JP2013541192A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2013541192A5
JP2013541192A5 JP2013526392A JP2013526392A JP2013541192A5 JP 2013541192 A5 JP2013541192 A5 JP 2013541192A5 JP 2013526392 A JP2013526392 A JP 2013526392A JP 2013526392 A JP2013526392 A JP 2013526392A JP 2013541192 A5 JP2013541192 A5 JP 2013541192A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
copper
film transistor
oxide
thin film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2013526392A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2013541192A (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from EP10175294A external-priority patent/EP2426720A1/en
Application filed filed Critical
Publication of JP2013541192A publication Critical patent/JP2013541192A/ja
Publication of JP2013541192A5 publication Critical patent/JP2013541192A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

JP2013526392A 2010-09-03 2011-08-09 スタガー薄膜トランジスタおよびその形成方法 Pending JP2013541192A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP10175294.7 2010-09-03
EP10175294A EP2426720A1 (en) 2010-09-03 2010-09-03 Staggered thin film transistor and method of forming the same
PCT/EP2011/063712 WO2012028432A1 (en) 2010-09-03 2011-08-09 Staggered thin film transistor and method of forming the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013541192A JP2013541192A (ja) 2013-11-07
JP2013541192A5 true JP2013541192A5 (enExample) 2014-09-25

Family

ID=43104661

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013526392A Pending JP2013541192A (ja) 2010-09-03 2011-08-09 スタガー薄膜トランジスタおよびその形成方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20120056173A1 (enExample)
EP (1) EP2426720A1 (enExample)
JP (1) JP2013541192A (enExample)
KR (1) KR20130102576A (enExample)
CN (1) CN103140929B (enExample)
TW (1) TW201232784A (enExample)
WO (1) WO2012028432A1 (enExample)

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8962386B2 (en) * 2011-11-25 2015-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6051960B2 (ja) 2012-03-19 2016-12-27 株式会社リコー 導電性薄膜、導電性薄膜形成用塗布液、電界効果型トランジスタ、及び電界効果型トランジスタの製造方法
US8993383B2 (en) * 2012-06-08 2015-03-31 Panasonic Corporation Thin-film transistor and method for manufacturing thin-film transistor
JP5972065B2 (ja) * 2012-06-20 2016-08-17 富士フイルム株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
US9379247B2 (en) * 2012-06-28 2016-06-28 Cbrite Inc. High mobility stabile metal oxide TFT
US8823003B2 (en) * 2012-08-10 2014-09-02 Apple Inc. Gate insulator loss free etch-stop oxide thin film transistor
WO2014067463A1 (zh) * 2012-11-02 2014-05-08 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置和阻挡层
US9601557B2 (en) 2012-11-16 2017-03-21 Apple Inc. Flexible display
TWI594333B (zh) * 2013-12-31 2017-08-01 國立交通大學 降低氧化物薄膜電晶體之接觸電阻的方法
KR102163730B1 (ko) * 2014-03-25 2020-10-08 삼성전자주식회사 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자
US9600112B2 (en) 2014-10-10 2017-03-21 Apple Inc. Signal trace patterns for flexible substrates
KR102260886B1 (ko) * 2014-12-10 2021-06-07 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터
KR102708773B1 (ko) 2016-12-26 2024-09-23 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
US10224224B2 (en) 2017-03-10 2019-03-05 Micromaterials, LLC High pressure wafer processing systems and related methods
US10622214B2 (en) 2017-05-25 2020-04-14 Applied Materials, Inc. Tungsten defluorination by high pressure treatment
US10847360B2 (en) 2017-05-25 2020-11-24 Applied Materials, Inc. High pressure treatment of silicon nitride film
CN110678973B (zh) 2017-06-02 2023-09-19 应用材料公司 碳化硼硬掩模的干式剥除
KR102405723B1 (ko) 2017-08-18 2022-06-07 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 고압 및 고온 어닐링 챔버
US10276411B2 (en) 2017-08-18 2019-04-30 Applied Materials, Inc. High pressure and high temperature anneal chamber
US11177128B2 (en) 2017-09-12 2021-11-16 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for manufacturing semiconductor structures using protective barrier layer
US10643867B2 (en) 2017-11-03 2020-05-05 Applied Materials, Inc. Annealing system and method
CN117936417A (zh) 2017-11-11 2024-04-26 微材料有限责任公司 用于高压处理腔室的气体输送系统
US10854483B2 (en) 2017-11-16 2020-12-01 Applied Materials, Inc. High pressure steam anneal processing apparatus
KR20200075892A (ko) 2017-11-17 2020-06-26 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 고압 처리 시스템을 위한 컨덴서 시스템
CN111699549B (zh) 2018-01-24 2025-03-28 应用材料公司 使用高压退火的接缝弥合
JP7239598B2 (ja) 2018-03-09 2023-03-14 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 金属含有材料の高圧アニーリングプロセス
US10714331B2 (en) 2018-04-04 2020-07-14 Applied Materials, Inc. Method to fabricate thermally stable low K-FinFET spacer
US10950429B2 (en) 2018-05-08 2021-03-16 Applied Materials, Inc. Methods of forming amorphous carbon hard mask layers and hard mask layers formed therefrom
US10566188B2 (en) 2018-05-17 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Method to improve film stability
US10704141B2 (en) 2018-06-01 2020-07-07 Applied Materials, Inc. In-situ CVD and ALD coating of chamber to control metal contamination
US10748783B2 (en) 2018-07-25 2020-08-18 Applied Materials, Inc. Gas delivery module
US10675581B2 (en) 2018-08-06 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Gas abatement apparatus
JP7179172B6 (ja) 2018-10-30 2022-12-16 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 半導体用途の構造体をエッチングするための方法
KR20210077779A (ko) 2018-11-16 2021-06-25 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 강화된 확산 프로세스를 사용한 막 증착
WO2020117462A1 (en) 2018-12-07 2020-06-11 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system
US11901222B2 (en) 2020-02-17 2024-02-13 Applied Materials, Inc. Multi-step process for flowable gap-fill film

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06333925A (ja) * 1993-05-20 1994-12-02 Nippon Steel Corp 半導体集積回路及びその製造方法
JP4954366B2 (ja) * 2000-11-28 2012-06-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4496518B2 (ja) * 2002-08-19 2010-07-07 日立金属株式会社 薄膜配線
JP3940385B2 (ja) * 2002-12-19 2007-07-04 株式会社神戸製鋼所 表示デバイスおよびその製法
KR100905662B1 (ko) * 2003-06-26 2009-06-30 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 제조 방법 및 배선 구조
KR20070049278A (ko) * 2005-11-08 2007-05-11 삼성전자주식회사 배선, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 기판과 그 제조 방법
JP4609797B2 (ja) * 2006-08-09 2011-01-12 Nec液晶テクノロジー株式会社 薄膜デバイス及びその製造方法
KR20080037296A (ko) * 2006-10-25 2008-04-30 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조방법
US7919795B2 (en) * 2006-12-21 2011-04-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Wire structure, method for fabricating wire, thin film transistor substrate, and method for fabricating the thin film transistor substrate
CN101529566B (zh) * 2006-12-28 2011-11-16 株式会社爱发科 布线膜的形成方法、晶体管及电子装置
KR100858088B1 (ko) * 2007-02-28 2008-09-10 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
JP4871777B2 (ja) * 2007-04-16 2012-02-08 株式会社アルバック エッチング液及びトランジスタ製造方法
JP5121299B2 (ja) * 2007-05-09 2013-01-16 アルティアム サービシズ リミテッド エルエルシー 液晶表示装置
KR101102891B1 (ko) * 2007-09-04 2012-01-10 삼성전자주식회사 배선구조 및 이를 이용한 박막 트랜지스터
TWI360708B (en) * 2007-12-17 2012-03-21 Au Optronics Corp Pixel structure, display panel, elecro-optical app
KR101296654B1 (ko) * 2007-12-26 2013-08-14 엘지디스플레이 주식회사 구리 배선, 이를 이용한 평판 표시 장치, 및 그 구리배선의 형성 방법
WO2010013636A1 (ja) * 2008-07-29 2010-02-04 株式会社アルバック 配線膜、薄膜トランジスタ、ターゲット、配線膜の形成方法
JP5571887B2 (ja) * 2008-08-19 2014-08-13 アルティアム サービシズ リミテッド エルエルシー 液晶表示装置及びその製造方法
KR101499239B1 (ko) * 2008-08-26 2015-03-06 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
JP5269533B2 (ja) * 2008-09-26 2013-08-21 三菱マテリアル株式会社 薄膜トランジスター
JP5360959B2 (ja) * 2008-10-24 2013-12-04 三菱マテリアル株式会社 バリア膜とドレイン電極膜およびソース電極膜が高い密着強度を有する薄膜トランジスター
US8237163B2 (en) * 2008-12-18 2012-08-07 Lg Display Co., Ltd. Array substrate for display device and method for fabricating the same
CN103456794B (zh) * 2008-12-19 2016-08-10 株式会社半导体能源研究所 晶体管的制造方法
JP4752927B2 (ja) * 2009-02-09 2011-08-17 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよび表示装置
WO2010098101A1 (ja) * 2009-02-27 2010-09-02 株式会社アルバック トランジスタ、トランジスタの製造方法及びその製造装置
WO2010125986A1 (en) * 2009-05-01 2010-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101687311B1 (ko) * 2009-10-07 2016-12-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2013541192A5 (enExample)
CN103140929B (zh) 错列薄膜晶体管及形成错列薄膜晶体管的方法
JP5551366B2 (ja) 半導体,半導体装置及び相補型トランジスタ回路装置
TWI437697B (zh) Wiring structure and a display device having a wiring structure
JP5698431B2 (ja) 薄膜トランジスタ及びその製造方法
JP2006165529A5 (enExample)
KR102518392B1 (ko) 박막트랜지스터 어레이 기판
JP2012109516A5 (enExample)
JP2010535431A5 (enExample)
JP5434000B2 (ja) 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP6004308B2 (ja) 薄膜デバイス
JP5226154B2 (ja) 薄膜トランジスタ
RU2007121704A (ru) Аморфный оксид и полевой транзистор с его использованием
JP2009260254A (ja) 酸化物半導体薄膜用組成物、これを採用した電界効果トランジスタ及びその製造方法
JP2010093240A5 (enExample)
TW201123460A (en) Thin film transistor, method of manufacturing the same, and organic electroluminescent device including thin film transistor
JP2008192721A5 (enExample)
JP2010123595A (ja) 薄膜トランジスタおよび表示装置
JP6654770B2 (ja) 薄膜トランジスタ基板及び表示装置
JP2011100991A5 (enExample)
JP2016519443A5 (enExample)
CN103208526A (zh) 一种半导体器件及其制造方法
TWI469357B (zh) Thin film transistor substrate and display device
KR20160129160A (ko) 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR20190068171A (ko) 박막 트랜지스터, 그 제조방법 및 이를 포함하는 표시장치