KR920010944A - 게이트 절연형 전계효과 트랜지스터의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

게이트 절연형 전계효과 트랜지스터의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시형태에 따른 박막 전계효과 반도체 트랜지스터용 시스템을 보인 개략 구성도, 제2a도는 증착 산화물 또는 반도체 필름에 적합하게 사용되는 플래너형 마그네트론 RF 스퍼터링 장치를 보인 개략 구성도, 제2b도는 제2a도에 도시된 장치에 설치된 자석 배열을 보인 평면도, 제3a∼제3b도는 본 발명의 제1실시형태에 따른 박막 전계효과 반도체 트랜지스터의 제조방법을 보인 단면도.

Claims (39)

  1. 소오스 영역과 드레인 반도체 영역과 상기 드레인 영역사이 채널영역과 게이트 절연 필름을 통해 상기 채널영역상에 형성된 게이트 전극으로 구성된 전계효과 트랜지스터의 제조방법에 있어서, 상기 방법이 제1스퍼터링 장치에서 스퍼터링에 의해 기재상에 산화필름과 반도체 필름 중 하나를 증착시키는 단계와 상기 제1스퍼터링 장치에서 제2스퍼터링 장치로 상기 기재가 운반되는 단계와 제2스퍼터링 장치에서 스퍼터링에 의해 상기 기재상에 상기 산화필름과 상기 반도체 필름중 다른 하나를 증착시키는 단계들로 구성되고 상기 산화 필름의 증착이 수소분위기 내에서 실행되며 상기 반도체 필름의 증착이 수소분위기 내에서 실행되는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 운반이 바람직하지 못한 불순물을 제거하기 위해 상기 제1 및 제2장치의 압력 및 내부 분위기에 인접한후 상기 제1 및 제2장치들과 결합된 밸브를 통해 실행되는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 산화 필름의 증착이 실행되었던 제1 및 제2장치 중 한 장치에서 선화물로 만들어진 제3필름 증착의 단계를 더 구비한 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 밸브를 통해 상기 제1 및 제2장치 중 하나와 결합된 제3장치에서 산화물로 만들어진 제3 필름 증착의 단계를 더 구비한 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법.
  5. 제1스퍼터링 장치내 수소분위기에서 스퍼터링에 의해 절연 표면상에 반도체 필름을 증착시키고, 제2스퍼터링 장치내 산소를 포함한 분위기에서 스퍼터링에 의해 상기 반도체 필름상에 산화필름을 증착시키고, 상기 게이트 전극 바로 아래 상기 반도체 필름내 채널영역을 제한하도록 상기 게이트 전극으로부터 상기 반도체 필름을 절연시킨 상기 산화필름 중간물을 갖는 상기 반도체 필름상에 게이트 전극을 형성시키고, 상기 채널영역에 인접한 소오스 및 드레인 반도체 영역을 형성하는 것으로 구성된 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 드레인 및 소오스 영역이 마스크처럼 상기 게이트 전극을 갖는 상기 반도체 필름에 이온주입에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법.
  7. 제5항에 있어서, 상기 분위기가 수소와 알곤의 혼합물로 구성된 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법.
  8. 제5항에 있어서, 상기 반도체 필름이 실리콘 반도체인 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법.
  9. 절연 표면상에 게이트전극이 형성되고, 상기 게이트 전극 바로위에 상기 반도체 필름내 채널영역을 형성하도록 제1스퍼너링 장치내 산소분위기에서 스퍼터링에 의해 상기 게이트 전극상에 산화 절연 필름을 증착시키고, 상기 채널영역에 인접한 소오스 및 드레인 반도체 영역을 형성하는 것으로 구성된 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법.
  10. 제1스퍼터링 장치내 산소분위기내 스퍼터링에 의해 기재상에 실리콘 이산화 필름을 증착시키고, 제2스퍼터링 장치내 수소분위기내 스퍼터링에 의해 상기 실리콘 이산화 필름 상에 반도체 필름을 증착시키는 단계로 구성된 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서, 수소로 이루어진 상기 분위기는 수소와 알곤의 혼합물로 구성된 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 반도체 필름이 실리콘 반도체 필름인 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법.
  13. 제1스퍼터링 장치내 수소분위기에서 스퍼터링에 의해 절연표면상에 반도체필름을 증착시키고, 제2스퍼터링 장치내 산소 분위기에서 스퍼터링에 의해 상기 반도체 필름상에 게이트 산화필름을 증착시키는 단계를 구성하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법.
  14. 제13항에 있어서, 수소로 이루어진 상기 분위기가 수소와 알곤 혼합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법.
  15. 제13항에 있어서, 상기 반도체 필름이 실리콘 반도체인 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법.
  16. 제1스퍼터링 장치내 산소분위기에서 스퍼터링에 의해 반도체 필름상에 게이트 산화필름을 증착시키고, 상기 게이트 산화 필름을 공기에 노출시킴 없이 제1스퍼터링 장치에서 제2스퍼터링 장치로 상기 게이트 산화 필름을 운반시키고, 상기 제2스퍼터링 장치에서 스퍼터링에 의해 상기 게이트 산화 필름상에 게이트전극을 형성시키는 단계를 구성하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법.
  17. 제1스퍼터링 장치내 산소분위기에서 스퍼터링에 의해 기재사에 실리콘 이산화 필름을 증착시키고, 제2스퍼터링 장치내 수소분위기에서 스퍼터링에 의해 상기 실리콘 이산화 필름상에 반도체 필름을 증착시키고, 제3스퍼터링 장치에서 스퍼터링에 의해 상기 반도체 필름상에 게이트 절연 필름을 증착시키는 단계를 구성하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법.
  18. 제17항에 있어서, 수소로 이루어진 상기 분위기가 수소와 알곤의 혼합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법.
  19. 제17항에 있어서, 상기 반도체 필름이 실리콘 반도체인 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법.
  20. 제1스퍼터링 장치내 산소분위기에서 스퍼터링에 의해 기재상에 실리콘 이산화 필름을 증착시키고, 제2스퍼터링 장치내 수소분위기에서 스퍼터링에 의해 상기 실리콘 이산화 필름상에 반도체 필름을 증착시키고, 상기 제1스퍼터링 장치내 산소분위기에서 스퍼터링에 의해 상기 반도체 필름상에 게이트 산화 필름을 증착시키는 단계를 구성하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법.
  21. 제20항에 있어서, 수소로 이루어진 상기 분위기는 수소와 알곤의 혼합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법.
  22. 제20항에 있어서, 상기 반도체 필름이 실리콘 반도체인 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법.
  23. 제1스퍼터링 장치내 수소분위기에서 스퍼터링에 의해 절연표면상에 반도체 필름을 증착시키고, 제2스퍼터링 장치내 산소분위기에서 스퍼터링에 의해 상기 반도체 필름상에 게이트 산화 필름을 증착시키고, 제3스퍼트링 장치에서 스퍼터링에 의해 상기 게이트 산화 필름상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 구성하는 전계효과 트랜지스터 제조방법.
  24. 제23항에 있어서, 상기 반도체 필름이 실리콘 반도체 필름이 실리콘 반도체인 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법.
  25. 제1스퍼터링 장치내 산소분위기에서 스퍼터링에 의해 기재상에 실리콘 이산화 필름을 증착시키고, 제2스퍼터링 장치내 수소분위기에서 스퍼터링에 의해 상기 실리콘 이산화 필름상에 반도체 필름을 증착시키고, 제3스퍼터링 장치에서 프러터링에 의해 상기 반도체 필름상에 게이트 절연필름을 증착시키는 단계를 구성하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법.
  26. 제25항에 있어서, 수소로 이루어진 상기 분위기가 수소와 알곤의 혼합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법.
  27. 제25항에 있어서, 상기 반도체 필름이 실리콘 반도체인 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법.
  28. 제1스퍼터링 장치내 산소분위기에서 스퍼터링에 의해 기재상에 실리콘 이산화 필름을 증착시키고, 제2스퍼터링 장치내 수소분위기에서 수퍼터링에 의해 상기 실리콘 이산화 필름상에 반도체 필름을 증착시키고, 상기 제1스퍼터링 장치내 산소 분위기에서 스퍼터링에 의해 상기 반도체 필름상에 게이트 산화필름을 증착시키는 단계를 구성하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법.
  29. 제1스퍼터링 장치내 수소분위기에서 스퍼터링에 의해 절연표면상에 반도체 필름을 증착시키고, 제2스퍼터링 장치에서 스퍼터링에 의해 상기 반도체 필름상에 게이트 절연필름을 증착시키는 단계를 구성하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법.
  30. 제29항에 있어서, 수소로 이루어진 상기 분위기는 수소와 알곤의 혼합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법.
  31. 제1스퍼터링 장치에서 스퍼터링에 의해 반도체 필름상에 게이트 절연 필름을 증착시키고, 상기 게이트 절연필름을 공기에 노출없이 제1스퍼터링 장치에서 제2스퍼터링 장치로 상기 게이트 절연 필름을 운반시키고, 상기 제2스퍼터링 장치에서 스퍼터링에 의해 상기 게이트 절연 필름상에 게이트 전극을 형성시키는 단계를 구성하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법.
  32. 제1스퍼터링 장치에서 스퍼터링에 의해 제공된 게이트 전극위절연표면상에 게이트 절연필름을 증착시키고 제2스퍼터링 장치내 수소분위기에서 스퍼터링에 의해 상기 게이트 절연필름상에 반도체 필름을 증착시키는 단계를 구성하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법.
  33. 제33항에 있어서, 상기 분위기는 수소와 알곤의 혼합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법.
  34. 제1스퍼터링 장치내 수소분위기에서 스퍼터링에 의해 게이트 절연 필름상에 반도체 필름을 증착시키고, 제2스퍼터링 장치내 수소 분위기에서 스퍼터링에 의해 상기 반도체 필름상에 P형 또는 N형 반도체 필름을 증착시킨 단계를 구성하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법.
  35. 제35항에 있어서, 하나 또는 양 분위기가 수소와 알곤의 혼합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법.
  36. 제35항에 있어서, 상기 P형 또는 N형 반도체 필름상에 마스크형을 형성시키고, 상기 마스크 형을 갖는 소오스 및 드레인 영역에서 상기 P형 또는 N형 반도체 필름을 형성하는 단계를 더 구성하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법.
  37. 제1스퍼터링 장치에서 스퍼터링에 의해 형성된 게이트 전극위절연 표면 상에 게이트 절연 필름을 증착시키고, 제2스퍼터링 장치내 수소분위기에서 스퍼터링에 의해 상기 게이트 절연 필름상에 반도체 필름을 증착시키고 제3스퍼터링 장치내 수소 분위기에서 스퍼터링에 의해 상기 반도체 필름상에 상기 P형 또는 N형 반도체 필름을 증착시키는 단계를 구성하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법.
  38. 제38항에 있어서, 하나 또는 양분위기가 수소와 아르곤의 혼합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법.
  39. 제38항에 있어서, 상기 P형 또는 N형 반도체 필름상에 마스크형을 형성하고, 상기 마스크형을 갖는 소오스와 드레인 영역에서 상기 P형 또는 N형 반도체 필름을 형성하는 단계를 더 구성하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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KR920010944A true KR920010944A (ko) 1992-06-27
KR940003380B1 KR940003380B1 (ko) 1994-04-21

Family

ID=26564341

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019910007795A KR940003380B1 (ko) 1990-11-09 1991-05-14 게이트 절연형 전계효과 트랜지스터의 제조방법

Country Status (4)

Country Link
US (4) US6177302B1 (ko)
EP (1) EP0485233A3 (ko)
KR (1) KR940003380B1 (ko)
TW (1) TW237562B (ko)

Families Citing this family (107)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6893906B2 (en) * 1990-11-26 2005-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and driving method for the same
US6979840B1 (en) 1991-09-25 2005-12-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistors having anodized metal film between the gate wiring and drain wiring
US5424230A (en) * 1992-02-19 1995-06-13 Casio Computer Co., Ltd. Method of manufacturing a polysilicon thin film transistor
US7097712B1 (en) 1992-12-04 2006-08-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Apparatus for processing a semiconductor
US6323071B1 (en) 1992-12-04 2001-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming a semiconductor device
KR100291971B1 (ko) 1993-10-26 2001-10-24 야마자끼 순페이 기판처리장치및방법과박막반도체디바이스제조방법
US6897100B2 (en) * 1993-11-05 2005-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for processing semiconductor device apparatus for processing a semiconductor and apparatus for processing semiconductor device
US7075002B1 (en) * 1995-03-27 2006-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Company, Ltd. Thin-film photoelectric conversion device and a method of manufacturing the same
US6228751B1 (en) * 1995-09-08 2001-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
IT1281054B1 (it) 1995-12-05 1998-02-11 Sorin Biomedica Cardio Spa Dispositivo stimolatore cardiaco con frequenza di stimolazione variabile
JP3907726B2 (ja) 1995-12-09 2007-04-18 株式会社半導体エネルギー研究所 微結晶シリコン膜の作製方法、半導体装置の作製方法及び光電変換装置の作製方法
JP3729955B2 (ja) * 1996-01-19 2005-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3645380B2 (ja) * 1996-01-19 2005-05-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法、情報端末、ヘッドマウントディスプレイ、ナビゲーションシステム、携帯電話、ビデオカメラ、投射型表示装置
US6478263B1 (en) * 1997-01-17 2002-11-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and its manufacturing method
JP3645379B2 (ja) 1996-01-19 2005-05-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7056381B1 (en) * 1996-01-26 2006-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Fabrication method of semiconductor device
US6180439B1 (en) * 1996-01-26 2001-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating a semiconductor device
TW374196B (en) 1996-02-23 1999-11-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor thin film and method for manufacturing the same and semiconductor device and method for manufacturing the same
JPH09320961A (ja) * 1996-05-31 1997-12-12 Nec Corp 半導体製造装置及び薄膜トランジスタの製造方法
JP3801730B2 (ja) 1997-05-09 2006-07-26 株式会社半導体エネルギー研究所 プラズマｃｖｄ装置及びそれを用いた薄膜形成方法
US6686623B2 (en) 1997-11-18 2004-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Nonvolatile memory and electronic apparatus
US6668005B2 (en) * 1998-01-31 2003-12-23 Klaus Streubel Pre-fusion oxidized and wafer-bonded vertical cavity laser
JP2000012864A (ja) 1998-06-22 2000-01-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
US6271101B1 (en) 1998-07-29 2001-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Process for production of SOI substrate and process for production of semiconductor device
JP4386978B2 (ja) 1998-08-07 2009-12-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6246070B1 (en) * 1998-08-21 2001-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device provided with semiconductor circuit made of semiconductor element and method of fabricating the same
JP4493741B2 (ja) * 1998-09-04 2010-06-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4476390B2 (ja) 1998-09-04 2010-06-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6656779B1 (en) * 1998-10-06 2003-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor apparatus having semiconductor circuits made of semiconductor devices, and method of manufacture thereof
US7126161B2 (en) 1998-10-13 2006-10-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having El layer and sealing material
JP2000174282A (ja) * 1998-12-03 2000-06-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
KR100279264B1 (ko) * 1998-12-26 2001-02-01 김영환 더블 게이트 구조를 갖는 에스·오·아이 트랜지스터 및 그의제조방법
US7402467B1 (en) * 1999-03-26 2008-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
US6482725B1 (en) * 1999-08-18 2002-11-19 Advanced Micro Devices, Inc. Gate formation method for reduced poly-depletion and boron penetration
JP2001257344A (ja) * 2000-03-10 2001-09-21 Toshiba Corp 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US6794229B2 (en) 2000-04-28 2004-09-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method for semiconductor device
JP4588167B2 (ja) * 2000-05-12 2010-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6683275B2 (en) * 2000-06-23 2004-01-27 Memex Optical Media Solutions Ag Method and apparatus for fabricating phase-change recording medium
US6875674B2 (en) * 2000-07-10 2005-04-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device with fluorine concentration
US6455441B1 (en) * 2000-08-31 2002-09-24 Micron Technology, Inc. Sputtered insulating layer for wordline stacks
US6905920B2 (en) * 2000-09-04 2005-06-14 Seiko Epson Corporation Method for fabrication of field-effect transistor to reduce defects at MOS interfaces formed at low temperature
US6420277B1 (en) * 2000-11-01 2002-07-16 Lsi Logic Corporation Process for inhibiting crack formation in low dielectric constant dielectric films of integrated circuit structure
US6306697B1 (en) * 2001-01-05 2001-10-23 United Microelectronics Corp. Low temperature polysilicon manufacturing process
JP5088993B2 (ja) * 2001-02-16 2012-12-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4993810B2 (ja) * 2001-02-16 2012-08-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4663139B2 (ja) 2001-02-16 2011-03-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6500264B2 (en) * 2001-04-06 2002-12-31 Wafermasters, Inc. Continuous thermal evaporation system
US6649032B2 (en) * 2001-05-21 2003-11-18 Sharp Laboratories Of America, Inc. System and method for sputtering silicon films using hydrogen gas mixtures
US6743700B2 (en) * 2001-06-01 2004-06-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor film, semiconductor device and method of their production
US7199027B2 (en) * 2001-07-10 2007-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor film by plasma CVD using a noble gas and nitrogen
JP5072157B2 (ja) * 2001-09-27 2012-11-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6613665B1 (en) 2001-10-26 2003-09-02 Lsi Logic Corporation Process for forming integrated circuit structure comprising layer of low k dielectric material having antireflective properties in an upper surface
US6528423B1 (en) 2001-10-26 2003-03-04 Lsi Logic Corporation Process for forming composite of barrier layers of dielectric material to inhibit migration of copper from copper metal interconnect of integrated circuit structure into adjacent layer of low k dielectric material
KR100430336B1 (ko) * 2001-11-16 2004-05-03 정광호 양산용 유기 전계 발광소자의 제작장치
US7023503B2 (en) * 2002-02-20 2006-04-04 Planar Systems, Inc. Image sensor with photosensitive thin film transistors
WO2003073159A1 (en) * 2002-02-20 2003-09-04 Planar Systems, Inc. Light sensitive display
US7009663B2 (en) * 2003-12-17 2006-03-07 Planar Systems, Inc. Integrated optical light sensitive active matrix liquid crystal display
US7053967B2 (en) * 2002-05-23 2006-05-30 Planar Systems, Inc. Light sensitive display
WO2003075207A2 (en) * 2002-03-01 2003-09-12 Planar Systems, Inc. Reflection resistant touch screens
US7105425B1 (en) 2002-05-16 2006-09-12 Advanced Micro Devices, Inc. Single electron devices formed by laser thermal annealing
US20040035360A1 (en) * 2002-05-17 2004-02-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
TWI288443B (en) * 2002-05-17 2007-10-11 Semiconductor Energy Lab SiN film, semiconductor device, and the manufacturing method thereof
TWI301295B (en) * 2002-07-24 2008-09-21 Adv Lcd Tech Dev Ct Co Ltd Crystallization apparatus, crystallization method, thim film transistor and display apparatus
JP2004071696A (ja) * 2002-08-02 2004-03-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
US7605023B2 (en) * 2002-08-29 2009-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method for a semiconductor device and heat treatment method therefor
JP4627961B2 (ja) * 2002-09-20 2011-02-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7374976B2 (en) * 2002-11-22 2008-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating thin film transistor
US7219241B2 (en) * 2002-11-30 2007-05-15 Intel Corporation Method for managing virtual and actual performance states of logical processors in a multithreaded processor using system management mode
US20080084374A1 (en) * 2003-02-20 2008-04-10 Planar Systems, Inc. Light sensitive display
US20080048995A1 (en) * 2003-02-20 2008-02-28 Planar Systems, Inc. Light sensitive display
US20040241507A1 (en) * 2003-05-30 2004-12-02 Schubert Peter J. Method and apparatus for storage of elemental hydrogen
JP4269263B2 (ja) * 2003-07-01 2009-05-27 富士電機デバイステクノロジー株式会社 硬質カーボン膜の形成方法および装置
TWI399580B (zh) 2003-07-14 2013-06-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及顯示裝置
US20050134749A1 (en) * 2003-12-19 2005-06-23 Adiel Abileah Reflection resistant display
US7773139B2 (en) * 2004-04-16 2010-08-10 Apple Inc. Image sensor with photosensitive thin film transistors
JP4711166B2 (ja) * 2004-08-03 2011-06-29 株式会社 液晶先端技術開発センター 結晶化装置、および結晶化方法
JP4560502B2 (ja) * 2005-09-06 2010-10-13 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ
JP4434115B2 (ja) * 2005-09-26 2010-03-17 日新電機株式会社 結晶性シリコン薄膜の形成方法及び装置
US20070109239A1 (en) * 2005-11-14 2007-05-17 Den Boer Willem Integrated light sensitive liquid crystal display
WO2008029582A1 (fr) * 2006-09-08 2008-03-13 Sharp Kabushiki Kaisha Dispositif semi-conducteur, procédé de fabrication du dispositif semi-conducteur, et dispositif d'affichage
JP4411331B2 (ja) * 2007-03-19 2010-02-10 信越化学工業株式会社 磁気記録媒体用シリコン基板およびその製造方法
JP2009049384A (ja) * 2007-07-20 2009-03-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
JP2009093758A (ja) * 2007-10-10 2009-04-30 Shin Etsu Chem Co Ltd 磁気記録媒体用シリコン基板の製造方法および磁気記録媒体
JP4551459B2 (ja) * 2008-02-19 2010-09-29 信越化学工業株式会社 磁気記録用シリコン基板および磁気記録用媒体の製造方法
JP5311189B2 (ja) * 2008-04-24 2013-10-09 富士電機株式会社 磁気記録媒体の製造方法
WO2011048959A1 (en) * 2009-10-21 2011-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011108382A1 (en) * 2010-03-05 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8492247B2 (en) * 2010-08-17 2013-07-23 International Business Machines Corporation Programmable FETs using Vt-shift effect and methods of manufacture
US9310923B2 (en) 2010-12-03 2016-04-12 Apple Inc. Input device for touch sensitive devices
US8638320B2 (en) 2011-06-22 2014-01-28 Apple Inc. Stylus orientation detection
US8928635B2 (en) 2011-06-22 2015-01-06 Apple Inc. Active stylus
US9329703B2 (en) 2011-06-22 2016-05-03 Apple Inc. Intelligent stylus
KR20130043063A (ko) 2011-10-19 2013-04-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
CN103147067A (zh) * 2011-12-07 2013-06-12 无锡华润华晶微电子有限公司 低压化学气相淀积装置及其薄膜淀积方法
US9054255B2 (en) * 2012-03-23 2015-06-09 Sunpower Corporation Solar cell having an emitter region with wide bandgap semiconductor material
US9176604B2 (en) 2012-07-27 2015-11-03 Apple Inc. Stylus device
US9652090B2 (en) 2012-07-27 2017-05-16 Apple Inc. Device for digital communication through capacitive coupling
US9557845B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Apple Inc. Input device for and method of communication with capacitive devices through frequency variation
US10048775B2 (en) 2013-03-14 2018-08-14 Apple Inc. Stylus detection and demodulation
TWI644434B (zh) 2013-04-29 2018-12-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US10067580B2 (en) 2013-07-31 2018-09-04 Apple Inc. Active stylus for use with touch controller architecture
US9398756B2 (en) 2014-06-25 2016-07-26 Cheryl ECKERT Leash training device and a method of using the same to train a domesticated animal
US10061449B2 (en) 2014-12-04 2018-08-28 Apple Inc. Coarse scan and targeted active mode scan for touch and stylus
CN105137660A (zh) * 2015-09-25 2015-12-09 京东方科技集团股份有限公司 一种光配向膜杂质去除装置和方法
US10474277B2 (en) 2016-05-31 2019-11-12 Apple Inc. Position-based stylus communication
KR20190032414A (ko) 2016-07-26 2019-03-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2018138619A1 (en) 2017-01-30 2018-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device

Family Cites Families (114)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3616403A (en) 1968-10-25 1971-10-26 Ibm Prevention of inversion of p-type semiconductor material during rf sputtering of quartz
US3878549A (en) * 1970-10-27 1975-04-15 Shumpei Yamazaki Semiconductor memories
US4007294A (en) * 1974-06-06 1977-02-08 Rca Corporation Method of treating a layer of silicon dioxide
US4059461A (en) * 1975-12-10 1977-11-22 Massachusetts Institute Of Technology Method for improving the crystallinity of semiconductor films by laser beam scanning and the products thereof
JPS5327483A (en) 1976-08-27 1978-03-14 Hitachi Ltd Evalution of material structure
US5049523A (en) 1977-12-05 1991-09-17 Plasma Physics Corp. Method of forming semiconducting materials and barriers
US4288256A (en) * 1977-12-23 1981-09-08 International Business Machines Corporation Method of making FET containing stacked gates
US4217374A (en) 1978-03-08 1980-08-12 Energy Conversion Devices, Inc. Amorphous semiconductors equivalent to crystalline semiconductors
JPS5550664A (en) 1978-10-07 1980-04-12 Shunpei Yamazaki Semiconductor device and method of fabricating the same
JPS55105332A (en) 1979-02-07 1980-08-12 Nec Corp Manufacture of semiconductor device
US4266985A (en) * 1979-05-18 1981-05-12 Fujitsu Limited Process for producing a semiconductor device including an ion implantation step in combination with direct thermal nitridation of the silicon substrate
US4229502A (en) * 1979-08-10 1980-10-21 Rca Corporation Low-resistivity polycrystalline silicon film
JPS6029295B2 (ja) 1979-08-16 1985-07-10 舜平 山崎 非単結晶被膜形成法
US4309225A (en) * 1979-09-13 1982-01-05 Massachusetts Institute Of Technology Method of crystallizing amorphous material with a moving energy beam
JPS5685792A (en) 1979-12-14 1981-07-13 Citizen Watch Co Ltd Liquid crystal display unit
JPS5914549B2 (ja) 1980-03-03 1984-04-05 舜平 山崎 プラズマ・クリ−ニング・エッチ法
JPS56135968A (en) 1980-03-27 1981-10-23 Canon Inc Amorphous silicon thin film transistor and manufacture thereof
US4379020A (en) 1980-06-16 1983-04-05 Massachusetts Institute Of Technology Polycrystalline semiconductor processing
US4335161A (en) 1980-11-03 1982-06-15 Xerox Corporation Thin film transistors, thin film transistor arrays, and a process for preparing the same
US4445134A (en) * 1980-12-08 1984-04-24 Ibm Corporation Conductivity WSi2 films by Pt preanneal layering
JPS57170064A (en) 1981-04-08 1982-10-20 Hitachi Ltd Trigger pulse generator for thyristor
JPS5826052A (ja) * 1981-08-06 1983-02-16 Asahi Glass Co Ltd アルカリ拡散防止酸化ケイ素膜付ガラス体
JPS5828873A (ja) 1981-08-12 1983-02-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置作製方法
US4438723A (en) * 1981-09-28 1984-03-27 Energy Conversion Devices, Inc. Multiple chamber deposition and isolation system and method
JP2616755B2 (ja) 1981-10-23 1997-06-04 株式会社 半導体エネルギー研究所 半導体装置
US4400256A (en) * 1981-12-18 1983-08-23 Riley Leon H Method of making layered semiconductor laser
JPS58170064A (ja) * 1982-03-31 1983-10-06 Toshiba Corp 薄膜電界効果トランジスタの製造方法
JPS58196063A (ja) 1982-05-10 1983-11-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光起電力素子の製造方法
JPS58197717A (ja) 1982-05-13 1983-11-17 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
DE3331601A1 (de) 1982-09-02 1984-03-08 Canon K.K., Tokyo Halbleitervorrichtung
JPS59124163A (ja) 1982-12-29 1984-07-18 Canon Inc 半導体素子
US4619034A (en) 1983-05-02 1986-10-28 Ncr Corporation Method of making laser recrystallized silicon-on-insulator nonvolatile memory device
JPS6057975A (ja) * 1983-09-09 1985-04-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
US4508609A (en) * 1983-09-26 1985-04-02 Exxon Research & Engineering Co. Method for sputtering a PIN microcrystalline/amorphous silicon semiconductor device with the P and N-layers sputtered from boron and phosphorous heavily doped targets
US4528082A (en) 1983-09-26 1985-07-09 Exxon Research And Engineering Co. Method for sputtering a PIN amorphous silicon semi-conductor device having partially crystallized P and N-layers
JPS60105216A (ja) 1983-11-11 1985-06-10 Seiko Instr & Electronics Ltd 薄膜半導体装置の製造方法
JPS60138909A (ja) 1983-12-27 1985-07-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 気相反応被膜作製装置および作製方法
JPS60186066A (ja) 1984-03-05 1985-09-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 絶縁ゲイト型電界効果半導体装置およびその作製方法
JPS60238479A (ja) * 1984-05-10 1985-11-27 Anelva Corp 真空薄膜処理装置
US4670763A (en) 1984-05-14 1987-06-02 Energy Conversion Devices, Inc. Thin film field effect transistor
US4769338A (en) * 1984-05-14 1988-09-06 Energy Conversion Devices, Inc. Thin film field effect transistor and method of making same
US4673957A (en) 1984-05-14 1987-06-16 Energy Conversion Devices, Inc. Integrated circuit compatible thin film field effect transistor and method of making same
US4727044A (en) 1984-05-18 1988-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of making a thin film transistor with laser recrystallized source and drain
JPS60257172A (ja) * 1984-06-01 1985-12-18 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体装置
US4732659A (en) * 1984-06-11 1988-03-22 Stauffer Chemical Company Sputtering method for making thin film field effect transistor utilizing a polypnictide semiconductor
US6113701A (en) * 1985-02-14 2000-09-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method, and system
FR2578272B1 (fr) 1985-03-01 1987-05-22 Centre Nat Rech Scient Procede de formation sur un substrat d'une couche de siliciure de tungstene, utilisable notamment pour la realisation de couches d'interconnexion des circuits integres.
US4657616A (en) * 1985-05-17 1987-04-14 Benzing Technologies, Inc. In-situ CVD chamber cleaner
US4987008A (en) 1985-07-02 1991-01-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film formation method
JPS6221128A (ja) 1985-07-19 1987-01-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光ヘテロダイン検波装置
JPS6226118A (ja) 1985-07-27 1987-02-04 Kanto Auto Works Ltd 自動車の開閉屋根構造
JPS6230379A (ja) 1985-07-31 1987-02-09 Seiko Epson Corp 薄膜トランジスタ
US5753542A (en) * 1985-08-02 1998-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for crystallizing semiconductor material without exposing it to air
JPS6276514A (ja) 1985-09-28 1987-04-08 Sharp Corp 半導体装置の製造方法
EP0222215B1 (en) 1985-10-23 1991-10-16 Hitachi, Ltd. Polysilicon mos transistor and method of manufacturing the same
JPS6295860A (ja) 1985-10-23 1987-05-02 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JPH0810668B2 (ja) 1985-10-31 1996-01-31 旭硝子株式会社 多結晶シリコン膜の製造方法
JPS62104171A (ja) 1985-10-31 1987-05-14 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタの製造方法
KR910003169B1 (ko) * 1985-11-12 1991-05-20 가부시끼가이샤 한도다이 에네르기 겐뀨소 반도체 장치 제조 방법 및 장치
JPS62202078A (ja) * 1986-03-03 1987-09-05 Seiko Epson Corp スパツタ装置
JPS62261128A (ja) * 1986-05-08 1987-11-13 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Ｍｏｓ型半導体装置の製造方法
JPS62271418A (ja) 1986-05-20 1987-11-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 非晶質シリコン半導体素子の製造方法
JPS6310573A (ja) * 1986-07-02 1988-01-18 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
US4851363A (en) * 1986-07-11 1989-07-25 General Motors Corporation Fabrication of polysilicon fets on alkaline earth alumino-silicate glasses
US4786352A (en) * 1986-09-12 1988-11-22 Benzing Technologies, Inc. Apparatus for in-situ chamber cleaning
JPS6263475A (ja) 1986-09-27 1987-03-20 Shunpei Yamazaki 半導体装置
JPS63156325A (ja) 1986-12-19 1988-06-29 Fujitsu Ltd 薄膜の製造方法および製造装置
US4951601A (en) * 1986-12-19 1990-08-28 Applied Materials, Inc. Multi-chamber integrated process system
JPH0680685B2 (ja) 1986-12-29 1994-10-12 日本電気株式会社 薄膜トランジスタとその製造方法
JPS63168021A (ja) 1986-12-29 1988-07-12 Nec Corp 多結晶ＳｉＧｅ薄膜
JPS63221610A (ja) 1987-03-11 1988-09-14 Hitachi Ltd 薄膜半導体装置の製造方法
US4785962A (en) * 1987-04-20 1988-11-22 Applied Materials, Inc. Vacuum chamber slit valve
DE3717727A1 (de) 1987-05-26 1988-12-08 Licentia Gmbh Elektrofotografisches aufzeichnungsmaterial und verfahren zu seiner herstellung
JPS6412409A (en) * 1987-07-06 1989-01-17 Sumitomo Electric Industries Cross-linked polyethylene-insulated power cable having stainless steel sheath
JPS6412909A (en) 1987-07-07 1989-01-17 Nippon Denso Co Air conditioner for automobile
US5248630A (en) * 1987-07-27 1993-09-28 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Thin film silicon semiconductor device and process for producing thereof
JPH07114184B2 (ja) 1987-07-27 1995-12-06 日本電信電話株式会社 薄膜形シリコン半導体装置およびその製造方法
JPS6431967A (en) 1987-07-27 1989-02-02 Tokio Nakada Manufacture of thin film
JPS6431466A (en) * 1987-07-27 1989-02-01 Nippon Telegraph & Telephone Forming method for silicon thin film for thin film transistor
JPS6435959A (en) 1987-07-30 1989-02-07 Ricoh Kk Thin film transistor
JPS6431466U (ko) 1987-08-19 1989-02-27
JPS6431967U (ko) 1987-08-21 1989-02-28
JPS6435959U (ko) 1987-08-31 1989-03-03
US5166085A (en) * 1987-09-09 1992-11-24 Casio Computer Co., Ltd. Method of manufacturing a thin film transistor
JPS6447076U (ko) 1987-09-16 1989-03-23
JPS6480639A (en) * 1987-09-21 1989-03-27 Takenaka Komuten Co Structure of post-beam joining section of steel-pipe concrete post
JPH01179365A (ja) 1987-12-29 1989-07-17 Canon Inc 電界効果トランジスタ
JPH01184928A (ja) 1988-01-20 1989-07-24 Toshiba Corp 薄膜形成方法
JP2626782B2 (ja) 1988-01-29 1997-07-02 アネルバ株式会社 真空処理装置
JPH01209764A (ja) 1988-02-18 1989-08-23 Stanley Electric Co Ltd 薄膜トランジスタとその製法
JPH01217421A (ja) 1988-02-26 1989-08-31 Seikosha Co Ltd 非晶質シリコン薄膜トランジスタアレイ基板およびその製造方法
JPH0228322A (ja) 1988-04-28 1990-01-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体基板の前処理方法
US4988642A (en) * 1988-05-25 1991-01-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method, and system
JP2909744B2 (ja) * 1988-06-09 1999-06-23 日新製鋼株式会社 微粉末を被覆する方法と装置
JP2501118B2 (ja) 1988-06-17 1996-05-29 忠弘 大見 半導体装置の製造方法
JP3055782B2 (ja) 1988-09-19 2000-06-26 セイコーエプソン株式会社 薄膜トランジスタの製造方
JPH0290568A (ja) 1988-09-28 1990-03-30 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 薄膜トランジスタの製造方法
GB2223353A (en) 1988-09-30 1990-04-04 Philips Electronic Associated Thin-film transistor
US4996077A (en) 1988-10-07 1991-02-26 Texas Instruments Incorporated Distributed ECR remote plasma processing and apparatus
JPH02130932A (ja) 1988-11-11 1990-05-18 Fuji Xerox Co Ltd ポリシリコン薄膜トランジスタ
JPH01157520A (ja) 1988-11-18 1989-06-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd プラズマ気相反応方法
US5108843A (en) * 1988-11-30 1992-04-28 Ricoh Company, Ltd. Thin film semiconductor and process for producing the same
JP2592511B2 (ja) 1988-12-03 1997-03-19 株式会社フレンドテック研究所 縦型半導体製造システム
JP2734587B2 (ja) 1988-12-28 1998-03-30 ソニー株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
JPH02194620A (ja) 1989-01-24 1990-08-01 Seiko Epson Corp 半導体薄膜の結晶成長方法
JPH02222547A (ja) 1989-02-23 1990-09-05 Nec Corp Ｍｏｓ型電界効果トランジスタの製造方法
JP3122995B2 (ja) 1989-02-27 2001-01-09 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JPH02239615A (ja) 1989-03-13 1990-09-21 Nec Corp シリコン膜形成装置
US5278093A (en) * 1989-09-23 1994-01-11 Canon Kabushiki Kaisha Method for forming semiconductor thin film
JP2938121B2 (ja) * 1990-03-30 1999-08-23 株式会社東芝 薄膜半導体装置の製造方法
JP2796175B2 (ja) 1990-06-05 1998-09-10 松下電器産業株式会社 薄膜トランジスターの製造方法
US5210050A (en) * 1990-10-15 1993-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device comprising a semiconductor film
US5420048A (en) 1991-01-09 1995-05-30 Canon Kabushiki Kaisha Manufacturing method for SOI-type thin film transistor
US7097716B2 (en) * 2002-10-17 2006-08-29 Applied Materials, Inc. Method for performing fluorocarbon chamber cleaning to eliminate fluorine memory effect

Also Published As

Publication number Publication date
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