將基板P表面、及設置於投影光學㈣PL前端面 55 4- 1352375 之光學元件表面加以洗淨之作用。此外，當從工廢所供給 之純水純度低之情形，曝光裝置亦可具有超純水製造器。 並且’純水（水）對波長193nm左右之曝光用光EL之 折射率η大致為1.44 ’就曝光用光EL之光源而言，使用 ArF準分子雷射光（波長i93nm)之情形，在基板ρ上，能 得到l/n、即約134nm短波長化之高解析度。並且，焦點 深度與空氣中相較’能放大約η倍，即放大約1 _44倍，故 畲只要能確保與空氣中所使用之情形同程度之焦點深度即 可之情形’可進一步增加投影光學系統PL之數值孔徑， 此點也能提高解析度。 此外，當使用上述之浸液法之情形，投影光學系統pL 之數值孔徑ΝΑ有時成為〇·9〜1·3 ^當投影光學系統PL之 數值孔徑NA變大之情形，由於以往做為曝光用光使用之 任意偏光用光有時會因為偏光效應造成成像性能變差，故 較佳係使用偏光照明。這種情形，只需配合光罩（標線片） 之線-間距圖案之線圖案之長邊方向進行直線偏光照明，從 光罩（標線片）之圖案射出大量S偏光成份（TE偏光成份）、 即沿著線圖案之長邊方向之偏光方向成分之繞射光即可。 當於投影光學系統PL和塗佈於基板P表面之光阻劑間被 液體所填滿之情形，相較於投影光學系統PL和塗佈於基 板P表面之光阻劑間被空氣（氣體）填滿之情形，由於有助 於提高對比之S偏光成份（TE偏光成份）之繞射光在光阻劑 表面之穿透率變高，是以即使投影光學系統之數值孔徑 NA超過1 .G仍能得到高的成像性能。χ，若適當組合相位 56 丄352375 光罩或曰本專利特開平6-188169號公報所揭示之配合線圖 案之長邊方向之斜入射照明法（特別係雙極照明法）等的話 ’則更有效。 又’例如’把ArF準分子雷射當作曝光用光，使用 1M程度之縮小倍率之投影光學系統pL，將微細之線-間距 圖案（例如，2.5〜5〇nm程度之線_間距）曝光於基板p上之 h形，隨光罩Μ構造（例如，圖案之微細度和鉻之厚度）之 不同光罩Μ會因為波導（wave guide)效應而具有偏光板 作用，相較於用以降低對比之p偏光成份（TM偏光成份）之 繞射光，會有較多之s偏光成份（TE偏光成份）之繞射光從 光罩Μ射出’故較佳係使用上述之直線偏光照明，即使用 任意偏光用光來照明光罩Μ，就算投影光學系統PL之數 值孔徑ΝΑ為〇.9〜1 ·3般大之情形，亦能得到高解析性能 。又，當把光罩Μ上之極微細之線-間距圖案曝光於基板ρ 上之情形，雖由於線柵（Wire Grid)效應，ρ偏光成份（ΤΜ 偏光成份）有可能大於S偏光成份（ΤΕ偏光成份），但例如 把ArF準分子雷射當作曝光用光，使用1 /4程度之縮小倍 率之技景> 光學系統PL，將大於25nm之線-間距圖案曝光於 基板P上’在這種情形下’相較於p偏光成份（TM偏光成 份）之繞射光，會有更多的S偏光成份（TE偏光成份）之繞 射光從光罩Μ射出，故即使投影光學系統Pl之數值孔徑 ΝΑ大到〇·9〜].3之情形，亦能得到高解析性能。 並且’除了對準光罩（標線片）之線圖案長邊方向之直 線偏光照明（S偏光照明）以外’日本專利特開平6 — 53 120號 57 1352375 A報所揭示之偏光照明法（對於以光軸為中心之圓切線（圓 周）方向進行直線偏光照射）與斜入射照明法之組合亦有致 果。特別係光罩（標線片）之圖案不僅是在既定之單一方向 延伸之線圖案，而是在複數個不同方向延伸之線圖案混合 存在之情形，若如日本專利特開平6_5312〇號公報所揭示 般，將偏光照明法（對於以光軸為中心之圓切線（圓周）方向 進行直線偏光照射）與帶狀照明法併用，則即使投影光學系 統PL之數值孔徑NA大之情形，亦能得到高的成像性能 〇 本實施形態係在投影光學系統PL之前端，安裝光學 兀件2，藉由該透鏡，能進行投影光學系統p]L之光學特性 ，例如像差（球面像差、慧形像差等）之調整。此外，就安 裝於投影光學系統PL前端之光學元件而言，亦可為於投 影光學系統PL之光學特性調整上所使用之光學板。或亦 可為能穿透曝光用光EL之平行平面板。 此外，當因為液體1之流動所產生之在投影光學系統 PL前端之光學元件和基板p間之壓力大之情形，該光學元 件可非裝告P自如而是藉由前述壓幻吏光學元件穩固地固定 此外，本實施形態，雖採用投影光學系統PL和基板P 表面之間由液體1所填滿之構成，但例如，亦可在基板p 之表面安裝著由平行平面板所構成玻璃蓋之狀態下來填滿 液體1。 ' 此外，本實施形態之液體 係水，但亦可為水以外之 58 1352375 液體。例如，曝光用光EL之光源係&雷射之情形，因該 F2雷射光無法穿透水，故就液體i而言，亦可為能穿透： 雷射光之過氣化聚謎（PFPE)或氟系油等氟系流體。又，就2 液體1而言，其他亦能使用對曝光用光具有穿透性、折射 率儘可能高、且對於投影光學系統PL和塗佈於美板p表 面之光阻劑呈安定者（例如柏木油這種情形'/表面處理 係依據所使用之液體1之極性來進行。 此外，就上述各實施形綠之其把p … 〜&之基板P而言，不僅適用於 半導體元件製造用之半導體B圄 心千泽體日日0，而且亦適用於顯示器元 件用之玻璃基板、薄膜磁頭用 网无日日圓、或曝光裝置 使用之光罩或標線片之Ε版（人忐=〇 你欣（口成石央、矽晶圓）等。 就曝光裝置EX而言，除了 除了使付先罩Μ和基板p做同 步移動來進行光罩Μ圖案之掃描曝光之步進—掃描方式之 知描型曝光裝置(掃描步進機)之外，亦適用於：在光罩％ 和基板Ρ靜止狀態下，將亦s 將先罩Μ之圖案整體曝光，使基板 Ρ依序步進移動之步進—言 重複方式之投影曝光裝置（步進機） 又’本發明亦能適用於力其此D L ^ 用於在基板p上將至少2個圖案做部 份重疊來進行轉印$牛a 轉P之步進—縫合方式之曝光裝置。 又’在第1圖幸穿I 4 义 基板p呈大致靜止狀態下，使用投 衫光子系統（例如，1/8辕 縮小倍率’不含反射元件之折射型 投影光學系統），將第 弟1圖案之縮小像整體曝光於基板P上 ，然後，在第2圖幸知1> η α y 基板P呈大致靜止狀態下，使用該 投影光學系統，將第 2圖案之縮小像與第1圖案做部份重 疊’對基板P上做卷興退， ^•體曝光之縫合方式之整體曝光裝置亦 59 1352375 能適用。 又，本發明亦適用於曰本專利特開平1〇163〇99號公 報、日本專利特開平1〇_214783號公報、曰本專利特表 2000-505958號公報等所揭示之雙載台型之曝光裝置❶ 就曝光裝置EX之種類而言，不受限於將半導體元件 圖案曝光於基板P上之半導體元件製造用曝光裝置，亦廣 泛適用於液晶顯示元件製造用或顯示器製造用曝光裝置、 用來製造薄膜磁頭、攝像元件（CCD)或標線片或光罩等之 曝光裝置等。 在基板載台PST和光罩載台MST中，使用線性馬達（ 參照USP5,623,853或USP5,528，118)之情形，可使用採空 氣軸承之氣浮型及使用採洛倫茲力或反作用力之磁浮型之 任一種。又，各載台PST、MST可為沿著該導件移動之型 式’亦可為不設置導件之無導件型。 就各載台PST、MST之驅動機構而言，亦可使用平面 馬達，該平面馬達係使二維配置磁鐵之磁鐵單元、二維配 置線圈之電樞單元對向，藉由電磁力，來驅動各載台PST 、MST。這種情形，亦可將磁鐵單元和電樞單元之任一方 連接於載台PST、MST，將磁鐵單元和電樞單元之另一方 没置於載台PST、MST之移動面側。 由於基板載台PST之移動所產生之反作用力，亦可如 曰本專利特開平8_166475號公報（USP5,528,1 18)所記載， 使用框體構件，以機械方式釋放到地板（地面），俾使不傳 遞至投影光學系統PL。 60 1352375 由於光罩載台MST之移動所產生之反作用力，亦可如 曰本專利特開平8-330224號公報（US S/N 〇8/416,558)所記 载般，使用框體構件，以機械方式釋放到地板（地面），俾 使不傳遞至投影光學系統！^。 本專利實施形態之曝光裝置EX係以能保有既定之機 . 械性精度、電氣性精度、光學性精度的方式將包含本專利 申請範圍所提出之各構成要件之各種準系統加以組裝來製 造。為了確保這些各種精度，在該組裝之前後，針對各種 光學系統，進行用來達成光學性精度之調整，針對各種機 · 械系統，進行用來達成機械性精度之調整，針對各種電氣 系統，進行用來達成電氣性精度之調整。從各種準系統到 曝光裝置之組裝製程’係包含各種準系統相互之機械性連 接、電路之配線連接、氣壓回路之配管連接。從各種準系 · 統到曝光裝置之組裝製程前，當然有各準系統個別之組$ . 製程。各種準系統對於曝光裝置之組裝完成後，進行综合 調整’能確保曝光裝置整體之各種精度。此外，曝光裝^ 之製造最佳係在溫度及清潔度受到管理之潔淨室來進行。 _ 半導體元件等之微元件係如帛26圖所示，經由步驟 201(進行微it件之功能及性能之設計）、步驟2()2(根據該設 計來製作光罩（標線片））、製造元件基材（基板）之步驟 、曝光處理步驟204(藉由前述實施形態之曝光裝置Εχ, 將光罩圖案曝光於基板）、元件組裝步驟（包含切割製程、 接合製私、封裝製程）2〇5 '檢查步驟2〇6等來製造。 產業上可刺同忡 61 1352375 依本發明，即使對於基板邊緣區域進行曝光之情形， 亦能良好形成浸液區域’能在抑制液體浸入及液體朝基板 載台外部流出之狀態下’進行曝光，能製造具所欲性能之 元件》 【圖式簡單說明】 (―)圖式部份 第1圖係表示本發明曝光裝置一實施形態之概略構成 圖。 第2圖係表示液體供給機構及液體回收機構之概略構 成圖。 第3圖係基板載台之俯視圖。 第4圖係表示本發明基板載台之一實施形態之要部截 面圖。 第5圖係表示可對基板載台做裝卸之基板保持器示意 圖。 第6圖係表示本發明基板載台另一實施形態之要部截 面圖。 第7Α〜7C圖係表示在空間配置液體順序一例之示意 圖。 第8圖係表示本發明基板載台另一實施形態之要部截 面圖。 第9圖係表示本發明另一實施形態之基板載台之俯視 圖。 第10圖係表示本發明另一實施形態之基板載台之俯視 圖0 62 1352375 第π圖係表示本發明另一實施形態之基板載台之俯視 圖。 第12圖係表示本發明另一實施形態之基板載台之俯視 圖。 第13圖係表示本發明曝光方法之基板一實施形態圖。 第14Α〜14Β圖係表示本發明另一實施形態之基板載 台俯視圖。 第15Α〜15Β圖係表示本發明另一實施形態之基板載 台俯視圖。 第16Α〜16Β圖係表示本發明曝光方法之另一實施形 態圖。 第17圖係表示本發明曝光方法之基板一實施形態圖。 第1 8圖係表示本發明另一實施形態之基板載台俯視圖 〇 第 A 1 9B圖係表示本發明另一實施形態之基板載 台要部截面圖。 第20A〜20B圖係表示本發明另一實施形態之基板載 台要部截面圖。 第21A〜2 1B圖係表示本發明間隙調整部之另一實施 形態圖。 第22圖係表示本發明間隙調整部之另—實施形態圖。 第23圖係表示本發明間隙調整部之另一實施形態圖。 第24圖係表示本發明另-實施形態之基板載台要部截 面圖。 1352375 第25A〜25B圖係表示本發明另一實施形態之基板載 台圖。 第26圖係表示本發明半導體製造步驟一例之流程圖。 第27圖係用來說明習知曝光方法問題之示意圖。 (二）元件代表符號 AR1 投影區域 AR2 浸液區域 AX 光轴 B、C ' D 間隙 CONT 控制裝置 EL 曝光用光 EX 曝光裝置 FM 基準標記 IL 照明光學系統 Μ 光罩 MST 光罩載台 MSTD 光罩載台驅動裝置 NT 凹槽部 OF 定向平面部 P 基板 PA 基板表面 PB 基板側面 PC 基板背面 PH 基板保持器

64 1352375 PL 投影光學系統 PK 鏡筒 PST 基板載台 PSTD 基板載台驅動裝置 1 液體 2 光學元件 2a 液體接觸面 10 液體供給機構 11 第1液體供給部 1 1A、 12A 供給管 12 第2液體供給部 13 第1供給構件 13A、 14A 供給口 14 第2供給構件 20 液體回收機構 21 第1液體回收部 21A、 22A 回收管 22 第2液體回收部 23 第1回收構件 23A、 24A 回收口 24 第2回收構件 25 隔離構件 30 平板部 30D 平板部凹部

65 1352375 31 平坦面（平坦部） 32 凹部 33 ' 33N、33F 周壁部 33A 周壁部上面 34 支持部 34A 上端面 35 基座部 36 凹部内側面 36N 凸部 37 基板保持器側面 37F 平面部 37N 凹部 38 第1空間 39 第2空間 40 吸引裝置 41 ' 415 吸引口 42 真空部 425 第2真空部 43 ' 435 ' 45 流路 46 ' 465 第2周壁部 46A 第2周壁部上面 47 ' 475 緩衝空間 48 流路 48s 氣體供給裝置

66 1352375 50 ' 55

51、56、56X、56Y

52 52K 53 54 55 57 58 60 61

61 A 62 63 64 70 71 72 80 90 150 151

152 152A 移動鏡 雷射干涉儀 Z載台 貫通孔 XY載台 基座載台 移動鏡 接觸面 基板保持器背面 回收部（回收機構） 槽 排出流路 流路 閥 泵 液體供給裝置 供給部 流路 第2吸引裝置 光阻（感光材料） 突起部 平面咅P 突起構件 突起部

67 1352375 152X 第2突起構件 152Y 第1突起構件 153 平面構件 300 被覆構件 301 貫通孔部 302 彈性構件 303 支持構件 304 凸緣構件 305 板彈簧構件 306 鉸鏈部 307 支持構件 308 致動器 309 薄板狀構件

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Claims (1)

1352375 — , _ 私年11月日修正本 拾、申請專利範圍： ' 1、 一種曝光方法，係透過投影光學系統和液體，將圖 案像投影於基板上，藉此將基板曝光；其中， • 該基板之侧面被施以撥液處理。 2、 如申請專利範圍第1項之曝光方法，其中該基板之 背面被施以撥液處理。 3、 一種曝光方法，係透過投影光學系統和液體，將圖 案像投影於基板上，藉此將該基板曝光；其中， 該基板之背面被施以撥液處理。 φ 4、 一種基板載台，係使用於浸液曝光（透過投影光學 系統和液體將圖案像投影於基板上，藉此將基板曝光），供 保持該基板之可移動的基板載台；其中， 具有保持該基板的基板保持器、保持於該基板保持器 . 之該基板周圍的平坦部、以及與保持於該基板保持器之該 基板側面對向的内側面； 該平坦部之至少一部份表面係撥液性。 5、 如申請專利範圍第4項之基板載台，其中，該基板 春 保持器’具有周壁和配置於周壁内側之複數個支持部； 藉由將該周壁所圍住之空間調整成負壓，來將基板保 持於該支持部； 該周壁上面係撥液性。 如申明專利範圍第5項之基板載台，其中該周壁之 高度較該支持部之高度為低。 如申靖專利範圍第4項之基板載台，其中，該平坦 69 比2375 I teV料替換頁 部之表面’係與該基板表面大致相同高度。 8、 如申請專利範圍第7項之基板載台，其中， 該内側面之至少一部份係撥液性。 9、 如申請專利範圍第4項之基板載台，其中，該基板 保持器係具備周壁和配置於周壁内側之支持部； 將該周壁所圍住之空間設定為負壓，藉此將該基板保 持於該支持部。 10、 如申請專利範圍第9項之基板載台，其中該基板 保持器之至少一部份表面係撥液性。 11、 如申請專利範圍第10項之基板載台，其中該周壁 之上面係撥液性。 12、 如申請專利範圍第9項之基板載台，其中該基板 保持器可裝卸自如； 與該基板保持器之接觸面係撥液性。 13、 如申請專利範圍第9項之基板載台，其中該基板 保持器可裝卸自如； 該基板保持器背面係撥液性。 14、 如申請專利範圍第9項之基板載台，其中，該平 坦部’係與保持於該基板保持器之該基板表面大致相同高 度。 15如申**青專利範圍第9項之基板載台，其中該内側 面之至少一部份係撥液性。 16、如申請專利範圍第9項之基板載台，其中該基板 保持器周壁之側面之至少一部份係撥液性。 丄 17、如申請專利範圍第9項之基板載台，其中將該基 板保持器周壁外側之空間加以正壓化。 Μ、如申請專利範圍第9項之基板載台，其中，該基 板保持器周壁外側之空間，能保持液體。 19、如申請專利範圍第9項之基板載台，其中，具備 · 回收部’係將從該基板側面與該内側面間的間隙流入該基 板保持器周壁外側之空間之液體加以回收。 2〇、如申請專利範圍第9項之基板載台，其中，將該 基板保持器周壁外側之空間壓力調整成較該周壁所圍住之 鲁 空間之壓力來得低。 21、 如申請專利範圍第7項之基板載台，其中，具備 周壁以及形成於該周壁内侧之支持部， 將該周壁所圍住之空間設定成負壓，藉此將該基板保 · 持於該支持部^ 22、 如申請專利範圍第21項之基板載台，其具備回收 部’該回收部係將從該基板側面和該内側面之間之間隙浸 入該周壁外側空間之液體加以回收。 _ 23、 如申請專利範圍第22項之基板載台，其中， 該内側面之至少一部份係撥液性。 24、 如申請專利範圍第23項之基板載台，其中該周壁 上面係撥液性。 25、 如申請專利範圍第24項之基板載台’其中該周壁 係較該支持部來得低。 26、 如申請專利範圍第4項之基板載台’其中， 71 丄幻2375 懈替換頁 撥液性 ! H1 該内側‘ :¾¾知 27、如巾請專利範圍第26項之基板載台，其具備回收 部’該回收部係將從該基板側面和該内側面之間之間隙浸 入之液趙加以回收。 28、 如申請專利範圍第9項之基板 係較該支持部來得低。 以該周壁 29、 如申請專利範圍第i 5戈3項之曝光方法，其中， 該撥液處理係以撥液性材料形成薄膜。 ’、

30、 如申請專利範圍第29項之曝光方法，其中，該撥 液性材料包含感光材料。 31、 如申請專利範圍第29項之曝光方法，其中，該撥 性材料包含氟系列材料。 32如申β奢專利範圍第1或3項之曝光方法，其中， 進一步包含將該基板保持於基板載台之基板保持器的動作 該基板載台，具有保持於該基板保持器之該基板周圍 的平坦部、以及與保持於該基板保持器之該基板側面對肖· 的内侧面’該平坦部之至少—部份表面係撥液性。 33、如申請專利範圍第！或3項之曝光方法，其進— 步匕含將該基板保持於基板載台之基板保持器的動作； 該基板載台，具有保持於該基板保持器之該基板周圍 的平坦部、以及與保持於該基板保持器之該基板側面對向 的内側面，該内側面之至少一部份表面係撥液性。 34、一種元件製造方法，係使用申請專利範圍第！至 72 -.¾•曰修參替換買! ⑽年6叫日替換頁

33項中任—項之曝光方法 35如申請專利範圍第9項之基板載台，其具有回收 部’係將從保持於 f於5亥基板保持器之該基板側面與該内側面 間的間隙侵入之该 <液體加以回收。 36如申清專利範圍第35項之基板載台，其中，該 〇卩係回收從該間隙侵入該周壁外側之空間的液體。 37如申請專利範圍第36項之基板载台’其中，該 内側面之至少—卹a么 。卩伤係撥液性。 38如申清專利範圍第4項之基板載台，其具有回收 4 ’係將從保持於該基板保持器之該基板側面與該内側面 間的間隙侵入之液體加以回收。 39、如申請專利範圍第7項之基板載台，其具有回收 4 ’係將從保持於該基板保持器之該基板側面與該内側面 間的間隙侵入之液體加以回收。 4〇、如申請專利範圍第3 8或39項之基板載台，其中 ，該回收部具有用以回收該液體的流路。 41、 如申請專利範圍第40項之基板載台，其中，該 流路具有撥液性的表面。 42、 如申請專利範圍第40項之基板載台，其中，該 流路係連接於吸引裝置。 43、 如申請專利範圍第4、7、26、36、38、39項中 任一項之基板載台，其具有具備該平坦部的板部。 44、 如申請專利範圍第43項之基板載台，其中，在對 該基板之邊緣區域進行曝光時，係於該基板上之一部分形 73 1352375 I年月日修正替換頁 成液區域，該液浸區域之一部分係形成於該平坦部上。 45、 如申請專利範圍第4、7、26項中任一項之基板載 cr，其中，在對該基板之邊緣區域進行曝光時，係於該基 板上之部分形成液浸區域，該液浸區域之一部分係形成 於該平坦部上。 . 46、 如申請專利範圍第4項之基板載台，其具有形成 於該平坦部、用以定位該基板的基準標記。 47、 一種基板載台，係用於藉由透過投影光學系統與 液體將圖案像投影於基板上以使該基板曝光的液浸曝光，鲁 可保持該基板來移動，其中·· 具有保持該基板的基板保持器、保持於該基板保持器 之該基板周圍的平坦部、以及與保持於該基板保持器之該 基板側面對向的内側面； - 該内側面之至少一部份表面係撥液性。 - 48、 如申請專利範圍第47項之基板載台，其中，該基 板保持器，具備周壁和配置於周壁内側之支持部； 藉由將該周壁所圍住之空間調整成負壓，來將該基板籲 保持於該支持部。 49、 如申請專利範圍第48項之基板載台，其具有回收 部，係將從保持於該基板保持器之該基板側面與該内側面 間的間隙侵入該周壁外側之空間的液體加以回收。 50、 如申請專利範圍第48或49項之基板載台，其中 ，該平坦部之表面，係與保持於該基板保持器之該基板表 面大致相同高度。 74 1352375 年月曰修：引 (-^6rlha2 51、 如申請專利範圍第47項之基板載台，其中，該平 坦部之表面’係與保持於該基板保持器之該基板表面大致 相同高度》 52、 如申請專利範圍第47項之基板載台，其具有回收 部’係將從保持於該基板保持器之該基板側面與該内側面 間的間隙侵入的液體加以回收。 53、 如申請專利範圍第51項之基板載台，其具有回收 部’係將從保持於該基板保持器之該基板側面與該内側面 間的間隙侵入的液體加以回收。 54、 如申請專利範圍第47、49、51、52、53項中任一 項之基板載台’其具有具備該平坦部的板部。 55、 如申請專利範圍第54項之基板載台，其中，在對 該基板之邊緣區域進行曝光時，係於該基板上之一部分形 成液浸區域’該液浸區域之一部分係形成於該平坦部上。 56、 如申請專利範圍第49、52、53項中任一項之基板 載台，其中’該回收部具有用以回收該液體的流路。 57、 如申請專利範圍第56項之基板載台，其中，該流 路具有撥液性的表面》 58、 如申請專利範圍第56項之基板載台，其中，該流 路係連接於吸引裝置。 59、 如申請專利範圍第47、49、51項中任一項之基板 載台，其中’在對該基板之邊緣區域進行曝光時，係於該 基板上之一部分形成液浸區域，該液浸區域之一部分係形 成於該平坦部上。

60、如—申範圍第47項之基板載台，其具有形成 於該平坦部、用以定位該基板的基準標記。 一種曝光裝置，具備申請專利範圍第4〜14、15 〜2〇、21〜25、26、27、28、35〜60項中任一項之基板載 台 、' Q '以及投影光學系統，透過該投影光學系統與液體將圖 案像技影於保持於該基板載台之基板保持器的基板上。 62、一種π件製造方法，係使用申請專利範圍第“項 之曝光裝置。

63、一種曝光方法，包含： 4〜14、 15〜20、 21〜 項之基板載台的基板保

將基板保持於申請專利範圍第 25 26、27、28、35 〜60 項中任一 持器的動作；以及 圖案像投影於保持於該基 包含申請專利範圍第63項 透過投影光學系統與液體將 板保持器的該基板上。 64、一種元件製造方法係 之曝光方法》 拾壹、囷式： 如次頁。 76