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Families Citing this family (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011074407A1 (en) 2009-12-18 2011-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9209314B2 (en) 2010-06-16 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field effect transistor
JP2012033836A (ja) * 2010-08-03 2012-02-16 Canon Inc トップゲート型薄膜トランジスタ及びこれを備えた表示装置
JP5975635B2 (ja) 2010-12-28 2016-08-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9443984B2 (en) 2010-12-28 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9082663B2 (en) 2011-09-16 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2013047629A1 (en) 2011-09-29 2013-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
IN2014DN03274A (enExample) 2011-10-14 2015-05-22 Semiconductor Energy Lab
TWI580047B (zh) 2011-12-23 2017-04-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR102099445B1 (ko) * 2012-06-29 2020-04-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
JP2014093433A (ja) * 2012-11-05 2014-05-19 Sony Corp 半導体装置、表示装置および電子機器
US9190527B2 (en) 2013-02-13 2015-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device
KR102222344B1 (ko) * 2013-05-02 2021-03-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI627751B (zh) 2013-05-16 2018-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
DE102014019794B4 (de) 2013-05-20 2024-10-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
TWI624936B (zh) 2013-06-05 2018-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
CN103346089B (zh) * 2013-06-13 2016-10-26 北京大学深圳研究生院 一种自对准双层沟道金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法
US9455349B2 (en) * 2013-10-22 2016-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor thin film transistor with reduced impurity diffusion
TWI527201B (zh) 2013-11-06 2016-03-21 友達光電股份有限公司 畫素結構及其製造方法
JP2016027597A (ja) 2013-12-06 2016-02-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20220046701A (ko) 2013-12-27 2022-04-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
US9397149B2 (en) 2013-12-27 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102306200B1 (ko) * 2014-01-24 2021-09-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9443876B2 (en) 2014-02-05 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, and the display module
TWI665778B (zh) * 2014-02-05 2019-07-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、模組及電子裝置
US9929279B2 (en) 2014-02-05 2018-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2015188062A (ja) 2014-02-07 2015-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI658597B (zh) 2014-02-07 2019-05-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6585354B2 (ja) 2014-03-07 2019-10-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9640669B2 (en) * 2014-03-13 2017-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module
US10361290B2 (en) 2014-03-14 2019-07-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device comprising adding oxygen to buffer film and insulating film
KR102333604B1 (ko) * 2014-05-15 2021-11-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 이 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
WO2016076168A1 (ja) * 2014-11-11 2016-05-19 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
KR102281848B1 (ko) 2015-01-26 2021-07-26 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 제조 방법과 박막 트랜지스터
CN107408579B (zh) * 2015-03-03 2021-04-02 株式会社半导体能源研究所 半导体装置、该半导体装置的制造方法或包括该半导体装置的显示装置
TWI686870B (zh) * 2015-03-03 2020-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、顯示裝置及使用該顯示裝置之電子裝置
KR20180010205A (ko) * 2015-05-22 2018-01-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 상기 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
US9837547B2 (en) 2015-05-22 2017-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide conductor and display device including the semiconductor device
JP2017005064A (ja) * 2015-06-08 2017-01-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、該半導体装置を有する表示装置
WO2017009738A1 (ja) * 2015-07-14 2017-01-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US11024725B2 (en) 2015-07-24 2021-06-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including metal oxide film
KR102561113B1 (ko) 2015-08-13 2023-07-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
WO2017029576A1 (en) * 2015-08-19 2017-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
JP6611521B2 (ja) 2015-08-25 2019-11-27 三菱電機株式会社 薄膜トランジスタ及びアレイ基板
JP6636755B2 (ja) * 2015-09-09 2020-01-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6851166B2 (ja) 2015-10-12 2021-03-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9859391B2 (en) 2015-10-27 2018-01-02 Nlt Technologies, Ltd. Thin film transistor, display device, and method for manufacturing thin film transistor
JP6821982B2 (ja) * 2015-10-27 2021-01-27 天馬微電子有限公司 薄膜トランジスタ、表示装置及び薄膜トランジスタの製造方法
DE112016005330T5 (de) 2015-11-20 2018-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung, Herstellungsverfahren der Halbleitervorrichtung oder Anzeigevorrichtung, die die Halbleitervorrichtung beinhaltet
WO2017122110A1 (ja) * 2016-01-15 2017-07-20 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、表示モジュール、および電子機器
KR102796428B1 (ko) * 2016-02-12 2025-04-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 상기 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
KR102640383B1 (ko) * 2016-03-22 2024-02-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 상기 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
WO2017178912A1 (en) * 2016-04-13 2017-10-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
KR102643111B1 (ko) * 2016-07-05 2024-03-04 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
TW201804613A (zh) * 2016-07-26 2018-02-01 聯華電子股份有限公司 氧化物半導體裝置
JP7126823B2 (ja) * 2016-12-23 2022-08-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR102510397B1 (ko) 2017-09-01 2023-03-16 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
CN116960162A (zh) 2017-10-12 2023-10-27 应用材料公司 减少等离子体引起的损坏的工艺
WO2020089733A1 (ja) 2018-11-02 2020-05-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN110349974A (zh) * 2019-06-25 2019-10-18 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
US20220230878A1 (en) * 2019-09-05 2022-07-21 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor composite layers
CN111403425B (zh) * 2020-03-31 2023-04-14 成都京东方显示科技有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板
JP7026717B2 (ja) * 2020-04-01 2022-02-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN113823676B (zh) 2020-06-18 2023-07-04 联华电子股份有限公司 半导体装置以及其制作方法
CN117832243B (zh) * 2024-01-15 2024-12-06 重庆惠科金渝光电科技有限公司 阵列基板及其制备方法、平板探测器

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6452091B1 (en) 1999-07-14 2002-09-17 Canon Kabushiki Kaisha Method of producing thin-film single-crystal device, solar cell module and method of producing the same
JP3445187B2 (ja) 1999-08-03 2003-09-08 キヤノン株式会社 半導体素子の欠陥補償方法
JP2002206168A (ja) 2000-10-24 2002-07-26 Canon Inc シリコン系薄膜の形成方法、シリコン系半導体層の形成方法及び光起電力素子
JP2002231984A (ja) 2001-02-01 2002-08-16 Canon Inc 透明導電膜の成膜方法、半導体層の欠陥領域補償方法、光起電力素子、及びその製造方法
US6930025B2 (en) 2001-02-01 2005-08-16 Canon Kabushiki Kaisha Transparent conductive film formation process, photovoltaic device production process, transparent conductive film, and photovoltaic device
US6858308B2 (en) 2001-03-12 2005-02-22 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor element, and method of forming silicon-based film
JP2003007629A (ja) 2001-04-03 2003-01-10 Canon Inc シリコン系膜の形成方法、シリコン系膜および半導体素子
JP2004289034A (ja) 2003-03-25 2004-10-14 Canon Inc 酸化亜鉛膜の処理方法、それを用いた光起電力素子の製造方法
JP5116225B2 (ja) * 2005-09-06 2013-01-09 キヤノン株式会社 酸化物半導体デバイスの製造方法
KR100675285B1 (ko) 2005-10-10 2007-01-29 삼성전자주식회사 수직 트랜지스터를 갖는 반도체소자 및 그 제조방법
JP5037808B2 (ja) 2005-10-20 2012-10-03 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
JP5015471B2 (ja) 2006-02-15 2012-08-29 財団法人高知県産業振興センター 薄膜トランジスタ及びその製法
JP5127183B2 (ja) 2006-08-23 2013-01-23 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物半導体膜を用いた薄膜トランジスタの製造方法
JP5305630B2 (ja) 2006-12-05 2013-10-02 キヤノン株式会社 ボトムゲート型薄膜トランジスタの製造方法及び表示装置の製造方法
US8143115B2 (en) 2006-12-05 2012-03-27 Canon Kabushiki Kaisha Method for manufacturing thin film transistor using oxide semiconductor and display apparatus
JP5354862B2 (ja) 2007-02-19 2013-11-27 キヤノン株式会社 アモルファス絶縁体膜及び薄膜トランジスタ
US20090001881A1 (en) 2007-06-28 2009-01-01 Masaya Nakayama Organic el display and manufacturing method thereof
JP5213422B2 (ja) * 2007-12-04 2013-06-19 キヤノン株式会社 絶縁層を有する酸化物半導体素子およびそれを用いた表示装置
US8049292B2 (en) 2008-03-27 2011-11-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
JP5704790B2 (ja) * 2008-05-07 2015-04-22 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ、および、表示装置
JP2010045263A (ja) 2008-08-15 2010-02-25 Idemitsu Kosan Co Ltd 酸化物半導体、スパッタリングターゲット、及び薄膜トランジスタ
US8129718B2 (en) 2008-08-28 2012-03-06 Canon Kabushiki Kaisha Amorphous oxide semiconductor and thin film transistor using the same
CN103456794B (zh) * 2008-12-19 2016-08-10 株式会社半导体能源研究所 晶体管的制造方法
TWI556323B (zh) * 2009-03-13 2016-11-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及該半導體裝置的製造方法
KR101791812B1 (ko) * 2009-09-04 2017-10-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
CN102549757A (zh) * 2009-09-30 2012-07-04 佳能株式会社 薄膜晶体管
WO2011045960A1 (ja) * 2009-10-16 2011-04-21 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ、その製造方法及びそれを含む表示装置
WO2011070892A1 (en) * 2009-12-08 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2012033836A (ja) * 2010-08-03 2012-02-16 Canon Inc トップゲート型薄膜トランジスタ及びこれを備えた表示装置

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