KR20050028943A - System for controling pressure of low pressure-chemical vapor deposition equipment - Google Patents

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Abstract

A system for controlling the pressure of low pressure CVD(chemical vapor deposition) equipment is provided to improve productivity by displaying an output voltage according to a pressure detection signal of a low pressure baratron sensor, and to prevent a process defect by checking a defect of the low pressure baratron sensor and by generating an interlock or alarm message. A low pressure baratron sensor(110) detects the pressure in a chamber. A sensor control part(120) outputs the first output voltage by using a pressure detection signal of the low pressure baratron sensor. An automatic pressure adjustment control part(130) outputs the second output voltage for controlling the pressure in the chamber by using the first output voltage. An automatic pressure control valve(140) receives the second output voltage and controls the pressure in the chamber. A display part displays the pressure in the chamber and the first output voltage according to a control signal of the automatic pressure adjustment control part.

Description

저압 화학기상증착장치의 압력조절 시스템{System for controling pressure of low pressure-chemical vapor deposition equipment} Pressure control system of a low-pressure chemical vapor deposition apparatus for controling pressure of {System low-pressure chemical vapor deposition equipment}

본 발명은 저압화학기상증착장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 챔버 내부의 압력을 조절하는 압력조절 시스템에 관한 것이다. The present invention relates to a low-pressure chemical vapor deposition apparatus, and more particularly to a pressure control system for controlling the pressure within the chamber.

일반적으로 반도체 제조 공정은 증착 공정, 사진 공정, 식각공정 및 이온주입 공정 등의 일련의 단위 공정으로 이루어진다. In general, a semiconductor manufacturing process is composed of a series of unit processes such as deposition process, a photolithography process, etching process and ion implantation process.

상기 증착 공정은 예컨대, 화학 기상 증착 장치(Chemical Vapour Deposition system), 확산로(diffusion furnace) 등과 같은 챔버 장치를 이용하는 공정이 다수 존재한다. The deposition process is, for example, the process chamber using a device such as a chemical vapor deposition apparatus (Vapour Chemical Deposition system), the spreading (diffusion furnace) and a number exists. 그중 저압 화학기상증착(Low Pressure-Chemical Vapour Deposition; 이하 “LP-CVD”라 한다) 공정은 특정의 반응 기체들을 반응 튜브속에 계속 투입하면서 적절한 조건을 유지시켜 줌으로써 고체상의 물질을 웨이퍼 표면에 증착시키는 것을 말한다. Among them, low-pressure CVD (Low Pressure-Chemical Vapour Deposition; hereinafter "LP-CVD" quot;) process to maintain the proper condition while continuing to input the specific reaction gas into the reaction tube for by giving depositing a material of the solid phase on the surface of the wafer It means. 상기 챔버 장치는 압력 센서 및 펌프(pump)를 장착하여 공정에서 요구되는 챔버 내의 기압을 균일하고 정밀하게 유지시켜야만 한다. The chamber apparatus sikyeoyaman uniform and maintain a precise air pressure in the chamber required for the process to mount the pressure sensor and the pump (pump).

이하, 도면을 참조하여 일반적인 저압 화학기상증착장치를 설명하면 다음과 같다. With reference to the drawings will be described a typical low-pressure chemical vapor deposition apparatus as follows.

도 1은 일반적인 저압 화학기상증착장치의 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다. 1 is a view schematically showing the construction of a typical low-pressure chemical vapor deposition apparatus.

도 1에 도시한 바와 같이, 저압 화학기상증착장치는 증착 공정의 진행시 필요한 반응 가스를 공급하는 가스공급부(1)와, 상기 반응 가스를 이용하여 실제 웨이퍼 상에 증착 공정이 이루어지는 챔버(2)와, 상기 웨이퍼의 증착 공정 조건을 만들기 위해 상기 챔버(2) 내부의 압력을 진공으로 만들고, 상기 증착 공정 시 상기 챔버(2) 내부의 압력을 일정하게 유지하도록 펌핑하는 배기부(3)로 구성된다. 1, a low pressure chemical vapor deposition apparatus and the gas supply (1) for supplying a reaction gas necessary for the progress of the deposition process, the chamber (2) is the deposition process on a real wafer using the reactant gas composed of and, to make the deposition process conditions of the wafers, create a pressure inside the chamber 2 at a vacuum, consists of a vent (3) for pumping to maintain a constant pressure within the chamber (2) during the deposition process do.

여기서, 상기 가스 공급부(1)는 상기 웨이퍼 상에 증착되는 물질을 함유하는 상기 반응가스와 불활성 기체를 상기 챔버(2) 내부로 일정한 유량으로 공급한다. Here, the gas supply (1) supplies a constant flow rate into the reaction gas and the inert gas chamber (2) containing the material to be deposited on the wafer. 이때, 상기 반응가스는 3SiH2Cl2 +4NH3 가스를 사용하며, 상기 웨이퍼 표면에 실리콘 질화막을 형성시킨다. In this case, the reaction gas is used and the 3SiH2Cl2 + 4NH3 gas to form a silicon nitride film on the wafer surface.

또한, 상기 챔버(2)는 상기 반응가스를 일정한 온도 및 압력에서 증착 공정 조건에 따라 상기 웨이퍼 상에 균일한 상기 실리콘 질화막을 형성할 수 있도록 분위기를 제공한다. In addition, the chamber, and (2) provides the atmosphere to form a silicon nitride film is the uniformity on the wafer depending on the deposition process conditions for the reaction gas at a constant temperature and pressure.

따라서, 저압 화학기상증착장치는 챔버(2) 내부에서 일정한 온도 및 압력의 증착 조건으로 상기 웨이퍼 상에 박막을 형성할 수 있다. Thus, low pressure chemical vapor deposition apparatus to form a thin film on the wafer by vapor deposition conditions of constant temperature and pressure within the chamber (2).

이때, 상기 배기부(3)는 상기 챔버(2) 내부의 압력을 균일하게 유지하기 위해 다음과 같이 구성되어 있다. At this time, the exhaust unit 3 is configured as follows in order to maintain a uniform pressure within the chamber (2). 상기 챔버(2) 내부에 웨이퍼를 로딩/언로딩할 경우 제 1 배기관(3a)을 통해 상압 상태의 상기 챔버(2) 내부 진공도를 감지하는 고압 바라트론 센서(4)와, 상기 웨이퍼 상에 박막을 형성할 경우 저압 상태의 상기 챔버(2) 내부의 진공도를 감지하는 저압 바라트론 센서(5)와, 저압 바라트론 센서(5)의 압력 감지신호로부터 상기 챔버(2)를 저압으로 균일하게 유지하는 위한 자동압력조절밸브(6)와, 상기 챔버(2) 내부의 반응 가스 및 잔류 가스를 펌핑하는 진공펌프(7)와, 상기 진공펌프(7)에 의해 배기되는 상기 반응 가스 및 잔류 가스를 흡수하여 세정 후 가연 배기하는 스크러버(8)와, 상기 챔버(2) 내부에 상기 웨이퍼를 로딩 후 상기 상압 바라트론 센서(4)의 감지신호를 이용하여 상기 대기압을 저압의 진공으로 만들기 위해 상기 자동압력조절밸브를 보호하도록 And the high pressure at Tron sensor 4 for sensing the internal vacuum degree of the atmospheric pressure state in which the chamber (2) through the first exhaust pipe (3a) if the loading / unloading of the wafer within the chamber (2), the thin film on the wafer when forming the at low pressure for sensing the chamber (2) a degree of vacuum of the inside of the low pressure Tron sensor 5, a low pressure at Tron sensor 5 is kept uniformly low pressure to the chamber (2) from the pressure detection signal of the and the automatic pressure control valve (6) for which, and the vacuum pump 7 for pumping the reaction gas and the residual gas within the chamber (2), the reactant gas and residual gas discharged by the vacuum pump 7 after loading the wafer inside the scrubber (8) for combustible exhaust washed absorbs, the chamber (2) to make the atmospheric pressure by using a detection signal of the atmospheric pressure at Tron sensor 4 into a low pressure vacuum the automatic to protect the pressure regulator valve 기 제 1 배기관(3a)으로부터 분기되는 제 2 배기관(3b)에 형성된 러핑 밸브(9)와, 상기 챔버(2) 내부로부터 상기 웨이퍼를 언로딩할 경우 저압의 진공에서 대기압에 도달 시 상기 대기압을 감지하는 대기압 감지 센서(10)와, 상기 대기압 감지 센서(6)의 대기압 감지 신호를 이용하여 제 3 배기관(3c)을 통하여 상기 스크러버(8)로 상기 반응가스를 배출하는 서브 밸브(8)를 포함하여 이루어진다. And group the roughing formed in the second exhaust pipe (3b) branched from the first exhaust pipe (3a) valve 9, the atmospheric pressure upon reaching the atmospheric pressure in the low pressure vacuum When unloading the wafer from the chamber (2) and detecting the atmospheric pressure sensor 10 to, the sub-valve 8 for discharging the reaction gas to the scrubber 8 through a third exhaust pipe (3c) using the atmospheric pressure detected signal of the atmospheric pressure sensor (6) It comprise.

여기서, 상기 저압 바라트론 센서(5)는 약 수 Torr 내지 수백 Torr의 진공도를 측정하기 위한 것으로서 매우 민감한 동작을 하기 때문에 상기 고압 바라트론 센서(4) 또는 대기압 감지 센서(10)의 출력 신호에 의해 개폐 동작하고, 상기 저압 바라트론 센서의 송기관(5a)에 체결되는 보조 밸브(12)에 의해 상기 제 1 배기관(3a)이 상압 또는 대기압 상태일 경우 보호된다. Here, by the output signal of the high voltage at torch sensor 4 or the atmospheric pressure sensor 10 Tron the low pressure at the sensor (5) because a very sensitive operation serves to measure the degree of vacuum of about several Torr to several hundred Torr opening and closing operation, the first exhaust pipe (3a) by means of a secondary valve 12 which is fastened to the flue (5a) of the low pressure at the sensor torch is protected if pressure or atmospheric pressure.

또한, 상기 보조 밸브(12)가 열릴 경우 상기 저압 바라트론 센서(5)의 동작이 가능하기 때문에 상기 저압 바라트론 센서(5)의 압력 측정값을 이용하여 동작하는 상기 자동압력조절 밸브(6)와 거의 동시에 동작된다. In addition, the automatic pressure control valve (6) which operates using a pressure measurement value of the low pressure at Tron sensor 5 due to the operation of the low pressure at Tron sensor 5 can be a case where the auxiliary valve 12 is opened and the operation is almost the same time.

도 2는 종래 기술에 따른 저압화학기상증착장치의 압력조절 시스템을 개략적으로 나타낸 도면으로서, 상기 저압 바라트론 센서(5)가 상기 챔버(2) 내부의 압력을 감지하여 압력감지 신호를 상기 센서 제어부(15)에 출력하고, 상기 센서 제어부(15)는 상기 압력감지 신호를 이용하여 제1 출력전압을 자동압력조절 제어부(16)에 출력하고, 상기 자동압력조절 제어부(16)는 상기 제1 출력전압을 이용하여 제 2 출력전압을 자동압력조절 밸브(6)에 출력한다. As the figure 2 is shown a pressure control system of the low-pressure chemical vapor deposition apparatus according to the related art schematically, the lower pressure at Tron sensor 5 is a pressure-sensitive signal of the sensor control unit to detect the chamber (2) the interior of the pressure an output (15), and the sensor control section 15 is output to the first automatic pressure controls the output voltage control unit 16 using the pressure detection signal, the automatic pressure regulation control unit 16 is the first output using a voltage and outputs the second output voltage to the automatic pressure control valve (6). 이때, 상기 자동압력조절 제어부(16)는 상기 센서 제어부(15)로부터 수신한 상기 제1 출력전압을 이용하여 표시부(17)에 챔버(2) 내부의 압력값(18)을 표시한다. In this case, the automatic pressure regulation control unit 16 displays a first output voltage chamber 2, the pressure value of the inner 18 to the display section 17 using the received from the sensor control section 15.

따라서, 상기 자동압력조절 제어부(15)는 상기 자동압력조절밸브(16) 신호를 출력하여 상기 자동압력조절밸브(16)의 개폐 정도(이하 앵글(angle)라고 칭함)를 제어함으로써 챔버(2) 내부의 압력을 조절하도록 한다. Thus, the automatic pressure regulation control unit 15 is opened and closed about 2 chamber by (the angle (angle called quot;)) controls of the automatic pressure control valve 16 to output the automatic pressure control valve 16, signal and to adjust the inner pressure.

이때, 상기 저압 바라트론 센서(5)는 온도 또는 외부적인 요인에 의하여 상기 압력값(18)에 따른 상기 제 1 출력전압의 기준전압이 달라진다. At this time, the torch at the low-pressure sensor 5 varies the reference voltage of the first output voltage corresponding to said pressure value (18) by a temperature or external factors.

또한, 챔버(2)의 내부에 공급된 상기 반응가스에 의해 상기 저압 바라트론 센서(5)의 내부에 파우더 성분이 발생되어 상기 저압 바라트론 센서(5)의 압력측정불량이 발생할 수 있다. In addition, the powder component is in the interior of the chamber (2) the anthrone reaction by a gas at the low pressure sensor 5 is supplied to the interior of the occurrence can cause a failure of the pressure measured at the low-pressure sensor torch (5).

때문에, 작업자가 상기 압력값(18)에 따른 제1 출력전압 값을 측정하여 상기 저압 바라트론 센서(5)의 압력값(18)에 따른 상기 제1 출력전압 값의 스판(span) 또는 영점조절을 정기적으로 설정해 주어야 한다. Therefore, the operator span (span) or the zero point adjustment of the first output voltage value corresponding to the pressure value (18) of the first output Tron the voltage value measured by the low pressure at the sensor 5 according to the pressure value (18) and the need to set a regular basis.

따라서, 종래 기술에 따른 저압화학기상증착장치의 압력조절 시스템은 작업자가 상기 저압 바라트론 센서(5)를 정기적으로 점검하고, 상기 저압 바라트론 센서(5)의 불량이 발생할 경우 교체하여 저압화학기상증착장치의 압력조절 시스템을 원활히 제어하도록 유지 관리한다. Thus, the pressure regulating system of the low-pressure chemical vapor deposition apparatus according to the prior art by replacing the event of a failure of the operator to the low pressure at Tron sensor 5 checked on a regular basis, and anthrone the low pressure at the sensor (5), low pressure chemical vapor and maintained so as to facilitate controlling the pressure regulating system of the deposition apparatus.

하지만, 종래 기술에 따른 저압화학기상증착장치의 압력조절 시스템은 다음과 같은 문제점이 있었다. However, the pressure regulating system of the low-pressure chemical vapor deposition apparatus according to the prior art has the following problems.

종래 기술에 따른 저압화학기상증착장치의 압력조절 시스템은 저압 바라트론 센서(5)의 유지 관리에 있어서 상기 저압 바라트론 센서(5)의 압력 감지 신호를 입력받아 출력하는 센서 제어부(15)의 제1 출력 전압 값을 작업자가 수작업으로 체크하기 때문에 생산 공정의 생산성을 떨어뜨린다. Pressure regulation of the low-pressure chemical vapor deposition apparatus according to the prior art system comprises a low pressure at Tron sensor 5 holding the sensor controller 15, which in the administration receives the pressure detection signal of the torch sensor 5, the low pressure at the output of 1 outputs a voltage value, because the operator to manually check a drop of productivity of the production process.

종래 기술에 따른 저압화학기상증착장치의 압력조절 시스템은 상기 제 1 출력 전압값이 작업자에 의해 정기적으로 점검되지만 상기 압력값에 따른 상기 제 1 출력 전압값이 일정 수준 이상 차이가 발생하여 압력조절 시스템의 동작불량에 따른 생산공정 불량을 야기할 수 있다. Pressure regulation of the low-pressure chemical vapor deposition apparatus according to the prior art system, pressure control system to which the first output voltage is checked at regular intervals by an operator, but the first output voltage is the difference over a certain level according to the pressure value occurs the production process according to the failure of the operation failure may result.

본 발명의 목적은 종래 기술에 따른 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 저압 바라트론 센서의 압력 감지 신호에 따른 출력 전압을 표시하여 생산성을 높일 수 있는 저압화학기상증착장치의 압력조절 시스템을 제공하는 데 있다. An object of the present invention is to solve the problems of the prior art, to provide a pressure control system of a low-pressure chemical vapor deposition device to display the output voltage to increase the productivity of the pressure detection signal of the low pressure at Tron sensor .

또한, 본 발명의 다른 목적은 상기 저압 바라트론 센서의 불량이 발생할 경우, 인터락 또는 경고음을 울려 생산공정 불량을 미연에 방지할 수 있는 저압화학기상증착장치의 압력조절 시스템을 제공하는 데 있다. It is another object of this invention to provide a pressure control system of the low-pressure when the failure of the torch sensors occur at, interlock or in the ring production process failure the warning sound can be prevented low pressure chemical vapor deposition apparatus.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 양상(aspect)에 따라, 본 발명의 저압화학기상증착장치의 압력조절 시스템은, 챔버 내부의 압력을 감지하는 저압 바라트론 센서와, 상기 저압 바라트론 센서의 압력 감지 신호를 이용하여 제 1 출력 전압을 출력하는 센서 제어부와, 상기 제1 출력 전압을 이용하여 상기 챔버 내부의 압력을 제어하기 위해 제 2 출력 전압을 출력하는 자동압력조절 제어부와, 상기 제 2 출력 전압을 수신하여 상기 챔버 내부의 압력을 조절하는 자동압력조절 밸브와, 상기 자동압력조절 제어부의 제어신호에 의해 상기 챔버 내부의 압력 및 제 1 출력 전압을 표시하는 표시부를 포함함을 특징으로 한다. According to the aspect (aspect) of the present invention for achieving the above object, the control pressure is low pressure chemical vapor deposition apparatus of the present invention system, anthrone at low pressure for sensing the chamber pressure sensor, and a pressure of the low pressure at Tron sensor and a sensor control unit for outputting a first output voltage by using the detection signal, the automatic pressure regulation control unit for outputting a second output voltage for using the first output voltage to control the pressure within the chamber, the second output and receives the voltage automatic pressure regulating valve for regulating pressure within the chamber, by the control signal of the automatic pressure regulating control unit is characterized in that it comprises a display unit for displaying the pressure and the first output voltage within the chamber.

이하, 본 발명에 따른 저압화학기상증착장치의 압력조절 시스템에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 순차적으로 설명하기로 한다. With reference to the accompanying drawings, with respect to the pressure control system of the low-pressure chemical vapor deposition apparatus according to the present invention will be described in sequence.

도 3은 본 발명에 따른 저압화학기상증착장치의 압력조절 시스템을 개략적으로 나타낸 도면이다. Figure 3 is a schematic view of the pressure control system of the low-pressure chemical vapor deposition apparatus according to the present invention.

도 3에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 저압화학기상증착장치의 압력조절 시스템은 챔버 내부의 압력을 감지하는 저압 바라트론 센서(110)와, 상기 저압 바라트론 센서(110)의 압력 감지 신호를 이용하여 제 1 출력 전압을 출력하는 센서 제어부(120)와, 상기 제1 출력 전압을 이용하여 상기 챔버 내부의 압력을 제어하기 위해 제 2 출력 전압을 출력하는 자동압력조절 제어부(130)와, 상기 자동압력조절 제어부(130)에서 출력되는 제 2 출력 전압을 이용하여 상기 챔버 내부의 압력을 조절하는 자동압력조절 밸브(140)와, 상기 자동압력조절 제어부(130)의 제어신호에 의해 상기 챔버 내부의 압력값(151)을 표시하고, 제1 출력 전압값(152)을 표시하는 표시부(150)를 포함하여 구성된다. 3, the pressure control of the low-pressure chemical vapor deposition apparatus according to the present invention the system pressure and the low pressure at Tron sensor 110 for sensing the chamber pressure, the low pressure Tron sensor 110 at sensing signal and a sensor for outputting a first output voltage control unit 120, wherein the automatic pressure and outputting a second output voltage to control the pressure within the chamber using the first output voltage regulation control unit 130 using, by the control signal of the automatic pressure control valve 140, the automatic pressure regulation control unit 130 to control the pressure within the chamber using a second output voltage output from the automatic pressure regulation control unit 130 the chamber display the pressure value 151 of the interior, and the is configured to include the first output voltage value 152 is a display 150 for displaying.

도시하지는 않았지만, 상기 자동압력조절 밸브(140)를 통하여 상기 챔버 내부의 반응가스 및 불활성 기체를 펌핑하는 진공 펌프를 더 포함하여 구성된다. Although not shown, further includes a vacuum pump for pumping of reactive gas and inert gas within the chamber via the automatic pressure control valve 140.

여기서, 상기 자동압력조절 제어부(130)는 상기 저압 바라트론 센서(110) 뿐만 아니라, 대기압을 측정하는 고압 바라트론 센서의 압력 감지 신호를 이용하여 포라인 밸브 및 서브 밸브를 동작하여 상기 챔버 내부의 압력을 제어할 수 있다. Here, the automatic pressure regulation control unit 130 within the chamber by operating the Fora valve and the sub-valve using pressure detection signals of the high pressure at Tron sensor as well as the lower pressure at Tron sensor 110 measures the atmospheric pressure, it is possible to control the pressure.

또한, 상기 센서 제어부(120)는 상기 압력감지 신호에 따른 상기 제1 출력 전압의 기준값이 작업자에 의해 임의로 설정되는 0점 포트와, 상기 압력에 따른 제 1 출력전압의 스판(span)값이 설정되는 스판 포트를 포함한다. Further, the sensor controller 120 is the span (span) the value of the first output voltage corresponding to the first output voltage zero port and the pressure at which the reference value is optionally set by the operator in accordance with the pressure detected signal set which includes a span port.

도 4는 본 발명의 실시에 따른 압력과 제 1 출력전압을 나타낸 도표로서, 상기 챔버 내부의 압력에 따라 상기 제 1 출력 전압이 비례하도록 설정할 수 있다. 4 can be set to the first output voltage is proportional to a diagram showing the pressure and the first output voltage in accordance with the embodiment of the present invention, the pressure within the chamber.

이때, 작업자는 상기 압력에 따른 상기 제 1 출력전압의 스판 값과, 상기 제1 출력 전압의 제로 값을 설정할 수 있다. At this time, the operator can set the span value and a zero value of the first output voltage of the first output voltage as a function of the pressure.

따라서, 본 발명에 따른 저압화학기상증착장치의 챔버 내부의 압력은 저압 바라트론 센서(110)에 의해 측정되고, 상기 저압 바라트론 센서(110)의 압력 감지 신호로부터 생성된 압력 값은 소정 스판 값과 제로 값의 설정에 의해 도 5와 같이 선형적으로 변화한다. Thus, the chamber pressure of the low pressure chemical vapor deposition apparatus according to the invention the low pressure of at Tron measured by the sensor 110, and generates the pressure sense signal of the low-pressure Tron sensor 110 is at a pressure value of a predetermined span value linearly changed as shown in Figure 5 with zero by the value set.

이때, 도 5에 도시한 바와 같이, 상기 제로 값이 변화할 경우, 상기 압력값(151)은 동일하지만 상기 제 1 출력 전압값(152)이 상이하게 나타나 압력조절 시스템의 동작불능상태를 가져올 수도 있다. At this time, as shown in FIG. 5, when the said zero-value change, the pressure value 151 is the same, but the first output voltage value 152 is to appear also lead to inoperable state of the pressure regulating system different have.

따라서, 본 발명에 따른 화학기상장치의 압력조절 시스템은 상기 압력값(151) 및 제 1 출력 전압값(152)을 상기 표시부(150)에 표시하여 작업자가 이를 비교 파악할 수 있도록 함으로써 압력조절 시스템의 동작 불능을 미연에 방지할 수 있다. Thus, the pressure control of the chemical vapor apparatus according to the invention the system of the pressure control system by allowing the operator to display the pressure value 151 and the first output voltage value 152 to the display unit 150 can determine compared the inoperable can be prevented. 또한, 상기 제 1 출력 전압값의 파악을 작업자의 수작업에 의존하는 종래에 비해 생산성을 높일 수 있다. In addition, the identification of the first output voltage can be more productive than the prior art depending on the hand of the operator.

한편, 도 6은 저압 바라트론 센서의 개략적으로 나타낸 도면으로서, 저압 바라트론 센서(110)는 챔버 진공관(117)으로부터 박스(111) 내부의 공기의 급격한 유입 및 배출을 차단하는 배플(112)과, 상기 챔버 내부의 압력에 따라 상기 박스 내부에서 유동적으로 변화하는 다이아프램(113)과, 상기 다이아 프램(113)과의 거리를 이용하여 상기 캐패시터를 유도하는 전극 어셈블리(114)와, 상기 전극 어셈블리(114)에 전원을 공급하는 전압 인입선(116) 상기 다이아프램의 기준 진공을 만드는 기준압 진공관(115)을 포함하여 이루어진다. On the other hand, Figure 6 is a diagram illustrating a schematic of a low pressure at Tron sensor, a low pressure at Tron sensor 110 is a baffle 112 which blocks the box 111 sudden inlet and exhaust of the inside air from the chamber tube (117) and , the electrode assembly 114 according to the pressure within the chamber and the diaphragm 113 for flexible changes in the interior of the boxes, leads to the capacitor by using the distance between the diaphragm 113 and the electrode assembly voltage drop line 116 for supplying power to 114 comprises a reference pressure tube 115 to create a vacuum in the reference diaphragm.

여기서, 상기 다이아프램(113)은 상기 챔버 진공관(117)으로 유입 또는 배출되는 공기의 압력에 따라 좌우로 팽창할 수 있다. Here, the diaphragm 113 may be expanded to the left and right in accordance with the pressure of the air introduced or discharged by the vacuum tube 117. The chamber.

따라서, 상기 저압 바라트론 센서(110)는 상기 다이아프램(113)과 전극 어셈블리(114) 사이에 유도되는 캐패시터를 측정하여 압력감지신호를 출력한다. Therefore, the low-pressure Tron sensor 110 at and outputs a pressure detection signal to measure the capacitance induced between the diaphragm 113 and the electrode assembly 114.

또한, 상기 베플(112)은 상기 챔버의 내부의 압력이 급격하게 떨어져 상기 다이아프램(113)이 상기 챔버 진공관(117)쪽으로 과도하게 팽창하는 것을 방지함으로써, 상기 다이아프램(113)을 보호하는 역할을 한다. Further, the role that by the baffle 112 prevents the pressure inside of the chamber abruptly away the diaphragm 113, the over-expansion into the vacuum tube 117, the chamber protecting the diaphragm 113 and the. 이때, 허용할 수 있는 압력값보다 더 높은 압력에 의해 상기 다이아프램(113)이 급격하게 팽창할 경우, 상기 저압 바라트론 센서(110)의 기계적인 고장이나 영점에 치명적인 변화를 가져올 수도 있다. In this case, it may by a pressure greater than that to allow pressure values ​​lead to mechanical breakdown or catastrophic change in the zero point of the diaphragm to the case 113 is suddenly expanded, the low-pressure Tron sensor 110 at.

또한, 상기 저압 바라트론 센서(110)는 반응가스에 의해 상기 다이아프램(113) 상에 파우더 성분이 발생할 경우, 상기 다이아프램(113)의 유동이 자유롭지 못하여 상기 스판값 및 제로 값이 바뀌고 상기 챔버 내부의 압력과 상기 센서 제어부(120)로부터 출력되는 제 1 출력전압이 상이해질 수 있다. In the case by the low-pressure Tron sensor 110 at the reaction gas is powder component occur on the diaphragm 113, the flow of the diaphragm 113 mothayeo free turns which the span value and a zero value of the chamber a first output voltage which is output from the internal pressure sensor and the control unit 120 may be different.

따라서, 본 발명에 따른 저압화학기상증착장치의 압력조절 시스템은 작업자로 하여금 상기 압력 및 제 1 출력전압을 인지하여 비교할 수 있도록 상기 압력값(151)과 제 1 출력전압값(152)을 각각 상기 표시부(150)에 표시한다. Thus, the pressure adjustment of the low-pressure chemical vapor deposition apparatus according to the invention the system allows the operator above the pressure value 151 and the first output voltage value 152 can be compared to recognize the above pressure and the first output voltage, respectively It is displayed on the display 150.

이때, 상기 작업자는 상기 표시부(150)에 표시되는 상기 압력값(151) 및 제 1 출력 전압값(152)을 표 1과 같이 설정된 자료를 바탕으로 일정 이상의 편차가 발생할 경우 상기 저압 바라트론 센서(110)의 스판 값 또는 영점 값을 새로이 설정하거나, 생산공정을 정지하여 상기 바라트론 센서를 수리 또는 교환할 수 있다. In this case, the operator Tron the low pressure at the event of the pressure value 151 and the first output voltage value over a predetermined on the basis of set data, such as the 152 and the Table 1 error to be displayed on the display unit 150, the sensor ( newly setting the span value or zero value of 110), or may be at the torch, repair or replace the sensor to stop the production process.

뿐만 아니라, 상기 자동압력조절 제어부(130)에서 상기 압력값(151) 및 제 1 출력 전압값(152)이 일정 수준이상 편차를 갖는 것을 감지하고, 생산공정라인에 자동으로 인터락 또는 경고 메세지를 발생시켜 사용자의 점검을 받을 수도 있다. As well as the pressure value 151 and the first output voltage value 152 automatically interlocks or warning message in the production process line sense that, and having a deviation more than a predetermined level in the automatic pressure regulation control unit 130 It may be generated by a user checking.

본 발명은 구체적인 실시예에 대해서만 상세히 설명하였지만 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 변형이나 변경할 수 있음은 본 발명이 속하는 분야의 당업자에게는 명백한 것이며, 그러한 변형이나 변경은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 할 것이다. The invention will apparent to those skilled in the art in which it belongs that the present invention may be modified or changed within the scope of the technical concept of the present invention has been described in detail only for the specific embodiment the field, and such variations and modifications are within the claims of the present invention something to do.

이상에서 상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 저압 바라트론 센서의 압력 감지 신호에 따른 출력 전압을 표시하여 생산성을 높일 수 있는 효과가 있다. According to the present invention as described above above, it is possible to improve the productivity, to display the output voltage of the pressure detection signal of the low-pressure sensor at Tron.

또한, 본 발명의 화학기상증착장치의 압력조절 시스템은 상기 저압 바라트론 센서의 불량을 파악하고 인터락 또는 경고 메시지를 발생시켜 생산공정 불량을 미연에 방지할 수 있는 효과가 있다. Further, pressure control of the CVD apparatus of the present invention the system is effective to identify the defect of a low pressure at the torch sensor and to generate a warning message or an interlock to prevent the production process defects from occurring.

도 1은 일반적인 저압 화학기상증착장치의 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다. 1 is a view schematically showing the construction of a typical low-pressure chemical vapor deposition apparatus.

도 2는 종래 기술에 따른 저압화학기상증착장치의 압력조절 시스템을 개략적으로 나타낸 도면이다. Figure 2 is a schematic view of the pressure control system of the low-pressure chemical vapor deposition apparatus according to the prior art.

도 3은 본 발명에 따른 저압화학기상증착장치의 압력조절 시스템을 개략적으로 나타낸 도면이다. Figure 3 is a schematic view of the pressure control system of the low-pressure chemical vapor deposition apparatus according to the present invention.

도 4는 본 발명의 실시에 따른 압력과 제 1 출력전압을 나타낸 도표이다. Figure 4 is a graph showing the pressure and the first output voltage in accordance with the practice of the invention.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 압력과 제 1 출력전압을 나타낸 그래프이다. Figure 5 is a graph showing the pressure and the first output voltage in the embodiment;

도 6은 저압 바라트론 센서의 개략적으로 나타낸 도면이다. Figure 6 is a schematic view of a low pressure at the sensor Tron.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 * * Description of the Related Art *

110 : 저압 바라트론 센서 111 : 박스 110: low-pressure sensor 111 at Tron: Box

112 : 배플 113 : 다이아프램 112: baffle 113: diaphragm

114 : 전극 어셈블리 115 : 기준압 진공관 114: electrode assembly 115: the reference pressure tube

116 : 전원 인입선 117 : 챔버 진공관 116: power supply lead-in wire 117: vacuum chamber

120 : 센서 제어부 130 : 자동압력조절 제어부 120: sensor control unit 130: an automatic pressure regulation control

140 : 자동압력조절 밸브 150 : 표시부 140: automatic pressure control valve 150: display unit

151 : 압력값 152 : 제 1 출력 전압값 151: pressure value 152: the first output voltage values

Claims (4)

  1. 챔버 내부의 압력을 감지하는 저압 바라트론 센서와, Tron and at low pressure in the chamber for sensing the pressure sensor,
    상기 저압 바라트론 센서의 압력 감지 신호를 이용하여 제 1 출력 전압을 출력하는 센서 제어부와, And a sensor control unit for outputting a first output voltage using the pressure detection signals of the low pressure at the sensor torch,
    상기 제1 출력 전압을 이용하여 상기 챔버 내부의 압력을 제어하기 위해 제 2 출력 전압을 출력하는 자동압력조절 제어부와, And the automatic pressure regulation control unit for outputting a second output voltage using the first output voltage to control the pressure within the chamber,
    상기 제 2 출력 전압을 수신하여 상기 챔버 내부의 압력을 조절하는 자동압력조절 밸브와, And to receive the second output voltage automatic pressure regulating valve for regulating pressure within the chamber,
    상기 자동압력조절 제어부의 제어신호에 의해 상기 챔버 내부의 압력 및 제 1 출력 전압을 표시하는 표시부를 포함함을 특징으로 하는 저압화학기상증착장치의 압력조절 시스템. By the control signal of the automatic pressure regulating control pressure control system of a low-pressure chemical vapor deposition apparatus characterized in that it comprises a display unit for displaying the pressure and the first output voltage within the chamber.
  2. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 제어부는 상기 압력감지신호에 따른 상기 제1 출력 전압의 영점값을 설정하는 영점 포트와, 상기 압력감지신호에 따른 제 1 출력전압의 스판값을 설정하는 스판 포트를 더 포함함을 특징으로 하는 저압화학기상증착장치의 압력조절 시스템. The control unit may further comprising the span port on which the zero port to set the zero value of the first output voltage as a function of the pressure detected signal, setting the span value of the first output voltage as a function of the pressure detecting signal pressure control system of a low-pressure chemical vapor deposition apparatus.
  3. 제 2 항에 있어서, 3. The method of claim 2,
    상기 자동압력조절 제어부는 상기 영점값 및 스판값이 변화되어 상기 챔버 내부의 압력에 따른 기준전압값과 상기 제 1 출력전압이 소정편차이상 상이해질 경우 생산공정라인에 인터락 또는 경고 메세지를 출력함을 특징으로 하는 저압화학기상증착장치의 압력조절 시스템. The automatic pressure regulation control unit to output the zero point and the span value of the change the reference voltage in accordance with the pressure within the chamber value to the first output voltage is an interlock or warning message in the production process line case be different from or greater than a predetermined deviation low pressure chemical vapor deposition system of the pressure control device, characterized in a.
  4. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 제 1 출력 전압은 상기 챔버 내부의 압력에 비례하도록 설정함을 특징으로 하는 저압화학기상증착장치의 압력조절 시스템. The first output voltage of the pressure regulating system of the low-pressure chemical vapor deposition apparatus characterized in that the settings to be proportional to the pressure within the chamber.
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