JP2000068054A - Manufacture of el element - Google Patents

Manufacture of el element

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JP2000068054A
JP2000068054A JP10240288A JP24028898A JP2000068054A JP 2000068054 A JP2000068054 A JP 2000068054A JP 10240288 A JP10240288 A JP 10240288A JP 24028898 A JP24028898 A JP 24028898A JP 2000068054 A JP2000068054 A JP 2000068054A
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back electrode
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JP10240288A
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Inventor
Shigeru Fukumoto
Nobuyuki Miyama
Morimitsu Wakabayashi
Hajime Yamamoto
肇 山本
信幸 深山
滋 福本
守光 若林
Original Assignee
Hokuriku Electric Ind Co Ltd
北陸電気工業株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To easily form striped back electrodes without deteriorating organic electroluminescent(EL) material. SOLUTION: Transparent electrodes 14 made of a transparent material are formed on the surface of a transparent substrate 12 which is made of glass or resin, etc., so as to form stripes at the prescribed pitch. A luminous layer 16 made of an EL material is laminated on the transparent electrodes 14 by a vacuum thin-film forming technique such as vacuum evaporation. Here, filamentary resin linear materials 22 placed under prescribed stress in advance are arranged and fixed in the prescribed aperture of a frame in parallel and at regular intervals, to form a mask frame. When back electrodes 28 are formed, the resin linear materials 22 of the mask frame are made to face the plane of the substrate 12, and a back electrode material is attached to the plane of the substrate 12 via the resin linear materials 22, by the vacuum thin-film forming technique. Then, the resin linear materials 22 of the mask frame are removed, to form the striped back electrodes 28.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、平面光源やディスプレイ、その他所定のパターン等の発光表示に用いられるチップ状のEL素子の製造方法に関する。 TECHNICAL FIELD The present invention is flat light source or display, a method of manufacturing a chip-like EL element used in the light emitting display, etc. and a predetermined pattern.

【0002】 [0002]

【従来の技術】従来、有機EL(エレクトルミネッセンス)素子は、図4に示すように、ガラス等からなる透明な基板1に、透光性のITO膜を一面に形成し、所定のストライプ状にエッチングして透明電極2を形成していた。 Conventionally, organic EL (elect luminescence) element, as shown in FIG. 4, a transparent substrate 1 made of glass or the like, a light-transmitting ITO film is formed on one surface, a predetermined stripe It had formed a transparent electrode 2 by etching. そして、透明電極2の全面に、図4(a)に示すように、レジスト材料3を塗布し、このレジスト材料3の表面に透明電極2と略直交するストライプ状のレジスト用パターンを配置し、露光し現像する。 Then, the transparent electrode 2 entirely, as shown in FIG. 4 (a), a resist material 3 is applied, placing a stripe-shaped resist pattern substantially orthogonal to the transparent electrode 2 on the surface of the resist material 3, exposure and development.

【0003】次に不要な部分のレジスト材料3を化学処理により除去する。 [0003] then removed by resist material 3 the chemical treatment of the unnecessary portion. このときレジスト材料3の表面付近は露光により固くなるが、透明電極2付近のレジスト材料3は柔らかいため溶けやすく、図4(b)に示すように、断面が略逆三角形のレジストパターン4が形成される。 In this case the vicinity of the surface of the resist material 3 becomes hard by exposure, freely soluble for the resist material 3 in the vicinity of the transparent electrode 2 is soft, 4 (b), the resist pattern 4 inverted triangular cross-section substantially the form It is.

【0004】次に図4(c)に示すように、透明電極2 [0004] Next, as shown in FIG. 4 (c), the transparent electrode 2
及びレジストパターン4の表面に有機EL材料5を全面蒸着により薄膜として設け、レジストパターン4間の透明電極2上に発光層6を形成する。 And the resist provided the organic EL material 5 on the surface of the pattern 4 as a thin film on the entire surface by vapor deposition to form a light-emitting layer 6 on the transparent electrode 2 between the resist pattern 4. さらに発光層6の表面及びレジストパターン4上の有機EL材料5の表面に蒸着等により背面電極材料7を設け、レジストパターン4間に背面電極8を形成する。 Further, by vapor deposition or the like on the surface, and the resist pattern 4 on the surface of the organic EL material 5 of the light-emitting layer 6 is provided back electrode material 7, to form a back electrode 8 between the resist pattern 4.

【0005】このとき、レジストパターン4の逆三角形の底面と透明電極2間に設けられた影の部分9には、蒸着等による有機EL材料5及び背面電極材料7は付着しないことから、レジストパターン4による陰の部分9を挟んで、隣接する各発光層6と背面電極8は互いに絶縁される。 [0005] In this case, the portion 9 of the shadow provided between the bottom and the transparent electrode 2 of the inverted triangle of the resist pattern 4, since the organic EL material 5 and the back electrode material 7 by vapor deposition or the like do not adhere, the resist pattern across the fourth portion 9 of the shade by the back electrode 8 and the light emitting layer 6 adjacent are insulated from each other. これにより、背面電極8は、透明電極2と対向し、略直交するストライプ状に形成される。 Thus, the back electrode 8 is the transparent electrode 2 and the opposed, are formed in stripes substantially perpendicular.

【0006】ここで、有機EL材料5は、トリフェニルアミン誘導体(TPD)等のホール輸送材料と、発光材料であるアルミキレート錯体(Alq )等の電子輸送材料からなる。 [0006] Here, the organic EL material 5, a hole transport material such as a triphenylamine derivative (TPD), an electron-transporting material such as an aluminum chelate complex, which is a light-emitting material (Alq 3). 発光層6は、ホール輸送材料の上に電子輸送材料を積層したものや、これらの混合層からなる。 Emitting layer 6, and a laminate of an electron transporting material on the hole-transporting material, consisting of the mixed layer.
また、背面電極材料7は、Al、Li、Ag、Mg、I Further, the back electrode material 7, Al, Li, Ag, Mg, I
n等の金属またはこれらの合金からなる。 A metal or an alloy thereof such as n.

【0007】次に、レジストパターン4と、この表面に積層された有機EL材料5及び背面電極材料7を除去し、図4(d)に示すように、基板1上に透明電極2、 [0007] Next, the resist pattern 4, the organic EL material 5 and the back electrode material 7 that is laminated on the surface was removed, FIG. 4 (d), the transparent electrode 2 on the substrate 1,
発光層6、背面電極8からなる発光部を形成する。 Emitting layer 6, forming a light emitting portion composed of a back electrode 8.

【0008】このようにして形成された発光部は、透明電極2と背面電極8との間の所定の交点に所定の電流を流して発光層が発光する、いわゆるドットマトリックス方式により駆動される。 [0008] emitting portion formed in this manner, the light emitting layer emits light by applying a predetermined current to a predetermined intersection between the transparent electrode 2 and the back electrode 8, it is driven by a so-called dot-matrix.

【0009】 [0009]

【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術の場合、発光層の有機EL材料は化学的に脆弱な材料であり、特に水分の存在下や70℃を越える熱に対し、容易に劣化するため、エッチング等によるパターン化が極めて難しかった。 For THE INVENTION Problems to be Solved] The above conventional art, the organic EL material of the light-emitting layer is chemically fragile materials, especially for heat exceed presence and 70 ° C. water, readily degraded Therefore, patterning by etching or the like was extremely difficult.

【0010】また透明電極2の全面に塗布されるレジスト材料3は厚さが厚く、さらに断面が略逆三角形状のレジストパターン4を形成するには、露光によるパターニング、エッチング等の化学処理、及び洗浄等の工程が複雑で、多くの労力と時間を必要とするため製造コストを抑えることが難しかった。 Further resist material 3 is applied to the transparent electrode 2 entirely has thick thickness, the further forming a resist pattern 4 substantially shaped inverted triangular cross-section, the patterning by the exposure, chemical treatment such as etching, and steps such as washing is complicated, it is difficult to reduce the manufacturing cost since it requires a lot of effort and time. 特にエッチング後の洗浄は、 In particular cleaning after etching,
レジストパターン4の影の部分9に化学物質が残りやすいので、十分に行う必要があった。 Since the portion 9 of the shadow of the resist pattern 4 tends to remain chemicals, it is necessary to sufficiently carry out.

【0011】さらに背面電極8を形成する際、レジストパターン4の影の部分9に背面電極材料7が付着しないようにするため、背面電極材料7の蒸着方向は基板1面とほぼ垂直な方向に限定された。 [0011] When further forming a back electrode 8, since the back electrode material 7 in the portion 9 of the shadow of the resist pattern 4 is prevented from adhering deposition direction of the back electrode material 7 in a direction substantially perpendicular to the surface of the substrate 1 It has been limited. このため背面電極材料7の蒸着には、通常用いられる基板回転等の技法を用いることができなかった。 This for deposition of the back electrode material 7, could not be used a technique substrate rotation, etc. usually used. また大きな面積を有した基板1 The substrate 1 having a large area
においては、放射状に広がる蒸着源が使用できないため、蒸着源を多点化するか、あるいは基板1を移動させて小面積の蒸着を繰り返し行う等の処理が必要となり、 In, for deposition source that radiates is not available, or the deposition source multi epilepsy, or treatment such as repeated deposition of small area by moving the substrate 1 is required,
非常に面倒なものであった。 It was very tedious.

【0012】一方、背面電極8を形成する他の方法として、エッチング用のマスクに細線を等間隔で平行に配置して固定したマスクを用いるものがある。 Meanwhile, there is used as the other methods of forming the back electrode 8, and fixed arranged parallel to the fine line in the mask for etching at equal intervals mask. このマスクの細線が透明電極2と略直交するように設け、エッチングにより背面電極8を形成する場合は、マスクの平行な細線の形成が難しく、さらにマスクの細線に引張力が十分に働かないため、マスク細線の中央部付近で細線がたるんだり、平行な間隔が不揃いになる等の問題点を有していた。 Provided as fine lines of the mask is substantially orthogonal to the transparent electrode 2, the case of forming a rear electrode 8 by etching, since the formation of parallel fine lines of the mask is difficult, further pulling force on thin line of the mask is not sufficiently exerted , loosened thin line in the vicinity of the center portion of the mask fine lines, has a problem such that parallel spacing is irregular.

【0013】また、マスクに金属ワイヤを用いた場合、 Further, when a metal wire mask,
塑性変形により金属ワイヤに巻癖が残っており、これを張力で消すには大きな力を必要とし、さらにこの巻癖及びそれをとるための張力によりフレームに歪みが生じ、 And remains core set curl in the metal wire by plastic deformation, which requires a large force to extinguish at a tension, further distorts the frame by the tension for taking the curl and it,
フレームの平面度を得ることが難しかった。 It has been difficult to obtain a flatness of the frame. また金属ワイヤーをフレームに取り付ける際、固定するには大きな力をかけてクランプする必要があり、このことも歪みが生じる原因の一つとされていた。 Also when attaching the metal wire frame and fixed must be clamped over a large force, it was also to be one of the causes of distortion this.

【0014】この発明は上記従来の技術の問題点に鑑みてなされたものであり、有機EL材料を劣化させることなく、ストライプ状の背面電極を容易に形成することが可能なEL素子の製造方法を提供することを目的としたものである。 [0014] This invention has been made in view of the above problems, without degrading the organic EL material, manufacturing method of capable EL elements forming the back electrode of stripe shape easily it is intended to provide a.

【0015】 [0015]

【課題を解決するための手段】この発明のEL素子の製造方法は、ガラスや樹脂等の透明な基板表面に透明な電極材料により所定のピッチでストライプ状となるように透明電極を形成し、この透明電極にEL材料からなる発光層を蒸着等の真空薄膜形成技術により積層し、上記発光層の表面に、上記透明電極に対向し、直交する方向にストライプ状に所定のピッチにAl−Li等の背面電極を形成するEL素子の製造方法である。 A method for manufacturing means for Solving the Problems The EL device of the present invention, a transparent electrode such that the stripe with a predetermined pitch by a transparent electrode material on a transparent substrate surface such as glass or resin, a light-emitting layer made of an EL material in the transparent electrode is laminated by a vacuum thin-film forming technique such as vapor deposition, on the surface of the light-emitting layer, the opposite to the transparent electrode, to a predetermined pitch in a stripe shape in a direction perpendicular Al-Li it is a manufacturing method of an EL element forming the back electrode and the like. まず、予め所定の伸びのストレスが加えられた状態の単繊維形状の樹脂線状材料を、所定の開口部を有したフレームのその開口部に等間隔で平行に配列し固定してマスクフレームを形成し、上記背面電極を形成する際に、上記マスクフレームの上記樹脂線状材料を上記基板面に対面させ、上記樹脂線状材料を介して上記基板面に真空薄膜形成技術により背面電極材料を付着させ、上記マスクフレームの上記樹脂線状材料を取り除いてストライプ状の上記背面電極を形成するEL素子の製造方法である。 First, the resin linear material monofilament shape in a state where stress is applied in advance predetermined elongation, a predetermined its parallel arrangement to the opening at equal intervals and fixed to a mask frame of a frame having an opening formed, when forming the back electrode, the resin linear material of the mask frame is faced to the substrate surface, a back electrode material by a vacuum thin film forming technique on the substrate surface through the resin linear material attached to a manufacturing method of an EL element to form the resin linear material stripes of the back electrode by removing the mask frame.

【0016】また、上記マスクフレームは、上記透明電極形成面全面に上記発光層を形成した後、この発光層に対面させて配置し、上記透明電極と上記線状材料が略直交するように位置させ、真空薄膜形成技術により背面電極材料を設けるEL素子の製造方法である。 Moreover, the mask frame is formed by forming a light emitting layer on the transparent electrode formation entire surface, arranged so as to face to the light-emitting layer, positioned such that the transparent electrode and the wire-like material is substantially orthogonal it is a manufacturing method of an EL element providing a rear electrode material by a vacuum thin film forming technique. 上記線状材料は、イミド系樹脂の単繊維であり、接着剤で上記フレームに固定するものである。 The linear material is a monofilament imide resin is for fixing to the frame by adhesive.

【0017】 [0017]

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態について図面に基づいて説明する。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, will be explained with reference to the accompanying drawings embodiments of the present invention. この実施形態の有機EL素子10は、ガラスや石英、樹脂等の透明な基板12の一方の表面に、ITO等の透明な電極材料による透明電極14が形成されている。 Organic EL element 10 of this embodiment, glass or quartz, on one surface of a transparent substrate 12 such as a resin, the transparent electrode 14 by a transparent electrode material such as ITO is formed. この透明電極14は、所定のピッチでストライプ状に形成されている。 The transparent electrode 14 is formed in a stripe pattern at a predetermined pitch. また透明電極1 The transparent electrode 1
4の表面には、500Å程度のホール輸送材料、及び5 The fourth surface, 500 Å of about hole transport material, and 5
00Å程度の電子輸送材料、その他発光材料によるEL 00Å about electron-transporting materials, EL by other luminescent materials
材料からなる発光層16が積層されている。 Emitting layer 16 are stacked of material. そして発光層16の表面には、Liを0.01〜0.05%程度含む純度99%程度のAl−Li合金、その他Al−Mg And on the surface of the light-emitting layer 16, 99% of the Al-Li alloys containing about 0.01 to 0.05 percent of Li, and other Al-Mg
等の陰極材料による背面電極28が、適宜の500Å〜 Back electrode 28 by cathodic material such that, in appropriate 500Å~
1000Å程度の厚みで積層されている。 It is laminated in 1000Å thickness of about. この背面電極28は、透明電極14と直交して対向し、ストライプ状に形成されている。 The back electrode 28 is opposed perpendicular to the transparent electrodes 14 are formed in a stripe shape. これら基板12上に積層された透明電極14から背面電極28までが発光部を形成する。 A transparent electrode 14 laminated on the substrates 12 on to the back electrode 28 to form a light-emitting portion.

【0018】ここで発光層16は、母胎材料のうちホール輸送材料としては、トリフェニルアミン誘導体(TP The light emitting layer 16 in this case, as the hole transport material of the womb materials, triphenylamine derivatives (TP
D)、ヒドラゾン誘導体、アリールアミン誘導体等がある。 D), hydrazone derivatives, arylamine derivatives. 一方、電子輸送材料としては、アルミキレート錯体(Alq )、ジスチリルビフェニル誘導体(DPVB On the other hand, the electron transport material, an aluminum chelate complex (Alq 3), distyrylbiphenyl derivatives (DPVB
i)、オキサジアゾール誘導体、ビスチリルアントラセン誘導体、ベンゾオキサゾールチオフェン誘導体、ペリレン類、チアゾール類等を用いる。 i), oxadiazole derivatives, bis styryl anthracene derivatives, benzoxazole thiophene derivatives, perylenes, using thiazoles like. さらに適宜の発光材料を混合してもよく、ホール輸送材料と電子輸送材料を混合した発光層を形成してもよく、その場合、ホール輸送材料と電子輸送材料の比は、10:90乃至90:1 May be mixed further suitable luminescent material may form a luminescent layer of a mixture of hole transporting material and an electron transporting material, the ratio of the case, the hole transporting material and electron transporting material is 10: 90 to 90 : 1
0の範囲で適宜変更可能である。 It can be appropriately changed in a range of 0.

【0019】さらに少なくとも発光部の全面を覆うように、図示しない撥水膜や保護膜が形成されている。 [0019] so as to cover at least the entire surface of the light emitting portion, a water-repellent film or a protective film (not shown) is formed. これらの材料はEL材料と反応せず、硬化する際に変形や縮小等の機械的ストレスを与えることがない材料であればよく、また発光部20の耐熱性が高くないので、硬化等に際して100℃以下で付着可能な材料であることが望ましい。 These materials do not react with the EL material may be any material that is not to provide a mechanical stress deformation and reduction or the like at the time of curing, and since the heat resistance of the light emitting portion 20 is not high, upon curing, etc. 100 ℃ is desirably a material which can be attached below. 従って樹脂材料は、常温硬化型あるいはUV硬化型の樹脂で、気密性が高い材料からなり、透光性、透気性、含水性を有しないものがよい。 Thus the resin material is a room temperature curing type or UV curable resin, made highly airtight material, translucent, permeable, it is having no hydroscopic.

【0020】図1(a)〜図1(c)は、この発明のE FIG. 1 (a) ~ FIG. 1 (c), E of the present invention
L素子の一実施形態とその製造工程を示す。 An embodiment of the L element and show the manufacturing steps. この実施形態のEL素子の製造方法は、ガラスや石英、樹脂等の透明な基板12の表面全面に、ITO等の透明な電極材料を蒸着等により設け、この表面にレジストを塗布し、所定のピッチを有するストライプ状のパターンを重ねる。 Manufacturing method of an EL element of this embodiment, glass or quartz, the entire surface of the transparent substrate 12 of resin or the like, a transparent electrode material such as ITO is provided by vapor deposition or the like, a resist is applied to this surface, a predetermined superimposing a striped pattern having a pitch.
次に露光、現像してストライプ状のパターンに対応した形状にレジストを残す。 Then exposure, the resist remains in a shape corresponding to the developed stripe of the pattern. そして透明な電極材料をエッチング処理し、所望のストライプ状の透明電極14を形成する。 And a transparent electrode material etched to form the desired stripe-shaped transparent electrode 14.

【0021】次に透明電極14の表面に、例えばEL材料としてTPD等のホール輸送材料からなるホール輸送層、Alq 等の電子輸送材料からなる電子輸送層やその他発光材料からなる層を、真空蒸着やスパッタリング、その他真空薄膜形成技術により積層し、発光層16 [0021] Then the surface of the transparent electrode 14, for example, a hole transport layer made of a hole transporting material TPD such as EL material, a layer formed of an electron transporting layer or other light-emitting material formed of an electron transporting material such as Alq 3, the vacuum vapor deposition or sputtering, and laminated by other vacuum thin film forming technique, the light-emitting layer 16
を形成する。 To form.

【0022】蒸着条件として、例えば、真空度が6×1 [0022] As the deposition conditions, for example, a vacuum degree of 6 × 1
−6 Torrで、EL材料の場合50Å/secの蒸着速度で成膜させる。 In 0 -6 Torr, thereby deposited at a deposition rate in the case 50 Å / sec of the EL material. また発光層14等は、フラッシュ蒸着により形成してもよい。 Also like the light-emitting layer 14 may be formed by flash evaporation. フラッシュ蒸着法は、予め所定の比率で混合したEL材料を、300℃〜600℃ Flash evaporation method, the EL material mixed in advance in a predetermined ratio, 300 ° C. to 600 ° C.
好ましくは400℃〜500℃に加熱した蒸着源に落下させ、EL材料を一気に蒸発させるものである。 Preferably not drop deposition source was heated to 400 ° C. to 500 ° C., in which once evaporated the EL material. またそのEL材料を容器中に収容し、急速にその容器を加熱し、一気に蒸着させるものでもよい。 Also the EL material housed in a container, rapidly heating the container may be one which once deposited.

【0023】次に背面電極28の蒸着に際して、ステンレス等の合金や金属、樹脂等の変形しにくい材料からなる矩形の環状のフレーム18の表面に、ストライプ状のマスク22を設ける。 [0023] In the next deposition of the back electrode 28, an alloy or metal such as stainless steel, the surface of a rectangular annular frame 18 made of deformable hard material such as resin is provided a stripe-shaped mask 22. マスク22は、ポリイミド系のアラミド繊維などの耐熱性のある樹脂線状材料である単繊維を等間隔にフレーム18の開口部に配置したものである。 Mask 22 is obtained by placing a single fiber is a resin linear material having heat resistance such as aramide fiber polyimide at equal intervals in the opening of the frame 18. この単繊維は、例えば直径が約70μmで、0.5 The single fiber, for example, a diameter of about 70 [mu] m, 0.5
mm程度のピッチで等間隔にフレーム18の開口部に配置させた後、長手方向に約3%伸張し所定の張力を付与したものである。 After equidistantly is disposed in an opening of the frame 18 in mm about a pitch is obtained by applying a predetermined tension to stretch about 3% in the longitudinal direction. フレーム18との固定部は、単繊維を接着剤20を介して、予め所定の治具により等間隔で平行に配置し、例えば約3%伸張した状態の単繊維をフレーム18に接着固定し、図2に示すようなマスクフレーム24を形成する。 Fixed part of the frame 18, a single fiber via an adhesive 20, parallel to and arranged at regular intervals in advance by a predetermined jig, the adhesive fixing the monofilament stretched state for example about 3% to frame 18, forming a mask frame 24 as shown in FIG. 単繊維によるマスク22は、接着剤20の厚みにより高さ、及び位置がずれないように各単繊維に対して平行にスキージを当て平面化する。 Mask 22 according to the single fiber, the height by the thickness of the adhesive 20, and to planarize rely squeegee parallel to each monofilament so that the position does not deviate.

【0024】フレーム18は、外形が基板12よりも大きく、例えば、内側の開口部の空間の大きさは300× The frame 18, the outer shape is larger than the substrate 12, for example, is 300 × size of the space inside the opening
300mm、フレーム18の外形の大きさは380×3 300 mm, the outer shape of the frame 18 size is 380 × 3
80mm程度の矩形状の枠で、マスク22を形成する単繊維を接着する表面は平坦な面である。 A rectangular-shaped frame of approximately 80 mm, the surface for bonding the filaments to form the mask 22 is a flat surface.

【0025】また接着剤は、流動性に優れ、フレーム1 [0025] The adhesive is excellent in fluidity, frame 1
8に均一な厚さで塗布することができ、またマスク22 Can be applied in a uniform thickness to 8, also mask 22
の単繊維とフレーム18を確実に接着固定するもので、 The single fiber and a frame 18 intended to securely bonded and fixed in,
30分程度で硬化することが望ましい。 It is desirable to cure in about 30 minutes.

【0026】マスク22の単繊維は、例えば直径が約7 [0026] The single fiber of the mask 22 is, for example, a diameter of about 7
0μmの繊維で、0.5mm程度のピッチで等間隔にフレーム18の開口部に配置した後、長手方向に約3%伸張したものである。 In the fibers of 0 .mu.m, after equally spaced at a pitch of about 0.5mm in the opening of the frame 18 is obtained by about 3% elongation in the longitudinal direction.

【0027】次に基板12上に、単繊維によるマスク2 [0027] Then on the substrate 12, the mask according to the single fiber 2
2を形成したマスクフレーム24を重ね合わせ、図1 Superimposing a mask frame 24 formed to 2, FIG. 1
(a)に示すようにマスク22の単繊維の長手方向とストライプ状の透明電極14のストライプ方向が直交するように、発光層16上にマスク22を重ね合わせる。 As the stripe direction of the longitudinal and stripe-shaped transparent electrodes 14 of the single fiber of the mask 22, as shown in (a) are orthogonal, superimposing mask 22 on the light emitting layer 16. またこのときマスクフレーム24は、図3に示すように、 The mask frame 24 at this time, as shown in FIG. 3,
基板12に対して蒸着源側に位置し、マスク22が発光層16に押し当てられた状態とする。 Located in the evaporation source side with respect to the substrate 12, the mask 22 is a state of being pressed against the light-emitting layer 16.

【0028】次に、Liを0.01〜0.05%程度含む純度99%程度のAl−Li合金、その他Al−Mg [0028] Then, Al-Li alloy having a purity of about 99% containing about 0.01 to 0.05 percent of Li, and other Al-Mg
等の陰極材料からなる背面電極材料26を、発光層16 The back electrode material 26 comprising a cathode material such, the light emitting layer 16
及びマスク22の表面に真空蒸着等の真空薄膜形成技術により図1(b)に示すように設ける。 And by a vacuum thin film forming technique such as vacuum deposition on the surface of the mask 22 provided as shown in FIG. 1 (b). このときマスク22間の発光層16上には均一の厚さの背面電極材料2 Back of the case of the uniform on the light emitting layer 16 between the mask 22 thickness electrode material 2
6が形成される。 6 is formed.

【0029】その後マスクフレーム24を基板12から取り外し、図1(c)に示すように、隣接する背面電極28が、マスク22による領域によって互いに絶縁されたストライプ状に形成される。 [0029] Remove then the mask frame 24 from the substrate 12, as shown in FIG. 1 (c), is adjacent to the back electrode 28, it is formed in stripes which are insulated from one another by region by the mask 22.

【0030】マスクフレーム24のマスク22は、およそ20回程度繰り返し使用することができ、それ以後はマスク22の単繊維と接着剤20を除去し、上記と同様の方法でフレーム18に新しい単繊維を接着してマスク22を設ける。 The mask 22 of the mask frame 24 may be approximately about 20 times repeated use, thereafter removes the adhesive 20 between the single fibers of the mask 22, a new single-fiber frame 18 in the same manner as described above bonding the provision of the mask 22.

【0031】この後、発光層16と背面電極28の全面に、図示しないSiO等の絶縁性の保護膜等を、真空蒸着やスパッタリング、その他真空薄膜形成技術により形成してもよい。 [0031] Thereafter, on the entire surface of the light emitting layer 16 and the back electrode 28, an insulating protective film of SiO or the like (not shown) such as vacuum deposition and sputtering, it may be formed by other vacuum thin film forming technique. さらに、撥水膜や樹脂の保護膜等を設けてもよい。 Furthermore, it is also possible to provide a protective layer of water-repellent film or resin.

【0032】この実施形態のEL素子の製造方法によれば、樹脂系の単繊維のマスクフレーム24を用いて背面電極28を形成することにより、製造工程が少なく簡単なものとなった。 According to the manufacturing method of an EL element in this embodiment, by forming the back electrode 28 with the mask frame 24 of the single fiber of the resin system, the manufacturing process becomes as less simple. またマスクフレーム24のマスク22 The mask 22 of the mask frame 24
に耐熱性の単繊維を用いることにより、巻癖がないことから、通常の接着剤20でフレーム18に固定することが可能である。 To the use of the heat resistance of the monofilament, since there is no core set curl, it is possible to fix the frame 18 in a conventional adhesive 20. さらに背面電極材料26の蒸着時に生じるマスク22の熱膨張によるたわみは、予め伸びたストレスを加えているため吸収され、発光層16への密着性や平行性が失われることもない。 Further deflection due to thermal expansion of the mask 22 which occurs during the deposition of the back electrode material 26 is absorbed because the addition of pre-elongation stress, that no lost adhesion and parallelism of the light-emitting layer 16.

【0033】なおこの発明のEL素子の製造方法は、上記実施形態に限定されるものではなく、マスクの本数や間隔、大きさは透明電極等に対応させて適宜設定することができる。 It should be noted manufacturing method of an EL element of this invention is not limited to the above embodiments, the number and spacing of the mask, the size can be appropriately set in correspondence to the transparent electrode or the like. またフレームの形状は基板よりも大きな内部空間を有し、マスクにより歪みが生じないものであればよく、また接着剤以外の材料を用いてフレームに固定してもよい。 The shape of the frame has a large interior space than the substrate, as long as the distortion by the mask does not occur, also materials other than adhesives may be fixed to the frame using. また背面電極は、Al、Li、Ag、M The back electrode, Al, Li, Ag, M
g、In等の金属またはこれらの合金を用いるよい。 g, good use of a metal or an alloy such as In.

【0034】 [0034]

【発明の効果】この発明のEL素子の製造方法によれば、フレームのマスクに単繊維形状の樹脂系材料を用いているので、製造途中でたるみよじれが発生せず、しかもフレームに変形を生じさせるような張力を必要とせず、等間隔で互いに平行なストライプ状のマスクを形成することができ、良好な背面電極を形成することができる。 Effects of the Invention] According to the manufacturing method of an EL device of the present invention, because of the use of resin-based material with a monofilament shaped mask frame, sagging kink is not generated in the course of manufacture, yet deform the frame without requiring tension that is, at equal intervals can be formed parallel stripe mask each other, it is possible to form a good back electrode.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】この発明の一実施形態のEL素子の製造工程(a)〜(c)を示す断面図である。 1 is a cross-sectional view showing a step of manufacturing the EL element of one embodiment of the present invention (a) ~ (c).

【図2】この発明の一実施形態のマスクフレームを示す平面図である。 2 is a plan view showing a mask frame according to an embodiment of the present invention.

【図3】この発明の一実施形態の基板上の発光層にマスクフレームを取り付けた状態を示す断面図である。 3 is a sectional view showing a state of attaching the mask frame to a light-emitting layer on a substrate of an embodiment of the present invention.

【図4】従来のEL素子の製造工程(a)〜(d)を示す断面図である。 4 is a cross-sectional view showing the manufacturing process (a) ~ (d) of the conventional EL element.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

12 基板 14 透明電極 16 発光層 18 フレーム 20 接着剤 22 マスク 24 マスクフレーム 26 背面電極材料 28 背面電極 12 substrate 14 transparent electrode 16 light-emitting layer 18 frame 20 adhesive 22 mask 24 mask frame 26 back electrode material 28 back electrode

【手続補正書】 [Procedure amendment]

【提出日】平成10年9月21日(1998.9.2 [Filing date] 1998 September 21 (1998.9.2
1) 1)

【手続補正1】 [Amendment 1]

【補正対象書類名】明細書 [Correction target document name] specification

【補正対象項目名】全文 [Correction target item name] full text

【補正方法】変更 [Correction method] change

【補正内容】 [Correction contents]

【書類名】 明細書 [Document name] specification

【発明の名称】 EL素子の製造方法 Method of manufacturing the EL element [Title of the Invention]

【特許請求の範囲】 [The claims]

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、平面光源やディスプレイ、その他所定のパターン等の発光表示に用いられるEL素子の製造方法に関する。 TECHNICAL FIELD The present invention is flat light source or display, a method of manufacturing an EL element used in the light emitting display, etc. and a predetermined pattern.

【0002】 [0002]

【従来の技術】従来、有機EL(エレクトルミネッセンス)素子は、図4に示すように、ガラス等からなる透明な基板1に、透光性のITO膜を一面に形成し、所定のストライプ状にエッチングして透明電極2を形成していた。 Conventionally, organic EL (elect luminescence) element, as shown in FIG. 4, a transparent substrate 1 made of glass or the like, a light-transmitting ITO film is formed on one surface, a predetermined stripe It had formed a transparent electrode 2 by etching. そして、透明電極2の全面に、図4(a)に示すように、レジスト材料3を塗布し、このレジスト材料3の表面に透明電極2と略直交するストライプ状のレジスト用パターンを配置し、露光し現像する。 Then, the transparent electrode 2 entirely, as shown in FIG. 4 (a), a resist material 3 is applied, placing a stripe-shaped resist pattern substantially orthogonal to the transparent electrode 2 on the surface of the resist material 3, exposure and development.

【0003】次に不要な部分のレジスト材料3を化学処理により除去する。 [0003] then removed by resist material 3 the chemical treatment of the unnecessary portion. このときレジスト材料3の表面付近は露光により固くなるが、透明電極2付近のレジスト材料3は柔らかいため溶けやすく、図4(b)に示すように、断面が略逆三角形のレジストパターン4が形成される。 In this case the vicinity of the surface of the resist material 3 becomes hard by exposure, freely soluble for the resist material 3 in the vicinity of the transparent electrode 2 is soft, 4 (b), the resist pattern 4 inverted triangular cross-section substantially the form It is.

【0004】次に図4(c)に示すように、透明電極2 [0004] Next, as shown in FIG. 4 (c), the transparent electrode 2
及びレジストパターン4の表面に有機EL材料5を全面蒸着により薄膜として設け、レジストパターン4間の透明電極2上に発光層6を形成する。 And the resist provided the organic EL material 5 on the surface of the pattern 4 as a thin film on the entire surface by vapor deposition to form a light-emitting layer 6 on the transparent electrode 2 between the resist pattern 4. さらに発光層6の表面及びレジストパターン4上の有機EL材料5の表面に蒸着等により背面電極材料7を設け、レジストパターン4間に背面電極8を形成する。 Further, by vapor deposition or the like on the surface, and the resist pattern 4 on the surface of the organic EL material 5 of the light-emitting layer 6 is provided back electrode material 7, to form a back electrode 8 between the resist pattern 4.

【0005】このとき、レジストパターン4の逆三角形の底面と透明電極2間に設けられた影の部分9には、蒸着等による有機EL材料5及び背面電極材料7は付着しないことから、レジストパターン4による陰の部分9を挟んで、隣接する各発光層6と背面電極8は互いに絶縁される。 [0005] In this case, the portion 9 of the shadow provided between the bottom and the transparent electrode 2 of the inverted triangle of the resist pattern 4, since the organic EL material 5 and the back electrode material 7 by vapor deposition or the like do not adhere, the resist pattern across the fourth portion 9 of the shade by the back electrode 8 and the light emitting layer 6 adjacent are insulated from each other. これにより、背面電極8は、透明電極2と対向し、略直交するストライプ状に形成される。 Thus, the back electrode 8 is the transparent electrode 2 and the opposed, are formed in stripes substantially perpendicular.

【0006】ここで、有機EL材料5は、トリフェニルアミン誘導体(TPD)等のホール輸送材料と、発光材料であるアルミキレート錯体(Alq )等の電子輸送材料からなる。 [0006] Here, the organic EL material 5, a hole transport material such as a triphenylamine derivative (TPD), an electron-transporting material such as an aluminum chelate complex, which is a light-emitting material (Alq 3). 発光層6は、ホール輸送材料の上に電子輸送材料を積層したものや、これらの混合層からなる。 Emitting layer 6, and a laminate of an electron transporting material on the hole-transporting material, consisting of the mixed layer.
また、背面電極材料7は、Al、Li、Ag、Mg、I Further, the back electrode material 7, Al, Li, Ag, Mg, I
n等の金属またはこれらの合金からなる。 A metal or an alloy thereof such as n.

【0007】次に、レジストパターン4と、この表面に積層された有機EL材料5及び背面電極材料7を除去し、図4(d)に示すように、基板1上に透明電極2、 [0007] Next, the resist pattern 4, the organic EL material 5 and the back electrode material 7 that is laminated on the surface was removed, FIG. 4 (d), the transparent electrode 2 on the substrate 1,
発光層6、背面電極8からなる発光部を形成する。 Emitting layer 6, forming a light emitting portion composed of a back electrode 8.

【0008】このようにして形成された発光部は、透明電極2と背面電極8との間の所定の交点に所定の電流を流して発光層が発光する、いわゆるドットマトリックス方式により駆動される。 [0008] emitting portion formed in this manner, the light emitting layer emits light by applying a predetermined current to a predetermined intersection between the transparent electrode 2 and the back electrode 8, it is driven by a so-called dot-matrix.

【0009】 [0009]

【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術の場合、発光層の有機EL材料は化学的に脆弱な材料であり、特に水分の存在下や70℃を越える熱に対し、容易に劣化するため、エッチング等によるパターン化が極めて難しかった。 For THE INVENTION Problems to be Solved] The above conventional art, the organic EL material of the light-emitting layer is chemically fragile materials, especially for heat exceed presence and 70 ° C. water, readily degraded Therefore, patterning by etching or the like was extremely difficult.

【0010】また透明電極2の全面に塗布されるレジスト材料3は厚さが厚く、さらに断面が略逆三角形状のレジストパターン4を形成するには、露光によるパターニング、エッチング等の化学処理、及び洗浄等の工程が複雑で、多くの労力と時間を必要とするため製造コストを抑えることが難しかった。 Further resist material 3 is applied to the transparent electrode 2 entirely has thick thickness, the further forming a resist pattern 4 substantially shaped inverted triangular cross-section, the patterning by the exposure, chemical treatment such as etching, and steps such as washing is complicated, it is difficult to reduce the manufacturing cost since it requires a lot of effort and time. 特にエッチング後の洗浄は、 In particular cleaning after etching,
レジストパターン4の影の部分9に化学物質が残りやすいので、十分に行う必要があった。 Since the portion 9 of the shadow of the resist pattern 4 tends to remain chemicals, it is necessary to sufficiently carry out.

【0011】さらに背面電極8を形成する際、レジストパターン4の影の部分9に背面電極材料7が付着しないようにするため、背面電極材料7の蒸着方向は基板1面とほぼ垂直な方向に限定された。 [0011] When further forming a back electrode 8, since the back electrode material 7 in the portion 9 of the shadow of the resist pattern 4 is prevented from adhering deposition direction of the back electrode material 7 in a direction substantially perpendicular to the surface of the substrate 1 It has been limited. このため背面電極材料7の蒸着には、通常用いられる基板回転等の技法を用いることができなかった。 This for deposition of the back electrode material 7, could not be used a technique substrate rotation, etc. usually used. また大きな面積を有した基板1 The substrate 1 having a large area
においては、放射状に広がる蒸着源が使用できないため、蒸着源を多点化するか、あるいは基板1を移動させて小面積の蒸着を繰り返し行う等の処理が必要となり、 In, for deposition source that radiates is not available, or the deposition source multi epilepsy, or treatment such as repeated deposition of small area by moving the substrate 1 is required,
非常に面倒なものであった。 It was very tedious.

【0012】一方、背面電極8を形成する他の方法として、エッチング用のマスクに細線を等間隔で平行に配置して固定したマスクを用いるものがある。 Meanwhile, there is used as the other methods of forming the back electrode 8, and fixed arranged parallel to the fine line in the mask for etching at equal intervals mask. このマスクの細線が透明電極2と略直交するように設け、エッチングにより背面電極8を形成する場合は、マスクの平行な細線の形成が難しく、さらにマスクの細線に引張力が十分に働かないため、マスク細線の中央部付近で細線がたるんだり、平行な間隔が不揃いになる等の問題点を有していた。 Provided as fine lines of the mask is substantially orthogonal to the transparent electrode 2, the case of forming a rear electrode 8 by etching, since the formation of parallel fine lines of the mask is difficult, further pulling force on thin line of the mask is not sufficiently exerted , loosened thin line in the vicinity of the center portion of the mask fine lines, has a problem such that parallel spacing is irregular.

【0013】また、マスクに金属ワイヤを用いた場合、 Further, when a metal wire mask,
塑性変形により金属ワイヤに巻癖が残っており、これを張力で消すには大きな力を必要とし、さらにこの巻癖及びそれをとるための張力によりフレームに歪みが生じ、 And remains core set curl in the metal wire by plastic deformation, which requires a large force to extinguish at a tension, further distorts the frame by the tension for taking the curl and it,
フレームの平面度を得ることが難しかった。 It has been difficult to obtain a flatness of the frame. また金属ワイヤーをフレームに取り付ける際、固定するには大きな力をかけてクランプする必要があり、このことも歪みが生じる原因の一つとされていた。 Also when attaching the metal wire frame and fixed must be clamped over a large force, it was also to be one of the causes of distortion this.

【0014】この発明は上記従来の技術の問題点に鑑みてなされたものであり、有機EL材料を劣化させることなく、ストライプ状の背面電極を容易に形成することが可能なEL素子の製造方法を提供することを目的としたものである。 [0014] This invention has been made in view of the above problems, without degrading the organic EL material, manufacturing method of capable EL elements forming the back electrode of stripe shape easily it is intended to provide a.

【0015】 [0015]

【課題を解決するための手段】この発明のEL素子の製造方法は、ガラスや樹脂等の透明な基板表面に透明な電極材料により所定のピッチでストライプ状となるように透明電極を形成し、この透明電極にEL材料からなる発光層を蒸着等の真空薄膜形成技術により積層し、上記発光層の表面に、上記透明電極に対向し、直交する方向にストライプ状に所定のピッチでAl−Li等の背面電極を形成するEL素子の製造方法である。 A method for manufacturing means for Solving the Problems The EL device of the present invention, a transparent electrode such that the stripe with a predetermined pitch by a transparent electrode material on a transparent substrate surface such as glass or resin, a light-emitting layer made of an EL material in the transparent electrode is laminated by a vacuum thin-film forming technique such as vapor deposition, on the surface of the light-emitting layer, the opposite to the transparent electrode, at a predetermined pitch in a stripe shape in a direction perpendicular Al-Li it is a manufacturing method of an EL element forming the back electrode and the like. まず、予め所定の伸びのストレスが加えられた状態の単繊維の樹脂線状材料を、所定の開口部を有したフレームのその開口部に等間隔で平行に配列し固定してマスクフレームを形成し、上記背面電極を形成する際に、上記マスクフレームの上記樹脂線状材料を上記基板面に対面させ、上記樹脂線状材料を介して上記基板面に真空薄膜形成技術により背面電極材料を付着させ、この後上記マスクフレームの上記樹脂線状材料を取り除いてストライプ状の上記背面電極を形成するEL素子の製造方法である。 First, a mask frame advance given a resin linear material monofilaments state stress is applied elongation, in parallel arranged and fixed at regular intervals in the opening of the frame having a predetermined opening and, attached at the time of forming the back electrode, the resin linear material of the mask frame is faced to the substrate surface, a back electrode material by a vacuum thin film forming technique on the substrate surface through the resin linear material is allowed, a manufacturing method of an EL element to form the resin linear material stripes of the back electrode by removing the mask frame thereafter.

【0016】また、上記マスクフレームは、上記透明電極形成面全面に上記発光層を形成した後、この発光層に対面させて配置し、上記透明電極と上記線状材料が略直交するように位置させ、真空薄膜形成技術により背面電極材料を設けるEL素子の製造方法である。 Moreover, the mask frame is formed by forming a light emitting layer on the transparent electrode formation entire surface, arranged so as to face to the light-emitting layer, positioned such that the transparent electrode and the wire-like material is substantially orthogonal it is a manufacturing method of an EL element providing a rear electrode material by a vacuum thin film forming technique. 上記線状材料は、イミド系樹脂の単繊維であり、接着剤で上記フレームに固定するものである。 The linear material is a monofilament imide resin is for fixing to the frame by adhesive.

【0017】 [0017]

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態について図面に基づいて説明する。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, will be explained with reference to the accompanying drawings embodiments of the present invention. この実施形態の有機EL素子10は、ガラスや石英、樹脂等の透明な基板12の一方の表面に、ITO等の透明な電極材料による透明電極14が形成されている。 Organic EL element 10 of this embodiment, glass or quartz, on one surface of a transparent substrate 12 such as a resin, the transparent electrode 14 by a transparent electrode material such as ITO is formed. この透明電極14は、所定のピッチでストライプ状に形成されている。 The transparent electrode 14 is formed in a stripe pattern at a predetermined pitch. また透明電極1 The transparent electrode 1
4の表面には、500Å程度のホール輸送材料、及び5 The fourth surface, 500 Å of about hole transport material, and 5
00Å程度の電子輸送材料、その他発光材料によるEL 00Å about electron-transporting materials, EL by other luminescent materials
材料からなる発光層16が積層されている。 Emitting layer 16 are stacked of material. そして発光層16の表面には、Liを0.01〜0.05%程度含む純度99%程度のAl−Li合金、その他Al−Mg And on the surface of the light-emitting layer 16, 99% of the Al-Li alloys containing about 0.01 to 0.05 percent of Li, and other Al-Mg
等の陰極材料による背面電極28が、適宜の500Å〜 Back electrode 28 by cathodic material such that, in appropriate 500Å~
1000Å程度の厚みで積層されている。 It is laminated in 1000Å thickness of about. この背面電極28は、透明電極14と直交して対向し、ストライプ状に形成されている。 The back electrode 28 is opposed perpendicular to the transparent electrodes 14 are formed in a stripe shape. これら基板12上に積層された透明電極14から背面電極28までが発光部を形成する。 A transparent electrode 14 laminated on the substrates 12 on to the back electrode 28 to form a light-emitting portion.

【0018】ここで発光層16は、母胎材料のうちホール輸送材料としては、トリフェニルアミン誘導体(TP The light emitting layer 16 in this case, as the hole transport material of the womb materials, triphenylamine derivatives (TP
D)、ヒドラゾン誘導体、アリールアミン誘導体等がある。 D), hydrazone derivatives, arylamine derivatives. 一方、電子輸送材料としては、アルミキレート錯体(Alq )、ジスチリルビフェニル誘導体(DPVB On the other hand, the electron transport material, an aluminum chelate complex (Alq 3), distyrylbiphenyl derivatives (DPVB
i)、オキサジアゾール誘導体、ビスチリルアントラセン誘導体、ベンゾオキサゾールチオフェン誘導体、ペリレン類、チアゾール類等を用いる。 i), oxadiazole derivatives, bis styryl anthracene derivatives, benzoxazole thiophene derivatives, perylenes, using thiazoles like. さらに適宜の発光材料を混合してもよく、ホール輸送材料と電子輸送材料を混合した発光層を形成してもよく、その場合、ホール輸送材料と電子輸送材料の比は、10:90乃至90:1 May be mixed further suitable luminescent material may form a luminescent layer of a mixture of hole transporting material and an electron transporting material, the ratio of the case, the hole transporting material and electron transporting material is 10: 90 to 90 : 1
0の範囲で適宜変更可能である。 It can be appropriately changed in a range of 0.

【0019】さらに少なくとも発光部の全面を覆うように、図示しない撥水膜や保護膜が形成されている。 [0019] so as to cover at least the entire surface of the light emitting portion, a water-repellent film or a protective film (not shown) is formed. これらの材料はEL材料と反応せず、硬化する際に変形や縮小等の機械的ストレスを与えることがない材料であればよく、また発光部20の耐熱性が高くないので、硬化等に際して100℃以下で付着可能な材料であることが望ましい。 These materials do not react with the EL material may be any material that is not to provide a mechanical stress deformation and reduction or the like at the time of curing, and since the heat resistance of the light emitting portion 20 is not high, upon curing, etc. 100 ℃ is desirably a material which can be attached below. 従って樹脂材料は、常温硬化型あるいはUV硬化型の樹脂で、気密性が高い材料からなり、透光性、透気性、含水性を有しないものがよい。 Thus the resin material is a room temperature curing type or UV curable resin, made highly airtight material, translucent, permeable, it is having no hydroscopic.

【0020】図1(a)〜図1(c)は、この発明のE FIG. 1 (a) ~ FIG. 1 (c), E of the present invention
L素子の一実施形態とその製造工程を示す。 An embodiment of the L element and show the manufacturing steps. この実施形態のEL素子の製造方法は、ガラスや石英、樹脂等の透明な基板12の表面全面に、ITO等の透明な電極材料を蒸着等により設け、この表面にレジストを塗布し、所定のピッチを有するストライプ状のパターンを重ねる。 Manufacturing method of an EL element of this embodiment, glass or quartz, the entire surface of the transparent substrate 12 of resin or the like, a transparent electrode material such as ITO is provided by vapor deposition or the like, a resist is applied to this surface, a predetermined superimposing a striped pattern having a pitch.
次に露光、現像してストライプ状のパターンに対応した形状にレジストを残す。 Then exposure, the resist remains in a shape corresponding to the developed stripe of the pattern. そして透明な電極材料をエッチング処理し、所望のストライプ状の透明電極14を形成する。 And a transparent electrode material etched to form the desired stripe-shaped transparent electrode 14.

【0021】次に透明電極14の表面に、例えばEL材料としてTPD等のホール輸送材料からなるホール輸送層、Alq 等の電子輸送材料からなる電子輸送層やその他発光材料からなる層を、真空蒸着やスパッタリング、その他真空薄膜形成技術により積層し、発光層16 [0021] Then the surface of the transparent electrode 14, for example, a hole transport layer made of a hole transporting material TPD such as EL material, a layer formed of an electron transporting layer or other light-emitting material formed of an electron transporting material such as Alq 3, the vacuum vapor deposition or sputtering, and laminated by other vacuum thin film forming technique, the light-emitting layer 16
を形成する。 To form.

【0022】蒸着条件として、例えば、真空度が6×1 [0022] As the deposition conditions, for example, a vacuum degree of 6 × 1
−6 Torrで、EL材料の場合50Å/secの蒸着速度で成膜させる。 In 0 -6 Torr, thereby deposited at a deposition rate in the case 50 Å / sec of the EL material. また発光層14等は、フラッシュ蒸着により形成してもよい。 Also like the light-emitting layer 14 may be formed by flash evaporation. フラッシュ蒸着法は、予め所定の比率で混合したEL材料を、300℃〜600℃ Flash evaporation method, the EL material mixed in advance in a predetermined ratio, 300 ° C. to 600 ° C.
好ましくは400℃〜500℃に加熱した蒸着源に落下させ、EL材料を一気に蒸発させるものである。 Preferably not drop deposition source was heated to 400 ° C. to 500 ° C., in which once evaporated the EL material. またそのEL材料を容器中に収容し、急速にその容器を加熱し、一気に蒸着させるものでもよい。 Also the EL material housed in a container, rapidly heating the container may be one which once deposited.

【0023】次に背面電極28の蒸着に際して、ステンレス等の合金や金属、樹脂等の変形しにくい材料からなる矩形の環状のフレーム18の表面に、ストライプ状のマスク22を設ける。 [0023] In the next deposition of the back electrode 28, an alloy or metal such as stainless steel, the surface of a rectangular annular frame 18 made of deformable hard material such as resin is provided a stripe-shaped mask 22. マスク22は、ポリイミド系のアラミド繊維などの耐熱性のある樹脂線状材料である単繊維を等間隔にフレーム18の開口部に配置したものである。 Mask 22 is obtained by placing a single fiber is a resin linear material having heat resistance such as aramide fiber polyimide at equal intervals in the opening of the frame 18. この単繊維は、例えば直径が約70μmで、0.5 The single fiber, for example, a diameter of about 70 [mu] m, 0.5
mm程度のピッチで等間隔にフレーム18の開口部に配置させた後、長手方向に約3%伸張し所定の張力を付与したものである。 After equidistantly is disposed in an opening of the frame 18 in mm about a pitch is obtained by applying a predetermined tension to stretch about 3% in the longitudinal direction. フレーム18との固定部は、単繊維を接着剤20を介して、予め所定の治具により等間隔で平行に配置し、例えば約3%伸張した状態の単繊維をフレーム18に接着固定し、図2に示すようなマスクフレーム24を形成する。 Fixed part of the frame 18, a single fiber via an adhesive 20, parallel to and arranged at regular intervals in advance by a predetermined jig, the adhesive fixing the monofilament stretched state for example about 3% to frame 18, forming a mask frame 24 as shown in FIG. 単繊維によるマスク22は、接着剤20の厚みにより高さ、及び位置がずれないように各単繊維に対して平行にスキージを当て平面化する。 Mask 22 according to the single fiber, the height by the thickness of the adhesive 20, and to planarize rely squeegee parallel to each monofilament so that the position does not deviate.

【0024】フレーム18は、外形が基板12よりも大きく、例えば、内側の開口部の空間の大きさは300× The frame 18, the outer shape is larger than the substrate 12, for example, is 300 × size of the space inside the opening
300mm、フレーム18の外形の大きさは380×3 300 mm, the outer shape of the frame 18 size is 380 × 3
80mm程度の矩形状の枠で、マスク22を形成する単繊維を接着する表面は平坦な面である。 A rectangular-shaped frame of approximately 80 mm, the surface for bonding the filaments to form the mask 22 is a flat surface.

【0025】また接着剤は、流動性に優れ、フレーム1 [0025] The adhesive is excellent in fluidity, frame 1
8に均一な厚さで塗布することができ、またマスク22 Can be applied in a uniform thickness to 8, also mask 22
の単繊維とフレーム18を確実に接着固定するもので、 The single fiber and a frame 18 intended to securely bonded and fixed in,
30分程度で硬化することが望ましい。 It is desirable to cure in about 30 minutes.

【0026】次に基板12上に、単繊維によるマスク2 [0026] Next, on the substrate 12, mask according to the single fiber 2
2を形成したマスクフレーム24を重ね合わせ、図1 Superimposing a mask frame 24 formed to 2, FIG. 1
(a)に示すようにマスク22の単繊維の長手方向とストライプ状の透明電極14のストライプ方向が直交するように、発光層16上にマスク22を重ね合わせる。 As the stripe direction of the longitudinal and stripe-shaped transparent electrodes 14 of the single fiber of the mask 22, as shown in (a) are orthogonal, superimposing mask 22 on the light emitting layer 16. またこのときマスクフレーム24は、図3に示すように、 The mask frame 24 at this time, as shown in FIG. 3,
基板12に対して蒸着源側に位置し、マスク22が発光層16に押し当てられた状態とする。 Located in the evaporation source side with respect to the substrate 12, the mask 22 is a state of being pressed against the light-emitting layer 16.

【0027】次に、Liを0.01〜0.05%程度含む純度99%程度のAl−Li合金、その他Al−Mg Next, Al-Li alloy having a purity of about 99% containing about 0.01 to 0.05 percent of Li, and other Al-Mg
等の陰極材料からなる背面電極材料26を、発光層16 The back electrode material 26 comprising a cathode material such, the light emitting layer 16
及びマスク22の表面に真空蒸着等の真空薄膜形成技術により図1(b)に示すように設ける。 And by a vacuum thin film forming technique such as vacuum deposition on the surface of the mask 22 provided as shown in FIG. 1 (b). このときマスク22間の発光層16上には均一の厚さの背面電極材料2 Back of the case of the uniform on the light emitting layer 16 between the mask 22 thickness electrode material 2
6が形成される。 6 is formed.

【0028】その後マスクフレーム24を基板12から取り外し、図1(c)に示すように、隣接する背面電極28が、マスク22による領域によって互いに絶縁されたストライプ状に形成される。 [0028] Remove then the mask frame 24 from the substrate 12, as shown in FIG. 1 (c), is adjacent to the back electrode 28, it is formed in stripes which are insulated from one another by region by the mask 22.

【0029】マスクフレーム24のマスク22は、およそ20回程度繰り返し使用することができ、それ以後はマスク22の単繊維と接着剤20を除去し、上記と同様の方法でフレーム18に新しい単繊維を接着してマスク22を設ける。 The mask 22 of the mask frame 24 may be approximately about 20 times repeated use, thereafter removes the adhesive 20 between the single fibers of the mask 22, a new single-fiber frame 18 in the same manner as described above bonding the provision of the mask 22.

【0030】この後、発光層16と背面電極28の全面に、図示しないSiO等の絶縁性の保護膜等を、真空蒸着やスパッタリング、その他真空薄膜形成技術により形成してもよい。 [0030] Thereafter, on the entire surface of the light emitting layer 16 and the back electrode 28, an insulating protective film of SiO or the like (not shown) such as vacuum deposition and sputtering, it may be formed by other vacuum thin film forming technique. さらに、撥水膜や樹脂の保護膜等を設けてもよい。 Furthermore, it is also possible to provide a protective layer of water-repellent film or resin.

【0031】この実施形態のEL素子の製造方法によれば、樹脂系の単繊維のマスクフレーム24を用いて背面電極28を形成することにより、製造工程が少なく簡単なものとなった。 According to the manufacturing method of an EL element in this embodiment, by forming the back electrode 28 with the mask frame 24 of the single fiber of the resin system, the manufacturing process becomes as less simple. またマスクフレーム24のマスク22 The mask 22 of the mask frame 24
に耐熱性の単繊維を用いることにより、巻癖がないことから、通常の接着剤20でフレーム18に固定することが可能である。 To the use of the heat resistance of the monofilament, since there is no core set curl, it is possible to fix the frame 18 in a conventional adhesive 20. さらに背面電極材料26の蒸着時に生じるマスク22の熱膨張によるたわみは、予め伸びたストレスを加えているため吸収され、発光層16への密着性や平行性が失われることもない。 Further deflection due to thermal expansion of the mask 22 which occurs during the deposition of the back electrode material 26 is absorbed because the addition of pre-elongation stress, that no lost adhesion and parallelism of the light-emitting layer 16.

【0032】なおこの発明のEL素子の製造方法は、上記実施形態に限定されるものではなく、マスクの本数や間隔、大きさは透明電極等に対応させて適宜設定することができる。 [0032] Note that the method for manufacturing an EL element of this invention is not limited to the above embodiments, the number and spacing of the mask, the size can be appropriately set in correspondence to the transparent electrode or the like. またフレームの形状は基板よりも大きな内部空間を有し、マスクにより歪みが生じないものであればよく、また接着剤以外の材料を用いてフレームに固定してもよい。 The shape of the frame has a large interior space than the substrate, as long as the distortion by the mask does not occur, also materials other than adhesives may be fixed to the frame using. また背面電極は、Al、Li、Ag、M The back electrode, Al, Li, Ag, M
g、In等の金属またはこれらの合金を用いるよい。 g, good use of a metal or an alloy such as In.

【0033】 [0033]

【発明の効果】この発明のEL素子の製造方法によれば、フレームのマスクに単繊維形状の樹脂系材料を用いているので、製造途中でたるみよじれが発生せず、しかもフレームに変形を生じさせるような張力を必要とせず、等間隔で互いに平行なストライプ状のマスクを形成することができ、良好な背面電極を形成することができる。 Effects of the Invention] According to the manufacturing method of an EL device of the present invention, because of the use of resin-based material with a monofilament shaped mask frame, sagging kink is not generated in the course of manufacture, yet deform the frame without requiring tension that is, at equal intervals can be formed parallel stripe mask each other, it is possible to form a good back electrode.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】この発明の一実施形態のEL素子の製造工程(a)〜(c)を示す断面図である。 1 is a cross-sectional view showing a step of manufacturing the EL element of one embodiment of the present invention (a) ~ (c).

【図2】この発明の一実施形態のマスクフレームを示す平面図である。 2 is a plan view showing a mask frame according to an embodiment of the present invention.

【図3】この発明の一実施形態の基板上の発光層にマスクフレームを取り付けた状態を示す断面図である。 3 is a sectional view showing a state of attaching the mask frame to a light-emitting layer on a substrate of an embodiment of the present invention.

【図4】従来のEL素子の製造工程(a)〜(d)を示す断面図である。 4 is a cross-sectional view showing the manufacturing process (a) ~ (d) of the conventional EL element.

【符号の説明】 12 基板 14 透明電極 16 発光層 18 フレーム 20 接着剤 22 マスク 24 マスクフレーム 26 背面電極材料 28 背面電極 [Description of reference numerals] 12 substrate 14 transparent electrode 16 light-emitting layer 18 frame 20 adhesive 22 mask 24 mask frame 26 back electrode material 28 back electrode

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 肇 富山県上新川郡大沢野町下大久保3158番地 北陸電気工業株式会社内 (72)発明者 若林 守光 富山県上新川郡大沢野町下大久保3158番地 北陸電気工業株式会社内 Fターム(参考) 3K007 AB00 AB18 BA06 BB00 CA01 CA02 CA05 CB01 DA00 DB03 EB00 FA00 FA01 ────────────────────────────────────────────────── ─── of the front page continued (72) inventor Hajime Yamamoto Toyama Prefecture Kaminiikawa District, Toyama Osawano Shimookubo 3158 address Hokuriku electric Industry Co., Ltd. in the (72) inventor Mamoru Wakabayashi light Toyama Prefecture Kaminiikawa District, Toyama Osawano Shimookubo 3158 address Hokuriku electric industry Co., Ltd. in the F-term (reference) 3K007 AB00 AB18 BA06 BB00 CA01 CA02 CA05 CB01 DA00 DB03 EB00 FA00 FA01

Claims (3)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 透明な基板表面に透明な電極材料により所定のピッチでストライプ状となるように透明電極を形成し、この透明電極にEL材料からなる発光層を真空薄膜形成技術により積層し、上記発光層の表面に、上記透明電極に対向し、直交する方向にストライプ状に所定のピッチに背面電極を形成するEL素子の製造方法において、予め所定の伸びのストレスが加えられた状態の単繊維形状の樹脂線状材料を、所定の開口部を有したフレームのその開口部に等間隔で平行に配列し固定してマスクフレームを形成し、上記背面電極を形成する際に、上記マスクフレームの上記樹脂線状材料を上記基板面に対面させ、上記樹脂線状材料を介して上記基板面に真空薄膜形成技術により背面電極材料を付着させ、上記マスクフレームの上記樹脂線 1. A forming the transparent electrode so that the stripe with a predetermined pitch by a transparent electrode material on a transparent substrate surface, a light-emitting layer made of an EL material in the transparent electrode is laminated by a vacuum thin film forming techniques, the surface of the light-emitting layer, the opposite to the transparent electrode, the manufacturing method of the EL elements forming a back electrode on a predetermined pitch in a stripe shape in a direction orthogonal, in a state where pre-given elongation stress is applied single the resin linear material fiber shape, a mask frame and arranged parallel to and fixed at equal intervals in the opening of the frame having a predetermined opening, in forming the back electrode, the mask frame the above resin linear material is faced to the substrate surface, through the resin linear material is deposited back electrode material by a vacuum thin film forming technique on the substrate surface, the resin line of the mask frame 状材料を取り除いてストライプ状の上記背面電極を形成するEL素子の製造方法。 Manufacturing method of an EL element to form a stripe of the back electrode by removing Jo material.
  2. 【請求項2】 上記マスクフレームは、上記透明電極形成面全面に上記発光層を形成した後、この発光層に対面させて配置し、上記透明電極と上記線状材料が略直交するように位置させ、真空薄膜形成技術により背面電極材料を設ける請求項1記載のEL素子の製造方法。 Wherein said mask frame is formed by forming a light emitting layer on the transparent electrode formation entire surface, arranged so as to face to the light-emitting layer, positioned such that the transparent electrode and the wire-like material is substantially orthogonal is allowed, the method for manufacturing an EL element of claim 1, wherein the vacuum thin film forming technique providing the back electrode material.
  3. 【請求項3】 上記線状材料は、イミド系樹脂の単繊維であり、接着剤で上記フレームに固定する請求項1または2記載のEL素子の製造方法。 Wherein said linear material is a monofilament imide resin, the method for manufacturing an EL element of claim 1 or 2, wherein fixed to the frame with adhesive.
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