TW424154B - Phase film and optical device using same - Google Patents

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TW424154B
TW424154B TW88118845A TW88118845A TW424154B TW 424154 B TW424154 B TW 424154B TW 88118845 A TW88118845 A TW 88118845A TW 88118845 A TW88118845 A TW 88118845A TW 424154 B TW424154 B TW 424154B
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film
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retardation
retardation film
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TW88118845A
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Akihiko Uchiyama
Takashi Kushida
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Teijin Ltd
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Description

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 “ J 4 丨 5 4」4 A7 B7 五、發明說明（1 ) 發明之技術領域 本發明係有關用於液晶顯示裝匱，防暈眩薄膜，光記 錄裝置等之光學元件之相位差値在測定波長4 0 0〜 7 0 0 n m中，波長愈短，相位差値愈小的相位差薄膜， 及使用該薄膜之圓偏光板，橢圓偏光板，液晶顯示裝置， 其他的光學裝置。 背景技術 位相差薄膜係用於液晶顯示裝置之STN ( Super twisted nematic )方式等，解決色補償，擴大視角等的問 題。一般色補償用之相位差薄膜的材料可使用聚碳酸酯， 聚乙烯醇，聚碾，聚醚碾，非畢質聚烯烴等，擴大視野用 、—....... 之相位差薄膜除了前述材料還可使用高分子液晶，圓盤狀 、一-一· _ •一 · 液晶等」 相位差薄膜之一種1/4波長板可將圓偏光轉換成直 ι_______________ __.______- 線偏光，將直線偏光轉換成圓偏光。此係被用於液晶顯示 裝置特別是由觀測者來看以背面側之電極爲反射電極之偏 光板一片板之反射型液晶顯示裝置，或被用於由組合偏光 板與1 / 4波長板所構成之反射防止薄膜|或與由腦甾醇 液晶等所構成之僅對右旋轉或左旋轉其中之一的圓偏光產 生反射之反射型偏光板等組合使用= 上述之偏光板之一片型的反射型液晶顯示裝置或反射 型偏光板所用的相位差薄膜必須具有在可見光領域之測定 波長400〜7Cl〇nm »理想爲400〜78〇nm中 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -4 - -----T-I — Ji* 裝----I--—訂·1—*1!!線 (請先閱讀背面之注意事項再Cr寫本頁) 424 154 ^ A7 B7 五、發明說明（2) I n n ϋ I It ϋ .^1 I * n _^i (請先M讀背面之注意事項再本頁) 1將直線偏光轉換成圓偏光，將圓偏光轉換成直線偏光的 作用。欲以一片相位差薄膜實現上述作用時，測定波長又 = 400 〜700nm，理想爲 400 〜780nm 中， 理想的相位差薄膜其相位差爲λ / 4 ( n m )。 ‘一般1/4波長板係使用上述色補償用之相位差薄膜 材料等，但這些材料對於雙折射具有波長分散。一般高分 子薄膜之雙折射後測定波長之波長愈短、雙折射愈大，波 長愈長，雙折射愈小。因此，僅以一片高分子薄膜在測定 波長λ = 4 0 0〜7 0 0 n m中，很難得到如前述理想之 1 / 4波長板，當測定波長愈短，雙折射愈小的薄膜。 -線. 爲了得到如理想之1 / 4波長扳，當測定波長愈短， 雙折射愈小的薄膜，例如特開平1 0 — 6 8 8 1 6號公報 揭示以適當的角度貼合1/4波長板與1/2波長板來使 用的技術，而特開平2 - 2 8 5 3 0 4號公報揭示層積二 片Abbe數不同之相位差薄膜的技術等。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 欲得到如前述理想之1 / 4波長板，在測定波長愈短 ，相位差愈小的薄膜，在目前技術必須使用二片薄膜，而 導致薄膜貼合步驟增加或成本增加，光學設計上之負荷增 加等的問題。又特開平3 - 2注9 2 1號公報揭示將至少 二種之有機高分子之混合體或共聚物薄膜.經單軸延伸所成 之相位差薄膜，前述二種之有機高分子中，^二之有機高 分无！有正的光彈性係數，第二的有機if.,分子具有負的光 彈性係數，因此，測定波長愈短，雙折射愈大的相位差薄 V . ....... 膜，但未言及測定波長愈短，使雙折小....的方.隹。本發 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -5 - 424154 A7 B7 五、發明說明（3 ) 明係解決這種問題，能夠以一片薄膜達暫測定波長愈短， 相位差愈小的相位差薄膜。' ^ a_ai .^1 .^1 I * ^1 ^1 (請先閲讀背面之注意事項再寫本頁) 發明之槪要 本發明人爲了解決上述問題經心檢討相位差薄膜用之 高分子材料，成功地提供一種相位差薄膜，其係由一片高 分子配向薄膜所構成相位差薄膜，其特徵爲波長4 5 0 nm及5 5 0 nm之相位差滿足下式（1 )及/或（2 ) ，且吸水率爲1重量％以下* R(450)/R(550)<1 (1) K(450)/K(550)<1 (2) --線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 〔式中R (450)及R ¢550)係分別爲波長450 nm及5 5 0 nm之高分子配向薄膜之面向相位差，K ( 450)及K (550)係分別爲45〇nm及550 nm之高分子配向薄膜以K =〔 n2— (nx+ny) / 2 〕xd (式中nx，ny，nz爲高分子配向薄膜之三次元 折射率，分別爲X軸，y軸，ί軸方向之折射率，d爲薄 膜之厚度）所計算的數値〕。 〔1〕一種相位差薄膜其係由一片高分子配向薄膜所構成 相位差薄膜，其特徵爲波長4 5 0 nm及5 5 0 nm之相 位差滿足下式（1)及/或（2)，且吸水率爲1重量％ 以下， -6- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 424154 A7 B7 五、發明說明（4 R(450)/R(550)<1 K(450)/K(550)<1 (1) (2) 〔式中R (450)及R (550)係分別爲波長450 nm及5 5 0 nm之高分子配向薄膜之面向相位差，κ ( 450)及K (550)係分別爲450nm及550 nm之高分子配向薄膜以K =〔 nz -（nx+ny) / 2 〕x_d (式中nx，ny，nz爲高分子配向薄膜之三次元 折射率，分別爲X軸，y軸，z軸方向之折射率，d爲薄 膜之厚度）所計算的數値〕。 〔2〕如〔1〕之相位差薄膜，其中波長450nm， 5 5 0 nm及6 5 〇nm之相位差滿足下式（3 )及（4 0.6<R(450)/R(550)<0.97 1.01<R(650)/K(550)<1.4 (3) (4) 請 先 閱 讀 背-面 之 注 意-事h.I裝 頁 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 〔式中R(650)爲波長65Onm之高分子配向薄膜 之面內相位差〕。〔3〕如〔1〕或〔2〕之相位差薄膜 ，其中波長4 0 0〜7 0 0 nm中，相位差在波長愈短時 ，愈小。 〔4〕如〔1〕〜〔3〕項中任一項之相位差薄膜，其係 (1)由含有具有正之折射率各向異性之高分子之單體單 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） S41 54 a7 _____B7 五、發明說明（5 ) 位（以下稱爲第1單體單位）及具有負之折射率各向異性 之高分子單體單位（以下稱第2單體單位）之高分子所構 成的薄膜。 (2) 依據該第1單體單位之高分子的R (450) /R ( 5 5 0 )比依據該第2單體單位之高分子的R ( 450)/R(550)更小，且 (3) 具有正之折射率各向異性之高分子配向薄膜所 構成。 〔5〕如_〔 1〕〜〔3〕項中任一項之相位差薄膜，其係 (1)由含有具有正之折射率各向異性之高分子之單體單 位（以下稱爲第1單體單位）及具有負之折射率各向異性 之高分子單體單位（以下稱第2單體單位）之高分子所構 成的薄膜。 (2) 依據該第1單體單位之高分子的R (450) /R ( 5 5 0 )比依據該第2單體單位之高分子的R ( 450)/R(550)更小，且 (3) 具有正之折射率各向異性之高分子配向薄膜所 構成。 〔6〕如〔1〕〜〔5〕之相位差薄膜，其中高分子配向 薄膜爲玻璃化溫度爲1 2 0 °C以上的熱塑性樹脂。 〔7〕如〔1〕〜〔6〕之相位差薄膜，其中高分子配向 薄膜爲含有具有芴骨架之聚碳酸酯。 〔8〕如〔1〕〜〔7〕之相位差薄膜，其係由含有以下 述一般式（I )表示之重覆單位佔有全體之3 0〜9 0莫 I ^1 Ε ^1 ^1 ^1 31 n n IV n ( 丨 n (請先閲讀背面之注意事項再ioic本頁) ‘可 --線· 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） -8- 5 4
R 7 R 8 A7 B7 五、發明說明（6 ) 胃％ ’以下述式（I I )表示之重覆單位佔有全體之7 0 〜10莫耳％之聚碳酸酯共聚物及/或混合物所構成之高 分子配向薄膜， 一般式（I ) (I ) (上述式.(I )中，；Ri〜r8分別爲選自獨立之氫原子、 鹵原子數碳數1〜6之烴基、X爲 -I n prl .^1 n I» n n I c (請先間讀背面之注意事項再r寫本頁)
訂--- 式（I I )
(Π ) -線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (上述式（I I )中，R9〜R-16係分別獨立，選自氮原 子、鹵原子及碳數1〜2 2烴基，γ爲 R17 Ar C— ——C —I I Ar 、 Ar C；
CH CH- —C — -9- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4 h ·4 ί 。 4 、 Α7 _；_Β7五、發明說明（7 ) CHs
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 —C — 0 — R i 〇 — 0 — C — 0 0 、 R22 或-R 2 3 -、Y 中之Rl7〜Rl9 ’ R21，R22係分別獨立’選自氣原子 、鹵原子及碳數1〜22之烴基、尺2。，尺23選自碳數1 〜20之烴基、Ar爲選自碳數6〜10之芳基）。 〔9〕如〔8〕之相位差薄膜，其係由下述一般式（ I I I )表示之重覆單位佔有全體之3 5〜8 5莫耳％， 以下述式（I V)表示之重覆單位佔有全體之6 5〜1 5 莫耳％之聚碳酸酯共聚物及/或混合物所構成的高分子配 向薄膜， · 一般式（I -I I ) ------1114* — — — — — I (請先閱讀背面之注意事項再CT.寫本頁) -線_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -10- 424154 A7 B7 五、發明說明（ 8
(上述式（III)中，R 原子或甲基），式（IV) u) R 2 5係分別獨立，選自氫
(IV) -.^1 .^1 n n n 1，^^1 I (請先閱讀背面之注意事項再if寫本頁) 訂： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (上述式（I V )中R ，甲基，Z爲 ch3 I —C — ch3 R27係分別獨立，選自氫原子
CH; i
〔1 Ο〕如〔5〕之相位差薄膜，其中具有正之折射率各 向異性之高分子爲聚（2，6 —二甲基_1 ，4 一苯醚）， 前述具有負之折射率各向異性之高分子爲聚苯乙烯之高分 子配向薄膜，聚乙烯含有比例爲6 7重量％〜7 5重量％ --線 本紙張K度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ΤΤ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 424154 ^ A7 ____B7_____ 五、發明說明（9 ) 〇 〔1 1〕如〔1〕〜〔1 〇〕之相位差薄膜’其中表示物 體顏色之b *値爲1 · 3以下。 〔12〕如〔1〕〜〔1 1〕之相位差薄膜，其中λ/4 板。 〔1 3〕如〔1〕〜〔1 1〕之相位差薄膜，其中λ/2 板。 〔1 4〕如〔1 2〕〜〔1 3〕之相位差薄膜，其係r ( 550) 29〇nm。 〔1 5〕一種層積相位差薄膜，係層積λ/4板與Λ/2 板所成，λ/4板與λ/2板爲〔1〕〜〔14〕的相位 差薄膜。 〔1 6〕如〔1 5〕之層積相位差薄膜，其中λ/4板與 入/2板之光軸所構成之角度爲5 0度〜7 0度。 〔1 7〕一種圓偏光板或橢圓偏光板，其係層積〔1〕〜 〔1 6〕之相位差薄膜與偏光板所成。 〔1 8〕一種圓偏光板或橢圓偏光板，其係層積〔1 〕〜〔1 6〕之相位差薄膜與偏光板所成。 〔1 9〕一種圓偏光板或橢圓偏光板，其係層積〔1〕〜 〔1 6〕之相位差薄膜，反射型偏光板及偏光板所成。 〔20〕如〔18〕或〔19〕之圓偏光板或橢圓偏光板 ，其中反射型偏光板具有僅對一個方向旋轉之圓偏光反射 的功能。 〔2 1〕如〔2 0〕之圓偏光板或橢圓偏光板，其中反射 本紙張K度適用中囤國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -1----inji—— — · - I (請先閱讀背面之注意事項再0寫本頁) 訂· --線. ^24 154 i« . A7 _B7__ 五、發明說明（1Q) 型偏光板由膽甾醇液晶高分子所構成。 〔22〕一種液晶顯示裝置，其係設置〔1〕〜〔21〕 的相位差薄膜。 〔2 3〕如〔2 2〕之液晶顯示裝置，其係反射型液晶顯 示裝置。 〔24〕如〔22〕或〔23〕之液晶顯示裝置，其中相 位差薄膜爲視角補償板。 〔2 5〕一種相位差薄膜，其係由一片之聚碳酸酯配向薄 膜所構成之相位差薄膜，在波長450nm及550nm 之相位差爲滿足下述式（1 ) < ^ tt 1 — ϋ tt J I tr ϋ I > n I (請先閱讀背面之注意事項再p寫本頁) R(450)/R(550)<1 (1) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制取 〔式中R (450)及R (550)係分別爲波長450 nm及550nm之高分子配向薄膜之面內相位差〕，且 R (550)爲 5〇nm以上。 〔2 6〕一種反射型液晶顯示裝置，其係依序具備偏光板 ;λ / 4板；及在具有透明電極2片之基板間含有液晶層 的液晶元件的反射型液晶顯示裝置，此A / 4板係由一片 聚碳酸酯配向薄膜所構成之相位差薄膜，係使用波長 4 5 0 nm及5 5 0 nm之相位差滿足下述式（1 ) R(450)/R(550)· (1) 線 本紙張又度適用_國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） -13- 4 24 154 • A7 __B7___ 五、發明說明（11) 〔式中R (450)及R (550)係分別爲波長450 nm及5 5 0 nm之高分子配向薄膜的面內相位差，且R (5 5 0)爲1 00〜1 8 Onm之相位差薄膜。 圖面之簡單說明 圖1〜4係表示二成分混合高分子之雙折射的波長分 散，高分子的種類及混合比之關係圖。 圖5係表示顯示未滿足本發明條件之層積相位差薄膜 之著色情形之模擬結果圖。 圖6係表示實施例1 6，1 7及比較例1 6，1 7之 層積相位差薄膜之著色情形的圖。 圖7〜圖1 0係表示層積相位差薄膜的例，圖7係貼 合λ/4板3與λ/2板1 ，圖8係貼合；1/4板與 λ/2板與偏光板4，圖9係貼合；1/4板與偏光板，圖 1 0係貼合偏光板4，A / 4板3與腦甾醇液晶層5。圖 1 0係實施例1 7。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 r n II i_i tmmr 1 ϋ I <請先閱讀背面之注意事項再p奠本頁) 線· 圖1 1〜圖1 3係表示液晶表示裝置的例，圖1 1爲 偏光板4//λ/4板3//玻璃基板6//液晶層8/ /玻璃基板6//λ/4板3//偏光板4//背光源系 統1 0之構成，圖1 2爲偏光板4//λ/4板3//玻 璃基板6//透明電極7//液晶層8//凹凸反射電極 9//玻璃基板6之構成，圖1 3係偏光板4//λ/4 板3//光擴散板11//玻璃基板6//透明電極7/ /液晶層8//鏡面反射電極12//玻璃電極6之構成 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21CU 297公釐） • 14 - 4 §4 1 54 」蝤 i7 έ\ί Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（12) 。圖1 2爲實施例1 3。 圖1 4係表示實施例1之相位差薄膜之相位差與波長 之關係圖。 圖15〜16係表示實施例12之相位差薄膜之雙折 射波長分散係數之聚合物成分之體積分率的關係圖。 發明之詳細說明 本發明係探求一片高分子配向薄膜之可見光波長域中 ，不會依賴波長之理想的λ/4板及λ/2板的過程中， 成功地提一種短波愈短，相位差愈小的高分子配向薄膜， 而達成上述目的，同時提供具有以往所沒有之特性的相位 差薄膜。 波長愈短，相位差愈小，從實用的觀點來看，能夠以 R (450)/R (550) <1 或Κ (450)/Κ ( 550) <1表示。波長域擴大時，更理想爲R (650 )/R (550) >1 或 Κ (650)/Κ (550) > 1。這些之相位差分散或Κ値分散之更理想的範圍如下述 〇 本發明之波長450nm，-550nm，650nm 之高分子配向薄膜之相位差及K値分別以R( 4 5 0 )， R ( 5 5 0 ) ，R(650)及 K(450) ，Κ( 550) ，Κ(650)表示。高分子配向薄膜之相位差 (retardation )係指光透過厚度d之薄膜時，依據薄膜之 配向方向與此配向方向垂直方向之光進行速度（折射率） (請先閱讀背面之注意事項再 -裝--- flr寫本頁) 灯· --線- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -15- 424154 A7 B7 五、發明說明（13) 之差的相位差，以配向方向與此方向垂直方向之折射率差 △η及薄膜的厚度d之乘積Δη. d表示。 本發明之高分子配向薄膜的配向係指以高分子分子鏈 爲主，特定方向排列的狀態，此狀態可藉由測定薄膜之相 立差（△ η d )而測得，此處的配向係指在測定波長 550nm的狀態下，相位差R (550)爲20nm以 上及/或K (550)爲20ηπι以上。配向一般係因薄 膜之延伸所產生的。 相位差Δη* d當高分子配向薄膜相同時，與雙折射 A η成正比，故相位差之波長分散（波長依存性）可以雙 折射Δη之波長分散（波長依存性）表示。 高分子配向薄膜之面向之配向方向的折射率大於垂直 方向之折射率時，稱爲正的光學各向異性，反之則稱爲負 的光學各向異性。高分子配向薄膜，例如以公知之相位差 薄膜製造條件之玻璃化溫度T g附近（T g ± 2 0 °C )的 條件單軸延伸薄膜時，係指延伸方向。雙軸延伸時，係指 高配向之延伸方向。 本發明中，相位差係指相位差的絕對値。光學各向異 性爲負時，相位差爲負，但本發明中無特別說明時，不拘 正負符號。- 判斷光學各向異性之正負時所用的測定光學波長爲 5 5 0 n m。 依據本發明發現藉由滿足下述（A)或（B )條件之 高分子配向薄膜可得到波長愈短，相位差愈小之由高分子 本紙張又度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再C寫本頁> 訂· 線 經濟部智慧財產局具工消費合作社印製 4 2 4 1 5 4 ^ A7 B7 五、發明說明（14) 配向薄膜所構成的相位差薄膜。 (A) —種高分子配向薄膜，（1)其係由含有具有 正之折射率各向異性之高分子之單體單位（以下稱爲第1 單體單位）及具有負之折射率各向異性之高分子單體單位 (以下稱第2單體單位）之高分子所構成的薄膜·> (2 )依據該第1單體單位之高分子的R ( 4 5 0 ) /R ( 5 5 0 )比依據該第2單體單位之高分子的R ( 450)/R (550)更小，且 (3)具有正之折射率各向異性。 (B) —種高分子配向薄膜，（1)其係由含有具有 正之折射率各向異性之高分子之單體單位（以下稱爲第1 單體單位）及具有負之折射率各向異性之高分子單體單位 (以下稱第2單體單位）之高分子所構成的薄膜。 (2)依據該第1單體單位之高分子的R (450) /R ( 5 5 0 )比依據該第2單體單位之高分子的R ( 450)/R(550)更大，且 (3 )具有負之折射率各向異性。 滿足上述（A ) ( B )條件之形態，例如有滿足下述 條件（C ) ( D )者。 - (C) 二種高分子配向薄膜，（1)其係由含有具有 正之折射率各向異性之高分子與具有負之折射率各向異性 之高分子所構成之混合高分子及/或具有具有正之折射率 各向異性之高分子之單體單位與具有負之折射率各向異性 之高分子之單體單位所構成之共聚物所構成的薄膜。 本紙張反度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — — — Ί — J----裝 * 1 I (請先閱讀背面之注意事項再本頁) 訂· --線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 <24 A7 B7 五、發明說明（15) (2 )具有正之折射率各向異性之高分子的R ( {請先閱讀背面之注意事項再珍寫本頁) 4 5 '0 )/ R ( 5 5 0 )比具有正之折射率各向異性之高 分子的R(450)/R(550)更小，且 (3)具有正之折射率各向異性。 (D)—種高分子配向薄膜，（1)其係由具有正之 折射率各向異性之高分子與具有負之折射率各向異性之高 分子所構成之混合高分子及/或具有正之折射率各向異性 之高分子單體單位與具有負之折射率各向異性之高分子之 單體單位所構成之共聚物所構成的薄膜。 (2 )具有正之折射率各向異性之高分子的 R (450) /R (5 50)比依具有正之折射率各向異 性之高分子的R (450)/R (550)更大，且 (3 )具有負之折射率各向異性。 具有正或負之折射率各向異性之高分子，係指提供具 有正或負之折射率各向異性之高分子相位差薄膜的高分子 〇 相位差薄膜爲測定波長愈短，相位差愈小之必要條件 ，其理由如下。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一般，由高分子A與高分子B之二成分所構成之高分 子混合物的雙折射△ η係以下述表示。（H. Saito and T. Inoue, J. Pol. Sci. Part B, 25' 1629 (1987) ) Δη = ΔηΟΑίΑ0 a + Δη0 efe 0 b + ANf (a) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ‘24154., A7 B7 五、發明說明（16) △ n°A :高分子A之固有雙折射’ An% :高分子B 之固有雙折射，：高分子A之配向函數’ is:高分子 B之配向函數，0A :高分子A之體積分率，:高分子 B之體積分率（1 _0A) » △ilF :結構性雙折射。一般 雙折射Δη係以ζ\η = ίΔη°表示。Δη°可由組合雙色 性紅外分光法與相位差測定等來求得。 (a )式係完全忽視聚合物A，Β間之電子相互作用 所產生之分極率的變化，以下也採用這種假設。本發明之 相位差薄膜用途係要求光學上爲透明者》因此，混合爲相 溶混合較理想，此時△ n f非常小可忽略。 其次關於測定波長愈短，雙折射愈小之相位差薄膜僅 考慮測定波長450nm，550nm»此相位差薄膜之 這些波長的雙折射分別爲Δη (450) 'Δη (550 )時，可以Δη (450)/Λη (550) <1 表示。 由通常之高分子薄膜所構成之相位差薄膜當然 △ η (450)/Δη (550) >1，例如由雙酚Α 與 光氣聚合所得之聚碳酸酯之Δη ( 4 5 0 ) / △η(550)爲1.08左右，雙折射之波長分散較小 之聚乙烯醇也爲 ' 1.01左右。 此Δη(450)/Λη(550)爲雙折射波長分 散係數時*可使用（a )式如下表示。 本紙張义度適用中S圉家標準（CNS)A4規格（210 x 297公s ) i^i ϋ ifli I. · 1^· ϋ (請先閱讀背面之注意事項再C-爲本頁) 訂· ，線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 424154 ^ A7 B7__五、發明說明（17) △ n(450)/A n(550) =(Δ n%(450)fA 0 α + Δ n°E(450)fB 0 b)/ =(Δ n°A(550)fA 0 α + Δ n°B(55O)fB0 B) (b) 爲相溶混合物，故假設= f B時，（b )式如下述 所示之。 Δ η(450)/Δ η(550) = (Δη°Α(45Ο)0 Α + Δη°Β(45Ο)0 b)/ (Δ η°.(550) 0 α + Δ η°Β(550) 0 β) (C) 其次，將表1之假設値用於（c )式，檢討雙折射波 長分散値。表1中以高分子A，Β單獨之雙折射分散値取 代0)、Δη%(450)。 (請先閱讀背面 之注意事項再^¾本 i裝 頁) I線· 表1 經濟部智慧財產局員工消費合作社印*'《 情況 Δ π°α(5 50) Δ π°ε(550) Δ n%(450)/ Δ n°A(550) Δ η°Β(450)/ Δ η°Ε(550) 1 - 0.2 -0.1 1.01 1.15 2 0.2 -0.1 1.15 1.01 3 0.1 -0.2 1.01 1.15 4 0.1 -0.2 1.15 1.01 本紙張反度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -20- 4 2 4彳5 4」續 A7 B7 五、發明說明（18) 表1之數値代入（C )時’ 0A的函數分別如圖1〜4 所示。表1中具有正之折射率各向異性之高分子’具有負 之折射率各向異性之高分子爲高分子B ’故與圖1〜4之 漸近線相較，0a較少的領域中，混合高分子之光學各向異 性爲負，與漸近線相較，較多的領域，其各向異性爲正 Ο 由圖1〜4得知爲了使Δη (450)/ △ η (550) <1時，如表1之情況1，3所示，正之 高分子之雙折射波長分散係數必須爲小於負之高分子之雙 折射波長分散係數，且該高分子配向薄膜之光學各向異性 爲正，或如情況2，4所示，高分子單獨之雙折射波長分 散係數必須大於高分子單獨之雙折射波長分散係數，且該 高分子配向薄膜之光學各向異性爲負。此時代表性的波長 使用4 5 0 nm，5 5 0 nm，但使用其他波長也相同成 1L。 由（C )式考察，當正與負之高分子之雙折射波長分 散係數完全相等時，無法得本發明之相位差薄膜。 上述考察係依據式（a )之考察，但如以下之實施例 所示，即使在實際的體系，這種想法也能成立，故由實施 例也能證明此想法正確。 上述考察係陳述2成分，但上述想法在3成分以上也 成立。例如具有正之光學各向異性之成分爲2成分，與具 有負之各向異性之成分爲1成分的體系係以正之各向異性 之2成分間的體積分率等修正具有正之光學各向異性之成 本紙張又度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐） (請先閱讀背面之注項再 -裝--- 本頁) 幻· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -21 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（19) 分的雙折射率値及雙折射分散値等，將2成分當作1成分 ，可適用上述式（a )以下之考察的想法。 又，依據上述式（a )之說明係以高分子A，B之混 合物來說明，但含有不同高分子之單體單位之共聚物時， 上述之考察的想法也同樣成立，由依據第1單體單位之單 獨聚合物（高分子A)及依據與第1單體單位不同之第2 單體單位之單獨聚合物（高分子B )所構成時，可適用上 述的想法。 單獨聚合物與共聚物之高分子混合物或共聚物間之高 分子混合物也同樣適合上述考察的方法。換言之·此種情 形係分成構成高分子混合物之成分高分子之單體單位，將 該高分子混合物當作由各單體單位所構成之單獨聚合物的 集合體，將此集合體當作由具有正之光學各向異性之單獨 聚合物群所構成之成分A，及由具有負之各向異性之單獨 聚合物群所構成之成分B的組合，可適用上述之考察。 例如，具有正之光學各向異性之高分子X，Y，與具 有負之光學各向異性之單體單位X，Z的共聚物中，X爲 具有正之光學各向異性，Z爲具有負之光學各向異性時， 具有正光學各向異性之成分係由X，Y及X所構成，這些 雙折射率値及雙折射分散値等以正之各向異性之3成分間 的體積分率等來修正，將這些3成分當作1成分A，具有 負之各向異性的成分視爲由單體單位Z所構成之聚合物B ，關於成分A及成分B適用上述（a )以下之考察的想法 即可。 本紙張尺度適用中國國家標準（CKS)A4規格（2K) X 297公爱） -22- — ί — f I 111 — — - I I ! I I I 訂·11-11 I II— (請先閱讀背面之注意事項再P寫本頁) 4 2 4 15 4」， A7 B7 五、發明說明（2Q) 依據第1或第2之單體單位之單獨高分子中，單獨高 分子爲聚碳酸酯時，聚碳酸酯一般係由二羥基化合物與光 氣之聚縮合所得，因此，由聚合的觀點來看，由雙酚構成 之二羥基化合物，及光氣爲單體。聚碳酸酯之單體單位係 指由雙酚所產生的部分，不含光氣所產生的部分。 在測定波長領域中，波長愈長，雙折射Δη愈大者較 理想，更具體係滿足下述式（d) ， (e)較理想。 0.6<R(450)/R(550)<0.97 (d) 1.01<R(650)/R(550)<1.35 (e) 在這些範圍外時，例如作爲λ/4板使中，將4 Ο Ο 〜7 Ο 0 nm之直線偏光入射至此薄膜時，所得之偏光狀 態在某特定的波長下可得到完整的圓偏光，但不在該波長 時會產生極大偏離圓偏光的問題。更理想爲 0.60<R(450)/R(550)<0.95 (d') 1.05<R(650)/R(550)<1.35 (e’） 上述的理論係依據相位差△ n d或雙折射△ η，同樣 的理論陳述也依據三次元折射率的Κ値（Κ = (ηζ_ ( nx+ny)/2)xd)。此K値爲K(450)/K( 5 5 Ο ) < 1時，關於由與高分子配向薄膜之薄膜面非垂 直之傾斜方向的光也與相位差（雙折射）相同，波長愈短 本紙張又度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^^1 n» n n ^^1 ί ί ^^1 ^^1 ^^1 I ^^1 <請先閱讀背面之注意事項再4¾本頁) . .線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ，、4】54」鳙 五、發明說明（21) ，波長分散愈小。 K値之理想的範圍係將前述式（d) ，（e)之R改 成K者。 本發明之相位差薄膜如前述可由混合高分子所構成， 或由共聚物所構成。 本發明之構成相位差薄膜的高分子材料無特別限定， 只要滿足上述條件之混合物或共聚物即可，且耐熱性優， 光學性能良好’可溶液製膜的材料，特別理想爲熱塑性聚 合物。例如可適當選擇聚芳酯，聚酯，聚碳酸酯，聚烯烴 ，聚醚，聚亞磺酸系共聚物，聚硕，聚醚硯等中之一種或 二種以上。但高分子配向薄膜之吸水率非1重量％以下時 ’相位差薄膜在實用上有問題，故選擇薄膜材料重要的是 要滿足薄膜之吸水率爲1重量％以下，理想爲〇·5重量 %以下的條件。 若爲混合高分子時，必須在光學上爲透明者，因此， 相溶混合物或各高分子之折射率約略相等較理想。混合高 分子之具體的組合例，例如具有負之折射率各向異性之高 分子之聚（甲基丙烯酸甲酯）與具有正之折射率各向異性 之高分子之聚（偏氟乙烯），聚（環氧乙烷），聚（偏氟 乙烯-三氟乙烯）之組合，具有正之折射率各向異性之高 分子之聚（苯醚）與具有負的光學各向異性之高分子之聚 苯乙烯，聚（苯乙烯-月桂基馬來醯亞胺），聚（苯乙烯 -環己基馬來醯亞胺），聚（苯乙烯-苯基馬來醯亞胺） 之組合，具有負之光學各向異性之聚（苯乙烯-烏來酐） 本紙張又度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -—1—ιιίιί — — — — - - I (請先閱讀背面之泫意事項再^寫本頁) 訂： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制取 424154」相 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7______五、發明說明（22 ) 與具有正之光學各向異性之聚碳酸酯，具有正之光學各向 異性之聚（丙烯腈-丁二烯）與具有負之光學各向異性之 聚（丙烯腈-苯乙烯）等，但不受此限。特別是考慮透明 性時，理想的組合爲聚苯乙烯*與聚（2，6 —二甲基一 1，4 一苯醚）等之聚（苯醚）的組合。這種組合時，該 聚苯乙烯之比例爲佔有整體之6 7重量％以上，7 5重量 %以下較理想。 又共聚物可使用例如聚（丁二烯-聚苯乙烯），聚（ 乙烯一聚苯乙烯），聚（丙烯睛一丁二烯），聚（丙烯腈 -丁二烯_苯乙烯），聚碳酸酯共聚物，聚酯共聚物，聚 酯碳酸酯共聚物，聚芳酯共聚物等。特別是具有芴骨架部 分可成爲負之光學各向異性，故具有芴骨架之聚碳酸酯共 聚物，聚酯共聚物，聚酯碳酸酯共聚物，聚芳酯共聚物等 更理想。 雙酚類，與光氣或碳酸二苯酯等之碳酸酯形成性化合 物反應製得之聚碳酸酯共聚物其透明性，耐熱性' 生產性 優異，特別適用。聚碳酸酯共聚物係以含有芴骨架結構之 共聚物較理想。具有芴骨架之成分含有1〜9 9莫耳％較 理想。 _ 適合作爲本發明之相位差薄膜之高分子配向薄膜之材 料係由下述式（I )表示之重覆單位；及下述式（I I ) 表示之重覆單位所構成之聚碳酸酯之高分子配向薄膜所構 成，且下述式（I )表示之重覆單位佔有該聚碳酸酯整體 之3 0〜9 0莫耳％，以下述式（I I )表示之重覆單位 n IT It —r n n 1 I <請先閱讀背面之注意事項再Jr^.寫本頁> 訂. 線· 本紙張&度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公t ) A7 B7 424154 ^ 五、發明說明（23 ) 佔有整體之7 0〜1 0莫耳％的材料 一般式（I )
R 3 R 4 R 7 R 8 (I ) (上述式（I )中，R!〜R8分別爲選自獨立之氫原子、 鹵原子及碳數1〜6之烴基、X爲
(Π ) 請 先 閱 讀 背 S} 之 注
I
頁 訂 (上述式（II)中 子、鹵原子及碳數1 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 7 Ar —c..... — C— Ar . Ar r9〜r16係分別獨立，選自氫原 2 2烴基，Y爲選自 CH； C —R, 9 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 424154 m A7 B7 —S —
五、發明說明（24) CH3 CH：
0 —S — C — 0'— R 2 0 — 0 — C —
Si — 0
及—R 2 3 —、Y 中之〜R19，R2i ’ R22係分別獨立，選自氫原子 、鹵原子及碳數1〜2 2之烴基、1^2。及1^23係分別獨立 選自碳數1〜2 0之烴基、A r爲選自碳數6〜1 〇之芳 基）。 此材料係由具上述式（I )表示之芴骨架的重覆單位 ’與上述式（I I )表示之重覆單位所構成之聚碳酸酯共 聚物’及由具有上述式（I )表示之芴骨架之重覆單位所 構成之聚碳酸醋與由上述式（I I )表示之重覆單位所構 成之聚碳酸酯的組成物（以下有時稱爲混合聚合物）。若 爲共聚物時，可分別組合二種以上以上述式（I )及（ I I )表示的重覆單位，若爲組成物時，也可分別組合二 種以上之上述的重覆單位》 上述式（I )中，R!〜R8係分別獨立之選自氫原子 ，鹵原子及碳數1〜6之烴基。碳數1〜6的烴基例如有 甲基，乙基，異丙基，環己基等之烷基，苯基等之芳基。 其中較理想爲氫原子，甲基。 本紙張又度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210* 297公釐） -------------------訂·1 ! ---- (請先閱讀背面之注意事項再^.¾本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 2 4 1 5 4」_ A7 B7 五、發明說明（25) 上述式（I I )中’ R9〜R16係分別獨立之選自氫 原子，鹵原子及碳數1〜2 2之烴基。碳數1〜2 2之烴 基例如有甲基’乙基，異丙基，環己基等之碳數1〜9的 院基’本基’聯本基’聯二本基等之芳基。其中較理想爲 氫原子，甲基。 上述式C I I )之Υ中，R17〜RI9，r21，及 R22係分別獨立選自氫原子’鹵原子及碳數1〜1 2之烴 基，此烴基與上述相同。Rs。及R23係分別獨立選自碳數 1〜2 0的烴基’烴基與上述相同。a r爲苯基，萘基等 之碳數6〜10的芳基。 上述式（I )之含有率，即共聚物之共聚組成，組成 物之混合組成比爲聚碳酸酯整體之3 0〜9 0莫耳％。不 在此範圍時’測定波長4 0 0〜7 0 0 nm下，波長愈短 ’相位差絕對値不會愈小。上述式（I )之含有率爲聚碳 酸酯整體之3 5〜8 5莫耳％，更理想爲4 0〜8 0莫耳 % a 上述莫耳比與共聚物，混合共聚物無關，係以構成高 分子配向薄膜之聚碳酸酯之主體整體，例如藉由核磁共振 (NMR)裝置得到上述莫耳比。 此材料之聚碳酸酯係由以下述式（I I I )表示之重 覆單位，及下述式（I V)表示之重覆單位所構成之聚碳 酸酯共聚物及/或聚碳酸酯組成物（混合聚合物）較理想 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------- -裝 i — ί (請先閲讀背面之注意事項再少寫本頁) •SJ. •線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4154 ^ A7 B7 五、發明說明（26 )
(ΠΙ) (上述式.(I I Ϊ )中，R £ 4 , R 2 5係分別獨立，選自氫 原子或甲基），式（IV)
(IV) (請先閱讀背面之注意事項再#爲本頁) .裝 ^
Mie. (上述式（IV)中r26 ，甲基’ Z爲選自 R 2 7係分別獨立，選自氫原子 -線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制取 ch3 — C '' CHa CN h3c々/\ CH; CH： 及
更理想者係分別由下述式（V )〜（I X )表示之重 覆單位所構成之共聚物中，重覆單位（I X )之比例爲 40〜75莫耳％者，或由下述式（VI)及（IX)表 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^29- A7 B7
424154 ^ 五、發明說明（27 ) 示之重覆單位所構成之共聚物中，（IX)的比例爲30 〜7 0莫耳％，或由下述（V I I )及（I X)表示之重 覆單位所構成之共聚物中，（I X)的比例爲3 〇〜7 0 莫耳％者，或由下述式（V)及（VI I I)表示之重覆 單位所構成之共聚物中，（V I I I )的比例爲4 0〜 7 5莫耳％。 (V) (VI) n I t^l Lf ^^1 ^^1 ^^1 ^^1 ^^1 I ^^1 (請先閱讀背面之注意事項再本頁) 訂._
(VE) 線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張K度適用中國國家標準（CNS)A4規袼（210 X 297公釐） 424154」鳟 A7 B7 五、發明說明（28
本紙張K度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 424 15 4 A7 B7 五、發明說明（29) 最理想的材料係含有雙酚（B pa，與上述式（V ) 對應）與雙酚醛芴（BCF ’與上述式（I X)對應）之 共聚物或高分子混合物或這些的混合物，這些成分的配合 比’其B C F之含有率爲5 5〜7 5莫耳％，更理想爲 5 5〜7 0莫耳％。這些材料可製得更理想的λ/4板及 λ / 2 板。 上述之共聚物及/或混合共聚物可藉由公知的方法製 得。聚碳酸酯適合使用二羥基化合物與光氣之聚縮合的方 法’熔融聚合法等。混合時，相溶性混合物較理想，即使 未完全相溶，只要配合成分間之折射率時，可抑制成分間 之光散射，提高透明性。 構成本發明之相位差薄膜之高分子配向薄膜之材料高 分子之理想的極限粘度爲0 . 3〜2 . 0 d 1 。此範圍以 下則有變脆，無法保持機械強度的問題，此範圍以上則有 溶液粘度太高，在溶液製膜時會產生模線等的問題，或聚 合結束時精製困難。 本發明之相位差薄膜爲透明較理想，Haze値爲3 %以 下，全光線透過率爲8 5%以上較理想。又前述高分子配 向薄膜材枓之玻璃化溫度爲1 σ 〇 °c以上，更理想爲 1 2 0 °c 以 i。 可添加苯基水楊酸，2 -羥基二苯甲嗣，三苯基磷酸 酯等之紫外線吸收劑，或改變顏色之發藍劑，氧化防止劑 等。 本發明之相位差薄膜係使用將上述聚碳酸酯等之薄膜 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------^----1---裝------- - 訂----------線--「 (請先閲讀背面之注意事項再i寫本頁) d24154^ B7 五、發明說明（3G) 藉由延伸等使之配向的薄膜。這種薄膜的製造方法可使用 公知之熔融擠壓法，溶液流延法等，但從膜厚，外觀的觀 點來看，使用溶液流延法更理想。溶液流延法之溶劑可使 用二氯甲烷，二氧雜環戊烷等。 又延伸方法可使用公知的延伸方法，理想爲縱向單軸 延伸。爲了提高延伸性時，在薄膜中可含有公知之可塑劑 之二甲基酞酸酯，二乙基酞酸酯，二丁基酞酸酯等之酞酸 酯，三丁基磷酸酯等之磷酸酯，脂肪族二元酸酯，甘油衍 生物，乙二醇衍生物等。延伸時，在薄膜中可殘留前述薄 膜製膜時所用的有機溶劑進行延伸。此有機溶劑；理想含 量爲聚合物固形分之1〜2 Ow t %。 上述可塑劑或液晶等之添加劑能改變本發明之相位差 薄膜之相位差波長分散，其理想的添加量爲聚合物固形分 之1Owt%以下，更理想爲3wt%以下。 相位差薄膜之膜厚無特別限定，理想爲1 # m〜 4 0 0 。本發明中雖以相位差薄膜來表示，但也包括 「薄膜」，或「薄片」。 爲了使波長愈短，本發明之相位差薄膜之相位差愈小 ，其必要條件爲具有特定之化學結構，且相位差波長分散 之大部分係拟其化學結構來決定，但也會受延伸條件，混 合狀態等而產生變動。 本發明之相位差薄膜具有一片高分子配向薄膜，可構 成波長依存性較少之良好的1 / 4波長板（λ / 4板）或 二分之一波長板（λ/2板），作爲此用途時，理想爲 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） -33- tf n n ϋ h It n n I n n (請先閱讀背面之注 li Pf?本頁) 訂· --線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 424154 A7 B7 五、發明說明（31) R (550) 25〇nm，更理想爲 R (550) 290 nm ’特別是作爲λ/4板使用時，理想爲1 0 0 nmS R (550) ^180nm，作爲λ/2板使用時，理想 爲 220nmSR (550) S330nm。 本發明之理想的相位差薄膜之一係由一片聚碳酸酯配 向薄膜所構成之相位差薄膜，本發明係提供波長4 5 0 nm及5 5 0 nm之相位差爲滿足下述式（1 ) R(450)/R(550)<1 (1) 〔式中R (450)及R (550)係分別爲波長450 nm及550nm之高分子配向薄膜之面內相位差〕，且 R(550)爲50nm以上之相位差薄膜。 曰本特許公報第2 6 0 9 1 3 9號公報之第2圖揭示 在測定波長4 0 0〜7 0 0 n m中，波長愈短，相位差愈 小之相位差薄膜之醋酸纖維素薄膜。但此醋酸纖維素薄膜 很難控制相位差波長分散，例如很難提供一種藉由控制相 位差波長分散，具有適合各種用途之不同相位差波長分散 的相位差薄膜（例如反射型液晶顯示裝置之λ / 4板）。 其理由是醋酸纖維素因乙醯化度具有吸水率4〜1〇%的 材料，因此產生水解，尺寸變化，配向緩和等的問題，且 相位差及其相位差波長分散不易長時間維持實用的水準。 換言之，材料固有的問題，且醋酸纖維素薄膜有光學耐久 性的問題。 本纸張&度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -34- (請先閱讀背面之注意事項再t本頁) ..裝 訂. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 C24154 ^ At 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 五、發明說明（32) 醋酸纖維素薄膜通常使用例如偏光板，光學補償板之 支持基板等之R ( 5 5 0 )爲數nm之較低者（乙醯化度 高，吸水率爲4%者）。這種用途即使產生相位差，特別 是R (550)之配间緩和，但實用上沒有問題，故此薄 膜可作爲相位差薄膜使用。但是R (550)更高時，醋 酸纖維素薄膜無法得到信賴度較高之相位差薄膜。又要求 高耐溫熱性例如汽車內之用途則需要更高的信賴度。 本發明之相位差薄膜可作爲1/4波長板使用。此時 ，使用R=An· d爲可見光中視感度最高之波長55〇 nm之1/4波長者。 更一般而言，本發明之相位差薄膜可以一片作爲廣帶 域λ / 4板使用時，其相位差波長分散爲 0.60<R(450)/R(550)<0,97 且 1.01<R(650)/R(550)<1.40 理想爲 0.65<R(450)/R(550)<0.92且 1.03<R(650)/R(550)<1.30 更理想爲 - 0-70<R>(450)/R(550)<0.87 且 1.04<R(650)/R(550)<1.25 範圍內較理想 這種1/4波長板例如用於僅使用一片偏光板，兼具 (請先間讀背面之注 拳項再i 寫本頁) 裝 .線. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^ - Α7 Β7 五、發明說明（33 ) 內面電極與反射電極之構成的反射型液晶顯示裝置，可製 得畫質優異之反射型顯示裝置。又對於主客型之液晶層之 觀測者而言，在內面側也可使用此相位差薄膜。這些相位 差薄膜的功用係在可見光領域中將直線偏光轉換成圓偏光 *將圓偏光轉換成直線偏光。本發明之相位差薄膜可滿足 這種目的。 本發明之理想形態之一係提供一種具備依偏光板， λ/4板，及在具有透明電極之二片基板間含有液晶層之 液晶元件的順序的反射型液晶顯示裝置，且；L / 4板係由 一片之聚碳酸酯配向薄膜所構成之相位差薄膜，波長 4 5 0 n m及5 5 0 n m之相位差爲滿足下述式（1 ) R(450)/R(550)<1 〔式中R (450)/R (550)係分別爲波長450 nm及550nm之高分子配向薄膜之面內相位差〕，且 使用R(550)爲100〜180nm之相位差薄膜的 反射型液晶顯示裝置。 使用這些薄膜取代由挾持上述液晶顯示裝置之液晶層 之玻璃或高分子配向薄膜所構成之基板，使之兼具基板與 相位差薄膜的功能。 同樣地，也可作爲由僅反射左或右其中之一的圓偏光 之膽甾醇液晶等所構成之反射型偏光板之圓偏光轉換成直 線偏光的元件使用。 本紙張玟度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） t 閱 讀 背 之 注 意 事 項 再 本 頁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -36- 4 2 4 1 5 4 」碑 A7 B7 五、發明說明（34) 本發明之相位差薄膜係介於粘著層，接著層，而與偏 光板姑合’可作爲圓偏光或備圓偏光板，或於相位差薄膜 上塗佈某些材料提高耐濕熱性，或改良耐溶劑性》 本發明之相位差薄膜係以一片的高分子配向薄膜製得 波長愈短，雙折射愈小之理想的；I / 4板或λ / 2板而開 發者，一般係提供一種波長愈短，雙折射愈小，且吸水率 爲1 w t %以下之高分子配向薄膜，因此，將本發明之相 位差薄膜彼此層積，或本發明之相位差薄膜與其他之光學 薄膜（相位差薄膜，偏光板，光學補償板等）予以層積製 作在更寬之波長域之理想的λ/4板或λ/2板等，製得 適合更廣之各種用途的相位差薄膜或光學薄膜。 本發明可製作在一面側面上層積2片以上之滿足R ( 450) /R (550)之相位差薄膜的相位差薄膜^ 本發明可提供在另一面側面上層積λ /4板與λ / 2 板所成，且兩方之相位差薄膜滿足式（5) (6)之層積 相位差薄膜， 0.6<R(450)/R(550)<1 (5) 1<R(650)/R(550)<1.4 ' (6) 依據此層積相位差薄膜時，直線偏光入射於層積相位 差薄膜時，在測定波長之400〜700nm，理想爲 4 0 0〜7 8 0 nm之任意波長也能形成幾乎完整的圓偏 光，相反地，將完整的圓偏光入射於層積相位差薄膜時， n n If I* I <請先閱讀背面之注意事項再hsc本頁) 訂丨 --線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公t ) -37 424 154 碥 A7 B7 五、發;明說明（35 ) 在測定波長之4 0 0〜7 0 0 nm之任意波長也可得到幾 乎完整的直線偏光。 閱 讀 背 δ 之 注 意 事 項 評價的手段係對於以偏光板，層積相位差薄膜，反射 板的順序層積，即偏光板/層積相位差薄膜/反射板之構 成當由偏光板入射自然偏光之可見光線時，以是否可得到 無著色的黑色來判斷。此構成之光線之偏光狀態之改變由 自然偏光—（偏光板）—直線偏光1—(層積相位差薄膜 )—直線偏光2—(偏光板），而直線偏光2與直線偏光 1之9 0度偏光軸有偏移，故無法通過偏光偏而成爲黑色 。觀察此黑色之著色程度時，可評價層積相位差薄膜的特 性。 由此評價的結果得知，層積一種滿足上述式（5)( 6)之相位差薄膜之層積相位差薄膜可得到無著色的黑色 。又滿足上述式（5) (6)之層積相位差薄膜形成有著 色之黑色。 被層積之雨方的相位差薄膜更理想爲 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 0.70<R(450)/R(550)<0.99且 1.01<R(650)/R(550)<1.30 ' 更理想爲 0.75<R(450)/R(550)<0.96 且 1.02<R(650)/R(550)<1.20 本發明之層積相位差薄膜可藉由層積相位相波長分散 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公笼） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 34 1 54 iH A7 _____B7 五、發明說明（36 ) 値滿足上述式（5 )及（6 )之二片的相位差薄膜，即層 積1/2波長板及1/4波長板，更理想爲這些光軸所構 成的角爲5 0度〜7 0度來達成。貼合角度在此範圍外時 ，無法得到良好的特性。 此層積相位差薄膜在4 0 0〜7 0 0 nm之測定波長 大致可達到R = λ / 4 ( n m )。但此特性例如對於一片 偏光板方式之反射型液晶顯示裝置而言不一定經常皆最適 合，組裝於液晶顯示裝置時，更要的是要配合液晶層或其 他之光學構件。 作爲相位差薄膜使用的高分子材料只要滿足上述式（ 5 ) ( 6 )時，則無特別限定，其例子如先前所述，但使 用前述具有芴骨架之聚碳酸酯更理想。構成本發明之層積 相位差薄膜之1 / 2波長板及1 / 4波長板從生產性的觀 點來看使用相同的高分子材料較理想。 後述之實施例也有詳細說明，此處如R ( 4 5 0 ) / R (550) =◦ · 5，R (650)/R (550) = 1 . 5，層積相位差薄膜之相位差波長分散値未滿足上述 式（5) ， （6)時使用2x2光學行列模擬的結果如圖 5所示。此計算係針對偏光板/層積相位差薄膜/反射板 之構成，且由偏光板將光由偏光板法線方向入射，計算反 射於法線方向的光，偏光板爲偏光度1 0 0%，反射板爲 理想的鏡面反射板。此構成之光學構件之光學軸的角度分 別如表2所示。由圖5得知特別是短波長側，長波長側之 反射率變大，無法得到理想的黑色。 I I I ^ J ^ ^ ϋ H (請先閱讀背面之注意事項再寫本頁)
I -線 本紙張义度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印5^ 424154 η Α7 __Β7 五、發明說明（37 ) 1__2 偏光板偏光軸角度（° ) 0 λ /2板相位滞後軸角度（° ) 75 λ /4板相位滞後軸角度（° ) 15 本發明用之2片的相位差薄膜爲係透明者較理想，且 Haze値爲3%以下*全光線透過率爲8 5%以上較理想。 藉由層積此.2片之相位差薄膜製成Haze値爲3 %以下， 全光線透過率爲8 5%以上之層積相位差薄膜較理想。 各相位差薄膜之理想的膜厚爲1〜400/zm » K値爲相位差薄膜之三次元之折射率各向異性的指標 1依R値，膜厚而改變，且因用途不同，最適當的數値也 不同，此處以另外之三次元折射率各向異性指標之N 2 =( nx— n:) / (nx-ny)取代κ値時，只要是如；1/4 板或；1/2板之單軸延伸品時，其理想的範圍爲〇 . 3〜 1 . 5，特別是N2=〇 · 5時，入射於相位差薄膜之角度 即使由正面入射產生變化，但相位差幾乎不變。若爲雙軸 延伸品時’以_ 1 0 0〜1 0 0_較理想。此N 2之三次元折 射率nx，rry，n2係使用以前述κ値計算者。 又本發明之層積相位差薄膜係介著粘著層，接著層， 與偏光板貼合形成圓偏光板，或在相位差薄膜上塗佈某種 材料提高濕熱耐久性1或可改良耐溶劑性。製作圓偏光板 時，本發明之層積相位差薄膜之一片之相位差薄膜的順序 -·1 n n If if 1 I* I {請先閱讀背面之注意事項再^¾本頁) -SJ. .線 本紙張反度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐〉 -40- 424 154 ^ A7 B7 五、發明說明（38) (請先閱讀背面之注意事項再^¾本頁) 是很重要的，其構成必須爲偏光板// 1 / 2波長板// 1/4波長板。此圓偏光板由偏光板側將光入射時，可在 廣波長領域使入射光形成圓偏光化。 1 / 2波長板// 1 / 4波長板構成之本發明的層積 相位差薄膜使直線偏光由1 / 2波長板側入射時，反射的 光在廣波長領域爲圓偏光，且圓偏光由1/4波長板側入 射時，被反射的光在廣波長領域爲直線偏光。 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印*'J< 這種相位差薄膜用於液晶顯示裝置，特別是偏光板一 片型反射型液晶顯示裝置，可得到畫質優異的顯示裝置。 此反射型液晶顯示裝置係指依偏光板，相位差薄膜，含透 明電極之基板，液晶層，含散射反射電極基板的順序所構 成者，或依偏光板，散射板，相位差薄膜，含透明電極基 板，液晶層，含鏡面反射電極基板的順序所構成者，或依 偏光板，相位差薄膜，含透明電極之基板，液晶層，含透 明電極之基板，反射層之順序所構成者等。該1/4波長 扳也能用於兼具透過型與反射型之液晶顯示裝置。該液晶 顯示裝置之構成例如有偏光板，相位差薄膜，含透明電極 之基板，液晶層，含有反射透過兼用電極之基板，相位差 薄膜，偏光板，背光系統等。又例如由膽甾醇液晶所構成 之僅對左右之一的圓偏光產生反射之反射型偏光板中，作 爲將圓偏光轉換成直線偏光之元件使用時，得到到廣帶域 之良好的直線偏光。 又本發明之相位差薄膜也可作爲光記錄裝置之光譜取 頭用之1 / 4波長板使用。此相位差薄膜對於多波長可提 -41 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 B7 五、發明說明（39) 供1 / 4波長的相位差，故對於使用多個雷射光源之光讀 取頭而言，有助於減少相位差的數目。 使用本發明之相位差薄膜之層積相位差薄膜，液晶顯 示裝置等之構成，例如圖7〜1 3所示。 實施例 (評價法） 本說明書中之材料特性値等係藉由以下之評價法所得 者。 — (1 ) R，K値之測定 雙折射△ η與膜厚d之乘積之相位差R値及由三次元 折射率所得之K値係利用分光橢圓偏光測定器之日本分光 (股）製之商品名「Μ 1 5 0」所測定者。R値係入射光 線與薄膜表面直交的狀態所測定，R =△ η · d —（ η * -n y ) · d。K値係藉由改變入射光線與薄膜表面的角度， 測定各角度之相位差値，利用公知之折射率橢圓體之公式 藉由曲線近似計算三次元折射率之n x，n y，η ζ，然後 代入Κ = (ηζ_ (ηχ+η)/2) xd。此時需要也參 數均折射率(nx+ny + nz)/3，此係使用含分 光光源之Abbe折射率計之（股Adako公司製之商品名「 Abbe折射率2 ~ T」，測定測定波長λ 5 0 〇，5 5 0， 590，640nm之折射率η，使用此4點的公式（ η 二 a + b/ X£+C/X4; a，b，c 爲柯西參數）計 本紙張&度適用中固國家標準（CNS)A4規烙（210x 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再t本頁) ί Γ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -42- 424154 ^ A7 B7 五、發明說明（40) 算其他波長的折射率。K，R値之單位爲nm。又nx， η >·，η z如下述所定義。 η x :薄膜面內之主延伸方向之折射率 n>_ :薄膜面內之主延伸方向所直交之方位的折射率 nz:薄膜表面之法線方向的折射率 (主延伸方向係指單軸延伸時之延伸方向|雙軸延伸係指 提高配向度之伸延的方向，而在化學結構上係指高分子主 鏈之配向方向）0 後述表中，各波長之R爲實測値。又，R ( 5 5 0 ) >0時，折射率各向異性爲正，R (550) <0時爲負 請 先 閱 讀 背、 面 之 注 意· 事 項 再 I裝 頁 訂 (2 )全光線透過率及濁度（naze )之測定 依據日本工業規格JIS K 7105 「塑膠之光學 特性試驗方法」，藉由積分球式光線透過率測定裝置來測 定。評價裝置係使用日本電色工業（股）製的色差·濁度 測定器（商品名C Ο Η _ 3 0 0 A」）。 (3 )吸水率之測定 除了使乾燥薄膜狀態之膜厚爲1 3 0±5 0 外， 其餘係依攄]IS K 7209之「塑膠之吸水率及沸騰 吸水率試驗方法」。試驗片爲5 0 n m正方形，使試驗片 浸漬於水溫2 5 °C之水中2 4小時，然後測定重量變化。 本紙張瓦度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -43- 4 2 415 4 -η 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 Α7 Β7 五、發明說明（41) 單位爲％。 (4 )高分子共聚比之測定 藉由日本電子公司製之商品名「JNM-alpha 6 0 0」 之質子NMR來測定。特別是雙酚A與雙酚醛芴之共聚物 時’使用重苯溶媒’由各自之甲基的質子強度比來計算^ (5 )高分子之玻璃化溫度（T g )之測定 藉由TA instrument公司製之商品名「 D S C 2 9 2 0 Modulated DSC」來測定。在樹脂聚合後 ，而非薄膜成形後，以碎片或片狀的狀態來測定。 (6 )高分子之極限粘度測定 使用Ubbelodhe粘度管，在二氯甲烷中，以2 0 °C測 定極限粘度。 (7)薄膜色調之測定 使用日立製作所製之分光光度計之商品名「U -3500」，在J IS Z — 8-7 29之匕*3*13*表色系 中，以二度視野，C光源得到b *値。 (8 )薄膜膜厚之測定 使用安立公司製之電子微量計量測 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -44 - ----------------裝------丨—訂----------線 (請先閱讀背面之注意事項再4-寫本頁> 424154」㈡ A7 __B7______ 五、發明說明（42 ) (9 )光彈性係數之測定 測定波長設定爲5 9 Q n m，使用分光橢圓偏光測定 器之日本分光（股）製之商品名「Ml 5 0」來測定。 又，以下實施例，比較例使用之聚碳酸酯之單體結構 如下述。 (10)熱耐久試驗 將薄膜放入二個恆溫槽內，以①，②的條件（①8 0°C ，dry ，1 〇 ◦ 〇 小時，② 6 0 °C，6 0 % R Η， 1000小時）放置後，取出薄膜，再進行上述（1)( 2 ) ( 7 )。 ^^1 —I n IP t .^1 1 -- f <請先閱讀背面之注意事項再填筠本頁) ai: 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製
線· -4&- 本纸張瓦度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^24154 五、發明說明（43 A7 B7
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G 訂· .線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐） -46^ 424 1 54 A7 ____B7 五、發明說明（44) 將上述〔A〕〜〔G〕之單體與光氣之單獨聚合物及 聚苯乙烯〔PS〕 ’聚苯醚〔PPO〕製成薄膜，再經延 伸者之R (450)/R (550)與在Tg附近進行單 軸延伸時之折射率各向異性如表3所示。〔F〕、 〔 G〕 、〔PPO〕單獨時不易製成薄膜，因此，對於〔F〕， 〔G〕由少量改變〔A〕進行共聚合之共聚物來計算。又 對於〔P P 0〕也經由少量改變〔P S〕進行共聚合之共 聚物來計算。 [A] [B] [C] [D] [E] [F] [G] [PPO] [PS] R(450)/ R(550) 1.08 1.07 1.08 1.08 1.07 1.14 1.14 1.15 1.06 折射率 各向異性 正 正 正 正 正 負 負 正 負 訂· 線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 〔實施例1〕 將氫氧化鈉水溶液及離子交換水投入具備攪拌機’溫 度及迴流冷卻器之反應槽中，以表1之莫耳比，將具有上 述結構之單體〔A〕與〔G〕溶解於反應槽中，添加少量 之硫化氫。接著添加二氯甲烷，以2 0°C吹入光氣約6 0 分鐘。再添加對第三丁基苯酚使之乳化後，添加三乙胺’ 以3 0°C約攪拌3小時，結束反應。反應結束後’取出有 適 度 尺 張 纸 本 釐 公 97 一 2 X 10 2 /1. 格 規 A4 s) N (c 準 標 家 國 424 1 54 确 A7 _B7_____ 五、發明說明（45) 機相，使二氯甲烷蒸發得到聚碳酸酯共聚物》製得之共聚 物的組成比大到與投入單體量大致相同。 使此共聚物溶解於二氯甲烷中，製作固形分濃度1 5 重量％之摻雜溶液。由此摻雜溶液製作流延薄膜，以 2 18°C自由寬度，單軸延伸1 . 9倍，製得相位差薄膜 。延伸前之流延薄膜之溶媒含旺爲2%，延伸區域之薄膜 的寬度與延伸方向之長度比爲1 : 1 2。 測定結果如表4 »又，相位差與波長分散之關係如圖 1 4所示。此薄膜其測定波長愈短，相位差愈小，且延伸 方向之面內的折射率最大，折射率各向異性爲正。 未延伸流延薄膜之光彈性係數爲3 5 X 1 0_13cm /dyne。 雖實施熱耐久試驗，但幾乎無變化。 〔實施例2〕 將實施例1製得延伸前之未延伸流延薄膜以溫度 2 2 0 °C，對於縱橫方向分別實施逐次雙軸延伸1 . 1倍 。測定結果如表4所示· 雖實施熱性耐久試驗，但幾乎沒有變化。 〔實施例3〕 除了使用實施例1及表1的單體外，其餘以相同的方 法製得聚碳酸酯共聚物。製得之共聚物之組成比大致與單 體投入量比相同。與實施例1同樣進行製膜，以溫度 本紙張又度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2〗0 X 297公釐） --------------裝i (請先閱讀背面之注意事項再^¾本頁) ij· -線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印*'!< 424154 ^ A7 B7 五、發明說明（46 ) 2 1 8 °C，1 · 7倍，對於寬度不限制之單軸延伸，得到 相位差薄膜。延伸前之流延薄膜之溶媒含量爲〇 . 5%。 測定結果如表4所示《此薄膜當測定波長之波長越短 ，相位差越小，且折射率各向異性爲正。 雖實施熱性耐久試驗，但幾乎沒有變化。 〔實施例4〕 將實施例2製得延伸前之未延伸流延薄膜以溫度 2 2 0 °C，對於縱橫方向分別實施逐次雙軸延伸1 . 1倍 °測定結果如表4所示。 雖實施熱性耐久試驗，但幾乎沒有變化。 〔實施例5〕 除了使用實施例1及表4的單體外，其餘以相同的方 法製得聚碳酸酯共聚物。製得之共聚物之組成比大致與單 體投入量比相同。與實施例1同樣進行製膜，以溫度 2 1 8 °C，1 . 7倍，對於寬度不限制之單軸延伸，得到 相位差薄膜。延伸前之流延薄膜之溶媒含量爲0 . 2%。 測定結果如表4所示。此薄膜當測定波長之波長越短 ，相位差越小，且折射率各向異性爲正。 雖實施熱性耐久試驗，但幾乎沒有變化。 〔實施例6〕 〔A〕、 〔G〕之含有比率與實施例1相同，使實施 本紙張疋度適用中國國家標準（CN；S)A4規格（210 X 297公釐） 請 先 閲 讀 背 面 之 注 意 事 項 頁 經濟部智慧財度局員工消費合作社印製
Ji A/ B7 五、發明說明（47) 例3製作之共聚物溶解於二氯甲烷中9此溶液之濃度係以 固形分之形態之1 5重量％，且爲不濁之透明，由該溶液 製作之薄膜之濁度爲0 . 5%，二個共聚物爲相溶系。以 同實施例1的條件延伸其流延薄膜，得知K，R値之波長 分散關係幾乎與實施例1相等。 〔實施例7〕 除了使用表4的單體外，萁餘同實施例1的方法製得 聚碳酸酯共聚物。製得之共聚物之組成比大致與單體投入 量比相同。與實施例1同樣進行製膜，以溫度2 4 0 °C， 2倍，進行單軸延伸，得到相位差薄膜。測定結果如表4 所示。此薄膜當測定波長之波長越短，相位差越小，且折 射率各向異性爲正。 (請先閱讀背面之注意事項再本頁) i線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） 424154 ^ a?
五、發明說明（48) ΤΤΓΓ s ςς9·0 oo-u
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I 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本纸張&度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公楚） ^55- ' ‘ A7 __B7_ 五、發明說明（53) 表6 實施例之相位差薄膜之光學特性 實施例1 2 Tg(°c ) 134 R(450) -I 19.1 R(550) -138.0 R(650) 147.8 R(45 0)/R(5 5 0) 0.863 R( 6 5 0 )/R(550) 1.071 吸水率（％) 0.3 濁度（％) 0.7 全光線透過率（％ ) 91.1 b* 1.0 延伸後瞑厚（Ai m) 140 -------^--I J----裝--- (請先閱讀背面之注意事項再^¾本頁) -線· 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 〔實施例1 3〕 將實施例1製得之薄膜組裝於搭載於任天堂（股）公 司製之攜帶型Game機「Game boycolor」之一片偏光板 反射型液晶顯示裝置中，來評^。其構成由觀測表側開始 ’偏光板/¾施例1製作之相位差薄膜/玻璃基板/ I TO透明電極/配向膜/扭轉向列型液晶/配向膜/金 屬電極兼反射膜/玻璃基板。各層間之粘著層省略。以電 壓〇 F F時顯示白色的角度來貼合，以目視評價顏色。此 相位差薄膜具有λ / 4板的功能。此市售品係使用2片由 衣紙張反度適用中國國家標準（CNS)A·!規格（210 X 297公釐） -56^ 424754 A7 B7 五、發明說明（54 ) 雙酚A之均聚物所構成之聚碳酸酯薄膜，且相位差不同者 ，但僅使用1片實施例1之薄膜時，特別是黑色顯示時之 著色較少，因此，對比較高，淸晰度優異。 〔實施例1 4〕 將實施例1製得之薄膜設置於由膽甾醇液晶所構成之 反射型偏光板上，並且以市售之背光/膽甾醇液晶層/實 施例1之薄膜/偏光板之構成來評價顏色。實施例1之薄 膜具有λ / 4板的功能。該薄膜之相位滯後軸與偏光板之 偏光軸所成的角度爲45° 。由偏光板所反射的光爲著色 較少的白色狀態。 〔實施例1 5〕 從市售含液晶監視器之攝影機之液 用UV硬化型圓盤狀液晶層之光學補償 剝除圓盤狀液晶層，介於粘著層與實施 薄膜貼合。然後，將此貼合物再與該液 換言之，僅支持基板改用實施例2之基 器使用時，發現市售品的狀態係由監視 ，可看見白色顯示部分有茶色之著色， 常少，淸晰度優異。特別是正面的對比 〔比較例1〕 除了使用表7的單體外，其餘以相同的方法製得聚碳 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 頁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 晶顯示裝置用之使 薄膜之支持基板上 例2製作之相位差 晶顯示裝置貼合1 板，作爲液晶監視 器水平方向斜看時 但本構成之著色非 來降低。 ^24154 B7 五、發明說明（55) 酸酯共聚物。製得之共聚物之組成比大致與單體投入量比 相同。與實施例1同樣進行製膜，以溫度2 4 0 °C， 1 . 5倍，進行延伸，得到相位差薄膜。測定結果如表7 所示。此薄膜當測定波長之波長越短，相位差之絕對値越 大。 〔比較例2〕 除了使用表7的單體外，其餘以相同的方法製得聚碳 酸酯共聚物。製得之共聚物之組成比大致與單體投入量比 相同。與實施例1同樣進行製膜，以溫度1 7 0 °C， 1 . 2倍，進行延伸，得到相位差薄膜。測定結果如表7 所示。此薄膜當測定波長之波長越短，相位羞之絕對値越 大。 〔比較例3〕 除了使用表7的單體外，其餘以相同的方法製得聚碳 酸酯共聚物。製得之共聚物之組成比大致與單體投入量比 相同。與實施例1同樣進行製膜，以溫度2 4 0 °C， 1 . 5倍，進行延伸，得到相位差薄膜。測定結果如表7 所示。此薄膜當測定波長之波長越短，相位差之絕對値越 大。 〔比較例4〕 除了使用表7的單體外，其餘以相同的方法製得聚碳 (請先閱讀背面之注意事項再务武本頁) 裝 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印裝 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐） 經 濟 部 智 慧 財 產 局 消 費 合 作 社 印 製 4 2 4 1 5 4」⑷ _ A7 —_ B7 五、發明說明（56) 酸酯共聚物。製得之共聚物之組成比大致與單體投入量比 相同。與實施例1同樣進行製膜，以溫度1 6 5 °C， 1 * 2倍，進行延伸，得到相位差薄膜。測定結果如表7 所示。此薄膜當測定波長之波長越短，相位差之絕對値越 大。 〔比較例5〕 除了使用表7的單體外，其餘以相同的方法製得聚碳 酸酯共聚物。製得之共聚物之組成比大致與單體投入量比 相同。與實施例1同樣進行製膜，以溫度230 °C， 1 · 5倍，進行延伸，得到相位差薄膜。測定結果如表7 所示。此薄膜當測定波長之波長越短，相位差之絕對値越 大。 〔比較例6〕 除了使用表7的單體外，其餘以相同的方法製得聚碳 酸酯共聚物。製得之共聚物之組成比大致與單體投入量比 相同。與實施例1同樣進行製膜，以溫度160 °C， 1 . 1倍，進行延伸，得到相位差薄膜。測定結果如表7 所示。此薄膜當測定波長之波長越短，相位差之絕對値越 大。 〔比較例7〕 除了使用表7的單體外，其餘以相同的方法製得聚碳 (請先閱讀背面之注 意事項再^.. 爲本頁) 策 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^59- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 424154 ^ A7 _____B7五、發明說明（57) 酸酯共聚物。製得之共聚物之組成比大致與單體投入量比 相同。與實施例1同樣進行製膜，以溫度240 °C， 1 . 3倍，進行延伸，得到相位差薄膜。測定結果如表7 所示。此薄膜當測定波長之波長越短，相位差之絕對値越 大。 〔比較例8〕 除了使用表7的單體外，其餘以相同的方法製得聚碳 酸酯共聚物。製得之共聚物之組成比大致與單體投入量比 相同。與實施例1同樣進行製膜，以溫度175 °C， 1 . 2倍，進行延伸，得到相位差薄膜。測定結果如表7 所示。此薄膜當測定波長之波長越短，相位差之絕對値越 大。 〔比較例9〕 除了使用表7的單體外，其餘以相同的方法製得聚碳 酸酯共聚物。製得之共聚物之組成比大致與單體投入量比 相同。與實施例1同樣進行製膜，以溫度260 °C， 1 . 2倍，進行延伸，得到相位差薄膜。測定結果如表7 所示。此薄膜當測定波長之波長越短，相位差之絕對値越 〔比較例1 0〕 除了使用表7的單體外，其餘以相同的方法製得聚碳 <請先間讀背面之注意事項再 ri·! 本頁) 訂·· --線- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（58) 酸酯共聚物。製得之共聚物之組成比大致與單體投入量比 相同。與實施例1同樣進行製膜，以溫度1 7 0 °C， 1 . 1倍，進行延伸，得到相位差薄膜。光學特性測定結 果如表7所示=此薄膜當測定波長之波長越短，相位差之 絕對値越大。 〔比較例1 1〕 除了使用表7的單體外，其餘以相同的方法製得聚碳 酸酯共聚物。製得之共聚物之組成比大致與單體投入量比 相同。與實施例1同樣進行製膜，以溫度260 °C， 1 . 5倍，進行延伸，得到相位差薄膜。測定結果如表7 所示。此薄膜當測定波長之波長越短，相位差之絕對値越 大。 〔比較例1 2〕 除了使用表7的單體外，其餘以相同的方法製得聚碳 酸酯共聚物。製得之共聚物之組成比大致與單體投入量比 相同。與實施例1同樣進行製膜，以溫度1 8 0 °C， 1 2倍，進行延伸，得到相位差薄膜。測定結果如表7 所示。此薄膜當測定波長之波長越短，相位差之絕對値越 大。 〔比較例1 3〕 除了使用表7的單體外，其餘以相同的方法製得聚碳 本纸張瓦度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------—裝i_ ----丨訂!-------線 (請先閱讀背面之注意事項再參.¾本頁) ^24/54 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（59) 酸酯共聚物。製得之共聚物之組成比大致與單體投入量比 相同。與實施例1同樣進行製膜，以溫度1 60 °C， 1 . 1倍，進行延伸，得到相位差薄膜。測定結果如表7 所示。此薄膜當測定波長之波長越短，相位差之絕對値越 大。 〔比較例1 4〕 除了使用表7的單體外，其餘以相同的方法製得聚碳 酸酯共聚物。製得之共聚物之組成比大致與單體投入量比 相同。與實施例1同樣進行製膜，以溫度1 7 5 t， 1 . 1倍，進行延伸’得到相位差薄膜。測定結果如表7 所示。此薄膜當測定波長之波長越短’相位差之絕對値越 大。 〔比較例1 5〕 除了使用表7的單體外，其餘以相同的方法製得聚碳 酸酯共聚物。製得之共聚物之組成比大致與單體投入量比 相同。與實施例1同樣進行製膜，以溫度170 t， 1 . 1倍，進行延伸’得到相位差薄膜。測定結果如表7 所示。此薄膜當測定波長之波長越短’相位差之絕對値越 大。 <請先閱讀背面之注意事
Ir 本頁： 裝 訂· -•線- 本紙張汶度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） .454
7 7 A B 五、發明說明（6G) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 SF 〇 1—i r~-l C^i ir> 卜 \D 〇 卜 <N OO Ό Ό \〇 〇 u*» On 〇 S q Ό 〇\ o ο 卜 d σ\ ο 鏟二 a m ϋ § 1—_i ~1 CN C^ Ό 々 vd \Ω OO r^ o 1—1 Os m C^N d oo o oo ON o 呀 ο 卜 ο Ο ο ο οο 1—·1 〇 < 〇 1·»^ 〇\ fO OO u-i Cfv CN 00 oi oo o CO O l/~l 〇\ o o OO 〇 I·/"! ON o Ο ύ ίο B 1 ο Ξ Γ-> cs o OJ r〇 \D o Ό 〇 CO Ό σ> d 〇 CN CTs o CN ο cn ΟΝ 鎰二 a軍 巨2 〇 g Ό f o 寸 cn * 0 \D 1 i 4 l 1 1 σ\ OJ ό ό oo d 〇 m CN oo o Γ〇 CN Ο σ\ __ s 1, α Ξ 卜 卜 S ON oi VI i. 1 A g 寸 Os o CN o r·^ cs Ό 〇\ d ο ΓΛ σ> ^ - Β Ξ g g ς?\ ι·Η 1 o o < oo oo in 1 J <m i 11 i OO 〇 fO cn g oo o 寸 〇〇 ο σ\ s I o | 寸 in CO OJ o Γ- Ό iN •an CN o o m u^> σ\ d oo Ό 〇 vn σ\· o 卜 ο 1 ί CPs ο a 5 u Ξ 〇 〇 S ξι CO 卜 η * OO m 1 -¾- cn 1 ΓΟ oo o " 1 CN <m r—t oo o CM 1-^ Ο ΟΝ g « 1 ο Ξ 1-* u— oo r^i CN 寸 m CN CN CN s o 卜 CPs o σ> ό o 11 i 〇\ o OO d 卜 σ> s r—. '~1 S s Ό oo fN 1 〇\ c-~· oo t r- <6 1 m \D | i CN r~- 〇〇 o r-^ Ό 寸 m [^- 00 o 二 rn ο σ\ in < I E | o t^· r*j OO 寸 r^i e^i m m ΠΊ g cn σ\ o S o CN \D 〇\ o ο V~1 σ% 〇 < Ξ s I 寸 〇\ 1 OO S 1 \〇 CN \〇 1 卜 H cn oo 〇 wo CN OO 〇 Γ〇 CN ο σ\ < g a Ξ 1"―' ,_, 〇 寸 CN CN ΓΠ o 1—( CN ΓΛ <n o \〇 〇- o VO v〇 〇 r*^ Os 〇 VO d 00 m 槪 — ΛΛ - < ^ 一 I__, s S 〇> 1 寸 0〇 〇 i oo ro 1 oo 〇\ CN p 1 卜 oo o 卜 ON <N 〇 卜 oo ό ο g g s S ^-*V £ 擊时 寒时 o «/Ί o wn o i^n o IT·» N =i •«wX 遐M o •<"v o -—v •s^ Pi 'w1 OC £ m 1¾ — nM 寸 •w· \〇 Ό *s m m 鲤 j--j 啊 js 叫呷 CK un V-, 陲 m 酹κ •w* Di Vw· Di 罘 N—^ ' ^^1 ^^1 .^1 if n n κ I ^1 ^1 ^1. - 【 <請先閱讀背面之注意事項再务驽本頁) 訂-------1 .._ 線. 本纸張瓦度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） A7 B7 _ 五、發明說明（61) 〔實施例1 6〕 -----— 2111*1—— — * I 1 (請先閱讀背面之注意事項再本頁) 將氫氧化鈉水溶液及離子交換水投入具備攪拌機，溫 度及迴流冷卻器之反應槽中，以表8之莫耳比，將具有上 述結構之單體〔A〕與〔G〕溶解於反應槽中，添加少量 之硫化氫。接著添加二氯甲烷，以2 0°C吹入光氣約6 0 分鐘。再添加對第三丁基苯酚使之乳化後，添加三乙胺， 以3 0°C約攪拌3小時，結束反應。反應結束後，取出有 機相，使二氯甲烷蒸發得到聚碳酸酯共聚物。製得之共聚 物的組成比大到與投入單體量比大致相同。 使此共聚物溶解於二氯甲烷中，製作固形分濃度2 ◦ 重量％之摻雜溶液。由此摻雜溶液製作流延薄膜，以單軸 延伸製作測定波長λ = 5 5 0 n m的狀態下，分別爲 入/4，λ/2 (nm)之相位差薄膜。 線· 將此薄膜以表8的角度貼合，製作由偏光板// 1 / 2 波長板//1/4波長板//反射板所構成之光學多層薄 膜。各光學薄膜間使用粘著劑。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖6係表示本光學多層薄膜之反射光譜的槪要。實現 完全無著色，且反射率低的黑色係指圖6中，全波長領域 之反射率爲〇的情形，但使用本發明之層積相位差薄膜時 ，由圖6得知可得到反射率比比較例小，且非常優異之黑 色狀態者。又，以目視確認本光學多層薄膜，發現可得到 無著色的黑色。 〔實施例1 7〕 本纸張又度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4241 54 A7 五、發明說明（62) 除了使用實施例實施例1 6與表7的單體外，其餘以 相同的方法製得聚碳酸酯共聚物。製得之共聚物之組成比 大致與單體投入量比相同。與實施例1 6同樣製作1/2 波長板，1/4波長板，以表1的角度貼合，製作由偏光 板// 1 /2波長板/ / 1 / 4波長板//反射板所構成 之光學多層薄膜。 圖6係表示本光學多層薄膜之反射光譜的槪要。由圖 6得知可得到優於比較例之極優異的黑色狀態。以目視確 認本光學的層薄膜，發現可得到無著色的黑色。 表 8 ----- Γ I I -----I ^ - II I ----^ I ΙΊ I----^ I —y <請先閱讀背面之注意事項再^¾本頁) 實施例 實施例 比較例 比較例 16 17 16 17 單位I結構 (投入量莫耳％) [Α] [Α] [Α] [42] [34] [100] 單位2結㉝ (投入量莫耳％) [G] [G] - - [58] [66] R(450)/R(550) 0.963 0.849 1.078 1.010 R(650)/R(550) 1.008' 1.041 0.960 0.977 K(450)，K(550) 0.964 0.855 1.071 1.010 Κ(650)/Κ(550) 1.007 1.039 0.971 0.998 偏光板偏光軸角度Γ ) 0 0 0 0 λ /2板遲相軸角度（° ) 75 75 75 75 λ /4板遲相軸角度（° ) 15 15 15 15 本紙張又度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -65-
五、發明說明（63) 〔比較例1 6〕 (請先閱讀背面之注意事項再赛寫本頁) 除了使用實施例1 6與表8之單體外，其餘以相同的 方法製得聚碳酸酯單獨聚合物。與實施例1 6相同製作λ /2波長板，1/4波長板，以表8的角度結合，製作由 偏光板// 1 / 2波長板// 1 / 4波長板//反射板所 構成的光學多層薄膜。 圖6係表示本光學多層薄膜之反射光譜的槪要。以目 視確認本光學多層薄膜，發現有著色之黑色。 〔比較例1 7〕 使用降冰片烯樹脂之J S R (股）公司之商品名「 ARTON G」與實施例實施例1 6相同製作1/2，1/4 波長板，以表8之貼合角度製作由偏光板//1/2波長 板//1/4波長板//反射板所構成之光學多層薄膜。 圖6係表示本光學多層薄膜之反射光譜的槪要。以目 視確認本光學多層薄膜，與實施例1 6，1 7比較時發現 有著色之黑色。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 產業上之利用性 · 藉由本發明即使僅一片薄膜也能製得測定波長愈短， 雙折射愈小的相位差薄膜。具有這種雙折射波長分散性， 且測定波長5 5 0 n m之相位差爲1 / 4波長的相位差薄 膜在廣波長領域中，具有將圓偏光轉換成直線偏光，將直 線偏光轉換成圓偏光之相位差薄膜的功能，因此，應用於 本紙張&度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） Α7 B7 五、發明說明（64 ) 偏光板一片型或客主型之反射型液晶顯示裝置’或僅對單 向圓偏光反射之反射型偏光元件，可提供高生產率之畫質 優異的液晶顯示裝置或高性能之反射型偏光元件。 --------裝i — (請先閲讀背面之注意ί項再hi?本頁) --線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 67 本紙張疋度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮）

Claims (1)

  1. 轟 2 4 1 5 六、申請專利範圍 8 8 8 8 ABCD
    第88118845號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 民國8 9年9月修正 1 .—種相位差薄膜，其係由一片高分子配向薄膜所 構成相位差薄膜’其特徵爲波長4 5 0 nm及5 5 0 nm 之相位差滿足下式（1 )及/或（2 ) ’且吸水率爲1重 量％以下’ R(450)/R(550)<1 (1) K(450)/K(550)<1 (2) 〔式中R (450)及R (550)係分別爲波長450 nm及5 5 0 nm之高分子配向薄膜之面向相位差’ 經齊部智葸財是局3工"費合作社印製 K (450)及K (550)係分別爲45〇nm及 5 5 0 nm之高分子配向薄膜以K = .〔n: — (nx+ny )/2〕xd (式中ηχ，rw，nz爲高分子配向薄膜之 三次元折射率，分別爲X軸’ y軸，z軸方向之折射率， d爲薄膜之厚度）所計算的數値〕，其中相位差薄膜爲（ 1 )由含有具有正之折射率各向異性之高分子之單體單位 (以下稱爲第1單體單位）及具有負之折射率各向異性之 高分子單體單位（以下稱第2單體單位）之高分子所構成 的薄膜，（2)依據該第1單體單位之高分子的 R ¢450) / R (550)比依據該第2單體單位之高 本紙張尺度適用甲國國家揉準（CNS ) A4说格（210X297公釐） 42^154 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 分子的R (450)/R (550)更小，且（3)具有 正之折射率各向異性之高分子配向薄膜所構成。 2. —種相位差薄膜，其係由一片高分子配向薄膜所構 成相位差薄膜，其特徵爲波長4 5 0 nm及5 5 0 nm之 相位差滿足下式（1)及/或（2)，且吸水率爲1重量 %以下， ' R(450)/R(550)<1 (1) K(450)/K(550)<1 (2) 〔式中R (450)及R (550)係分別爲波長450 nm及5 5 0 nm之高分子配向薄膜之面向相位差，K ( 450)及K (550)係分別爲450nm及550 nm之高分子配向薄膜以K =〔nz - (nx+ny) / 2 〕xd (式中nx，η,，n2爲高分子配向薄膜之三次元 折射率，分別爲X軸，y軸，z軸方向之折射率，d爲薄 膜之厚度）所計算的數値〕，其中高分子配向薄膜爲由玻 璃溫度1 2 0°C以上之高分子材料所構成，其中高分子配 向薄膜爲含有具有芴骨架之聚碳酸酯。 3 .如申請專利範圍第1項之相位差薄膜，其中波長 450nm，550nm及650nm之相位差爲滿足下 述式（3 )及（4 ) 0.6<R(450)/R(550)<0.97 (3) 本紙張尺度逋用中國國家梂牟（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---------^------II------.ii < · - f (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經齊部智葸財是局員工消費合作社印焚 -2- 8 8 8 8 ABCD 424154 ^ 六、申請專利範圍 1.01<R(650)/R(5 50)<1.4 (4) 〔式中R(650)爲波長650nm之高分子配向薄膜 之面內相位差〕。 4 ·如申請專利範園第1項或第2項之相位差薄膜，其 係在波長4 0 0〜7 0 0 n m中，波長愈短，相位差愈小 〇 5. —種相位差薄膜，其係由一片高分子配向薄膜所構 成相位差薄膜，其特徵爲波長4 5 0 nm及5 5 0 nm之 相位差滿足下式（1)及/或（2)，且吸水率爲1重量 %以下， R(450)/R(550)<1 (1) K(450)/K(550)<1 (2) 〔式中R (450)及R (550)係分別爲波長450 nm及5 5 0 nm之高分子配向薄膜之面向相位差， K (450)及K (550)係分別爲450nm及 550nm之高分子配向薄膜以K =〔nz — (nx+ny )/ 2〕xd (式中ηχ，iw，nz爲高分子配向薄膜之 三次元折射率，分別爲X軸，y軸，z軸方向之折射率， d爲薄膜之厚度）所計算的數値〕，其中相位差薄膜爲（ 1 )由含有形成具有正之折射率各向異性之高分子之單體 單位（以下稱爲第1單體單位）及形成具有負之折射率各 本紙張又度適用中國國家搮準（CNS ) A4规格（210X297公釐） ---------^.------1T------0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智葸財是局員工消費合作社印製 -3- 5 J 8 8 8 αο ABCD 六、申請專利範圍 向異性之高分子單體單位（以下稱第2單體單位）之高$ 子所構成的薄膜，（2)依據該第1單體單位之高分子的 R (450)/R (5·5 0)比依據該第2單體單位之_ 分子的R (450)/R (550)更大，且（3)具肯 負之折射率各向異性之高分子配向薄膜所構成。 6 .如申請專利範圍第1項之相位差薄膜，其係由以^ 述一般式（I )表示之重覆單位佔全體之3 0〜9 0莫_ %，以下述式（I I )表示之重覆單位佔全體之7 0〜 1 0莫耳％之聚碳酸酯共聚物及/或混合物所構成之高& 子配向薄膜1 一般式（I ) R ! R 2 R 5 R 5
    R 3 R 4 R τ R 3 經濟部智葸財產局目；工消赀合作社印奴 (上述式（I )中，Ri-Rs分別爲選自獨立之氫原子、 鹵原子數及碳數1〜6之烴基、 X爲 -C-
    式（I I ) 本紙浪尺度適用中國國家梯準（CNS ) A4規格（2丨0 X 297公釐） ，4 - 424154 ^ 申請專利範圍 A8 B8 C8 D8
    (Π) (上述式（I I )中，R9〜R1S係分別獨立，選自氫原 子、鹵原子及碳數1〜2 2烴基，Y爲選自 C — Ar ArI C — Ar
    CH； —C，! R 請 先 聞 讀 背 ιέ 之 注 意 事 項 再 填素，裝 頁 訂 CHa
    0 II —S — H3C 經濟部智惡財是局員工"#合作社印災 ——C — 0 — R 2 〇 — 0 — C - II II 0 〇 S — Si — _ 或 ~Κ·23_、Υ 中之R i 7〜R i 9，R 2 !，R 2 2係分別獨立，選自氫原子 、鹵原子及碳數1〜2 2之烴基、只"，1123選自碳數1 〜20之烴基、Ar爲選自碳數6〜10之芳基）。 7 .如申請專利範圍第6項之相位差薄膜|其係由下述 本紙伕尺度逋用中國國家標丰（CNS) A4規格（ 210X297公釐） -5- Α8 BS C3 D8 六、申請專利範圍 —般式（I ί I )表示之重覆單位佔全體之3 5〜8 5莫 耳％ ’下述式（I V)表示之重覆單位爲佔全體之6 5〜 1 5莫耳％之聚碳酸酯·共聚物及/或混合物所構成之高分 子配向薄膜， —般式（I I I ) Ri a P ,. 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 再
    f (I) (上述式（I I I )中’ r24，R25係分別獨立選自氫原 子或甲基）
    (IV) 線 經濟部智葸財產局員工消费合作社印製 或
    h3c
    (上述式（I V)中R2S ’ 1127係分別獨立選自氫原子 甲基，Z爲選自 CHa c — ch3 .一種相位差薄膜，其係由一片高分子配向薄膜所構 ;紙張尺度逍用中國®家標準(CNS > A4优格（210X297公釐） _ 6 - m A8 B8 CS D8 々、申請專利範圍 成相位差薄膜’其特徵爲波長4 5 0 nm及5 5 0 nm之 相位差滿足下式（1 )及/或（2 )，且吸水率爲1重量 %以下， ‘ (1) (2) 先 閲 讀 背 1¾ 之 注 意 事 項 再 填 寫一 本 頁 R(450)/R(550)<1 K(450)/K(550)<1 〔式中R (450)及R (550)係分別爲波長450 nm及550nm之高分子配向薄膜之面向相位差， K (450)及K (550)係分別爲450nm及 5 5 0 n m之高分子配向薄膜以K )/2〕xd (式中rw，rw，ηζ爲高分子配向薄膜之 三次元折射率，分別爲X軸1 y軸，ζ軸方向之折射率， d爲薄膜之厚度）所計算的數値〕，其中具有正之折射率 各向異性之高分子爲聚（2 * 6 —二甲基_1 ，4 一苯醚 )，具有負之折射率之各向異性之高分子爲聚苯乙烯之混 合高分子配向薄膜，聚苯乙烯含有比例爲6 7重量％〜 經濟部智«-財產局具工消骨合作社印製 —(η X + η 訂 了 5重量％。 9.如申請專利範圍第1項之相位差薄膜，其中表示物 體顔色之b *値爲1 . 3以下。 10 .如申請專利範圍第1項之相位差薄膜，其係 入/ 4板。 1 1 .如申請專利範圍第1項之相位差薄膜，其係 λ / 2 板。 本紙張尺度逍用中國國家梯準（CNS)A4规格（210X297公釐） 424 1 5U ϋ C8 D8 六、申請專利範圍 1 2 如申請專利範圍第1 0項或 第1 1項之相位差薄膜 1 其 中 R (550)¥9〇nm。 1 3 一種層積相位差薄膜 ，其特徵係由層積λ/4板 請 先 與 λ / 2 板所成，λ / 4板與； 1 / 2 板爲 申請專利範圍第 閲 讀 背 1 項 之 相 位差薄膜所構成。 1¾ 1 4 .如申請專利範圍第1 3項之 層積 相位差薄膜，其 意 事 項 中 λ / 4 板與λ/ 2板之光軸所構成 之角 度爲5 0度〜 再 % 7 0 度 〇 頁 1 5 . —種圓偏光板或橢圓偏光板，其係層積如申請專 利範圍第1項之相位差薄膜與偏光板所成。 16. —種圓偏光板或橢圓偏光板’其係層積如申請專 利範圍第1項之相位差薄膜與偏光板所成。 17. —種圓偏光板或橢圓偏光板，其係層積如申請專 利範圍第1項之相位差薄膜，反射型偏光板及偏光板所成 〇 1 8 .如申請專利範圍第1 6項或1 7項之圓偏光板或橢 圓偏光板，其中反射型偏光板具有僅對—個方向旋轉之圓 經濟部智慧財A局員工消費合作社印製 偏光反射的功能。 19.如申請專利範圍第18項之圓偏光板或橢圓偏光板 ，其中反射型偏光板由膽甾醇液晶高分子所構成。 2 0 . —種液晶顯示裝置，其係設置如申請專利範圍第 1項之相位差薄膜。 2 1 .如申請專利範圍第2 0項之液晶顯示裝置’其係 反射型液晶顯示裝置a 本紙張尺度逋用中國围家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 4 2 4 15 4 ， B8 ^ ” C8 D8 六、申請專利範圍 2 2 .如申請專利範圍第2 0項之液晶顯示裝置，其中 相位差薄膜爲視角補償板。 23, —種相位差薄膜，其係由一片之聚碳酸酯配向薄 膜所構成之相位差薄膜，在波長4 5 0 nm及5 5 0 nm 之相位差爲滿足下述式（1 ) R(450)/R(550)<1 (1) 缒濟部智«-財/|.局員工消費合作社印製 〔式中R (450).及R (550)係分別爲波長450 nm及5 5 0 nm之高分子配向薄膜之面內相位差〕，且 R (5 50)爲50nm以上，其中相位差薄膜爲（]_) 由含有具有正之折射率各向異性之高分子之單體單位（以 下稱爲第1單體單位）及具有負之折射率各向異性之高分 子單體單位（以下稱第2單體單位）之高分子所構成的薄 膜，（2)依據該第1單體單位之高分子的R (450) /R ( 5 5 0 )比依據該第2單體單位之高分子的 R (450) / R (550)更小，且（3)具有正之折 射率各向異性之高分子配向薄膜所構成，其中高分子配向 薄膜爲含有具有芴骨架之聚碳酸酯。 2 4 . —種反射型液晶顯示裝置，其係依序具備偏光板 ;λ / 4板：及在具有透明電極2片之基板間含有液晶層 的液晶元件的反射型液晶顯示裝置，此λ / 4板係由一片 聚碳酸酯配向薄膜所構成之相位差薄膜，係使用波長 4 5 0 nm及5 5 0 nm之相位差滿足下述式（1 ) 本紙法尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4规格（210X297公釐） -9- 4 5 4 8 8 8 8 ABCD 六、申請專利範圍 R(450)/R(550)<1 (1) 〔式中R (450)及r (550)係分別爲波長450 nm及5 5 0 nm之高分子配向薄膜之面內相位差，且 R(550)爲1〇〇〜180nm之相位差薄膜，其中 相位差薄膜爲（1 )由含有具有正之折射率各向異性之高 分子之單體單位（以下稱爲第1單體單位）及具有負之折 射率各向異性之高分子單體單位（以下稱第2單體單位） 之高分子所構成的薄膜，（2)依據該第1單體單位之高 分子的R (450) /R (550)比依據該第2單體單 位之高分子的R (450)/R (550)更小，且（3 )具有正之折射率各向異性之高分子配向薄膜所構成，其 中高分子配向薄膜爲含有具有芴骨架之聚碳酸酯。 ---------^------訂- . Λ&. ( ：· { (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 經濟部智慧財/!.局Η工消骨合作社印製 本紙乐尺度適用中國國家梯準（CNS ) Α4規格（210Χ：297公釐） -10-
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