KR101223723B1 - Apparatus for thin layer deposition, method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same, and organic light emitting display apparatus manufactured by the method - Google Patents

Apparatus for thin layer deposition, method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same, and organic light emitting display apparatus manufactured by the method Download PDF

Info

Publication number
KR101223723B1
KR101223723B1 KR1020100065465A KR20100065465A KR101223723B1 KR 101223723 B1 KR101223723 B1 KR 101223723B1 KR 1020100065465 A KR1020100065465 A KR 1020100065465A KR 20100065465 A KR20100065465 A KR 20100065465A KR 101223723 B1 KR101223723 B1 KR 101223723B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
deposition
substrate
source
formed
film deposition
Prior art date
Application number
KR1020100065465A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20120004790A (en
Inventor
최용섭
남명우
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020100065465A priority Critical patent/KR101223723B1/en
Publication of KR20120004790A publication Critical patent/KR20120004790A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101223723B1 publication Critical patent/KR101223723B1/en

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C23C14/044Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks using masks to redistribute rather than totally prevent coating, e.g. producing thickness gradient
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50Substrate holders
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/542Controlling the film thickness or evaporation rate
    • C23C14/544Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement in the gas phase
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks

Abstract

본 발명은 대형 기판의 양산 공정에 더욱 적합하고, 고정세의 패터닝이 가능하도록 하는 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치를 위하여, 기판상에 박막을 형성하기 위한 박막 증착 장치에 있어서, 증착 물질을 방사하는 증착원; The present invention to a film deposition apparatus, a method of manufacturing an organic light emitting display device using the same and therefore the organic light-emitting display device manufactured according to more suitable for mass production of a large substrate, to allow patterning of the fixed three, thin films on a substrate in the film deposition apparatus to form, an evaporation source for emitting a deposition material; 상기 증착원의 일 측에 배치되며, 제1 방향을 따라 복수 개의 증착원 노즐들이 형성되는 증착원 노즐부; Deposition source nozzle unit that is disposed on one side of the evaporation source, a plurality of deposition source nozzles are formed along a first direction; 상기 증착원 노즐부와 대향되게 배치되고, 상기 제1 방향을 따라 복수 개의 패터닝 슬릿들이 형성되는 패터닝 슬릿 시트; A patterning slit sheet that is disposed facing the deposition source nozzle unit, a plurality of patterning slits are formed along the first direction; 상기 증착원 노즐부와 상기 패터닝 슬릿 시트 사이에 상기 제1 방향을 따라 배치되어, 상기 증착원 노즐부와 상기 패터닝 슬릿 시트 사이의 공간을 복수 개의 증착 공간들로 구획하는 복수 개의 차단판들을 구비하는 차단판 어셈블리; Are arranged along the first direction between the deposition source nozzle unit and the patterning slit sheet having a plurality of barrier plates that partition a space between the deposition source nozzle unit and the patterning slit sheet into a plurality of deposition spaces blocking plate assembly; 및 상기 증착원의 일 측에 형성되어 상기 증착원 내부의 압력을 측정하는 바라트론 게이지(baratron gauge)를 포함하는 박막 증착 장치를 제공한다. And is formed on one side of the evaporation source provides a film deposition apparatus including a torch at gauge (baratron gauge) for measuring the pressure inside said evaporation source.

Description

박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치{Apparatus for thin layer deposition, method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same, and organic light emitting display apparatus manufactured by the method} The film deposition apparatus, a method of manufacturing an organic light emitting display device using the same, and thus the produced organic light-emitting display device {Apparatus for thin layer deposition, method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same, and organic light emitting display apparatus manufactured by the method}

본 발명은 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 대형 기판의 양산 공정에 더욱 적합하고, 고정세의 패터닝이 가능하도록 하는 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a film deposition apparatus, a method of manufacturing an organic light emitting display device using the same and therefore the organic light-emitting display device manufactured according, more particularly more suitable for mass production of a large substrate, to allow patterning of the fixed three the film deposition apparatus, to a method of manufacturing an organic light emitting display device using the same and therefore the organic light-emitting display device produced according to.

디스플레이 장치들 중, 유기 발광 표시 장치는 시야각이 넓고 컨트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가지고 있어 차세대 디스플레이 장치로서 주목을 받고 있다. Of the display device, the OLED display has got the advantage that, as well as wide viewing angle contrast is excellent fast response time is drawing attention as a next generation display device.

유기 발광 표시 장치는 서로 대향된 제1 전극 및 제2 전극 사이에 발광층 및 이를 포함하는 중간층을 구비한다. The organic light emitting display device is provided with an intermediate layer including a light emitting layer, and this between the first and second electrodes opposed to each other. 이때 상기 전극들 및 중간층은 여러 방법으로 형성될 수 있는데, 그 중 한 방법이 독립 증착 방식이다. At this time, the electrodes and the intermediate layer may be formed in many ways, it is one way of which is independent deposition. 증착 방법을 이용하여 유기 발광 표시 장치를 제작하기 위해서는, 박막 등이 형성될 기판 면에, 형성될 박막 등의 패턴과 동일한 패턴을 가지는 파인 메탈 마스크(fine metal mask: FMM)를 밀착시키고 박막 등의 재료를 증착하여 소정 패턴의 박막을 형성한다. In order to produce a vapor deposition method Organic light-emitting display device using, the substrate surface is a thin film, etc. is formed, fine metal mask having the same pattern as the pattern of the thin film and so on to be formed: contact the (fine metal mask FMM) and a thin film including by depositing a material to form a thin film of a predetermined pattern.

그러나, 이러한 파인 메탈 마스크를 이용하는 방법은 대형의 마더 글래스(mother-glass)를 사용하는 대면적화에는 부적합하다는 한계가 있다. However, the method using such a fine metal mask that is a suitable limit, large area using a large mother glass (mother-glass). 즉, 대면적 마스크를 사용하면 자중에 의해 마스크의 휨 현상이 발생되는 데, 이 휨 현상에 의한 패턴의 왜곡이 발생될 수 있기 때문이다. That is, because when using the large-sized mask for that warpage of the mask caused by its own weight, the pattern distortion due to the warpage can be generated. 이는 패턴에 고정세를 요하는 현 경향과 배치되는 것이다. This is in place and the current tends to require fixing to the three patterns.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 대형 기판의 양산 공정에 더욱 적합하고, 고정세의 패터닝이 가능하도록 하는 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. The present invention relates to a method of manufacturing an organic light emitting display device using SUMMARY In order to solve the various problems, the thin film deposition apparatus and more suitable for mass production of a large substrate, to allow patterning of the fixed three, which, including the above-mentioned problems and the cost for its object to provide an organic light-emitting display device manufactured according.

본 발명은 기판상에 박막을 형성하기 위한 박막 증착 장치에 있어서, 증착 물질을 방사하는 증착원; The present invention relates to a film deposition apparatus for forming a thin film on a substrate, an evaporation source for emitting a deposition material; 상기 증착원의 일 측에 배치되며, 제1 방향을 따라 복수 개의 증착원 노즐들이 형성되는 증착원 노즐부; Deposition source nozzle unit that is disposed on one side of the evaporation source, a plurality of deposition source nozzles are formed along a first direction; 상기 증착원 노즐부와 대향되게 배치되고, 상기 제1 방향을 따라 복수 개의 패터닝 슬릿들이 형성되는 패터닝 슬릿 시트; A patterning slit sheet that is disposed facing the deposition source nozzle unit, a plurality of patterning slits are formed along the first direction; 상기 증착원 노즐부와 상기 패터닝 슬릿 시트 사이에 상기 제1 방향을 따라 배치되어, 상기 증착원 노즐부와 상기 패터닝 슬릿 시트 사이의 공간을 복수 개의 증착 공간들로 구획하는 복수 개의 차단판들을 구비하는 차단판 어셈블리; Are arranged along the first direction between the deposition source nozzle unit and the patterning slit sheet having a plurality of barrier plates that partition a space between the deposition source nozzle unit and the patterning slit sheet into a plurality of deposition spaces blocking plate assembly; 및 상기 증착원의 일 측에 형성되어 상기 증착원 내부의 압력을 측정하는 바라트론 게이지(baratron gauge)를 포함하는 박막 증착 장치를 제공한다. And is formed on one side of the evaporation source provides a film deposition apparatus including a torch at gauge (baratron gauge) for measuring the pressure inside said evaporation source.

본 발명에 있어서, 상기 박막 증착 장치는 상기 기판과 소정 정도 이격되도록 형성되며, 상기 박막 증착 장치와 상기 기판은, 어느 일 측이 타 측에 대하여 상대적으로 이동가능하도록 형성될 수 있다. In the present invention, the film deposition apparatus are formed so as to be spaced apart from the substrate to the desired degree, the film deposition apparatus and the substrate may be formed either on one side to allow for relative movement with respect to the other side.

본 발명에 있어서, 상기 바라트론 게이지는, 하우징; In the present invention, the torch at the gauge housing; 상기 하우징과 상기 증착원을 연결하는 제1 진공 튜브; The first vacuum tube for connecting the housing and the evaporation source; 상기 하우징 내부에 형성되어, 상기 하우징 내부의 공간을 이분하는 다이아 프램; It is formed in the housing, the diaphragm bisecting the space inside the housing; 및 상기 다이아 프램으로부터의 거리에 따라 캐패시턴스를 유도하는 전극 어셈블리를 포함할 수 있다. And it may include an electrode assembly for inducing a capacitance according to the distance from the diaphragm.

여기서, 상기 다이아 프램은 상기 증착원에 연결된 상기 제1 진공 튜브로 배출 또는 유입되는 공기의 압력에 따라 상기 증착원 방향 또는 상기 증착원으로부터 이격되는 방향으로 이동할 수 있다. Here, the diaphragm is movable by the pressure of the air discharged or introduced into the first vacuum tube connected to the evaporation source in a direction away from the evaporation source direction or the evaporation source.

여기서, 상기 바라트론 게이지는 상기 증발원 내부의 절대 압력을 측정할 수 있다. Here, the torch at the gauge can measure the absolute pressure within the evaporation source.

여기서, 상기 바라트론 게이지는, 상기 다이어 프램에 의해서 이분되고 있는 상기 하우징에서, 상기 제1 진공 튜브가 형성된 부분의 반대편에 형성되는 제2 진공 튜브를 더 포함할 수 있다. Here, the torch at the gauge, in which the housing is two minutes by the diaphragm, it may further include a second vacuum tube which is formed on the other side of the portion where the first vacuum tube is formed.

여기서, 상기 바라트론 게이지는 상기 증발원 내부의 압력과 상기 박막 증착 장치가 수용된 챔버 내의 압력 간의 차이를 측정할 수 있다. Here, the torch at the gauges may be that the evaporation source in the inner pressure and the thin film deposition apparatus measures the difference between the pressure in the chamber accommodated.

본 발명에 있어서, 상기 바라트론 게이지에서 측정된 상기 증착원 내부의 압력을 이용하여 상기 증착원에서 방사되는 상기 증착 물질의 증발률을 일정하게 유지할 수 있다. In the present invention, it is possible by using the evaporation source inside of the pressure measured at the gauge at the torch to maintain a constant evaporation rate of the deposition material radiated from the evaporation source.

본 발명에 있어서, 상기 복수 개의 차단판들 각각은 상기 제1 방향과 실질적으로 수직인 제2 방향으로 형성되어, 상기 증착원 노즐부와 상기 패터닝 슬릿 시트 사이의 공간을 복수 개의 증착 공간들로 구획할 수 있다. In the present invention, the plurality of blocking plates, each said first direction and substantially are formed vertically in a second direction, defining a space between the deposition source nozzle unit and the patterning slit sheet into a plurality of deposition spaces can do.

본 발명에 있어서, 상기 차단판 어셈블리는 복수 개의 제1 차단판들을 구비하는 제1 차단판 어셈블리와, 복수 개의 제2 차단판들을 구비하는 제2 차단판 어셈블리를 포함할 수 있다. In the present invention, the shield plate assembly may include a second barrier plate assembly including a first shield plate assembly, and a plurality of second blocking plate having a plurality of first blocking plate.

여기서, 상기 복수 개의 제1 차단판들 및 상기 복수 개의 제2 차단판들 각각은 상기 제1 방향과 실질적으로 수직인 제2 방향으로 형성되어, 상기 증착원 노즐부와 상기 패터닝 슬릿 시트 사이의 공간을 복수 개의 증착 공간들로 구획할 수 있다. Here, the plurality of first barrier plates and the plurality of second barrier plates each of spaces between the first direction and substantially are formed vertically in a second direction, the deposition source nozzle unit and the patterning slit sheet a can be divided into a plurality of deposition spaces.

본 발명에 있어서, 상기 기판이 상기 박막 증착 장치에 대하여 상대적으로 이동하면서, 상기 기판상에 상기 박막 증착 장치의 증착 물질이 연속적으로 증착될 수 있다. In the present invention, the substrate may be a deposited material of the thin film deposition apparatus, the substrate while relatively moving the continuously deposited on said film deposition apparatus.

본 발명에 있어서, 상기 박막 증착 장치와 상기 기판은, 상기 기판에서 상기 증착 물질이 증착되는 면과 평행한 면을 따라, 어느 일 측이 타 측에 대하여 상대적으로 이동할 수 있다. In the present invention, the film deposition apparatus and the substrate along a plane parallel to the surface on which the deposition material deposited on the substrate can be any one side it is relatively moved with respect to the other side.

본 발명에 있어서, 상기 각 박막 증착 어셈블리의 상기 패터닝 슬릿 시트는 상기 기판보다 작게 형성될 수 있다. In the present invention, the patterning slit sheet of the thin film deposition assembly may be smaller than the substrate.

다른 측면에 따른 본 발명은, 기판상에 박막을 형성하기 위한 박막 증착 장치에 있어서, 증착 물질을 방사하는 증착원; The invention according to another aspect, in the film deposition apparatus for forming a thin film on a substrate, an evaporation source for emitting a deposition material; 상기 증착원의 일 측에 배치되며, 제1 방향을 따라 복수 개의 증착원 노즐들이 형성되는 증착원 노즐부; Deposition source nozzle unit that is disposed on one side of the evaporation source, a plurality of deposition source nozzles are formed along a first direction; 상기 증착원 노즐부와 대향되게 배치되고, 상기 제1 방향에 대해 수직인 제2 방향을 따라 복수 개의 패터닝 슬릿들이 형성되는 패터닝 슬릿 시트; A patterning slit sheet that is disposed facing the deposition source nozzle unit, a plurality of patterning slits are formed along a perpendicular to the second direction with respect to the first direction; 및 상기 증착원의 일 측에 형성되어 상기 증착원 내부의 압력을 측정하는 바라트론 게이지(baratron gauge)를 포함하고, 상기 기판이 상기 박막 증착 장치에 대하여 상기 제1 방향을 따라 이동하면서 증착이 수행되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치를 제공한다. And at Tron gauge (baratron gauge) and wherein the substrate is a deposition is performed while moving along the first direction with respect to the film deposition apparatus to which is formed on one side of the evaporation source measures the pressure inside said evaporation source provides a film deposition apparatus characterized in that the.

본 발명에 있어서, 상기 바라트론 게이지는, 하우징; In the present invention, the torch at the gauge housing; 상기 하우징과 상기 증착원을 연결하는 제1 진공 튜브; The first vacuum tube for connecting the housing and the evaporation source; 상기 하우징 내부에 형성되어, 상기 하우징 내부의 공간을 이분하는 다이아 프램; It is formed in the housing, the diaphragm bisecting the space inside the housing; 및 상기 다이아 프램으로부터의 거리에 따라 캐패시턴스를 유도하는 전극 어셈블리를 포함할 수 있다. And it may include an electrode assembly for inducing a capacitance according to the distance from the diaphragm.

여기서, 상기 다이아 프램은 상기 증착원에 연결된 상기 제1 진공 튜브로 배출 또는 유입되는 공기의 압력에 따라 상기 증착원 방향 또는 상기 증착원으로부터 이격되는 방향으로 이동할 수 있다. Here, the diaphragm is movable by the pressure of the air discharged or introduced into the first vacuum tube connected to the evaporation source in a direction away from the evaporation source direction or the evaporation source.

여기서, 상기 바라트론 게이지는 상기 증발원 내부의 절대 압력을 측정할 수 있다. Here, the torch at the gauge can measure the absolute pressure within the evaporation source.

여기서, 상기 바라트론 게이지는, 상기 다이어 프램에 의해서 이분되고 있는 상기 하우징에서, 상기 제1 진공 튜브가 형성된 부분의 반대편에 형성되는 제2 진공 튜브를 더 포함할 수 있다. Here, the torch at the gauge, in which the housing is two minutes by the diaphragm, it may further include a second vacuum tube which is formed on the other side of the portion where the first vacuum tube is formed.

여기서, 상기 바라트론 게이지는 상기 증발원 내부의 압력과 상기 박막 증착 장치가 수용된 챔버 내의 압력 간의 차이를 측정할 수 있다. Here, the torch at the gauges may be that the evaporation source in the inner pressure and the thin film deposition apparatus measures the difference between the pressure in the chamber accommodated.

본 발명에 있어서, 상기 바라트론 게이지에서 측정된 상기 증착원 내부의 압력을 이용하여 상기 증착원에서 방사되는 상기 증착 물질의 증발률을 일정하게 유지할 수 있다. In the present invention, it is possible by using the evaporation source inside of the pressure measured at the gauge at the torch to maintain a constant evaporation rate of the deposition material radiated from the evaporation source.

본 발명에 있어서, 상기 증착원, 상기 증착원 노즐부 및 상기 패터닝 슬릿 시트는 일체로 형성될 수 있다. In the present invention, the deposition source, the deposition source nozzle unit and the patterning slit sheet may be integrally formed.

본 발명에 있어서, 상기 박막 증착 장치는 상기 기판과 소정 정도 이격되도록 형성될 수 있다. In the present invention, the thin film deposition apparatus may be formed so as to be spaced apart from the substrate to the desired extent.

본 발명에 있어서, 상기 기판이 상기 박막 증착 장치에 대하여 상기 제1 방향을 따라 이동하면서, 상기 기판상에 상기 증착 물질이 연속적으로 증착될 수 있다. In the present invention, the substrate may be moving along the first direction, wherein the deposition material on the substrate continuously deposited on said film deposition apparatus.

본 발명에 있어서, 상기 박막 증착 장치의 상기 패터닝 슬릿 시트는 상기 기판보다 작게 형성될 수 있다. In the present invention, the patterning slit sheet of the thin film deposition apparatus may be formed to be smaller than the substrate.

또 다른 측면에 따른 본 발명은, 증착 물질을 방사하는 증착원과, 상기 증착원의 일 측에 배치되며 제1 방향을 따라 복수 개의 증착원 노즐들이 형성되는 증착원 노즐부와, 상기 증착원 노즐부와 대향되게 배치되고 상기 제1 방향을 따라 복수 개의 패터닝 슬릿들이 형성되는 패터닝 슬릿 시트와, 상기 증착원 노즐부와 상기 패터닝 슬릿 시트 사이에 상기 제1 방향을 따라 배치되어 상기 증착원 노즐부와 상기 패터닝 슬릿 시트 사이의 공간을 복수 개의 증착 공간들로 구획하는 복수 개의 차단판들을 구비하는 차단판 어셈블리와, 상기 증착원의 일 측에 형성되어 상기 증착원 내부의 압력을 측정하는 바라트론 게이지(baratron gauge)를 포함하는 박막 증착 장치를, 척에 고정된 피증착용 기판과 이격되도록 배치하여, 증착이 진행되는 동안 상기 박막 증착 장 The invention according to a further aspect, the evaporation source and the deposition source nozzle unit that is disposed on one side of the evaporation source and a plurality of deposition source nozzles are formed along a first direction, the deposition source nozzle that emits a deposition material portion and the opposite side to be arranged is disposed along the first direction between the plurality of patterning slits are formed in the patterning slit sheet, and the deposition source nozzle unit and the patterning slit sheet that is along the first direction, the deposition source nozzle unit, and the patterning slit and the blocking plate assembly having a plurality of block plates that sheet partitioning the space between a plurality of deposition spaces, at Tron gauge are formed on one side of the evaporation source measures the pressure inside said evaporation source ( a film deposition apparatus including a baratron gauge), and arranged such that the substrate and the wear scleroderma spaced fixed to the chuck, wherein the sheet film deposition while the deposition progresses 와 상기 척에 고정된 기판이 서로 상대적으로 이동됨으로써 기판에 대한 증착이 이뤄지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법을 제공한다. And is moved relative to each other a fixed substrate to the chuck thereby provides a method for producing organic light-emitting display device, it characterized in that the deposition goes on to a substrate.

또 다른 측면에 따른 본 발명은, 증착 물질을 방사하는 증착원과, 상기 증착원의 일 측에 배치되며, 제1 방향을 따라 복수 개의 증착원 노즐들이 형성되는 증착원 노즐부와, 상기 증착원 노즐부와 대향되게 배치되고, 상기 제1 방향에 대해 수직인 제2 방향을 따라 복수 개의 패터닝 슬릿들이 형성되는 패터닝 슬릿 시트와, 상기 증착원의 일 측에 형성되어 상기 증착원 내부의 압력을 측정하는 바라트론 게이지(baratron gauge)를 포함하는 박막 증착 장치를, 척에 고정된 피증착용 기판과 이격되도록 배치하여, 증착이 진행되는 동안 상기 박막 증착 장치와 상기 척에 고정된 기판이 서로 상대적으로 이동됨으로써 기판에 대한 증착이 이뤄지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법을 제공한다. The invention according to another aspect, and an evaporation source for emitting a vapor deposition material, is disposed to one side of the deposition source, the deposition source nozzle unit that is a plurality of deposition source nozzles are formed along a first direction, the deposition source facing the nozzle unit to be placed and, with the patterning slit sheet in which a plurality of patterning slits are formed along a perpendicular to the second direction with respect to the first direction, it is formed on one side of the evaporation source measures the pressure inside said evaporation source at Tron gauge (baratron gauge) film deposition apparatus for, and arranged such that the scleroderma wear substrate and spaced apart from the fixed to the chuck, moves a fixed substrate to the chuck and the film deposition apparatus relative to each other while the deposition progresses containing the thereby provides a method for producing organic light-emitting display device, it characterized in that the deposition goes on to a substrate.

또 다른 측면에 따른 본 발명은, 상술한 방법에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치를 제공한다. The invention according to another aspect, there is provided an organic light-emitting display device produced according to the above-described method.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치에 따르면, 대형 기판의 양산 공정에 더욱 적합하고, 고정세의 패터닝이 가능하도록 하는 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치를 구현할 수 있다. According to the organic method for manufacturing a display device and thus the organic light-emitting display device manufactured in accordance with this, the film deposition apparatus of the present invention, made as described above, and more suitable for mass production of a large substrate, to allow patterning of the fixed three the film deposition apparatus, it is possible to implement the method of manufacturing an organic light emitting display device, and thus the organic light-emitting display device produced in accordance using the same.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 장치를 개략적으로 도시한 시스템 구성도이다. 1 is a system configuration schematic diagram showing a film deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 2는 도 1의 변형례를 나타내는 도면이다. 2 is a view showing a modification of FIG.
도 3은 도 1의 정전척의 일 예를 도시한 개략도이다. Figure 3 is a schematic diagram showing an example of the electrostatic chuck of FIG.
도 4는 도 1의 박막 증착 장치의 박막 증착 어셈블리를 개략적으로 도시한 사시도이다. Figure 4 is a perspective view schematically illustrating a film deposition assembly of the film deposition apparatus of Figure 1;
도 5는 도 4의 박막 증착 어셈블리의 개략적인 측단면도이다. Figure 5 is a schematic sectional side view of the thin film deposition assembly of FIG.
도 6은 도 4의 박막 증착 어셈블리의 개략적인 평단면도이다. Figure 6 is a schematic horizontal sectional view showing a thin film deposition assembly of FIG.
도 7은 본 발명의 다른 일 실시예에 관한 박막 증착 어셈블리를 개략적으로 도시한 사시도이다. Figure 7 is a perspective view schematically illustrating a film deposition assembly according to another embodiment of the present invention.
도 8은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 관한 박막 증착 어셈블리를 개략적으로 도시한 사시도이다. 8 is a perspective view schematically illustrating a film deposition assembly according to another embodiment of the present disclosure.
도 9는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 박막 증착 어셈블리를 개략적으로 도시한 사시도이다. Figure 9 is a perspective view schematically illustrating a film deposition assembly according to another embodiment of the present invention.
도 10은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 박막 증착 어셈블리를 개략적으로 도시한 사시도이다. 10 is a perspective view schematically illustrating a film deposition assembly according to another embodiment of the present invention.
도 11은 도 10의 박막 증착 어셈블리에서 증착원 노즐을 틸트시키지 아니하였을 때 기판에 증착된 증착막의 분포 형태를 개략적으로 나타내는 도면이다. 11 is a view schematically showing the distribution of the deposited film deposited on the substrate when no not tilt the deposition source nozzles in the thin film deposition assembly of FIG.
도 12는 도 10의 박막 증착 어셈블리에서 증착원 노즐을 틸트시켰을 때 기판에 증착된 증착막의 분포 형태를 개략적으로 나타내는 도면이다. 12 is a view schematically showing the distribution of the deposited film deposited on the substrate when the tilt sikyeoteul the deposition source nozzles in the thin film deposition assembly of FIG.
도 13은 본 발명의 박막 증착 장치를 이용하여 제조된 액티브 매트릭스형 유기 발광 표시 장치의 단면을 도시한 것이다. 13 shows a cross section of an active matrix type organic light emitting display device produced by using the film deposition apparatus of the present invention.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다. In more detail a preferred embodiment according to the present invention with reference to the accompanying drawings as follows.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 장치를 개략적으로 도시한 시스템 구성도이고, 도 2는 도 1의 변형예를 도시한 것이다. 1 is a configuration in which the system shows a film deposition apparatus according to an embodiment of the invention, and Fig 2 shows a modified example of FIG. 도 3은 정전척(600)의 일 예를 도시한 개략도이다. Figure 3 is a schematic diagram illustrating one example of the electrostatic chuck 600.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착 장치는 로딩부(710), 증착부(730), 언로딩부(720), 제1 순환부(610) 및 제2 순환부(620)를 포함한다. Unit 1, a film deposition apparatus according to an embodiment of the present invention, the loading section 710, the deposition unit 730 and unloading unit 720, the first circulation unit 610 and the second circulation ( 620) a.

로딩부(710)는 제1 래크(712)와, 도입로봇(714)과, 도입실(716)과, 제1 반전실(718)을 포함할 수 있다. The loading unit 710 may include a first rack 712, and introduced into the robot 714, and the introduction chamber 716, and a first inversion chamber 718.

제1 래크(712)에는 증착이 이루어지기 전의 기판(500)이 다수 적재되어 있고, 도입로봇(714)은 상기 제1 래크(712)로부터 기판(500)을 잡아 제2 순환부(620)로부터 이송되어 온 정전척(600)에 기판(500)을 얹은 후, 기판(500)이 부착된 정전척(600)을 도입실(716)로 옮긴다. From the first rack 712 has a substrate 500 prior to being deposited is achieved are numerous loading, introducing the robot 714 of the first holding a substrate 500 from the rack 712, the second circulation unit 620 after mounting the substrate 500 on the electrostatic chuck 600 that has been transported, the substrate 500 is transferred to a chamber (716) introduced the electrostatic chuck 600 with the attachment.

도입실(716)에 인접하게는 제1 반전실(718)이 구비되며, 제1 반전실(718)에 위치한 제1 반전 로봇(719)이 정전척(600)을 반전시켜 정전척(600)을 증착부(730)의 제1 순환부(610)에 장착한다. It is provided with the introduction chamber 716 adjacent to the first inversion chamber 718, the first inversion chamber 718, the first inversion robot 719, to the inverting the electrostatic chuck 600. The electrostatic chuck 600 is located on the to be mounted to the first circulation unit 610 of the deposition unit 730.

정전척(Electro Static Chuck, 600)은 도 3에서 볼 수 있듯이, 세라믹으로 구비된 본체(601)의 내부에 전원이 인가되는 전극(602)이 매립된 것으로, 이 전극(602)에 고전압이 인가됨으로써 본체(601)의 표면에 기판(500)을 부착시키는 것이다. The electrostatic chuck (Electro Static Chuck, 600) is, as shown in Figure 3, as the electrode which is powered in the interior of the main body 601 provided with a ceramic is 602 is buried, a high voltage to the electrode 602 is by attaching to the substrate 500 to the surface of the body 601.

도 1에서 볼 때, 도입 로봇(714)은 정전척(600)의 상면에 기판(500)을 얹게 되고, 이 상태에서 정전척(600)은 도입실(716)로 이송되며, 제1 반전 로봇(719)이 정전척(600)을 반전시킴에 따라 증착부(730)에서는 기판(500)이 아래를 향하도록 위치하게 된다. When also found on the first, introducing the robot 714 and lay the board 500 in the top surface of the electrostatic chuck 600, a chuck 600 in this state is transferred to the introduction chamber 716, the first inversion robot 719. the evaporation unit 730 in accordance with having to reverse the electrostatic chuck 600 is positioned face-down on the substrate 500.

언로딩부(720)의 구성은 위에서 설명한 로딩부(710)의 구성과 반대로 구성된다. Configuration of the unloading unit 720 is configured as opposed to the configuration of the loading unit 710 described above. 즉, 증착부(730)를 거친 기판(500) 및 정전척(600)을 제2 반전실(728)에서 제2 반전로봇(729)이 반전시켜 반출실(726)로 이송하고, 반출로봇(724)이 반출실(726)에서 기판(500) 및 정전척(600)을 꺼낸 다음 기판(500)을 정전척(600)에서 분리하여 제2 래크(722)에 적재한다. That is, the deposition unit 730, the rough substrate 500 and electrostatic chuck 600 in a second inversion chamber 728, the second inversion robot 729 the reversal and transfer to the passing chamber 726, the carry-out robot ( 724) is taken out to remove the substrate 500 and electrostatic chuck 600 in the passing chamber 726. the substrate 500 in the electrostatic chuck 600 to be mounted on the second rack (722). 기판(500)과 분리된 정전척(600)은 제2 순환부(620)를 통해 로딩부(710)로 회송된다. Substrate 500. The electrostatic chuck 600 separated is returned to the loading unit 710 via the second circulation unit 620.

그러나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 기판(500)이 정전척(600)에 최초 고정될 때부터 정전척(600)의 하면에 기판(500)을 고정시켜 그대로 증착부(730)로 이송시킬 수도 있다. However, the present invention is to be not limited to this, the substrate 500 is an electrostatic chuck 600, first when to secure the substrate 500, the deposition unit 730 as the electrostatic chuck 600 from when fixed to the It may be transferred. 이 경우, 예컨대 제1 반전실(718) 및 제1 반전로봇(719)과 제2 반전실(728) 및 제2 반전로봇(729)은 필요 없게 된다. In this case, for example, the first inversion chamber 718 and the first inversion robot 719 and the second inversion chamber 728 and the second inversion robot 729 are not necessary.

증착부(730)는 적어도 하나의 증착용 챔버를 구비한다. The deposition unit 730 includes at least one deposition chamber. 도 1에 따른 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따르면, 상기 증착부(730)는 제1 챔버(731)를 구비하며, 이 제1 챔버(731) 내에 복수의 박막 증착 어셈블리들(100)(200)(300)(400)이 배치된다. Fig. According to a preferred embodiment of the present invention according to the first, the evaporation unit 730 is first provided with a chamber 731, a first plurality of thin film deposition assembly in the first chamber (731) 100 (200 ) 300, 400 are disposed. 도 1에 도시된 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따르면, 상기 제1 챔버(731) 내에 제1박막 증착 어셈블리(100), 제2박막 증착 어셈블리(200), 제3박막 증착 어셈블리(300) 및 제4박막 증착 어셈블리(400)의 네 개의 박막 증착 어셈블리들이 설치되어 있으나, 그 숫자는 증착 물질 및 증착 조건에 따라 가변 가능하다. According to a preferred embodiment of the present invention shown in Figure 1, the first chamber 731, a first thin film deposition assembly 100 in the second thin film deposition assembly 200, the third thin film deposition assembly 300, and 4, but the four thin film deposition assembly of the thin film deposition assembly 400 are installed, the number can vary depending on the deposition material and the deposition conditions. 상기 제1 챔버(731)는 증착이 진행되는 동안 진공으로 유지된다. The first chamber 731 is maintained at a vacuum during the deposition is in progress.

또한, 도 2에 따른 본 발명의 다른 일 실시예에 따르면 상기 증착부(730)는 서로 연계된 제1 챔버(731) 및 제2 챔버(732)를 포함하고, 제1 챔버(731)에는 제1,2 박막 증착 어셈블리들(100)(200)이, 제2 챔버(732)에는 제3,4 박막 증착 어셈블리들(300)(400)이 배치될 수 있다. Further, Fig. According to another embodiment of the invention according to the second the deposition unit 730 includes a first chamber 731 and the second includes a chamber 732, the first chamber 731 in conjunction with each other, the 1 and 2 of thin film deposition assemblies 100, 200, second chamber 732, there may be third and fourth thin film deposition assemblies 300, 400 are disposed. 이때, 챔버의 수가 추가될 수 있음은 물론이다. In this case, it is understood that the number of chambers can be added.

한편, 도 1에 따른 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따르면, 상기 기판(500)이 고정된 정전척(600)은 제1 순환부(610)에 의해 적어도 증착부(730)로, 바람직하게는 상기 로딩부(710), 증착부(730) 및 언로딩부(720)로 순차 이동되고, 상기 언로딩부(720)에서 기판(500)과 분리된 정전척(600)은 제2 순환부(620)에 의해 상기 로딩부(710)로 환송된다. On the other hand, according to an embodiment of the present invention according to Figure 1, the electrostatic chuck 600. The substrate 500 is fixed is is to, preferably in at least the deposition unit 730 by the first circulation unit 610 the loading unit 710, the deposition unit 730 and unloading are sequentially moved to the loading unit 720, separate from the substrate 500 from the unloading unit 720. the electrostatic chuck 600 includes a second circulation unit ( by 620) it is farewell to the loading section (710).

상기 제1 순환부(610)는 상기 증착부(730)를 통과할 때에 상기 제1 챔버(731)를 관통하도록 구비되고, 상기 제2 순환부(620)는 정전 척이 이송되도록 구비된다. The first circulation unit 610 is provided so as to extend through the first chamber 731 when passing through the deposition unit 730, the second circulation unit 620 is provided so that the transport chuck.

다음으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착 장치의 박막 증착 어셈블리(100)를 설명한다. Next, the thin film deposition assembly 100 of the film deposition apparatus according to an embodiment of the present invention. 도 4는 도 1의 박막 증착 장치의 박막 증착 어셈블리를 개략적으로 도시한 사시도이고, 도 5는 도 4의 박막 증착 어셈블리의 개략적인 측단면도이고, 도 6은 도 4의 박막 증착 어셈블리의 개략적인 평단면도이다. Figure 4 is a schematic flat of the thin film deposition assembly of FIG. 1 in a perspective view schematically illustrating a film deposition assembly of the film deposition apparatus, Fig. 5 is a schematic sectional side view of the thin film deposition assembly of Figure 4, Figure 6 is a 4 a cross-sectional view.

도 4 내지 도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 어셈블리(100)는 증착원(110), 증착원 노즐부(120), 차단판 어셈블리(130), 패터닝 슬릿 시트(150) 및 바라트론 게이지(baratron gauge)(170)를 포함한다. 4 when to 6, the thin film deposition assembly 100 according to one embodiment of the present invention, the evaporation source 110, a deposition source nozzle unit 120, the shield plate assembly 130, the patterning slit sheet (150 ) and at Athlone gauge (including baratron gauge) (170).

여기서, 도 4 내지 도 6에는 설명의 편의를 위해 챔버를 도시하지 않았지만, 도 4 내지 도 6의 모든 구성은 적절한 진공도가 유지되는 챔버 내에 배치되는 것이 바람직하다. Here, Figs. 4 to 6 although not shown the chamber for ease of explanation, all the configuration of Figure 4 to 6 are preferably disposed in the chamber an appropriate degree of vacuum maintained. 이는 증착 물질의 직진성을 확보하기 위함이다. This is to ensure the straightness of the deposition material.

상세히, 증착원(110)에서 방출된 증착 물질(115)이 증착원 노즐부(120) 및 패터닝 슬릿 시트(150)를 통과하여 기판(500)에 원하는 패턴으로 증착되게 하려면, 기본적으로 챔버(미도시) 내부는 고진공 상태를 유지해야 한다. In detail, the evaporation source 110, a deposition material 115, the deposition source nozzle unit 120 and the pattern passes through the slit sheet 150 to be deposited in the desired pattern on the substrate 500 discharged from, basically, the chamber (not shown City) inside shall maintain a high vacuum state. 또한 차단판 어셈블리(130) 및 패터닝 슬릿 시트(150)의 온도가 증착원(110) 온도보다 충분히 낮아야(약 100°이하) 증착원 노즐부(120)와 패터닝 슬릿 시트(150) 사이의 공간을 고진공 상태로 유지할 수 있다. In addition, the space between the barrier plate assembly 130 and the patterning slit sheet 150, the temperature must be low enough than the evaporation source 110, a temperature of (about 100 ° or less), an evaporation source nozzle unit 120 and the patterning slit sheet 150, It can be maintained in a high vacuum state. 이와 같이, 차단판 어셈블리(130)와 패터닝 슬릿 시트(150)의 온도가 충분히 낮으면, 원하지 않는 방향으로 방사되는 증착 물질(115)은 모두 차단판 어셈블리(130) 면에 흡착되어서 고진공을 유지할 수 있기 때문에, 증착 물질 간의 충돌이 발생하지 않아서 증착 물질의 직진성을 확보할 수 있게 되는 것이다. Thus, the shield plate assembly 130 and the temperature of the patterning slit sheet 150 is low enough, the deposition material to be emitted to unwanted directions 115 both shield plate assembly 130 be adsorbed on the surface can maintain a high vacuum since, because a collision between the deposited material does not occur it is possible to ensure the straightness of the deposition material. 이때 차단판 어셈블리(130)는 고온의 증착원(110)을 향하고 있고, 증착원(110)과 가까운 곳은 최대 167° 가량 온도가 상승하기 때문에, 필요할 경우 부분 냉각 장치(미도시)가 더 구비될 수 있다. The barrier plate assembly 130 and face the evaporation source 110 of high temperature, the evaporation source 110 and close to the further provided, part of the cooling device (not shown) if necessary, because it increases up to 167 ° about the temperature It can be.

이러한 챔버 내에는 피 증착체인 기판(500)이 정전척(600)에 의해 이송된다. Within this chamber are deposited chains substrate 500 P is conveyed by the electrostatic chuck (600). 상기 기판(500)은 평판 표시 장치용 기판이 될 수 있는 데, 다수의 평판 표시 장치를 형성할 수 있는 마더 글라스(mother glass)와 같은 대면적 기판이 적용될 수 있다. The substrate 500 can be subject to a large area substrate, such as a flat panel display device to which can be a substrate for, a mother glass (mother glass) capable of forming a plurality of flat panel display devices.

여기서, 본 발명의 일 실시예에서는, 기판(500)이 박막 증착 어셈블리(100)에 대하여 상대적으로 이동하는데, 바람직하게는 박막 증착 어셈블리(100)에 대하여 기판(500)이 화살표 A 방향으로 이동하도록 할 수 있다. Here, in one embodiment of the present invention, substrate 500 is in relative motion with respect to the thin film deposition assembly 100, preferably, the substrate 500 with respect to the thin film deposition assembly 100 is to move in the direction of arrow A can do.

상세히, 기존 FMM 증착 방법에서는 마스크의 크기가 기판 크기와 동일하거나 이보다 커야 했다. In detail, in the conventional FMM deposition method, the size of the mask was the same as the substrate size, or be greater than this. 따라서, 기판 사이즈가 증가할수록 마스크도 대형화되어야 하며, 따라서 이러한 대형의 마스크의 제작이 용이하지 않고, 마스크를 인장하여 정밀한 패턴으로 얼라인(align) 하기도 용이하지 않다는 문제점이 존재하였다. Thus, with increasing the substrate size to be larger also it masks, and therefore not easy to manufacture a mask of such a large, this algorithm is also not easy alignment (align) the fine pattern by the tension mask was present.

이와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 어셈블리(100)는, 박막 증착 어셈블리(100)와 기판(500)이 서로 상대적으로 이동하면서 증착이 이루어지는 것을 일 특징으로 한다. In order to solve this problem, the thin film deposition assembly 100 according to one embodiment of the present invention is that the thin film deposition assembly 100 and the substrate 500 is relatively deposition is made by moving to each other in one aspect. 다시 말하면, 박막 증착 어셈블리(100)와 마주보도록 배치된 기판(500)이 Y축 방향을 따라 이동하면서 연속적으로 증착을 수행하게 된다. In other words, it is successively performed by moving the deposition disposed so as to face the thin film deposition assembly 100, the substrate 500 along the Y-axis direction. 즉, 기판(500)이 도 4의 화살표 A 방향으로 이동하면서 스캐닝(scanning) 방식으로 증착이 수행되는 것이다. In other words, the substrate 500 is moved in the direction of arrow A of Figure 4 and the deposition is performed by scanning (scanning) scheme. 여기서, 도면에는 기판(500)이 챔버(미도시) 내에서 Y축 방향으로 이동하면서 증착이 이루어지는 것으로 도시되어 있으나, 본 발명의 사상은 이에 제한되지 아니하며, 기판(500)은 고정되어 있고 박막 증착 어셈블리(100) 자체가 Y축 방향으로 이동하면서 증착을 수행하는 것도 가능하다 할 것이다. Here, the drawings are illustrated to be deposited is made by moving the Y-axis direction in the substrate 500, a chamber (not shown), shall not features of the present invention is limited to this, and the substrate 500 are fixed and the film deposition assembly 100 will itself is also possible to perform deposition while moving in the Y-axis direction.

따라서, 본 발명의 박막 증착 어셈블리(100)에서는 종래의 FMM에 비하여 훨씬 작게 패터닝 슬릿 시트(150)를 만들 수 있다. Therefore, in the thin film deposition assembly 100 of the present invention can be made much smaller patterning slit sheet 150 as compared to the conventional FMM. 즉, 본 발명의 박막 증착 어셈블리(100)의 경우, 기판(500)이 Y축 방향을 따라 이동하면서 연속적으로, 즉 스캐닝(scanning) 방식으로 증착을 수행하기 때문에, 패터닝 슬릿 시트(150)의 X축 방향으로의 폭과 기판(500)의 X축 방향으로의 폭만 실질적으로 동일하게 형성되면, 패터닝 슬릿 시트(150)의 Y축 방향의 길이는 기판(500)의 길이보다 훨씬 작게 형성되어도 무방하게 된다. That is, in the case of the thin film deposition assembly 100 according to the present invention, the substrate 500 is continuously moving along the Y-axis direction, that is, to carry out the deposition in the scanning (scanning) scheme, X of the patterning slit sheet 150, If only the width of the shaft in the X-axis direction of the width of the substrate 500 in a direction substantially identically formed, the length in the Y-axis direction of the patterning slit sheet 150 may be may be formed much smaller than the length of the substrate 500 do. 물론, 패터닝 슬릿 시트(150)의 X축 방향으로의 폭이 기판(500)의 X축 방향으로의 폭보다 작게 형성되더라도, 기판(500)과 박막 증착 어셈블리(100)의 상대적 이동에 의한 스캐닝 방식에 의해 충분히 기판(500) 전체에 대하여 증착을 할 수 있게 된다. Of course, the patterning slit sheet (150) X-axis, even if forming a width in a direction smaller than the width in the X axis direction of the substrate 500, the substrate 500 and the thin film deposition assembly scanning scheme by a relative movement of 100 of enough to be able to make the deposition with respect to the entire substrate 500 by the.

이와 같이, 종래의 FMM에 비하여 훨씬 작게 패터닝 슬릿 시트(150)를 만들 수 있기 때문에, 본 발명의 패터닝 슬릿 시트(150)는 그 제조가 용이하다. Thus, it is possible to create a much smaller patterning slit sheet 150 compared to a conventional FMM, the patterning slit sheet 150 of the present invention, it is easy for manufacturing. 즉, 패터닝 슬릿 시트(150)의 에칭 작업이나, 그 이후의 정밀 인장 및 용접 작업, 이동 및 세정 작업 등 모든 공정에서, 작은 크기의 패터닝 슬릿 시트(150)가 FMM 증착 방법에 비해 유리하다. That is, the etching operation or the patterning slit sheet 150, which is advantageous compared to the subsequent tensioning and precision welding, moving, and cleaning operation, etc. In any process, the patterning slit sheet 150, the FMM deposition method of a small size. 또한, 이는 디스플레이 장치가 대형화될수록 더욱 유리하게 된다. Further, it is more advantageous the more large-sized display device.

이와 같이, 박막 증착 어셈블리(100)와 기판(500)이 서로 상대적으로 이동하면서 증착이 이루어지기 위해서는, 박막 증착 어셈블리(100)와 기판(500)이 일정 정도 이격되는 것이 바람직하다. Thus, the order to be deposited is made as a thin film deposition assembly 100 and the substrate 500 are moved relative to each other, it is preferable that the thin film deposition assembly 100 and the substrate 500 are spaced a certain degree. 이에 대하여는 뒤에서 상세히 기술하기로 한다. This respect will be described in detail later.

한편, 챔버 내에서 상기 기판(500)과 대향하는 측에는, 증착 물질(115)이 수납 및 가열되는 증착원(110)이 배치된다. On the other hand, when the evaporation source 110, which is the side of the deposition material 115 is housed, and heating to face the substrate 500 is disposed in the chamber.

상기 증착원(110)은 그 내부에 증착 물질(115)이 채워지는 도가니(112)와, 이 도가니(112)를 둘러싸는 냉각 블록(111)이 구비된다. The evaporation source 110 is a deposition material 115 is filled in the crucible 112 and, surrounding the crucible (112) therein is provided with a cooling block 111. 냉각 블록(111)은 도가니(112)로부터의 열이 외부, 즉, 챔버 내부로 발산되는 것을 최대한 억제하기 위한 것으로, 이 냉각 블록(111)에는 도가니(111)를 가열시키는 히터(미도시)가 포함되어 있다. The external heat from the cooling block 111 is a crucible (112), that is, as to suppress as much as possible from being emitted into the chamber, the cooling block 111 has a heater (not shown) for heating the crucible 111 It is included.

증착원(110)의 일 측에는 바라트론 게이지(baratron gauge)(170)가 더 구비된다. One at Tron gauge (baratron gauge) (170) side of the evaporation source 110 is further provided. 이와 같은 바라트론 게이지(baratron gauge)(170)는 증착원(110) 내부의 압력을 측정하여 증착 물질(115)의 증발률을 제어하는 것을 일 특징으로 하는바, 이에 대하여는 뒤에서 상세히 기술하기로 한다. The at Tron gauge (baratron gauge) (170), such is to fully described later with respect thereto bar, according to claim one to control the evaporation rate of the deposition material 115 is to measure the internal evaporation source 110. Pressure .

증착원(110)의 일 측, 상세하게는 증착원(110)에서 기판(500)을 향하는 측에는 증착원 노즐부(120)가 배치된다. One side of the deposition source 110, and specifically, the deposition source nozzle unit 120 towards the side of the substrate 500 from the deposition source 110 is disposed. 그리고, 증착원 노즐부(120)에는, X축 방향을 따라서 복수 개의 증착원 노즐(121)들이 형성된다. Then, the deposition source nozzle unit 120 has a plurality of deposition source nozzles 121 are formed along the X-axis direction. 여기서, 상기 복수 개의 증착원 노즐(121)들은 등 간격으로 형성될 수 있다. Here, the plurality of deposition source nozzles 121 may be formed at equal intervals. 증착원(110) 내에서 기화된 증착 물질(115)은 이와 같은 증착원 노즐부(120)의 증착원 노즐(121)들을 통과하여 피 증착체인 기판(500) 쪽으로 향하게 되는 것이다. The deposition material 115 is vaporized in the deposition source 110 is to be In the same pass through the deposition source nozzles 121 of the deposition source nozzle unit (120) facing towards the vapor-deposited substrate chain 500.

증착원 노즐부(120)의 일 측에는 차단판 어셈블리(130)가 구비된다. One side of the deposition source nozzle unit 120 is provided with a shield plate assembly 130. 상기 차단판 어셈블리(130)는 복수 개의 차단판(131)들과, 차단판(131)들 외측에 구비되는 차단판 프레임(132)을 포함한다. And the shield plate assembly 130 includes a shield plate frame 132 which is provided on the outside of a plurality of blocking plates 131 and the blocking plate 131. 상기 복수 개의 차단판(131)들은 X축 방향을 따라서 서로 나란하게 배치될 수 있다. The plurality of blocking plates 131 may be arranged in parallel to each other along the X-axis direction. 여기서, 상기 복수 개의 차단판(131)들은 등 간격으로 형성될 수 있다. Here, the plurality of blocking plates 131 may be formed at equal intervals. 또한, 각각의 차단판(131)들은 도면에서 보았을 때 YZ평면을 따라 연장되어 있고, 바람직하게는 직사각형으로 구비될 수 있다. In addition, each of the blocking plate 131 are, as seen from the figure and extends in the YZ plane, and preferably can be made is provided with a rectangular shape. 이와 같이 배치된 복수 개의 차단판(131)들은 증착원 노즐부(120)와 패터닝 슬릿(150) 사이의 공간을 복수 개의 증착 공간(S)으로 구획한다. Thus arranged plurality of blocking plate 131 must divide the space between the deposition source nozzle unit 120 and the patterning slit 150, a plurality of deposition spaces (S). 즉, 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 어셈블리(100)는 상기 차단판(131)들에 의하여, 도 6에서 볼 수 있듯이, 증착 물질이 분사되는 각각의 증착원 노즐(121) 별로 증착 공간(S)이 분리된다. That is, the thin film deposition assembly 100 according to one embodiment of the present invention is deposited by each of the evaporation source nozzle 121 which, as shown in Figure 6 by the above shielding plate 131, and, the deposited material injection space the (S) is separated.

여기서, 각각의 차단판(131)들은 서로 이웃하고 있는 증착원 노즐(121)들 사이에 배치될 수 있다. Here, each of the blocking plates 131 may be disposed between the deposition source nozzles 121 that are adjacent to each other. 이는 다시 말하면, 서로 이웃하고 있는 차단판(131)들 사이에 하나의 증착원 노즐(121)이 배치되는 것이다. This is in other words, a deposition source nozzle 121 is disposed between the blocking plate 131, which neighbor each other. 바람직하게, 증착원 노즐(121)은 서로 이웃하고 있는 차단판(131) 사이의 정 중앙에 위치할 수 있다. Preferably, the deposition source nozzles 121 may be located between the center of the shield plate 131, which neighbor each other. 그러나 본 발명은 반드시 이에 한정되지 않으며, 서로 이웃하고 있는 차단판(131)들 사이에 복수의 증착원 노즐(121)이 배치하여도 무방하다. However, the present invention be not limited thereto, but may be a plurality of deposition source nozzles 121, disposed between the blocking plate 131, which neighbor each other. 다만, 이 경우에도 복수의 증착원 노즐(121)들이 서로 이웃하고 있는 차단판(131) 사이의 정 중앙에 위치하도록 하는 것이 바람직하다. However, it is preferable that a plurality of deposition source nozzles 121, even if that is positioned in the center of the block between the plate 131, which neighbor each other.

이와 같이, 차단판(131)이 증착원 노즐부(120)와 패터닝 슬릿 시트(150) 사이의 공간을 복수 개의 증착 공간(S)으로 구획함으로써, 하나의 증착원 노즐(121)로부터 배출되는 증착 물질은 다른 증착원 노즐(121)로부터 배출된 증착 물질들과 혼합되지 않고, 패터닝 슬릿(151)을 통과하여 기판(500)에 증착되는 것이다. In this way, the blocking plate 131 by the partition a space between the deposition source nozzle unit 120 and the patterning slit sheet 150 into a plurality of deposition spaces (S), the deposition is discharged from a vapor deposition source nozzle 121 material is deposited on the other deposition source nozzles 121, the substrate 500 without being mixed with the discharged deposition material passes through the patterning slits 151 from. 즉, 상기 차단판(131)들은 각 증착원 노즐(121)을 통해 배출되는 증착 물질이 분산되지 않고 Y축 방향으로 직진하도록 증착 물질의 이동 경로를 가이드 하는 역할을 수행한다. That is, the blocking plate 131 are serves to guide a movement path of the deposition material so as to linearly in the Y-axis direction without being dispersed the deposited material is discharged through each of the deposition source nozzles 121.

이와 같이, 차단판(131)들을 구비하여 증착 물질의 직진성을 확보함으로써, 기판에 형성되는 음영(shadow)의 크기를 대폭적으로 줄일 수 있으며, 따라서 박막 증착 어셈블리(100)와 기판(500)을 일정 정도 이격시키는 것이 가능해진다. Thus, blocking By having the plates 131 to secure the straightness of the deposition material, it is possible to reduce the size of the shadow (shadow) formed on the substrate in a significantly, and therefore a constant film deposition assembly 100 and the substrate 500 which enables the degree spacing. 이에 대하여는 뒤에서 상세히 기술하기로 한다. This respect will be described in detail later.

한편, 상기 복수 개의 차단판(131)들의 외측으로는 차단판 프레임(132)이 더 구비될 수 있다. On the other hand, to the outside of the plurality of blocking plates 131 may shield plate frame 132 can be further provided. 차단판 프레임(132)은, 복수 개의 차단판(131)들의 측면에 각각 구비되어, 복수 개의 차단판(131)들의 위치를 고정하는 동시에, 증착원 노즐(121)을 통해 배출되는 증착 물질이 Y축 방향으로 분산되지 않도록 증착 물질의 Y축 방향의 이동 경로를 가이드 하는 역할을 수행한다. Shield plate frame 132, are respectively provided on the side of the plurality of blocking plates 131, at the same time to fix the position of the plurality of blocking plate 131, a deposition material discharged through the deposition source nozzles (121) Y shaft serves to guide a movement path of the Y-axis direction of the deposition material from being distributed in the direction.

상기 증착원 노즐부(120)와 차단판 어셈블리(130)는 일정 정도 이격된 것이 바람직하다. The deposition source nozzle unit 120 and the barrier plate assembly 130 are preferably spaced a certain degree. 이에 따라, 증착원(110)으로부터 발산되는 열이 차단판 어셈블리(130)에 전도되는 것을 방지할 수 있다. Accordingly, it is possible to prevent the heat dissipation from the evaporation source 110 is conducted to the barrier plate assembly 130. 그러나, 본 발명의 사상은 이에 제한되지 아니한다. However, the concept of the present invention is not limited to this. 즉, 증착원 노즐부(120)와 차단판 어셈블리(130) 사이에 적절한 단열 수단이 구비될 경우 증착원 노즐부(120)와 차단판 어셈블리(130)가 결합하여 접촉할 수도 있을 것이다. That is, the evaporation source would also be in contact together, the deposition source nozzle unit 120 and the barrier plate assembly 130, if provided with a proper heat insulating means between the nozzle unit 120 and the barrier plate assembly 130.

한편, 상기 차단판 어셈블리(130)는 박막 증착 어셈블리(100)로부터 착탈 가능하도록 형성될 수 있다. On the other hand, the shield plate assembly 130 may be formed to be detachable from the thin film deposition assembly 100. 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 어셈블리(100)에서는 차단판 어셈블리(130)를 이용하여 증착 공간을 외부 공간과 분리하였기 때문에, 기판(500)에 증착되지 않은 증착 물질은 대부분 차단판 어셈블리(130) 내에 증착된다. In the thin film deposition assembly 100 according to one embodiment of the invention blocked by the plate assembly 130 because it separated from the external space, the evaporation space, the deposited material is not deposited on the substrate 500 is mostly blocked plate assembly ( 130) is deposited in the. 따라서, 차단판 어셈블리(130)를 박막 증착 어셈블리(100)로부터 착탈가능하도록 형성하여, 장시간 증착 후 차단판 어셈블리(130)에 증착 물질이 많이 쌓이게 되면, 차단판 어셈블리(130)를 박막 증착 어셈블리(100)로부터 분리하여 별도의 증착 물질 재활용 장치에 넣어서 증착 물질을 회수할 수 있다. Accordingly, the shielding plate is formed so as to detachably the assembly 130 from the thin film deposition assembly 100, if left to build up a lot of deposited material on after a long period of time deposition shield plate assembly 130, the shield plate assembly to the thin film deposition assembly 130 ( isolated from 100) can be recovered in the evaporation material put in a separate deposition material recycling apparatus. 이와 같은 구성을 통하여, 증착 물질 재활용률을 높임으로써 증착 효율이 향상되고 제조 비용이 절감되는 효과를 얻을 수 있다. Thus through such a configuration, it is possible to obtain an effect that the evaporation efficiency is improved by increasing the deposition material recycling rate and reducing the production cost.

한편, 증착원(110)과 기판(500) 사이에는 패터닝 슬릿 시트(150) 및 프레임(155)이 더 구비된다. On the other hand, between the evaporation source 110 and the substrate 500, the patterning slit sheet 150 and a frame 155 are further provided. 상기 프레임(155)은 대략 창문 틀과 같은 형태로 형성되며, 그 내측에 패터닝 슬릿 시트(150)가 결합된다. The frame 155 is substantially formed in the shape such as a window frame, the patterning slit sheet 150 is coupled to its inside. 그리고, 패터닝 슬릿 시트(150)에는 X축 방향을 따라서 복수 개의 패터닝 슬릿(151)들이 형성된다. Then, the patterning slit sheet 150 includes a plurality of patterning slits 151 are formed along the X-axis direction. 각 패터닝 슬릿(151)들은 Y축 방향을 따라 연장되어 있다. Each of the patterning slits 151 may extend along the Y-axis direction. 증착원(110) 내에서 기화되어 증착원 노즐(121)을 통과한 증착 물질(115)은 패터닝 슬릿(151)들을 통과하여 피 증착체인 기판(500) 쪽으로 향하게 된다. Deposition source 110 is vaporized in the deposition that has passed through the deposition source nozzle 121, material 115 is directed toward the deposit chain substrate 500 through the patterning slits 151.

상기 패터닝 슬릿 시트(150)는 금속 박판으로 형성되고, 인장된 상태에서 프레임(155)에 고정된다. The patterning slit sheet 150 is formed of a thin metal plate, and is fixed to the frame 155 in the stretched state. 상기 패터닝 슬릿(151)은 스트라이프 타입(stripe type)으로 패터닝 슬릿 시트(150)에 에칭을 통해 형성된다. The patterning slits 151 are formed through etching in the patterning slit sheet 150 in a stripe type (stripe type).

여기서, 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 어셈블리(100)는 증착원 노즐(121)들의 총 개수보다 패터닝 슬릿(151)들의 총 개수가 더 많게 형성된다. Here, the thin film deposition assembly 100 according to one embodiment of the present invention is formed of a lot more the total number of patterning slits 151 than the total number of deposition source nozzles 121. 또한, 서로 이웃하고 있는 두 개의 차단판(131) 사이에 배치된 증착원 노즐(121)의 개수보다 패터닝 슬릿(151)들의 개수가 더 많게 형성된다. Also, to form the number of patterning slits 151 than the number of deposition source nozzles 121 disposed between two shielding plate 131 that are adjacent to each other a lot more. 상기 패터닝 슬릿(151)의 개수는 기판(500)에 형성될 증착 패턴의 개수에 대응되도록 하는 것이 바람직하다. The number of the patterning slits 151 are preferably so as to correspond to the number of deposition patterns to be formed on the substrate 500.

한편, 상술한 차단판 어셈블리(130)와 패터닝 슬릿 시트(150)는 서로 일정 정도 이격되도록 형성될 수 있으며, 차단판 어셈블리(130)와 패터닝 슬릿 시트(150)는 별도의 연결 부재(135)에 의하여 서로 연결될 수 있다. On the other hand, the above-described shield plate assembly 130 and the patterning slit sheet 150 may be formed to each other to some extent apart, blocking plate assembly 130 and the patterning slit sheet 150 is a separate connecting member 135 by may be connected to each other. 상세히, 고온 상태의 증착원(110)에 의해 차단판 어셈블리(130)의 온도는 최대 100℃ 이상 상승하기 때문에, 상승된 차단판 어셈블리(130)의 온도가 패터닝 슬릿 시트(150)로 전도되지 않도록 차단판 어셈블리(130)와 패터닝 슬릿 시트(150)를 일정 정도 이격시키는 것이다. In detail, the temperature of the shield plate assembly 130 by deposition source 110, a high-temperature state due to rise up to above 100 ℃, from being conducted to the patterning slit sheet 150, the temperature of the raised blocking plate assembly 130 the shield plate assembly 130 and the patterning slit sheet 150 is to some degree apart.

상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 어셈블리(100)는 기판(500)에 대하여 상대적으로 이동하면서 증착을 수행하며, 이와 같이 박막 증착 어셈블리(100)가 기판(500)에 대하여 상대적으로 이동하기 위해서 패터닝 슬릿 시트(150)는 기판(500)으로부터 일정 정도 이격되도록 형성된다. As described above, the thin film deposition assembly 100 according to one embodiment of the present invention with respect to the while relative movement performs a deposition, thus the thin film deposition assembly 100, the substrate 500 to the substrate 500, in order to relatively move to the patterning slit sheet 150 it is formed to some extent away from the substrate 500. 그리고, 패터닝 슬릿 시트(150)와 기판(500)을 이격시킬 경우 발생하는 음영(shadow) 문제를 해결하기 위하여, 증착원 노즐부(120)와 패터닝 슬릿 시트(150) 사이에 차단판(131)들을 구비하여 증착 물질의 직진성을 확보함으로써, 기판에 형성되는 음영(shadow)의 크기를 대폭적으로 감소시킨 것이다. Then, the patterning slit sheet blocking plate 131, between 150 and occurs when to separate the substrate 500 shade (shadow) in order to correct the problem, the deposition source nozzle unit 120 and the patterning slit sheet 150, which by securing the straightness of the deposition material, which would greatly reduce the size of the shadow (shadow) formed on the substrate having.

종래의 FMM 증착 방법에서는 기판에 음영(shadow)이 생기지 않도록 하기 위하여 기판에 마스크를 밀착시켜서 증착 공정을 진행하였다. In the conventional FMM deposition method, the deposition process was carried out by close contact with the mask on the substrate in order to prevent the shade (shadow) occur on the substrate. 그러나, 이와 같이 기판에 마스크를 밀착시킬 경우, 기판과 마스크 간의 접촉에 의해 기판에 이미 형성되어 있던 패턴들이 긁히는 등 불량 문제가 발생한다는 문제점이 존재하였다. However, a problem that when this way to close the mask to the substrate, such as a bad problem that the pattern that has been formed on the substrate by the contact between the substrate and the mask scratching occurs was observed. 또한, 마스크를 기판에 대하여 이동시킬 수 없기 때문에, 마스크가 기판과 동일한 크기로 형성되어야 한다. In addition, because it can not be moved relative to the mask substrate, the mask should be formed of the same size as the substrate. 따라서, 디스플레이 장치가 대형화됨에 따라 마스크의 크기도 커져야 하는데, 이와 같은 대형 마스크를 형성하는 것이 용이하지 아니하다는 문제점이 존재하였다. Thus, keojyeoya to the size of the mask as the display device is enlarged, a problem that it is not easy to form such a large mask was present.

이와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 어셈블리(100)에서는 패터닝 슬릿 시트(150)가 피 증착체인 기판(500)과 소정 간격을 두고 이격되도록 배치되도록 한다. In order to solve the problems, in the thin film deposition assembly 100 according to one embodiment of the present invention so that the patterning slit sheet 150 is disposed so as to be spaced by a chain-deposited substrate 500 with a predetermined interval. 이것은 차단판(131)을 구비하여, 기판(500)에 생성되는 음영(shadow)이 작아지게 됨으로써 실현 가능해진다. It is possible realized by shade (shadow) is generated by a block provided with a plate 131, the substrate 500 is reduced.

이와 같은 본 발명에 의해서 패터닝 슬릿 시트를 기판보다 작게 형성한 후, 이 패터닝 슬릿 시트가 기판에 대하여 상대 이동되도록 함으로써, 종래 FMM 방법과 같이 큰 마스크를 제작해야 할 필요가 없게 된 것이다. This was smaller than the substrate, the patterning slit sheet by the present invention, the patterning slit sheet is such that by a relative movement with respect to the substrate, to prevent the need to manufacture a large FMM mask as in the prior method. 또한, 기판과 패터닝 슬릿 시트 사이가 이격되어 있기 때문에, 상호 접촉에 의한 불량을 방지하는 효과를 얻을 수 있다. In addition, because the spacing between the substrate and the patterning slit sheet, it is possible to obtain the effect of preventing the failure due to contact with each other. 또한, 공정에서 기판과 패터닝 슬릿 시트를 밀착시키는 시간이 불필요해지기 때문에, 제조 속도가 향상되는 효과를 얻을 수 있다. In addition, since it requires no time to contact the substrate and the patterning slit sheet in the process, it is possible to obtain the effect of the production rate is improved.

여기서, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착 어셈블리(100)는 증착원(110)의 일 측에 바라트론 게이지(baratron gauge)(170)가 더 구비되는 것을 일 특징으로 한다. Here, the thin film deposition assembly 100 according to one embodiment of the present invention is characterized in that one torch at the one side of the deposition source 110, the gauge is further provided (baratron gauge) (170).

상세히, 종래의 박막 증착 장치에서는 증착 물질의 증발률을 측정하기 위하여 크리스털 센서(Crystal sensor)가 사용되는 것이 일반적이었다. In detail, it is common that the crystal sensor (Crystal sensor) to the conventional film deposition apparatus to measure the evaporation rate of the deposition material is used. 그리고, 이렇게 측정된 증발률을 제어하여 기판상에 증착되는 박막의 두께를 제어하였다. And, by controlling the evaporation rate it was controlled so the measured thickness of the thin film deposited on the substrate. 그런데, 이와 같이 크리스털 센서(Crystal sensor)를 사용하여 증착 물질의 증발률을 측정할 경우, 크리스털 센서(Crystal sensor)에 증착 물질이 쌓임에 따라 크리스털 센서(Crystal sensor)의 감도가 변화되어, 실제 성막율과 센서에서 측정되는 성막율간에 차이가 발생한다는 문제점이 존재하였다. By the way, In this manner, if using a crystal sensor (Crystal sensor) to measure the evaporation rate of the deposition material, the sensitivity of the crystal sensor (Crystal sensor) change according to the deposited material accumulation on the crystal sensor (Crystal sensor), the actual film-forming a problem that a difference occurs between the film formation rate, measured in rate and the sensor was observed.

이를 해결하기 위하여 증착원 내부의 압력을 측정하여 증착 물질의 증발률을 측정하는 방법이 개발되었다. The method for measuring the evaporation rate of the evaporation material by measuring the pressure in the evaporation source was developed to solve this problem. 이때, 가열된 필라멘트와 압력측정기 몸체 사이의 압력에 따른 열전도를 측정하는 피라니 게이지(pirani gage)가 사용되었다. At this time, the Raney for measuring the thermal conductivity of the pressure between the heated filament and the blood pressure gauge body that gauge (pirani gage) was used. 그러나 이와 같이 피라니 게이지(pirani gage)를 사용할 경우, 필라멘트와 압력측정기 몸체에 유기물 증기가 응축되는 것을 방지하기 위하여, 증착원 내부의 온도를 증착 물질의 응축 온도보다 높게 유지하여야 하나, 증착 물질을 이루는 유기물의 경우 재료의 특성이 취약하여 가열된 필라멘트에 의해 유기물이 변성될 수 있다는 문제점이 존재하였다. However, this way avoiding Raney gauge when using the (pirani gage), to prevent the organic material vapor condensation on the filament and the pressure meter body, one should keep the internal temperature of the evaporation source above the condensation temperature of the vapor deposition material, the deposition material in the case of forming organic material is a problem that the characteristics of the material can be a weak organic modified by the heated filaments were present. 한편, 이와 같은 변성을 방지하기 위하여 필라멘트의 온도를 낮추는 경우, 압력측정기 몸체와 필라멘트 간의 온도 차이가 감소하여 열전도가 감소하게 되고, 이는 센서의 감도 저하를 야기한다는 문제점이 존재하였다. On the other hand, in this case in order to prevent such modified to lower the temperature of the filaments, and the heat conduction is reduced as the temperature difference between a pressure measuring instrument body and the filament decreases, which was a problem that there is caused a decrease of the sensor sensitivity.

이와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착 어셈블리(100)는 압력 측정 부재로써 바라트론 게이지(baratron gage)를 구비함으로써, 증착원 내부 압력을 유기물인 증착 물질의 변성 없이 측정 가능하도록 한 것을 일 특징으로 한다. In order to solve this problem, the film deposition according to one embodiment of the present invention, assembly 100 is at Tron gauge by providing a (baratron gage), the evaporation source to the internal pressure, without denaturation of the organic material deposited material as a pressure measuring member It characterized in that the one to be measured. 여기서, 바라트론 게이지(170)는 메탈 다이아 프램과 인접한 두 개의 고정된 전극 사이에서의 캐패시턴스 변화를 측정하여 압력을 측정하는 압력 측정 부재를 의미한다. Here, the torch at the gauge 170 to measure the change in capacitance between the metal diaphragm and adjacent two fixed electrode means a pressure measuring element for measuring the pressure. 다이아 프램의 기준면(backside)은 측정할 수 있는 하한값보다 훨씬 고진공으로 설정되어 있으며, 또한 다이아 프램은 반복성이 우수하고 응답성이 빠르며 분해능(1x10-5 of Full Scale)이 매우 뛰어나 아주 낮은 압력값도 측정이 가능하다는 장점을 가진다. Reference surface (backside) of the diaphragm is set to more than the high vacuum to measure the lower limit value, and the diaphragm is excellent repeatability even faster responsiveness resolution (1x10-5 of Full Scale) is very excellent very low pressure values It has the advantage that the measurement is possible.

도 6을 참조하면, 바라트론 게이지(170)는 하우징(171), 제1 진공 튜브(172), 다이아 프램(173), 전극 어셈블리(174), 전압 공급선(175)을 포함한다. 6, the torch gauge 170 at includes a housing 171, a first vacuum tube 172, a diaphragm 173, an electrode assembly 174, a voltage supply line (175).

상세히, 제1 진공 튜브(172)는 증착원(110)으로부터 분기되어 형성되며, 상기 제1 진공 튜브(172)의 일 단부는 바라트론 게이지(170)의 외형을 이루는 하우징(171)에 연결된다. In detail, the first vacuum tube 172 is formed of branches from the evaporation source 110, one end of said first vacuum tube 172 is connected to the housing 171 forming the outer shape of the torch gauge 170 at .

상기 하우징(171) 내에는 상기 증착원(110) 내부의 압력에 따라 상기 하우징(171) 내부에서 유동적으로 변화하는 다이아 프램(173)과, 상기 다이아 프램(173)으로부터의 거리에 따른 전기 용량을 유도하는 전극 어셈블리(174)와, 상기 전극 어셈블리(174)에 전원을 공급하는 전압 공급선(175)을 포함한다. In the housing 171 is a capacitance according to the distance from the diaphragm 173 and the diaphragm 173 for flexible changes in the housing 171 depending on the pressure inside said evaporation source (110) It includes the electrode assembly 174 to drive the voltage supply line 175 for supplying power to the electrode assembly 174. 여기서, 상기 다이아 프램(173)은 상기 증착원(110)에 연결된 제1 진공 튜브(172)로 배출 또는 유입되는 공기의 압력에 따라 좌우로 팽창할 수 있다. Here, the diaphragm 173 may expand to right and left in accordance with the pressure of the air discharged or introduced into the first vacuum tube 172 is coupled to the evaporation source 110. The

또한, 도면에는 도시되지 않았지만, 하우징(171)의 일 측에는 상기 다이아 프램(173)의 기준 진공을 만드는 기준압 진공 튜브(미도시)가 더 구비될 수 있다. In addition, though not shown, a housing (not shown) based on the reference voltage vacuum tube to create a vacuum of 171 days the diaphragm 173 of the side can be further provided. 여기서, 기준압 진공 튜브(미도시)는 다이아 프램(173)과 하우징(171)에 의해 밀폐되어 일정한 진공압을 갖도록 설정된다. Here, the reference voltage vacuum tube (not shown) is set to have a constant vacuum pressure is sealed by the diaphragm 173 and the housing 171.

따라서, 바라트론 게이지(170)는 다이아 프램(173)과 전극 어셈블리(174) 사이에 유도되는 상기 전기 용량을 측정하여 압력 감지 신호를 제어부(미도시)에 출력한다. Thus, the torch at gauge 170 is outputted to the diaphragm 173 and the electrode assembly, a control pressure signal detected by measuring the capacitance induced between 174 (not shown).

이와 같이, 바라트론 게이지(170)를 증착원(110)과 일체형으로 연결하고, 바라트론 게이지(170) 내부의 온도와 증발원(110) 내부의 온도를 동일하게 유지함으로써, 증발원(110) 내부의 절대 압력을 측정할 수 있다. In this way, the inside by at Tron connecting the gauge 170 to the one-piece and an evaporation source 110, and remains the same for at Tron gauge 170, temperature and the temperature in the evaporation source 110 in the inside, the evaporation source 110, it is possible to measure an absolute pressure. 즉, 증발되는 증착 물질(115)의 양은 증발원(110) 내부의 압력과 챔버(미도시) 압력 간의 차이에 의해서 발생하는데, 일반적인 박막 증착 공정에서 챔버의 압력은 10 -6 Torr에 가까운 고진공이고, 증착원(110) 내부의 압력은 10 -2 Torr 정도이므로, 증발되는 증착 물질(115)의 양은 증발원(110) 내부의 압력에만 비례한다고 가정하여도 오차가 크지 않으므로, 증발원(110) 내부의 압력을 측정함으로써 증발되는 증착 물질(115)의 양을 알 수 있게 된다. That is, to generate by the amount of the deposition material to be evaporated 115, the evaporation source 110 and the difference between the pressure chamber (not shown) the pressure in the pressure of the chamber at a typical thin film deposition process is close to a high vacuum to 10 -6 Torr, an evaporation source 110 of an internal pressure of 10 -2 Torr level, so the amount of deposited material to be evaporated 115, the evaporation source 110, so that even large errors on the assumption that only the proportional pressure inside, the evaporation source 110, the pressure inside the the measurement, by it is possible to know the amount of the evaporation material to be evaporated 115.

이와 같은 본 발명의 의해서 증착 물질의 손상 없이 증착원 내부의 절대 압력 측정이 가능해지므로, 센서의 오염으로 인한 측정 오차의 발생 없이 정확하게 증착율을 모니터링 및 제어하는 것이 가능해졌다. This is possible because the evaporation source absolute pressure measurement of the internal without damage to the deposited material by means of the present invention, it became possible to accurately without any measurement errors due to contamination of the sensor caused to monitor and control the deposition rate. 또한, 종래 크리스털 센서(crystal sensor) 사용시, 측정 오차를 보정하기 위해 주기적으로 더미(dummy) 기판에 박막을 형성하여 센서의 오차를 보정하는 과정에서 발생하는 생산 손실을 제거하는 효과를 얻을 수 있다. Further, by periodically forming a thin film on a pile (dummy) substrate to obtain an effect of removing the loss of production resulting from the process of correcting the error of the sensor to the conventional crystal sensor (crystal sensor) to correct use, a measurement error.

도 7은 본 발명의 다른 일 실시예에 관한 박막 증착 어셈블리를 개략적으로 도시한 사시도이다. Figure 7 is a perspective view schematically illustrating a film deposition assembly according to another embodiment of the present invention. 본 발명의 다른 일 실시예에 관한 박막 증착 어셈블리(100')에서는 전술한 실시예에 비하여 바라트론 게이지(170')의 구성이 특징적으로 달라지므로, 이하에서는 이에 대하여 상세히 설명한다. "In at Tron gauge (170 as compared with the foregoing embodiments the thin film deposition assembly 100 'according to another embodiment of the present invention because changes to the configuration of) characteristic, will hereinafter be described in detail with respect to this.

도 7을 참조하면, 바라트론 게이지(170')는 하우징(171), 제1 진공 튜브(172), 다이아 프램(173), 전극 어셈블리(174), 전압 공급선(175) 및 제2 진공 튜브(176)을 포함한다. 7, at Tron gauge 170 'includes a housing 171, a first vacuum tube 172, a diaphragm 173, an electrode assembly 174, a voltage supply line 175 and a second vacuum tube ( 176) a.

상세히, 제1 진공 튜브(172)는 증착원(110)으로부터 분기되어 형성되며, 상기 제1 진공 튜브(172)의 일 단부는 바라트론 게이지(170')의 외형을 이루는 하우징(171)에 연결된다. In detail, the first connected to the vacuum tube 172 is an evaporation source is formed is branched from the (110), it said first vacuum tube (172) at one end of the housing 171 forming the outer shape of the torch gauge (170 ') at the do.

상기 하우징(171) 내에는 상기 증착원(110) 내부의 압력에 따라 상기 하우징(171) 내부에서 유동적으로 변화하는 다이아 프램(173)과, 상기 다이아 프램(173)으로부터의 거리에 따른 전기 용량을 유도하는 전극 어셈블리(174)와, 상기 전극 어셈블리(174)에 전원을 공급하는 전압 공급선(175)을 포함한다. In the housing 171 is a capacitance according to the distance from the diaphragm 173 and the diaphragm 173 for flexible changes in the housing 171 depending on the pressure inside said evaporation source (110) It includes the electrode assembly 174 to drive the voltage supply line 175 for supplying power to the electrode assembly 174. 여기서, 상기 다이아 프램(173)은 상기 증착원(110)에 연결된 제1 진공 튜브(172)로 배출 또는 유입되는 공기의 압력에 따라 좌우로 팽창할 수 있다. Here, the diaphragm 173 may expand to right and left in accordance with the pressure of the air discharged or introduced into the first vacuum tube 172 is coupled to the evaporation source 110. The

여기서, 본 발명의 다른 일 실시예에 관한 박막 증착 어셈블리(100')의 바라트론 게이지(170') 제2 진공 튜브(176)가 더 형성되는 것을 일 특징으로 한다. Here, it characterized in that the work 'at Tron gauge (170), the second vacuum tube 176, the thin film deposition assembly 100' according to another embodiment of the invention is further formed. 상세히, 챔버(미도시)의 진공도는 일정하게 유지하는 것이 일반적이나, 공정상의 문제로 압력을 일정하게 유지할 수 없는 경우가 발생할 수 있다. In detail, and it is common to a degree of vacuum of the chamber (not shown) is maintained constant, may cause may not be possible to hold a constant pressure as a problem in the process. 이 경우, 증발원(110) 내부의 압력과 챔버(미도시) 압력 차이를 측정하여 제어함으로써 증발율을 일정하게 유지할 수 있다. In this case, the evaporation source 110 can be kept constant by controlling the evaporation rate by measuring the pressure difference between the chambers (not shown) pressure inside. 즉, 하우징(171)의 일 측, 상세하게는 다이어 프램(173)에 의해서 이분되고 있는 하우징(171)에서, 제1 진공 튜브(172)가 형성된 부분의 반대편에 제2 진공 튜브(176)가 더 형성됨으로써, 증발원(110) 내부의 압력과 챔버(미도시) 압력 차이를 측정할 수 있는 것이다. That is, the one side, specifically, the diaphragm in the housing 171 which is two minutes by 173, the second vacuum tube 176 to the opposite side of vacuum tube 172 is formed of the housing 171 is being further formed, an evaporation source (not shown) 110, the pressure inside the chamber is capable of measuring a pressure difference.

이와 같이 증발원(110) 내부의 압력과 챔버(미도시) 압력 간의 차이를 측정함으로써 증발되는 증착 물질(115)의 양을 알 수 있게 된다. Thus, by measuring the difference between the evaporation source 110, the pressure inside the chamber (not shown) the pressure it is possible to know the amount of the evaporation material to be evaporated 115.

이와 같은 본 발명의 의해서 증착 물질의 손상 없이 증착원 내부의 절대 압력 측정이 가능해지므로, 센서의 오염으로 인한 측정 오차의 발생 없이 정확하게 증착율을 모니터링 및 제어하는 것이 가능해지는 효과를 얻을 수 있다. In the same absolute pressure measurement of the evaporation source inside without damaging the deposited material by means of the present invention therefore possible, it is possible to obtain the effect that it is possible to accurately monitor and control the deposition rate without the measurement error caused by contamination of the sensor occurs.

도 8은 본 발명의 바람직한 다른 일 실시예에 관한 박막 증착 어셈블리를 개략적으로 도시한 사시도이다. 8 is a perspective view schematically illustrating a film deposition assembly according to another preferred embodiment of the present invention.

도 8에 도시된 실시예에 관한 박막 증착 어셈블리(100'')는 증착원(110), 증착원 노즐부(120), 제1 차단판 어셈블리(130), 제2 차단판 어셈블리(140), 패터닝 슬릿 시트(150)를 포함한다. Thin film deposition assemblies (100 '') is the evaporation source 110, a deposition source nozzle unit 120, a first barrier plate assembly 130, a second barrier plate assembly 140 according to the embodiment shown in Figure 8, and a patterning slit sheet 150.

여기서, 도 8에는 설명의 편의를 위해 챔버를 도시하지 않았지만, 도 8의 모든 구성은 적절한 진공도가 유지되는 챔버 내에 배치되는 것이 바람직하다. Here, FIG. 8, although not shown in the chamber for ease of explanation, all the configuration of Figure 8 is preferably disposed in the chamber an appropriate degree of vacuum maintained. 이는 증착 물질의 직진성을 확보하기 위함이다. This is to ensure the straightness of the deposition material.

이러한 챔버(미도시) 내에는 피 증착체인 기판(500)이 배치된다. Within this chamber (not shown) is disposed in the vapor-deposited substrate chain 500. 그리고, 챔버(미도시) 내에서 기판(500)과 대향하는 측에는, 증착 물질(115)이 수납 및 가열되는 증착원(110)이 배치된다. Then, the chamber (not shown) in the side opposite to the substrate 500, deposition material evaporation source (110) 115 is accommodated and the heating is arranged.

증착원(110) 및 패터닝 슬릿 시트(150)의 상세한 구성은 전술한 도 4에 따른 실시예와 동일하므로 상세한 설명을 생략한다. Detailed configuration of the evaporation source 110 and the patterning slit sheet 150 may be omitted for the same, the embodiments and the description according to the above-described FIG. 그리고 상기 제1차단판 어셈블리(130)는 도 4에 따른 실시예의 차단판 어셈블리와 동일하므로 역시 상세한 설명은 생략한다. And the first barrier plate assembly 130 embodiment of the blocking plate assembly and the same, also the description according to Figure 4 will be omitted.

본 실시예에서는 제1 차단판 어셈블리(130)의 일 측에 제2 차단판 어셈블리(140)가 구비된다. In this embodiment it is provided with a second barrier plate assembly 140 to one side of the first barrier plate assembly 130. 상기 제2 차단판 어셈블리(140)는 복수 개의 제2 차단판(141)들과, 제2 차단판(141)들 외측에 구비되는 제2 차단판 프레임(142)을 포함한다. The second shield plate assembly 140 includes a second barrier plate frame 142 that is provided with a plurality of second blocking plate 141 and a second block plate 141 outwardly.

상기 복수 개의 제2 차단판(141)들은 X축 방향을 따라서 서로 나란하게 구비될 수 있다. The plurality of second barrier plates 141 may be provided in parallel to each other along the X-axis direction. 그리고, 상기 복수 개의 제2 차단판(141)들은 등 간격으로 형성될 수 있다. In addition, the plurality of second barrier plates 141 may be formed at equal intervals. 또한, 각각의 제2 차단판(141)은 도면에서 보았을 때 YZ평면과 나란하도록, 다시 말하면 X축 방향에 수직이 되도록 형성된다. Each of the second blocking plate 141, also, is as seen in the drawing is, back to parallel with the YZ plane is formed so that it is perpendicular to the X-axis direction.

이와 같이 배치된 복수 개의 제1 차단판(131) 및 제2 차단판(141)들은 증착원 노즐부(120)과 패터닝 슬릿 시트(150) 사이의 공간을 구획하는 역할을 수행한다. The plurality of the arrangement as a first blocking plate 131 and the second shielding plate 141 are serves to partition the space between the deposition source nozzle unit 120 and the patterning slit sheet 150. 즉, 상기 제1 차단판(131) 및 제2 차단판(141)에 의하여, 증착 물질이 분사되는 각각의 증착원 노즐(121) 별로 증착 공간이 분리되는 것을 일 특징으로 한다. In other words, is characterized in that the work by the first blocking plate 131 and the second blocking plate 141, the deposition space separated for each of the deposition source nozzles 121 that spray deposited material.

여기서, 각각의 제2 차단판(141)들은 각각의 제1 차단판(131)들과 일대일 대응하도록 배치될 수 있다. Here, each of the second blocking plate 141 can be arranged so that a one-to-one correspondence with each of the first blocking plate 131. The 다시 말하면, 각각의 제2 차단판(141)들은 각각의 제1 차단판(131)들과 얼라인(align) 되어 서로 나란하게 배치될 수 있다. In other words, each of the second blocking plate 141 will be the (align) of each of the first blocking plate 131 and the alignment can be arranged side by side each other. 즉, 서로 대응하는 제1 차단판(131)과 제2 차단판(141)은 서로 동일한 평면상에 위치하게 되는 것이다. That is, the first blocking plate 131 and the second blocking plate 141 corresponding to each other is to be positioned on the same plane with each other. 도면에는, 제1 차단판(131)의 길이와 제2 차단판(141)의 X축 방향의 폭이 동일한 것으로 도시되어 있지만, 본 발명의 사상은 이에 제한되지 아니한다. The drawing, but the first block plate 131. The length and width of the second block in the X-axis direction of the plate 141 is shown to be the same, the scope of the present invention is not limited to this. 즉, 패터닝 슬릿(151)과의 정밀한 얼라인(align)이 요구되는 제2 차단판(141)은 상대적으로 얇게 형성되는 반면, 정밀한 얼라인이 요구되지 않는 제1 차단판(131)은 상대적으로 두껍게 형성되어, 그 제조가 용이하도록 하는 것도 가능하다 할 것이다. That is, the patterning slits 151 and the precise alignment (align) the second block that are required of the plate 141, while the relatively thinner, precise alignment is not required first blocking plate 131 is relatively is thickly formed, it will be possible to those produced for easy.

이상 설명한 바와 같은 박막 증착 어셈블리(100'')는 도 1에서 볼 수 있듯이 챔버(731) 내에 복수 개가 연속하여 배치될 수 있다. Thin film deposition assemblies (100 '') as described above may be arranged in a row in a multiple dog Figure 1, as seen in the chamber (731). 이 경우, 각 박막 증착 어셈블리(100)(200)(300)(400)는 서로 다른 증착 물질을 증착하도록 할 수 있으며, 이 때, 각 박막 증착 어셈블리(100)(200)(300)(400)의 패터닝 슬릿의 패턴이 서로 다른 패턴이 되도록 하여, 예컨대 적, 녹, 청색의 화소를 일괄 증착하는 등의 성막 공정을 진행할 수 있다. In this case, it is possible to each of the thin film deposition assembly 100, 200, 300, 400 is to deposit different deposition materials, and in this case, 400, each of the thin film deposition assembly 100, 200, 300 a pattern of the patterning slit can proceed with the film-forming step, such as to ensure that the different patterns, such as red, the bulk deposition of the green pixel, and blue.

도 9는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 박막 증착 어셈블리를 개략적으로 도시한 사시도이다. Figure 9 is a perspective view schematically illustrating a film deposition assembly according to another embodiment of the present invention.

도 9를 참조하면, 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 박막 증착 어셈블리(900)는 증착원(910), 증착원 노즐부(920) 및 패터닝 슬릿 시트(950)를 포함한다. 9, the thin film deposition assembly 900 according to another embodiment of the present invention includes a deposition source 910, a deposition source nozzle unit 920 and the patterning slit sheet 950.

여기서, 도 9에는 설명의 편의를 위해 챔버를 도시하지 않았지만, 도 9의 모든 구성은 적절한 진공도가 유지되는 챔버 내에 배치되는 것이 바람직하다. Here, FIG. 9, although not shown in the chamber for ease of explanation, all the configuration of Figure 9 is preferably disposed in the chamber an appropriate degree of vacuum maintained. 이는 증착 물질의 직진성을 확보하기 위함이다. This is to ensure the straightness of the deposition material.

그리고, 챔버(미도시) 내에는 피 증착체인 기판(500)이 정전척(600)에 의해 이송된다. And, in a chamber (not shown) it is transported by the chain deposition substrate (500) the electrostatic chuck (600). 상기 기판(500)은 평판 표시 장치용 기판이 될 수 있는데, 다수의 평판 표시 장치를 형성할 수 있는 마더 글라스(mother glass)와 같은 대면적 기판이 적용될 수 있다. The substrate 500 is a flat panel display device, there can be a substrate for, a large-area substrate such as a mother glass (mother glass) capable of forming a plurality of flat panel display devices can be applied.

여기서, 본 발명의 일 실시예에서는, 기판(500)이 박막 증착 어셈블리(900)에 대하여 상대적으로 이동하면서 증착이 진행되는 것을 일 특징으로 한다. Here, in one embodiment of the invention, it is characterized in that the one substrate 500, the deposition is in progress, while relatively moving with respect to the thin film deposition assembly 900. 상세히, 박막 증착 어셈블리(900)와 마주보도록 배치된 기판(500)이 Y축 방향을 따라 이동하면서 연속적으로 증착을 수행하게 된다. In detail, it is successively performed the deposition while moving along the thin film deposition assembly 900 and the Y-axis direction of the substrate 500 disposed to face. 즉, 기판(500)이 도 8의 화살표 A 방향으로 이동하면서 스캐닝(scanning) 방식으로 증착이 수행되는 것이다. In other words, the substrate 500 is moved in the direction of arrow A of Figure 8, while the deposition is performed by scanning (scanning) scheme. 여기서, 도면에는 기판(500)이 챔버(미도시) 내에서 Y축 방향으로 이동하면서 증착이 이루어지는 것으로 도시되어 있으나, 본 발명의 사상은 이에 제한되지 아니하며, 기판(500)은 고정되어 있고 박막 증착 어셈블리(900) 자체가 Y축 방향으로 이동하면서 증착을 수행하는 것도 가능하다 할 것이다. Here, the drawings are illustrated to be deposited is made by moving the Y-axis direction in the substrate 500, a chamber (not shown), shall not features of the present invention is limited to this, and the substrate 500 are fixed and the film deposition assembly 900 will itself is also possible to perform deposition while moving in the Y-axis direction.

따라서, 본 발명의 박막 증착 어셈블리(900)에서는 종래의 FMM에 비하여 훨씬 작게 패터닝 슬릿 시트(950)를 만들 수 있다. Therefore, in the thin film deposition assembly 900 of the present invention can be made much smaller patterning slit sheet 950 as compared to the conventional FMM. 즉, 본 발명의 박막 증착 어셈블리(900)의 경우, 기판(500)이 Y축 방향을 따라 이동하면서 연속적으로, 즉 스캐닝(scanning) 방식으로 증착을 수행하기 때문에, 패터닝 슬릿 시트(950)의 X축 방향 및 Y축 방향의 길이는 기판(500)의 길이보다 훨씬 작게 형성될 수 있는 것이다. That is, in the case of the thin film deposition assembly 900 of the present invention, the substrate 500 is continuously moving along the Y-axis direction, that is, to carry out the deposition in the scanning (scanning) scheme, X of the patterning slit sheet 950, axis direction and the length in the Y-axis direction is to be formed much smaller than the length of the substrate 500. 이와 같이, 종래의 FMM에 비하여 훨씬 작게 패터닝 슬릿 시트(950)를 만들 수 있기 때문에, 본 발명의 패터닝 슬릿 시트(950)는 그 제조가 용이하다. Thus, it is possible to create a much smaller patterning slit sheet 950 compared to a conventional FMM, the patterning slit sheet 950 of the present invention is easy of manufacturing. 즉, 패터닝 슬릿 시트(950)의 에칭 작업이나, 그 이후의 정밀 인장 및 용접 작업, 이동 및 세정 작업 등 모든 공정에서, 작은 크기의 패터닝 슬릿 시트(950)가 FMM 증착 방법에 비해 유리하다. That is, the etching operation or the patterning slit sheet 950, which is advantageous compared to the subsequent tensioning and precision welding, moving, and cleaning operation, etc. In any process, the small size patterning slit sheet 950, the FMM deposition method. 또한, 이는 디스플레이 장치가 대형화될수록 더욱 유리하게 된다. Further, it is more advantageous the more large-sized display device.

이와 같이, 박막 증착 어셈블리(900)와 기판(500)이 서로 상대적으로 이동하면서 증착이 이루어지기 위해서는, 박막 증착 어셈블리(900)와 기판(500)이 일정 정도 이격되는 것이 바람직하다. Thus, the order to be deposited is made as a thin film deposition assembly 900 and the substrate 500 are moved relative to each other, it is preferable that the thin film deposition assembly 900 and the substrate 500 is spaced a certain degree. 이에 대하여는 뒤에서 상세히 기술하기로 한다. This respect will be described in detail later.

한편, 챔버 내에서 상기 기판(500)과 대향하는 측에는, 증착 물질(915)이 수납 및 가열되는 증착원(910)이 배치된다. On the other hand, when the evaporation source 910 that side, the deposition material 915 is housed, and heating to face the substrate 500 is disposed in the chamber. 상기 증착원(910) 내에 수납되어 있는 증착 물질(915)이 기화됨에 따라 기판(500)에 증착이 이루어진다. As the evaporation source deposition material 915 that is housed in the 910 to vaporize the deposition takes place on the substrate 500.

상세히, 증착원(910)은 그 내부에 증착 물질(915)이 채워지는 도가니(911)와, 도가니(911)를 가열시켜 도가니(911) 내부에 채워진 증착 물질(915)을 도가니(911)의 일 측, 상세하게는 증착원 노즐부(920) 측으로 증발시키기 위한 히터(912)를 포함한다. In detail, the evaporation source 910 of deposition material 915 is filled in the crucible 911 and, by heating the crucible 911, a crucible 911, a deposition material crucible 911 to 915 filled inside therein one side, specifically, includes a heater 912 for evaporating the side of the evaporation source nozzle unit 920. the

증착원(910)의 일 측, 상세하게는 증착원(910)에서 기판(500)을 향하는 측에는 증착원 노즐부(920)가 배치된다. One side of the evaporation source 910, particularly, the deposition source nozzle unit 920 towards the side of the substrate 500 from the deposition source 910 is disposed. 그리고, 증착원 노즐부(920)에는, Y축 방향 즉 기판(500)의 스캔 방향을 따라서 복수 개의 증착원 노즐(921)들이 형성된다. Then, the deposition source nozzle unit 920 is, Y axis direction, that is along the scan direction of the substrate 500 is formed with a plurality of deposition source nozzles 921. 여기서, 상기 복수 개의 증착원 노즐(921)들은 등 간격으로 형성될 수 있다. Here, the plurality of deposition source nozzles 921 may be formed at equal intervals. 증착원(910) 내에서 기화된 증착 물질(915)은 이와 같은 증착원 노즐부(920)를 통과하여 피 증착체인 기판(500) 쪽으로 향하게 되는 것이다. Depositing the deposition material vaporized in the circle 910, 915 will be In this connection, such as through the deposition source nozzle unit (920) facing towards the vapor-deposited substrate chain 500. 이와 같이, 증착원 노즐부(920) 상에 Y축 방향 즉 기판(500)의 스캔 방향을 따라서 복수 개의 증착원 노즐(921)들이 형성할 경우, 패터닝 슬릿 시트(950)의 각각의 패터닝 슬릿(951)들을 통과하는 증착 물질에 의해 형성되는 패턴의 크기는 증착원 노즐(921) 하나의 크기에만 영향을 받으므로(즉, X축 방향으로는 증착원 노즐(921)이 하나만 존재하는 것에 다름 아니므로), 음영(shadow)이 발생하지 않게 된다. Thus, the deposition source nozzle unit (920), Y-axis direction on that is, to a plurality of deposition source nozzles 921 are formed along the scan direction of the substrate 500, each of the patterning slits of the patterning slit sheet 950 ( 951) the size of the pattern formed by the deposited material that passes through the deposition source nozzle 921, because only affected one size (that is, X axis direction as the deposition source nozzles 921 is not different from that present in only one is a) shade (shadow) does not occur. 또한, 다수 개의 증착원 노즐(921)들이 스캔 방향으로 존재하므로, 개별 증착원 노즐 간 플럭스(flux) 차이가 발생하여도 그 차이가 상쇄되어 증착 균일도가 일정하게 유지되는 효과를 얻을 수 있다. Further, the plurality of deposition source nozzles 921 are therefore present in the scan direction, are also offset by the difference in the individual evaporation sources the flux (flux), difference occurs between a nozzle effect can be obtained that remains a constant deposition uniformity.

한편, 증착원(910)과 기판(500) 사이에는 패터닝 슬릿 시트(950) 및 프레임(955)이 더 구비된다. On the other hand, between the evaporation source 910 and the substrate 500, the patterning slit sheet 950 and a frame 955 are further provided. 프레임(955)은 대략 창문 틀과 같은 형태로 형성되며, 그 내측에 패터닝 슬릿 시트(950)가 결합된다. Frame 955 is substantially formed in the shape such as a window frame, the patterning slit sheet 950 is coupled to its inside. 그리고, 패터닝 슬릿 시트(950)에는 X축 방향을 따라서 복수 개의 패터닝 슬릿(951)들이 형성된다. Then, the patterning slit sheet 950 includes a plurality of patterning slits 951 are formed along the X-axis direction. 증착원(910) 내에서 기화된 증착 물질(915)은 증착원 노즐부(920) 및 패터닝 슬릿 시트(950)를 통과하여 피 증착체인 기판(500) 쪽으로 향하게 되는 것이다. The deposition material 915 is vaporized in the deposition source 910 is to be directed towards the deposition source nozzle unit 920 and the patterning slit through the sheet 950, the vapor-deposited substrate chain 500. 이때, 상기 패터닝 슬릿 시트(950)는 종래의 파인 메탈 마스크(FMM) 특히 스트라이프 타입(stripe type)의 마스크의 제조 방법과 동일한 방법인 에칭을 통해 제작될 수 있다. At this time, the patterning slit sheet 950 may be manufactured through the same method as the etching method for manufacturing a mask of a conventional fine metal mask (FMM), in particular a stripe type (stripe type). 이때, 증착원 노즐(921)들의 총 개수보다 패터닝 슬릿(951)들의 총 개수가 더 많게 형성될 수 있다. At this time, the total number of patterning slits 951 than the total number of deposition source nozzles 921 may be formed more a lot.

한편, 상술한 증착원(910) 및 이와 결합된 증착원 노즐부(920)과 패터닝 슬릿 시트(950)는 서로 일정 정도 이격되도록 형성될 수 있으며, 증착원(910) 및 이와 결합된 증착원 노즐부(920)와 패터닝 슬릿 시트(950)는 연결 부재(935)에 의하여 서로 연결될 수 있다. On the other hand, above the evaporation source 910 and this combined deposition source nozzle unit 920 and the patterning slit sheet 950 may be formed to each other to some extent separated from the evaporation source 910 and this combined deposition source nozzle unit 920 and the patterning slit sheet 950 may be connected to each other by a connecting member 935. 즉, 증착원(910), 증착원 노즐부(920) 및 패터닝 슬릿 시트(950)가 연결 부재(935)에 의해 연결되어 서로 일체로 형성될 수 있는 것이다. That is, they are connected by a deposition source 910, a deposition source nozzle unit 920 and the patterning slit sheet 950, the connecting member 935 to each other can be integrally formed. 여기서 연결 부재(935)들은 증착원 노즐(921)을 통해 배출되는 증착 물질이 분산되지 않도록 증착 물질의 이동 경로를 가이드 할 수 있다. The connecting member 935 may guide the movement path of the deposition material from being dispersed the deposited material is discharged through the deposition source nozzles 921. 도면에는 연결 부재(935)가 증착원(910), 증착원 노즐부(920) 및 패터닝 슬릿 시트(950)의 좌우 방향으로만 형성되어 증착 물질의 X축 방향만을 가이드 하는 것으로 도시되어 있으나, 이는 도시의 편의를 위한 것으로, 본 발명의 사상은 이에 제한되지 아니하며, 연결 부재(935)가 박스 형태의 밀폐형으로 형성되어 증착 물질의 X축 방향 및 Y축 방향 이동을 동시에 가이드 할 수도 있다. The drawings but is shown as the connecting member 935, the deposition source 910, the deposition source is formed only in the lateral direction of the nozzle unit 920 and the patterning slit sheet 950 guides only the X-axis direction of the evaporation material, which are for convenience of illustration, the scope of the present invention is not limited to this, the connecting member 935 is formed in a closed type of box shape can also guide the X-axis direction and the Y-axis direction movement of the deposition material at the same time.

상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 어셈블리(900)는 기판(500)에 대하여 상대적으로 이동하면서 증착을 수행하며, 이와 같이 박막 증착 어셈블리(900)가 기판(500)에 대하여 상대적으로 이동하기 위해서 패터닝 슬릿 시트(950)는 기판(500)으로부터 일정 정도 이격되도록 형성된다. As described above, the thin film deposition assembly 900 according to an embodiment of the present invention with respect to the while relative movement performs a deposition, thus the thin film deposition assembly 900, the substrate 500 to the substrate 500, in order to relatively move to the patterning slit sheet 950 it is formed to some extent away from the substrate 500.

상세히, 종래의 FMM 증착 방법에서는 기판에 음영(shadow)이 생기지 않도록 하기 위하여 기판에 마스크를 밀착시켜서 증착 공정을 진행하였다. In detail, in the conventional FMM deposition method, the deposition process was carried out by close contact with the mask on the substrate in order to prevent the shade (shadow) occur on the substrate. 그러나, 이와 같이 기판에 마스크를 밀착시킬 경우, 기판과 마스크 간의 접촉에 의한 불량 문제가 발생한다는 문제점이 존재하였다. However, in this case thus to contact the mask to the substrate, a problem that a bad problem caused by contact between the substrate and the mask generation was observed. 또한, 마스크를 기판에 대하여 이동시킬 수 없기 때문에, 마스크가 기판과 동일한 크기로 형성되어야 한다. In addition, because it can not be moved relative to the mask substrate, the mask should be formed of the same size as the substrate. 따라서, 디스플레이 장치가 대형화됨에 따라 마스크의 크기도 커져야 하는데, 이와 같은 대형 마스크를 형성하는 것이 용이하지 아니하다는 문제점이 존재하였다. Thus, keojyeoya to the size of the mask as the display device is enlarged, a problem that it is not easy to form such a large mask was present.

이와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 어셈블리(900)에서는 패터닝 슬릿 시트(950)가 피 증착체인 기판(500)과 소정 간격을 두고 이격되도록 배치되도록 한다. In order to solve the problems, in the thin film deposition assembly 900 according to an embodiment of the present invention will be so arranged that the patterning slit sheet 950 is spaced by a chain-deposited substrate 500 with a predetermined interval.

이와 같은 본 발명에 의해서 마스크를 기판보다 작게 형성한 후, 마스크를 기판에 대하여 이동시키면서 증착을 수행할 수 있게 됨으로써, 마스크 제작이 용이해지는 효과를 얻을 수 있다. Such being able to perform after formation of the mask to be smaller than the substrate by the present invention, while moving the deposition masks relative to the substrate, it is possible to obtain the effect that mask fabrication is easy. 또한, 기판과 마스크 간의 접촉에 의한 불량을 방지하는 효과를 얻을 수 있다. In addition, it is possible to obtain the effect of preventing the failure due to contact between the substrate and the mask. 또한, 공정에서 기판과 마스크를 밀착시키는 시간이 불필요해지기 때문에, 제조 속도가 향상되는 효과를 얻을 수 있다. In addition, since it requires no time to contact the substrate and the mask in the process, it is possible to obtain the effect of the production rate is improved.

여기서, 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 박막 증착 어셈블리에서는, 증착원(910)의 일 측에 구비된 바라트론 게이지(baratron gauge)가 증착원(910) 내부의 압력을 측정하여 증착 물질(915)의 증발률을 제어하는 것을 일 특징으로 한다. Here, also in the thin film deposition assembly according to another embodiment, the torch Barra provided on one side of the evaporation source 910 gauge (baratron gauge) measures the pressure in the evaporation source 910, the deposition material of the present invention ( 915) characterized in that the work of controlling the rate of evaporation. 이에 대하여는 제1 실시예에서 상세히 설명하였는바, 본 실시예에서는 그 상세한 설명은 생략하도록 한다. Thus, in the exemplary embodiment 1 bar hayeotneun described in detail, the present example For a detailed description thereof will be omitted.

도 10은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 박막 증착 어셈블리를 나타내는 도면이다. 10 is a view showing a film deposition assembly according to another embodiment of the present invention. 도면을 참조하면, 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 박막 증착 어셈블리는 증착원(910), 증착원 노즐부(920) 및 패터닝 슬릿 시트(950)를 포함한다. Referring to the drawings, the thin film deposition assembly according to another embodiment of the present invention includes a deposition source 910, a deposition source nozzle unit 920 and the patterning slit sheet 950. 여기서, 증착원(910)은 그 내부에 증착 물질(915)이 채워지는 도가니(911)와, 도가니(911)를 가열시켜 도가니(911) 내부에 채워진 증착 물질(915)을 증착원 노즐부(920) 측으로 증발시키기 위한 히터(912)를 포함한다. Here, the evaporation source 910 and the deposition material 915 is filled in the crucible (911) therein and depositing a crucible 911, a deposition material 915 is filled by the inner crucible 911 is heated to source nozzle unit ( 920) includes a heater 912 for evaporating side. 한편, 증착원(910)의 일 측에는 증착원 노즐부(920)가 배치되고, 증착원 노즐부(920)에는 Y축 방향을 따라서 복수 개의 증착원 노즐(921)들이 형성된다. On the other hand, is arranged one deposition source nozzle unit 920 side of the evaporation source 910, a deposition source nozzle unit 920 has a plurality of deposition source nozzles 921 are formed along the Y-axis direction. 한편, 증착원(910)과 기판(500) 사이에는 패터닝 슬릿 시트(950) 및 프레임(955)이 더 구비되고, 패터닝 슬릿 시트(950)에는 X축 방향을 따라서 복수 개의 패터닝 슬릿(951)들이 형성된다. On the other hand, the evaporation source 910 and is there further comprises a patterning slit sheet 950 and the frame 955 between the substrate 500, the patterning slit sheet 950 includes a plurality of patterning slits 951 along the X-axis direction are It is formed. 그리고, 증착원(910) 및 증착원 노즐부(920)와 패터닝 슬릿 시트(950)는 연결 부재(935)에 의해서 결합된다. Then, the evaporation source 910 and the deposition source nozzle unit 920 and the patterning slit sheet 950 is coupled by a connecting member 935.

본 실시예에서는, 증착원 노즐부(920)에 형성된 복수 개의 증착원 노즐(921)들이 소정 각도 틸트(tilt)되어 배치된다는 점에서 전술한 실시예와 구별된다. In this embodiment, the plurality of deposition source nozzles 921 formed on the deposition source nozzle unit 920 are distinguished from the embodiment described above in that it is arranged with a predetermined tilt angle (tilt). 상세히, 증착원 노즐(921)은 두 열의 증착원 노즐(921a)(921b)들로 이루어질 수 있으며, 상기 두 열의 증착원 노즐(921a)(921b)들은 서로 교번하여 배치된다. In detail, the evaporation source nozzles 921 may be composed of two rows of evaporation source nozzle (921a), (921b), the two rows of evaporation source nozzles (921a) (921b) are arranged alternately with each other. 이때, 증착원 노즐(921a)(921b)들은 XZ 평면상에서 소정 각도 기울어지도록 틸트(tilt)되어 형성될 수 있다. In this case, the deposition source nozzles (921a) (921b) may be formed to tilt (tilt) tilted a predetermined angle on the XZ plane.

즉, 본 실시예에서는 증착원 노즐(921a)(921b)들이 소정 각도 틸트되어 배치되도록 한다. That is, the deposition source nozzles (921a) (921b) in this embodiment are arranged such that the tilt a predetermined angle. 여기서, 제1 열의 증착원 노즐(921a)들은 제2 열의 증착원 노즐(921b)들을 바라보도록 틸트되고, 제2 열의 증착원 노즐(921b)들은 제1 열의 증착원 노즐(921a)들을 바라보도록 틸트될 수 있다. Here, the first row of the evaporation source nozzle (921a) are the second column to look the deposition source nozzle (921b) being tilted, the two rows of evaporation source nozzles (921b) are tilted to view at the first row of the evaporation source nozzle (921a) It can be. 다시 말하면, 왼쪽 열에 배치된 증착원 노즐(921a)들은 패터닝 슬릿 시트(950)의 오른쪽 단부를 바라보도록 배치되고, 오른쪽 열에 배치된 증착원 노즐(921b)들은 패터닝 슬릿 시트(950)의 왼쪽 단부를 바라보도록 배치될 수 있는 것이다. That is, the left end of the deposition source nozzles (921a) are the patterning slit sheet 950, the deposition source nozzles (921b) positioned and arranged to at the right end, the right column of their patterning slit sheet 950 is disposed in the left column which it will be placed at look.

도 11는 본 발명에 따른 박막 증착 어셈블리에서 증착원 노즐을 틸트시키지 아니하였을 때 기판에 증착된 증착막의 분포 형태를 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 12은 본 발명에 따른 박막 증착 어셈블리에서 증착원 노즐을 틸트시켰을 때 기판에 증착된 증착막의 분포 형태를 개략적으로 나타내는 도면이다. Figure 11 is a deposition source nozzles in the thin film deposition assembly according to the present time invention hayeoteul no not tilt the deposition source nozzles in the thin film deposition assembly, according to a view schematically showing the distribution of the deposited vapor-deposited film on a substrate, 12 is the present invention; when tilt sikyeoteul a view schematically showing the distribution of the deposited film deposited on the substrate. 도 11와 도 12을 비교하면, 증착원 노즐을 틸트시켰을 때 기판의 양단부에 성막되는 증착막의 두께가 상대적으로 증가하여 증착막의 균일도가 상승함을 알 수 있다. Even when compared to 12 and 11, the deposition source nozzles in the deposited film thickness of the film formed on both ends of the substrate when sikyeoteul tilt relative increase can be seen that the vapor-deposited film uniformity of the rise.

이와 같은 구성에 의하여, 기판의 중앙과 끝 부분에서의 성막 두께 차이가 감소하게 되어 전체적인 증착 물질의 두께가 균일하도록 증착량을 제어할 수 있으며, 나아가서는 재료 이용 효율이 증가하는 효과를 얻을 수 있다. Thus, by such a configuration, the reduced film forming the difference of the thickness between at the center and ends of the substrate and to control the deposition amount of the thickness of the entire deposition material is uniform, and further advantages can be obtained for the material use efficiency is increased .

여기서, 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 박막 증착 어셈블리에서는, 증착원(910)의 일 측에 구비된 바라트론 게이지(baratron gauge)가 증착원(910) 내부의 압력을 측정하여 증착 물질(915)의 증발률을 제어하는 것을 일 특징으로 한다. Here, also in the thin film deposition assembly according to another embodiment, the torch Barra provided on one side of the evaporation source 910 gauge (baratron gauge) measures the pressure in the evaporation source 910, the deposition material of the present invention ( 915) characterized in that the work of controlling the rate of evaporation. 이에 대하여는 제1 실시예에서 상세히 설명하였는바, 본 실시예에서는 그 상세한 설명은 생략하도록 한다. Thus, in the exemplary embodiment 1 bar hayeotneun described in detail, the present example For a detailed description thereof will be omitted.

도 13는 본 발명의 박막 증착 장치를 이용하여 제조된 액티브 매트릭스형 유기 발광 표시 장치의 단면을 도시한 것이다. Figure 13 shows a cross-section of the active matrix type organic light emitting display device produced by using the film deposition apparatus of the present invention.

도 13를 참조하면, 상기 액티브 매트리스형의 유기 발광 표시 장치는 기판(30) 상에 형성된다. Referring to Figure 13, the organic light emitting display apparatus of the active-type mattress is formed on the substrate 30. 상기 기판(30)은 투명한 소재, 예컨대 글래스재, 플라스틱재, 또는 금속재로 형성될 수 있다. The substrate 30 may be formed of a transparent material such as glass material, plastic material, or metal material. 상기 기판(30)상에는 전체적으로 버퍼층과 같은 절연막(31)이 형성되어 있다. The substrate has an insulating film 31 is formed as a buffer layer formed on the whole (30).

상기 절연막(31) 상에는 도 13에서 볼 수 있는 바와 같은 TFT(40)와, 커패시터(50)와, 유기 발광 소자(60)가 형성된다. The TFT (40), a capacitor 50 and the organic light emitting element 60 such as that formed on the insulating film 31 shown in Figure 13 is formed.

상기 절연막(31)의 윗면에는 소정 패턴으로 배열된 반도체 활성층(41)이 형성되어 있다. The upper surface of the insulating film 31 has a semiconductor active layer (41) arranged in a predetermined pattern is formed. 상기 반도체 활성층(41)은 게이트 절연막(32)에 의하여 매립되어 있다. The semiconductor active layer 41 is buried by the gate insulating film 32. 상기 활성층(41)은 p형 또는 n형의 반도체로 구비될 수 있다. The active layer 41 may be formed of a semiconductor of p-type or n-type.

상기 게이트 절연막(32)의 윗면에는 상기 활성층(41)과 대응되는 곳에 TFT(40)의 게이트 전극(42)이 형성된다. The upper surface of the gate insulating film 32, the gate electrode 42 of the TFT (40) where corresponding to the active layer 41 is formed. 그리고, 상기 게이트 전극(42)을 덮도록 층간 절연막(33)이 형성된다. Then, the interlayer insulating film 33 to cover the gate electrode 42 is formed. 상기 층간 절연막(33)이 형성된 다음에는 드라이 에칭등의 식각 공정에 의하여 상기 게이트 절연막(32)과 층간 절연막(33)을 식각하여 콘택 홀을 형성시켜서, 상기 활성층(41)의 일부를 드러나게 한다. After the interlayer insulating film 33 is formed is by forming a contact hole by etching the gate insulating film 32 and the interlayer insulating film 33 by the etching process such as dry etching, to expose a portion of the active layer 41.

그 다음으로, 상기 층간 절연막(33) 상에 소스/드레인 전극(43)이 형성되는 데, 콘택 홀을 통해 노출된 활성층(41)에 접촉되도록 형성된다. Next, to become the interlayer insulating film 33, source / drain electrodes 43 on the formation, it is formed so as to be in contact with the active layer 41 exposed through the contact hole. 상기 소스/드레인 전극(43)을 덮도록 보호막(34)이 형성되고, 식각 공정을 통하여 상기 드레인 전극(43)의 일부가 드러나도록 한다. So as to cover the source / drain electrode 43. The protective film 34 is formed, and so that a portion of the drain electrode 43 exposed through the etching process. 상기 보호막(34) 위로는 보호막(34)의 평탄화를 위해 별도의 절연막을 더 형성할 수도 있다. The protective film 34 to the top may be further formed to separate the insulating film for planarization of the protective film 34.

한편, 상기 유기 발광 소자(60)는 전류의 흐름에 따라 적,녹,청색의 빛을 발광하여 소정의 화상 정보를 표시하기 위한 것으로서, 상기 보호막(34)상에 제 1 전극(61)을 형성한다. On the other hand, the organic light emitting element 60 is formed a first electrode 61 on the protection film 34 serves to emit light of red, green, and blue light according to a flow of current displays predetermined image information do. 상기 제 1 전극(61)은 TFT(40)의 드레인 전극(43)과 전기적으로 연결된다. The first electrode 61 is electrically connected to drain electrode 43 of the TFT (40) and.

그리고, 상기 제 1 전극(61)을 덮도록 화소정의막(35)이 형성된다. And, the pixel defining layer 35 to cover the first electrode 61 is formed. 이 화소정의막(35)에 소정의 개구(64)를 형성한 후, 이 개구(64)로 한정된 영역 내에 유기 발광막(63)을 형성한다. After forming a predetermined opening 64 in the pixel defining layer 35 to form the organic light emitting film 63 in the area defined by the opening 64. 유기 발광막(63) 위로는 제 2 전극(62)을 형성한다. The organic light emitting film 63 is formed over the second electrode (62).

상기 화소정의막(35)은 각 화소를 구획하는 것으로, 유기물로 형성되어, 제 1 전극(61)이 형성되어 있는 기판의 표면, 특히, 보호층(34)의 표면을 평탄화한다. The pixel defining layer 35 to planarize the surface of that partition the respective pixels, is formed of an organic substance, a first electrode 61, the surface of the substrate which is formed, in particular, the protective layer 34.

상기 제 1 전극(61)과 제 2 전극(62)은 서로 절연되어 있으며, 유기 발광막(63)에 서로 다른 극성의 전압을 가해 발광이 이뤄지도록 한다. And wherein the first electrode 61 and second electrode 62 are insulated from each other, applying a voltage of different polarities to the organic light emitting film 63 to emit light so that the yirwoji.

상기 유기 발광막(63)은 저분자 또는 고분자 유기물이 사용될 수 있는 데, 저분자 유기물을 사용할 경우 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer), 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer), 발광층(EML: Emission Layer), 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer), 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층되어 형성될 수 있으며, 사용 가능한 유기 재료도 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯해 다양하게 적용 가능하다. The organic light emitting film 63 when it is used with, a low-molecular organic material having that can be used are low-molecular or polymer organic material hole injection layer (HIL: Hole Injection Layer), a hole transport layer (HTL: Hole Transport Layer), emitting layer (EML: Emission Layer ), an electron transport layer (ETL: electron transport layer), an electron injection layer (EIL: electron injection layer), etc. can be formed are laminated in the structure of the single or multiple, of available organic materials are copper phthalocyanine (CuPc: copper phthalocyanine) , N, N- di (naphthalene-1-yl) -N, N'- diphenyl-benzidine (N, N'-di (naphthalene-1-yl) -N, N'-diphenyl-benzidine: NPB), and the like as well as tris-8-hydroxyquinoline aluminum (tris-8-hydroxyquinoline aluminum) (Alq3) may be variously applied. 이들 저분자 유기물은 도 1 내지 도 3에서 볼 수 있는 증착 장치 및 증착 소스 유닛(10)을 이용하여 진공증착의 방법으로 형성될 수 있다. These low-molecular organic materials may be used to Figures 1 to a deposition apparatus and a deposition source unit 10 can be seen in Figure 3 formed by the method of vacuum vapor deposition.

이러한 유기 발광막을 형성한 후에는 제2전극(62)을 역시 동일한 증착 공정으로 형성할 수 있다. After forming such an organic light emitting film may be formed by the same deposition process, the second electrode 62, too.

한편, 상기 제 1 전극(61)은 애노우드 전극의 기능을 하고, 상기 제 2 전극(62)은 캐소오드 전극의 기능을 할 수 있는 데, 물론, 이들 제 1 전극(61)과 제 2 전극(62)의 극성은 반대로 되어도 무방하다. On the other hand, the first electrode 61 is a function of the anode electrode and the second electrode 62 is used to the function of the cathode electrode, of course, these first electrodes 61 and the second electrode the polarity of 62 but may be reversed. 그리고, 제 1 전극(61)은 각 화소의 영역에 대응되도록 패터닝될 수 있고, 제 2 전극(62)은 모든 화소를 덮도록 형성될 수 있다. The first electrode 61 may be patterned to correspond to areas of each pixel, the second electrode 62 may be formed to cover all pixels.

상기 제 1 전극(61)은 투명 전극 또는 반사형 전극으로 구비될 수 있는 데, 투명전극으로 사용될 때에는 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3로 구비될 수 있고, 반사형 전극으로 사용될 때에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, 및 이들의 화합물 등으로 반사층을 형성한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3로 투명전극층을 형성할 수 있다. The first electrode 61 may be formed of ITO, IZO, ZnO, or In2O3, when used as a transparent electrode to which may be provided with a transparent electrode or a reflective electrode, when used as a reflective electrode Ag, Mg, Al, after forming the reflection layer as Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, and combinations thereof, etc., that can be formed over the transparent electrode layer with ITO, IZO, ZnO, or In2O3. 이러한 제1전극(61)은 스퍼터링 방법 등에 의해 성막된 후, 포토 리소그래피법 등에 의해 패터닝된다. The first electrode 61 is patterned after the film formation or the like by a sputtering method, a photolithography method.

한편, 상기 제 2 전극(62)도 투명 전극 또는 반사형 전극으로 구비될 수 있는 데, 투명전극으로 사용될 때에는 이 제 2 전극(62)이 캐소오드 전극으로 사용되므로, 일함수가 작은 금속 즉, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg, 및 이들의 화합물이 유기 발광막(63)의 방향을 향하도록 증착한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등으로 보조 전극층이나 버스 전극 라인을 형성할 수 있다. On the other hand, the second electrode 62 that is also a transparent electrode, or so having to be provided with a reflective electrode, a second electrode 62, when used as a transparent electrode is used as a cathode electrode, a metal function is small, as Li, Ca, LiF / Ca, LiF / Al, Al, Ag, Mg, and combinations after the compound is deposited to face the direction of the organic light emitting film 63, the above ITO, IZO, ZnO, or In2O3, etc. It can form an auxiliary electrode layer or a bus electrode line. 그리고, 반사형 전극으로 사용될 때에는 위 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg, 및 이들의 화합물을 전면 증착하여 형성한다. And, when used as a reflective electrode to form the above Li, Ca, LiF / Ca, LiF / Al, Al, Ag, Mg, and combinations thereof to the front deposit. 이 때, 증착은 전술한 유기 발광막(63)의 경우와 마찬가지의 방법으로 행할 수 있다. At this time, the deposition can be carried out in a manner similar to the case of the above-described organic light-emitting film 63.

본 발명은 이 외에도, 유기 TFT의 유기막 또는 무기막 등의 증착에도 사용할 수 있으며, 기타, 다양한 소재의 성막 공정에 적용 가능하다. The present invention In addition to this, and can also be used for deposition of the organic TFT, such as an organic film or an inorganic film, and is applicable to other film formation process of the various materials.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. The present invention has been described for the embodiment shown in the drawings as it will be understood that it is the only, and those skilled in the art various modifications and equivalent other embodiments are possible from it as exemplary. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다. Therefore, the true technical protection scope of the invention as defined by the technical spirit of the appended claims.

100: 박막 증착 어셈블리 110: 증착원 100: thin film deposition assembly 110: evaporation source
120: 증착원 노즐부 130: 차단판 어셈블리 120: deposition source nozzle unit 130: blocking plate assembly
150: 패터닝 슬릿 시트 170: 바라트론 게이지 150: patterning slit sheet 170: Tron look gauge
500: 기판 600: 정전척 500: substrate 600: an electrostatic chuck

Claims (28)

  1. 기판상에 박막을 형성하기 위한 박막 증착 장치에 있어서, In the film deposition apparatus for forming a thin film on a substrate,
    증착 물질을 방사하는 증착원; An evaporation source for emitting a deposition material;
    상기 증착원의 일 측에 배치되며, 제1 방향을 따라 복수 개의 증착원 노즐들이 형성되는 증착원 노즐부; Deposition source nozzle unit that is disposed on one side of the evaporation source, a plurality of deposition source nozzles are formed along a first direction;
    상기 증착원 노즐부와 대향되게 배치되고, 상기 제1 방향을 따라 복수 개의 패터닝 슬릿들이 형성되는 패터닝 슬릿 시트; A patterning slit sheet that is disposed facing the deposition source nozzle unit, a plurality of patterning slits are formed along the first direction;
    상기 증착원 노즐부와 상기 패터닝 슬릿 시트 사이에 상기 제1 방향을 따라 배치되어, 상기 증착원 노즐부와 상기 패터닝 슬릿 시트 사이의 공간을 복수 개의 증착 공간들로 구획하는 복수 개의 차단판들을 구비하는 차단판 어셈블리; Are arranged along the first direction between the deposition source nozzle unit and the patterning slit sheet having a plurality of barrier plates that partition a space between the deposition source nozzle unit and the patterning slit sheet into a plurality of deposition spaces blocking plate assembly; And
    상기 증착원의 일 측에 형성되어 상기 증착원 내부의 압력을 측정하는 바라트론 게이지(baratron gauge)를 포함하고, Is formed on one side of the deposition source and comprises a torch at gauge (baratron gauge) for measuring the pressure inside said evaporation source,
    상기 박막 증착 장치는 상기 기판과 이격되도록 형성되며, The film deposition apparatus are formed so as to be spaced apart from the substrate,
    상기 박막 증착 장치와 상기 기판은, 어느 일 측이 타 측에 대하여 상대적으로 이동가능하도록 형성되고, And the substrate and the thin film deposition apparatus is formed which on one side is to be relatively moved with respect to the other side,
    상기 박막 증착 장치의 상기 패터닝 슬릿 시트는 상기 기판보다 작게 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. The patterning slit sheet of the thin film evaporation apparatus is a thin film deposition apparatus characterized in that the smaller form than the substrate.
  2. 삭제 delete
  3. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 바라트론 게이지는, The anthrone at the gauge,
    하우징; housing;
    상기 하우징과 상기 증착원을 연결하는 제1 진공 튜브; The first vacuum tube for connecting the housing and the evaporation source;
    상기 하우징 내부에 형성되어, 상기 하우징 내부의 공간을 이분하는 다이아 프램; It is formed in the housing, the diaphragm bisecting the space inside the housing; And
    상기 다이아 프램으로부터의 거리에 따라 캐패시턴스를 유도하는 전극 어셈블리를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. The film deposition apparatus comprising: an electrode assembly for inducing a capacitance according to the distance from the diaphragm.
  4. 제 3 항에 있어서, 4. The method of claim 3,
    상기 다이아 프램은 상기 증착원에 연결된 상기 제1 진공 튜브로 배출 또는 유입되는 공기의 압력에 따라 상기 증착원 방향 또는 상기 증착원으로부터 이격되는 방향으로 이동하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. The diaphragm is a thin film deposition apparatus is characterized in that movement in a direction away from the evaporation source direction or the evaporation source according to the pressure of the air discharged or introduced into the first vacuum tube connected to the evaporation source.
  5. 제 3 항에 있어서, 4. The method of claim 3,
    상기 바라트론 게이지는 상기 증착원 내부의 절대 압력을 측정하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. At the torch gauge film deposition apparatus, characterized in that to measure the absolute pressure within the evaporation source.
  6. 제 3 항에 있어서, 4. The method of claim 3,
    상기 바라트론 게이지는, 상기 다이어 프램에 의해서 이분되고 있는 상기 하우징에서, 상기 제1 진공 튜브가 형성된 부분의 반대편에 형성되는 제2 진공 튜브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. The anthrone at the gauge, the film deposition apparatus in the housing, which is two minutes by the diaphragm, characterized by further comprising a second vacuum tube which is formed on the other side of the portion where the first vacuum tube is formed.
  7. 제 6 항에 있어서, 7. The method of claim 6,
    상기 바라트론 게이지는 상기 증착원 내부의 압력과 상기 박막 증착 장치가 수용된 챔버 내의 압력 간의 차이를 측정하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. The anthrone at the gauge thin-film vapor deposition apparatus characterized in that the evaporation source in the inner pressure and the thin film deposition apparatus measures the difference between the pressure in the chamber accommodated.
  8. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 바라트론 게이지에서 측정된 상기 증착원 내부의 압력을 이용하여 상기 증착원에서 방사되는 상기 증착 물질의 증발률을 일정하게 유지하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. The film deposition apparatus, characterized in that to maintain constant the evaporation rate of the deposition material using a vapor source inside of the pressure measured by the gauge at Tron radiated from the evaporation source.
  9. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 복수 개의 차단판들 각각은 상기 제1 방향과 수직인 제2 방향으로 형성되어, 상기 증착원 노즐부와 상기 패터닝 슬릿 시트 사이의 공간을 복수 개의 증착 공간들로 구획하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. Each of the plurality of blocking plates are thin-film deposition, characterized in that for partitioning a space between the first direction perpendicular to the first formed in the second direction, the deposition source nozzle unit and the patterning slit sheet into a plurality of deposition spaces Device.
  10. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 차단판 어셈블리는 복수 개의 제1 차단판들을 구비하는 제1 차단판 어셈블리와, 복수 개의 제2 차단판들을 구비하는 제2 차단판 어셈블리를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. The shield plate assembly is the film deposition apparatus comprises a second blocking plate assembly comprising a first shield plate assembly, and a plurality of second blocking plate having a plurality of first blocking plate.
  11. 제 10 항에 있어서, 11. The method of claim 10,
    상기 복수 개의 제1 차단판들 및 상기 복수 개의 제2 차단판들 각각은 상기 제1 방향과 수직인 제2 방향으로 형성되어, 상기 증착원 노즐부와 상기 패터닝 슬릿 시트 사이의 공간을 복수 개의 증착 공간들로 구획하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. The plurality of first barrier plates and the plurality of second barrier plates each of the first direction and perpendicular is formed in the second direction, a plurality of depositing a space between the deposition source nozzle unit and the patterning slit sheet the film deposition apparatus characterized in that the compartment with the space.
  12. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 기판이 상기 박막 증착 장치에 대하여 상대적으로 이동하면서, 상기 기판상에 상기 박막 증착 장치의 증착 물질이 연속적으로 증착되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. The substrate is film deposition apparatus, characterized in that the deposited material of the thin film deposition apparatus, the substrate while relatively moving with respect to the film deposition apparatus to be continuously deposited.
  13. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 박막 증착 장치와 상기 기판은, 상기 기판에서 상기 증착 물질이 증착되는 면과 평행한 면을 따라, 어느 일 측이 타 측에 대하여 상대적으로 이동하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. The film deposition apparatus and the substrate, the film deposition apparatus, characterized in that for moving the deposition material side which is along a plane parallel to the deposited surface, one is relatively with respect to the other side from the substrate.
  14. 삭제 delete
  15. 기판상에 박막을 형성하기 위한 박막 증착 장치에 있어서, In the film deposition apparatus for forming a thin film on a substrate,
    증착 물질을 방사하는 증착원; An evaporation source for emitting a deposition material;
    상기 증착원의 일 측에 배치되며, 제1 방향을 따라 복수 개의 증착원 노즐들이 형성되는 증착원 노즐부; Deposition source nozzle unit that is disposed on one side of the evaporation source, a plurality of deposition source nozzles are formed along a first direction;
    상기 증착원 노즐부와 대향되게 배치되고, 상기 제1 방향에 대해 수직인 제2 방향을 따라 복수 개의 패터닝 슬릿들이 형성되는 패터닝 슬릿 시트; A patterning slit sheet that is disposed facing the deposition source nozzle unit, a plurality of patterning slits are formed along a perpendicular to the second direction with respect to the first direction; And
    상기 증착원의 일 측에 형성되어 상기 증착원 내부의 압력을 측정하는 바라트론 게이지(baratron gauge)를 포함하고, Is formed on one side of the deposition source and comprises a torch at gauge (baratron gauge) for measuring the pressure inside said evaporation source,
    상기 박막 증착 장치는 상기 기판과 이격되도록 형성되며, The film deposition apparatus are formed so as to be spaced apart from the substrate,
    상기 박막 증착 장치와 상기 기판은, 어느 일 측이 타 측에 대하여 상기 제1 방향을 따라 상대적으로 이동하면서 증착이 수행되고, The film deposition apparatus and the substrate, any one side is deposited while relatively moving along the first direction is performed on the other side,
    상기 박막 증착 장치의 상기 패터닝 슬릿 시트는 상기 기판보다 작게 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. The patterning slit sheet of the thin film evaporation apparatus is a thin film deposition apparatus characterized in that the smaller form than the substrate.
  16. 제 15 항에 있어서, 16. The method of claim 15,
    상기 바라트론 게이지는, The anthrone at the gauge,
    하우징; housing;
    상기 하우징과 상기 증착원을 연결하는 제1 진공 튜브; The first vacuum tube for connecting the housing and the evaporation source;
    상기 하우징 내부에 형성되어, 상기 하우징 내부의 공간을 이분하는 다이아 프램; It is formed in the housing, the diaphragm bisecting the space inside the housing; And
    상기 다이아 프램으로부터의 거리에 따라 캐패시턴스를 유도하는 전극 어셈블리를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. The film deposition apparatus comprising: an electrode assembly for inducing a capacitance according to the distance from the diaphragm.
  17. 제 16 항에 있어서, 17. The method of claim 16,
    상기 다이아 프램은 상기 증착원에 연결된 상기 제1 진공 튜브로 배출 또는 유입되는 공기의 압력에 따라 상기 증착원 방향 또는 상기 증착원으로부터 이격되는 방향으로 이동하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. The diaphragm is a thin film deposition apparatus is characterized in that movement in a direction away from the evaporation source direction or the evaporation source according to the pressure of the air discharged or introduced into the first vacuum tube connected to the evaporation source.
  18. 제 16 항에 있어서, 17. The method of claim 16,
    상기 바라트론 게이지는 상기 증착원 내부의 절대 압력을 측정하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. At the torch gauge film deposition apparatus, characterized in that to measure the absolute pressure within the evaporation source.
  19. 제 16 항에 있어서, 17. The method of claim 16,
    상기 바라트론 게이지는, 상기 다이어 프램에 의해서 이분되고 있는 상기 하우징에서, 상기 제1 진공 튜브가 형성된 부분의 반대편에 형성되는 제2 진공 튜브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. The anthrone at the gauge, the film deposition apparatus in the housing, which is two minutes by the diaphragm, characterized by further comprising a second vacuum tube which is formed on the other side of the portion where the first vacuum tube is formed.
  20. 제 19 항에 있어서, 20. The method of claim 19,
    상기 바라트론 게이지는 상기 증착원 내부의 압력과 상기 박막 증착 장치가 수용된 챔버 내의 압력 간의 차이를 측정하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. The anthrone at the gauge thin-film vapor deposition apparatus characterized in that the evaporation source in the inner pressure and the thin film deposition apparatus measures the difference between the pressure in the chamber accommodated.
  21. 제 15 항에 있어서, 16. The method of claim 15,
    상기 바라트론 게이지에서 측정된 상기 증착원 내부의 압력을 이용하여 상기 증착원에서 방사되는 상기 증착 물질의 증발률을 일정하게 유지하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. The film deposition apparatus, characterized in that to maintain constant the evaporation rate of the deposition material using a vapor source inside of the pressure measured by the gauge at Tron radiated from the evaporation source.
  22. 제 15 항에 있어서, 16. The method of claim 15,
    상기 증착원, 상기 증착원 노즐부 및 상기 패터닝 슬릿 시트는 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. The evaporation source, a thin film deposition apparatus, characterized in that the deposition source nozzle unit and the patterning slit sheet are integrally formed.
  23. 삭제 delete
  24. 제 15 항에 있어서, 16. The method of claim 15,
    상기 기판이 상기 박막 증착 장치에 대하여 상기 제1 방향을 따라 이동하면서, 상기 기판상에 상기 증착 물질이 연속적으로 증착되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. The substrate is a thin film deposition apparatus is characterized in that the deposited material on, the substrate moves along the first direction with respect to the film deposition apparatus to be continuously deposited.
  25. 삭제 delete
  26. 증착 물질을 방사하는 증착원과, 상기 증착원의 일 측에 배치되며 제1 방향을 따라 복수 개의 증착원 노즐들이 형성되는 증착원 노즐부와, 상기 증착원 노즐부와 대향되게 배치되고 상기 제1 방향을 따라 복수 개의 패터닝 슬릿들이 형성되며 기판보다 작게 형성되는 패터닝 슬릿 시트와, 상기 증착원 노즐부와 상기 패터닝 슬릿 시트 사이에 상기 제1 방향을 따라 배치되어 상기 증착원 노즐부와 상기 패터닝 슬릿 시트 사이의 공간을 복수 개의 증착 공간들로 구획하는 복수 개의 차단판들을 구비하는 차단판 어셈블리와, 상기 증착원의 일 측에 형성되어 상기 증착원 내부의 압력을 측정하는 바라트론 게이지(baratron gauge)를 포함하는 박막 증착 장치를, And an evaporation source for emitting a deposition material, wherein disposed on one side of the deposition source is arranged opposite and the deposition source nozzle unit that is a plurality of deposition source nozzles are formed, the deposition source nozzle unit along a first direction of the first a plurality of patterning slits are formed, and a patterning slit sheet that is smaller than the substrate, are arranged along the first direction between the deposition source nozzle unit and the patterning slit sheet and the deposition source nozzle unit the patterning slit sheet in the direction a shield plate assembly, and is formed on one side of the evaporation source at Tron gauge (baratron gauge) for measuring the pressure inside said evaporation source having a plurality of barrier plates that partition a space between a plurality of deposition spaces a film deposition apparatus including,
    척에 고정된 피증착용 기판과 이격되도록 배치하여, Arranged such that the substrate and the wear scleroderma spaced fixed to the chuck,
    증착이 진행되는 동안 상기 박막 증착 장치와 상기 척에 고정된 기판이 서로 상대적으로 이동됨으로써 기판에 대한 증착이 이뤄지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치용 기판의 제조방법. The method for the thin film deposition apparatus and the organic light emitting display apparatus of the substrate fixed to the chuck characterized in that goes with each other are deposited on the substrate by being moved relative to the substrate while the deposition progresses.
  27. 증착 물질을 방사하는 증착원과, 상기 증착원의 일 측에 배치되며, 제1 방향을 따라 복수 개의 증착원 노즐들이 형성되는 증착원 노즐부와, 상기 증착원 노즐부와 대향되게 배치되고, 상기 제1 방향에 대해 수직인 제2 방향을 따라 복수 개의 패터닝 슬릿들이 형성되며 기판보다 작게 형성되는 패터닝 슬릿 시트와, 상기 증착원의 일 측에 형성되어 상기 증착원 내부의 압력을 측정하는 바라트론 게이지(baratron gauge)를 포함하는 박막 증착 장치를, And an evaporation source for emitting a vapor deposition material, is disposed to one side of the deposition source, the first direction of the deposition source nozzle unit that is a plurality of deposition source nozzles are formed along, and disposed facing the deposition source nozzle unit, wherein the at Tron gauge for measuring a plurality of patterning slits are formed and patterning slit sheet, and a pressure within the evaporation source is formed on one side of the evaporation source is formed to be smaller than the substrate along a perpendicular to the second direction to the first direction a film deposition apparatus including a (baratron gauge),
    척에 고정된 피증착용 기판과 이격되도록 배치하여, 증착이 진행되는 동안 상기 박막 증착 장치와 상기 척에 고정된 기판이 서로 상대적으로 이동됨으로써 기판에 대한 증착이 이뤄지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치용 기판의 제조방법. Arranged such that the scleroderma wear substrate and spaced apart from the fixed to the chuck, for the film deposition apparatus and the organic light emitting display apparatus of the substrate fixed to the chuck, wherein one another goes is deposited on the substrate by being relatively moved while the deposition progresses the method of the substrate.
  28. 삭제 delete
KR1020100065465A 2010-07-07 2010-07-07 Apparatus for thin layer deposition, method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same, and organic light emitting display apparatus manufactured by the method KR101223723B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100065465A KR101223723B1 (en) 2010-07-07 2010-07-07 Apparatus for thin layer deposition, method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same, and organic light emitting display apparatus manufactured by the method

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100065465A KR101223723B1 (en) 2010-07-07 2010-07-07 Apparatus for thin layer deposition, method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same, and organic light emitting display apparatus manufactured by the method
US13/157,220 US9279177B2 (en) 2010-07-07 2011-06-09 Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120004790A KR20120004790A (en) 2012-01-13
KR101223723B1 true KR101223723B1 (en) 2013-01-18

Family

ID=45438886

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100065465A KR101223723B1 (en) 2010-07-07 2010-07-07 Apparatus for thin layer deposition, method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same, and organic light emitting display apparatus manufactured by the method

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9279177B2 (en)
KR (1) KR101223723B1 (en)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5623786B2 (en) 2009-05-22 2014-11-12 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. Thin film deposition apparatus
TWI472639B (en) 2009-05-22 2015-02-11 Samsung Display Co Ltd Thin film deposition apparatus
US8882920B2 (en) * 2009-06-05 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
JP5328726B2 (en) 2009-08-25 2013-10-30 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. Method of manufacturing a thin film deposition apparatus and the organic light emitting display device using the same
JP5677785B2 (en) 2009-08-27 2015-02-25 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. Method of manufacturing a thin film deposition apparatus and the organic light emitting display using the same
US8876975B2 (en) * 2009-10-19 2014-11-04 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
KR101084184B1 (en) 2010-01-11 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 Apparatus for thin layer deposition
KR101174875B1 (en) 2010-01-14 2012-08-17 삼성디스플레이 주식회사 The film deposition apparatus, a method of manufacturing an organic light emitting display device using the same and therefore the organic light-emitting display device manufactured in accordance
KR101193186B1 (en) 2010-02-01 2012-10-19 삼성디스플레이 주식회사 Apparatus for thin layer deposition, method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same, and organic light emitting display apparatus manufactured by the method
KR101156441B1 (en) 2010-03-11 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 Apparatus for thin layer deposition
KR101202348B1 (en) 2010-04-06 2012-11-16 삼성디스플레이 주식회사 Apparatus for thin layer deposition and method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same
US8894458B2 (en) 2010-04-28 2014-11-25 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
KR101223723B1 (en) 2010-07-07 2013-01-18 삼성디스플레이 주식회사 Apparatus for thin layer deposition, method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same, and organic light emitting display apparatus manufactured by the method
KR101738531B1 (en) 2010-10-22 2017-05-23 삼성디스플레이 주식회사 Method for manufacturing of organic light emitting display apparatus, and organic light emitting display apparatus manufactured by the method
KR101723506B1 (en) 2010-10-22 2017-04-19 삼성디스플레이 주식회사 Apparatus for organic layer deposition and method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same
KR20120045865A (en) 2010-11-01 2012-05-09 삼성모바일디스플레이주식회사 Apparatus for organic layer deposition
KR20120065789A (en) 2010-12-13 2012-06-21 삼성모바일디스플레이주식회사 Apparatus for organic layer deposition
KR101760897B1 (en) 2011-01-12 2017-07-25 삼성디스플레이 주식회사 Deposition source and apparatus for organic layer deposition having the same
US9064740B2 (en) * 2011-04-20 2015-06-23 Koninklijke Philips N.V. Measurement device and method for vapour deposition applications
KR101852517B1 (en) 2011-05-25 2018-04-27 삼성디스플레이 주식회사 Apparatus for organic layer deposition and method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same
KR101840654B1 (en) 2011-05-25 2018-03-22 삼성디스플레이 주식회사 Apparatus for organic layer deposition and method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same
KR101857249B1 (en) 2011-05-27 2018-05-14 삼성디스플레이 주식회사 Patterning slit sheet assembly, apparatus for organic layer deposition, method for manufacturing organic light emitting display apparatus and organic light emitting display apparatus
KR101826068B1 (en) 2011-07-04 2018-02-07 삼성디스플레이 주식회사 Apparatus for thin layer deposition
CN104099571A (en) * 2013-04-01 2014-10-15 上海和辉光电有限公司 Evaporation source component, film deposition device and film deposition method
CN107502858A (en) * 2014-11-07 2017-12-22 应用材料公司 Vacuum deposition cavity
KR20170005214A (en) * 2015-07-01 2017-01-12 삼성디스플레이 주식회사 Mask tension welding device for thin film deposition
US10100410B2 (en) * 2016-08-05 2018-10-16 Industrial Technology Research Institute Film thickness monitoring system and method using the same

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200342433Y1 (en) * 2003-12-04 2004-02-21 현대엘씨디주식회사 Crucible for deposting organic matter of high pressure spouting type
KR20040034537A (en) * 2002-10-21 2004-04-28 도호꾸 파이오니어 가부시끼가이샤 Vacuum evaporator
KR20080044775A (en) * 2006-11-16 2008-05-21 미쯔비시 히다찌 세이떼쯔 기까이 가부시끼가이샤 Evaporation source and vacuum evaporator using the same

Family Cites Families (482)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57194252U (en) 1981-06-02 1982-12-09
JPS6053745B2 (en) 1981-07-31 1985-11-27 Ulvac Seimaku
JPS616029Y2 (en) 1982-10-15 1986-02-24
KR890002747B1 (en) 1983-11-07 1989-07-26 미쓰다 가쓰시게 Method and apparatus for forming film by ion beam
JPH0682642B2 (en) 1985-08-09 1994-10-19 株式会社日立製作所 Surface treatment equipment
JPH0522405Y2 (en) 1985-12-05 1993-06-08
US4792378A (en) 1987-12-15 1988-12-20 Texas Instruments Incorporated Gas dispersion disk for use in plasma enhanced chemical vapor deposition reactor
JPH02247372A (en) 1989-03-17 1990-10-03 Mitsubishi Electric Corp Thin film formation
JPH0827568B2 (en) 1990-07-02 1996-03-21 三田工業株式会社 Transfer sheet separation device in the image forming apparatus
JP3125279B2 (en) 1991-02-25 2001-01-15 三菱重工業株式会社 Vacuum deposition for the graphite crucible
JP2572861Y2 (en) 1991-05-13 1998-05-25 テイエチケー株式会社 Linear motion slide unit
JPH0598425A (en) 1991-10-04 1993-04-20 Mitsubishi Electric Corp Thin film forming device
JPH05230628A (en) 1992-02-18 1993-09-07 Fujitsu Ltd Metal film forming device and metal recovery method in metal film forming device
JP2797233B2 (en) 1992-07-01 1998-09-17 富士通株式会社 Thin film growth apparatus
FR2695943B1 (en) 1992-09-18 1994-10-14 Alsthom Cge Alcatel A process for vapor deposition of a film of fluorinated glass on a substrate.
USRE39024E1 (en) 1994-04-28 2006-03-21 Nikon Corporation Exposure apparatus having catadioptric projection optical system
JP3401356B2 (en) 1995-02-21 2003-04-28 パイオニア株式会社 The organic electroluminescence display panel and a manufacturing method thereof
JPH0995776A (en) 1995-09-29 1997-04-08 Sony Corp Vacuum deposition device
JPH1050478A (en) 1996-04-19 1998-02-20 Toray Ind Inc Organic field emission element and manufacture thereof
CH691680A5 (en) 1996-10-15 2001-09-14 Unaxis Deutschland Gmbh Transport apparatus for workpieces in a vacuum system.
US6091195A (en) 1997-02-03 2000-07-18 The Trustees Of Princeton University Displays having mesa pixel configuration
US6274198B1 (en) 1997-02-24 2001-08-14 Agere Systems Optoelectronics Guardian Corp. Shadow mask deposition
JPH10270535A (en) 1997-03-25 1998-10-09 Nikon Corp Moving stage device and circuit-device manufacture using the same
US6469439B2 (en) 1999-06-15 2002-10-22 Toray Industries, Inc. Process for producing an organic electroluminescent device
KR100257219B1 (en) 1997-10-23 2000-05-15 박용관 Method and device for making a safety operation of a polyethylene gas pipe valve arrangement
JP3948082B2 (en) 1997-11-05 2007-07-25 カシオ計算機株式会社 Method of manufacturing an organic electroluminescence element
US6337102B1 (en) 1997-11-17 2002-01-08 The Trustees Of Princeton University Low pressure vapor phase deposition of organic thin films
US6099649A (en) 1997-12-23 2000-08-08 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition hot-trap for unreacted precursor conversion and effluent removal
JP2000068054A (en) 1998-08-26 2000-03-03 Hokuriku Electric Ind Co Ltd Manufacture of el element
US6280821B1 (en) 1998-09-10 2001-08-28 Ppg Industries Ohio, Inc. Reusable mask and method for coating substrate
US6384529B2 (en) 1998-11-18 2002-05-07 Eastman Kodak Company Full color active matrix organic electroluminescent display panel having an integrated shadow mask
US6222198B1 (en) 1998-11-20 2001-04-24 Mems Optical Inc. System and method for aligning pattern areas on opposing substrate surfaces
EP1144121A1 (en) 1999-01-26 2001-10-17 DBS Beschichtung und Systeme Technik GmbH Method for coating the inside of pipes and coating system
JP3734239B2 (en) 1999-04-02 2006-01-11 キヤノン株式会社 The organic layer vacuum deposition mask reproducing method and apparatus
US6610150B1 (en) 1999-04-02 2003-08-26 Asml Us, Inc. Semiconductor wafer processing system with vertically-stacked process chambers and single-axis dual-wafer transfer system
KR20000019254U (en) 1999-04-07 2000-11-06 손대균 Roundin WheeL
JP4136185B2 (en) 1999-05-12 2008-08-20 パイオニア株式会社 The organic electroluminescence multi-color display and a method for manufacturing the same
US6579422B1 (en) 1999-07-07 2003-06-17 Sony Corporation Method and apparatus for manufacturing flexible organic EL display
JP2001028325A (en) 1999-07-13 2001-01-30 Tdk Corp Method and device for transfer chip part, and electrode- forming device
JP2001052862A (en) 1999-08-04 2001-02-23 Hokuriku Electric Ind Co Ltd Manufacture of organic el element and device therefor
JP4352522B2 (en) 1999-09-01 2009-10-28 ソニー株式会社 Emissive flat panel display device
JP4187367B2 (en) 1999-09-28 2008-11-26 三洋電機株式会社 The organic light emitting device, manufacturing apparatus and a manufacturing method thereof that
KR20010050711A (en) 1999-09-29 2001-06-15 준지 키도 Organic electroluminescent device, group of organic electroluminescent devices and controlling method of emission spectrum in such devices
US20090208754A1 (en) 2001-09-28 2009-08-20 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
AU3331700A (en) 1999-10-29 2001-05-08 E. One Co., Ltd. Scent diffusion apparatus and method thereof
KR20010039298A (en) 1999-10-29 2001-05-15 김영남 Field emission display
KR100302159B1 (en) 1999-10-29 2001-09-22 최중호 Scent diffusion apparatus and method therefor
KR100388903B1 (en) 1999-12-10 2003-06-25 삼성에스디아이 주식회사 Shadow mask frame assembly for the flat CRT
JP2001185350A (en) 1999-12-24 2001-07-06 Sanyo Electric Co Ltd Worn mask, its manufacturing method, electroluminescent display device and its manufacturing method
TW490714B (en) 1999-12-27 2002-06-11 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and method for forming a film
KR100653515B1 (en) 1999-12-30 2006-12-04 주식회사 팬택앤큐리텔 Mobile station for mobile communication system
JP3754859B2 (en) 2000-02-16 2006-03-15 キヤノン株式会社 The process of the image display device
KR20010092914A (en) 2000-03-27 2001-10-27 윤종용 Electrical static chuck comprising a shadow ring
JP3802309B2 (en) 2000-03-28 2006-07-26 株式会社アドテックエンジニアリング Alignment apparatus and an exposure apparatus in a multilayer circuit board manufacturing
JP4053209B2 (en) 2000-05-01 2008-02-27 三星エスディアイ株式会社 A method of manufacturing an organic el display
TW593622B (en) 2000-05-19 2004-06-21 Eastman Kodak Co Method of using predoped materials for making an organic light-emitting device
EP1167566B1 (en) 2000-06-22 2011-01-26 Panasonic Electric Works Co., Ltd. Apparatus for and method of vacuum vapor deposition
KR20020000201A (en) 2000-06-23 2002-01-05 최승락 Method cleaning Liquid Chrystal Display using Laser and Vapor Phase
TW451601B (en) 2000-08-07 2001-08-21 Ind Tech Res Inst The fabrication method of full color organic electroluminescent device
JP2002075638A (en) 2000-08-29 2002-03-15 Nec Corp Vapor deposition method of mask and vapor deposition device
JP2002175878A (en) 2000-09-28 2002-06-21 Sanyo Electric Co Ltd Forming method of layer, and manufacturing method of color luminous device
TW594395B (en) 2000-09-29 2004-06-21 Nippon Zeon Co Photoresist composition for insulating film, insulating film for organic electroluminescent element, and process for producing the same
KR100726132B1 (en) 2000-10-31 2007-06-12 엘지.필립스 엘시디 주식회사 A method for fabricating array substrate for liquid crystal display device and the same
US7078070B2 (en) 2000-11-07 2006-07-18 Helix Technology Inc. Method for fabricating an organic light emitting diode
US6468496B2 (en) 2000-12-21 2002-10-22 Arco Chemical Technology, L.P. Process for producing hydrogen peroxide
KR100625403B1 (en) 2000-12-22 2006-09-18 주식회사 하이닉스반도체 Virtual Channel SDRAM
KR100698033B1 (en) 2000-12-29 2007-03-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Organic Electroluminescence Device and Fabrication Method for the same
US6558735B2 (en) 2001-04-20 2003-05-06 Eastman Kodak Company Reusable mass-sensor in manufacture of organic light-emitting devices
KR100405080B1 (en) 2001-05-11 2003-11-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 A method of crystallizing Si
KR100463212B1 (en) 2001-05-19 2004-12-23 주식회사 아이엠티 Apparatus for dry surface-cleaning of materials
JP4704605B2 (en) 2001-05-23 2011-06-15 ローム株式会社 Continuous deposition apparatus, the deposition apparatus and a deposition method
KR20020091457A (en) 2001-05-30 2002-12-06 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 Method for control color property of tft-lcd
US20020197393A1 (en) 2001-06-08 2002-12-26 Hideaki Kuwabara Process of manufacturing luminescent device
KR100406059B1 (en) 2001-06-22 2003-11-17 미래산업 주식회사 Transfer for Tray Feeder
JP2003077662A (en) 2001-06-22 2003-03-14 Junji Kido Method and device for manufacturing organic electroluminescent element
JP2003003250A (en) 2001-06-22 2003-01-08 Alps Electric Co Ltd Vacuum deposition polymerization system and method for depositing organic film using the system
KR100732742B1 (en) 2001-06-27 2007-06-27 주식회사 하이닉스반도체 Method for Monitoring Focus
US6483690B1 (en) 2001-06-28 2002-11-19 Lam Research Corporation Ceramic electrostatic chuck assembly and method of making
US6554969B1 (en) 2001-07-11 2003-04-29 Advanced Micro Devices, Inc. Acoustically enhanced deposition processes, and systems for performing same
US20030232563A1 (en) 2002-05-09 2003-12-18 Isao Kamiyama Method and apparatus for manufacturing organic electroluminescence device, and system and method for manufacturing display unit using organic electroluminescence devices
JP3705237B2 (en) 2001-09-05 2005-10-12 ソニー株式会社 Manufacturing system and a method of manufacturing a display device using the organic electroluminescent element
KR100437768B1 (en) 2001-09-13 2004-06-30 엘지전자 주식회사 Thin Film Sputtering Device
KR100730111B1 (en) 2001-10-26 2007-06-19 삼성에스디아이 주식회사 Frame for mask of organic EL display devices
TW591202B (en) 2001-10-26 2004-06-11 Hermosa Thin Film Co Ltd Dynamic film thickness control device/method and ITS coating method
KR100430336B1 (en) 2001-11-16 2004-05-03 정광호 Apparatus for manufacturing organic electro-luminescent light emitting devices for mass production
KR100450978B1 (en) 2001-11-26 2004-10-02 주성엔지니어링(주) electrostatic chuck
JP2003159786A (en) 2001-11-28 2003-06-03 Seiko Epson Corp Ejection method and its apparatus, electro-optic device, method and apparatus for manufacturing the device, color filter, method and apparatus for manufacturing the filter, device with substrate, and method and apparatus for manufacturing the device
US20030101937A1 (en) 2001-11-28 2003-06-05 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition source for making an organic light-emitting device
KR100490534B1 (en) 2001-12-05 2005-05-17 삼성에스디아이 주식회사 Mask frame assembly for thin layer vacuum evaporation of Organic electro luminescence device
SG114589A1 (en) 2001-12-12 2005-09-28 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and film formation method and cleaning method
JP2003197531A (en) 2001-12-21 2003-07-11 Seiko Epson Corp Patterning device, patterning method, method of manufacturing electronic element, method of manufacturing circuit board, method of manufacturing electronic device, electrooptical device and its manufacturing method, and electronic apparatus
TW200305773A (en) 2001-12-26 2003-11-01 Pentax Corp Projection Aligner
US20090169868A1 (en) 2002-01-29 2009-07-02 Vanderbilt University Methods and apparatus for transferring a material onto a substrate using a resonant infrared pulsed laser
US6919139B2 (en) 2002-02-14 2005-07-19 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electroluminescent iridium compounds with phosphinoalkoxides and phenylpyridines or phenylpyrimidines and devices made with such compounds
US6897164B2 (en) 2002-02-14 2005-05-24 3M Innovative Properties Company Aperture masks for circuit fabrication
US7006202B2 (en) 2002-02-21 2006-02-28 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Mask holder for irradiating UV-rays
KR100595310B1 (en) 2002-02-22 2006-07-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Device for fixing mask and Ultraviolet irradiating device using the same
US20030168013A1 (en) 2002-03-08 2003-09-11 Eastman Kodak Company Elongated thermal physical vapor deposition source with plural apertures for making an organic light-emitting device
JP2003297562A (en) 2002-03-29 2003-10-17 Sanyo Electric Co Ltd Vapor deposition method
KR100501306B1 (en) 2002-04-01 2005-07-18 (주) 휴네텍 method of manufacturing a light guiding panel and an apparatus for the same, and a particle blasting apparatus for manufacturing the light guiding panel
KR100469252B1 (en) 2002-04-12 2005-02-02 엘지전자 주식회사 Shadow Mask and Full Color Organic Electroluminescence Display Device Using the same
US6749906B2 (en) 2002-04-25 2004-06-15 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition apparatus with detachable vapor source(s) and method
JP2003321767A (en) 2002-04-26 2003-11-14 Seiko Epson Corp Vapor deposition method for thin film, organic electroluminescence device, method for manufacturing organic electroluminescence device, and electronic apparatus
BRPI0309631A2 (en) 2002-05-03 2016-11-01 Government Of The United Of America As Represented By The Secretary Of The Health And Human Services tetravalent dengue vaccine containing a trivial deletion of 30 nucleotides at UTR-31 'of dengue types 1,2,3, and 4, or antigenic chimeric dengue virus 1,2,3 and 4
JP4030350B2 (en) 2002-05-28 2008-01-09 株式会社アルバック Split electrostatic chuck
KR100908232B1 (en) 2002-06-03 2009-07-20 삼성모바일디스플레이주식회사 Thin film deposition mask frame assembly of the organic EL device
JP4440563B2 (en) 2002-06-03 2010-03-24 三星モバイルディスプレイ株式會社 Mask frame assembly of the organic EL device
US20030221620A1 (en) 2002-06-03 2003-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Vapor deposition device
JP4292777B2 (en) 2002-06-17 2009-07-08 ソニー株式会社 The thin film forming apparatus
JP2004086136A (en) 2002-07-01 2004-03-18 Seiko Epson Corp Method of manufacturing optical transceiver and adjustment device thereof
JP4286496B2 (en) 2002-07-04 2009-07-01 株式会社半導体エネルギー研究所 Evaporation apparatus and a thin film manufacturing method
MY144124A (en) 2002-07-11 2011-08-15 Molecular Imprints Inc Step and repeat imprint lithography systems
JP2004043898A (en) 2002-07-12 2004-02-12 Canon Electronics Inc Vapor deposition mask, and organic electroluminescence display device
JP2004069414A (en) 2002-08-05 2004-03-04 Nec Corp Method for measuring gap between mask and substrate of plasma display panel
KR100397196B1 (en) 2002-08-27 2003-09-13 에이엔 에스 주식회사 Organic material point source feeding unit in organic semiconductor device and method thereof
JP2004091858A (en) 2002-08-30 2004-03-25 Toyota Industries Corp Vacuum evaporation system and method for manufacturing evaporated film-applied product
JP2004103269A (en) 2002-09-05 2004-04-02 Sanyo Electric Co Ltd Manufacture method for organic electroluminescence display device
TWI252706B (en) 2002-09-05 2006-04-01 Sanyo Electric Co Manufacturing method of organic electroluminescent display device
JP2004103341A (en) 2002-09-09 2004-04-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd Manufacturing method of organic electroluminescent element
US20040123804A1 (en) 2002-09-20 2004-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Fabrication system and manufacturing method of light emitting device
JP2004107764A (en) 2002-09-20 2004-04-08 Ulvac Japan Ltd Thin film-forming apparatus
US7067170B2 (en) 2002-09-23 2006-06-27 Eastman Kodak Company Depositing layers in OLED devices using viscous flow
US6911671B2 (en) 2002-09-23 2005-06-28 Eastman Kodak Company Device for depositing patterned layers in OLED displays
US20040086639A1 (en) 2002-09-24 2004-05-06 Grantham Daniel Harrison Patterned thin-film deposition using collimating heated mask asembly
JP2004143521A (en) 2002-10-24 2004-05-20 Sony Corp Thin-film deposition device
KR100504477B1 (en) 2002-11-05 2005-08-03 엘지전자 주식회사 Heating source apparatus for Organic electron luminescence
KR100532657B1 (en) 2002-11-18 2005-12-02 주식회사 야스 Apparatus for controlling deposition zone of homogeneously mixed layer in multi source co-deposition
JP4072422B2 (en) 2002-11-22 2008-04-09 三星エスディアイ株式会社 Mask structure and a manufacturing method thereof for deposition, and a method of manufacturing an organic el device using the same
JP2004225058A (en) 2002-11-29 2004-08-12 Sony Corp Film deposition apparatus, display panel manufacturing apparatus, and method for the same
JP2004183044A (en) 2002-12-03 2004-07-02 Seiko Epson Corp Mask vapor deposition method and apparatus, mask and mask manufacturing method, display panel manufacturing apparatus, display panel and electronic equipment
JP2004199919A (en) 2002-12-17 2004-07-15 Tohoku Pioneer Corp Method for manufacturing organic el display panel
JP2004207142A (en) 2002-12-26 2004-07-22 Seiko Epson Corp Manufacturing method for organic electroluminescent device, organic electroluminescent device, and electronic equipment
KR100646160B1 (en) 2002-12-31 2006-11-14 엘지.필립스 엘시디 주식회사 A mask for sequential lateral solidification and a silicon crystallizing method using the same
JP4430010B2 (en) * 2003-01-24 2010-03-10 株式会社半導体エネルギー研究所 The light-emitting device
US20040144321A1 (en) 2003-01-28 2004-07-29 Eastman Kodak Company Method of designing a thermal physical vapor deposition system
US7211461B2 (en) 2003-02-14 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
EP1458019A3 (en) 2003-03-13 2005-12-28 VenTec Gesellschaft für Venturekapital und Unternehmensberatung Mobile transportable electrostatic substrate holders
JP4230258B2 (en) 2003-03-19 2009-02-25 東北パイオニア株式会社 Organic el panel, a method of manufacturing an organic el panel
JP3966292B2 (en) 2003-03-27 2007-08-29 セイコーエプソン株式会社 Forming method and pattern forming apparatus of a pattern, a device manufacturing method, the conductive film wiring, electro-optical device, and electronic equipment
KR100520305B1 (en) 2003-04-04 2005-10-13 한국전자통신연구원 Gap measurement device for measuring a gap between a mask and a substrate using a laser displacement sensor, and measuring method thereof
JP3915734B2 (en) 2003-05-12 2007-05-16 ソニー株式会社 Method of manufacturing a display device using the evaporation mask, and this, as well as a display device
JP2004342455A (en) 2003-05-15 2004-12-02 Tokki Corp Flat panel display manufacturing device
JP2007500794A (en) 2003-05-16 2007-01-18 エスブイティー アソーシエイツ インコーポレイテッド Thin film deposition evaporator
JP2004349101A (en) 2003-05-22 2004-12-09 Seiko Epson Corp Film forming method, film forming device, manufacturing method of organic electroluminescent device, and organic electroluminescent device
JP2004355975A (en) 2003-05-29 2004-12-16 Sony Corp Manufacturing method of display device
US6995035B2 (en) 2003-06-16 2006-02-07 Eastman Kodak Company Method of making a top-emitting OLED device having improved power distribution
KR100517255B1 (en) 2003-06-20 2005-09-27 주식회사 야스 Linear type nozzle evaporation source for manufacturing a film of OLEDs
US7410919B2 (en) 2003-06-27 2008-08-12 International Business Machines Corporation Mask and substrate alignment for solder bump process
JP4599871B2 (en) 2003-06-30 2010-12-15 ブラザー工業株式会社 Droplet ejection device
KR100724478B1 (en) 2003-06-30 2007-06-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Fabrication method for liquid crystal display device
WO2005004229A1 (en) 2003-07-08 2005-01-13 Future Vision Inc. Electrostatic chuck for substrate stage, electrode used for the chuck, and treating system having the chuck and the electrode
JP4124046B2 (en) 2003-07-10 2008-07-23 株式会社大阪チタニウムテクノロジーズ Deposition method and the vapor deposition apparatus of the metal oxide coating
US6837939B1 (en) 2003-07-22 2005-01-04 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition source using pellets of organic material for making OLED displays
JP2005044592A (en) 2003-07-28 2005-02-17 Toyota Industries Corp Depositing mask, film formation method using it, and film formation device using it
EP2369035B9 (en) 2003-08-04 2014-05-21 LG Display Co., Ltd. Evaporation source
KR100656845B1 (en) 2003-08-14 2006-12-13 엘지전자 주식회사 Source for depositing electroluminescent layer
US7318866B2 (en) * 2003-09-16 2008-01-15 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for inducing crystallization of thin films using multiple optical paths
KR20050028943A (en) 2003-09-17 2005-03-24 삼성전자주식회사 System for controling pressure of low pressure-chemical vapor deposition equipment
US7339139B2 (en) 2003-10-03 2008-03-04 Darly Custom Technology, Inc. Multi-layered radiant thermal evaporator and method of use
KR100889764B1 (en) 2003-10-04 2009-03-20 삼성모바일디스플레이주식회사 Mask frame assembly for depositing thin layer of organic electro luminescence device and deposition method using the same
US20050079418A1 (en) 2003-10-14 2005-04-14 3M Innovative Properties Company In-line deposition processes for thin film battery fabrication
JP4547599B2 (en) 2003-10-15 2010-09-22 京セラ株式会社 Image display device
KR20050039140A (en) 2003-10-24 2005-04-29 삼성전자주식회사 Baratron sensor
CN1618716B (en) 2003-11-12 2011-03-16 周星工程股份有限公司 Loading lock and loading lock chamber therewith
KR100520159B1 (en) 2003-11-12 2005-10-10 삼성전자주식회사 Apparatus and method for interference cancellation of ofdm system using multiple antenna
JP2005163099A (en) 2003-12-02 2005-06-23 Seiko Epson Corp Mask, method of producing mask, method of producing organic el apparatus, and organic el apparatus
JP2005165015A (en) 2003-12-03 2005-06-23 Seiko Epson Corp Mask for film deposition, film deposition device, electro-optical device, and electronic appliance
JP2005174843A (en) 2003-12-15 2005-06-30 Sony Corp Deposition mask and its manufacturing method
KR101061843B1 (en) 2003-12-19 2011-09-02 삼성전자주식회사 Silicon crystallization method using a mask, and this for a polycrystalline
EP1548147A1 (en) 2003-12-26 2005-06-29 Seiko Epson Corporation Thin film formation method
JP4475967B2 (en) 2004-01-29 2010-06-09 三菱重工業株式会社 Vacuum deposition machine
JP2005213616A (en) 2004-01-30 2005-08-11 Advanced Pdp Development Corp Vapor deposition method, vapor deposition apparatus and method for manufacturing plasma display panel
JP4441282B2 (en) 2004-02-02 2010-03-31 富士フイルム株式会社 Method for manufacturing a deposition mask and organic el display device
US20050166844A1 (en) 2004-02-03 2005-08-04 Nicholas Gralenski High reflectivity atmospheric pressure furnace for preventing contamination of a work piece
JP2005235568A (en) 2004-02-19 2005-09-02 Seiko Epson Corp Deposition device and manufacturing device of organic el device
KR100712096B1 (en) 2004-02-19 2007-04-27 삼성에스디아이 주식회사 fabricating method of organic light emitting display device
JP4366226B2 (en) 2004-03-30 2009-11-18 東北パイオニア株式会社 The method of manufacturing an organic el panel, the film deposition apparatus of the organic el panel
JP2005293968A (en) 2004-03-31 2005-10-20 Sanyo Electric Co Ltd Manufacturing method of organic electroluminescent element
JP2005296737A (en) 2004-04-07 2005-10-27 Mikuni Corp Beat plate
US7273526B2 (en) 2004-04-15 2007-09-25 Asm Japan K.K. Thin-film deposition apparatus
US20050244580A1 (en) 2004-04-30 2005-11-03 Eastman Kodak Company Deposition apparatus for temperature sensitive materials
US7302990B2 (en) 2004-05-06 2007-12-04 General Electric Company Method of forming concavities in the surface of a metal component, and related processes and articles
JP2005320590A (en) * 2004-05-10 2005-11-17 National Institute For Materials Science Combinatorial method for forming film and apparatus therefor
JP4455937B2 (en) 2004-06-01 2010-04-21 東北パイオニア株式会社 Film forming source, a vacuum deposition apparatus, a method of manufacturing an organic el panel
JP4734508B2 (en) 2004-06-21 2011-07-27 京セラ株式会社 El display and a method of manufacturing the same
JP4545504B2 (en) 2004-07-15 2010-09-15 株式会社半導体エネルギー研究所 Film forming method, a manufacturing method of a light-emitting device
KR100696472B1 (en) 2004-07-15 2007-03-19 삼성에스디아이 주식회사 Mask for an evaporation, method of manufacturing an organic electroluminesence device thereused
KR20060007211A (en) 2004-07-19 2006-01-24 삼성전자주식회사 Exposure system
KR20060008602A (en) 2004-07-21 2006-01-27 엘지전자 주식회사 Method for depositing organic electroluminescent layer
JP4121514B2 (en) 2004-07-22 2008-07-23 シャープ株式会社 The organic light emitting device, and a display device including the same
US7449831B2 (en) 2004-08-02 2008-11-11 Lg Display Co., Ltd. OLEDs having inorganic material containing anode capping layer
US7273663B2 (en) 2004-08-20 2007-09-25 Eastman Kodak Company White OLED having multiple white electroluminescence units
JP2006057173A (en) 2004-08-24 2006-03-02 Tohoku Pioneer Corp Film deposition source, vacuum film deposition apparatus and method for producing organic el panel
KR100579406B1 (en) 2004-08-25 2006-05-12 삼성에스디아이 주식회사 Vertical Moving Type Apparatus for Depositing Organic Material
KR100623696B1 (en) 2004-08-30 2006-09-19 삼성에스디아이 주식회사 organic electro-luminescence display device with high efficiency and method of fabricating the same
KR101070539B1 (en) 2004-09-08 2011-10-05 도레이 카부시키가이샤 Deposition mask and manufacturing method of organic electroluminescent device using the same
CN101015234B (en) 2004-09-08 2010-10-13 东丽株式会社 Organic electroluminescent device and fabricating method thereof
KR20060028115A (en) 2004-09-24 2006-03-29 삼성탈레스 주식회사 Method for inputting hangul in mobile phone
KR100719991B1 (en) 2004-09-30 2007-05-21 산요덴키가부시키가이샤 Electroluminescence element
KR101121417B1 (en) 2004-10-28 2012-03-15 주성엔지니어링(주) Manufacturing apparatus for display device
KR100669757B1 (en) 2004-11-12 2007-01-16 삼성에스디아이 주식회사 Organic electroluminescent device
TWI447840B (en) 2004-11-15 2014-08-01 尼康股份有限公司 Substrate transport device, substrate transport method and exposure device
KR100968191B1 (en) 2004-11-16 2010-07-06 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 Organic light emitting devices comprising dielectric capping layers
US20060102078A1 (en) 2004-11-18 2006-05-18 Intevac Inc. Wafer fab
KR100708654B1 (en) 2004-11-18 2007-04-18 삼성에스디아이 주식회사 Mask assembly and mask frame assembly using the same
US8128753B2 (en) 2004-11-19 2012-03-06 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus for depositing LED organic film
KR20060056706A (en) 2004-11-22 2006-05-25 주식회사 하이닉스반도체 Method for forming semiconductor device
US7748343B2 (en) 2004-11-22 2010-07-06 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Electrohydrodynamic spraying system
KR100603403B1 (en) 2004-11-25 2006-07-20 삼성에스디아이 주식회사 Mask frame assembly, and method of manufacturing an organic electroluminesence device thereused
KR100700013B1 (en) 2004-11-26 2007-03-26 삼성에스디아이 주식회사 Organic Electroluminescence Display Device and Fabricating Method of the same
KR100708655B1 (en) 2004-11-27 2007-04-18 삼성에스디아이 주식회사 Organic electroluminescence display
KR20060060994A (en) 2004-12-01 2006-06-07 삼성에스디아이 주식회사 Deposition source and deposition apparatus therewith
KR100700641B1 (en) 2004-12-03 2007-03-27 삼성에스디아이 주식회사 Laser irradiation device, patterning method and fabrication method of organic electroluminescence display device using the same
KR20060065978A (en) 2004-12-11 2006-06-15 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 Slit mask
JP4553124B2 (en) 2004-12-16 2010-09-29 株式会社日立ハイテクノロジーズ Vacuum deposition method and el display panel
JP4510609B2 (en) 2004-12-21 2010-07-28 株式会社アルバック Substrate and mask alignment method and an organic thin film deposition method and an alignment device
KR20060073367A (en) 2004-12-24 2006-06-28 엘지전자 주식회사 Apparatus for organic matter treatment of cleaning room
KR101157322B1 (en) 2004-12-31 2012-06-15 엘지디스플레이 주식회사 Transfer unit of sputtering system
KR100645719B1 (en) 2005-01-05 2006-11-14 삼성에스디아이 주식회사 Effusion cell for depositing material and deposition apparatus having it
KR100600357B1 (en) 2005-01-05 2006-07-18 삼성에스디아이 주식회사 Apparatus for sealing the driving shaft for the effusion cell in the deposition system and deposition system having it
KR100796148B1 (en) 2005-01-05 2008-01-21 삼성에스디아이 주식회사 Vertical movement type effusion cell for depositing material and deposition system having it
JP4384109B2 (en) 2005-01-05 2009-12-16 三星モバイルディスプレイ株式會社 Drive shaft for deposition system vapor deposition source and a deposition system including the same
US7538828B2 (en) 2005-01-10 2009-05-26 Advantech Global, Ltd Shadow mask deposition system for and method of forming a high resolution active matrix liquid crystal display (LCD) and pixel structures formed therewith
KR101200693B1 (en) 2005-01-11 2012-11-06 김명희 Linear type multi-point crucible assembly for large-size oled deposition process
KR20060083510A (en) 2005-01-17 2006-07-21 삼성전자주식회사 Photomask apparatus removing defective byproducts of a photomask
JP2006210038A (en) 2005-01-26 2006-08-10 Seiko Epson Corp Manufacturing method of mask
JP4440837B2 (en) 2005-01-31 2010-03-24 三星モバイルディスプレイ株式會社 Evaporation source and adopted evaporation apparatus so
KR100666574B1 (en) 2005-01-31 2007-01-09 삼성에스디아이 주식회사 Vapor deposition source
US7918940B2 (en) 2005-02-07 2011-04-05 Semes Co., Ltd. Apparatus for processing substrate
KR100661908B1 (en) 2005-02-07 2006-12-28 세메스 주식회사 Apparatus for treating substrates
KR20060092387A (en) 2005-02-17 2006-08-23 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 Multi slit mask
KR20060098755A (en) 2005-03-07 2006-09-19 에스케이씨 주식회사 Vacuum deposition apparatus and method of organic light emitting diode
KR100687007B1 (en) 2005-03-22 2007-02-26 세메스 주식회사 Apparatus for depositing organic film used in manufacturing organicelectro luminescence device
JP2006275433A (en) 2005-03-29 2006-10-12 National Institute Of Advanced Industrial & Technology Absorption type small cooling and refrigerating device
KR100705316B1 (en) 2005-03-30 2007-04-09 엘지전자 주식회사 Apparatus and method of clamping mask for organic electro luminescence display device
KR100719314B1 (en) 2005-03-31 2007-05-17 세메스 주식회사 Apparatus for transferring substrate and apparatus for depositing organic film on substrate
KR100637714B1 (en) 2005-03-31 2006-10-25 세메스 주식회사 Apparatus for treating substrate
JP4777682B2 (en) 2005-04-08 2011-09-21 株式会社ブイ・テクノロジー Scan exposure apparatus
KR100703427B1 (en) 2005-04-15 2007-04-03 삼성에스디아이 주식회사 Vapor deposition source and Vapor deposition apparatus having thereof
KR100773249B1 (en) 2005-04-18 2007-11-05 엘지전자 주식회사 Mask used for forming an electroluminescent layer
EP1717339A2 (en) 2005-04-20 2006-11-02 Applied Films GmbH & Co. KG Continuous coating apparatus
JP4701815B2 (en) 2005-04-26 2011-06-15 株式会社アルバック The film-forming apparatus
WO2006117871A1 (en) 2005-04-28 2006-11-09 Shin-Etsu Engineering Co., Ltd. Electrostatic chuck apparatus
KR20060114462A (en) 2005-04-29 2006-11-07 엘지전자 주식회사 Apparatus and method of clamping mask for organic electro luminescence display device
KR100810632B1 (en) 2005-04-29 2008-03-06 삼성에스디아이 주식회사 Organic Electro-Luminescence Display Device
KR101219036B1 (en) 2005-05-02 2013-01-07 삼성디스플레이 주식회사 OLED display
KR100700493B1 (en) 2005-05-24 2007-03-28 삼성에스디아이 주식회사 Catalytic Enhanced Chemical Vapor Deposition Apparatus having Effective filament of Arrangement Structure
KR100670344B1 (en) 2005-05-30 2007-01-16 삼성에스디아이 주식회사 Apparatus for aligning substrate and mask and method of aligning substrate and mask
KR100797787B1 (en) 2005-06-03 2008-01-24 주식회사 아이엠티 Dry cleaning system using a laser
KR20060127743A (en) 2005-06-06 2006-12-13 스미토모덴키고교가부시키가이샤 Nitride semiconductor substrate and method for manufacturing the same
JP4591222B2 (en) 2005-06-09 2010-12-01 セイコーエプソン株式会社 Electro-optical device and an image forming apparatus
US7296673B2 (en) 2005-06-10 2007-11-20 Applied Materials, Inc. Substrate conveyor system
KR101174154B1 (en) 2005-06-13 2012-08-14 엘지디스플레이 주식회사 sputtering apparatus
US20070017445A1 (en) 2005-07-19 2007-01-25 Takako Takehara Hybrid PVD-CVD system
EP1752554B1 (en) 2005-07-28 2007-10-17 Applied Materials GmbH & Co. KG Vaporizing device
JP4959961B2 (en) 2005-07-29 2012-06-27 株式会社ジャパンディスプレイセントラル A method of manufacturing an organic el element
CN100451838C (en) 2005-07-29 2009-01-14 友达光电股份有限公司 Aligning system and aligning method
JP4655812B2 (en) 2005-08-08 2011-03-23 カシオ計算機株式会社 Musical tone generating apparatus, and program
KR101173512B1 (en) 2005-08-25 2012-08-14 히다치 조센 가부시키가이샤 Alignment device for vacuum deposition
WO2007023941A1 (en) 2005-08-26 2007-03-01 Nikon Corporation Holding apparatus, assembly system, sputtering apparatus, machining method and machining apparatus
US8070145B2 (en) 2005-08-26 2011-12-06 Nikon Corporation Holding unit, assembly system, sputtering unit, and processing method and processing unit
KR100729089B1 (en) 2005-08-26 2007-06-14 삼성에스디아이 주식회사 Organic light emitting display and method for fabricating the same
KR100711885B1 (en) 2005-08-31 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 Source for organic layer and the method for controlling heating source thereof
KR20070035796A (en) 2005-09-28 2007-04-02 엘지전자 주식회사 Apparatus for fabricating organic electro luminescence display device
KR20070037848A (en) 2005-10-04 2007-04-09 삼성전자주식회사 Organic light emitting diode display
KR100697663B1 (en) 2005-10-27 2007-03-20 세메스 주식회사 Apparatus for deposition organic compounds
JP4767000B2 (en) 2005-11-28 2011-09-07 日立造船株式会社 Vacuum vapor deposition apparatus
KR101254335B1 (en) 2005-11-29 2013-04-12 황창훈 In-line equipment using metal-plate belt source for OLED manufacturing
KR100741142B1 (en) 2005-11-29 2007-07-23 주식회사 알파로보틱스 Linear guide apparatus with plural tables
JP4666219B2 (en) 2005-12-02 2011-04-06 セイコーエプソン株式会社 container
KR100696550B1 (en) 2005-12-09 2007-03-19 삼성에스디아이 주식회사 Deposition apparatus
KR100696547B1 (en) 2005-12-09 2007-03-19 삼성에스디아이 주식회사 Method for depositing film
US20070137568A1 (en) 2005-12-16 2007-06-21 Schreiber Brian E Reciprocating aperture mask system and method
US20070148337A1 (en) 2005-12-22 2007-06-28 Nichols Jonathan A Flame-perforated aperture masks
KR100752321B1 (en) 2005-12-23 2007-08-29 주식회사 두산 White light emitting oragnic electroluminecent device
KR100729097B1 (en) 2005-12-28 2007-06-08 삼성에스디아이 주식회사 Evaporation source and method for thin film evaporation using the same
KR101340899B1 (en) 2006-01-06 2013-12-13 삼성디스플레이 주식회사 Nozzle apparatus for organic light emitting device
JP4692290B2 (en) 2006-01-11 2011-06-01 セイコーエプソン株式会社 Mask and a film forming method
US7645483B2 (en) 2006-01-17 2010-01-12 Eastman Kodak Company Two-dimensional aperture array for vapor deposition
JP5064810B2 (en) 2006-01-27 2012-10-31 キヤノン株式会社 Vapor deposition apparatus and deposition method
US7576394B2 (en) 2006-02-02 2009-08-18 Kochi Industrial Promotion Center Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
KR20070080635A (en) 2006-02-08 2007-08-13 주식회사 아바코 Organic boat
FR2897164B1 (en) 2006-02-09 2008-03-14 Commissariat Energie Atomique Realization of cavities that can be filled with a fluid material in a composed optical microtechnological
KR100736218B1 (en) 2006-02-21 2007-06-29 (주)얼라이드 테크 파인더즈 The plasma source with structure of multi-electrode from one side to the other
JP2007227086A (en) 2006-02-22 2007-09-06 Tokyo Electron Ltd Deposition apparatus and method of manufacturing light emitting element
KR20070084973A (en) 2006-02-22 2007-08-27 삼성전기주식회사 High power semiconductor laser device
JP2009531535A (en) 2006-03-03 2009-09-03 ガードギール,プラサード Apparatus and method for chemical vapor deposition of a wide range multi atomic layer thin film
KR100994505B1 (en) 2006-03-06 2010-11-15 엘아이지에이디피 주식회사 Electrostatic Chuck having bi-polar electrode pattern
US8691323B2 (en) 2006-03-06 2014-04-08 Nalco Company Method and apparatus for monitoring and controlling the application of performance enhancing materials to creping cylinders
JP2007242436A (en) 2006-03-09 2007-09-20 Seiko Epson Corp Manufacturing method of organic electroluminescent device, and organic electroluminescent device
KR100768212B1 (en) 2006-03-28 2007-10-18 삼성에스디아이 주식회사 Depositing method of thin film and manufacturing method of organic light emitting display device
KR20070098122A (en) 2006-03-31 2007-10-05 삼성전자주식회사 Equipment for manufacturing semiconductor device
JP2007291506A (en) 2006-03-31 2007-11-08 Canon Inc Film deposition method
JP4948021B2 (en) 2006-04-13 2012-06-06 株式会社アルバック Catalytic chemical vapor deposition apparatus
KR20070105595A (en) 2006-04-27 2007-10-31 두산메카텍 주식회사 Evaporation apparatus
KR20070112668A (en) 2006-05-22 2007-11-27 세메스 주식회사 Linear type evaporator for manufacturing elements of organic semiconductor device
US7835001B2 (en) 2006-05-24 2010-11-16 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Method of aligning a substrate, mask to be aligned with the same, and flat panel display apparatus using the same
KR100770653B1 (en) 2006-05-25 2007-10-29 에이엔 에스 주식회사 Depositing apparatus forming thin film
KR101248004B1 (en) 2006-06-29 2013-03-27 엘지디스플레이 주식회사 A deposit system for OLED and method of fabricating of OLED using the same
KR100800125B1 (en) 2006-06-30 2008-01-31 세메스 주식회사 Source shutter and substrate control method of Organic Light-Emitting DeviceOLED evaporation apparatus
KR100980729B1 (en) 2006-07-03 2010-09-07 주식회사 야스 Multiple nozzle evaporator for vacuum thermal evaporation
WO2008004792A1 (en) 2006-07-03 2008-01-10 Yas Co., Ltd. Multiple nozzle evaporator for vacuum thermal evaporation
JP2008019477A (en) 2006-07-13 2008-01-31 Canon Inc Vacuum vapor deposition apparatus
KR101264329B1 (en) 2006-07-18 2013-05-14 삼성디스플레이 주식회사 Substrate alignment method using a mask, and he
US7910386B2 (en) 2006-07-28 2011-03-22 General Electric Company Method of making organic light emitting devices
KR100723627B1 (en) 2006-08-01 2007-05-23 세메스 주식회사 Evaporator for organic thin film vapor deposition
KR100815265B1 (en) 2006-08-28 2008-03-19 주식회사 대우일렉트로닉스 Method for manufacturing micro heater and crucible, and vacuum deposition apparatus of organic substances having the micro heater and crucible
US7322248B1 (en) 2006-08-29 2008-01-29 Eastman Kodak Company Pressure gauge for organic materials
JP4971723B2 (en) 2006-08-29 2012-07-11 キヤノン株式会社 Method of manufacturing an organic light emitting display device
KR100787457B1 (en) 2006-08-31 2007-12-26 삼성에스디아이 주식회사 Substrate aligning apparatus and manufacturing apparatus for organic light emitting device comprising the same
US20080241805A1 (en) 2006-08-31 2008-10-02 Q-Track Corporation System and method for simulated dosimetry using a real time locating system
US20080057183A1 (en) 2006-08-31 2008-03-06 Spindler Jeffrey P Method for lithium deposition in oled device
JP5063969B2 (en) 2006-09-29 2012-10-31 東京エレクトロン株式会社 Deposition apparatus, a control apparatus for vapor deposition apparatus, using the control method and the vapor deposition apparatus of the deposition apparatus
KR100739309B1 (en) 2006-10-13 2007-07-06 삼성에스디아이 주식회사 Mask for thin layer vacuum evaporationand organic electro-luminescence display device
KR100823508B1 (en) 2006-10-19 2008-04-21 삼성에스디아이 주식회사 Evaporation source and organic matter sputtering apparatus with the same
JP4809186B2 (en) 2006-10-26 2011-11-09 京セラ株式会社 Organic el display and a method of manufacturing the same
KR100836471B1 (en) 2006-10-27 2008-06-09 삼성에스디아이 주식회사 Mask and deposition apparatus using the same
KR100839380B1 (en) 2006-10-30 2008-06-19 삼성에스디아이 주식회사 Vacuum evaporation apparatus for organic light emission display
KR100823511B1 (en) 2006-11-10 2008-04-21 삼성에스디아이 주식회사 Organic light emission display and fabrication method thereof
KR20080045886A (en) 2006-11-21 2008-05-26 삼성전자주식회사 Big-size hybrid open mask and manufacturing is packaged and manufacturing method of organic electro-luminescence display the same
KR20080046761A (en) 2006-11-23 2008-05-28 엘지디스플레이 주식회사 Apparatus for transferring substrate and apparatus for manufacturing thin film having the same
KR20080048653A (en) 2006-11-29 2008-06-03 엘지디스플레이 주식회사 Mask apparatus and method of fabricating flat display using the same
US20080131587A1 (en) * 2006-11-30 2008-06-05 Boroson Michael L Depositing organic material onto an oled substrate
US8092601B2 (en) 2006-12-13 2012-01-10 Ascentool, Inc. System and process for fabricating photovoltaic cell
KR20080055124A (en) 2006-12-14 2008-06-19 엘지디스플레이 주식회사 Apparatus for evaporation
JP2008153543A (en) 2006-12-19 2008-07-03 Shinko Electric Ind Co Ltd Electrostatic chuck
JP2008156686A (en) 2006-12-22 2008-07-10 Seiko Epson Corp Mask, and mask vapor-deposition apparatus
KR20080060400A (en) 2006-12-27 2008-07-02 엘지디스플레이 주식회사 Method of manufacturing array substrate and method of manufacturing organic light emitting device using the method
KR20080061132A (en) 2006-12-28 2008-07-02 엘지디스플레이 주식회사 Apparatus for forming organic layer
KR20080061774A (en) 2006-12-28 2008-07-03 엘지전자 주식회사 Apparatus and method of aligning mask of liquid crystal display
KR20080061666A (en) 2006-12-28 2008-07-03 세메스 주식회사 Apparatus and method for depositing organic film on substrate
KR20080062212A (en) 2006-12-29 2008-07-03 세메스 주식회사 Apparatus for depositing organic film on substrate
KR100899279B1 (en) 2007-01-26 2009-05-27 창원대학교 산학협력단 Cooling equipment for Linear Motors by Combination of a Plate Cooler on the Upper Side and Conducting Sheet at the Side
JP2008196003A (en) 2007-02-13 2008-08-28 Seiko Epson Corp Mask for vapor deposition, mask vapor deposition method, and method for producing organic electroluminescence apparatus
KR101403328B1 (en) 2007-02-16 2014-06-05 엘아이지에이디피 주식회사 Electro-Static Chuck Having Embossing Electrode Pattern and Method for Processing Substrate Using The Same
KR20080003720U (en) 2007-03-02 2008-09-05 동양매직 주식회사 Unified gas and air leaking valve for bidet
WO2008121793A1 (en) 2007-03-30 2008-10-09 The Penn State Research Foundation Mist fabrication of quantum dot devices
KR101394922B1 (en) 2007-03-30 2014-05-14 엘지디스플레이 주식회사 A liquid crystal display device
JP4909152B2 (en) 2007-03-30 2012-04-04 キヤノン株式会社 Vapor deposition apparatus and a deposition method
KR100830318B1 (en) 2007-04-12 2008-05-16 삼성에스디아이 주식회사 Light emitting display device and fabrication method for the same
JP2008274373A (en) 2007-05-02 2008-11-13 Optnics Precision Co Ltd Mask for vapor deposition
JP2008285719A (en) 2007-05-17 2008-11-27 Fujifilm Corp Vacuum deposition method
KR20080102898A (en) * 2007-05-22 2008-11-26 삼성전자주식회사 An white-emitting organic light emitting diode, a method for preparing the same and a deposition device for an in-line deposition system
KR101409524B1 (en) 2007-05-28 2014-06-20 엘지디스플레이 주식회사 Apparatus for transferring substrates
JP2008300056A (en) 2007-05-29 2008-12-11 Shinko Electric Co Ltd Mask alignment device
KR101288599B1 (en) 2007-05-29 2013-07-22 엘지디스플레이 주식회사 Apparatus for transferring substrates
KR20080109559A (en) 2007-06-13 2008-12-17 주식회사 하이닉스반도체 Mask providing locally modified illumination and manufacturing method therefor
JP5277571B2 (en) 2007-06-18 2013-08-28 セイコーエプソン株式会社 Manufacturing method and a manufacturing method of the droplet discharge head of the nozzle substrate
US9513412B2 (en) 2007-06-19 2016-12-06 3M Innovative Properties Company Systems and methods for fabricating displacement scales
JP5081516B2 (en) 2007-07-12 2012-11-28 株式会社ジャパンディスプレイイースト Vapor deposition method and the vapor deposition apparatus
JP5132213B2 (en) 2007-07-18 2013-01-30 富士フイルム株式会社 Vapor deposition apparatus and a deposition method, and an electronic device and an organic electroluminescence device having a layer which is patterned using the method
KR20090017910A (en) 2007-08-16 2009-02-19 엘지디스플레이 주식회사 Shadow mask and method of forming organic electroluminescene device using the same
JP2009049223A (en) 2007-08-21 2009-03-05 Seiko Epson Corp Light emitting device
JP5201932B2 (en) 2007-09-10 2013-06-05 株式会社アルバック Feeder, and an organic deposition apparatus
JP4904237B2 (en) 2007-09-25 2012-03-28 ヤマハ発動機株式会社 The substrate processing apparatus, a surface mounting machine, printing machine, inspection machine, and coater
KR20090038733A (en) 2007-10-16 2009-04-21 주식회사 실트론 Heat treatment method for improvement of surface roughness of soi-wafer and apparatus for the same
KR100972636B1 (en) 2007-10-22 2010-07-27 네오뷰코오롱 주식회사 Deposition Mask Unit
KR100790718B1 (en) 2007-11-05 2008-01-02 삼성전기주식회사 High power semiconductor laser device
JP5280667B2 (en) 2007-11-08 2013-09-04 株式会社ジャパンディスプレイ The cleaning method of preparation and deposition mask organic el display device
KR100889872B1 (en) 2007-11-08 2009-03-24 (주)와이티에스 The align system's display glass substrate of align straight line degree automatic camera adjusted methods
KR100928136B1 (en) 2007-11-09 2009-11-25 삼성모바일디스플레이주식회사 Linear organic material deposition apparatus
KR100908658B1 (en) 2007-11-20 2009-07-21 엘지디스플레이 주식회사 OLED display
JP5046882B2 (en) 2007-11-21 2012-10-10 三菱重工業株式会社 The in-line film-formation apparatus
KR100903624B1 (en) 2007-11-23 2009-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 Mask assembly for thin film vapor deposition of flat panel display
KR20090062088A (en) 2007-12-12 2009-06-17 삼성전자주식회사 Organic light emitting display and manufacturing method thereof
KR100979189B1 (en) 2007-12-20 2010-08-31 다이나믹솔라디자인 주식회사 Consecutive substrate processing system
US8298338B2 (en) 2007-12-26 2012-10-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Chemical vapor deposition apparatus
JP4725577B2 (en) 2007-12-28 2011-07-13 カシオ計算機株式会社 Method for manufacturing a display device
JP2009170200A (en) 2008-01-15 2009-07-30 Sony Corp Method of manufacturing display device
KR20090079765A (en) 2008-01-17 2009-07-22 이태환 A power-driven machinery that is utilized gravity
KR101415551B1 (en) 2008-01-25 2014-07-04 (주)소슬 Electrostatic chuck, method of manufacturing the same and apparatus for processing a substrate including the same
KR100964224B1 (en) 2008-02-28 2010-06-17 삼성모바일디스플레이주식회사 Evaporating apparatus and method for forming thin film
KR101352567B1 (en) 2008-03-04 2014-01-24 삼성테크윈 주식회사 Linear Transfer Stage Apparatus
KR100994114B1 (en) 2008-03-11 2010-11-12 삼성모바일디스플레이주식회사 Evaporating method for forming thin film
KR100922763B1 (en) 2008-03-13 2009-10-21 삼성모바일디스플레이주식회사 Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing thereof
KR20090107702A (en) 2008-04-10 2009-10-14 엘지디스플레이 주식회사 Thin-film Deposition Method and Device
US7943202B2 (en) 2008-05-07 2011-05-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Apparatus and methods for providing a static interferometric display device
KR100953658B1 (en) 2008-06-05 2010-04-20 삼성모바일디스플레이주식회사 Organic light emitting diode display device
JPWO2009153856A1 (en) 2008-06-17 2011-11-24 キヤノンアネルバ株式会社 Adhesion-preventing cover with a carrier and adhesion-preventing cover attachment apparatus
KR20100000129A (en) 2008-06-24 2010-01-06 엘지디스플레이 주식회사 A deposition mask unit for fabrication of organic light emitting display device
JP5368013B2 (en) 2008-06-24 2013-12-18 共同印刷株式会社 Method of manufacturing a flexible organic el display
KR20100000128A (en) 2008-06-24 2010-01-06 엘지디스플레이 주식회사 A deposition mask unit for fabrication of organic light emitting display device
KR20100002381A (en) 2008-06-30 2010-01-07 (주)드림젯코리아 The flat-board printer
KR20100026655A (en) 2008-09-01 2010-03-10 삼성모바일디스플레이주식회사 Mask for thin film deposition and manufacturing method of oled using the same
KR100961110B1 (en) 2008-09-02 2010-06-07 삼성엘이디 주식회사 Ac driving light emitting device
WO2010036805A2 (en) 2008-09-24 2010-04-01 Massachusetts Institute Of Technology Photon processing with nanopatterned materials
KR101592013B1 (en) 2008-10-13 2016-02-05 삼성디스플레이 주식회사 The organic light emitting display device and a method of manufacturing the same
KR101487382B1 (en) 2008-10-22 2015-01-29 주식회사 원익아이피에스 In-line type semiconductor manufacturing device
JP5157825B2 (en) 2008-10-29 2013-03-06 ソニー株式会社 A method of manufacturing an organic el display
KR101017654B1 (en) 2008-11-26 2011-02-25 세메스 주식회사 Substrate chucking member, substrate processing apparatus having the same and method of processing substrate using the same
KR101542398B1 (en) 2008-12-19 2015-08-13 삼성디스플레이 주식회사 The organic light emitting device and a method of manufacturing the same
KR101117645B1 (en) 2009-02-05 2012-03-05 삼성모바일디스플레이주식회사 Mask Assembly and Deposition Apparatus using the same for Flat Panel Display
KR20100099806A (en) 2009-03-04 2010-09-15 삼성전자주식회사 Holographic exposure apparatus
US9062369B2 (en) * 2009-03-25 2015-06-23 Veeco Instruments, Inc. Deposition of high vapor pressure materials
US8202671B2 (en) 2009-04-28 2012-06-19 Nikon Corporation Protective apparatus, mask, mask forming apparatus, mask forming method, exposure apparatus, device fabricating method, and foreign matter detecting apparatus
KR101108151B1 (en) 2009-04-30 2012-01-31 삼성모바일디스플레이주식회사 Evaporating apparatus
JP5323581B2 (en) 2009-05-08 2013-10-23 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. Deposition method and the vapor deposition apparatus
JP5623786B2 (en) 2009-05-22 2014-11-12 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. Thin film deposition apparatus
KR101074790B1 (en) 2009-05-22 2011-10-19 삼성모바일디스플레이주식회사 Apparatus for thin layer deposition
TWI472639B (en) 2009-05-22 2015-02-11 Samsung Display Co Ltd Thin film deposition apparatus
KR101067709B1 (en) 2009-05-28 2011-09-28 주식회사 태성기연 Apparatus for transferring of glass panel with magnetic levitationtechnology
KR20100130786A (en) 2009-06-04 2010-12-14 삼성모바일디스플레이주식회사 Depositing apparatus and manufacturing method of organic light emitting diode thereused
US8882921B2 (en) 2009-06-08 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
KR101074792B1 (en) 2009-06-12 2011-10-19 삼성모바일디스플레이주식회사 Apparatus for thin layer deposition
KR101084168B1 (en) 2009-06-12 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 Apparatus for thin layer deposition
KR101097311B1 (en) 2009-06-24 2011-12-21 삼성모바일디스플레이주식회사 Organic light emitting display apparatus and apparatus for thin layer deposition for manufacturing the same
KR101117719B1 (en) 2009-06-24 2012-03-08 삼성모바일디스플레이주식회사 Apparatus for thin layer deposition
KR101117720B1 (en) 2009-06-25 2012-03-08 삼성모바일디스플레이주식회사 Apparatus for thin layer deposition and method of manufacturing organic light emitting device using the same
KR101127575B1 (en) 2009-08-10 2012-03-23 삼성모바일디스플레이주식회사 Apparatus for thin film deposition having a deposition blade
US20110033621A1 (en) 2009-08-10 2011-02-10 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus including deposition blade
KR101127578B1 (en) 2009-08-24 2012-03-23 삼성모바일디스플레이주식회사 Apparatus for thin layer deposition, method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same, and organic light emitting display apparatus manufactured by the method
JP5676175B2 (en) 2009-08-24 2015-02-25 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. Method of manufacturing a thin film deposition apparatus and the organic light emitting display using the same
KR20110021090A (en) 2009-08-25 2011-03-04 엘지디스플레이 주식회사 Shadow mask for fabricating the organic electroluminescent device
JP5328726B2 (en) 2009-08-25 2013-10-30 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. Method of manufacturing a thin film deposition apparatus and the organic light emitting display device using the same
US8486737B2 (en) 2009-08-25 2013-07-16 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
JP5677785B2 (en) 2009-08-27 2015-02-25 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. Method of manufacturing a thin film deposition apparatus and the organic light emitting display using the same
KR101174877B1 (en) 2009-08-27 2012-08-17 삼성디스플레이 주식회사 The method of film deposition apparatus and the organic light emitting diode display using the same.
US20110052795A1 (en) 2009-09-01 2011-03-03 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US8696815B2 (en) 2009-09-01 2014-04-15 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
JP5502092B2 (en) 2009-09-15 2014-05-28 シャープ株式会社 Vapor deposition method and the vapor deposition apparatus
CN102024908A (en) 2009-09-23 2011-04-20 乐金显示有限公司 The organic light emitting device and manufacturing method thereof
KR20110032589A (en) 2009-09-23 2011-03-30 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting diode device
US8876975B2 (en) 2009-10-19 2014-11-04 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
KR101146982B1 (en) 2009-11-20 2012-05-22 삼성모바일디스플레이주식회사 Aapparatus for thin layer deposition and method of manufacturing organic light emitting display apparatus
KR101030030B1 (en) 2009-12-11 2011-04-20 삼성모바일디스플레이주식회사 Mask assembly
KR101084184B1 (en) 2010-01-11 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 Apparatus for thin layer deposition
US20110262625A1 (en) 2010-01-11 2011-10-27 Hyun-Sook Park Thin film deposition apparatus
KR101174875B1 (en) 2010-01-14 2012-08-17 삼성디스플레이 주식회사 The film deposition apparatus, a method of manufacturing an organic light emitting display device using the same and therefore the organic light-emitting display device manufactured in accordance
KR101193186B1 (en) 2010-02-01 2012-10-19 삼성디스플레이 주식회사 Apparatus for thin layer deposition, method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same, and organic light emitting display apparatus manufactured by the method
JP4745447B2 (en) 2010-02-04 2011-08-10 キヤノンアネルバ株式会社 Substrate transfer apparatus and a vacuum processing apparatus
KR101174879B1 (en) 2010-03-09 2012-08-17 삼성디스플레이 주식회사 Thin film deposition mask frame assembly and method for its assembly
KR101156441B1 (en) 2010-03-11 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 Apparatus for thin layer deposition
KR100965416B1 (en) 2010-03-12 2010-06-24 엘아이지에이디피 주식회사 Electrostatic Chuck having multi-electrode pattern
KR20110110525A (en) 2010-04-01 2011-10-07 삼성전자주식회사 Wireless power transmission apparatus and wireless power transmission mehod
KR101801351B1 (en) 2010-04-28 2017-11-27 삼성디스플레이 주식회사 Apparatus for thin layer deposition and method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same and organic light emitting display apparatus using the same
US8894458B2 (en) 2010-04-28 2014-11-25 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
KR101779475B1 (en) 2010-06-22 2017-09-19 엘지디스플레이 주식회사 Organic electro-luminescence device and method for fabricating of the same
KR101223723B1 (en) 2010-07-07 2013-01-18 삼성디스플레이 주식회사 Apparatus for thin layer deposition, method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same, and organic light emitting display apparatus manufactured by the method
KR101182448B1 (en) 2010-07-12 2012-09-12 삼성디스플레이 주식회사 Apparatus for thin layer deposition and method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same
KR101146997B1 (en) 2010-07-12 2012-05-23 삼성모바일디스플레이주식회사 A tension apparatus for patterning slit sheet
KR101146996B1 (en) 2010-07-12 2012-05-23 삼성모바일디스플레이주식회사 Method for manufacturing of organic light emitting display apparatus
KR101673017B1 (en) 2010-07-30 2016-11-07 삼성디스플레이 주식회사 Apparatus for thin layer deposition and method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same
KR20120029166A (en) 2010-09-16 2012-03-26 삼성모바일디스플레이주식회사 Apparatus for thin layer deposition, method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same, and organic light emitting display apparatus manufactured by the method
KR101678056B1 (en) 2010-09-16 2016-11-22 삼성디스플레이 주식회사 Apparatus for thin layer deposition, method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same, and organic light emitting display apparatus manufactured by the method
KR20120029895A (en) 2010-09-17 2012-03-27 삼성모바일디스플레이주식회사 Apparatus for thin layer deposition and method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same
US8022448B1 (en) 2010-10-05 2011-09-20 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for evaporation including test wafer holder
KR101723506B1 (en) 2010-10-22 2017-04-19 삼성디스플레이 주식회사 Apparatus for organic layer deposition and method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same
KR101738531B1 (en) 2010-10-22 2017-05-23 삼성디스플레이 주식회사 Method for manufacturing of organic light emitting display apparatus, and organic light emitting display apparatus manufactured by the method
KR101730498B1 (en) 2010-10-22 2017-04-27 삼성디스플레이 주식회사 Apparatus for organic layer deposition, method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same
KR20120045865A (en) 2010-11-01 2012-05-09 삼성모바일디스플레이주식회사 Apparatus for organic layer deposition
KR20120057290A (en) 2010-11-26 2012-06-05 삼성모바일디스플레이주식회사 Apparatus for thin layer deposition
KR20120065789A (en) 2010-12-13 2012-06-21 삼성모바일디스플레이주식회사 Apparatus for organic layer deposition
KR101223725B1 (en) 2011-01-10 2013-01-17 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device and manufacturing method thereof
KR101760897B1 (en) 2011-01-12 2017-07-25 삼성디스플레이 주식회사 Deposition source and apparatus for organic layer deposition having the same
WO2012099012A1 (en) 2011-01-20 2012-07-26 シャープ株式会社 Crucible and deposition apparatus
WO2012121139A1 (en) 2011-03-10 2012-09-13 シャープ株式会社 Vapour deposition device, vapour deposition method, and organic el display device
US8962077B2 (en) 2011-03-14 2015-02-24 Sharp Kabushiki Kaisha Vapor deposition particle emitting device, vapor deposition apparatus, vapor deposition method
JP2012211352A (en) 2011-03-30 2012-11-01 Hitachi High-Technologies Corp Evaporation source, organic el-device manufacturing device and organic el-device manufacturing method
KR101857992B1 (en) 2011-05-25 2018-05-16 삼성디스플레이 주식회사 Patterning slit sheet assembly, apparatus for organic layer deposition, method for manufacturing organic light emitting display apparatus and organic light emitting display apparatus
KR20120131548A (en) 2011-05-25 2012-12-05 삼성디스플레이 주식회사 Apparatus for thin layer deposition
KR101852517B1 (en) 2011-05-25 2018-04-27 삼성디스플레이 주식회사 Apparatus for organic layer deposition and method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same
KR20120131543A (en) 2011-05-25 2012-12-05 삼성디스플레이 주식회사 Apparatus for thin layer deposition, frame sheet assembly for the same, and method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same
KR101840654B1 (en) 2011-05-25 2018-03-22 삼성디스플레이 주식회사 Apparatus for organic layer deposition and method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same
US8614144B2 (en) 2011-06-10 2013-12-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for fabrication of interconnect structure with improved alignment for semiconductor devices
KR101705823B1 (en) 2011-06-30 2017-02-13 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting display apparatus
KR101826068B1 (en) 2011-07-04 2018-02-07 삼성디스플레이 주식회사 Apparatus for thin layer deposition
KR20130015144A (en) 2011-08-02 2013-02-13 삼성디스플레이 주식회사 Deposition source, apparatus for organic layer deposition and method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same
KR20130069037A (en) 2011-12-16 2013-06-26 삼성디스플레이 주식회사 Apparatus for thin layer deposition, method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same, and organic light emitting display apparatus
KR20130095063A (en) 2012-02-17 2013-08-27 삼성디스플레이 주식회사 Apparatus for deposition a organic layer and the method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same
KR20140000041A (en) 2012-06-22 2014-01-02 삼성디스플레이 주식회사 Apparatus for organic layer deposition, method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same, and organic light emitting display apparatus manufactured by the method
KR20140007684A (en) 2012-07-10 2014-01-20 삼성디스플레이 주식회사 Apparatus for organic layer deposition, method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same, and organic light emitting display apparatus manufactured by the method
US9461277B2 (en) 2012-07-10 2016-10-04 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display apparatus
US9496524B2 (en) 2012-07-10 2016-11-15 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same, and organic light-emitting display apparatus manufactured using the method
KR20140007685A (en) 2012-07-10 2014-01-20 삼성디스플레이 주식회사 Apparatus for organic layer deposition, method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same, and organic light emitting display apparatus manufactured by the method
KR20140007686A (en) 2012-07-10 2014-01-20 삼성디스플레이 주식회사 Method for manufacturing of organic light emitting display apparatus and organic light emitting display apparatus manufactured by the method
KR20140010303A (en) 2012-07-16 2014-01-24 삼성디스플레이 주식회사 Apparatus for organic layer deposition, method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same, and organic light emitting display apparatus manufactured by the method
KR101944918B1 (en) 2012-08-03 2019-02-08 삼성디스플레이 주식회사 Organic layer deposition assembly, apparatus for organic layer deposition, organic light emitting display apparatus and method for manufacturing the same
KR20140038196A (en) 2012-09-20 2014-03-28 삼성디스플레이 주식회사 Apparatus for thin layer deposition, method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same, and organic light emitting display apparatus
KR20140038748A (en) 2012-09-21 2014-03-31 삼성디스플레이 주식회사 Apparatus for organic layer deposition, organic light emitting display apparatus and method for manufacturing the same
KR20140039607A (en) 2012-09-24 2014-04-02 삼성디스플레이 주식회사 Apparatus for organic layer deposition, method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same, and organic light emitting display apparatus manufactured by the method
KR20140050994A (en) 2012-10-22 2014-04-30 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting display apparatus and method for manufacturing the same
KR20140060171A (en) 2012-11-09 2014-05-19 삼성디스플레이 주식회사 Apparatus for organic layer deposition, method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same, and organic light emitting display apparatus manufactured by the method

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040034537A (en) * 2002-10-21 2004-04-28 도호꾸 파이오니어 가부시끼가이샤 Vacuum evaporator
KR200342433Y1 (en) * 2003-12-04 2004-02-21 현대엘씨디주식회사 Crucible for deposting organic matter of high pressure spouting type
KR20080044775A (en) * 2006-11-16 2008-05-21 미쯔비시 히다찌 세이떼쯔 기까이 가부시끼가이샤 Evaporation source and vacuum evaporator using the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120004790A (en) 2012-01-13
US9279177B2 (en) 2016-03-08
US20120009706A1 (en) 2012-01-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101667529B (en) Mask for thin film deposition and method of manufacturing OLED using the same
KR101006938B1 (en) Fabrication system and manufacturing method of light emitting device
JP5364731B2 (en) Thin film deposition apparatus
CN102169967B (en) Thin film deposition apparatus, an organic light emitting device and manufacturing method thereof
US9748483B2 (en) Deposition source and organic layer deposition apparatus including the same
US9624580B2 (en) Thin film deposition apparatus
US20120100644A1 (en) Organic layer deposition apparatus, and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same
US20030168013A1 (en) Elongated thermal physical vapor deposition source with plural apertures for making an organic light-emitting device
EP1995996A1 (en) Film forming apparatus and method for manufacturing light emitting element
US9136310B2 (en) Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US9947904B2 (en) Vapor deposition method for producing an organic EL panel
KR101097311B1 (en) Organic light emitting display apparatus and apparatus for thin layer deposition for manufacturing the same
KR101254335B1 (en) In-line equipment using metal-plate belt source for OLED manufacturing
CN102332539B (en) The method of thin film deposition apparatus and the apparatus of manufacturing an organic light emitting display
CN101997092B (en) Thin film deposition device and method for manufacturing organic illuminating display device
CN102169968B (en) Thin film deposition apparatus, an organic light emitting device and manufacturing method thereof
KR20080062212A (en) Apparatus for depositing organic film on substrate
JP2002373782A (en) Method and device for vapor depositing organic layer
JP5677785B2 (en) Method of manufacturing a thin film deposition apparatus and the organic light emitting display using the same
CN102195007B (en) Thin film deposition apparatus
JP5628972B2 (en) The thin film deposition apparatus, a manufacturing method and an organic light emitting display apparatus manufactured by using this organic light emitting display using the same
US20110042659A1 (en) Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
JP6034607B2 (en) Deposition source assembly, a manufacturing method of the organic layer deposition apparatus and the organic light emitting display using the same
US20110053296A1 (en) Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
JP5373221B2 (en) Vapor deposition particle injection device and the vapor deposition apparatus and deposition method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
AMND Amendment
AMND Amendment
N231 Notification of change of applicant
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151230

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170102

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180102

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190102

Year of fee payment: 7