JPS5826052A - アルカリ拡散防止酸化ケイ素膜付ガラス体 - Google Patents
アルカリ拡散防止酸化ケイ素膜付ガラス体Info
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- JPS5826052A JPS5826052A JP56122421A JP12242181A JPS5826052A JP S5826052 A JPS5826052 A JP S5826052A JP 56122421 A JP56122421 A JP 56122421A JP 12242181 A JP12242181 A JP 12242181A JP S5826052 A JPS5826052 A JP S5826052A
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
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- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
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- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
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- G02F1/133337—Layers preventing ion diffusion, e.g. by ion absorption
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発ｌｊｌは、アルカリ含有ガラスのガラス下地からア
ルカリイオン拡散するのを防ぐアルカダ拡散防止シシ力
膜付ガラス体の改爽に関するｔＯである。
ルカリイオン拡散するのを防ぐアルカダ拡散防止シシ力
膜付ガラス体の改爽に関するｔＯである。
透明材料としてのガラス板は、化学的に安定で表Ｗ＊度
に優れ、かつ５Ｑロ℃〜７１１０℃程ｆまでの高温に耐
え、更に電気絶縁性、光学的性質が優れているため、建
築用、車輛用、航空機用ｏｒｔｘｔ−ｔｔツス材料とし
ては勿論の仁と、光学部品、電気部品電子部品等に用い
られている・特に、最近ではガラス板面に電導性被ａｔ
彫威した電導性ガラス板が液晶素子、エレクトークはミ
ッタ素子、電場発光素子などの表示素子中アモルファス
太陽電池基板等に用いられている。
に優れ、かつ５Ｑロ℃〜７１１０℃程ｆまでの高温に耐
え、更に電気絶縁性、光学的性質が優れているため、建
築用、車輛用、航空機用ｏｒｔｘｔ−ｔｔツス材料とし
ては勿論の仁と、光学部品、電気部品電子部品等に用い
られている・特に、最近ではガラス板面に電導性被ａｔ
彫威した電導性ガラス板が液晶素子、エレクトークはミ
ッタ素子、電場発光素子などの表示素子中アモルファス
太陽電池基板等に用いられている。
これら電導性ガラス板のガラス基板としては、最も汎用
され、価格的にも安価なソーダライムシリカガラス板が
使用される傾向があるが、こＯソーダライムシリカガラ
ス板は組成的に１０〜２０ ｗｔ−程度Ｏナトリクム、
カリク五等Ｏアルカリ成分を含んでいるため、長期間の
使用によ）ガラス下地からの表面へのアルカリイオンＯ
拡散によるコーティングされた電導膜の性能劣化を起す
という欠点が生ずる。例えば、電導性ガラスＩ［０電導
膜に白濁が生じ７２：夛透明度が低下したり、あるいは
電導膜Ｏ１１に抗値が増大したｐ１化学的物理的耐久性
が低下したりする。
され、価格的にも安価なソーダライムシリカガラス板が
使用される傾向があるが、こＯソーダライムシリカガラ
ス板は組成的に１０〜２０ ｗｔ−程度Ｏナトリクム、
カリク五等Ｏアルカリ成分を含んでいるため、長期間の
使用によ）ガラス下地からの表面へのアルカリイオンＯ
拡散によるコーティングされた電導膜の性能劣化を起す
という欠点が生ずる。例えば、電導性ガラスＩ［０電導
膜に白濁が生じ７２：夛透明度が低下したり、あるいは
電導膜Ｏ１１に抗値が増大したｐ１化学的物理的耐久性
が低下したりする。
すなわち、液晶表示素子では、ガラスから拡散してＩた
アル★すにより表示電極表面で醸化還元反応が起夛透明
電極材料である酸化インジウムＩＩ（１τ０膜）、また
は酸化錫膜（ネナ膜）を変質させ、更には原品自体も電
気分解’ｔｊｌＬで劣化する。エレクトロターミッタ素
子でも同様な理由で電極が損耗しエレクトロタロ建ツク
材料である酸化タングステン中醸化モリブデンＯ電触ヤ
変質の原因と＆）素子を劣化させゐＯｔ尺電場発光素子
Ｏ場合にも拡散によってｊラス表面から出てき友アルカ
リは電導膜【貫通して螢光体材料に入）こみ発光効率中
実光色までも変化させる０更にアモルファス太陽電池Ｏ
場七ルファスシリ；ン中に拡散して変換効率を低下させ
ゐ恐れがあるとされている。
アル★すにより表示電極表面で醸化還元反応が起夛透明
電極材料である酸化インジウムＩＩ（１τ０膜）、また
は酸化錫膜（ネナ膜）を変質させ、更には原品自体も電
気分解’ｔｊｌＬで劣化する。エレクトロターミッタ素
子でも同様な理由で電極が損耗しエレクトロタロ建ツク
材料である酸化タングステン中醸化モリブデンＯ電触ヤ
変質の原因と＆）素子を劣化させゐＯｔ尺電場発光素子
Ｏ場合にも拡散によってｊラス表面から出てき友アルカ
リは電導膜【貫通して螢光体材料に入）こみ発光効率中
実光色までも変化させる０更にアモルファス太陽電池Ｏ
場七ルファスシリ；ン中に拡散して変換効率を低下させ
ゐ恐れがあるとされている。
ある％Ａｔｌ又、ソーダライムシリカガラスの様なアル
カリ含有ガラスは、高温処理時にアルカ亨イオンが移動
しやすくなる傾向があり、電導性ガラス、ある％Ａは各
種コートガラスの製造時Ｏ高温処理時のアルカリイオン
の拡散によシ、電導膜、あるｉは各種コート膜の性能が
低下するという欠点も生じる。
カリ含有ガラスは、高温処理時にアルカ亨イオンが移動
しやすくなる傾向があり、電導性ガラス、ある％Ａは各
種コートガラスの製造時Ｏ高温処理時のアルカリイオン
の拡散によシ、電導膜、あるｉは各種コート膜の性能が
低下するという欠点も生じる。
普通１［ガラスのこれらの欠点管補なうために従来３通
シの解決法が用意されている０ひとりはアルカリ拡散が
問題にならないような艇底の坂ガラス、例えばシリカガ
ラス、高シリカガラス（パイコール）、無アルカリのア
ルｔｏシリケートガラス（ｏｅｖφ７０５！など）、低
アルカリの１ｍシリケート（パイレツタスなど）を用い
る方法であるｏしかしながらこれらＯガラスに高価であ
夛、また常に容易に入手しうるものでなく、を穴表間平
滑性の点でも劣るために表両を再研摩した）する必要が
ある０実際極端な場合には薄い１１ＬｉＩツスＯ形で入
手するととが困難′＆ために数々す厚のガラスｔＷ４シ
、研摩して１ｍＯ＠ガラス【得るという事も行なわれて
いる。これは材料資源及びエネルギーの節約の点から誠
に好ましからざる事態である。
シの解決法が用意されている０ひとりはアルカリ拡散が
問題にならないような艇底の坂ガラス、例えばシリカガ
ラス、高シリカガラス（パイコール）、無アルカリのア
ルｔｏシリケートガラス（ｏｅｖφ７０５！など）、低
アルカリの１ｍシリケート（パイレツタスなど）を用い
る方法であるｏしかしながらこれらＯガラスに高価であ
夛、また常に容易に入手しうるものでなく、を穴表間平
滑性の点でも劣るために表両を再研摩した）する必要が
ある０実際極端な場合には薄い１１ＬｉＩツスＯ形で入
手するととが困難′＆ために数々す厚のガラスｔＷ４シ
、研摩して１ｍＯ＠ガラス【得るという事も行なわれて
いる。これは材料資源及びエネルギーの節約の点から誠
に好ましからざる事態である。
！番ＨＯｓ決法はソーダーライムシリカガラス表面層か
らアルカリ成分ｔＴｏもかしめ除去な−し減少させる方
法で高温で硫黄粉と接触させる方法中真空中で易・・℃
以上Ｏ高温にして直流電界管かけて夏ａ イオンｆ１テ
０（ネナ）コード爾と反対側に掃き寄せる方法更に塩駿
中硫黄などＯＩＩ中て黴る方法などが提鳴されている・
ζｏ７Ｆ法は時間がかかる事と再現性に充分てない点が
ＴｏることでＴｏｈｏ ＳＩＩ目の解決法は通常のツーダンライムシリカ１２１
表ＩＮＫ何らかのアルカリ拡散を阻止する薄膜ｔ９＃賦
する方法であシ、シリカ膜が一般ＫＭ−もれている・酸
化ケイ素ＩＦＣ例えば８１０嘗膜）ｔアルカリ拡散防止
に用ｉる理由は膜がアモルファスで、この上に別の薄膜
たとえば電導膜など【形成する場合、実質的にガラス上
に形成したと同じ膜會形戊できることと酸化ケイ素膜Ｏ
Ｊ！Ｉ折率がガラスよｐ％着干低いがガラスに近く、を
九通常板ガラスよりも広い範囲の光に対して、透明であ
るためにガラスＯ透明性が損われ１に−ことによる。以
上にＯべた酸化ケイ素膜は広義でｓｌ）、詳しくは純粋
な酸化ケイ素膜の場合と適！ｌ奄不純物を混入した酸化
ケイ嵩膜例えば硼素や燐を微量添加してアルカリイオン
Ｏ拡散の阻止能力管高めた酸化ケイ素膜がある〇この様
なアルカリ拡散防止酸化ケイ素膜を形成する方法として
は膜【数置化してアルカリ阻止能を高めることができる
様にできるだけ高真空下にシーでスパッター法、真空蒸
着法、ｏｗｎ法あるいはイオンブレーティング法によ夕
純粋なｇｔｏｘ（（１＜ ｘ≦り等ＯＩＩ！化ケイ素膜
を形成する方法、ゾル／ゲル法によ〕同上の＃４粋ｅｔ
ａ化ケイ素膜を形成する方法、あるーは、硼素中燐の添
加物Ｏ混入が容易なゾル／グル法により硼素會有醸化ケ
イ素膜中燐含有険化ケイ素膜管形成する方法などが代表
的な方法として挙げられるＯ ζａｍに各種方決によや形成されるアルカリ拡散陳止陵
化ケイ素膜は、それでれ効果ｏ’ａ度の違−こそあれ、
ある１度アルカ！拡散阻止効果がＴｏｈが、Ｖ％壇だ充
分ではなく、叉製迄方法、製造条件等によ）性能が大き
く異ｔＪｓという欠点管有していた。
らアルカリ成分ｔＴｏもかしめ除去な−し減少させる方
法で高温で硫黄粉と接触させる方法中真空中で易・・℃
以上Ｏ高温にして直流電界管かけて夏ａ イオンｆ１テ
０（ネナ）コード爾と反対側に掃き寄せる方法更に塩駿
中硫黄などＯＩＩ中て黴る方法などが提鳴されている・
ζｏ７Ｆ法は時間がかかる事と再現性に充分てない点が
ＴｏることでＴｏｈｏ ＳＩＩ目の解決法は通常のツーダンライムシリカ１２１
表ＩＮＫ何らかのアルカリ拡散を阻止する薄膜ｔ９＃賦
する方法であシ、シリカ膜が一般ＫＭ−もれている・酸
化ケイ素ＩＦＣ例えば８１０嘗膜）ｔアルカリ拡散防止
に用ｉる理由は膜がアモルファスで、この上に別の薄膜
たとえば電導膜など【形成する場合、実質的にガラス上
に形成したと同じ膜會形戊できることと酸化ケイ素膜Ｏ
Ｊ！Ｉ折率がガラスよｐ％着干低いがガラスに近く、を
九通常板ガラスよりも広い範囲の光に対して、透明であ
るためにガラスＯ透明性が損われ１に−ことによる。以
上にＯべた酸化ケイ素膜は広義でｓｌ）、詳しくは純粋
な酸化ケイ素膜の場合と適！ｌ奄不純物を混入した酸化
ケイ嵩膜例えば硼素や燐を微量添加してアルカリイオン
Ｏ拡散の阻止能力管高めた酸化ケイ素膜がある〇この様
なアルカリ拡散防止酸化ケイ素膜を形成する方法として
は膜【数置化してアルカリ阻止能を高めることができる
様にできるだけ高真空下にシーでスパッター法、真空蒸
着法、ｏｗｎ法あるいはイオンブレーティング法によ夕
純粋なｇｔｏｘ（（１＜ ｘ≦り等ＯＩＩ！化ケイ素膜
を形成する方法、ゾル／ゲル法によ〕同上の＃４粋ｅｔ
ａ化ケイ素膜を形成する方法、あるーは、硼素中燐の添
加物Ｏ混入が容易なゾル／グル法により硼素會有醸化ケ
イ素膜中燐含有険化ケイ素膜管形成する方法などが代表
的な方法として挙げられるＯ ζａｍに各種方決によや形成されるアルカリ拡散陳止陵
化ケイ素膜は、それでれ効果ｏ’ａ度の違−こそあれ、
ある１度アルカ！拡散阻止効果がＴｏｈが、Ｖ％壇だ充
分ではなく、叉製迄方法、製造条件等によ）性能が大き
く異ｔＪｓという欠点管有していた。
本発明者らは、上記した様に従来０アルｉ１９拡散鎗止
酸化ケイ素膜における諸欠点、例えばアルカリ拡散防止
酸化ケイ素ｍ彫成時の製造条件制御、組成制御、原料調
整等０ＩＩＩ造上Ｏ制約が厳し−と−う火点がなく、か
つ従来のアシカ亨拡散防止駿化ケイ素膜よ〕ｔアルカリ
拡散防止効果が高−アルｉＩ９拡散防止欧化ケイ素膜に
クーて検討Ｏ結果、酸化ケイ素膜中にシラコン（Ｉｉ）
管結合した水素食含有させるととによ）、即ち、酸
化ケイ素膜中の−ｏ−ｓｌ−ｏ−結合の一部（−ｇｌ−
ｘ結合ｔ％＊−１為ことによシ、従来にシーで優れたア
ルカリ拡散阻止作用を有する％０として知られた燐中硼
素を含む酸化ケイ素膜よりも更にガラス中Ｏアルカ９の
拡散を抑制できることを見出し、本発明として提案する
に到りたものである。
酸化ケイ素膜における諸欠点、例えばアルカリ拡散防止
酸化ケイ素ｍ彫成時の製造条件制御、組成制御、原料調
整等０ＩＩＩ造上Ｏ制約が厳し−と−う火点がなく、か
つ従来のアシカ亨拡散防止駿化ケイ素膜よ〕ｔアルカリ
拡散防止効果が高−アルｉＩ９拡散防止欧化ケイ素膜に
クーて検討Ｏ結果、酸化ケイ素膜中にシラコン（Ｉｉ）
管結合した水素食含有させるととによ）、即ち、酸
化ケイ素膜中の−ｏ−ｓｌ−ｏ−結合の一部（−ｇｌ−
ｘ結合ｔ％＊−１為ことによシ、従来にシーで優れたア
ルカリ拡散阻止作用を有する％０として知られた燐中硼
素を含む酸化ケイ素膜よりも更にガラス中Ｏアルカ９の
拡散を抑制できることを見出し、本発明として提案する
に到りたものである。
即ち、本発明は、アルカリ含有のガラスの表面に、該ガ
ラスからのアルカリ拡散を抑制するアルカリ拡散防止識
化ケイ素膜ｔＳ成したガラスＫか−で、上記アルカリ拡
散防止酸化ケイ素膜がシ９：２ンと結合した水素管含有
することを特徴とするアルカリ拡散紡止酸化ケイ素膜付
ｊツス体に関する％０″１＠ある・ 本発明Ｏアルカリ拡散防止酸化ケイ素膜によ）ガラスか
らのアルカリ拡散阻止能が増大する理由は明確ては１！
に−が、酸化ケイ素膜中〇−ｏ−ｍｓ−ｏ−結合ＯＩＩ
Ｋ−！Ｉｔ−ｉ結合ｔ％タセルことによ）酸化ケイ素
膜０４１１１構造が数置化した）構造欠陥がなくなった
）する効果、１び末端ＯＮが正に帯電してＩａ＋中ＩＣ
＋ ｏアルカリイオンの移動を妨害する効果等によ）、
ガラス内部からその表面に被覆され尺被膜材料との間の
濃度差あるいは電気的な誘因によりアルカリイオンがガ
ラス表面に浸出するのを防止するためと考えられる。
ラスからのアルカリ拡散を抑制するアルカリ拡散防止識
化ケイ素膜ｔＳ成したガラスＫか−で、上記アルカリ拡
散防止酸化ケイ素膜がシ９：２ンと結合した水素管含有
することを特徴とするアルカリ拡散紡止酸化ケイ素膜付
ｊツス体に関する％０″１＠ある・ 本発明Ｏアルカリ拡散防止酸化ケイ素膜によ）ガラスか
らのアルカリ拡散阻止能が増大する理由は明確ては１！
に−が、酸化ケイ素膜中〇−ｏ−ｍｓ−ｏ−結合ＯＩＩ
Ｋ−！Ｉｔ−ｉ結合ｔ％タセルことによ）酸化ケイ素
膜０４１１１構造が数置化した）構造欠陥がなくなった
）する効果、１び末端ＯＮが正に帯電してＩａ＋中ＩＣ
＋ ｏアルカリイオンの移動を妨害する効果等によ）、
ガラス内部からその表面に被覆され尺被膜材料との間の
濃度差あるいは電気的な誘因によりアルカリイオンがガ
ラス表面に浸出するのを防止するためと考えられる。
本発明において、アルカリ拡散防止酸化ケイ素膜中ＯＶ
９コンとＯ結合にあずかる水素の含有量は、ａ・１嘔〜
２ｓ嘔ＯＳｍが好ましく、更に好ましくは１１憾〜２２
嘔が最適である◎かかる１１−冨結合の存在は、例えば
赤外分光渋によ）確認できる０ζ０検出法を利用してア
ルカリ拡散量とＯ関係を調べた結果、上記した様ＫＩＯ
Ｉ嘔〜２５優の水素含有量で優れたアル倉！阻止能力が
ｓ１為ことが判明した。水素含有量がＺＳ＠を館えると
、アルカ！拡散防止駿化ケイ素膜ＯＩＩ度が低下し、膜
に傷が付き中すくなったりして好ｔｔ、＜な−◎例えば
、表示用素子Ｏ′１ａＩＩｌ！電極１［Ｋ”アル：ＪＦ
９拡散防止酸化ケイ素膜を適用した場合には、膜０硬度
ｏ１に下０ため、製造ｌ１での取扱ｖｈｅ容易さの点で
問題と１ｋ）好ＩＬ、＜なＶｈ ｏ Ｘ（Ｌ・１−よ夕
少なｉと、アルカリ拡散防止能力がＩｉまってくゐ０で
好１１．＜ない◎ なお、酸化ケイ素膜中Ｋｔ！、シ！］ンと結合した水素
ＯｆｔかにＩＩ、 ０形て含まれる水素が存在する場
合もあるが、本発明の酸化ケイ素膜中の水素書有事は、
シ９′：１ンと結合した水素、即ちａｌ−Ｘ結合に＆つ
ている水素の含有率を表わす％Ｏ？ある。
９コンとＯ結合にあずかる水素の含有量は、ａ・１嘔〜
２ｓ嘔ＯＳｍが好ましく、更に好ましくは１１憾〜２２
嘔が最適である◎かかる１１−冨結合の存在は、例えば
赤外分光渋によ）確認できる０ζ０検出法を利用してア
ルカリ拡散量とＯ関係を調べた結果、上記した様ＫＩＯ
Ｉ嘔〜２５優の水素含有量で優れたアル倉！阻止能力が
ｓ１為ことが判明した。水素含有量がＺＳ＠を館えると
、アルカ！拡散防止駿化ケイ素膜ＯＩＩ度が低下し、膜
に傷が付き中すくなったりして好ｔｔ、＜な−◎例えば
、表示用素子Ｏ′１ａＩＩｌ！電極１［Ｋ”アル：ＪＦ
９拡散防止酸化ケイ素膜を適用した場合には、膜０硬度
ｏ１に下０ため、製造ｌ１での取扱ｖｈｅ容易さの点で
問題と１ｋ）好ＩＬ、＜なＶｈ ｏ Ｘ（Ｌ・１−よ夕
少なｉと、アルカリ拡散防止能力がＩｉまってくゐ０で
好１１．＜ない◎ なお、酸化ケイ素膜中Ｋｔ！、シ！］ンと結合した水素
ＯｆｔかにＩＩ、 ０形て含まれる水素が存在する場
合もあるが、本発明の酸化ケイ素膜中の水素書有事は、
シ９′：１ンと結合した水素、即ちａｌ−Ｘ結合に＆つ
ている水素の含有率を表わす％Ｏ？ある。
本発明Ｏアル★！拡散肪止駿化ケイ素膜０膜厚は、充分
なアルカリ拡散阻止能が発揮される様に、ｓｏｉ以上と
するのが好ましい・中で一１ｏ・ム〜５・ｏ ｏ Ｘｔ
ｖｆｌＡＨが最も実用的であるＯ 叉、本実−のアルカリ拡散防止酸化ケイ素膜！適用でき
るガラスとしては、最も汎用されて−ゐ夏ａ ＋Ｋ１１
０〜２・ｖｔチ含むソーダライムシリカ・ガラスは勿論
、そ０他各種アルー１ＩＷ含有ガラスが挙けられる。
なアルカリ拡散阻止能が発揮される様に、ｓｏｉ以上と
するのが好ましい・中で一１ｏ・ム〜５・ｏ ｏ Ｘｔ
ｖｆｌＡＨが最も実用的であるＯ 叉、本実−のアルカリ拡散防止酸化ケイ素膜！適用でき
るガラスとしては、最も汎用されて−ゐ夏ａ ＋Ｋ１１
０〜２・ｖｔチ含むソーダライムシリカ・ガラスは勿論
、そ０他各種アルー１ＩＷ含有ガラスが挙けられる。
叉、本実−Ｏアルカ９鉱散費止酸化ケイ嵩膜の形成方法
としては、真空蒸着法、スパッタ−法、イ倉ングレーテ
イ／グ法等ＱＰＴ’Ｄ法、（ＩＴＤ決、減圧０マＤ法、
ゾル／グル法Ｏｆｆか、各種被膜形成機が使用てきる。
としては、真空蒸着法、スパッタ−法、イ倉ングレーテ
イ／グ法等ＱＰＴ’Ｄ法、（ＩＴＤ決、減圧０マＤ法、
ゾル／グル法Ｏｆｆか、各種被膜形成機が使用てきる。
なお、ＦＶＩ）法の場合には、蒸着源、ターゲラ）Ｋ８
１０ｍＴｈ使って被着する方法Ｏ他に１１１ 又は８
１Ｑ【蒸着源、ターゲットに使って反応性蒸着又は反応
性スパッターして被着する方法などが採用される・水素
管酸化ケイ素被膜中に導入させる方法としては、真空蒸
着法、スパッター法、イオングレーテインダ法など□
ｙｖｎ法にシーては、真空槽の中に水素ブス又は水嵩化
合物ｊＸｔ導入して被膜形成時に！１ｉ−Ｈ結合ができ
る様にする方法、又、０″Ｙｌ）法においてはＩＩ、
ガツヌは水素化合物ガスと酸化ケイ素を生成するケイ
素化合物ガスとを接触させて廖１４ 結合ができる様に
する方法が代表的な方法として挙げられ：ｂが、これら
Ｏほかに、酸化ケイ１ｌｉＩＩｘｋ形成後水素算−気中
で熱処理する方法とか、酸化ケイ紫膜を形成後水素イオ
ン會イオン打込与によって導入する方法などが挙げられ
る０ 本発明のアルカリ拡散防止酸化ケイ素Ｍは、従来の添加
物を添加したアルカリ鉱散紡止酸化ケイ票膜０１１に添
加物を固形成分０形で含んでいるので杜なく、アモルフ
ァス状態でＴｏヤ、かつ七〇三次元網目構造Ｏ−Ｓに８
１−１１１ 結合を會゛ませである点に＞いて、従来Ｏ
アルカリ拡散費止膜と＃ｉＪ％なる。従って、本実Ｉｊ
Ｉのアルカリ拡散酸化ケイ素膜は、固形Ｏ添加物を會ま
な％Ａ＊。
１０ｍＴｈ使って被着する方法Ｏ他に１１１ 又は８
１Ｑ【蒸着源、ターゲットに使って反応性蒸着又は反応
性スパッターして被着する方法などが採用される・水素
管酸化ケイ素被膜中に導入させる方法としては、真空蒸
着法、スパッター法、イオングレーテインダ法など□
ｙｖｎ法にシーては、真空槽の中に水素ブス又は水嵩化
合物ｊＸｔ導入して被膜形成時に！１ｉ−Ｈ結合ができ
る様にする方法、又、０″Ｙｌ）法においてはＩＩ、
ガツヌは水素化合物ガスと酸化ケイ素を生成するケイ
素化合物ガスとを接触させて廖１４ 結合ができる様に
する方法が代表的な方法として挙げられ：ｂが、これら
Ｏほかに、酸化ケイ１ｌｉＩＩｘｋ形成後水素算−気中
で熱処理する方法とか、酸化ケイ紫膜を形成後水素イオ
ン會イオン打込与によって導入する方法などが挙げられ
る０ 本発明のアルカリ拡散防止酸化ケイ素Ｍは、従来の添加
物を添加したアルカリ鉱散紡止酸化ケイ票膜０１１に添
加物を固形成分０形で含んでいるので杜なく、アモルフ
ァス状態でＴｏヤ、かつ七〇三次元網目構造Ｏ−Ｓに８
１−１１１ 結合を會゛ませである点に＞いて、従来Ｏ
アルカリ拡散費止膜と＃ｉＪ％なる。従って、本実Ｉｊ
Ｉのアルカリ拡散酸化ケイ素膜は、固形Ｏ添加物を會ま
な％Ａ＊。
めに、原料調整段階でＯ作業が容易でｈ）、又、Ｈ形成
作業でも真空蒸着０場合に起夛易い公賓中、スパッタリ
ングてＯ添加成分０逸散など０心配がなく、膜形成０作
業が容１となる。
作業でも真空蒸着０場合に起夛易い公賓中、スパッタリ
ングてＯ添加成分０逸散など０心配がなく、膜形成０作
業が容１となる。
次に、本発明Ｏ実施例について説明する＠実施例１ ′
１９ａ＋Ｘ １ ＠ａｗＸ Ｓ■ｔ）７ｋｐす成分−０
（ｘ：夏ａ、Ｋ）ｌ輸５慢含む普通ｊツヌＩｊ（ソーダ
・ツイムシＩ７オダラスＥ［）ＩｆＩｅ剤で充分に洗浄
し、水洗乾燥した０この−ＪＩラス板を真空蒸着装置の
真空筒内に配置してｐｑｗ内ＹｔＩＸ１１−１ｔｏｒｒ
！で排気したのち、１ｓ嘔０水素ガスを含むアルゴン
ガスを導入して２ Ｘ Ｉ Ｉ” ｔｏｒｒとし、高周
波電磁界（周波数１五５４ ＭＸｍ ） ｆかけて導入
貞スをイオン化する一方、蒸着源（１Ｏｓ ８京）を電
子ビー＾加熱法により加熱して約１＠１／秒Ｏ蒸着速度
て高周波イオンブレーティング機によシ約１ｅｅ・Ｌ
ｏ ａｉｏｌ 膜１ｍ賦した。次−で、上記真空槽内に
乾燥空気會パリアブ＃リークバルブから導入して、ｓｘ
ｌ ｍ−” ｔｏｒｒ と−した後、酸化アンチモン
Ｏ添加された酸化−を蒸着源として畳通Ｏ真空蒸着法に
よ）約！・・・ムＯＳｍｏｇ 電導膜を形成した〇な
お、１１０ｇ 膜とａ鳳０１ 膜０形成時０蒸着源
とｊラス基＊＊０距離社４・副とし、基板温度は室温と
し罠。
（ｘ：夏ａ、Ｋ）ｌ輸５慢含む普通ｊツヌＩｊ（ソーダ
・ツイムシＩ７オダラスＥ［）ＩｆＩｅ剤で充分に洗浄
し、水洗乾燥した０この−ＪＩラス板を真空蒸着装置の
真空筒内に配置してｐｑｗ内ＹｔＩＸ１１−１ｔｏｒｒ
！で排気したのち、１ｓ嘔０水素ガスを含むアルゴン
ガスを導入して２ Ｘ Ｉ Ｉ” ｔｏｒｒとし、高周
波電磁界（周波数１五５４ ＭＸｍ ） ｆかけて導入
貞スをイオン化する一方、蒸着源（１Ｏｓ ８京）を電
子ビー＾加熱法により加熱して約１＠１／秒Ｏ蒸着速度
て高周波イオンブレーティング機によシ約１ｅｅ・Ｌ
ｏ ａｉｏｌ 膜１ｍ賦した。次−で、上記真空槽内に
乾燥空気會パリアブ＃リークバルブから導入して、ｓｘ
ｌ ｍ−” ｔｏｒｒ と−した後、酸化アンチモン
Ｏ添加された酸化−を蒸着源として畳通Ｏ真空蒸着法に
よ）約！・・・ムＯＳｍｏｇ 電導膜を形成した〇な
お、１１０ｇ 膜とａ鳳０１ 膜０形成時０蒸着源
とｊラス基＊＊０距離社４・副とし、基板温度は室温と
し罠。
と０６にして得られたチングル１０水素含有率及びアル
ｉＩ９拡散履止能を露１表に示す。
ｉＩ９拡散履止能を露１表に示す。
実施例！
実施例１と同様Ｏガラスミｔ洗剤で充分に洗浄し、水洗
乾燥した◎こａｙラス坂１ｘｙｚ極スパッター懺置の真
空槽内に配置して岡榔内【１ Ｘ １９−１ｔｏｒｒ
ｉで排気した後１５１１０水素ガヌを會むアルゴンガス
を導入してＳ Ｘ １０”ｔ６ｒＦ とし、ｌＩＩ！
融石英ターダットを用いてＲシ２極スパッター法で約１
０９０ムＯｇｉｏ、 膜ｔ−膜形成た。次に日Ｌｏｇ
膜Ｏ形成されたガラス基板ｔＸ空蒸着装置に移し、
この真空槽内ｔｉ×１針’ ｔｏｒｒ とした後欧化
アンチ峰ンＯ添加され尺駿化錫會蒸着源として昔通の真
空蒸着法によ）約１・ＯＳムの８！ｌｏｇ 電導１ｉｃ
ｅ形成し７ｔｅなお、スパッタリング時Ｏカラス基板温
度は約ｓｏＯ℃とし、蒸着時のｌラス基板Ｉｌｆは室温
とした◇ この様にして得られたサンプル！の水素含有率及びアル
カ亨拡散阻止能ｔ１１１表に示す＠実施例５ 実施ｌｉｔと同様のガラス板を洗剤で充分に洗浄し、水
洗１！燥した０こＯｌガラス板ｌシ！！ネト冒ｙスパッ
ター装Ｒｏ真？！槽内に配置して同箸内ｔＩ Ｘ １０
−＠ｔｏｒｒ まで排気した後１５−〇水素賃スを含む
アルゴンガス管導入して５ｘ １１＝ ｔｏｒｒ と
し、熔融石英ターゲット愛用−でＩｆｆ Ｙダネトロン
スパツター法で約ｔｏｏｏｉ（） １ｉｏｎ ＩＩ
を形成し九〇次に一１０禽 膜Ｏ形成されたガラス基板
を真空蒸着装置に移し、ζＯ真真空円内１１Ｘ１＠’″
’ｔ６ｒｒ とした後酸化アンチ毫ンｏｉｓｍされた
酸化錫ｔ１に着源として蒸通Ｏ真空蒸着渋によ）約２
ＩＩ ００ ＸＯＩｍｐ、 電導膜ｔｙ＃成したａｔ
訃、スパッタリング時Ｏガラス基板温度は約１・・でと
し、蒸着時Ｏガフス基Ｉ［１１度は室温とした。
乾燥した◎こａｙラス坂１ｘｙｚ極スパッター懺置の真
空槽内に配置して岡榔内【１ Ｘ １９−１ｔｏｒｒ
ｉで排気した後１５１１０水素ガヌを會むアルゴンガス
を導入してＳ Ｘ １０”ｔ６ｒＦ とし、ｌＩＩ！
融石英ターダットを用いてＲシ２極スパッター法で約１
０９０ムＯｇｉｏ、 膜ｔ−膜形成た。次に日Ｌｏｇ
膜Ｏ形成されたガラス基板ｔＸ空蒸着装置に移し、
この真空槽内ｔｉ×１針’ ｔｏｒｒ とした後欧化
アンチ峰ンＯ添加され尺駿化錫會蒸着源として昔通の真
空蒸着法によ）約１・ＯＳムの８！ｌｏｇ 電導１ｉｃ
ｅ形成し７ｔｅなお、スパッタリング時Ｏカラス基板温
度は約ｓｏＯ℃とし、蒸着時のｌラス基板Ｉｌｆは室温
とした◇ この様にして得られたサンプル！の水素含有率及びアル
カ亨拡散阻止能ｔ１１１表に示す＠実施例５ 実施ｌｉｔと同様のガラス板を洗剤で充分に洗浄し、水
洗１！燥した０こＯｌガラス板ｌシ！！ネト冒ｙスパッ
ター装Ｒｏ真？！槽内に配置して同箸内ｔＩ Ｘ １０
−＠ｔｏｒｒ まで排気した後１５−〇水素賃スを含む
アルゴンガス管導入して５ｘ １１＝ ｔｏｒｒ と
し、熔融石英ターゲット愛用−でＩｆｆ Ｙダネトロン
スパツター法で約ｔｏｏｏｉ（） １ｉｏｎ ＩＩ
を形成し九〇次に一１０禽 膜Ｏ形成されたガラス基板
を真空蒸着装置に移し、ζＯ真真空円内１１Ｘ１＠’″
’ｔ６ｒｒ とした後酸化アンチ毫ンｏｉｓｍされた
酸化錫ｔ１に着源として蒸通Ｏ真空蒸着渋によ）約２
ＩＩ ００ ＸＯＩｍｐ、 電導膜ｔｙ＃成したａｔ
訃、スパッタリング時Ｏガラス基板温度は約１・・でと
し、蒸着時Ｏガフス基Ｉ［１１度は室温とした。
こＯＩ！にして得られたサンプル５の水素含有率１びア
ルカリ拡散阻止能を第１表に示すＯ実施例４ 実施例１と岡橡Ｏガラスａｔ洗剤で充分に洗浄し、水洗
乾燥し尺０このガラス＠＠ＫＯＴＤ法によ） Ｉｉ夏４
ガスと０１ オスを用いて約１＠０＠ム（） １１１０
重 膜を基１［１１変ｓｏｏ℃、４０１’Ｃ１４５・
℃、５ｓ＠ｃで形成した◎なお一０虐 ８ｓｔｙ Ｏ
比は約１０：１で行なった・次にこれらｌ１Ｏ３膜０１
＃成されたガラス基板を真空蒸着装置の真空槽内に配し
、この真空槽内ｔＨ×１・−’ ｔｏｒｒ とした後
酸化アンチ毫ンＯ添加された酸化錫ｔＭ着源として通常
の真空蒸着法によ）約２・・・Ａ ０８ｎＯ１電導膜を
形成し７ｔ６なお、蒸着時のガラス基板温度は室温とし
文Ｏこれら４枚のサンプルＯうち、基板温度ｔＳＳ＊ｔ
：としてａｉｏｌ 膜ｖｔ影成したものｔテンプル４
、基板温度ｔ４００℃として８１０１ 膜を形成した％
ｏｔｔングル５、基板温度ｔ４５０℃としてＵＯＩ
膜を形成したもＯｔナンプル６、基板温度１５５０℃と
してＥｌｉＯ３膜管形成し九％ｏｅナングル７とし１ｔ
。
ルカリ拡散阻止能を第１表に示すＯ実施例４ 実施例１と岡橡Ｏガラスａｔ洗剤で充分に洗浄し、水洗
乾燥し尺０このガラス＠＠ＫＯＴＤ法によ） Ｉｉ夏４
ガスと０１ オスを用いて約１＠０＠ム（） １１１０
重 膜を基１［１１変ｓｏｏ℃、４０１’Ｃ１４５・
℃、５ｓ＠ｃで形成した◎なお一０虐 ８ｓｔｙ Ｏ
比は約１０：１で行なった・次にこれらｌ１Ｏ３膜０１
＃成されたガラス基板を真空蒸着装置の真空槽内に配し
、この真空槽内ｔＨ×１・−’ ｔｏｒｒ とした後
酸化アンチ毫ンＯ添加された酸化錫ｔＭ着源として通常
の真空蒸着法によ）約２・・・Ａ ０８ｎＯ１電導膜を
形成し７ｔ６なお、蒸着時のガラス基板温度は室温とし
文Ｏこれら４枚のサンプルＯうち、基板温度ｔＳＳ＊ｔ
：としてａｉｏｌ 膜ｖｔ影成したものｔテンプル４
、基板温度ｔ４００℃として８１０１ 膜を形成した％
ｏｔｔングル５、基板温度ｔ４５０℃としてＵＯＩ
膜を形成したもＯｔナンプル６、基板温度１５５０℃と
してＥｌｉＯ３膜管形成し九％ｏｅナングル７とし１ｔ
。
これら各サンプルについてＯ水素含有率及びアル倉す拡
散阻止能ｔＩ１１表に示す・比１１１１１ 実施例１と同様のガラス［を洗剤で充分に洗浄し、水洗
乾燥した０こＯガラス徹を真空蒸着侠置ＯＸ！！！榎円
に配置して岡檀内１ｓＸ１１１−６ｔｏｒｒ ４で排気
しｙｔｏち、蒸着源（ｇｉｌｌ粉末）を電子ビーム加熱
法によ）加熱して約＊ａＸ７秒Ｏ１１着速度て通常Ｏ真
空蒸着法によシ約１０００ム（）ＩｌｌＣｈ 膜ｔＩ
＃成した０次いで、上記真空槽内に乾燥空気ｆＡダアプ
ル！−戸パルプから導入して、墨Ｘ １ ｅ−’ ｔｏ
ｒｒ とし＊後、険化アンチ令ンｏｓｍされた酸化錫
【蒸着源として普通の真空蒸着法によ）約２ ＩＩ ＠
＠ ＡＯＩ！１０１ 電導膜管ｙ＃或し’ｘｅｔシ
、！１ｉｏｌ 膜とａｎｏ、 膜ａＳ成時０１ｘ着
源とガラス基板間の距離は４０−とし、基板温度は室温
とし尺・ と０ＩＩＫして得られたサンプル・の水素含有率慶びア
ル★９拡散阻止ａｔ第１表に示す・比較例！ ＩｌＩ論＄１１と同様のガラス坂を洗剤で充分に洗浄し
、水洗乾燥した◎このガラスＩＩＩｔ貝７２極スパッタ
ー装置Ｏ真空１１Ｐ’ｉに配置して岡榔内（−１ｘ ｔ
ｅ−’ ｔりｒｒまて排気しｔ後アルゴンガスを導入
してＳ Ｘ １＠−” ｔｏｒｒ とし、炒融石英メ
ーダットを用いて１１１７！２ ｍメバツター法で、１
Ｈ１ｌｉｌｏム（）ｌｉｏｎ 膜を形成した。次（８
１０１膜の形成されたガラス基ａｔ真空蒸着装置に移し
、この真空槽内１５Ｘ１０″″’ ｔｏｒｒ とした
後讃化アンチ毫ンＯ添加され几酸化錫を蒸着源として普
通Ｏ真空蒸着法により約ｔ ＯＯＱ ＠ □ ａｎｏ、
電導膜ｔ 形成シ１ｅ ｏ １にシ、スパッタ亨ング時
Ｃガラス基板温度は約５ａｏｃとし、蒸着時Ｏ，Ｖラス
基板温度は室温とした・ ζＯＶａにして得られ尺ナングル！Ｏ水素會有率夏びア
ルーｊＩ９拡散阻止能ｔｊ１１表に示す。
散阻止能ｔＩ１１表に示す・比１１１１１ 実施例１と同様のガラス［を洗剤で充分に洗浄し、水洗
乾燥した０こＯガラス徹を真空蒸着侠置ＯＸ！！！榎円
に配置して岡檀内１ｓＸ１１１−６ｔｏｒｒ ４で排気
しｙｔｏち、蒸着源（ｇｉｌｌ粉末）を電子ビーム加熱
法によ）加熱して約＊ａＸ７秒Ｏ１１着速度て通常Ｏ真
空蒸着法によシ約１０００ム（）ＩｌｌＣｈ 膜ｔＩ
＃成した０次いで、上記真空槽内に乾燥空気ｆＡダアプ
ル！−戸パルプから導入して、墨Ｘ １ ｅ−’ ｔｏ
ｒｒ とし＊後、険化アンチ令ンｏｓｍされた酸化錫
【蒸着源として普通の真空蒸着法によ）約２ ＩＩ ＠
＠ ＡＯＩ！１０１ 電導膜管ｙ＃或し’ｘｅｔシ
、！１ｉｏｌ 膜とａｎｏ、 膜ａＳ成時０１ｘ着
源とガラス基板間の距離は４０−とし、基板温度は室温
とし尺・ と０ＩＩＫして得られたサンプル・の水素含有率慶びア
ル★９拡散阻止ａｔ第１表に示す・比較例！ ＩｌＩ論＄１１と同様のガラス坂を洗剤で充分に洗浄し
、水洗乾燥した◎このガラスＩＩＩｔ貝７２極スパッタ
ー装置Ｏ真空１１Ｐ’ｉに配置して岡榔内（−１ｘ ｔ
ｅ−’ ｔりｒｒまて排気しｔ後アルゴンガスを導入
してＳ Ｘ １＠−” ｔｏｒｒ とし、炒融石英メ
ーダットを用いて１１１７！２ ｍメバツター法で、１
Ｈ１ｌｉｌｏム（）ｌｉｏｎ 膜を形成した。次（８
１０１膜の形成されたガラス基ａｔ真空蒸着装置に移し
、この真空槽内１５Ｘ１０″″’ ｔｏｒｒ とした
後讃化アンチ毫ンＯ添加され几酸化錫を蒸着源として普
通Ｏ真空蒸着法により約ｔ ＯＯＱ ＠ □ ａｎｏ、
電導膜ｔ 形成シ１ｅ ｏ １にシ、スパッタ亨ング時
Ｃガラス基板温度は約５ａｏｃとし、蒸着時Ｏ，Ｖラス
基板温度は室温とした・ ζＯＶａにして得られ尺ナングル！Ｏ水素會有率夏びア
ルーｊＩ９拡散阻止能ｔｊ１１表に示す。
比較例５
実施例１と同様Ｏガラス１［會洗剤で充分に、洗浄し、
水洗乾燥した。このガラス坂を真空蒸着装置０真空槽内
に配置して同樟内１５Ｘ１＠−”ｔｏｒｒ ｐｃ排気し
た後、賑化アンチ毫ンＯＩｌ加された酸化錫【蒸着源と
して電子ビーム加熱法によ＊；ｍ熱しながら通常の真空
蒸着法によ）約宜・ＯＯＸのＢａＯ寓 電導膜を形成
した・ｅお、１１ｍｏｇ 膜Ｏｙ＃成時の蒸蓋源とガ
ラス基板間Ｏｊ［離は４６ａｍとし、基板温度は室温と
した０ζ０１１１’Ｃして得られたサンプル１００水素
含有率及びアルカリ拡散阻止能を第１表に示す＠上記表
におけるＢ１１１ 膜中Ｏ水素含有率（参）は、赤外
分光法により１１１０． 膜中□ｇ１−ＩＩ 結合
に１に′）でｉる水嵩の含有率を求めたもので６タ、又
アルカリ拡散阻止能は、ｓｈｏ、膜を通してのアルカ９
の浸出量で評価し７ｔ％のであシ、そＯＩＩ定法は、咎
ナンプルｔｓｓ＠ＣでＳＯ分間熱処履して、ｆラスから
のアルカリ拡散【促進させ、次に表層のＢ凰Ｏ雪 膜ｔ
（Ｈｏｔ ＋ Ｋｎ ） のエツチング液で溶出し、
とのエツチング液中ＫＩＮ出されて會オれゐナトリウム
を原子微光波によ夕測定しル、もＯである〇 本実ＷＳＯアルカリ拡散肪止陵化ケイ素膜付ガラス体は
上記表から明らかなように、酸化ケイ素膜中にシ９：１
ンと結合した水素を導入するととにより、かかる水素を
導入しない酸化ケイ素膜に比ベアルカＩＪｏ浸出管防止
しうることが認められる・しかも、従来において最もア
ルカ！拡散阻止能力が優れていると考えられたゾル／ゲ
ル決によシ廖成される燐【含む１Ｉｉｏｌ ｊ［と同
等か番るｖｈ＃′ｉそれ以上の性能を有する１０である
Ｏ しかも、本発明のアルカリ拡散防止酸化ケイ素膜付ガラ
ス体は、製造方法、製造条件等の制約が少なく、高いア
ルカ９拡散阻止能力を得ることができる。
水洗乾燥した。このガラス坂を真空蒸着装置０真空槽内
に配置して同樟内１５Ｘ１＠−”ｔｏｒｒ ｐｃ排気し
た後、賑化アンチ毫ンＯＩｌ加された酸化錫【蒸着源と
して電子ビーム加熱法によ＊；ｍ熱しながら通常の真空
蒸着法によ）約宜・ＯＯＸのＢａＯ寓 電導膜を形成
した・ｅお、１１ｍｏｇ 膜Ｏｙ＃成時の蒸蓋源とガ
ラス基板間Ｏｊ［離は４６ａｍとし、基板温度は室温と
した０ζ０１１１’Ｃして得られたサンプル１００水素
含有率及びアルカリ拡散阻止能を第１表に示す＠上記表
におけるＢ１１１ 膜中Ｏ水素含有率（参）は、赤外
分光法により１１１０． 膜中□ｇ１−ＩＩ 結合
に１に′）でｉる水嵩の含有率を求めたもので６タ、又
アルカリ拡散阻止能は、ｓｈｏ、膜を通してのアルカ９
の浸出量で評価し７ｔ％のであシ、そＯＩＩ定法は、咎
ナンプルｔｓｓ＠ＣでＳＯ分間熱処履して、ｆラスから
のアルカリ拡散【促進させ、次に表層のＢ凰Ｏ雪 膜ｔ
（Ｈｏｔ ＋ Ｋｎ ） のエツチング液で溶出し、
とのエツチング液中ＫＩＮ出されて會オれゐナトリウム
を原子微光波によ夕測定しル、もＯである〇 本実ＷＳＯアルカリ拡散肪止陵化ケイ素膜付ガラス体は
上記表から明らかなように、酸化ケイ素膜中にシ９：１
ンと結合した水素を導入するととにより、かかる水素を
導入しない酸化ケイ素膜に比ベアルカＩＪｏ浸出管防止
しうることが認められる・しかも、従来において最もア
ルカ！拡散阻止能力が優れていると考えられたゾル／ゲ
ル決によシ廖成される燐【含む１Ｉｉｏｌ ｊ［と同
等か番るｖｈ＃′ｉそれ以上の性能を有する１０である
Ｏ しかも、本発明のアルカリ拡散防止酸化ケイ素膜付ガラ
ス体は、製造方法、製造条件等の制約が少なく、高いア
ルカ９拡散阻止能力を得ることができる。
更に、本発明Ｏアルカリ拡散酸化ケイ素膜付ｊツス体は
、電ツス体との硬変、付着性、光安定性、４Ｉ・で１１
度までの熱安定性を有しておシ、種々０１１墳条件、処
理加工条件に対しても充分に安定である。
、電ツス体との硬変、付着性、光安定性、４Ｉ・で１１
度までの熱安定性を有しておシ、種々０１１墳条件、処
理加工条件に対しても充分に安定である。
本発明のアルカ！拡散酸化ケイ素膜付ガラス体社、液晶
素子、エレクト翼りａｉミック子、電堝発党素子などの
表示素子やア４ル７アス太陽電池基板等に用いられる電
導性ｉＩクスのアル鵞ν拡＊Ｗ止膜として轡に最適であ
夛、かかる表示素子、太陽電池等の製造過１やそＯ後の
種々Ｏ１ｌ境条件に対しても安定で劣化する仁とがない
＠勿論これらの他に％、自動車、航空機、鉄道車輛その
他各種交通車輛用、建築用、各種装置用、光学部品用、
電気部品用、電子部品用のｊラス［’に電導性被膜、熱
線反射防止被膜、反射波腹、看色被膜、その他各種機能
管持った被膜を形成する際の下地プートに対し有用に適
用できるｔのである。
素子、エレクト翼りａｉミック子、電堝発党素子などの
表示素子やア４ル７アス太陽電池基板等に用いられる電
導性ｉＩクスのアル鵞ν拡＊Ｗ止膜として轡に最適であ
夛、かかる表示素子、太陽電池等の製造過１やそＯ後の
種々Ｏ１ｌ境条件に対しても安定で劣化する仁とがない
＠勿論これらの他に％、自動車、航空機、鉄道車輛その
他各種交通車輛用、建築用、各種装置用、光学部品用、
電気部品用、電子部品用のｊラス［’に電導性被膜、熱
線反射防止被膜、反射波腹、看色被膜、その他各種機能
管持った被膜を形成する際の下地プートに対し有用に適
用できるｔのである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 口） アル★す含有ガラス０１！ｉｍＫ、皺ガラスから
Ｏアルカ亨拡散を抑制するアルカリ拡散防止酸化ケイ素
膜を形成したガラスにお−て、上記アルカリ拡散防止酸
化ケイ素膜がシリコンと結合し友水素を含有することｔ
Ｉ！＃徽とするアルカリ拡散防止酸化ケイ素膜付ガラス
体〇（２）アルカリ拡散肪止讃化ケイ素膜中Ｏシリコン
との結合ＫＴｏずかろ水素の含有量が（Ｌｌｌ〜ｔＳ＠
であること１＊黴とする特許請求の範２１１１１項記載
Ｏアルカリ拡散費止駿化ケイ素膜付ｊツス体〇 （２）アル★亨拡散陳止蒙化ケイ素膜中ａＶリプンとの
結合にあずかる水素の含有量がａ１〜２２参であること
管特徴とする特許請求の範囲第１屓記載のアルカリ拡散
防止酸化ケイ素膜付ガラス体・
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56122421A JPS5826052A (ja) | 1981-08-06 | 1981-08-06 | アルカリ拡散防止酸化ケイ素膜付ガラス体 |
| DE8282106746T DE3267027D1 (en) | 1981-08-06 | 1982-07-26 | Glass body provided with an alkali diffusion-preventing silicon oxide layer |
| EP82106746A EP0071865B2 (en) | 1981-08-06 | 1982-07-26 | Glass body provided with an alkali diffusion-preventing silicon oxide layer |
| US06/403,282 US4485146A (en) | 1981-08-06 | 1982-07-29 | Glass body provided with an alkali diffusion-preventing silicon oxide layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56122421A JPS5826052A (ja) | 1981-08-06 | 1981-08-06 | アルカリ拡散防止酸化ケイ素膜付ガラス体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5826052A true JPS5826052A (ja) | 1983-02-16 |
| JPS6215496B2 JPS6215496B2 (ja) | 1987-04-08 |
Family
ID=14835407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56122421A Granted JPS5826052A (ja) | 1981-08-06 | 1981-08-06 | アルカリ拡散防止酸化ケイ素膜付ガラス体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4485146A (ja) |
| EP (1) | EP0071865B2 (ja) |
| JP (1) | JPS5826052A (ja) |
| DE (1) | DE3267027D1 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6163545A (ja) * | 1984-08-13 | 1986-04-01 | ピルキントン ブラザース ピー、エル、シー | コーチングガラスおよびその製法 |
| WO2003065769A1 (fr) * | 2002-01-28 | 2003-08-07 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Element d'etancheite arriere destine a un dispositif electroluminescent organique, substrat en verre pour dispositif electroluminescent organique, dispositif electroluminescent organique et procedes pour fabriquer un element d'etancheite et substrat de verre |
| JP2009087912A (ja) * | 2007-10-01 | 2009-04-23 | Hyundai Motor Co Ltd | ポリマー後処理工程を利用した無色透明ｆｔｏ伝導膜の製造方法 |
| WO2011068225A1 (ja) | 2009-12-04 | 2011-06-09 | 旭硝子株式会社 | ガラス板およびその製造方法 |
| JP2012240851A (ja) * | 2011-05-13 | 2012-12-10 | Sustainable Titania Technology Inc | 基体表面におけるアルカリ金属の溶出防止又は低減方法 |
| JP2019028386A (ja) * | 2017-08-03 | 2019-02-21 | セイコーエプソン株式会社 | 波長変換素子、光源装置及びプロジェクター |
Families Citing this family (66)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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