JP2007242436A - Manufacturing method of organic electroluminescent device, and organic electroluminescent device - Google Patents

Manufacturing method of organic electroluminescent device, and organic electroluminescent device Download PDF

Info

Publication number
JP2007242436A
JP2007242436A JP2006063701A JP2006063701A JP2007242436A JP 2007242436 A JP2007242436 A JP 2007242436A JP 2006063701 A JP2006063701 A JP 2006063701A JP 2006063701 A JP2006063701 A JP 2006063701A JP 2007242436 A JP2007242436 A JP 2007242436A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
electroluminescent device
method
organic
organic electroluminescent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2006063701A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masahiro Uchida
昌宏 内田
Original Assignee
Seiko Epson Corp
セイコーエプソン株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, セイコーエプソン株式会社 filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2006063701A priority Critical patent/JP2007242436A/en
Publication of JP2007242436A publication Critical patent/JP2007242436A/en
Application status is Withdrawn legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L51/00Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
    • H01L51/50Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof specially adapted for light emission, e.g. organic light emitting diodes [OLED] or polymer light emitting devices [PLED];
    • H01L51/52Details of devices
    • H01L51/5237Passivation; Containers; Encapsulation, e.g. against humidity
    • H01L51/5253Protective coatings
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L51/00Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
    • H01L51/0001Processes specially adapted for the manufacture or treatment of devices or of parts thereof
    • H01L51/0014Processes specially adapted for the manufacture or treatment of devices or of parts thereof for changing the shape of the device layer, e.g. patterning
    • H01L51/0017Processes specially adapted for the manufacture or treatment of devices or of parts thereof for changing the shape of the device layer, e.g. patterning etching of an existing layer
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L51/00Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
    • H01L51/50Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof specially adapted for light emission, e.g. organic light emitting diodes [OLED] or polymer light emitting devices [PLED];
    • H01L51/52Details of devices
    • H01L51/5237Passivation; Containers; Encapsulation, e.g. against humidity
    • H01L51/524Sealing arrangements having a self-supporting structure, e.g. containers

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic electroluminescent display device and its manufacturing method. <P>SOLUTION: In the organic electroluminescent display device formed by film-forming a light emitting organic functional layer on the whole face of a substrate by an application method, and in the case an unnecessary light emitting organic functional layer except a light emitting region is removed by dry etching by plasma, by installing a protecting member on a cathode including the light emitting region, damage to the organic functional layer caused by the plasma generated in a removing process of the organic functional layer except the light emitting region can be prevented in the organic functional layer including the light emitting layer in the light emitting region. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は有機エレクトロルミネッセンス(以下、エレクトロルミネッセンスをELと略記する)装置とその製造方法に関する。 The present invention is an organic electroluminescence (hereinafter, abbreviated electroluminescence and EL) device and a manufacturing method thereof.

有機EL表示装置は液晶表示装置と比べ、高速応答速度、広視野角、自発光素子特有の視認性の良さ、また駆動可能な温度範囲が広いなどのディスプレイとして有利な特性を数多く有する。 The organic EL display device as compared with the liquid crystal display device, high-speed response speed, has many advantageous properties as a display such as wide viewing angle, self-luminous element inherent visibility good, also drivable temperature range is wide. 従って現在多くの表示装置を必要とする電子機器において、有機EL表示装置を採用することが検討されている。 Thus, in electronic equipment requiring the current number of the display device, it has been considered to employ an organic EL display device.

フルカラー有機EL表示装置を製造する上での発光性有機材料のパターニング技術としてシャドーマスクを用いた蒸着によるRGB発光材料のパターニング、或いはRGB発光材料を溶液化しインクジェット法を用いたパターニング技術が一般的に用いられている。 Patterning the RGB luminescent materials by evaporation using a shadow mask as the patterning technique of luminescent organic material in the production of full-color organic EL display device, or the RGB light emitting material solution of patterning technique using an ink jet method is generally It has been used. 或いは、成膜した有機層の所定の領域以外を除去することによりパターニングする手法としてフォトレジストとプラズマによるドライエッチング法が従来技術として例えば特許文献1が挙げられる。 Alternatively, photoresist and for example, Patent Document 1 as the dry etching method according to the prior art plasma can be cited as a method for patterning by removing other than a predetermined region of the formed organic layer. またフォトレジストを用いたウエットエッチング法が従来技術として特許文献2が挙げられる。 The wet etching method using a photoresist Patent Document 2 can be mentioned as prior art.

特開平11−144865号公報 JP 11-144865 discloses 特開平10−261486号公報 JP 10-261486 discloses

しかしながら前述のドライエッチングによる有機層の除去技術は、有機層に対するプラズマや現像液からの保護が電極の金属薄膜のみであり、十分であるとは言いがたく、プラズマや現像液からのダメージによる不良が懸念される。 However removal techniques of the organic layer by the foregoing dry etching is a protection from the plasma and the developing solution to the organic layer, only the metal thin film electrodes, Gataku say that is sufficient, failure due to damage from the plasma and a developer There is a concern. また前述のウエットエッチング法による不要な有機層を除去する従来技術においては、除去液の有機層への侵食による不良が懸念される。 Also in the prior art to remove unwanted organic layers by the above-mentioned wet etching method, defects due to erosion on the removal liquid organic layer is concerned.

本発明はこのような問題点を解決するもので、有機EL表示装置やプリンタヘッドなどをはじめとする有機EL表示装置を製造するに当たり、有機層を全面塗布により成膜した後、プラズマによるドライエッチングにより不要な部分を除去する場合、有機層がプラズマからダメージを受けることなく、良好な発光素子を提供できる。 The present invention is intended to solve such a problem that when manufacturing the organic EL display device including the organic EL display device or a printer head, after forming the entire surface by applying an organic layer, dry etching with plasma If an unnecessary portion is removed by, without organic layer is damaged from plasma, it can provide good light-emitting element.

本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、基板上に少なくとも一層の発光性有機薄膜を含む有機機能層が第1電極と第2電極に狭持されて形成される有機エレクトロルミネッセンス素子が少なくとも一つ形成されている有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、前記基板上に前記第1電極を形成する工程と、該第1電極上に前記有機機能層を形成する工程と、該有機機能層上に前記第2電極を形成する工程と、該第2電極上に保護部材を形成する工程と、該保護部材と重なる領域以外に形成された前記有機機能層を除去する工程と、を有することを特徴とする。 Method of manufacturing an organic electroluminescent device of the present invention, the organic electroluminescent device is at least a organic functional layer comprising at least one layer of light-emitting organic thin film is formed on the substrate is sandwiched between the first electrode and the second electrode the method of manufacturing a formed by being an organic electroluminescent device One and forming the first electrode on the substrate, and forming the organic functional layer on the first electrode, the organic functional layer comprising: the step of forming the second electrode, and forming a protective member on the second electrode, and removing the organic functional layer formed on the region other than the region overlapping with the protective member, the to.

上記構成によれば、有機機能層は第2電極材料及び保護部材により保護されており、有機機能層の除去工程時に発生する有機機能層へのダメージを防ぐことが出来る。 According to the above configuration, the organic functional layer is protected by the second electrode material and the protective member, it is possible to prevent damage to the organic functional layer generated during the step of removing the organic functional layer.

また、本発明において、前記第1電極を前記第2電極よりも小さくすることにより、前記発光性有機薄膜の前記第1電極と重なる領域が、発光領域となることを特徴とする。 In the present invention, by decreasing the first electrode than the second electrode, a region overlapping with the first electrode of the light emitting organic thin film, characterized by comprising a light-emitting region.

また、前記保護部材は、前記第1電極と重なる領域または前記発光領域を覆うように形成されていることを特徴とする。 Further, the protective member is characterized by being formed so as to cover the region or the light emitting region overlapping with the first electrode. 上記構成によれば、発光領域内の発光層を含む有機機能層は第2電極材料及び保護部材により保護されており、発光領域以外の有機機能層の除去工程時に発生する有機機能層へのダメージを防ぐことが出来る。 According to the above configuration, the organic functional layer including a light emitting layer of the light emitting area damage to the second electrode material and are protected by the protective member, generated during the step of removing the organic functional layer other than the light emitting area organic functional layer it can be prevented.

さらに、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、前記有機機能層は湿式塗布法により前記基板全面に形成され、前記保護部材を含む前記陰極領域以外の前記基板上に形成された前記有機機能層は前記保護部材形成後に剥離工程により除去されていることを特徴とする。 Furthermore, the method of manufacturing the organic electroluminescent device of the present invention, the organic functional layer is formed on the entire substrate surface by a wet coating method, the organic functional formed in the cathode region other than the substrate including the protective member layer is characterized by being removed by peeling step after the protective member formed.

上記構成によれば、発光領域内の発光層を含む有機機能層は陰極材料及び保護部材により保護されており、発光領域以外の有機機能層の除去工程時に発生する有機機能層へのダメージを防ぐことが出来る。 According to the above configuration, an organic functional layer including a light emitting layer of the light emitting region prevents damage to the cathode material and is protected by the protective member, generated during the step of removing the organic functional layer other than the light emitting area organic functional layer it can be. また、湿式による全面塗布法が使用できるため簡便な製造方法が提供できる。 Further, the entire surface coating by wet can provide simple manufacturing process because it can be used.

また、本発明において、前記湿式塗布法がスピンコート法であることを特徴とする。 In the present invention, wherein the wet coating method is spin coating.

上記構成によれば、スピンコート法による塗布法が使用できるためプロセスコストを抑え且つ簡便な製造方法が提供できる。 According to the above construction, and simple manufacturing method suppressing process cost for coating by a spin coating method can be used can be provided.

また、本発明において、前記剥離工程がプラズマを用いた乾式の除去方式であることを特徴とする。 In the present invention, wherein the peeling step is a dry removal method using plasma.

上記構成によれば、発光領域内の発光層を含む有機機能層は陰極材料及び保護部材により保護されており、発光領域以外の有機機能層の除去工程時に発生する有機機能層へのプラズマダメージを防ぐことが出来る。 According to the above configuration, an organic functional layer including a light emitting layer of the light emitting region is protected by the cathode material and the protective member, the plasma damage to the organic functional layer generated during the step of removing the organic functional layer other than the light-emitting region it can be prevented. またプラズマによるドライエッチング法が使用できるためプロセスコストを抑え且つ簡便な製造方法が提供できる。 Further and simple manufacturing method suppressing process cost for dry etching method using a plasma can be used can be provided.

また、本発明において、前記プラズマを用いた乾式の除去方式が酸素或いはアルゴンの存在下で実施されることを特徴とする。 In the present invention, a dry removal method is characterized in that it is carried out in the presence of oxygen or argon using the plasma.

上記構成によれば、一般的で安価な気体存在下でのプラズマによるドライエッチング法が使用できるためプロセスコストを抑え且つ簡便な製造方法が提供できる。 According to the above configuration, common and simple manufacturing method suppressing process cost for the dry etching method can be used by the plasma of an inexpensive gas presence can be provided.

また、本発明において、前記剥離工程は前記有機機能層が溶解しうる少なくとも一種類の溶剤を用いた湿式の除去方式であることを特徴とする。 Further, in the present invention, the peeling step is characterized by a wet removal method using at least one kind of solvent the organic functional layer may dissolve.

上記構成によれば、発光領域内の発光層を含む有機機能層は陰極材料及び保護部材により保護されており、発光領域以外の有機機能層の除去工程時に発生する有機機能層へのダメージを防ぐことが出来る。 According to the above configuration, an organic functional layer including a light emitting layer of the light emitting region prevents damage to the cathode material and is protected by the protective member, generated during the step of removing the organic functional layer other than the light emitting area organic functional layer it can be.

また、本発明において、前記保護部材が設置されている領域外の第2電極領域の一部と、発光領域外の前記基板上の一部に設置されたコンタクト部位との間を前記有機機能層の剥離工程後に金属薄膜により接続する工程を有し、前記コンタクト部位は、前記第2電極を実装端子部に取り出すための第2電極取り出し部であることを特徴とする。 Further, in the present invention, the organic functional layer between the portion of the second electrode region of the extracellular region of the protective member is provided, and the contact portion which is disposed on a portion of the substrate outside the light-emitting region and a step of connection by the separation step the metal thin film after the contact site is characterized by a second electrode extraction portion for extracting the second electrode to the mounting terminal portion.

上記構成によれば、第2電極と第2電極を取り出すコンタクト部との接続を確実に実施することが出来るため、信頼性の高い表示装置を提供することが出来る。 According to the above arrangement, since it is possible to reliably implement the connection between the contact portion for taking out the second electrode and the second electrode, it is possible to provide a highly reliable display device.

また、本発明において、前記金属薄膜がスパッタリング方式或いは蒸着方式のいずれかの方式により形成されたアルミニウムからなることを特徴とする。 Further, in the present invention, the metal thin film is characterized in that it consists of aluminum formed by any of the methods of the sputtering method or vapor deposition method.
上記構成によれば、電気的または物性的に安定なアルミニウム薄膜を信頼性の高い成膜方式により成膜できるため、第2電極と第2電極を取り出すコンタクト部との接続を高い信頼性を持って実施することが出来、信頼性の高い表示装置を提供することが出来る。 According to the above arrangement, since the electrical or physical properties stable aluminum thin film can be deposited by high film forming method reliable, with high reliability connections between the contact portion for taking out the second electrode and the second electrode be carried out Te is possible, it is possible to provide a highly reliable display device.

また、本発明において、前記保護部材は樹脂であることを特徴とする。 In the present invention, wherein the protective member is a resin.

上記構成によれば、塗布可能な樹脂を保護部材として用いるため、容易且つ安価な製造プロセスに出来、また自由度の高いパネル設計を実現できる。 According to the above arrangement, since the use of coatable resin as a protective member, it can easily and inexpensive manufacturing process, and can achieve high panel design degree of freedom.

また、本発明において、前記保護部材は原子量180以上の重金属或いはこれらを含む合金からなる金属性保護膜であることを特徴とする。 Further, in the present invention, the protective member is characterized by a metallic protective layer made of atomic weight over 180 heavy metal or an alloy containing these.

上記構成によれば、蒸着により形成可能な金属薄膜を保護部材として設けられるため、第2電極形成後真空一貫により保護膜を形成することが出来、製造プロセスの簡略化が可能になり、且つ信頼性の高い表示装置を提供できる。 According to the above arrangement, since it is provided as a protective member for the metal thin film can be formed by vapor deposition, it is possible to form a protective film by vacuum consistent after the second electrode formed enables simplification of the manufacturing process, and reliable It can provide sexual high display device.

また、本発明において、前記保護部材は前記金属保護膜、前記樹脂の順に前記基板側から順に積層され設置されていることを特徴とする。 Further, in the present invention, the protective member is characterized by being installed are stacked sequentially from the substrate side of the metal protective layer, in the order of the resin.

上記構成によれば、保護部材を積層する構造をとるため、有機膜剥離に伴うプラズマダメージをより軽減でき、より信頼性の高い表示装置が提供できる。 According to the above configuration, for taking the structure of laminating a protective member, it can more reduce plasma damage accompanying the organic film separation, can provide a more reliable display device.

また、本発明において、前記保護部材は光感光性のエポキシ樹脂であることを特徴とする。 Further, in the present invention, the protective member is characterized by a photosensitive epoxy resin.

上記構成によれば、光感光性エポキシ樹脂を保護部材として用いることで、硬化時間の短縮化による製造プロセスの短縮化、或いは硬化不良等による不良の低減、また保護部材の設定膜厚に高い自由度を持たせることが出来、自由度の高いプロセス設計が出来る。 According to the above configuration, by using a photosensitive epoxy resin as a protective member, shorten the manufacturing process according to the shortening of the curing time, or reduce the defects due to curing failure or the like, also free high setting the thickness of the protective member it is possible to have a degree, it is high process design degree of freedom.

また、本発明において、前記保護部材は光感光性のアクリル樹脂であることを特徴とする。 Further, in the present invention, the protective member is characterized by a photosensitive acrylic resin.

上記構成によれば、光感光性アクリル樹脂を保護部材として用いることで、硬化時間の短縮化による製造プロセスの短縮化、或いは硬化不良等による不良の低減、また保護部材の設定膜厚に高い自由度を持たせることが出来、自由度の高いプロセス設計が出来る。 According to the above configuration, by using a photosensitive acrylic resin as a protective member, shorten the manufacturing process according to the shortening of the curing time, or reduce the defects due to curing failure or the like, also free high setting the thickness of the protective member it is possible to have a degree, it is high process design degree of freedom.

また、本発明において、前記金属性保護膜は蒸着により形成されることを特徴とする。 Further, in the present invention, the metal protective film is characterized in that it is formed by vapor deposition.

上記構成によれば、蒸着により形成可能な金属薄膜を保護部材として設けられるため、第2電極形成後真空一貫により保護膜を形成することが出来、製造プロセスの簡略化が可能になり、且つ信頼性の高い表示装置を提供できる。 According to the above arrangement, since it is provided as a protective member for the metal thin film can be formed by vapor deposition, it is possible to form a protective film by vacuum consistent after the second electrode formed enables simplification of the manufacturing process, and reliable It can provide sexual high display device.

また、本発明において、前記基板上の前記有機機能層が除去された領域において、前記基板と封止用の対向基板が接着剤を介して接着されていることを特徴とする。 Further, in the present invention, in the region where the organic functional layer is removed on the substrate, a counter substrate for the substrate and the sealing is characterized in that it is bonded through an adhesive.

上記構成によれば、有機EL素子が形成された発光領域を外気から遮断し密閉することで、より信頼性の高い表示装置を提供することが出来る。 According to the above configuration, by which to block the light emission region of the organic EL element is formed from the outside air sealing, it is possible to provide a high display device more reliable.

また、本発明において、前記基板と前記封止用の対向基板により密閉された領域内は水分吸着機能を有する部材が設置されていることを特徴とする。 In the present invention, the substrate and the sealing sealed regions by opposing substrate for sealing it is characterized in that members having a moisture adsorbing function is installed.

上記構成によれば、有機EL素子が形成された発光領域を外気から遮断し密閉し、且つ浸透する恐れのある微量の水分を水分吸着部材により吸着することで、より信頼性の高い表示装置を提供することが出来る。 According to the above configuration, a light emitting region where the organic EL element is formed shielded from the outside air is sealed, and moisture are likely to penetrate small amount of it is adsorbed by the moisture adsorption member, a high display device more reliable it can be provided.

また、本発明において、前記第1電極が陰極であり、前記第2電極が陽極であり、前記有機機能層が正孔注入層と前記発光性有機薄膜との積層膜であることを特徴とする。 Further, in the present invention, is said first electrode is a cathode, the second electrode is an anode, wherein the organic functional layer is a laminated film of the luminous organic thin film and a hole injection layer .

また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置は、上述した有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法により製造されることを特徴とする。 Further, the organic electroluminescent device of the present invention is characterized in that it is manufactured by the manufacturing method of the above-mentioned organic electroluminescence device.

上記構成をとることで、より信頼性の高い有機EL装置を提供することが出来る。 By the above configuration, it is possible to provide a more reliable organic EL device.

さらに、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置は、基板上に少なくとも一層の発光性有機薄膜を含む有機機能層が第1電極と第2電極に狭持されて形成される有機エレクトロルミネッセンス素子が少なくとも一つ形成されている有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記基板上に前記第1電極が設けられ、該第1電極上に前記有機機能層が設けられ、該有機機能層上に前記第2電極が設けられ、前記第1電極と前記第2電極とで重なる領域で形成される発光領域を覆うように形成された保護部材が、前記第2電極上に設けられ、前記保護部材と平面的に重なる領域以外には、前記有機機能層が配設されていないことを特徴とする。 Further, the organic electroluminescent device of the present invention, one organic electroluminescent device wherein an organic functional layer comprising at least one layer of the luminous organic thin film is formed is sandwiched between the first electrode and the second electrode at least on the substrate in the organic electroluminescent device is formed, wherein on the substrate a first electrode provided, wherein the organic functional layer is provided on the first electrode, the second electrode is provided on the organic functional layer, protection member formed so as to cover the light-emitting region formed in a region overlapping with the second electrode and the first electrode is provided on the second electrode, in addition to the region overlapping the protective member in a plane It is characterized in that the organic functional layer is not provided.

以上説明したように、塗布法により基板の全面に発光性有機機能層を成膜されてなる有機EL表示装置において、発光領域以外の不要な発光性有機機能層をプラズマによるドライエッチングにより除去する場合、発光領域を含む陰極上に保護部材を設けることで、発光領域内の発光層を含む有機機能層は発光領域以外の有機機能層の除去工程時に発生するプラズマによる有機機能層へのダメージを防ぐことが出来る。 As described above, in the organic EL display device formed by depositing a luminescent organic functional layer on the entire surface of the substrate by a coating method, the case of removing by dry etching an unnecessary light-emitting organic functional layer other than the light-emitting region by plasma , by providing a protective member on the cathode comprising a light emitting region, the organic function layer including a light emitting layer of the light emitting region prevents damage to the organic functional layer by a plasma generated during the removal of the organic functional layers other than the light emitting region step it can be. よって、発光領域の発光性有機機能層が不要な発光性有機機能層の除去時にプラズマによるダメージを受けることがなく、信頼性の高い有機EL装置を提供することができる。 Therefore, when the removal of the light-emitting organic functional layer unnecessary light-emitting organic functional layer of the light-emitting region not damaged by plasma, it is possible to provide a highly reliable organic EL device.

従って、上述した有機EL装置を用いることによって、高信頼性の有機EL表示装置やプリンタヘッド等を実現することが出来る。 Thus, by using the organic EL device described above, it is possible to realize a highly reliable organic EL display device or printer head or the like.

(第一の実施形態) (First Embodiment)
以下、本発明の第一の実施形態を図面に基づいて説明する。 It will be described below with reference first embodiment of the present invention with reference to the drawings. 図1は本実施形態における保護部材設置までの断面概略図である。 Figure 1 is a schematic sectional view to protecting member placed in the present embodiment. 図2は本実施形態の完成断面概略図である。 Figure 2 is a complete cross-sectional schematic view of this embodiment.

基板101上に陽極層102が形成されており、陽極上に正孔注入層103をスピンコート法により基板全面に塗布し乾燥させて形成する。 And anode layer 102 is formed on a substrate 101, a hole injection layer 103 is coated and dried on the entire surface of the substrate by spin coating to form on the anode. 正孔注入層上に発光層104をスピンコート法により基板全面に塗布し乾燥させて形成する。 The light-emitting layer 104 on the hole injection layer is coated and dried on the entire surface of the substrate by spin coating to form. 続いて陰極層を構成する材料を、真空蒸着により形成した後、所定の形状にパターニングすることにより、前記発光層上に陰極層105を形成する。 Followed by the material constituting the cathode layer was formed by vacuum evaporation, by patterning into a predetermined shape to form a cathode layer 105 on the light emitting layer. 次いで保護部材を構成する材料として感光性エポキシ樹脂を塗布し、所定のマスクを用いて感光硬化させることにより、陰極上の発光領域を覆う部分に保護部材106を設置する。 Then a photosensitive epoxy resin is applied as the material constituting the protection member, by photocured using a predetermined mask, placing the protective member 106 in the portion covering the light-emitting area on the cathode. さらにプラズマを用いた乾式エッチング方式により、前記保護部材側をマスクとして、正孔注入層103と発光層104を除去する。 Further by dry etching method using plasma, as a mask said protective member, removing the light-emitting layer 104 and the hole injection layer 103.

本実施形態における基板101はガラス基板であり、陽極102はITO(Indium Tin Oxide)や非晶質透明導電性のIn−Zn−O系などの酸化物からなる導電層であり、スパッタリングなどにより形成される。 Substrate 101 in this embodiment is a glass substrate, an anode 102 is a conductive layer made of an oxide such as ITO (Indium Tin Oxide) and amorphous transparent conductive In-Zn-O-based, formed by a sputtering It is.

本実施形態のおける正孔注入層103は、Polyethylendioxythiophene/ Polystyrenesulfonete(Baytron P、バイエル社商標)や芳香族アミン誘導体などの有機化合物薄膜からなる。 Hole injection layer 103 in the present embodiment are composed of Polyethylendioxythiophene / Polystyrenesulfonete (Baytron P, Bayer TM) organic compound thin film such as and aromatic amine derivatives.

本実施形態のおける発光層103は、p−フェニレンビニレン(PPV)やポリフルオレン(PF)などの高分子発光材料からなる。 Emitting layer 103 in the present embodiment are composed of p- phenylene vinylene (PPV) or polyfluorene (PF) polymer light-emitting materials such as. また発光層104の材料として代わりに、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム錯体やビス(ベンゾキノリノラト)ベリリウムなどの金属錯体、またはペリレン(青)やキナクリドン(緑)などの低分子蛍光材料を高分子材料に混合したものを用いても良い。 In place as the material for the light emitting layer 104, tris (8-quinolinolato) metal complexes such as aluminum complex and bis (benzoquinolinolato) beryllium or perylene (blue) and quinacridone (green) high and low molecular weight fluorescent materials such as, it may also be used a mixture in molecular material. 本実施形態ではこれら正孔注入層103と発光層104はスピンコート法により形成されるが、ディッピング等の全面塗布方式の湿式塗布法を用いても良い。 Emitting layer 104 in this embodiment and these hole injection layer 103 is formed by spin coating may be used a wet coating over the entire surface coating method of dipping.

本実施形態のおける陰極層105は、低い仕事関数を有するCaやLiなどの電子注入性の高いアルカリ金属やアルカリ土類金属、あるいはそのフッ化物や酸化物などからなる極薄層(1〜20nm)を有機層と接して形成し、さらにAlなどの導電性の高い酸素や水分に対して安定な金属を例えば100nm以上の膜厚で、いずれも蒸着法により積層して形成される。 Cathode layer 105 in the present embodiment are low work function electron injecting highly alkali metals or alkaline earth metals such as Ca and Li with, or very thin layers made of fluorides or oxides (1 to 20 nm ) was formed in contact with the organic layer, further a thickness of a stable metal e.g. 100nm or more with respect to a highly conductive oxygen or moisture, such as Al, both of which are formed by laminating a vapor deposition method.

本実施形態においては保護部材として感光性のエポキシ樹脂を用いたが、アクリルやウレタン等の樹脂を用いても良い。 While in the present embodiment using a photosensitive epoxy resin as a protective member may be used resins such as acrylic and urethane.

本実施形態における、正孔注入層103と発光層104を除去するためのプラズマエッチングはアルゴン存在下の減圧下にて実施されるが、アルゴン以外の希ガス或いは酸素存在下でも良い。 In this embodiment, the hole injection layer 103 is plasma etched to remove the light-emitting layer 104 is carried out under reduced pressure in the presence of argon, or in a rare gas or oxygen present in non argon.

(第二の実施形態) (Second Embodiment)
以下、本発明の第二の実施形態を図面に基づいて説明する。 It will be described below with reference to the second embodiment of the present invention with reference to the drawings. 図3は本実施形態における保護部材設置後の断面概略図である。 Figure 3 is a cross-sectional schematic view after the protection member installed in the present embodiment. 図4は有機層除去後の断面概略図である。 Figure 4 is a cross-sectional schematic view after the organic layer removed. 図5は本実施形態の完成断面概略図である。 Figure 5 is a complete cross-sectional schematic view of this embodiment.

基板101上に陽極層102と陰極取り出し部201が形成されており、陽極層102と陰極取り出し部201を覆うように正孔注入層103をスピンコート法により基板101全面に塗布し乾燥させて形成する。 Substrate 101 on the anode layer 102 and the cathode terminal portion 201 is formed, the formed hole injection layer 103 is coated and dried on the substrate 101 over the entire surface by spin coating so as to cover the anode layer 102 and the cathode terminal portion 201 to. さらに正孔注入層上に発光層104をスピンコート法により基板全面に塗布し乾燥させて形成する。 Further, the light-emitting layer 104 to the hole injection layer is coated and dried on the entire surface of the substrate by spin coating to form. 続いて陰極層を構成する材料を、真空蒸着により形成した後、所定の形状にパターニングすることにより、前記発光層上に陰極層105を形成する。 Followed by the material constituting the cathode layer was formed by vacuum evaporation, by patterning into a predetermined shape to form a cathode layer 105 on the light emitting layer. 次いで保護部材を構成する材料として感光性エポキシ樹脂を塗布し、所定のマスクを用いて感光硬化させることにより、陰極上の発光領域を覆う部分に保護部材106を設置する。 Then a photosensitive epoxy resin is applied as the material constituting the protection member, by photocured using a predetermined mask, placing the protective member 106 in the portion covering the light-emitting area on the cathode. さらにプラズマを用いた乾式エッチング方式により、前記保護部材をマスクとして、正孔注入層103と発光層104を除去する。 Further by dry etching method using plasma, the protective member as a mask, removing the light-emitting layer 104 and the hole injection layer 103. 次いで陰極層の一部と、正孔注入層及び発光層が除去されたことにより露出された陰極取り出し部201の一部とをAl薄膜202にて接続させることで電気的に導通させる。 Then a part of the cathode layer, a hole injection layer and the emission layer is electrically connected by connecting the a portion of the cathode terminal portion 201 exposed at the Al thin film 202 by is removed.

本実施形態における基板101はガラス基板であり、陽極102はITO(Indium Tin Oxide)や非晶質透明導電性のIn−Zn−O系などの酸化物からなる導電層であり、スパッタリングなどにより形成される。 Substrate 101 in this embodiment is a glass substrate, an anode 102 is a conductive layer made of an oxide such as ITO (Indium Tin Oxide) and amorphous transparent conductive In-Zn-O-based, formed by a sputtering It is.

本実施形態における正孔注入層103は、Polyethylendioxythiophene/ Polystyrenesulfonete(Baytron P、バイエル社商標)や芳香族アミン誘導体などの有機化合物薄膜からなる。 Hole injection layer 103 in this embodiment, consists Polyethylendioxythiophene / Polystyrenesulfonete (Baytron P, Bayer TM) organic compound thin film such as and aromatic amine derivatives.

本実施形態における発光層103は、p−フェニレンビニレン(PPV)やポリフルオレン(PF)などの高分子発光材料からなる。 Emitting layer 103 in this embodiment, it consists of p- phenylene vinylene (PPV) or polyfluorene (PF) polymer light-emitting materials such as. また発光層104の材料として代わりに、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム錯体やビス(ベンゾキノリノラト)ベリリウムなどの金属錯体、またはペリレン(青)やキナクリドン(緑)などの低分子蛍光材料を高分子材料に混合したものを用いても良い。 In place as the material for the light emitting layer 104, tris (8-quinolinolato) metal complexes such as aluminum complex and bis (benzoquinolinolato) beryllium or perylene (blue) and quinacridone (green) high and low molecular weight fluorescent materials such as, it may also be used a mixture in molecular material. 本実施形態ではこれら正孔注入層103と発光層104はスピンコート法により形成されるが、ディッピング等の全面塗布方式の湿式塗布法を用いても良い。 Emitting layer 104 in this embodiment and these hole injection layer 103 is formed by spin coating may be used a wet coating over the entire surface coating method of dipping.

本実施形態における陰極層105は、低い仕事関数を有するCaやLiなどの電子注入性の高いアルカリ金属やアルカリ土類金属、あるいはそのフッ化物や酸化物などからなる極薄層(1〜20nm)を有機層と接して形成し、さらにAlなどの導電性の高い酸素や水分に対して安定な金属を例えば100nm以上の膜厚で、いずれも蒸着法により積層して形成される。 Cathode layer 105 in this embodiment, a low work function electron injecting highly alkali metals or alkaline earth metals such as Ca and Li with, or very thin layers made of fluorides or oxides (1 to 20 nm) It was formed in contact with the organic layer, further a thickness of a stable metal e.g. 100nm or more with respect to a highly conductive oxygen or moisture, such as Al, both of which are formed by laminating a vapor deposition method.

本実施形態においては保護部材106として感光性のエポキシ樹脂を用いたが、アクリルやウレタン等の樹脂を用いても良い。 While in the present embodiment using a photosensitive epoxy resin as a protective member 106 may be used resins such as acrylic and urethane.

本実施形態における、正孔注入層103と発光層104を除去するためのプラズマエッチングはアルゴン存在下の減圧下にて実施されるが、アルゴン以外の希ガス或いは酸素存在下でも良い。 In this embodiment, the hole injection layer 103 is plasma etched to remove the light-emitting layer 104 is carried out under reduced pressure in the presence of argon, or in a rare gas or oxygen present in non argon.

本実施形態では、陰極層の一部と、正孔注入層及び発光層が除去されたことにより露出された陰極取り出し部の一部とを接続させるためAl薄膜202を蒸着法にて形成したが、その限りではなく、AgやCuなどの導電性の高い金属材料であれば材質は限定されるものではなく、形成方法も蒸着法に限定されるものではなくスパッタリングやCVD法を用いても良い。 In the present embodiment, a part of the cathode layer has been formed in the hole injection layer and deposition of the Al thin film 202 for connecting a part of the cathode terminal portion which is exposed by the light emitting layer is removed , rather than limited to, if a metal material having high conductivity, such as Ag or Cu material is not limited, the method for forming may also be used a sputtering or a CVD method are not limited to vapor deposition .

(第三の実施形態) (Third embodiment)
第一或いは第二の実施形態において、保護部材106の材質が樹脂ではなく金属材料で形成されている。 In the first or second embodiment, the material of the protective member 106 is formed of a metal material rather than the resin.

本実施機形態における金属材料は金などの原子量180以上の重金属の単体物或いは混合物或いは合金が用いられ、蒸着法やスパッタリング法にて形成される。 Metallic material in the present exemplary machine mode alone of the atomic weight over 180 heavy metals such as gold or a mixture or alloy is used, is formed by vapor deposition or sputtering. 膜厚は限定されるものではないが、200nm以上が好適である。 The film thickness is not limited to, more than 200nm is preferred.

(第四の実施形態) (Fourth Embodiment)
以下、本発明の第四の実施形態を図面に基づいて説明する。 It will be described below with reference fourth embodiment of the present invention with reference to the drawings. 図6は本実施形態における完成断面概略図である。 6 is a complete cross-sectional schematic view of this embodiment.

基板101上に陽極層102と陰極取り出し部201が形成されており、陽極層102と陰極取り出し部201を覆うように正孔注入層103をスピンコート法により基板101全面に塗布し乾燥させて形成する。 Substrate 101 on the anode layer 102 and the cathode terminal portion 201 is formed, the formed hole injection layer 103 is coated and dried on the substrate 101 over the entire surface by spin coating so as to cover the anode layer 102 and the cathode terminal portion 201 to. 正孔注入層上に発光層104をスピンコート法により基板全面に塗布し乾燥させて形成する。 The light-emitting layer 104 on the hole injection layer is coated and dried on the entire surface of the substrate by spin coating to form. 続いて陰極層を構成する材料を、真空蒸着により形成した後、所定の形状にパターニングすることにより、前記発光層上に陰極層105を形成する。 Followed by the material constituting the cathode layer was formed by vacuum evaporation, by patterning into a predetermined shape to form a cathode layer 105 on the light emitting layer. 次いで保護部材を構成する材料として感光性エポキシ樹脂を塗布し、所定のマスクを用いて感光硬化させることにより、陰極上の発光領域を覆う部分に保護部材106を設置する。 Then a photosensitive epoxy resin is applied as the material constituting the protection member, by photocured using a predetermined mask, placing the protective member 106 in the portion covering the light-emitting area on the cathode. さらにプラズマを用いた乾式エッチング方式により、前記保護部材をマスクとして、正孔注入層103と発光層104を除去する。 Further by dry etching method using plasma, the protective member as a mask, removing the light-emitting layer 104 and the hole injection layer 103. 次いで陰極層の一部と、正孔注入層及び発光層が除去されたことにより露出された陰極取り出し部の一部とをAl薄膜202にて接続させることで電気的に導通させる。 Then a part of the cathode layer, a hole injection layer and the emission layer is electrically connected by connecting the a portion of the cathode terminal portion exposed at the Al thin film 202 by is removed.

次いで、凹型の封止用部材401の掘り込み面に乾燥剤402を設置し、封止用部材401と基板101との間に密閉空間が出来、乾燥剤402がその密閉空間内に閉じ込められるように、封止用部材401の周縁部と基板101とを接着剤403を介して接着し封止する。 Then placing a desiccant 402 to narrowing surface digging of concave sealing member 401, it is sealed space between the sealing member 401 and the substrate 101, so that desiccant 402 is confined to the enclosed space to be adhered to seal with an adhesive 403 and a peripheral portion and the substrate 101 of the sealing member 401.

本実施形態における基板101はガラス基板であり、陽極102はITO(Indium Tin Oxide)や非晶質透明導電性のIn−Zn−O系などの酸化物からなる導電層であり、スパッタリングなどにより形成される。 Substrate 101 in this embodiment is a glass substrate, an anode 102 is a conductive layer made of an oxide such as ITO (Indium Tin Oxide) and amorphous transparent conductive In-Zn-O-based, formed by a sputtering It is.

本実施形態における正孔注入層103は、Polyethylendioxythiophene/ Polystyrenesulfonete(Baytron P、バイエル社商標)や芳香族アミン誘導体などの有機化合物薄膜からなる。 Hole injection layer 103 in this embodiment, consists Polyethylendioxythiophene / Polystyrenesulfonete (Baytron P, Bayer TM) organic compound thin film such as and aromatic amine derivatives.

本実施形態における発光層103は、p−フェニレンビニレン(PPV)やポリフルオレン(PF)などの高分子発光材料からなる。 Emitting layer 103 in this embodiment, it consists of p- phenylene vinylene (PPV) or polyfluorene (PF) polymer light-emitting materials such as. また発光層104の材料として代わりに、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム錯体やビス(ベンゾキノリノラト)ベリリウムなどの金属錯体、またはペリレン(青)やキナクリドン(緑)などの低分子蛍光材料を高分子材料に混合したものを用いても良い。 In place as the material for the light emitting layer 104, tris (8-quinolinolato) metal complexes such as aluminum complex and bis (benzoquinolinolato) beryllium or perylene (blue) and quinacridone (green) high and low molecular weight fluorescent materials such as, it may also be used a mixture in molecular material. 本実施形態ではこれら正孔注入層103と発光層104はスピンコート法により形成されるが、ディッピング等の全面塗布方式の湿式塗布法を用いても良い。 Emitting layer 104 in this embodiment and these hole injection layer 103 is formed by spin coating may be used a wet coating over the entire surface coating method of dipping.

本実施形態における陰極層105は、低い仕事関数を有するCaやLiなどの電子注入性の高いアルカリ金属やアルカリ土類金属、あるいはそのフッ化物や酸化物などからなる極薄層(1〜20nm)を有機層と接して形成し、さらにAlなどの導電性の高い酸素や水分に対して安定な金属を例えば100nm以上の膜厚で、いずれも蒸着法により積層して形成される。 Cathode layer 105 in this embodiment, a low work function electron injecting highly alkali metals or alkaline earth metals such as Ca and Li with, or very thin layers made of fluorides or oxides (1 to 20 nm) It was formed in contact with the organic layer, further a thickness of a stable metal e.g. 100nm or more with respect to a highly conductive oxygen or moisture, such as Al, both of which are formed by laminating a vapor deposition method.

本実施形態においては保護部材106として感光性のエポキシ樹脂を用いたが、アクリルやウレタン等の樹脂を用いても良い。 While in the present embodiment using a photosensitive epoxy resin as a protective member 106 may be used resins such as acrylic and urethane.

本実施形態における、正孔注入層103と発光層104を除去するためのプラズマエッチングはアルゴン存在下の減圧下にて実施されるが、アルゴン以外の希ガス或いは酸素存在下でも良い。 In this embodiment, the hole injection layer 103 is plasma etched to remove the light-emitting layer 104 is carried out under reduced pressure in the presence of argon, or in a rare gas or oxygen present in non argon.

本実施形態では、陰極層の一部と、正孔注入層及び発光層が除去されたことにより露出された陰極取り出し部の一部とを接続させるためAl薄膜202を蒸着法にて形成したが、その限りではなく、AgやCuなどの導電性の高い金属材料であれば材質は限定されるものではなく、形成方法も蒸着法に限定されるものではなくスパッタリングやCVD法を用いても良い。 In the present embodiment, a part of the cathode layer has been formed in the hole injection layer and deposition of the Al thin film 202 for connecting a part of the cathode terminal portion which is exposed by the light emitting layer is removed , rather than limited to, if a metal material having high conductivity, such as Ag or Cu material is not limited, the method for forming may also be used a sputtering or a CVD method are not limited to vapor deposition .

本実施形態における封止部材401は凹形状のガラス部材を用いるが、その限りではなく、平坦なガラス基板でも良い。 The sealing member 401 in this embodiment uses a concave glass member, but instead limited thereto, may be a flat glass substrate. また材質においても金属や強化プラスチックなど、酸素や水分等を通さず密閉性が高く、且つ形状が恒久的に維持できるものであれば限定されるものではない。 The metal or reinforced plastics in the material, sealing property without going through the oxygen or moisture is high and the shape is not limited as long as it can be permanently maintained.

本発明の有機EL表示装置の断面概略図である。 It is a cross-sectional schematic view of an organic EL display device of the present invention. 本発明の有機EL表示装置の断面概略図である。 It is a cross-sectional schematic view of an organic EL display device of the present invention. 本発明の有機EL表示装置の断面概略図である。 It is a cross-sectional schematic view of an organic EL display device of the present invention. 本発明の有機EL表示装置の断面概略図である。 It is a cross-sectional schematic view of an organic EL display device of the present invention. 本発明の有機EL表示装置の断面概略図である。 It is a cross-sectional schematic view of an organic EL display device of the present invention. 本発明の有機EL表示装置の断面概略図である。 It is a cross-sectional schematic view of an organic EL display device of the present invention.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

101…基板102…陽極層103…正孔注入層104…発光層105…陰極層106…保護部材201…陰極取り出し部202…Al薄膜401…凹型の封止用部材402…乾燥剤403…接着剤 101 ... substrate 102 ... anode layer 103 ... the hole injection layer 104 ... light-emitting layer 105 ... cathode layer 106 ... protective member 201 ... cathode terminal portion 202 ... for sealing the Al thin film 401 ... concave member 402 ... desiccant 403 ... adhesive

Claims (21)

  1. 基板上に少なくとも一層の発光性有機薄膜を含む有機機能層が第1電極と第2電極に狭持されて形成される有機エレクトロルミネッセンス素子が少なくとも一つ形成されている有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、 Method for producing at least one layer of a light-emitting organic thin film organic electroluminescent device is an organic electroluminescent device wherein an organic functional layer is formed is sandwiched between the first electrode and the second electrode is at least one form comprising on a substrate in,
    前記基板上に前記第1電極を形成する工程と、 Forming a first electrode on the substrate,
    該第1電極上に前記有機機能層を形成する工程と、 A step of forming the organic functional layer on the first electrode,
    該有機機能層上に前記第2電極を形成する工程と、 And forming the second electrode on the organic functional layer,
    該第2電極上に保護部材を形成する工程と、 Forming a protective member on the second electrode,
    該保護部材と重なる領域以外に形成された前記有機機能層を除去する工程と、を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 Method of manufacturing an organic electroluminescent device characterized by having the steps of removing the organic functional layer formed on the region other than the region overlapping with the protective member.
  2. 前記第1電極を前記第2電極よりも小さくすることにより、前記発光性有機薄膜の前記第1電極と重なる領域が、発光領域となることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 Is made smaller than the second electrode the first electrode, a region overlapping with the first electrode of the light emitting organic thin film, an organic electroluminescent device according to claim 1, characterized in that the light-emitting region the method of production.
  3. 前記保護部材は、前記第1電極と重なる領域または前記発光領域を覆うように形成されていることを特徴とする請求項2に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 The protective member, manufacturing method of an organic electroluminescent device according to claim 2, characterized in that it is formed so as to cover the region or the light emitting region overlapping with the first electrode.
  4. 前記有機機能層は湿式塗布法により前記基板全面に形成され、前記保護部材を含む前記第2電極領域以外の前記基板上に形成された前記有機機能層は前記保護部材形成後に剥離工程により除去されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 The organic functional layer is formed on the entire substrate surface by a wet coating method, the protective member and the organic functional layer formed on the second electrode region other than said substrate comprising is removed by peeling step after the protective member formed method of manufacturing an organic electroluminescent device according to any one of claims 1 to 3, characterized in that is.
  5. 前記湿式塗布法はスピンコート法であることを特徴とする請求項4記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 Method of manufacturing an organic electroluminescent device according to claim 4, wherein the wet coating is spin coating.
  6. 前記剥離工程はプラズマを用いた乾式の除去方式であることを特徴とする請求項4または5に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 The peeling step is a method of manufacturing an organic electroluminescent device according to claim 4 or 5, characterized in that a dry removal method using plasma.
  7. 前記プラズマを用いた乾式の除去方式は酸素或いはアルゴンの存在下で実施されることを特徴とする請求項6記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 Method of manufacturing an organic electroluminescent device according to claim 6, wherein the removal scheme dry is characterized in that it is carried out in the presence of oxygen or argon using the plasma.
  8. 前記剥離工程は前記有機機能層が溶解しうる少なくとも一種類の溶剤を用いた湿式の除去方式であることを特徴とする請求項4または5に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 The peeling step is a method of manufacturing an organic electroluminescent device according to claim 4 or 5, characterized in that a wet removal method using at least one kind of solvent the organic functional layer may dissolve.
  9. 前記保護部材が設置されている領域外の第2電極領域の一部と、発光領域外の前記基板上の一部に設置されたコンタクト部位との間を前記有機機能層の剥離工程後に金属薄膜により接続する工程を有し、 A portion of the second electrode region of the extracellular region of the protective member is provided, the metal thin film after the separation process of the organic functional layer between the contact portion disposed in a portion of the substrate outside the light-emitting region and a step of connecting by,
    前記コンタクト部位は、前記第2電極を実装端子部に取り出すための第2電極取り出し部であることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 The contact sites, a method of manufacturing an organic electroluminescent device according to any one of claims 1-8, characterized in that the second electrode extraction portion for extracting the second electrode to the mounting terminal portion.
  10. 前記金属薄膜はスパッタリング方式或いは蒸着方式のいずれかの方式により形成されたアルミニウムからなることを特徴とする請求項9記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 Production method of the metal thin film is an organic electroluminescent device according to claim 9, characterized in that it consists of aluminum formed by any of the methods of sputtering method or vapor deposition method.
  11. 前記保護部材は樹脂であることを特徴とする請求項1〜10のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 Method of manufacturing an organic electroluminescent device according to any one of claims 1 to 10, wherein the protective member is a resin.
  12. 前記保護部材は原子量180以上の重金属或いはこれらを含む合金からなる金属性保護膜であることを特徴とする請求項1〜10のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 The protective member manufacturing method of an organic electroluminescent device according to any one of claims 1 to 10, characterized in that a metallic protective film made of atomic weight over 180 heavy metal or an alloy containing these.
  13. 前記保護部材は前記金属保護膜、前記樹脂の順に前記基板側から順に積層され設置されていることを特徴とする請求項1〜12のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 The protective member is the protective metal film, method of manufacturing an organic electroluminescent device according to any one of claims 1 to 12, characterized in that it is laminated is placed in this order from the substrate side in order of the resin.
  14. 前記保護部材は光感光性のエポキシ樹脂であることを特徴とする請求項11または13に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 The protective member manufacturing method of an organic electroluminescent device according to claim 11 or 13, characterized in that a photosensitive epoxy resin.
  15. 前記保護部材は光感光性のアクリル樹脂であることを特徴とする請求項11または13に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 The protective member manufacturing method of an organic electroluminescent device according to claim 11 or 13, characterized in that a photosensitive acrylic resin.
  16. 前記金属性保護膜は蒸着により形成されることを特徴とする請求項12または13に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 Method of manufacturing an organic electroluminescent device according to claim 12 or 13 wherein the metal protective film is characterized in that it is formed by vapor deposition.
  17. 前記基板上の前記有機機能層が除去された領域において、前記基板と封止用の対向基板が接着剤を介して接着されていることを特徴とする請求項1〜16のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 In the region where the organic functional layer is removed on the substrate, in any one of claims 1 to 16 opposite the substrate for the substrate and the sealing is characterized in that it is bonded through an adhesive method of manufacturing an organic electroluminescent device according.
  18. 前記基板と前記封止用の対向基板により密閉された領域内は水分吸着機能を有する部材が設置されていることを特徴とする請求項17記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 Method for producing it organic electroluminescent device according to claim 17, wherein the sealed region is the member having the moisture adsorbing function is installed by the counter substrate for the sealing and the substrate.
  19. 前記第1電極が陽極であり、前記第2電極が陰極であり、前記有機機能層が正孔注入層と前記発光性有機薄膜との積層膜であることを特徴とする請求項1ないし18のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 Wherein the first electrode is an anode and the second electrode is a cathode, wherein the organic functional layer is a hole injection layer and of claims 1 to 18, characterized in that said a laminated film of a luminous organic thin film method of manufacturing an organic electroluminescent device according to any one.
  20. 請求項1ないし19のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法により製造されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。 The organic electroluminescent device characterized by being manufactured by the manufacturing method of the organic electroluminescence device according to any one of claims 1 to 19.
  21. 基板上に少なくとも一層の発光性有機薄膜を含む有機機能層が第1電極と第2電極に狭持されて形成される有機エレクトロルミネッセンス素子が少なくとも一つ形成されている有機エレクトロルミネッセンス装置において、 In the organic electroluminescent device is an organic electroluminescent device wherein an organic functional layer is formed is sandwiched between the first electrode and the second electrode is at least one form including at least one layer of light-emitting organic thin film on a substrate,
    前記基板上に前記第1電極が設けられ、 Wherein the first electrode is provided on the substrate,
    該第1電極上に前記有機機能層が設けられ、 The organic functional layer is provided on the first electrode,
    該有機機能層上に前記第2電極が設けられ、 The second electrode is provided on the organic functional layer,
    前記第1電極と前記第2電極とで重なる領域で形成される発光領域を覆うように形成された保護部材が、前記第2電極上に設けられ、 Protection member formed so as to cover the light-emitting region formed in a region overlapping with the second electrode and the first electrode is provided on the second electrode,
    前記保護部材と平面的に重なる領域以外には、前記有機機能層が配設されていないことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。 Wherein in addition to the protection member and the region planarly overlapping, the organic functional layer organic electroluminescent device characterized by is not provided.
JP2006063701A 2006-03-09 2006-03-09 Manufacturing method of organic electroluminescent device, and organic electroluminescent device Withdrawn JP2007242436A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006063701A JP2007242436A (en) 2006-03-09 2006-03-09 Manufacturing method of organic electroluminescent device, and organic electroluminescent device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006063701A JP2007242436A (en) 2006-03-09 2006-03-09 Manufacturing method of organic electroluminescent device, and organic electroluminescent device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007242436A true JP2007242436A (en) 2007-09-20

Family

ID=38587760

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006063701A Withdrawn JP2007242436A (en) 2006-03-09 2006-03-09 Manufacturing method of organic electroluminescent device, and organic electroluminescent device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2007242436A (en)

Cited By (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009301883A (en) * 2008-06-13 2009-12-24 Rohm Co Ltd Organic el element and method for manufacturing of organic el element
JP2010003797A (en) * 2008-06-19 2010-01-07 Rohm Co Ltd Organic el element, and manufacturing method of the organic el element
JP2010009779A (en) * 2008-06-24 2010-01-14 Tokyo Electron Ltd Plasma processing apparatus, plasma processing method, and organic electronic device
WO2010010855A1 (en) * 2008-07-22 2010-01-28 昭和電工株式会社 Method for manufacturing organic electroluminescence element provided with sealing member
JP2010021050A (en) * 2008-07-11 2010-01-28 Konica Minolta Holdings Inc Method of manufacturing organic electroluminescent device
US7972190B2 (en) 2007-12-18 2011-07-05 Seiko Epson Corporation Organic electroluminescent device, method for producing organic electroluminescent device, and electronic apparatus
JP2013524473A (en) * 2010-04-12 2013-06-17 コミサリア ア レネルジー アトミック エ オ ゼネルジー アルテルナティブCommissariat A L’Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives The organic optoelectronic device and a method of encapsulating it
JP2014500571A (en) * 2010-10-12 2014-01-09 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ The method for manufacturing an organic electronic device
US8852687B2 (en) 2010-12-13 2014-10-07 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus
US8859043B2 (en) 2011-05-25 2014-10-14 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US8859325B2 (en) 2010-01-14 2014-10-14 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US8865252B2 (en) 2010-04-06 2014-10-21 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US8871542B2 (en) 2010-10-22 2014-10-28 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic light emitting display apparatus, and organic light emitting display apparatus manufactured by using the method
US8876975B2 (en) 2009-10-19 2014-11-04 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8882556B2 (en) 2010-02-01 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US8882922B2 (en) 2010-11-01 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus
US8894458B2 (en) 2010-04-28 2014-11-25 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US8906731B2 (en) 2011-05-27 2014-12-09 Samsung Display Co., Ltd. Patterning slit sheet assembly, organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus, and the organic light-emitting display apparatus
US8951610B2 (en) 2011-07-04 2015-02-10 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus
US8956697B2 (en) 2012-07-10 2015-02-17 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic light-emitting display apparatus and organic light-emitting display apparatus manufactured by using the method
US8968829B2 (en) 2009-08-25 2015-03-03 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US8973525B2 (en) 2010-03-11 2015-03-10 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
CN104979493A (en) * 2014-04-08 2015-10-14 精工爱普生株式会社 Method for manufacturing organic el apparatus, organic el apparatus, and electronic device
KR101561321B1 (en) 2011-11-14 2015-10-19 주식회사 엘지화학 Manufacturing Method for Organic Electronic Devices Comprising Patterned Light Extracting Layer Using Water-Jet
US9249493B2 (en) 2011-05-25 2016-02-02 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using the same
US9279177B2 (en) 2010-07-07 2016-03-08 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US9306191B2 (en) 2012-10-22 2016-04-05 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same
US9388488B2 (en) 2010-10-22 2016-07-12 Samsung Display Co., Ltd. Organic film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US9450140B2 (en) 2009-08-27 2016-09-20 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same
US9461277B2 (en) 2012-07-10 2016-10-04 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display apparatus
US9466647B2 (en) 2012-07-16 2016-10-11 Samsung Display Co., Ltd. Flat panel display device and method of manufacturing the same
US9595689B2 (en) 2014-03-14 2017-03-14 Japan Display Inc. Display device and manufacturing process of display device
US9748483B2 (en) 2011-01-12 2017-08-29 Samsung Display Co., Ltd. Deposition source and organic layer deposition apparatus including the same
US10246769B2 (en) 2010-01-11 2019-04-02 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US10287671B2 (en) 2010-01-11 2019-05-14 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus

Cited By (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7972190B2 (en) 2007-12-18 2011-07-05 Seiko Epson Corporation Organic electroluminescent device, method for producing organic electroluminescent device, and electronic apparatus
JP2009301883A (en) * 2008-06-13 2009-12-24 Rohm Co Ltd Organic el element and method for manufacturing of organic el element
JP2010003797A (en) * 2008-06-19 2010-01-07 Rohm Co Ltd Organic el element, and manufacturing method of the organic el element
JP2010009779A (en) * 2008-06-24 2010-01-14 Tokyo Electron Ltd Plasma processing apparatus, plasma processing method, and organic electronic device
JP2010021050A (en) * 2008-07-11 2010-01-28 Konica Minolta Holdings Inc Method of manufacturing organic electroluminescent device
WO2010010855A1 (en) * 2008-07-22 2010-01-28 昭和電工株式会社 Method for manufacturing organic electroluminescence element provided with sealing member
JP5666300B2 (en) * 2008-07-22 2015-02-12 昭和電工株式会社 Manufacturing method of the sealing member with the organic electroluminescence element
EP2315501A4 (en) * 2008-07-22 2012-01-18 Showa Denko Kk Method for manufacturing organic electroluminescence element provided with sealing member
US8268650B2 (en) 2008-07-22 2012-09-18 Showa Denko K.K. Process for manufacturing sealed organic electroluminescence devices
EP2315501A1 (en) * 2008-07-22 2011-04-27 Showa Denko K.K. Method for manufacturing organic electroluminescence element provided with sealing member
US8968829B2 (en) 2009-08-25 2015-03-03 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US9450140B2 (en) 2009-08-27 2016-09-20 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same
US9224591B2 (en) 2009-10-19 2015-12-29 Samsung Display Co., Ltd. Method of depositing a thin film
US8876975B2 (en) 2009-10-19 2014-11-04 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US10246769B2 (en) 2010-01-11 2019-04-02 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US10287671B2 (en) 2010-01-11 2019-05-14 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8859325B2 (en) 2010-01-14 2014-10-14 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US8882556B2 (en) 2010-02-01 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US8973525B2 (en) 2010-03-11 2015-03-10 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US9453282B2 (en) 2010-03-11 2016-09-27 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8865252B2 (en) 2010-04-06 2014-10-21 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
JP2013524473A (en) * 2010-04-12 2013-06-17 コミサリア ア レネルジー アトミック エ オ ゼネルジー アルテルナティブCommissariat A L’Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives The organic optoelectronic device and a method of encapsulating it
US8894458B2 (en) 2010-04-28 2014-11-25 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US9136310B2 (en) 2010-04-28 2015-09-15 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US9279177B2 (en) 2010-07-07 2016-03-08 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
JP2014500571A (en) * 2010-10-12 2014-01-09 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ The method for manufacturing an organic electronic device
US10062858B2 (en) 2010-10-12 2018-08-28 Oledworks, Llc Method for manufacturing an organic electronic device
US8871542B2 (en) 2010-10-22 2014-10-28 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic light emitting display apparatus, and organic light emitting display apparatus manufactured by using the method
US9388488B2 (en) 2010-10-22 2016-07-12 Samsung Display Co., Ltd. Organic film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US8882922B2 (en) 2010-11-01 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus
US8852687B2 (en) 2010-12-13 2014-10-07 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus
US9748483B2 (en) 2011-01-12 2017-08-29 Samsung Display Co., Ltd. Deposition source and organic layer deposition apparatus including the same
US8859043B2 (en) 2011-05-25 2014-10-14 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US9249493B2 (en) 2011-05-25 2016-02-02 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using the same
US8906731B2 (en) 2011-05-27 2014-12-09 Samsung Display Co., Ltd. Patterning slit sheet assembly, organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus, and the organic light-emitting display apparatus
US8951610B2 (en) 2011-07-04 2015-02-10 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus
KR101561321B1 (en) 2011-11-14 2015-10-19 주식회사 엘지화학 Manufacturing Method for Organic Electronic Devices Comprising Patterned Light Extracting Layer Using Water-Jet
US8956697B2 (en) 2012-07-10 2015-02-17 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic light-emitting display apparatus and organic light-emitting display apparatus manufactured by using the method
US9461277B2 (en) 2012-07-10 2016-10-04 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display apparatus
US9466647B2 (en) 2012-07-16 2016-10-11 Samsung Display Co., Ltd. Flat panel display device and method of manufacturing the same
US9306191B2 (en) 2012-10-22 2016-04-05 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same
US9595689B2 (en) 2014-03-14 2017-03-14 Japan Display Inc. Display device and manufacturing process of display device
CN104979493A (en) * 2014-04-08 2015-10-14 精工爱普生株式会社 Method for manufacturing organic el apparatus, organic el apparatus, and electronic device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6198220B1 (en) Sealing structure for organic light emitting devices
US6069443A (en) Passive matrix OLED display
US6710542B2 (en) Organic light emitting device with improved moisture seal
US6091196A (en) Organic electroluminescent display device and method of manufacture thereof
US5399936A (en) Organic electroluminescent device
JP5424738B2 (en) Display device
US6429585B1 (en) Organic thin film EL panel and method of manufacturing the same
JP4034698B2 (en) Hygroscopic passivation structure
CN102544056B (en) A method of manufacturing an organic light emitting device and a display
JP4974661B2 (en) Method of manufacturing a flat panel display device and a flat panel display device
KR100873704B1 (en) Organic light emitting display device and fabrication method for the same
US6099746A (en) Organic electroluminescent device and method for fabricating the same
US7423375B2 (en) Encapsulation for electroluminescent devices
US20050212419A1 (en) Encapsulating oled devices
JP4595143B2 (en) Organic el device and a method of manufacturing the same
JP3948082B2 (en) Method of manufacturing an organic electroluminescence element
CN100499954C (en) Organic electroluminescent display panel
JPH1131590A (en) Organic el element
US7531957B2 (en) Display apparatus and manufacturing method therefor
CN101124852A (en) Organic electroluminescent device
US20050035710A1 (en) Electroluminescence element and electroluminescence panel
EP1119878A1 (en) Encapsulation of a device
JP4374765B2 (en) A method of manufacturing an organic el element
CN1879220A (en) Segmented organic light emitting device
KR101014674B1 (en) Organic el display apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20090512