KR20210091081A - 게르마늄 주석을 포함하는 막의 형성 방법 그리고 그 막을 포함하는 구조물 및 디바이스 - Google Patents

게르마늄 주석을 포함하는 막의 형성 방법 그리고 그 막을 포함하는 구조물 및 디바이스 Download PDF

Info

Publication number
KR20210091081A
KR20210091081A KR1020210090283A KR20210090283A KR20210091081A KR 20210091081 A KR20210091081 A KR 20210091081A KR 1020210090283 A KR1020210090283 A KR 1020210090283A KR 20210090283 A KR20210090283 A KR 20210090283A KR 20210091081 A KR20210091081 A KR 20210091081A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
tin
germanium
precursor
layer
silicon
Prior art date
Application number
KR1020210090283A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102390236B1 (ko
Inventor
존 톨
Original Assignee
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. filed Critical 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.
Publication of KR20210091081A publication Critical patent/KR20210091081A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102390236B1 publication Critical patent/KR102390236B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02535—Group 14 semiconducting materials including tin
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
    • C30B25/183—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate being provided with a buffer layer, e.g. a lattice matching layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/52—Alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02573—Conductivity type
    • H01L21/02576—N-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02573—Conductivity type
    • H01L21/02579—P-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L29/161—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table including two or more of the elements provided for in group H01L29/16, e.g. alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L29/161—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table including two or more of the elements provided for in group H01L29/16, e.g. alloys
    • H01L29/165—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table including two or more of the elements provided for in group H01L29/16, e.g. alloys in different semiconductor regions, e.g. heterojunctions
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

전구체로서 게르만을 사용하여 게르마늄 주석 막들의 형성 방법이 개시된다. 예시적인 방법들은, 에피택셜 화학 기상 증착 반응기에서 게르마늄 및 주석을 포함하는 막들을 성장시키는 단계를 포함하고, 여기서 게르만에 대한 주석 전구체의 비는 0.1 미만이다. 여기에 설명된 방법들을 사용하여 형성된 게르마늄 주석 막들을 포함하는 구조물 및 디바이스들이 또한 개시된다.

Description

게르마늄 주석을 포함하는 막의 형성 방법 그리고 그 막을 포함하는 구조물 및 디바이스{METHODS OF FORMING FILMS INCLUDING GERMANIUM TIN AND STRUCTURES AND DEVICES INCLUDING THE FILMS}
본 개시는 일반적으로 게르마늄 주석을 포함하는 막을 성막하는 기술에 관한 것이고 그러한 막을 포함하는 구조물 및 디바이스에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 개시는 전구체로서 게르만 (germane) 을 사용하여 게르마늄 주석을 포함하는 막의 형성 방법, 그 막을 포함하는 구조물 및 디바이스의 형성 방법, 그리고 그 막을 포함하는 구조물 및 디바이스에 관한 것이다.
다양한 전자 디바이스들, 이를테면 반도체 디바이스들, 그리고 포토닉 디바이스들, 이를테면 레이저 및 솔라 디바이스들은, GeSn, GeSiSn 등과 같은 게르마늄 주석 층들을 포함할 수도 있거나 또는 바람직하게 포함할 수도 있다. 예를 들어, GeSn 층들은 직접 밴드갭 디바이스 (direct band gap device) 들을 형성하는데 사용될 수 있거나 및/또는 게르마늄 층에서 이동도를 증가시키기 위하여 인접 게르마늄 층에 스트레인 (strain) 을 제공하는데 사용될 수도 있다. 유사하게, GeSiSn 층들은, 조정가능한 밴드 갭 디바이스들과 조정가능한 광학 특성을 갖는 광학 디바이스들을 형성하는데 사용될 수 있다. 원하는 디바이스 특성을 얻기 위하여, 게르마늄 주석 막은 일반적으로 결정질 구조를 갖고, 이는 일반적으로 아래 놓인 층의 결정질 구조를 따른다.
GeSn 층들은 다양한 기술들을 사용하여 성막 또는 성장될 수도 있다. 예를 들어, 분자 빔 에피택시 및 초고진공 화학 기상 증착을 포함하는 진공 프로세스들이 GeSn 막들을 형성하는데 사용되어 왔다. 그러한 프로세스들을 위한 게르마늄 전구체는 통상적으로 디게르만 (Ge2H6) 또는 트리게르만 (Ge3H8) 을 포함한다. 막이 실리콘을 포함할 때, 실리콘 전구체는 디실란, 트리실란 또는 다른 고차 실란 화합물, 또는 (H3Ge)xSiH4-x (x=1-4), (H3Si)xGeH4-x (x=1-4) 의 일반식을 갖는 헤테로 뉴클리어 (hetero-nuclear) Si-Ge 화합물들을 포함할 수도 있다.
그러한 프로세스들이 결정질 GeSn 및 GeSiSn 층들을 성막 또는 성장시키는데 사용되어 왔지만, 디게르만, 트리게르만, 또는 고차 게르만 전구체들의 사용은 여러 가지로 문제가 있다. 예를 들어, 디게르만 또는 고차 게르만 전구체, 이를테면 트리게르만을 사용한 GeSn 을 포함하는 막 또는 층의 형성은, 일정한 캐리어 가스 (예를 들어, 수소) 및/또는 도펀트 (예를 들어, p-타입 도펀트) 가 그 전구체와 사용될 때 선택적이지 않다. 또한, 디게르만은 농축된 형태에서 상대적으로 불안정하고 (폭발성이 있고) ; 결과적으로, 용기에 포함된 전구체의 양은, 통상적으로 154 그램 미만으로 제한될 수도 있고, 이는 결국, 그러한 전구체를 사용한 프로세스들의 스루풋이 상대적으로 낮은 원인이 된다. 또한, 디게르만 및 고차 게르만은 상대적으로 비싸다. 따라서, GeSn 을 포함하는 결정질 막들을 형성하는 향상된 프로세스들이 요망된다.
본 개시의 다양한 실시형태들은 GeSn 막의 형성 방법에 관한 것이고 그 막을 포함하는 구조물 및 디바이스에 관한 것이다. 여기에 기재된 방법들을 사용하여 형성된 막들은, 예를 들어, 반도체, 직접 밴드 갭, 포토닉 또는 그 막을 포함하는 임의의 디바이스에 사용될 수도 있다. 본 개시의 다양한 실시형태들이 종래 기술 방법들의 결점들을 다루는 방식이 아래에서 보다 자세히 논의되지만, 일반적으로 본 개시는 기판 (substrate) 의 표면 상에 게르만 (GeH4) 전구체를 사용하여 게르마늄 주석 층 (예를 들어, 결정질) 의 형성 방법 및 그 막을 포함하는 구조물 및 디바이스를 제공한다.
여기에 사용된 바처럼, 게르마늄 주석 (GeSn) 층 (이하 막이라고도 한다) 또는 게르마늄 및 주석을 포함하는 층은 게르마늄 및 주석 원소를 포함하는 층이다. 그 층은 추가 원소, 이를테면 실리콘을 포함할 수도 있다 (예를 들어, GeSnSi).
본 개시의 다양한 실시형태에 따르면, GeSn 를 포함하는 층의 형성 방법은, 기상 반응기를 제공하는 단계, 기상 반응기에 연결된 게르만 전구체 소스를 제공하는 단계, 기상 반응기에 연결된 주석 전구체 소스를 제공하는 단계, 기상 반응기의 반응 챔버 내에 기판을 제공하는 단계, 게르만 전구체 및 주석 전구체를 반응 챔버에 제공하는 단계, 및 기판의 표면 상에 게르마늄 주석의 결정질 층을 형성하는 (예를 들어, 에피택셜로 성장시키는) 단계를 포함한다. 이들 실시형태들의 다양한 양태들에 따르면, 게르만 전구체 및 주석 전구체를 반응 챔버에 제공하는 단계는, 약 0.001 내지 약 0.1, 약 0.005 내지 약 0.05, 약 0.1 미만, 또는 약 0.05 미만의 게르만에 대한 주석 전구체의 체적 비를 갖는 주석 전구체 및 게르만 전구체의 혼합물을 제공하는 것을 포함한다. 게르마늄 주석의 결정질 층을 형성하는 단계 동안 반응 챔버 온도 및 압력은 다양한 요인들에 따라 달라질 수도 있다. 예시적인 반응 챔버 온도는 약 200℃ 내지 약 500℃, 약 250℃ 내지 약 450℃, 또는 약 300℃ 내지 약 420℃ 의 범위이다. 이 단계 동안 예시적인 반응 챔버 압력은 약 1 Torr 내지 약 760 Torr, 약 10 Torr 내지 약 760 Torr, 또는 약 50 Torr 내지 약 760 Torr 범위이다. 이들 실시형태들의 추가 양태들에 따르면, 게르마늄 주석 층은 실리콘을 포함한다. 이들 경우에, 그 방법은, 반응 챔버에 실리콘 소스 전구체를 제공하는 단계를 더 포함한다. 예시적인 실리콘 소스 전구체는, 디실란, 트리실란, 테트라실란, 네오펜타실란, 및 고차 실란 화합물을 포함한다. 결정질 게르마늄 주석 층 속에 포함된 주석의 양은 약 1 at% 초과, 2 at% 초과, 또는 5 at% 초과이거나 또는 약 0 at % 내지 약 15 at % 주석, 약 2 at % 내지 약 15 at % 주석, 약 0.2 at % 내지 약 5 at % 주석, 또는 약 0.2 at % 내지 약 15 at % 주석 범위일 수도 있다. 결정질 게르마늄 주석의 층이 실리콘을 포함할 때, 그 층은, 0 at % 실리콘 초과, 약 1 at% 실리콘 초과, 또는 약 1 at% 실리콘과 약 20 at% 실리콘 사이, 약 2 at% 실리콘과 약 16 at% 실리콘 사이, 또는 약 4 at% 실리콘과 약 12 at% 실리콘 사이를 포함할 수도 있다. 이들 실시형태들의 추가 양태들에 따르면, 기판은 실리콘을 포함한다. 다른 양태들에 따르면, 기판은, 예를 들어, 실리콘 위에 놓인 게르마늄의 층을 포함한다. 이들 실시형태들에 따른 예시적인 방법들은 추가적으로, 기판 위에 놓인 절연층을 형성하는 단계, 절연층 내에 비아 (via) 를 형성하는 단계 및 비아 내에 그리고 기판 위에 놓인 게르마늄 주석의 (예를 들어, 결정질) 층을 (예를 들어, 선택적으로) 형성하는 단계를 포함하고, 그 기판은 하나 이상의 이전에 형성된 층들을 포함할 수도 있다.
본 개시의 다른 예시적 실시형태들에 따르면, 게르마늄 주석 (예를 들어, 결정질) 층을 포함하는 구조물의 형성 방법은, 기상 반응기를 제공하는 단계, 기상 반응기의 반응 챔버 내에 기판을 제공하는 단계, 및 게르만 (GeH4) 을 포함하는 하나 이상의 전구체들을 사용하여 기판의 표면 상에 게르마늄 주석 (예를 들어, 결정질) 을 포함하는 층을 형성하는 단계를 포함한다. 이들 실시형태들의 다양한 양태들에 따르면, 게르마늄 주석을 포함하는 층을 형성하는 단계는, 약 0.001 내지 약 0.1, 약 0.005 내지 약 0.05, 약 0.1 미만, 또는 약 0.05 미만의 게르만에 대한 주석 전구체의 체적 비를 갖는 주석 전구체 및 게르만의 혼합물을 제공하는 것을 포함한다. 다른 양태들에 따르면, 게르마늄 주석을 포함하는 결정질 층을 형성하는 단계 동안 반응 챔버 온도는 약 200℃ 내지 약 500℃, 약 250℃ 내지 약 450℃, 또는 약 300℃ 내지 약 420℃ 범위이다. 또 다른 양태들에 따르면, 게르마늄 주석을 포함하는 층을 형성하는 단계 동안 반응 챔버 압력은 약 1 Torr 내지 약 760 Torr, 약 10 Torr 내지 약 760 Torr, 또는 약 50 Torr 내지 약 760 Torr 의 범위이다. 이들 실시형태들의 또 다른 양태들에 따르면, 게르마늄 주석을 포함하는 층을 형성하는 단계는, 실리콘 게르마늄 주석을 포함하는 층을 형성하는 것을 포함한다. 이들 경우에서, 실리콘 전구체가 반응 챔버에 제공된다. 예시적인 실리콘 소스 전구체는, 디실란, 트리실란, 테트라실란, 네오펜타실란, 및 고차 (higher order) 실란 화합물을 포함한다. 게르마늄 주석 층 속에 포함된 주석의 양은 약 1 at% 초과, 2 at% 초과, 또는 5 at% 초과이거나 또는 약 0 at % 내지 약 15 at % 주석, 약 2 at % 내지 약 15 at % 주석, 약 0.2 at % 내지 약 5 at % 주석, 또는 약 0.2 at % 내지 약 15 at % 주석 범위일 수도 있다. 결정질 게르마늄 주석 층의 층이 실리콘을 포함할 때, 그 층은, 0 at % 실리콘 초과, 약 1 at% 실리콘 초과, 또는 약 1 at% 실리콘과 약 20 at% 실리콘 사이, 약 2 at% 실리콘과 약 16 at% 실리콘 사이, 또는 약 4 at% 실리콘과 약 12 at% 실리콘 사이를 포함할 수도 있다. 이들 실시형태들의 다양한 양태들에 따르면, 기판은 실리콘을 포함한다. 다른 양태들에 따르면, 기판은, 예를 들어, 실리콘 위에 놓인 게르마늄의 층을 포함한다. 이들 실시형태들에 따른 예시적인 방법들은 추가적으로, 기판 위에 놓인 절연층을 형성하는 단계, 절연층 내에 비아를 형성하는 단계 및 비아 내에 그리고 기판 위에 놓인 게르마늄 주석의 층을 (예를 들어, 선택적으로) 형성하는 단계를 포함한다.
본 개시의 또 다른 실시형태들에 따르면, 구조물은 본 개시의 방법에 따라 형성된 결정질 게르마늄 주석 층을 포함한다. 그 구조물은, 전자 (예를 들어, 반도체) 또는 포토닉 (예를 들터, 솔라 또는 발광) 디바이스들을 형성하는데 사용될 수도 있다.
그리고, 본 개시의 또 추가의 예시적인 실시형태들에 따르면, 디바이스는 본 개시의 방법에 따라 형성된 결정질 게르마늄 주석 층을 포함한다.
본 개시의 예시적인 실시형태들의 보다 완전한 이해는, 다음의 예시적인 도면들과 연결하여 고려될 때 상세한 설명 및 청구항들을 참조함으로써 도출될 수도 있다.
도 1은 본 개시의 예시적인 실시형태들에 따른 결정질 게르마늄 주석의 층을 형성하기 위한 시스템을 예시한다.
도 2는 본 개시의 다른 예시적인 실시형태들에 따른 게르마늄 주석을 포함하는 층의 형성 방법을 예시한다.
도 3은 본 개시의 예시적인 실시형태들에 따른 게르마늄 주석을 포함하는 층을 형성하는 또 다른 방법을 예시한다.
도 4는 본 개시의 예시적인 실시형태들에 따른 구조물을 예시한다.
도 5는 본 개시의 예시적인 실시형태들에 따른 구조물의 록킹 스캔 (rocking scan) 을 도시한다.
도 6은 본 개시의 또 추가의 예시적인 실시형태들에 따른 또 다른 구조물을 도시한다.
도 7은 본 개시의 추가의 예시적인 실시형태들에 따른 또 다른 구조물을 도시한다.
도면들에 있는 엘리먼트들은 간결성 및 명료성을 위해 예시되었고 반드시 스케일 (scale) 대로 그려지지는 않았다는 것이 인식될 것이다. 예를 들면, 도면들에 있는 엘리먼트들의 일부의 치수들은 본 개시의 예시된 실시형태들의 이해를 향상시키는 것을 돕기 위해 다른 엘리먼트들에 비해 과장될 수도 있다.
아래에 제공된 방법들, 구조들 및 디바이스들의 예시적인 실시형태들의 설명은 단지 예시적이고 예시의 목적으로만 의도되고; 다음의 설명은 본 개시 또는 청구항의 범위를 제한하도록 의도되지 않는다. 또한, 언급된 특징 (feature) 들을 갖는 다수의 실시형태들의 기판은 추가 특징들을 갖는 다른 실시형태들 또는 언급된 특징들의 상이한 조합들을 포함하는 다른 실시형태들을 배제하도록 의도되지 않는다.
본 개시는, 일반적으로, 기판 위에 놓이는, 게르마늄 및 주석을 포함하는, 결정질 층과 같은, 층들의 형성 방법에 관한 것이다. 게르마늄 주석 층들은, 게르마늄 주석 층과 결정 격자의 부분을 형성하는, 실리콘과 같은, 추가 원소들을 포함할 수도 있다.
여기서 사용된 "기판" 은, 재료가 성막될 수 있는 표면을 갖는 임의의 재료를 지칭한다. 기판은 벌크 재료 이를테면 실리콘 (예를 들어, 단일 결정 실리콘, 단일 결정 게르마늄, 또는 다른 반도체 웨이퍼) 을 포함할 수도 있거나 또는 벌크 재료 위에 놓이는 하나 이상의 층들을 포함할 수도 있다. 또한, 기판은 기판의 층의 적어도 일 부분 상에 또는 내에 형성된 트렌치, 비아, 라인 등과 같은 다양한 토폴로지를 포함할 수도 있다. 예시적인 기판들은, 실리콘 웨이퍼, 실리콘 위에 놓이는 게르마늄을 포함하는 층, 및 실리콘 위에 놓이는 게르마늄 실리콘 주석을 포함하는 층을 포함한다.
도 1은, 여기에 기재된 방법들을 사용하여 게르마늄 주석을 형성하는데 적합한 시스템 (100) 을 도시한다. 도시된 예에서, 시스템 (100) 은, 반응기 (102), 게르만 전구체 소스 (104), 주석 전구체 소스 (106), (예를 들어, 형성된 층에 실리콘 또는 다른 원소(들) 의 포함을 위한) 선택적인 제 3 전구체 소스 (108), 퍼지 및/또는 캐리어 가스 소스 (110), 선택적인 믹서 (112), 선택적인 흡기 플리넘 (intake plenum; 114) 및 진공 소스 (116) 를 포함한다. 소스들 (104-110) 은, 라인들 (118-132) 및 밸브들 (134-140) 을 사용하여 혼합기 (112) 또는 반응기 (102) 에 연결될 수도 있다. 비록 도시되지는 않았지만, 시스템 (100) 과 같은 시스템은, 도펀트 (예를 들어, 인 또는 비소와 같은 n-타입 도펀트 또는 보론과 같은 p-타입 도펀트) 를 위한 추가 소스 및 대응하는 전달 라인들을 포함할 수도 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 도펀트들은, 전구체 소스들 (102-108) 의 하나 이상에 포함될 수도 있다.
반응기 (102) 는 독립형 반응기이거나 또는 클러스터 툴의 부분일 수도 있다. 또한, 반응기 (102) 는, 성막 프로세스와 같은 특정 프로세스에 전용될 수도 있거나, 또는 반응기 (102) 는, 다른 프로세스들에, 예를 들면, 층 패시베이션 및/또는 식각 프로세싱에 사용될 수도 있다. 예를 들어, 반응기 (102) 는, ASM 으로부터 입수가능한, Epsilon® 2000 Plus 와 같은 에피택셜 화학 기상 증착 (CVD) 프로세싱에 통상적으로 사용되는 반응기를 포함할 수도 있고, 직접 플라즈마, 및/또는 원격 플라즈마 장치 (미도시) 및/또는 다양한 가열 시스템들, 이를테면 복사, 유도 및/또는 저항 가열 시스템들 (또한 미도시) 을 포함할 수도 있다. 플라즈마를 사용하는 것은 하나 이상의 전구체들의 반응성을 향상시킬 수도 있다. 예시된 반응기는 단일 기판, 수평 흐름 반응기이고, 이는 기판 (142) 상에 반응물들의 층류 (laminar flow) 를 낮은 체류 시간으로 가능하게 하고, 이는 차례로 상대적으로 고속의 연속 기판 프로세싱을 용이하게 한다. 시스템 (100) 에 적합한 예시적인 CVD 반응기는, 2009년 1월 13일자로 Pomarede 등에게 발행된 미국 특허 번호 7,476,627에 기재되어 있고, 그의 내용은 이에 의해 참조로써, 그 내용이 본 개시와 충돌하지 않는 범위로, 여기에 원용된다. 비록 수평 흐름 반응기로서 도시되었지만, 대안의 실시형태들에 따른 반응기 (102) 는, 수직 흐름, 예를 들어, 샤워헤드로부터 나오고 실질적으로 하방으로 기판상으로 흐르는 흐름을 포함할 수도 있다.
반응기 (102) 의 반응 챔버 (144) 의 동작 압력은 다양한 인자들에 따라 달라질 수도 있다. 반응기 (102) 는 대기압 근처 또는 보다 낮은 압력에서 동작하도록 구성될 수도 있다. 예로써, 층 형성 단계들 동안 반응기 (102) 의 동작 압력은, 약 1 Torr 내지 약 760 Torr, 약 10 Torr 내지 약 760 Torr 또는 약 50 Torr 내지 약 760 Torr 범위이다.
소스 (104) 는 게르만 (GeH4) 을 포함하고, 선택적으로 하나 이상의 도펀트 화합물들, 이를테면 포토닉 및/또는 반도체 디바이스들을 제조하는데 통상적으로 사용되는 화합물들을 포함할 수도 있다. 예시적인 p-타입 도펀트 화합물들은 B2H6 을 포함하고 예시적인 n-타입 도펀트 화합물들은 AsH3 를 포함한다.
게르만의 사용은, 게르마늄 주석 층들을 형성하는데 사용되는, 디게르만, 트리게르만, 및 다른 고차 게르만들과 같은 다른 전구체들에 비해 유리한데, 왜냐하면 게르만은 다양한 캐리어 가스들 (예를 들어, 수소, 질소 등) 과 혼합될 때 상대적으로 선택적이고 또한, 심지어 도펀트들 (예를 들어, p-타입 도펀트들) 이 전구체와 사용될 때에도, 상대적으로 선택적이기 때문이다. 또한, 게르만은 고차 디게르만들에 비해 상대적으로 안전하고, 따라서 고차 게르만들에 비해, 더 많은 양으로 사용 및/또는 운반될 수 있다. 또한, 게르만은, 게르마늄과 같은 다른 층들을 위한 전구체로서 사용되고, 고차 게르만 화합물들에 비해 보다 쉽게 입수가능하고 덜 비싸다.
주석 전구체 소스 (106) 는, 주석을 게르마늄 주석 층에 제공하는데 적합한 임의의 화합물을 포함한다. 예시적인 주석 전구체들은 주석 염화물 (SnCl4), 듀테로화 스탄난 (SnD4), 그리고 메틸 및/또는 할라이드 치환 스탄난, 이를테면 식 Sn(CH3)4-nXn (식중, X 는 H, D (듀테륨), Cl, 또는 Br 이고 n 은 0, 1, 2, 또는 3 이다); ZSn(CH3)3-nXn (식중, Z 는 H 또는 D 이고, X 는 Cl 또는 Br 이고 n 은 0, 1, 또는 2 이다) ; Z2Sn(CH3)2-nXn (식중, Z 은 H 또는 D 이고, X 는 Cl 또는 Br 이고 n 은 0 또는 1 이다) ; 또는 SnBr4 을 갖는 화합물들을 포함한다. 본 개시에 따른 사용에 적합한 일부 예시적인 주석 전구체들은, 2013년 3월 4일자로 출원된 발명의 명칭이 TIN PRECURSORS FOR VAPOR DEPOSITION AND DEPOSITION PROCESSES 인 출원 번호 13/783,762 에 더 자세히 논의되어 있고, 그의 내용은 이에 의해 참조로써, 그 내용이 본 개시와 충돌하지 않는 범위로, 여기에 원용된다.
선택적인 제 3 전구체 소스 (108) 는, 사용될 경우, 성막된 층에 포함될 수도 있는 추가 원소 또는 화합물을 위한 전구체를 포함한다. 예를 들어, 전구체 소스 (108) 는, 실리콘 전구체, 이를테면 디실란, 트리실란, 테트라실란, 네오펜타실란, 및 고차 실란을 포함할 수도 있거나, 또는 도펀트 전구체/화합물로서 적합한 하나 이상의 화합물들을 포함할 수도 있다. 소스 (108) 가 실리콘 전구체를 포함하면, 위에 언급된 바처럼, 시스템 (100) 은 추가 도펀트 소스들 및 대응하는 공급 라인들을 포함할 수도 있다.
가스 소스 (110) 는 임의의 적합한 퍼지 또는 캐리어 가스를 포함할 수도 있다. 캐리어 및 퍼지 가스들로서 적합한 예시적인 가스들은 질소, 아르곤, 헬륨 및 수소를 포함한다.
시스템 (100) 은 가스 분배 시스템을 포함할 수도 있다. (예를 들면, 소스들 (104-110) 로부터) 가스들간에 빠른 전환을 허용하는 예시적인 가스 분배 시스템은, 2012년 4월 10일자로 발행되었고 발명의 명칭이 "Gas Mixer and Manifold Assembly for ALD Reactor" 인 Schmidt 이외에 대한 US 특허 번호 제8,152,922호에 제시되어 있고, 그의 내용은 이에 의해 참조로써 그 내용이 본 개시와 충돌하지 않는 범위로 여기에 원용된다. 가스 분배 시스템은, 예를 들어, 하나 이상의 전구체 가스들 및 캐리어 가스 (이는 가스 소스 (108) 로부터의 퍼지 가스와 동일하거나 또는 상이할 수도 있다) 를, 가스가 플리넘 (114) 또는 반응기 (102) 에 도달하기 전에, 혼합하는데 사용될 수도 있다.
이제 도 2를 참조하면, 결정질 게르마늄 주석 층을 형성하는 예시적인 방법 (200) 이 도시되어 있다. 방법 (200) 은, 기상 반응기를 제공하는 단계 (단계 202), 기상 반응기에 연결된 게르만 소스를 제공하는 단계 (단계 204), 기상 반응기에 연결된 주석 전구체 소스를 제공하는 단계 (단계 206), 기상 반응기의 반응 챔버 내에 기판을 제공하는 단계 (단계 208), 반응 챔버에 게르만 및 주석 전구체를 제공하는 단계로서, 그 게르만에 대한 주석 전구체의 비는 0.1 미만인, 상기 게르만 및 주석 전구체를 제공하는 단계 (단계 210), 및 기판의 표면 상에 게르마늄 주석의 결정질 층을 형성하는 단계 (단계 212) 를 포함한다.
단계 202 동안, 기상 반응기, 이를테면 에피택셜 성장에 적합한 CVD 반응기가 제공된다. 반응기는 단일 기판, 층류 반응기일 수도 있다. 그러한 반응기들은, Epsilon® 2000 Plus 등의 ASM 으로부터 입수가능하다.
단계 204 및 206 동안, 적합한 게르만 (GeH4) 및 주석 전구체 소스들이 반응기에 연결된다. 위에 언급된 바처럼, 게르만 소스는 도펀트 화합물, 이를테면 p-타입 도펀트 화합물들을 포함할 수도 있다. 아니면, 도펀트들은 추가 소스들 (미도시) 로부터 공급될 수도 있다. 주석 전구체 소스는, 예를 들어, 주석 염화물 및/또는 주석 중수소화물 (tin deuteride) 및/또는 여기에 언급된 다른 주석 전구체들을 포함할 수도 있다.
단계 208 동안, 기판은 반응기의 반응 챔버로 로딩된다. 기판은, 반응기 시스템의 로딩 로드록 (load lock) 으로부터 수용되고 적합한 이송 메카니즘을 사용하여 반응 챔버로 운반된다.
단계 210 에서, 주석 전구체 및 게르만이 반응기의 반응 챔버에 제공된다. 주석 전구체 및 게르만은, 챔버에 진입하기 전에 (예를 들어, 믹서 (112) 에서) 혼합될 수도 있다. 또한, 게르만 및 주석 전구체는 개별적으로 또는 조합하여 하나 이상의 캐리어 가스들과 혼합될 수도 있다. 게르만 및/또는 주석 전구체는, 반응 챔버의 상류에서, 이를테면, 혼합기에서 또는 혼합기의 상류에서, 캐리어와 혼합될 수도 있다.
위에 언급된 바처럼, 게르만의 사용은, 게르마늄 및 주석을 포함하는 층들을 형성하는데 사용되는 통상적인 전구체들의 사용에 비해 여러 장점들을 갖는다. 놀랍게도 그리고 여기치 않게도, 주석 전구체에 대해 게르만의 상대적으로 높은 부분압을 사용하는 것은 고품질, 결정질 게르마늄 주석 층들을 형성한다는 것을 알아냈다. 본 개시의 예시적인 실시형태들의 다양한 양태들에 따르면, 게르만 및 주석 전구체를 반응 챔버에 제공하는 단계는, 약 0.001 내지 약 0.1, 약 0.005 내지 약 0.05, 약 0.1 미만, 또는 약 0.05 미만의 게르만에 대한 주석 전구체의 체적 비를 갖는 주석 전구체 및 게르만의 혼합물을 제공하는 것을 포함한다.
단계 212 동안, 결정질 층 (예를 들어, 에피택셜 층) 은 기판 위에 놓이게 형성된다. 단계 212 동안, 예시적인 반응 챔버 온도는 약 200℃ 내지 약 500℃, 약 250℃ 내지 약 450℃, 또는 약 300℃ 내지 약 420℃ 의 범위일 수도 있다. 그리고, 이 단계 동안 예시적인 반응 챔버 압력은 약 1 Torr 내지 약 760 Torr, 약 10 Torr 내지 약 760 Torr, 또는 약 50 Torr 내지 약 760 Torr 범위일 수도 있다.
단계 212 는 게르마늄 실리콘 주석을 포함하는 층을 형성하는 것을 포함할 수도 있다. 이들 경우에서, 실리콘 전구체가 반응 챔버에 제공된다. 예시적인 실리콘 소스 전구체는, 디실란, 트리실란, 테트라실란, 네오펜타실란, 및 고차 실란 화합물을 포함한다. 실리콘 전구체 또는 다른 적합한 전구체가 캐리어 가스와 혼합될 수도 있고 선택적으로 여기에 기재된 하나 이상의 다른 전구체들과 혼합될 수도 있다.
방법 (200) 은 또한, 기판 위에 놓이는 절연층을 형성하는 단계 및 절연층 내에 비아를 형성하는 단계를 포함할 수도 있다. 절연층 및 그 절연층 내에 비아를 형성하는 예시적인 기술들은 아래에서 더 자세히 설명된다. 이들 경우들에서, 게르마늄 주석 층은, 아래에 설명된 바처럼, 비아 내에 기판 상에 선택적으로 형성될 수도 있다.
*도 3은 본 개시의 추가 실시형태들에 따른 또 다른 방법 (300) 을 도시한다. 방법 (300) 은, 기상 반응기를 제공하는 단계 (단계 302), 기상 반응기의 반응 챔버 내에 기판을 제공하는 단계 (단계 304), 및 게르만을 포함하는 하나 이상의 전구체들을 사용하여 기판의 표면 상에 게르마늄 주석을 포함하는 결정질 층을 형성하는 단계 (단계 306) 를 포함한다.
단계 302 동안, 게르마늄 주석을 포함하는 결정질 층을 성장시키는데 적합한 반응기가 제공된다. 반응기는, 수평 흐름 에피택셜 CVD 반응기와 같은 여기에 기재된 임의의 반응기를 포함할 수도 있다.
단계 304 동안, 기판은 반응기의 반응 챔버 내에 제공된다. 단계 304 는 방법 (200) 의 단계 208와 동일하거나 또는 유사할 수도 있다.
단계 308 에서, 게르마늄 주석을 포함하는 결정질 층이 형성된다. 본 개시의 이들 예시적인 실시형태들의 다양한 양태들에 따르면, 게르마늄 주석을 포함하는 층을 형성하는 단계는, 약 0.001 내지 약 0.1, 약 0.005 내지 약 0.05, 약 0.1 미만, 또는 약 0.05 미만의 게르만에 대한 주석 전구체의 체적 비를 갖는 주석 전구체 및 게르만의 혼합물을 제공하는 것을 포함한다. 다른 양태들에 따르면, 게르마늄 주석을 포함하는 결정질 층을 형성하는 단계 동안 반응 챔버 온도는 약 200℃ 내지 약 500℃, 약 250℃ 내지 약 450℃, 또는 약 300℃ 내지 약 420℃ 범위이다. 그리고, 또 다른 양태들에 따르면, 게르마늄 주석을 포함하는 층을 형성하는 단계 동안 반응 챔버 압력은 약 1 Torr 내지 약 760 Torr, 약 10 Torr 내지 약 760 Torr, 또는 약 50 Torr 내지 약 760 Torr 의 범위이다.
단계 306 는, 실리콘 게르마늄 주석을 포함하는 층을 형성하는 것을 포함할 수도 있다. 이들 경우에서, 실리콘 전구체가 반응 챔버에 제공된다. 예시적인 실리콘 소스 전구체는, 디실란, 트리실란, 테트라실란, 네오펜타실란, 및 고차 실란 화합물을 포함한다.
방법 (300) 은 또한, 기판 위에 놓이는 절연층을 형성하는 것 (단계 308) 및 절연층 내에 비아를 형성하는 것의 선택적인 단계들 308 및 310 을 포함할 수도 있다. 단계 308 동안, 임의의 적합한 절연층, 이를테면 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물이 기판 상에 성막될 수도 있다. 다음으로, 단계 310 동안, 하나 이상의 비아들이 절연층 내에 형성될 수도 있다. 반응성 이온 에칭 또는 다른 적합한 기법이 하나 이상의 비아들을 형성하는데 사용될 수도 있다.
단계들 308 및 310 이 수행되는 경우에, 단계 306 동안 형성된 결정질 층은 비아들 내에 선택적으로 형성될 수도 있다. 위에 언급된 바처럼, 게르만 전구체의 사용이 유리한데, 왜냐하면 그것은, 수소와 같은 다양한 캐리어 가스들을 사용할 때 그리고 층이 p-타입 도펀트와 같은 하나 이상의 도펀트들을 포함할 때 상대적으로 선택적이기 때문이다.
방법 (200) 또는 방법 (300) 을 사용하여 (예를 들어, 단계들 212 또는 306 동안) 형성된 층들은, 예를 들어, 1 at% 초과, 2 at% 초과, 또는 5 at% 초과, 또는 약 0 at % 과 약 15 at % 주석 사이, 약 2 at % 과 약 15 at % 주석 사이, 약 0.2 at % 과 약 5 at % 주석 사이, 또는 약 0.2 at % 그리고 약 15 at % 주석 사이를 포함할 수도 있다. 결정질 게르마늄 주석의 층이 실리콘을 포함할 때, 그 층은, 0 at % 실리콘 초과, 약 1 at% 실리콘 초과, 또는 약 1 at% 실리콘과 약 20 at% 실리콘 사이, 약 2 at% 실리콘과 약 16 at% 실리콘 사이, 또는 약 4 at% 실리콘과 약 12 at% 실리콘 사이를 포함할 수도 있다.
도 4는, 방법 (200) 또는 방법 (300) 과 같은 본 발명의 다양한 실시형태들에 따라 형성된 구조물 (400) 의 투과 전자 현미경 이미지를 도시한다. 구조물 (400) 은, 실리콘 기판 (402), 기판 (402) 위에 놓인 게르마늄 버퍼 층 (404), 및 전구체로서 게르만을 사용하여 형성된 게르마늄 주석 층 (406) 을 포함한다. 도시된 예에서, 층 (406) 은 약 8 at% 주석을 포함한다. 도시된 구조에서 스레딩 결함 (threading defect) 은 관찰되지 않았다.
도 5는 구조물 (400) 과 같은 구조물의 (004) 록킹 스캔을 도시한다. 그 스캔은, 게르마늄 주석 층, 게르마늄 층, 및 실리콘 기판과 연관된 이산 피크들을 예시한다. 예시된 바처럼, 게르마늄 주석 피크는, 펜델로숭 프린지 (Pendellosung fringe) 와 연관되며, 이는 게르마늄 주석 층에서 높은 정도의 결정도를 나타낸다.
이제 도 6을 참조하면, 본 개시의 추가적인 예시적 실시형태들에 따른 구조물 (600) 이 예시되어 있다. 구조물 (600) 은, 기판 (602), 절연층 (604), 층 (604) 내에 형성된 비아 (606), (예를 들어, 기판 (602) 위에 에피택셜로 형성된) 게르마늄 층 (608), 및 (예를 들어, 층 (608) 위에 에피텍셜로 형성된) 게르마늄 주석 층 (610) 을 포함한다. 층들 (608 및/또는 610) 은, 예를 들어, 방법 (200) 또는 방법 (300) 을 사용하여 비아 (606) 내에 선택적으로 형성될 수도 있다.
도 7은 본 개시의 추가 실시형태들에 따른 또 다른 구조물 (700) 을 도시한다. 구조물 (700) 은, 기판 (702), 게르마늄 실리콘 주석 층 (704), 게르마늄 주석 층 (706) 및 게르마늄 실리콘 주석 층 (708) 을 포함한다. 예시된 예에서, 게르마늄 주석 층 (706) 이, 게르마늄 실리콘 주석의 2개 층들 (704 및 708) 사이에 있다. 층들 (704-708) 은 여기에 설명된 방법들에 따라 형성될 수도 있다. 또한, 도시되지는 않았지만, 하나 이상의 층들 (704-708) 은, 도 6과 관련하여 위에서 설명된 바처럼, 절연 재료의 비아 내에 형성될 수도 있다.
여기에 기재된 구성들 및/또는 접근법들은 성질상 예시적이고, 이들 특정 실시형태들 또는 예들은 제한적인 의미로 고려되지 않아야 한다는 것이 이해되야 한다. 여기에 기재된 특정 루틴 또는 방법들은 임의의 수의 프로세싱 전략들 중 하나 이상을 나타낼 수도 있다. 따라서, 예시된 다양한 행위들은 예시된 순서로 수행되거나, 다른 순서로 수행되거나, 동시에 수행되거나, 또는 몇몇 경우들에서 생략될 수도 있다.
본 개시의 요지는 다양한 프로세스들, 시스템들 및 구성들의 모든 신규하고 비자명한 조합들 및 하위 조합, 그리고 여기에 개시된 다른 특징들, 기능들, 행위들 및/또는 특성들, 그리고 그의 임의의 그리고 모든 균등물들을 포함한다.

Claims (14)

  1. 기상 반응기를 제공하는 단계;
    상기 기상 반응기와 연결된 게르만 소스를 제공하는 단계;
    상기 기상 반응기와 연결된 주석 전구체 소스를 제공하는 단계;
    상기 기상 반응기의 반응 챔버 내에 기판을 제공하는 단계;
    상기 반응 챔버에 게르만 (GeH4) 및 주석 전구체를 제공하는 단계로서, 상기 게르만에 대한 상기 주석 전구체의 체적 비는 0.001 내지 0.1 사이인, 상기 게르만 (GeH4) 및 주석 전구체를 제공하는 단계; 및
    상기 기판의 표면 상에 게르마늄 주석 층을 형성하는 단계를 포함하는, 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기상 반응기와 연결된 실리콘 전구체 소스를 제공하는 단계;
    상기 반응 챔버에 게르만 (GeH4), 주석 전구체, 및 실리콘 전구체를 제공하는 단계; 및
    상기 반응 챔버에 상기 게르만 및 상기 주석 전구체를 제공하는 단계 및 상기 게르마늄 주석 층을 형성하는 단계 이전에 상기 기판의 상기 표면 상에 제 1 게르마늄 실리콘 주석 층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 반응 챔버에 상기 게르만 및 주석 전구체를 제공하는 단계 및 상기 게르마늄 주석 층을 형성하는 단계 이후에, 상기 게르마늄 주석 층이 상기 제 1 게르마늄 실리콘 주석 층과 제 2 게르마늄 실리콘 주석 층 사이에 배치되도록 상기 기판의 상기 표면 상에 상기 제 2 게르마늄 실리콘 주석 층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 실리콘 전구체 소스를 제공하는 단계는, 디실란, 트리실란, 테트라실란 및 네오펜타실란으로 이루어지는 군으로부터 선택된 전구체를 제공하는 단계를 포함하는, 방법.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판의 상기 표면 상에 상기 게르마늄 주석 층을 형성하는 단계 동안, 상기 반응 챔버의 동작 압력은 1 Torr 내지 760 Torr 인, 방법.
  6. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판의 상기 표면 상에 상기 게르마늄 주석 층을 형성하는 단계 동안, 상기 반응 챔버의 동작 압력은 50 Torr 내지 760 Torr 인, 방법.
  7. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 게르만에 대한 상기 주석 전구체의 체적 비는 0.005 내지 0.05 인, 방법.
  8. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판의 상기 표면 상에 상기 게르마늄 주석 층을 형성하는 단계 동안, 상기 반응 챔버 내의 동작 온도는 200℃ 내지 500℃ 인, 방법.
  9. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판의 상기 표면 상에 게르마늄 주석 층을 형성하는 단계 동안, 상기 반응 챔버 내의 동작 온도는 250℃ 내지 450℃ 인, 방법.
  10. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 주석 전구체 소스를 제공하는 단계는 SnCl4, SnD4, 및 메틸 또는 할라이드 치환 스테네이트의 군으로부터 선택된 주석 소스를 제공하는 단계를 포함하는, 방법.
  11. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판의 상기 표면 상에 상기 게르마늄 주석 층을 형성하는 단계는, 2 at% 내지 15 at% 주석을 포함하는 층을 성장시키는 단계를 포함하는, 방법.
  12. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 게르만 전구체에 대한 상기 주석 전구체의 체적 비는 0.05 미만인, 방법.
  13. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 게르마늄 실리콘 주석 층, 상기 제 2 게르마늄 실리콘 주석 층, 또는 상기 게르마늄 주석 층 중 적어도 하나의 층은 상기 기판의 상기 표면 상의 절연 층의 비아 내에 배치되는, 방법.
  14. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 게르마늄 주석 층은 결정질 층인, 방법.


KR1020210090283A 2013-08-14 2021-07-09 게르마늄 주석을 포함하는 막의 형성 방법 그리고 그 막을 포함하는 구조물 및 디바이스 KR102390236B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/966,782 2013-08-14
US13/966,782 US9396934B2 (en) 2013-08-14 2013-08-14 Methods of forming films including germanium tin and structures and devices including the films
KR1020140103853A KR102278439B1 (ko) 2013-08-14 2014-08-11 게르마늄 주석을 포함하는 막의 형성 방법 그리고 그 막을 포함하는 구조물 및 디바이스

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140103853A Division KR102278439B1 (ko) 2013-08-14 2014-08-11 게르마늄 주석을 포함하는 막의 형성 방법 그리고 그 막을 포함하는 구조물 및 디바이스

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210091081A true KR20210091081A (ko) 2021-07-21
KR102390236B1 KR102390236B1 (ko) 2022-04-22

Family

ID=52466250

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140103853A KR102278439B1 (ko) 2013-08-14 2014-08-11 게르마늄 주석을 포함하는 막의 형성 방법 그리고 그 막을 포함하는 구조물 및 디바이스
KR1020210090283A KR102390236B1 (ko) 2013-08-14 2021-07-09 게르마늄 주석을 포함하는 막의 형성 방법 그리고 그 막을 포함하는 구조물 및 디바이스

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140103853A KR102278439B1 (ko) 2013-08-14 2014-08-11 게르마늄 주석을 포함하는 막의 형성 방법 그리고 그 막을 포함하는 구조물 및 디바이스

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9396934B2 (ko)
KR (2) KR102278439B1 (ko)
TW (1) TWI607110B (ko)

Families Citing this family (349)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US9793148B2 (en) 2011-06-22 2017-10-17 Asm Japan K.K. Method for positioning wafers in multiple wafer transport
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9096931B2 (en) 2011-10-27 2015-08-04 Asm America, Inc Deposition valve assembly and method of heating the same
US9341296B2 (en) 2011-10-27 2016-05-17 Asm America, Inc. Heater jacket for a fluid line
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9005539B2 (en) 2011-11-23 2015-04-14 Asm Ip Holding B.V. Chamber sealing member
US9167625B2 (en) 2011-11-23 2015-10-20 Asm Ip Holding B.V. Radiation shielding for a substrate holder
US9202727B2 (en) 2012-03-02 2015-12-01 ASM IP Holding Susceptor heater shim
US8946830B2 (en) 2012-04-04 2015-02-03 Asm Ip Holdings B.V. Metal oxide protective layer for a semiconductor device
TWI622664B (zh) 2012-05-02 2018-05-01 Ａｓｍ智慧財產控股公司 相穩定薄膜，包括該薄膜之結構及裝置，及其形成方法
US8728832B2 (en) 2012-05-07 2014-05-20 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor device dielectric interface layer
US8933375B2 (en) 2012-06-27 2015-01-13 Asm Ip Holding B.V. Susceptor heater and method of heating a substrate
US9558931B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Asm Ip Holding B.V. System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9117866B2 (en) 2012-07-31 2015-08-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for calculating a wafer position in a processing chamber under process conditions
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9169975B2 (en) 2012-08-28 2015-10-27 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for mass flow controller verification
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US9324811B2 (en) 2012-09-26 2016-04-26 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9640416B2 (en) 2012-12-26 2017-05-02 Asm Ip Holding B.V. Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US8894870B2 (en) 2013-02-01 2014-11-25 Asm Ip Holding B.V. Multi-step method and apparatus for etching compounds containing a metal
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US8993054B2 (en) 2013-07-12 2015-03-31 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US9018111B2 (en) 2013-07-22 2015-04-28 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities
US9793115B2 (en) 2013-08-14 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same
US9396934B2 (en) 2013-08-14 2016-07-19 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming films including germanium tin and structures and devices including the films
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9556516B2 (en) 2013-10-09 2017-01-31 ASM IP Holding B.V Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT
US9605343B2 (en) 2013-11-13 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal carbon films, structures conformal carbon film, and system of forming same
US10179947B2 (en) 2013-11-26 2019-01-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US9447498B2 (en) 2014-03-18 2016-09-20 Asm Ip Holding B.V. Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9404587B2 (en) 2014-04-24 2016-08-02 ASM IP Holding B.V Lockout tagout for semiconductor vacuum valve
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9543180B2 (en) 2014-08-01 2017-01-10 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US9478415B2 (en) 2015-02-13 2016-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for forming film having low resistance and shallow junction depth
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US9899291B2 (en) 2015-07-13 2018-02-20 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10087525B2 (en) 2015-08-04 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Variable gap hard stop design
US9647114B2 (en) 2015-08-14 2017-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films
US9711345B2 (en) 2015-08-25 2017-07-18 Asm Ip Holding B.V. Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US9909214B2 (en) 2015-10-15 2018-03-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US9455138B1 (en) 2015-11-10 2016-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas
US9905420B2 (en) 2015-12-01 2018-02-27 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films
US9607837B1 (en) 2015-12-21 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process
US9627221B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Asm Ip Holding B.V. Continuous process incorporating atomic layer etching
US9735024B2 (en) 2015-12-28 2017-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US9754779B1 (en) 2016-02-19 2017-09-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
TWI751158B (zh) * 2016-07-06 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 包括鍺-錫膜之結構與裝置及該膜之形成方法
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US10381226B2 (en) 2016-07-27 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of processing substrate
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
TWI779134B (zh) 2017-11-27 2022-10-01 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
TWI816783B (zh) 2018-05-11 2023-10-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
CN112292477A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
JP2020136677A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210078405A (ko) 2019-12-17 2021-06-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
TW202129068A (zh) 2020-01-20 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 形成薄膜之方法及修飾薄膜表面之方法
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
TW202235659A (zh) * 2021-01-18 2022-09-16 美商應用材料股份有限公司 選擇性SiGeSn:B沉積
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012134512A1 (en) * 2011-03-28 2012-10-04 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for the selective deposition of epitaxial germanium stressor alloys
US20120318334A1 (en) * 2011-06-14 2012-12-20 International Business Machines Corporation Spalling methods to form multi-junction photovoltaic structure
US20130256838A1 (en) * 2012-04-02 2013-10-03 Errol Antonio C. Sanchez Method of epitaxial doped germanium tin alloy formation
US20130330911A1 (en) * 2012-06-08 2013-12-12 Yi-Chiau Huang Method of semiconductor film stabilization

Family Cites Families (411)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2745640A (en) 1953-09-24 1956-05-15 American Viscose Corp Heat exchanging apparatus
US2990045A (en) 1959-09-18 1961-06-27 Lipe Rollway Corp Thermally responsive transmission for automobile fan
US4393013A (en) 1970-05-20 1983-07-12 J. C. Schumacher Company Vapor mass flow control system
US3833492A (en) 1971-09-22 1974-09-03 Pollution Control Ind Inc Method of producing ozone
US3862397A (en) 1972-03-24 1975-01-21 Applied Materials Tech Cool wall radiantly heated reactor
US3854443A (en) 1973-12-19 1974-12-17 Intel Corp Gas reactor for depositing thin films
US3887790A (en) 1974-10-07 1975-06-03 Vernon H Ferguson Wrap-around electric resistance heater
SE393967B (sv) 1974-11-29 1977-05-31 Sateko Oy Forfarande och for utforande av stroleggning mellan lagren i ett virkespaket
US4054071A (en) 1975-06-17 1977-10-18 Aetna-Standard Engineering Company Flying saw with movable work shifter
US4194536A (en) 1976-12-09 1980-03-25 Eaton Corporation Composite tubing product
US4181330A (en) 1977-03-22 1980-01-01 Noriatsu Kojima Horn shaped multi-inlet pipe fitting
US4176630A (en) 1977-06-01 1979-12-04 Dynair Limited Automatic control valves
US4145699A (en) * 1977-12-07 1979-03-20 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Superconducting junctions utilizing a binary semiconductor barrier
US4389973A (en) 1980-03-18 1983-06-28 Oy Lohja Ab Apparatus for performing growth of compound thin films
US4322592A (en) 1980-08-22 1982-03-30 Rca Corporation Susceptor for heating semiconductor substrates
US4436674A (en) 1981-07-30 1984-03-13 J.C. Schumacher Co. Vapor mass flow control system
US4512113A (en) 1982-09-23 1985-04-23 Budinger William D Workpiece holder for polishing operation
US4499354A (en) 1982-10-06 1985-02-12 General Instrument Corp. Susceptor for radiant absorption heater system
US4570328A (en) 1983-03-07 1986-02-18 Motorola, Inc. Method of producing titanium nitride MOS device gate electrode
US4735259A (en) 1984-02-21 1988-04-05 Hewlett-Packard Company Heated transfer line for capillary tubing
USD288556S (en) 1984-02-21 1987-03-03 Pace, Incorporated Ornamental design for a frame of circuit elements utilized to replace damaged elements on printed circuit boards
US4653541A (en) 1985-06-26 1987-03-31 Parker Hannifin Corporation Dual wall safety tube
US4789294A (en) 1985-08-30 1988-12-06 Canon Kabushiki Kaisha Wafer handling apparatus and method
US4722298A (en) 1986-05-19 1988-02-02 Machine Technology, Inc. Modular processing apparatus for processing semiconductor wafers
US4882199A (en) 1986-08-15 1989-11-21 Massachusetts Institute Of Technology Method of forming a metal coating on a substrate
US4753192A (en) 1987-01-08 1988-06-28 Btu Engineering Corporation Movable core fast cool-down furnace
US4821674A (en) 1987-03-31 1989-04-18 Deboer Wiebe B Rotatable substrate supporting mechanism with temperature sensing device for use in chemical vapor deposition equipment
US4827430A (en) 1987-05-11 1989-05-02 Baxter International Inc. Flow measurement system
US5221556A (en) 1987-06-24 1993-06-22 Epsilon Technology, Inc. Gas injectors for reaction chambers in CVD systems
NO161941C (no) 1987-06-25 1991-04-30 Kvaerner Eng Fremgangsmaate ved og anlegg for transport av hydrokarboner over lang avstand fra en hydrokarbonkilde til havs.
US5062386A (en) 1987-07-27 1991-11-05 Epitaxy Systems, Inc. Induction heated pancake epitaxial reactor
US4986215A (en) 1988-09-01 1991-01-22 Kyushu Electronic Metal Co., Ltd. Susceptor for vapor-phase growth system
US5119760A (en) 1988-12-27 1992-06-09 Symetrix Corporation Methods and apparatus for material deposition
JPH0834187B2 (ja) 1989-01-13 1996-03-29 東芝セラミックス株式会社 サセプタ
DE4011933C2 (de) 1990-04-12 1996-11-21 Balzers Hochvakuum Verfahren zur reaktiven Oberflächenbehandlung eines Werkstückes sowie Behandlungskammer hierfür
US5167716A (en) 1990-09-28 1992-12-01 Gasonics, Inc. Method and apparatus for batch processing a semiconductor wafer
JP3323530B2 (ja) 1991-04-04 2002-09-09 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法
US5243195A (en) 1991-04-25 1993-09-07 Nikon Corporation Projection exposure apparatus having an off-axis alignment system and method of alignment therefor
US5199603A (en) 1991-11-26 1993-04-06 Prescott Norman F Delivery system for organometallic compounds
US5326427A (en) 1992-09-11 1994-07-05 Lsi Logic Corporation Method of selectively etching titanium-containing materials on a semiconductor wafer using remote plasma generation
IT1257434B (it) 1992-12-04 1996-01-17 Cselt Centro Studi Lab Telecom Generatore di vapori per impianti di deposizione chimica da fase vapore
US5421893A (en) 1993-02-26 1995-06-06 Applied Materials, Inc. Susceptor drive and wafer displacement mechanism
US6122036A (en) 1993-10-21 2000-09-19 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method
US5616947A (en) 1994-02-01 1997-04-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device having an MIS structure
US5681779A (en) 1994-02-04 1997-10-28 Lsi Logic Corporation Method of doping metal layers for electromigration resistance
JPH07283149A (ja) 1994-04-04 1995-10-27 Nissin Electric Co Ltd 薄膜気相成長装置
US5730801A (en) 1994-08-23 1998-03-24 Applied Materials, Inc. Compartnetalized substrate processing chamber
FI97730C (fi) 1994-11-28 1997-02-10 Mikrokemia Oy Laitteisto ohutkalvojen valmistamiseksi
US5518549A (en) 1995-04-18 1996-05-21 Memc Electronic Materials, Inc. Susceptor and baffle therefor
JP3360098B2 (ja) 1995-04-20 2002-12-24 東京エレクトロン株式会社 処理装置のシャワーヘッド構造
JPH08335558A (ja) 1995-06-08 1996-12-17 Nissin Electric Co Ltd 薄膜気相成長装置
NO953217L (no) 1995-08-16 1997-02-17 Aker Eng As Metode og innretning ved rörbunter
US5736314A (en) 1995-11-16 1998-04-07 Microfab Technologies, Inc. Inline thermo-cycler
US5796074A (en) 1995-11-28 1998-08-18 Applied Materials, Inc. Wafer heater assembly
US5632919A (en) 1996-01-25 1997-05-27 T.G.M., Inc. Temperature controlled insulation system
SE9600705D0 (sv) 1996-02-26 1996-02-26 Abb Research Ltd A susceptor for a device for epitaxially growing objects and such a device
US5837320A (en) 1996-02-27 1998-11-17 The University Of New Mexico Chemical vapor deposition of metal sulfide films from metal thiocarboxylate complexes with monodenate or multidentate ligands
US5732744A (en) 1996-03-08 1998-03-31 Control Systems, Inc. Method and apparatus for aligning and supporting semiconductor process gas delivery and regulation components
US5920798A (en) 1996-05-28 1999-07-06 Matsushita Battery Industrial Co., Ltd. Method of preparing a semiconductor layer for an optical transforming device
US5993916A (en) 1996-07-12 1999-11-30 Applied Materials, Inc. Method for substrate processing with improved throughput and yield
US5928389A (en) 1996-10-21 1999-07-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for priority based scheduling of wafer processing within a multiple chamber semiconductor wafer processing tool
US5836483A (en) 1997-02-05 1998-11-17 Aerotech Dental Systems, Inc. Self-regulating fluid dispensing cap with safety pressure relief valve for dental/medical unit fluid bottles
US6367410B1 (en) 1996-12-16 2002-04-09 Applied Materials, Inc. Closed-loop dome thermal control apparatus for a semiconductor wafer processing system
US6035101A (en) 1997-02-12 2000-03-07 Applied Materials, Inc. High temperature multi-layered alloy heater assembly and related methods
JP3752578B2 (ja) 1997-04-21 2006-03-08 株式会社フジキン 流体制御器用加熱装置
US6201999B1 (en) 1997-06-09 2001-03-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for automatically generating schedules for wafer processing within a multichamber semiconductor wafer processing tool
US6083321A (en) 1997-07-11 2000-07-04 Applied Materials, Inc. Fluid delivery system and method
US6312525B1 (en) 1997-07-11 2001-11-06 Applied Materials, Inc. Modular architecture for semiconductor wafer fabrication equipment
US6099596A (en) 1997-07-23 2000-08-08 Applied Materials, Inc. Wafer out-of-pocket detection tool
US6020243A (en) 1997-07-24 2000-02-01 Texas Instruments Incorporated Zirconium and/or hafnium silicon-oxynitride gate dielectric
US6287965B1 (en) 1997-07-28 2001-09-11 Samsung Electronics Co, Ltd. Method of forming metal layer using atomic layer deposition and semiconductor device having the metal layer as barrier metal layer or upper or lower electrode of capacitor
KR100385946B1 (ko) 1999-12-08 2003-06-02 삼성전자주식회사 원자층 증착법을 이용한 금속층 형성방법 및 그 금속층을장벽금속층, 커패시터의 상부전극, 또는 하부전극으로구비한 반도체 소자
US6161500A (en) 1997-09-30 2000-12-19 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for preventing the premature mixture of reactant gases in CVD and PECVD reactions
US6248168B1 (en) 1997-12-15 2001-06-19 Tokyo Electron Limited Spin coating apparatus including aging unit and solvent replacement unit
US6125789A (en) 1998-01-30 2000-10-03 Applied Materials, Inc. Increasing the sensitivity of an in-situ particle monitor
US6015465A (en) 1998-04-08 2000-01-18 Applied Materials, Inc. Temperature control system for semiconductor process chamber
JPH11343571A (ja) 1998-05-29 1999-12-14 Ngk Insulators Ltd サセプター
US6302964B1 (en) 1998-06-16 2001-10-16 Applied Materials, Inc. One-piece dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system
US6086677A (en) 1998-06-16 2000-07-11 Applied Materials, Inc. Dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system
US6148761A (en) 1998-06-16 2000-11-21 Applied Materials, Inc. Dual channel gas distribution plate
US20010001384A1 (en) 1998-07-29 2001-05-24 Takeshi Arai Silicon epitaxial wafer and production method therefor
USD451893S1 (en) 1998-10-15 2001-12-11 Meto International Gmbh Arrangement of aluminum foil coils forming an inductor of a resonant frequency identification element
US6454860B2 (en) 1998-10-27 2002-09-24 Applied Materials, Inc. Deposition reactor having vaporizing, mixing and cleaning capabilities
KR100331544B1 (ko) 1999-01-18 2002-04-06 윤종용 반응챔버에 가스를 유입하는 방법 및 이에 사용되는 샤워헤드
IT1308606B1 (it) 1999-02-12 2002-01-08 Lpe Spa Dispositivo per maneggiare substrati mediante un istema autolivellante a depressione in reattori epistassiali ad induzione con suscettore
US6326597B1 (en) 1999-04-15 2001-12-04 Applied Materials, Inc. Temperature control system for process chamber
FR2795745B1 (fr) 1999-06-30 2001-08-03 Saint Gobain Vitrage Procede de depot d'une couche a base de tungstene et/ou de molybdene sur un substrat verrier, ceramique ou vitroceramique, et substrat ainsi revetu
US6579833B1 (en) 1999-09-01 2003-06-17 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Process for converting a metal carbide to carbon by etching in halogens
US6645345B2 (en) 1999-09-02 2003-11-11 Micron Technology, Inc. Wafer planarization using a uniform layer of material and method and apparatus for forming uniform layer of material used in semiconductor processing
JP2001077088A (ja) 1999-09-02 2001-03-23 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
US6511539B1 (en) 1999-09-08 2003-01-28 Asm America, Inc. Apparatus and method for growth of a thin film
US6355153B1 (en) 1999-09-17 2002-03-12 Nutool, Inc. Chip interconnect and packaging deposition methods and structures
US6420792B1 (en) 1999-09-24 2002-07-16 Texas Instruments Incorporated Semiconductor wafer edge marking
KR100369324B1 (ko) 1999-12-02 2003-01-24 한국전자통신연구원 평면형 마이크로 공동구조 제조 방법
FI118804B (fi) 1999-12-03 2008-03-31 Asm Int Menetelmä oksidikalvojen kasvattamiseksi
JP2001176952A (ja) 1999-12-21 2001-06-29 Toshiba Mach Co Ltd ウェーハ位置ずれ検出装置
KR100767762B1 (ko) 2000-01-18 2007-10-17 에이에스엠 저펜 가부시기가이샤 자가 세정을 위한 원격 플라즈마 소스를 구비한 cvd 반도체 공정장치
US6407435B1 (en) 2000-02-11 2002-06-18 Sharp Laboratories Of America, Inc. Multilayer dielectric stack and method
JP5016767B2 (ja) 2000-03-07 2012-09-05 エーエスエム インターナショナル エヌ．ヴェー． 傾斜薄膜の形成方法
US6598559B1 (en) 2000-03-24 2003-07-29 Applied Materials, Inc. Temperature controlled chamber
JP2001342570A (ja) * 2000-03-30 2001-12-14 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
JP2003529926A (ja) 2000-03-30 2003-10-07 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理システム内への調整可能なガス注入のための方法及び装置
JP2001345263A (ja) 2000-03-31 2001-12-14 Nikon Corp 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
KR100367662B1 (ko) 2000-05-02 2003-01-10 주식회사 셈테크놀러지 하이퍼서멀 중성입자 발생 장치 및 이를 채용하는 중성입자 처리 장치
DE10021871A1 (de) 2000-05-05 2001-11-15 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen einer Barriereschicht in einem elektronischen Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements mit einer Barriereschicht
US6863019B2 (en) 2000-06-13 2005-03-08 Applied Materials, Inc. Semiconductor device fabrication chamber cleaning method and apparatus with recirculation of cleaning gas
KR100467366B1 (ko) 2000-06-30 2005-01-24 주식회사 하이닉스반도체 원자층 증착법을 이용한 지르코늄산화막 형성방법
US6874480B1 (en) 2000-07-03 2005-04-05 Combustion Dynamics Corp. Flow meter
AU2001288225A1 (en) 2000-07-24 2002-02-05 The University Of Maryland College Park Spatially programmable microelectronics process equipment using segmented gas injection showerhead with exhaust gas recirculation
US6660660B2 (en) 2000-10-10 2003-12-09 Asm International, Nv. Methods for making a dielectric stack in an integrated circuit
US7204887B2 (en) 2000-10-16 2007-04-17 Nippon Steel Corporation Wafer holding, wafer support member, wafer boat and heat treatment furnace
JP4156788B2 (ja) 2000-10-23 2008-09-24 日本碍子株式会社 半導体製造装置用サセプター
US6824665B2 (en) 2000-10-25 2004-11-30 Shipley Company, L.L.C. Seed layer deposition
JP2002158178A (ja) 2000-11-21 2002-05-31 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および半導体装置の製造方法
US6613695B2 (en) 2000-11-24 2003-09-02 Asm America, Inc. Surface preparation prior to deposition
US20020064592A1 (en) 2000-11-29 2002-05-30 Madhav Datta Electroless method of seed layer depostion, repair, and fabrication of Cu interconnects
CN100372076C (zh) 2000-12-05 2008-02-27 东京毅力科创株式会社 被处理体的处理方法及处理装置
US7172497B2 (en) 2001-01-05 2007-02-06 Asm Nutool, Inc. Fabrication of semiconductor interconnect structures
US7087482B2 (en) 2001-01-19 2006-08-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming material using atomic layer deposition and method of forming capacitor of semiconductor device using the same
US20020108670A1 (en) 2001-02-12 2002-08-15 Baker John Eric High purity chemical container with external level sensor and removable dip tube
JP4487135B2 (ja) 2001-03-05 2010-06-23 東京エレクトロン株式会社 流体制御装置
US6521295B1 (en) 2001-04-17 2003-02-18 Pilkington North America, Inc. Chemical vapor deposition of antimony-doped metal oxide and the coated article made thereby
US6482331B2 (en) 2001-04-18 2002-11-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for preventing contamination in a plasma process chamber
US6847014B1 (en) 2001-04-30 2005-01-25 Lam Research Corporation Method and apparatus for controlling the spatial temperature distribution across the surface of a workpiece support
JP2002343790A (ja) 2001-05-21 2002-11-29 Nec Corp 金属化合物薄膜の気相堆積方法及び半導体装置の製造方法
US6709989B2 (en) 2001-06-21 2004-03-23 Motorola, Inc. Method for fabricating a semiconductor structure including a metal oxide interface with silicon
US6420279B1 (en) 2001-06-28 2002-07-16 Sharp Laboratories Of America, Inc. Methods of using atomic layer deposition to deposit a high dielectric constant material on a substrate
TW539822B (en) 2001-07-03 2003-07-01 Asm Inc Source chemical container assembly
US6677254B2 (en) 2001-07-23 2004-01-13 Applied Materials, Inc. Processes for making a barrier between a dielectric and a conductor and products produced therefrom
US20050020071A1 (en) 2001-07-31 2005-01-27 Jun Sonobe Method and apparatus for cleaning and method and apparatus for etching
US6820570B2 (en) 2001-08-15 2004-11-23 Nobel Biocare Services Ag Atomic layer deposition reactor
JP2003060076A (ja) 2001-08-21 2003-02-28 Nec Corp 半導体装置及びその製造方法
US6960537B2 (en) 2001-10-02 2005-11-01 Asm America, Inc. Incorporation of nitrogen into high k dielectric film
US6720259B2 (en) 2001-10-02 2004-04-13 Genus, Inc. Passivation method for improved uniformity and repeatability for atomic layer deposition and chemical vapor deposition
KR100431658B1 (ko) 2001-10-05 2004-05-17 삼성전자주식회사 기판 가열 장치 및 이를 갖는 장치
DE20221269U1 (de) 2001-10-26 2005-12-08 Applied Materials, Inc., Santa Clara Gaszuführvorrichtung zur Abscheidung atomarer Schichten
KR20030039247A (ko) 2001-11-12 2003-05-17 주성엔지니어링(주) 서셉터
US6926774B2 (en) 2001-11-21 2005-08-09 Applied Materials, Inc. Piezoelectric vaporizer
KR100446619B1 (ko) 2001-12-14 2004-09-04 삼성전자주식회사 유도 결합 플라즈마 장치
JP3891267B2 (ja) 2001-12-25 2007-03-14 キヤノンアネルバ株式会社 シリコン酸化膜作製方法
CN101818334B (zh) 2002-01-17 2012-12-12 松德沃技术公司 Ald装置和方法
US20030141820A1 (en) 2002-01-30 2003-07-31 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for substrate processing
US6734090B2 (en) 2002-02-20 2004-05-11 International Business Machines Corporation Method of making an edge seal for a semiconductor device
WO2003076678A2 (en) 2002-03-08 2003-09-18 Sundew Technologies, Llc Ald method and apparatus
US6594550B1 (en) 2002-03-29 2003-07-15 Asm America, Inc. Method and system for using a buffer to track robotic movement
US7045430B2 (en) 2002-05-02 2006-05-16 Micron Technology Inc. Atomic layer-deposited LaAlO3 films for gate dielectrics
US7122844B2 (en) 2002-05-13 2006-10-17 Cree, Inc. Susceptor for MOCVD reactor
US6682973B1 (en) 2002-05-16 2004-01-27 Advanced Micro Devices, Inc. Formation of well-controlled thin SiO, SiN, SiON layer for multilayer high-K dielectric applications
US7135421B2 (en) 2002-06-05 2006-11-14 Micron Technology, Inc. Atomic layer-deposited hafnium aluminum oxide
US7195693B2 (en) 2002-06-05 2007-03-27 Advanced Thermal Sciences Lateral temperature equalizing system for large area surfaces during processing
US20060014384A1 (en) 2002-06-05 2006-01-19 Jong-Cheol Lee Method of forming a layer and forming a capacitor of a semiconductor device having the same layer
JP2004014952A (ja) 2002-06-10 2004-01-15 Tokyo Electron Ltd 処理装置および処理方法
US6858547B2 (en) 2002-06-14 2005-02-22 Applied Materials, Inc. System and method for forming a gate dielectric
US7067439B2 (en) 2002-06-14 2006-06-27 Applied Materials, Inc. ALD metal oxide deposition process using direct oxidation
US7601225B2 (en) 2002-06-17 2009-10-13 Asm International N.V. System for controlling the sublimation of reactants
US20040018750A1 (en) 2002-07-02 2004-01-29 Sophie Auguste J.L. Method for deposition of nitrogen doped silicon carbide films
US7186385B2 (en) 2002-07-17 2007-03-06 Applied Materials, Inc. Apparatus for providing gas to a processing chamber
US7357138B2 (en) 2002-07-18 2008-04-15 Air Products And Chemicals, Inc. Method for etching high dielectric constant materials and for cleaning deposition chambers for high dielectric constant materials
EP1540705A4 (en) 2002-07-19 2009-12-16 Entegris Inc LIQUID FLOW CONTROL AND PRECISION DELIVERY DEVICE AND SYSTEM
US6921062B2 (en) 2002-07-23 2005-07-26 Advanced Technology Materials, Inc. Vaporizer delivery ampoule
KR100464855B1 (ko) 2002-07-26 2005-01-06 삼성전자주식회사 박막 형성 방법과, 이를 이용한 커패시터 형성 방법 및트랜지스터 형성 방법
US7122085B2 (en) 2002-07-30 2006-10-17 Asm America, Inc. Sublimation bed employing carrier gas guidance structures
JP4034145B2 (ja) 2002-08-09 2008-01-16 住友大阪セメント株式会社 サセプタ装置
TW200408323A (en) 2002-08-18 2004-05-16 Asml Us Inc Atomic layer deposition of high k metal oxides
TW200408015A (en) 2002-08-18 2004-05-16 Asml Us Inc Atomic layer deposition of high K metal silicates
US20040036129A1 (en) 2002-08-22 2004-02-26 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition of CMOS gates with variable work functions
JP2004091848A (ja) 2002-08-30 2004-03-25 Tokyo Electron Ltd 薄膜形成装置の原料ガス供給系および薄膜形成装置
EP1540259A2 (en) 2002-09-10 2005-06-15 FSI International, Inc. Thermal process station with heated lid
KR100460841B1 (ko) 2002-10-22 2004-12-09 한국전자통신연구원 플라즈마 인가 원자층 증착법을 통한 질소첨가 산화물박막의 형성방법
KR100520902B1 (ko) 2002-11-20 2005-10-12 주식회사 아이피에스 알루미늄 화합물을 이용한 박막증착방법
US6858524B2 (en) 2002-12-03 2005-02-22 Asm International, Nv Method of depositing barrier layer for metal gates
US7122414B2 (en) 2002-12-03 2006-10-17 Asm International, Inc. Method to fabricate dual metal CMOS devices
US20040144980A1 (en) 2003-01-27 2004-07-29 Ahn Kie Y. Atomic layer deposition of metal oxynitride layers as gate dielectrics and semiconductor device structures utilizing metal oxynitride layers
US7129165B2 (en) 2003-02-04 2006-10-31 Asm Nutool, Inc. Method and structure to improve reliability of copper interconnects
KR100800639B1 (ko) 2003-02-06 2008-02-01 동경 엘렉트론 주식회사 플라즈마 처리 방법, 반도체 기판 및 플라즈마 처리 장치
TWI338323B (en) 2003-02-17 2011-03-01 Nikon Corp Stage device, exposure device and manufacguring method of devices
US20040168627A1 (en) 2003-02-27 2004-09-02 Sharp Laboratories Of America, Inc. Atomic layer deposition of oxide film
US6930059B2 (en) 2003-02-27 2005-08-16 Sharp Laboratories Of America, Inc. Method for depositing a nanolaminate film by atomic layer deposition
US7091453B2 (en) 2003-02-27 2006-08-15 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Heat treatment apparatus by means of light irradiation
US7192892B2 (en) 2003-03-04 2007-03-20 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposited dielectric layers
JP2004273766A (ja) 2003-03-07 2004-09-30 Watanabe Shoko:Kk 気化装置及びそれを用いた成膜装置並びに気化方法及び成膜方法
US20040198069A1 (en) 2003-04-04 2004-10-07 Applied Materials, Inc. Method for hafnium nitride deposition
US7037376B2 (en) 2003-04-11 2006-05-02 Applied Materials Inc. Backflush chamber clean
US7601223B2 (en) 2003-04-29 2009-10-13 Asm International N.V. Showerhead assembly and ALD methods
US7033113B2 (en) 2003-05-01 2006-04-25 Shell Oil Company Mid-line connector and method for pipe-in-pipe electrical heating
JP4959333B2 (ja) 2003-05-09 2012-06-20 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド 化学的不活性化を通じたリアクタ表面のパシベーション
US7589003B2 (en) * 2003-06-13 2009-09-15 Arizona Board Of Regents, Acting For And On Behalf Of Arizona State University, A Corporate Body Organized Under Arizona Law GeSn alloys and ordered phases with direct tunable bandgaps grown directly on silicon
US7598513B2 (en) * 2003-06-13 2009-10-06 Arizona Board Of Regents, Acting For And On Behalf Of Arizona State University, A Corporate Body Organized Under Arizona Law SixSnyGe1-x-y and related alloy heterostructures based on Si, Ge and Sn
WO2005001902A2 (en) * 2003-06-13 2005-01-06 Arizona Board Of Regents, Acting For And On Behalf Of Arizona State University Gesn alloys and ordered phases with direct tunable bandgaps grown directly on silicon
US7192824B2 (en) 2003-06-24 2007-03-20 Micron Technology, Inc. Lanthanide oxide / hafnium oxide dielectric layers
KR20050001793A (ko) 2003-06-26 2005-01-07 삼성전자주식회사 단원자층 증착 공정의 실시간 분석 방법
US7547363B2 (en) 2003-07-08 2009-06-16 Tosoh Finechem Corporation Solid organometallic compound-filled container and filling method thereof
JP4298421B2 (ja) 2003-07-23 2009-07-22 エスペック株式会社 サーマルプレートおよび試験装置
US6909839B2 (en) 2003-07-23 2005-06-21 Advanced Technology Materials, Inc. Delivery systems for efficient vaporization of precursor source material
EP1652226A2 (en) 2003-08-04 2006-05-03 ASM America, Inc. Surface preparation prior to deposition on germanium
JP2005072405A (ja) 2003-08-27 2005-03-17 Sony Corp 薄膜の形成方法および半導体装置の製造方法
EP1667217A1 (en) 2003-09-03 2006-06-07 Tokyo Electron Limited Gas treatment device and heat readiting method
KR100551138B1 (ko) 2003-09-09 2006-02-10 어댑티브프라즈마테크놀로지 주식회사 균일한 플라즈마 발생을 위한 적응형 플라즈마 소스
US7414281B1 (en) 2003-09-09 2008-08-19 Spansion Llc Flash memory with high-K dielectric material between substrate and gate
KR100765681B1 (ko) 2003-09-19 2007-10-12 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치
US7156380B2 (en) 2003-09-29 2007-01-02 Asm International, N.V. Safe liquid source containers
US6875677B1 (en) 2003-09-30 2005-04-05 Sharp Laboratories Of America, Inc. Method to control the interfacial layer for deposition of high dielectric constant films
US7205247B2 (en) 2003-09-30 2007-04-17 Aviza Technology, Inc. Atomic layer deposition of hafnium-based high-k dielectric
KR20060096445A (ko) 2003-10-29 2006-09-11 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 박막 성장용 반응 시스템
US7329947B2 (en) 2003-11-07 2008-02-12 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation Heat treatment jig for semiconductor substrate
US7071118B2 (en) 2003-11-12 2006-07-04 Veeco Instruments, Inc. Method and apparatus for fabricating a conformal thin film on a substrate
KR100550641B1 (ko) 2003-11-22 2006-02-09 주식회사 하이닉스반도체 산화하프늄과 산화알루미늄이 혼합된 유전막 및 그 제조방법
US7431966B2 (en) 2003-12-09 2008-10-07 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition method of depositing an oxide on a substrate
US7071051B1 (en) 2004-01-20 2006-07-04 Advanced Micro Devices, Inc. Method for forming a thin, high quality buffer layer in a field effect transistor and related structure
DE102004005385A1 (de) 2004-02-03 2005-10-20 Infineon Technologies Ag Verwendung von gelösten Hafniumalkoxiden bzw. Zirkoniumalkoxiden als Precursoren für Hafniumoxid- und Hafniumoxynitridschichten bzw. Zirkoniumoxid- und Zirkoniumoxynitridschichten
US20050187647A1 (en) 2004-02-19 2005-08-25 Kuo-Hua Wang Intelligent full automation controlled flow for a semiconductor furnace tool
US20060062910A1 (en) 2004-03-01 2006-03-23 Meiere Scott H Low zirconium, hafnium-containing compositions, processes for the preparation thereof and methods of use thereof
US20050214458A1 (en) 2004-03-01 2005-09-29 Meiere Scott H Low zirconium hafnium halide compositions
US20050214457A1 (en) 2004-03-29 2005-09-29 Applied Materials, Inc. Deposition of low dielectric constant films by N2O addition
CN1292092C (zh) 2004-04-01 2006-12-27 南昌大学 用于金属有机化学气相沉积设备的双层进气喷头
US7273526B2 (en) 2004-04-15 2007-09-25 Asm Japan K.K. Thin-film deposition apparatus
USD553104S1 (en) 2004-04-21 2007-10-16 Tokyo Electron Limited Absorption board for an electric chuck used in semiconductor manufacture
US20050252449A1 (en) 2004-05-12 2005-11-17 Nguyen Son T Control of gas flow and delivery to suppress the formation of particles in an MOCVD/ALD system
US20060019033A1 (en) 2004-05-21 2006-01-26 Applied Materials, Inc. Plasma treatment of hafnium-containing materials
US7651583B2 (en) 2004-06-04 2010-01-26 Tokyo Electron Limited Processing system and method for treating a substrate
US7132360B2 (en) 2004-06-10 2006-11-07 Freescale Semiconductor, Inc. Method for treating a semiconductor surface to form a metal-containing layer
KR100589062B1 (ko) 2004-06-10 2006-06-12 삼성전자주식회사 원자층 적층 방식의 박막 형성방법 및 이를 이용한 반도체소자의 커패시터 형성방법
JP4534619B2 (ja) 2004-06-21 2010-09-01 株式会社Ｓｕｍｃｏ 半導体シリコン基板用熱処理治具
KR100578819B1 (ko) 2004-07-15 2006-05-11 삼성전자주식회사 원자층 적층 방법과 이를 이용한 게이트 구조물의 제조방법 및 커패시터의 제조 방법
US20090107404A1 (en) 2004-07-30 2009-04-30 Katten Muchin Rosenman Llp Epitaxial reactor with susceptor controlled positioning
ITMI20041677A1 (it) 2004-08-30 2004-11-30 E T C Epitaxial Technology Ct Processo di pulitura e processo operativo per un reattore cvd.
US8158488B2 (en) 2004-08-31 2012-04-17 Micron Technology, Inc. Method of increasing deposition rate of silicon dioxide on a catalyst
US20060060930A1 (en) 2004-09-17 2006-03-23 Metz Matthew V Atomic layer deposition of high dielectric constant gate dielectrics
DE102005045081B4 (de) 2004-09-29 2011-07-07 Covalent Materials Corp. Suszeptor
US7241475B2 (en) 2004-09-30 2007-07-10 The Aerospace Corporation Method for producing carbon surface films by plasma exposure of a carbide compound
US20060257563A1 (en) 2004-10-13 2006-11-16 Seok-Joo Doh Method of fabricating silicon-doped metal oxide layer using atomic layer deposition technique
CN101061578A (zh) 2004-10-19 2007-10-24 佳能安内华股份有限公司 基板支撑·运送用托盘
JP2006135161A (ja) 2004-11-08 2006-05-25 Canon Inc 絶縁膜の形成方法及び装置
TWI553703B (zh) 2004-11-18 2016-10-11 尼康股份有限公司 A position measuring method, a position control method, a measuring method, a loading method, an exposure method and an exposure apparatus, and a device manufacturing method
WO2006056091A1 (en) 2004-11-24 2006-06-01 Oc Oerlikon Balzers Ag Vacuum processing chamber for very large area substrates
US20060113675A1 (en) 2004-12-01 2006-06-01 Chung-Liang Chang Barrier material and process for Cu interconnect
US7235501B2 (en) 2004-12-13 2007-06-26 Micron Technology, Inc. Lanthanum hafnium oxide dielectrics
US7396732B2 (en) 2004-12-17 2008-07-08 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw (Imec) Formation of deep trench airgaps and related applications
JP2006186271A (ja) 2004-12-28 2006-07-13 Sharp Corp 気相成長装置および成膜済基板の製造方法
US7560395B2 (en) 2005-01-05 2009-07-14 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposited hafnium tantalum oxide dielectrics
JP4934595B2 (ja) 2005-01-18 2012-05-16 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド 薄膜成長用反応装置
US7298009B2 (en) 2005-02-01 2007-11-20 Infineon Technologies Ag Semiconductor method and device with mixed orientation substrate
US6972478B1 (en) 2005-03-07 2005-12-06 Advanced Micro Devices, Inc. Integrated circuit and method for its manufacture
US7422636B2 (en) 2005-03-25 2008-09-09 Tokyo Electron Limited Plasma enhanced atomic layer deposition system having reduced contamination
US20060226117A1 (en) 2005-03-29 2006-10-12 Bertram Ronald T Phase change based heating element system and method
JP4694878B2 (ja) 2005-04-20 2011-06-08 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
US20070155138A1 (en) 2005-05-24 2007-07-05 Pierre Tomasini Apparatus and method for depositing silicon germanium films
TW200709296A (en) 2005-05-31 2007-03-01 Tokyo Electron Ltd Plasma treatment apparatus and plasma treatment method
WO2006134930A1 (ja) 2005-06-13 2006-12-21 Hitachi Kokusai Electric Inc. 半導体装置の製造方法、及び基板処理装置
JP4753173B2 (ja) 2005-06-17 2011-08-24 株式会社フジキン 流体制御装置
US7575990B2 (en) 2005-07-01 2009-08-18 Macronix International Co., Ltd. Method of forming self-aligned contacts and local interconnects
US20070031598A1 (en) 2005-07-08 2007-02-08 Yoshikazu Okuyama Method for depositing silicon-containing films
US20070010072A1 (en) 2005-07-09 2007-01-11 Aviza Technology, Inc. Uniform batch film deposition process and films so produced
US7314838B2 (en) 2005-07-21 2008-01-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for forming a high density dielectric film by chemical vapor deposition
TWI313486B (en) 2005-07-28 2009-08-11 Nuflare Technology Inc Position measurement apparatus and method and writing apparatus and method
US20070028842A1 (en) 2005-08-02 2007-02-08 Makoto Inagawa Vacuum chamber bottom
US20070037412A1 (en) 2005-08-05 2007-02-15 Tokyo Electron Limited In-situ atomic layer deposition
US7718225B2 (en) 2005-08-17 2010-05-18 Applied Materials, Inc. Method to control semiconductor film deposition characteristics
USD557226S1 (en) 2005-08-25 2007-12-11 Hitachi High-Technologies Corporation Electrode cover for a plasma processing apparatus
US7402534B2 (en) 2005-08-26 2008-07-22 Applied Materials, Inc. Pretreatment processes within a batch ALD reactor
US7393736B2 (en) 2005-08-29 2008-07-01 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition of Zrx Hfy Sn1-x-y O2 films as high k gate dielectrics
US20070065578A1 (en) 2005-09-21 2007-03-22 Applied Materials, Inc. Treatment processes for a batch ALD reactor
JP2007088113A (ja) 2005-09-21 2007-04-05 Sony Corp 半導体装置の製造方法
US7691204B2 (en) 2005-09-30 2010-04-06 Applied Materials, Inc. Film formation apparatus and methods including temperature and emissivity/pattern compensation
DE102005051994B4 (de) * 2005-10-31 2011-12-01 Globalfoundries Inc. Verformungsverfahrenstechnik in Transistoren auf Siliziumbasis unter Anwendung eingebetteter Halbleiterschichten mit Atomen mit einem großen kovalenten Radius
JP4940635B2 (ja) 2005-11-14 2012-05-30 東京エレクトロン株式会社 加熱装置、熱処理装置及び記憶媒体
GB2432363B (en) 2005-11-16 2010-06-23 Epichem Ltd Hafnocene and zirconocene precursors, and use thereof in atomic layer deposition
US20070116873A1 (en) 2005-11-18 2007-05-24 Tokyo Electron Limited Apparatus for thermal and plasma enhanced vapor deposition and method of operating
JP4666496B2 (ja) 2005-12-07 2011-04-06 大日本スクリーン製造株式会社 基板熱処理装置
US7592251B2 (en) 2005-12-08 2009-09-22 Micron Technology, Inc. Hafnium tantalum titanium oxide films
KR101296911B1 (ko) 2005-12-28 2013-08-14 엘지디스플레이 주식회사 평판표시소자의 제조장치 및 그의 정전기량 검출장치 및검출방법
TWI284390B (en) 2006-01-10 2007-07-21 Ind Tech Res Inst Manufacturing method of charge store device
US8088248B2 (en) 2006-01-11 2012-01-03 Lam Research Corporation Gas switching section including valves having different flow coefficients for gas distribution system
JP2007191792A (ja) 2006-01-19 2007-08-02 Atto Co Ltd ガス分離型シャワーヘッド
US8673413B2 (en) 2006-01-27 2014-03-18 Tosoh Finechem Corporation Method for packing solid organometallic compound and packed container
US7794546B2 (en) 2006-03-08 2010-09-14 Tokyo Electron Limited Sealing device and method for a processing system
US7740705B2 (en) 2006-03-08 2010-06-22 Tokyo Electron Limited Exhaust apparatus configured to reduce particle contamination in a deposition system
KR20070093493A (ko) 2006-03-14 2007-09-19 엘지이노텍 주식회사 서셉터 및 반도체 제조장치
JP2007266464A (ja) 2006-03-29 2007-10-11 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法
US8951478B2 (en) 2006-03-30 2015-02-10 Applied Materials, Inc. Ampoule with a thermally conductive coating
US20070237697A1 (en) 2006-03-31 2007-10-11 Tokyo Electron Limited Method of forming mixed rare earth oxide and aluminate films by atomic layer deposition
US7410852B2 (en) 2006-04-21 2008-08-12 International Business Machines Corporation Opto-thermal annealing methods for forming metal gate and fully silicided gate field effect transistors
US7537804B2 (en) 2006-04-28 2009-05-26 Micron Technology, Inc. ALD methods in which two or more different precursors are utilized with one or more reactants to form materials over substrates
US8278176B2 (en) 2006-06-07 2012-10-02 Asm America, Inc. Selective epitaxial formation of semiconductor films
WO2008004278A1 (fr) 2006-07-04 2008-01-10 Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation Procédé et dispositif de concentration / dilution de gaz spécifique
JP4193883B2 (ja) 2006-07-05 2008-12-10 住友電気工業株式会社 有機金属気相成長装置
KR100799735B1 (ko) 2006-07-10 2008-02-01 삼성전자주식회사 금속 산화물 형성 방법 및 이를 수행하기 위한 장치
KR100791334B1 (ko) 2006-07-26 2008-01-07 삼성전자주식회사 원자층 증착법을 이용한 금속 산화막 형성 방법
US7749879B2 (en) 2006-08-03 2010-07-06 Micron Technology, Inc. ALD of silicon films on germanium
KR100753020B1 (ko) 2006-08-30 2007-08-30 한국화학연구원 원자층 증착법을 이용한 비휘발성 부유 게이트 메모리소자를 위한 나노적층체의 제조방법
US20080241805A1 (en) 2006-08-31 2008-10-02 Q-Track Corporation System and method for simulated dosimetry using a real time locating system
US20080057659A1 (en) 2006-08-31 2008-03-06 Micron Technology, Inc. Hafnium aluminium oxynitride high-K dielectric and metal gates
US7605030B2 (en) 2006-08-31 2009-10-20 Micron Technology, Inc. Hafnium tantalum oxynitride high-k dielectric and metal gates
US7976898B2 (en) 2006-09-20 2011-07-12 Asm Genitech Korea Ltd. Atomic layer deposition apparatus
US7723648B2 (en) 2006-09-25 2010-05-25 Tokyo Electron Limited Temperature controlled substrate holder with non-uniform insulation layer for a substrate processing system
USD593969S1 (en) 2006-10-10 2009-06-09 Tokyo Electron Limited Processing chamber for manufacturing semiconductors
CN101522943B (zh) 2006-10-10 2013-04-24 Asm美国公司 前体输送系统
US8986456B2 (en) 2006-10-10 2015-03-24 Asm America, Inc. Precursor delivery system
US7749574B2 (en) 2006-11-14 2010-07-06 Applied Materials, Inc. Low temperature ALD SiO2
US7776395B2 (en) 2006-11-14 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Method of depositing catalyst assisted silicates of high-k materials
US7976634B2 (en) 2006-11-21 2011-07-12 Applied Materials, Inc. Independent radiant gas preheating for precursor disassociation control and gas reaction kinetics in low temperature CVD systems
DE102007002962B3 (de) 2007-01-19 2008-07-31 Qimonda Ag Verfahren zum Herstellen einer dielektrischen Schicht und zum Herstellen eines Kondensators
US7833353B2 (en) 2007-01-24 2010-11-16 Asm Japan K.K. Liquid material vaporization apparatus for semiconductor processing apparatus
US20080216077A1 (en) 2007-03-02 2008-09-04 Applied Materials, Inc. Software sequencer for integrated substrate processing system
US7833913B2 (en) 2007-03-20 2010-11-16 Tokyo Electron Limited Method of forming crystallographically stabilized doped hafnium zirconium based films
US7435987B1 (en) * 2007-03-27 2008-10-14 Intel Corporation Forming a type I heterostructure in a group IV semiconductor
KR100829759B1 (ko) 2007-04-04 2008-05-15 삼성에스디아이 주식회사 카바이드 유도 탄소를 이용한 카본나노튜브 혼성체, 이를포함하는 전자 방출원 및 상기 전자 방출원을 구비한 전자방출 소자
US7575968B2 (en) 2007-04-30 2009-08-18 Freescale Semiconductor, Inc. Inverse slope isolation and dual surface orientation integration
JP5103056B2 (ja) 2007-05-15 2012-12-19 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
CN100590804C (zh) 2007-06-22 2010-02-17 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 原子层沉积方法以及形成的半导体器件
US20090000550A1 (en) 2007-06-29 2009-01-01 Applied Materials, Inc. Manifold assembly
JP4900110B2 (ja) 2007-07-20 2012-03-21 東京エレクトロン株式会社 薬液気化タンク及び薬液処理システム
US7720560B2 (en) 2007-07-26 2010-05-18 International Business Machines Corporation Semiconductor manufacturing process monitoring
US8004045B2 (en) 2007-07-27 2011-08-23 Panasonic Corporation Semiconductor device and method for producing the same
US8440259B2 (en) 2007-09-05 2013-05-14 Intermolecular, Inc. Vapor based combinatorial processing
JP5347294B2 (ja) 2007-09-12 2013-11-20 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
JP4986784B2 (ja) 2007-09-18 2012-07-25 東京エレクトロン株式会社 処理システムの制御装置、処理システムの制御方法および制御プログラムを記憶した記憶媒体
US20090085156A1 (en) 2007-09-28 2009-04-02 Gilbert Dewey Metal surface treatments for uniformly growing dielectric layers
US7776698B2 (en) 2007-10-05 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Selective formation of silicon carbon epitaxial layer
US20090095221A1 (en) 2007-10-16 2009-04-16 Alexander Tam Multi-gas concentric injection showerhead
US20090139657A1 (en) 2007-12-04 2009-06-04 Applied Materials, Inc. Etch system
US20090214777A1 (en) 2008-02-22 2009-08-27 Demetrius Sarigiannis Multiple ampoule delivery systems
KR100968132B1 (ko) 2008-02-29 2010-07-06 (주)얼라이드 테크 파인더즈 안테나 및 이를 구비한 반도체 장치
US8252114B2 (en) 2008-03-28 2012-08-28 Tokyo Electron Limited Gas distribution system and method for distributing process gas in a processing system
US7659158B2 (en) 2008-03-31 2010-02-09 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition processes for non-volatile memory devices
US8110453B2 (en) 2008-04-17 2012-02-07 Applied Materials, Inc. Low temperature thin film transistor process, device property, and device stability improvement
US8076237B2 (en) 2008-05-09 2011-12-13 Asm America, Inc. Method and apparatus for 3D interconnect
JP2009295932A (ja) 2008-06-09 2009-12-17 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
US8726837B2 (en) 2008-06-23 2014-05-20 Applied Materials, Inc. Semiconductor process chamber vision and monitoring system
KR20100015213A (ko) 2008-08-04 2010-02-12 삼성전기주식회사 Ｃｖｄ용 샤워 헤드 및 이를 구비하는 화학 기상 증착 장치
US20100025796A1 (en) 2008-08-04 2010-02-04 Amir Massoud Dabiran Microchannel plate photocathode
JP2010087467A (ja) 2008-09-04 2010-04-15 Tokyo Electron Ltd 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及びこの成膜方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
US9711373B2 (en) 2008-09-22 2017-07-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of fabricating a gate dielectric for high-k metal gate devices
USD609655S1 (en) 2008-10-03 2010-02-09 Ngk Insulators, Ltd. Electrostatic chuck
CN103346116B (zh) 2008-10-07 2016-01-13 应用材料公司 用于从蚀刻基板有效地移除卤素残余物的设备
US20110254052A1 (en) * 2008-10-15 2011-10-20 Arizona Board of Regents, a body corporate acting for and on behalf of Arizona State University Hybrid Group IV/III-V Semiconductor Structures
WO2010062582A2 (en) 2008-10-27 2010-06-03 Applied Materials, Inc. Vapor deposition method for ternary compounds
JP2010153769A (ja) 2008-11-19 2010-07-08 Tokyo Electron Ltd 基板位置検出装置、基板位置検出方法、成膜装置、成膜方法、プログラム及びコンピュータ可読記憶媒体
US20100130017A1 (en) 2008-11-21 2010-05-27 Axcelis Technologies, Inc. Front end of line plasma mediated ashing processes and apparatus
KR20100075070A (ko) * 2008-12-24 2010-07-02 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치의 제조 방법
US8216380B2 (en) 2009-01-08 2012-07-10 Asm America, Inc. Gap maintenance for opening to process chamber
US8405005B2 (en) 2009-02-04 2013-03-26 Mattson Technology, Inc. Electrostatic chuck system and process for radially tuning the temperature profile across the surface of a substrate
US8287648B2 (en) 2009-02-09 2012-10-16 Asm America, Inc. Method and apparatus for minimizing contamination in semiconductor processing chamber
JP5221421B2 (ja) 2009-03-10 2013-06-26 東京エレクトロン株式会社 シャワーヘッド及びプラズマ処理装置
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
WO2010123877A2 (en) 2009-04-21 2010-10-28 Applied Materials, Inc. Cvd apparatus for improved film thickness non-uniformity and particle performance
US8071452B2 (en) 2009-04-27 2011-12-06 Asm America, Inc. Atomic layer deposition of hafnium lanthanum oxides
JP5136574B2 (ja) 2009-05-01 2013-02-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US8883270B2 (en) 2009-08-14 2014-11-11 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen—oxygen species
US8877655B2 (en) 2010-05-07 2014-11-04 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
USD634719S1 (en) 2009-08-27 2011-03-22 Ebara Corporation Elastic membrane for semiconductor wafer polishing apparatus
US20110061810A1 (en) 2009-09-11 2011-03-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and Methods for Cyclical Oxidation and Etching
EP2306497B1 (en) 2009-10-02 2012-06-06 Imec Method for manufacturing a low defect interface between a dielectric and a III/V compound
US8465791B2 (en) 2009-10-16 2013-06-18 Msp Corporation Method for counting particles in a gas
US20110097901A1 (en) 2009-10-26 2011-04-28 Applied Materials, Inc. Dual mode inductively coupled plasma reactor with adjustable phase coil assembly
JP5451324B2 (ja) 2009-11-10 2014-03-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
US8367528B2 (en) 2009-11-17 2013-02-05 Asm America, Inc. Cyclical epitaxial deposition and etch
US8709551B2 (en) 2010-03-25 2014-04-29 Novellus Systems, Inc. Smooth silicon-containing films
US8728956B2 (en) 2010-04-15 2014-05-20 Novellus Systems, Inc. Plasma activated conformal film deposition
US9443753B2 (en) 2010-07-30 2016-09-13 Applied Materials, Inc. Apparatus for controlling the flow of a gas in a process chamber
US9449858B2 (en) 2010-08-09 2016-09-20 Applied Materials, Inc. Transparent reflector plate for rapid thermal processing chamber
WO2012061278A1 (en) 2010-11-05 2012-05-10 Synos Technology, Inc. Radical reactor with multiple plasma chambers
JP5573666B2 (ja) 2010-12-28 2014-08-20 東京エレクトロン株式会社 原料供給装置及び成膜装置
JP5820731B2 (ja) 2011-03-22 2015-11-24 株式会社日立国際電気 基板処理装置および固体原料補充方法
JP5203482B2 (ja) 2011-03-28 2013-06-05 株式会社小松製作所 加熱装置
JP5922219B2 (ja) * 2011-03-31 2016-05-24 アイメックＩｍｅｃ 単結晶スズ含有半導体材料を成長させる方法
US8900402B2 (en) 2011-05-10 2014-12-02 Lam Research Corporation Semiconductor processing system having multiple decoupled plasma sources
US8871617B2 (en) 2011-04-22 2014-10-28 Asm Ip Holding B.V. Deposition and reduction of mixed metal oxide thin films
US8809170B2 (en) 2011-05-19 2014-08-19 Asm America Inc. High throughput cyclical epitaxial deposition and etch process
US20120304935A1 (en) 2011-05-31 2012-12-06 Oosterlaken Theodorus G M Bubbler assembly and method for vapor flow control
US9175392B2 (en) 2011-06-17 2015-11-03 Intermolecular, Inc. System for multi-region processing
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9096931B2 (en) 2011-10-27 2015-08-04 Asm America, Inc Deposition valve assembly and method of heating the same
US9341296B2 (en) 2011-10-27 2016-05-17 Asm America, Inc. Heater jacket for a fluid line
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US8927059B2 (en) 2011-11-08 2015-01-06 Applied Materials, Inc. Deposition of metal films using alane-based precursors
US9005539B2 (en) 2011-11-23 2015-04-14 Asm Ip Holding B.V. Chamber sealing member
US9167625B2 (en) 2011-11-23 2015-10-20 Asm Ip Holding B.V. Radiation shielding for a substrate holder
USD691974S1 (en) 2011-12-22 2013-10-22 Tokyo Electron Limited Holding pad for transferring a wafer
DE112011105995B4 (de) * 2011-12-23 2020-08-06 Intel Corporation Herstellungsverfahren für eine nicht-planare Rundum-Gate-Schaltung
US9202727B2 (en) 2012-03-02 2015-12-01 ASM IP Holding Susceptor heater shim
US8946830B2 (en) 2012-04-04 2015-02-03 Asm Ip Holdings B.V. Metal oxide protective layer for a semiconductor device
US8647439B2 (en) * 2012-04-26 2014-02-11 Applied Materials, Inc. Method of epitaxial germanium tin alloy surface preparation
TWI622664B (zh) 2012-05-02 2018-05-01 Ａｓｍ智慧財產控股公司 相穩定薄膜，包括該薄膜之結構及裝置，及其形成方法
US8728832B2 (en) 2012-05-07 2014-05-20 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor device dielectric interface layer
US8933375B2 (en) 2012-06-27 2015-01-13 Asm Ip Holding B.V. Susceptor heater and method of heating a substrate
US9558931B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Asm Ip Holding B.V. System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9117866B2 (en) 2012-07-31 2015-08-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for calculating a wafer position in a processing chamber under process conditions
US8912070B2 (en) * 2012-08-16 2014-12-16 The Institute of Microelectronics Chinese Academy of Science Method for manufacturing semiconductor device
US9169975B2 (en) 2012-08-28 2015-10-27 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for mass flow controller verification
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US20140077240A1 (en) * 2012-09-17 2014-03-20 Radek Roucka Iv material photonic device on dbr
US8921207B2 (en) * 2012-09-24 2014-12-30 Asm Ip Holding B.V., Inc. Tin precursors for vapor deposition and deposition processes
US9324811B2 (en) 2012-09-26 2016-04-26 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
JP5960028B2 (ja) 2012-10-31 2016-08-02 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
US8894870B2 (en) 2013-02-01 2014-11-25 Asm Ip Holding B.V. Multi-step method and apparatus for etching compounds containing a metal
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9666702B2 (en) * 2013-03-15 2017-05-30 Matthew H. Kim Advanced heterojunction devices and methods of manufacturing advanced heterojunction devices
TWI630281B (zh) 2013-06-26 2018-07-21 應用材料股份有限公司 沉積金屬合金膜之方法
USD705745S1 (en) 2013-07-08 2014-05-27 Witricity Corporation Printed resonator coil
US8993054B2 (en) 2013-07-12 2015-03-31 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US9018111B2 (en) 2013-07-22 2015-04-28 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities
US9396934B2 (en) 2013-08-14 2016-07-19 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming films including germanium tin and structures and devices including the films
USD716742S1 (en) 2013-09-13 2014-11-04 Asm Ip Holding B.V. Substrate supporter for semiconductor deposition apparatus
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9605343B2 (en) 2013-11-13 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal carbon films, structures conformal carbon film, and system of forming same
TWI518751B (zh) * 2014-05-14 2016-01-21 國立清華大學 成分元素濃度漸變分佈之載子通道及其製作方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012134512A1 (en) * 2011-03-28 2012-10-04 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for the selective deposition of epitaxial germanium stressor alloys
US20120318334A1 (en) * 2011-06-14 2012-12-20 International Business Machines Corporation Spalling methods to form multi-junction photovoltaic structure
US20130256838A1 (en) * 2012-04-02 2013-10-03 Errol Antonio C. Sanchez Method of epitaxial doped germanium tin alloy formation
US20130330911A1 (en) * 2012-06-08 2013-12-12 Yi-Chiau Huang Method of semiconductor film stabilization

Also Published As

Publication number Publication date
TW201510266A (zh) 2015-03-16
US9396934B2 (en) 2016-07-19
KR102278439B1 (ko) 2021-07-16
TWI607110B (zh) 2017-12-01
KR102390236B1 (ko) 2022-04-22
KR20150020097A (ko) 2015-02-25
US20150048485A1 (en) 2015-02-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102390236B1 (ko) 게르마늄 주석을 포함하는 막의 형성 방법 그리고 그 막을 포함하는 구조물 및 디바이스
US9793115B2 (en) Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same
KR102544300B1 (ko) 실리콘 게르마늄 주석 필름들을 형성하는 방법들 및 필름들을 포함하는 구조체들 및 디바이스들
TWI692545B (zh) 形成高ｐ型摻雜鍺錫膜的方法以及包含該等膜的結構和裝置
US10388509B2 (en) Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US11594600B2 (en) Structures with doped semiconductor layers and methods and systems for forming same
US11637014B2 (en) Methods for selective deposition of doped semiconductor material
US11996289B2 (en) Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210029090A (ko) 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
JP5922219B2 (ja) 単結晶スズ含有半導体材料を成長させる方法
KR20130044312A (ko) 시클로헥사실란을 이용한 박막 및 이의 제조방법
US7029995B2 (en) Methods for depositing amorphous materials and using them as templates for epitaxial films by solid phase epitaxy
CN101460654A (zh) 使用含碳的硅薄膜形成超浅接合区的方法
US20130015503A1 (en) Monolithic integrated semiconductor structure
TWI751158B (zh) 包括鍺-錫膜之結構與裝置及該膜之形成方法
JP2004087669A (ja) 受光素子用エピタキシャルウェーハおよびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant