JPS6394627A - 半導体の製造装置 - Google Patents
半導体の製造装置Info
- Publication number
- JPS6394627A JPS6394627A JP24057686A JP24057686A JPS6394627A JP S6394627 A JPS6394627 A JP S6394627A JP 24057686 A JP24057686 A JP 24057686A JP 24057686 A JP24057686 A JP 24057686A JP S6394627 A JPS6394627 A JP S6394627A
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- Japan
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- vapor
- wafers
- hmds
- tank
- wafer
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- Pending
Links
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造工程で用いられるフォトレジスト塗
布前のウェハーの表面処理を行う装置に関するものであ
る。
布前のウェハーの表面処理を行う装置に関するものであ
る。
従来のフォトレジストの塗布装置のバッジ弐ＨＭＤＳ処
理槽でのウェハーの表面処理方法は通常以下の通りであ
る。すなわち、第４図に示すようにまずＩＩＭＤＳ槽１
内に槽１内のウェハー３，３．・・・を一定間隔で平行
にならべ、受皿４内に収納された処理液５に窒素（また
は不活性ガス）のバブリングによりＩＩＭＥ）Ｓ蒸気を
槽１内に充満させ、ＩＩ Ｍ Ｄ Ｓ蒸気をウェハー３
の表面に接触させ、その表面処理を行っていた。
理槽でのウェハーの表面処理方法は通常以下の通りであ
る。すなわち、第４図に示すようにまずＩＩＭＤＳ槽１
内に槽１内のウェハー３，３．・・・を一定間隔で平行
にならべ、受皿４内に収納された処理液５に窒素（また
は不活性ガス）のバブリングによりＩＩＭＥ）Ｓ蒸気を
槽１内に充満させ、ＩＩ Ｍ Ｄ Ｓ蒸気をウェハー３
の表面に接触させ、その表面処理を行っていた。
上述した従来のバッジ式１１ＭＤｓ槽内でのウェハーの
表面処理方法は、ウェハーがほぼ静止したＨＭＤＳ蒸気
中に放置されているのみの状態になっていたため、一定
間隔に平行にならべられたウェハーでは、ウェハー面内
での表面処理の進行状況が一様でなく、ウェハー中心に
近いほど疎水化の進行速度が遅れるという欠点があった
。
表面処理方法は、ウェハーがほぼ静止したＨＭＤＳ蒸気
中に放置されているのみの状態になっていたため、一定
間隔に平行にならべられたウェハーでは、ウェハー面内
での表面処理の進行状況が一様でなく、ウェハー中心に
近いほど疎水化の進行速度が遅れるという欠点があった
。
本発明の目的はウェハー表面内外での疎水化の進行速度
を一様化するようにした半導体の製造装置を提供するこ
とにある。
を一様化するようにした半導体の製造装置を提供するこ
とにある。
上述した従来のバッジ式１１ＭＤＳ槽内でのウェハーの
表面処理方法に対し、本発明は密閉された）ＩＭＤＳ槽
内を強制的にファンで気流の対流を起こし、ＨＭＤＳ蒸
気をウェハー上に均一に接触させるという独創的内容を
有する。
表面処理方法に対し、本発明は密閉された）ＩＭＤＳ槽
内を強制的にファンで気流の対流を起こし、ＨＭＤＳ蒸
気をウェハー上に均一に接触させるという独創的内容を
有する。
本発明は槽内に処理液の蒸気雰囲気を形成し、一定間隔
に平行に並べた各ウェハーの表面に処理液の蒸気を接触
させ、該ウェハーの表面処理を行う半導体の製造装置に
おいて、槽内に対流を生じさせてウェハーの表面と平行
に処理液の蒸気流を作用させるファンを有することを特
徴とする半導体の製造装置４である。
に平行に並べた各ウェハーの表面に処理液の蒸気を接触
させ、該ウェハーの表面処理を行う半導体の製造装置に
おいて、槽内に対流を生じさせてウェハーの表面と平行
に処理液の蒸気流を作用させるファンを有することを特
徴とする半導体の製造装置４である。
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第１図に示すように、ＩＩＭＤｓ槽１内の槽１内は処理
液５を収納した受皿４が設置され、その上方に複数枚の
ウェハー３，３・・・が一定間隔で上下に平行に並べて
設置される。また、受皿４にはバブリング用のバイブロ
が接続されている。上述の構成は従来と同じである。
液５を収納した受皿４が設置され、その上方に複数枚の
ウェハー３，３・・・が一定間隔で上下に平行に並べて
設置される。また、受皿４にはバブリング用のバイブロ
が接続されている。上述の構成は従来と同じである。
本発明は槽１内の側壁にファン２を設置し、該ファン２
の気流吹き出し口を前記ウェハー３の表面と平行な方向
に設定したものである。
の気流吹き出し口を前記ウェハー３の表面と平行な方向
に設定したものである。
密閉されたＩＩＭＤＳ槽１内で槽１内２を駆動し、受皿
４から生じた処理液５の蒸気をファン２で吸い込んでこ
れを一定間隔で並べられたウェハー３の表面に沿う方向
Ｘに吐出し、この方向に矢印で示すように気流を生じさ
せ、処理液５の蒸気をウェハー３の表面全面に亘って接
触させて該ウェハー３の表面処理を行う。この方式は第
１図のように１１ＭＤＳのバブリングをＩＩＭＤＳ槽内
で行う場合だけでなく、第２図のように、ＩＩＭＤｓ蒸
気をパイプ７から処理槽へ引き込む場合にも適用できる
。
４から生じた処理液５の蒸気をファン２で吸い込んでこ
れを一定間隔で並べられたウェハー３の表面に沿う方向
Ｘに吐出し、この方向に矢印で示すように気流を生じさ
せ、処理液５の蒸気をウェハー３の表面全面に亘って接
触させて該ウェハー３の表面処理を行う。この方式は第
１図のように１１ＭＤＳのバブリングをＩＩＭＤＳ槽内
で行う場合だけでなく、第２図のように、ＩＩＭＤｓ蒸
気をパイプ７から処理槽へ引き込む場合にも適用できる
。
ウェハー３面内のＩＩ Ｍ Ｄ Ｓ処理による疎水化の
速度は、ＨＭ Ｄ Ｓ槽ｌ内にファン２がない従来の装
置の場合、第３図（ａ）のようにウェハー面内で中心程
近い状態だったが、ファン２によって気流を強制的に対
流させることにより、第３図（ｂ）のようにウェハー３
面内で疎水化の速度は一定となる。
速度は、ＨＭ Ｄ Ｓ槽ｌ内にファン２がない従来の装
置の場合、第３図（ａ）のようにウェハー面内で中心程
近い状態だったが、ファン２によって気流を強制的に対
流させることにより、第３図（ｂ）のようにウェハー３
面内で疎水化の速度は一定となる。
以上説明したように本発明はＩＩＭＤｓ槽内にファンを
付は気流を強制的に対流させることにより、ウェハー面
内でのＩＩＭＤｓ処理に次処理水化の速度を均一にする
ことができ、また、対流によりＩＩＭＤｓ槽内でのＩＩ
ＭＤｓ蒸気圧に変化が少なくなり、ＨＭＤＳ処理による
疎水化の程度のコントロールが容易になる。
付は気流を強制的に対流させることにより、ウェハー面
内でのＩＩＭＤｓ処理に次処理水化の速度を均一にする
ことができ、また、対流によりＩＩＭＤｓ槽内でのＩＩ
ＭＤｓ蒸気圧に変化が少なくなり、ＨＭＤＳ処理による
疎水化の程度のコントロールが容易になる。
その結果、レジストのウェハーに対する密着性はウェハ
ー間、ウェハー面内でのバラツキが小さくなり、レジス
トをバターニングした後でのウェットエッチによっても
サイドエッチ量がウェハー間、ウェハー面内でも均一に
できる効果を有するものである。
ー間、ウェハー面内でのバラツキが小さくなり、レジス
トをバターニングした後でのウェットエッチによっても
サイドエッチ量がウェハー間、ウェハー面内でも均一に
できる効果を有するものである。
第１図、第２図は本発明の塗布装置のＩＩＭＤｓ処理装
置部の縦断面図、第３図（ａ）、 （ｂ）は疎水化の速
度を示す特性図、第４図は従来のＩＩ Ｍ Ｄ Ｓ処理
装置の縦断面図である。
置部の縦断面図、第３図（ａ）、 （ｂ）は疎水化の速
度を示す特性図、第４図は従来のＩＩ Ｍ Ｄ Ｓ処理
装置の縦断面図である。
Claims (1)
- （１）槽内に処理液の蒸気雰囲気を形成し、一定間隔に
平行に並べた各ウェハーの表面に処理液の蒸気を接触さ
せて該ウェハーの表面処理を行う半導体の製造装置にお
いて、槽内に対流を生じさせてウェハーの表面と平行に
処理液の蒸気流を作用させるファンを有することを特徴
とする半導体の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24057686A JPS6394627A (ja) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | 半導体の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24057686A JPS6394627A (ja) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | 半導体の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6394627A true JPS6394627A (ja) | 1988-04-25 |
Family
ID=17061574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24057686A Pending JPS6394627A (ja) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | 半導体の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6394627A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04186819A (ja) * | 1990-11-21 | 1992-07-03 | Nec Yamaguchi Ltd | フォトレジスト塗布前処理装置 |
| US6212789B1 (en) | 1998-06-19 | 2001-04-10 | Canon Sales Co., Inc. | Semiconductor device manufacturing system |
| JP2016106274A (ja) * | 2003-06-13 | 2016-06-16 | 株式会社ニコン | 基板ステージ |
-
1986
- 1986-10-09 JP JP24057686A patent/JPS6394627A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04186819A (ja) * | 1990-11-21 | 1992-07-03 | Nec Yamaguchi Ltd | フォトレジスト塗布前処理装置 |
| US6212789B1 (en) | 1998-06-19 | 2001-04-10 | Canon Sales Co., Inc. | Semiconductor device manufacturing system |
| JP2016106274A (ja) * | 2003-06-13 | 2016-06-16 | 株式会社ニコン | 基板ステージ |
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