KR20130102576A - 스태거드 박막 트랜지스터 및 그 형성 방법 - Google Patents
스태거드 박막 트랜지스터 및 그 형성 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20130102576A KR20130102576A KR1020137008425A KR20137008425A KR20130102576A KR 20130102576 A KR20130102576 A KR 20130102576A KR 1020137008425 A KR1020137008425 A KR 1020137008425A KR 20137008425 A KR20137008425 A KR 20137008425A KR 20130102576 A KR20130102576 A KR 20130102576A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- copper
- thin film
- oxide
- film transistor
- Prior art date
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 49
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 143
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 139
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 135
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 86
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 42
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 36
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 27
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 26
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 15
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 14
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 8
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000005275 alloying Methods 0.000 claims 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- -1 ITO Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000583 Nd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001370 Se alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] Chemical compound [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N aluminum neodymium Chemical compound [Al].[Nd] UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AINNHYSCPOKHAO-UHFFFAOYSA-N aluminum;selenium Chemical compound [Se]=[Al] AINNHYSCPOKHAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N indium;oxozinc;tin Chemical compound [In].[Sn].[Zn]=O HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- YSRUGFMGLKANGO-UHFFFAOYSA-N zinc hafnium(4+) indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[In+3].[Hf+4] YSRUGFMGLKANGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
- H01L23/53204—Conductive materials
- H01L23/53209—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides
- H01L23/53228—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides the principal metal being copper
- H01L23/53238—Additional layers associated with copper layers, e.g. adhesion, barrier, cladding layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/4908—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET for thin film semiconductor, e.g. gate of TFT
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66969—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies not comprising group 14 or group 13/15 materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
스태거드 박막 트랜지스터 및 스태거드 박막 트랜지스터를 형성하는 방법이 제공된다. 박막 트랜지스터는 산화물 함유 층, 전도성 산화물 층 상에 증착되는 구리 합금 층, 구리 함유 산화물 층, 및 구리 함유 층을 포함하는 어닐링된 층 스택을 포함한다.
Description
본 발명은 박막 트랜지스터 및 박막 트랜지스터를 형성하는 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 스태거드(staggered), 특히 역 스태거드(inverted staggered) 박막 트랜지스터, 예를 들면, 역 스태거드 투명 산화물 박막 트랜지스터, 및 그것의 제조 방법들에 관한 것이다.
박막 트랜지스터(TFT)들은 액정 표시장치 애플리케이션들 및 다른 산업들에서 중요한 역할을 한다. 종래의 역 스태거드 투명 산화물 TFT들에서, 소스 및 드레인 전극들은 활성 채널 섬(island) 상에 직접 증착된다.
그러나, 디바이스 성능은 소스와 활성 채널 사이 또는 드레인과 활성 채널 사이의 접촉 저항으로 나빠질 수 있다.
그 결과, 개선된 박막 트랜지스터를 개발하는 것이 바람직하다.
상기를 고려하여, 본 명세서에서 설명된 실시예들에 따르면, 스태거드 박막 트랜지스터가 제공된다. 상기 박막 트랜지스터는 산화물 함유 층, 상기 산화물 함유 층 상에 증착된 구리 합금 층, 구리 함유 산화물 층, 및 구리 함유 층을 포함하는 어닐링된 층 스택을 포함한다.
추가 실시예들에 따르면, 스태거드 박막 트랜지스터를 형성하는 방법이 제공된다. 상기 방법은 상기 박막 트랜지스터의 산화물 함유 층을 제공하는 단계, 상기 산화물 함유 층 상에 구리 합금 층을 증착하는 단계, 상기 구리 합금 층 상에 구리 함유 산화물 층을 증착하는 단계, 및 상기 구리 함유 산화물 층 상에 구리 함유 층을 증착하는 단계를 포함한다. 상기 방법은 상기 산화물 함유 층, 상기 구리 합금 층, 상기 구리 함유 산화물 층 및 상기 구리 함유 층을 어닐링하는 단계를 더 포함한다.
실시예들은 또한 스태거드 박막 트랜지스터를 이용 및 동작시키는 방법에 관한 것이다. 이러한 방법 단계들은 수동으로 수행되거나 자동화될 수 있고, 예를 들면, 상기 둘의 임의의 조합에 의해 또는 임의의 다른 방식으로 알맞은 소프트웨어로 프로그래밍된 컴퓨터에 의해 제어될 수 있다.
본 명세서에서 설명된 실시예들과 결합될 수 있는 추가 이점들, 특징들, 양상들 및 세부사항들은 종속적인 청구항들, 상세한 설명 및 도면들로부터 명백하다.
상술한 본 발명의 특징들이 상세하게 이해될 수 있도록 하기 위하여, 위에서 간략히 요약한 본 발명의 더욱 구체적인 설명이 실시예를 참조하여 이루어진다. 첨부된 도면들은 본 발명의 실시예에 관한 것이고 다음에서 설명된다:
도 1은 역 스태거드 박막 트랜지스터 구조를 도시하고;
도 2 및 도 3은 본 명세서에서 설명된 실시예들에 따른 어닐링된 층 스택을 도시하며;
도 4는 본 명세서에서 설명된 실시예들에 따른 박막 트랜지스터를 제조하는 방법을 도시한다.
도 1은 역 스태거드 박막 트랜지스터 구조를 도시하고;
도 2 및 도 3은 본 명세서에서 설명된 실시예들에 따른 어닐링된 층 스택을 도시하며;
도 4는 본 명세서에서 설명된 실시예들에 따른 박막 트랜지스터를 제조하는 방법을 도시한다.
참조는 다양한 실시예들에 대해 상세하게 이루어질 것이며, 이들의 하나 또는 둘 이상의 예시들은 상기 도면들에 도시된다. 각 예시는 본 발명의 설명으로 제공되며, 본 발명의 제한으로서 의미하지 않는다. 예를 들면, 일 실시예의 일부로서 도시되거나 설명된 특징들은 추가 실시예를 추가로 산출하도록 다른 실시예들에 또는 그와 함께 사용될 수 있다. 본 발명이 이러한 수정들 및 변형들을 포함하는 것이 의도된다.
"역 스태거드 TFT"가 하부-게이트 TFT를 지칭하더라도, 표현 "스태거드 TFT"는 TFT의 하부-게이트 및 상부-게이트 버전들 모두를 포함할 것이다. 다음에서, 역 스태거드 구조가 설명될 것이다. 본 발명의 실시예들은 스태거드 및 코우플레이너(coplanar) TFT과 같은 다른 TFT 구조들에 적용가능하다. TFT의 층은 물질(들)로 구성된 TFT의 영역이다. 그 점에서, 층의 적어도 하나의 물리적 또는 화학적 속성은 TFT의 근처의 층과 비교하면 상이하다.
도면들의 다음 설명 내에서, 동일 참조 부호들은 동일 컴포넌트들을 지칭한다. 단지 개별 실시예들에 대한 차이점들만이 설명된다. 도면들은 실체 축적될 필요가 없고, 피쳐들은 설명을 위해 과장될 수 있다.
도 1은 역 스태거드 박막 트랜지스터(100)의 구조를 도시한다. TFT(100)는 기판(110)을 포함한다. 기판은 글라스 기판일 수 있다. 대안적으로, 기판은 플라스틱 기판, 세라믹 기판 또는 가능한 실리콘 산화물과 같은 절연막과 제공되는 금속 기판일 수 있다. 기판은 실리콘 산화물, 바륨 붕규산 글라스(borosilicate glass), 알루미노붕규산 글라스(aluminoborosilicate glass), 알루미늄 규산 글라스(aluminosilicate glass), 및 이들의 조합들 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.
게이트(120)는 기판(110) 상에 형성된다. 게이트(120)는 구리, 티타늄, 몰리브덴, 크롬, 탄탈, 텅스텐, 알루미늄, 은, 금, ITO, 이들의 합금 물질, 예를 들면, 알루미늄-네오디뮴 합금 또는 알루미늄-셀레늄 합금, 및 이들의 조합들 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다. 게이트는, 예를 들면, 마그네트론 스퍼터링과 같은 스퍼터링에 의해 기판 상에 증착될 수 있다. TFT(100)는 게이트(120) 및 기판(110) 상에 형성된 게이트 유전체(130)를 포함한다. 게이트 유전체는 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 및 이들의 조합들 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.
게다가, TFT(100)는 활성 채널 영역(140), 예를 들면, 투명 산화물을 포함하는 활성 채널 섬을 포함한다. 활성 채널 영역(140)은 게이트 유전체(130) 상에 형성된다. 활성 채널 영역은 투명 산화물, 아연 산화물, 아연 주석 산화물, 아연 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 인듐 갈륨 아연 산화물, 하프늄 인듐 아연 산화물, 알루미늄 아연 주석 산화물, 구리 산화물, 및 이들의 조합들 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다. 식각 정지층(150)은 활성 채널(140) 상에 형성될 수 있다. 식각 정지층은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 및 이들의 조합들 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.
소스(160) 및 드레인(170)은 활성 채널(140) 상에 형성된다. 소스 및 드레인은 구리, 티타늄, 몰리브덴, 크롬, 탄탈, 텅스텐, 알루미늄, 은, 금, ITO, 이들의 합금들, 및 이들의 조합들 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다. 식각 정지층(150)은 소스(160)와 드레인(170) 사이일 수 있다. 게다가, 패시베이션층(180)은 전체 구조 상에 형성될 수 있고, 또한 소스(160) 및 드레인(170)을 분리시킬 수 있다. 패시베이션층은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 및 이들의 조합들 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.
접촉 저항은 소스(160)와 활성 채널 영역(140) 사이 및/또는 드레인(170)과 활성 채널 영역(140) 사이에 존재할 수 있다. 예를 들면, 전극들(160, 170)의 금속박막(metallization)이 구리-기반인 경우, 예를 들면, 구리 선들로의 연결이고, 활성 채널이 아연 산화물과 같은 투명 산화물로 이루어진 경우, 접촉 저항이 존재한다. 접촉 저항은 TFT의 성능을 감소시킬 수 있다.
본 명세서에서 설명된 실시예들에 따르면, 박막 트랜지스터가 제공된다. 박막 트랜지스터는 역 스태거드 TFT일 수 있다. 박막 트랜지스터는 어닐링된 층 스택을 포함한다. 어닐링된 층 스택은 전도성 산화물 층, 구리 합금 층, 구리 함유 산화물 층, 및 구리 함유 층을 포함한다. 전도성 산화물 층은 활성 채널 영역일 수 있다.
구리 합금 층, 구리 함유 산화물 층 및 구리 함유 층은 소스 또는 드레인 전극의 서브-층들(sub-layer)일 수 있다. 구리 합금 층은 전도성 산화물 층 상에 증착될 수 있다. 구리 함유 산화물 층은 대안적으로 없을 수 있다. 그것이 존재하는 경우, 그것은 구리 합금 층 상에 증착될 수 있다. 구리 함유 층은 구리 함유 산화물 층 상에, 또는 구리 함유 산화물 층이 존재하지 않는 경우, 구리 합금 층 상에 증착될 수 있다.
도 2는 이러한 유형의 층 스택(200)을 도시한다. 층 스택(200)은, 예를 들면, 활성 채널(140)과 동일할 수 있는 전도성 산화물 층(210)을 포함한다. 층 스택(200)은 구리 합금 층(220), 구리 함유 산화물 층(230), 및 구리 함유 층(240)을 더 포함한다. 층들(220, 230, 240)은, 예를 들면, 소스 전극(160) 또는 드레인 전극(170)의 서브-층들일 수 있다.
도 2에 도시된 층 스택(200)은, 예를 들면, 도 1에 도시된 TFT 구조의 일부일 수 있고, 도 1에서 대시 박스들에 의해 표시된 영역들(1 또는 2)에 대응할 수 있다. TFT 구조는 본 명세서에서 설명된 실시예들에 따른 하나보다 많은 층 스택, 예를 들면, 도 1에서 대시 박스들(1 및 2)에 의해 표시되고, 소스/활성 채널 층 스택 및 드레인/활성 채널 층 스택에 대응하는 바와 같이, 적어도 2개의 독립된 층 스택들을 포함할 수 있다.
도 2에서, 구리 합금 층(220)은 전도성 산화물 층(210) 상에 형성되고 그에 접촉한다. 구리 함유 산화물 층(230)은 구리 합금 층(220) 상에 형성되고 그에 접촉한다. 구리 함유 층(240)은 구리 함유 산화물 층(230) 상에 형성되고 그에 접촉한다.
전도성 산화물 층은 투명 산화물 층, 특히, ZnO-함유 층, ZTO-함유 층, ZTIO-함유 층, IZO-함유 층, IGZO-함유 층, HIZO-함유 층, AZTO-함유 층, Cu2O-함유 층, 및 이들의 조합들일 수 있다. 전도성 산화물 층은, 예를 들면, 도 1에 도시된 바와 같이, 게이트 유전체 상에 형성될 수 있다.
구리 합금 층은, 예를 들면, 식각 정지층의 형성 후, 전도성 산화물 층 상에 형성될 수 있다. 구리 합금 층은 제 1 버퍼 막을 증착함으로써, 예를 들면, Cu 합금을 스퍼터링함으로써, 형성될 수 있는데, 여기서, 합금 물질은 Mn, Mg, Cr, Mo, Ca 및 이들의 조합들일 수 있다. 스퍼터링은 마그네트론 스퍼터링, 예를 들면, 정적 마그네트론 스퍼터링, 반응성 마그네트론 스퍼터링 또는 정적 반응성 마그네트론 스퍼터링일 수 있다. 구리 타겟은, 예를 들면, Cu4N일 수 있다.
적어도 전도성 산화물 층 및 제 1 버퍼 막은 어닐링될 수 있다. 적어도 전도성 산화물 층 및 제 1 버퍼 막을 어닐링함으로써, 제 1 버퍼 막은 적어도 부분적으로 산화된다. 특히, 합금 부재는 산화될 수 있다. 그 점에서, 전도성 산화물 층에 함유된 산소는 금속 부재를 산화시킬 수 있다. 이러한 공정은 구리 합금 자기-형성 배리어 공정이라 불릴 수 있다.
구리 합금 층은 적어도 부분적으로 산화되는 합금 물질, Cu, Mn, Mg, Cr, Mo, Ca, Cu, Mn, Mg, Cr, Mo, Ca의 산화물들, 및 이들의 조합들로 구성되는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다. 구리 합금 층은 스퍼터링e되고 어닐링된 구리 합금 층일 수 있다. 어닐링은 진공 어닐링일 수 있다. 구리 합금 층은 산화되거나 부분적으로 산화된 구리 합금 층, 예를 들면, 합금 물질(들)이 산화되는 부분적으로 산화된 구리 합금 층일 수 있다. 구리 합금 층은 중량으로 적어도 80% 구리, 또는 중량으로 적어도 90% 구리, 또는 중량으로 적어도 95% 구리, 또는 심지어 중량으로 적어도 99.5% 구리를 포함할 수 있다. 구리 합금 층은, 예를 들면, 중량으로 최대 20% 구리 이외의 물질, 또는 중량으로 최대 10% 또는 중량으로 최대 5%, 또는 심지어 중량으로 최대 0.5% 구리 이외의 물질, 예를 들면, 합금 물질을 포함한다.
어닐링은, 예를 들면, 본 명세서에서 설명된 실시예들에 따른 전체 층 스택을 형성한 후 또는 적어도 일부 추가 층들을 형성한 후, 수행될 수 있다. "어닐링된 층 스택"은 층 스택, 구리 합금 층이 어닐링되는 것 이외의 적어도 하나의 층, 보다 구체적으로, 제 1 버퍼 층 이외의 적어도 하나의 층으로 지칭될 수 있다.
일부 실시예들에 따르면, 구리 함유 산화물 층은 전도성 산화물 층 상의 제 1 버퍼 막 상에 각각 형성된다. 구리 함유 산화물 층은 제 2 버퍼 막일 수 있다. 그것은, 예를 들면, 반응성 마그네트론 스퍼터링과 같은 스퍼터링에 의해 증착될 수 있다. 예를 들면, Cu4N과 같은 실질적으로 순수 구리는 아르곤 및 산소를 포함하는 가스 분위에서 스퍼터링될 수 있다. 구리 함유 산화물 층은 CuO, Cu2O, 및 이들의 조합들 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다. 구리 함유 산화물 층은 중량으로 적어도 79% 구리, 또는 중량으로 적어도 90% 구리, 또는 심지어 중량으로 적어도 99.9% 구리를 포함할 수 있다. 구리 함유 산화물 층은, 예를 들면, 중량으로 최대 20% 구리 또는 중량으로 최대 10%, 또는 심지어 중량으로 최대 0.1% 이외의 물질, 예를 들면, 산소를 포함할 수 있다.
층 스택을 어닐링하는 경우, 구리 함유 산화물 층으로부터의 산소는 구리 합금 층을 산화시킬 수 있다. 이러한 공정은 전도성 산화물 층으로부터의 산소에 의한 산화에 추가로 또는 대안적으로 발생할 수 있다. 전도성 산화물 층 및 구리 함유 산화물 층 중에서 선택된 적어도 하나의 층은 구리 합금 층 근처에서 산소 공핍 구역을 가질 수 있다. 특히, 산소 공핍 구역은 전도성 산화물 층 및/또는 구리 함유 산화물 층과의 인터페이스에서 Cu 합금 자기-형성 배리어 공정에 기인할 수 있다. Cu 합금 층의 두께는 Cu 합금 층이 자기-형성 배리어 공정 이후 온전히 산화되도록 하는 것일 수 있다. 두께는 이를 달성하도록 매우 얇을 수 있다.
구리 함유 층은, 예를 들면, 스퍼터링에 의해 구리 함유 산화물 층 상에 형성될 수 있다. 특히, 스퍼터링은, 예를 들면, 순수 아르곤 분위기에서 구리 함유 산화물 층 상에 직접 스퍼터링함으로써 수행될 수 있다. 동일 스퍼터 타겟, 예를 들면, 로터리 스퍼터 타겟은 구리 함유 산화물 층을 스퍼터링하는 경우로서 사용될 수 있다. 스퍼터 타겟은 구리 함유 산화물 층과 구리 함유 층의 형성 사이에 스퍼터 세정 없이 사용될 수 있다. 예를 들면, Cu4N이 스퍼터 타겟으로 사용될 수 있다. 구리 함유 층은 중량으로 적어도 90% 구리, 또는 중량으로 적어도 95% 구리, 또는 심지어 중량으로 99.99% 구리를 포함할 수 있다. 구리 함유 산화물 층은, 예를 들면, 중량으로 최대 10%, 또는 중량으로 최대 5%, 또는 심지어 중량으로 최대 0.01% 구리 이외의 물질을 포함할 수 있다. 구리 함유 층은 실질적으로 구리로 구성될 수 있다. 이 점에서, "실질적으로 구리로 구성됨"은 불순물 이외에는 구리로 구성됨을 의미한다.
스퍼터링 가스 분위기에 대한 산소 공급을 중단하는 것이 충분할 수 있다. 형성 공정은 그에 의해 단순화된다. 구리 함유 층은 구리 함유 산화물 층 및/또는 구리 합금 층보다 두꺼울 수 있다. 그것은 소스 또는 드레인 전극의 주요부, 또는 구리 선들과 같은 회로를 위한 단자를 형성할 수 있다.
도 3은 전도성 산화물 층(210)을 포함하는 어닐링된 층 스택(200)을 도시한다. 전도성 산화물 층(210)은 구리 합금 층(220)과의 접촉 영역 근처에서 산소 결핍 구역(215)을 포함한다. 산소 결핍은 구역(214)에서 개방 원(open circle)으로 개략적으로 도시되고, 구리 합금 층(220)의 적어도 부분적인 산화는 수직 선들의 패턴으로 나타낸다. 구리 함유 산화물 층(230)은 또한 구리 합금 층 근처에서 산소 결핍 구역을 포함할 수 있다. 도 3에 도시된 층 스택(200)은 그들의 층들(210~240)의 형성 후에 어닐링된다.
층들은 일부 실시예들에 따른 다음 범위들의 두께를 가질 수 있다. 전도성 산화물 층은 20 ㎚ 내지 150 ㎚의 두께를 가질 수 있다. 구리 합금 층은 2 ㎚ 내지 30 ㎚의 두께를 가질 수 있다. 구리 함유 산화물 층은 2 ㎚ 내지 50 ㎚, 예를 들면, 2 ㎚ 내지 30 ㎚의 두께를 가질 수 있다. 구리 함유 층은 50 ㎚ 내지 500 ㎚, 예를 들면, 100 ㎚ 내지 400 ㎚의 두께를 가질 수 있다. 산소 결핍 구역의 두께는 0.1 ㎚ 내지 3 ㎚의 범위일 수 있다.
접촉 저항은 접촉하는 층들의 물질 특성들에 의존한다. 예를 들면, 전도성 산화물 층, 예를 들면, ZnO와 같은 투명 산화물 층의 전도성은 물질에서 산소 원자 결함(oxygen vacancy)들의 농도에 의존한다. 전도성은 원자 결함들의 농도에 비례될 수 있다. 구리 합금 층에 대한 접촉 영역에서 전도성 산화물 층에 산소-결함 층(산소 공핍 구역)을 생성함으로써, 그것의 전도성은 Cu 합금 자기-형성 배리어 공정을 통해 제어될 수 있다. 다른 층들의 경계들에서의 전도성이 대안적으로 또는 추가적으로 제어될 수 있다. 이런 식으로, 접촉 저항은 감소될 수 있고 TFT의 성능은 증가될 수 있다.
특히, 전도성 산화물 층 및/또는 구리 함유 산화물 층의 산소 함유량은 구리 합금 층의 원하는 산화가 달성되도록 적응될 수 있다. 특히, 합금 부재 또는 합금 부재들의 구리 합금 층의 속성들은 구리 합금의 원하는 산화가 달성되도록 적응될 수 있다. 층들의 산소 공여(donation) 또는 수용(reception) 속성들은 각 층들의 산소 결핍 구역들에서 산소 원자 결함들의 원하는 농도가 달성되도록 적응될 수 있다.
추가 제어는 층들의 증착 파라미터들 및 어닐링 파라미터들을 제어함으로써 제공된다. 예를 들면, 스퍼터링 캐소드들에서의 전력, 스퍼터링 가스의 압력 또는 스퍼터링 가스들의 분압들, 아르곤/산소 혼합물과 같은 스퍼터링 가스들의 조성물, 및 증착 시간이 변경될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 어닐링 시간 및/또는 어닐링 온도가 제어될 수 있다. 이런 방식으로, 접촉 저항의 감소의 정도 및 접착/배리어 층의 속성들은 TFT 제품에 대한 공정 요건들에 대해 제어 및 적응될 수 있다.
층 스택의 임의의 쌍의 층들 사이의 비저항 속성들은 접촉 저항이 낮도록 정합될 수 있다. 이는 접촉 저항의 접합 또는 RC-정합으로서 지칭될 것이다. 특히, 접촉 저항은 어닐링에 의해 정합될 수 있다. RC-정합된 층들 사이의 접촉 저항, 또는 실제 값들(Rc·W)은, 예를 들면, 1 내지 10000 Ω㎝일 수 있다. 특히, 전도성 산화물 층 및 구리 합금 층은 RC-정합될 수 있다.
선택적으로, 전도성 산화물 층의 산소 결핍 구역은 구리 합금 층에 대한 RC-정합을 제공한다. 전도성 산화물 층의 산소 결핍 구역으로부터의 산소에 의한 구리 합금 층의 산화는 RC-정합에 더 기여할 수 있다. 일부 실시예들에서, 구리 합금 층 및 구리 함유 산화물 층은 RC-정합된다. 여기서, 구리 함유 산화물 층의 산소 결핍 구역은 구리 합금 층에 대한 RC-정합을 제공할 수 있다. 구리 함유 산화물 층의 구역으로부터의 산소에 의한 구리 합금 층의 산화는 RC-정합에 더 기여할 수 있다.
임의의 산소 결핍 구역은 대응하는 근처의 층들의 비저항 속성들을 정합하도록 적응될 수 있고, 즉, 그것은 RC-정합에 적응될 수 있다. 어닐링된 층 스택은 어닐링된 RC-정합된 층 스택일 수 있다. 이 점에서, 층 스택은, 전도성 산화물 층/구리 합금 층의 쌍 및 구리 합금 층/구리 함유 산화물 층의 쌍 중에서 선택된 적어도 하나의 층 쌍이 RC-정합되는 경우, RC-정합으로 지칭된다.
추가 실시예들에 따르면, 스태거드 박막 트랜지스터를 형성하는 방법이 제공된다. 상기 방법은 박막 트랜지스터의 전도성 산화물 층을 제공하는 단계, 전도성 산화물 층 상에 구리 합금 층을 증착하는 단계, 구리 합금 층 상에 구리 함유 산화물 층을 증착하는 단계, 및 구리 함유 산화물 층 상에 구리 함유 층을 증착하는 단계를 포함한다. 상기 방법은 구리 합금 층 및 전도성 산화물 층, 구리 함유 산화물 층, 및 구리 함유 층 중에서 선택된 층들의 적어도 하나를 어닐링하는 단계를 포함한다. 어닐링은 전도성 산화물 층, 구리 합금 층, 구리 함유 산화물 층 및 구리 함유 층을 어닐링하는 단계를 포함할 수 있다.
어닐링은 전도성 산화물 층 및 구리 함유 산화물 층 중에서 선택된 적어도 하나의 층으로부터의 산소로 구리 합금 층의 적어도 하나의 합금 물질을 산화시키는 단계를 포함할 수 있다. 구리 합금 층, 특히 구리 합금 층의 합금 부재 또는 합금 부재들은 전도성 산화물 층 및/또는 구리 함유 산화물 층으로부터의 산소로 배타적으로 산화될 수 있다. 어닐링은 전도성 산화물 층 및/또는 구리 함유 산화물 층에 적어도 하나의 산소 결핍 구역을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 이 점에서, 산소 결핍 구역은 전도성 산화물 층과 구리 합금 층을 RC-정합하도록 및/또는 구리 합금 층과 구리 함유 산화물 층을 RC-정합하도록 적응될 수 있다. 어닐링은 RC-정합된 층 스택을 형성하는 단계를 포함할 수 있는데, 여기서, RC-정합된 층 스택은 본 명세서에서 설명된 실시예들에 따른 임의의 층 스택일 수 있다.
구리 합금 층의 증착은 구리 합금의 스퍼터링을 포함할 수 있다. 스퍼터링은 구리 합금의 정적 및/또는 반응성 마그네트론 스퍼터링과 같은 마그네트론 스퍼터링일 수 있다. 이 점에서, 구리 합금은, 예를 들면, Mn, Mg, Cr 또는 이들의 혼합물들 중에서 선택될 수 있다.
구리 함유 산화물 층의 증착은 산소-함유 가스 환경에서 구리의 스퍼터링을 포함할 수 있다. 가스 환경은 Ar 및 O2를 포함할 수 있다. 스퍼터링은 구리의 마그네트론 스퍼터링, 예를 들면, 로터리 타겟들을 갖는 반응성 마그네트론과 같은 반응성 마그네트론 스퍼터링을 포함할 수 있다.
구리 함유 층의 증착은 불활성 가스 환경에서 구리의 스퍼터링을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 불활성 가스 환경은 Ar을 포함할 수 있다. 스퍼터링은 구리의 마그네트론 스퍼터링, 예를 들면, 로터리 타겟들을 갖는 반응성 마그네트론과 같은 반응성 마그네트론 스퍼터링을 포함할 수 있다. 이 점에서, 구리 함유 층의 스퍼터링은 구리 함유 산화물 층의 스퍼터링에서와 동일한 타겟들을 갖는 스퍼터링을 포함할 수 있다. 타겟들은 구리 함유 산화물 층을 스퍼터링하는 단계와 구리 함유 층을 스퍼터링하는 단계 사이에 미처리(특히, 세정되지 않음)될 수 있다.
구리 합금 층, 구리 함유 산화물 층, 및 구리 함유 층은 박막 트랜지스터의 활성 채널 영역을 형성하는 전도성 산화물 층과 접촉하여 박막 트랜지스터의 전극을 형성할 수 있다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 이에 제한되지 않는다. 배리어 층 및/또는 적어도 하나의 산소 결핍 구역의 자기-형성은 TFT 구조의 다른 층들에도 역시 적용될 수 있다.
본 명세서에서 설명된 임의의 실시예들과 결합될 수 있는 추가 실시예들에 따르면, 게이트 금속박막을 형성하는 방법이 제공된다. 상기 방법은 박막 트랜지스터의 기판 상에 게이트 전극 금속박막을 증착하는 단계를 포함한다. 박막 트랜지스터는 본 명세서에서 설명된 실시예들에 따른 박막 트랜지스터, 특히, 본 명세서에서 설명된 층 스택을 갖는 스태거드/역 스태거드 TFT일 수 있다.
게이트 금속박막을 형성하는 방법은 기판으로부터의 산소에 의해 게이트 전극 금속박막을 적어도 부분적으로 산화시키도록 게이트 전극 금속박막을 어닐링하는 단계를 더 포함할 수 있다. 게이트 전극 금속박막의 어닐링은 층 스택의 어닐링과 동일할 수 있거나, 그것은 독립된 어닐링일 수 있다.
상기 설명된 실시예들에 따른 어닐링된 층 스택은 또한 기판과 박막 트랜지스터의 게이트 전극 사이의 인터페이스일 수 있다. 이러한 경우, 전도성 산화물 층은 기판으로 대체된다. 기판은 앞에서 설명된 기판 물질들로 이루어질 수 있고 산소를 함유한다. 특히, 기판은 실리콘 산화물과 같은 산화물의 형태로 산소를 함유할 수 있다. 구리 합금 층은 그 다음 기판으로부터 및/또는 구리 함유 산화물 층으로부터의 산소에 의해 산화될 수 있다. RC-정합은 단지 구리 합금 층, 구리 함유 산화물 층 및 구리 함유 층 사이에서만 발생한다. 이러한 3개의 층들은 게이트 전극을 형성하거나 그의 일부를 형성한다. 게이트 전극은 다중-층 전극일 수 있다.
도 2 및 도 3은 또한 3개의 실시예들을 도시하는데, 여기서, 참조 부호(210)를 갖는 층은 이제 기판 또는 기판의 산소-함유 코팅, 예를 들면, 도 1의 기판(110)이다. 구리 합금 층(220), 구리 함유 산화물 층(230), 및 구리 함유 층(240)은, 예를 들면, 도 1의 게이트 전극(120)에 포함될 수 있다.
추가 실시예에 따르면, 어닐링된 층 스택은 산소 함유 층, 특히, 산화물 함유 층을 포함한다. 산화물 함유 층은 상기 설명된 바와 같은 전도성 산화물 층일 수 있다. 산화물 함유 층은 기판, 또는 기판의 코팅과 같은 그의 일부일 수 있다. 어닐링된 층 스택은 구리 합금 층, 구리 함유 산화물 층 및 구리 함유 층을 포함하는데, 이는 상기 설명된 속성들을 가질 수 있다. 산화물 함유 층이 전도성 산화물 층인 경우, 이들 3개의 층들은 박막의 소스 및/또는 드레인 전극의 일부일 수 있다. 산화물 함유 층이 기판 또는 이의 일부인 경우, 이들 3개의 층들은 게이트 전극, 또는 그 일부를 형성할 수 있다.
추가 실시예들에 따르면, 박막 트랜지스터는 본 명세서에서 설명된 실시예들에 따른 적어도 2개의 어닐링된 층 스택들을 포함할 수 있다. 특히, 박막 트랜지스터는 기판과 게이트 전극의 인터페이스에서 제 1 어닐링된 층 스택, 및 활성 채널과 소스/드레인 전극(들)의 인터페이스에서 제 2 어닐링된 층 스택을 포함할 수 있다. 게다가, 제 1 및 제 2 어닐링된 층 스택들을 형성하는 방법은 실질적으로 동일할 수 있다(산화물 함유 층은 제 1 어닐링된 층 스택에서 기판이고, 제 2 어닐링된 층 스택에서 활성 채널의 전도성 산화물 층임).
어닐링된 층 스택들 및 이를 형성하는 방법이 드레인/소스 전극들 및 게이트 전극들 모두에 대해 채용될 수 있다는 사실은 장점을 이룬다. 이런 방식으로, 생산 공정의 복잡성은 감소될 수 있다. 예를 들면, 동일한 장치들이 박막 트랜지스터들의 이러한 부분들의 형성에 사용될 수 있다. 생산 비용뿐만 아니라 생산지의 장비의 비용은 낮아질 수 있고, 수율은 증가될 수 있다.
도 4는 박막 트랜지스터를 형성하는 방법을 개략적으로 도시한다. 상기 방법은 기판을 제공하는 단계(410) 및 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계(420)를 포함한다. 게이트 전극을 형성하는 단계는 기판 상에 구리 합금 층을 증착하는 단계(422), 구리 합금 층 상에 구리 함유 산화물 층을 증착하는 단계(424), 구리 함유 산화물 층 상에 구리 함유 층을 증착하는 단계(426)를 포함할 수 있다. 상기 방법은 기판, 구리 합금 층, 구리 함유 산화물 층 및 구리 함유 층을 어닐링하는 단계(428)를 포함할 수 있다.
상기 방법은 기판 및 게이트 전극 상에 게이트 유전체를 형성하는 단계(430), 및 게이트 유전체 상에 활성 채널 영역을 형성하는 단계(440)를 더 포함할 수 있다. 이 점에서, 게이트 유전체는 그것이 게이트 전극과 활성 채널 영역 사이에 전기적 절연을 제공하도록 형성된다. 활성 채널 영역은 전도성 산화물 층을 포함하거나 이것으로 구성된다. 상기 방법은 활성 채널 영역 상에 식각 정지층을 형성하는 단계(450)를 포함할 수 있다.
상기 방법은 활성 채널 영역의 전도성 산화물 층 상에 소스 전극을 형성하는 단계 및 드레인 전극을 형성하는 단계(460)를 더 포함할 수 있다. 소스 및 드레인 전극의 형성은 전극 층을 형성하는 단계 및 식각 정지층에 대한 식각과 같은 식각에 의해 전극 층을 소스 전극 및 드레인 전극으로 분리하는 단계를 포함할 수 있다. 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계, 전극 층을 각각 형성하는 단계는 전도성 산화물 층 상에 제 2 구리 합금 층을 증착하는 단계(462), 제 2 구리 합금 층 상에 제 2 구리 함유 산화물 층을 증착하는 단계(464), 및 제 2 구리 함유 산화물 층 상에 제 2 구리 함유 층을 증착하는 단계(466)를 포함할 수 있다. 상기 방법은 전도성 산화물 층, 제 2 구리 합금 층, 제 2 구리 함유 산화물 층 및 제 2 구리 함유 층을 어닐링하는 단계(468)를 포함할 수 있다.
상기 방법은 소스 전극, 드레인 전극, 및/또는 소스 및 드레인 전극을 분리하는 식각 정지층 상에 패시베이션 층을 형성하는 단계(480)를 포함할 수 있다.
상기 방법은 게이트 전극의 형성 단계들(420-426) 또는 드레인/소스 전극들의 형성 단계들(460-466)의 어느 하나를 포함하거나, 형성 단계들(420-426 및 460-466) 모두를 포함한다. 방법은 적어도 하나의 어닐링 단계, 예를 들면, 단계(428) 또는 단계(468) 또는 둘 모두를 포함한다.
상술한 것은 본 발명의 실시예들에 관한 것이지만, 본 발명의 다른 및 추가 실시예들은 이들의 기본 범위를 벗어남 없이 안출될 수 있으며, 이들의 범위는 이하의 청구범위에 의해 결정된다.
Claims (15)
- 스태거드(staggered) 박막 트랜지스터로서,
어닐링된 층 스택(200)을 포함하며,
상기 어닐링된 층 스택(200)은,
산화물 함유 층(210);
상기 산화물 함유 층 상에 증착된 구리 합금 층(220);
구리 함유 산화물 층(230); 및
구리 함유 층(240)을 포함하는, 스태거드 박막 트랜지스터. - 제 1 항에 있어서,
상기 스태거드 박막 트랜지스터는 역 스태거드(inverted staggered) 박막 트랜지스터인, 스태거드 박막 트랜지스터. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 산화물 함유 층은 전도성 산화물 층인, 스태거드 박막 트랜지스터. - 제 3 항에 있어서,
상기 전도성 산화물 층은 투명 산화물 층, 특히, ZnO-함유 또는 IGZO-함유 층인, 스태거드 박막 트랜지스터. - 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 구리 합금 층, 상기 구리 함유 산화물 층, 및 상기 구리 함유 층은 상기 박막 트랜지스터의 활성 채널 영역을 형성하는, 상기 산화물 함유 층과 접촉하는 상기 박막 트랜지스터의 전극을 형성하는, 스태거드 박막 트랜지스터. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 구리 합금 층, 상기 구리 함유 산화물 층, 및 상기 구리 함유 층은 상기 박막 트랜지스터의 기판의 적어도 일부를 형성하는, 상기 산화물 함유 층과 접촉하는 상기 박막 트랜지스터의 게이트 전극을 형성하는, 스태거드 박막 트랜지스터. - 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 산화물 함유 층 및 상기 구리 함유 산화물 층으로부터 선택된 적어도 하나의 층은 상기 구리 합금 층 근처에서 산소 공핍 구역(215)을 갖는, 스태거드 박막 트랜지스터. - 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 구리 합금 층은 적어도 부분적으로 산화된 Cu, Mn, Mg, Cr, Mo, Ca, Cu, Mn, Mg, Cr, Mo, Ca의 산화물들, 및 이들의 조합들인 합금 물질로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는, 스태거드 박막 트랜지스터. - 스태거드 박막 트랜지스터를 형성하는 방법으로서,
상기 박막 트랜지스터의 산화물 함유 층(210)을 제공하는 단계;
상기 산화물 함유 층 상에 구리 합금 층(220)을 증착하는 단계;
상기 구리 합금 층 상에 구리 함유 산화물 층(230)을 증착하는 단계;
상기 구리 함유 산화물 층 상에 구리 함유 층(240)을 증착하는 단계; 및
상기 산화물 함유 층, 상기 구리 합금 층, 상기 구리 함유 산화물 층 및 상기 구리 함유 층을 어닐링하는 단계를 포함하는, 스태거드 박막 트랜지스터를 형성하는 방법. - 제 9 항에 있어서,
상기 어닐링 단계는 상기 산화물 함유 층 및 상기 구리 함유 산화물 층으로부터 선택된 적어도 하나의 층으로부터의 산소에 의해 상기 구리 합금 층의 적어도 하나의 합금 물질을 산화시키는 단계를 포함하는, 스태거드 박막 트랜지스터를 형성하는 방법. - 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
상기 구리 합금 층의 증착 단계는 구리 합금의 스퍼터링 단계, 선택적으로 상기 구리 합금의 마그네트론 스퍼터링 단계를 포함하고, 상기 구리 합금의 상기 합금 물질은 Mn, Mg, Cr, Mo, Ca 또는 이들의 혼합물들로부터 선택적으로 선택되는, 스태거드 박막 트랜지스터를 형성하는 방법. - 제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 구리 함유 산화물 층의 증착 단계는 산소 함유 가스 환경에서, 선택적으로 Ar 및 O2를 포함하는 가스 환경에서, 구리의 스퍼터링 단계, 선택적으로 구리의 마그네트론 스퍼터링 단계를 포함하는, 스태거드 박막 트랜지스터를 형성하는 방법. - 제 9 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 구리 함유 층의 증착 단계는 불활성 가스 환경에서, 선택적으로 Ar을 포함하는 불활성 가스 환경에서, 구리의 스퍼터링 단계, 선택적으로 구리의 마그네트론 스퍼터링 단계를 포함하는, 스태거드 박막 트랜지스터를 형성하는 방법. - 제 9 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 산화물 함유 층은 전도성 산화물 층이고, 상기 구리 합금 층, 상기 구리 함유 산화물 층, 및 상기 구리 함유 층은 상기 박막 트랜지스터의 활성 채널 영역을 형성하는, 상기 전도성 산화물 층과 접촉하는 상기 박막 트랜지스터의 전극을 형성하는, 스태거드 박막 트랜지스터를 형성하는 방법. - 제 9 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 스태거드 박막 트랜지스터의 기판 상에 게이트 전극 금속박막(metallization)을 증착하는 단계; 및
상기 기판으로부터 산소에 의해 상기 게이트 전극 금속박막을 적어도 부분적으로 산화시키도록 상기 게이트 전극 금속박막을 어닐링하는 단계를 더 포함하는, 스태거드 박막 트랜지스터를 형성하는 방법.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP10175294A EP2426720A1 (en) | 2010-09-03 | 2010-09-03 | Staggered thin film transistor and method of forming the same |
| EP10175294.7 | 2010-09-03 | ||
| PCT/EP2011/063712 WO2012028432A1 (en) | 2010-09-03 | 2011-08-09 | Staggered thin film transistor and method of forming the same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20130102576A true KR20130102576A (ko) | 2013-09-17 |
Family
ID=43104661
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020137008425A KR20130102576A (ko) | 2010-09-03 | 2011-08-09 | 스태거드 박막 트랜지스터 및 그 형성 방법 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20120056173A1 (ko) |
| EP (1) | EP2426720A1 (ko) |
| JP (1) | JP2013541192A (ko) |
| KR (1) | KR20130102576A (ko) |
| CN (1) | CN103140929B (ko) |
| TW (1) | TW201232784A (ko) |
| WO (1) | WO2012028432A1 (ko) |
Families Citing this family (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8962386B2 (en) * | 2011-11-25 | 2015-02-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JP6051960B2 (ja) | 2012-03-19 | 2016-12-27 | 株式会社リコー | 導電性薄膜、導電性薄膜形成用塗布液、電界効果型トランジスタ、及び電界効果型トランジスタの製造方法 |
| US8993383B2 (en) * | 2012-06-08 | 2015-03-31 | Panasonic Corporation | Thin-film transistor and method for manufacturing thin-film transistor |
| JP5972065B2 (ja) * | 2012-06-20 | 2016-08-17 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| US9379247B2 (en) * | 2012-06-28 | 2016-06-28 | Cbrite Inc. | High mobility stabile metal oxide TFT |
| US8823003B2 (en) * | 2012-08-10 | 2014-09-02 | Apple Inc. | Gate insulator loss free etch-stop oxide thin film transistor |
| EP2916360A4 (en) * | 2012-11-02 | 2016-06-22 | Boe Technology Group Co Ltd | THIN-LAYER TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD, ARRAY SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE AND BARRIER LAYER THEREFOR |
| US9601557B2 (en) | 2012-11-16 | 2017-03-21 | Apple Inc. | Flexible display |
| TWI594333B (zh) * | 2013-12-31 | 2017-08-01 | 國立交通大學 | 降低氧化物薄膜電晶體之接觸電阻的方法 |
| KR102163730B1 (ko) * | 2014-03-25 | 2020-10-08 | 삼성전자주식회사 | 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자 |
| US9600112B2 (en) | 2014-10-10 | 2017-03-21 | Apple Inc. | Signal trace patterns for flexible substrates |
| KR102260886B1 (ko) * | 2014-12-10 | 2021-06-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 |
| KR20180075733A (ko) | 2016-12-26 | 2018-07-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시장치 |
| US10224224B2 (en) | 2017-03-10 | 2019-03-05 | Micromaterials, LLC | High pressure wafer processing systems and related methods |
| US10622214B2 (en) | 2017-05-25 | 2020-04-14 | Applied Materials, Inc. | Tungsten defluorination by high pressure treatment |
| US10847360B2 (en) | 2017-05-25 | 2020-11-24 | Applied Materials, Inc. | High pressure treatment of silicon nitride film |
| KR102574914B1 (ko) | 2017-06-02 | 2023-09-04 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 보론 카바이드 하드마스크의 건식 스트리핑 |
| US10276411B2 (en) | 2017-08-18 | 2019-04-30 | Applied Materials, Inc. | High pressure and high temperature anneal chamber |
| JP6947914B2 (ja) | 2017-08-18 | 2021-10-13 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 高圧高温下のアニールチャンバ |
| CN111095524B (zh) | 2017-09-12 | 2023-10-03 | 应用材料公司 | 用于使用保护阻挡物层制造半导体结构的设备和方法 |
| US10643867B2 (en) | 2017-11-03 | 2020-05-05 | Applied Materials, Inc. | Annealing system and method |
| KR102396319B1 (ko) | 2017-11-11 | 2022-05-09 | 마이크로머티어리얼즈 엘엘씨 | 고압 프로세싱 챔버를 위한 가스 전달 시스템 |
| CN111373519B (zh) | 2017-11-16 | 2021-11-23 | 应用材料公司 | 高压蒸气退火处理设备 |
| KR20200075892A (ko) | 2017-11-17 | 2020-06-26 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 고압 처리 시스템을 위한 컨덴서 시스템 |
| CN111699549A (zh) | 2018-01-24 | 2020-09-22 | 应用材料公司 | 使用高压退火的接缝弥合 |
| JP7239598B2 (ja) * | 2018-03-09 | 2023-03-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 金属含有材料の高圧アニーリングプロセス |
| US10714331B2 (en) | 2018-04-04 | 2020-07-14 | Applied Materials, Inc. | Method to fabricate thermally stable low K-FinFET spacer |
| US10950429B2 (en) | 2018-05-08 | 2021-03-16 | Applied Materials, Inc. | Methods of forming amorphous carbon hard mask layers and hard mask layers formed therefrom |
| US10566188B2 (en) | 2018-05-17 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Method to improve film stability |
| US10704141B2 (en) | 2018-06-01 | 2020-07-07 | Applied Materials, Inc. | In-situ CVD and ALD coating of chamber to control metal contamination |
| US10748783B2 (en) | 2018-07-25 | 2020-08-18 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery module |
| US10675581B2 (en) | 2018-08-06 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Gas abatement apparatus |
| CN112640065A (zh) | 2018-10-30 | 2021-04-09 | 应用材料公司 | 用于蚀刻用于半导体应用的结构的方法 |
| CN112996950B (zh) | 2018-11-16 | 2024-04-05 | 应用材料公司 | 使用增强扩散工艺的膜沉积 |
| WO2020117462A1 (en) | 2018-12-07 | 2020-06-11 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system |
| US11901222B2 (en) | 2020-02-17 | 2024-02-13 | Applied Materials, Inc. | Multi-step process for flowable gap-fill film |
Family Cites Families (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06333925A (ja) * | 1993-05-20 | 1994-12-02 | Nippon Steel Corp | 半導体集積回路及びその製造方法 |
| JP4954366B2 (ja) * | 2000-11-28 | 2012-06-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP4496518B2 (ja) * | 2002-08-19 | 2010-07-07 | 日立金属株式会社 | 薄膜配線 |
| JP3940385B2 (ja) * | 2002-12-19 | 2007-07-04 | 株式会社神戸製鋼所 | 表示デバイスおよびその製法 |
| KR100905662B1 (ko) * | 2003-06-26 | 2009-06-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 제조 방법 및 배선 구조 |
| KR20070049278A (ko) * | 2005-11-08 | 2007-05-11 | 삼성전자주식회사 | 배선, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 기판과 그 제조 방법 |
| JP4609797B2 (ja) * | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
| KR20080037296A (ko) * | 2006-10-25 | 2008-04-30 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조방법 |
| US7919795B2 (en) * | 2006-12-21 | 2011-04-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Wire structure, method for fabricating wire, thin film transistor substrate, and method for fabricating the thin film transistor substrate |
| KR101135418B1 (ko) * | 2006-12-28 | 2012-04-17 | 가부시키가이샤 알박 | 배선막의 형성 방법, 트랜지스터, 및 전자 장치 |
| KR100858088B1 (ko) * | 2007-02-28 | 2008-09-10 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
| JP4871777B2 (ja) * | 2007-04-16 | 2012-02-08 | 株式会社アルバック | エッチング液及びトランジスタ製造方法 |
| JP5121299B2 (ja) * | 2007-05-09 | 2013-01-16 | アルティアム サービシズ リミテッド エルエルシー | 液晶表示装置 |
| KR101102891B1 (ko) * | 2007-09-04 | 2012-01-10 | 삼성전자주식회사 | 배선구조 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 |
| TWI360708B (en) * | 2007-12-17 | 2012-03-21 | Au Optronics Corp | Pixel structure, display panel, elecro-optical app |
| KR101296654B1 (ko) * | 2007-12-26 | 2013-08-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 구리 배선, 이를 이용한 평판 표시 장치, 및 그 구리배선의 형성 방법 |
| WO2010013636A1 (ja) * | 2008-07-29 | 2010-02-04 | 株式会社アルバック | 配線膜、薄膜トランジスタ、ターゲット、配線膜の形成方法 |
| JP5571887B2 (ja) * | 2008-08-19 | 2014-08-13 | アルティアム サービシズ リミテッド エルエルシー | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| KR101499239B1 (ko) * | 2008-08-26 | 2015-03-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
| JP5269533B2 (ja) * | 2008-09-26 | 2013-08-21 | 三菱マテリアル株式会社 | 薄膜トランジスター |
| JP5360959B2 (ja) * | 2008-10-24 | 2013-12-04 | 三菱マテリアル株式会社 | バリア膜とドレイン電極膜およびソース電極膜が高い密着強度を有する薄膜トランジスター |
| US8237163B2 (en) * | 2008-12-18 | 2012-08-07 | Lg Display Co., Ltd. | Array substrate for display device and method for fabricating the same |
| KR101642384B1 (ko) * | 2008-12-19 | 2016-07-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 트랜지스터의 제작 방법 |
| JP4752927B2 (ja) * | 2009-02-09 | 2011-08-17 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよび表示装置 |
| WO2010098101A1 (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-02 | 株式会社アルバック | トランジスタ、トランジスタの製造方法及びその製造装置 |
| CN102422426B (zh) * | 2009-05-01 | 2016-06-01 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置的制造方法 |
| KR101687311B1 (ko) * | 2009-10-07 | 2016-12-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
-
2010
- 2010-09-03 EP EP10175294A patent/EP2426720A1/en not_active Withdrawn
- 2010-09-10 US US12/879,593 patent/US20120056173A1/en not_active Abandoned
-
2011
- 2011-08-09 CN CN201180044614.4A patent/CN103140929B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-08-09 WO PCT/EP2011/063712 patent/WO2012028432A1/en active Application Filing
- 2011-08-09 JP JP2013526392A patent/JP2013541192A/ja active Pending
- 2011-08-09 KR KR1020137008425A patent/KR20130102576A/ko active Search and Examination
- 2011-08-19 TW TW100129784A patent/TW201232784A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103140929A (zh) | 2013-06-05 |
| EP2426720A1 (en) | 2012-03-07 |
| WO2012028432A1 (en) | 2012-03-08 |
| CN103140929B (zh) | 2015-12-02 |
| JP2013541192A (ja) | 2013-11-07 |
| TW201232784A (en) | 2012-08-01 |
| US20120056173A1 (en) | 2012-03-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20130102576A (ko) | 스태거드 박막 트랜지스터 및 그 형성 방법 | |
| US10763371B2 (en) | Thin-film transistor, method of manufacturing the same, and display device | |
| KR101175085B1 (ko) | 반도체 장치, 반도체 장치를 갖는 액정 표시 장치, 반도체 장치의 제조 방법 | |
| JP6398000B2 (ja) | 薄膜トランジスタアレイ基板 | |
| KR101447342B1 (ko) | 어레이 기판 및 그 제조 방법, 액정 패널, 디스플레이 | |
| TWI437697B (zh) | Wiring structure and a display device having a wiring structure | |
| US10096629B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing same | |
| KR101340514B1 (ko) | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 | |
| TWI455322B (zh) | 薄膜電晶體及其製造方法 | |
| US9947796B2 (en) | Oxide thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display device | |
| KR20130133083A (ko) | 배선 구조 및 표시 장치 | |
| JP6654770B2 (ja) | 薄膜トランジスタ基板及び表示装置 | |
| JP2012104566A (ja) | 薄膜トランジスタ回路基板及びその製造方法 | |
| CN107278331A (zh) | 薄膜晶体管及其制造方法 | |
| KR101579453B1 (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 이의 제조 방법 | |
| KR20140106042A (ko) | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조방법 | |
| CN101090123A (zh) | 具铜导线结构的薄膜晶体管及其制造方法 | |
| WO2012169397A1 (ja) | 薄膜トランジスタ、その製造方法、および表示素子 | |
| KR20190069210A (ko) | 지지층을 갖는 박막 트랜지스터, 그 제조방법 및 이를 포함하는 표시장치 | |
| CN112909087A (zh) | 一种显示面板、薄膜晶体管及其制备方法 | |
| KR102278505B1 (ko) | 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판 및 박막 트랜지스터의 제조 방법 | |
| KR20110044633A (ko) | 단일 구리 타겟을 이용한 박막트랜지스터 제조 방법 및 그 방법에 의한 박막 트랜지스터 | |
| KR102130389B1 (ko) | 박막 트랜지스터와 디스플레이 장치 및 그들의 제조방법 | |
| JP2011091365A (ja) | 配線構造およびその製造方法、並びに配線構造を備えた表示装置 | |
| CN114284362A (zh) | 薄膜晶体管、薄膜晶体管的制备方法和显示器件 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| AMND | Amendment | ||
| AMND | Amendment | ||
| AMND | Amendment | ||
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment |