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|
2012-05-31 |
2016-11-01 |
Idemitsu Kosan Co |
Sputtering target
|
|
JP5946130B2
(ja)
*
|
2012-07-03 |
2016-07-05 |
国立大学法人東京工業大学 |
アモルファス酸化物半導体を活性層とした薄膜トランジスタ構造とその製造方法
|
|
JP6220597B2
(ja)
*
|
2012-08-10 |
2017-10-25 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
|
|
JP5562384B2
(ja)
*
|
2012-08-28 |
2014-07-30 |
キヤノン株式会社 |
薄膜トランジスタおよびその製造方法
|
|
JP5980060B2
(ja)
*
|
2012-09-06 |
2016-08-31 |
シャープ株式会社 |
太陽電池
|
|
JP5895789B2
(ja)
|
2012-09-24 |
2016-03-30 |
Jsr株式会社 |
感放射線性樹脂組成物、ポリイミド膜、半導体素子および有機ｅｌ素子
|
|
KR20230152795A
(ko)
|
2012-11-08 |
2023-11-03 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
디스플레이 장치
|
|
TWI608616B
(zh)
|
2012-11-15 |
2017-12-11 |
半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置
|
|
JPWO2014103323A1
(ja)
*
|
2012-12-28 |
2017-01-12 |
出光興産株式会社 |
薄膜電界効果型トランジスタ
|
|
KR102495290B1
(ko)
|
2012-12-28 |
2023-02-06 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
|
|
TWI614813B
(zh)
*
|
2013-01-21 |
2018-02-11 |
半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置的製造方法
|
|
JP5830045B2
(ja)
*
|
2013-02-22 |
2015-12-09 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置の作製方法
|
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US9153650B2
(en)
|
2013-03-19 |
2015-10-06 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Oxide semiconductor
|
|
JP5581416B2
(ja)
*
|
2013-04-03 |
2014-08-27 |
出光興産株式会社 |
結晶酸化物半導体、及びそれを用いてなる薄膜トランジスタ
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|
US10304859B2
(en)
|
2013-04-12 |
2019-05-28 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device having an oxide film on an oxide semiconductor film
|
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TWI652822B
(zh)
|
2013-06-19 |
2019-03-01 |
日商半導體能源研究所股份有限公司 |
氧化物半導體膜及其形成方法
|
|
JP6421446B2
(ja)
|
2013-06-28 |
2018-11-14 |
株式会社リコー |
電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置及びシステム
|
|
US20150001533A1
(en)
*
|
2013-06-28 |
2015-01-01 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
|
|
TWI608523B
(zh)
|
2013-07-19 |
2017-12-11 |
半導體能源研究所股份有限公司 |
Oxide semiconductor film, method of manufacturing oxide semiconductor film, and semiconductor device
|
|
US9590111B2
(en)
|
2013-11-06 |
2017-03-07 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and display device including the semiconductor device
|
|
JP2016001712A
(ja)
*
|
2013-11-29 |
2016-01-07 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置の作製方法
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US9627413B2
(en)
|
2013-12-12 |
2017-04-18 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and display device
|
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US9349751B2
(en)
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2013-12-12 |
2016-05-24 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
|
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US9577110B2
(en)
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2013-12-27 |
2017-02-21 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device including an oxide semiconductor and the display device including the semiconductor device
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JP6506545B2
(ja)
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2013-12-27 |
2019-04-24 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
|
|
JP6523695B2
(ja)
|
2014-02-05 |
2019-06-05 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
|
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US9443876B2
(en)
|
2014-02-05 |
2016-09-13 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, and the display module
|
|
TWI685116B
(zh)
|
2014-02-07 |
2020-02-11 |
日商半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置
|
|
JP2015188062A
(ja)
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2014-02-07 |
2015-10-29 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
|
|
JP6506566B2
(ja)
|
2014-02-21 |
2019-04-24 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
電流測定方法
|
|
US9564535B2
(en)
|
2014-02-28 |
2017-02-07 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module
|
|
DE112015001024T5
(de)
|
2014-02-28 |
2016-12-22 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Eine Halbleitervorrichtung, eine Anzeigevorrichtung, die die Halbleitervorrichtung umfasst, ein Anzeigemodul, das die Anzeigevorrichtung umfasst und ein elektronisches Gerät, das die Halbleitervorrichtung, die Anzeigevorrichtung oder das Anzeigemodul umfasst
|
|
WO2015132694A1
(en)
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2014-03-07 |
2015-09-11 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Touch sensor, touch panel, and manufacturing method of touch panel
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US9324747B2
(en)
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2014-03-13 |
2016-04-26 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Imaging device
|
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US9640669B2
(en)
|
2014-03-13 |
2017-05-02 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module
|
|
US9887291B2
(en)
|
2014-03-19 |
2018-02-06 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, or the display module
|
|
TWI657488B
(zh)
|
2014-03-20 |
2019-04-21 |
日商半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置、具有該半導體裝置的顯示裝置、具有該顯示裝置的顯示模組以及具有該半導體裝置、該顯示裝置和該顯示模組的電子裝置
|
|
WO2015159183A2
(en)
|
2014-04-18 |
2015-10-22 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and display device having the same
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(ko)
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2014-05-15 |
2021-11-30 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치, 이 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
|
|
TWI669761B
(zh)
|
2014-05-30 |
2019-08-21 |
日商半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置、包括該半導體裝置的顯示裝置
|
|
TWI666776B
(zh)
|
2014-06-20 |
2019-07-21 |
日商半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置以及包括該半導體裝置的顯示裝置
|
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US9722090B2
(en)
|
2014-06-23 |
2017-08-01 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device including first gate oxide semiconductor film, and second gate
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US10002971B2
(en)
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2014-07-03 |
2018-06-19 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and display device including the semiconductor device
|
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JP6651714B2
(ja)
|
2014-07-11 |
2020-02-19 |
株式会社リコー |
ｎ型酸化物半導体製造用塗布液、電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム
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US10032888B2
(en)
|
2014-08-22 |
2018-07-24 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and electronic appliance having semiconductor device
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JP6676316B2
(ja)
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2014-09-12 |
2020-04-08 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置の作製方法
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JP6633330B2
(ja)
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2014-09-26 |
2020-01-22 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
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US10256346B2
(en)
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2014-10-08 |
2019-04-09 |
Sharp Kabushiki Kaisha |
Method for manufacturing a semiconductor device where a plurality of layers including a semiconductor layer made of an oxide semiconductor are stacked to form a thin film transistor
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US9704704B2
(en)
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2014-10-28 |
2017-07-11 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and display device including the same
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(en)
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2014-12-26 |
2019-08-27 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device with stacked metal oxide and oxide semiconductor layers and display device including the semiconductor device
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WO2016108122A1
(en)
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2014-12-29 |
2016-07-07 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and display device having semiconductor device
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(en)
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2015-05-22 |
2017-12-05 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device comprising oxide conductor and display device including the semiconductor device
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KR102865103B1
(ko)
|
2015-05-22 |
2025-09-25 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치, 및 상기 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
|
|
JP6832634B2
(ja)
|
2015-05-29 |
2021-02-24 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
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US11024725B2
(en)
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2015-07-24 |
2021-06-01 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device including metal oxide film
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CN106409919A
(zh)
|
2015-07-30 |
2017-02-15 |
株式会社半导体能源研究所 |
半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置
|
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US9893202B2
(en)
|
2015-08-19 |
2018-02-13 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Manufacturing method of semiconductor device
|
|
JP6851166B2
(ja)
|
2015-10-12 |
2021-03-31 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置の作製方法
|
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CN116154003A
(zh)
|
2015-11-20 |
2023-05-23 |
株式会社半导体能源研究所 |
半导体装置、包括该半导体装置的显示装置以及包括该半导体装置的电子设备
|
|
US10083991B2
(en)
|
2015-12-28 |
2018-09-25 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Display device, display module, and electronic device
|
|
DE112017000905B4
(de)
|
2016-02-18 |
2026-07-16 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung
|
|
JP2018160670A
(ja)
|
2017-03-21 |
2018-10-11 |
株式会社リコー |
金属酸化物膜形成用塗布液、並びに酸化物膜、電界効果型トランジスタ、及びそれらの製造方法
|
|
WO2018181716A1
(ja)
|
2017-03-30 |
2018-10-04 |
出光興産株式会社 |
ガーネット化合物、酸化物焼結体、酸化物半導体薄膜、薄膜トランジスタ、電子機器、およびイメージセンサー
|
|
JP6933359B2
(ja)
*
|
2017-04-21 |
2021-09-08 |
学校法人東京理科大学 |
酸化物半導体単結晶及びその製造方法、透明導電性材料、並びに透明導電性基板
|
|
JP6844845B2
(ja)
|
2017-05-31 |
2021-03-17 |
三国電子有限会社 |
表示装置
|
|
JP7190729B2
(ja)
|
2018-08-31 |
2022-12-16 |
三国電子有限会社 |
キャリア注入量制御電極を有する有機エレクトロルミネセンス素子
|
|
JP7246681B2
(ja)
|
2018-09-26 |
2023-03-28 |
三国電子有限会社 |
トランジスタ及びトランジスタの製造方法、並びにトランジスタを含む表示装置
|
|
WO2020170068A1
(ja)
*
|
2019-02-22 |
2020-08-27 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
金属酸化物、および金属酸化物を有するトランジスタ
|
|
JP7190740B2
(ja)
|
2019-02-22 |
2022-12-16 |
三国電子有限会社 |
エレクトロルミネセンス素子を有する表示装置
|
|
JP7444436B2
(ja)
|
2020-02-05 |
2024-03-06 |
三国電子有限会社 |
液晶表示装置
|
|
JP7410596B2
(ja)
|
2020-06-23 |
2024-01-10 |
三国電子有限会社 |
エレクトロルミネセンス素子の製造方法、エレクトロルミネセンス素子、および表示装置
|
|
US12009432B2
(en)
|
2021-03-05 |
2024-06-11 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Transistor and display device
|
|
JP7493666B1
(ja)
|
2023-12-15 |
2024-05-31 |
株式会社アルバック |
酸化物半導体薄膜、薄膜半導体装置及びその製造方法、並びにスパッタリングターゲット及びその製造方法
|