KR101465270B1 - 유기 전계발광 소자용 물질 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 하기 화학식 (1) 내지 (4)의 화합물이 방사층에서의 호스트 물질 또는 도펀트 및/또는 정공 수송 물질 및/또는 전자 수송 물질로서 사용되는 유기 전계발광 소자, 특히 청색-방사 소자에 관한 것이다.

Description

유기 전계발광 소자용 물질 {MATERIALS FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICES}
본 발명은 유기 반도체 및 유기 전자 소자에서의 이의 용도에 관한 것이다.
유기 반도체는 가장 넓은 의미에서의 전자 산업에 속할 수 있다고 생각되는 많은 다양한 적용을 위해 발전되고 있다. 이러한 유기 반도체가 기능적 물질로서 사용되는 것에서의 유기 전계발광 소자 (OLED)의 구조는, 예를 들어 US 4539507, US 5151629, EP 0676461 및 WO 98/27136에 기재된다. 그러나, 이러한 소자는 여전히 긴급한 개선을 필요로 하는, 중요한 문제점을 나타낸다:
1. 통상 사용되는 화합물은 충분하게 낮은 LUMO (최저 비점유 분자 궤도)를 가지지 않는다. 용이한 전자 주사 및 이에 따른 작동 전압에서의 감소를 위해, 상대적으로 낮은 LUMO를 갖는 화합물이 필요하다.
2. 선행 기술에 따른 시스템에서, 통상 하나 이상의 도펀트가 방사층에서의 호스트 물질에서 사용된다. 방사층에서의 순수 물질로서 사용될 수 있는 화합물을 갖는 것이 현명할 수 있는데, 이는 소자 제조에서의 기술적 간소화를 나타내기 때문이다.
3. 유기 전계발광 소자의 수명은 긴 수명, 고품질 적용을 위해서는 여전히 불충분하다.
4. 유기 전계발광 소자에서 현재 사용되는 많은 유기 화합물의 열 안정성은 불충분한데, 이는 벌크 (bulk) 승화에 의한 물질의 정제 및 또한 열 증발에 의한 물질의 적용 동안 중요한 문제가 발생한다는 것을 의미한다. 특히, 이는 청색-방사 화합물로서 자주 사용되는 것으로서인, 스티릴아미노기를 함유하는 화합물에 적용된다.
형광 OLED에 대해, 주로 축합된 방향족 화합물, 특히 안트라센 또는 피렌 유도체가 선행 기술에 따라, 특히 청색-방사 전계발광 소자에 대한 호스트 물질 (예를 들어 9,10-비스(2-나프틸)안트라센 (US 5935721))로서 사용된다. WO 03/095445 및 CN 1362464는 OLED용 9,10-비스(1-나프틸)안트라센 유도체를 개시한다. 추가적인 안트라센 유도체가 WO 01/076323, WO 01/021729, WO 04/013073, WO 04/018588, WO 03/087023 또는 WO 04/018587에 개시된다. 아릴-치환된 피렌 및 크리센 기재의 호스트 물질이 WO 04/016575에 개시된다. 고품질 적용물을 위해, 활용 가능한, 개선된 호스트 물질을 갖는 것이 필요하다.
청색-방사 화합물에서의 선행 기술로서, 아릴비닐아민의 용도가 언급될 수 있다 (예를 들어 WO 04/013073, WO 04/016575, WO 04/018587). 그러나, 이러한 화합물은 열적으로 불안정하고 분해 없이 증발될 수 없는데, 이는 합성 및 OLED 제조를 위한 높은 기술적 복잡성을 필요로 하고, 따라서 기술적 불리함을 나타낸다. 추가적인 불리함은 이러한 화합물의 방사색이다: 암청색 방사 (CIE y 좌표는 0.15~0.18 범위)이 이러한 화합물과 함께 선행 기술에 기재되는 반면, 선행 기술에 따라 단순한 장치로 이러한 동등한 색을 재생산하는 것은 불가능해왔다. 반대로, 녹청색 방사가 여기서 수득된다. 이러한 화합물을 사용하여 어떻게 진실한 청색 방사를 제조할 수 있는지는 명백하지 않다. 고품질 적용물을 위해, 따라서 특히 소자 및 승화 안정성 및 방사색과 관하여 활용 가능한 개선된 방사체를 가질 필요가 있다.
인광성 OLED에서, 사용된 매트릭스 물질은 종종 4,4'-비스(N-카르바졸릴)바이페닐 (CBP)이다. 불리한 점은 그와 함께 제조된 소자의 짧은 수명, 및 낮은 전력 효율을 야기하는 종종 높은 작동 전압이다. 또한, CBP는 불충분하게 높은 유리 전이 온도를 갖는다. 또한, CBP가 청색-방사 전계발광 소자에 대해 부적합하여 불량한 효율을 야기하는 것이 발견되었다. 또한, 정공-차폐층 및 전자- 수송층이 추가적으로 사용되어야 하기 때문에, CBP를 포함하는 소자의 구조는 복잡하다. 케토 화합물 기재의 개선된 삼중 매트릭스 물질이 WO 04/093207에 기재된다. 그러나, 그에 기재된 최고의 매트릭스 물질의 합성을 위한 독성 무기 시안화물이 개시되고, 따라서 이러한 물질의 제조는 환경적으로 용납될 수 없다. 그에 기재된 다른 매트릭스 물질의 유리 전이 온도는 여전히 불충분하다.
유기 전계발광 소자에 사용되는 전자-수송 화합물은 통상 AlQ3 (알루미늄 트리스하이드록시퀴놀리네이트)이다 (US 4539507). 이는 많은 불리함을 갖는다: 특히 제조 공장에 대한 주요 문제점을 나타내는 승화 온도에서 부분적으로 분해되기 때문에, 잔기를 유리시키지 않고 유리 증착시킬 수 없다. 추가적인 불리함 은 낮은 전자 이동성인 것으로서인 AlQ3의 높은 흡습성인데, 이는 더 높은 전압 및 그에 따라 더 낮은 전력 효율을 야기한다. 디스플레이에서의 짧은 회로를 방지하기 위해, 층 두께를 증가시키는 것이 바람직하다; 이는 낮은 충전-담체 운동성 및 그 결과적으로 전압에서의 증가로 인해 AlQ3으로는 가능하지 않다. 또한, 재흡수 및 약한 재방사로 인해 특히 청색 OLED에서의 색 변화를 야기할 수 있는 AlQ3의 고유 색 (고체 상태 황색)은 매우 적합하지 않은 것으로 증명되었다. 여기서, 오직 청색 OLED만이 효율 또는 색 위치에서의 중요한 감소와 함께 제조될 수 있다. 상기 불리함에도 불구하고, 현재까지의 AlQ3은 여전히 OLED에서의 전자-수송 물질의 다양한 요구에 대한 가장 우수한 절충안을 나타낸다.
따라서, 열적으로 안정적이고, 우수한 효율 및 동시에 유기 전자 소자에서의 긴 수명을 야기하며, 소자의 제조 및 작동에서의 재생가능한 결과를 주는, 합성적으로 및 높은 수율로 쉽게 얻을 수 있고 높은 열 안정성을 갖는, 개선된 물질, 특히 청색-형광 방사체 및 삼중 방사체용 호스트 물질 뿐 아니라 방사 화합물, 특히 청색-방사 화합물, 정공-수송 물질 및 전자-수송 물질에 대한 요구가 계속 있어왔다.
놀랍게도, 페닐렌기가 파라-위치에서 두 나프틸기와 연결된 화합물이 발견되었는데, 여기서 나프틸기는 1- 또는 2-위치를 통해 페닐렌기에 연결될 수 있으며, 또한 페닐렌기 및 두 나프틸기 사이의 각 경우에 하나 이상의 브릿지가 존재하고, 이러한 화합물의 헤테로시클릭 유도체는 유기 전계발광 소자에서의 사용에 매우 적 합하다. 이러한 화합물은 높은 열 안정성을 갖는다. 이러한 물질을 사용하여, 선행 기술에 따른 물질과 비교하여 유기 전자 소자의 효율 및 수명을 증가시키는 것이 또한 가능하다. 또한, 이러한 물질은 유기 전자 소자에서의 사용에 매우 적합한데, 이는 이들이 매우 높은 유리 전이 온도를 갖기 때문이다. 따라서 본 발명은 이러한 물질 및 유기 전자 소자, 특히 유기 전계발광 소자에서의 이의 용도에 관한 것이다.
본 발명은 하기의 기호 및 지수가 적용되는 화학식 (1) 내지 화학식 (4)의 화합물에 관한 것이다:
Figure 112008090899131-pct00001
[식 중,
Y는 각각의 경우, 동일 또는 상이하게 CR1 또는 N이고;
Z는 브릿지 X가 Z기에 결합하는 경우 C와 동등하고, 브릿지 X가 Z기에 결합하지 않는 경우 Z는 Y와 동등하고;
X는 각각의 경우, 동일 또는 상이하게, B(R1), C(R1)2, Si(R1)2, C=O, C=NR1, C=C(R1)2, O, S, S=O, SO2, N(R1), P(R1) 및 P(=O)R1에서 선택되는 2가 브릿지이고;
R1은 각각의 경우, 동일 또는 상이하게, H, F, Cl, Br, I, N(Ar)2, C(=O)Ar, P(=O)Ar2, S(=O)Ar, S(=O)2Ar, CR2=CR2Ar, CN, NO2, Si(R2)3, B(OR2)2, OSO2R2, 1 내지 40개 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 또는 3 내지 40개 탄소 원자를 갖는 분지 또는 고리형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 (각각은 하나 이상의 라디칼 R2로 치환될 수 있고, 하나 이상의 비인접 CH2기는 R2C=CR2, C≡C, Si(R2)2, Ge(R2)2, Sn(R2)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR2, P(=O)(R2), SO, SO2, NR2, O, S 또는 CONR2에 의해 대체될 수 있으며, 하나 이상의 H 원자는 F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2에 의해 대체될 수 있음), 또는 5 내지 40개 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 (각각의 경우에서 하나 이상의 라디칼 R2에 의해 치환될 수 있음), 또는 5 내지 40개 방향족 고리 원자를 갖는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시기 (하나 이상의 라디칼 R2에 의해 치환될 수 있음), 또는 이러한 시스템의 조합이고; 여기서 둘 이상의 인접한 치환기 R1은 또한 서로 모노- 또는 폴리시클릭 지방족 또는 방향족 고리 시스템을 형성할 수 있고;
Ar은 각각의 경우, 동일 또는 상이하게, 5 내지 30개 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고, 이는 하나 이상의 비방향족 라디칼 R1에 의해 치환될 수 있고; 여기서 동일한 질소 또는 인 원자 상의 두 라디칼 Ar은 또한 단일 결합 또는 브릿지 X에 의해 서로 연결될 수 있고;
R2는 각각의 경우, 동일 또는 상이하게, H 또는 1 내지 20개 탄소 원자를 갖는 지방족, 방향족 및/또는 헤테로방향족 탄화수소 라디칼이고, 여기서 또한 H 원자는 F에 의해 대체될 수 있고; 여기서 둘 이상의 인접한 치환기 R2는 또한 서로 모노- 또는 폴리시클릭 지방족 또는 방향족 고리 시스템을 형성할 수 있고;
a, b, c, d는 각각의 경우, 동일 또는 상이하게, 0 또는 1이고, 단 a + b = 1 또는 2이고 c + d = 1 또는 2, 여기서 각각의 경우 a = 0 및 b = 0 및 c = 0 및 d = 0은, 상응하는 브릿지 X가 존재하지 않음을 의미함;
여기서, 하기의 화합물:
Figure 112008090899131-pct00002
Figure 112008090899131-pct00003
Figure 112008090899131-pct00004
은 제외됨].
화학식 (1) 내지 화학식 (4)의 화합물은 바람직하게는 70℃ 초과, 특히 바람직하게는 100℃ 초과, 매우 특히 바람직하게는 130℃ 초과의 유리 전이 온도 Tg를 갖는다.
본 발명의 목적을 위해, 인접한 라디칼 R1 및 R2는 동일한 탄소 원자 또는 동일한 헤테로원자에 결합하거나, 인접한 탄소 원자 또는 헤테로원자에 결합하는 라디칼을 의미하도록 취해진다.
본 발명의 목적을 위해, 아릴기는 6 내지 40개 탄소 원자를 함유하고; 본 발명의 목적을 위해, 헤테로아릴기는 2 내지 40개 탄소 원자 및 하나 이상의 헤테로원자를 함유하고, 단 탄소 원자 및 헤테로원자의 합은 5 이상이다. 헤테로원자는 바람직하게는 N, O 및/또는 S에서 선택된다. 여기서 아릴기 또는 헤테로아릴기는 단일 방향족 고리 즉 벤젠, 또는 단일 헤테로방향족 고리, 예를 들어 피리딘, 피리미딘, 티오펜 등, 또는 축합된 아릴 또는 헤테로아릴기, 예를 들어 나프탈렌, 안트라센, 피렌, 퀴놀린, 이소퀴놀린 등을 의미하도록 취해진다.
본 발명의 목적을 위해, 방향족 고리 시스템은 고리 시스템에 6 내지 40개 탄소 원자를 함유한다. 본 발명의 목적을 위해, 헤테로방향족 고리 시스템은 고리 시스템에 2 내지 40개 탄소 원자 및 하나 이상의 헤테로원자를 함유하고, 단 탄소 원자 및 헤테로원자의 합이 5 이상이다. 헤테로원자는 바람직하게는 N, O 및/또는 S에서 선택된다. 본 발명의 목적을 위해, 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이 오직 아릴 또는 헤테로아릴기만을 함유할 필요는 없으나, 대신 대다수의 아릴 또는 헤테로아릴기가 또한 짧은 비방향족 단위 (바람직하게는 H를 제외한 원자의 10% 미만), 예컨대 sp3-하이브리드화된 C, N 또는 O 원자에 의해 차단될 수 있는 시스템을 의미하도록 취해진 것으로 의도된다. 따라서, 예를 들어 시스템 예컨대 9,9'-스피로바이플루오렌, 9,9-디아릴플루오렌, 트리아릴아민, 디아릴 에테르, 스틸벤 등은 또한 본 발명의 목적을 위해 방향족 고리 시스템을 의미하도록 취해진 것으로 의도된다.
본 발명의 목적을 위해, C1- 내지 C40-알킬기 (여기서 또한, 개별적인 H 원자 또는 CH2기는 상기 언급된 기에 의해 치환될 수 있음)는, 특히 바람직하게는 라디칼 메틸, 에틸, n-프로필, i-프로필, n-부틸, i-부틸, s-부틸, t-부틸, 2-메틸부틸, n-펜틸, s-펜틸, 시클로펜틸, n-헥실, 시클로헥실, n-헵틸, 시클로헵틸, n-옥틸, 시클로옥틸, 2-에틸헥실, 트리플루오로메틸, 펜타플루오로에틸, 2,2,2-트리플루오로에틸, 에테닐, 프로페닐, 부테닐, 펜테닐, 시클로펜테닐, 헥세닐, 시클로헥세닐, 헵테닐, 시클로헵테닐, 옥테닐, 시클로옥테닐, 에티닐, 프로피닐, 부티닐, 펜티닐, 헥시닐 또는 옥티닐을 의미하도록 취해진다. C1- 내지 C40-알콕시기는 특히 바람직하게는 메톡시, 트리플루오로메톡시, 에톡시, n-프로폭시, i-프로폭시, n-부톡시, i-부톡시, s-부톡시, t-부톡시 또는 2-메틸부톡시를 의미하도록 취해진다. 5~40개 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 (각각의 경우 상기 언급한 라디칼 R에 의해 또한 치환될 수 있고, 임의 필요한 위치를 통해 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템에 연결될 수 있음)은, 특히 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 피렌, 크리센, 페릴렌, 플루오르안텐, 나프타센, 펜타센, 벤조피렌, 바이페닐, 바이페닐렌, 터페닐, 터페닐렌, 플루오렌, 스피로바이플루오렌, 디하이드로페난트렌, 디하이드로피렌, 테트라하이드로피렌, 시스- 또는 트랜스-인데노플루오렌, 트룩센, 이소트룩센, 스피로트룩센, 스피로이소트룩센, 푸란, 벤조푸란, 이소벤조푸란, 디벤조푸란, 티오펜, 벤조티오펜, 이소벤조티오펜, 디벤조티오펜, 피롤, 인돌, 이소인돌, 카르바졸, 피리딘, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 아크리딘, 페난트리딘, 벤조-5,6-퀴놀린, 벤조-6,7-퀴놀린, 벤조-7,8-퀴놀린, 페노티아진, 페녹사진, 피라졸, 인다졸, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 나프티미다졸, 페난트리미다졸, 피리디미다졸, 피라진이미다졸, 퀴녹살린이미다졸, 옥사졸, 벤족사졸, 나프톡사졸, 안트록사졸, 페난트록사졸, 이속사졸, 1,2-티아졸, 1,3-티아졸, 벤조티아졸, 피리다진, 벤조피리다진, 피리미딘, 벤조피리미딘, 퀴녹살린, 1,5-디아자안트라센, 2,7-디아자피렌, 2,3-디아자피렌, 1,6-디아자피렌, 1,8-디아자피렌, 4,5-디아자피렌, 4,5,9,10-테트라아자페릴렌, 피라진, 페나진, 페녹사진, 페노티아진, 플루오루빈, 나프티리딘, 아자카르바졸, 벤조카르볼린, 페난트롤린, 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 벤조트리아졸, 1,2,3-옥사디아졸, 1,2,4-옥사디아졸, 1,2,5-옥사디아졸, 1,3,4-옥사디아졸, 1,2,3-티아디아졸, 1,2,4-티아디아졸, 1,2,5-티아디아졸, 1,3,4-티아디아졸, 1,3,5-트리아진, 1,2,4-트리아진, 1,2,3-트리아진, 테트라졸, 1,2,4,5-테트라진, 1,2,3,4-테트라진, 1,2,3,5-테트라진, 푸린, 프테리딘, 인돌리진 및 벤조티아디아졸에서 유래된 기를 의미하도록 취해진다.
a + b = 1이고 c + d = 1인 화학식 (1) 내지 (4)의 구조가 바람직하다.
하기 화학식 (5), (6), (7), (8), (9), (10), (11), (12), (13), (14), (15) 또는 (16)에서 선택되는 화학식 (1) 내지 (4)의 화합물이 바람직하다:
Figure 112008090899131-pct00005
Figure 112008090899131-pct00006
[식 중,
기호 X 및 Y는 상기 언급한 것과 동일한 의미를 가짐].
또한 기호 Y가 질소를 총 0, 1, 2, 3 또는 4회 나타내고, 다른 기호 Y는 CR1을 나타내는, 화학식 (1) 내지 화학식 (16)의 화합물이 바람직하다. 기호 Y가 질소를 총 0, 1 또는 2회 나타내는 화학식 (1) 내지 화학식 (16)의 화합물이 특히 바람직하다. 본 발명이 특히 바람직한 구현예에서, 기호 Y는 CR1을 나타낸다.
매우 특히 바람직한 구현예에서, 화학식 (1) 내지 (4)의 구조는 하기식 (5a), (6a), (7a), (8a), (9a), (10a) 및 (11a)에서 선택된다:
Figure 112008090899131-pct00007
Figure 112008090899131-pct00008
[식 중,
기호 X 및 R1은 상기 언급한 것과 동일한 의미를 가짐].
화학식 (5a) 내지 (11a)의 구조에서, 두 라디칼 R1은 각각의 경우, 특히 바람직하게는 수소 이외의 것이다.
또한, 화학식 (1) 내지 (16) 및 (5a) 내지 (11a)의 화합물이 바람직한데, 여기서 기호 R1은, 각각의 경우 동일 또는 상이하게 H, F, Br, C(=O)Ar, P(=O)Ar2, CR2=CR2Ar, 1 내지 5개 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬기 또는 3 내지 5개 탄소 원자를 갖는 분지쇄 알킬기 (하나 이상의 비인접한 CH2기는 -R2C=CR2-, -C≡C- 또는 -O-에 의해 대체될 수 있고, 하나 이상의 H 원자는 F에 의해 대체될 수 있음), 또는 6 내지 16개 탄소 원자를 갖는 아릴기 또는 2 내지 16개 탄소 원자를 갖는 헤테로아릴기 또는 스피로바이플루오렌기 (각각은 하나 이상의 라디칼 R2에 의해 치환될 수 있음), 또는 이러한 시스템 중 둘 또는 셋의 조합을 나타낸다. 특히 바람직한 라디칼 R1은, 각각의 경우 동일 또는 상이하게 H, F, Br, C(=O)Ar, P(=O)Ar2, 메틸, 에틸, 이소프로필, tert-부틸이고, 여기서 하나 이상의 H 원자는 F에 의해 대체될 수 있고, 또는 6 내지 14개 탄소 원자를 갖는 아릴기 또는 스피로바이플루오렌기 (각각은 하나 이상의 라디칼 R2에 의해 치환될 수 있음), 또는 이러한 시스템 중 둘의 조합일 수 있다.
중합체, 올리고머 또는 덴드리머로의 혼입에서, 및 용액으로부터 가공되는 화합물의 경우, 10개 이하의 탄소를 갖는 선형 또는 분지형 알킬쇄가 또한 바람직하다. 치환기로서의 브롬은, 본 발명에 따른 다른 화합물 제조용 매개물로서의 이러한 화합물의 용도 또는 중합체 제조용 단량체로서의 용도에 특히 바람직하다.
하나 이상의 기호 R1이 하기 화학식 (17) 또는 (18)의 N(Ar)2기를 나타내는, 화학식 (1) 내지 (16) 및 (5a) 내지 (11a)의 화합물이 또한 바람직하다:
Figure 112008090899131-pct00009
[식 중,
R2는 상기 언급된 의미를 가지고, 또한;
E는 단일 결합, O, S, N(R2) 또는 C(R2)2를 나타내고;
Ar1은 각각의 경우 동일 또는 상이하게, 5 내지 20개 방향족 고리 원자를 갖는 아릴 또는 헤테로아릴기, 또는 15 내지 30개 방향족 고리 원자를 갖는 트리아릴아민기이며 이의 각각은 하나 이상의 라디칼 R2에 의해 치환될 수 있고, 바람직하게는 6 내지 14개 방향족 고리 원자를 갖는 아릴 또는 헤테로아릴기, 또는 18 내지 22개 방향족 고리 원자를 갖는 트리아릴아민기이며 이의 각각은 하나 이상의 라디칼 R2에 의해 치환될 수 있고;
p는 각각의 경우 동일 또는 상이하게, 0 또는 1임].
라디칼 R1이 화학식 (17) 또는 화학식 (18)의 기를 나타내는, 상기 언급된 화학식 (5a) 내지 (11a)의 화합물이 특히 바람직하다.
Ar1은 특히 바람직하게는, 동일 또는 상이하게 페닐, 오르토-, 메타- 또는 파라-톨릴, 파라-플루오로페닐, 1-나프틸, 2-나프틸, 트리페닐아민, 나프틸디페닐아민 또는 디나프틸페닐아민을 나타낸다.
또한, 화학식 (1) 내지 (16) 및 (5a) 내지 (11a)의 화합물이 바람직한데, 여기서 기호 X는 각각의 경우 동일 또는 상이하게, C(R1)2, C=O, C=NR1, O, S, S=O, SO2, N(R1), P(R1) 및 P(=O)R1에서 선택되는 2가 브릿지이다. 화학식 (1) 내지 (16) 및 (5a) 내지 (11a)의 화합물이 특히 바람직한데, 여기서 기호 X는 각각의 경우 동일 또는 상이하게, C(R1)2, N(R1), P(R1) 및 P(=O)(R1), 매우 특히 바람직하게는 C(R1)2 및 N(R1), 특히 C(R1)2에서 선택된다. 여기서, 대다수의 인접한 라디칼 R1이 마찬가지로 서로 방향족 또는 지방족 고리 시스템을 형성할 수 있음이 다시금 명백하게 지적되어야 한다. C(R1)2기 상 대다수의 라디칼 R1이 서로 고리 시스템을 형성하는 경우, 이는 나선 구조를 야기한다. C(R1)2상의 두 기 R1 사이의 고리 시스템의 형성에 의한 이러한 유형의 고리 구조의 형성은 또한, 본 발명의 바람직한 구현예이다. 이는 특히, R1이 치환 또는 미치환된 페닐기를 나타내고, 두 페닐기가 브릿지 X와 함께 고리 시스템을 형성하는 경우 적용된다.
브릿지 X에 결합한 바람직한 라디칼 R1은, 동일 또는 상이하고 H, 1 내지 5개 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬기 또는 3 내지 5개 탄소 원자를 갖는 분지쇄 알킬기 (각각의 경우 하나 이상의 비인접한 CH2기는 -R2C=CR2-, -C≡C- 또는 -O-에 의해 대체될 수 있고, 하나 이상의 H 원자는 F에 의해 대체될 수 있음), 또는 6 내지 16개 탄소 원자를 갖는 아릴기 또는 2 내지 16개 탄소 원자를 갖는 헤테로아릴기 (각각은 하나 이상의 라디칼 R2에 의해 치환될 수 있음), 또는 이러한 시스템 중 둘 또는 셋의 조합에서 선택되고; 여기서 동일한 브릿지 원자에 결합한 라디칼 R1 중 둘은 또한 서로 고리 시스템을 형성할 수 있다. 브릿지 X에 결합하는 특히 바람직한 라디칼 R1은 동일 또는 상이하고, 메틸, 에틸, 이소프로필, tert-부틸 (각각의 경우 하나 이상의 H 원자는 F에 의해 대체될 수 있음), 또는 6 내지 14개 탄소 원자를 갖는 아릴기 (이는 하나 이상의 라디칼 R2에 의해 치환될 수 있음), 또는 이러한 시스템 중 둘의 조합에서 선택되고; 여기서 동일한 브릿지 원자에 결합한 라디칼 R1 중 둘은 또한 서로 고리 시스템을 형성할 수 있다. 중합체, 올리고머 또는 덴드리머로의 혼입에서, 및 용액으로부터 가공되는 화합물의 경우, 10개 이하의 탄소 원자를 갖는 선형 또는 분지형 알킬쇄가 또한 바람직하다.
또한, 대칭 및 대칭적으로 치환된 화합물, 즉 기호 X가 동일한 화합물이 바람직하다. 화학식 (5a) 내지 (11a)의 구조에서의 치환기 R1은 또한, 바람직하게는 동일하게 선택된다.
화학식 (1) 내지 화학식 (16) 및 (5a) 내지 (11a)의 바람직한 화합물의 예는 하기 표현된 구조 (1) 내지 (132)이다.
Figure 112008090899131-pct00010
Figure 112008090899131-pct00011
Figure 112008090899131-pct00012
Figure 112008090899131-pct00013
Figure 112008090899131-pct00014
Figure 112008090899131-pct00015
Figure 112008090899131-pct00016
Figure 112008090899131-pct00017
Figure 112008090899131-pct00018
Figure 112008090899131-pct00019
Figure 112008090899131-pct00020
Figure 112008090899131-pct00021
상기 기재한 본 발명에 따른 화합물, 특히 반응성 유리기 예컨대 브롬, 요오드, 보론산 또는 보론산 에스테르에 의해 치환되는 화합물은 또한, 상응하는 접합, 일부 접합 또는 비접합된 중합체, 올리고머의 제조를 위한 공단량체, 또는 덴드리머의 코어로서 사용될 수 있다. 여기서 중합은, 바람직하게는 할로겐 관능가 또는 보론산 관능가를 통해 수행된다.
따라서, 본 발명은 또한 화학식 (1) 내지 (16) 및 (5a) 내지 (11a)의 하나 이상의 화합물을 함유하는 중합체, 올리고머 또는 덴드리머에 관한 것이며, 여기서 하나 이상의 라디칼 R1은 화학식 (1) 내지 (16) 및 (5a) 내지 (11a)의 화합물로부터 중합체 또는 덴드리머로의 결합을 나타낸다. 이러한 중합체, 올리고머 또는 덴드리머는 접합, 일부 접합 또는 비접합될 수 있다.
상기 기재된 것과 동일하게, 화학식 (1) 내지 (16) 또는 (5a) 내지 (11a)의 순환 단위가 바람직하다.
이러한 화합물은 추가적인 단량체와 함께 단일중합 또는 공중합된다. 적합하고 바람직한 공단량체는 플루오렌 (예를 들어 EP 842208 또는 WO 00/22026에 따라), 스피로바이플루오렌 (예를 들어 EP 707020, EP 894107 또는 WO 06/061181에 따라), 파라-페닐렌 (예를 들어 WO 92/18552에 따라), 카르바졸 (예를 들어 WO 04/070772 또는 WO 04/113468에 따라), 티오펜 (예를 들어 EP 1028136에 따라), 디하이드로페난트렌 (예를 들어 WO 05/014689에 따라), 시스- 및 트랜스-인데노플루오렌 (예를 들어 WO 04/041901 또는 WO 04/113412에 따라), 케톤 (예를 들어 WO 05/040302에 따라), 페난트렌 (예를 들어 WO 05/104264 또는 미공보 출원 DE 102005037734.3) 또는 대다수의 이러한 단위에서 선택된다. 또한 이러한 중합체는 통상 추가적인 단위, 예를 들어 방사 (형광 또는 인광성) 단위 예컨대 비닐트리아릴아민 (예를 들어 미공보 출원 DE 102005060473.0에 따라) 또는 인광성 금속 착물 (예를 들어 WO 06/003000에 따라), 및/또는 전하-수송 단위, 특히 트리아릴아민 기재의 전하-수송 단위를 함유한다.
본 발명에 따른 화학식 (1) 내지 (16) 및 (5a) 내지 (11a)의 화합물은 당업자에게 공지된 합성 단계에 의해 제조될 수 있다. 따라서, 예를 들어 화학식 (1)의 화합물에 대하여 도식 1에서 개괄적으로 나타내는 것과 같이, 상응하는 3차 알콜의 산-촉매된 고리화에 의해 다양한 골격이 제조될 수 있다. 이러한 골격은 표준 방법, 예를 들어 프리델-크라프트 (Friedel-Crafts) 알킬화 또는 아실화에 의해 관능화될 수 있다. 또한, 골격은 유기 화합물의 표준 방법에 의해 브롬화될 수 있다. 상기 브롬화된 화합물은 추가적인 관능화에 대한 근거를 나타낸다. 따라서, 이는 스즈키 커플링에 의해 아릴보론산 또는 아릴보론산 유도체와 반응하거나 스틸레 방법 (Stille method)에 의해 오르가노틴 화합물과 반응하여, 확장된 방향족 화합물이 수득될 수 있다. 하르트위그-부흐발트 (Hartwig-Buchwald) 방법에 의한, 방향족 또는 지방족 아민으로의 커플링으로 상응하는 아민이 수득된다. 또한 브롬화된 유도체는, 리튬화 및 친전자체 예컨대 벤조니트릴과의 반응, 및 이후 산성 가수분해에 의해 케톤으로 변환되거나 또는 클로로디페닐포스핀과의 반응 후 산화에 의해 포스핀 산화물로 치환될 수 있다.
도식 1
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제 1 커플링 단계에서 1-나프틸보론산 대신 2-나프틸보론산이 사용되는 경우, 상기 기재된 방법은 전체적으로 유사하게 화학식 (3) 또는 화학식 (4)의 화합물을 유도한다.
또한, 브롬화된 화합물은 직접적으로 또는 보론산 유도체로의 전환 이후, 중합체, 올리고머 또는 덴드리머용 단량체로서 사용될 수 있다.
합성에서, 합성 조건에 따라 5-원 고리/5-원 고리 유도체 및 또한 6-원 고리/6-원 고리 유도체, 5-원 고리/6-원 고리 유도체 또는 이러한 화합물의 혼합물이 형성된다. 이는 분리 및 순수 화합물로서 추가 가공되거나, 또한 혼합물로서 사용될 수 있다.
또한, 본 발명은 하기의 단계를 포함하는, 화학식 (1) 내지 (4)의 화합물의 합성 방법에 관한 것이다:
a) 관능화된 나프탈렌의 테트라-관능화된 벤젠 유도체로의 커플링 단계;
b) 벤젠 유도체 상에서의, 관능기의 임의 추가적인 관능화 단계;
c) 산 촉매를 이용한 폐환 단계; 및
d) 브롬화에 의한, 단계 a) 내지 c)에 의해 수득된 모구조의 관능화 후, 방향족 아민으로의 하르트위그-부흐발트 커플링 또는 아릴보론산 또는 아릴보론산 유도체로의 스즈키 커플링 단계.
여기서 나프탈렌 상 관능기는 바람직하게는 보론산기 또는 보론산 유도체이다. 벤젠 유도체 상 커플링을 위한 두 관능기는 바람직하게는 염소, 브롬 또는 요오드, 특히 바람직하게는 브롬이다. 벤젠 유도체 상 추가적인 두 관능기는 바람직하게는 화학식 C(=O)-O-R (여기서 R은 1 내지 20개 탄소 원자를 갖는 알킬기를 나타냄)의 두 에스테르기이다. 예를 들어, 오르가노리튬 화합물의 첨가에 의해 단계 b)에서의 추가적인 관능화가 수행되어, 3차 알콜이 수득될 수 있다.
화학식 (1) 내지 화학식 (16) 및 (5a) 내지 (11a)의 화합물은 유기 전계발광 소자 (OLED, PLED)에서의 용도에 적합하다. 치환에 따라, 화합물은 OLED에서 상이한 기능 및 층으로 사용된다.
따라서, 본 발명은 또한 화학식 (1) 내지 (16) 및 (5a) 내지 (11a)의 화합물의 용도, 및 유기 전자 소자, 특히 유기 전계발광 소자에서 상기 언급한 특히 바람직한 구현예에 관한 것이다.
추가적으로 또한 본 발명은 화학식 (1) 내지 (16) 및 (5a) 내지 (11a)의 화합물에서 선택되는 하나 이상의 화합물을 포함하는 유기 전자 소자, 특히 애노드, 캐소드 및 하나 이상의 방사층을 포함하는 유기 전계발광 소자에 관한 것이며, 이는 화학식 (1) 내지 (16) 및 (5a) 내지 (11a)의 화합물, 특히 상기 언급한 바람직한 구현예에서 선택되는 하나 이상의 화합물을 포함하는 하나 이상의 층을 특징으로 한다.
캐소드, 애노드 및 방사층 이외에도, 유기 전계발광 소자는 또한 추가적인 층을 포함할 수 있다. 이는, 예를 들어 하기로부터 선택될 수 있다: 정공-주사층, 정공-수송층, 전자-수송층, 전자-주사층 및/또는 전하-생성층 (IDMC 2003, Taiwan; Session 21 OLED (5), T. Matsumoto, T. Nakada, J. Endo, K. Mori, N. Kawamura, A. Yokoi, J. Kido, Multiphoton Organic EL Device Having Charge Generation Layer). 그러나, 이러한 각각의 층이 존재할 필요는 없음이 지적되어야 한다.
본 발명의 추가적인 바람직한 구현예에서, 유기 전계발광 소자는 대다수의 방사층을 포함하며, 여기서 하나 이상의 층은 화학식 (1) 내지 (16) 및 (5a) 내지 (11a)의 하나 이상의 화합물을 포함한다. 이러한 방사층은 특히 바람직하게는 총 380 nm 내지 750 nm에서 복수의 방사 최대값을 갖는데, 그 결과 전체적인 백색 방사, 즉 형광 및 인광을 발할 수 있고 황색, 오렌지색 또는 적색광을 방사할 수 있는 다양한 방사 화합물이 방사층에서 사용된다. 3개 층 시스템이 특히 바람직한데, 이러한 층 중 하나 이상은 화학식 (1) 내지 (16) 및 (5a) 내지 (11a)의 하나 이상의 화합물을 포함하고 3개 층은 청색, 녹색 및 오렌지 또는 적색 방사를 나타낸다 (기본적 구조에 대해서는, 예를 들어 WO 05/011013을 참고한다). 넓은 띠 방사 띠를 가져, 따라서 백색 방사를 나타내는 방사체는, 마찬가지로 백색 방사에 적합하다.
본 발명의 구현예에서, 화학식 (1) 내지 (16) 및 (5a) 내지 (11a)의 화합물은 형광 도펀트용 호스트로서 사용된다. 이러한 경우, 하나 이상의 치환기 R1은 바람직하게는 단순 또는 축합된 아릴 또는 헤테로아릴기, 특히 페닐, o-, m- 또는 p-바이페닐, 1- 또는 2-나프틸, 안트릴, 특히 페닐안트릴 또는 1- 또는 2-나프틸안트릴, 2-플루오레닐 및 2-스피로바이플루오레닐에서 선택되고, 여기서 각각은 하나 이상의 라디칼 R2에 의해 치환될 수 있다. 이는 특히, 화학식 (5a) 내지 (11a)의 구조 상의 라디칼 R1에 적용된다.
호스트 및 도펀트를 포함하는 시스템에서의 호스트 물질은, 더 높은 비율로 시스템에 존재하는 성분을 의미하도록 취해진다. 호스트 및 대다수의 도펀트를 포함하는 시스템에서, 호스트는 혼합물에서 비율이 가장 높은 성분을 의미하도록 취해진다.
본 발명에 따른 호스트 물질의 방사층에서의 비율은 50.0 내지 99.9중량%, 바람직하게는 80.0 내지 99.5중량%, 특히 바람직하게는 90.0 내지 99.0중량%이다. 상응하게, 도펀트의 비율은 0.1 내지 50.0중량%, 바람직하게는 0.5 내지 20.0중량%, 특히 바람직하게는 1.0 내지 10.0중량%이다.
형광 소자에서의 바람직한 도펀트는 모노스티릴아민, 디스티릴아민, 트리스티릴아민, 테트라스티릴아민 및 아릴아민의 집단에서 선택된다. 모노스티릴아민은, 하나의 스티릴기 및 하나 이상의 아민을 함유하는, 바람직하게는 방향족인 화합물을 의미하도록 취해진다. 디스티릴아민은, 두 스티릴기 및 하나 이상의 아민을 포함하는, 바람직하게는 방향족인 화합물을 의미하도록 취해진다. 트리스티릴아민은, 세 스티릴기 및 하나 이상의 아민을 함유하는, 바람직하게는 방향족인 화합물을 의미하도록 취해진다. 테트라스티릴아민은, 네 스티릴기 및 하나 이상의 아민을 함유하는, 바람직하게는 방향족인 화합물을 의미하도록 취해진다. 본 발명의 목적을 위해, 아릴아민 또는 방향족 아민은 질소에 직접적으로 결합한 세 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 함유하는 화합물을 의미하도록 취해지며, 스티릴기가 시스템에 존재하지 않는 경우 이 중 하나 이상은 바람직하게는 14개 이상의 방향족 고리 원자를 갖는 축합된 고리 시스템이다. 스티릴기는 특히 바람직하게는 스틸벤이며, 이는 또한 이중 결합 상 또는 방향족 고리 상에서 추가적으로 치환될 수 있다. 이러한 유형의 도펀트의 예는 치환 또는 미치환된 트리스틸벤아민 또는 예를 들어 WO 06/000388, WO 06/058737, WO 06/000389 및 미공보 특허 출원 DE 102005058543.4 및 DE 102006015183.6에 기재된 추가적인 도펀트이다. 또한, WO 06/122630에 기재된 것과 같은 화합물, 또한 하기 언급한 본 발명에 따른 화학식 (1) 내지 (16) 및 (5a) 내지 (11a)의 도펀트가 바람직하다.
본 발명의 추가적인 구현예에서, 화학식 (1) 내지 (16) 및 (5a) 내지 (11a)의 화합물은 인광성 도펀트용 매트릭스로서 사용된다. 이러한 경우, 하나 이상의 치환기 R1 및/또는 브릿지 X는 바람직하게는 하나 이상의 기 C=O, P(=O) 및/또는 SO2를 함유한다. 이러한 기는 특히 바람직하게는 본 발명에 따른 중심 단위에 직접적으로 결합하고, 또한 특히 바람직하게는 하나의, 또는 포스핀 산화물의 경우 두 개의 추가적인 방향족 치환기를 함유한다. 이는, 특히 화학식 (5a) 내지 (11a)의 구조 상의 라디칼 R1에 적용된다.
인광성 소자에서, 도펀트는 20 초과, 바람직하게는 38 초과 및 84 미만, 특히 바람직하게는 56 초과 및 80 미만의 원자 번호를 갖는 하나 이상의 원소를 함유하는 금속 착물의 집단에서 바람직하게는 선택된다. 구리, 몰리브덴, 텅스텐, 레늄, 루테늄, 오스뮴, 로듐, 이리듐, 팔라듐, 백금, 은, 금 또는 유러퓸, 특히 이리듐 또는 백금을 함유하는 금속 착물의 사용이 바람직하다. 선행기술에 따라 사용되는 것으로서인 인광성 물질이 일반적으로 이러한 목적에 적합하다.
본 발명의 추가적인 구현예에서, 화학식 (1) 내지 (16) 및 (5a) 내지 (11a)의 화합물이 방사 물질로서 사용된다. 상기 화합물은, 특히 하나 이상의 치환기 R1이 하나 이상의 비닐아릴 단위, 하나 이상의 비닐아릴아민 단위 및/또는 하나 이상의 디아릴아미노 단위 N(Ar)2를 함유하는 경우 방사 화합물로서 적합하다. 이는, 특히 화학식 (5a) 내지 (11a)의 구조 상의 R1에 적용된다. 화학식 (5a) 내지 (11a)의 구조 상의 두 라디칼 R1이 바람직하게는 동등하게 선택된다.
방사층의 혼합물 중 화학식 (1) 내지 (16) 및 (5a) 내지 (11a)의 방사 화합물의 비율은 0.1 내지 50.0중량%, 바람직하게는 0.5 내지 20.0중량%, 특히 바람직하게는 1.0 내지 10.0중량%이다. 상응하게, 호스트 물질의 비율은 50.0 내지 99.9중량%, 바람직하게는 80.0 내지 99.5중량%, 특히 바람직하게는 90.0 내지 99.0중량%이다.
이러한 목적을 위해 적합한 호스트 물질은 다양한 집단의 물질이다. 바람직한 호스트 물질은 올리고아릴렌 (예를 들어 EP 676461에 기재된 것과 같은 2,2',7,7'-테트라페닐스피로바이플루오렌, 또는 디나프틸안트라센), 특히 축합된 방향족기를 함유하는 올리고아릴렌, 올리고아릴렌비닐렌 (예를 들어 EP 676461에 기재된 것과 같은 DPVBi 또는 스피로-DPVBi), 폴리포달 금속 착물 (예를 들어 WO 04/081017에 기재된 것과 같음), 정공-전도 화합물 (예를 들어 WO 04/058911에 기재된 것과 같음), 전자-전도 화합물, 특히 케톤, 포스핀 산화물, 설폭시드 등 (예를 들어 WO 05/084081 및 WO 05/084082에 기재된 것과 같음), 회전억제이성질체 (atropisomer) (예를 들어 WO 06/048268에 기재된 것과 같음) 또는 보론산 유도체 (예를 들어 WO 06/117052에 기재된 것과 같음)의 집단에서 선택된다. 또한, 적합한 호스트 물질은 상기 기재한 본 발명에 따른 화학식 (1) 내지 (16) 및 (5a) 내지 (11a)의 화합물이다. 본 발명에 따른 화합물에 추가적으로 특히 바람직한 호스트 물질은, 나프탈렌, 안트라센 및/또는 피렌 또는 이러한 화합물의 회전억제이성질체를 함유하는 올리고아릴렌, 올리고아릴렌비닐렌, 케톤, 포스핀 산화물 및 설폭시드의 집단에서 선택된다. 본 발명에 따른 화합물에 추가적으로 매우 특히 바람직한 호스트 물질은, 안트라센 및/또는 피렌 또는 이러한 화합물의 회전억제이성질체를 함유하는 올리고아릴렌, 포스핀 산화물 및 설폭시드, 특히 동일 또는 상이할 수 있는 두 방향족기에 의해 치환되는 안트라센 유도체의 집단에서 선택된다. 본 발명의 목적을 위해, 올리고아릴렌은 셋 이상의 아릴 또는 아릴렌기인 화합물이 서로 결합하는 것을 의미하도록 취해지는 것으로 의도된다.
본 발명의 추가적인 구현예에서, 화학식 (1) 내지 (16) 및 (5a) 내지 (11a)의 화합물은 정공-수송 물질 또는 정공-주사 물질로서 사용된다. 그 후 화합물은 바람직하게는 하나 이상의 N(Ar)2기, 바람직하게는 둘 이상의 N(Ar)2기에 의해 치환된다. 상기의 N(Ar)2기는 바람직하게는 상기 기재한 것과 같은 화학식 (17) 및 (18)에서 선택된다. 이는, 특히 화학식 (5a) 내지 (11a)의 구조 상의 라디칼 R1에 적용된다. 상기 화합물은 바람직하게는 정공-수송 또는 정공-주사층에 사용된다. 본 발명의 목적을 위해, 정공-주사층은 애노드에 직접적으로 인접한 층이다. 본 발명의 목적을 위해, 정공-주사층은 정공-주사층 및 방사층 사이에 놓인 층이다. 본 발명에 따른 화합물이 정공-수송 또는 정공-주사 물질로서 사용되는 경우, 이를 전자 수용체 화합물, 예를 들어 F4-TCNQ 또는 EP 1476881 또는 EP 1596445에 기재된 것과 같은 화합물로 도핑시키는 것이 바람직할 수 있다.
본 발명의 추가적인 구현예에서, 화학식 (1) 내지 (16) 및 (5a) 내지 (11a)의 화합물은 전자-수송 물질로서 사용된다. 여기서, 하나 이상의 치환기 R1이 하나 이상의 단위 C=O, P(=O) 및/또는 SO2를 함유하는 것이 바람직하다. 이러한 기는 특히 바람직하게는 본 발명에 따른 중심 단위에 직접적으로 결합하고, 또한 특히 바람직하게는 하나, 또는 포스핀 산화물의 경우 둘의 추가적인 방향족 치환기를 함유한다. 이는, 특히 화학식 (5a) 내지 (11a)의 구조 상의 라디칼 R1에 적용된다. 또한 화합물이 전자-공여 화합물로 도핑되는 것이 바람직할 수 있다.
마찬가지로 중합체에서, 화학식 (1) 내지 (16) 및 (5a) 내지 (11a)의 순환 단위는 중합체 주쇄, 방사 단위, 정공-수송 단위 및/또는 전자-수송 단위로서 사용될 수 있다. 여기서 바람직한 치환 패턴은 상기 기재한 것에 상응한다.
또한, 하나 이상의 층이 승화 방법으로 코팅되는 것을 특징으로 하는 (여기서 물질은 10-5 mbar 미만, 바람직하게는 10-6 mbar 미만, 특히 바람직하게는 10-7 mbar 미만의 압력에서 진공 승화 단위로 기상-증착됨) 유기 전계발광 소자가 바람직하다.
마찬가지로, 하나 이상의 층이 OVPD (유기 증기상 증착) 방법 또는 담체-기체 승화를 사용하여 코팅되는 것을 특징으로 하는 (여기서 물질은 10-5 mbar 및 1 bar의 압력에서 적용됨) 유기 전계발광 소자가 바람직하다.
또한, 하나 이상의 층이 용액으로부터, 예를 들어 스핀 코팅 또는 임의의 필요한 프린팅 방법 예컨대 스크린 프린팅, 철판 인쇄 프린팅 또는 오프셋 프린팅, 그러나 특히 바람직하게는 LITI (광 유도 열 이미지화, 열 전사 프린팅) 또는 잉크젯 프린팅에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자가 바람직하다. 가용성 화합물은 이러한 목적을 위해 필요하다. 화합물의 적합한 치환을 통해 높은 용해성을 얻을 수 있다.
본 발명에 따른 화합물은, 유기 전계발광 소자에서의 사용 상 선행 기술을 넘어서는 하기의 놀라운 장점을 가진다:
1. 본 발명에 따른 화합물은 선행 기술에 따라 통상 사용되는 화합물보다 낮은 LUMO (최저 비점유 분자 궤도)를 가지며, 따라서 환원시키기 용이하다. 이는 개선된 전자 주사 및 이에 따른 작동 전압에서의 감소를 야기한다.
2. 본 발명에 따른 화합물은 작은 띠 분리를 가지며, 따라서 환원 및 산화가 모두 잘 될 수 있는 양극성 구조로서 간주될 수 있다. 이는 따라서 정공 주사 및 전자 주사에 동등하게 적합하다. 이러한 화합물은 따라서 오직 하나의 순수 물질만을 포함하는 방사층에 관한 단계이다. 이는 소자 제조에서의 기술적 간소화를 나타낸다.
3. 유기 전계발광 소자에서의 사용 시, 본 발명에 따른 화합물은 선행 기술과 비교하여 크게 개선된 수명을 야기한다.
4. 본 발명에 따른 화합물은 매우 높은 열 안정성을 갖는데, 유기 전계발광 소자의 제조 동안 화합물의 정제를 위한 직접적인 벌크 승화 및 또한 화합물의 분해없는 열 기상 증착을 모두 촉진시킨다.
본 출원 문헌은, OLED 및 PLED 및 상응하는 디스플레이에 관하여 본 발명에 따른 화합물의 용도에 대한 것이다. 상기 설명의 이러한 제한에도 불구하고, 다른 전자 소자, 예를 들어 유기 전계 효과 트랜지스터 (O-FET), 유기 박막 트랜지스터 (O-TFT), 유기 광 방사 트랜지스터 (O-LET), 유기 집적 회로 (O-IC), 유기 태양 전지 (O-SC), 유기 전계 켄치 소자 (O-FQD), 광 방사 전자화학 전지 (LEC), 유기 레이저 다이오드 (O-laser) 또는 유기 광수용체에서의 추가적인 사용을 위해, 추가적인 발명 단계 없이 당업자가 또한 본 발명에 따른 화합물을 사용할 수 있다.
또한 본 발명은 상응하는 소자에서의 본 발명에 따른 화합물의 용도 및 이러한 소자 자체에 관한 것이다.
본 발명을 하기의 실시예에 의해, 그로 인해 제한하는 것 없이 더 자세하게 설명한다.
다른 지시가 없는 한, 하기의 합성을 보호 기체 분위기 하에 수행하였다. 출발 물질을 ALDRICH 또는 ABCR에서 구입하였다.
실시예 1: 3,8- 비스 (N,N- 디페닐아미노 )-1,2,6,7- 디벤조 -6,6,12,12- 테트라메 틸-6,12- 디하이드로인데노[1,2-b]플루오렌의 합성
a) 디에틸 2,5- 디나프트 -1- 일테레프탈레이트
Figure 112008090899131-pct00023
193.3 g (0.82 mol)의 나프틸보론산, 180.4 g (474 mol)의 디에틸디브로모테레프탈레이트 및 315.9 g (2.29 mol)의 칼륨 카르보네이트를 처음에 850 ml의 톨루엔 및 850 ml의 물의 혼합물에 도입하고, 30분 동안 N2로 포화시켰다. 1.36 g (1.18 mol)의 Pd(PPh3)4의 첨가 후, 혼합물을 4시간 동안 비등에서 가열하였다. 실온으로 냉각하고 400 ml의 EtOH를 첨가한 후, 혼합물을 실온으로 냉각하고 1시간 동안 교반하고, 침전물을 흡입 여과하고, 물, EtOH 및 헵탄으로 세척하고 진공 상태에서 80℃에서 건조시켰다. 무색 고체의 수율은 160.7 g (71%)이었다.
b) 2-[4-(1- 하이드록시 -1- 메틸에틸 )-2,5- 디나프트 -1- 일페닐 ]프로판-2-올
Figure 112008090899131-pct00024
64.6 g (136.4 mmol)의 디에틸 2,5-디나프트-1-일테레프탈레이트를 처음에 600 ml의 THF에 도입하고, 혼합물을 70℃로 냉각하고, 400 ml (600 mmol)의 1.6 M 메틸리튬 용액을 -70℃에서 60분에 걸쳐 적가하였다. -70℃에서 2시간 후, 첫째로 30 ml의 얼음물, 그 후 60 ml의 50% 아세트산을 적가하고, 반응 혼합물을 에틸 아세테이트/물로의 추출에 의해 마무리 작업하고, 유기상을 Na2SO4로 건조시키고 진공 상태에서 용매를 제거하여, 60.3 g (99%)의 무색 고체를 수득하였다.
c) 1,2,6,7- 디벤조 -6,6,12,12- 테트라메틸 -6,12- 디하이드로인데노[1,2-b]플루 오렌
Figure 112008090899131-pct00025
34.12 g (76 mmol)의 2[4-(1-하이드록시-1-메틸에틸)-2,5-디나프트-1-일페닐]프로판-2-올을 처음에 600 ml의 톨루엔에 도입하고, 1 ml의 농축 H2SO4를 첨가하고, 혼합물을 물 분리기에서 물의 배출이 완료될 때까지 비등에서 가열하였다. 실온으로 가열한 후, 침전된 반응 생성물 (1H-NMR에 따라 전적으로 두 5-원 고리임) 을 흡입 여과하고, NMP로부터 재결정화하여, 99.5% 초과 순도의 황색 분말을 32 g (78%)의 수율로 수득하였다.
d) 3,8- 디브로모 -1,2,6,7- 디벤조 -6,6,12,12- 테트라메틸 -6,12- 디하이드로인데노[1,2-b]플루오렌
Figure 112008090899131-pct00026
17.5 g (43 mmol)의 1,2,6,7-디벤조-6,6,12,12-테트라메틸-6,12-디하이드로인데노[1,2-b]플루오렌을 처음에 500 ml의 디클로로메탄에 빛을 배제시켜 도입하고, 5℃로 냉각시키고, 40 ml의 디클로로메탄 중 4.7 ml (86 mmol)의 브롬을 15분에 걸쳐 적가하고, 혼합물을 5℃에서 6시간 동안 교반하였다. 반응 분취량의 HPLC 분석으로 반응을 모니터링하였다. 전환이 완료되는 경우, 20 ml의 EtOH를 첨가하여 반응을 종료시키고, 생성물을 흡입 여과하고, EtOH로 수회 세척한 후 NMP로부터 2회 재결정화하여, HPLC 분석에 따라, 99.8% 초과의 함량을 갖는 21.3 g (88%)의 담황색 고체를 수득하였다.
e) 3,8- 비스 (N,N- 디페닐아미노 )-1,2,6,7- 디벤조 -6,6,12,12- 테트라메틸 -6,12-디하이드로인데노[ 1,2-b]플루오렌
Figure 112008090899131-pct00027
40 g (70 mmol)의 3,8-디브로모-1,2,6,7-디벤조-6,6,12,12-테트라메틸-6,12-디하이드로인데노[1,2-b]플루오렌 및 31 g (184 mmol)의 디페닐아민을 750 ml의 무수물 톨루엔에 현탁시키고, 600 mg (3 mmol)의 트리-tert-부틸포스핀 및 340 mg (1.5 mmol)의 Pd(OAc)2, 20 g (211 mmol)의 NaOtBu를 이후 첨가하고, 반응 혼합물을 4시간 동안 비등에서 가열하였다. 반응이 완료되는 경우, 400 ml의 물을 첨가하고, 고체를 흡입 여과하고, EtOH로 세척하고 건조시켰다. NMP로부터 4회 재결정화하고, 끓는 에탄올로 1회 세척한 후 이중 승화 (340℃, 2 x 10-5 mbar)시켜, HPLC에 의해 측정된 99.9% 초과의 순도를 갖는 41.7 g (80%)의 담황색 고체를 수득하였다.
상기 기재한 방법과 유사하게 하기의 화합물을 제조하였다 (승화 후 99.9% 초과의 순도로 수득)(실시예 2 내지 9).
Figure 112008090899131-pct00028
실시예 10: 3,8- 비스 (4- 트리페닐아미노 )-1,2,6,7- 디벤조 -6,6,12,12- 테트라메틸 -6,12- 디하이드로인데노[1,2-b]플루오렌의 합성
Figure 112008090899131-pct00029
69 g (122 mmol)의 3,8-디브로모-1,2,6,7-디벤조-6,6,12,12-테트라메틸-6,12-디하이드로인데노[1,2-b]플루오렌 (실시예 1d로부터의), 115 g (365 mmol)의 트리페닐아민-4-보론산 에틸렌 글리콜 에스테르 및 109 g (512 mmol)의 트리포타슘 포스페이트를 450 ml의 톨루엔, 150 ml의 디옥산 및 600 ml의 물의 혼합물에 현탁시키고, 혼합물을 질소, 4.4 g (14.6 mmol)의 트리스-o-톨릴포스핀으로 포화시킨 후, 0.5 g (2.4 mmol)의 팔라듐 아세테이트를 첨가하고, 혼합물을 12시간 동안 비등에서 가열하였다. 500 ml의 EtOH을 첨가한 후, 침전물을 흡입 여과시키고, 건조시키고 NMP로부터 5회 재결정화하였다. 끓는 EtOH로 세척하고 이중 승화 (370℃, 2 x 10-5 mbar)시켜, 99.9% 초과의 순도 (HPLC)를 갖는 70 g (78 mmol)의 디아민을 수득하였다.
상기 기재한 방법과 유사하게 하기의 화합물을 제조하였다 (승화 후 99.9% 초과의 순도로 수득) (실시예 11 내지 13).
Figure 112008090899131-pct00030
실시예 14: 1,2,6,7- 디벤조 -6,6,12,12- 테트라 -(4- tert - 부틸페닐 )-6,12- 디하 이드로인데노[ 1,2-b]플루오렌의 합성
a) {4-[비스(4- tert - 부틸페닐 ) 하이드록시메틸 ]-2,5- 디나프트 -1-일-페닐} 비스 (4- tert - 부틸페닐 )메탄올
Figure 112008090899131-pct00031
42.5 g (200 mmol)의 t-부틸브로모벤젠을 처음에 200 ml의 건조된 THF에 도입하고, 혼합물을 -75℃로 냉각시키고, 100 ml (200 mmol)의 n-BuLi (시클로헥산 중 2 M)를 30분에 걸쳐 적가하고, 혼합물을 추가 2시간 동안 -75℃에서 교반하였다. 21.3 g (45 mmol)의 디에틸 2,5-디나프트-1-일테레프탈레이트 (실시예 1a 에서 기재된 것과 같이 제조하였음)를 160 ml의 건조 THF에 용해시키고, 용액을 30분에 걸쳐 -75℃에서 적가하고, 혼합물을 1시간 동안 -75℃에서 교반하고, 실온으로 가온한 후, 20 ml의 50% 아세트산을 적가하였다. 반응 혼합물을 에틸 아세테이트 및 물로 추출함으로써 마무리 작업하고, 유기상을 Na2SO4로 건조시키고, 용매를 진공 상태에서 제거하여, 1H-NMR 분광기에 의해 측정된 99% 초과의 순도를 갖는 무색 고체로서 디올을 수득하였다 (40.5 g, 98%).
b) 1,2,6,7- 디벤조 -6,6,12,12- 테트라 -(4- tert - 부틸페닐 )-6,12- 디하이드로인데노[1,2-b]플루오렌
Figure 112008090899131-pct00032
41.4 g (45 mmol)의 {4-[비스(4-tert-부틸페닐)하이드록시메틸]-2,5-디나프트-1-일페닐}비스(4-tert-부틸페닐)메탄올을 500 ml의 농축 아세트산에 현탁시키고, 2 ml의 농축 HCl을 첨가하고, 혼합물을 4시간 동안 비등에서 가열하였다. 미정제 생성물을 여과해냈고, 1H-NMR 분석에 따르면, 두 5-원 고리가 수득되도록 연결된 생성물 및 두 6-원 고리가 수득되도록 연결된 생성물의 혼합물 (약 3:1)이 이루어졌다. 디클로로벤젠으로부터 7회 재결정화함으로써 분리 및 정제를 수행하 였다. 증류에 의해 톨루엔을 제거 및 이중 첨가하고, 끓는 n-헵탄 및 최종 이중 승화 (400℃, 2 x 10-5 mbar)로 세척하여 무색 고체 형태의 생성물을 수득하였다 (16.7 g, 42%).
실시예 14에 따른 화합물은 실시예 1 및 10에 또한 유사하게 관능화될 수 있다.
실시예 15: 2,7- 비스 (N,N- 디페닐아미노 )-3,4,8,9- 디벤조 -6,6,12,12- 테트라메틸 -6,12- 디하이드로인데노[1,2-b]플루오렌의 합성
a) 2,7- 비스 (N,N- 디페닐아미노 )-3,4,8,9- 디벤조 -6,6,12,12- 테트라메틸 -6,12-디하이드로인데노[ 1,2-b]플루오렌
Figure 112008090899131-pct00033
화합물을 실시예 1과 유사하게, 1-나프탈렌보론산 대신 2-나프탈렌보론산으로부터 시작하여 제조하였고, 클로로벤젠으로부터 4회 재결정화 및 최종 승화 (350℃, 2 x 10-5 mbar)에 의해 정제하였다. 아미노화에 대한 수율은 99.9% 초과의 순도 (HPLC)로 66%였다.
상기 기재한 방법과 유사하게 하기의 화합물을 제조하였다 (승화 후 99.9% 초과의 순도로 수득) (실시예 16 내지 23).
Figure 112008090899131-pct00034
실시예 24: 2,7- 비스 (4- 트리페닐아미노 )-3,4,8,9- 디벤조 -6,6,12,12- 테트라메틸 -6,12- 디하이드로인데노[1,2-b]플루오렌의 합성
Figure 112008090899131-pct00035
화합물을 실시예 10과 유사하게, 1-나프탈렌보론산 대신 2-나프탈렌보론산으로부터 시작하여 제조하였고, NMP로부터 4회 재결정화 및 이후 승화 (390℃, 2 x 10-5 mbar)에 의해 정제하였다. 스즈키 반응에 대한 수율은 99.9% 초과의 순도 (HPLC)로 77%였다.
상기 기재한 방법과 유사하게 하기의 화합물을 제조하였다 (승화 후 99.9% 초과의 순도로 수득) (실시예 25 내지 27).
Figure 112008090899131-pct00036
실시예 28: OLED 의 제조
WO 04/058911에 기재한, 특정 환경에 대한 개별적인 경우가 일치되는 일반적인 방법으로 OLED를 제조하였다 (예를 들어 최적의 효율 및 색을 얻기 위한 층 두께 변화).
다양한 OLED에 대한 결과를 하기 실시예 29 내지 47에 나타내었다. 구조화된 ITO (인듐 주석 산화물)로 코팅된 유리판은 기판을 형성하였다. 개선된 가공을 위해, PEDOT (물로부터의 회전 코팅; H. C. Starck, Goslar, Germany에서 구입; 폴리(3,4-에틸렌디옥시-2,5-티오펜))을 기판에 직접 적용하였다. OLED는 항상 하기의 층 순서로 이루어진다: 기판 / PEDOT 20 nm / 정공-주사층 (HIL1) 20 nm / 정공-수송층 (HTM1) 20 nm / 방사층 (EML) 30 nm / 전자-수송층 (ETM) 20 nm 및 마지막으로는 캐소드. PEDOT 이외의 물질을 진공실에서 열 기상 증착시켰다. 여기서 EML은 항상 매트릭스 물질 (호스트, H로 축약) 및 도펀트 (게스트 또는 도펀트, D로 축약)로 이루어지며, 이는 공증발에 의해 호스트와 섞인다. 상부에 증착된 1 nm LiF 박층 및 100 nm Al 층에 의해 캐소드가 형성되었다. 사용한 물질의 구조를 표 1에 나타내었다.
표 1: 사용한 물질의 구조
Figure 112008090899131-pct00037
Figure 112008090899131-pct00038
여기서 ETM-1은 선행 기술에 따른 전자-수송 물질이다. ETM-2는 본 발명에 따른 전자-수송 물질이다. H1, H2 및 H3은 선행 기술에 따른 호스트 물질이다. H4는 본 발명에 따른 호스트 물질이다. D1은 선행 기술에 따른 도펀트이다. D2, D3, D4, D5, D6 및 D7은 본 발명에 따른 도펀트이다.
상기 기재한 OLED는 표준 방법에 의해 특징지어진다; 이러한 목적을 위해, 휘도의 함수로서, 전기장발광 스펙트럼, 효율 (cd/A로 측정), 전력 효율 (lm/W로 측정)을 전류/전압/휘도 특성 (IUL 특성)에서 계산하고, 수명을 측정하였다. 초기 휘도 2000 cd/m2가 절반으로 떨어진 후의 시간으로 수명을 정의하였다.
일부 OLED에 대한 층 구조 (실시예 29 내지 47) 및 이의 결과를 표 2에 나타내었다.
표 2: OLED 에 대한 층 구조 및 결과
Figure 112008090899131-pct00039
표 2의 결과에서 볼 수 있는 것처럼, 본 발명에 따른 OLED는 선행 기술에 따른 OLED (실시예 29)보다 더 긴 수명을 갖는다.

Claims (15)

  1. 하기의 기호 및 지수가 적용되는 하기식 (5a), (6a), (7a), (8a), (9a), (10a) 또는 (11a)에서 선택되는 화합물:
    Figure 712014002613917-pct00052
    Figure 712014002613917-pct00053
    [식 중,
    X는 각각의 경우, 동일 또는 상이하게, C(R1)2에서 선택되는 2가 브릿지이고;
    R1은 각각의 경우, 동일 또는 상이하게, H, F, Cl, Br, I, N(Ar)2, C(=O)Ar, P(=O)Ar2, S(=O)Ar, S(=O)2Ar, CR2=CR2Ar, CN, NO2, Si(R2)3, B(OR2)2, OSO2R2, 1 내지 40개 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 또는 3 내지 40개 탄소 원자를 갖는 분지 또는 고리형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 (각각은 하나 이상의 라디칼 R2로 치환될 수 있고, 하나 이상의 비인접 CH2기는 R2C=CR2, C≡C, Si(R2)2, Ge(R2)2, Sn(R2)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR2, P(=O)(R2), SO, SO2, NR2, O, S 또는 CONR2에 의해 대체될 수 있으며, 하나 이상의 H 원자는 F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2에 의해 대체될 수 있음), 또는 5 내지 40개 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 (각각의 경우에서 하나 이상의 라디칼 R2에 의해 치환될 수 있음), 또는 5 내지 40개 방향족 고리 원자를 갖는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시기 (하나 이상의 라디칼 R2에 의해 치환될 수 있음), 또는 이러한 시스템의 조합이고; 여기서 둘 이상의 인접한 치환기 R1은 또한 서로 모노- 또는 폴리시클릭 지방족 또는 방향족 고리 시스템을 형성할 수 있고;
    Ar은 각각의 경우, 동일 또는 상이하게, 5 내지 30개 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고, 이는 하나 이상의 비방향족 라디칼 R1에 의해 치환될 수 있고; 여기서 동일한 질소 또는 인 원자 상의 두 라디칼 Ar은 또한 단일 결합 또는 브릿지 X에 의해 서로 연결될 수 있고;
    R2는 각각의 경우, 동일 또는 상이하게, H 또는 1 내지 20개 탄소 원자를 갖는 지방족, 방향족 및 헤테로방향족으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상이 조합될 수 있는 탄화수소 라디칼이고, 여기서 또한 H 원자는 F에 의해 대체될 수 있고; 여기서 둘 이상의 인접한 치환기 R2는 또한 서로 모노- 또는 폴리시클릭 지방족 또는 방향족 고리 시스템을 형성할 수 있고;
    여기서, 하기의 화합물:
    Figure 712014002613917-pct00054
    Figure 712014002613917-pct00055
    은 제외됨].
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서, 기호 R1이, 각각의 경우 동일 또는 상이하게 H, F, Br, C(=O)Ar, P(=O)Ar2, CR2=CR2Ar, 1 내지 5개 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬기 또는 3 내지 5개 탄소 원자를 갖는 분지쇄 알킬기 (하나 이상의 비인접한 CH2기가 -R2C=CR2-, -C≡C- 또는 -O-에 의해 대체될 수 있고, 하나 이상의 H 원자가 F에 의해 대체될 수 있음), 또는 6 내지 16개 탄소 원자를 갖는 아릴기 또는 2 내지 16개 탄소 원자를 갖는 헤테로아릴기 또는 스피로바이플루오렌기 (각각은 하나 이상의 라디칼 R2에 의해 치환될 수 있음), 또는 이러한 시스템 중 둘 또는 셋의 조합을 나타내거나, 하나 이상의 기호 R1이 하기 화학식 (17) 또는 (18)의 N(Ar)2기를 나타내는 것을 특징으로 하는 화합물:
    Figure 712014002613917-pct00056
    [식 중,
    R2는 제 1 항에서 언급된 의미를 가지고, 또한;
    E는 단일 결합, O, S, N(R2) 또는 C(R2)2를 나타내고;
    Ar1은 각각의 경우 동일 또는 상이하게, 5 내지 20개 방향족 고리 원자를 갖는 아릴 또는 헤테로아릴기, 또는 15 내지 30개 방향족 고리 원자를 갖는 트리아릴아민기이며 이의 각각은 하나 이상의 라디칼 R2에 의해 치환될 수 있고;
    p는 각각의 경우 동일 또는 상이하게, 0 또는 1임].
  7. 삭제
  8. 제 1 항에 있어서, 브릿지 X에 결합한 라디칼 R1이, 동일 또는 상이하고 H, 1 내지 5개 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬기 또는 3 내지 5개 탄소 원자를 갖는 분지쇄 알킬기 (하나 이상의 비인접한 CH2기가 -R2C=CR2-, -C≡C- 또는 -O-에 의해 대체될 수 있고, 하나 이상의 H 원자가 F에 의해 대체될 수 있음), 또는 6 내지 16개 탄소 원자를 갖는 아릴기 또는 2 내지 16개 탄소 원자를 갖는 헤테로아릴기 (각각은 하나 이상의 라디칼 R2에 의해 치환될 수 있음), 또는 이러한 시스템 중 둘 또는 셋의 조합에서 선택되고; 여기서 동일한 브릿지 원자에 결합한 라디칼 R1 중 둘이 또한 서로 고리 시스템을 형성할 수 있는 것을 특징으로 하는 화합물.
  9. 하나 이상의 라디칼 R1이 중합체, 올리고머 또는 덴드리머로의 결합을 나타내는 것을 특징으로 하는, 제 1 항에 따른 하나 이상의 화합물을 함유하는 중합체, 올리고머 또는 덴드리머.
  10. 하기 단계를 포함하는, 제 1 항에 따른 화합물의 제조 방법:
    a) 관능화된 나프탈렌의 테트라-관능화된 벤젠 유도체로의 커플링 단계;
    b) 산 촉매를 이용한 폐환 단계; 및
    c) 브롬화에 의한, 단계 a) 및 b)에 의해 수득된 모구조의 관능화 후, 방향족 아민으로의 하르트위그-부흐발트 (Hartwig-Buchwald) 커플링 또는 아릴보론산 또는 아릴보론산 유도체로의 스즈키 커플링 단계.
  11. 삭제
  12. 애노드, 캐소드 및 제 1 항에 따른 하나 이상의 화합물을 포함하는 하나 이상의 유기층을 포함하는 유기 전자 소자.
  13. 제 12 항에 있어서, 유기 전계발광 소자 (OLED, PLED), 유기 전계 효과 트랜지스터 (O-FET), 유기 박막 트랜지스터 (O-TFT), 유기 광 방사 트랜지스터 (O-LET), 유기 집적 회로 (O-IC), 유기 태양 전지 (O-SC), 유기 전계 켄치 소자 (O-FQD), 광 방사 전자화학 전지 (LEC), 유기 레이저 다이오드 (O-laser) 및 유기 광수용체에서 선택되는 유기 전자 소자.
  14. 제 13 항에 있어서, 캐소드, 애노드, 하나 이상의 방사층, 및 정공-주사층, 정공-수송층, 전자-수송층, 전자-주사층 및 전하-생성층으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 임의 추가적인 층을 포함하는 유기 전계발광 소자.
  15. 제 14 항에 있어서, 하나 이상의 치환기 R1이 단순 또는 축합된 아릴 또는 헤테로아릴기에서 선택되고, 제 1 항에 따른 화합물이 형광 도펀트용 호스트로서 사용되거나, 치환기 R1 및 브릿지 X로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상이 C=O, P(=O) 및 SO2로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 기를 함유하고 제 1 항에 따른 화합물이 인광성 도펀트용 매트릭스로서 사용되거나, 하나 이상의 치환기 R1이 비닐아릴 단위, 비닐아릴아민 단위 및 아릴아미노 단위로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 단위를 함유하고, 제 1 항에 따른 화합물이 방사 물질로서 사용되거나, 하나 이상의 치환기 R1이 N(Ar)2기를 나타내고, 제 1 항에 따른 화합물이 전자-수용체 화합물로 임의 도핑될 수 있고, 정공-수송 물질 또는 정공-주사 물질로서 사용되거나, 하나 이상의 치환기 R1이 C=O, P(=O) 및 SO2로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 단위를 함유하고, 제 1 항에 따른 화합물이 전자-공여 화합물로 임의 도핑될 수 있고 전자-수송 물질로서 사용되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자.
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