JPH0936212A - 静電チャック - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来の静電チャックは、常時電力を供給しな
ければならなかったため、搬送可能範囲が制限された
り、空気中で使用すると絶縁体と半導体ウエハとの接触
抵抗が次第に低下し、吸着圧力が低下して半導体ウエハ
が固定保持できなくなってしまう。 【解決手段】 直流電源１３によって半導体ウエハ１０
と電極１２との間に電位差を与えると、その間に吸着圧
力が発生して半導体ウエハ１０が撥水性材料１の表面に
固定保持される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、半導体ウエハの搬送
時または加工時等に該半導体ウエハを固定保持する静電
チャックに関する。

【０００２】

【従来の技術】通常、半導体ウエハを一枚ずつ高速で搬
送する場合や半導体ウエハを加工する場合は、搬送台や
作業台等にその半導体ウエハを固定保持する必要があ
る。このような半導体ウエハを固定保持する装置の１つ
に静電チャックがある。図８に静電チャックの基本的な
構成を示す。この図において、１０は静電チャックに固
定保持される半導体ウエハである。１１は半導体ウエハ
１０を搬送する搬送台１４に固定されている絶縁体であ
り、その内部に電極１２を有している。１３は直流電源
であり、直流電源１３の正極側と負極側がそれぞれ電極
１２と半導体ウエハ１０に接続され、半導体ウエハ１０
と電極１２とに電位差を与える。

【０００３】ここで、図８に示す静電チャックの等価回
路を図９に示す。この図においてＶoは直流電源１３の
出力電圧である。ｄ1は半導体ウエハ１０と絶縁体１１
表面の間隔であり、ｄ2は絶縁体１１の厚さである。ま
た、Ｒ1は半導体ウエハ１０と絶縁体１１の表面間の抵
抗であり、絶縁体の表面抵抗値に関係する。Ｒ2は絶縁
体１１の抵抗値である。この図に示す等価回路におい
て、半導体ウエハ１０に対する吸着圧力Ｐは下式により
求められる。 Ｐ＝１／２εo（Ｖ／ｄ1）² （１） ここで、εoは雰囲気の誘電率を示し、Ｖは接触抵抗Ｒ1
に発生する電圧を示す。

【０００４】上述したような構成を有する静電チャック
において、吸着圧力Ｐ、すなわち半導体ウエハ１０を絶
縁体１１に吸着させる力を発生する方法として、従来よ
りジョンソン・ラーベック力を利用する方法とクーロン
力を利用する方法とがある。以下にそれぞれの方法の特
徴について説明する。

【０００５】ジョンソンラーベック力を利用する方法 この方法は絶縁体１１として、絶縁材料に導電性粉末
（例えばアルミナ＋TiO₂粉末等）を混入し、ある程度の
導電性を持たせたものを使用する。すなわち、図９に示
す等価回路において、抵抗Ｒ1，Ｒ2の値がある程度小さ
いので、抵抗Ｒ1，Ｒ2に電流が流れることになる。この
電流をｉとした場合Ｖ＝ｉＲ1となり、これを（１）式
に代入すると、ジョンソン・ラーベック力による半導体
ウエハ１０に対する吸着圧力Ｐは下式により求められ
る。 Ｐ＝１／２εo（ｉＲ1／ｄ1）² （２）

【０００６】クーロン力を利用する方法 この方法においては、絶縁体１１に例えばサファイア等
の高抵抗体を用いる。すなわち、図９に示す等価回路に
おいて、抵抗Ｒ1，Ｒ2の値が極めて大きくなるため、抵
抗Ｒ1，Ｒ2に電流がほとんど流れず、上述した電流ｉの
値をほぼ０と見なすことができる。したがって、電圧Ｖ
は下式によって求められる。 Ｖ＝ｄ1εＶo／（ｄ1ε＋ｄ2εo） （３） ここで、εは絶縁体１１の誘電率を示す。

【０００７】この（３）式を（１）式に代入すると、ク
ーロン力による半導体ウエハ１０に対する吸着圧力Ｐは
下式により求められる。 Ｐ＝１／２εo｛εＶo／（ｄ1ε＋ｄ2εo）｝² （４） このように静電チャックは、上述したような方法によっ
て発生した吸着圧力により、半導体ウエハを絶縁体に吸
着させ固定保持している。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したジ
ョンソン・ラーベック力を利用する静電チャックの場
合、絶縁体がある程度の導電性を有しているため半導体
ウエハと電極との間に電流が流れるため、半導体ウエハ
を固定保持している間は常時電力を供給する必要があっ
た。したがって、半導体ウエハを長距離搬送する場合は
電力供給用の配線を引き回さなければならず、搬送可能
範囲が制限されたり、使用しづらい面があった。

【０００９】また、クーロン力を利用した静電チャック
の場合、従来より使用されている高抵抗体は水に対する
ぬれ性を有しているため、空気中で使用すると高抵抗体
に空気中の水分が吸着してしまい、絶縁体と半導体ウエ
ハとの接触抵抗が次第に低下してしまう。これにより、
半導体ウエハと高抵抗体表面間の電位差が徐々に減小
し、これに伴って吸着圧力Ｐも低下して半導体ウエハが
固定保持できなくなってしまうという問題があった。

【００１０】この発明は、上記の点に鑑みてなされたも
のであり、空気中においても良好な吸着力を維持するこ
とができ、かつ、常時電力供給を行うことなく吸着圧力
を保持することができる静電チャックを提供することを
目的としている。

【００１１】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
電極を内包する撥水性材料と、前記電極と前記撥水性材
料上に載置された半導体ウエハとに電位差を与える電位
差付与手段とを具備することを特徴とする静電チャック
である。

【００１２】請求項２記載の発明は、電極を内包する半
導電体と、前記半導電体の外気との接触面に形成された
撥水性材料と、前記電極と前記撥水性材料上に載置され
た半導体ウエハとに電位差を与える電位差付与手段とを
具備することを特徴とする静電チャックである。

【００１３】請求項３記載の発明は、電極を内包する高
誘電体と、前記高誘電体の外気との接触面に形成された
撥水性材料と、前記電極と前記撥水性材料上に載置され
た半導体ウエハとに電位差を与える直流電源とを具備す
ることを特徴とする静電チャックである。

【００１４】請求項４記載の発明は、前記半導電体は、
４フッ化エチレン−パーフロロアルキルビニルエーテル
共重合または４フッ化エチレン−６フッ化プロピレン共
重合または４フッ化エチレンのいずれか１つに導電性物
質を付与したものであることを特徴とする請求項２記載
の静電チャックである。請求項５記載の発明は、前記半
導電体は、セラミックに導電性物質を付与したものであ
ることを特徴とする請求項２記載の静電チャックであ
る。

【００１５】請求項６記載の発明は、前記高誘電体は、
酒石酸ナトリウムカリウムまたはジルコニウム酸チタン
酸鉛またはチタン酸バリウムまたはチタン酸鉛またはニ
オブ酸鉛またはニオブ酸ストロンチウムバリウムのいず
れかであることを特徴とする請求項３記載の静電チャッ
クである。

【００１６】請求項７記載の発明は、前記撥水性材料が
フッ素系樹脂であることを特徴とする請求項１乃至３の
うち、いずれか１つ記載の静電チャックである。

【００１７】請求項８記載の発明は、前記撥水性材料が
シリコン樹脂であることを特徴とする請求項１乃至３の
うち、いずれか１つ記載の静電チャックである。

【００１８】請求項９記載の発明は、前記撥水性材料が
パラフィンであることを特徴とする請求項１乃至３のう
ち、いずれか１つ記載の静電チャックである。

【００１９】請求項１０記載の発明は、前記撥水性材料
がセラミックスをジメチルクロルシラン蒸気にさらした
ものであることを特徴とする請求項１乃至３のうち、い
ずれか１つ記載の静電チャックである。

【００２０】請求項１１記載の発明は、前記フッ素系樹
脂は、４フッ化エチレン−パーフロロアルキルビニルエ
ーテル共重合または４フッ化エチレン−６フッ化プロピ
レン共重合または４フッ化エチレンのいずれかであるこ
とを特徴とする請求項７記載の静電チャックである。

【００２１】

【発明の実施の形態】この発明の静電チャックにおいて
は、外気との接触面に撥水性材料を形成し、その内部に
設けられた電極と、載置された半導体ウエハに、電位差
を与えることによって発生したクーロン力により、前記
半導体ウエハを前記撥水性材料上に固定保持する。ま
た、静電チャックと外気との接触面には撥水性材料が形
成されているため、静電チャック表面が空気中の水分を
吸収することがなく、このため、水分を含んだ空気中で
も前記半導体ウエハの固定保持力が低下することがな
い。

【００２２】

【実施例】以下、図面を参照してこの発明の各実施例に
ついて説明する。 ［第１実施例］図１に、本実施例における静電チャック
の構成を説明するための説明図を示す。この図におい
て、図８の各部と対応する部分については同一の符号を
付し、その説明を省略する。この図に示す静電チャック
が図８のものと異なる点は、図８における絶縁体１１を
撥水性材料１で形成した点である。

【００２３】ここで、本実施例において上述した撥水性
材料１にはフッ素系樹脂を用いるものとする。このフッ
素系樹脂としては、４フッ化エチレン−パーフロロアル
キルビニルエーテル共重合または４フッ化エチレン−６
フッ化プロピレン共重合または４フッ化エチレン等が使
用可能である。

【００２４】ここで、本実施例における静電チャックの
等価回路を図２に示す。この図において、図９で示した
従来の静電チャックの等価回路に相当する構成について
は同一の符号を付し、その説明を省略する。この図に示
す等価回路が、図９の等価回路と異なる点は、高誘電体
３の外気との接触面に、撥水性材料１として高抵抗体で
もあるフッ素系樹脂を形成したために絶縁体の抵抗値Ｒ
2 が非常に高くなり、図９においてＲ2 を介して接続さ
れていた２点間はオープン状態と見なせる点である。

【００２５】図２の等価回路において、直流電源１３に
より電圧Ｖo を図１に示す静電チャックに印加した場
合、接触抵抗Ｒ1 に現れる電圧Ｖの時間的な変化は、次
の式により表すことができる。

【数１】 ここで、Ａは静電チャックと半導体ウエハとの接触面積
を示す。

【００２６】（５）式から分かるように、Ｖは指数関数
的に減少していく。そして、接触抵抗Ｒ1が高ければ高
いほど、接触抵抗Ｒ1に発生する電圧Ｖの時間的変化は
少なくなる。本実施例の静電チャックにおいては、絶縁
体１１が撥水性材料１で形成されているので、水分を含
んだ空気中でも接触抵抗Ｒ1は非常に高く保たれ、この
ため、水分を含んだ空気中において、半導体ウエハ１０
と電極１２とに電位差を与えた後、長時間が経過したと
しても、半導体ウエハ１０と静電チャックの接触面の電
圧が低下し難いので、半導体ウエハ１０に対する吸着圧
力を維持することができる。

【００２７】また、撥水性材料１として高抵抗体でもあ
るフッ素系樹脂を用いているので、半導体ウエハ１０と
電極１２との間にほとんど電流が流れない。したがっ
て、半導体ウエハ１０を保持している間、電力を供給す
る必要がない。

【００２８】なお、撥水性材料１として、上述したフッ
素系樹脂に限らず、シリコン樹脂，パラフィン，ガラス
等のセラミックスをジメチルジクロルシラン蒸気にさら
したもの等が使用可能であり、その場合においてもフッ
素系樹脂を用いた場合と同等の効果を得ることができ
る。

【００２９】［第２実施例］図３に、本実施例における
静電チャックの構成を説明するための説明図を示す。こ
の図において、図１の各部と対応する部分については同
一の符号を付し、その説明を省略する。この図に示す静
電チャックが図１のものと異なる点は、図８における絶
縁体１１として半導電体２を使用し、さらに、この半導
電体２と外気との接触面に撥水性材料１を形成した点で
ある。

【００３０】ここで、上述した半導電体２の材料として
は、４フッ化エチレン−パーフロロアルキルビニルエー
テル共重合または４フッ化エチレン−６フッ化プロピレ
ン共重合または４フッ化エチレンのいずれかにカーボン
等の導電性物質を付与したもの、あるいはセラミックに
導電性物質を付与したものが使用可能である。

【００３１】本実施例においても第１実施例と同様、半
導電体２の表面に撥水性材料１が形成されているため半
導電体２が空気中の水分を吸収して抵抗値が下がること
がなく、したがって、電極１２と半導体ウエハ１０との
間に発生するクーロン力、すなわち、半導体ウエハ１０
に対する吸着圧力が低下することがない。また、本実施
例においては、撥水性材料１に傷などがつき、半導電体
２の一部が露出してしまったとしても、半導体ウエハ１
０に対する吸着圧力の低下が起こらないという利点があ
る。

【００３２】［第３実施例］図４に、本実施例における
静電チャックの構成を説明するための説明図を示す。こ
の図において、図３の各部と対応する部分については同
一の符号を付し、その説明を省略する。この図に示す静
電チャックが図３のものと異なる点は、半導電体２の代
わりに高誘電体３を用いた点である。ここで、高誘電体
３としては、酒石酸ナトリウムカリウム，ジルコニウム
酸チタン酸鉛，チタン酸バリウム，チタン酸鉛，ニオブ
酸鉛，ニオブ酸ストロンチウムバリウム等が使用可能で
ある。

【００３３】［第４実施例］図５に、本実施例における
静電チャックの構成を説明するための説明図を示す。こ
の図に示すように、本実施例の静電チャックは、外気と
の接触面に撥水性材料１が形成された半導電体２の内部
に、２つの電極１２ａおよび１２ｂを設けた双極型の静
電チャックであり、これら電極１２ａおよび１２ｂ間を
絶縁体１１で仕切って電気的に絶縁し、電極間を流れる
漏れ電流を阻止したものである。ここで、上述した絶縁
体１１として、撥水性材料１としても使用可能であるフ
ッ素系樹脂を用いてもよい。

【００３４】上述した双極型の静電チャックにおいて
は、直流電源１３によって電極１２ａ，１２ｂのそれぞ
れを正電荷，負電荷に帯電させることにより、半導体ウ
エハ１０において図５に示すような分極電荷が生じ、こ
れら相互の電荷によって発生するクーロン力により、半
導体ウエハ１０に対する吸着圧力が生じて静電チャック
に固定保持される。

【００３５】このように本実施例における静電チャック
は、半導体ウエハとの電気的な接続を必要とせずに吸着
圧力を発生することができるので、例えば、半導体ウエ
ハとの接触子等を設け、これを介して半導体ウエハに電
圧を供給する静電チャックに比べ、半導体ウエハの載置
位置が多少ずれたとしても確実に固定保持することがで
きる。

【００３６】なお、本実施例において、半導電体２の代
わりに第３実施例で示した高誘電体３を用いることも可
能であり、この場合、２つの電極間を仕切る絶縁体１１
を省くことができる。また、同様の構成を採ることで、
第１実施例で述べた静電チャックにおいても双極型の静
電チャックとすることができる。

【００３７】次に、上述した第１〜第３実施例に示した
静電チャックを用いた応用例について説明する。 ［第１応用例］図６は、上述した第１〜第３実施例で示
した静電チャックを用いた半導体ウエハの搬送装置の一
例である。この図において、１００は上述した第１〜第
３実施例のうちいずれかの静電チャックであり、電極１
０１とピン１０２を介して半導体ウエハ５０とに電位差
を与え、これにより発生する電位差によって半導体ウエ
ハ５０を固定保持する。

【００３８】また、５１は半導体ウエハ５０の搬送台で
あり、搬送台５１には図示せぬリニアモータの２次回路
等が内部に備えられ、また、静電チャック１００の電極
１０１と、ピン１０２を介して半導体ウエハ５０とにそ
れぞれ接続された接点１０３ａと接点１０３ｂとが設け
られた電圧受給端子１０３を有している。５２は複数の
半導体製造装置間に敷設された搬送台５１の搬送路であ
り、搬送路５２全体に渡りその内部にリニアモータの１
次回路（図示略）を備えている。すなわち、搬送台５１
は、搬送路５２と搬送台５１とにそれぞれ設けられたリ
ニアモータの１次回路および２次回路によって搬送路５
２上を移動する。

【００３９】５３は、搬送路５２の所定位置に予め設定
されている搬送台５１の停止位置にそれぞれ設置されて
いる電圧供給装置である。この電圧供給装置５３は、半
導体ウエハ５０と電極１０１とに電位差を生じさせるた
めの直流電源５４と、直流電源５４と並列に接続され、
半導体ウエハ５０と電極１０１とにそれぞれ蓄えられた
電荷を放電するための放電抵抗５５と、直流電源５４の
正極側と放電抵抗５５との間に設けられたスイッチ５６
と、電圧受給端子１０３に電圧を供給するための電圧供
給端子５７とによって構成されている。また、電圧供給
端子５７は、電圧受給端子１０３の接点１０３ａと接点
１０３ｂにそれぞれ接触する接点５７ａと接点５７ｂと
を有している。

【００４０】本応用例における半導体ウエハの搬送装置
は、搬送台５１が所定の停止位置に到着すると、まず、
電圧受給端子１０３の接点１０３ａと電圧供給端子５７
の接点５７ａ、および、電圧受給端子１０３の接点１０
３ｂと電圧供給端子５７の接点５７ｂを接触させる。こ
の時、スイッチ５６を開に設定しておけば、半導体ウエ
ハ５０と電極１０１とにそれぞれ蓄積されていた電荷
は、接点１０３ａ，５７ａ、および接点１０３ｂ，５７
ｂを介して放電抵抗５５によって放電される。これによ
り、半導体ウエハ５０と電極１０１との間の電位差が減
少し、半導体ウエハ５０に対する吸着圧力が解除され
る。

【００４１】また、その後、スイッチ５６を閉にすれ
ば、直流電源５４により電極１０１には正電荷が、ま
た、半導体ウエハ５０には負電荷がそれぞれ充電され
て、それによって生じる電位差により、クーロン力が発
生して半導体ウエハ５０は静電チャックに吸着される。

【００４２】上述した搬送装置において、半導体ウエハ
と電極に対して充／放電を行う場合、その切換えを行う
スイッチが電圧供給装置内に設けられているため、搬送
台内において発塵、すなわち、スイッチの切換え動作時
に微粒子が発生することがなく、なおかつ、搬送台の構
成を簡略化することができるという利点がある。さら
に、上述した搬送装置においては、例えば、接点１０３
ｂと図５に示す電極１２ａとを接続し、また、接点１０
３ａと図５に示す電極１２ｂとを接続することにより、
前述した第４実施例の静電チャックを使用することも可
能である。

【００４３】［第２応用例］図７に、上述した第１〜第
３実施例で示した静電チャックを用いた半導体ウエハの
搬送装置の他の構成例を示す。この図において、図６に
示す半導体ウエハの搬送装置と対応する部分については
同一の符号を付し、その説明を省略する。この図に示す
応用例が図６のものと異なる点は次の通りである。

【００４４】搬送台５１において、２００は駆動回路で
あり、電極１０１とピン１０２に両端子が接続されてい
るコンデンサ２０１と、巻線２０２が巻かれているコア
２０３と、巻線２０２から出力された交流電圧を端子２
０４ａと端子２０４ｂから入力して直流電圧に変換し、
端子２０４ｃ（正極側）と端子２０４ｄ（負極側）から
出力してコンデンサ２０１へ印加する整流回路２０４
と、点弧したときコンデンサ２０１に充電されている電
荷を放電抵抗２０８を通して放電するサイリスタ２０９
と、巻線２１０が巻かれているコア７１と、巻線２１０
から出力された交流電流を整流してサイリスタ２０９の
ゲート端子及び抵抗２１３へ出力するダイオード２１２
とによって構成されている。

【００４５】また、電圧供給装置５３は、周波数数ＫＨ
ｚ〜数十ＫＨｚの交流電流を出力する交流電源３０１
と、図示せぬ制御回路によってオン／オフ制御されるリ
レーまたは半導体スイッチによってなるスイッチ３０２
と、スイッチ３０２がオンしたとき交流電源３０１の出
力電圧が印加される巻線３０３と、巻線３０３が巻かれ
ているコア３０４とを備え、さらに、巻線３０６が巻か
れているコア３０５と、パルス状の電流を出力する単安
定マルチバイブレータ等からなるパルス発生器３０７と
を内部に備えている。

【００４６】上述した搬送装置において、搬送台５１
は、搬送路５２全体に設けられたリニアモータの１次回
路と搬送台５１に設けられたリニアモータの２次回路に
より、搬送路５２上を移動する。また、搬送路５２上の
停止位置において、半導体ウエハ５０に付加された吸着
圧力を解除する場合、パルス発生器３０７から所定のパ
ルス信号を発生させて巻線３０６にパルス電流を流す
と、電磁誘導によって巻線２１０に起電力が発生し、ダ
イオード２１２を通して整流された順方向のパルス電流
がサイリスタ２０９のゲートに流れ込む。そして、サイ
リスタ２０９が点弧してコンデンサ２０１に充電されて
いた電荷が放電抵抗２０８を介してサイリスタ２０９を
通して放電され、半導体ウエハ５０と電極１０１との電
位差が所定値以下になると半導体ウエハ５０に付加され
た吸着圧力が解除される。

【００４７】また、上記停止位置において、再度、半導
体ウエハ５０を固定保持する場合は、スイッチ３０２を
オンにし、巻線３０３に交流電源３０１から出力される
交流電圧を印加し、誘導起電力によって巻線２０２から
出力された交流電圧が整流回路２０４によって直流電圧
に変換され、この直流電圧をもってコンデンサ２０１を
充電してこれにより生じる半導体ウエハ５０と電極１０
１との電位差が所定値以上となった時に吸着圧力が生じ
る。

【００４８】このように、上述した半導体ウエハの搬送
装置においては、半導体ウエハに付加する吸着圧力を解
除または再付加する際、電圧供給装置と物理的に接触す
ることなくコンデンサの放電または充電を行うことがで
きるので、接点等を用いてコンデンサと物理的に接続し
て充放電を行う場合のように、接点間で発生するアーク
放電により接点の一部が微粒子となって空気中を浮遊す
る恐れがなく、例えばクリーンルーム内での使用に最適
である。

【００４９】なお、図７に示す搬送装置において、パル
ス発生器３０７の代わりに交流電源を用いても良く、ま
た、サイリスタ２０９および抵抗２１３の代わりにリレ
ーを用い、巻線２１０に発生する起電力によって放電抵
抗２０８とコンデンサ２０８との間をオン／オフしても
よい。

【００５０】

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれば
静電チャック表面と外気との接触面ににフッ素系樹脂等
の撥水性材料を形成しているので、この静電チャック表
面が空気中の水分を吸収することがなく、半導体ウエハ
の固定保持力が維持される。また、フッ素系樹脂は極め
て高抵抗であるため、半導体ウエハと電極との間に流れ
る漏れ電流がほとんど０であり、これにより半導体ウエ
ハを固定保持する際、電力がほとんど消費されない。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の第１実施例における静電チャック
の構成を説明するための説明図である。

【図２】 同静電チャックの等価回路を示す電気接続図
である。

【図３】 この発明の第２実施例における静電チャック
の構成を説明するための説明図である。

【図４】 同第３実施例における静電チャックの構成を
説明するための説明図である。

【図５】 同第４実施例における静電チャックの構成を
説明するための説明図である。

【図６】 同第１乃至第３実施例における静電チャック
を利用した半導体ウエハの搬送装置の一構成を説明する
ための説明図である。

【図７】 同半導体ウエハの搬送装置の他の構成を説明
するための説明図である。

【図８】 従来の静電チャックの構成を説明するための
説明図である。

【図９】 同静電チャックの等価回路を示す電気接続図
である。

【符号の説明】

１……フッ素系樹脂、２……半導電体、３……高誘電
体、１０……半導体ウエハ、１２……電極、１３……直
流電源

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電極を内包する撥水性材料と、 前記電極と前記撥水性材料に載置された半導体ウエハと
   に電位差を与える電位差付与手段とを具備することを特
   徴とする静電チャック。
2. 【請求項２】 電極を内包する半導電体と、 前記半導電体の外気との接触面に形成された撥水性材料
   と、 前記電極と前記撥水性材料に載置された半導体ウエハと
   に電位差を与える電位差付与手段とを具備することを特
   徴とする静電チャック。
3. 【請求項３】 電極を内包する高誘電体と、 前記高誘電体の外気との接触面に形成された撥水性材料
   と、 前記電極と前記撥水性材料に載置された半導体ウエハと
   に電位差を与える電位差付与手段とを具備することを特
   徴とする静電チャック。
4. 【請求項４】 前記半導電体は、４フッ化エチレン−パ
   ーフロロアルキルビニルエーテル共重合または４フッ化
   エチレン−６フッ化プロピレン共重合または４フッ化エ
   チレンのいずれか１つに導電性物質を付与したものであ
   ることを特徴とする請求項２記載の静電チャック。
5. 【請求項５】 前記半導電体は、セラミックに導電性物
   質を付与したものであることを特徴とする請求項２記載
   の静電チャック。
6. 【請求項６】 前記高誘電体は、酒石酸ナトリウムカリ
   ウムまたはジルコニウム酸チタン酸鉛またはチタン酸バ
   リウムまたはチタン酸鉛またはニオブ酸鉛またはニオブ
   酸ストロンチウムバリウムのいずれかであることを特徴
   とする請求項３記載の静電チャック。
7. 【請求項７】 前記撥水性材料は、フッ素系樹脂である
   ことを特徴とする請求項１乃至３のうち、いずれか１つ
   記載の静電チャック。
8. 【請求項８】 前記撥水性材料は、シリコン樹脂である
   ことを特徴とする請求項１乃至３のうち、いずれか１つ
   記載の静電チャック。
9. 【請求項９】 前記撥水性材料は、パラフィンであるこ
   とを特徴とする請求項１乃至３のうち、いずれか１つ記
   載の静電チャック。
10. 【請求項１０】 前記撥水性材料は、セラミックスをジ
    メチルクロルシラン蒸気にさらしたものであることを特
    徴とする請求項１乃至３のうち、いずれか１つ記載の静
    電チャック。
11. 【請求項１１】 前記フッ素系樹脂は、４フッ化エチレ
    ン−パーフロロアルキルビニルエーテル共重合または４
    フッ化エチレン−６フッ化プロピレン共重合または４フ
    ッ化エチレンのいずれかであることを特徴とする請求項
    ７記載の静電チャック。