KR101223723B1 - Apparatus for thin layer deposition, method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same, and organic light emitting display apparatus manufactured by the method - Google Patents

Apparatus for thin layer deposition, method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same, and organic light emitting display apparatus manufactured by the method Download PDF

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Abstract

본 발명은 대형 기판의 양산 공정에 더욱 적합하고, 고정세의 패터닝이 가능하도록 하는 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치를 위하여, 기판상에 박막을 형성하기 위한 박막 증착 장치에 있어서, 증착 물질을 방사하는 증착원; 상기 증착원의 일 측에 배치되며, 제1 방향을 따라 복수 개의 증착원 노즐들이 형성되는 증착원 노즐부; 상기 증착원 노즐부와 대향되게 배치되고, 상기 제1 방향을 따라 복수 개의 패터닝 슬릿들이 형성되는 패터닝 슬릿 시트; 상기 증착원 노즐부와 상기 패터닝 슬릿 시트 사이에 상기 제1 방향을 따라 배치되어, 상기 증착원 노즐부와 상기 패터닝 슬릿 시트 사이의 공간을 복수 개의 증착 공간들로 구획하는 복수 개의 차단판들을 구비하는 차단판 어셈블리; 및 상기 증착원의 일 측에 형성되어 상기 증착원 내부의 압력을 측정하는 바라트론 게이지(baratron gauge)를 포함하는 박막 증착 장치를 제공한다. The present invention is more suitable for the mass production process of a large substrate, a thin film deposition apparatus for enabling high-definition patterning, a method of manufacturing an organic light emitting display device using the same, and the organic light emitting display device manufactured accordingly, a thin film on a substrate A thin film deposition apparatus for forming a semiconductor, comprising: a deposition source for emitting a deposition material; A deposition source nozzle unit disposed on one side of the deposition source and having a plurality of deposition source nozzles formed along a first direction; A patterning slit sheet disposed to face the deposition source nozzle unit and having a plurality of patterning slits formed along the first direction; A plurality of blocking plates disposed in the first direction between the deposition source nozzle part and the patterning slit sheet and partitioning a space between the deposition source nozzle part and the patterning slit sheet into a plurality of deposition spaces; Blocking plate assembly; And a baratron gauge formed on one side of the deposition source to measure the pressure inside the deposition source.

Description

박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치{Apparatus for thin layer deposition, method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same, and organic light emitting display apparatus manufactured by the method}Apparatus for thin layer deposition, method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same, and organic light emitting display apparatus manufactured by the method}

본 발명은 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 대형 기판의 양산 공정에 더욱 적합하고, 고정세의 패터닝이 가능하도록 하는 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a thin film deposition apparatus, a method of manufacturing an organic light emitting display device using the same, and an organic light emitting display device manufactured according to the present invention. The present invention relates to a thin film deposition apparatus, a method of manufacturing an organic light emitting display apparatus using the same, and an organic light emitting display apparatus manufactured accordingly.

디스플레이 장치들 중, 유기 발광 표시 장치는 시야각이 넓고 컨트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가지고 있어 차세대 디스플레이 장치로서 주목을 받고 있다. Among the display devices, the organic light emitting display device has attracted attention as a next generation display device because of its advantages of having a wide viewing angle, excellent contrast, and fast response speed.

유기 발광 표시 장치는 서로 대향된 제1 전극 및 제2 전극 사이에 발광층 및 이를 포함하는 중간층을 구비한다. 이때 상기 전극들 및 중간층은 여러 방법으로 형성될 수 있는데, 그 중 한 방법이 독립 증착 방식이다. 증착 방법을 이용하여 유기 발광 표시 장치를 제작하기 위해서는, 박막 등이 형성될 기판 면에, 형성될 박막 등의 패턴과 동일한 패턴을 가지는 파인 메탈 마스크(fine metal mask: FMM)를 밀착시키고 박막 등의 재료를 증착하여 소정 패턴의 박막을 형성한다.The organic light emitting diode display includes a light emitting layer and an intermediate layer including the light emitting layer between the first electrode and the second electrode facing each other. At this time, the electrodes and the intermediate layer can be formed by various methods, one of which is the independent deposition method. In order to fabricate an organic light emitting display device using a deposition method, a fine metal mask (FMM) having the same pattern as the pattern of the thin film to be formed is in close contact with the surface of the substrate on which the thin film or the like is to be formed. The material is deposited to form a thin film of a predetermined pattern.

그러나, 이러한 파인 메탈 마스크를 이용하는 방법은 대형의 마더 글래스(mother-glass)를 사용하는 대면적화에는 부적합하다는 한계가 있다. 즉, 대면적 마스크를 사용하면 자중에 의해 마스크의 휨 현상이 발생되는 데, 이 휨 현상에 의한 패턴의 왜곡이 발생될 수 있기 때문이다. 이는 패턴에 고정세를 요하는 현 경향과 배치되는 것이다.However, the method of using such a fine metal mask has a limitation in that it is unsuitable for the large area using a large mother glass. That is, when the large-area mask is used, the mask warpage phenomenon occurs due to its own weight, because the distortion of the pattern may occur due to the warpage phenomenon. This is contrary to the current trend, which requires a fixed tax on the pattern.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 대형 기판의 양산 공정에 더욱 적합하고, 고정세의 패터닝이 가능하도록 하는 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention is to solve the various problems including the above problems, a thin film deposition apparatus that is more suitable for the mass production process of a large substrate, enabling high-definition patterning, a method of manufacturing an organic light emitting display device using the same and It is an object to provide an organic light emitting display device manufactured accordingly.

본 발명은 기판상에 박막을 형성하기 위한 박막 증착 장치에 있어서, 증착 물질을 방사하는 증착원; 상기 증착원의 일 측에 배치되며, 제1 방향을 따라 복수 개의 증착원 노즐들이 형성되는 증착원 노즐부; 상기 증착원 노즐부와 대향되게 배치되고, 상기 제1 방향을 따라 복수 개의 패터닝 슬릿들이 형성되는 패터닝 슬릿 시트; 상기 증착원 노즐부와 상기 패터닝 슬릿 시트 사이에 상기 제1 방향을 따라 배치되어, 상기 증착원 노즐부와 상기 패터닝 슬릿 시트 사이의 공간을 복수 개의 증착 공간들로 구획하는 복수 개의 차단판들을 구비하는 차단판 어셈블리; 및 상기 증착원의 일 측에 형성되어 상기 증착원 내부의 압력을 측정하는 바라트론 게이지(baratron gauge)를 포함하는 박막 증착 장치를 제공한다. The present invention provides a thin film deposition apparatus for forming a thin film on a substrate, comprising: a deposition source for emitting a deposition material; A deposition source nozzle unit disposed on one side of the deposition source and having a plurality of deposition source nozzles formed along a first direction; A patterning slit sheet disposed to face the deposition source nozzle unit and having a plurality of patterning slits formed along the first direction; A plurality of blocking plates disposed in the first direction between the deposition source nozzle part and the patterning slit sheet and partitioning a space between the deposition source nozzle part and the patterning slit sheet into a plurality of deposition spaces; Blocking plate assembly; And a baratron gauge formed on one side of the deposition source to measure the pressure inside the deposition source.

본 발명에 있어서, 상기 박막 증착 장치는 상기 기판과 소정 정도 이격되도록 형성되며, 상기 박막 증착 장치와 상기 기판은, 어느 일 측이 타 측에 대하여 상대적으로 이동가능하도록 형성될 수 있다. In the present invention, the thin film deposition apparatus is formed to be spaced apart from the substrate by a predetermined degree, and the thin film deposition apparatus and the substrate may be formed so that one side is relatively movable with respect to the other side.

본 발명에 있어서, 상기 바라트론 게이지는, 하우징; 상기 하우징과 상기 증착원을 연결하는 제1 진공 튜브; 상기 하우징 내부에 형성되어, 상기 하우징 내부의 공간을 이분하는 다이아 프램; 및 상기 다이아 프램으로부터의 거리에 따라 캐패시턴스를 유도하는 전극 어셈블리를 포함할 수 있다. In the present invention, the baratrone gauge, the housing; A first vacuum tube connecting the housing and the deposition source; A diaphragm formed inside the housing and dividing a space inside the housing; And an electrode assembly inducing capacitance in accordance with a distance from the diaphragm.

여기서, 상기 다이아 프램은 상기 증착원에 연결된 상기 제1 진공 튜브로 배출 또는 유입되는 공기의 압력에 따라 상기 증착원 방향 또는 상기 증착원으로부터 이격되는 방향으로 이동할 수 있다. Here, the diaphragm may move in the deposition source direction or in a direction spaced from the deposition source according to the pressure of air discharged or introduced into the first vacuum tube connected to the deposition source.

여기서, 상기 바라트론 게이지는 상기 증발원 내부의 절대 압력을 측정할 수 있다. Here, the baratron gauge may measure the absolute pressure inside the evaporation source.

여기서, 상기 바라트론 게이지는, 상기 다이어 프램에 의해서 이분되고 있는 상기 하우징에서, 상기 제1 진공 튜브가 형성된 부분의 반대편에 형성되는 제2 진공 튜브를 더 포함할 수 있다. Here, the baratrone gauge may further include a second vacuum tube formed on the opposite side of the portion in which the first vacuum tube is formed in the housing divided into two parts by the diaphragm.

여기서, 상기 바라트론 게이지는 상기 증발원 내부의 압력과 상기 박막 증착 장치가 수용된 챔버 내의 압력 간의 차이를 측정할 수 있다. Here, the baratrone gauge may measure a difference between the pressure inside the evaporation source and the pressure in the chamber in which the thin film deposition apparatus is accommodated.

본 발명에 있어서, 상기 바라트론 게이지에서 측정된 상기 증착원 내부의 압력을 이용하여 상기 증착원에서 방사되는 상기 증착 물질의 증발률을 일정하게 유지할 수 있다. In the present invention, the evaporation rate of the deposition material radiated from the deposition source may be kept constant by using the pressure inside the deposition source measured by the baratron gauge.

본 발명에 있어서, 상기 복수 개의 차단판들 각각은 상기 제1 방향과 실질적으로 수직인 제2 방향으로 형성되어, 상기 증착원 노즐부와 상기 패터닝 슬릿 시트 사이의 공간을 복수 개의 증착 공간들로 구획할 수 있다. In the present invention, each of the plurality of blocking plates is formed in a second direction substantially perpendicular to the first direction, thereby partitioning a space between the deposition source nozzle unit and the patterning slit sheet into a plurality of deposition spaces. can do.

본 발명에 있어서, 상기 차단판 어셈블리는 복수 개의 제1 차단판들을 구비하는 제1 차단판 어셈블리와, 복수 개의 제2 차단판들을 구비하는 제2 차단판 어셈블리를 포함할 수 있다. In the present invention, the blocking plate assembly may include a first blocking plate assembly having a plurality of first blocking plates and a second blocking plate assembly having a plurality of second blocking plates.

여기서, 상기 복수 개의 제1 차단판들 및 상기 복수 개의 제2 차단판들 각각은 상기 제1 방향과 실질적으로 수직인 제2 방향으로 형성되어, 상기 증착원 노즐부와 상기 패터닝 슬릿 시트 사이의 공간을 복수 개의 증착 공간들로 구획할 수 있다. Here, each of the plurality of first blocking plates and the plurality of second blocking plates may be formed in a second direction substantially perpendicular to the first direction, thereby providing a space between the deposition source nozzle unit and the patterning slit sheet. May be partitioned into a plurality of deposition spaces.

본 발명에 있어서, 상기 기판이 상기 박막 증착 장치에 대하여 상대적으로 이동하면서, 상기 기판상에 상기 박막 증착 장치의 증착 물질이 연속적으로 증착될 수 있다. In the present invention, while the substrate is moved relative to the thin film deposition apparatus, the deposition material of the thin film deposition apparatus may be continuously deposited on the substrate.

본 발명에 있어서, 상기 박막 증착 장치와 상기 기판은, 상기 기판에서 상기 증착 물질이 증착되는 면과 평행한 면을 따라, 어느 일 측이 타 측에 대하여 상대적으로 이동할 수 있다. In the present invention, the thin film deposition apparatus and the substrate, one side may move relative to the other side along a plane parallel to the surface on which the deposition material is deposited on the substrate.

본 발명에 있어서, 상기 각 박막 증착 어셈블리의 상기 패터닝 슬릿 시트는 상기 기판보다 작게 형성될 수 있다. In the present invention, the patterning slit sheet of each thin film deposition assembly may be formed smaller than the substrate.

다른 측면에 따른 본 발명은, 기판상에 박막을 형성하기 위한 박막 증착 장치에 있어서, 증착 물질을 방사하는 증착원; 상기 증착원의 일 측에 배치되며, 제1 방향을 따라 복수 개의 증착원 노즐들이 형성되는 증착원 노즐부; 상기 증착원 노즐부와 대향되게 배치되고, 상기 제1 방향에 대해 수직인 제2 방향을 따라 복수 개의 패터닝 슬릿들이 형성되는 패터닝 슬릿 시트; 및 상기 증착원의 일 측에 형성되어 상기 증착원 내부의 압력을 측정하는 바라트론 게이지(baratron gauge)를 포함하고, 상기 기판이 상기 박막 증착 장치에 대하여 상기 제1 방향을 따라 이동하면서 증착이 수행되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치를 제공한다. According to another aspect of the present invention, a thin film deposition apparatus for forming a thin film on a substrate, comprising: a deposition source for emitting a deposition material; A deposition source nozzle unit disposed on one side of the deposition source and having a plurality of deposition source nozzles formed along a first direction; A patterning slit sheet disposed to face the deposition source nozzle unit and having a plurality of patterning slits formed along a second direction perpendicular to the first direction; And a baratron gauge formed on one side of the deposition source to measure the pressure inside the deposition source, and the deposition is performed while the substrate is moved along the first direction with respect to the thin film deposition apparatus. It provides a thin film deposition apparatus, characterized in that.

본 발명에 있어서, 상기 바라트론 게이지는, 하우징; 상기 하우징과 상기 증착원을 연결하는 제1 진공 튜브; 상기 하우징 내부에 형성되어, 상기 하우징 내부의 공간을 이분하는 다이아 프램; 및 상기 다이아 프램으로부터의 거리에 따라 캐패시턴스를 유도하는 전극 어셈블리를 포함할 수 있다. In the present invention, the baratrone gauge, the housing; A first vacuum tube connecting the housing and the deposition source; A diaphragm formed inside the housing and dividing a space inside the housing; And an electrode assembly inducing capacitance in accordance with a distance from the diaphragm.

여기서, 상기 다이아 프램은 상기 증착원에 연결된 상기 제1 진공 튜브로 배출 또는 유입되는 공기의 압력에 따라 상기 증착원 방향 또는 상기 증착원으로부터 이격되는 방향으로 이동할 수 있다. Here, the diaphragm may move in the deposition source direction or in a direction spaced from the deposition source according to the pressure of air discharged or introduced into the first vacuum tube connected to the deposition source.

여기서, 상기 바라트론 게이지는 상기 증발원 내부의 절대 압력을 측정할 수 있다. Here, the baratron gauge may measure the absolute pressure inside the evaporation source.

여기서, 상기 바라트론 게이지는, 상기 다이어 프램에 의해서 이분되고 있는 상기 하우징에서, 상기 제1 진공 튜브가 형성된 부분의 반대편에 형성되는 제2 진공 튜브를 더 포함할 수 있다. Here, the baratrone gauge may further include a second vacuum tube formed on the opposite side of the portion in which the first vacuum tube is formed in the housing divided into two parts by the diaphragm.

여기서, 상기 바라트론 게이지는 상기 증발원 내부의 압력과 상기 박막 증착 장치가 수용된 챔버 내의 압력 간의 차이를 측정할 수 있다. Here, the baratrone gauge may measure a difference between the pressure inside the evaporation source and the pressure in the chamber in which the thin film deposition apparatus is accommodated.

본 발명에 있어서, 상기 바라트론 게이지에서 측정된 상기 증착원 내부의 압력을 이용하여 상기 증착원에서 방사되는 상기 증착 물질의 증발률을 일정하게 유지할 수 있다. In the present invention, the evaporation rate of the deposition material radiated from the deposition source may be kept constant by using the pressure inside the deposition source measured by the baratron gauge.

본 발명에 있어서, 상기 증착원, 상기 증착원 노즐부 및 상기 패터닝 슬릿 시트는 일체로 형성될 수 있다. In the present invention, the deposition source, the deposition source nozzle unit and the patterning slit sheet may be integrally formed.

본 발명에 있어서, 상기 박막 증착 장치는 상기 기판과 소정 정도 이격되도록 형성될 수 있다. In the present invention, the thin film deposition apparatus may be formed to be spaced apart from the substrate by a predetermined degree.

본 발명에 있어서, 상기 기판이 상기 박막 증착 장치에 대하여 상기 제1 방향을 따라 이동하면서, 상기 기판상에 상기 증착 물질이 연속적으로 증착될 수 있다. In the present invention, as the substrate moves along the first direction with respect to the thin film deposition apparatus, the deposition material may be continuously deposited on the substrate.

본 발명에 있어서, 상기 박막 증착 장치의 상기 패터닝 슬릿 시트는 상기 기판보다 작게 형성될 수 있다. In the present invention, the patterning slit sheet of the thin film deposition apparatus may be formed smaller than the substrate.

또 다른 측면에 따른 본 발명은, 증착 물질을 방사하는 증착원과, 상기 증착원의 일 측에 배치되며 제1 방향을 따라 복수 개의 증착원 노즐들이 형성되는 증착원 노즐부와, 상기 증착원 노즐부와 대향되게 배치되고 상기 제1 방향을 따라 복수 개의 패터닝 슬릿들이 형성되는 패터닝 슬릿 시트와, 상기 증착원 노즐부와 상기 패터닝 슬릿 시트 사이에 상기 제1 방향을 따라 배치되어 상기 증착원 노즐부와 상기 패터닝 슬릿 시트 사이의 공간을 복수 개의 증착 공간들로 구획하는 복수 개의 차단판들을 구비하는 차단판 어셈블리와, 상기 증착원의 일 측에 형성되어 상기 증착원 내부의 압력을 측정하는 바라트론 게이지(baratron gauge)를 포함하는 박막 증착 장치를, 척에 고정된 피증착용 기판과 이격되도록 배치하여, 증착이 진행되는 동안 상기 박막 증착 장치와 상기 척에 고정된 기판이 서로 상대적으로 이동됨으로써 기판에 대한 증착이 이뤄지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법을 제공한다. According to another aspect of the present invention, a deposition source for emitting a deposition material, a deposition source nozzle unit disposed on one side of the deposition source and a plurality of deposition source nozzles are formed along a first direction, and the deposition source nozzle A patterning slit sheet disposed to face the portion and having a plurality of patterning slits formed along the first direction, and disposed between the deposition source nozzle portion and the patterning slit sheet along the first direction and disposed in the deposition source nozzle portion; A barrier plate assembly having a plurality of barrier plates partitioning the space between the patterning slit sheets into a plurality of deposition spaces, and a baratron gauge formed on one side of the deposition source to measure the pressure inside the deposition source ( a thin film deposition apparatus including a baratron gauge so as to be spaced apart from the substrate to be fixed fixed to the chuck so that the thin film deposition apparatus is deposited during the deposition process. And is moved relative to each other a fixed substrate to the chuck thereby provides a method for producing organic light-emitting display device, it characterized in that the deposition goes on to a substrate.

또 다른 측면에 따른 본 발명은, 증착 물질을 방사하는 증착원과, 상기 증착원의 일 측에 배치되며, 제1 방향을 따라 복수 개의 증착원 노즐들이 형성되는 증착원 노즐부와, 상기 증착원 노즐부와 대향되게 배치되고, 상기 제1 방향에 대해 수직인 제2 방향을 따라 복수 개의 패터닝 슬릿들이 형성되는 패터닝 슬릿 시트와, 상기 증착원의 일 측에 형성되어 상기 증착원 내부의 압력을 측정하는 바라트론 게이지(baratron gauge)를 포함하는 박막 증착 장치를, 척에 고정된 피증착용 기판과 이격되도록 배치하여, 증착이 진행되는 동안 상기 박막 증착 장치와 상기 척에 고정된 기판이 서로 상대적으로 이동됨으로써 기판에 대한 증착이 이뤄지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법을 제공한다. According to another aspect of the present invention, a deposition source for emitting a deposition material, a deposition source nozzle unit disposed on one side of the deposition source, a plurality of deposition source nozzles are formed along a first direction, and the deposition source A patterning slit sheet disposed to face the nozzle unit and having a plurality of patterning slits formed along a second direction perpendicular to the first direction, and formed on one side of the deposition source to measure the pressure inside the deposition source; A thin film deposition apparatus including a baratron gauge is arranged to be spaced apart from a deposition substrate fixed to a chuck, so that the thin film deposition apparatus and the substrate fixed to the chuck are moved relative to each other during deposition. The present invention provides a method of manufacturing an organic light emitting display device, characterized in that deposition is performed on a substrate.

또 다른 측면에 따른 본 발명은, 상술한 방법에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치를 제공한다. The present invention according to another aspect provides an organic light emitting display device manufactured according to the above-described method.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치에 따르면, 대형 기판의 양산 공정에 더욱 적합하고, 고정세의 패터닝이 가능하도록 하는 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치를 구현할 수 있다.According to the thin film deposition apparatus of the present invention made as described above, a method of manufacturing an organic light emitting display device using the same, and the organic light emitting display device manufactured according to the above, it is more suitable for the mass production process of a large substrate, so that high-definition patterning is possible. A thin film deposition apparatus, a method of manufacturing an organic light emitting display apparatus using the same, and an organic light emitting display apparatus manufactured according to the same may be implemented.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 장치를 개략적으로 도시한 시스템 구성도이다.
도 2는 도 1의 변형례를 나타내는 도면이다.
도 3은 도 1의 정전척의 일 예를 도시한 개략도이다.
도 4는 도 1의 박막 증착 장치의 박막 증착 어셈블리를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 5는 도 4의 박막 증착 어셈블리의 개략적인 측단면도이다.
도 6은 도 4의 박막 증착 어셈블리의 개략적인 평단면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 일 실시예에 관한 박막 증착 어셈블리를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 관한 박막 증착 어셈블리를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 박막 증착 어셈블리를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 박막 증착 어셈블리를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 11은 도 10의 박막 증착 어셈블리에서 증착원 노즐을 틸트시키지 아니하였을 때 기판에 증착된 증착막의 분포 형태를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 12는 도 10의 박막 증착 어셈블리에서 증착원 노즐을 틸트시켰을 때 기판에 증착된 증착막의 분포 형태를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 13은 본 발명의 박막 증착 장치를 이용하여 제조된 액티브 매트릭스형 유기 발광 표시 장치의 단면을 도시한 것이다.1 is a system configuration diagram schematically showing a thin film deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a diagram illustrating a modification of FIG. 1.
3 is a schematic diagram illustrating an example of the electrostatic chuck of FIG. 1.
4 is a perspective view schematically illustrating a thin film deposition assembly of the thin film deposition apparatus of FIG. 1.
5 is a schematic side cross-sectional view of the thin film deposition assembly of FIG. 4.
6 is a schematic plan cross-sectional view of the thin film deposition assembly of FIG. 4.
7 is a perspective view schematically showing a thin film deposition assembly according to another embodiment of the present invention.
8 is a perspective view schematically showing a thin film deposition assembly according to another embodiment of the present invention.
9 is a perspective view schematically showing a thin film deposition assembly according to another embodiment of the present invention.
10 is a perspective view schematically showing a thin film deposition assembly according to another embodiment of the present invention.
FIG. 11 is a view schematically illustrating a distribution form of a deposition film deposited on a substrate when the deposition source nozzle is not tilted in the thin film deposition assembly of FIG. 10.
FIG. 12 is a view schematically illustrating a distribution form of a deposition film deposited on a substrate when the deposition source nozzle is tilted in the thin film deposition assembly of FIG. 10.
13 is a cross-sectional view of an active matrix organic light emitting display device manufactured using the thin film deposition apparatus of the present invention.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 장치를 개략적으로 도시한 시스템 구성도이고, 도 2는 도 1의 변형예를 도시한 것이다. 도 3은 정전척(600)의 일 예를 도시한 개략도이다.1 is a system configuration diagram schematically showing a thin film deposition apparatus according to an embodiment of the present invention, Figure 2 shows a modification of FIG. 3 is a schematic diagram illustrating an example of an electrostatic chuck 600.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착 장치는 로딩부(710), 증착부(730), 언로딩부(720), 제1 순환부(610) 및 제2 순환부(620)를 포함한다.Referring to FIG. 1, a thin film deposition apparatus according to an exemplary embodiment may include a loading unit 710, a deposition unit 730, an unloading unit 720, a first circulation unit 610, and a second circulation unit ( 620).

로딩부(710)는 제1 래크(712)와, 도입로봇(714)과, 도입실(716)과, 제1 반전실(718)을 포함할 수 있다. The loading unit 710 may include a first rack 712, an introduction robot 714, an introduction chamber 716, and a first inversion chamber 718.

제1 래크(712)에는 증착이 이루어지기 전의 기판(500)이 다수 적재되어 있고, 도입로봇(714)은 상기 제1 래크(712)로부터 기판(500)을 잡아 제2 순환부(620)로부터 이송되어 온 정전척(600)에 기판(500)을 얹은 후, 기판(500)이 부착된 정전척(600)을 도입실(716)로 옮긴다. The first rack 712 is loaded with a large number of substrates 500 before deposition is performed, and the introduction robot 714 holds the substrate 500 from the first rack 712 from the second circulation portion 620. After placing the substrate 500 on the transferred electrostatic chuck 600, the electrostatic chuck 600 with the substrate 500 is transferred to the introduction chamber 716.

도입실(716)에 인접하게는 제1 반전실(718)이 구비되며, 제1 반전실(718)에 위치한 제1 반전 로봇(719)이 정전척(600)을 반전시켜 정전척(600)을 증착부(730)의 제1 순환부(610)에 장착한다. A first reversal chamber 718 is provided adjacent to the introduction chamber 716, and the first reversal robot 719 located in the first reversal chamber 718 inverts the electrostatic chuck 600, thereby electrostatic chuck 600. Is mounted on the first circulation part 610 of the deposition part 730.

정전척(Electro Static Chuck, 600)은 도 3에서 볼 수 있듯이, 세라믹으로 구비된 본체(601)의 내부에 전원이 인가되는 전극(602)이 매립된 것으로, 이 전극(602)에 고전압이 인가됨으로써 본체(601)의 표면에 기판(500)을 부착시키는 것이다. As shown in FIG. 3, the electrostatic chuck 600 includes an electrode 602 to which power is applied to the inside of the main body 601 made of ceramic, and a high voltage is applied to the electrode 602. In this way, the substrate 500 is attached to the surface of the main body 601.

도 1에서 볼 때, 도입 로봇(714)은 정전척(600)의 상면에 기판(500)을 얹게 되고, 이 상태에서 정전척(600)은 도입실(716)로 이송되며, 제1 반전 로봇(719)이 정전척(600)을 반전시킴에 따라 증착부(730)에서는 기판(500)이 아래를 향하도록 위치하게 된다.As shown in FIG. 1, the introduction robot 714 mounts the substrate 500 on an upper surface of the electrostatic chuck 600, and in this state, the electrostatic chuck 600 is transferred to the introduction chamber 716. As the 719 inverts the electrostatic chuck 600, the substrate 500 is positioned downward in the deposition unit 730.

언로딩부(720)의 구성은 위에서 설명한 로딩부(710)의 구성과 반대로 구성된다. 즉, 증착부(730)를 거친 기판(500) 및 정전척(600)을 제2 반전실(728)에서 제2 반전로봇(729)이 반전시켜 반출실(726)로 이송하고, 반출로봇(724)이 반출실(726)에서 기판(500) 및 정전척(600)을 꺼낸 다음 기판(500)을 정전척(600)에서 분리하여 제2 래크(722)에 적재한다. 기판(500)과 분리된 정전척(600)은 제2 순환부(620)를 통해 로딩부(710)로 회송된다.The configuration of the unloading unit 720 is opposite to that of the loading unit 710 described above. That is, the second inverting robot 729 inverts the substrate 500 and the electrostatic chuck 600 that pass through the deposition unit 730 from the second inverting chamber 728 to the transport chamber 726, and the transport robot ( The 724 removes the substrate 500 and the electrostatic chuck 600 from the carrying-out chamber 726, and then separates the substrate 500 from the electrostatic chuck 600 and loads the second rack 722. The electrostatic chuck 600 separated from the substrate 500 is returned to the loading unit 710 through the second circulation unit 620.

그러나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 기판(500)이 정전척(600)에 최초 고정될 때부터 정전척(600)의 하면에 기판(500)을 고정시켜 그대로 증착부(730)로 이송시킬 수도 있다. 이 경우, 예컨대 제1 반전실(718) 및 제1 반전로봇(719)과 제2 반전실(728) 및 제2 반전로봇(729)은 필요 없게 된다.However, the present invention is not necessarily limited thereto, and since the substrate 500 is first fixed to the electrostatic chuck 600, the substrate 500 is fixed to the lower surface of the electrostatic chuck 600 to the deposition unit 730 as it is. You can also transfer. In this case, for example, the first inversion chamber 718 and the first inversion robot 719 and the second inversion chamber 728 and the second inversion robot 729 are unnecessary.

증착부(730)는 적어도 하나의 증착용 챔버를 구비한다. 도 1에 따른 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따르면, 상기 증착부(730)는 제1 챔버(731)를 구비하며, 이 제1 챔버(731) 내에 복수의 박막 증착 어셈블리들(100)(200)(300)(400)이 배치된다. 도 1에 도시된 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따르면, 상기 제1 챔버(731) 내에 제1박막 증착 어셈블리(100), 제2박막 증착 어셈블리(200), 제3박막 증착 어셈블리(300) 및 제4박막 증착 어셈블리(400)의 네 개의 박막 증착 어셈블리들이 설치되어 있으나, 그 숫자는 증착 물질 및 증착 조건에 따라 가변 가능하다. 상기 제1 챔버(731)는 증착이 진행되는 동안 진공으로 유지된다. The deposition unit 730 includes at least one deposition chamber. According to a preferred embodiment of the present invention according to FIG. 1, the deposition unit 730 includes a first chamber 731, and a plurality of thin film deposition assemblies 100 and 200 in the first chamber 731. 300 and 400 are disposed. According to an exemplary embodiment of the present invention shown in FIG. 1, the first thin film deposition assembly 100, the second thin film deposition assembly 200, the third thin film deposition assembly 300 and the first chamber 731 are disposed in the first chamber 731. Four thin film deposition assemblies of the fourth thin film deposition assembly 400 are installed, but the number may vary depending on the deposition material and deposition conditions. The first chamber 731 is maintained in vacuum while deposition is in progress.

또한, 도 2에 따른 본 발명의 다른 일 실시예에 따르면 상기 증착부(730)는 서로 연계된 제1 챔버(731) 및 제2 챔버(732)를 포함하고, 제1 챔버(731)에는 제1,2 박막 증착 어셈블리들(100)(200)이, 제2 챔버(732)에는 제3,4 박막 증착 어셈블리들(300)(400)이 배치될 수 있다. 이때, 챔버의 수가 추가될 수 있음은 물론이다.In addition, according to another embodiment of the present invention according to FIG. 2, the deposition unit 730 includes a first chamber 731 and a second chamber 732 connected to each other, and the first chamber 731 includes a first chamber 731. First and second thin film deposition assemblies 100 and 200 may be disposed in the second chamber 732 and third and fourth thin film deposition assemblies 300 and 400. At this time, of course, the number of chambers can be added.

한편, 도 1에 따른 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따르면, 상기 기판(500)이 고정된 정전척(600)은 제1 순환부(610)에 의해 적어도 증착부(730)로, 바람직하게는 상기 로딩부(710), 증착부(730) 및 언로딩부(720)로 순차 이동되고, 상기 언로딩부(720)에서 기판(500)과 분리된 정전척(600)은 제2 순환부(620)에 의해 상기 로딩부(710)로 환송된다.Meanwhile, according to an exemplary embodiment of the present invention according to FIG. 1, the electrostatic chuck 600 to which the substrate 500 is fixed is at least a deposition unit 730 by the first circulation unit 610, preferably The electrostatic chuck 600 which is sequentially moved to the loading unit 710, the deposition unit 730, and the unloading unit 720, and separated from the substrate 500 at the unloading unit 720 may be a second circulation unit ( 620 is returned to the loading unit 710.

상기 제1 순환부(610)는 상기 증착부(730)를 통과할 때에 상기 제1 챔버(731)를 관통하도록 구비되고, 상기 제2 순환부(620)는 정전 척이 이송되도록 구비된다.
The first circulation part 610 is provided to penetrate the first chamber 731 when passing through the deposition part 730, and the second circulation part 620 is provided to transfer the electrostatic chuck.

다음으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착 장치의 박막 증착 어셈블리(100)를 설명한다. 도 4는 도 1의 박막 증착 장치의 박막 증착 어셈블리를 개략적으로 도시한 사시도이고, 도 5는 도 4의 박막 증착 어셈블리의 개략적인 측단면도이고, 도 6은 도 4의 박막 증착 어셈블리의 개략적인 평단면도이다. Next, the thin film deposition assembly 100 of the thin film deposition apparatus according to an embodiment of the present invention will be described. 4 is a perspective view schematically showing a thin film deposition assembly of the thin film deposition apparatus of FIG. 1, FIG. 5 is a schematic side cross-sectional view of the thin film deposition assembly of FIG. 4, and FIG. 6 is a schematic plan view of the thin film deposition assembly of FIG. 4. It is a cross section.

도 4 내지 도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 어셈블리(100)는 증착원(110), 증착원 노즐부(120), 차단판 어셈블리(130), 패터닝 슬릿 시트(150) 및 바라트론 게이지(baratron gauge)(170)를 포함한다. 4 to 6, the thin film deposition assembly 100 according to the exemplary embodiment of the present invention may include a deposition source 110, a deposition source nozzle unit 120, a blocking plate assembly 130, and a patterning slit sheet 150. ) And a baratron gauge 170.

여기서, 도 4 내지 도 6에는 설명의 편의를 위해 챔버를 도시하지 않았지만, 도 4 내지 도 6의 모든 구성은 적절한 진공도가 유지되는 챔버 내에 배치되는 것이 바람직하다. 이는 증착 물질의 직진성을 확보하기 위함이다. Here, although the chamber is not shown in FIGS. 4 to 6 for convenience of description, all the components of FIGS. 4 to 6 are preferably disposed in a chamber in which an appropriate degree of vacuum is maintained. This is to ensure the straightness of the deposition material.

상세히, 증착원(110)에서 방출된 증착 물질(115)이 증착원 노즐부(120) 및 패터닝 슬릿 시트(150)를 통과하여 기판(500)에 원하는 패턴으로 증착되게 하려면, 기본적으로 챔버(미도시) 내부는 고진공 상태를 유지해야 한다. 또한 차단판 어셈블리(130) 및 패터닝 슬릿 시트(150)의 온도가 증착원(110) 온도보다 충분히 낮아야(약 100°이하) 증착원 노즐부(120)와 패터닝 슬릿 시트(150) 사이의 공간을 고진공 상태로 유지할 수 있다. 이와 같이, 차단판 어셈블리(130)와 패터닝 슬릿 시트(150)의 온도가 충분히 낮으면, 원하지 않는 방향으로 방사되는 증착 물질(115)은 모두 차단판 어셈블리(130) 면에 흡착되어서 고진공을 유지할 수 있기 때문에, 증착 물질 간의 충돌이 발생하지 않아서 증착 물질의 직진성을 확보할 수 있게 되는 것이다. 이때 차단판 어셈블리(130)는 고온의 증착원(110)을 향하고 있고, 증착원(110)과 가까운 곳은 최대 167° 가량 온도가 상승하기 때문에, 필요할 경우 부분 냉각 장치(미도시)가 더 구비될 수 있다. In detail, in order for the deposition material 115 emitted from the deposition source 110 to pass through the deposition source nozzle unit 120 and the patterning slit sheet 150 to be deposited on the substrate 500 in a desired pattern, a chamber (not shown) is basically used. Inside) Maintain high vacuum. In addition, the temperature of the blocking plate assembly 130 and the patterning slit sheet 150 must be sufficiently lower than the temperature of the deposition source 110 (about 100 ° or less) to provide a space between the deposition source nozzle unit 120 and the patterning slit sheet 150. It can be kept in a high vacuum. As such, when the temperature of the blocking plate assembly 130 and the patterning slit sheet 150 is sufficiently low, all of the deposition material 115 radiating in an undesired direction may be adsorbed on the surface of the blocking plate assembly 130 to maintain high vacuum. Since the collision between the deposition materials does not occur, the straightness of the deposition materials can be secured. In this case, the blocking plate assembly 130 faces the high temperature deposition source 110, and the temperature is increased by about 167 ° up to the place near the deposition source 110, so that a partial cooling device (not shown) is further provided if necessary. Can be.

이러한 챔버 내에는 피 증착체인 기판(500)이 정전척(600)에 의해 이송된다. 상기 기판(500)은 평판 표시 장치용 기판이 될 수 있는 데, 다수의 평판 표시 장치를 형성할 수 있는 마더 글라스(mother glass)와 같은 대면적 기판이 적용될 수 있다.In this chamber, the substrate 500, which is a deposition target, is transferred by the electrostatic chuck 600. The substrate 500 may be a substrate for a flat panel display device, and a large area substrate such as a mother glass capable of forming a plurality of flat panel display devices may be applied.

여기서, 본 발명의 일 실시예에서는, 기판(500)이 박막 증착 어셈블리(100)에 대하여 상대적으로 이동하는데, 바람직하게는 박막 증착 어셈블리(100)에 대하여 기판(500)이 화살표 A 방향으로 이동하도록 할 수 있다. Here, in one embodiment of the present invention, the substrate 500 is moved relative to the thin film deposition assembly 100, preferably to move the substrate 500 in the direction of the arrow A with respect to the thin film deposition assembly 100. can do.

상세히, 기존 FMM 증착 방법에서는 마스크의 크기가 기판 크기와 동일하거나 이보다 커야 했다. 따라서, 기판 사이즈가 증가할수록 마스크도 대형화되어야 하며, 따라서 이러한 대형의 마스크의 제작이 용이하지 않고, 마스크를 인장하여 정밀한 패턴으로 얼라인(align) 하기도 용이하지 않다는 문제점이 존재하였다. In detail, the conventional FMM deposition method required the mask size to be equal to or larger than the substrate size. Therefore, as the substrate size increases, the mask also needs to be enlarged. Therefore, there is a problem that it is not easy to manufacture such a large mask, and it is not easy to align the mask in a precise pattern by tensioning the mask.

이와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 어셈블리(100)는, 박막 증착 어셈블리(100)와 기판(500)이 서로 상대적으로 이동하면서 증착이 이루어지는 것을 일 특징으로 한다. 다시 말하면, 박막 증착 어셈블리(100)와 마주보도록 배치된 기판(500)이 Y축 방향을 따라 이동하면서 연속적으로 증착을 수행하게 된다. 즉, 기판(500)이 도 4의 화살표 A 방향으로 이동하면서 스캐닝(scanning) 방식으로 증착이 수행되는 것이다. 여기서, 도면에는 기판(500)이 챔버(미도시) 내에서 Y축 방향으로 이동하면서 증착이 이루어지는 것으로 도시되어 있으나, 본 발명의 사상은 이에 제한되지 아니하며, 기판(500)은 고정되어 있고 박막 증착 어셈블리(100) 자체가 Y축 방향으로 이동하면서 증착을 수행하는 것도 가능하다 할 것이다. In order to solve such a problem, the thin film deposition assembly 100 according to the embodiment of the present invention is characterized in that the deposition is performed while the thin film deposition assembly 100 and the substrate 500 move relative to each other. In other words, the substrate 500 disposed to face the thin film deposition assembly 100 moves in the Y-axis direction and continuously performs deposition. That is, deposition is performed by scanning while the substrate 500 moves in the direction of arrow A in FIG. 4. Here, although the substrate 500 is shown to be deposited while moving in the Y-axis direction in the chamber (not shown), the spirit of the present invention is not limited thereto, the substrate 500 is fixed and thin film deposition It will also be possible to perform deposition while the assembly 100 itself moves in the Y-axis direction.

따라서, 본 발명의 박막 증착 어셈블리(100)에서는 종래의 FMM에 비하여 훨씬 작게 패터닝 슬릿 시트(150)를 만들 수 있다. 즉, 본 발명의 박막 증착 어셈블리(100)의 경우, 기판(500)이 Y축 방향을 따라 이동하면서 연속적으로, 즉 스캐닝(scanning) 방식으로 증착을 수행하기 때문에, 패터닝 슬릿 시트(150)의 X축 방향으로의 폭과 기판(500)의 X축 방향으로의 폭만 실질적으로 동일하게 형성되면, 패터닝 슬릿 시트(150)의 Y축 방향의 길이는 기판(500)의 길이보다 훨씬 작게 형성되어도 무방하게 된다. 물론, 패터닝 슬릿 시트(150)의 X축 방향으로의 폭이 기판(500)의 X축 방향으로의 폭보다 작게 형성되더라도, 기판(500)과 박막 증착 어셈블리(100)의 상대적 이동에 의한 스캐닝 방식에 의해 충분히 기판(500) 전체에 대하여 증착을 할 수 있게 된다.Accordingly, the thin film deposition assembly 100 of the present invention can make the patterning slit sheet 150 much smaller than the conventional FMM. That is, in the case of the thin film deposition assembly 100 of the present invention, since the substrate 500 moves in the Y-axis direction and performs deposition continuously, that is, by scanning, the X of the patterning slit sheet 150 If only the width in the axial direction and the width in the X-axis direction of the substrate 500 are substantially the same, the length in the Y-axis direction of the patterning slit sheet 150 may be formed to be much smaller than the length of the substrate 500. do. Of course, even if the width in the X-axis direction of the patterning slit sheet 150 is smaller than the width in the X-axis direction of the substrate 500, the scanning method by the relative movement of the substrate 500 and the thin film deposition assembly 100 This makes it possible to deposit the entire substrate 500 sufficiently.

이와 같이, 종래의 FMM에 비하여 훨씬 작게 패터닝 슬릿 시트(150)를 만들 수 있기 때문에, 본 발명의 패터닝 슬릿 시트(150)는 그 제조가 용이하다. 즉, 패터닝 슬릿 시트(150)의 에칭 작업이나, 그 이후의 정밀 인장 및 용접 작업, 이동 및 세정 작업 등 모든 공정에서, 작은 크기의 패터닝 슬릿 시트(150)가 FMM 증착 방법에 비해 유리하다. 또한, 이는 디스플레이 장치가 대형화될수록 더욱 유리하게 된다. Thus, since the patterning slit sheet 150 can be made much smaller than the conventional FMM, the patterning slit sheet 150 of the present invention is easy to manufacture. That is, in all processes, such as etching operations of the patterning slit sheet 150, precision tension and welding operations thereafter, movement and cleaning operations, the small sized patterning slit sheet 150 is advantageous over the FMM deposition method. In addition, this becomes more advantageous as the display device becomes larger.

이와 같이, 박막 증착 어셈블리(100)와 기판(500)이 서로 상대적으로 이동하면서 증착이 이루어지기 위해서는, 박막 증착 어셈블리(100)와 기판(500)이 일정 정도 이격되는 것이 바람직하다. 이에 대하여는 뒤에서 상세히 기술하기로 한다. As such, in order for the deposition to be performed while the thin film deposition assembly 100 and the substrate 500 move relative to each other, the thin film deposition assembly 100 and the substrate 500 may be spaced apart from each other to some extent. This will be described later in detail.

한편, 챔버 내에서 상기 기판(500)과 대향하는 측에는, 증착 물질(115)이 수납 및 가열되는 증착원(110)이 배치된다. Meanwhile, the deposition source 110 in which the deposition material 115 is received and heated is disposed on the side of the chamber that faces the substrate 500.

상기 증착원(110)은 그 내부에 증착 물질(115)이 채워지는 도가니(112)와, 이 도가니(112)를 둘러싸는 냉각 블록(111)이 구비된다. 냉각 블록(111)은 도가니(112)로부터의 열이 외부, 즉, 챔버 내부로 발산되는 것을 최대한 억제하기 위한 것으로, 이 냉각 블록(111)에는 도가니(111)를 가열시키는 히터(미도시)가 포함되어 있다. The deposition source 110 is provided with a crucible 112 filled with a deposition material 115 therein and a cooling block 111 surrounding the crucible 112. The cooling block 111 is configured to minimize the heat dissipation from the crucible 112 to the outside, that is, the inside of the chamber. The cooling block 111 includes a heater (not shown) for heating the crucible 111. Included.

증착원(110)의 일 측에는 바라트론 게이지(baratron gauge)(170)가 더 구비된다. 이와 같은 바라트론 게이지(baratron gauge)(170)는 증착원(110) 내부의 압력을 측정하여 증착 물질(115)의 증발률을 제어하는 것을 일 특징으로 하는바, 이에 대하여는 뒤에서 상세히 기술하기로 한다. One side of the deposition source 110 is further provided with a baratron gauge (baratron gauge) (170). The baratron gauge 170 is characterized by controlling the evaporation rate of the deposition material 115 by measuring the pressure inside the deposition source 110, which will be described in detail later. .

증착원(110)의 일 측, 상세하게는 증착원(110)에서 기판(500)을 향하는 측에는 증착원 노즐부(120)가 배치된다. 그리고, 증착원 노즐부(120)에는, X축 방향을 따라서 복수 개의 증착원 노즐(121)들이 형성된다. 여기서, 상기 복수 개의 증착원 노즐(121)들은 등 간격으로 형성될 수 있다. 증착원(110) 내에서 기화된 증착 물질(115)은 이와 같은 증착원 노즐부(120)의 증착원 노즐(121)들을 통과하여 피 증착체인 기판(500) 쪽으로 향하게 되는 것이다. The deposition source nozzle unit 120 is disposed on one side of the deposition source 110, in detail, the side of the deposition source 110 that faces the substrate 500. In the deposition source nozzle unit 120, a plurality of deposition source nozzles 121 are formed along the X-axis direction. Here, the plurality of deposition source nozzles 121 may be formed at equal intervals. The evaporation material 115 vaporized in the evaporation source 110 passes through the evaporation source nozzles 121 of the evaporation source nozzle unit 120 and is directed toward the substrate 500 which is the evaporation target.

증착원 노즐부(120)의 일 측에는 차단판 어셈블리(130)가 구비된다. 상기 차단판 어셈블리(130)는 복수 개의 차단판(131)들과, 차단판(131)들 외측에 구비되는 차단판 프레임(132)을 포함한다. 상기 복수 개의 차단판(131)들은 X축 방향을 따라서 서로 나란하게 배치될 수 있다. 여기서, 상기 복수 개의 차단판(131)들은 등 간격으로 형성될 수 있다. 또한, 각각의 차단판(131)들은 도면에서 보았을 때 YZ평면을 따라 연장되어 있고, 바람직하게는 직사각형으로 구비될 수 있다. 이와 같이 배치된 복수 개의 차단판(131)들은 증착원 노즐부(120)와 패터닝 슬릿(150) 사이의 공간을 복수 개의 증착 공간(S)으로 구획한다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 어셈블리(100)는 상기 차단판(131)들에 의하여, 도 6에서 볼 수 있듯이, 증착 물질이 분사되는 각각의 증착원 노즐(121) 별로 증착 공간(S)이 분리된다. A blocking plate assembly 130 is provided at one side of the deposition source nozzle unit 120. The blocking plate assembly 130 includes a plurality of blocking plates 131 and a blocking plate frame 132 provided outside the blocking plates 131. The plurality of blocking plates 131 may be arranged parallel to each other along the X-axis direction. Here, the plurality of blocking plates 131 may be formed at equal intervals. In addition, each of the blocking plates 131 extends along the YZ plane when viewed in the drawing, and may be preferably provided in a rectangular shape. The plurality of blocking plates 131 arranged as described above divides the space between the deposition source nozzle unit 120 and the patterning slit 150 into a plurality of deposition spaces S. That is, in the thin film deposition assembly 100 according to the exemplary embodiment of the present invention, as shown in FIG. 6, the thin film deposition assembly 100 is deposited space by each deposition source nozzle 121 to which a deposition material is injected. (S) is separated.

여기서, 각각의 차단판(131)들은 서로 이웃하고 있는 증착원 노즐(121)들 사이에 배치될 수 있다. 이는 다시 말하면, 서로 이웃하고 있는 차단판(131)들 사이에 하나의 증착원 노즐(121)이 배치되는 것이다. 바람직하게, 증착원 노즐(121)은 서로 이웃하고 있는 차단판(131) 사이의 정 중앙에 위치할 수 있다. 그러나 본 발명은 반드시 이에 한정되지 않으며, 서로 이웃하고 있는 차단판(131)들 사이에 복수의 증착원 노즐(121)이 배치하여도 무방하다. 다만, 이 경우에도 복수의 증착원 노즐(121)들이 서로 이웃하고 있는 차단판(131) 사이의 정 중앙에 위치하도록 하는 것이 바람직하다.Here, each of the blocking plates 131 may be disposed between the deposition source nozzles 121 adjacent to each other. In other words, one deposition source nozzle 121 is disposed between neighboring blocking plates 131. Preferably, the deposition source nozzle 121 may be located at the center of the barrier plate 131 adjacent to each other. However, the present invention is not limited thereto, and the plurality of deposition source nozzles 121 may be disposed between the blocking plates 131 adjacent to each other. However, even in this case, it is preferable that the plurality of deposition source nozzles 121 are positioned at the centers between the blocking plates 131 adjacent to each other.

이와 같이, 차단판(131)이 증착원 노즐부(120)와 패터닝 슬릿 시트(150) 사이의 공간을 복수 개의 증착 공간(S)으로 구획함으로써, 하나의 증착원 노즐(121)로부터 배출되는 증착 물질은 다른 증착원 노즐(121)로부터 배출된 증착 물질들과 혼합되지 않고, 패터닝 슬릿(151)을 통과하여 기판(500)에 증착되는 것이다. 즉, 상기 차단판(131)들은 각 증착원 노즐(121)을 통해 배출되는 증착 물질이 분산되지 않고 Y축 방향으로 직진하도록 증착 물질의 이동 경로를 가이드 하는 역할을 수행한다. As described above, the blocking plate 131 divides the space between the deposition source nozzle unit 120 and the patterning slit sheet 150 into a plurality of deposition spaces S, thereby depositing the discharged from one deposition source nozzle 121. The material is not mixed with deposition materials discharged from other deposition source nozzles 121, but is deposited on the substrate 500 through the patterning slit 151. That is, the blocking plates 131 guide the movement path of the deposition material so that the deposition material discharged through the deposition source nozzles 121 is not dispersed but goes straight in the Y-axis direction.

이와 같이, 차단판(131)들을 구비하여 증착 물질의 직진성을 확보함으로써, 기판에 형성되는 음영(shadow)의 크기를 대폭적으로 줄일 수 있으며, 따라서 박막 증착 어셈블리(100)와 기판(500)을 일정 정도 이격시키는 것이 가능해진다. 이에 대하여는 뒤에서 상세히 기술하기로 한다. As such, by providing the blocking plates 131 to secure the straightness of the deposition material, the size of the shadow formed on the substrate can be greatly reduced, and thus, the thin film deposition assembly 100 and the substrate 500 may be fixed. It becomes possible to space apart. This will be described later in detail.

한편, 상기 복수 개의 차단판(131)들의 외측으로는 차단판 프레임(132)이 더 구비될 수 있다. 차단판 프레임(132)은, 복수 개의 차단판(131)들의 측면에 각각 구비되어, 복수 개의 차단판(131)들의 위치를 고정하는 동시에, 증착원 노즐(121)을 통해 배출되는 증착 물질이 Y축 방향으로 분산되지 않도록 증착 물질의 Y축 방향의 이동 경로를 가이드 하는 역할을 수행한다. Meanwhile, a blocking plate frame 132 may be further provided outside the plurality of blocking plates 131. The blocking plate frame 132 is provided on each side of the plurality of blocking plates 131 to fix the positions of the plurality of blocking plates 131, and the deposition material discharged through the deposition source nozzle 121 is Y. It serves to guide the movement path in the Y-axis direction of the deposition material so as not to be dispersed in the axial direction.

상기 증착원 노즐부(120)와 차단판 어셈블리(130)는 일정 정도 이격된 것이 바람직하다. 이에 따라, 증착원(110)으로부터 발산되는 열이 차단판 어셈블리(130)에 전도되는 것을 방지할 수 있다. 그러나, 본 발명의 사상은 이에 제한되지 아니한다. 즉, 증착원 노즐부(120)와 차단판 어셈블리(130) 사이에 적절한 단열 수단이 구비될 경우 증착원 노즐부(120)와 차단판 어셈블리(130)가 결합하여 접촉할 수도 있을 것이다. The deposition source nozzle unit 120 and the blocking plate assembly 130 are preferably spaced apart to some extent. Accordingly, heat emitted from the deposition source 110 may be prevented from being conducted to the blocking plate assembly 130. However, the spirit of the present invention is not limited thereto. That is, when an appropriate heat insulating means is provided between the deposition source nozzle unit 120 and the blocking plate assembly 130, the deposition source nozzle unit 120 and the blocking plate assembly 130 may be in contact with each other.

한편, 상기 차단판 어셈블리(130)는 박막 증착 어셈블리(100)로부터 착탈 가능하도록 형성될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 어셈블리(100)에서는 차단판 어셈블리(130)를 이용하여 증착 공간을 외부 공간과 분리하였기 때문에, 기판(500)에 증착되지 않은 증착 물질은 대부분 차단판 어셈블리(130) 내에 증착된다. 따라서, 차단판 어셈블리(130)를 박막 증착 어셈블리(100)로부터 착탈가능하도록 형성하여, 장시간 증착 후 차단판 어셈블리(130)에 증착 물질이 많이 쌓이게 되면, 차단판 어셈블리(130)를 박막 증착 어셈블리(100)로부터 분리하여 별도의 증착 물질 재활용 장치에 넣어서 증착 물질을 회수할 수 있다. 이와 같은 구성을 통하여, 증착 물질 재활용률을 높임으로써 증착 효율이 향상되고 제조 비용이 절감되는 효과를 얻을 수 있다. Meanwhile, the blocking plate assembly 130 may be formed to be detachable from the thin film deposition assembly 100. In the thin film deposition assembly 100 according to the exemplary embodiment of the present invention, since the deposition space is separated from the external space by using the barrier plate assembly 130, the deposition material that is not deposited on the substrate 500 is mostly blocked. 130). Therefore, when the blocking plate assembly 130 is formed to be detachable from the thin film deposition assembly 100, and a large amount of deposition material is accumulated in the blocking plate assembly 130 after a long time of deposition, the blocking plate assembly 130 may be replaced with the thin film deposition assembly ( Deposition from 100) may be put into a separate deposition material recycling apparatus to recover the deposition material. Through such a configuration, it is possible to obtain an effect of improving deposition efficiency and reducing manufacturing cost by increasing deposition material recycling rate.

한편, 증착원(110)과 기판(500) 사이에는 패터닝 슬릿 시트(150) 및 프레임(155)이 더 구비된다. 상기 프레임(155)은 대략 창문 틀과 같은 형태로 형성되며, 그 내측에 패터닝 슬릿 시트(150)가 결합된다. 그리고, 패터닝 슬릿 시트(150)에는 X축 방향을 따라서 복수 개의 패터닝 슬릿(151)들이 형성된다. 각 패터닝 슬릿(151)들은 Y축 방향을 따라 연장되어 있다. 증착원(110) 내에서 기화되어 증착원 노즐(121)을 통과한 증착 물질(115)은 패터닝 슬릿(151)들을 통과하여 피 증착체인 기판(500) 쪽으로 향하게 된다. Meanwhile, a patterning slit sheet 150 and a frame 155 are further provided between the deposition source 110 and the substrate 500. The frame 155 is formed in the shape of a window frame, and the patterning slit sheet 150 is coupled to the inside thereof. The patterning slit sheet 150 is provided with a plurality of patterning slits 151 along the X-axis direction. Each patterning slit 151 extends along the Y-axis direction. The deposition material 115 vaporized in the deposition source 110 and passing through the deposition source nozzle 121 passes through the patterning slits 151 to be directed toward the substrate 500, which is the deposition target.

상기 패터닝 슬릿 시트(150)는 금속 박판으로 형성되고, 인장된 상태에서 프레임(155)에 고정된다. 상기 패터닝 슬릿(151)은 스트라이프 타입(stripe type)으로 패터닝 슬릿 시트(150)에 에칭을 통해 형성된다.The patterning slit sheet 150 is formed of a thin metal plate and is fixed to the frame 155 in a tensioned state. The patterning slit 151 is formed by etching the patterning slit sheet 150 in a stripe type.

여기서, 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 어셈블리(100)는 증착원 노즐(121)들의 총 개수보다 패터닝 슬릿(151)들의 총 개수가 더 많게 형성된다. 또한, 서로 이웃하고 있는 두 개의 차단판(131) 사이에 배치된 증착원 노즐(121)의 개수보다 패터닝 슬릿(151)들의 개수가 더 많게 형성된다. 상기 패터닝 슬릿(151)의 개수는 기판(500)에 형성될 증착 패턴의 개수에 대응되도록 하는 것이 바람직하다.Here, the thin film deposition assembly 100 according to the exemplary embodiment of the present invention is formed such that the total number of patterning slits 151 is greater than the total number of deposition source nozzles 121. In addition, the number of patterning slits 151 is greater than the number of deposition source nozzles 121 disposed between two blocking plates 131 adjacent to each other. The number of the patterning slits 151 may correspond to the number of deposition patterns to be formed on the substrate 500.

한편, 상술한 차단판 어셈블리(130)와 패터닝 슬릿 시트(150)는 서로 일정 정도 이격되도록 형성될 수 있으며, 차단판 어셈블리(130)와 패터닝 슬릿 시트(150)는 별도의 연결 부재(135)에 의하여 서로 연결될 수 있다. 상세히, 고온 상태의 증착원(110)에 의해 차단판 어셈블리(130)의 온도는 최대 100℃ 이상 상승하기 때문에, 상승된 차단판 어셈블리(130)의 온도가 패터닝 슬릿 시트(150)로 전도되지 않도록 차단판 어셈블리(130)와 패터닝 슬릿 시트(150)를 일정 정도 이격시키는 것이다. Meanwhile, the above-described blocking plate assembly 130 and the patterning slit sheet 150 may be formed to be spaced apart from each other to some extent, and the blocking plate assembly 130 and the patterning slit sheet 150 may be formed on a separate connection member 135. Can be connected to each other. In detail, since the temperature of the blocking plate assembly 130 is increased by at least 100 ° C. by the deposition source 110 in a high temperature state, the temperature of the raised blocking plate assembly 130 is not conducted to the patterning slit sheet 150. The blocking plate assembly 130 and the patterning slit sheet 150 are spaced apart to some extent.

상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 어셈블리(100)는 기판(500)에 대하여 상대적으로 이동하면서 증착을 수행하며, 이와 같이 박막 증착 어셈블리(100)가 기판(500)에 대하여 상대적으로 이동하기 위해서 패터닝 슬릿 시트(150)는 기판(500)으로부터 일정 정도 이격되도록 형성된다. 그리고, 패터닝 슬릿 시트(150)와 기판(500)을 이격시킬 경우 발생하는 음영(shadow) 문제를 해결하기 위하여, 증착원 노즐부(120)와 패터닝 슬릿 시트(150) 사이에 차단판(131)들을 구비하여 증착 물질의 직진성을 확보함으로써, 기판에 형성되는 음영(shadow)의 크기를 대폭적으로 감소시킨 것이다. As described above, the thin film deposition assembly 100 according to the embodiment of the present invention performs deposition while moving relative to the substrate 500, and thus the thin film deposition assembly 100 is performed on the substrate 500. In order to move relatively, the patterned slit sheet 150 is formed to be spaced apart from the substrate 500 to some extent. In addition, in order to solve a shadow problem that occurs when the patterning slit sheet 150 and the substrate 500 are spaced apart, the blocking plate 131 between the deposition source nozzle unit 120 and the patterning slit sheet 150. By providing the straightness of the deposition material to provide a significant reduction in the size of the shadow (shadow) formed on the substrate.

종래의 FMM 증착 방법에서는 기판에 음영(shadow)이 생기지 않도록 하기 위하여 기판에 마스크를 밀착시켜서 증착 공정을 진행하였다. 그러나, 이와 같이 기판에 마스크를 밀착시킬 경우, 기판과 마스크 간의 접촉에 의해 기판에 이미 형성되어 있던 패턴들이 긁히는 등 불량 문제가 발생한다는 문제점이 존재하였다. 또한, 마스크를 기판에 대하여 이동시킬 수 없기 때문에, 마스크가 기판과 동일한 크기로 형성되어야 한다. 따라서, 디스플레이 장치가 대형화됨에 따라 마스크의 크기도 커져야 하는데, 이와 같은 대형 마스크를 형성하는 것이 용이하지 아니하다는 문제점이 존재하였다. In the conventional FMM deposition method, the deposition process was performed by bringing a mask into close contact with the substrate in order to prevent shadows on the substrate. However, when the mask is in close contact with the substrate in this manner, there is a problem that a defect problem occurs such that the patterns already formed on the substrate are scratched by the contact between the substrate and the mask. Also, since the mask cannot be moved relative to the substrate, the mask must be formed to the same size as the substrate. Therefore, as the display device is enlarged, the size of the mask must be increased, but there is a problem that it is not easy to form such a large mask.

이와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 어셈블리(100)에서는 패터닝 슬릿 시트(150)가 피 증착체인 기판(500)과 소정 간격을 두고 이격되도록 배치되도록 한다. 이것은 차단판(131)을 구비하여, 기판(500)에 생성되는 음영(shadow)이 작아지게 됨으로써 실현 가능해진다. In order to solve such a problem, in the thin film deposition assembly 100 according to the exemplary embodiment of the present invention, the patterning slit sheet 150 is disposed to be spaced apart from the substrate 500 which is the deposition target by a predetermined distance. This can be realized by providing the blocking plate 131 so that the shadow generated on the substrate 500 is reduced.

이와 같은 본 발명에 의해서 패터닝 슬릿 시트를 기판보다 작게 형성한 후, 이 패터닝 슬릿 시트가 기판에 대하여 상대 이동되도록 함으로써, 종래 FMM 방법과 같이 큰 마스크를 제작해야 할 필요가 없게 된 것이다. 또한, 기판과 패터닝 슬릿 시트 사이가 이격되어 있기 때문에, 상호 접촉에 의한 불량을 방지하는 효과를 얻을 수 있다. 또한, 공정에서 기판과 패터닝 슬릿 시트를 밀착시키는 시간이 불필요해지기 때문에, 제조 속도가 향상되는 효과를 얻을 수 있다.
By forming the patterned slit sheet smaller than the substrate according to the present invention as described above, the patterned slit sheet is moved relative to the substrate, thereby eliminating the need to produce a large mask as in the conventional FMM method. In addition, since the space between the substrate and the patterned slit sheet is spaced apart, the effect of preventing defects due to mutual contact can be obtained. Moreover, since the time which adhere | attaches a board | substrate and a patterning slit sheet | seat at the process becomes unnecessary, the effect which manufacture speed improves can be acquired.

여기서, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착 어셈블리(100)는 증착원(110)의 일 측에 바라트론 게이지(baratron gauge)(170)가 더 구비되는 것을 일 특징으로 한다. Here, the thin film deposition assembly 100 according to an embodiment of the present invention is characterized in that a baratron gauge 170 is further provided on one side of the deposition source 110.

상세히, 종래의 박막 증착 장치에서는 증착 물질의 증발률을 측정하기 위하여 크리스털 센서(Crystal sensor)가 사용되는 것이 일반적이었다. 그리고, 이렇게 측정된 증발률을 제어하여 기판상에 증착되는 박막의 두께를 제어하였다. 그런데, 이와 같이 크리스털 센서(Crystal sensor)를 사용하여 증착 물질의 증발률을 측정할 경우, 크리스털 센서(Crystal sensor)에 증착 물질이 쌓임에 따라 크리스털 센서(Crystal sensor)의 감도가 변화되어, 실제 성막율과 센서에서 측정되는 성막율간에 차이가 발생한다는 문제점이 존재하였다. In detail, in the conventional thin film deposition apparatus, a crystal sensor is generally used to measure the evaporation rate of the deposition material. Then, by controlling the evaporation rate measured in this way it was controlled the thickness of the thin film deposited on the substrate. However, when measuring the evaporation rate of the deposition material using a crystal sensor as described above, as the deposition material accumulates on the crystal sensor, the sensitivity of the crystal sensor changes, thereby actually forming a film. There was a problem that there was a difference between the rate and the film formation rate measured in the sensor.

이를 해결하기 위하여 증착원 내부의 압력을 측정하여 증착 물질의 증발률을 측정하는 방법이 개발되었다. 이때, 가열된 필라멘트와 압력측정기 몸체 사이의 압력에 따른 열전도를 측정하는 피라니 게이지(pirani gage)가 사용되었다. 그러나 이와 같이 피라니 게이지(pirani gage)를 사용할 경우, 필라멘트와 압력측정기 몸체에 유기물 증기가 응축되는 것을 방지하기 위하여, 증착원 내부의 온도를 증착 물질의 응축 온도보다 높게 유지하여야 하나, 증착 물질을 이루는 유기물의 경우 재료의 특성이 취약하여 가열된 필라멘트에 의해 유기물이 변성될 수 있다는 문제점이 존재하였다. 한편, 이와 같은 변성을 방지하기 위하여 필라멘트의 온도를 낮추는 경우, 압력측정기 몸체와 필라멘트 간의 온도 차이가 감소하여 열전도가 감소하게 되고, 이는 센서의 감도 저하를 야기한다는 문제점이 존재하였다. In order to solve this problem, a method of measuring the evaporation rate of a deposition material by measuring the pressure inside the deposition source has been developed. In this case, a piranha gauge (pirani gage) for measuring the thermal conductivity according to the pressure between the heated filament and the pressure gauge body was used. However, when using a pirani gage in this way, in order to prevent condensation of organic vapor on the filament and the pressure gauge body, the temperature inside the deposition source should be kept higher than the condensation temperature of the deposition material. In the case of the organic material, there is a problem that the organic material may be denatured by the heated filament due to the weak properties of the material. On the other hand, when the temperature of the filament is lowered in order to prevent such denaturation, the temperature difference between the pressure gauge body and the filament is reduced to reduce the thermal conductivity, which causes a problem that the sensitivity of the sensor.

이와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착 어셈블리(100)는 압력 측정 부재로써 바라트론 게이지(baratron gage)를 구비함으로써, 증착원 내부 압력을 유기물인 증착 물질의 변성 없이 측정 가능하도록 한 것을 일 특징으로 한다. 여기서, 바라트론 게이지(170)는 메탈 다이아 프램과 인접한 두 개의 고정된 전극 사이에서의 캐패시턴스 변화를 측정하여 압력을 측정하는 압력 측정 부재를 의미한다. 다이아 프램의 기준면(backside)은 측정할 수 있는 하한값보다 훨씬 고진공으로 설정되어 있으며, 또한 다이아 프램은 반복성이 우수하고 응답성이 빠르며 분해능(1x10-5 of Full Scale)이 매우 뛰어나 아주 낮은 압력값도 측정이 가능하다는 장점을 가진다. In order to solve such a problem, the thin film deposition assembly 100 according to an embodiment of the present invention includes a baratron gage as a pressure measuring member, so that the internal pressure of the deposition source is reduced without deterioration of the deposition material as an organic material. It is one feature that the measurement is possible. Here, the baratron gauge 170 refers to a pressure measuring member that measures pressure by measuring a change in capacitance between a metal diaphragm and two adjacent fixed electrodes. The backside of the diaphragm is set to a much higher vacuum than the measurable lower limit, and the diaphragm is highly repeatable, responsive, and has a very high resolution (1x10-5 of Full Scale), resulting in very low pressure values. It has the advantage of being able to measure.

도 6을 참조하면, 바라트론 게이지(170)는 하우징(171), 제1 진공 튜브(172), 다이아 프램(173), 전극 어셈블리(174), 전압 공급선(175)을 포함한다. Referring to FIG. 6, the baratrone gauge 170 includes a housing 171, a first vacuum tube 172, a diaphragm 173, an electrode assembly 174, and a voltage supply line 175.

상세히, 제1 진공 튜브(172)는 증착원(110)으로부터 분기되어 형성되며, 상기 제1 진공 튜브(172)의 일 단부는 바라트론 게이지(170)의 외형을 이루는 하우징(171)에 연결된다. In detail, the first vacuum tube 172 is branched from the deposition source 110, and one end of the first vacuum tube 172 is connected to the housing 171 forming the outline of the baratron gauge 170. .

상기 하우징(171) 내에는 상기 증착원(110) 내부의 압력에 따라 상기 하우징(171) 내부에서 유동적으로 변화하는 다이아 프램(173)과, 상기 다이아 프램(173)으로부터의 거리에 따른 전기 용량을 유도하는 전극 어셈블리(174)와, 상기 전극 어셈블리(174)에 전원을 공급하는 전압 공급선(175)을 포함한다. 여기서, 상기 다이아 프램(173)은 상기 증착원(110)에 연결된 제1 진공 튜브(172)로 배출 또는 유입되는 공기의 압력에 따라 좌우로 팽창할 수 있다.In the housing 171, a diaphragm 173 that varies fluidly in the housing 171 according to the pressure inside the deposition source 110, and an electric capacity according to a distance from the diaphragm 173. Inducing electrode assembly 174 and a voltage supply line 175 for supplying power to the electrode assembly 174. Here, the diaphragm 173 may expand left and right according to the pressure of air discharged or introduced into the first vacuum tube 172 connected to the deposition source 110.

또한, 도면에는 도시되지 않았지만, 하우징(171)의 일 측에는 상기 다이아 프램(173)의 기준 진공을 만드는 기준압 진공 튜브(미도시)가 더 구비될 수 있다. 여기서, 기준압 진공 튜브(미도시)는 다이아 프램(173)과 하우징(171)에 의해 밀폐되어 일정한 진공압을 갖도록 설정된다. In addition, although not shown in the drawings, one side of the housing 171 may be further provided with a reference pressure vacuum tube (not shown) for creating a reference vacuum of the diaphragm 173. Here, the reference pressure vacuum tube (not shown) is sealed by the diaphragm 173 and the housing 171 and is set to have a constant vacuum pressure.

따라서, 바라트론 게이지(170)는 다이아 프램(173)과 전극 어셈블리(174) 사이에 유도되는 상기 전기 용량을 측정하여 압력 감지 신호를 제어부(미도시)에 출력한다.Accordingly, the baratrone gauge 170 measures the capacitance induced between the diaphragm 173 and the electrode assembly 174 and outputs a pressure sensing signal to a controller (not shown).

이와 같이, 바라트론 게이지(170)를 증착원(110)과 일체형으로 연결하고, 바라트론 게이지(170) 내부의 온도와 증발원(110) 내부의 온도를 동일하게 유지함으로써, 증발원(110) 내부의 절대 압력을 측정할 수 있다. 즉, 증발되는 증착 물질(115)의 양은 증발원(110) 내부의 압력과 챔버(미도시) 압력 간의 차이에 의해서 발생하는데, 일반적인 박막 증착 공정에서 챔버의 압력은 10-6 Torr에 가까운 고진공이고, 증착원(110) 내부의 압력은 10-2 Torr 정도이므로, 증발되는 증착 물질(115)의 양은 증발원(110) 내부의 압력에만 비례한다고 가정하여도 오차가 크지 않으므로, 증발원(110) 내부의 압력을 측정함으로써 증발되는 증착 물질(115)의 양을 알 수 있게 된다. As such, the baratron gauge 170 is integrally connected with the deposition source 110, and the temperature inside the baratrone gauge 170 and the temperature inside the evaporation source 110 are maintained to be the same, thereby maintaining the inside of the evaporation source 110. Absolute pressure can be measured. That is, the amount of evaporation material 115 to be evaporated is caused by the difference between the pressure inside the evaporation source 110 and the pressure of the chamber (not shown). In the general thin film deposition process, the chamber pressure is high vacuum close to 10 −6 Torr, Since the pressure inside the evaporation source 110 is about 10 −2 Torr, the amount of the evaporation material 115 to be evaporated is not large even if it is assumed that the amount of the evaporation material 115 is proportional to the pressure inside the evaporation source 110. By measuring the amount of vapor deposition material 115 evaporated can be known.

이와 같은 본 발명의 의해서 증착 물질의 손상 없이 증착원 내부의 절대 압력 측정이 가능해지므로, 센서의 오염으로 인한 측정 오차의 발생 없이 정확하게 증착율을 모니터링 및 제어하는 것이 가능해졌다. 또한, 종래 크리스털 센서(crystal sensor) 사용시, 측정 오차를 보정하기 위해 주기적으로 더미(dummy) 기판에 박막을 형성하여 센서의 오차를 보정하는 과정에서 발생하는 생산 손실을 제거하는 효과를 얻을 수 있다.
Since the present invention enables the absolute pressure measurement inside the deposition source without damaging the deposition material, it is possible to accurately monitor and control the deposition rate without generating a measurement error due to contamination of the sensor. In addition, when using a conventional crystal sensor, a thin film is formed on a dummy substrate periodically to correct a measurement error, thereby obtaining an effect of eliminating production loss generated in the process of correcting an error of the sensor.

도 7은 본 발명의 다른 일 실시예에 관한 박막 증착 어셈블리를 개략적으로 도시한 사시도이다. 본 발명의 다른 일 실시예에 관한 박막 증착 어셈블리(100')에서는 전술한 실시예에 비하여 바라트론 게이지(170')의 구성이 특징적으로 달라지므로, 이하에서는 이에 대하여 상세히 설명한다. 7 is a perspective view schematically showing a thin film deposition assembly according to another embodiment of the present invention. In the thin film deposition assembly 100 ′ according to another embodiment of the present invention, since the configuration of the baratrone gauge 170 ′ is characteristically different from that of the above-described embodiment, it will be described in detail below.

도 7을 참조하면, 바라트론 게이지(170')는 하우징(171), 제1 진공 튜브(172), 다이아 프램(173), 전극 어셈블리(174), 전압 공급선(175) 및 제2 진공 튜브(176)을 포함한다. Referring to FIG. 7, the baratrone gauge 170 ′ includes a housing 171, a first vacuum tube 172, a diaphragm 173, an electrode assembly 174, a voltage supply line 175, and a second vacuum tube ( 176).

상세히, 제1 진공 튜브(172)는 증착원(110)으로부터 분기되어 형성되며, 상기 제1 진공 튜브(172)의 일 단부는 바라트론 게이지(170')의 외형을 이루는 하우징(171)에 연결된다. In detail, the first vacuum tube 172 is branched from the deposition source 110, and one end of the first vacuum tube 172 is connected to the housing 171 forming the outline of the baratron gauge 170 ′. do.

상기 하우징(171) 내에는 상기 증착원(110) 내부의 압력에 따라 상기 하우징(171) 내부에서 유동적으로 변화하는 다이아 프램(173)과, 상기 다이아 프램(173)으로부터의 거리에 따른 전기 용량을 유도하는 전극 어셈블리(174)와, 상기 전극 어셈블리(174)에 전원을 공급하는 전압 공급선(175)을 포함한다. 여기서, 상기 다이아 프램(173)은 상기 증착원(110)에 연결된 제1 진공 튜브(172)로 배출 또는 유입되는 공기의 압력에 따라 좌우로 팽창할 수 있다.In the housing 171, a diaphragm 173 that varies fluidly in the housing 171 according to the pressure inside the deposition source 110, and an electric capacity according to a distance from the diaphragm 173. Inducing electrode assembly 174 and a voltage supply line 175 for supplying power to the electrode assembly 174. Here, the diaphragm 173 may expand left and right according to the pressure of air discharged or introduced into the first vacuum tube 172 connected to the deposition source 110.

여기서, 본 발명의 다른 일 실시예에 관한 박막 증착 어셈블리(100')의 바라트론 게이지(170') 제2 진공 튜브(176)가 더 형성되는 것을 일 특징으로 한다. 상세히, 챔버(미도시)의 진공도는 일정하게 유지하는 것이 일반적이나, 공정상의 문제로 압력을 일정하게 유지할 수 없는 경우가 발생할 수 있다. 이 경우, 증발원(110) 내부의 압력과 챔버(미도시) 압력 차이를 측정하여 제어함으로써 증발율을 일정하게 유지할 수 있다. 즉, 하우징(171)의 일 측, 상세하게는 다이어 프램(173)에 의해서 이분되고 있는 하우징(171)에서, 제1 진공 튜브(172)가 형성된 부분의 반대편에 제2 진공 튜브(176)가 더 형성됨으로써, 증발원(110) 내부의 압력과 챔버(미도시) 압력 차이를 측정할 수 있는 것이다. Here, the baratron gauge 170 'of the thin film deposition assembly 100' according to another embodiment of the present invention is characterized in that the second vacuum tube 176 is further formed. In detail, it is common to maintain a constant degree of vacuum in a chamber (not shown), but there may occur a case where the pressure cannot be kept constant due to process problems. In this case, the evaporation rate can be kept constant by measuring and controlling the difference between the pressure inside the evaporation source 110 and the pressure of the chamber (not shown). That is, in one side of the housing 171, in detail, the housing 171 divided into two parts by the diaphragm 173, the second vacuum tube 176 is opposite to the portion where the first vacuum tube 172 is formed. By further forming, it is possible to measure the pressure difference between the pressure inside the evaporation source 110 and the chamber (not shown).

이와 같이 증발원(110) 내부의 압력과 챔버(미도시) 압력 간의 차이를 측정함으로써 증발되는 증착 물질(115)의 양을 알 수 있게 된다. As such, by measuring the difference between the pressure inside the evaporation source 110 and the pressure of the chamber (not shown), the amount of the evaporation material 115 evaporated can be known.

이와 같은 본 발명의 의해서 증착 물질의 손상 없이 증착원 내부의 절대 압력 측정이 가능해지므로, 센서의 오염으로 인한 측정 오차의 발생 없이 정확하게 증착율을 모니터링 및 제어하는 것이 가능해지는 효과를 얻을 수 있다.
Since the absolute pressure measurement in the deposition source can be performed without damaging the deposition material, the present invention can achieve the effect of accurately monitoring and controlling the deposition rate without generating a measurement error due to contamination of the sensor.

도 8은 본 발명의 바람직한 다른 일 실시예에 관한 박막 증착 어셈블리를 개략적으로 도시한 사시도이다. 8 is a schematic perspective view of a thin film deposition assembly according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 8에 도시된 실시예에 관한 박막 증착 어셈블리(100'')는 증착원(110), 증착원 노즐부(120), 제1 차단판 어셈블리(130), 제2 차단판 어셈블리(140), 패터닝 슬릿 시트(150)를 포함한다. The thin film deposition assembly 100 ″ according to the embodiment illustrated in FIG. 8 includes a deposition source 110, a deposition source nozzle unit 120, a first blocking plate assembly 130, a second blocking plate assembly 140, Patterning slit sheet 150.

여기서, 도 8에는 설명의 편의를 위해 챔버를 도시하지 않았지만, 도 8의 모든 구성은 적절한 진공도가 유지되는 챔버 내에 배치되는 것이 바람직하다. 이는 증착 물질의 직진성을 확보하기 위함이다. Here, although the chamber is not shown in FIG. 8 for convenience of description, all the components of FIG. 8 are preferably disposed in a chamber in which an appropriate degree of vacuum is maintained. This is to ensure the straightness of the deposition material.

이러한 챔버(미도시) 내에는 피 증착체인 기판(500)이 배치된다. 그리고, 챔버(미도시) 내에서 기판(500)과 대향하는 측에는, 증착 물질(115)이 수납 및 가열되는 증착원(110)이 배치된다. In such a chamber (not shown), a substrate 500 which is a deposition target is disposed. The deposition source 110 in which the deposition material 115 is received and heated is disposed on the side of the chamber facing the substrate 500.

증착원(110) 및 패터닝 슬릿 시트(150)의 상세한 구성은 전술한 도 4에 따른 실시예와 동일하므로 상세한 설명을 생략한다. 그리고 상기 제1차단판 어셈블리(130)는 도 4에 따른 실시예의 차단판 어셈블리와 동일하므로 역시 상세한 설명은 생략한다.Detailed configurations of the deposition source 110 and the patterning slit sheet 150 are the same as those of the embodiment of FIG. 4 described above, and thus a detailed description thereof will be omitted. In addition, since the first blocking plate assembly 130 is the same as the blocking plate assembly of the embodiment of FIG. 4, detailed description thereof will be omitted.

본 실시예에서는 제1 차단판 어셈블리(130)의 일 측에 제2 차단판 어셈블리(140)가 구비된다. 상기 제2 차단판 어셈블리(140)는 복수 개의 제2 차단판(141)들과, 제2 차단판(141)들 외측에 구비되는 제2 차단판 프레임(142)을 포함한다. In the present embodiment, the second blocking plate assembly 140 is provided on one side of the first blocking plate assembly 130. The second blocking plate assembly 140 includes a plurality of second blocking plates 141 and a second blocking plate frame 142 provided outside the second blocking plates 141.

상기 복수 개의 제2 차단판(141)들은 X축 방향을 따라서 서로 나란하게 구비될 수 있다. 그리고, 상기 복수 개의 제2 차단판(141)들은 등 간격으로 형성될 수 있다. 또한, 각각의 제2 차단판(141)은 도면에서 보았을 때 YZ평면과 나란하도록, 다시 말하면 X축 방향에 수직이 되도록 형성된다. The plurality of second blocking plates 141 may be provided to be parallel to each other along the X-axis direction. The plurality of second blocking plates 141 may be formed at equal intervals. In addition, each second blocking plate 141 is formed to be parallel to the YZ plane when viewed in the drawing, that is, to be perpendicular to the X-axis direction.

이와 같이 배치된 복수 개의 제1 차단판(131) 및 제2 차단판(141)들은 증착원 노즐부(120)과 패터닝 슬릿 시트(150) 사이의 공간을 구획하는 역할을 수행한다. 즉, 상기 제1 차단판(131) 및 제2 차단판(141)에 의하여, 증착 물질이 분사되는 각각의 증착원 노즐(121) 별로 증착 공간이 분리되는 것을 일 특징으로 한다. The plurality of first blocking plates 131 and the second blocking plates 141 disposed as described above serve to partition a space between the deposition source nozzle unit 120 and the patterning slit sheet 150. That is, by the first blocking plate 131 and the second blocking plate 141, the deposition space is separated for each deposition source nozzle 121 to which the deposition material is sprayed.

여기서, 각각의 제2 차단판(141)들은 각각의 제1 차단판(131)들과 일대일 대응하도록 배치될 수 있다. 다시 말하면, 각각의 제2 차단판(141)들은 각각의 제1 차단판(131)들과 얼라인(align) 되어 서로 나란하게 배치될 수 있다. 즉, 서로 대응하는 제1 차단판(131)과 제2 차단판(141)은 서로 동일한 평면상에 위치하게 되는 것이다. 도면에는, 제1 차단판(131)의 길이와 제2 차단판(141)의 X축 방향의 폭이 동일한 것으로 도시되어 있지만, 본 발명의 사상은 이에 제한되지 아니한다. 즉, 패터닝 슬릿(151)과의 정밀한 얼라인(align)이 요구되는 제2 차단판(141)은 상대적으로 얇게 형성되는 반면, 정밀한 얼라인이 요구되지 않는 제1 차단판(131)은 상대적으로 두껍게 형성되어, 그 제조가 용이하도록 하는 것도 가능하다 할 것이다. Here, each of the second blocking plates 141 may be disposed to correspond one-to-one with each of the first blocking plates 131. In other words, each of the second blocking plates 141 may be aligned with each of the first blocking plates 131 and disposed in parallel with each other. That is, the first blocking plate 131 and the second blocking plate 141 corresponding to each other are positioned on the same plane. In the drawing, although the length of the first blocking plate 131 and the width of the second blocking plate 141 in the X-axis direction are shown to be the same, the spirit of the present invention is not limited thereto. That is, while the second blocking plate 141 which requires precise alignment with the patterning slit 151 is formed relatively thin, the first blocking plate 131 which does not require precise alignment is relatively formed. It will also be possible to form thick, to facilitate its manufacture.

이상 설명한 바와 같은 박막 증착 어셈블리(100'')는 도 1에서 볼 수 있듯이 챔버(731) 내에 복수 개가 연속하여 배치될 수 있다. 이 경우, 각 박막 증착 어셈블리(100)(200)(300)(400)는 서로 다른 증착 물질을 증착하도록 할 수 있으며, 이 때, 각 박막 증착 어셈블리(100)(200)(300)(400)의 패터닝 슬릿의 패턴이 서로 다른 패턴이 되도록 하여, 예컨대 적, 녹, 청색의 화소를 일괄 증착하는 등의 성막 공정을 진행할 수 있다.
As described above, a plurality of thin film deposition assemblies 100 ″ may be disposed in the chamber 731 in succession. In this case, each of the thin film deposition assemblies 100, 200, 300, 400 may deposit different deposition materials. In this case, each thin film deposition assembly 100, 200, 300, 400 may be deposited. By forming the patterning slits in different patterns, for example, a film forming process such as collectively depositing red, green, and blue pixels can be performed.

도 9는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 박막 증착 어셈블리를 개략적으로 도시한 사시도이다. 9 is a perspective view schematically showing a thin film deposition assembly according to another embodiment of the present invention.

도 9를 참조하면, 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 박막 증착 어셈블리(900)는 증착원(910), 증착원 노즐부(920) 및 패터닝 슬릿 시트(950)를 포함한다. 9, the thin film deposition assembly 900 according to another embodiment of the present invention includes a deposition source 910, a deposition source nozzle unit 920, and a patterning slit sheet 950.

여기서, 도 9에는 설명의 편의를 위해 챔버를 도시하지 않았지만, 도 9의 모든 구성은 적절한 진공도가 유지되는 챔버 내에 배치되는 것이 바람직하다. 이는 증착 물질의 직진성을 확보하기 위함이다. Here, although the chamber is not shown in FIG. 9 for convenience of description, all the components of FIG. 9 are preferably disposed in a chamber in which an appropriate degree of vacuum is maintained. This is to ensure the straightness of the deposition material.

그리고, 챔버(미도시) 내에는 피 증착체인 기판(500)이 정전척(600)에 의해 이송된다. 상기 기판(500)은 평판 표시 장치용 기판이 될 수 있는데, 다수의 평판 표시 장치를 형성할 수 있는 마더 글라스(mother glass)와 같은 대면적 기판이 적용될 수 있다.In the chamber (not shown), the substrate 500, which is a deposition target, is transferred by the electrostatic chuck 600. The substrate 500 may be a substrate for a flat panel display device, and a large area substrate such as a mother glass capable of forming a plurality of flat panel display devices may be applied.

여기서, 본 발명의 일 실시예에서는, 기판(500)이 박막 증착 어셈블리(900)에 대하여 상대적으로 이동하면서 증착이 진행되는 것을 일 특징으로 한다. 상세히, 박막 증착 어셈블리(900)와 마주보도록 배치된 기판(500)이 Y축 방향을 따라 이동하면서 연속적으로 증착을 수행하게 된다. 즉, 기판(500)이 도 8의 화살표 A 방향으로 이동하면서 스캐닝(scanning) 방식으로 증착이 수행되는 것이다. 여기서, 도면에는 기판(500)이 챔버(미도시) 내에서 Y축 방향으로 이동하면서 증착이 이루어지는 것으로 도시되어 있으나, 본 발명의 사상은 이에 제한되지 아니하며, 기판(500)은 고정되어 있고 박막 증착 어셈블리(900) 자체가 Y축 방향으로 이동하면서 증착을 수행하는 것도 가능하다 할 것이다. Here, in one embodiment of the present invention, the substrate 500 is characterized in that the deposition proceeds while moving relative to the thin film deposition assembly 900. In detail, the substrate 500 disposed to face the thin film deposition assembly 900 moves continuously along the Y-axis direction to continuously perform deposition. That is, deposition is performed by scanning while the substrate 500 moves in the direction of arrow A in FIG. 8. Here, although the substrate 500 is shown to be deposited while moving in the Y-axis direction in the chamber (not shown), the spirit of the present invention is not limited thereto, the substrate 500 is fixed and thin film deposition It will also be possible to perform deposition while the assembly 900 itself moves in the Y-axis direction.

따라서, 본 발명의 박막 증착 어셈블리(900)에서는 종래의 FMM에 비하여 훨씬 작게 패터닝 슬릿 시트(950)를 만들 수 있다. 즉, 본 발명의 박막 증착 어셈블리(900)의 경우, 기판(500)이 Y축 방향을 따라 이동하면서 연속적으로, 즉 스캐닝(scanning) 방식으로 증착을 수행하기 때문에, 패터닝 슬릿 시트(950)의 X축 방향 및 Y축 방향의 길이는 기판(500)의 길이보다 훨씬 작게 형성될 수 있는 것이다. 이와 같이, 종래의 FMM에 비하여 훨씬 작게 패터닝 슬릿 시트(950)를 만들 수 있기 때문에, 본 발명의 패터닝 슬릿 시트(950)는 그 제조가 용이하다. 즉, 패터닝 슬릿 시트(950)의 에칭 작업이나, 그 이후의 정밀 인장 및 용접 작업, 이동 및 세정 작업 등 모든 공정에서, 작은 크기의 패터닝 슬릿 시트(950)가 FMM 증착 방법에 비해 유리하다. 또한, 이는 디스플레이 장치가 대형화될수록 더욱 유리하게 된다. Accordingly, the thin film deposition assembly 900 of the present invention can make the patterning slit sheet 950 much smaller than the conventional FMM. That is, in the case of the thin film deposition assembly 900 of the present invention, since the substrate 500 moves in the Y-axis direction and performs deposition continuously, that is, by scanning, the X of the patterning slit sheet 950 The length in the axial direction and the Y-axis direction may be formed to be much smaller than the length of the substrate 500. Thus, since the patterning slit sheet 950 can be made much smaller than the conventional FMM, the patterning slit sheet 950 of the present invention is easy to manufacture. That is, in all processes, such as etching of the patterning slit sheet 950, subsequent fine tensioning and welding operations, moving and cleaning operations, the small sized patterning slit sheet 950 is advantageous over the FMM deposition method. In addition, this becomes more advantageous as the display device becomes larger.

이와 같이, 박막 증착 어셈블리(900)와 기판(500)이 서로 상대적으로 이동하면서 증착이 이루어지기 위해서는, 박막 증착 어셈블리(900)와 기판(500)이 일정 정도 이격되는 것이 바람직하다. 이에 대하여는 뒤에서 상세히 기술하기로 한다. As such, in order for deposition to occur while the thin film deposition assembly 900 and the substrate 500 move relative to each other, it is preferable that the thin film deposition assembly 900 and the substrate 500 are spaced to some extent. This will be described later in detail.

한편, 챔버 내에서 상기 기판(500)과 대향하는 측에는, 증착 물질(915)이 수납 및 가열되는 증착원(910)이 배치된다. 상기 증착원(910) 내에 수납되어 있는 증착 물질(915)이 기화됨에 따라 기판(500)에 증착이 이루어진다. Meanwhile, a deposition source 910 in which the deposition material 915 is received and heated is disposed on the side of the chamber that faces the substrate 500. As the deposition material 915 stored in the deposition source 910 is vaporized, deposition is performed on the substrate 500.

상세히, 증착원(910)은 그 내부에 증착 물질(915)이 채워지는 도가니(911)와, 도가니(911)를 가열시켜 도가니(911) 내부에 채워진 증착 물질(915)을 도가니(911)의 일 측, 상세하게는 증착원 노즐부(920) 측으로 증발시키기 위한 히터(912)를 포함한다. In detail, the deposition source 910 includes a crucible 911 filled with the deposition material 915 therein and a deposition material 915 filled with the inside of the crucible 911 by heating the crucible 911. One side, in detail, comprises a heater 912 for evaporating to the deposition source nozzle unit 920 side.

증착원(910)의 일 측, 상세하게는 증착원(910)에서 기판(500)을 향하는 측에는 증착원 노즐부(920)가 배치된다. 그리고, 증착원 노즐부(920)에는, Y축 방향 즉 기판(500)의 스캔 방향을 따라서 복수 개의 증착원 노즐(921)들이 형성된다. 여기서, 상기 복수 개의 증착원 노즐(921)들은 등 간격으로 형성될 수 있다. 증착원(910) 내에서 기화된 증착 물질(915)은 이와 같은 증착원 노즐부(920)를 통과하여 피 증착체인 기판(500) 쪽으로 향하게 되는 것이다. 이와 같이, 증착원 노즐부(920) 상에 Y축 방향 즉 기판(500)의 스캔 방향을 따라서 복수 개의 증착원 노즐(921)들이 형성할 경우, 패터닝 슬릿 시트(950)의 각각의 패터닝 슬릿(951)들을 통과하는 증착 물질에 의해 형성되는 패턴의 크기는 증착원 노즐(921) 하나의 크기에만 영향을 받으므로(즉, X축 방향으로는 증착원 노즐(921)이 하나만 존재하는 것에 다름 아니므로), 음영(shadow)이 발생하지 않게 된다. 또한, 다수 개의 증착원 노즐(921)들이 스캔 방향으로 존재하므로, 개별 증착원 노즐 간 플럭스(flux) 차이가 발생하여도 그 차이가 상쇄되어 증착 균일도가 일정하게 유지되는 효과를 얻을 수 있다. The deposition source nozzle unit 920 is disposed on one side of the deposition source 910, in detail, the side of the deposition source 910 facing the substrate 500. In addition, a plurality of deposition source nozzles 921 are formed in the deposition source nozzle unit 920 along the Y-axis direction, that is, the scanning direction of the substrate 500. Here, the plurality of deposition source nozzles 921 may be formed at equal intervals. The deposition material 915 vaporized in the deposition source 910 passes through the deposition source nozzle unit 920 such that the deposition material 915 is directed toward the substrate 500 which is the deposition target. As described above, when the plurality of deposition source nozzles 921 are formed on the deposition source nozzle unit 920 along the Y-axis direction, that is, the scanning direction of the substrate 500, each patterning slit of the patterning slit sheet 950 ( The size of the pattern formed by the deposition material passing through the portions 951 is only affected by the size of one deposition source nozzle 921 (ie, there is only one deposition source nozzle 921 in the X-axis direction). Shadows will not occur. In addition, since a plurality of deposition source nozzles 921 exist in the scanning direction, even if a flux difference between individual deposition source nozzles occurs, the difference is canceled to obtain an effect of maintaining a uniform deposition uniformity.

한편, 증착원(910)과 기판(500) 사이에는 패터닝 슬릿 시트(950) 및 프레임(955)이 더 구비된다. 프레임(955)은 대략 창문 틀과 같은 형태로 형성되며, 그 내측에 패터닝 슬릿 시트(950)가 결합된다. 그리고, 패터닝 슬릿 시트(950)에는 X축 방향을 따라서 복수 개의 패터닝 슬릿(951)들이 형성된다. 증착원(910) 내에서 기화된 증착 물질(915)은 증착원 노즐부(920) 및 패터닝 슬릿 시트(950)를 통과하여 피 증착체인 기판(500) 쪽으로 향하게 되는 것이다. 이때, 상기 패터닝 슬릿 시트(950)는 종래의 파인 메탈 마스크(FMM) 특히 스트라이프 타입(stripe type)의 마스크의 제조 방법과 동일한 방법인 에칭을 통해 제작될 수 있다. 이때, 증착원 노즐(921)들의 총 개수보다 패터닝 슬릿(951)들의 총 개수가 더 많게 형성될 수 있다. Meanwhile, a patterning slit sheet 950 and a frame 955 are further provided between the deposition source 910 and the substrate 500. The frame 955 is formed in a substantially window-like shape, and the patterning slit sheet 950 is coupled to the inside thereof. In addition, a plurality of patterning slits 951 are formed in the patterning slit sheet 950 along the X-axis direction. The deposition material 915 vaporized in the deposition source 910 passes through the deposition source nozzle unit 920 and the patterning slit sheet 950 and is directed toward the substrate 500 to be deposited. In this case, the patterning slit sheet 950 may be manufactured by etching, which is the same method as a method of manufacturing a conventional fine metal mask (FMM), in particular, a stripe type mask. In this case, the total number of patterning slits 951 may be greater than the total number of deposition source nozzles 921.

한편, 상술한 증착원(910) 및 이와 결합된 증착원 노즐부(920)과 패터닝 슬릿 시트(950)는 서로 일정 정도 이격되도록 형성될 수 있으며, 증착원(910) 및 이와 결합된 증착원 노즐부(920)와 패터닝 슬릿 시트(950)는 연결 부재(935)에 의하여 서로 연결될 수 있다. 즉, 증착원(910), 증착원 노즐부(920) 및 패터닝 슬릿 시트(950)가 연결 부재(935)에 의해 연결되어 서로 일체로 형성될 수 있는 것이다. 여기서 연결 부재(935)들은 증착원 노즐(921)을 통해 배출되는 증착 물질이 분산되지 않도록 증착 물질의 이동 경로를 가이드 할 수 있다. 도면에는 연결 부재(935)가 증착원(910), 증착원 노즐부(920) 및 패터닝 슬릿 시트(950)의 좌우 방향으로만 형성되어 증착 물질의 X축 방향만을 가이드 하는 것으로 도시되어 있으나, 이는 도시의 편의를 위한 것으로, 본 발명의 사상은 이에 제한되지 아니하며, 연결 부재(935)가 박스 형태의 밀폐형으로 형성되어 증착 물질의 X축 방향 및 Y축 방향 이동을 동시에 가이드 할 수도 있다. Meanwhile, the above-described deposition source 910, the deposition source nozzle unit 920 and the patterning slit sheet 950 coupled thereto may be formed to be spaced apart from each other to some extent, and the deposition source 910 and the deposition source nozzles coupled thereto. The portion 920 and the patterning slit sheet 950 may be connected to each other by the connecting member 935. That is, the deposition source 910, the deposition source nozzle unit 920, and the patterning slit sheet 950 may be connected by the connection member 935 to be integrally formed with each other. The connection members 935 may guide the movement path of the deposition material so that the deposition material discharged through the deposition source nozzle 921 is not dispersed. In the drawing, the connecting member 935 is formed only in the left and right directions of the deposition source 910, the deposition source nozzle unit 920, and the patterning slit sheet 950 to guide only the X-axis direction of the deposition material. For convenience of illustration, the spirit of the present invention is not limited thereto, and the connection member 935 may be formed in a sealed shape in a box shape to simultaneously guide the X-axis direction and the Y-axis movement of the deposition material.

상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 어셈블리(900)는 기판(500)에 대하여 상대적으로 이동하면서 증착을 수행하며, 이와 같이 박막 증착 어셈블리(900)가 기판(500)에 대하여 상대적으로 이동하기 위해서 패터닝 슬릿 시트(950)는 기판(500)으로부터 일정 정도 이격되도록 형성된다. As described above, the thin film deposition assembly 900 according to the embodiment of the present invention performs deposition while moving relative to the substrate 500, and thus the thin film deposition assembly 900 is performed on the substrate 500. The patterned slit sheet 950 is formed to be spaced apart from the substrate 500 to move relatively.

상세히, 종래의 FMM 증착 방법에서는 기판에 음영(shadow)이 생기지 않도록 하기 위하여 기판에 마스크를 밀착시켜서 증착 공정을 진행하였다. 그러나, 이와 같이 기판에 마스크를 밀착시킬 경우, 기판과 마스크 간의 접촉에 의한 불량 문제가 발생한다는 문제점이 존재하였다. 또한, 마스크를 기판에 대하여 이동시킬 수 없기 때문에, 마스크가 기판과 동일한 크기로 형성되어야 한다. 따라서, 디스플레이 장치가 대형화됨에 따라 마스크의 크기도 커져야 하는데, 이와 같은 대형 마스크를 형성하는 것이 용이하지 아니하다는 문제점이 존재하였다. In detail, in the conventional FMM deposition method, a deposition process was performed by closely attaching a mask to a substrate in order to prevent shadows on the substrate. However, when the mask is in close contact with the substrate as described above, there has been a problem that a defect problem occurs due to contact between the substrate and the mask. Also, since the mask cannot be moved relative to the substrate, the mask must be formed to the same size as the substrate. Therefore, as the display device is enlarged, the size of the mask must be increased, but there is a problem that it is not easy to form such a large mask.

이와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 어셈블리(900)에서는 패터닝 슬릿 시트(950)가 피 증착체인 기판(500)과 소정 간격을 두고 이격되도록 배치되도록 한다. In order to solve such a problem, in the thin film deposition assembly 900 according to the embodiment of the present invention, the patterning slit sheet 950 is disposed to be spaced apart from the substrate 500 which is the deposition target by a predetermined interval.

이와 같은 본 발명에 의해서 마스크를 기판보다 작게 형성한 후, 마스크를 기판에 대하여 이동시키면서 증착을 수행할 수 있게 됨으로써, 마스크 제작이 용이해지는 효과를 얻을 수 있다. 또한, 기판과 마스크 간의 접촉에 의한 불량을 방지하는 효과를 얻을 수 있다. 또한, 공정에서 기판과 마스크를 밀착시키는 시간이 불필요해지기 때문에, 제조 속도가 향상되는 효과를 얻을 수 있다. According to the present invention, after forming the mask smaller than the substrate, it is possible to perform the deposition while moving the mask with respect to the substrate, it is possible to obtain the effect that the mask fabrication becomes easy. Moreover, the effect which prevents the defect by the contact between a board | substrate and a mask can be acquired. In addition, since the time for bringing the substrate into close contact with the mask is unnecessary in the step, an effect of increasing the manufacturing speed can be obtained.

여기서, 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 박막 증착 어셈블리에서는, 증착원(910)의 일 측에 구비된 바라트론 게이지(baratron gauge)가 증착원(910) 내부의 압력을 측정하여 증착 물질(915)의 증발률을 제어하는 것을 일 특징으로 한다. 이에 대하여는 제1 실시예에서 상세히 설명하였는바, 본 실시예에서는 그 상세한 설명은 생략하도록 한다.
Here, in the thin film deposition assembly according to another embodiment of the present invention, a baratron gauge provided on one side of the deposition source 910 measures the pressure inside the deposition source 910 to deposit the deposition material ( The evaporation rate of 915 is controlled. As it has been described in detail in the first embodiment, the detailed description thereof will be omitted.

도 10은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 박막 증착 어셈블리를 나타내는 도면이다. 도면을 참조하면, 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 박막 증착 어셈블리는 증착원(910), 증착원 노즐부(920) 및 패터닝 슬릿 시트(950)를 포함한다. 여기서, 증착원(910)은 그 내부에 증착 물질(915)이 채워지는 도가니(911)와, 도가니(911)를 가열시켜 도가니(911) 내부에 채워진 증착 물질(915)을 증착원 노즐부(920) 측으로 증발시키기 위한 히터(912)를 포함한다. 한편, 증착원(910)의 일 측에는 증착원 노즐부(920)가 배치되고, 증착원 노즐부(920)에는 Y축 방향을 따라서 복수 개의 증착원 노즐(921)들이 형성된다. 한편, 증착원(910)과 기판(500) 사이에는 패터닝 슬릿 시트(950) 및 프레임(955)이 더 구비되고, 패터닝 슬릿 시트(950)에는 X축 방향을 따라서 복수 개의 패터닝 슬릿(951)들이 형성된다. 그리고, 증착원(910) 및 증착원 노즐부(920)와 패터닝 슬릿 시트(950)는 연결 부재(935)에 의해서 결합된다. 10 is a view showing a thin film deposition assembly according to another embodiment of the present invention. Referring to the drawings, a thin film deposition assembly according to another embodiment of the present invention includes a deposition source 910, a deposition source nozzle unit 920, and a patterning slit sheet 950. Here, the deposition source 910 is a crucible 911 filled with the deposition material 915 therein, and the deposition material 915 filled with the inside of the crucible 911 by heating the crucible 911. A heater 912 for evaporating to the side of 920. Meanwhile, a deposition source nozzle unit 920 is disposed on one side of the deposition source 910, and a plurality of deposition source nozzles 921 are formed in the deposition source nozzle unit 920 along the Y-axis direction. Meanwhile, a patterning slit sheet 950 and a frame 955 are further provided between the deposition source 910 and the substrate 500, and the patterning slit sheet 950 includes a plurality of patterning slits 951 along the X-axis direction. Is formed. In addition, the deposition source 910, the deposition source nozzle unit 920, and the patterning slit sheet 950 are coupled by the connection member 935.

본 실시예에서는, 증착원 노즐부(920)에 형성된 복수 개의 증착원 노즐(921)들이 소정 각도 틸트(tilt)되어 배치된다는 점에서 전술한 실시예와 구별된다. 상세히, 증착원 노즐(921)은 두 열의 증착원 노즐(921a)(921b)들로 이루어질 수 있으며, 상기 두 열의 증착원 노즐(921a)(921b)들은 서로 교번하여 배치된다. 이때, 증착원 노즐(921a)(921b)들은 XZ 평면상에서 소정 각도 기울어지도록 틸트(tilt)되어 형성될 수 있다. In this embodiment, the plurality of deposition source nozzles 921 formed in the deposition source nozzle unit 920 are distinguished from the above-described embodiment in that they are disposed at a predetermined angle. In detail, the deposition source nozzles 921 may be formed of two rows of deposition source nozzles 921a and 921b, and the two rows of deposition source nozzles 921a and 921b are alternately disposed. In this case, the deposition source nozzles 921a and 921b may be tilted to be inclined at a predetermined angle on the XZ plane.

즉, 본 실시예에서는 증착원 노즐(921a)(921b)들이 소정 각도 틸트되어 배치되도록 한다. 여기서, 제1 열의 증착원 노즐(921a)들은 제2 열의 증착원 노즐(921b)들을 바라보도록 틸트되고, 제2 열의 증착원 노즐(921b)들은 제1 열의 증착원 노즐(921a)들을 바라보도록 틸트될 수 있다. 다시 말하면, 왼쪽 열에 배치된 증착원 노즐(921a)들은 패터닝 슬릿 시트(950)의 오른쪽 단부를 바라보도록 배치되고, 오른쪽 열에 배치된 증착원 노즐(921b)들은 패터닝 슬릿 시트(950)의 왼쪽 단부를 바라보도록 배치될 수 있는 것이다. That is, in this embodiment, the deposition source nozzles 921a and 921b are tilted and disposed at a predetermined angle. Here, the deposition source nozzles 921a of the first row are tilted to face the deposition source nozzles 921b of the second row, and the deposition source nozzles 921b of the second row are tilted to face the deposition source nozzles 921a of the first row. Can be. In other words, the deposition source nozzles 921a disposed in the left column face the right end of the patterning slit sheet 950, and the deposition source nozzles 921b disposed in the right column move the left end of the patterning slit sheet 950. It can be arranged to look at.

도 11는 본 발명에 따른 박막 증착 어셈블리에서 증착원 노즐을 틸트시키지 아니하였을 때 기판에 증착된 증착막의 분포 형태를 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 12은 본 발명에 따른 박막 증착 어셈블리에서 증착원 노즐을 틸트시켰을 때 기판에 증착된 증착막의 분포 형태를 개략적으로 나타내는 도면이다. 도 11와 도 12을 비교하면, 증착원 노즐을 틸트시켰을 때 기판의 양단부에 성막되는 증착막의 두께가 상대적으로 증가하여 증착막의 균일도가 상승함을 알 수 있다. FIG. 11 is a view schematically illustrating a distribution form of a deposition film deposited on a substrate when the deposition source nozzle is not tilted in the thin film deposition assembly according to the present invention, and FIG. 12 illustrates the deposition source nozzle in the thin film deposition assembly according to the present invention. It is a figure which shows the distribution form of the vapor deposition film deposited on a board | substrate when tilting. 11 and 12, when the deposition source nozzles are tilted, it can be seen that the thickness of the deposition film deposited on both ends of the substrate is relatively increased, thereby increasing the uniformity of the deposition film.

이와 같은 구성에 의하여, 기판의 중앙과 끝 부분에서의 성막 두께 차이가 감소하게 되어 전체적인 증착 물질의 두께가 균일하도록 증착량을 제어할 수 있으며, 나아가서는 재료 이용 효율이 증가하는 효과를 얻을 수 있다. By such a configuration, the difference in film thickness at the center and the end of the substrate is reduced, so that the deposition amount can be controlled so that the thickness of the entire deposition material is uniform, and further, the material utilization efficiency can be increased. .

여기서, 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 박막 증착 어셈블리에서는, 증착원(910)의 일 측에 구비된 바라트론 게이지(baratron gauge)가 증착원(910) 내부의 압력을 측정하여 증착 물질(915)의 증발률을 제어하는 것을 일 특징으로 한다. 이에 대하여는 제1 실시예에서 상세히 설명하였는바, 본 실시예에서는 그 상세한 설명은 생략하도록 한다.
Here, in the thin film deposition assembly according to another embodiment of the present invention, a baratron gauge provided on one side of the deposition source 910 measures the pressure inside the deposition source 910 to deposit the deposition material ( The evaporation rate of 915 is controlled. As it has been described in detail in the first embodiment, the detailed description thereof will be omitted.

도 13는 본 발명의 박막 증착 장치를 이용하여 제조된 액티브 매트릭스형 유기 발광 표시 장치의 단면을 도시한 것이다.13 is a cross-sectional view of an active matrix organic light emitting display device manufactured using the thin film deposition apparatus of the present invention.

도 13를 참조하면, 상기 액티브 매트리스형의 유기 발광 표시 장치는 기판(30) 상에 형성된다. 상기 기판(30)은 투명한 소재, 예컨대 글래스재, 플라스틱재, 또는 금속재로 형성될 수 있다. 상기 기판(30)상에는 전체적으로 버퍼층과 같은 절연막(31)이 형성되어 있다. Referring to FIG. 13, the active mattress organic light emitting display device is formed on a substrate 30. The substrate 30 may be formed of a transparent material, for example, a glass material, a plastic material, or a metal material. An insulating film 31, such as a buffer layer, is formed on the substrate 30 as a whole.

상기 절연막(31) 상에는 도 13에서 볼 수 있는 바와 같은 TFT(40)와, 커패시터(50)와, 유기 발광 소자(60)가 형성된다.A TFT 40, a capacitor 50 and an organic light emitting diode 60 as shown in FIG. 13 are formed on the insulating film 31.

상기 절연막(31)의 윗면에는 소정 패턴으로 배열된 반도체 활성층(41)이 형성되어 있다. 상기 반도체 활성층(41)은 게이트 절연막(32)에 의하여 매립되어 있다. 상기 활성층(41)은 p형 또는 n형의 반도체로 구비될 수 있다.The semiconductor active layer 41 arranged in a predetermined pattern is formed on the upper surface of the insulating film 31. The semiconductor active layer 41 is buried by the gate insulating film 32. The active layer 41 may be formed of a p-type or n-type semiconductor.

상기 게이트 절연막(32)의 윗면에는 상기 활성층(41)과 대응되는 곳에 TFT(40)의 게이트 전극(42)이 형성된다. 그리고, 상기 게이트 전극(42)을 덮도록 층간 절연막(33)이 형성된다. 상기 층간 절연막(33)이 형성된 다음에는 드라이 에칭등의 식각 공정에 의하여 상기 게이트 절연막(32)과 층간 절연막(33)을 식각하여 콘택 홀을 형성시켜서, 상기 활성층(41)의 일부를 드러나게 한다. The gate electrode 42 of the TFT 40 is formed on the top surface of the gate insulating layer 32 to correspond to the active layer 41. An interlayer insulating layer 33 is formed to cover the gate electrode 42. After the interlayer insulating layer 33 is formed, a portion of the active layer 41 is exposed by etching the gate insulating layer 32 and the interlayer insulating layer 33 by an etching process such as dry etching to form a contact hole.

그 다음으로, 상기 층간 절연막(33) 상에 소스/드레인 전극(43)이 형성되는 데, 콘택 홀을 통해 노출된 활성층(41)에 접촉되도록 형성된다. 상기 소스/드레인 전극(43)을 덮도록 보호막(34)이 형성되고, 식각 공정을 통하여 상기 드레인 전극(43)의 일부가 드러나도록 한다. 상기 보호막(34) 위로는 보호막(34)의 평탄화를 위해 별도의 절연막을 더 형성할 수도 있다.Next, a source / drain electrode 43 is formed on the interlayer insulating layer 33 so as to contact the active layer 41 exposed through the contact hole. A passivation layer 34 is formed to cover the source / drain electrode 43, and a portion of the drain electrode 43 is exposed through an etching process. An additional insulating layer may be further formed on the passivation layer 34 to planarize the passivation layer 34.

한편, 상기 유기 발광 소자(60)는 전류의 흐름에 따라 적,녹,청색의 빛을 발광하여 소정의 화상 정보를 표시하기 위한 것으로서, 상기 보호막(34)상에 제 1 전극(61)을 형성한다. 상기 제 1 전극(61)은 TFT(40)의 드레인 전극(43)과 전기적으로 연결된다. On the other hand, the organic light emitting device 60 is to display predetermined image information by emitting red, green, and blue light according to the flow of current, and the first electrode 61 is formed on the passivation layer 34. do. The first electrode 61 is electrically connected to the drain electrode 43 of the TFT 40.

그리고, 상기 제 1 전극(61)을 덮도록 화소정의막(35)이 형성된다. 이 화소정의막(35)에 소정의 개구(64)를 형성한 후, 이 개구(64)로 한정된 영역 내에 유기 발광막(63)을 형성한다. 유기 발광막(63) 위로는 제 2 전극(62)을 형성한다.The pixel defining layer 35 is formed to cover the first electrode 61. After the predetermined opening 64 is formed in the pixel definition film 35, the organic light emitting film 63 is formed in the region defined by the opening 64. The second electrode 62 is formed on the organic emission layer 63.

상기 화소정의막(35)은 각 화소를 구획하는 것으로, 유기물로 형성되어, 제 1 전극(61)이 형성되어 있는 기판의 표면, 특히, 보호층(34)의 표면을 평탄화한다.The pixel definition layer 35 partitions each pixel and is formed of an organic material to planarize the surface of the substrate on which the first electrode 61 is formed, particularly the surface of the protective layer 34.

상기 제 1 전극(61)과 제 2 전극(62)은 서로 절연되어 있으며, 유기 발광막(63)에 서로 다른 극성의 전압을 가해 발광이 이뤄지도록 한다.The first electrode 61 and the second electrode 62 are insulated from each other, and light is emitted by applying voltages of different polarities to the organic light emitting layer 63.

상기 유기 발광막(63)은 저분자 또는 고분자 유기물이 사용될 수 있는 데, 저분자 유기물을 사용할 경우 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer), 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer), 발광층(EML: Emission Layer), 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer), 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층되어 형성될 수 있으며, 사용 가능한 유기 재료도 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯해 다양하게 적용 가능하다. 이들 저분자 유기물은 도 1 내지 도 3에서 볼 수 있는 증착 장치 및 증착 소스 유닛(10)을 이용하여 진공증착의 방법으로 형성될 수 있다.The organic light emitting layer 63 may be a low molecular weight or high molecular organic material. When the low molecular weight organic material is used, a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), and an emission layer (EML) are emitted. ), An electron transport layer (ETL), an electron injection layer (EIL), and the like may be formed by stacking a single or a complex structure, and the usable organic material may be copper phthalocyanine (CuPc). , N, N-di (naphthalen-1-yl) -N, N'-diphenyl-benzidine (N, N'-Di (naphthalene-1-yl) -N, N'-diphenyl-benzidine: NPB), Various applications are possible, including tris-8-hydroxyquinoline aluminum (Alq3). These low molecular weight organic materials can be formed by vacuum deposition using the deposition apparatus and deposition source unit 10 shown in FIGS.

이러한 유기 발광막을 형성한 후에는 제2전극(62)을 역시 동일한 증착 공정으로 형성할 수 있다.After the organic light emitting film is formed, the second electrode 62 may also be formed by the same deposition process.

한편, 상기 제 1 전극(61)은 애노우드 전극의 기능을 하고, 상기 제 2 전극(62)은 캐소오드 전극의 기능을 할 수 있는 데, 물론, 이들 제 1 전극(61)과 제 2 전극(62)의 극성은 반대로 되어도 무방하다. 그리고, 제 1 전극(61)은 각 화소의 영역에 대응되도록 패터닝될 수 있고, 제 2 전극(62)은 모든 화소를 덮도록 형성될 수 있다.Meanwhile, the first electrode 61 may function as an anode electrode, and the second electrode 62 may function as a cathode electrode. Of course, these first electrodes 61 and the second electrode may be used. The polarity of 62 may be reversed. The first electrode 61 may be patterned to correspond to the area of each pixel, and the second electrode 62 may be formed to cover all the pixels.

상기 제 1 전극(61)은 투명 전극 또는 반사형 전극으로 구비될 수 있는 데, 투명전극으로 사용될 때에는 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3로 구비될 수 있고, 반사형 전극으로 사용될 때에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, 및 이들의 화합물 등으로 반사층을 형성한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3로 투명전극층을 형성할 수 있다. 이러한 제1전극(61)은 스퍼터링 방법 등에 의해 성막된 후, 포토 리소그래피법 등에 의해 패터닝된다.The first electrode 61 may be provided as a transparent electrode or a reflective electrode, and when used as a transparent electrode, may be formed of ITO, IZO, ZnO, or In 2 O 3, and when used as a reflective electrode, Ag, Mg, After the reflective layer is formed of Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, a compound thereof, or the like, a transparent electrode layer may be formed thereon with ITO, IZO, ZnO, or In 2 O 3. The first electrode 61 is formed by a sputtering method or the like and then patterned by a photolithography method or the like.

한편, 상기 제 2 전극(62)도 투명 전극 또는 반사형 전극으로 구비될 수 있는 데, 투명전극으로 사용될 때에는 이 제 2 전극(62)이 캐소오드 전극으로 사용되므로, 일함수가 작은 금속 즉, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg, 및 이들의 화합물이 유기 발광막(63)의 방향을 향하도록 증착한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등으로 보조 전극층이나 버스 전극 라인을 형성할 수 있다. 그리고, 반사형 전극으로 사용될 때에는 위 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg, 및 이들의 화합물을 전면 증착하여 형성한다. 이 때, 증착은 전술한 유기 발광막(63)의 경우와 마찬가지의 방법으로 행할 수 있다.Meanwhile, the second electrode 62 may also be provided as a transparent electrode or a reflective electrode. When the second electrode 62 is used as a transparent electrode, since the second electrode 62 is used as a cathode, a metal having a small work function, namely, Li, Ca, LiF / Ca, LiF / Al, Al, Ag, Mg, and compounds thereof are deposited to face the organic light emitting film 63, and thereafter, ITO, IZO, ZnO, In2O3, and the like are deposited thereon. An auxiliary electrode layer or a bus electrode line can be formed. When used as a reflective electrode, Li, Ca, LiF / Ca, LiF / Al, Al, Ag, Mg, and compounds thereof are formed by depositing the entire surface. At this time, vapor deposition can be performed in the same manner as in the case of the organic light emitting film 63 described above.

본 발명은 이 외에도, 유기 TFT의 유기막 또는 무기막 등의 증착에도 사용할 수 있으며, 기타, 다양한 소재의 성막 공정에 적용 가능하다.In addition to the above, the present invention can also be used for vapor deposition of an organic film or an inorganic film of an organic TFT, and can be applied to a film forming process of various other materials.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the appended claims. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.

100: 박막 증착 어셈블리 110: 증착원
120: 증착원 노즐부 130: 차단판 어셈블리
150: 패터닝 슬릿 시트 170: 바라트론 게이지
500: 기판 600: 정전척100: thin film deposition assembly 110: deposition source
120: deposition source nozzle unit 130: blocking plate assembly
150: patterning slit sheet 170: baratrone gauge
500: substrate 600: electrostatic chuck

Claims (28)

기판상에 박막을 형성하기 위한 박막 증착 장치에 있어서,
증착 물질을 방사하는 증착원;
상기 증착원의 일 측에 배치되며, 제1 방향을 따라 복수 개의 증착원 노즐들이 형성되는 증착원 노즐부;
상기 증착원 노즐부와 대향되게 배치되고, 상기 제1 방향을 따라 복수 개의 패터닝 슬릿들이 형성되는 패터닝 슬릿 시트;
상기 증착원 노즐부와 상기 패터닝 슬릿 시트 사이에 상기 제1 방향을 따라 배치되어, 상기 증착원 노즐부와 상기 패터닝 슬릿 시트 사이의 공간을 복수 개의 증착 공간들로 구획하는 복수 개의 차단판들을 구비하는 차단판 어셈블리; 및
상기 증착원의 일 측에 형성되어 상기 증착원 내부의 압력을 측정하는 바라트론 게이지(baratron gauge)를 포함하고,
상기 박막 증착 장치는 상기 기판과 이격되도록 형성되며,
상기 박막 증착 장치와 상기 기판은, 어느 일 측이 타 측에 대하여 상대적으로 이동가능하도록 형성되고,
상기 박막 증착 장치의 상기 패터닝 슬릿 시트는 상기 기판보다 작게 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. In the thin film deposition apparatus for forming a thin film on a substrate,
A deposition source for emitting a deposition material;
A deposition source nozzle unit disposed on one side of the deposition source and having a plurality of deposition source nozzles formed along a first direction;
A patterning slit sheet disposed to face the deposition source nozzle unit and having a plurality of patterning slits formed along the first direction;
A plurality of blocking plates disposed in the first direction between the deposition source nozzle part and the patterning slit sheet and partitioning a space between the deposition source nozzle part and the patterning slit sheet into a plurality of deposition spaces; Blocking plate assembly; And
Is formed on one side of the deposition source includes a baratron gauge (baratron gauge) for measuring the pressure inside the deposition source,
The thin film deposition apparatus is formed to be spaced apart from the substrate,
The thin film deposition apparatus and the substrate, one side is formed to be relatively movable relative to the other side,
And the patterning slit sheet of the thin film deposition apparatus is smaller than the substrate. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 바라트론 게이지는,
하우징;
상기 하우징과 상기 증착원을 연결하는 제1 진공 튜브;
상기 하우징 내부에 형성되어, 상기 하우징 내부의 공간을 이분하는 다이아 프램; 및
상기 다이아 프램으로부터의 거리에 따라 캐패시턴스를 유도하는 전극 어셈블리를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. The method of claim 1,
The baratron gauge,
housing;
A first vacuum tube connecting the housing and the deposition source;
A diaphragm formed inside the housing and dividing a space inside the housing; And
And an electrode assembly inducing capacitance in accordance with a distance from the diaphragm. 제 3 항에 있어서,
상기 다이아 프램은 상기 증착원에 연결된 상기 제1 진공 튜브로 배출 또는 유입되는 공기의 압력에 따라 상기 증착원 방향 또는 상기 증착원으로부터 이격되는 방향으로 이동하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. The method of claim 3, wherein
The diaphragm moves in the direction of the deposition source or in a direction away from the deposition source in accordance with the pressure of the air discharged or introduced into the first vacuum tube connected to the deposition source. 제 3 항에 있어서,
상기 바라트론 게이지는 상기 증착원 내부의 절대 압력을 측정하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. The method of claim 3, wherein
The baratrone gauge is a thin film deposition apparatus, characterized in that for measuring the absolute pressure inside the deposition source. 제 3 항에 있어서,
상기 바라트론 게이지는, 상기 다이어 프램에 의해서 이분되고 있는 상기 하우징에서, 상기 제1 진공 튜브가 형성된 부분의 반대편에 형성되는 제2 진공 튜브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. The method of claim 3, wherein
And the baratrone gauge further comprises a second vacuum tube formed on the opposite side of the portion where the first vacuum tube is formed in the housing divided by the diaphragm. 제 6 항에 있어서,
상기 바라트론 게이지는 상기 증착원 내부의 압력과 상기 박막 증착 장치가 수용된 챔버 내의 압력 간의 차이를 측정하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. The method according to claim 6,
And the baratrone gauge measures a difference between the pressure inside the deposition source and the pressure in the chamber in which the thin film deposition apparatus is accommodated. 제 1 항에 있어서,
상기 바라트론 게이지에서 측정된 상기 증착원 내부의 압력을 이용하여 상기 증착원에서 방사되는 상기 증착 물질의 증발률을 일정하게 유지하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. The method of claim 1,
Thin film deposition apparatus characterized in that to maintain a constant evaporation rate of the deposition material radiated from the deposition source by using the pressure inside the deposition source measured by the baratron gauge. 제 1 항에 있어서,
상기 복수 개의 차단판들 각각은 상기 제1 방향과 수직인 제2 방향으로 형성되어, 상기 증착원 노즐부와 상기 패터닝 슬릿 시트 사이의 공간을 복수 개의 증착 공간들로 구획하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. The method of claim 1,
Each of the plurality of blocking plates is formed in a second direction perpendicular to the first direction to divide the space between the deposition source nozzle unit and the patterning slit sheet into a plurality of deposition spaces. Device. 제 1 항에 있어서,
상기 차단판 어셈블리는 복수 개의 제1 차단판들을 구비하는 제1 차단판 어셈블리와, 복수 개의 제2 차단판들을 구비하는 제2 차단판 어셈블리를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. The method of claim 1,
The blocking plate assembly may include a first blocking plate assembly including a plurality of first blocking plates and a second blocking plate assembly including a plurality of second blocking plates. 제 10 항에 있어서,
상기 복수 개의 제1 차단판들 및 상기 복수 개의 제2 차단판들 각각은 상기 제1 방향과 수직인 제2 방향으로 형성되어, 상기 증착원 노즐부와 상기 패터닝 슬릿 시트 사이의 공간을 복수 개의 증착 공간들로 구획하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. 11. The method of claim 10,
Each of the plurality of first blocking plates and the plurality of second blocking plates is formed in a second direction perpendicular to the first direction to deposit a plurality of spaces between the deposition source nozzle part and the patterning slit sheet. Thin film deposition apparatus characterized by partitioning into spaces. 제 1 항에 있어서,
상기 기판이 상기 박막 증착 장치에 대하여 상대적으로 이동하면서, 상기 기판상에 상기 박막 증착 장치의 증착 물질이 연속적으로 증착되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. The method of claim 1,
And the deposition material of the thin film deposition apparatus is continuously deposited on the substrate while the substrate is moved relative to the thin film deposition apparatus. 제 1 항에 있어서,
상기 박막 증착 장치와 상기 기판은, 상기 기판에서 상기 증착 물질이 증착되는 면과 평행한 면을 따라, 어느 일 측이 타 측에 대하여 상대적으로 이동하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. The method of claim 1,
The thin film deposition apparatus and the substrate, the thin film deposition apparatus, characterized in that one side is relatively moved relative to the other side along the surface parallel to the surface on which the deposition material is deposited on the substrate. 삭제delete 기판상에 박막을 형성하기 위한 박막 증착 장치에 있어서,
증착 물질을 방사하는 증착원;
상기 증착원의 일 측에 배치되며, 제1 방향을 따라 복수 개의 증착원 노즐들이 형성되는 증착원 노즐부;
상기 증착원 노즐부와 대향되게 배치되고, 상기 제1 방향에 대해 수직인 제2 방향을 따라 복수 개의 패터닝 슬릿들이 형성되는 패터닝 슬릿 시트; 및
상기 증착원의 일 측에 형성되어 상기 증착원 내부의 압력을 측정하는 바라트론 게이지(baratron gauge)를 포함하고,
상기 박막 증착 장치는 상기 기판과 이격되도록 형성되며,
상기 박막 증착 장치와 상기 기판은, 어느 일 측이 타 측에 대하여 상기 제1 방향을 따라 상대적으로 이동하면서 증착이 수행되고,
상기 박막 증착 장치의 상기 패터닝 슬릿 시트는 상기 기판보다 작게 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. In the thin film deposition apparatus for forming a thin film on a substrate,
A deposition source for emitting a deposition material;
A deposition source nozzle unit disposed on one side of the deposition source and having a plurality of deposition source nozzles formed along a first direction;
A patterning slit sheet disposed to face the deposition source nozzle unit and having a plurality of patterning slits formed along a second direction perpendicular to the first direction; And
Is formed on one side of the deposition source includes a baratron gauge (baratron gauge) for measuring the pressure inside the deposition source,
The thin film deposition apparatus is formed to be spaced apart from the substrate,
The thin film deposition apparatus and the substrate, the deposition is performed while one side is relatively moved along the first direction with respect to the other side,
And the patterning slit sheet of the thin film deposition apparatus is smaller than the substrate. 제 15 항에 있어서,
상기 바라트론 게이지는,
하우징;
상기 하우징과 상기 증착원을 연결하는 제1 진공 튜브;
상기 하우징 내부에 형성되어, 상기 하우징 내부의 공간을 이분하는 다이아 프램; 및
상기 다이아 프램으로부터의 거리에 따라 캐패시턴스를 유도하는 전극 어셈블리를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. The method of claim 15,
The baratron gauge,
housing;
A first vacuum tube connecting the housing and the deposition source;
A diaphragm formed inside the housing and dividing a space inside the housing; And
And an electrode assembly inducing capacitance in accordance with a distance from the diaphragm. 제 16 항에 있어서,
상기 다이아 프램은 상기 증착원에 연결된 상기 제1 진공 튜브로 배출 또는 유입되는 공기의 압력에 따라 상기 증착원 방향 또는 상기 증착원으로부터 이격되는 방향으로 이동하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. 17. The method of claim 16,
The diaphragm moves in the direction of the deposition source or in a direction away from the deposition source in accordance with the pressure of the air discharged or introduced into the first vacuum tube connected to the deposition source. 제 16 항에 있어서,
상기 바라트론 게이지는 상기 증착원 내부의 절대 압력을 측정하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. 17. The method of claim 16,
The baratrone gauge is a thin film deposition apparatus, characterized in that for measuring the absolute pressure inside the deposition source. 제 16 항에 있어서,
상기 바라트론 게이지는, 상기 다이어 프램에 의해서 이분되고 있는 상기 하우징에서, 상기 제1 진공 튜브가 형성된 부분의 반대편에 형성되는 제2 진공 튜브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. 17. The method of claim 16,
And the baratrone gauge further comprises a second vacuum tube formed on the opposite side of the portion where the first vacuum tube is formed in the housing divided by the diaphragm. 제 19 항에 있어서,
상기 바라트론 게이지는 상기 증착원 내부의 압력과 상기 박막 증착 장치가 수용된 챔버 내의 압력 간의 차이를 측정하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. The method of claim 19,
And the baratrone gauge measures a difference between the pressure inside the deposition source and the pressure in the chamber in which the thin film deposition apparatus is accommodated. 제 15 항에 있어서,
상기 바라트론 게이지에서 측정된 상기 증착원 내부의 압력을 이용하여 상기 증착원에서 방사되는 상기 증착 물질의 증발률을 일정하게 유지하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. The method of claim 15,
Thin film deposition apparatus characterized in that to maintain a constant evaporation rate of the deposition material radiated from the deposition source by using the pressure inside the deposition source measured by the baratron gauge. 제 15 항에 있어서,
상기 증착원, 상기 증착원 노즐부 및 상기 패터닝 슬릿 시트는 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. The method of claim 15,
And the deposition source, the deposition source nozzle unit, and the patterning slit sheet are integrally formed. 삭제delete 제 15 항에 있어서,
상기 기판이 상기 박막 증착 장치에 대하여 상기 제1 방향을 따라 이동하면서, 상기 기판상에 상기 증착 물질이 연속적으로 증착되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. The method of claim 15,
And the deposition material is continuously deposited on the substrate while the substrate moves in the first direction with respect to the thin film deposition apparatus. 삭제delete 증착 물질을 방사하는 증착원과, 상기 증착원의 일 측에 배치되며 제1 방향을 따라 복수 개의 증착원 노즐들이 형성되는 증착원 노즐부와, 상기 증착원 노즐부와 대향되게 배치되고 상기 제1 방향을 따라 복수 개의 패터닝 슬릿들이 형성되며 기판보다 작게 형성되는 패터닝 슬릿 시트와, 상기 증착원 노즐부와 상기 패터닝 슬릿 시트 사이에 상기 제1 방향을 따라 배치되어 상기 증착원 노즐부와 상기 패터닝 슬릿 시트 사이의 공간을 복수 개의 증착 공간들로 구획하는 복수 개의 차단판들을 구비하는 차단판 어셈블리와, 상기 증착원의 일 측에 형성되어 상기 증착원 내부의 압력을 측정하는 바라트론 게이지(baratron gauge)를 포함하는 박막 증착 장치를,
척에 고정된 피증착용 기판과 이격되도록 배치하여,
증착이 진행되는 동안 상기 박막 증착 장치와 상기 척에 고정된 기판이 서로 상대적으로 이동됨으로써 기판에 대한 증착이 이뤄지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치용 기판의 제조방법.A deposition source for emitting a deposition material, a deposition source nozzle unit disposed on one side of the deposition source and having a plurality of deposition source nozzles formed along a first direction, and disposed to face the deposition source nozzle unit and being arranged to face the first source; A patterning slit sheet having a plurality of patterning slits formed along the direction and smaller than the substrate, and disposed in the first direction between the deposition source nozzle portion and the patterning slit sheet, the deposition source nozzle portion and the patterning slit sheet A barrier plate assembly having a plurality of barrier plates for partitioning a space between the plurality of deposition spaces, and a baratron gauge formed on one side of the deposition source to measure the pressure inside the deposition source. Thin film deposition apparatus comprising,
Arranged to be spaced apart from the substrate for deposition fixed to the chuck,
A method of manufacturing a substrate for an organic light emitting display device, characterized in that the deposition is performed on the substrate by moving the thin film deposition apparatus and the substrate fixed to the chuck relative to each other. 증착 물질을 방사하는 증착원과, 상기 증착원의 일 측에 배치되며, 제1 방향을 따라 복수 개의 증착원 노즐들이 형성되는 증착원 노즐부와, 상기 증착원 노즐부와 대향되게 배치되고, 상기 제1 방향에 대해 수직인 제2 방향을 따라 복수 개의 패터닝 슬릿들이 형성되며 기판보다 작게 형성되는 패터닝 슬릿 시트와, 상기 증착원의 일 측에 형성되어 상기 증착원 내부의 압력을 측정하는 바라트론 게이지(baratron gauge)를 포함하는 박막 증착 장치를,
척에 고정된 피증착용 기판과 이격되도록 배치하여, 증착이 진행되는 동안 상기 박막 증착 장치와 상기 척에 고정된 기판이 서로 상대적으로 이동됨으로써 기판에 대한 증착이 이뤄지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치용 기판의 제조방법.A deposition source for emitting a deposition material, a deposition source nozzle unit disposed on one side of the deposition source, and a plurality of deposition source nozzles are formed along a first direction, and disposed to face the deposition source nozzle unit, and A patterning slit sheet in which a plurality of patterning slits are formed along a second direction perpendicular to the first direction and smaller than the substrate, and a baratron gauge formed on one side of the deposition source to measure the pressure inside the deposition source; thin film deposition apparatus including a baratron gauge,
Arranged so as to be spaced apart from the substrate to be deposited fixed to the chuck, the substrate is fixed to the substrate and the substrate fixed to the chuck is moved relative to each other during the deposition is carried out for the organic light emitting display device, characterized in that Method of manufacturing a substrate. 삭제delete
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