JP2003321767A - Vapor deposition method for thin film, organic electroluminescence device, method for manufacturing organic electroluminescence device, and electronic apparatus - Google Patents

Vapor deposition method for thin film, organic electroluminescence device, method for manufacturing organic electroluminescence device, and electronic apparatus

Info

Publication number
JP2003321767A
JP2003321767A JP2002126633A JP2002126633A JP2003321767A JP 2003321767 A JP2003321767 A JP 2003321767A JP 2002126633 A JP2002126633 A JP 2002126633A JP 2002126633 A JP2002126633 A JP 2002126633A JP 2003321767 A JP2003321767 A JP 2003321767A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
deposition
substrate
method
thin film
depositing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2002126633A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hidekazu Kobayashi
英和 小林
Original Assignee
Seiko Epson Corp
セイコーエプソン株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, セイコーエプソン株式会社 filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2002126633A priority Critical patent/JP2003321767A/en
Publication of JP2003321767A publication Critical patent/JP2003321767A/en
Application status is Withdrawn legal-status Critical

Links

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a vapor deposition method for thin films capable of increasing the rate of vapor deposition while making film thicknesses more uniform in depositing the thin films on a substrate by evaporation, an organic electroluminescence device, a method for manufacturing the organic electroluminescence device, and electronic apparatus. <P>SOLUTION: The vapor deposition method for the thin films of forming the thin films by depositing a material 2 to be deposited by evaporation on the substrate 1 comprises arranging the substrate 1 and a plurality of vapor deposition boats V1, V2, V3, and V4 in which vapor deposition sources are put, into a vapor deposition vessel and performing vapor deposition. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、基板に薄膜を蒸着させるときに、その膜厚の均一化を図るとともに蒸着速度を高めるのに好適な薄膜の蒸着方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法及び電子機器に関する。 BACKGROUND OF THE INVENTION [0001] [Technical Field of the Invention The present invention is, when depositing a thin film on the substrate, deposition of a thin film suitable to increase the deposition rate while achieving a uniformity of the film thickness method, an organic electroluminescent device, a manufacturing method and an electronic apparatus of the organic electroluminescent device. 【0002】 【従来の技術】従来、半導体基板などに薄膜を形成する方法としては、蒸着させる方法があった。 [0002] Conventionally, as a method for forming a thin film such as a semiconductor substrate, there is a method of depositing. その方法では、蒸着装置の蒸着槽内に蒸着源と基板を配置し、蒸着源を加熱することによって蒸着物を蒸発させ、その蒸着物を基板上に堆積させる。 In that method, an evaporation source and a substrate disposed in the deposition chamber of the deposition apparatus, evaporate the deposit by heating the evaporation source is deposited the deposit on the substrate. ここで、蒸着源は、蒸着層の底部に置かれた1個の容器形状の蒸着ポート内に入れられている。 Here, the deposition source is placed in a vapor deposition port in one container shape placed on the bottom of the deposition layer. そして、基板は回転軸に取り付けられ、回転しながら蒸着物が堆積されていた。 Then, the substrate is mounted on a rotary shaft, deposit while rotating has been deposited. 【0003】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従来の蒸着方法では、基板を単に回転させることと、基板と蒸着源間の距離を変更すること以外、基板に蒸着させた薄膜の厚さの均一性を確保しようとする技術が何らなされていなかった。 [0003] The present invention is, however, in the conventional deposition method, and thereby simply rotate the substrate, except for changing the distance between the substrate and the evaporation source, the thickness of the thin film was deposited on the substrate technology to be ensured is the uniformity has not been made at all. 【0004】そこで、上記従来の蒸着方法では、形成しようとする膜厚が比較的薄い場合、蒸着期間内での基板の回転回数nが少なくなるので、基板の蒸着面において蒸着源上をn回通過した部位と、n−1回通過した部位とでは膜厚の差が大きくなってしまい、膜厚の均一性を確保することが困難であるという問題点があった。 [0004] Therefore, in the conventional deposition method, when the film thickness to be formed is relatively thin, since the number of rotations n of the substrate at the deposition time decreases, n times over the deposition source in the deposition surface of the substrate a portion that has passed through, the difference in thickness between the portion which has passed through n-1 times becomes large, there is a problem that it is difficult to ensure the uniformity of the film thickness. なお、ここでの膜厚の差が膜厚班となる。 Incidentally, the difference in film thickness here is film Atsuhan. 【0005】また、上記従来の蒸着方法では、基板と蒸着源間の距離を大きくしようとすると、蒸着槽を大きくしなければならず、基板の大きさにも制約がでてくるという問題点があった。 [0005] Further, in the conventional deposition method, an attempt to increase the distance between the substrate and the evaporation source, it is necessary to increase the evaporation vessel, a problem that restrictions on the size of the substrate comes out is there were. 【0006】また、上記従来の蒸着方法では、形成しようとする膜厚が比較的厚い場合、蒸着速度を速めようとすると、蒸着源の加熱温度をより高温にしなければならず、蒸着源とされる材料が飛び跳ねるなどの好ましくない現象が生じるという問題点もあった。 [0006] Further, in the conventional deposition method, when the film thickness to be formed is relatively thick, and you Hayameyo the deposition rate, it is necessary to heat the temperature of the deposition source to a higher temperature, is the evaporation source that material there is also a problem in that undesirable phenomena such as jumping occurs. 【0007】本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、基板に薄膜を蒸着させるときに、その膜厚の均一化を図りながら蒸着速度を高めることができる薄膜の蒸着方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法及び電子機器の提供を目的とする。 [0007] The present invention has been made in view of the above circumstances, when depositing a thin film on a substrate, the method of deposition a thin film capable of increasing the deposition rate while achieving uniformity of the film thickness, an organic electroluminescent emitting device, to provide a manufacturing method and an electronic apparatus of the organic electroluminescent device of interest. 【0008】 【課題を解決するための手段】上記した目的を達成するために、本発明の薄膜の蒸着方法は、基板に蒸着物を蒸着させて薄膜を形成させる薄膜の蒸着方法であって、前記基板と蒸着源が入れられた複数の蒸着ボートとを蒸着槽内に配置して蒸着を行うことを特徴とする。 [0008] To achieve the above object Means for Solving the Problems] The method of depositing a thin film of the present invention is a method of depositing a thin film to form a thin layer by depositing a deposit on the substrate, characterized in that the evaporation is performed by arranging a plurality of vapor deposition boat the substrate and the evaporation source was placed in a vapor deposition chamber. このような方法によれば、1個の蒸着ボートを用いて蒸着を行うときよりも、蒸着源の温度を従来よりも上げることなく、穏やかな条件で、高速に成膜することができる。 According to this method, than when the evaporation is performed using one of the deposition boat, without raising the temperature of the deposition source than before can be formed under mild conditions, at a high speed. 【0009】また、本発明の薄膜の蒸着方法は、前記複数の蒸着ボートを、前記基板に蒸着された薄膜の厚さにおける最大値と最小値の差が最小となるように配置することが好ましい。 Further, the method of deposition film of the present invention, the plurality of metallization boats, it is preferable that the difference between the maximum value and the minimum value in the thickness of the thin film deposited on the substrate are arranged so as to minimize . このような方法によれば、穏やかな条件で、高速に成膜することができるとともに、蒸着槽をコンパクトにしたままで、基板を回転させなくても、膜厚の均一化を図ることができる。 According to this method, under mild conditions, it is possible to deposit at high speed, while the compact deposition chamber, without rotating the substrate, it is possible to achieve uniform film thickness . 【0010】また、本発明の薄膜の蒸着方法は、蒸着時において、前記複数の蒸着ボートそれぞれに同一材料からなる前記蒸着源を充填し、前記複数の蒸着ボートで同時に蒸着を開始し、該複数の蒸着ボートで同時に蒸着を終了させることが好ましい。 Further, the method of deposition film of the present invention, during deposition, filling the deposition source composed of the same material in each of the plurality of metallization boats, started simultaneously deposited in the plurality of deposition boat, said plurality of it is preferable to terminate the deposition simultaneously boat deposition. このような方法によれば、 According to such a method,
穏やかな条件で、高速に成膜することができるとともに、よりいっそう膜厚の均一化を図ることができる。 Under mild conditions, it is possible to deposit at high speed, it is possible to further uniform film thickness. 【0011】また、本発明の薄膜の蒸着方法は、蒸着時において前記蒸着源から放出される蒸着物の単位時間当たりの量である蒸着強度が、各蒸着ボートで略同一とすることが好ましい。 Further, the method of deposition film of the present invention, the amount in a deposition intensity per unit time of the deposit to be emitted from the deposition source during vapor deposition, it is preferred that substantially the same at each vapor deposition boat. このような方法によれば、簡易に膜厚の均一化を図ることができる。 According to this method, it is possible to achieve uniform film thickness easily. 【0012】また、本発明の薄膜の蒸着方法は、前記基板が四角形状である場合、前記蒸着ボートの数を少なくとも4個とすることが好ましい。 Further, the method of deposition film of the present invention, when the substrate is a square shape, it is preferable that at least four the number of the deposition boat. このような方法によれば、四角形状の基板に薄膜を形成する場合、特に、穏やかな条件で、高速に成膜することができるとともに、膜厚の均一化を図ることができる。 According to this method, when forming a thin film in a square shape of the substrate, especially under mild conditions, it is possible to form a high speed, it is possible to achieve uniform film thickness. 【0013】また、本発明の薄膜の蒸着方法は、前記複数の蒸着ボートを、平面上に配置されているとともに、 Further, the method of deposition film of the present invention, the plurality of deposition boat, together with being disposed on a plane,
前記基板の四角形状よりも小さい四角形状の各頂点となる位置に、少なくとも、それぞれ配置することが好ましい。 A position where the small square shape of each vertex than rectangular the substrate, at least, are preferably arranged respectively. 【0014】また、本発明の薄膜の蒸着方法は、前記基板の蒸着面と、前記複数の蒸着ボートが配置された平面とは、平行に向き合っており、該平面を直交する線であって、該平面における前記蒸着ボートが頂点に配置されている四角形状の中心点を貫く線が、該蒸着面の中心点をも貫くように、前記基板と前記複数の蒸着ボートを配置することが好ましい。 Further, the method of deposition film of the present invention, the deposition surface of the substrate, a plane in which the plurality of evaporation boats are arranged is facing in parallel, a line orthogonal to the plane, line through the rectangular center point the deposition boat in the plane is located at the vertex is, to penetrate even the center point of the vapor deposition surface, it is preferable to arrange the plurality of evaporation boat and the substrate. このような方法によれば、上記のように複数の蒸着ボートを配置することで、膜厚の均一化を図ることが容易となる。 According to this method, by disposing a plurality of evaporation boats, as described above, it becomes easy to achieve uniform film thickness. 【0015】また、本発明の薄膜の蒸着方法は、前記蒸着ボートが頂点に配置されている四角形状は、長方形及び正方形のいずれかの形状をしており、該四角形状の各辺の長さは、前記基板の形状、蒸着時において各蒸着ボートの前記蒸着源から放出される蒸着物の単位時間当たりの量である蒸着強度、前記基板と前記蒸着ボートが配置された平面との間隔、のうちの少なくとも一つに基づいて算出することが好ましい。 Further, the method of deposition film of the present invention, the length of the square shape of the deposition boat is located at the vertex is the one in the shape of a rectangle and a square, the square shape of each side the shape of the substrate, the amount in a deposition intensity per unit time of the deposit to be emitted from the deposition source for each vapor deposition boat during deposition, the distance between the plane in which the substrate and the deposition boat is placed, the it is preferable to calculate based on at least one out. このような方法によれば、四角形状の基板に薄膜を形成する場合であって、穏やかな条件で高速に成膜し、且つ、蒸着槽をコンパクトにしたままで、基板を回転させずに膜厚の均一化を図ることが可能となる各蒸着ボートの位置を、簡易に算出することができる。 According to this method, in the case of forming a thin film in a square shape of the substrate, and deposited fast in mild conditions, and, while the compact deposition bath, film without rotating the substrate the position of each deposition boat becomes possible to achieve uniform thickness, it can be easily calculated. 【0016】また、本発明の薄膜の蒸着方法は、蒸着開始時における前記基板上の蒸着位置と、蒸着終了時における前記基板上の蒸着位置とが略同一位置となるように、前記基板を回転させることが好ましい。 Further, the method of deposition film of the present invention, rotation and deposition positions on the substrate at the start of evaporation, so that the deposition positions on the substrate at the end of vapor deposition is substantially the same position, the substrate so it is preferable to be. このような方法によれば、基板の蒸着面における全ての部分が蒸着源上を同一回数だけ通過することとなり、蒸着膜厚の差(蒸着膜厚の班)を最小にすることができる。 According to this method, it is that all parts of the deposition surface of the substrate passes over the evaporation source by the same number of times, the difference between the deposited film thickness (group of the deposited film thickness) can be minimized. 【0017】また、本発明の薄膜の蒸着方法は、前記基板に蒸着された薄膜の厚さにおける最大値と最小値の差を、該最小値で割った値を膜厚班値と規定し、目標とする前記膜厚班値を目標膜厚班値と規定し、前記目標膜厚班値が前記基板の回転速度の逆数よりも大きくなるように、該回転速度を設定することが好ましい。 Further, the method of deposition film of the present invention, the difference between the maximum value and the minimum value in the thickness of the thin film deposited on the substrate, a value obtained by dividing the outermost minimum value defined as the film thickness group value, the film Atsuhan value as a target defined as the target film Atsuhan value such that said target film thickness group value is greater than the reciprocal of the rotational speed of the substrate, it is preferable to set the rotational speed. このような方法によれば、基板の回転数を上記条件で設定することで、膜厚班値を目標膜厚班値以下にすることができ、膜厚の均一化を図ることができる。 According to this method, the rotational speed of the substrate by setting the above conditions, it is possible to make the thickness group value below the target membrane Atsuhan value, it is possible to achieve uniform film thickness. 【0018】また、本発明の薄膜の蒸着方法は、前記回転速度を前記目標膜厚班値の逆数よりも大きくすることができない場合、前記蒸着によって薄膜が単位時間当たり形成される厚さである成膜速度を調整することが好ましい。 Further, the method of deposition film of the present invention, the case where the rotational speed can not be greater than the reciprocal of the target membrane Atsuhan value is the thickness thin film is formed per unit time by the deposition it is preferable to adjust the film formation rate. このような方法によれば、基板に形成する薄膜の厚さが非常に薄く、装置の回転速度の上限以上にしなければ上記条件(回転数を目標膜厚班値の逆数よりも大きくする)を満足することができない場合でも、成膜速度を調整することで該条件を満足させることができるので、膜厚班値を目標膜厚班値以下にすることができ、膜厚の均一化を図ることができる。 According to this method, the thickness of the thin film formed on the substrate is very thin, the condition to be above the upper limit of the rotational speed of the device (larger than the reciprocal of the rotational speed target film Atsuhan value) even if it is not possible to satisfy, it is possible to satisfy the condition by adjusting the deposition rate, can be a film thickness group value below the target membrane Atsuhan value, achieve uniform film thickness be able to. 【0019】また、本発明の薄膜の蒸着方法は、前記基板の回転速度をN[rpm]と規定し、成膜速度をα Further, the method of deposition film of the present invention, the rotational speed of the substrate defined as N [rpm], the deposition rate α
[オングストローム/sec]と規定し、所望膜厚をd Defined as [Å / sec], the desired film thickness d
[オングストローム]と規定し、前記基板に蒸着された薄膜の厚さにおける最大値と最小値の差を、該最小値で割った値を膜厚班値と規定し、目標とする前記膜厚班値を目標膜厚班値aと規定したときに、 目標膜厚班値a>{(60*α)/(N*d)} となるように、前記回転速度N及び成膜速度αの内の少なくとも一方を調節することが好ましい。 Defined as [Å], the difference between the maximum value and the minimum value in the thickness of the thin film deposited on the substrate, a value obtained by dividing the outermost minimum value defined as the film thickness group value, said membrane Atsuhan to target when defining the value the target film Atsuhan value a, the target film Atsuhan value a> {(60 * α) / (N * d)} such that the the rotational speed N and of the deposition rate alpha it is preferable to adjust at least one of. このような方法によれば、目標膜厚班値a及び所望膜厚dに応じて回転速度N又は成膜速度αを設定することで、任意の所望膜厚dにおいて、膜厚班値を目標膜厚班値以下にすることができ、膜厚の均一化を図ることができる。 According to this method, by setting the rotational speed N or deposition rate α in accordance with the target film Atsuhan value a and the desired film thickness d, in any desired thickness d, the target thickness group value can be below the film Atsuhan value, it is possible to achieve uniform film thickness. 【0020】また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置は、前記薄膜の蒸着方法を用いて作成されたことを特徴とする。 Further, the organic electroluminescent device of the present invention is characterized in that it is made using a method of depositing the thin film. このような有機エレクトロルミネッセンス装置によれば、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造過程における基板に薄膜を形成する場合に、穏やかな条件で高速に成膜し、且つ、膜厚の均一化を図ることができるので、高品質な有機エレクトロルミネッセンス装置を短期間に製造することができる。 According to the organic electroluminescent device, in case of forming a thin film on a substrate in the process of manufacturing the organic electroluminescent device, it was deposited at a high speed under mild conditions, and can be made uniform in thickness since, it is possible to manufacture a high-quality organic electroluminescent device in a short period of time. また、有機エレクトロルミネッセンス装置の構成要素である有機層又は金属層などの膜厚を均一にすることができるので、各部位の発光特性の均一化を図ることができ、高品質な表示をすることが可能となり、製品寿命を延ばすことも可能となる。 Further, it is possible to make uniform the film thickness of the organic layer or a metal layer which is a component of the organic electroluminescent device, it is possible to achieve uniform light emission characteristics of each part, making the high-quality display becomes possible, it is also possible to extend the product life. 【0021】また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置は、前記薄膜の蒸着方法を用いて有機層及び金属層の内の少なくとも一方が作成されたことを特徴とする。 Further, the organic electroluminescent device of the present invention, at least one of the organic layer and the metal layer is characterized by being prepared by using a method of depositing the thin film. 【0022】また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置は、高分子材料を有してなることが好ましい。 Further, the organic electroluminescent device of the present invention is preferably formed with a polymer material.
このような方法によれば、高分子材料を用いることで、 According to this method, by using a polymer material,
よりいっそう製造の簡易化及び迅速化を図ることができるとともに、各部位の発光特性の均一化を図ることができて、高品質な表示をすることが可能となり、製品寿命を延ばすことも可能となる。 With more can be more simplified and faster production, to be able to achieve uniform light emission characteristics of each part, it is possible to make high-quality display, and also possible to extend the product life Become. 【0023】また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置は、前記高分子材料が導電性ポリマーであることが好ましい。 Further, the organic electroluminescent device of the present invention, it is preferable that the polymer material is a conductive polymer. 【0024】また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、前記薄膜の蒸着方法を用いて有機エレクトロルミネッセンス装置を作成することを特徴とする。 Further, the method of manufacturing the organic electroluminescent device of the present invention is characterized by creating an organic electroluminescence device using the method of deposition the film. 【0025】また、本発明の電気機器は、前記薄膜の蒸着方法を用いて作成されたことを特徴とする。 Further, the electrical equipment of the present invention is characterized in that it is made using a method of depositing the thin film. 本発明によれば、電気機器の構成要素となる基板の薄膜を穏やかな条件で高速に形成することができ、且つ、薄膜の厚さの均一化を図ることが可能となるので、電気機器の各種性能を向上させることが可能となるとともに、製品寿命を延ばすことが可能となる。 According to the present invention, a thin film of substrate is a component of the electric device can be formed at high speed under mild conditions, and, since it is possible to achieve uniform thickness of the thin film, the electrical device together is possible to improve various performances, it is possible to prolong the product life. 【0026】また、本発明の電気機器は、前記有機エレクトロルミネッセンス装置を備えたことを特徴とする。 Further, the electrical equipment of the present invention is characterized by comprising the organic electroluminescence device.
本発明によれば、上記薄膜の蒸着方法を用いて製造された有機EL装置(表示部)を備えた電気機器となるので、表示部における各部位の発光特性の均一化を図ることができ、膜厚の差(膜厚班)によって生じる発光特性の差(表示班)を従来よりも非常に小さくすることができ、さらに、簡易かつ迅速に製造することが可能となる。 According to the present invention, since an electric device including the organic EL device manufactured (display unit) using the method of deposition the film, it is possible to achieve uniform light emission characteristics of each part of the display unit, difference in emission characteristics caused by the difference in thickness (MakuAtsuhan) (display group) than the prior art can be very small, further, it is possible to manufacture easily and quickly. 【0027】 【発明の実施の形態】以下、本発明に係る薄膜の蒸着方法について、図面を参照して説明する。 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Hereinafter, the deposition process of a thin film according to the present invention will be described with reference to the drawings. 本蒸着方法は、 The method of the present deposition,
成膜の厚さを均一にするとともに、高速に成膜するために、蒸着槽内に複数の蒸着ボートを配置するものである。 With a uniform thickness of deposition, in order to form a high speed, it is to arrange a plurality of vapor deposition boat in a vapor deposition chamber. 【0028】(第1実施形態)本発明の第1実施形態に係る薄膜の蒸着方法について、図1を参照して説明する。 [0028] The deposition process of a thin film according to the First Embodiment The first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 図1は、本実施形態に係る薄膜の蒸着方法を示す模式概念図である。 Figure 1 is a schematic conceptual diagram showing a method of depositing a thin film according to the present embodiment. 【0029】本図は、蒸着槽内に配置された基板1と、 [0029] the figure comprises a substrate 1 disposed within the vapor deposition chamber,
同じく蒸着槽内に配置された4個の蒸着ボートV1,V Four deposition boat also disposed within the vapor deposition chamber V1, V
2,V3,V4とを示している。 Shows and 2, V3, V4. 基板1は、その表面に蒸着によって薄膜が形成されるものである。 Substrate 1 is a thin film is formed by vapor deposition on the surface thereof. そして、基板1としては、例えば、有機EL装置の製造過程で用いられる基板が適用される。 Then, the substrate 1, for example, a substrate used in the manufacturing process of the organic EL device is applied. また、基板1の略中心には回転軸(図示せず)が接続されており、回転軸の回転に伴って基板1も回転するものとする。 Moreover, the substantially center of the substrate 1 are connected the rotating shaft (not shown) is assumed to rotate the substrate 1 with the rotation of the rotary shaft. 【0030】各蒸着ボートV1,V2,V3,V4には、蒸着源(図示せず)が充填されている。 [0030] Each deposition boat V1, V2, V3, V4 are the deposition source (not shown) is filled. 蒸着時においては、蒸着源が加熱されることで蒸発し、各蒸着ボートV1,V2,V3,V4から蒸着物2となって放出される。 During deposition, evaporated by the evaporation source is heated, is released as deposit 2 from each vapor deposition boat V1, V2, V3, V4. その蒸着物2は、基板1の表面に蒸着し、薄膜を形成する。 Its deposit 2, deposited on the surface of the substrate 1, to form a thin film. 【0031】各蒸着ボートV1,V2,V3,V4に充填する蒸着源としては、例えば、有機EL装置の有機層又は金属層をなす物質を適用することができる。 Examples of the evaporation source to be filled in each vapor deposition boat V1, V2, V3, V4, for example, can be applied to materials forming the organic layer or a metal layer of an organic EL device. 具体的には、基板1で有機EL装置を製造するものとして、基板1に有機EL装置の電極層を形成する場合、蒸着源としては、アルミニウム(Al)やマグネシウム(M Specifically, as for producing an organic EL device in the substrate 1, the case of forming the electrode layer of the organic EL device substrate 1, the deposition source, aluminum (Al), magnesium (M
g)、金(Au)、銀(Ag)等からなる金属を用いる。 g), gold (Au), using a metal composed of silver (Ag) or the like. 基板1に有機EL装置の正孔注入層を形成する場合、蒸着源としては、銅フタロシアニン(CuPc) When forming the hole injection layer of the organic EL device on the substrate 1, as a deposition source, a copper phthalocyanine (CuPc)
や、ポリテトラヒドロチオフェニルフェニレンであるポリフェニレンビニレン、1,1−ビス−(4−N,N− And a poly tetrahydrothiophenyl polyphenylene vinylene, 1,1-bis - (4-N, N-
ジトリルアミノフェニル)シクロヘキサン、トリス(8 Ditolyl aminophenyl) cyclohexane, tris (8
−ヒドロキシキノリノール)アルミニウム等が挙げられるが、特に銅フタロシアニン(CuPc)を用いるのが好ましい。 - Although hydroxyquinolinol) aluminum, and the like, preferably in particular to use a copper phthalocyanine (CuPc). 【0032】例えば、基板1に有機EL装置の電極層を形成する場合、膜厚が約2000オングストロームから5000オングストロームのアルミニウム(Al)の薄膜を基板1に蒸着させる。 [0032] For example, when forming the electrode layer of the organic EL device substrate 1, a thin film of thickness of about 2000 angstroms to 5000 angstroms of aluminum (Al) is deposited on the substrate 1. このとき、単位時間当たりに薄膜が形成される量である蒸着速度が、1蒸着ボート当たり0.6[nm/sec]であるとすると、その電極層を形成するのに、1個の蒸着ボートで93時間から2 At this time, the deposition rate is the amount of thin film is formed per unit time, when a 1 deposition boat per 0.6 [nm / sec], for forming the electrode layer, one of the deposition boat in from 2 to 93 hours
31時間かかることとなる。 The it takes 31 hours. しかし、本実施形態では、 However, in the present embodiment,
4個の蒸着ボートV1,V2,V3,V4を用いているので、蒸着速度が合わせて2.4[nm/sec]となり、上記の場合、23時間から58時間で電極層を形成することが可能となる。 Because of the use of four deposition boat V1, V2, V3, V4, 2.4 [nm / sec] next to the deposition rate is combined, in the above, to form an electrode layer 58 hours 23 hours It can become. 【0033】したがって、本実施形態の薄膜の蒸着方法によれば、従来の方法に対して蒸着時間を1/4にすることができる。 [0033] Thus, according to the method of deposition film of the present embodiment, it is possible to 1/4 deposition time for a conventional manner. また、本実施形態の薄膜の蒸着方法によれば、蒸着源の温度を従来よりも上げることなく、すなわち、穏やかな条件で、高速に成膜することができるので、膜厚が厚い場合でも十分に対応することができ、各種基板の製造におけるスループットを改善することができる。 Further, according to the method of deposition film of the present embodiment, without raising the temperature of the deposition source than conventional, i.e., under mild conditions, it is possible to deposit at high speed, when the film thickness is thick, even enough it can respond, it is possible to improve throughput in the production of various substrates. 【0034】なお、本実施形態では、4個の蒸着ボートV1,V2,V3,V4を蒸着槽内に配置しているが、 [0034] In the present embodiment, are arranged four deposition boat V1, V2, V3, V4 in a vapor deposition chamber,
4個以外の複数個の蒸着ボートを蒸着槽内に配置してもよい。 A plurality of metallization boats other than four may be located within the vapor deposition chamber. また、基板1は、四角形状としているが、他の多角形状又は円形状としてもよい。 The substrate 1, although a square shape, but may be other polygonal shapes or circular shape. 【0035】(第2実施形態)次に、本発明の第2実施形態に係る薄膜の蒸着方法について図2を参照して説明する。 [0035] (Second Embodiment) will now be described with reference to FIG. 2 how the deposition film according to a second embodiment of the present invention. 図2は本実施形態に係る薄膜の蒸着方法を示す模式概念図である。 Figure 2 is a schematic conceptual diagram showing a method of depositing a thin film according to the present embodiment. 本実施形態は、蒸着槽内における複数の蒸着ボートの配置方法に関するものである。 This embodiment relates to the arrangement method of a plurality of vapor deposition boat in the deposition chamber. 【0036】先ず、蒸着槽内において、第1実施形態と同様に、四角形状の基板1と、4個の蒸着ボートV1, [0036] First, in the deposition chamber, as in the first embodiment, a square substrate 1, four vapor deposition boat V1,
V2,V3,V4とを配置する。 V2, V3, arranging the V4. ここで、4個の蒸着ボートV1,V2,V3,V4は、基板1に蒸着された薄膜の厚さにおける最大値と最小値の差が最小となるように配置する。 Here, the four deposition boat V1, V2, V3, V4, arranged so that the difference between the maximum value and the minimum value in the thickness of the thin film deposited on the substrate 1 is minimized. その配置についての具体的手法を次に説明する。 The specific method for the arrangement will be described. 【0037】蒸着ボートV1,V2,V3,V4は、平面10上に配置されている。 The evaporation boat V1, V2, V3, V4 are disposed on the plane 10. 平面10は、仮想的な平面でも現実の平面(例えば蒸着槽の底面)でもよい。 Plane 10 may be a real plane (e.g. the bottom surface of the vapor deposition chamber) at virtual plane. そして、蒸着ボートV1,V2,V3,V4は、平面10において仮想的に描かれた四角形状の各頂点に1個づつ配置されている。 Then, vapor deposition boat V1, V2, V3, V4 are one by one placed at each vertex of the virtually square drawn shape in a plane 10. この平面10の四角形状は、基板1の四角形状と比べて縦横ともに小さい形状となっている。 The flat 10 square has a small shape in vertical and horizontal directions compared with the substrate 1 of rectangular shape. 【0038】また、平面10と基板1の蒸着面とは、平行に向き合っている。 Further, the planar 10 and the deposition surface of the substrate 1, are facing in parallel. そして、平面10を直交する線であって、平面10の四角形状の中心点を貫く線が、基板1の蒸着面の中心点をも貫くように、基板1と蒸着ボートV1,V2,V3,V4とを配置する。 Then, a line orthogonal to the plane 10, a line passing through the center point rectangular plane 10, so as to penetrate even the center point of the deposition surface of the substrate 1, depositing the substrate 1 boat V1, V2, V3, arranging the V4. 【0039】次に、蒸着ボートV1,V2,V3,V4 Next, the vapor deposition boat V1, V2, V3, V4
が配置されている位置を座標で表す。 There represents a position that is located at the coordinates. まず、平面10の四角形状の中心点を原点P1として座標(0,0,0) First, the coordinate center point rectangular plane 10 as the origin P1 (0,0,0)
とする。 To. 蒸着ボートV1の位置は座標(e,f,0)、 Location coordinates of the deposition boat V1 (e, f, 0),
蒸着ボートV2の位置は座標(e,−f,0)、蒸着ボートV3の位置は座標(−e,f,0)、蒸着ボートV Position of the deposition boat V2 coordinates (e, -f, 0), the position of the deposition boat V3 coordinates (-e, f, 0), metallization boats V
4の位置は座標(−e,−f,0)とする。 4 positions and coordinates (-e, -f, 0). そして、基板1の蒸着面の中心点を基板原点P2として座標(0, Then, the coordinates (0 the center point of the deposition surface of the substrate 1 as the substrate origin P2,
0,d)とする。 0, d) to. したがって、平面10の四角形状の中心点である原点P1と基板原点P2とは、距離dだけ離れていることとなる。 Thus, the origin P1 and the substrate origin P2 is the center point rectangular plane 10, so that the are separated by distance d. また、基板1の蒸着面における任意の位置を任意点Pnとよび座標(x,y,d)とする。 The coordinates and an arbitrary position in the vapor deposition surface of the substrate 1 and the arbitrary point Pn (x, y, d) to. 【0040】すると、蒸着ボートV1,V2,V3,V [0040] Then, the deposition boat V1, V2, V3, V
4から基板1の任意点Pnまでの距離dV1,dV2, Distance from 4 to any point Pn of the substrate 1 dV1, dV2,
dV3,dV4は、下記数1で表される。 dV3, DV4 is expressed by the following equation (1). (数1) dV1=√{d 2 +(x−e) 2 +(y−f) 2 } dV2=√{d 2 +(x−e) 2 +(y+f) 2 } dV3=√{d 2 +(x+e) 2 +(y−f) 2 } dV4=√{d 2 +(x+e) 2 +(y+f) 2 } 【0041】1個の蒸着ボートVnの蒸着源による蒸着速度IVnは、蒸着源(Vn)から被蒸着物(任意点P (Number 1) dV1 = √ {d 2 + (x-e) 2 + (y-f) 2} dV2 = √ {d 2 + (x-e) 2 + (y + f) 2} dV3 = √ {d 2 + (x + e) 2 + (y-f) 2} dV4 = √ {d 2 + (x + e) 2 + (y + f) deposition rate IVn by 2} [0041] evaporation source of a single metallization boats Vn is evaporation source evaporation object from (Vn) (arbitrary point P
n)までの距離dVnの2乗に反比例するので、下記数2で表される。 Is inversely proportional to the square of the distance dVn to n), it is expressed by the following Expression 2. (数2) IVn=I 0 /dVn 2ここでI 0は各蒸着ボートVnから1cm離れた位置での蒸着強度[g/cm 2 ]である。 (Number 2) IVn = I 0 / dVn 2 where I 0 is the deposition intensity at a position away 1cm from the deposition boat Vn [g / cm 2]. また、各蒸着ボートVnの蒸着強度は略同一であるとする。 Further, the deposition strength of the vapor deposition boat Vn are substantially the same. 【0042】したがって、任意点Pn(x,y,d)における蒸着強度Itotalは、下記数3で表される。 [0042] Thus, the deposition intensity Itotal at any point Pn (x, y, d) is expressed by the following Expression 3. (数3) Itotal=ΣIVn=I 0 Σ(1/dVn 2 ) =I 0 {1/(d 2 +(xe) 2 +(yf) 2 )+1/(d 2 +(xe) 2 +(y+f) 2 )+1/ (Number 3) Itotal = ΣIVn = I 0 Σ (1 / dVn 2) = I 0 {1 / (d 2 + (xe) 2 + (yf) 2) + 1 / (d 2 + (xe) 2 + ( y + f) 2) + 1 /
(d 2 +(x+e) 2 +(yf) 2 )+1/(d 2 +(x+e) 2 +(y+f) 2 )} ここで、基板1の大きさが縦2a、横2bとすると、任意点Pn(x,y,d)におけるxとyは、−a<x< (d 2 + (x + e ) 2 + (yf) 2) + 1 / (d 2 + (x + e) 2 + (y + f) 2)} Here, the size of the substrate 1 is vertically 2a, and a transverse 2b, the x and y at an arbitrary point Pn (x, y, d), -a <x <
a、−b<y<b となる。 a, a -b <y <b. 【0043】基板1の基板原点P2(x=0、y=0) [0043] substrate origin P2 of the substrate 1 (x = 0, y = 0)
での蒸着強度Itotal(0,0)は、下記数4で表される。 Evaporation intensity at Itotal (0,0) is represented by the following equation (4). (数4) Itotal(0,0)=4I 0 /(d 2 +e 2 +f 2 ) また、基板1の4角(x=±a、y=±b)での蒸着強度Itotal(±a, ±b)は下記数5で表される。 (Number 4) Itotal (0,0) = 4I 0 / (d 2 + e 2 + f 2) In addition, the four corners of the substrate 1 (x = ± a, y = ± b) deposition intensity Itotal (± a in , ± b) it is represented by the following Expression 5. (数5) Itotal(±a, ±b)=I 0 {1/(d 2 +(ae) 2 +(bf) 2 )+1/(d 2 + (Number 5) Itotal (± a, ± b) = I 0 {1 / (d 2 + (ae) 2 + (bf) 2) + 1 / (d 2 +
(ae) 2 +(b+f) 2 )+1/(d 2 +(a+e) 2 +(bf) 2 )+1/(d 2 +(a+e) 2 + (ae) 2 + (b + f) 2) + 1 / (d 2 + (a + e) 2 + (bf) 2) + 1 / (d 2 + (a + e) 2 +
(b+f) 2 )} 【0044】また、基板1の蒸着面における各蒸着ボートVnの直上(x=±e、y=±f)での蒸着強度Ito (b + f) 2)} [0044] Also, right above the evaporation boat Vn in the vapor deposition surface of the substrate 1 (x = ± e, y = evaporation intensity Ito at ± f)
tal(±e, ±f)は下記数6で表される。 tal (± e, ± f) is expressed by the following Equation 6. (数6) Itotal(±e, ±f)=I 0 {1/d 2 +1/(d 2 +e 2 +f 2 )+1/(d 2 +2e 2 (Number 6) Itotal (± e, ± f) = I 0 {1 / d 2 + 1 / (d 2 + e 2 + f 2) + 1 / (d 2 + 2e 2
+2f 2 )} ここで、Itotal(±e, ±f)≧Itotal(0,0) なので、基板1の蒸着面における最大蒸着強度Itotalm + 2f 2)} where, Itotal (± e, ± f ) ≧ Itotal (0,0) so, the maximum deposition intensity in the deposition surface of the substrate 1 Itotalm
axは、下記数7で表される。 ax is expressed by the following Expression 7. (数7) Itotalmax=I 0 {1/d 2 +2/(d 2 +e 2 +f 2 )+1/(d 2 +2e 2 +2f 2 )} また、基板1の蒸着面における最小蒸着強度Itotalmin (Number 7) Itotalmax = I 0 {1 / d 2 + 2 / (d 2 + e 2 + f 2) + 1 / (d 2 + 2e 2 + 2f 2)} and the minimum deposition in the vapor deposition surface of the substrate 1 strength Itotalmin
は下記数8で表される。 It is represented by the following Expression 8. (数8) Itotalmin=Itotal(0,0) または Itotalmin=I (Number 8) Itotalmin = Itotal (0,0) or Itotalmin = I
total(±e, ±f) 【0045】これらの計算式より、上記のように基板1 total (± e, ± f) [0045] From these equations, the substrate as described above 1
及び蒸着ボートV1,V2,V3,V4を配置すると、 When and placing the deposition boat V1, V2, V3, V4,
基板1に蒸着される薄膜における最大の膜厚となる所は、各蒸着ボートV1,V2,V3,V4の真上であり、基板1に蒸着される薄膜における最小の膜厚となる所は、基板1の4角又は中心であることがわかる。 Where the maximum thickness of the thin film to be deposited on the substrate 1 is directly above the evaporation boat V1, V2, V3, V4, where the minimum thickness of the thin film to be deposited on the substrate 1, it can be seen that a square or center of the substrate 1. 【0046】そして、基板1に蒸着された薄膜の厚さにおける最大値と最小値の差を、該最小値で割った値を膜厚班値と規定し、目標とする膜厚班値を目標膜厚班値α [0046] Then, the difference between the maximum value and the minimum value in the thickness of the thin film deposited on the substrate 1, a value obtained by dividing the outermost minimum value defined as the film thickness group value, the target film thickness group value as a target film Atsuhan value α
[%]と規定する。 It is defined as [%]. すると、上記数式について(Itotalmax−Itotalmin)/Itotal < α/10 Then, for the above formula (Itotalmax-Itotalmin) / Itotal <α / 10
0 となるように、蒸着ボートV1,V2,V3,V4の座標におけるe,fを設定する。 As becomes 0, e in the coordinate of the deposition boat V1, V2, V3, V4, sets the f. 【0047】これにより、基板1に蒸着させる薄膜について、所望の目標膜厚班値α[%]以下に膜厚の均一化を図ることができる。 [0047] Thus, the thin film to be deposited on the substrate 1, it is possible to achieve uniform film thickness below the desired target film Atsuhan value alpha [%]. また、必要に応じて、基板1と蒸着ボートV1,V2,V3,V4が置かれる平面10との距離dも最適化する。 Further, if necessary, the distance d is also the optimization of a plane 10 which deposition the substrate 1 boat V1, V2, V3, V4 is placed. また、基板1の形状(円形、極端に細長い四角形状など)に応じて、蒸着ボートV1, Further, according to the shape of the substrate 1 (circular, such as extremely elongated rectangular shape), metallization boats V1,
V2,V3,V4の位置や、蒸着ボートの個数を最適化する。 V2, V3, V4 position or to optimize the number of metallization boats. 【0048】上記実施形態において、蒸着時には、各蒸着ボートV1,V2,V3,V4に同一材料からなる蒸着源を充填し、各蒸着ボートV1,V2,V3,V4で同時に蒸着を開始し、各蒸着ボートV1,V2,V3, [0048] In the above embodiment, during deposition, to fill the deposition source composed of the same material in each vapor deposition boat V1, V2, V3, V4, started simultaneously deposited at the deposition boat V1, V2, V3, V4, each vapor deposition boat V1, V2, V3,
V4で同時に蒸着を終了させることが膜厚の均一化を図る上で好ましい。 To terminate simultaneously deposited at V4 is preferable in achieving uniform film thickness. 【0049】(第3実施形態)次に、本発明の第3実施形態に係る薄膜の蒸着方法について説明する。 [0049] (Third Embodiment) Next, a method of depositing a thin film according to a third embodiment of the present invention. 本実施形態は、基板1の回転速度などを調節して、基板1に蒸着させる薄膜の膜厚を均一化するものである。 This embodiment, like by adjusting the rotational speed of the substrate 1, is intended to uniform the thickness of the thin film to be deposited on the substrate 1. 【0050】まず、蒸着開始時における基板1上の蒸着位置と、蒸着終了時における基板1上の蒸着位置とが略同一位置となるように、基板1を回転させる。 Firstly, the deposition position on the substrate 1 at the start deposition, so that the deposition position on the substrate 1 at the end of vapor deposition is substantially the same position, rotating the substrate 1. これにより、基板1の蒸着面における全ての部分が蒸着源(蒸着ボートVn)上を同一回数だけ通過することとなり、さらに、蒸着膜厚の差(蒸着膜厚の班)を最小にすることができる。 Thus, that all parts of the deposition surface of the substrate 1 becomes able to pass through the deposition source (deposition boat Vn) above by the same number of times, further, the difference between the deposited film thickness (group of deposited film thickness) to minimize it can. 【0051】また、基板1に蒸着された薄膜の厚さにおける最大値と最小値の差を、該最小値で割った値を膜厚班値と規定し、目標とする膜厚班値を目標膜厚班値αと規定する。 [0051] Further, the difference between the maximum value and the minimum value in the thickness of the thin film deposited on the substrate 1, a value obtained by dividing the outermost minimum value defined as the film thickness group value, the target film thickness group value as a target It is defined as film Atsuhan value α. そして、目標膜厚班値αが基板1の回転速度の逆数よりも大きくなるように、その回転速度を設定する。 Then, as the target film Atsuhan value α is larger than the reciprocal of the rotational speed of the substrate 1, and sets the rotational speed. ここで、回転速度を目標膜厚班値αの逆数よりも大きくすることができない場合は、蒸着によって薄膜が単位時間当たり形成される厚さである成膜速度(各蒸着ボートVnの蒸着強度)を調整する。 Here, when it can not be greater than the reciprocal of the rotational speed target film Atsuhan value α is (deposition intensity of each vapor deposition boat Vn) deposition rate film by vapor deposition is a thickness comprised per unit time to adjust. 成膜速度の調節は、 Adjustment of the deposition rate,
蒸着ボートVnの個数を可変することで行ってもよい。 The number of the deposition boat Vn may be performed by varying. 【0052】さらに、基板1の回転速度をN[rpm] [0052] Further, the rotational speed of the substrate 1 N [rpm]
と規定し、成膜速度をβ[オングストローム/sec] Defined as, the deposition rate β [angstroms / sec]
と規定し、所望膜厚をm[オングストローム]と規定し、目標膜厚班値αと規定する。 Defined as the desired film thickness is defined as m [Angstroms] defines a target film Atsuhan value alpha. そして、 目標膜厚班値a>{(60*α)/(N*d)} となるように、回転速度N及び成膜速度βの内の少なくとも一方を調節する。 As a target film Atsuhan value a> {(60 * α) / (N * d)}, adjusting at least one of a rotational speed N and the deposition rate of beta. このように回転速度N又は成膜速度βを設定することで、膜厚班値を目標膜厚班値α以下にすることができる。 By setting the rotational speed N or deposition rate β in this manner, it is possible to make the thickness group value less than the target film Atsuhan value alpha. 【0053】(有機EL装置)以下、本実施形態の応用例に係る有機EL装置について図3を参照しながら説明する。 [0053] (Organic EL device) Hereinafter, an organic EL device according to an application example of the present embodiment will be described with reference to FIG. 図3は本実施形態の薄膜の蒸着方法を用いて製造された有機EL装置の一例を示す断面図である。 Figure 3 is a sectional view showing an example of an organic EL device manufactured using the method of deposition film of the present embodiment. 図3において、有機EL装置50は、光を透過可能な基板(光透過層)52と、基板52の一方の面側に設けられ一対の陰極(電極)57及び陽極(電極)58に挟持された有機エレクトロルミネッセンス材料からなる発光層55 3, the organic EL device 50 includes a permeable substrate (light transmission layer) 52 is sandwiched on one of the pair of the cathode is provided on the surface side (electrode) 57 and an anode (electrode) 58 of the substrate 52 emitting layer 55 made of an organic electroluminescent material
と正孔輸送層56とからなる有機EL素子(発光素子) To consist of a hole transport layer 56 organic EL element (light emitting element)
59と、封止基板320を有している。 And 59, and a sealing substrate 320. また、必要に応じて、基板52と有機EL素子59との間に積層されている低屈折率層及び封止層とを備えている。 If necessary, and a low refractive index layer and the sealing layer is laminated between the substrate 52 and the organic EL element 59. 低屈折率層は封止層より基板52側に設けられている。 Low refractive index layer is provided on the substrate 52 side of the sealing layer. 【0054】ここで、有機EL装置50の陰極(電極) [0054] Here, the cathode of the organic EL device 50 (electrode)
57、陽極(電極)58、発光層55及び正孔輸送層5 57, an anode (electrode) 58, the light emitting layer 55 and the hole transport layer 5
6などを上記第1乃至第3実施形態の薄膜の蒸着方法を用いて形成する。 6 and formed by a method of depositing a thin film of the first to third embodiments. 【0055】図3に示す有機EL装置50は、発光層5 [0055] The organic EL device 50 shown in FIG. 3, the light emitting layer 5
5からの発光を基板52側から装置外部に取り出す形態であり、基板52の形成材料としては、光を透過可能な透明あるいは半透明材料、例えば、透明なガラス、石英、サファイア、あるいはポリエステル、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリエーテルケトンなどの透明な合成樹脂などが挙げられる。 The emission from 5 in the form removed from the substrate 52 side to the outside of the device, as the material for forming the substrate 52, capable of transmitting transparent or translucent material with light, for example, transparent glass, quartz, sapphire or polyesters, poly acrylate, polycarbonate, a transparent synthetic resin such as polyether ketone. 特に、基板52の形成材料としては、安価なソーダガラスが好適に用いられる。 In particular, as the material for forming the substrate 52, an inexpensive soda glass is preferably used. 一方、基板と反対側から発光を取り出す形態の場合には、基板は不透明であってもよく、その場合、アルミナ等のセラミック、ステンレス等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。 While those in the case of the embodiment in which light is extracted from the side opposite to the substrate, the substrate is subjected may be opaque, case, ceramics such as alumina, an insulating treatment such as surface oxidation on the metal sheet such as stainless steel, thermosetting resins, and thermoplastic resins can be used. 【0056】陽極58は、インジウム錫酸化物(IT [0056] anode 58, indium tin oxide (IT
O:Indium Tin Oxide)等からなる透明電極であって光を透過可能である。 O: a transparent electrode made of Indium Tin Oxide) or the like is capable of transmitting light. 正孔輸送層56は、例えば、トリフェニルアミン誘導体(TPD)、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体等からなる。 The hole transport layer 56 is, for example, triphenylamine derivatives (TPD), pyrazoline derivatives, arylamine derivatives, stilbene derivatives, consisting of triphenyl diamine derivatives. 具体的には、特開昭63− Specifically, JP-A-63-
70257号、同63−175860号公報、特開平2 No. 70257, the 63-175860, JP-A No. 2
−135359号、同2−135361号、同2−20 No. -135 359, the same 2-135361 JP, the 2-20
9988号、同3−37992号、同3−152184 Nos. 9988, same 3-37992 JP, same 3-152184
号公報に記載されているもの等が例示されるが、トリフェニルジアミン誘導体が好ましく、中でも4,4'−ビス(N(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ) Although such as those described in JP are exemplified, triphenyl diamine derivatives are preferable, and 4,4'-bis (N (3- methylphenyl) -N- phenylamino)
ビフェニルが好適とされる。 Biphenyl is to be preferred. 【0057】なお、正孔輸送層に代えて正孔注入層を形成するようにしてもよく、さらに正孔注入層と正孔輸送層を両方形成するようにしてもよい。 [0057] Note that may be formed a hole transport layer hole injection layer instead may be further both form a hole injection layer and the hole transport layer. その場合、正孔注入層の形成材料としては、例えば銅フタロシアニン(C In that case, as the material for forming the hole injection layer include copper phthalocyanine (C
uPc)や、ポリテトラヒドロチオフェニルフェニレンであるポリフェニレンビニレン、1,1−ビス−(4− UPC) and a poly tetrahydrothiophenyl polyphenylene vinylene, 1,1-bis - (4-
N,N−ジトリルアミノフェニル)シクロヘキサン、トリス(8−ヒドロキシキノリノール)アルミニウム等が挙げられるが、特に銅フタロシアニン(CuPc)を用いるのが好ましい。 N, N-ditolyl aminophenyl) cyclohexane, tris (8-hydroxy quinolinol) Aluminum, etc., preferably in particular to use a copper phthalocyanine (CuPc). 【0058】発光層55の形成材料としては、低分子の有機発光色素や高分子発光体、すなわち各種の蛍光物質や燐光物質などの発光物質、Alq 3 (アルミキレート錯体)などの有機エレクトロルミネッセンス材料が使用可能である。 [0058] The material for forming the light emitting layer 55, an organic electroluminescent material such as an organic light emitting dye and polymer light having a low molecular, i.e. luminescent substances such as various fluorescent substances and phosphorescent substances, Alq 3 (aluminum chelate complex) There can be used. 発光物質となる共役系高分子の中ではアリーレンビニレン又はポリフルオレン構造を含むものなどが特に好ましい。 Among the conjugated polymer as an emission substance such as those containing arylene vinylene or polyfluorene structures it is particularly preferred. 低分子発光体では、例えばナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ペリレン誘導体、ポリメチン系、キサテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、8−ヒドロキノリンおよびその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン誘導体等、または、特開昭57−51781、同59− The low molecular light emitters, such as naphthalene derivatives, anthracene derivatives, perylene derivatives, polymethine, xanthene-based dye such as coumarin, cyanine, metal complexes of 8-hydroquinoline and derivatives thereof, aromatic amine, tetraphenyl cyclo pentadiene derivatives and the like, or, JP-A-57-51781, the 59-
194393号公報等に記載されている公知のものが使用可能である。 Known ones that are described in 194393 JP like can be used. 陰極57はアルミニウム(Al)やマグネシウム(Mg)、金(Au)、銀(Ag)等からなる金属電極である。 Cathode 57 of aluminum (Al), magnesium (Mg), gold (Au), a metal electrode made of silver (Ag) or the like. 【0059】なお、陰極57と発光層55との間に、電子輸送層や電子注入層を設けることができる。 It should be noted, it can be between the light emitting layer 55 and the cathode 57, providing the electron transporting layer or an electron injection layer. 電子輸送層の形成材料としては、特に限定されることなく、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンおよびその誘導体、ベンゾキノンおよびその誘導体、ナフトキノンおよびその誘導体、アントラキノンおよびその誘導体、 As the material for forming the electron transporting layer, in particular without limitation, oxadiazole derivatives, anthraquinodimethane and its derivatives, benzoquinone and its derivatives, naphthoquinone and its derivatives, anthraquinone and its derivatives,
テトラシアノアンスラキノジメタンおよびその誘導体、 Tetracyanoanthraquinodimethane Ans anthraquinodimethane and derivatives thereof,
フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンおよびその誘導体、ジフェノキノン誘導体、8−ヒドロキシキノリンおよびその誘導体の金属錯体等が例示される。 Fluorenone derivatives, diphenyldicyanoethylene and its derivatives, diphenoquinone derivatives, metal complexes of 8-hydroxyquinoline and its derivatives.
具体的には、先の正孔輸送層の形成材料と同様に、特開昭63−70257号、同63−175860号公報、 Specifically, similar to the material for forming the previous hole transport layer, JP 63-70257, the 63-175860, JP-
特開平2−135359号、同2−135361号、同2−209988号、同3−37992号、同3−15 JP 2-135359, the 2-135361 JP, said 2-209988 JP, same 3-37992 JP, the 3-15
2184号公報に記載されているもの等が例示され、特に2−(4−ビフェニリル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス(8−キノリノール)アルミニウムが好適とされる。 Such as those described in 2184 JP are exemplified, especially 2- (4-biphenylyl)-5-(4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole, benzoquinone, anthraquinone, tris ( 8-quinolinol) aluminum are preferred. 【0060】図示しないが、本実施形態の有機EL装置50はアクティブマトリクス型であり、実際には複数のデータ線と複数の走査線とが格子状に基板52に配置される。 [0060] Although not shown, the organic EL device 50 of this embodiment is an active matrix type, in practice a plurality of data lines and a plurality of scan lines are arranged on the substrate 52 in a grid pattern. そして、データ線や走査線に区画されたマトリクス状に配置された各画素毎に、従来は、スイッチングトランジスタやドライビングトランジスタ等の駆動用TF Then, for each pixel disposed compartmented matrix to the data lines and scanning lines, conventionally, TF drive such as a switching transistor or driving transistor
Tを介して上記の有機EL素子59が接続されている。 The organic EL element 59 described above is connected via a T.
そして、データ線や走査線を介して駆動信号が供給されると電極間に電流が流れ、有機EL素子59の発光層5 When a driving signal through the data lines and scanning lines are supplied current flows between the electrodes, the light emitting layer of the organic EL element 59 5
5が発光して基板52の外面側に光が射出され、その画素が点灯する。 5 light is emitted on the outer surface side of the emitting light substrate 52, the pixel is turned on. 【0061】本有機EL装置50では、陰極(電極)5 [0061] In the organic EL device 50, a cathode (electrode) 5
7、陽極(電極)58、発光層55及び正孔輸送層56 7, an anode (electrode) 58, the light emitting layer 55 and the hole transport layer 56
などを上記実施形態の薄膜の蒸着方法を用いて形成するので、陰極(電極)57、陽極(電極)58、発光層5 Since the like is formed using a method of depositing a thin film of the above embodiments, the cathode (electrode) 57, anode (electrode) 58, the light emitting layer 5
5及び正孔輸送層56などを穏やかな条件(過熱とならない条件)で高速に成膜することができ、有機EL装置50の製造におけるスループットを向上させることができる。 Such as 5 and the hole transport layer 56 can be deposited at a high speed under mild conditions (conditions that do not overheat), it is possible to improve throughput in manufacturing the organic EL device 50. また、本有機EL装置50では、上記実施形態の薄膜の蒸着方法を用いて成膜しているので、膜厚の均一化を図ることができ、有機EL装置50の各部位からの発光特性の均一化を図ることができて高品質な表示をすることが可能となり、製品寿命を延ばすことも可能となる。 Further, in the organic EL device 50, since the film formation using the method of deposition film of the above embodiment, it is possible to achieve uniform film thickness, the light emission characteristics of the respective portions of the organic EL device 50 and it can be made uniform it becomes possible to make high-quality display, it is possible to extend the product life. 【0062】(電子機器)上記実施形態の電気光学装置(有機EL装置)を備えた電子機器の例について説明する。 [0062] The electro-optical device (electronic equipment) the above-described embodiment an example of an electronic apparatus including (organic EL device) will be described. 図4は、携帯電話の一例を示した斜視図である。 Figure 4 is a perspective view showing an example of a cellular phone. 図4において、符号1000は携帯電話本体を示し、符号1001は上記の有機EL装置を用いた表示部を示している。 4, reference numeral 1000 denotes a cellular phone body, and reference numeral 1001 denotes a display portion using the organic EL device. 【0063】図5は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。 [0063] Figure 5 is a perspective view showing an example of a wristwatch type electronic apparatus. 図5において、符号1100は時計本体を示し、符号1101は上記の電気光学装置を用いた表示部を示している。 5, reference numeral 1100 denotes a watch body, and reference numeral 1101 denotes a display unit using the above-described electro-optical device. 【0064】図6は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。 [0064] Figure 6 is a word, is a perspective view showing an example of a portable information processing apparatus such as a personal computer. 図6において、符号1200は情報処理装置、符号1202はキーボードなどの入力部、符号1204は情報処理装置本体、符号1206は上記の電気光学装置を用いた表示部を示している。 6, reference numeral 1200 denotes an information processing apparatus, reference numeral 1202 denotes an input unit such as a keyboard, reference numeral 1204 denotes an information processing apparatus main body, and reference numeral 1206 denotes a display unit using the above-described electro-optical device. 【0065】図4から図6に示す電子機器は、上記実施形態で製造された有機EL装置を備えているので、表示部における各部位の発光特性の均一化を図ることができ、膜厚の差(膜厚班)によって生じる発光特性の差(表示班)を従来よりも非常に小さくすることができ、 [0065] Electronic apparatuses shown in FIGS. 4-6, is provided with the organic EL device manufactured in the above embodiment, it is possible to achieve uniform light emission characteristics of each part of the display unit, the thickness difference in emission characteristics caused by the difference (MakuAtsuhan) (display group) can be much smaller than the conventional,
製品寿命も延ばすことができる。 Product life can also be extended. 【0066】なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能であり、実施形態で挙げた具体的な材料や層構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。 [0066] The technical scope of the present invention is not limited to the above embodiments without departing from the scope and spirit of the present invention it is possible to make various changes, concrete mentioned in embodiment etc. materials and layer configuration are merely examples and can be appropriately changed. 例えば、上記実施形態の有機EL装置は、本発明に係る薄膜の蒸着方法を用いるとともに、共役系高分子(導電性ポリマーなど)を用いて導電部を形成してもよい。 For example, the organic EL device of the above embodiments, with use of the method of deposition a thin film according to the present invention, (such as a conductive polymer) conjugated polymer may be formed a conductive portion using. 【0067】 【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明によれば、複数の蒸着ボートを用いて薄膜を蒸着させるので、蒸着速度を速くすることができ、穏やかな条件で高速に成膜することができる。 [0067] As apparent from the above description, according to the present invention, according to the present invention, since the depositing a thin film using a plurality of evaporation boats, it is possible to increase the deposition rate, fast under mild conditions it can be deposited in.

【図面の簡単な説明】 【図1】 本発明の第1実施形態に係る薄膜の蒸着方法を示す模式概念図である。 It is a schematic conceptual diagram showing a method of depositing a thin film according to the first embodiment of the BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS [Figure 1] present invention. 【図2】 本発明の第2実施形態に係る薄膜の蒸着方法を示す模式概念図である。 2 is a schematic conceptual diagram showing a method of depositing a thin film according to a second embodiment of the present invention. 【図3】 本実施形態の有機EL装置の概略断面図である。 3 is a schematic cross-sectional view of an organic EL device of the present embodiment. 【図4】 本実施形態の電気光学装置を備えた電子機器の一例を示す図である。 Is a diagram illustrating an example of an electronic apparatus with the [4] an electro-optical device of the present embodiment. 【図5】 本実施形態の電気光学装置を備えた電子機器の一例を示す図である。 5 is a diagram showing an example of an electronic apparatus including the electro-optical device of the present embodiment. 【図6】 本実施形態の電気光学装置を備えた電子機器の一例を示す図である。 6 is a diagram illustrating an example of an electronic apparatus including the electro-optical device of the present embodiment. 【符号の説明】 1 基板2 蒸着物10 平面d 原点と基板原点間の距離P1 原点P2 基板原点Pn 任意点dV1 V1と任意点間の距離dV2 V2と任意点間の距離dV3 V3と任意点間の距離dV4 V4と任意点間の距離V1,V2,V3,V4 蒸着ボート50 有機EL装置52 基板55 発光層56 正孔輸送層57 陰極58 陽極59 有機EL素子(発光素子) 320 封止基板 [Reference Numerals] distance dV3 V3 and any point between the distance dV2 V2 and any point between the distance P1 origin P2 substrate origin Pn any point dV1 V1 and any point between the 10 planes d origin 1 substrate 2 deposit and the substrate origin distance DV4 V4 and the distance between any point V1, V2, V3, V4 evaporation boat 50 organic EL device 52 substrate 55 light-emitting layer 56 a hole transport layer 57 cathode 58 anode 59 organic EL element (light emitting element) 320 sealing substrate

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】 基板に蒸着物を蒸着させて薄膜を形成させる薄膜の蒸着方法であって、 前記基板と、蒸着源が入れられた複数の蒸着ボートとを蒸着槽内に配置して蒸着を行うことを特徴とする薄膜の蒸着方法。 A Claims 1. A method of depositing a thin film to the substrate by depositing a deposition product to form a thin film, the substrate and the deposition tank and a plurality of evaporation boats deposition source is placed the method of depositing a thin film and performing to deposition disposed. 【請求項2】 前記複数の蒸着ボートは、前記基板に蒸着された薄膜の厚さにおける最大値と最小値の差が最小となるように配置することを特徴とする請求項1記載の薄膜の蒸着方法。 Wherein said plurality of deposition boat, of a thin film of claim 1, wherein the difference between the maximum value and the minimum value in the thickness of the thin film deposited on the substrate are arranged so as to minimize vapor deposition method. 【請求項3】 蒸着時には、前記複数の蒸着ボートそれぞれに同一材料からなる前記蒸着源を充填し、 前記複数の蒸着ボートで同時に蒸着を開始し、該複数の蒸着ボートで同時に蒸着を終了させることを特徴とする請求項1又は2記載の薄膜の蒸着方法。 At 3. A deposition fills the deposition source composed of the same material in each of the plurality of metallization boats, the time to start vapor deposition in a plurality of evaporation boats, to terminate at the same time at a deposition boat plurality of the method of depositing a thin film according to claim 1 or 2 wherein. 【請求項4】 蒸着時において前記蒸着源から放出される蒸着物の単位時間当たりの量である蒸着強度は、各蒸着ボートで略同一とすることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項記載の薄膜の蒸着方法。 4. A deposition strength is the amount per unit time of the deposit to be emitted from the deposition source during vapor deposition, any one of claims 1 to 3, characterized in that substantially the same at each vapor deposition boat method of depositing a thin film according one paragraph. 【請求項5】 前記基板が四角形状である場合は、前記蒸着ボートの数を少なくとも4個とすることを特徴とする請求項1乃至4記載の薄膜の蒸着方法。 Wherein when the substrate is a square shape, claims 1 to 4 the method of depositing a thin film according to, characterized in that at least four the number of the deposition boat. 【請求項6】 前記複数の蒸着ボートは、平面上に配置されているとともに、前記基板の四角形状よりも小さい四角形状の各頂点となる位置に、少なくとも、それぞれ配置することを特徴とする請求項5記載の薄膜の蒸着方法。 Wherein said plurality of deposition boat, together are arranged on a plane, the position where the small square shape of each vertex than rectangular the substrate, wherein at least, be arranged according the method of depositing a thin film of claim 5, wherein. 【請求項7】 前記基板の蒸着面と、前記複数の蒸着ボートが配置された平面とは、平行に向き合っており、 該平面を直交する線であって、該平面における前記蒸着ボートが頂点に配置されている四角形状の中心点を貫く線が、該蒸着面の中心点をも貫くように、前記基板と前記複数の蒸着ボートを配置することを特徴とする請求項6記載の薄膜の蒸着方法。 7. A deposition surface of the substrate, wherein the plurality of deposition boat placed flat, and face in parallel to a line orthogonal to the plane, in the deposition boat in the plane vertex arranged in a line passing through the square center points are found to penetrate also the center point of the vapor deposition surface, deposition of a thin film of claim 6, wherein placing the plurality of deposition boat and the substrate Method. 【請求項8】 前記蒸着ボートが頂点に配置されている四角形状は、長方形及び正方形のいずれかの形状をしており、 該四角形状の各辺の長さは、前記基板の形状、蒸着時において各蒸着ボートの前記蒸着源から放出される蒸着物の単位時間当たりの量である蒸着強度、前記基板と前記蒸着ボートが配置された平面との間隔、のうちの少なくとも一つに基づいて算出することを特徴とする請求項7 8. A shaped square the deposition boat is positioned at the vertex is the one in the shape of a rectangle and a square, the length of the square shape of each side, the shape of the substrate, during evaporation calculated on the basis in an amount in a deposition intensity per unit time of the deposit to be emitted from the deposition source for each vapor deposition boat, in at least one of the intervals between the plane of the substrate and the deposition boat is located claim 7, characterized in that
    記載の薄膜の蒸着方法。 Method of depositing a thin film according. 【請求項9】 蒸着開始時における前記基板上の蒸着位置と、蒸着終了時における前記基板上の蒸着位置とが略同一位置となるように、前記基板を回転させることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項記載の薄膜の蒸着方法。 9. A deposition position on the substrate at the start of evaporation, so that the deposition positions on the substrate at the end of vapor deposition is substantially the same position, according to claim 1, characterized in that rotating the substrate or a method of depositing a thin film according to any one claim of 8. 【請求項10】 前記基板に蒸着された薄膜の厚さにおける最大値と最小値の差を、該最小値で割った値を膜厚班値と規定し、 目標とする前記膜厚班値を目標膜厚班値と規定し、 前記目標膜厚班値が前記基板の回転速度の逆数よりも大きくなるように、該回転速度を設定することを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項記載の薄膜の蒸着方法。 10. The difference between the maximum value and the minimum value in the thickness of the thin film deposited on the substrate, a value obtained by dividing the outermost minimum value defined as the film thickness group value, the film Atsuhan value a target defining a target film Atsuhan value such that said target film thickness group value is greater than the reciprocal of the rotational speed of the substrate, any one of claims 1 to 8, characterized in that for setting the rotational speed the method of depositing a thin film of claim wherein. 【請求項11】 前記回転速度を前記目標膜厚班値の逆数よりも大きくすることができない場合は、前記蒸着によって薄膜が単位時間当たり形成される厚さである成膜速度を調整することを特徴とする請求項10記載の薄膜の蒸着方法。 If 11. can not be greater than the reciprocal of the rotational speed the target film Atsuhan value, adjusting the thickness of the deposition rate which a thin film is formed per unit time by the deposition the method of depositing a thin film according to claim 10, wherein. 【請求項12】 前記基板の回転速度をN[rpm]と規定し、 成膜速度をα[オングストローム/sec]と規定し、 所望膜厚をd[オングストローム]と規定し、 前記基板に蒸着された薄膜の厚さにおける最大値と最小値の差を、該最小値で割った値を膜厚班値と規定し、 目標とする前記膜厚班値を目標膜厚班値aと規定したときに、 目標膜厚班値a>{(60*α)/(N*d)} となるように、前記回転速度N及び成膜速度αの内の少なくとも一方を調節することを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項記載の薄膜の蒸着方法。 12. The rotational speed of the substrate defined as N [rpm], the film formation rate was defined as alpha [Å / sec], and define the desired thickness d [Å] and is deposited on the substrate and the difference between the maximum value and the minimum value in the thickness of the thin film, a value obtained by dividing the outermost minimum value defined as the film thickness group value, when the film Atsuhan value as a target defined as the target film Atsuhan value a the target membrane Atsuhan value a> {(60 * α) / (N * d)} so that the, claims and adjusting at least one of the rotational speed N and the deposition rate alpha any one thin film vapor deposition method of according to claim 1 to 8. 【請求項13】 請求項1乃至12のいずれか一項記載の薄膜の蒸着方法を用いて作成されたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。 13. The organic electroluminescent device, characterized in that it is created using a method of depositing a thin film of any one of claims 1 to 12. 【請求項14】 請求項1乃至12のいずれか一項記載の薄膜の蒸着方法を用いて有機層及び金属層の内の少なくとも一方が作成されたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。 14. The organic electroluminescent device, characterized in that at least one of which is created of the organic layer by using a method of depositing a thin film of any one of claims 1 to 12 and a metal layer. 【請求項15】 前記有機エレクトロルミネッセンス装置は、高分子材料を有してなることを特徴とする請求項13又は14記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。 15. The organic electroluminescent device, an organic electroluminescent device according to claim 13 or 14, wherein the comprising a polymeric material. 【請求項16】 前記高分子材料は、導電性ポリマーであることを特徴とする請求項15記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。 16. The polymeric material is an organic electroluminescent device according to claim 15, wherein it is a conductive polymer. クレ17 【請求項17】 請求項1乃至12のいずれか一項記載の薄膜の蒸着方法を用いて有機エレクトロルミネッセンス装置を作成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 Method of manufacturing an organic electroluminescent device, characterized in that to create an organic electroluminescent device using the method of deposition a thin film according to any one claim of Kure 17 17. The method of claim 1 to 12. 【請求項18】 請求項1乃至12のいずれか一項記載の薄膜の蒸着方法を用いて作成されたことを特徴とする電子機器。 18. An electronic apparatus characterized in that it is made using a method of depositing a thin film of any one of claims 1 to 12. 【請求項19】 請求項13乃至16のいずれか一項記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えたことを特徴とする電子機器。 19. An electronic apparatus comprising the organic electroluminescent device of any one of claims 13 to 16.
JP2002126633A 2002-04-26 2002-04-26 Vapor deposition method for thin film, organic electroluminescence device, method for manufacturing organic electroluminescence device, and electronic apparatus Withdrawn JP2003321767A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002126633A JP2003321767A (en) 2002-04-26 2002-04-26 Vapor deposition method for thin film, organic electroluminescence device, method for manufacturing organic electroluminescence device, and electronic apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002126633A JP2003321767A (en) 2002-04-26 2002-04-26 Vapor deposition method for thin film, organic electroluminescence device, method for manufacturing organic electroluminescence device, and electronic apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003321767A true JP2003321767A (en) 2003-11-14

Family

ID=29540988

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002126633A Withdrawn JP2003321767A (en) 2002-04-26 2002-04-26 Vapor deposition method for thin film, organic electroluminescence device, method for manufacturing organic electroluminescence device, and electronic apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003321767A (en)

Cited By (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101097334B1 (en) 2009-10-19 2011-12-23 삼성모바일디스플레이주식회사 The film deposition apparatus
US8707889B2 (en) 2011-05-25 2014-04-29 Samsung Display Co., Ltd. Patterning slit sheet assembly, organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus, and the organic light-emitting display apparatus
US8833294B2 (en) 2010-07-30 2014-09-16 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus including patterning slit sheet and method of manufacturing organic light-emitting display device with the same
US8852687B2 (en) 2010-12-13 2014-10-07 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus
US8859325B2 (en) 2010-01-14 2014-10-14 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US8859043B2 (en) 2011-05-25 2014-10-14 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US8865252B2 (en) 2010-04-06 2014-10-21 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US8871542B2 (en) 2010-10-22 2014-10-28 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic light emitting display apparatus, and organic light emitting display apparatus manufactured by using the method
US8876975B2 (en) 2009-10-19 2014-11-04 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8882920B2 (en) 2009-06-05 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8882922B2 (en) 2010-11-01 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus
US8882921B2 (en) 2009-06-08 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8882556B2 (en) 2010-02-01 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US8894458B2 (en) 2010-04-28 2014-11-25 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US8906731B2 (en) 2011-05-27 2014-12-09 Samsung Display Co., Ltd. Patterning slit sheet assembly, organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus, and the organic light-emitting display apparatus
US8916237B2 (en) 2009-05-22 2014-12-23 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of depositing thin film
US8951610B2 (en) 2011-07-04 2015-02-10 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus
US8968829B2 (en) 2009-08-25 2015-03-03 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US8973525B2 (en) 2010-03-11 2015-03-10 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8993360B2 (en) 2013-03-29 2015-03-31 Samsung Display Co., Ltd. Deposition apparatus, method of manufacturing organic light emitting display apparatus, and organic light emitting display apparatus
US9040330B2 (en) 2013-04-18 2015-05-26 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic light-emitting display apparatus
US9121095B2 (en) 2009-05-22 2015-09-01 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US9249493B2 (en) 2011-05-25 2016-02-02 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using the same
US9279177B2 (en) 2010-07-07 2016-03-08 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US9388488B2 (en) 2010-10-22 2016-07-12 Samsung Display Co., Ltd. Organic film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
JPWO2014027578A1 (en) * 2012-08-13 2016-07-25 株式会社カネカ Manufacturing method of a vacuum deposition apparatus and the organic el device
US9450140B2 (en) 2009-08-27 2016-09-20 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same
US9593408B2 (en) 2009-08-10 2017-03-14 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus including deposition blade
US9624580B2 (en) 2009-09-01 2017-04-18 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US9748483B2 (en) 2011-01-12 2017-08-29 Samsung Display Co., Ltd. Deposition source and organic layer deposition apparatus including the same
US10246769B2 (en) 2010-01-11 2019-04-02 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus

Cited By (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8916237B2 (en) 2009-05-22 2014-12-23 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of depositing thin film
US9873937B2 (en) 2009-05-22 2018-01-23 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US9121095B2 (en) 2009-05-22 2015-09-01 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8882920B2 (en) 2009-06-05 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8882921B2 (en) 2009-06-08 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US9593408B2 (en) 2009-08-10 2017-03-14 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus including deposition blade
US8968829B2 (en) 2009-08-25 2015-03-03 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US9450140B2 (en) 2009-08-27 2016-09-20 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same
US9624580B2 (en) 2009-09-01 2017-04-18 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8876975B2 (en) 2009-10-19 2014-11-04 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
KR101097334B1 (en) 2009-10-19 2011-12-23 삼성모바일디스플레이주식회사 The film deposition apparatus
US9224591B2 (en) 2009-10-19 2015-12-29 Samsung Display Co., Ltd. Method of depositing a thin film
US10246769B2 (en) 2010-01-11 2019-04-02 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US10287671B2 (en) 2010-01-11 2019-05-14 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8859325B2 (en) 2010-01-14 2014-10-14 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US8882556B2 (en) 2010-02-01 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US8973525B2 (en) 2010-03-11 2015-03-10 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US9453282B2 (en) 2010-03-11 2016-09-27 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8865252B2 (en) 2010-04-06 2014-10-21 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US8894458B2 (en) 2010-04-28 2014-11-25 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US9136310B2 (en) 2010-04-28 2015-09-15 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US9279177B2 (en) 2010-07-07 2016-03-08 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US8833294B2 (en) 2010-07-30 2014-09-16 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus including patterning slit sheet and method of manufacturing organic light-emitting display device with the same
US9388488B2 (en) 2010-10-22 2016-07-12 Samsung Display Co., Ltd. Organic film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US8871542B2 (en) 2010-10-22 2014-10-28 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic light emitting display apparatus, and organic light emitting display apparatus manufactured by using the method
US8882922B2 (en) 2010-11-01 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus
US8852687B2 (en) 2010-12-13 2014-10-07 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus
US9748483B2 (en) 2011-01-12 2017-08-29 Samsung Display Co., Ltd. Deposition source and organic layer deposition apparatus including the same
US8707889B2 (en) 2011-05-25 2014-04-29 Samsung Display Co., Ltd. Patterning slit sheet assembly, organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus, and the organic light-emitting display apparatus
US9076982B2 (en) 2011-05-25 2015-07-07 Samsung Display Co., Ltd. Patterning slit sheet assembly, organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus, and the organic light-emitting display apparatus
US8859043B2 (en) 2011-05-25 2014-10-14 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US9249493B2 (en) 2011-05-25 2016-02-02 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using the same
US8906731B2 (en) 2011-05-27 2014-12-09 Samsung Display Co., Ltd. Patterning slit sheet assembly, organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus, and the organic light-emitting display apparatus
US8951610B2 (en) 2011-07-04 2015-02-10 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus
JPWO2014027578A1 (en) * 2012-08-13 2016-07-25 株式会社カネカ Manufacturing method of a vacuum deposition apparatus and the organic el device
US8993360B2 (en) 2013-03-29 2015-03-31 Samsung Display Co., Ltd. Deposition apparatus, method of manufacturing organic light emitting display apparatus, and organic light emitting display apparatus
US9040330B2 (en) 2013-04-18 2015-05-26 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic light-emitting display apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6524728B1 (en) Organic electroluminescent device
KR101152951B1 (en) The light emitting device manufacturing method
US7211838B2 (en) Apparatus and method for manufacturing electro-optical devices
KR100700004B1 (en) Both-sides emitting organic electroluminescence display device and fabricating Method of the same
US8628986B2 (en) Organic electroluminescent element and method for manufacturing the same
JP5642805B2 (en) Electroluminescent devices for lighting applications
KR100548686B1 (en) Electro-optical device, film-like member, laminated film, film with low refractive index, multi-layer laminated film, electronic equipment
EP1385210B1 (en) Light-emitting device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus
US6998775B2 (en) Layered, light-emitting element
CN102174688B (en) Mask and container and manufacturing apparatus
CN101661951B (en) Color display device and method for manufacturing the same
US20050089720A1 (en) Organic electroluminescence device and photoelectron device using said electroluminescence device
KR100518162B1 (en) Method of producing laminated film, electro-optical device, method of producing electro-optical device, method of producing organic electroluminescence device, and electronic equipment
KR100669265B1 (en) Organic light-emitting element, display device including the same and method for manufacturing organic light-emitting element
JP5231450B2 (en) Manufacturing method of preparation and flexible display of the flexible element
JP4493915B2 (en) High-efficiency multi-colored electric field phosphorescent oled
US6396208B1 (en) Organic electroluminescent device and its manufacturing process
CN102709493B (en) The method of manufacturing a light emitting device
US6515314B1 (en) Light-emitting device with organic layer doped with photoluminescent material
JP4758889B2 (en) Organic light-emitting element
US20060141136A1 (en) System and methods for manufacturing an organic electroluminescent element
US20090026942A1 (en) Circuit substrate, electro-optical device and electronic appliances
KR100371296B1 (en) Organic electroluminescence device and method for fabricating same
KR100941129B1 (en) Light emitting device and method of manufacturing the same
KR101049034B1 (en) A light emitting device and a method of producing

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Effective date: 20050223

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Effective date: 20070402

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

A977 Report on retrieval

Effective date: 20071108

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20071113

A761 Written withdrawal of application

Effective date: 20071220

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761